JP2012143115A - 負荷駆動回路 - Google Patents

Abstract

【課題】ブリッジ回路を構成する一対のＭＯＳＦＥＴの内蔵ダイオードに流れる負荷電流の逆回復を速くする。
【解決手段】ブリッジ回路３は内蔵ダイオード４ａ、５ａを内蔵したＭＯＳＦＥＴ４、５により構成される。ＭＯＳＦＥＴ４、５はスイッチング制御回路６によりゲート駆動回路７、８を介して駆動制御される。負荷電流ＩＬがコイル１からブリッジ回路に向けて流れる状態であって、例えば内蔵ダイオード４ａを介して環流電流を流す状態からＭＯＳＦＥＴ５を介して負荷電流を流す状態への移行期間の終盤にＭＯＳＦＥＴ４をオンして内蔵ダイオード４ａをオフさせ、電流Ｉ１がゼロ相当になったらＭＯＳＦＥＴ４をオフ、ＭＯＳＦＥＴ５をクランプ状態で一定時間オンする。その後、ＭＯＳＦＥＴ５を通常のオン状態に移行させる。
【選択図】図１

Description

本発明は、誘導性負荷を駆動するブリッジ回路を構成するもので、アームを構成する一対のスイッチング素子が内蔵ダイオードを備える構成の負荷駆動回路に関する。

モータなどの誘導性負荷を駆動する駆動回路として、パワーＭＯＳＦＥＴのような電圧駆動型スイッチング素子によるブリッジ回路を備えているものがある。そのような駆動回路では、誘導性負荷への通断電制御において交流電流を通電するようにブリッジ回路を構成する上アーム側および下アーム側の各ＭＯＳＦＥＴに制御信号を与える。この場合、ＭＯＳＦＥＴのスイッチング制御では、所謂貫通電流が流れるのを防止するために、双方のＭＯＳＦＥＴをオフ状態とするデッドタイムを設けるように制御している。

デッドタイム期間中においては、誘導性負荷に流れ続けようとする電流が上アーム側あるいは下アーム側のいずれか一方のＭＯＳＦＥＴの内蔵ダイオードを順方向に介して流れる。内蔵ダイオードに順方向電流が流れている状態で他方のＭＯＳＦＥＴがオンされると、内部に残留された少数キャリアの影響で逆方向の電流を阻止することができず、少数キャリアが消滅するまでの間に電流が逆方向に流れる現象がある。これが電力損失に大きく関与するため、ターンオン時のスイッチング損失の増大を招く。特に、ＭＯＳＦＥＴに内蔵される内蔵ダイオードについては逆回復特性が遅く、少数キャリアに起因する逆回復電荷が大きいので問題となる。

このような問題を解決するため、例えば特許文献１には、外部電源と外部スイッチにより低電圧で内蔵ダイオードの逆回復を行わせることで逆回復損失を低減するようにした技術が提案されている。

特開２００６−１４１１６７号公報

しかしながら、上記した特許文献１に示される技術においては、各スイッチング素子に対応して内蔵ダイオードに逆回復用の電流を供給する追加回路を設ける構成であるから、コストが高くなる問題がある。

本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的は、内蔵ダイオードへの給電用の追加回路を不要として低コストで内蔵ダイオードの逆回復損失を低減することができるようにした負荷駆動回路を提供することにある。

請求項１に記載の手段によれば、ブリッジ回路を構成する第１のスイッチング素子および第２のスイッチング素子のうち他方のスイッチング素子をオンすることにより誘導性負荷に通電した後、オンしていた他方のスイッチング素子をオフすると、誘導性負荷への給電は断たれるものの負荷電流が流れ続ける環流状態（第１の状態）となる。このような第１の状態における負荷電流は、一方のスイッチング素子を逆方向に介して流れる。このとき、一方のスイッチング素子がオフされていれば、その内蔵ダイオードを順方向に介して負荷電流（環流電流）が流れる。また、一方のスイッチング素子がオンされていれば、スイッチング素子のチャンネルを逆方向に介して負荷電流が流れる。そして、これらいずれのケースであっても、第１の状態から、他方のスイッチング素子を順方向に介して誘導性負荷に通電する第２の状態への移行期間には、各スイッチング素子の双方をオフする従来技術の手法を採用した場合、一方のスイッチング素子の内蔵ダイオードを順方向に介して負荷電流が流れることになる。そのため、内蔵ダイオードの逆回復電荷に起因した損失が問題となっていた。本手段のスイッチング制御回路は、以下のように各スイッチング素子のスイッチング動作を制御することにより、上記移行期間における内蔵ダイオードの逆回復損失を低減するようにしている。なお、スイッチング制御回路は、外部からの制御指令に基づいて、ゲート駆動回路を介して各スイッチング素子の動作を制御する。

すなわち、スイッチング制御回路は、第１の状態から第２の状態への移行期間において、一方のスイッチング素子にオン電圧を与えてオン駆動する。一方のスイッチング素子のゲートにオン電圧（ゲート電圧）が印加されることにより、順方向電流が流れていた内蔵ダイオードがオフする。これにより、一方のスイッチング素子のチャンネルを逆方向に介して負荷電流が流れる状態になる。そのような状態で、スイッチング制御回路は、他方のスイッチング素子にオン電圧を与えてオン駆動する。これにより、他方のスイッチング素子に負荷電流が流れ始め、それに伴い一方のスイッチング素子に流れる電流が減少し始める。つまり、還流電流として一方のスイッチング素子のチャンネルに流れていた負荷電流が内蔵ダイオードに流れることなく遮断され且つそのときの負荷電流が他方のスイッチング素子側に流れ始めるようになる。その後、スイッチング制御回路は、電流検出手段により検出される一方のスイッチング素子に流れる電流が所定の判定電流値以下になった時点で、一方のスイッチング素子にオフ電圧を与えてオフ駆動するとともに、他方のスイッチング素子にゲートしきい値電圧より高く且つオン電圧より低いクランプ電圧を与える。そして、さらにその後、スイッチング制御回路は、所定の遅延時間経過後に他方のスイッチング素子にオン電圧を与えてオン駆動する。

このように、本手段では、一方のスイッチング素子を逆方向に介して負荷電流が流れる第１の状態から他方のスイッチング素子を順方向に介して負荷電流が流れる第２の状態に移行する移行期間において、一方のスイッチング素子の内蔵ダイオードがオフされる。そのため、一方のスイッチング素子の内蔵ダイオードに少数キャリアが注入されず逆回復電荷が小さくなるため、逆回復に伴うターンオン損失の低減を図ることができる。ただし、内蔵ダイオードをオフするべく一方のスイッチング素子のゲートにオン電圧を与える必要があるため、本手段では、各スイッチング素子の双方が同時にオフになる期間（デットタイム）は原理的には存在しない。そのため、スイッチングタイミングのばらつきなどによって上下アームが短絡状態になり、過大な短絡電流が流れてしまう可能性がある。しかし、本手段のスイッチング制御回路は、一方のスイッチング素子のゲートにオフ電圧を与えると同時に他方のスイッチング素子のゲートにクランプ電圧を与えるようにしている。これにより、他方のスイッチング素子は、完全にはオンしていない動作状態、つまり出力電流が制限されたような動作状態となる。そのため、上下アームが短絡状態となって過大な短絡電流が流れることを制限することができる。

本手段によれば、従来技術に対し、スイッチング制御回路の制御内容を変更するとともに、各スイッチング素子のゲートを駆動するためのゲート駆動回路の構成を変更するだけで、上記した作用および効果が得られる。そのため、各スイッチング素子のそれぞれに対応して内蔵ダイオードへの給電用追加回路を設ける必要がないため、従来技術と比較して低コストで内蔵ダイオードの逆回復損失を低減することができる。

請求項２に記載の手段によれば、請求項１に記載の手段において、スイッチング制御回路は、第１の状態にあっては、一方のスイッチング素子のゲートにオフ電圧を与えるようにゲート駆動回路の動作を制御する。このようにすれば、第１の状態（環流状態）において、一方のスイッチング素子がオフされるため、その内蔵ダイオードを順方向に介して負荷電流（環流電流）が流れる。一般に、負荷電流が比較的大きい場合、内蔵ダイオードにおける導通時の損失のほうがスイッチング素子のチャンネルにおける導通時の損失よりも小さい。そのため、本手段によれば、負荷電流が比較的大きい用途に用いられる場合、第１の状態におけるスイッチング素子での導通時の損失を低減することができる。

請求項３に記載の手段によれば、請求項１に記載の手段において、スイッチング制御回路は、第１の状態にあっては、一方のスイッチング素子のゲートにオン電圧を与えるようにゲート駆動回路の動作を制御する。このようにすれば、第１の状態（環流状態）において、一方のスイッチング素子がオンされるとともに内蔵ダイオードがオフされるため、一方のスイッチング素子のチャンネルを逆方向に介して負荷電流（環流電流）が流れる。一般に、負荷電流が比較的小さい場合、スイッチング素子のチャンネルにおける導通時の損失のほうが内蔵ダイオードの導通時の損失よりも小さい。そのため、本手段によれば、負荷電流が比較的小さい用途に用いられる場合、第１の状態におけるスイッチング素子での導通時の損失を低減することができる。

請求項４に記載の手段によれば、請求項１に記載の手段において、誘導性負荷に流れる負荷電流を検出する負荷電流検出手段を備えている。そして、スイッチング制御回路は、第１の状態にあって、負荷電流検出手段により検出される負荷電流がしきい値電流より大きい場合には、一方のスイッチング素子のゲートにオフ電圧を与えるようにゲート駆動回路の動作を制御する。また、スイッチング制御回路は、第１の状態にあって、負荷電流検出手段により検出される負荷電流がしきい値電流より小さい場合には、一方のスイッチング素子にオン電圧を与えるようにゲート駆動回路の動作を制御する。

このようにすれば、第１の状態において、負荷電流がしきい値電流より大きい場合には、一方のスイッチング素子がオフされるため、その内蔵ダイオードを順方向に介して負荷電流が流れる。また、負荷電流がしきい値電流より小さい場合には、一方のスイッチング素子がオンされるとともに内蔵ダイオードがオフされるため、一方のスイッチング素子のチャンネルを逆方向に介して負荷電流が流れる。しきい値電流は、一方のスイッチング素子および内蔵ダイオードの導通時の損失が互いに等しくなる電流値に設定されている。そのため、本手段によれば、第１の状態における負荷電流が変化する場合でも、スイッチング素子のチャンネルおよび内蔵ダイオードのうち、その変化に応じて常に導通時の損失が小さくなるほうを介して負荷電流が流れるようになる。従って、負荷電流の大きさに関係なく、第１の状態におけるスイッチング素子での導通時の損失を低減することができる。

請求項５に記載の手段によれば、請求項１〜４のいずれか一項に記載の手段において、スイッチング制御回路は、判定電流値としてゼロを用いる。このようにすれば、第１の状態から第２の状態への移行期間において、一方のスイッチング素子に流れる電流がゼロになった時点で、その一方のスイッチング素子がオフされる。そのため、一方のスイッチング素子がオフになってから内蔵ダイオードに順方向電流が流れることがない。従って、本手段によれば、内蔵ダイオードの逆回復電荷に起因する損失低減効果を確実に得ることができる。

