JP2012199512A - 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成方法 - Google Patents

Abstract

【課題】安定してＥＵＶ光を生成する。
【解決手段】レーザ装置を備えた極端紫外光生成装置は、前記レーザ装置から出力されたレーザ光を導入するウィンドウを備えたチャンバと、前記チャンバ内部の所定位置付近にターゲットを出力するターゲット供給部と、前記所定位置付近に前記レーザ光を集光するレーザ集光光学系と、前記所定位置付近を通過したレーザ光の像を検出する検出器と、前記所定位置付近における前記ターゲットの通過位置を調整するターゲット位置調整装置と、前記所定位置付近における前記レーザ光の集光位置を調整するレーザ集光位置調整装置と、前記検出器で検出された像に基づいて、前記ターゲット位置調整装置と前記レーザ集光位置調整装置とを制御する制御部と、を備えてもよい。
【選択図】図２

Description

本開示は、極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置、及びその方法に関する。

近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、たとえば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外光生成装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。

極端紫外光生成装置としては、ターゲット物質にレーザビームを照射することによって生成されるプラズマを用いたＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ：レーザ励起プラズマ）方式の装置と、放電によって生成されるプラズマを用いたＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ）方式の装置と、軌道放射光を用いたＳＲ（Ｓｙｎｃｈｒｏｔｒｏｎ Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）方式の装置との３種類の装置が提案されている。

米国特許出願公開第２０１０／０３２７１９２号明細書

概要

本開示の一態様による極端紫外光生成装置は、レーザ装置を備えた極端紫外光生成装置において、前記レーザ装置から出力されたレーザ光を導入するウィンドウを備えたチャンバと、前記チャンバ内部の所定位置付近にターゲットを出力するターゲット供給部と、前記所定位置付近に前記レーザ光を集光するレーザ集光光学系と、前記所定位置付近を通過したレーザ光の像を検出する検出器と、前記所定位置付近における前記ターゲットの通過位置を調整するターゲット位置調整装置と、前記所定位置付近における前記レーザ光の集光位置を調整するレーザ集光位置調整装置と、前記検出器で検出された像に基づいて、前記ターゲット位置調整装置と前記レーザ集光位置調整装置とを制御する制御部と、を備えてもよい。

本開示の他の態様による極端紫外光生成方法は、レーザ装置から出力されたレーザ光を導入するウィンドウを備えたチャンバと、前記チャンバ内部の所定位置付近にターゲットを供給するターゲット供給部と、前記所定位置付近に前記レーザ光を集光するレーザ集光光学系と、前記所定位置付近を通過したレーザ光の像を検出する検出器と、を備えた装置の極端紫外光生成方法であって、前記検出器で検出された像に基づいて、前記ターゲットの通過位置と前記レーザ光の集光位置とを制御してもよい。

