JP2012158512A - 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット - Google Patents

Abstract

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、
前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄相を主相とし、ビックスバイト型結晶構造であるＺｎ_XＳｎ_XＩｎ_YＯ_m相（Ｘ、Ｙ、ｍは任意の整数）を有すると共に、前記酸化物焼結体に含まれる金属元素の含有量（原子％）をそれぞれ、［Ｚｎ］、［Ｓｎ］、［Ｉｎ］としたとき、［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］＋［Ｉｎ］に対する［Ｉｎ］の比、［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］に対する［Ｚｎ］の比、［Ｓｎ］の比は、それぞれ下式を満足するものである。
［Ｉｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］＋［Ｉｎ］）＝０．０１〜０．２５未満
［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）＝０．５０〜０．８０
［Ｓｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）＝０．２０〜０．５０
【選択図】なし

Description

本発明は、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどの表示装置に用いられる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の酸化物半導体薄膜をスパッタリング法で成膜するときに用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットに関するものである。

ＴＦＴに用いられるアモルファス（非晶質）酸化物半導体は、汎用のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）に比べて高いキャリア移動度を有し、光学バンドギャップが大きく、低温で成膜できる。そのため、大型・高解像度・高速駆動が要求される次世代ディスプレイや、耐熱性の低い樹脂基板などへの適用が期待されている。上記酸化物半導体（膜）の形成に当たっては、当該膜と同じ材料のスパッタリングターゲットをスパッタリングするスパッタリング法が好適に用いられている。スパッタリング法で形成された薄膜は、イオンプレーティング法や真空蒸着法、電子ビーム蒸着法で形成された薄膜に比べ、膜面方向（膜面内）における成分組成や膜厚などの面内均一性に優れており、スパッタリングターゲットと同じ成分組成の薄膜を形成できるという長所を有しているからである。スパッタリングターゲットは、通常、酸化物粉末を混合、焼結し、機械加工を経て形成されている。

表示装置に用いられる酸化物半導体の組成として、例えばＩｎ含有の非晶質酸化物半導体［Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ（ＩＴＯ）など］が挙げられるが、希少金属であるＩｎを使用しており、大量生産プロセスでは材料コストの上昇が懸念される。そこで、高価なＩｎを含まず材料コストを低減でき、大量生産に適した酸化物半導体として、ＺｎにＳｎを添加してアモルファス化したＺＴＯ系の酸化物半導体が提案されている。特許文献１〜４には、当該ＺＴＯ系酸化物半導体膜の製造に有用なスパッタリングターゲットが開示されている。

このうち特許文献１には、長時間の焼成を行なって酸化スズ相を含有しないように組織を制御することにより、スパッタリング中の異常放電や割れの発生を抑制する方法が提案されている。また特許文献２には、９００〜１３００℃の低温の仮焼粉末製造工程と本焼成工程の２段階工程を行なってＺＴＯ系焼結体を高密度化することにより、スパッタリング中の異常放電を抑制する方法が提案されている。特許文献３は、スピネル型のＡＢ₂Ｏ₄化合物を含有させることによって導電性を向上させ、かつ高密度化する方法が提案されている。また、特許文献４には、９００〜１１００℃の低温の仮焼粉末製造工程と本焼成工程の２段階の工程を行なって緻密なＺＴＯ系焼結体を得る方法が提案されている（特許文献４）。

また特許文献５には、ＩＴＯ中のＩｎ量を低減しても比抵抗が低く相対密度が高い透明導電膜形成用スパッタリングターゲットとして、低Ｉｎ含有ＺＴＯ系のスパッタリングターゲットが提案されている。一般にＩＴＯ中のＩｎを低減すると、スパッタリングターゲットの相対密度が低くなり、バルクの比抵抗が上昇する。しかしながら上記特許文献５では、Ｉｎ₂Ｏ₃で表わされるビックスバイト構造化合物とＺｎ₂ＳｎＯ₄で表わされるスピネル構造化合物を共存させている。これにより特許文献５では、高密度で比抵抗が小さく、スパッタリング時の異常放電も抑制可能なスパッタリングターゲットを実現している。

特開２００７−２７７０７５号公報 特開２００８−６３２１４号公報 特開２０１０−１８４５７号公報 特開２０１０−３７１６１号公報 特開２００７−６３６４９号公報

表示装置用酸化物半導体膜の製造に用いられるスパッタリングターゲットおよびその素材である酸化物焼結体は、導電性に優れ、且つ高い相対密度を有することが望まれている。また上記スパッタリングターゲットを用いて得られる酸化物半導体膜は、高いキャリア移動度を有することが望まれている。更に生産性や製造コストなどを考慮すると、高周波（ＲＦ）スパッタリング法でなく、高速成膜が容易な直流スパッタリング法で製造可能なスパッタリングターゲットの提供が望まれている。

しかしながら、前述した特許文献１は高密度化という観点から検討されたものではない。したがって特許文献１では直流放電を安定・継続して実施するには不十分であった。また特許文献２は、酸化物焼結体の導電性を向上するという観点から検討されたものではない。したがって特許文献２でも直流放電を安定・継続して実施するには不十分であった。

一方、前述した特許文献３は、高密度化および高導電性の観点から検討されたものである。しかしながら絶縁性の高いＧａ₂Ｏ₃相をスパッタリングターゲット中に含有しており、薄膜の半導体特性が損なわれる。そのため、スパッタリングターゲット面内での均質性、および膜質安定性を確保するには不十分であった。また、特許文献４は、生産性に劣るＲＦスパッタリング法を前提としたものであり、大型ガラス基板上などの大量生産への適用は困難である。