請求項６に記載の手段によれば、請求項１〜４のいずれか一項に記載の手段において、スイッチング制御回路は、判定電流値として環流電流とは反対向きの電流値を用いる。このようにすれば、第１の状態から第２の状態への移行期間において、一方のスイッチング素子を逆方向に介して流れる電流がほぼ完全に存在しない状態で、その一方のスイッチング素子がオフされる。そのため、一方のスイッチング素子がオフになってから内蔵ダイオードに順方向電流が流れることがない。従って、本手段によれば、内蔵ダイオードの逆回復電荷に起因する損失低減効果を確実に得ることができる。

請求項７に記載の手段によれば、請求項１〜６のいずれか一項に記載の手段において、ゲート駆動回路は、所定の電圧を出力する電圧源、第１の抵抗および第１の抵抗よりも抵抗値の大きい第２の抵抗を備えている。ゲート駆動回路は、電圧源の出力を第１の抵抗を介してオン電圧として出力し、第２の抵抗を介してクランプ電圧として出力する。このように、本手段によれば、ゲート駆動回路を簡単な回路構成で実現できる。

請求項８に記載の手段によれば、請求項１〜６のいずれか一項に記載の手段において、ゲート駆動回路は、所定の第１の電圧を出力する第１の電圧源および第１の電圧より低い第２の電圧を出力する第２の電圧源を備えている。ゲート駆動回路は、第１の電圧源の出力をオン電圧として出力し、第２の電圧源の出力をクランプ電圧として出力する。このように、本手段によれば、ゲート駆動回路を簡単な回路構成で実現できる。

請求項９に記載の手段によれば、請求項１〜６のいずれか一項に記載の手段において、誘導性負荷に流れる負荷電流を検出する負荷電流検出手段を備えている。ゲート駆動回路は、第１のスイッチング素子または第２のスイッチング素子が、負荷電流検出手段により検出される負荷電流の大きさに相当する電流を過不足なく流すことが可能な動作状態になるようなゲート電圧をクランプ電圧として出力する。このような構成によれば、第１の状態から第２の状態への移行期間において、他方のスイッチング素子には負荷電流に相当する電流が過不足なく流れるだけであり、過大な電流が流れることはない。そのため、本手段によれば、第１の状態から第２の状態への移行期間において、上下アームが短絡状態となって過大な短絡電流が流れることを確実に防止することができる。

本発明の第１の実施形態を示す電気的構成図 ＭＯＳＦＥＴのスイッチング制御の一例を示すタイミングチャート 各動作状態におけるブリッジ回路の態様を模式的に示す図 ＳＷ指令の状態および変化を判断する処理の内容を示すフローチャート 動作状態の移行期間において、どのパターンの制御を適用するかを判断する処理の内容を示すフローチャート 各パターンの制御が実行される際のＭＯＳＦＥＴの駆動状態を示す図 パターン１、２の制御内容を示すフローチャート パターン３、４の制御内容を示すフローチャート 電流ＩＬが矢印方向に流れる状態における各部の波形図 図９の区間Ｔで示す期間における各部の詳細波形図 本発明の第２の実施形態を示す図６相当図 図７相当図 図８相当図 本発明の第３の実施形態を示すものであり、ＭＯＳＦＥＴの電流および損失の関係を示す図 図７（ａ）相当図 図７（ｂ）相当図 図８（ａ）相当図 図８（ｂ）相当図 本発明の第４の実施形態を示す図１（ｂ）相当図 （ａ）は図７（ｂ）相当図、（ｂ）は図８（ａ）相当図 本発明の第５の実施形態を示す図１（ｂ）相当図 （ａ）は図７（ｂ）相当図、（ｂ）は図８（ａ）相当図 本発明の第６の実施形態を示すものであり、（ａ）は図７（ｂ）相当図、（ｂ）は図８（ａ）相当図

（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態について図１〜図１０を参照して説明する。
電気的構成の概略を示す図１（ａ）には、モータなどの誘導性負荷であるコイル１への交流通電をするための駆動回路２が示されている。駆動回路２（負荷駆動回路に相当）には、コイル１に対して正負の通電をするためのブリッジ回路３が設けられている。ブリッジ回路３は、上アーム側および下アーム側のそれぞれに対応してｎチャンネル型のパワーＭＯＳＦＥＴ４、５が設けられている。ブリッジ回路３は駆動用の直流電源ＶＤの端子間に接続されている。なお、図示はしていないが、コイル１の他端子は別のブリッジ回路に接続されている。

パワーＭＯＳＦＥＴ４、５（第１、第２のスイッチング素子に相当）のそれぞれは、内部構造的にソース・ドレイン間（主端子間）に内蔵ダイオード４ａ、５ａを備える構成で、これら内蔵ダイオード４ａ、５ａは、順方向（ソースからドレインに向かう方向）に電流が流れている状態でゲート電圧が与えられるとオフする機能を備えたものである。なお、この機能については、次の文献、
Zhenxue Xu, Bo Zhang and Alex Q.Huang,"Experimental Demonstration of the MOS Controlled Diode (MCD)",IEEE,2000
に内蔵ダイオードのオフ機能として説明されている。

また、各パワーＭＯＳＦＥＴ４、５のゲートには、スイッチング制御回路６から出力されるゲート駆動信号によりゲート駆動回路７、８を介してゲート駆動電圧が与えられる。スイッチング制御回路６には、外部より、コイル１に交流電流を流すための通電用のパルス信号からなるＳＷ指令が与えられる。スイッチング制御回路６は、そのＳＷ指令（制御指令に相当）に応じてゲート駆動回路７、８にゲート駆動用の信号を出力する。

電流トランスＣＴ１（負荷電流検出手段に相当）は、コイル１に流れる負荷電流ＩＬを検出する。電流トランスＣＴ２（電流検出手段に相当）は、ＭＯＳＦＥＴ４に流れる電流Ｉ１を検出する。電流トランスＣＴ３（電流検出手段に相当）は、ＭＯＳＦＥＴ５に流れる電流Ｉ２を検出する。なお、本実施形態では、電流ＩＬの検出値は、図１（ａ）中、左向き、すなわちコイル１からブリッジ回路３へ向かう方向を「正」としている。また、電流Ｉ１、Ｉ２の検出値は、図１（ａ）中、下向き、すなわちドレインからソースへ向かう方向を「正」としている。

ゲート駆動回路７および８はいずれも同様の構成であり、図１（ｂ）に示している。ゲート駆動回路７には、スイッチング制御回路６に接続される入力端子としてオンオフ駆動の入力端子Ｄ、選択信号の入力端子Ｓが設けられ、ＭＯＳＦＥＴ４（５）のゲートに信号（オフ電圧、オン電圧およびクランプ電圧）を出力する出力端子Ｇが設けられている。

出力端子Ｇには３個の抵抗Ｒｏｎ１（第１の抵抗に相当）、Ｒｏｎ２（第２の抵抗に相当）およびＲｏｆｆが接続されている。抵抗Ｒｏｎ１は、ｐチャンネルトランジスタＭｏｎ１を介して制御電源ＶＣに接続されている。抵抗Ｒｏｎ２は、ｐチャンネルトランジスタＭｏｎ２を介して制御電源ＶＣに接続されている。抵抗Ｒｏｆｆは、ｎチャンネルトランジスタＭｏｆｆを介して制御電源ＶＣの負極に接続されている。抵抗Ｒｏｎ１および抵抗Ｒｏｎ２は、それぞれ抵抗値として所定の値に設定されるが、抵抗Ｒｏｎ２の抵抗値は抵抗Ｒｏｎ１の抵抗値よりもかなり大きく（Ｒｏｎ２＞＞Ｒｏｎ１）設定されている。制御電源ＶＣ（電圧源に相当）は、所定の電圧ＶＣを出力する。

入力端子Ｄは、インバータ回路ＮＯＴ１を介してトランジスタＭｏｆｆのゲートに接続されるとともに、インバータ回路ＮＯＴ１を介した上でＯＲ回路ＯＲ１およびＯＲ２をそれぞれ介してトランジスタＭｏｎ１およびＭｏｎ２のゲートに接続されている。入力端子Ｓは、ＯＲ回路ＯＲ１を介してトランジスタＭｏｎ１のゲートに接続されるとともに、インバータ回路ＮＯＴ２およびＯＲ回路ＯＲ２を介してトランジスタＭｏｎ２のゲートに接続されている。

入力端子ＤおよびＳへの入力信号のレベルに応じて、トランジスタＭｏｎ１、Ｍｏｎ２、Ｍｏｆｆが下記のようにオンオフ動作され、出力端子Ｇに接続されるＭＯＳＦＥＴ４（５）には抵抗Ｒｏｎ１、Ｒｏｎ２、Ｒｏｆｆが接続された状態となる。スイッチング制御回路６は、ゲート駆動回路７、８に対して後述するようにゲート駆動信号を与えてＭＯＳＦＥＴ４、５を駆動制御する。本実施形態では、ＭＯＳＦＥＴ４（５）に対し、抵抗Ｒｏｎ１が接続された状態において、そのゲートに与えられる電圧がオン電圧に相当する。また、ＭＯＳＦＥＴ４（５）に対し、抵抗Ｒｏｎ２が接続された状態において、そのゲートに与えられる電圧がクランプ電圧に相当する。また、ＭＯＳＦＥＴ４（５）に対し、抵抗Ｒｏｆｆが接続された状態において、そのゲートに与えられる電圧がオフ電圧に相当する。オン電圧は、ＭＯＳＦＥＴ４（５）のゲートしきい値電圧よりも十分に高い電圧である。クランプ電圧は、ゲートしきい値電圧よりも高く、且つオン電圧より低い電圧である。

入力端子 トランジスタ スイッチング動作
Ｄ Ｓ Ｍon１ Ｍon２ Ｍoff ＭＯＳＦＥＴ４、５
「Ｌ」 「Ｌ」 ＯＦＦ ＯＦＦ ＯＮ ターンオフ（Ｒｏｆｆ）
「Ｌ」 「Ｈ」 ＯＦＦ ＯＦＦ ＯＮ ターンオフ（Ｒｏｆｆ）
「Ｈ」 「Ｌ」 ＯＮ ＯＦＦ ＯＦＦ ターンオン（Ｒｏｎ１）
「Ｈ」 「Ｈ」 ＯＦＦ ＯＮ ＯＦＦ ターンオン（Ｒｏｎ２）

図２は、スイッチング制御回路６によるＭＯＳＦＥＴ４、５のスイッチング制御の一例を示すタイミングチャートである。なお、以下の説明では、上アーム側のＭＯＳＦＥＴ４をＳＷ１と称するとともに、下アーム側のＭＯＳＦＥＴ５をＳＷ２と称することもある。図２に示すように、スイッチング制御回路６は、「０」を表すＳＷ指令が与えられると、ＳＷ１（ＭＯＳＦＥＴ４）をＯＦＦさせるとともにＳＷ２（ＭＯＳＦＥＴ５）をＯＮさせる。また、スイッチング制御回路６は、「１」を表すＳＷ指令が与えられると、ＳＷ１をＯＮさせるとともにＳＷ２をＯＦＦさせる。ただし、本実施形態では、後述するように、環流電流が流れる側のＳＷ（ＭＯＳＦＥＴ）は、図２においてＯＮさせるタイミングであっても実際にはＯＮ駆動させていない。そのため、環流電流は内蔵ダイオード４ａ（５ａ）を順方向に介して流れることになる。

