JP2012147301A - Ｘ線撮影装置および二次元アレイｘ線検出器の欠損検出方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 データバスラインの下流側への電流のリークに起因する欠損画素の過剰登録を防止することが可能なＸ線撮影装置および二次元アレイＸ線検出器の欠損検出方法を提供する。
【解決手段】 フラットパネルディテクタの変換膜にＸ線を照射していない状態でスイッチング素子を順次オン状態としたときの電荷信号を測定する暗電流値測定工程と、各画素の画素値に基づいて欠損画素塊を抽出する欠損画素塊抽出工程と、各欠損画素塊におけるゲートバスライン方向の寸法とデータバスライン方向の寸法との比に基づいて各欠損画素塊が正常画素を含む過剰欠損画素塊であるか否かを判定する欠損画素塊判定工程と、過剰欠損画素塊から正常画素を除外する正常画素除外工程と、正常画素を除外した過剰欠損画素塊を他の欠損画素とともに欠損登録する欠損登録工程とを備える。
【選択図】 図４

Description

この発明は、Ｘ線撮影装置および二次元アレイＸ線検出器の欠損検出方法に関する。

Ｘ線撮影装置に使用される二次元アレイＸ線検出器としては、例えば、フラットパネルディテクタ（ＦＰＤ）が知られている。このフラットパネルディテクタは、ＴＦＴ等のスイッチング素子が二次元アレイ（行列）状に配置された基板上に、ａ−Ｓｅ（アモルファス・セレン）等の変換膜を蒸着した構成を有する。このフラットパネルディテクタにおいては、被検体を通過したＸ線像が変換膜上に投影されると、像の濃淡に比例した電荷信号が変換膜内に発生する。この電荷信号は、二次元アレイ状に配置された画素電極により収集され、静電容量（キャパシタ）に蓄積される。静電容量に蓄積された電荷は、スイッチング素子の動作に伴って読み出され、電気信号として画像処理部に送信されて画像処理が行われる。

このようなａ−Ｓｅ等の変換膜を使用したフラットパネルディテクタにおいては、製造プロセスにおいて欠損画素が発生する場合がある。このため、従来、暗電流値と呼称される変換膜にＸ線を照射しない状態における画素値に基づいて欠損画素を検出している（特許文献１参照）。なお、スイッチング素子をオフとした状態の画素値に基づいてリークレベルを測定し、このリークレベルを利用して画素値を補正する画像検出器も提案されている（特許文献２、特許文献３参照）。

特開２００８−３０１８８３号公報 特開２００８−１４８０９０号公報 特開２００８−２３７８３６号公報

変換膜にＸ線を照射しない状態における画素値に基づいて欠損画素を検出する場合に、フラットパネルディテクタの状態が不安定なときに画素値を測定した場合には、正常画素が欠損画素と判断され、過剰に欠損が抽出されることがある。特に、欠損部分から電流がリークすることにより、データの読み出し方向、すなわち、フラットパネルディテクタにおけるデータバスラインの下流側（データバスラインのマルチプレクサ側）に、正常画素領域であってもライン状の欠損画素領域が抽出されてしまうという問題がある。

この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、データバスラインの下流側への電流のリークに起因する欠損画素の過剰登録を防止することが可能なＸ線撮影装置および二次元アレイＸ線検出器の欠損検出方法を提供することを目的とする。