本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、本開示の一態様による例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置の概略構成を示す。 図２は、本開示の一実施の形態によるレーザ照射像検出器を含むＥＵＶ光生成装置の概略構成を示す模式図である。 図３は、本実施の形態においてターゲットにパルスレーザ光を照射した際の位置関係の一例を示す。 図４は、本実施の形態においてレーザ照射像検出器のイメージセンサで検出されたパルスレーザ光の像を示す。 図５は、本実施の形態におけるＥＵＶ光生成制御システムのメインフローを示す。 図６は、図５に示されるパラメータ初期設定サブルーチンを示す。 図７は、図５に示されるＥＵＶ光生成位置設定サブルーチンを示す。 図８は、図５に示されるＥＵＶ光生成サブルーチンを示す。 図９は、図５に示されるレーザ照射像検出サブルーチンを示す。 図１０は、図５に示される位置判定サブルーチンを示す。 図１１は、図５に示されるターゲット位置制御サブルーチンを示す。 図１２は、図５に示されるターゲット位置制御サブルーチンの変形例を示す。 図１３は、図５に示されるレーザ集光位置制御サブルーチンを示す。 図１４は、本開示の他の実施の形態によるＥＵＶ光生成装置の概略構成を示す模式図である。 図１５は、本実施の形態においてターゲットにプリパルスレーザ光を照射することで生成した拡散ターゲットとメインパルスレーザ光との位置関係の一例を示す。 図１６は、本実施の形態においてレーザ照射像検出器のイメージセンサで検出されたメインパルスレーザ光の像を示す。 図１７は、本実施の形態においてターゲットがトップハットプリパルスレーザ光の光軸に対して＋Ｘ方向にΔＸずれた場合を示す。 図１８は、本実施の形態においてトップハットプリパルスレーザ光の光軸がターゲットの中心を通る場合を示す。 図１９は、本実施の形態においてターゲットがトップハットプリパルスレーザ光の光軸に対して−Ｘ方向にΔＸずれた場合を示す。 図２０は、本実施の形態においてターゲットがプリパルスレーザ光の光軸に対して＋Ｘ方向にΔＸずれた場合を示す。 図２１は、本実施の形態においてプリパルスレーザ光の光軸がターゲットの中心を通る場合を示す。 図２２は、本実施の形態においてターゲットがプリパルスレーザ光の光軸に対して−Ｘ方向にΔＸずれた場合を示す。 図２３は、本実施の形態によるパラメータ初期設定サブルーチンを示す。 図２４は、本実施の形態によるＥＵＶ光生成サブルーチンを示す。 図２５は、本開示のさらに他の実施の形態によるＥＵＶ光生成装置の概略構成を示す模式図である。 図２６は、２軸傾斜ステージの一例を示す斜視図である。 図２７は、Ｚ方向レーザ集光点調節器の一例を示す。 図２８は、Ｚ方向レーザ集光点調節器の変形例を示す（その１）。 図２９は、Ｚ方向レーザ集光点調節器の変形例を示す（その２）。 図３０は、Ｚ方向レーザ集光点調節器の変形例を示す（その３）。 図３１は、トップハット機構の一例の構成を模式的に示す。 図３２は、トップハット機構の変形例１の構成を模式的に示す。 図３３は、トップハット機構の変形例２の構成を模式的に示す。

実施の形態

以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示の一例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。

（一実施の形態）
以下、本開示の一実施の形態による極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置、及びその方法を、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明では、下記目次の流れに沿って説明する。

目次
１．概要
２．用語の説明
３．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
３．１ 構成
３．２ 動作
４．ターゲットにレーザ光が照射された時の像検出器を含むＥＵＶ光生成装置
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用
４．４ ターゲットにレーザ光が照射された時の像
４．５ 制御フロー
４．５．１ メインフロー
４．５．２ パラメータ初期設定サブルーチン
４．５．３ ＥＵＶ光生成位置設定サブルーチン
４．５．４ ＥＵＶ光生成サブルーチン
４．５．５ レーザ照射像検出サブルーチン
４．５．６ 位置判定サブルーチン
４．５．７ ターゲット位置制御サブルーチン
４．５．７．１ ターゲット位置制御サブルーチンの変形例
４．５．８ レーザ集光位置制御サブルーチン
５．ドロプレットにプリパルスとメインパルスレーザ光が照射された時の像検出器を含むＥＵＶ光生成装置
５．１ 構成
５．２ 動作
５．３ 作用
５．４ ターゲットにメインパルスレーザ光が照射された時の像
５．５ 制御フロー
５．５．１ パラメータ初期設定サブルーチン
５．５．２ ＥＵＶ光生成サブルーチン
６．ビームデリバリーシステムにレーザの集光点のアクチュエータを含むＥＵＶ光生成装置
６．１ 構成
６．２ 動作
６．３ 作用
７．補足説明
７．１ ２軸傾斜ステージ
７．２ 集光位置調節機構
７．３ 集光位置調節機構の変形例
７．４ トップハット機構
７．５ トップハット機構の変形例１
７．６ トップハット機構の変形例２

１．概要
本実施の形態の概要について、以下に説明する。以下で説明する実施の形態では、レーザ装置と共に用いられるＥＵＶ光生成装置が、ターゲットに照射されたレーザ光の像を検出してもよい。ＥＵＶ光生成装置は、この検出結果に基づいて、レーザ光の集光点位置とターゲット位置とを制御してもよい。