図２に示すようにＳＷ１、ＳＷ２のスイッチング（ＯＮ／ＯＦＦ）が制御されてコイル１に対する通電が行われる際、ブリッジ回路３は、以下の４つの動作状態のうち、いずれかの動作状態となる。図３は、各動作状態におけるブリッジ回路３の態様を模式的に示している。なお、図３において、ＭＯＳＦＥＴ４、５（ＳＷ１、ＳＷ２）は、いずれもスイッチのシンボルで模式的に表されている。また、図３において、ＳＷ１、ＳＷ２がＯＮの状態は、ＭＯＳＦＥＴのチャンネルが導通する状態、または、内蔵ダイオードが導通する状態を示している。

ＳＷ１がＯＦＦされ、且つ、ＳＷ２がＯＮされた状態において、電流ＩＬが「負」である場合、つまり電流ＩＬがブリッジ回路３からコイル１に向かう方向（図３中、右向き）に流れる場合、図３（ａ）に示す動作状態Ａとなる。ＳＷ１がＯＮされ、且つ、ＳＷ２がＯＦＦされた状態において、電流ＩＬがブリッジ回路３からコイル１に向かう方向に流れる場合、図３（ｂ）に示す動作状態Ｂとなる。

動作状態Ａは、第１の状態に相当するものであり、電流ＩＬがＳＷ２（一方のスイッチング素子に相当）を逆方向（ソースからドレインに向かう方向）に介して流れる状態（環流状態）である。ただし、本実施形態における動作状態Ａでは、実際はＳＷ２（ＭＯＳＦＥＴ５）をＯＦＦ駆動し、その内蔵ダイオード５ａを順方向に介して電流ＩＬが流れる。一方、動作状態Ｂは、第２の状態に相当するものであり、電流ＩＬがＳＷ１（他方のスイッチング素子に相当）を順方向（ドレインからソースに向かう方向）に介して流れる状態である。コイル１の電流ＩＬが「負」である場合（ＩＬ＜０）、動作状態Ａおよび動作状態Ｂが交互に繰り返されることになる。スイッチング制御回路６は、動作状態Ａから動作状態Ｂへの移行期間においてパターン２の制御を実行し、動作状態Ｂから動作状態Ａへの移行期間においてパターン４の制御を実行する（詳細は後述する）。

ＳＷ１がＯＦＦされ、且つ、ＳＷ２がＯＮされた状態において、電流ＩＬが「正」である場合、つまり電流ＩＬがコイル１からブリッジ回路３に向かう方向（図３中、左向き）に流れる場合、図３（ｃ）に示す動作状態Ｃとなる。ＳＷ１がＯＮされ、且つ、ＳＷ２がＯＦＦされた状態において、電流ＩＬがコイル１からブリッジ回路３に向かう方向に流れる場合、図３（ｄ）に示す動作状態Ｄとなる。

動作状態Ｃは、第２の状態に相当するものであり、電流ＩＬがＳＷ２（他方のスイッチング素子に相当）を順方向に介して流れる状態である。一方、動作状態Ｄは、第１の状態に相当するものであり、電流ＩＬがＳＷ１（一方のスイッチング素子に相当）を逆方向に介して流れる状態（環流状態）である。ただし、本実施形態における動作状態Ｄでは、実際はＳＷ１（ＭＯＳＦＥＴ４）をＯＦＦ駆動し、その内蔵ダイオード４ａを順方向に介して電流ＩＬが流れる。コイル１の電流ＩＬが「正」である場合（ＩＬ≧０）、動作状態Ｃおよび動作状態Ｄが交互に繰り返されることになる。スイッチング制御回路６は、動作状態Ｃから動作状態Ｄへの移行期間においてパターン１の制御を実行し、動作状態Ｄから動作状態Ｃへの移行期間においてパターン３の制御を実行する（詳細は後述する）。

従来技術において、上記各移行期間には、ＳＷ１、ＳＷ２の双方をオフするデッドタイムが設けられていた。これに対し、本実施形態のスイッチング制御回路６は、単にＳＷ１、ＳＷ２の双方をオフするデッドタイムを設けるのではなく、各動作状態の移行期間に対応した特有のスイッチングを行うパターン１〜４の制御を実行する。詳細は後述するが、パターン１、４の制御は、従来技術と同様にデッドタイムを設ける制御としているが、パターン２、３の制御は、実質的にはデッドタイムを設けない制御としている。

図４は、ＳＷ指令の状態および変化を判断する処理の内容を示すフローチャートである。スイッチング制御回路６は、図４に示す処理を常時実行することにより、ＳＷ指令の状態（「０」または「１」）を状態フラグＦｓｔとして記憶するとともに、ＳＷ指令に変化があったか否かを変化フラグＦｃｈとして記憶する。なお、状態フラグＦｓｔは、ＳＷ指令が「０」であると判断された場合に「０」とされ、ＳＷ指令が「１」であると判断された場合に「１」とされるものである。また、変化フラグＦｃｈは、ＳＷ指令の状態に変化がないと判断された場合に「０」とされ、ＳＷ指令の状態に変化があると判断された場合に「１」とされるものである。

ステップＡ１では、変化フラグＦｃｈが「０」に設定される。ステップＡ２では、変化フラグＦｃｈが「０」であるか否かが判断される。このステップＡ２は、変化フラグＦｃｈが「０」になるまで繰り返される。変化フラグＦｃｈが「０」である場合（ステップＡ２で「ＹＥＳ」）、ステップＡ３に進む。ステップＡ３では、ＳＷ指令が「１」であるか否か判断される。ＳＷ指令が「１」である場合（ＹＥＳ）、ステップＡ４に進む。ステップＡ４では、状態フラグＦｓｔが「０」であるか否かが判断される。ＳＷ指令が「０」から「１」に変化した場合であれば、ステップＡ３、Ａ４の両方で「ＹＥＳ」となり、ステップＡ５に進むことになる。ステップＡ５では、状態フラグＦｓｔが「１」に設定されるとともに、変化フラグＦｃｈが「１」に設定された後、ステップＡ２に戻る。また、ＳＷ指令が「１」である状態が維持されている場合であれば、ステップＡ３で「ＹＥＳ」になるとともにステップＡ４で「ＮＯ」となり、ステップＡ２に戻ることになる。

一方、ステップＡ３において、ＳＷ指令が「０」であると判断された場合（ＮＯ）、ステップＡ６に進む。ステップＡ６では、状態フラグＦｓｔが「１」であるか否か判断される。ＳＷ指令が「１」から「０」に変化した場合であれば、ステップＡ３で「ＮＯ」になるとともにステップＡ６で「ＹＥＳ」となり、ステップＡ７に進むことになる。ステップＡ７では、状態フラグＦｓｔが「０」に設定されるとともに、変化フラグＦｃｈが「１」に設定された後、ステップＡ２に戻る。また、ＳＷ指令が「０」である状態が維持されている場合であれば、ステップＡ３、Ａ６の両方で「ＮＯ」となり、ステップＡ２に戻ることになる。このような処理が繰り返されることにより、ＳＷ指令に変化が生じた際、その変化後のＳＷ指令の状態が状態フラグＦｓｔに反映されるとともに、変化フラグＦｃｈが「１」に設定される。

図５は、ブリッジ回路３の動作状態が移行する移行期間において、パターン１〜４のうち、どのパターンの制御を適用するかを判断する処理の内容を示すフローチャートである。スイッチング制御回路６は、図４に示した処理と並行して図５に示す処理を実行することにより、ブリッジ回路３がどの動作状態からどの動作状態に移行するのかを判断し、その判断された移行期間に適したパターンの制御を実行する。

ステップＢ１では、変化フラグＦｃｈが「１」であるか否かが判断される。このステップＢ１は、変化フラグＦｃｈが「１」になるまで繰り返される。すなわち、ステップＢ１は、ＳＷ指令の状態が変化したと判断されるまで（図４におけるステップＡ５またはステップＡ７が実行されるまで）繰り返される。変化フラグＦｃｈが「１」である場合（ステップＢ１で「ＹＥＳ」）、ステップＢ２に進む。ステップＢ２では、変化フラグＦｃｈが「０」に設定される。これにより、図４に示した処理において、ステップＡ５またはステップＡ７を経た後に実行されるステップＡ２を抜けることが可能になる。

ステップＢ３では、状態フラグＦｓｔが「１」であるか否かが判断される。状態フラグＦｓｔが「１」である場合（ＹＥＳ）にはステップＢ４に進み、「０」である場合（ＮＯ）にはステップＢ５に進む。ステップＢ４、Ｂ５では、電流ＩＬの検出値が「正」であるか「負」であるかが判断される。ここで、動作状態Ｃから動作状態Ｄへの移行期間であれば、ステップＢ３、Ｂ４の両方で「ＹＥＳ」になる。そのため、ステップＢ６に進み、パターン１の制御が実行される。動作状態Ａから動作状態Ｂへの移行期間であれば、ステップＢ３で「ＹＥＳ」になるとともにステップＢ４で「ＮＯ」になる。そのため、ステップＢ７に進み、パターン２の制御が実行される。動作状態Ｄから動作状態Ｃへの移行期間であれば、ステップＢ３で「ＮＯ」になるとともにステップＢ５で「ＹＥＳ」になる。そのため、ステップＢ８に進み、パターン３の制御が実行される。動作状態Ｂから動作状態Ａへの移行期間であれば、ステップＢ３、Ｂ５の両方で「ＮＯ」になる。そのため、ステップＢ９に進み、パターン４の制御が実行される。

続いて、ブリッジ回路３の動作状態が移行する移行期間に実行されるパターン１〜４の制御内容について図６〜図８も参照して説明する。図６は、パターン１〜４の制御が実行される際におけるＳＷ１、ＳＷ２の駆動状態を示すタイミングチャートである。図７および図８は、各パターンの制御内容を示すフローチャートである。

（１）パターン１の制御
図６（ａ）は、パターン１の制御が実行される移行期間におけるＳＷ１、ＳＷ２の駆動状態を示している。なお、図６に示すＳＷ１、ＳＷ２の駆動状態（ＯＮ駆動／ＯＦＦ駆動）は、実際のＳＷ１、ＳＷ２が駆動されている状態を直接的に示すものではなく、スイッチング制御回路６からゲート駆動回路７、８に対して与えられるゲート駆動信号の状態を示している。

