JP2012146606A - 照明用有機el素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板1上に第1電極2と有機発光層3と第2電極4とが順に積層され、平面視した場合に第2電極4が第1電極2と交差するよう配置された照明用有機EL素子を製造する方法であって、該方法は、第1電極2が形成された基板1上の、第1電極2と第2電極4とが交差する領域に対応する所定部分にのみ、非接触方式で絶縁材料を塗布して絶縁膜5を形成する絶縁膜形成工程と、該絶縁膜形成工程の後、開口部を有する蒸着マスク7を用いて、交差する領域内に位置する第1電極2上に、有機発光層3を真空蒸着により形成する有機発光層形成工程と、該有機発光層形成工程の後、蒸着マスク7とは異なる開口部を有する別の蒸着マスク8を用いて、有機発光層3上に第2電極4を形成する第2電極形成工程と、を備える。
【選択図】図2
Description
有機EL素子を用いたディスプレイにおいて、一つの発光素子の大きさは1mm角未満である。一方、有機EL素子を用いた固体照明では、ディスプレイよりも大きな光束が必要とされるため、一つの発光素子は100mm角以上の大きさが要求される。
有機EL素子の一つの発光素子は、基板1上に、第1電極2、有機発光層3及び第2電極4が積層されてなる。第1電極(陽極)2は、基板1上にフォトリソグラフィによってパターニング形成される。有機発光層3は第1電極2と交差するように積層されている。第2電極4は、有機発光層3及び第1電極2と交差するよう積層され、第1電極2と第2電極4の間に電圧を印加することにより、この電極が交差した部分にある有機発光層3のみが発光する。
電圧降下を小さくして明るさを均一に改善するためには、透明導電膜の膜厚を100〜500nm程度に厚くしてシート抵抗値を下げると良い。そうすることで、輝度ムラを抑制することができる。
特許文献1では、精度の高い発光領域を得るために、フォトリソグラフィ技術を用いて絶縁層を設け、高精度でパターンを形成している。図9に、絶縁層のパターニング加工工程を示す。まず、第1電極である透明導電膜がパターニングされている基板を洗浄し、乾燥させる。次に上記基板上に、感光剤(フォトレジスト)をスピンコートで全面塗布する。レジストをプリベークにより半乾燥後、露光マスクを用いてパターニングし露光器によって紫外線を照射し感光させる。その後、現像(エッチング及び洗浄)し、ポストベークを経て高精度な絶縁層をパターニング加工している。
特許文献2では、ロール印刷法により、絶縁層を形成する方法が開示されている。
所定部分を第1電極の面と第2電極の縁部が交差する領域と対応する部分すると、第2電極形成時に使用する蒸着マスクの端部が非発光素子部分に重なるため、発光素子部分の有機発光層を傷つけることを防止できる。それにより、電極間でのリーク電流や短絡などが発生しにくくなるため、品質低下や歩留低下を抑制される。
所定部分を第1電極の面と第2電極の縁部が交差する領域と対応する部分すると、第2電極形成時に使用する蒸着マスクの端部が非発光素子部分に重なる。そのため、発光素子部分において損傷の少ない有機発光層とすることができる。それにより、電極間でのリーク電流や短絡などが発生しにくい照明用有機EL素子となる。
図1に、本実施形態に係る有機EL素子の一つの発光素子の一例の概略平面図を示す。
本実施形態に係る有機EL素子は、基板1に第1電極2、有機発光層3、及び第2電極4が順に積層された発光素子を備える。有機EL素子を平面視した場合に、第1電極2の面の外周と第2電極4の面の外周とは、完全に重なってはおらず、第2電極4と第1電極2とが交差する配置とされる。第1電極2と有機発光層3との間または基板1と有機発光層3との間の所定部分には、絶縁膜5が設けられている。所定部分とは、第1電極2と第2電極4とが交差する領域に対応する部分とされる。上記交差する領域は、有機EL素子を平面視した場合に、第1電極2の縁部と第2電極4の面が交差する領域、または第1電極2の面と第2電極4の縁部が交差する領域とされ得る。本実施形態では所定部分を第1電極2の縁部と第2電極4の面が交差する領域に対応する部分とする。すなわち、上に有機発光層3/第2電極4が積層される第1電極2のパターニング段差部分にのみに絶縁膜5が設けられる。そのため、絶縁膜が必要な領域が非常に少なく、簡素に絶縁膜を形成することができる。
基板1上に第1電極2/絶縁膜5/有機発光層3/第2電極4または絶縁膜5/有機発光層3/第2電極4の順で積層された部分は、非発光素子部分とされる。
第1電極2は、導電性を有する透明な膜とされる。例えば、酸化インジウムスズ(ITO)、酸化錫(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO)などの金属酸化膜などを用いることができる。第1電極2の厚さは、100nm〜500nm程度とされる。第1電極2は、縁部に急峻な断面を有していても良い。
有機発光層3は、有機発光材料からなる有機多層膜とされる。例えば、有機多層膜の構成は、正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層などとされる。有機発光層3の総厚さは、100nm〜300nm程度とされる。
第2電極4は、導電性を有する膜とされる。例えば、第2電極4は、アルミニウム(Al)や銀(Ag)の金属膜あるいは金属酸化膜などからなる。