請求項１に記載の発明は、Ｘ線に感応し入射Ｘ線量に対応した電荷信号を出力する変換膜と、前記変換膜の表面に画素に対応して行列状に配置された複数の画素電極と、前記各画素電極に各々接続された電荷信号を蓄積する複数の蓄積容量と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、信号の読み出し時にゲートバスラインを介して各スイッチング素子を順次オンとするゲートドライバと、前記各蓄積容量に蓄積された電荷信号を前記ゲートバスラインと直交する方向に配設されたデータバスラインを介して読み出すデータ集積部と、を有する二次元アレイＸ線検出器を備えたＸ線撮影装置において、前記変換膜にＸ線を照射していない状態で、前記スイッチング素子を順次オン状態としたときに前記データバスラインにより読み出される電荷信号を、各画素の暗電流値として測定する暗電流値測定手段と、前記暗電流値測定手段により測定した各画素の画素値に基づいて欠損画素を識別することにより、所定値以上の大きさを有する欠損画素塊を抽出する欠損画素塊抽出手段と、前記欠損画素塊抽出手段により抽出した各欠損画素塊における前記ゲートバスライン方向の寸法と前記データバスライン方向の寸法とに基づいて、前記各欠損画素塊が正常画素を含む過剰欠損画素塊であるか否かを判定する欠損画素塊判定手段と、前記欠損画素塊判定手段により正常画素を含むと判定された過剰欠損画素塊から正常画素を除外した上で、過剰欠損画素塊を他の欠損画素とともに欠損登録する欠損登録手段とを備えたことを特徴とする。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記欠損画素塊判定手段は、前記欠損画素塊における前記ゲートバスライン方向の寸法と前記データバスライン方向の寸法との比に基づいて、その欠損画素塊が正常画素を含む過剰欠損画素塊であるか否かを判定する。

請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記欠損登録手段は、前記過剰欠損画素塊における前記ゲートバスライン方向の寸法が最大となる前記データバスライン方向の座標位置と、前記過剰欠損画素塊における前記データバスライン方向の寸法が最大となる前記ゲートバスライン方向の座標位置との交点から設定値以上離隔した画素を、正常画素と判定して過剰欠損画素塊から除外する。

請求項４に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記欠損登録手段は、前記過剰欠損画素塊における前記ゲートバスライン方向の寸法が最大となる前記データバスライン方向の座標位置から、前記データバスラインの下流側に設定値以上離隔した画素を、正常画素と判定して過剰欠損画素塊から除外する。

請求項５に記載の発明は、Ｘ線に感応し入射Ｘ線量に対応した電荷信号を出力する変換膜と、前記変換膜の表面に画素に対応して行列状に配置された複数の画素電極と、前記各画素電極に各々接続された電荷信号を蓄積する複数の蓄積容量と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、信号の読み出し時にゲートバスラインを介して各スイッチング素子を順次オンとするゲートドライバと、前記各蓄積容量に蓄積された電荷信号を前記ゲートバスラインと直交する方向に配設されたデータバスラインを介して読み出すデータ集積部と、を備えた二次元アレイＸ線検出器の欠損画素の検出方法において、前記変換膜にＸ線を照射していない状態で、前記スイッチング素子を順次オン状態としたときに前記データバスラインにより読み出される電荷信号を、各画素の暗電流値として測定する暗電流値測定工程と、前記暗電流値測定工程で測定した各画素の画素値に基づいて欠損画素を識別することにより、所定値以上の大きさを有する欠損画素塊を抽出する欠損画素塊抽出工程と、前記欠損画素塊抽出工程で抽出した各欠損画素塊における前記ゲートバスライン方向の寸法と前記データバスライン方向の寸法との比に基づいて、前記各欠損画素塊が正常画素を含む過剰欠損画素塊であるか否かを判定する欠損画素塊判定工程と、前記欠損画素塊判定工程で正常画素を含むと判定された過剰欠損画素塊から、当該過剰欠損画素塊における所定の位置にある画素を、正常画素として除外する正常画素除外工程と、前記正常画素除外工程において正常画素を除外した過剰欠損画素塊を他の欠損画素とともに欠損登録する欠損登録工程とを備えたことを特徴とする。

請求項１、請求項２および請求項５に記載の発明によれば、欠損画素塊における前記ゲートバスライン方向の寸法と前記データバスライン方向の寸法を利用することにより、データバスラインの下流側への電流のリークに起因する欠損画素の過剰登録を防止することが可能となる。

請求項３に記載の発明によれば、過剰欠損画素塊の中心付近から設定値以上離隔した画素を正常画素と判定することから、正常画素を容易に認識して過剰欠損画素塊から除外することが可能となる。