動作状態Ｃにおいては、ＳＷ１がＯＦＦ駆動されているとともにＳＷ２がＯＮ駆動されている。このような動作状態Ｃから動作状態Ｄに移行する移行期間には、図７（ａ）のフローチャートに示すパターン１の制御が実行される。パターン１の制御が開始されると、ＳＷ２がゲート抵抗Ｒｏｆｆを通じてＯＦＦ駆動され（ステップＣ１）、制御が終了する。これにより、ブリッジ回路３が動作状態Ｄに移行し、ＳＷ１（ＭＯＳＦＥＴ４）のチャンネルではなく、その内蔵ダイオード４ａを順方向に介して環流電流（電流ＩＬ）が流れる。このようなパターン１の制御は、ＳＷ１、ＳＷ２の双方がオフになるデッドタイムを設けるものであり、従来技術と同様の制御になる。

（２）パターン２の制御
図６（ｂ）は、パターン２の制御が実行される際における図６（ａ）相当図である。動作状態Ａにおいては、ＳＷ１、ＳＷ２の双方がＯＦＦ駆動されている。ただし、ＳＷ２の内蔵ダイオード５ａを介して環流電流が流れている。このような動作状態Ａから動作状態Ｂに移行する移行期間には、図７（ｂ）のフローチャートに示すパターン２の制御が実行される。パターン２の制御が開始されると、ＳＷ２がゲート抵抗Ｒｏｎ１を通じてＯＮ駆動される（ステップＤ１）。

ステップＤ１が終了すると、所定の遅延時間が経過するまで待機した後（ステップＤ２）、ＳＷ１がゲート抵抗Ｒｏｎ１を通じてＯＮ駆動される（ステップＤ３）。その後、ＳＷ２に流れる電流Ｉ２の検出値がゼロ以上であるか否かが判断される（ステップＤ４）。このステップＤ４は、電流Ｉ２が負の方向（図１、図３中、上方向）に流れる状態が解消される（「ＹＥＳ」になる）まで繰り返される。つまり、ステップＤ４は、ＳＷ２の内蔵ダイオード５ａを順方向に（ＳＷ２を逆方向に）介して流れる電流Ｉ２がゼロになるまで繰り返される。

電流Ｉ２が負の方向に流れる状態が解消されると、ステップＤ５に進む。ステップＤ５では、ＳＷ１がゲート抵抗Ｒｏｎ２を通じてＯＮ駆動（クランプ状態で駆動）されるとともに、ＳＷ２がゲート抵抗Ｒｏｆｆを通じてＯＦＦ駆動される。その後、所定の遅延時間が経過するまで待機した後（ステップＤ６）、ＳＷ１がゲート抵抗Ｒｏｎ１を通じてＯＮ駆動される（ステップＤ７）。これにより、ブリッジ回路３が動作状態Ｂに移行する。

（３）パターン３の制御
図６（ｃ）は、パターン３の制御が実行される際における図６（ａ）相当図である。動作状態Ｄにおいては、ＳＷ１、ＳＷ２の双方がＯＦＦ駆動されている。ただし、ＳＷ１の内蔵ダイオード４ａを介して環流電流が流れている。このような動作状態Ｄから動作状態Ｃに移行する移行期間には、図８（ａ）のフローチャートに示すパターン３の制御が実行される。パターン３の制御が開始されると、ＳＷ１がゲート抵抗Ｒｏｎ１を通じてＯＮ駆動される（ステップＥ１）。

ステップＥ１が終了すると、所定の遅延時間が経過するまで待機した後（ステップＥ２）、ＳＷ２がゲート抵抗Ｒｏｎ１を通じてＯＮ駆動される（ステップＥ３）。その後、ＳＷ１に流れる電流Ｉ１の検出値がゼロ以上であるか否か判断される（ステップＥ４）。このステップＥ４は、電流Ｉ１が負の方向（図１、図３中、上方向）に流れる状態が解消される（「ＹＥＳ」になる）まで繰り返される。つまり、ステップＥ４は、ＳＷ１の内蔵ダイオード４ａを順方向に（ＳＷ１を逆方向に）介して流れる電流Ｉ１がゼロになるまで繰り返される。

電流Ｉ１が負の方向に流れる状態が解消されると、ステップＥ５に進む。ステップＥ５では、ＳＷ２がゲート抵抗Ｒｏｎ２を通じてＯＮ駆動（クランプ状態で駆動）されるとともに、ＳＷ１がゲート抵抗Ｒｏｆｆを通じてＯＦＦ駆動される。その後、所定の遅延時間が経過するまで待機した後（ステップＥ６）、ＳＷ２がゲート抵抗Ｒｏｎ１を通じてＯＮ駆動される（ステップＥ７）。これにより、ブリッジ回路３が動作状態Ｃに移行する。

（４）パターン４の制御
図６（ｄ）は、パターン４の制御が実行される移行期間における図６（ａ）相当図である。動作状態Ｂにおいては、ＳＷ１がＯＮ駆動されているとともにＳＷ２がＯＦＦ駆動されている。このような動作状態Ｂから動作状態Ａに移行する移行期間には、図８（ｂ）のフローチャートに示すパターン４の制御が実行される。パターン４の制御が開始されると、ＳＷ１がゲート抵抗Ｒｏｆｆを通じてＯＦＦ駆動され（ステップＦ１）、制御が終了する。これにより、ブリッジ回路３が動作状態Ａに移行し、ＳＷ２（ＭＯＳＦＥＴ５）のチャンネルではなく、その内蔵ダイオード５ａを順方向に介して環流電流（電流ＩＬ）が流れる。このようなパターン４の制御は、ＳＷ１、ＳＷ２の双方がオフになるデッドタイムを設けるものであり、従来技術と同様の制御になる。

次に、上記構成の作用について図９および図１０も参照して説明する。
図９は、電流ＩＬが「正」方向（図１（ａ）中の矢印方向）に流れる状態における各部の波形を示す図である。また、図１０は、図９中、区間Ｔで示す期間（動作状態Ｄから動作状態Ｃへの移行期間の終盤）のＭＯＳＦＥＴ４、５の動作を詳細に示す各部の波形図である。なお、図９および図１０において、ＭＯＳＦＥＴ４のドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓ１の図示は省略しているが、その波形は、ＭＯＳＦＥＴ５のドレイン・ソース間電圧Ｖｄｓ２の波形を反転したものに相当する。

前述したように、動作状態Ｄにおいて、負荷電流ＩＬは、ＭＯＳＦＥＴ４の内蔵ダイオード４ａを介して還流電流Ｉ１として直流電源ＶＤ側に流れている。また、この状態では、ＭＯＳＦＥＴ５側では、ゲートにオフのゲート電圧が印加されており、電流Ｉ２は流れておらず、ドレイン・ソース間に電圧Ｖｄｓ２が発生している。

図９に示すように、動作状態Ｄから動作状態Ｃへの移行期間において、スイッチング制御回路６は、時刻ｔａの時点でＭＯＳＦＥＴ４を一旦オン動作させる。これにより、ＭＯＳＦＥＴ４の内蔵ダイオード４ａへの少数キャリアの注入が抑制され、電流Ｉ１はＭＯＳＦＥＴ４の内蔵ダイオード４ａから、ＭＯＳＦＥＴ４のＭＯＳチャンネルへ切り替わる。そして、スイッチング制御回路６は、ＭＯＳＦＥＴ４に流れる還流電流Ｉ１がゼロになる時刻ｔｂの時点で、ＭＯＳＦＥＴ４をオフさせるとともに、ＭＯＳＦＥＴ５をオン動作させるように制御する。

上記の制御において、図９中の期間Ｔ（動作状態Ｄから動作状態Ｃへの移行期間の終盤）の詳細な動作について図１０も参照して説明する。動作状態Ｄから動作状態Ｃへの移行期間においては、スイッチング制御回路６は、パターン３の制御を実行する。すなわち、スイッチング制御回路６は、時刻ｔａの時点でＭＯＳＦＥＴ４をオンさせるゲート駆動信号を与える。ゲート駆動信号は、第１のゲート駆動回路７の入力端子Ｄにハイレベル（「Ｈ」レベル）、入力端子Ｓにロウレベル（「Ｌ」レベル）の信号を与える。前述したように、トランジスタＭｏｎ１はＯＮ、Ｍｏｎ２、ＭｏｆｆはＯＦＦされ、ＭＯＳＦＥＴ４のゲートには制御電源ＶＣから第１の抵抗Ｒｏｎ１を介してオン電圧（Ｖｇｓ１）が与えられる。

ＭＯＳＦＥＴ４にオン電圧が与えられることにより、ＭＯＳＦＥＴ４の内蔵ダイオード４ａの少数キャリアの注入が抑制され内蔵ダイオード４ａはオフ状態となり、且つ、ＭＯＳＦＥＴ４はオン状態となるため、ソース・ドレイン間への逆電流が流れる状態となる。その後、ＭＯＳＦＥＴ５への第１のオンゲート電圧の印加が開始される（時刻ｔ１）。そして、第１のオンゲート電圧が次第に上昇してゲートしきい値電圧Ｖｔを超えた時刻ｔ２の時点からＭＯＳＦＥＴ５に電流Ｉ２が流れ始める。これにより、ＭＯＳＦＥＴ４のチャンネルに流れる電流Ｉ１は徐々に低下して、時刻ｔ４の時点においてゼロに至る。

一方、スイッチング制御回路６は、電流トランスＣＴ２の検出信号により、還流電流Ｉ１が低下してゼロ相当になるタイミング（時刻ｔ３〜時刻ｔ４）で、ゲート駆動回路７に対し、ＭＯＳＦＥＴ４をオフさせるようにゲート駆動信号を与える。この場合、スイッチング制御回路６は、ゲート駆動回路７の入力端子Ｄにロウレベル（「Ｌ」レベル）の信号を与える（入力端子Ｓの入力レベルに無関係に動作する）。これにより、トランジスタＭｏｎ１、Ｍｏｎ２はＯＦＦ、ＭｏｆｆはＯＮされ、ＭＯＳＦＥＴ４のゲートは抵抗Ｒｏｆｆを介してロウレベルに移行され、ゲート電圧Ｖｇｓ１がゲートしきい値電圧Ｖｔ以下になってオフされる。

また、時刻ｔ５の時点で、スイッチング制御回路６は、ゲート駆動回路８に対し、ＭＯＳＦＥＴ５を第２のオンゲート電圧でオンさせるようにゲート駆動信号を出力する。この場合、スイッチング制御回路６は、ゲート駆動回路８の入力端子ＤおよびＳの双方にハイレベル（「Ｈ」レベル）の信号を与える。これにより、トランジスタＭｏｎ１、ＭｏｆｆがＯＦＦし、Ｍｏｎ２がＯＮされ、ＭＯＳＦＥＴ５のゲートには制御電源ＶＣから抵抗Ｒｏｎ２を介してクランプ電圧（Ｖｇｓ２）が与えられるようになる。抵抗Ｒｏｎ２は抵抗Ｒｏｎ１に比べて大きい。そのため、ゲート電圧Ｖｇｓ２は、ゲートしきい値電圧Ｖｔより高く且つ通常のオンゲート電圧より低い電圧で維持され、通常のオン動作ではなく電流が制限される状態で動作される。なお、この場合、ゲート電圧Ｖｇｓは、ＭＯＳＦＥＴ５におけるミラー効果により、ミラー電圧Ｖｍ付近に収束することになる。

