JP2012146352A - 光ピックアップおよび光情報処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】複数の記録再生層を有する光ディスクの所定の記録再生層以外の層からの迷光によりトラッキング誤差信号のオフセットが発生せず、安定したトラッキング制御が可能な光ピックアップおよび光情報処理装置を提供する。
【解決手段】光ピックアップは、光源からの出射光を光記録媒体に集光する集光部と、光記録媒体からの反射光を非回折光および第１から第６の１次回折光に少なくとも分離するホログラム素子の回折素子４１と、非回折光および第１から第６の１次回折光を受光する光検出器５０とを備える。光検出器５０の領域５１ｋ，５１ｍは、領域５１ａ〜５１ｄに対してＸ軸方向にシフトした位置であり、かつＸ軸を挟んで対向する位置に配置されている。光検出器５０の領域５１ｉ，５１ｊは、Ｘ軸を挟んで領域５１ｋ，５１ｍの外側に配置されている。
【選択図】図５

Description

この発明は、光ピックアップおよび光情報処理装置に関し、より特定的には、複数の記録再生層を有する光ディスク等の光情報記録媒体に対して、光学的に情報を記録または再生する光ピックアップおよびそれを備えた光情報処理装置に関する。

光ディスクは、多量の情報信号を高密度で記録することができるため、オーディオ、ビデオ、コンピュータ等の多くの分野において利用が進められている。最近は、ＢＤ（Blue-ray Disc）、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）、ＣＤ（Compact Disc）などの複数種類の光ディスクに対して情報を記録および再生する記録再生機器がある。

上記のような記録再生機器の中には、ノートパソコン等の電子機器に組み込まれるものもある。その場合、薄型で小型の光ディスクドライブが必要である。また、情報量の増加にともない、光ディスクの多層化が検討されている。たとえば特許文献１は、複数種類の光ディスクに対応した光ピックアップにおいて、複数の記録再生層を有する光ディスクに対応させた光ピックアップを開示している。以下に、特許文献１に開示された光ピックアップの構成要素について説明する。

図１１は、従来のホログラム素子１００の分割領域を示した概略図である。
図１１を参照して、破線は、ホログラム素子１００上での光ディスクからの反射光のビーム径１０１を示す。図１１において、Ｙ方向が光ディスクのトラック方向である。ホログラム素子１００は、領域１０２〜１０８の７つの領域に分割されている。領域１０２，１０３は、メイン領域としてメインプッシュプル信号の検出に用いられる。領域１０４〜１０７は、サブ領域として対物レンズシフトの検出に用いられる。

図１２は、従来の光検出器２００の受光部の配置を示した概略図である。
図１２を参照して、光検出器２００は、４分割受光部２０１と、メイン領域受光部群２０２と、受光部２０５，２０６とを含む。メイン領域受光部群２０２は、受光部２０３，２０４を含む。メイン領域受光部群２０２は、４分割受光部２０１に対してＹ方向に配置される。受光部２０３，２０４は、Ｘ方向に隣接して配置される。受光部２０５，２０６は、４分割受光部２０１とメイン領域受光部群２０２との間に配置される。

図１１のホログラム素子１００で回折されない０次光２０１Ｓは、４分割受光部２０１により受光され、フォーカス誤差信号および再生信号が生成される。ホログラム素子１００の領域１０２で回折された光ビームは、受光部２０３により受光される。領域１０３で回折された光ビームは、受光部２０４により受光される。領域１０４，１０５で回折された光ビームは、受光部２０５により受光される。領域１０６，１０７で回折された光ビームは、受光部２０６により受光される。また、図１２を参照して、斜線部は、記録再生層を４層有する光ディスクにおける最小層間隔の関係にある２つの記録再生層の間で発生した迷光２０７〜２１１を示す。図１２に示すように、光検出器２００の各受光部に、迷光２０７〜２１１は入射しない配置となっている。

特開２００８−１３５１５１号公報（図２８、２９等）

図１１，１２において、ホログラム素子１００の領域１０２，１０３で回折された迷光は、メイン領域受光部群２０２に入射していない。しかし、最小層間隔以外の場合を考慮すると、層間隔の大きい２つの記録再生層の間で発生した迷光は、光検出器２００の受光部上での迷光サイズが大きくなる。そのため、層間隔の大きい２つの記録再生層の間で発生した迷光は、メイン領域受光部群２０２に入射する可能性がある。

上記の場合、すべての迷光が入射しない位置にメイン領域受光部群２０２を配置することは困難である。最小層間隔以外の迷光が受光部に入射して光ピックアップの対物レンズ位置がレンズシフトした場合、受光部上で迷光位置がシフトする。このため、当該迷光の影響により、トラッキング誤差信号にオフセットが発生する。この場合、安定したトラッキング制御ができないという課題が発生する。

また、図１２の光検出器２００では、受光部２０１から受光部２０３，２０４までの距離が、受光部２０１から受光部２０５，２０６までの距離と比較して離れている。このような距離の違いにより、図１１のホログラム素子１００の各分割領域で格子ピッチが異なる。図１２の光検出器２００の場合、格子ピッチは、領域１０２，１０３と比較して領域１０４〜１０７の方が狭くなる。このように、分割領域の位置により格子ピッチが異なる場合、製造時にホログラム素子１００の各領域で回折効率にばらつきが生じやすい。このばらつきにより、トラッキング誤差信号にオフセット等が発生する。

また、量産可能な格子ピッチは、１μｍ程度である。ゆえに、格子ピッチが狭い領域で回折された光ビームを受光部２０３，２０４に入射させるには、ホログラム素子１００と光検出器２００との距離を遠ざける必要がある。この場合、光検出器２００のサイズが大きくなることから、光ピックアップのコストアップになるとともに、光ピックアップの設計自由度が制限されるという課題がある。

それゆえに、この発明の目的は、複数の記録再生層を有する光ディスクに対して光学的に情報を記録または再生する光ピックアップにおいて、所定の記録再生層以外の層からの迷光によりトラッキング誤差信号のオフセットが発生せず、安定したトラッキング制御が可能な光ピックアップおよび光情報処理装置を提供することである。