請求項４に記載の発明によれば、過剰欠損画素塊の中心付近からデータバスラインの下流側に設定値以上離隔した画素を正常画素と判定することから、電流のリーク特性を利用して正常画素を容易に認識することができ、これらの正常画素を過剰欠損画素塊から適切に除外することが可能となる。

この発明に係るＸ線撮影装置の概要図である。 フラットパネルディテクタ４を側面視した等価回路である。 フラットパネルディテクタ４を平面視した等価回路である。 フラットパネルディテクタの欠損検出方法を示すフローチャートである。 欠損画素塊１０１、１０２を示す模式図である。 過剰欠損画素塊１０１から正常画素を除外する様子を示す模式図である。 正常画素が除去された過剰欠損画素塊１０１等を示す模式図である。

以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は、この発明に係るＸ線撮影装置の概要図である。

このＸ線撮影装置は、被検者１を載置するテーブル２と、Ｘ線管３と、二次元アレイＸ線検出器としてのフラットパネルディテクタ４と、Ａ／Ｄ変換器５と、後述する暗電流値測定部６１、欠損画素塊抽出部６２、欠損画素塊判定部６３および欠損登録部６４を備えた制御部６と、キーボード等の入力部６５と、ＣＲＴ等の表示部６６と、Ｘ線管３に付与する管電圧等を制御する高電圧発生部７と、各種のデータを記憶する記憶部８とを備える。

このＸ線撮影装置は、Ｘ線管３からテーブル２上の被検者１に向けてＸ線を照射し、被検者１を通過したＸ線をフラットパネルディテクタ４により検出し、制御部６において検出されたＸ線を画像処理し、画像処理されたＸ線による映像信号を利用して表示部６６にＸ線透視像を表示する構成を有する。

次に、フラットパネルディテクタ４の構成について説明する。図２は、フラットパネルディテクタ４を側面視した等価回路である。また、図３は、フラットパネルディテクタ４を平面視した等価回路である。

これらの図に示すように、このフラットパネルディテクタ４は、ガラス基板４１と、このガラス基板４１上に形成されたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）４２と、このＴＦＴ上に蒸着されたａ−Ｓｅ等の変換膜４３と、この変換膜４３上に配置された共通電極４４とを備える。

ＴＦＴ４２には、縦横のマトリックス状、すなわち、二次元アレイ状の配置で、電荷収集電極である画素電極４５が配設されている。この画素電極４５は、例えば、行列方向に１０２４個×１０２４個配置されている。図２および図３においては、行列方向に３個×３個配置した場合を模式的に示している。各画素電極４５には、スイッチング素子４６と、静電容量（キャパシタ）４７とが接続されている。

各画素電極４５は、各スイッチング素子４６のソースＳに接続されている。図３に示すゲートドライバ５１には、複数本のゲートバスライン５２が接続されており、これらのゲートバスライン５２はスイッチング素子４６のゲートＧに接続されている。一方、図３に示すように、電荷信号を収集して１つに出力するマルチプレクサ５３には、増幅器５４を介して複数本のデータバスライン５５が接続されており、これらのデータバスライン５５は、各スイッチング素子４６のドレインＤに接続されている。

このフラットパネルディテクタ４においては、被検者１を通過したＸ線像が変換膜４３上に投影されると、像の濃淡に比例した電荷信号（キャリア）が変換膜４３内に発生する。この電荷信号は、二次元アレイ状に配置された画素電極４５により収集され、静電容量４７に蓄積される。そして、共通電極４４にバイアス電圧を印加した状態で、ゲートドライバ５１によりゲートバスライン５２に電圧を印加することにより、各スイッチング素子４６のゲートＧがオン状態となる。これにより、静電容量４７に蓄積された電荷信号は、スイッチング素子４６におけるソースＳとドレインＤとを介して、データバスライン５５に読み出される。各データバスライン５５に読み出された電荷信号は、増幅器５４で増幅され、マルチプレクサ５３で１つの電荷信号にまとめられて出力される。この電荷信号は、Ａ／Ｄ変換器５でディジタル化され、Ｘ線検出信号として図１に示す制御部６に出力される。