このように電流を制限したＭＯＳＦＥＴ５のオン状態は遅延機能を用いて一定の遅延時間（時刻ｔ５〜時刻ｔ７の時間）継続された後、スイッチング制御回路６により、ゲート駆動回路８にゲート駆動信号を与えてＭＯＳＦＥＴ５を通常のオン状態に移行させる（時刻ｔ７）。この場合、スイッチング制御回路６は、ゲート駆動回路８の入力端子Ｄにハイレベル（「Ｈ」レベル）のゲート駆動信号を与え、入力端子Ｓにロウレベル（「Ｌ」レベル）の信号を与え、トランジスタＭｏｎ１をＯＮ、トランジスタＭｏｎ２、ＭｏｆｆをＯＦＦさせ、これによってＭＯＳＦＥＴ５のゲートに制御電源ＶＣから抵抗Ｒｏｎ１を介して第１のオンゲート電圧が与えられる。これにより、ＭＯＳＦＥＴ５は、時刻ｔ８以降において通常のオン状態に移行する。

以上説明したように、動作状態Ｄから動作状態Ｃへの移行期間に実行されるパターン３の制御では、一方のスイッチング素子に相当するＭＯＳＦＥＴ４の内蔵ダイオード４ａに電流を流し込まない状態で、他方のスイッチング素子であるＭＯＳＦＥＴ５をオン状態に移行させる。従って、ＭＯＳＦＥＴ４の内蔵ダイオード４ａへの少数キャリアの注入が抑制され、逆回復電荷に起因するターンオン時の損失が低減する。そのため、内蔵ダイオード４ａの逆回復特性が悪い場合でも大きな逆回復電流が流れてスイッチング損失が増大することを抑制できる。

また、パターン３の制御では、内蔵ダイオード４ａをオフするためにＭＯＳＦＥＴ４をオンする必要がある。そのため、ＭＯＳＦＥＴ４のオフとＭＯＳＦＥＴ５のオンがほぼ同時に行われることになる。すなわち、ＭＯＳＦＥＴ４、５の双方が同時にオフになる期間（デッドタイム）は、原理的には存在しない。そのため、スイッチングに関する種々のタイミングのばらつきなどの影響により、上下アームが短絡してしまう危険性がある。

しかし、パターン３の制御では、移行期間の終盤において、ＭＯＳＦＥＴ５のゲートに抵抗Ｒｏｎ１を接続することによりゲート電圧をオン電圧に向けて上昇させ、その途中で一旦ＭＯＳＦＥＴ５のゲートに抵抗Ｒｏｎ２を接続することによりゲート電圧の上昇を停止させる（クランプ状態にする）。そして、その状態で所定の遅延時間が経過した後、ＭＯＳＦＥＴ５のゲートに再び抵抗Ｒｏｎ１を接続することにより、ゲート電圧をオン電圧まで上昇させて通常のオン状態に駆動する。つまり、ＭＯＳＦＥＴ５を通常のオン状態ではなく電流が制限された状態でオンした後、所定の遅延時間経過後に通常のオン状態に移行させるようにしている。このようなＭＯＳＦＥＴ５のゲート電圧の制御により、ＭＯＳＦＥＴ４、５の双方が同時にオンしても、大きな貫通電流が流れる事態は発生しない。つまり、パターン３の制御によれば、上下アームが短絡状態になった際の短絡電流が制限される。

なお、上記した制御において、最初からＭＯＳＦＥＴ５のゲートに抵抗値が比較的高い抵抗Ｒｏｎ２を接続して電流を制限することも可能であるが、その場合にはＭＯＳＦＥＴ５のターンオン時間が長くなってしまう。そのため、本実施形態では、最初にＭＯＳＦＥＴ５のゲートに抵抗値が比較的低い抵抗Ｒｏｎ１を接続し、ゲート電圧がクランプ電圧に達するまでの時間を短縮している。

本実施形態によれば、従来技術のように直接内蔵ダイオード４ａの逆回復電流を打ち消すための回路を追加する構成とするのではなく、比較的簡単な回路構成のゲート駆動回路７、８を設けるとともに、スイッチング制御回路６によるゲート駆動回路７、８を介したＭＯＳＦＥＴ４、５のスイッチング制御の内容に工夫を加えることにより、以上のような効果が得られるため、コスト的にも良好なものとすることができる。

なお、以上の説明においては、負荷電流ＩＬがブリッジ回路３に流れ込む場合（パターン３の制御）の各部の動作を例として示したが、コイル１にブリッジ回路３側から電流を流し込む場合（パターン２の制御）の各部の動作およびそれによる効果についても、ＭＯＳＦＥＴ４、５の動作が入れ替わるだけであり、基本的にはパターン３の場合と同様になる。

スイッチング制御回路６は、動作状態ＡにおいてＭＯＳＦＥＴ５をオフするとともに、動作状態ＤにおいてＭＯＳＦＥＴ４をオフする。すなわち、環流電流が流れる側のＭＯＳＦＥＴ４、５がオフされるため、その内蔵ダイオード４ａ、５ａを順方向に介して環流電流が流れる。一般に、ＭＯＳＦＥＴの内蔵ダイオードに所定の電流を流した場合における導通時の損失は、そのチャンネルに同等の電流を流した場合における導通時の損失と比較すると、流す電流が比較的大きい領域においては小さくなる。そのため、本実施形態によれば、負荷電流ＩＬが比較的大きい用途に用いられる場合、動作状態Ａ、Ｄ（環流状態）におけるＭＯＳＦＥＴ４、５での損失を低減することができる。

スイッチング制御回路６は、パターン２（３）の制御において、電流Ｉ２（Ｉ１）の検出値がゼロ以上であるか否かの判断を行うことにより、ＭＯＳＦＥＴ５（４）側に環流する状態が解消されたか否かの判断を行う。つまり、判流値としてゼロを用いている。このようにすれば、動作状態Ａから動作状態Ｂ（動作状態Ｄから動作状態Ｃ）への移行期間において、ＭＯＳＦＥＴ５（４）側に流れる電流がゼロになった時点で、ＭＯＳＦＥＴ５（４）がオフ駆動される。そのため、ＭＯＳＦＥＴ５（４）がオフされてから、その内蔵ダイオード５ａ（４ａ）に順方向電流が流れることが抑制される。このような構成によれば、内蔵ダイオード５ａ（４ａ）の逆回復電荷に起因する損失低減効果を確実に得ることが可能となる。

（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態について、図１１〜図１３を参照して説明する。
第１の実施形態は、動作状態ＡにおいてＭＯＳＦＥＴ５をオフするとともに、動作状態ＤにおいてＭＯＳＦＥＴ４をオフすることにより、内蔵ダイオード４ａ、５ａを介して環流電流を流す構成であった。このような第１の実施形態に対し、本実施形態は、動作状態ＡにおいてＭＯＳＦＥＴ５をオンするとともに、動作状態においてＭＯＳＦＥＴ４をオンすることにより、ＭＯＳＦＥＴ４、５のチャンネルを介して環流電流を流す構成である。

本実施形態は、上記相違点により、パターン１〜４の制御内容についても第１の実施形態とは以下のように異なる。図１１は、パターン１〜４の制御が実行される際におけるＳＷ１、ＳＷ２の駆動状態を示すものであり、第１の実施形態における図６相当図である。また、図１２および図１３は、各パターンの制御内容を示すものであり、第１の実施形態における図７および図８相当図である。

（１）パターン１の制御
図１１（ａ）は、パターン１の制御が実行される移行期間におけるＳＷ１、ＳＷ２の駆動状態を示している。動作状態Ｃから動作状態Ｄに移行する移行期間には、図１２（ａ）のフローチャートに示すパターン１の制御が実行される。図１２（ａ）のフローチャートは、図７（ａ）のフローチャートに対し、ステップＣ２、Ｃ３が追加されている。パターン１の制御が開始されると、ＳＷ２がゲート抵抗Ｒｏｆｆを通じてＯＦＦ駆動される（ステップＣ１）。その後、所定の遅延時間が経過するまで待機し（ステップＣ２）、ステップＣ３に進む。ステップＣ３では、ＳＷ１がゲート抵抗Ｒｏｎ１を通じてＯＮ駆動され、制御が終了する。これにより、ブリッジ回路３が動作状態Ｄに移行し、ＳＷ１（ＭＯＳＦＥＴ４）のチャンネルを逆方向に介して環流電流（電流ＩＬ）が流れる。このようなパターン１の制御は、ＳＷ１、ＳＷ２の双方がオフになるデッドタイムを設けるものであり、従来技術と同様の制御になる。

（２）パターン２の制御
図１１（ｂ）は、パターン２の制御が実行される際における図１１（ａ）相当図である。動作状態Ａにおいては、ＳＷ１がＯＦＦ駆動されるとともに、ＳＷ２がＯＮ駆動されている。この場合、ＳＷ２（ＭＯＳＦＥＴ５）のチャンネルを逆方向に介して環流電流が流れている。このような動作状態Ａから動作状態Ｂに移行する移行期間には、図１２（ｂ）のフローチャートに示すパターン２の制御が実行される。図１２（ｂ）のフローチャートは、図７（ｂ）のフローチャートに対し、ステップＤ１、Ｄ２が削除されている。パターン２の制御が実行されると、ＳＷ１がゲート抵抗Ｒｏｎ１を通じてＯＮ駆動される（ステップＤ３）。その後は、第１の実施形態と同様にステップＤ４〜Ｄ７が実行され、ブリッジ回路３が動作状態Ｂに移行する。

（３）パターン３の制御
図１１（ｃ）は、パターン３の制御が実行される際における図１１（ａ）相当図である。動作状態Ｄにおいては、ＳＷ１がＯＮ駆動されるとともに、ＳＷ２がＯＦＦ駆動されている。この場合、ＳＷ１（ＭＯＳＦＥＴ４）のチャンネルを逆方向に介して環流電流が流れている。このような動作状態Ｄから動作状態Ｃに移行する移行期間には、図１３（ａ）のフローチャートに示すパターン３の制御が実行される。図１３（ａ）のフローチャートは、図８（ａ）のフローチャートに対し、ステップＥ１、Ｅ２が削除されている。パターン３の制御が実行されると、ＳＷ２がゲート抵抗Ｒｏｎ１を通じてＯＮ駆動される（ステップＥ３）。その後は、第１の実施形態と同様にステップＥ４〜Ｅ７が実行され、ブリッジ回路３が動作状態Ｃに移行する。

（４）パターン４の制御
図１１（ｄ）は、パターン４の制御が実行される移行期間における図１１（ａ）相当図である。動作状態Ｂから動作状態Ａに移行する移行期間には、図１３（ｂ）のフローチャートに示すパターン４の制御が実行される。図１３（ｂ）に示すフローチャートは、図８（ｂ）に示すフローチャートに対し、ステップＦ２、Ｆ３が追加されている。パターン４の制御が開始されると、ＳＷ１がゲート抵抗Ｒｏｆｆを通じてＯＦＦ駆動される（ステップＦ１）。その後、所定の遅延時間が経過するまで待機し（ステップＦ２）、ステップＦ３に進む。ステップＦ３では、ＳＷ２がゲート抵抗Ｒｏｎ１を通じてＯＮ駆動され、制御が終了する。これにより、ブリッジ回路３が動作状態Ａに移行し、ＳＷ２（ＭＯＳＦＥＴ５）のチャンネルを逆方向に介して環流電流（電流ＩＬ）が流れる。このようなパターン４の制御は、ＳＷ１、ＳＷ２の双方がオフになるデッドタイムを設けるものであり、従来技術と同様の制御になる。