この発明のある局面によれば、複数の記録再生層を含む光記録媒体に対して情報を記録または再生する光ピックアップであって、光源からの出射光を光記録媒体に集光する集光部と、光記録媒体からの反射光を非回折光および第１から第６の１次回折光に少なくとも分離する光分離素子と、非回折光および第１から第６の１次回折光を受光する光検出器とを備えている。光検出器は、第１および第２の１次回折光を受光する第１の領域と、第３および第４の１次回折光を受光する第２の領域と、第５の１次回折光を受光する第３の領域と、第６の１次回折光を受光する第４の領域と、非回折光を受光する第５の領域とを含んでいる。集光部が光記録媒体のトラック溝と垂直な方向に移動する際に光検出器上で光ビームが移動する方向をＸ軸方向とした場合、第１および第２の受光領域は、第５の領域に対してＸ軸方向にシフトした位置であり、かつＸ軸を挟んで対向する位置に配置されており、第３および第４の受光領域は、Ｘ軸を挟んで第１および第２の受光領域の外側に配置されている。

好ましくは、第１の受光領域と第２の受光領域との間隔は、第１の受光領域と第３の受光領域との間隔および第２の受光領域と第４の受光領域との間隔のいずれの間隔よりも短くなるように配置されている。

好ましくは、第５の受光領域と第１または第２の受光領域との距離は、第５の受光領域と第３または第４の受光領域との距離より短い。

好ましくは、第１から第４の受光領域の受光部中心は、Ｘ軸と垂直方向の同一直線上に配置されている。

好ましくは、光分離素子は、光記録媒体の所定の記録再生層以外の層から生じる迷光を、光検出器の第１から第４の受光領域に入射しない位置に回折する。

好ましくは、第１および第２の受光領域は、集光部の対物レンズシフトに対応したレンズシフト信号を検出し、第３および第４の受光領域は、プッシュプル信号を検出する。

この発明の他の局面によれば、光ピックアップを搭載した光情報処理装置であって、光ピックアップは、複数の記録再生層を含む光記録媒体に対して情報を記録または再生する光ピックアップであって、光源からの出射光を光記録媒体に集光する集光部と、光記録媒体からの反射光を非回折光および第１から第６の１次回折光に少なくとも分離する光分離素子と、非回折光および第１から第６の１次回折光を受光する光検出器とを備え、光検出器は、第１および第２の１次回折光を受光する第１の領域と、第３および第４の１次回折光を受光する第２の領域と、第５の１次回折光を受光する第３の領域と、第６の１次回折光を受光する第４の領域と、非回折光を受光する第５の領域とを含み、集光部が光記録媒体のトラック溝と垂直な方向に移動する際に光検出器上で光ビームが移動する方向をＸ軸方向とした場合、第１および第２の受光領域は、第５の領域に対してＸ軸方向にシフトした位置であり、かつＸ軸を挟んで対向する位置に配置されており、第３および第４の受光領域は、Ｘ軸を挟んで第１および第２の受光領域の外側に配置されている。

この発明の実施の形態によれば、複数の記録再生層を有する光ディスクに対して光学的に情報を記録または再生する光ピックアップにおいて、所定の記録再生層以外の層からの迷光によりトラッキング誤差信号のオフセットが発生せず、安定したトラッキング制御を行なうことが可能となる。

この発明の実施の形態１による光ピックアップ９０Ａの構成および光路を示した概略図である。 実施の形態１の光ピックアップ９０Ａにおけるホログラム素子４０の構成を示した概略図である。 ホログラム素子４０における回折素子４１の分割パターンおよびプッシュプルパターンを示した図である。 ホログラム素子４０における回折素子４２の分割パターンおよびプッシュプルパターンを示した図である。 ホログラム素子４０を採用した場合における光検出器５０の受光部パターンおよび迷光を示した図である。 対物レンズシフト（±２００μｍ）が発生した状況で、光検出器５０の領域５１ｋ，５１ｍに１次迷光７１，７２が入射した場合のトラッキング誤差信号ＴＥＳ２を示した図である。 対物レンズシフト（±２００μｍ）が発生した状況で、光検出器５０の領域５１ｋ，５１ｍに１次迷光７１，７２が入射しない場合のトラッキング誤差信号ＴＥＳ２を示した図である。 層の記録再生層を有する光ディスク（ＢＤ）において、再生層と再生層以外の層との層間隔が最も広い条件である、Ｌ０層（光線の入射側から最も遠い層）再生時のＬ３層（光線の入射側に最も近い層）からの迷光を示した図である。 この発明の実施の形態２による光ピックアップ９０Ｂの構成および光路を示した概略図である。 実施の形態２の光ピックアップ９０Ｂにおける検出ブロック６０の構成を示した図である。 従来のホログラム素子１００の分割領域を示した概略図である。 従来の光検出器２００の受光部の配置を示した概略図である。

以下、この発明の実施の形態について図面を参照して詳しく説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。

［実施の形態１］
図１は、この発明の実施の形態１による光ピックアップ９０Ａの構成および光路を示した概略図である。

図１を参照して、実施の形態１の光ピックアップ９０Ａは、光源１〜３と、光結合素子４と、複合素子５と、受光素子６と、ビームスプリッタ７と、コリメータレンズ８と、駆動部９と、折り曲げミラー１０と、１／４波長板１１と、対物レンズ２１，２２と、対物レンズホルダ２３と、検出レンズ３０と、ホログラム素子４０と、光検出器５０とを備える。光ピックアップ９０Ａは、ＢＤ、ＤＶＤ、ＣＤなどの複数種類の光ディスク（光記録媒体）に対して光ビームを照射することにより、情報を書込んだり読み出したりすることができる光情報処理装置に一般に組み込まれる。

光ピックアップ９０Ａにおいて、光源１から出射した光ビームは、光結合素子４で光路が９０度曲げられ、ビームスプリッタ７に入射する。光源２，３から出射した光ビームは、光結合素子４を透過して、ビームスプリッタ７に入射する。

光源１は、４０５ｎｍ帯（４００〜４１５ｎｍ）の光ビームを放射する半導体レーザである。光源２は、６６０ｎｍ帯（６５０〜６７０ｎｍ）の光ビームを放射する半導体レーザである。光源３は、７８５ｎｍ帯（７７０〜８００ｎｍ）の光ビームを放射する半導体レーザである。光源２，３は、一体化された２波長半導体レーザである。なお、光源１〜３の波長は、上記した波長には限られず、再生する光ディスクに対応する波長を適宜選択することが可能である。

光結合素子４は、光源１から放射される直線偏光の光ビームを反射し、光源２，３から放射される直線偏光の光ビームを透過する。光結合素子４は、たとえばダイクロイックプリズムである。