図2に、本実施形態に係る有機EL素子の製造方法の一例を説明する図を示す。図2(a)〜図2(d)は、図1の(a)ラインにおける断面を見た図である。
基板1上に、第1電極2をパターニングする。
絶縁膜形成工程では、まず、第1電極2が形成された基板1の表面を洗浄する。その後、第1電極2が形成された基板1上の所定部分に絶縁材料を塗布し、硬化させる。硬化方法は、使用する絶縁材料に応じて適宜選択する。図3に、絶縁材料としてポジ型のレジストを使用した場合の絶縁膜形成の工程図を例示する。図3によれば、洗浄、レジスト描画(塗布)及びポスベークの工程によって絶縁膜5を形成することができる。ポジ型レジストは塗布した後に、加熱する(ポストベーク)のみで硬化し、絶縁膜5となる。絶縁材料は所定部分にのみ塗布されているため、従来のフォトリソグラフィによる絶縁膜の形成で必要であったプリベーク、露光、及び現像の工程が不要となる。
次に、単一ノズル6から第1電極2が形成された基板1上の所定部分に向けて絶縁材料を断続的に吐出する。また、絶縁材料を吐出しながら、基板1または単一ノズル6を相対的に移動させることで、所定部分に連続した線形の絶縁膜5を形成する。絶縁材料の吐出量や、基板1または単一ノズル6の移動速度などは、塗布対象表面の濡れ性、絶縁材料の種類及び粘度を考慮し、絶縁膜5が所望の厚さ及び幅となるよう適宜設定される。
絶縁膜形成工程を経た基板1を真空蒸着装置内に搬入する。基板1上に有機用蒸着マスク7をかけ、有機材料を積層蒸着して有機発光層3を形成する。有機用蒸着マスク7は、例えば、図1の(a)ラインの向きでは第1電極2の面と同等または第1電極の面よりも大きい開口部を有する。有機用蒸着マスク7をかけるときには、この開口部が第1電極2にかかるようにする。他の有機材料の蒸着条件は、任意とする。
有機発光層形成工程を経た基板1を別の真空蒸着装置に搬入する。基板1上に第2電極用蒸着マスク8をかけ、導電性材料を積層蒸着して第2電極4を形成する。第2電極用蒸着マスク8は、例えば、図1の(a)ラインの向きでは第1電極2よりも大きく、図1の(b)ラインの向きでは第1電極2よりも小さい開口部を有するものを使用する。他の導電性材料の蒸着条件は、任意とする。第2電極形成工程後は、適宜封止部材を形成する(不図示)。
本実施形態にかかる有機EL素子は、絶縁膜の形成する所定部分が異なる以外は、第1実施形態と同様の構成とした。
図5に、本実施形態に係る有機EL素子の一つの発光素子の一例の概略平面図を示す。本実施形態の絶縁膜5は、有機EL素子を平面視した場合に、第1電極2の縁部と第2電極4の面が交差する領域、及び第1電極2の面と第2電極4の縁部が交差する領域に設けられる。すなわち、有機発光層3/第2電極4が積層される第1電極2のパターニング段差部分に加え、第2電極4形成時に、有機発光層3に第2電極用蒸着マスク8が接触する可能性のある箇所に対応する部分に絶縁膜5を形成する。
2 第1電極
3 有機発光層
4 第2電極
5 絶縁膜
6 単一ノズル
7 有機用蒸着マスク
8 第2電極用蒸着マスク
Claims (5)
- 基板上に第1電極と有機発光層と第2電極とが順に積層され、平面視した場合に前記第2電極が前記第1電極と交差するよう配置された有機EL素子を製造する方法であって、
第1電極が形成された基板上の、前記第1電極と前記第2電極とが交差する領域に対応する所定部分にのみ、非接触方式で絶縁材料をパターン加工することなく塗布して絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
該絶縁膜形成工程の後、開口部を有する蒸着マスクを用いて、前記交差する領域内に位置する前記第1電極上に、有機発光層を真空蒸着により形成する有機発光層形成工程と、
該有機発光層形成工程の後、前記蒸着マスクとは異なる開口部を有する別の蒸着マスクを用いて、前記有機発光層上に第2電極を形成する第2電極形成工程と、
を備える照明用有機EL素子の製造方法。 - 前記絶縁膜形成工程が、
単一ノズルを前記第1電極に対して間隔をあけて配置し、前記単一ノズルから前記第1電極が形成された基板の前記所定部分に向けて前記絶縁材料を断続的に吐出するステップと、
前記基板または前記単一ノズルを相対的に移動させて、前記所定部分に連続した絶縁膜を形成するステップと、
を含む請求項1に記載の照明用有機EL素子の製造方法。 - 前記所定部分を、平面視した場合に前記第1電極の縁部と前記第2電極の面が交差する領域、または前記第1電極の面と前記第2電極の縁部が交差する領域の少なくとも一方に対応する部分とする請求項1または請求項2に記載の照明用有機EL素子の製造方法。
- 基板上に第1電極と有機発光層と第2電極とが順に積層された発光素子を備え、平面視した場合に前記第2電極が前記第1電極と交差するよう配置された有機EL素子であって、
第1電極が形成された基板上の、前記第1電極と前記第2電極とが交差する領域に対応する所定部分にのみ、非接触方式で有機絶縁材料をパターン加工することなく塗布して形成された有機絶縁膜を備える照明用有機EL素子。 - 前記所定部分が、前記第1電極の縁部と前記第2電極の面が交差する領域、または前記第1電極の面と前記第2電極の縁部が交差する領域の少なくとも一方とする請求項4に記載の照明用有機EL素子。