また、用途との関係でいえば、前述した特許文献１〜４、更には上記特許文献５に記載のスパッタリングターゲットはいずれも、透明導電膜の成膜に用いられるものである。故にＴＦＴの酸化物半導体薄膜の成膜への適用を考慮したものではない。そのため、例えば上記特許文献５では、透明導電膜に要求される特性（耐熱性や導電性など）の観点からスパッタリングターゲット中の金属の組成比を制御しており、スパッタリングターゲット中のＩｎ比を高い領域（好ましくは０．３１〜０．４９）、Ｚｎ比を低い領域（好ましくは０．２１〜０．４５）、Ｓｎ比を低い領域（好ましくは０．１５〜０．３）に制御しているが、このようなスパッタリングターゲットを用いても、キャリア移動度が高く、ＴＦＴスイッチング特性に優れた酸化物半導体薄膜を得ることは容易でない。

本発明は上記事情に鑑みてなされたものである。その目的は、表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供することにある。

上記課題を解決し得た本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄相を主相とし、ビックスバイト型結晶構造であるＺｎ_XＳｎ_XＩｎ_YＯ_m相（Ｘ、Ｙ、ｍは任意の整数）を有すると共に、
前記酸化物焼結体に含まれる金属元素の含有量（原子％）をそれぞれ、［Ｚｎ］、［Ｓｎ］、［Ｉｎ］としたとき、［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］＋［Ｉｎ］に対する［Ｉｎ］の比、［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］に対する［Ｚｎ］の比、［Ｓｎ］の比は、それぞれ下式を満足するものであるところに要旨を有するものである。
［Ｉｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］＋［Ｉｎ］）＝０．０１〜０．２５未満
［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）＝０．５０〜０．８０
［Ｓｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）＝０．２０〜０．５０

本発明の好ましい実施形態において、［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］＋［Ｉｎ］に対する［Ｉｎ］の比、［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］に対する［Ｚｎ］の比、［Ｓｎ］の比は、それぞれ下式を満足するものである。
［Ｉｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］＋［Ｉｎ］）＝０．１０〜０．２５未満
［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）＝０．５０〜０．６７
［Ｓｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）＝０．３３〜０．５０

本発明の好ましい実施形態において、前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄相の（３１１）面の最大ピークＩ₁と、Ｚｎ_XＳｎ_XＩｎ_YＯ_m相の（２２２）面の最大ピークＩ₂との強度比Ｉ₂／Ｉ₁は、Ｉ₂／Ｉ₁≦０．５を満足するものである。

本発明の好ましい実施形態において、前記酸化物焼結体の相対密度は９０％以上であり、比抵抗は１Ωｃｍ以下である。

また、上記課題を解決し得た本発明のスパッタリングターゲットは、上記のいずれかに記載の酸化物焼結体を用いて得られるスパッタリングターゲットであって、相対密度は９０％以上であり、比抵抗は１Ωｃｍ以下であるところに要旨を有するものである。

本発明によれば、低い比抵抗と、高い相対密度を有する酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを、希少金属のＩｎ量を低減しても得られるため、原料コストを大幅に削減できる。また、本発明によれば、直流放電安定性に優れ、面内の均質性および膜質安定性に優れたスパッタリングターゲットが得られる。本発明のスパッタリングターゲットを用いれば、キャリア移動度の高い酸化物半導体膜を、高速成膜が容易な直流スパッタリング法により、安価に且つ安定して成膜できるため、生産性が向上する。

図１は、本発明の酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを製造するための基本的な工程を示す図である。 図２は、実験例１における本発明の酸化物焼結体（表１のＮｏ．２）のＸ線回折結果を示すグラフである。 図３は、実験例２における本発明の酸化物焼結体（表１のＮｏ．３）のＸ線回折結果を示すグラフである。 図４は、実験例３における本発明の酸化物焼結体（表１のＮｏ．４）のＸ線回折結果を示すグラフである。 図５は、比較例１の酸化物焼結体（表１のＮｏ．５）のＸ線回折結果を示すグラフである。 図６は、比較例２の酸化物焼結体（表１のＮｏ．６）のＸ線回折結果を示すグラフである。 図７は、比較例３の酸化物焼結体（表１のＮｏ．７）のＸ線回折結果を示すグラフである。

本発明者らは、酸化亜鉛と；酸化スズと；酸化インジウムの各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、高い導電性（低い比抵抗）と高い相対密度を有しており、直流スパッタリング法を適用可能であり、しかもキャリア移動度が高い酸化物半導体薄膜を成膜するのに適したスパッタリングターゲット用酸化物焼結体を提供するため、検討を重ねてきた。その結果、上記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄相を主相とし、ビックスバイト型結晶構造であるＺｎ_XＳｎ_XＩｎ_YＯ_m相（Ｘ、Ｙ、ｍは任意の整数）を有するような構成としたときに所期の目的が達成されることを見出した。

