JP2012149059A - １，３，５−トリアジン化合物とその製造方法、及びそれらを構成成分とする有機電界発光素子 - Google Patents

Abstract

【課題】 有機電界発光素子の低電圧駆動及び高効率発光を可能にする１，３，５−トリアジン化合物と、それを電子輸送材とする有機電界発光素子を提供する。
【解決手段】
下記一般式（１）で表される１，３，５−トリアジン化合物。
【化１】

式中、Ａｒ^１及びＡｒ^２は、炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表し、Ａｒ^３は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい含窒素複素環基を表す。この１，３，５−トリアジン化合物を構成成分として含む有機電界発光素子は、低電圧で駆動することができ、高い効率発光を示す。
【選択図】なし

Description

本発明は、有機電界発光素子の構成成分として有用な含窒素複素環基を含むターアリーレニル基を有する１，３，５−トリアジン化合物とその製造方法に関する。

本発明の１，３，５−トリアジン化合物は、良好な電荷輸送特性を有することから有機電界発光素子の構成成分として有用である。

本発明は、さらに、上記１，３，５−トリアジン化合物を含む少なくとも１つの層を有する駆動性及び耐久性に優れた有機電界発光素子に関する。

有機電界発光素子は、発光材料を含有する発光層を、正孔輸送層と電子輸送層で挟み、さらにその外側に陽極と陰極を取付け、発光層に注入された正孔及び電子の再結合により生ずる励起子が失活する際の光の放出（蛍光又は燐光）を利用する素子であり、ディスプレイ等へ応用されている。

本発明の１，３，５−トリアジン化合物は、トリアジン環の２，４位に含窒素複素環基及び芳香族炭化水素基で置換されたフェニリル基を有することを特徴とすると共に、６位に芳香族炭化水素基を有することを特徴とする。

最近、１，３，５−トリアジン誘導体を有機電界発光素子に用いることが提案されている（例えば、特許文献１〜４参照）が、これらのトリアジン誘導体は、トリアジン環の２，４，６位に２，４−二置換フェニル基又は３，４−二置換フェニル基を有している点で、２，４位のみにターアリーレニル基を有する本発明の１，３，５−トリアジン化合物とは異なるものである。

また、１，３，５−トリアジン誘導体を有機電界発光素子に用いることが提案されている（例えば、特許文献５、６参照）が、これらのトリアジン誘導体ではトリアジン環の２，４，６位のフェニル基上の置換基の位置は限定されておらず、そして、２，４位に複素環芳香族基を含むターアリーレニル基を有することを特徴とする本発明の１，３，５−トリアジン化合物は具体的に示されていない。

また、有機電界発光素子に用いるトリアジン環に複素環芳香族基を含むターアリーレニル基を有するトリアジン誘導体の例（例えば、特許文献５参照）が提案されているが、提案されたトリアジン誘導体はトリアジン環の６位に芳香族基で置換された芳香族炭化水素基を有する構造を有し、６位に他の芳香族基に置換されていない芳香族炭化水素基を有する本発明の１，３，５−トリアジン化合物とは全く異なるものである。

また、１，３，５−トリアジン誘導体を有機電界発光素子に用いることが提案されている（例えば、特許文献７参照）が、これらの１，３，５−トリアジン誘導体はトリアジン環の２，４位にクアテルアリール基を有する構造を有するものであって、２，４位にターアリール基を有する本発明の１，３，５−トリアジン化合物とは全く異なるものである。

米国特許第６０５７０４８号明細書 米国特許第６２２９０１２号明細書 米国特許第６２２５４６７号明細書 特開２００４−６３４６５号公報 特開２００４−２２３３４号公報 特開２００７−１３７８２９号公報 特開２０１０−１５５８２６号公報

有機電界発光素子は様々な表示機器に利用されているが、電源供給に制限のある携帯機器への有機電界発光素子の利用に関しては、より消費電力を低減させることが求められている。

特に電子輸送材料については、優れた電荷注入及び輸送特性により素子を低電圧で駆動させると共に、隣接する発光層からの励起子の漏洩を防ぎ発光効率を高めることにより、消費出力の低減を可能とする材料は、従来の化合物の中には見出すことができず、新たな材料が望まれている。

本発明者らは、上記の目的を達成すべく鋭意検討を重ねた結果、トリアジン環の２，４位のみに特定のターアリーレニル基を有する１，３，５−トリアジン化合物を電子輸送層として用いることによって、汎用の有機電界発光素子に比べて低電圧での駆動、及び発光効率の向上を達成できることを見出し、本発明を完成するに至った。

かくして、本発明は、一面において、下記一般式（１）

（式中、Ａｒ^１は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ^２は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ^３は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい含窒素複素環基を表す。）で示される１，３，５−トリアジン化合物を提供する。

本発明は、他の一面において、下記一般式（２）

（式中、Ａｒ^１は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ^２は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ｘ^１は脱離基を表す。）で示される化合物と、下記一般式（３）

（式中、Ａｒ^３は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい含窒素複素環基を表す。Ｍは金属含有基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物とを、塩基の存在下または非存在下、パラジウム触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、下記一般式（１）

（式中、Ａｒ^１は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ^２は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ^３は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい含窒素複素環基を表す。）で示される１，３，５−トリアジン化合物の製造方法を提供する。

本発明は、さらに他の一面において、下記一般式（４）

（式中、Ａｒ^１は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ^２は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ｒ^４は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｂ（ＯＲ^４）_２の２つのＲ^４は同一又は異なっていてもよい。又、２つのＲ^４は一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成することもできる。）で示される化合物と、下記一般式（５）

（式中、Ａｒ^３は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい含窒素複素環基を表す。Ｘ^２は脱離基を表す。）で示される化合物とを、塩基及びパラジウム触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、下記一般式（１）

（式中、Ａｒ^１は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ^２は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ^３は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい含窒素複素環基を表す。）で示される１，３，５−トリアジン化合物の製造方法を提供する。

さらに、本発明は、さらに他の一面において、下記一般式（１）

（式中、Ａｒ^１は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ^２は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ^３は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい含窒素複素環基を表す。）で示される１，３，５−トリアジン化合物を構成成分として含む有機電界発光素子を提供する。

一般式（１）で表される本発明の１，３，５−トリアジン化合物（以下、「１，３，５−トリアジン化合物（１）」ということがある）から成る薄膜は、高い表面平滑性、アモルファス性、耐熱性、電子輸送能、正孔ブロック能、酸化還元耐性、耐水性、耐酸素性、電子注入特性等を有するため、有機電界発光素子の材料として有用であり、とりわけ電子輸送材、正孔ブロック材、発光ホスト材等として用いることができる。

１，３，５−トリアジン化合物（１）を含む薄膜は、低電圧で駆動可能であり、高い発光効率を示し、ひいては消費電力が低く、長寿命であるという特性を有する有機電解発光素子を与える。

本発明の有機電界発光素子の層構成の一例を示す断面図である。 本発明の有機電界発光素子の層構成の他の一例を示す断面図である。

１．ＩＴＯ透明電極付きガラス基板
２．正孔注入層
３．正孔輸送層
４．発光層
５．正孔阻止層
６．電子輸送層
７．陰極層

以下、本発明を詳細に説明する。

１，３，５−トリアジン化合物（１）を表す一般式（１）において、Ａｒ^１で表される芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、ペリレニル基又はトリフェニレニル基等の単環式炭化水素基及び縮合多環式炭化水素基を挙げることができ、これらの基は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい。炭素数１〜４のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基等を挙げることができ、これらのアルキル基は直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、さらにハロゲン原子等で一個以上置換されていてもよい。Ａｒ^１には、環集合芳香族炭化水素基、例えば、ビフェニリル基のような、アリール置換基を有するアリール基は含まれない。

合成容易であり有機電界発光素子用材料としての性能がよい点で、Ａｒ^１は炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよいフェニル基又は炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよいナフチル基が好ましい。ことさら無置換のフェニル基が特に好ましい。

以下、Ａｒ^１で表される芳香族炭化水素基の具体的な例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよいフェニル基としては、フェニル基のほか、ｐ−トリル基、ｍ−トリル基、ｏ−トリル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、３−トリフルオロメチルフェニル基、２−トリフルオロメチルフェニル基、２，４−ジメチルフェニル基、３，５−ジメチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、メシチル基、２−エチルフェニル基、３−エチルフェニル基、４−エチルフェニル基、２，４−ジエチルフェニル基、３，５−ジエチルフェニル基、２−プロピルフェニル基、３−プロピルフェニル基、４−プロピルフェニル基、２，４−ジプロピルフェニル基、３，５−ジプロピルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、３−イソプロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、２，４−ジイソプロピルフェニル基、３，５−ジイソプロピルフェニル基、２−ブチルフェニル基、３−ブチルフェニル基、４−ブチルフェニル基、２，４−ジブチルフェニル基、３，５−ジブチルフェニル基、２−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、３−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２−フルオロフェニル基、３−フルオロフェニル基、４−フルオロフェニル基、２，３−ジフルオロフェニル基、２，４−ジフルオロフェニル基、２，５−ジフルオロフェニル基、２，６−ジフルオロフェニル基、３，４−ジフルオロフェニル基、３，５−ジフルオロフェニル基、２，３，４−トリフルオロフェニル基、２，３，５−トリフルオロフェニル基、２，３，６−トリフルオロフェニル基、２，４，５−トリフルオロフェニル基、２，４，６−トリフルオロフェニル基、３，４，５−トリフルオロフェニル基、２，３，４，５−テトラフルオロフェニル基、２，３，４，６−テトラフルオロフェニル基、２，３，５，６−テトラフルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基等が挙げられる。