また、光源１からの直線偏光の光ビームを反射させるだけでなく、一定の比率だけ透過させる構成を採用することもできる。たとえば、光源１の透過光が光結合素子４から出射する位置にＡＰＣ（Automatic Power Control）用の受光素子６を配置することにより、光源１の光出力の制御が可能となる。また、光源２，３からの直線偏光の光ビームを一定の比率で反射させ、ＡＰＣ用の受光素子６に入射させることにより、光源１と同様に光源２，３の光出力も制御することが可能である。光結合素子４で分離する比率としては、光源１〜３とも、たとえば以下のように設定される。

（それぞれの光源からの出射光量）：（ＡＰＣ用の受光素子６への入射光量）
＝９０〜９５％：５〜１０％
また、光源２，３と光結合素子４との間には、１／２波長板や３ビーム生成用回折素子を配置してもよい。実施の形態１では、１／２波長板と３ビーム生成用回折素子とを一体化した複合素子５を配置している。これにより、光源１〜３から出射される光ビームの偏光方向を回転させることができる。そのため、ビームスプリッタ７へ入射する光ビームの偏光方向を制御することが可能になるとともに、トラッキング誤差信号のための０次光（メインビーム）および±１次回折光（２つのサブビーム）を生成できる。

ここで、光源１〜３の配置は、実施の形態１の構成に限定されるものではなく、互いに入れ替えて配置してもよい。また、光源１と光結合素子４との間に、１／２波長板を配置してもよい。

光結合素子４から出射した光ビームは、ビームスプリッタ７によりコリメータレンズ８の方向へ反射される。ビームスプリッタ７は、光源１〜３から出射される直線偏光（たとえばＳ偏光）の光ビームを反射し、光ディスクで反射される直線偏光（たとえばＰ偏光）の光ビームを透過するように、設計がなされている。ビームスプリッタ７は、たとえば偏光ビームスプリッタである。ビームスプリッタ７で反射された光ビームは、コリメータレンズ８で平行光にされる。コリメータレンズ８は、ステッピングモータ、圧電素子等で構成される駆動部９により、Ｚ軸方向に移動可能な構成となっている。コリメータレンズ８、駆動部９、対物レンズ２１，２２等を総称して「集光部」とも称する。

コリメータレンズ８で平行光にされた光ビームは、折り曲げミラー１０で入射光とは異なる方向へ曲げられる。図１において、折り曲げミラー１０は、入射光を９０度方向に折り曲げているが、この角度は光ピックアップの構成に応じて適宜選択可能である。折り曲げミラー１０で曲げられた光ビームは、１／４波長板１１により直線偏光から円偏光に変換される。当該円偏光の光ビームは、立上げミラー（図示せず）によって光ディスクの方向に反射される。当該反射光のうち、光源１からの出射光は、対物レンズ２１によって第１の光ディスク（図示せず）に集光される。当該反射光のうち、光源２，３からの出射光は、対物レンズ２２によって第２および第３の光ディスク（図示せず）に集光される。第１〜第３の光ディスクは、カバー層が互いに異なる光ディスクである。

対物レンズ２１，２２は、アクチュエータの対物レンズホルダ２３に取り付けられている。対物レンズ２１，２２は、同一のＸＺ平面内にあり、Ｙ軸方向から見て、Ｘ軸方向にオフセットされた位置になるように配置されている。図１において、対物レンズ２１，２２はＸ軸方向に配置されているが、これは一例であり、Ｚ軸方向に対物レンズ２１，２２が配置されていてもよい。

第１の光ディスクで反射された光ビームは、再び対物レンズ２１を通過し、１／４波長板１１で円偏光から直線偏光に変換される。第２および第３の光ディスクで反射された光ビームは、再び対物レンズ２２を通過し、１／４波長板１１で円偏光から直線偏光に変換される。１／４波長板１１を通過した光ビームは、折り曲げミラー１０およびコリメータレンズ８を経て、ビームスプリッタ７を透過する。当該透過光は、光源１〜３とは異なる方向に導かれ、検出レンズ３０を通ってホログラム素子４０に入射する。

ホログラム素子４０は、トラッキング誤差信号の検出のために光ビームを分割するための光分離素子である。ホログラム素子４０で非回折光と１次回折光とに分離された光ビームは、光検出器５０に入射する。光検出器５０は、サーボ信号または光ディスクに記録されている情報再生信号（ＲＦ信号）を検出する。

検出レンズ３０は、凸面および円筒面から構成されるレンズである。円筒面は、光ビームに非点収差を発生させるためのものである。レンズ面形状は、後述するサーボ検出方法、光検出器の受光面サイズ等から設計される。そのため、検出レンズ３０のレンズ面は、実施の形態１の形状に限定されるものではなく、たとえば凹面および平面の採用も可能である。また、検出レンズ３０は、複数のレンズから構成されてもよい。

実施の形態１の検出レンズ３０は、Ｚ軸方向に調整可能な構造となっている。検出レンズ３０は、レンズ周縁部（レンズコバ部）が調整用ガイドの機能を有する構成であってもよい。また、光検出器５０がＺ軸方向に調整可能であれば、検出レンズ３０は、Ｚ軸方向に調整されず固定配置の構造でもよい。

光検出器５０は、第１から第３の光ディスクにて反射される光ビームを検出する。当該検出光により、第１から第３の光ディスクの記録再生時におけるフォーカス誤差信号、トラッキング誤差信号およびＲＦ信号が得られる。

実施の形態１では、光源１として波長４０５ｎｍ程度の光ビームを出射する短波長光源を採用している。また、対物レンズ２１として、ＮＡ（Numerical Aperture）０．８５程度の高ＮＡ対物レンズを採用している。これらにより、第１の光ディスクのトラック上の情報を高密度で記録再生することが可能となる。しかしながら、光源１および対物レンズ２１は、上記の構成に限定されるものではない。

また、上記のように、光源１として短波長光源を採用し、対物レンズ２１として高ＮＡ対物レンズを採用した場合、第１の光ディスクのカバー層の厚み誤差により大きな球面収差が発生することになる。そこで、実施の形態１の光ピックアップ９０Ａでは、このカバー層の厚み誤差で生じる球面収差を補正するために、コリメータレンズ８を光軸方向に位置調整する駆動部９が設けられている。

上記の駆動部９の他にも、光ピックアップ９０Ａでは、コリメータレンズ８と対物レンズ２１との光路間に、２枚のレンズ群で構成されるビームエキスパンダが配置されてもよい。ビームエキスパンダが配置された構成では、２枚のレンズ群の間隔を調整するビームエキスパンダ駆動機構により、カバー層の厚み誤差で生じる球面収差を補正する。