詳細には、上記酸化物焼結体をＸ線回折したときの相構成について、（ア）ＺｎとＳｎは、これらが結合したＺｎ₂ＳｎＯ₄化合物（主相）、およびＺｎＳｎＯ₃化合物として存在し、更にＺｎとＳｎの配合比によってはＳｎＯ₂化合物またはＺｎＯ化合物として存在しても良い。（イ）一方、Ｉｎおよび／またはＩｎ₂Ｏ₃は、ＺｎＳｎＯ₃がＩｎおよび／またはＩｎ₂Ｏ₃に固溶したビックスバイト型結晶構造であるＺｎ_XＳｎ_XＩｎ_YＯ_m相（Ｘ、Ｙ、ｍは任意の整数）を有している。更にＩｎ₂Ｏ₃の組成によっては、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄にＩｎおよび／またはＩｎ₂Ｏ₃が固溶したＩｎ／Ｉｎ₂Ｏ₃−Ｚｎ₂ＳｎＯ₄固溶体を形成していても良い。このような相構成としたときに上記目的を達成し得ること、（ウ）そして、このような相構成を有する酸化物焼結体を得るためには、所定の焼結条件（好ましくは、９００〜１１５０℃の温度で焼結する）を行なえば良いこと、を突き止めた。更に、直流電源によるプラズマ放電などの、直流スパッタリング法の適用を可能にするためには、（エ）ホットプレス法などの加圧条件下で９００℃以上０．５時間以上に制御して焼結を行うことが好ましい。これにより、酸化物焼結体の導電性が一層向上することも見出し、本発明を完成した。

上記酸化物焼結体（スパッタリングターゲット）の組成に関して言えば、ＺｎＯとＳｎＯ₂を原料として用いたＺＴＯ系の酸化物半導体用酸化物焼結体に、Ｉｎ₂Ｏ₃を所定量加えることにより、酸化物焼結体の相対密度が向上し、且つ、比抵抗が低下するようになる。その結果、安定した直流放電が継続して得られることが判明した。更に、上記スパッタリングターゲットを用いて成膜された酸化物半導体薄膜を有するＴＦＴは、キャリア密度が１５ｃｍ²／Ｖｓ以上と、非常に高い特性が得られることも分かった。

具体的には、酸化物焼結体に含まれる金属元素の含有量（原子％）をそれぞれ、［Ｚｎ］、［Ｓｎ］、［Ｉｎ］としたとき、［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］＋［Ｉｎ］に対する［Ｉｎ］の比は、［Ｉｎ］比＝０．０１〜０．２５未満、［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］に対する［Ｚｎ］の比、［Ｓｎ］の比は、［Ｚｎ］比＝０．５０〜０．８０、［Ｓｎ］比＝０．２０〜０．５０であることが好ましく；より好ましくは、［Ｉｎ］比＝０．１０〜０．２５未満、［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］に対する［Ｚｎ］の比、［Ｓｎ］の比は、［Ｚｎ］比＝０．５０〜０．６７、［Ｓｎ］比＝０．３３〜０．５０である。前述した特許文献５では、透明導電膜の成膜に適したスパッタリングターゲットの組成とするため、［Ｉｎ］比を上記範囲よりも多く、［Ｚｎ］比を上記範囲よりも低く、［Ｓｎ］比を上記範囲よりも低く設定しており、酸化物半導体薄膜の成膜に適した酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供する本発明とは、好ましい組成比が相違している。

以下、本発明に係る酸化物焼結体の構成要件について、詳しく説明する。

まず、上記酸化物焼結体の相構成について説明する。上述したように本発明の酸化物焼結体は、上記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄相を主相とし、ビックスバイト型結晶構造であるＺｎ_XＳｎ_XＩｎ_YＯ_m相（Ｘ、Ｙ、ｍは任意の整数）を有することを特徴とする。

本発明におけるＸ線回折条件は、以下のとおりである。
分析装置：理学電機社製「Ｘ線回折装置ＲＩＮＴ−１５００」
分析条件
ターゲット：Ｃｕ
単色化：モノクロメートを使用（Ｋα）
ターゲット出力：４０ｋＶ−２００ｍＡ
（連続焼測定）θ／２θ走査
スリット：発散１／２°、散乱１／２°、受光０．１５ｍｍ
モノクロメータ受光スリット：０．６ｍｍ
走査速度：２°／ｍｉｎ
サンプリング幅：０．０２°
測定角度（２θ）：５〜９０°

次に上記Ｘ線回折によって検出される化合物、または検出されない化合物について詳しく説明する。ここで「検出されない」とは、上記のＸ線回折を行なったとき、検出限界以下であることを意味する。

（Ｚｎ₂ＳｎＯ₄化合物について）
Ｚｎ₂ＳｎＯ₄化合物（相）は、本発明の酸化物焼結体を構成するＺｎＯとＳｎＯ₂が結合して形成されるものである。この化合物は所謂スピネル型化合物であり、電子材料として物性に富み、結晶構造の変化に伴って物性が変化するといった特徴を持つ。本発明において上記化合物は、酸化物焼結体の相対密度の向上と比抵抗の低減に大きく寄与するものである。

本発明では、上記Ｚｎ₂ＳｎＯ₄化合物を主相として含んでいる。ここで「主相」とは、上記Ｘ線回折によって検出される全化合物中、最も比率の多い化合物を意味している。

本発明では、更にＺｎＳｎＯ₃化合物（相）を含んでいても良い。この化合物は、ＺｎとＳｎの組成比などによって生成する場合があるが、酸化物焼結体の特性（高い相対密度と低い比抵抗）、更には成膜後の薄膜の半導体特性（高いキャリア移動度など）には悪影響を及ぼさない。