上記の置換されていてもよいフェニル基の中でも、有機電界発光素子用材料としての性能がよい点で、フェニル基、ｐ−トリル基、ｍ−トリル基、ｏ−トリル基、２，６−ジメチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基が好ましい。合成が容易な点でフェニル基がさらに好ましい。

炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよいナフチル基としては、１−ナフチル基、２−ナフチル基のほか、４−メチルナフタレン−１−イル基、４−トリフルオロメチルナフタレン−１−イル基、４−エチルナフタレン−１−イル基、４−プロピルナフタレン−１−イル基、４−ブチルナフタレン−１−イル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン−１−イル基、５−メチルナフタレン−１−イル基、５−トリフルオロメチルナフタレン−１−イル基、５−エチルナフタレン−１−イル基、５−プロピルナフタレン−１−イル基、５−ブチルナフタレン−１−イル基、５−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン−１−イル基、６−メチルナフタレン−２−イル基、６−トリフルオロメチルナフタレン−２−イル基、６−エチルナフタレン−２−イル基、６−プロピルナフタレン−２−イル基、６−ブチルナフタレン−２−イル基、６−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン−２−イル基、７−メチルナフタレン−２−イル基、７−トリフルオロメチルナフタレン−２−イル基、７−エチルナフタレン−２−イル基、７−プロピルナフタレン−２−イル基、７−ブチルナフタレン−２−イル基、７−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン−２−イル基等が挙げられる。

上記の置換されていてもよいナフチル基の中でも、有機電界発光素子用材料としての性能がよい点で、１−ナフチル基、４−メチルナフタレン−１−イル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン−１−イル基、５−メチルナフタレン−１−イル基、５−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン−１−イル基、２−ナフチル基、６−メチルナフタレン−２−イル基、６−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン−２−イル基、７−メチルナフタレン−２−イル基又は７−ｔｅｒｔ−ブチルナフタレン−２−イル基が好ましい。

炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよいアントリル基、炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよいフェナントリル基、炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよいペリレニル基及び炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよいトリフェニレニル基の例としては、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、９−フェナントリル基、１−ペリレニル基、２−ペリレニル基および１−トリフェニレニル基等を挙げることができる。

Ａｒ^２で表される芳香族炭化水素基としては、前述のＡｒ^１で表される芳香族炭化水素基と同様のものを挙げることができ、これらの基は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい。合成容易であり有機電界発光素子用材料としての性能がよい点で、Ａｒ^２は炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよいフェニル基又は炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよいナフチル基が好ましく、ことさら無置換のフェニル基がより好ましい。

なお、本発明の１，３，５−トリアジン化合物（１）は、トリアジンにターアリーレニル基が結合していることを特徴としており、Ａｒ^１及びＡｒ^２はビフェニリル基等のアリール基で置換されたアリール基を含まない。

Ａｒ^３で表される含窒素複素環基としては、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、キノリル基、イソキノリル基、アクリジル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キナゾリル基、キノキサリル基、ナフチリジル基、インドリジル基又はアザインドリジル基を挙げることができ、これらの基は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい。本発明の１，３，５−トリアジン化合物（１）はトリアジンにターアリーレニル基が結合していることを特徴としており、Ａｒ^３は、アリール基で置換された含窒素複素環基、例えば、フェニルピリジル基を含まない。また、Ａｒ^３は、ビピリジル基のような環集合含窒素複素環基を含まない。

Ａｒ^３は無置換又はメチル基もしくはフッ素で置換されたものが好ましい。合成容易であり、有機電界発光素子用材料としての性能がよい点で、ピリジル基、キノリル基、ピリミジル基、ピラジル基、イソキノリル基、アクリジル基、チアゾリル基又はベンゾチアゾリル基がさらに好ましく、これらは無置換又はメチル基もしくはフッ素で置換されていてもよい。

以下、Ａｒ^３の具体的な例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。

炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよいピリジル基としては、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基のほか、３−メチル−２−ピリジル基、４−メチル−２−ピリジル基、５−メチル−２−ピリジル基、６−メチル−２−ピリジル基、２−メチル−３−ピリジル基、４−メチル−３−ピリジル基、５−メチル−３−ピリジル基、６−メチル−３−ピリジル基、２−メチル−４−ピリジル基、３−メチル−４−ピリジル基、３，４−ジメチル−２−ピリジル基、３，５−ジメチル−２−ピリジル基、３，６−ジメチル−２−ピリジル基、２，４−ジメチル−３−ピリジル基、２，５−ジメチル−３−ピリジル基、２，６−ジメチル−３−ピリジル基、４，５−ジメチル−３−ピリジル基、４，６−ジメチル−３−ピリジル基、５，６−ジメチル−３−ピリジル基、２，３−ジメチル−４−ピリジル基、２，５−ジメチル−４−ピリジル基、２，６−ジメチル−４−ピリジル基、３，５−ジメチル−４−ピリジル基、３，６−ジメチル−４−ピリジル基、３−フルオロ−２−ピリジル基、４−フルオロ−２−ピリジル基、５−フルオロ−２−ピリジル基、６−フルオロ−２−ピリジル基、２−フルオロ−３−ピリジル基、４−フルオロ−３−ピリジル基、５−フルオロ−３−ピリジル基、６−フルオロ−３−ピリジル基、２−フルオロ−４−ピリジル基、３−フルオロ−４−ピリジル基、３，４−ジフルオロ−２−ピリジル基、３，５−ジフルオロ−２−ピリジル基、３，６−ジフルオロ−２−ピリジル基、２，４−ジフルオロ−３−ピリジル基、２，５−ジフルオロ−３−ピリジル基、２，６−ジフルオロ−３−ピリジル基、４，５−ジフルオロ−３−ピリジル基、４，６−ジフルオロ−３−ピリジル基、５，６−ジフルオロ−３−ピリジル基、２，３−ジフルオロ−４−ピリジル基、２，５−ジフルオロ−４−ピリジル基、２，６−ジフルオロ−４−ピリジル基、３，５−ジフルオロ−４−ピリジル基、３，６−ジフルオロ−４−ピリジル基、３，４，５−トリフルオロ−２−ピリジル基、３，４，６−トリフルオロ−２−ピリジル基、３，５，６−トリフルオロ−２−ピリジル基、４，５，６−トリフルオロ−２−ピリジル基、テトラフルオロ−２−ピリジル基、２，４，５−トリフルオロ−３−ピリジル基、２，４，６−トリフルオロ−３−ピリジル基、２，５，６−トリフルオロ−３−ピリジル基、４，５，６−トリフルオロ−３−ピリジル基、テトラフルオロ−３−ピリジル基、２，３，５−トリフルオロ−４−ピリジル基、２，３，６−トリフルオロ−４−ピリジル基、テトラフルオロ−４−ピリジル基等を挙げることができる。

炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよいピリミジル基としては、２−ピリミジル基、４−ピリミジル基、５−ピリミジル基、４−メチル−２−ピリミジル基、５−メチル−２−ピリミジル基、２−メチル−４−ピリミジル基、５−メチル−４−ピリミジル基、６−メチル−４−ピリミジル基、２−メチル−５−ピリミジル基、４−メチル−５−ピリミジル基等をあげることができる。

炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよいピラジル基としては、ピラジル基、２−メチルピラジル基、４−メチルピラジル基、５−メチルピラジル基、２−フルオロピラジル基、４−フルオロピラジル基、５−フルオロピラジル基等を挙げることができる。

炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよいキノリル基としては、２−キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、３−メチル−２−キノリル基、４−メチル−２−キノリル基、５−メチル−２−キノリル基、６−メチル−２−キノリル基、７−メチル−２−キノリル基、８−メチル−２−キノリル基、２−メチル−３−キノリル基、４−メチル−３−キノリル基、５−メチル−３−キノリル基、６−メチル−３−キノリル基、７−メチル−３−キノリル基、８−メチル−３−キノリル基、２−メチル−４−キノリル基、３−メチル−４−キノリル基、５−メチル−４−キノリル基、６−メチル−４−キノリル基、７−メチル−４−キノリル基、８−メチル−４−キノリル基、２−メチル−５−キノリル基、３−メチル−５−キノリル基、４−メチル−５−キノリル基、６−メチル−５−キノリル基、７−メチル−５−キノリル基、８−メチル−５−キノリル基、２−メチル−６−キノリル基、３−メチル−６−キノリル基、４−メチル−６−キノリル基、５−メチル−６−キノリル基、７−メチル−６−キノリル基、８−メチル−６−キノリル基、２−メチル−７−キノリル基、３−メチル−７−キノリル基、４−メチル−７−キノリル基、５−メチル−７−キノリル基、６−メチル−７−キノリル基、８−メチル−７−キノリル基、２−メチル−８−キノリル基、３−メチル−８−キノリル基、４−メチル−８−キノリル基、５−メチル−８−キノリル基、６−メチル−８−キノリル基、７−メチル−８−キノリル基、３−フルオロ−２−キノリル基、４−フルオロ−２−キノリル基、５−フルオロ−２−キノリル基、６−フルオロ−２−キノリル基、７−フルオロ−２−キノリル基、８−フルオロ−２−キノリル基、２−フルオロ−３−キノリル基、４−フルオロ−３−キノリル基、５−フルオロ−３−キノリル基、６−フルオロ−３−キノリル基、７−フルオロ−３−キノリル基、８−フルオロ−３−キノリル基、２−フルオロ−４−キノリル基、３−フルオロ−４−キノリル基、５−フルオロ−４−キノリル基、６−フルオロ−４−キノリル基、７−フルオロ−４−キノリル基、８−フルオロ−４−キノリル基などを挙げることができる。

炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよいイソキノリル基としては、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、３−メチル−１−イソキノリル基、４−メチル−１−イソキノリル基、５−メチル−１−イソキノリル基、６−メチル−１−イソキノリル基、７−メチル−１−イソキノリル基、８−メチル−１−イソキノリル基、１−メチル−３−イソキノリル基、４−メチル−３−イソキノリル基、５−メチル−３−イソキノリル基、６−メチル−３−イソキノリル基、７−メチル−３−イソキノリル基、８−メチル−３−イソキノリル基、１−メチル−４−イソキノリル基、３−メチル−４−イソキノリル基、５−メチル−４−イソキノリル基、６−メチル−４−イソキノリル基、７−メチル−４−イソキノリル基、８−メチル−４−イソキノリル基、３−フルオロ−１−イソキノリル基、４−フルオロ−１−イソキノリル基、５−フルオロ−１−イソキノリル基、６−フルオロ−１−イソキノリル基、７−フルオロ−１−イソキノリル基、８−フルオロ−１−イソキノリル基、１−フルオロ−３−イソキノリル基、４−フルオロ−３−イソキノリル基、５−フルオロ−３−イソキノリル基、６−フルオロ−３−イソキノリル基、７−フルオロ−３−イソキノリル基、８−フルオロ−３−イソキノリル基、１−フルオロ−４−イソキノリル基、３−フルオロ−４−イソキノリル基、５−フルオロ−４−イソキノリル基、６−フルオロ−４−イソキノリル基、７−フルオロ−４−イソキノリル基、８−フルオロ−４−イソキノリル基等を挙げることができる。

炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよいチアゾリル基としては、２−チアゾリル基、４−チアゾリル基、５−チアゾリル基等を挙げることができる。

炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよいベンゾチアゾリル基としては、２−ベンゾチアゾリル基、４−ベンゾチアゾリル基、５−ベンゾチアゾリル基、６−ベンゾチアゾリル基、７−ベンゾチアゾリル基等を挙げることができる。

また、炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよいアクリジル基、炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよいナフチリジル基、炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよいキナゾリル基、炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよいキノキサリル基、炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよいインドリジル基及び炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよいアザインドリジル基の具体例としては、９−アクリジル基、１，６−ナフチリジン−２−イル基、１，８−ナフチリジン−２−イル基、２−キナゾリル基、４−キナゾリル基、２−キノキサリル基、２−インドリジル基、イミダゾ［１，２−ａ］ピリジン−２−イル基等を挙げることができる。

１，３，５−トリアジン化合物（１）中の任意の水素原子は重水素原子に置換されてもよい。

次に、本発明の１，３，５−トリアジン化合物（１）の製造方法について説明する。

１，３，５−トリアジン化合物（１）は、次の反応式で示される工程１を含む方法により製造することができる。

一般式（１）、（２）及び（３）において、Ａｒ^１は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ^２は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ^３は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい含窒素複素環基を表す。Ａｒ^１、Ａｒ^２およびＡｒ^３の具体例は、前述のとおりである。

Ｘ^１は脱離基を表す。Ｘ^１で表される脱離基としては、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子が挙げられる。反応収率がよい点で、臭素原子又は塩素原子が好ましい。

Ｍは金属含有基又はヘテロ原子基を表す。その具体例は、後記の化合物（３）について説明する。

一般式（２）で示される化合物（以下、「化合物（２）」と称することがある）は、例えば、後記の参考例−１に示す方法を用いて製造することができる。化合物（２）中の任意の水素原子は重水素原子に置換されていてもよい。

一般式（３）で示される化合物（以下、「化合物（３）」と称することがある）は、例えば、Ｊ．Ｔｓｕｊｉ著、「Ｐａｌｌａｄｉｕｍ Ｒｅａｇｅｎｔｓ ａｎｄ Ｃａｔａｌｙｓｔｓ」，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ ＆ Ｓｏｎｓ，２００４年、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，６０巻，７５０８−７５１０，１９９５年、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，６５巻，１６４−１６８，２０００年、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｅｔｔｅｒｓ，１０巻，９４１−９４４，２００８年、又はＣｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，２０巻，５９５１−５９５３，２００８年に開示されている方法を用いて製造することができる。化合物（３）中の任意の水素原子は重水素原子に置換されていてもよい。

化合物（３）の好ましい例として、次の３−１〜３−２４（式中、Ｍは金属含有基又はヘテロ原子基を表す。）を挙げることができるが、本発明はこれに限定されるものではない。

Ｍで表される金属含有基としては、Ｌｉ、Ｎａ、ＭｇＣｌ、ＭｇＢｒ、ＭｇＩ、ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕＩ、ＡｌＣｌ_２、ＡｌＢｒ_２、Ａｌ（Ｍｅ）_２、Ａｌ（Ｅｔ）_２、Ａｌ（^ｉＢｕ）_２、Ｓｎ（Ｍｅ）_３、Ｓｎ（Ｂｕ）_３、ＳｎＦ_３、ＺｎＲ^３（式中、Ｒ^３は、ハロゲン原子を表す。）等が例示でき、ＺｎＲ^３としては、ＺｎＣｌ、ＺｎＢｒ、ＺｎＩ等が例示できる。収率が良い点で、金属含有基としては、ＺｎＣｌが好ましく、テトラメチルエチレンジアミンが配位しているＺｎＣｌ（ＴＭＥＤＡ）がより好ましい。また、これらの金属含有基には、エーテル類やアミン類などの配位子が配位していても良く、配位子の種類としては工程１を阻害しないものであれば制限はない。

Ｍで表されるヘテロ原子基としては、ＳｉＭｅ_３、ＳｉＰｈ_３、ＳｉＦ_３、Ｂ（ＯＲ^４）_２等が例示できる。式Ｂ（ＯＲ^４）_２において、Ｒ^４は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｂ（ＯＲ^４）_２の２つのＲ^４は同一又は異なっていてもよい。また、２つのＲ^４は一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成することもできる。Ｂ（ＯＲ^４）_２の具体例としては、Ｂ（ＯＨ）_２、Ｂ（ＯＭｅ）_２、Ｂ（Ｏ^ｉＰｒ）_２、Ｂ（ＯＢｕ）_２、Ｂ（ＯＰｈ）_２等が例示できる。２つのＲ^４が一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成した場合のＢ（ＯＲ^４）_２としては、次の（Ｉ）から（ＶＩ）で示される基が例示できる。これらの中でも、収率がよい点で（ＩＩ）で示される基が好ましい。

「工程１」は、化合物（２）を、塩基の存在下又は非存在下、パラジウム触媒の存在下に化合物（３）と反応させ、本発明の１，３，５−トリアジン化合物（１）を製造する方法であり、鈴木−宮浦反応、根岸反応、玉尾−熊田反応、スティレ反応等の、一般的なカップリング反応の反応条件を適用することにより、収率よく目的物を得ることができる。

「工程１」で用いることのできるパラジウム触媒としては、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、トリフルオロ酢酸パラジウム、硝酸パラジウム等の塩を例示することができる。さらに、π−アリルパラジウムクロリドダイマー、パラジウムアセチルアセトナト、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム及びジクロロ（１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン）パラジウム等の錯化合物を例示することができる。中でも、第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体は収率がよい点で好ましく、入手容易である点で、トリフェニルホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体がさらに好ましい。

「工程１」で用いるパラジウム触媒の量は、いわゆる触媒量であれば特に制限はないが、収率がよい点で、パラジウム触媒と化合物（２）とのモル比は、１：５０〜１：１０が好ましい。