なお、上述した光ピックアップ９０Ａの構成は、３つの波長の光源１〜３に対応した構成となっているが、２波長のみ、もしくは１波長のみに対応した構成でもよい。

図２は、実施の形態１の光ピックアップ９０Ａにおけるホログラム素子４０の構成を示した概略図である。

図２を参照して、ホログラム素子４０は、第１の波長に対応した回折素子４１と、第２の波長に対応した回折素子４２とを含む。回折素子４１は、第１の波長のみを回折する。回折素子４２は、第２の波長のみを回折する。このように、回折素子４１，４２は、波長選択性を有する。実施の形態１のホログラム素子４０は、第３の波長に対しても回折光を生成するが、当該回折光は信号検出には用いられない。

図３は、ホログラム素子４０における回折素子４１の分割パターンおよびプッシュプルパターンを示した図である。

図３を参照して、破線は、回折素子４１上のプッシュプルパターン４３を示す。回折素子４１は、トラッキング誤差信号を検出するために７分割されている。具体的には、プッシュプル信号を検出するため、回折素子４１は、分割線４１０，４１１，４１４で分割された領域４１ａと、分割線４１０，４１１，４１５で分割された領域４１ｂとの２つの領域を含む。また、対物レンズシフト信号を検出するため、回折素子４１は、分割線４１０〜４１３で分割された領域４１ｃ〜４１ｆの４つの領域を含む。

さらに、回折素子４１は、分割線４１２〜４１５で分割された中央の領域４１ｇを含む。領域４１ｇは、光検出器５０の受光部に入射しない位置に光ビームを回折させるか、格子溝を設けずに光ビームを透過させる構成を有する。すなわち、領域４１ｇは、トラッキング誤差信号の検出には用いない。

回折素子４１において、分割線４１０と分割線４１１との間隔は、プッシュプルパターン４３の直径に対して６０％以上であることが望ましい。６０％以上とすることにより、対物レンズシフト信号を検出する領域４１ｃ〜４１ｆにプッシュプル信号成分が入射しない。そのため、良好な対物レンズシフト信号を検出することが可能となる。回折素子４１の格子ピッチは、回折素子４１から光検出器５０の受光部までの距離と、当該受光部パターンの位置関係とから決まる。

図４は、ホログラム素子４０における回折素子４２の分割パターンおよびプッシュプルパターンを示した図である。

図４を参照して、破線は、回折素子４２上のプッシュプルパターン４４を示す。回折素子４２もまた、トラッキング誤差信号を検出するために７分割されている。具体的には、プッシュプル信号を検出するため、回折素子４２は、分割線４２０，４２１，４２４で分割された領域４２ａと、分割線４２０，４２１，４２５で分割された領域４２ｂとの２つの領域を含む。また、対物レンズシフト信号を検出するため、回折素子４２は、分割線４２０〜４２３で分割された領域４２ｃ〜４２ｆの４つの領域を含む。

さらに、回折素子４２は、分割線４２２〜４２５で分割された中央の領域４２ｇを含む。領域４２ｇは、光検出器５０の受光部に入射しない位置に光ビームを回折させるか、格子溝を設けずに光ビームを透過させる構成を有する。すなわち、領域４２ｇは、トラッキング誤差信号の検出には用いない。

回折素子４２において、分割線４２０と分割線４２１との間隔は、プッシュプルパターン４４の直径に対して６０％以上であることが望ましい。６０％以上とすることにより、対物レンズシフト信号を検出する領域４２ｃ〜４２ｆにプッシュプル信号成分が入射しない。そのため、良好な対物レンズシフト信号を検出することが可能となる。回折素子４２の格子ピッチは、回折素子４２から光検出器５０の受光部までの距離と、当該受光部パターンとから決まる。

なお、回折素子４１，４２の分割パターンは、上記のものに限定されない。回折素子４１，４２の分割パターンは、互いに異なっていてもよい。また、回折素子４１，４２のそれぞれのパターン中心は、光学系に合わせて相対位置を決めることにより製造される。このとき、回折素子４１，４２は、パターン中心を一致させてもよいし、所定量だけオフセットさせてもよい。

実施の形態１において、ホログラム素子４０は、ＢＤ、ＤＶＤおよびＣＤに対して、波長選択性を有する構成となっている。しかし、ホログラム素子４０は、当該構成に限定されない。たとえば、ホログラム素子４０は、ＢＤに対してレリーフ型のホログラムとし、ＤＶＤおよびＣＤにのみ波長選択性を有する構成としてもよい。

図５は、ホログラム素子４０を採用した場合における光検出器５０の受光部パターンおよび迷光を示した図である。

図５を参照して、光検出器５０は、回折素子４１の非回折光（０次光）を受光する４つの領域５１ａ，５１ｂ，５１ｃ，５１ｄと、回折素子４１の１次回折光を受光する４つの領域５１ｉ，５１ｊ，５１ｋ，５１ｍとを含む。領域５１ａ〜５１ｄは、回折素子４１の非回折光ａｄｓを受光する。

領域５１ｉは、回折素子４１の領域４１ａで回折される１次回折光ｉｓを受光する。領域５１ｊは、回折素子４１の領域４１ｂで回折される１次回折光ｊｓを受光する。領域５１ｋは、回折素子４１の領域４１ｃ，４１ｄでそれぞれ回折される１次回折光ｋｓ２，ｋｓ１を受光する。領域５１ｍは、回折素子４１の領域４１ｅ，４１ｆでそれぞれ回折される１次回折光ｍｓ２，ｍｓ１を受光する。すなわち、領域５１ｉ，５１ｊの出力信号は、プッシュプル信号の検出に用いられ、領域５１ｋ，５１ｍの出力信号は、対物レンズシフト信号の検出に用いられる。

さらに、光検出器５０は、領域５１ｅ〜５１ｈと、領域５１ｅ２〜５１ｈ２と、領域５１０ａ〜５１０ｈと、領域５１０ｅ２〜５１０ｈ２とを含む。図５はまた、４層の記録再生層を有する光ディスク（ＢＤ）において、再生層と再生層以外の層との層間隔が最も狭い条件である、Ｌ３層（光線の入射側に最も近い層）再生時のＬ３層に隣接するＬ２層からの０次迷光７０および１次迷光７１，７２を示す。