更に本発明では、上記化合物のほかに、ＳｎＯ₂やＺｎＯが若干含まれていても良い。ＺｎとＳｎの組成比によっては、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄化合物だけでなく、ＳｎＯ₂やＺｎＯの化合物が検出される場合もある。しかし上記のＳｎＯ₂やＺｎＯは、微量であればスパッタリングの直流放電安定性などに悪影響を及ぼさず、また、成膜後の薄膜の半導体特性にも悪影響を及ぼさないからである。例えば、２×［Ｚｎ］＝［Ｓｎ］の場合、全てのＺｎとＳｎが複合化合物を形成すれば、理論上はＺｎ₂ＳｎＯ₄相のみ検出される筈である。しかし現実にはＺｎＳｎＯ₃相も形成され、このＺｎＳｎＯ₃相は、上述したとおりスパッタリングターゲットの特性発現に悪影響を及ぼさない。これに対し、２×［Ｚｎ］＞［Ｓｎ］の場合は、上記化合物の形成に寄与しなかった微量のＺｎＯが検出される。一方、２×［Ｚｎ］＜［Ｓｎ］の場合は微量のＳｎＯ₂が検出される場合がある。しかしいずれも、酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットの特性発現には悪影響を及ぼさないものである。

（ビックスバイト型結晶構造であるＺｎ_XＳｎ_XＩｎ_YＯ_m相（Ｘ、Ｙ、ｍは任意の整数）化合物について）
本発明の酸化物焼結体は、ビックスバイト型結晶構造であるＺｎ_XＳｎ_XＩｎ_YＯ_m相（Ｘ、Ｙ、ｍは任意の整数）を有している。ここで「Ｚｎ_XＳｎ_XＩｎ_YＯ_m相」とは、Ｉｎおよび／またはＩｎ₂Ｏ₃にＺｎＳｎＯ₃が固溶していることを意味する。固溶体とは、母相内に異なる原子が溶け込む（侵入）か、母相原子と入れ替わって異なる原子が入る（置換）ことによって一つの固体が形成されたものである。本発明では、主に、ＩｎまたはＩｎ₂Ｏ₃中にＺｎＳｎＯ₃が侵入してビックスバイト型結晶構造を形成していると推察される。なお、Ｉｎ₂Ｏ₃の組成によっては、一部のＩｎ₂Ｏ₃は前述した主相であるＺｎ₂ＳｎＯ₄に固溶した状態で存在しても良い。このように本発明の酸化物焼結体では、Ｉｎおよび／またはＩｎ₂Ｏ₃は、ＺｎＳｎＯ₃（更には、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄）が固溶して存在することによって高密度化を達成することができる。

なお、固溶体として存在しているかどうかは、上述した条件でＸ線回折（ＸＲＤ）を行なったとき、純粋な化合物（相）に比べてピークが低角度側にシフトしているかどうかによって判断することができる。例えば「Ｚｎ_XＳｎ_XＩｎ_YＯ_m相」の場合、ＸＲＤと組織のＳＥＭ−ＥＤＸによる定量分析を比較することによってＩｎおよび／またはＩｎ₂Ｏ₃がＺｎＳｎＯ₃と固溶体を形成しているかどうかを確認することができる。例えば、ＸＲＤで使用しているＩＣＤＤ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｅｎｔｒｅ ｆｏｒ Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ Ｄａｔａ）カードではIｎ₂Ｏ₃とＺｎＳｎＯ₃の配向をそれぞれ回折角度２θで示しているが、若干ピーク位置がシフトしている。これは、純粋な化合物ではなく、他の原子が粒内に入って格子定数が変化しているためと考えられる。さらにＳＥＭ-ＥＤＸでも、Iｎ₂Ｏ₃中からＺｎＳｎＯ₃が検出されており、Iｎ₂Ｏ₃単体の組織とは異なる。以上のことから、ＩｎまたはIｎ₂Ｏ₃中にＺｎＳｎＯ₃との固溶体を形成していると判断することができる。

ただし、本発明の酸化物焼結体は、ＺｎＩｎ_xＯ_y化合物（ｘ、ｙは任意の整数である）を含んでいないことが好ましい。ＺｎＩｎ_xＯ_y相は、Ｉｎが酸素（Ｏ）と結合したスピネル型化合物であるが、絶縁性が高いため、酸化物焼結体中に含まれていると、抵抗が大きくなって異常放電が生じるほか、高密度化を阻害する恐れがある。また、クラスター状に飛び出したＺｎＩｎ_xＯ_yが膜に混入して、薄膜の半導体特性が劣化し、キャリア移動度が低下する場合がある。このようにＺｎＩｎ_xＯ_y相の存在により、低抵抗化および高密度化が阻害される恐れがあり、また異常放電が生じる恐れがあるが、これらに及ぼす影響は、ＺｎＩｎ_xＯ_y相の量によっても相違し得、ＺｎＩｎ_xＯ_y相が多く含まれる場合は、上記特性の全てに大きな悪影響を及ぼすことが懸念されるが、ＺｎＩｎ_xＯ_y相が微量しか含まれない場合は、異常放電のみが生じると考えられる。