なお、これらの第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体は、パラジウム塩又は錯化合物に第三級ホスフィンを添加し、反応系中で調製することもできる。パラジウム塩又は錯化合物に添加できる第三級ホスフィンとしては、トリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルホスフィン、９，９−ジメチル−４，５−ビス（ジフェニルホスフィノ）キサンテン、２−（ジフェニルホスフィノ）−２’−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ビフェニル、２−（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）ビフェニル、２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）ビフェニル、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、トリ（２−フリル）ホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリス（２，５−キシリル）ホスフィン、（±）−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル等を例示することができる。入手容易であり、収率がよい点で、トリフェニルホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン又は２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニルが好ましい。第三級ホスフィンとパラジウム塩又は錯化合物とのモル比は、１：１０〜１０：１が好ましく、収率がよい点で１：４〜５：１がさらに好ましい。

「工程１」において、ＭがＢ（ＯＲ^４）_２である化合物（３）を用いた鈴木−宮浦反応による場合には、収率がよい点で塩基の存在下に反応を実施することが好ましい。この際、用いることのできる塩基としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸セシウム、酢酸カリウム、酢酸ナトリウム、リン酸カリウム、リン酸ナトリウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム等を例示することができ、収率がよい点で炭酸セシウム又は水酸化ナトリウムが好ましい。塩基と化合物（３）とのモル比に特に制限はないが、１：２〜１０：１が好ましく、収率がよい点で１：１〜３：１がさらに好ましい。

「工程１」で用いる化合物（２）と化合物（３）とのモル比に特に制限はないが、１：１〜５：１が好ましく、収率がよい点で２：１〜３：１がさらに好ましい。

「工程１」の反応は、収率が良い点で溶媒中で実施することが好ましい。「工程１」で用いることのできる溶媒に特に制限はないが、水、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、トルエン、ベンゼン、ジエチルエーテル、１，４−ジオキサン、エタノール、ブタノール又はキシレン等を例示することができ、これらを適宜組み合わせて用いてもよい。収率がよい点でテトラヒドロフラン又はエタノール及びテトラヒドロフランの混合溶媒又は１，４−ジオキサン及びブタノールの混合溶媒を用いることが好ましい。

化合物（１）は、「工程１」の終了後に通常の処理を行うことで取得することができる。必要に応じて、再結晶、カラムクロマトグラフィー又は昇華等で精製してもよい。

別法として、本発明の１，３，５−トリアジン化合物（１）は、次の反応式で示される工程２を含む工程によっても製造することができる。

一般式（１）、（４）及び（５）において、Ａｒ^１は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ^２は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ^３は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい含窒素複素環基を表す。Ａｒ^１、Ａｒ^２およびＡｒ^３の具体例は、前述の通りである。

Ｒ^４は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｂ（ＯＲ^４）_２の２つのＲ^４は同一又は異なっていてもよい。又、２つのＲ^４は一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成することもできる。Ｂ（ＯＲ^４）_２の具体例としては、化合物（３）について挙げたものと同様なものが挙げられる。

Ｘ^２は脱離基を表す。Ｘ^２で表される脱離基としては、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を例示することができる。収率がよい点で、臭素原子が好ましい。

一般式（４）で示される化合物（以下、「化合物（４）」と称することがある）は、例えば、後記の参考例−２に示した方法に準じて製造することができる。また化合物（４）中の任意の水素原子は重水素原子に置換されていてもよい。

一般式（５）で示される化合物（以下、「化合物（５）」と称することがある）は、例えば、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４８巻，１０６４−１０６９，１９８３年に開示されている方法を用いて製造することができる。また化合物（５）中の任意の水素原子は重水素原子に置換されていてもよい。

化合物（５）の好ましい例として、次の５−１〜５−２４（式中、Ｘ^２は脱離基を表す。）を例示することができるが、本発明はこれに限定されるものではない。

「工程２」は化合物（４）を、パラジウム触媒及び塩基の存在下に化合物（５）と反応させて、１，３，５−トリアジン化合物（１）を得る方法である。一般的な鈴木−宮浦反応の反応条件を適用することにより、収率よく目的物を得ることができる。

「工程２」で用いることのできるパラジウム触媒としては、「工程１」で例示したパラジウム塩及び錯化合物を例示することができる。中でも、第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体は収率がよい点で好ましく、入手容易であり、収率がよい点で、トリフェニルホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体が特に好ましい。「工程２」で用いるパラジウム触媒の量は、いわゆる触媒量であれば特に制限はないが、収率がよい点で、パラジウム触媒と化合物（４）とのモル比は、１：１００〜１：１０が好ましい。

なお、第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体は、パラジウム塩又は錯化合物に第三級ホスフィンを添加し、反応系中で調製することもできる。パラジウム塩又は錯化合物に添加できる第三級ホスフィンとしては、「工程１」で例示した第三級ホスフィンを例示することができる。中でも入手容易であり、収率がよい点で、トリフェニルホスフィン、ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、ビス（ジフェニルホスフィノ）ビナフチル又は２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニルが好ましい。第三級ホスフィンとパラジウム塩又は錯化合物とのモル比は、１：１０〜１０：１が好ましく、収率がよい点で１：２〜５：１がさらに好ましい。

「工程２」は塩基の存在下に実施することが必須である。「工程２」で用いることのできる塩基としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸セシウム、酢酸カリウム、酢酸ナトリウム、リン酸カリウム、リン酸ナトリウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム等を例示することができ、収率がよい点で炭酸ナトリウム、リン酸カリウムが望ましい。塩基と化合物（４）とのモル比に特に制限はないが、１：２〜１０：１が好ましく、収率がよい点で３：１〜３：１がさらに好ましい。

「工程２」の反応は、収率が良い点で溶媒中で実施することが好ましい。「工程２」で用いることのできる溶媒に特に制限はないが、水、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、トルエン、ベンゼン、ジエチルエーテル、エタノール、メタノール、ブタノール、１，４−ジオキサン又はキシレン等が例示でき、これらを適宜組み合わせて用いてもよい。収率がよい点でトルエン及び水の混合溶媒又は１，４−ジオキサン及び水の混合溶媒を用いることが望ましい。

１，３，５−トリアジン化合物（１）は、「工程２」の終了後に通常の処理をすることで取得することが出来る。必要に応じて、再結晶、カラムクロマトグラフィー又は昇華等で精製してもよい。

１，３，５−トリアジン化合物（１）を製造する「工程２」の原料である化合物（４）は、例えば、次の反応式で示した工程３を含む方法により製造することができる。

一般式（２）、（４）、（６）及び（７）において、Ａｒ^１は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ^２は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ^３は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい含窒素複素環基を表す。Ｘ^１は脱離基を表す。Ｒ^４は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｂ（ＯＲ^４）_２の２つのＲ^４は同一又は異なっていてもよい。又、２つのＲ^４は一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成することもできる。
「工程３」は、化合物（２）を塩基及びパラジウム触媒の存在下に、一般式（６）で示されるボラン化合物、又は一般式（７）で示されるジボロン化合物と反応させることにより、「工程２」で用いる化合物（４）を製造する工程である。この工程では、例えば、Ｔｈｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，６０巻，７５０８−７５１０，１９９５年又はＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，６５巻，１６４−１６８，２０００年に開示されている反応条件を適用することにより、収率よく目的物を得ることができる。

「工程３」で用いることのできるパラジウム触媒としては、「工程１」で例示したパラジウム塩又は錯化合物と同様のものを例示することができる。中でも、第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体は収率がよい点で好ましく、入手容易であり、収率がよい点で、トリフェニルホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体が特に好ましい。「工程３」で用いるパラジウム触媒の量は、いわゆる触媒量であれば特に制限はないが、収率がよい点で、パラジウム触媒と化合物（２）とのモル比は、１：５０〜１：１０が好ましい。

なお、第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体は、パラジウム塩又は錯化合物に第三級ホスフィンを添加し、反応系中で調製することもできる。パラジウム塩又は錯化合物に添加できる第三級ホスフィンとしては、「工程１」で例示した第三級ホスフィンを例示することができる。中でも入手容易である点で、トリフェニルホスフィンが好ましい。第三級ホスフィンとパラジウム塩又は錯化合物とのモル比は、１：１０〜１０：１が好ましく、収率がよい点で１：２〜５：１がさらに好ましい。

「工程３」の反応は塩基の存在下に実施することが必須である。「工程３」で用いることのできる塩基としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸セシウム、酢酸カリウム、酢酸ナトリウム、リン酸カリウム、リン酸ナトリウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム等を例示することができ、収率がよい点で酢酸カリウムが望ましい。塩基と化合物（２）とのモル比に特に制限はないが、１：２〜１０：１が好ましく、収率がよい点で１：１〜３：１がさらに好ましい。

「工程３」で用いるボラン化合物（６）又はジボロン化合物（７）と化合物（２）とのモル比に特に制限はないが、１：１〜５：１が好ましく、収率がよい点で２：１〜３：１がさらに好ましい。

「工程３」の反応は溶媒中で実施してもよい。「工程３」で用いることのできる溶媒に特に制限はないが、水、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、トルエン、ベンゼン、ジエチルエーテル、１，４−ジオキサン、エタノール、メタノール又はキシレン等が例示でき、これらを適宜組み合わせて用いてもよい。収率がよい点でテトラヒドロフラン、トルエン又は１，４−ジオキサンを用いることが望ましい。