次に、上述したこの発明に係るＸ線撮影装置における二次元アレイＸ線検出器としてのフラットパネルディテクタ４の欠損検出方法について説明する。図４は、この発明に係るフラットパネルディテクタの欠損検出方法を示すフローチャートである。

欠損検出を行う場合には、最初に、図１に示す暗電流値測定部６１により、各画素の暗電流値を測定する（ステップＳ１）。このときには、フラットパネルディテクタ４における変換膜４３にＸ線を照射しない状態で、スイッチング素子４６を順次オンとすることにより、フラットパネルディテクタ４の各画素の電荷信号を画素値として検出する。このときの各画素の画素値は、暗電流値として図１に示す記憶部８に記憶される。なお、図１に示す記憶部８には、正常な画素の画素値も、予め記憶されている。

次に、図１に示す欠損画素抽出部６２により、フラットパネルディテクタ４における各画素毎に、Ｘ線を照射しない状態における各画素の画素値である暗電流値と正常な画素の画素値とを比較し、各画素の暗電流値と正常な画素の画素値との差異が一定以上となる画素を、欠損画素として判定する。すなわち、各画素の暗電流値が所定値以上あるいは所定値以下の画素を、欠損画素として判定する。そして、欠損画素の集合である欠損画素塊に着目し、所定値以上の大きさを有する欠損画素塊を抽出する（ステップＳ２）。抽出された欠損画素塊の情報は、記憶部８に記憶される。

図５は、欠損画素塊抽出工程(ステップＳ２)において抽出された欠損画素塊１０１、１０２を示す模式図である。

欠損画素塊検出工程(ステップＳ２)においては、欠損画素の集合である欠損画素塊として見いだされた５個の欠損画素塊１０１、１０２、１０３、１０４、１０５のうち、所定値以上の大きさを有する２個の欠損画素塊１０１、１０２を抽出している。

次に、図１に示す欠損画素塊判定部６３により、欠損画素塊抽出工程(ステップＳ２)で抽出した各欠損画素塊のフラットパネルディテクタ４におけるゲートバスライン５２方向(図５における横方向)の寸法とデータバスライン５５方向(図５における縦方向)の寸法とを利用することにより、各欠損画素塊１０１、１０２が正常画素を含む過剰欠損画素塊であるか否かを判定する(ステップＳ３）。

より具体的には、各欠損画素塊におけるゲートバスライン５２方向の寸法Ｈｓと、データバスライン５５方向の寸法Ｖｓとの比に基づいて、各欠損画素塊１０１、１０２が正常画素を含む過剰欠損画素塊であるか否かを判定する。すなわち、各欠損画素塊におけるゲートバスライン５２方向の寸法Ｈｓとデータバスライン５５方向の寸法Ｖｓとの比（Ｖｓ／Ｈｓ）が予め設定した許容値Ｔｈを超えているか否かにより、各欠損画素塊１０１、１０２が正常画素を含む過剰欠損画素塊であるか否かを判定する。なお、フラットパネルディテクタ４においては、欠損部分から電流がリークすることにより、データの読み出し方向、すなわち、データバスライン５５の下流側（データバスライン５５のマルチプレクサ５３側）に、正常画素領域であってもライン状の欠損画素領域が抽出される場合があることから、Ｔｈは一般的に１以上の値として設定する。