以上説明した本実施形態の構成によっても、第１の実施形態と同様の作用および効果が得られる。また、本実施形態のスイッチング制御回路６は、動作状態ＡにおいてＭＯＳＦＥＴ５をオンするとともに、動作状態ＤにおいてＭＯＳＦＥＴ４をオンする。すなわち、環流電流が流れる側のＭＯＳＦＥＴ４、５がオンされるとともにその内蔵ダイオード４ａ、５ａがオフされるため、ＭＯＳＦＥＴ４、５のチャンネルを逆方向に介して環流電流が流れる。一般に、ＭＯＳＦＥＴのチャンネルに所定の電流を流した場合における導通時の損失は、その内蔵ダイオードに同等の電流を流した場合における導通時の損失と比較すると、流す電流が比較的小さい領域においては小さくなる。そのため、本実施形態によれば、負荷電流ＩＬが比較的小さい用途に用いられる場合、動作状態Ａ、Ｄ（環流状態）におけるＭＯＳＦＥＴ４、５での損失を低減することができる。

（第３の実施形態）
以下、本発明の第３の実施形態について、図１４〜図１８を参照して説明する。
図１４は、ＭＯＳＦＥＴ４、５における電流および損失の特性の一例を示している。一般に、ＭＯＳＦＥＴのチャンネルを導通状態にして所定の電流を流した場合、その電流および損失（ソース・ドレイン間電圧）は、図１４に太字の破線で示すような関係となる。一方、ＭＯＳＦＥＴの内蔵ダイオードを導通状態にして所定の電流を流した場合、その電流および損失（順方向電圧）は、図１４に太字の実線で示すような関係となる。

図１４に示すように、流す電流が電流Ｉｘより小さい領域（ＦＥＴ ＯＮ領域）においては、同じ電流を流すのであればチャンネルにおける損失のほうが小さくなる。一方、流す電流が電流Ｉｘより大きい領域（ダイオード環流領域）においては、同じ電流を流すのであれば内蔵ダイオードにおける損失のほうが小さくなる。電流Ｉｘは、しきい値電流に相当するものであり、ＭＯＳＦＥＴのチャンネルおよび内蔵ダイオードの導通時の損失が互いに等しくなる電流である。

本実施形態では、ＭＯＳＦＥＴの上記特性を考慮し、負荷電流ＩＬの大きさに応じて、動作状態Ａ、Ｄにおいて内蔵ダイオード４ａ、５ａを介して環流させる状態と、ＭＯＳＦＥＴ４、５のチャンネルを介して環流させる状態とを切り替えるようにしている。具体的には、負荷電流ＩＬが電流Ｉｘより大きい場合、内蔵ダイオード４ａ、５ａを介して環流させる。つまり、第１の実施形態と同様に、スイッチング制御回路６は、動作状態ＡにおいてＭＯＳＦＥＴ５をオフするとともに、動作状態ＤにおいてＭＯＳＦＥＴ４をオフする。一方、負荷電流ＩＬが電流Ｉｘより小さい場合、ＭＯＳＦＥＴ４、５のチャンネルを介して環流させる。つまり、第２の実施形態と同様に、スイッチング制御回路６は、動作状態ＡにおいてＭＯＳＦＥＴ５をオンするとともに、動作状態ＤにおいてＭＯＳＦＥＴ４をオンする。

本実施形態は、上記相違点により、パターン１〜４の制御内容についても上記各実施形態とは以下のように異なる。本実施形態のパターン１〜４では、負荷電流ＩＬの大きさに応じて第１の実施形態のパターン１〜４と、第２の実施形態のパターン１〜４とを切り替えている。以下の説明では、第１の実施形態のパターン１〜４をパターン１ａ〜４ａと称するとともに、第２の実施形態のパターン１〜４をパターン１ｂ〜４ｂと称する。図１５〜図１８は、本実施形態のパターン１〜４の制御内容を示すものである。

（１）パターン１の制御
動作状態Ｃから動作状態Ｄに移行する移行期間には、図１５のフローチャートに示すパターン１の制御が実行される。図１５のフローチャートは、第２の実施形態における図１２（ａ）のフローチャートに対し、ステップＣ４、Ｃ５が追加されている。パターン１の制御が開始されると、電流トランスＣＴ１を通じて検出される負荷電流ＩＬの検出値の絶対値｜ＩＬ｜が電流Ｉｘ以上であるか否かが判断される（ステップＣ４）。

絶対値｜ＩＬ｜が電流Ｉｘ以上である場合（ステップＣ４で「ＹＥＳ」）、ステップＣ５に進む。ステップＣ５は、ステップＣ１と同じ内容である。これにより、パターン１ａの制御（ステップＣ５）が実行される。一方、絶対値｜ＩＬ｜が電流Ｉｘ未満である場合（ステップＣ４で「ＮＯ」）、ステップＣ１に進む。これにより、パターン１ｂの制御（ステップＣ１〜Ｃ３）が実行される。

（２）パターン２の制御
動作状態Ａから動作状態Ｂに移行する移行期間には、図１６のフローチャートに示すパターン２の制御が実行される。図１６のフローチャートは、第１の実施形態における図７（ｂ）のフローチャートに対し、ステップＤ８が追加されている。パターン２の制御が実行されると、電流トランスＣＴ１を通じて検出される負荷電流ＩＬの検出値の絶対値｜ＩＬ｜が電流Ｉｘ以上であるか否かが判断される（ステップＤ８）。

絶対値｜ＩＬ｜が電流Ｉｘ以上である場合（ステップＤ８で「ＹＥＳ」）、ステップＤ１に進む。これにより、パターン２ａの制御（ステップＤ１〜Ｄ７）が実行される。一方、絶対値｜ＩＬ｜が電流Ｉｘ未満である場合（ステップＤ８で「ＮＯ」）、ステップＤ１、Ｄ２をスキップしてステップＤ３に進む。これにより、パターン２ｂの制御（ステップＤ３〜Ｄ７）が実行される。

（３）パターン３の制御
動作状態Ｄから動作状態Ｃに移行する移行期間には、図１７のフローチャートに示すパターン３の制御が実行される。図１７のフローチャートは、第１の実施形態における図８（ａ）のフローチャートに対し、ステップＥ８が追加されている。パターン２の制御が実行されると、電流トランスＣＴ１を通じて検出される負荷電流ＩＬの検出値の絶対値｜ＩＬ｜が電流Ｉｘ以上であるか否かが判断される（ステップＥ８）。

絶対値｜ＩＬ｜が電流Ｉｘ以上である場合（ステップＥ８で「ＹＥＳ」）、ステップＥ１に進む。これにより、パターン３ａの制御（ステップＥ１〜Ｅ８）が実行される。一方、絶対値｜ＩＬ｜が電流Ｉｘ未満である場合（ステップＥ８で「ＮＯ」）、ステップＥ１、Ｅ２をスキップしてステップＥ３に進む。これにより、パターン３ｂの制御（ステップＥ３〜Ｅ７）が実行される。

（４）パターン４の制御
動作状態Ｂから動作状態Ａに移行する移行期間には、図１８のフローチャートに示すパターン４の制御が実行される。図１８のフローチャートは、第２の実施形態における図１３（ｂ）のフローチャートに対し、ステップＦ４、Ｆ５が追加されている。パターン４の制御が開始されると、電流トランスＣＴ１を通じて検出される負荷電流ＩＬの検出値の絶対値｜ＩＬ｜が電流Ｉｘ以上であるか否かが判断される（ステップＦ４）。

絶対値｜ＩＬ｜が電流Ｉｘ以上である場合（ステップＦ４で「ＹＥＳ」）、ステップＦ５に進む。ステップＦ５は、ステップＦ１と同じ内容である。これにより、パターン１ａの制御（ステップＦ５）が実行される。一方、絶対値｜ＩＬ｜が電流Ｉｘ未満である場合（ステップＦ４で「ＮＯ」）、ステップＦ１に進む。これにより、パターン１ｂの制御（ステップＦ１〜Ｆ３）が実行される。

以上説明した本実施形態の構成によっても、第１の実施形態と同様の作用および効果が得られる。さらに、本実施形態のスイッチング制御回路６は、動作状態Ａ、Ｄにおいて、負荷電流ＩＬの絶対値｜ＩＬ｜が電流Ｉｘ以上である場合には内蔵ダイオード４ａ、５ａを介して環流させ、電流Ｉｘ未満である場合にはＭＯＳＦＥＴ４、５のチャンネルを介して環流させるようにスイッチング動作を制御する。そのため、本実施形態によれば、負荷電流ＩＬが変化するような用途でも、その変化する負荷電流ＩＬの値に応じて、ＭＯＳＦＥＴ４、５のチャンネルおよび内蔵ダイオード４ａ、５ａのうち、導通時の損失が小さくなるほうの素子を介して環流電流が流れる。従って、負荷電流ＩＬの大きさに関係なく、動作状態Ａ、Ｄ（環流状態）におけるＭＯＳＦＥＴ４、５での損失を低減することができる。

（第４の実施形態）
以下、第２の実施形態に対してゲート駆動回路の構成を変更した第４の実施形態について、図１９および図２０を参照して説明する。
図１９は、本実施形態のゲート駆動回路の構成を示すものである。本実施形態は、第２の実施形態に対し、ゲート駆動回路７、８に代えてゲート駆動回路９を用いるという点が異なる。なお、このゲート駆動回路９は、第１の実施形態および第３の実施形態の構成に対しても適用可能である。

図１９に示すように、出力端子Ｇには２個の抵抗ＲｏｎおよびＲｏｆｆが接続されており、抵抗ＲｏｎはｐチャンネルトランジスタＭｏｎを介して制御電源ＶＣに接続され、抵抗ＲｏｆｆはｎチャンネルトランジスタＭｏｆｆを介して制御電源ＶＣの負極に接続されている。入力端子Ｄは、インバータ回路ＮＯＴを介してトランジスタＭｏｆｆのゲートに接続されるとともに、インバータ回路ＮＯＴを介した上でＯＲ回路ＯＲを介してトランジスタＭｏｎに接続されている。入力端子Ｓは、ＯＲ回路ＯＲを介してトランジスタＭｏｎのゲートに接続されている。