本工程で得られた化合物（４）は、反応後単離してもよいが、単離せずに「工程２」に供してもよい。

本発明の１，３，５−トリアジン化合物（１）は、有機電界発光素子の多層構造を形成する薄膜の少なくとも１つを製造するのに用いられる。薄膜の製造方法に特に限定はないが、好ましい例としては真空蒸着法による成膜を挙げることができる。真空蒸着法による成膜は、汎用の真空蒸着装置を用いることにより行うことができる。真空蒸着法で膜を形成する際の真空槽の真空度は、有機電界発光素子作製の製造タクトタイムが短く製造コストが優位である点で、一般的に用いられる拡散ポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ等により到達し得る１×１０^−２〜１×１０^−６Ｐａ程度が好ましい。蒸着速度は形成する膜の厚さによるが０．００５〜１０ｎｍ／秒が好ましい。

別法として、溶液塗布法によっても１，３，５−トリアジン化合物（１）から成る有機電界発光素子用薄膜を製造することが出来る。例えば、１，３，５−トリアジン化合物（１）を、クロロホルム、ジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、トルエン、酢酸エチル又はテトラヒドロフラン等の有機溶媒に溶解し、汎用の装置を用いたスピンコート法、インクジェット法、キャスト法又はディップ法等による成膜が可能である。

以下、実施例及び参考例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

参考例−１

アルゴン気流下、３−ブロモ−５−シアノビフェニル（２．０ｇ）、ベンゾイルクロリド（０．４５ｍＬ）をクロロホルム（１０ｍＬ）に溶解し、０度に冷却した。五塩化アンチモン（０．４９ｍＬ）を滴下し、この混合物を加熱還流下に昇温し、２０時間加熱した。室温まで冷却後、アンモニア水（４０ｍＬ）に混合物を加え、固形物をろ過した。固形物をクロロホルムで熱時ろ過後、得られた溶液を濃縮し目的の２，４−ビス（５−ブロモビフェニル−３−イル）−６−フェニル−１，３，５−トリアジンの白色固体（収量１．７ｇ，収率７０％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ７．４８−７．６６（ｍ，９Ｈ），７．７５（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，４Ｈ），８．０１（ｓ，２Ｈ），８．８０（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ），８．８７（ｓ，２Ｈ），８．９３（ｓ，２Ｈ）．
参考例−２

アルゴン気流下、２，４−ビス（５−ブロモビフェニル−３−イル）−６−フェニル−１，３，５−トリアジン（３．００ｇ）、ビスピナコラートジボロン（２．７０ｇ）、酢酸カリウム（２．０９ｇ）、ジクロロビストリフェニルホスフィンパラジウム（１３６ｍｇ）をテトラヒドロフラン（１００ｍＬ）に懸濁し、２１時間還流した。室温まで冷却後、減圧下で低沸点成分を除去し、得られた固体にクロロホルム（１００ｍＬ）を加え、有機層を水（１００ｍＬ）で洗浄した後に、硫酸マグネシウムを用いて乾燥した。硫酸マグネシウムをろ別し、クロロホルムを減圧留去し得られた粗生成物をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒 クロロホルム）で精製し、２−フェニル−４，６−ビス［５−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジンの黄色固体（収量２．７７ｇ，収率８０％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ１．４９（ｓ，２４Ｈ），７．３３（ｔｔ，Ｊ＝７．３，１．４Ｈｚ，２Ｈ），７．４４（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，４Ｈ），７．５１−７．５７（ｍ，３Ｈ），７．７４（ｂｒｄｄ，Ｊ＝７．３，１．４Ｈｚ，４Ｈ），８．２３（ｄｄ，Ｊ＝１．８，１．２Ｈｚ，２Ｈ），８．７７（ｂｒｄｄ，Ｊ＝７．３，１．４Ｈｚ，２Ｈ），９．０６（ｔ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，２Ｈ），９．１１（ｂｒｄｄ，Ｊ＝１．８，１．２Ｈｚ，２Ｈ）．
実施例−１

アルゴン気流下、１．５８Ｍ−ｔｅｒｔ−ブチルリチウムペンタン溶液（１１ｍＬ）をテトラヒドロフラン（１０ｍＬ）に溶解し、−７８℃に冷却した。ここに２−ブロモピリジン（０．８６ｍＬ）を滴下し、この混合物を０．５時間攪拌した後、ジクロロ（テトラメチルエチレンジアミン）亜鉛（５．００ｇ）を加え、室温まで昇温した後さらに１時間攪拌した。この混合物に２，４−ビス（５−ブロモビフェニル−３−イル）−６−フェニル−１，３，５−トリアジン（１．９０ｇ）及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（６９ｍｇ）をテトラヒドロフラン（２０ｍＬ）に懸濁したものを加え、加熱還流下で７２時間攪拌した。混合物を室温まで冷却後、メタノール（５０ｍＬ）を加え、粗生成物をろ取した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒／クロロホルム：ヘキサン＝４：１〜１：１）及び再結晶（トルエン）により精製し、目的の２−フェニル−４，６−ビス［５−（２−ピリジル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジンの白色固体（収量１．３０ｇ，収率６９％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ７．３２−７．３８（ｍ，２Ｈ），７．４２−７．４８（ｍ，３Ｈ），７．８４−７．９１（ｍ，６Ｈ），８．００（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ），８．５７（ｔ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，２Ｈ），８．８１（ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，２Ｈ），８．８５（ｄｄ，Ｊ＝１．８，８．０Ｈｚ，２Ｈ），９．１０（ｔ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，２Ｈ），９．３４（ｔ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，２Ｈ）．
実施例−２

アルゴン気流下、３−ピリジルボロン酸（１．１２ｇ）、２，４−ビス（５−ブロモビフェニル−３−イル）−６−フェニル−１，３，５−トリアジン（２．１７ｇ）、４Ｍ−水酸化ナトリウム水溶液（３．５ｍＬ）、酢酸パラジウム（１６ｍｇ）、１Ｍ−トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィントルエン溶液（０．２１ｍＬ）をテトラヒドロフラン（４０ｍＬ）及びエタノール（２０ｍＬ）の混合溶媒に懸濁し、１５時間還流した。反応混合物を放冷後、低沸点分を減圧留去し、析出した固体を水、メタノール、ヘキサンで洗浄した。その後、ｏ−キシレン中で再結晶を行い、目的の２−フェニル−４，６−ビス［５−（３−ピリジル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジンの白色粉末（収量６００ｍｇ，収率２８％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ７．４９（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，２Ｈ），７．５３−７．７１（ｍ，９Ｈ），８．１４（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，４Ｈ），８．０５（ｓ，２Ｈ），８．１６（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，２Ｈ），８．７３（ｄ，Ｊ＝４．９Ｈｚ，２Ｈ），８．８２（ｄ，Ｊ＝８．３，２Ｈ），８．９７（ｓ，２Ｈ），９．０６（ｓ，２Ｈ），９．０９（ｓ，２Ｈ）．
実施例−３

アルゴン気流下、４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ピリジン（２６７ｍｇ）、２，４−ビス（５−ブロモビフェニル−３−イル）−６−フェニル−１，３，５−トリアジン（３１０ｍｇ）、炭酸セシウム（８４７ｍｇ）及び二塩化ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１１ｍｇ）をテトラヒドロフラン（１０ｍＬ）、エタノール（２ｍＬ）及び水（２ｍＬ）の混合溶媒に懸濁し、１２０時間還流した。反応混合物を放冷後、低沸点分を減圧留去し、メタノールを加えた。析出した固体をろ別し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 ヘキサン：クロロホルム＝２：１〜１：５）で精製し、目的の２−フェニル−４，６−ビス［５−（４−ピリジル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジンの白色粉末（収量４９ｍｇ，収率１６％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ７．４７−７．５６（ｍ，１３Ｈ），７．６５（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，４Ｈ），７．８８（ｓ，２Ｈ），８．６０（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ），８．７０（ｍ，４Ｈ），８．７７（ｓ，２Ｈ），８．８５（ｓ，２Ｈ）．
実施例−４

アルゴン気流下、２−フェニル−４，６−ビス［５−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジン（１．３１ｇ）、２−ブロモピリミジン（７６０ｍｇ）及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１７０ｍｇ）を２Ｍ−炭酸ナトリウム水溶液（２０ｍＬ）及びトルエン（１００ｍＬ）の混合溶液に懸濁し、２５時間還流した。反応混合物を放冷後、低沸点成分を減圧留去し、水を加えた。析出した固体をろ別し、水、メタノール、ヘキサンで洗浄後、ｏ−キシレンから再結晶を行い、目的の２−フェニル−４，６−ビス［５−（２−ピリミジニル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジンの白色粉末（収量８９８ｍｇ，収率７９％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ７．３２（ｔ，Ｊ＝４．９Ｈｚ，２Ｈ），７．４８（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，２Ｈ），７．５９（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，４Ｈ），７．６４−７．６７（ｍ，３Ｈ），７．９３（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ），８．９３（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，２Ｈ），８．９６（ｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，４Ｈ），９．０１（ｓ，２Ｈ），９．２３（ｓ，２Ｈ），９．８８（ｓ，２Ｈ）．
実施例−５