本発明では、上記の相構成とすることによって、少ないＩｎ量（後記するように、本発明では［Ｉｎ］比の好ましい範囲は０．０１〜０．２５未満であり、より好ましくは０．１０〜０．２５未満であっても、低い比抵抗（１Ωｃｍ以下）と、高い相対密度（９０％以上）を実現することができる。なお、本発明に係るＩｎ−Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ系酸化物焼結体において、主相であるＺｎ₂ＳｎＯ₄相のほかにＺｎＩｎ_xＯ_y相が混在すると相対密度が低下し易くなる。しかしビックスバイト型結晶構造であるＺｎ_XＳｎ_XＩｎ_YＯ_m相（Ｘ、Ｙ、ｍは任意の整数）が存在すると、むしろスパッタリングターゲットが高密度化するようになる。そのメカニズムは詳細には不明であるが、Ｉｎ₂Ｏ₃およびＩｎは、原料酸化物の粒子間を埋めるようにして存在するために、酸化物焼結体の密度向上に寄与しているのではないかと推察される。

また、本発明の酸化物焼結体を上記条件でＸ線回折したとき、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄相の（３１１）面の最大ピークＩ₁と、Ｚｎ_XＳｎ_XＩｎ_YＯ_m相の（２２２）面の最大ピークＩ₂との強度比（Ｉ₂／Ｉ₁）は、Ｉ₂／Ｉ₁≦０．５を満足することが好ましい。上記強度比を０．５以下に制御することにより、スパッタリングによって得られた薄膜のバンドギャップが縮退せず、高い半導体特性が得られる。より好ましい強度比は、０．２５以下である。なお、その下限は特に限定されないが、Ｉｎ比の好ましい下限を考慮すると、０．０１以上が好ましく、より好ましくは０．１以上である。

上記強度比は、上記Ｘ線回折によって得られるチャートに基づき、任意の範囲（例えば、２θ＝１５〜６５°の範囲）に存在する最大ピーク強度から計算により求めることができる。なお、本発明において、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄相の（３１１）面、およびＺｎ_XＳｎ_XＩｎ_YＯ_m相（Ｘ、Ｙ、ｍは任意の整数）の（２２２）面の最大ピークに着目したのは、各酸化物の添加量の比率に比べ、スパッタリングターゲットのスパッタ面における上記化合物の比率が、より適正に薄膜の特性に影響すると考えたからである。

次に、本発明に係る酸化物焼結体を構成する金属元素の好ましい組成比（原子比）について説明する。以下では、［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］＋［Ｉｎ］に対する［Ｉｎ］の比を［Ｉｎ］比、［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］に対する［Ｚｎ］の比を［Ｚｎ］比、［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］に対する［Ｓｎ］の比を［Ｓｎ］比と呼ぶ。

まず、［Ｉｎ］比は０．０１〜０．２５未満の範囲内であることが好ましい。［Ｉｎ］比が０．０１未満の場合、酸化物焼結体の相対密度向上および比抵抗の低減を達成できず、成膜後の薄膜のキャリア移動度も低くなる。一方、［Ｉｎ］比が０．２５以上になると、薄膜としたときのＴＦＴスイッチング特性が劣化する。より好ましい［Ｉｎ］比は、０．０５以上、更に好ましくは０．１０以上であって、より好ましくは０．２３以下、更に好ましくは０．２１以下である。

また、［Ｚｎ］比は０．５０〜０．８０であることが好ましい。［Ｚｎ］比が０．５０未満の場合、スパッタリング法によって形成した薄膜の微細加工（精度良く加工すること）が難しく、エッチング残渣が生じ易い。一方、［Ｚｎ］比が０．８０を超えると、成膜後の薄膜の薬液耐性に劣るものとなり、微細加工の際に酸による溶出速度が速くなって高精度の加工を行なうことができない。より好ましい［Ｚｎ］比は、０．５０〜０．６７である。

また、［Ｓｎ］比は０．２０〜０．５０であることが好ましい。［Ｓｎ］比が、上記範囲を外れると、ＴＦＴのスイッチング特性が劣化してしまい、高性能の表示装置が得られない。より好ましい［Ｓｎ］比は、０．３３〜０．５０である。

本発明の酸化物焼結体は、相対密度９０％以上、比抵抗１Ωｃｍ以下を満足することが好ましい。

（相対密度９０％以上）
本発明の酸化物焼結体は、相対密度が非常に高く、好ましくは９０％以上であり、より好ましくは９５％以上である。高い相対密度は、スパッタリング中での割れやノジュールの発生を防止し得るだけでなく、安定した放電をターゲットライフまで連続して維持するなどの利点をもたらす。

（比抵抗１Ωｃｍ以下）
本発明の酸化物焼結体は、比抵抗が小さく、１Ωｃｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．１Ωｃｍ以下である。これにより、直流電源を用いたプラズマ放電などによる直流スパッタリング法による成膜が可能となり、スパッタリングターゲットを用いた物理蒸着（スパッタリング法）を表示装置の生産ラインで効率よく行うことができる。

次に、本発明の酸化物焼結体を製造する方法について説明する。
本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末を混合および焼結して得られるものである。原料粉末からスパッタリングターゲットまでの基本工程を図１に示す。図１には、酸化物の粉末を混合・粉砕→（乾燥・造粒）→焼結して得られた酸化物焼結体を、加工→ボンディングしてスパッタリングターゲットを得るまでの基本工程を示している。上記工程のうち本発明では、以下に詳述するように焼結条件を適切に制御したところに特徴があり、それ以外の工程は特に限定されず、通常用いられる工程を適宜選択することができる。以下、各工程を説明するが、本発明はこれに限定する趣旨ではない。