図５に示すように、欠損画素塊１０１のゲートバスライン５２方向の寸法がＨｓ１、データバスライン５５方向の寸法Ｖｓ１であり、欠損画素塊１０２のゲートバスライン５２方向の寸法がＨｓ２、データバスライン５５方向の寸法Ｖｓ２であったと仮定する。この場合には、欠損画素塊１０１においては、Ｈｓ１×ＴｈがＶｓ１より小さければ欠損画素塊１０１は正常画素を含む過剰欠損画素塊であると判定する。同様に、欠損画素塊１０２においては、Ｈｓ２×ＴｈがＶｓ２より小さければ欠損画素塊１０２は正常画素を含む過剰欠損画素塊であると判定する。以下の説明においては、欠損画素塊１０１、１０２のうち欠損画素塊１０１が過剰欠損画素塊であると判定され場合を示している。

次に、図１に示す欠損登録部６４により、欠損画素塊判定工程(ステップＳ３)で正常画素を含むと判定された欠損画素塊１０１から正常画素を除外する(ステップＳ４)。

図６は、欠損画素塊判定工程(ステップＳ３)において過剰欠損画素塊であると判定された欠損画素塊１０１（以下、「過剰欠損画素塊１０１」という）から正常画素を除外する様子を示す模式図である。

この正常画素除外工程（ステップＳ４）においては、過剰欠損画素塊１０１におけるゲートバスライン５２方向の寸法が最大となるデータバスライン５５方向の座標位置（ゲートバスライン５２方向の寸法が最大となる位置におけるゲートバスライン５２を向く直線）と、過剰欠損画素塊１０１におけるデータバスライン５５方向の寸法が最大となるゲートバスライン５２方向の座標位置（データバスライン５５方向の寸法が最大となる位置におけるデータバスライン５５を向く直線）との交点から設定値以上離隔した画素を、正常画素と判定して、過剰欠損画素塊１０１から除外する。これは、過剰欠損画素塊１０１の中心付近から離隔した位置に存在する欠損画素は、実際には正常画素であるにもかかわらず、欠損部分から電流がリークすることにより欠損画素と誤判定された画素であると考えられるためである。

ここで、過剰欠損画素塊１０１におけるゲートバスライン５２方向の寸法が最大となるデータバスライン５５方向の座標位置は、図５における横方向の矢印の位置であり、過剰欠損画素塊１０１におけるデータバスライン５５方向の寸法が最大となるゲートバスライン５２方向の座標位置は、図５における縦方向の矢印の位置である。従って、過剰欠損画素塊１０１におけるゲートバスライン５２方向の寸法が最大となるデータバスライン５５方向の座標位置と、過剰欠損画素塊１０１におけるデータバスライン５５方向の寸法が最大となるゲートバスライン５２方向の座標位置との交点は、図５に示す互いに直交する矢印の交点の位置である。そして、この実施形態においては、その交点から設定値以上離隔した画素を、正常画素と判定して過剰欠損画素塊から除外している。

図５に示す実施形態においては、Ｔｈを１より少し大きな値として設定している。そして、過剰欠損画素塊１０１に対して、この過剰欠損画素塊１０１におけるゲートバスライン５２方向の寸法が最大となるデータバスライン５５方向の座標位置と、過剰欠損画素塊１０１におけるデータバスライン５５方向の寸法が最大となるゲートバスライン５２方向の座標位置との交点を中心とする、直径がＨｓ１×Ｔｈの円上またはこの円より外側に配置された画素を正常画素と判定している。すなわち、過剰欠損画素塊１０１に対して、この過剰欠損画素塊１０１におけるゲートバスライン５２方向の寸法が最大となるデータバスライン５５方向の座標位置と、過剰欠損画素塊１０１におけるデータバスライン５５方向の寸法が最大となるゲートバスライン５２方向の座標位置との交点を中心として、距離（Ｈｓ１×Ｔｈ／２）以上離隔した位置に配置された画素を正常画素と判定している。

図５においては、過剰欠損画素塊１０１を直径Ｈｓ１×Ｔｈの円で囲み、欠損画素塊１０２を直径Ｈｓ２×Ｔｈの円で囲んでいる。この図から、過剰欠損画素塊１０１については、直径がＨｓ１×Ｔｈの円上またはこの円より外側に配置された正常画素と判定される画素が含まれるのに対し、欠損画素塊１０２については、上述した基準により正常画素と認定される画素が存在しないことがわかる。