アルゴン気流下、２，４−ビス［５−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ビフェニル−３−イル］−６−フェニル−１，３，５−トリアジン（１．６０ｇ）、クロロピラジン（６７０ｍｇ）、トリス（ジベンジリデナセトン）ジパラジウム（４１ｍｇ）及び２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニル（８５ｍｇ）を、２Ｍ−炭酸ナトリウム水溶液（５．８ｍＬ）及びトルエン（２９ｍＬ）の混合溶液に懸濁し、９０時間還流した。反応混合物を放冷後、低沸点成分を減圧留去し、水を加えた。析出した固体をろ別し、水、メタノール及びヘキサンで洗浄後、熱ｏ−キシレンに溶解し、不溶物をろ別した。ｏ−キシレンを減圧留去した後、冷却し生じた固体をろ別することで目的の２−フェニル−４，６−ビス［５−（２−ピラジニル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジンの白色粉末（収量９６０ｍｇ，収率７０％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ７．４９（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，２Ｈ），７．５９（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，４Ｈ），７．６３−７．７０（ｍ，３Ｈ），７．８７（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，４Ｈ），８．５８（ｓ，２Ｈ），８．６５（ｓ，２Ｈ），８．７８（ｓ，２Ｈ），８．８７（ｄ、Ｊ＝６．４Ｈｚ，２Ｈ），９．１６３（ｓ，２Ｈ），９．３２（ｓ、２Ｈ），９．４２（ｓ，２Ｈ）．
実施例−６

アルゴン気流下、６−ブロモ−３−ピコリン（１５７ｍｇ）、２，４−ビス［５−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ビフェニル−３−イル］−６−フェニル−１，３，５−トリアジン（２５０ｍｇ）及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（２３ｍｇ）を、２Ｍ−炭酸ナトリウム水溶液（２ｍＬ）及びトルエン（８ｍＬ）の混合溶液に懸濁し、９０時間還流した。反応混合物を放冷後、低沸点成分を減圧留去し、水を加えた。析出した固体をろ別し、水、メタノール及びヘキサンで洗浄し、目的の２，４−ビス［５−（３−メチルピリジン−６−イル）ビフェニル−３−イル］−６−フェニル−１，３，５−トリアジンの白色粉末（収量２００ｍｇ，収率８９％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ２．４７（ｓ，６Ｈ），７．４６（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ），７．５５（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，４Ｈ），７．６２−７．７０（ｍ，５Ｈ），７．８８（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，４Ｈ），７．９１（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ），８．５５（ｓ，２Ｈ），８．６５（ｓ，２Ｈ），８．８７（ｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ），９．０９（ｓ，２Ｈ），９．３２（ｓ，２Ｈ）．
実施例−７

アルゴン気流下、５−ブロモ−２−ピコリン（１５７ｍｇ）、２，４−ビス［５−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ビフェニル−３−イル］−６−フェニル−１，３，５−トリアジン（２５０ｍｇ）、リン酸カリウム（３８６ｍｇ）及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（３２ｍｇ）を、１，４−ジオキサン（８ｍＬ）及び水（２ｍＬ）の混合溶媒に懸濁し、４時間還流した。反応混合物を放冷後、水を加えた。析出した固体をろ別し、目的の２，４−ビス［５−（２−メチルピリジン−５−イル）ビフェニル−３−イル］−６−フェニル−１，３，５−トリアジンの白色粉末（収量２１５ｍｇ，収率９５％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ２．７５（ｓ，６Ｈ），７．４２（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ），７．４９（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，２Ｈ），７．５６−７．６８（ｍ，７Ｈ），７．８１（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，４Ｈ），８．０３（ｓ，２Ｈ），８．０８（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ），８．８２（ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，２Ｈ），８．９５（ｓ，２Ｈ），８．９７（ｓ，２Ｈ），９．０４（ｓ，２Ｈ）．
実施例−８

アルゴン気流下、１−クロロイソキノリン（５９６ｍｇ）、２，４−ビス［５−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ビフェニル−３−イル］−６−フェニル−１，３，５−トリアジン（１．０１ｇ）、３Ｍ−リン酸カリウム水溶液（１．４ｍＬ）及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（３２．４ｍｇ）を、１，４−ジオキサン（１０ｍＬ）に懸濁し、３時間還流した。反応混合物を放冷後、水を加えた。析出した固体をろ別し、目的の２，４−ビス［５−（イソキノリン−１−イル）ビフェニル−３−イル］−６−フェニル−１，３，５−トリアジンの白色粉末（収量９４８ｍｇ，収率９４％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ７．４５（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ），７．５１−７．６５（ｍ，９Ｈ），７．７３（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，２Ｈ），７．７６（ｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），７．８４（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，４Ｈ），７．９７（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，２Ｈ），８．２１（ｓ，２Ｈ），８．２６（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，２Ｈ），８．７１（ｄ，Ｊ＝５．７Ｈｚ，２Ｈ），８．８１（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，２Ｈ），９．１１（ｓ，２Ｈ），９．１７（ｓ，２Ｈ）．
実施例−９

アルゴン気流下、２−クロロキノリン（５９６ｍｇ）、２，４−ビス［５−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ビフェニル−３−イル］−６−フェニル−１，３，５−トリアジン（１．０１ｇ）、３Ｍ−リン酸カリウム水溶液（１．４ｍＬ）及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（３２．４ｍｇ）を、１，４−ジオキサン（１０ｍＬ）に懸濁し、５時間還流した。反応混合物を放冷後、水を加えた。析出した固体をろ別し、これを乾燥させた。得られた固体をｏ−キシレン（３．５ｍＬ）で再結晶し、目的の２−フェニル−４，６−ビス［５−（キノリン−２−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジンの白色粉末（収量９１３ｍｇ，収率９０％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ７．４８（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ），７．５５−７．６４（ｍ，９Ｈ），７．７８（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ），７．８８（ｍ，６Ｈ），８．０８（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），８．２６（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，４Ｈ），８．６８（ｓ，２Ｈ），８．８３（ｄ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），９．１１（ｓ，２Ｈ），９．５４（ｓ，２Ｈ）．
実施例−１０

アルゴン気流下、３−ブロモキノリン（７５７ｍｇ）、２，４−ビス［５−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ビフェニル−３−イル］−６−フェニル−１，３，５−トリアジン（１．０ｇ）、３Ｍ−炭酸セシウム水溶液（１．９ｍＬ）及びビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムジクロライド（１９．７ｍｇ）を、１，４−ジオキサン（１０ｍＬ）に懸濁し、３時間還流した。反応混合物を放冷後、水を加えた。析出した固体をろ別し、目的の２−フェニル−４，６−ビス［５−（キノリン−３−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジンの白色粉末（収量９４９ｍｇ，収率９５％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ７．４９（ｔ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，２Ｈ），７．５６−７．６６（ｍ，９Ｈ），７．８０（ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，２Ｈ），７．８４（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，４Ｈ），７．９７（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ），８．１７（ｓ，２Ｈ），８．２２（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），８．５２（ｓ，２Ｈ），８．８３（ｓ，２Ｈ），９．０８（ｓ，２Ｈ），９．１２（ｓ，２Ｈ），９．４１（ｓ，２Ｈ）．
実施例−１１

アルゴン気流下、８−ブロモ−２−メチルキノリン（８０８ｍｇ）、２，４−ビス［５−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ビフェニル−３−イル］−６−フェニル−１，３，５−トリアジン（１．０ｇ）、３Ｍ−リン酸カリウム水溶液（１．４ｍＬ）及び酢酸パラジウム（６．３ｍｇ）、ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（１５．５ｍｇ）を、ＤＭＦ（１０ｍＬ）に懸濁し、３時間還流した。反応混合物を放冷後、水を加えた。析出した固体をろ別し、目的の２，４−ビス［５−（２−メチルキノリン−８−イル）ビフェニル−３−イル］−６−フェニル−１，３，５−トリアジンの白色粉末（収量９４９ｍｇ，収率９１％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ２．６５（ｓ，６Ｈ），７．２８（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），７．４８（ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ），７．５５−７．６７（ｍ，９Ｈ），７．８４（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ），７．９８（ｄ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，４Ｈ），７．９４（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，２Ｈ），８．１２（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ）、８．３３（ｓ，２Ｈ），８．９１（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ），９．１２（ｓ，２Ｈ），９．３４（ｓ，２Ｈ）．
実験例−１２