まず、酸化亜鉛粉末、酸化スズ粉末、および酸化インジウム粉末を所定の割合に配合し、混合・粉砕する。用いられる各原料粉末の純度はそれぞれ、約９９．９９％以上が好ましい。微量の不純物元素が存在すると、酸化物半導体膜の半導体特性を損なう恐れがあるためである。各原料粉末の配合割合は、Ｚｎ、Ｓｎ、およびＩｎの比率が上述した範囲内となるように制御することが好ましい。

混合および粉砕はポットミルを使い、原料粉末を水と共に投入して行うことが好ましい。これらの工程に用いられるボールやビーズは、例えばナイロン、アルミナ、ジルコニアなどの材質のものが好ましく用いられる。

次に、上記工程で得られた混合粉末についてスプレードライヤで乾燥・造粒を行うことが好ましい。

次に、所望の化合物相構成とし、相対密度を高めるためにホットプレスを用いて焼結を行う。焼結温度：約９００℃〜１１５０℃、保持時間：１０分以上で焼結を行うことが好ましい。焼結温度が高いほど焼結体の相対密度が向上し易く、かつ短時間で処理できるため好ましい。しかし温度が高くなり過ぎると焼結体が分解し易くなる。そのため、焼結条件は上記の範囲とするのが好ましい。より好ましくは、焼結温度：約１０００℃〜１１００℃、保持時間：約３０分以上である。保持時間は、コスト減少などを考慮するとおおむね６時間以下に制御することが好ましい。
なお、焼結雰囲気は不活性ガス雰囲気が好ましく、例えば炉内にアルゴンガスを導入することによって雰囲気を調整することが好ましい。上記焼結処理により、比抵抗は、例えば約１００Ωｃｍ（焼結処理前）から０．１Ωｃｍ（焼結後）まで向上するようになる。

上記のようにして酸化物焼結体を得た後、常法により、加工→ボンディングを行なうと本発明のスパッタリングターゲットが得られる。このようにして得られるスパッタリングターゲットの相対密度および比抵抗も、酸化物焼結体と同様、非常に良好なものであり、好ましい相対密度はおおむね９０％以上であり、好ましい比抵抗はおおむね１Ωｃｍ以下である。

以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は、下記実施例に限定されず、本発明の趣旨に適合し得る範囲で適切に変更を加えて実施することも可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に含まれる。

（実験例１）
酸化亜鉛粉末（ＪＩＳ１種、純度９９．９９％）、純度９９．９９％の酸化スズ粉末、および純度９９．９９％の酸化インジウム粉末を［Ｚｎ］：［Ｓｎ］：［Ｉｎ］＝４０．０：４０．０：２０．０の比率で配合し、ナイロンボールミルで２０時間混合した。次に、上記工程で得られた混合粉末について乾燥、造粒を行った。

このようにして得られた粉末を、ホットプレス法にて１０５０℃、保持時間５時間で焼結を行なった。ホットプレス炉内にはアルゴンガスを導入し、アルゴン雰囲気下で焼結した。

このようにして得られた実験例１の酸化物焼結体について、前述した条件でＸ線回折による解析を行った結果を図２および表１のＮｏ．２に示す。図２および表１に示すように、上記酸化物焼結体にはＺｎ₂ＳｎＯ₄（主相）、ビックスバイト型結晶構造であるＺｎ_XＳｎ_XＩｎ_YＯ_m相（Ｘ、Ｙ、ｍは任意の整数）が含まれていたが、ＺｎＩｎ_xＯ_yは検出されなかった。また、この酸化物焼結体を上記条件でＸ線回折したとき、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄相の（３１１）面の最大ピークＩ₁と、Ｚｎ_XＳｎ_XＩｎ_YＯ_m相の（２２２）面の最大ピークＩ₂との強度比（Ｉ₂／Ｉ₁）は０．４６であり、本発明の好ましい範囲（０．５以下）を満足していた。

更に、上記の焼結体を４インチφ、５ｍｍ（厚さ）の形状に加工し、バッキングプレートにボンディングしてスパッタリングターゲットを得た。このようにして得られたスパッタリングターゲットをスパッタリング装置に取り付け、ＤＣ（直流）マグネトロンスパッタリングを行なった。スパッタリング条件は、ＤＣスパッタリングパワー１５０Ｗ、Ａｒ／０．１体積％Ｏ₂雰囲気、圧力０．８ｍＴｏｒｒとした。その結果、異常放電（アーキング）の発生は見られず、安定して放電することが確認された。

また、このようにして得られたスパッタリングターゲットの相対密度をアルキメデス法で測定したところ９０％以上であった。また上記スパッタリングターゲットの比抵抗を四端子法によって測定したところ、１Ωｃｍ以下であり、いずれも良好な結果が得られた。

また、上記のスパッタリング条件で成膜した薄膜を用い、チャネル長１０μｍ、チャネル幅１００μｍの薄膜トランジスタを作製してキャリア移動度を測定したところ、１５ｃｍ²／Ｖｓ以上の高いキャリア移動度が得られた（表２参照）。

（実験例２）
前述した実験例１において、［Ｚｎ］：［Ｓｎ］：［Ｉｎ］＝４８．０：３２．０：２０．０の比率で配合し、粉末を１１００℃、焼結時間５時間で焼結したこと以外は、上記実験例１と同様にして実験例２の酸化物焼結体を得た。