入力端子ＤおよびＳへの入力信号のレベルに応じて、トランジスタＭｏｎおよびＭｏｆｆが下記のようにオンオフ動作され、出力端子Ｇに接続されるＭＯＳＦＥＴ４（５）には抵抗ＲｏｎまたはＲｏｆｆが接続された状態、またはＲｏｎ、Ｒｏｆｆとも接続されない状態となる。スイッチング制御回路６は、ゲート駆動回路９に対して以下に説明するようにゲート駆動信号を与えてＭＯＳＦＥＴ４、５を駆動制御する。本実施形態では、ＭＯＳＦＥＴ４（５）に対し、抵抗Ｒｏｎが接続された状態において、そのゲートに与えられる電圧がオン電圧に相当する。また、ＭＯＳＦＥＴ４（５）に対し、抵抗Ｒｏｎ、Ｒｏｆｆとも接続されない状態において、そのゲートに与えられる電圧がクランプ電圧に相当する。

入力端子 トランジスタ スイッチング動作
Ｄ Ｓ Ｍon Ｍoff ＭＯＳＦＥＴ４、５
「Ｌ」 「Ｌ」 ＯＦＦ ＯＮ ターンオフ（Ｒｏｆｆ）
「Ｌ」 「Ｈ」 ＯＦＦ ＯＮ ターンオフ（Ｒｏｆｆ）
「Ｈ」 「Ｌ」 ＯＮ ＯＦＦ ターンオン（Ｒｏｎ）
「Ｈ」 「Ｈ」 ＯＦＦ ＯＦＦ ターンオン（オープン）

上記したゲート駆動回路９に対して、スイッチング制御回路６による入力端子Ｄ、Ｓへのゲート駆動信号の与え方は第２の実施形態と同様である。この場合、ゲート駆動回路９によるＭＯＳＦＥＴ４、５のゲートに対するオン動作のゲート電圧の与え方が第２の実施形態と異なる。

すなわち、ゲート駆動回路９の入力端子Ｄにハイレベル（「Ｈ」レベル）の信号を与え、入力端子Ｓにハイレベル（「Ｈ」レベル）の信号を与えた場合には、トランジスタＭｏｎ、Ｍｏｆｆが共にオフする。これにより、ＭＯＳＦＥＴ４、５のゲートはオープン状態となりゲート電圧が与えられた状態ではその状態が保持される。なお、この状態は、ＭＯＳＦＥＴ４、５のゲートに極めて大きな抵抗値を持つ抵抗が接続されたのと同じ状態であると考えられる。従って、第１の実施形態におけるＲｏｎ２を介して制御電源ＶＣに接続したのと同等の状態となり、大きな短絡電流がＭＯＳＦＥＴ４、５に流れるのを制限する。

また、ゲート駆動回路９の入力端子Ｄにハイレベル（「Ｈ」レベル）の信号を与え、入力端子Ｓにロウレベル（「Ｌ」レベル）の信号を与えた場合には、トランジスタＭｏｎがオンし、Ｍｏｆｆがオフする。これにより、ＭＯＳＦＥＴ４、５のゲートには抵抗Ｒｏｎを介して制御電源ＶＣからオン電圧が与えられる状態となる。この状態は、第１の実施形態におけるＲｏｎ１を介して制御電源ＶＣに接続したのと同等の状態となり、通常のオン状態となる。

本実施形態は、上記相違点により、パターン２、３の制御内容について第２の実施形態とは以下のように異なる。
（１）パターン２の制御
動作状態Ａから動作状態Ｂに移行する移行期間には、図２０（ａ）のフローチャートに示すパターン２の制御が実行される。図２０（ａ）のフローチャートは、第２の実施形態における図１２（ｂ）のフローチャートに対し、ステップＤ５に代えてステップＤ５ａが設けられている点が異なる。ステップＤ５ａでは、ＳＷ１のゲートがオープン状態に制御（クランプ状態に制御）されるとともに、ＳＷ２がゲート抵抗Ｒｏｆｆを通じてＯＦＦ駆動される。

（２）パターン３の制御
動作状態Ｄから動作状態Ｃに移行する移行期間には、図２０（ｂ）のフローチャートに示すパターン３の制御が実行される。図２０（ｂ）のフローチャートは、第２の実施形態における図１３（ａ）のフローチャートに対し、ステップＥ５に代えてステップＥ５ａが設けられている点が異なる。ステップＥ５ａでは、ＳＷ２のゲートがオープン状態に制御（クランプ状態に制御）されるとともに、ＳＷ１がゲート抵抗Ｒｏｆｆを通じてＯＦＦ駆動される。
以上説明した本実施形態の構成によっても、第２の実施形態と同様の作用および効果が得られる。

（第５の実施形態）
以下、第２の実施形態に対してゲート駆動回路の構成を変更した第５の実施形態について、図２１および図２２を参照して説明する。
図２１は、本実施形態のゲート駆動回路の構成を示すものである。本実施形態は、第２の実施形態に対し、ゲート駆動回路７、８に代えてゲート駆動回路１０を用いるという点が異なる。なお、このゲート駆動回路１０は、第１の実施形態および第３の実施形態の構成に対しても適用可能である。

本実施形態のゲート駆動回路１０は、制御電源ＶＣ（本実施形態ではＶＣ１とする）に加えて別の制御電源ＶＣ２を設ける構成としている。制御電源ＶＣ２は、誘導性負荷であるコイル１の負荷電流ＩＬの値に応じてスイッチング制御回路６により出力電圧が設定されるように構成されている。

図２１に示すように、ゲート駆動回路１０は、出力端子Ｇに接続される抵抗Ｒｏｎ１はトランジスタＭｏｎ１を介して制御電源ＶＣ１（第１の電圧源に相当）に接続され、抵抗Ｒｏｎ２はトランジスタＭｏｎ２を介して制御電源ＶＣ２（第２の電圧源に相当）に接続されている。制御電源ＶＣ１は第１の実施形態の制御電源ＶＣと同じ電圧に設定されており、制御電源ＶＣ２は制御電源ＶＣ１の電圧よりも低い電圧に設定可能な可変電圧電源である。また、制御電源ＶＣ２は、スイッチング制御回路６から制御信号を与えることにより出力電圧をダイナミックに変化させることができるようになっている。

なお、本実施形態では、制御電源ＶＣ１の出力電圧（オン電圧）をＶ０と称し、制御電源ＶＣ２の可変出力電圧（クランプ電圧）をＶｘと称する。制御電源ＶＣ２は、例えば、制御電源ＶＣ１の出力電圧Ｖ０を入力として出力電圧Ｖｘをフィードバック制御する降圧型のスイッチングレギュレータや、シリーズレギュレータなどにより構成することができる。このような制御電源ＶＣ２のフィードバック制御などについては、スイッチング制御回路６が行えばよい。また、本実施形態では、抵抗Ｒｏｎ１については第１の実施形態と同様の抵抗値に設定されるが、抵抗Ｒｏｎ２については、抵抗値が非常に小さいかほぼゼロとなるように設定されている（Ｒｏｎ２≒０）。これにより、抵抗Ｒｏｎ２が出力端子Ｇに接続されたときには、制御電源ＶＣ２の電圧ＶｘがほぼそのままＭＯＳＦＥＴ４または５のゲートに印加されることになる。

入力端子ＤおよびＳへの入力信号のレベルに応じたトランジスタＭｏｎ１、Ｍｏｎ２、Ｍｏｆｆの動作については、第２の実施形態と同様であるが、出力端子Ｇに接続されるＭＯＳＦＥＴ４（５）のゲートに与えられる駆動電圧が以下のようになる。

入力端子 トランジスタ スイッチング動作
Ｄ Ｓ Ｍon１ Ｍon２ Ｍoff ＭＯＳＦＥＴ４、５
「Ｌ」 「Ｌ」 ＯＦＦ ＯＦＦ ＯＮ ターンオフ（Ｒｏｆｆ）
「Ｌ」 「Ｈ」 ＯＦＦ ＯＦＦ ＯＮ ターンオフ（Ｒｏｆｆ）
「Ｈ」 「Ｌ」 ＯＮ ＯＦＦ ＯＦＦ ターンオン（ＶＣ１）
「Ｈ」 「Ｈ」 ＯＦＦ ＯＮ ＯＦＦ ターンオン（ＶＣ２）

上記したゲート駆動回路１０に対して、スイッチング制御回路６による入力端子Ｄ、Ｓへのゲート駆動信号の与え方は第２の実施形態と同様である。この場合、ゲート駆動回路１０によるＭＯＳＦＥＴ４、５のゲートに対するオン動作時のゲート電圧の与え方が第１の実施形態と異なる。

すなわち、スイッチング制御回路６により、ゲート駆動回路１０の入力端子Ｄ、Ｓの双方にハイレベル（「Ｈ」レベル）の信号を与えた場合には、ＭＯＳＦＥＴ４または５のゲートには制御電源ＶＣ２から抵抗Ｒｏｎ２を介してクランプ電圧が与えられるようになる。この時、抵抗Ｒｏｎ２は抵抗値が非常に小さいのでほぼ制御電源ＶＣ２の電圧Ｖｘがゲートに印加されるようになる。

この場合、スイッチング制御回路６は、スイッチング動作における負荷電流ＩＬを電流トランスＣＴ１により検出しており、このタイミングで流れている負荷電流ＩＬを流すことができ、且つこの負荷電流ＩＬを僅かに超える程度の範囲のぎりぎりのドレイン電流をＭＯＳＦＥＴ４または５に流すことができるように、クランプ電圧を与えるべく制御電源ＶＣ２を制御している。そのため、ＭＯＳＦＥＴ４、５のゲート電圧Ｖｇに対するドレイン電流Ｉｄの相関データ（図２１参照）が伝達特性として予め設定されており、その伝達特性のドレイン電流Ｉｄ＋αの範囲でＭＯＳＦＥＴ４、５にドレイン電流が流れるように制御電源ＶＣ２の出力電圧Ｖｘが設定される。

従って、スイッチング動作の度に負荷電流ＩＬが変化する場合でも、制御電源ＶＣ２から常にその負荷電流ＩＬを過不足なく流すことができるように適切なゲート電圧がＭＯＳＦＥＴ４、５に印加されるようになる。
また、制御電源ＶＣ２は、スイッチング制御回路６から与える制御信号によって出力電圧Ｖｘをダイナミックに変化させることができるので、制御信号を適宜設定することにより、ＭＯＳＦＥＴ４または５の電流を制限した状態でのオン動作を適切に制御することができるようになる。

本実施形態は、上記相違点により、パターン２、３の制御内容について第２の実施形態とは以下のように異なる。
（１）パターン２の制御
動作状態Ａから動作状態Ｂに移行する移行期間には、図２２（ａ）のフローチャートに示すパターン２の制御が実行される。図２２（ａ）のフローチャートは、第２の実施形態における図１２（ｂ）のフローチャートに対し、ステップＤ３、Ｄ５、Ｄ７に代えてステップＤ３ｂ、Ｄ５ｂ、Ｄ７ｂが設けられている点が異なる。ステップＤ３ｂでは、ＳＷ１がゲートに電圧Ｖ０が与えられる状態でＯＮ駆動される。ステップＤ５ｂでは、ＳＷ１がゲートに電圧Ｖｘが与えられる状態でＯＮ駆動（クランプ状態で駆動）されるとともに、ＳＷ２がゲート抵抗Ｒｏｆｆを通じてＯＦＦ駆動される。ステップＤ７ｂでは、ＳＷ１がゲートに電圧Ｖ０が与えられる状態でＯＮ駆動される。