アルゴン気流下、９−クロロアクリジン（３８９ｍｇ）、２，４−ビス［５−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ビフェニル−３−イル］−６−フェニル−１，３，５−トリアジン（０．５０ｇ）、３Ｍ−リン酸カリウム水溶液（０．７ｍＬ）及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１６．２ｍｇ）を、１，４−ジオキサン（５ｍＬ）に懸濁し、２時間還流した。反応混合物を放冷後、水を加えた。析出した固体をろ別し、目的の２，４−ビス［５−（９−アクリジニル）ビフェニル−３−イル］−６−フェニル−１，３，５−トリアジンの白黄色粉末（収量４９８ｍｇ，収率８７％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ７．４４−７．５３（ｍ，１３Ｈ），７．７９−７．８８（ｍ，１２Ｈ），７．９５（ｓ，２Ｈ），８．３４（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，４Ｈ），８．７４（ｄ，Ｊ＝４．２Ｈｚ，２Ｈ），８．８２（ｓ，２Ｈ），９．２２（ｓ，２Ｈ）．
実施例−１３

アルゴン気流下、２−クロロ−３−フルオロピリジン（４７９ｍｇ）、２，４−ビス［５−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ビフェニル−３−イル］−６−フェニル−１，３，５−トリアジン（１．４ｇ）、３Ｍ−リン酸カリウム水溶液（１．４ｍＬ）及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（３２．４ｍｇ）を、１，４−ジオキサン（１０ｍＬ）に懸濁し、１６時間還流した。反応混合物を放冷後、水を加えた。析出した固体をろ別し、目的の２，４−ビス［５−（３−フルオロピリジン−２−イル）ビフェニル−３−イル］−６−フェニル−１，３，５−トリアジンの黄白色粉末（収量８７２ｍｇ，収率６８％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ７．３５−７．４０（ｍ，２Ｈ），７．４６（ｔ，Ｊ＝７．４Ｈｚ，２Ｈ），７．５４−７．６７（ｍ，９Ｈ），７．８７（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，４Ｈ），８．５１（ｓ，２Ｈ），８．６４（ｄ，Ｊ＝４．６Ｈｚ，２Ｈ），８．８６（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，２Ｈ），９．１４（ｓ，２Ｈ），９．４２（ｓ，２Ｈ）．
実施例−１４

アルゴン気流下、２−クロロベンゾチアゾール（６１８ｍｇ）、２，４−ビス［５−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ビフェニル−３−イル］−６−フェニル−１，３，５−トリアジン（１．０ｇ）、３Ｍ−炭酸カリウム水溶液（１．４ｍＬ）及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（３２．４ｍｇ）を、１，４−ジオキサン（１０ｍＬ）に懸濁し、２１時間還流した。反応混合物を放冷後、水を加えた。析出した固体をろ別し、２０ｍＬのｏ−キシレンで再結晶をした。得られた固体をろ別し、目的の２，４−ビス［５−（２−ベンゾチアゾリル）ビフェニル−３−イル］−６−フェニル−１，３，５−トリアジンの白色粉末（収量３００ｍｇ，収率２９％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ７．４４−７．４９（ｍ，５Ｈ），７．５４−７．６１（ｍ，８Ｈ），７．８６（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，４Ｈ），７．９６（ｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ），８．１６（ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ，２Ｈ），８．６０（ｓ，２Ｈ），８．８１（ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，２Ｈ），９．１２（ｓ，２Ｈ），９．４１（ｓ，２Ｈ）．
実施例−１５

アルゴン気流下、２−ブロモチアゾール（５９７ｍｇ）、２，４−ビス［５−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ビフェニル−３−イル］−６−フェニル−１，３，５−トリアジン（１．０ｇ）、３Ｍ−リン酸カリウム水溶液（１．４ｍＬ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（１６．１ｍｇ）及びビス（ジフェニルホスフィノ）ビナフチル（３４．９ｍｇ）を、ジメチルスルホキシド（１０ｍＬ）に懸濁し、２１時間還流した。反応混合物を放冷後、水を加えた。析出した固体をろ別し、２０ｍＬのｏ−キシレンで再結晶をした。得られた固体をろ別し、目的の２，４−ビス［５−（２−チアゾリル）ビフェニル−３−イル］−６−フェニル−１，３，５−トリアジンの薄紫色粉末（収量２００ｍｇ，収率２３％）を得た。

^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）：δ７．３２−７．３６（ｍ，３Ｈ），７．４２−７．４６（ｍ，６Ｈ），７．５４−７．５６（ｍ，４Ｈ），７．７４（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ），８．２３（ｓ，２Ｈ），８．７６−８．７９（ｍ，２Ｈ），９．０６（ｓ，２Ｈ），９．１１（ｓ，２Ｈ）．
試験例−１
有機電界発光素子の作製と性能評価
基板として、２ｍｍ幅の酸化インジウム−スズ（ＩＴＯ）膜がストライプ状にパターンされたＩＴＯ透明電極付きガラス基板を用いた。この基板をイソプロピルアルコールで洗浄し、さらに、オゾン紫外線洗浄にて表面処理を行った。洗浄後の基板に、真空蒸着法で各層の真空蒸着を行い、図１に示すような多層構造を有する発光面積４ｍｍ^２の有機電界発光素子を作製した。

まず、真空蒸着槽内に前記ガラス基板を導入し、１．０×１０^−４Ｐａまで減圧した。その後、図１に示すように、前記ガラス基板１上に有機化合物層として、正孔注入層２、正孔輸送層３、発光層４、正孔阻止層５、及び電子輸送層６を順次成膜し、その後陰極層７を成膜した。

正孔注入層２としては、昇華精製したフタロシアニン銅（ＩＩ）を１０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。正孔輸送層３としては、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフチレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＤ）を３０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。発光層４としては、４−４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ＣＢＰ）とトリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）を９４：６（質量％）の割合で３０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。

正孔阻止層５としては、ビス（２−メチル−８−キノリノレート）−（１，１’−ビフェニル−４−オレート）アルミニウム（ＢＡｌｑ）を５ｎｍの膜厚で真空蒸着した。電子輸送層６としては、実施例２で合成した２−フェニル−４，６−ビス［５−（３−ピリジル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジンを４５ｎｍの膜厚で真空蒸着した。

なお、各有機材料は抵抗加熱方式により成膜し、加熱した化合物を０．３〜０．５ｎｍ／秒の成膜速度で真空蒸着した。最後に、ＩＴＯストライプと直行するようにメタルマスクを配し、陰極層６を成膜した。陰極層６は、フッ化リチウムとアルミニウムをそれぞれ１．０ｎｍと１００ｎｍの膜厚で真空蒸着し、２層構造とした。

それぞれの膜厚は、触針式膜厚測定計（ＤＥＫＴＡＫ）で測定した。さらに、この素子を酸素及び水分濃度１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気グローブボックス内で封止した。封止は、ガラス製の封止キャップと前記成膜基板エポキシ型紫外線硬化樹脂（ナガセケムテックス社製）を用いた。

作製した有機電界発光素子に直流電流を印加し、ＴＯＰＣＯＮ社製のＬＵＭＩＮＡＮＣＥ ＭＥＴＥＲ（ＢＭ−９）の輝度計を用いて発光特性を評価した。発光特性として、電流密度２０ｍＡ／ｃｍ^２を流した時の電圧（Ｖ）、輝度（ｃｄ／ｍ^２）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、電力効率（ｌｍ／Ｗ）を測定し、連続点灯時の輝度半減時間を測定した。作製した素子の測定値は、電圧６．９Ｖ、輝度５４９０ｃｄ／ｍ^２、電流効率２７．５ｃｄ／Ａ、電力効率１２．６ｌｍ／Ｗであった。

試験例−２
試験例−１の電子輸送層６に代えて、実施例５で合成した２−フェニル−４，６−ビス［５−（２−ピラジニル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジンを４５ｎｍの膜厚で真空蒸着した有機電界発光素子を作成した。作成した素子の測定値は電圧７．６Ｖ、輝度５０８０ｃｄ／ｍ^２、電流効率２５．４ｃｄ／Ａ、電力効率１０．６ｌｍ／Ｗであった。

比較例−１
試験例−１の電子輸送層６に代えて、汎用電子輸送材料であるＡｌｑ３を４５ｎｍの膜厚で真空蒸着した有機電界発光素子を試験例−１と同様に作製した。作製した素子の測定値は、電圧９．０Ｖ、輝度５２００ｃｄ／ｍ^２、電流効率２６．０ｃｄ／Ａ、電力効率９．１ｌｍ／Ｗであった。

試験例−３
基板には、２ｍｍ幅の酸化インジウム−スズ（ＩＴＯ）膜がストライプ状にパターンされたＩＴＯ透明電極付きガラス基板を用いた。この基板をイソプロピルアルコールで洗浄した後、オゾン紫外線洗浄にて表面処理を行った。洗浄後の基板に、真空蒸着法で各層の真空蒸着を行い、図２に示すような多層構造を有する発光面積４ｍｍ^２の有機電界発光素子を作製した。

まず、真空蒸着槽内に前記ガラス基板を導入し、１．０×１０^−４Ｐａまで減圧した。その後、図２に示すように前記ガラス基板１上に有機化合物層として、正孔注入層２、正孔輸送層３、発光層４、電子輸送層５を順次成膜し、その後陰極層６を成膜した。