光検出器５０の受光部パターンは、図１の光源１，２から出射され複合素子５で生成されるメインビームが共通の受光部パターンで受光される構成となっている。しかしながら、これは一例であり、光源１，３または光源２，３からの出射光が共通の受光部パターンで受光される構成であってもよい。

回折素子４１は、本来、領域５１ａ〜５１ｄの中心と回折素子４１のパターン中心とが一致し、Ｚ軸方向にある間隔をもって配置されている。しかし、図５では便宜上、回折素子４１は、光検出器５０に対してＹ方向にシフトした位置に配置されている。

光検出器５０の領域５１ｉ〜５１ｍは、回折素子４１，４２の分割線４１２，４１３，４２２，４２３と平行な方向に配列されていることが望ましい。これにより、製造公差、部品公差、光源の波長変動等の誤差要因が発生した場合でも、光検出器５０の受光部（領域）から集光スポットがはみ出るのを防ぐことが出来る。その結果、光ピックアップ９０Ａにおいて安定したサーボ制御が可能となる。

ここで、図５を参照して、サーボ信号生成の動作を説明する。ここでは、光検出器５０の領域５１ａ〜５１ｄ、５１ｉ〜５１ｍの出力信号を、それぞれＳａ〜Ｓｄ、Ｓｉ〜Ｓｍと表わすことにする。このとき、情報再生信号ＲＦは、非回折光の出力信号を用いて、以下の演算式により検出される。

ＲＦ＝Ｓａ＋Ｓｂ＋Ｓｃ＋Ｓｄ
ＤＰＤ（Differential Phase Detection）法によるトラッキング誤差信号ＴＥＳ１は、出力信号Ｓａ〜Ｓｄの位相を比較することにより検出される。

１ビームＤＰＰ（Differential Push-Pull）法によるトラッキング誤差信号ＴＥＳ２は、以下の演算式により検出される。

ＴＥＳ２＝（Ｓｉ−Ｓｊ）−α（Ｓｋ−Ｓｍ）
ここで、αは対物レンズシフトや光ディスクチルトによるオフセットをキャンセルするのに最適な係数に設定される。

フォーカス誤差信号ＦＥＳは、非点収差法を用いて、以下の演算式により検出される。
ＦＥＳ＝（Ｓａ＋Ｓｃ）−（Ｓｂ＋Ｓｄ）
上記のように、回折素子４２で回折される光源２からの光ビームは、光源１からの光ビームと共通の受光パターンで受光される。そのため、出力信号から同じ演算によりサーボ信号が検出される。

次に、光源２から出射され、複合素子５のグレーティング面により３ビームが生成される場合のサーボ信号検出について説明する。

図５を参照して、３ビームによるサーボ信号検出には、領域５１ａ〜５１ｈ、５１ｅ２〜５１ｈ２の１２領域が用いられる。ここでは、光検出器５０の領域５１ａ〜５１ｈ、５１ｅ２〜５１ｈ２の出力信号を、それぞれＳａ〜Ｓｈ、Ｓｅ２〜Ｓｈ２と表わすことにする。このとき、情報再生信号ＲＦは、非回折光の出力信号を用いて、下記に示される演算式により検出される。

ＲＦ＝Ｓａ＋Ｓｂ＋Ｓｃ＋Ｓｄ
３ビーム法によるトラッキング誤差信号ＴＥＳ３は、以下の演算式により検出される。

ＴＥＳ３＝｛（Ｓａ＋Ｓｂ）−（Ｓｃ＋Ｓｄ）｝−α｛（Ｓｅ＋Ｓｅ２＋Ｓｆ＋Ｓｆ２）−（Ｓｇ＋Ｓｇ２＋Ｓｈ＋Ｓｈ２）｝
ここで、αは対物レンズシフトや光ディスクチルトによるオフセットをキャンセルするのに最適な係数に設定される。

フォーカス誤差信号ＦＥＳ２は、非点収差法を用いて以下の演算式により検出される。
ＦＥＳ２＝（Ｓａ＋Ｓｃ）−（Ｓｂ＋Ｓｄ）
上記では、フォーカス誤差信号ＦＥＳ２の検出に非点収差法を用いている。しかしながら、フォーカス誤差信号の検出には、差動非点収差法を用いてもよい。この場合、フォーカス誤差信号ＦＥＳ３は、以下の演算式により検出される。

ＦＥＳ３＝｛（Ｓａ＋Ｓｃ）−（Ｓｂ＋Ｓｄ）｝＋β｛（Ｓｅ＋Ｓｅ２＋Ｓｇ＋Ｓｇ２）−（Ｓｆ＋Ｓｆ２＋Ｓｈ＋Ｓｈ２）｝
ここで、βはフォーカス誤差信号に漏れ込むプッシュプル信号成分をキャンセルするのに最適な係数に設定される。

３ビームによりサーボ信号を検出する場合、領域５１ｉ〜５１ｍにも光ビームは入射する。しかし、当該入射光は、サーボ信号には用いられない。

次に、光源３から出射され、複合素子５のグレーティング面により３ビームが生成される場合のサーボ信号検出について説明する。

図５を参照して、３ビームによるサーボ信号検出には、領域５１０ａ〜５１０ｈ、５１０ｅ２〜５１０ｈ２の１２領域が用いられる。ここでは、光検出器５０の領域５１０ａ〜５１０ｈ、５１０ｅ２〜５１０ｈ２の出力信号を、それぞれＳ０ａ〜Ｓ０ｈ、Ｓ０ｅ２〜Ｓ０ｈ２と表わすことにする。このとき、情報再生信号ＲＦは、非回折光の出力信号を用いて、以下の演算式により検出される。

ＲＦ＝Ｓ０ａ＋Ｓ０ｂ＋Ｓ０ｃ＋Ｓ０ｄ
３ビーム法によるトラッキング誤差信号ＴＥＳ４は、以下の演算式により検出される。

ＴＥＳ４＝｛（Ｓ０ａ＋Ｓ０ｂ）−（Ｓ０ｃ＋Ｓ０ｄ）｝−α｛（Ｓ０ｅ＋Ｓ０ｅ２＋Ｓ０ｆ＋Ｓ０ｆ２）−（Ｓ０ｇ＋Ｓ０ｇ２＋Ｓ０ｈ＋Ｓ０ｈ２）｝
ここで、αは対物レンズシフトや光ディスクチルトによるオフセットをキャンセルするのに最適な係数に設定される。