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Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000200680A (ja) * | 1999-01-07 | 2000-07-18 | Toray Ind Inc | 有機電界発光素子の製造方法 |
| JP2001085158A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機電界発光素子 |
| JP2001290441A (ja) * | 1999-02-26 | 2001-10-19 | Sanyo Electric Co Ltd | カラー表示装置 |
| JP2002208484A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-07-26 | Tohoku Pioneer Corp | 有機elディスプレイ及びその製造方法 |
| JP2003100466A (ja) * | 2001-09-15 | 2003-04-04 | Cld Kk | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
| JP2004119226A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機elパネル |
| JP2006171365A (ja) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Seiko Epson Corp | バンクの生成方法並びにカラーフィルタ、液晶パネル、有機el装置及び表示パネルの製造方法 |
| JP2007012411A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Canon Inc | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法 |
| JP2007059925A (ja) * | 2005-01-28 | 2007-03-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
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|---|---|---|---|---|
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Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000200680A (ja) * | 1999-01-07 | 2000-07-18 | Toray Ind Inc | 有機電界発光素子の製造方法 |
| JP2001290441A (ja) * | 1999-02-26 | 2001-10-19 | Sanyo Electric Co Ltd | カラー表示装置 |
| JP2001085158A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-03-30 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機電界発光素子 |
| JP2002208484A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-07-26 | Tohoku Pioneer Corp | 有機elディスプレイ及びその製造方法 |
| JP2003100466A (ja) * | 2001-09-15 | 2003-04-04 | Cld Kk | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
| JP2004119226A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-04-15 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機elパネル |
| JP2007506227A (ja) * | 2003-09-16 | 2007-03-15 | デーウー・エレクトロニクス・サービス・カンパニー・リミテッド | 有機elディスプレイ及びその製造方法 |
| JP2006171365A (ja) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Seiko Epson Corp | バンクの生成方法並びにカラーフィルタ、液晶パネル、有機el装置及び表示パネルの製造方法 |
| JP2007059925A (ja) * | 2005-01-28 | 2007-03-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2007012411A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Canon Inc | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法 |
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