図７は、正常画素除去工程(ステップＳ４)において正常画素が除去された過剰欠損画素塊１０１等を示す模式図である。

この図に示すように、過剰欠損画素塊１０１から正常画素が除去されることにより、過剰欠損画素塊１０１は、通常の欠損画素塊となる。そして、この状態において、図１に示す欠損登録部６４により、欠損画素塊抽出工程(ステップＳ２)において抽出された欠損画素塊１０２と、欠損画素塊抽出工程において抽出され、正常画素除去工程（ステップＳ４）において正常画素を除去された欠損画素塊１０１とを、欠損登録する（ステップＳ５）。

この欠損登録時には、欠損画素の位置が欠損マップに登録されて記憶部８記憶される。また、この欠損画素について補間処理がなされる。この補間処理時には、欠損画素の画素値をその周辺の画素値を利用して補完する。これにより、欠損画素が存在するフラットパネルディテクタ４を使用した場合においても、Ｘ線を正確に検出することが可能となる。このとき、上述したように過剰欠損画素塊１０１から正常画素を除外して登録がなされることから、この欠損登録時において、正常画素が欠損画素とともに欠損登録されることを防止することが可能となる。

なお、上述した実施形態においては、過剰欠損画素塊１０１に対して、この過剰欠損画素塊１０１におけるゲートバスライン５２方向の寸法が最大となるデータバスライン５５方向の座標位置と、過剰欠損画素塊１０１におけるデータバスライン５５方向の寸法が最大となるゲートバスライン５２方向の座標位置との交点を中心から、距離（Ｈｓ１×Ｔｈ／２）以上離隔した画素を正常画素と判定している。これに対し、他の実施形態として、過剰欠損画素塊１０１におけるゲートバスライン５２方向の寸法が最大となるデータバスライン５５方向の座標位置から、データバスライン５５の下流側に設定値以上離隔した画素を正常画素と判定してもよい。これは、欠損部分から電流がリークすることにより欠損画素と誤判定される画素は、必ず、データバスライン５５の下流側、すなわち、データバスライン５５におけるマルチプレクサ５３側に配置されているためである。

ここで、過剰欠損画素塊１０１におけるゲートバスライン５２方向の寸法が最大となるデータバスライン５５方向の座標位置は、図５における横方向の矢印の位置である。従って、この矢印の位置からデータバスライン５５の下流側、すなわち、この矢印から図５における下側に、例えば、距離（Ｈｓ１×Ｔｈ／２）以上離隔した位置に配置されている画素を正常画素と判定すればよい。

１ 被検者
２ テーブル
３ Ｘ線管
４ フラットパネルディテクタ
６ 制御部
７ Ｘ線管制御部
４１ ガラス基板
４２ ＴＦＴ
４３ 変換膜
４４ 共通電極
４５ 画素電極
４６ スイッチング素子
４７ 静電容量
５１ ゲートドライバ
５２ ゲートバスライン
５３ マルチプレクサ
５４ 増幅器
５５ データバスライン
６１ 暗電流値測定部
６２ 欠損画素塊抽出部
６３ 欠損画素塊判定部
６４ 欠損登録部
６５ 入力部
６６ 表示部
１０１ 欠損画素塊（過剰欠損画素塊）
１０２ 欠損画素塊

Claims (5)