フォーカス誤差信号ＦＥＳ４は、非点収差法を用いて以下の演算式により検出される。
ＦＥＳ４＝（Ｓ０ａ＋Ｓ０ｃ）−（Ｓ０ｂ＋Ｓ０ｄ）
実施の形態１では、光源１〜３の３つの波長に対応したサーボ検出方法を示している。しかしながら、光検出器５０の受光部パターンは、実施の形態１に示す構成には限られず、光源１〜３と受光領域との組合せが変わってよい。

続いて、複数の記録再生層を有する光ディスクを再生する際、必要な情報が記録されている記録再生層（信号再生層）以外の層からの迷光（以下、他層迷光とも称す）の影響について説明する。

図５は、上記の条件での他層迷光である０次迷光７０および１次迷光７１，７２が光検出器５０に入射する位置を表わす。この条件において、信号再生層と迷光を発生する層との間隔が最も狭くなる。

０次迷光７０は、回折素子４１の非回折光を示す。１次迷光７１，７２は、回折素子４１の領域４１ａ，４１ｂで回折された迷光をそれぞれ示す。図５の条件では、回折素子４１での迷光のサイズが信号再生層からの反射光のサイズより小さく、領域４１ｃ〜４１ｆに入射しない。そのため、図５には、回折素子４１の領域４１ｃ〜４１ｆに対応する迷光分布が描かれていない。

図５を参照して、光検出器５０の領域５１ｉと領域５１ｋとの間隔は、１次迷光７１が入射しない距離に設定されている。同様に、領域５１ｊと領域５１ｍとの間隔は、１次迷光７２が入射しない距離に設定されている。そのため、生成されるトラッキング誤差信号にオフセットが発生せず、安定したサーボ制御が可能となる。

ここで、領域５１ｋと領域５１ｍとの間隔をＹ１、領域５１ｉと領域５１ｋとの間隔をＹ２、領域５１ｊと領域５１ｍとの間隔をＹ３とする。このとき、Ｙ２＞Ｙ１、Ｙ３＞Ｙ１の関係であることが望ましい。この配置の場合、図５に示すように、ホログラム素子４０で回折される１次迷光７１，７２が光検出器５０の領域５１ｉ〜５１ｍに入射しない条件を、領域の間隔を狭く保ったまま実現できる。

逆に、Ｙ２≦Ｙ１、Ｙ３≦Ｙ１の場合、１次迷光７１，７２が光検出器５０の領域５１ｉ〜５１ｍに入射しない条件にすると、領域５１ｋと領域５１ｍとの間隔Ｙ１が図５の場合より広がってしまう。この場合、光検出器５０の領域５１ｉと領域５１ｊとの間隔も広がるため、全体として光検出器５０のサイズが大きくなる。その結果、光検出器５０のコストが高くなってしまう。

また、Ｙ２≦Ｙ１、Ｙ３≦Ｙ１の場合、光検出器５０の領域の間隔を狭く保とうとすると、１次迷光７１が領域５１ｋに入射するとともに、１次迷光７２が領域５１ｍに入射してしまう。この場合、トラッキング誤差信号にオフセットが発生し、安定したトラッキング制御が困難となる。

よって、上記のように、光検出器５０の各領域をＹ２＞Ｙ１、Ｙ３＞Ｙ１の関係に配置することにより、光検出器５０のサイズを大きくすることなく、安定したトラッキング制御を行なうことが可能となる。加えて、光検出器５０のサイズが小さくなることから、光ピックアップ９０Ａのコストも低減できる。

図６は、対物レンズシフト（±２００μｍ）が発生した状況で、光検出器５０の領域５１ｋ，５１ｍに１次迷光７１，７２が入射した場合のトラッキング誤差信号ＴＥＳ２を示した図である。

図６に示すように、対物レンズシフトが発生した状況で、光検出器５０の領域５１ｋ，５１ｍに１次迷光７１，７２が入射した場合、トラッキング誤差信号にオフセットが発生する。ここで、図６を参照して、プッシュプル信号の信号振幅をＡＣ１、発生するオフセットをＤＣ１とした場合、オフセット量ＤＣ１／ＡＣ１は約１２．３％となる。安定したトラッキング制御を行なうためには、１０％以下のオフセット量が望ましい。よって、１次迷光７１，７２が領域５１ｋ，５１ｍに入射する光検出器５０の受光領域の配置では、安定したトラッキング制御が困難である。

図７は、対物レンズシフト（±２００μｍ）が発生した状況で、光検出器５０の領域５１ｋ，５１ｍに１次迷光７１，７２が入射しない場合のトラッキング誤差信号ＴＥＳ２を示した図である。

図７に示すように、対物レンズシフトが発生した状況で、光検出器５０の領域５１ｋ，５１ｍに１次迷光７１，７２が入射しない場合、トラッキング誤差信号にオフセットはほとんど発生しない。実施の形態１の光ピックアップ９０Ａはこの構成であり、光検出器５０の領域５１ｋ，５１ｍに、記録再生層以外の層から発生する迷光は入射しない。ここで、図７を参照して、プッシュプル信号の信号振幅をＡＣ２、発生するオフセットをＤＣ２とした場合、オフセット量ＤＣ２／ＡＣ２は約２．５％となる。よって、安定したトラッキング制御が可能となる。

なお、迷光の受光状態は、記録再生層および記録再生層以外の層の層間距離、ホログラム素子４０での迷光のスポットサイズ等で変化する。光ディスクとして４層の記録再生層を有するＢＤを用いた場合、層間距離は１０〜５０μｍ程度に設定される。また、層間隔が広くなると、光検出器５０上での迷光サイズは大きくなる。

図８は、４層の記録再生層を有する光ディスク（ＢＤ）において、再生層と再生層以外の層との層間隔が最も広い条件である、Ｌ０層（光線の入射側から最も遠い層）再生時のＬ３層（光線の入射側に最も近い層）からの迷光を示した図である。

図８は、上記の条件での他層迷光である０次迷光８０および１次迷光８１〜８６が図７で説明した光検出器５０に入射する位置を表わす。０次迷光８０は、回折素子４１の非回折光を示す。１次迷光８１〜８６は、回折素子４１の領域４１ａ〜４１ｆで回折された迷光をそれぞれ示す。図８の条件では、回折素子４１での迷光のサイズが信号再生層からの反射光のサイズより大きく、領域４１ｃ〜４１ｆに入射する。そのため、図８には、回折素子４１の領域４１ｃ〜４１ｆに対応する迷光分布も描かれている。