正孔注入層２としては、昇華精製したフタロシアニン銅（ＩＩ）を１０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。正孔輸送層３としては、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフチレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＤ）を３０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。発光層４としては、２―ｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＴＢＡＤＮ）と４，４’−ビス［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）フェニルエテン−１−イル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を９５：５（質量％）の割合で４０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。

電子輸送層５としては、実施例−１で合成した２−フェニル−４，６−ビス［５−（２−ピリジル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジンを２０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。なお、各有機材料は抵抗加熱方式により成膜し、加熱した化合物を０．３〜０．５ｎｍ／秒の成膜速度で真空蒸着した。

最後に、ＩＴＯストライプと直行するようにメタルマスクを配し、陰極層６を成膜した。陰極層６は、フッ化リチウムとアルミニウムをそれぞれ１．０ｎｍと１００ｎｍの膜厚で真空蒸着し、２層構造とした。それぞれの膜厚は、触針式膜厚測定計（ＤＥＫＴＡＫ）で測定した。

さらに、この素子を酸素及び水分濃度１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気グローブボックス内で封止した。封止は、ガラス製の封止キャップと前記成膜基板エポキシ型紫外線硬化樹脂（ナガセケムテックス社製）を用いた。

作製した有機電界発光素子に直流電流を印加し、ＴＯＰＣＯＮ社製のＬＵＭＩＮＡＮＣＥ ＭＥＴＥＲ（ＢＭ−９）の輝度計を用いて発光特性を評価した。発光特性として、電流密度２０ｍＡ／ｃｍ^２を流した時の電圧（Ｖ）、輝度（ｃｄ／ｍ^２）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、電力効率（ｌｍ／Ｗ）を測定し、連続点灯時の輝度半減時間を測定した。作製した素子の測定値は、電圧６．１Ｖ、輝度１８０４ｃｄ／ｍ^２、電流効率９．０２ｃｄ／Ａ、電力効率４．６２ｌｍ／Ｗであった。

試験例−４
試験例−３の電子輸送層５に代えて、実施例４で合成した２−フェニル−４，６−ビス［５−（２−ピリミジニル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジンを２０ｎｍの膜厚で真空蒸着した有機電界発光素子を作成した。作成した素子の測定値は電圧６．５Ｖ、輝度１８７５ｃｄ／ｍ^２、電流効率９．３８ｃｄ／Ａ、電力効率４．７８ｌｍ／Ｗであった。

試験例−５
試験例−３の電子輸送層５に代えて、実施例８で合成した２，４−ビス［５−（イソキノリン−１−イル）ビフェニル−３−イル］−６−フェニル−１，３，５−トリアジンを２０ｎｍの膜厚で真空蒸着した有機電界発光素子を作成した。作成した素子の測定値は６．４Ｖ、輝度１８９１ｃｄ／ｍ２、電流効率９．４６８ｃｄ／Ａ、電力効率４．６１ｌｍ／Ｗであった。

試験例−６
試験例−３の電子輸送層５に代えて、実施例９で合成した２−フェニル−４，６−ビス［５−（キノリン−２−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジンを２０ｎｍの膜厚で真空蒸着した有機電界発光素子を作成した。作成した素子の測定値は電圧６．５Ｖ、輝度１９９１ｃｄ／ｍ^２、電流効率９．９６ｃｄ／Ａ、電力効率４．８３ｌｍ／Ｗであった。

試験例−７
試験例−３の電子輸送層５に代えて、実施例１０で合成した２−フェニル−４，６−ビス［５−（キノリン−３−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジンを２０ｎｍの膜厚で真空蒸着した有機電界発光素子を作成した。作成した素子の測定値は電圧６．４Ｖ、輝度１７６３ｃｄ／ｍ^２、電流効率８．８２ｃｄ／Ａ、電力効率４．３５ｌｍ／Ｗであった。

比較例−２
試験例−３の電子輸送層５に代えて、汎用電子輸送材料であるＡｌｑ３を２０ｎｍの膜厚で真空蒸着した有機電界発光素子を試験例−１と同様に作製した。作製した素子の測定値は、電圧６．６Ｖ、輝度１７６８ｃｄ／ｍ^２、電流効率８．８４ｃｄ／Ａ、電力効率４．２９ｌｍ／Ｗであった。

本発明の１，３，５−トリアジン化合物（１）から成る薄膜は、高い表面平滑性、アモルファス性、耐熱性、電子輸送能、正孔ブロック能、酸化還元耐性、耐水性、耐酸素性、電子注入特性等を有し、有機電界発光素子の多層構造の少なくとも１つの層を構成するのに用いることができる。とりわけ、１，３，５−トリアジン化合物（１）は、有機電界発光素子の電子輸送材、正孔ブロック材、発光ホスト材等として用いることができる。さらに、蛍光発光材料を用いた様々な有機電界発光素子への適用も可能である。１，３，５−トリアジン化合物（１）から成る薄膜を有する有機電界発光素子は、低電圧で駆動可能であり、消費電力が低く、かつ長寿命であるという特長を有する。

さらに、１，３，５−トリアジン化合物（１）は、フラットパネルディスプレイなどの用途以外にも、低消費電力が求められる照明用途などにも有用である。

Claims (15)

1. 下記一般式（１）
   

   

   （式中、Ａｒ^１は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ^２は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ^３は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい含窒素複素環基を表す。）で示される１，３，５−トリアジン化合物。
2. Ａｒ^１が、炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよいフェニル基又は炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよいナフチル基である請求項１に記載の１，３，５−トリアジン化合物。
3. Ａｒ^１が、フェニル基である請求項１又は２に記載の１，３，５−トリアジン化合物。
4. Ａｒ^２が、炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよいフェニル基又は炭素数１〜４のアルキル基で置換されていてもよいナフチル基である請求項１〜３のいずれかに記載の１，３，５−トリアジン化合物。
5. Ａｒ^２が、フェニル基である請求項１〜４のいずれかに記載の１，３，５−トリアジン化合物。
6. Ａｒ^３が、メチル基又はフッ素で置換されていてもよい含窒素複素環基である請求項１〜５のいずれかに記載の１，３，５−トリアジン化合物。
7. Ａｒ^３が、無置換又はメチル基もしくはフッ素で置換された、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピリミジル基、ピラジル基、アクリジル基、チアゾリル基又はベンゾチアゾリル基である請求項１〜６のいずれかに記載の１，３，５−トリアジン化合物。
8. 下記一般式（２）
   

   

   （式中、Ａｒ^１は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ^２は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ｘ^１は脱離基を表す。）で示される化合物と、下記一般式（３）
   

   

   （式中、Ａｒ^３は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい含窒素複素環基を表す。Ｍは金属含有基又はヘテロ原子基を表す。）で示される化合物とを、塩基の存在下または非存在下、パラジウム触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、下記一般式（１）
   

   

   （式中、Ａｒ^１は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ^２は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ^３は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい含窒素複素環基を表す。）で示される１，３，５−トリアジン化合物の製造方法。
9. Ｍが、ＺｎＲ^３（式中、Ｒ^３はハロゲン原子を表す。）又はＢ（ＯＲ^４）_２（式中、Ｒ^４は水素原子、炭素数１から４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｂ（ＯＲ^４）_２の２つのＲ^４は同一又は異なっていてもよい。又、２つのＲ^４は一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成することもできる。）で示される基である請求項８に記載の製造方法。
10. パラジウム触媒が、第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体である請求項８又は９に記載の１，３，５−トリアジン化合物の製造方法。
11. 第三級ホスフィンが、トリフェニルホスフィン又はトリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィンである請求項１０に記載の１，３，５−トリアジン化合物の製造方法。
12. 下記一般式（４）
    

    

    （式中、Ａｒ^１は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ^２は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ｒ^４は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基を表し、Ｂ（ＯＲ^４）_２の２つのＲ^４は同一又は異なっていてもよい。又、２つのＲ^４は一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成することもできる。）で示される化合物と、下記一般式（５）
    

    

    （式中、Ａｒ^３は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい含窒素複素環基を表す。Ｘ^２は脱離基を表す。）で示される化合物とを、塩基及びパラジウム触媒の存在下にカップリング反応させることを特徴とする、下記一般式（１）
    

    

    （式中、Ａｒ^１は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ^２は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ^３は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい含窒素複素環基を表す。）で示される１，３，５−トリアジン化合物の製造方法。
13. パラジウム触媒が、第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体であることを特徴とする請求項１２に記載の１，３，５−トリアジン化合物の製造方法。
14. 第三級ホスフィンが、トリフェニルホスフィン、ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、ビス（ジフェニルホスフィノ）ビナフチル又は２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニルであることを特徴とする請求項１３に記載の１，３，５−トリアジン化合物の製造方法。
15. 下記一般式（１）
    

    

    （式中、Ａｒ^１は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ^２は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい芳香族炭化水素基を表す。Ａｒ^３は炭素数１〜４のアルキル基又はフッ素で置換されていてもよい含窒素複素環基を表す。）で示される１，３，５−トリアジン化合物を構成成分として含む有機電界発光素子。

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