（２）パターン３の制御
動作状態Ｄから動作状態Ｃに移行する移行期間には、図２２（ｂ）のフローチャートに示すパターン３の制御が実行される。図２２（ｂ）のフローチャートは、第２の実施形態における図１３（ａ）のフローチャートに対し、ステップＥ３、Ｅ５、Ｅ７に代えてステップＥ３ｂ、Ｅ５ｂ、Ｅ７ｂが設けられている点が異なる。ステップＥ３ｂでは、ＳＷ２がゲートに電圧Ｖ０が与えられる状態でＯＮ駆動される。ステップＥ５ｂでは、ＳＷ２がゲートに電圧Ｖｘが与えられる状態でＯＮ駆動（クランプ状態で駆動）されるとともに、ＳＷ１がゲート抵抗Ｒｏｆｆを通じてＯＦＦ駆動される。ステップＥ７ｂでは、ＳＷ２がゲートに電圧Ｖ０が与えられる状態でＯＮ駆動される。

以上説明した本実施形態の構成によっても、第２の実施形態と同様の作用および効果が得られる。さらに、ゲート駆動回路１０は、ＭＯＳＦＥＴ４、５をクランプ状態に駆動する際、負荷電流ＩＬに相当するドレイン電流を過不足なく流すことが可能な動作状態（ＯＮ状態）にするような電圧ＶｘをＭＯＳＦＥＴ４、５のゲートに対して出力する。このような構成によれば、動作状態Ａから動作状態Ｂ（動作状態Ｄから動作状態Ｃ）への移行期間において、クランプ状態に駆動されるＭＯＳＦＥＴには負荷電流ＩＬに相当する電流が過不足なく流れるだけであり、過大な電流が流れることはない。そのため、上記移行期間において、上下アームが完全な短絡状態になって過大な短絡電流が流れる事態を確実に予防することができる。

（第６の実施形態）
以下、本発明の第６の実施形態について、図２３を参照して説明する。
本実施形態は、パターン２、３の制御内容について第２の実施形態とは以下のように異なる。

（１）パターン２の制御
動作状態Ａから動作状態Ｂに移行する移行期間には、図２３（ａ）のフローチャートに示すパターン２の制御が実行される。図２３（ａ）のフローチャートは、第２の実施形態における図１２（ｂ）のフローチャートに対し、ステップＤ４に代えてステップＤ４ｃが設けられている点が異なる。ステップＤ４ｃでは、電流Ｉ２の検出値が電流値Ｉｚ以上であるか否かが判断される。このステップＤ４ｃは、電流Ｉ２が負の方向（図１、図３中、上方向）に流れる状態が解消されて、さらには電流Ｉ２が正の方向（図１、図３中、下方向）に電流値Ｉｚ以上だけ流れる状態になる（「ＹＥＳ」になる）まで繰り返される。なお、電流値Ｉｚ（判定電流値）は、ＭＯＳＦＥＴのチャンネルを逆方向に介して流れる環流電流とは反対向きに流れる電流の値である。

（２）パターン３の制御
動作状態Ｄから動作状態Ｃに移行する移行期間には、図２３（ｂ）のフローチャートに示すパターン３の制御が実行される。図２３（ｂ）のフローチャートは、第２の実施形態における図１３（ａ）のフローチャートに対し、ステップＥ４に代えてステップＥ４ｂが設けられている点が異なる。ステップＥ４ｂでは、電流Ｉ１の検出値が電流値Ｉｚ以上であるか否かが判断される。このステップＥ４ｂは、電流Ｉ１が負の方向（図１、図３中、上方向）に流れる状態が解消されて、さらには電流Ｉ１が正の方向（図１、図３中、下方向）に電流値Ｉｚ以上だけ流れる状態になる（「ＹＥＳ」になる）まで繰り返される。

以上説明した本実施形態の構成によっても、第２の実施形態と同様の作用および効果が得られる。さらに、スイッチング制御回路６は、パターン２（３）の制御において、電流Ｉ２（Ｉ１）の検出値が電流値Ｉｚ以上であるか否かの判断を行うことにより、ＭＯＳＦＥＴ５（４）側に環流する状態が解消されたか否かの判断を行う。このようにすれば、動作状態Ａから動作状態Ｂ（動作状態Ｄから動作状態Ｃ）への移行期間において、ＭＯＳＦＥＴ５（４）側に流れる電流が確実に無くなった時点で、ＭＯＳＦＥＴ５（４）がオフ駆動される。そのため、ＭＯＳＦＥＴ５（４）がオフされてから、その内蔵ダイオード５ａ（４ａ）に順方向電流が流れることが抑制される。このような構成によれば、内蔵ダイオード５ａ（４ａ）の逆回復電荷に起因する損失低減効果を確実に得ることが可能となる。

（その他の実施形態）
なお、本発明は上記し且つ図面に記載した各実施形態に限定されるものではなく、次のような変形または拡張が可能である。
第１および第２のスイッチング素子は、実施形態で説明したパワーＭＯＳＦＥＴ以外に、ＳＪ（super junction）ＭＯＳＦＥＴあるいは、ＲＣ（reverse conductive）ＩＧＢＴなどの内蔵ダイオードを有する素子を用いることができる。

ＭＯＳＦＥＴ４、５をオフ動作させるときに、オフ動作を高速化するため、ゲート電圧を負電圧まで低下させて強制的にゲート電極の電荷を引き抜くように制御しても良い。
還流電流が流れていない側のＭＯＳＦＥＴ４または５をオンさせるときに、一定時間第２のオンゲート電圧を印加しているが、負荷として接続されるコイル１に応じた時間を設定するデータをマップとして記憶しておいて、これを読み出して設定するようにしても良い。また、ゲート電圧をモニタしたりソース・ドレイン間電圧をモニタしてこれに応じて切り換えるようにしても良い。

図面中、１はコイル（誘導性負荷）、２は駆動回路（負荷駆動回路）、３はブリッジ回路、４、５はＭＯＳＦＥＴ（第１、第２のスイッチング素子）、４ａ、５ａは内蔵ダイオード、６はスイッチング制御回路、７は第１のゲート駆動回路、８は第２のゲート駆動回路、９、１０はゲート駆動回路、ＣＴ１は電流トランス（負荷電流検出手段）、ＣＴ２、ＣＴ３は電流トランス（電流検出手段）、Ｒｏｎ１、Ｒｏｎ２（第１、第２の抵抗）、ＶＣは制御電源（電圧源）、ＶＣ１、ＶＣ２は制御電源（第１、第２の電圧源）を示す。

Claims (9)

1. 誘導性負荷に交流通電するためのブリッジ回路を構成する一対の電圧駆動型のスイッチング素子であって、主端子間に逆並列に接続されるとともに順方向電流が流れる状態でゲート電圧が印加されるとオフする機能を有する内蔵ダイオードを備え、上アーム側および下アーム側に対応した第１のスイッチング素子および第２のスイッチング素子と、
   前記各スイッチング素子のそれぞれのゲートに対してオン駆動するためのオン電圧、オフ駆動するためのオフ電圧またはゲートしきい値電圧より高く且つ前記オン電圧より低い電圧であるクランプ電圧を選択的に与えるように構成されたゲート駆動回路と、
   外部から与えられる制御指令に基づいて、前記ゲート駆動回路を介して前記各スイッチング素子のスイッチング動作を制御するスイッチング制御回路と、
   前記各スイッチング素子に流れる電流を検出する電流検出手段と、
   を備え、
   前記スイッチング制御回路は、
   前記各スイッチング素子のうち一方のスイッチング素子を逆方向に介して前記誘導性負荷に流れる負荷電流に応じた環流電流が流れる第１の状態から、他方のスイッチング素子を順方向に介して前記負荷電流に応じた電流が流れる第２の状態への移行期間において、
   前記一方のスイッチング素子のゲートに前記オン電圧を与えるとともに、その状態で前記他方のスイッチング素子に前記オン電圧を与え、その後、前記電流検出手段により検出される前記一方のスイッチング素子に流れる電流が所定の判定電流値以下になった時点で前記一方のスイッチング素子にオフゲート電圧を与えるとともに前記他方のスイッチング素子に前記クランプ電圧を与え、さらにその後、所定の遅延時間経過後に前記他方のスイッチング素子に前記オン電圧を与えるように前記ゲート駆動回路の動作を制御することを特徴とする負荷駆動回路。
2. 前記スイッチング制御回路は、前記第１の状態にあっては、前記一方のスイッチング素子のゲートに前記オフ電圧を与えるように前記ゲート駆動回路の動作を制御することを特徴とする請求項１に記載の負荷駆動回路。
3. 前記スイッチング制御回路は、前記第１の状態にあっては、前記一方のスイッチング素子のゲートに前記オン電圧を与えるように前記ゲート駆動回路の動作を制御することを特徴とする請求項１に記載の負荷駆動回路。
4. 前記誘導性負荷に流れる負荷電流を検出する負荷電流検出手段を備え、
   前記スイッチング制御回路は、
   前記第１の状態にあっては、
   前記負荷電流検出手段により検出される負荷電流がしきい値電流より大きい場合には、前記一方のスイッチング素子のゲートに前記オフ電圧を与えるように前記ゲート駆動回路の動作を制御し、
   前記負荷電流検出手段により検出される負荷電流が前記しきい値電流より小さい場合には、前記一方のスイッチング素子のゲートに前記オン電圧を与えるように前記ゲート駆動回路の動作を制御し、
   前記しきい値電流は、前記一方のスイッチング素子および前記内蔵ダイオードの導通時の損失が互いに等しくなる電流値に設定されていることを特徴とする請求項１に記載の負荷駆動回路。
5. 前記スイッチング制御回路は、前記判定電流値としてゼロを用いることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の負荷駆動回路。
6. 前記スイッチング制御回路は、前記判定電流値として前記環流電流とは反対向きの電流値を用いることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の負荷駆動回路。
7. 前記ゲート駆動回路は、
   所定の電圧を出力する電圧源と、
   第１の抵抗および前記第１の抵抗よりも抵抗値の大きい第２の抵抗と、
   を備え、
   前記電圧源の出力を前記第１の抵抗を介して前記オン電圧として出力し、
   前記電圧源の出力を前記第２の抵抗を介して前記クランプ電圧として出力することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の負荷駆動回路。
8. 前記ゲート制御回路は、
   所定の第１の電圧を出力する第１の電圧源と、
   前記第１の電圧より低い第２の電圧を出力する第２の電圧源と、
   を備え、
   前記第１の電圧源の出力を前記オン電圧として出力し、
   前記第２の電圧源の出力を前記クランプ電圧として出力することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の負荷駆動回路。
9. 前記誘導性負荷に流れる負荷電流を検出する負荷電流検出手段を備え、
   前記ゲート駆動回路は、
   前記第１のスイッチング素子または前記第２のスイッチング素子が、前記負荷電流検出手段により検出される負荷電流の大きさに相当する電流を過不足なく流すことが可能な動作状態になるようなゲート電圧をクランプ電圧として出力することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の負荷駆動回路。

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