上記の場合においても、図８に示すように、領域５１ｉ〜５１ｍに１次迷光８１〜８６が入射することはない。そのため、トラッキング誤差信号にオフセットは発生せず、安定したトラッキング制御が可能となる。

また、光検出器５０の受光部パターンは、０次迷光７０，８０が領域５１ｉ〜５１ｍに入射しないことが望ましい。ホログラムの回折効率は、（０次効率）：（１次効率）＝１０：１程度に設定される。領域５１ｉ〜５１ｍで受光される記録再生層の信号光は、ホログラム素子４０の１次回折光を利用する。一方、０次迷光７０，８０は、ホログラム素子４０の非回折光である。したがって、１次回折光を利用する信号光と比べて、非回折光を含む光検出器５０の受光光量が大きい。

信号光に対する受光光量の大きさは、光ピックアップ９０Ａの信号品質に影響を与えることが考えられる。具体的には、光ディスクの記録再生層以外の層の記録状態が影響を受けるとともに、記録再生層からの反射光と他層迷光との干渉により光ピックアップ９０Ａの信号品質が悪化する。

実施の形態１では、０次迷光７０，８０が入射しない位置に領域５１ｉ〜５１ｍを配置することで、他層迷光の影響を受けないようにしている。このような配置により、品質のよいトラッキング誤差信号を検出でき、安定したトラッキング制御が可能となる。

たとえば、光ピックアップ９０Ａの復路焦点距離が１０．５ｍｍ、対物レンズ２１，２２の焦点距離が１．１７６５ｍｍ、および光ディスクの記録再生層と記録再生層以外の層との間隔が最大５０μｍであるとする。このとき、０次迷光７０，８０のサイズは、受光面上で半径０．５５ｍｍ程度のサイズで光検出器５０に入射する。

また、ホログラム素子４０の回折素子４１で回折される回折光は、組立公差等を考慮に入れると、設計位置に対して±０．０５〜０．１ｍｍ程度だけ光検出器５０での受光位置が変化する。そのため、光検出器５０の領域５１ｉ〜５１ｍは、それぞれ回折方向に０．１〜０．２ｍｍ程度の長さが必要となる。

よって、光検出器５０の領域５１ａ〜５１ｄからなる４分割受光部の中心（以下、４分割受光部中心とも称す）と、領域５１ａ〜５１ｄそれぞれの受光部中心との距離は、
０次迷光サイズ半径０．５５ｍｍ ＋ 領域５１ｉ〜５１ｍ長さ０．１ｍｍ
の０．６５ｍｍ以上離れていることが望ましい。４分割受光部中心から領域５１ａ〜５１ｄそれぞれの受光部中心までの距離を０．６５ｍｍ以上離すことにより、０次迷光７０，８０が領域５１ｉ〜５１ｍに入射しない。そのため、トラッキング誤差信号にオフセットが発生しない安定したトラッキング制御が可能となる。

また、光検出器５０の受光面と、ホログラム素子４０の回折素子４１との距離が３．５ｍｍであるとする。この場合、一般的に製造可能なホログラム素子４０の回折素子４１，４２の格子ピッチは、１μｍ程度である。そのため、４分割受光部中心から領域５１ｉ〜５１ｍそれぞれの受光部中心までの距離は、１．４ｍｍ以下であることが望ましい。

加えて、図８の条件では、０次迷光８０が非点収差を有するため、０次迷光８０は斜め方向の楕円形状となる。さらに、光ディスクのＬ０層とＬ３層との層間隔が広がった場合、光検出器５０の領域５１ｊの方向に０次迷光８０が拡がる。

従来の光ピックアップ構成では、図８の場合とは異なり、０次迷光８０のサイズが大きくなる方向に光検出器５０の領域５１ｉ〜５１ｍが配置されていた。そのため、０次迷光８０と領域５１ｉ〜５１ｍとが近接し、組立公差や調整公差が発生した際に０次迷光８０が領域５１ｉ〜５１ｍに入射する可能性が高くなる。０次迷光８０が領域５１ｉ〜５１ｍに入射した場合、トラッキング誤差信号にオフセットが発生することになり、安定したトラッキング制御が困難となる。

一方、本願の図８では、光検出器５０の領域５１ｉ，５１ｊが受光部中心（Ｘ軸上）からＹ方向にオフセットした位置に配置され、かつ領域５１ｉ〜５１ｍの受光部中心が同一直線上になるように配置されている。Ｙ方向は、光ディスクのトラック方向に相当する。一方、検出レンズ３０の円筒面により、プッシュプルパターンが９０度回転して光検出器５０に入射する。そのため、図８の光検出器５０の配列においても、９０度回転した方向をトラック方向としている。

上記のような光検出器５０の配置とすることにより、光ディスクの記録再生層と記録再生層以外の層との距離が拡がった場合でも、０次迷光８０と領域５１ｉ〜５１ｍとは近接しない。そのため、０次迷光８０が光検出器５０の領域５１ｉ〜５１ｍに入射するのを避けることができる。その結果、トラッキング誤差信号のオフセットを抑えることができ、安定したトラッキング制御が可能となる。

また、光検出器５０の領域５１ｉ〜５１ｍを同一直線上に配置することにより、領域５１ｉ〜５１ｍ以外のスペースにアンプ回路、演算回路等を容易に配置することができる。これにより、光検出器５０の設計時間を短縮することが可能となり、光検出器５０のコストを下げることができる。その結果、光ピックアップ９０Ａ全体のコストを低減することが可能となる。

加えて、光検出器５０の４分割受光部中心から領域５１ｉ〜５１ｍそれぞれの受光部中心までの距離の差を、従来と比較して小さくできる。そのため、回折素子４１の領域４１ａ〜４１ｆ間の格子ピッチの差を縮小でき、製造時の各領域での回折効率のばらつきを抑えることができる。そのため、安定したトラッキング制御が可能となる。さらに、ホログラム素子４０の格子ピッチの差が小さいことから、入射ビームが最小格子ピッチ付近であってもホログラム素子４０を配置しやすくなる。よって、光ピックアップ９０Ａの設計自由度を向上させることができる。