これらの結果を図３および表１のＮｏ．３に示す。図３および表１のＮｏ．３に示すように、上記酸化物焼結体にはＺｎ₂ＳｎＯ₄（主相）、ビックスバイト型結晶構造であるＺｎ_XＳｎ_XＩｎ_YＯ_m相（Ｘ、Ｙ、ｍは任意の整数）が含まれていたが、ＺｎＩｎ_xＯ_yは検出されなかった。また、この酸化物焼結体を上記条件でＸ線回折したとき、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄相の（３１１）面の最大ピークＩ₁と、Ｚｎ_XＳｎ_XＩｎ_YＯ_m相の（２２２）面の最大ピークＩ₂との強度比（Ｉ₂／Ｉ₁）は０．３６であり、本発明の好ましい範囲（０．５以下）を満足していた。

更に上記の焼結体を、上記実験例１と同様にしてスパッタリングを行なったところ、安定して放電することが確認された。また、このようにして得られたスパッタリングターゲットの相対密度および比抵抗を、上記実験例１と同様にして測定したところ、相対密度９０％以上、比抵抗１Ωｃｍ以下であり、良好な結果が得られた。また、上記のスパッタリング条件で成膜した薄膜を用い、実験例１と同様にしてキャリア移動度を測定したところ、１５ｃｍ²／Ｖｓ以上の高いキャリア移動度が得られた（表２参照）。

（実験例３）
前述した実験例１において、［Ｚｎ］：［Ｓｎ］：［Ｉｎ］＝５３．０：２７．０：２０．０の比率で配合し、粉末を１０００℃、焼結時間５時間で焼結したこと以外は、上記実験例１と同様にして実験例３の酸化物焼結体を得た。

これらの結果を図４および表１のＮｏ．４に示す。図４および表１に示すように、上記酸化物焼結体にはＺｎ₂ＳｎＯ_４（主相）、ビックスバイト型結晶構造であるＺｎ_XＳｎ_XＩｎ_YＯ_m相（Ｘ、Ｙ、ｍは任意の整数）が含まれていたが、ＺｎＩｎ_xＯ_yは検出されなかった。また、この酸化物焼結体を上記条件でＸ線回折したとき、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄相の（３１１）面の最大ピークＩ₁と、Ｚｎ_XＳｎ_XＩｎ_YＯ_m相の（２２２）面の最大ピークＩ₂との強度比（Ｉ₂／Ｉ₁）は０．２５であり、本発明の好ましい範囲（０．５以下）を満足していた。

更に上記の焼結体を、上記実験例１と同様にしてスパッタリングを行なったところ、安定して放電することが確認された。また、このようにして得られたスパッタリングターゲットの相対密度および比抵抗を、上記実験例１と同様にして測定したところ、相対密度９０％以上、比抵抗１Ωｃｍ以下であり、良好な結果が得られた。また、上記のスパッタリング条件で成膜した薄膜を用い、実験例１と同様にしてキャリア移動度を測定したところ、１５ｃｍ²／Ｖｓ以上の高いキャリア移動度が得られた（表２参照）。

（比較例１）
前述した実験例１において、酸化インジウム粉末の代わりに純度９９．９９％の酸化アルミニウム粉末を用い、［Ｚｎ］：［Ｓｎ］：［Ａｌ］＝４３．３：２１．７:３５．０の比率で配合し、粉末を９００℃、焼結時間５時間で焼結したこと以外は、上記実験例１と同様にして比較例１の酸化物焼結体を得た。

これらの結果を図５、および表１のＮｏ．５に示す。図５に示すように、上記酸化物焼結体には、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄とＺｎＯのほかに、ＺｎＡｌ₂Ｏ₄が検出された。

更に上記の焼結体を、上記実験例１と同様にしてスパッタリングを行なったところ、スパッタリング中に異常放電が発生した。また、このようにして得られたスパッタリングターゲットの相対密度および比抵抗を、上記実験例１と同様にして測定したところ、相対密度は６７％と低く、比抵抗は１００Ωｃｍと高かった。また、上記のスパッタリング条件で成膜した薄膜を用い、実験例１と同様にしてキャリア移動度を測定したところ、キャリア移動度は、３．０ｃｍ²／Ｖｓと低かった（表２参照）。

上記結果より、比較例１のようにＩｎの代わりにＡｌを添加するとＩｎ添加による効果（酸化物焼結体の相対密度向上、及び比抵抗の低減、薄膜キャリア移動度の向上）が有効に発揮されないことが確認された。

（比較例２）
前述した実験例１において、［Ｚｎ］：［Ｓｎ］：［Ｉｎ］＝６６：３３：１の比率で配合し、粉末を１２００℃で焼結したこと以外は、上記実験例１と同様にして比較例２の酸化物焼結体を得た（表２参照）。

結果を表１のＮｏ．６に示す。表１及び図６に示すように、この酸化物焼結体を上記条件でＸ線回折したとき、Ｚｎ_XＳｎ_XＩｎ_YＯ_m相は同定されず、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄相のみが検出された。