1. Ｘ線に感応し入射Ｘ線量に対応した電荷信号を出力する変換膜と、前記変換膜の表面に画素に対応して行列状に配置された複数の画素電極と、前記各画素電極に各々接続された電荷信号を蓄積する複数の蓄積容量と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、信号の読み出し時にゲートバスラインを介して各スイッチング素子を順次オンとするゲートドライバと、前記各蓄積容量に蓄積された電荷信号を前記ゲートバスラインと直交する方向に配設されたデータバスラインを介して読み出すデータ集積部と、を有する二次元アレイＸ線検出器を備えたＸ線撮影装置において、
   前記変換膜にＸ線を照射していない状態で、前記スイッチング素子を順次オン状態としたときに前記データバスラインにより読み出される電荷信号を、各画素の暗電流値として測定する暗電流値測定手段と、
   前記暗電流値測定手段により測定した各画素の画素値に基づいて欠損画素を識別することにより、所定値以上の大きさを有する欠損画素塊を抽出する欠損画素塊抽出手段と、
   前記欠損画素塊抽出手段により抽出した各欠損画素塊における前記ゲートバスライン方向の寸法と前記データバスライン方向の寸法とに基づいて、前記各欠損画素塊が正常画素を含む過剰欠損画素塊であるか否かを判定する欠損画素塊判定手段と、
   前記欠損画素塊判定手段により正常画素を含むと判定された過剰欠損画素塊から正常画素を除外した上で、過剰欠損画素塊を他の欠損画素とともに欠損登録する欠損登録手段と、
   を備えたことを特徴とするＸ線撮影装置。
2. 請求項１に記載のＸ線撮影装置において、
   前記欠損画素塊判定手段は、前記欠損画素塊における前記ゲートバスライン方向の寸法と前記データバスライン方向の寸法との比に基づいて、その欠損画素塊が正常画素を含む過剰欠損画素塊であるか否かを判定するＸ線撮影装置。
3. 請求項２に記載のＸ線撮影装置において、
   前記欠損登録手段は、前記過剰欠損画素塊における前記ゲートバスライン方向の寸法が最大となる前記データバスライン方向の座標位置と、前記過剰欠損画素塊における前記データバスライン方向の寸法が最大となる前記ゲートバスライン方向の座標位置との交点から設定値以上離隔した画素を、正常画素と判定して過剰欠損画素塊から除外するＸ線撮影装置。
4. 請求項２に記載のＸ線撮影装置において、
   前記欠損登録手段は、前記過剰欠損画素塊における前記ゲートバスライン方向の寸法が最大となる前記データバスライン方向の座標位置から、前記データバスラインの下流側に設定値以上離隔した画素を、正常画素と判定して過剰欠損画素塊から除外するＸ線撮影装置。
5. Ｘ線に感応し入射Ｘ線量に対応した電荷信号を出力する変換膜と、前記変換膜の表面に画素に対応して行列状に配置された複数の画素電極と、前記各画素電極に各々接続された電荷信号を蓄積する複数の蓄積容量と、前記画素電極に接続されたスイッチング素子と、信号の読み出し時にゲートバスラインを介して各スイッチング素子を順次オンとするゲートドライバと、前記各蓄積容量に蓄積された電荷信号を前記ゲートバスラインと直交する方向に配設されたデータバスラインを介して読み出すデータ集積部と、を備えた二次元アレイＸ線検出器の欠損画素の検出方法において、
   前記変換膜にＸ線を照射していない状態で、前記スイッチング素子を順次オン状態としたときに前記データバスラインにより読み出される電荷信号を、各画素の暗電流値として測定する暗電流値測定工程と、
   前記暗電流値測定工程で測定した各画素の画素値に基づいて欠損画素を識別することにより、所定値以上の大きさを有する欠損画素塊を抽出する欠損画素塊抽出工程と、
   前記欠損画素塊抽出工程で抽出した各欠損画素塊における前記ゲートバスライン方向の寸法と前記データバスライン方向の寸法との比に基づいて、前記各欠損画素塊が正常画素を含む過剰欠損画素塊であるか否かを判定する欠損画素塊判定工程と、
   前記欠損画素塊判定工程で正常画素を含むと判定された過剰欠損画素塊から、当該過剰欠損画素塊における所定の位置にある画素を、正常画素として除外する正常画素除外工程と、
   前記正常画素除外工程において正常画素を除外した過剰欠損画素塊を他の欠損画素とともに欠損登録する欠損登録工程と、
   を備えたことを特徴とする二次元アレイＸ線検出器の欠損検出方法。
   

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