実施の形態１では、光検出器５０の領域５１ｉ〜５１ｍの受光部中心が同一直線上に配置されている。しかし、上述した非点収差を有する図８の０次迷光８０が最も大きくなる条件で０次迷光８０が領域５１ｉ〜５１ｍに入射しない位置に、領域５１ｉ〜５１ｍを配置することも可能である。その場合、領域５１ｉ，５１ｊは、領域５１ａ〜５１ｄと接近するようにＸ軸方向にシフトした配置となる。ゆえに、光検出器５０の４分割受光部中心と領域５１ｉ〜５１ｍとの距離の差を小さくできる。

上記により、回折素子４１，４２のそれぞれの領域を同程度の格子ピッチで製造することができ、回折格子４１，４２内で分割された領域間のばらつきを抑えることができる。これにより、光検出器５０の領域５１ｉ〜５１ｍで受光される光量のばらつきが抑えられ、より安定したトラッキング制御が可能となる。

以上のように、実施の形態１の光ピックアップ９０Ａは、光検出器５０において、図５および図８に示すような領域５１ｉ〜５１ｍの配置となっている。これにより、１以上の記録再生層を有する光ディスクにおいて、再生層と再生層以外の層との層間隔が最も広い場合および最も狭い場合でも、他層迷光が領域５１ｉ〜５１ｍに入射しなくなる。したがって、安定したトラッキング制御が可能となる。

［実施の形態２］
図９は、この発明の実施の形態２による光ピックアップ９０Ｂの構成および光路を示した概略図である。

図９を参照して、実施の形態２の光ピックアップ９０Ｂは、ホログラム素子４０および光検出器５０に代えて、ホログラム素子４０と光検出器５０とを一体化した検出ブロック６０が設けられた点において、図１の光ピックアップ９０Ａと異なる。よって、実施の形態１と重複する部分の説明は、ここでは繰り返さない。

図１０は、実施の形態２の光ピックアップ９０Ｂにおける検出ブロック６０の構成を示した図である。

図１０を参照して、検出ブロック６０は、ホログラム素子４０と、光検出器５０と、保持部材５３とを含む。ホログラム素子４０は、表面に回折素子面４５が形成されている。光検出器５０は、受光素子５１と、パッケージ部材５２とを含む。受光素子５１は、複数の光ディスクからの反射光を検出する。パッケージ部材５２は、受光素子５１を固定するとともに、パッケージ外に信号を出力するための電気配線を含む。受光素子５１およびパッケージ部材５２は、ワイヤーボンディング等により結線されている。

保持部材５３は、ホログラム素子４０と光検出器５０との間隔を調整し保持する。保持部材５３は、亜鉛等の金属成型品や樹脂成型品で構成される。成型品の場合、一般に加工精度を±０．１ｍｍ以下に抑えることができる。そのため、当該構成で検出ブロック６０を組み立てることにより、従来行なわれていたホログラム素子４０と光検出器５０の受光素子５１との間隔の調整（Ｚ軸方向）は不要となる。そのため、光ピックアップ９０Ｂの組立工程が簡略化でき、コストの削減が可能となる。

以上のように、実施の形態２の検出ブロック６０は、ホログラム素子４０および保持部材５３により光検出器５０の受光素子５１を封止する。そのため、受光素子５１上にほこり等が付着するのを防ぐことができ、従来の光検出器にあった封止用部材が必要ない。そのため、光ピックアップ９０Ｂのコスト低減が可能となる。

今回開示された実施の形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本発明の光ピックアップは、光情報記録媒体に対して光学的に情報を記録または再生する光ピックアップ全般において好適に利用できる。

１〜３ 光源、４ 光結合素子、５ 複合素子、６，５１ 受光素子、７ ビームスプリッタ、８ コリメータレンズ、９ 駆動部、１０ ミラー、１１ 波長板、２１，２２ 対物レンズ、２３ 対物レンズホルダ、３０ 検出レンズ、４０，１００ ホログラム素子、４１，４２ 回折素子、４５ 回折素子面、５０，２００ 光検出器、５２ パッケージ部材、５３ 保持部材、６０ 検出ブロック、９０Ａ，９０Ｂ 光ピックアップ、２０１ 分割受光部、２０２ メイン領域受光部群。

Claims (7)

1. 複数の記録再生層を含む光記録媒体に対して情報を記録または再生する光ピックアップであって、
   光源からの出射光を前記光記録媒体に集光する集光部と、
   前記光記録媒体からの反射光を非回折光および第１から第６の１次回折光に少なくとも分離する光分離素子と、
   前記非回折光および前記第１から第６の１次回折光を受光する光検出器とを備え、
   前記光検出器は、
   前記第１および第２の１次回折光を受光する第１の領域と、
   前記第３および第４の１次回折光を受光する第２の領域と、
   前記第５の１次回折光を受光する第３の領域と、
   前記第６の１次回折光を受光する第４の領域と、
   前記非回折光を受光する第５の領域とを含み、
   前記集光部が前記光記録媒体のトラック溝と垂直な方向に移動する際に前記光検出器上で光ビームが移動する方向をＸ軸方向とした場合、
   前記第１および第２の受光領域は、前記第５の領域に対して前記Ｘ軸方向にシフトした位置であり、かつ前記Ｘ軸を挟んで対向する位置に配置されており、
   前記第３および第４の受光領域は、前記Ｘ軸を挟んで前記第１および第２の受光領域の外側に配置されている、光ピックアップ。
2. 前記第１の受光領域と前記第２の受光領域との間隔は、前記第１の受光領域と前記第３の受光領域との間隔および前記第２の受光領域と前記第４の受光領域との間隔のいずれの間隔よりも短い、請求項１に記載の光ピックアップ。
3. 前記第５の受光領域と前記第１または第２の受光領域との距離は、前記第５の受光領域と前記第３または第４の受光領域との距離より短い、請求項１または２に記載の光ピックアップ。
4. 前記第１から第４の受光領域の受光部中心は、前記Ｘ軸と垂直方向の同一直線上に配置されている、請求項１〜３のいずれかに記載の光ピックアップ。
5. 前記光分離素子は、前記光記録媒体の所定の記録再生層以外の層から生じる迷光を、前記光検出器の前記第１から第４の受光領域に入射しない位置に回折する、請求項１〜４のいずれかに記載の光ピックアップ。
6. 前記第１および第２の受光領域は、前記集光部の対物レンズシフトに対応したレンズシフト信号を検出し、前記第３および第４の受光領域は、プッシュプル信号を検出する、請求項１〜５のいずれかに記載の光ピックアップ。
7. 請求項１〜６のいずれかに記載の光ピックアップを搭載した光情報処理装置。

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