更に上記の焼結体を、上記実験例１と同様にしてスパッタリングを行なったところ、スパッタリング中に異常放電が発生した。なお、このようにして得られたスパッタリングターゲットの相対密度及び比抵抗を上記実施例１と同様にして測定したところ、相対密度は８５％、比抵抗は８０Ωｃｍであった。また上記スパッタリング条件で成膜した薄膜を用い、実施例１と同様にしてキャリア移動度を測定したところ、キャリア移動度は０．５ｃｍ²／Ｖｓであった（表２参照）。
上記結果より、比較例２のように［Ｉｎ］比が本発明の好ましい範囲を外れるため、異常放電が発生した。

（比較例３）
前述した実験例１において、［Ｚｎ］：［Ｓｎ］：［Ｉｎ］＝５０：２０：３０の比率で配合した以外は、上記実験例１と同様にして比較例３の酸化物焼結体を得た。

これらの結果を表１のＮｏ．７に示す。表１及び図７に示すように、この酸化物焼結体を上記条件でＸ線回折したとき、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄相の（３１１）面の最大ピークＩ₁と、Ｚｎ_XＳｎ_XＩｎ_YＯ_m相の（２２２）面の最大ピークＩ₂との強度比（Ｉ₂／Ｉ₁）は０．６０であり、スピネル型のＺｎ₂ＳｎＯ₄相が主相とならなかった。

更に上記の焼結体を、上記実験例１と同様にしてスパッタリングを行なったところ、スパッタリング中に異常放電が発生した。なお、このようにして得られたスパッタリングターゲットの相対密度及び比抵抗を上記実施例１と同様にして測定したところ、相対密度は８８％、比抵抗は１０Ωｃｍであった。また上記スパッタリング条件で成膜した薄膜を用い、実施例１と同様にしてキャリア移動度を測定したところ、キャリア移動度は５ｃｍ²／Ｖｓであった（表２参照）。
上記結果より、比較例３のように［Ｉｎ］比が本発明の好ましい範囲を外れるため、異常放電が発生した。

（参考例）
本参考例では、Ｉｎ酸化物を含まないＺＴＯ焼結体を以下の方法により製造した。

まず、前述した実験例１と同じ酸化亜鉛粉末および酸化スズ粉末を、［Ｚｎ］：［Ｓｎ］＝６６．７：３３．３の比率で配合したこと以外は、上記実験例１と同様にしてＺＴＯ焼結体を得た。

これらの結果を表１のＮｏ．１に示す。表１に示すように、上記酸化物焼結体には、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄が含まれていたが、ＺｎＳｎＯ₃、Ｉｎ／Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｎＳｎＯ₃固溶体、およびＺｎＩｎ_xＯ_yは全て検出されなかった。

更に上記の焼結体を、上記実験例１と同様にしてスパッタリングを行なったところ、安定して放電することが確認された。また、このようにして得られたスパッタリングターゲットの相対密度および比抵抗を、上記実験例１と同様にして測定したところ、相対密度９０％以上、比抵抗１Ωｃｍ以下であり、良好な結果が得られた。また、上記のスパッタリング条件で成膜した薄膜を用い、実験例１と同様にしてキャリア移動度を測定したところ、１０ｃｍ²／Ｖｓ以上の高いキャリア移動度が得られた。

以上の実験結果より、本発明で規定する化合物相で構成されており、酸化物焼結体を構成する金属の組成比も本発明の好ましい要件を満足する実験例１〜３の酸化物焼結体を用いて得られるスパッタリングターゲットは、高い相対密度および低い比抵抗を有しており、極めて良好な特性を有することが分かった。また上記スパッタリングターゲットを用いて得られる薄膜は、高いキャリア移動度を有するため、酸化物半導体薄膜として極めて有用であることが分かった。

Claims (5)

1. 酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、
   前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄相を主相とし、ビックスバイト型結晶構造であるＺｎ_XＳｎ_XＩｎ_YＯ_m相（Ｘ、Ｙ、ｍは任意の整数）を有すると共に、
   前記酸化物焼結体に含まれる金属元素の含有量（原子％）をそれぞれ、［Ｚｎ］、［Ｓｎ］、［Ｉｎ］としたとき、［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］＋［Ｉｎ］に対する［Ｉｎ］の比、［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］に対する［Ｚｎ］の比、［Ｓｎ］の比は、それぞれ下式を満足することを特徴とする酸化物焼結体。
   ［Ｉｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］＋［Ｉｎ］）＝０．０１〜０．２５未満
   ［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）＝０．５０〜０．８０
   ［Ｓｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）＝０．２０〜０．５０
2. ［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］＋［Ｉｎ］に対する［Ｉｎ］の比、［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］に対する［Ｚｎ］の比、［Ｓｎ］の比は、それぞれ下式を満足するものである請求項１に記載の酸化物焼結体。
   ［Ｉｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］＋［Ｉｎ］）＝０．１０〜０．２５未満
   ［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）＝０．５０〜０．６７
   ［Ｓｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）＝０．３３〜０．５０
3. 前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄相の（３１１）面の最大ピークＩ₁と、Ｚｎ_XＳｎ_XＩｎ_YＯ_m相の（２２２）面の最大ピークＩ₂との強度比（Ｉ₂／Ｉ₁）は、Ｉ₂／Ｉ₁≦０．５を満足するものである請求項１または２に記載の酸化物焼結体。
4. 相対密度９０％以上、比抵抗１Ωｃｍ以下である請求項１〜３のいずれかに記載の酸化物焼結体。
5. 請求項１〜４のいずれかに記載の酸化物焼結体を用いて得られるスパッタリングターゲットであって、相対密度９０％以上、比抵抗１Ωｃｍ以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。