２．用語の説明
つぎに、本開示において使用する用語について、以下のように定義する。「ドロップレット」とは、溶融したターゲット物質の液滴である。したがって、その形状は、表面張力によって略球形となる。「プラズマ生成領域」とは、プラズマを生成する空間として予め設定された３次元空間である。「ビーム拡大」とは、ビーム断面積が徐々に広がることをいう。レーザ光の光路において、レーザ光の発生源側を「上流」とし、レーザ光の到達目標側を「下流」とする。また、「所定繰返し周波数」とは、略所定の繰返し周波数であればよく、必ずしも一定の繰返し周波数でなくてもよい。拡散ターゲットとは、プリプラズマとフラグメントの少なくとも一方を含む状態のターゲットと定義される。プリプラズマとは、プラズマ状態またはプラズマと原子や分子との混合状態と定義される。フラグメントとは、レーザ照射によりターゲット物質が分裂して変容したクラスタ、マイクロドロップレット等の微粒子またはそれらが混在する微粒子群と定義される。オブスキュレーション領域とは、ＥＵＶ光の影となる３次元領域である。このオブスキュレーション領域を通過するＥＵＶ光は、通常、露光装置においては使用されない。

３．ＥＵＶ光生成装置の全体説明
３．１ 構成
図１に例示的なＬＰＰ方式のＥＵＶ光生成装置１（極端紫外光生成装置）の概略構成を示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザシステム３と共に用いることができる（ＥＵＶ光生成装置１及びレーザシステム３を含むシステムを、以下、ＥＵＶ光生成システム１１（極端紫外光生成システム）と称する）。図１に示し、かつ以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２を含むことができる。チャンバ２は、チャンバ２内を真空にすることができるように構成されていてもよい。あるいは、チャンバ２は、チャンバ２の内部にＥＵＶ光の透過率が高いガスが存在することができるように構成されていてもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲット供給システムを更に含むことができる。ターゲット供給システムは、ドロップレット生成器２６を含んでもよい。ドロップレット生成器２６は、ドロップレットの形態でターゲット２７をプラズマ生成領域２５に供給してもよい。ターゲット供給システムは、例えばチャンバ２に取り付けられていてもよい。ターゲット供給システムが供給するターゲットの材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又はそのいずれかの組合せを含むことができるが、これらに限定されない。

チャンバ２には、その壁を貫通する少なくとも１つの孔が設けられている。その貫通孔はレーザ光を透過し得るウィンドウ２１によって塞がれていてもよい。チャンバ２の内部には例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１の焦点、及び第２の焦点を有する。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ発生位置（プラズマ生成領域２５）又はその近傍に位置し、その第２の焦点がＥＵＶ光の集光位置（中間焦点（ＩＦ）２９２）に位置するよう配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には、パルスレーザ光３３が通過することができる貫通孔２４が設けられていてもよい。

再び図１を参照に、ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御システム５を含むことができる。ＥＵＶ光生成装置１は、ターゲットセンサ４を含むことができる。ターゲットセンサ４は、ターゲットの存在、軌道、位置の少なくとも１つを検出可能であるとよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有していてもよい。

また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２内部と露光装置６内部とを連通する接続部２９を含むことができる。接続部２９内部にはアパーチャを備えた壁２９１を含むことができる。壁２９１は、アパーチャが第２の焦点位置に位置するように接続部２９内に設置されてもよい。

更に、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御アクチュエータ部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７のターゲット回収器２８などを含むことができる。

３．２ 動作
図１を参照に、レーザシステム３から出射されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御アクチュエータ部３４を経て、ウィンドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。レーザ光進行方向制御アクチュエータ部３４は、レーザシステム３からチャンバ２までの少なくとも１つのレーザビーム経路を構成してもよい。チャンバ２内に進入したパルスレーザ光３１は、レーザ光集光ミラー２２で反射してもよい。これにより、平行光であったパルスレーザ光３１が集光するパルスレーザ光３３に変換されてもよい。パルスレーザ光３３は、チャンバ２内のプラズマ生成領域２５で、少なくとも１つのターゲットに照射されてもよい。

ドロップレット生成器２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力してもよい。ターゲット２７には、少なくとも１つのパルスレーザ光３３が照射されてもよい。パルスレーザ光３３に照射されたターゲット２７はプラズマ化してもよい。そのプラズマからは、ＥＵＶ光２５２が発生してもよい。なお、１つのターゲット２７に、複数のパルスレーザ光が照射されてもよい。照射されるパルスレーザ光は、パルスレーザ光３３に限られない。

ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージ情報等を処理してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５はまた、例えばターゲット２７を出力するタイミングの制御、ターゲット２７の出力方向、及び出力位置の制御のうちの少なくとも１つを実行してもよい。ＥＵＶ光生成制御システム５は更に、例えばレーザシステム３のレーザ出力タイミングの制御、パルスレーザ光３１の進行方向の制御、及び集光位置変更の制御のうちの少なくとも１つを実行してもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。

４．ターゲットにレーザ光が照射された時の像検出器を含むＥＵＶ光生成装置
つづいて、ターゲットを通過したレーザ光の像を検出するレーザ照射像検出器を含むＥＵＶ光生成装置について、図面を用いて詳細に説明する。図２は、レーザ照射像検出器１００を含むＥＵＶ光生成装置１Ａの概略構成を示す模式図である。

４．１ 構成
図２に示されるように、ＥＵＶ光生成装置１Ａは、ＥＵＶ光生成制御システム５、レーザシステム３、レーザ光進行方向制御アクチュエータ部（以下、ビームデリバリーシステムともいう）３４、およびチャンバ２を含んでもよい。

チャンバ２は、ターゲット２７が内部に供給されるメインチャンバ２ａと、レーザ集光光学系２２０を収容するサブチャンバ２ｂと、を含んでもよい。メインチャンバ２ａとサブチャンバ２ｂとは、中央にパルスレーザ光３３が通過するための貫通孔２０１ａが形成された間仕切りプレート２０１によって区画されていてもよい。メインチャンバ２ａとサブチャンバ２ｂとは、分離可能な個別のチャンバであってもよい。ただし、これに限らず、メインチャンバ２ａおよびサブチャンバ２ｂは、たとえば１つのチャンバを間仕切りプレート２０１によって区画することでそれぞれ形成されてもよい。

サブチャンバ２ｂ内のレーザ集光光学系２２０は、たとえば軸外放物面凹面ミラー２２２と、高反射ミラー２２３とを含んでもよい。軸外放物面凹面ミラー２２２は、たとえばミラーホルダ２２２ａを用いてベースプレート２２１に固定されてもよい。高反射ミラー２２３は、たとえば２軸傾斜ステージ２２３ａを用いてベースプレート２２１に固定されてもよい。ベースプレート２２１は、たとえば１軸ステージ２２１ａによってＺ軸方向に移動可能であってもよい。高反射ミラー２２３は、２軸傾斜ステージ２２３ａによってそのアオリ角度θｘおよびθｙが調整されてもよい。高反射ミラー２２３の反射面中心における垂線を想定した場合、ベースプレート２２１の２軸傾斜ステージ２２３ａ設置面に対して、アオリ角度θｘはピッチ角度、アオリ角度θｙはヨウ角度であってよい。

パルスレーザ光３１は、ビームデリバリーシステム３４の複数の高反射ミラー３４１および３４２を経由して、チャンバ２のウィンドウ２１に入射してもよい。ウィンドウ２１を介してサブチャンバ２ｂ内に入射したパルスレーザ光３１は、軸外放物面凹面ミラー２２２で集光するように反射されてもよい。これにより、パルスレーザ光３１が集光するパルスレーザ光３３に変換されてもよい。その後、パルスレーザ光３３は、高反射ミラー２２３で反射されることで、貫通孔２０１ａを介してメインチャンバ２ａ内に進入してもよい。

メインチャンバ２ａは、ＥＵＶ集光ミラー２３、ターゲット供給部２６０、ターゲットセンサ４、およびレーザ照射像検出器１００を含んでもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、たとえばＥＵＶ集光ミラーホルダ２３１を用いて間仕切りプレート２０１に固定されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３の貫通孔２４および間仕切りプレート２０１の貫通孔２０１ａは、パルスレーザ光３３がそれぞれの孔を通過する際にＥＵＶ集光ミラー２３および間仕切りプレート２０１がパルスレーザ光３３を遮らない程度の開口の大きさで形成されていてもよい。ターゲット供給部２６０は、ドロップレット生成器２６と、２軸ステージ２６１とを含んでもよい。ドロップレット生成器２６は、２軸ステージ２６１を用いてメインチャンバ２ａに固定されてもよい。２軸ステージ２６１は、ドロップレット生成器２６をＹ軸方向およびＺ軸方向に移動させることで、ターゲット２７のプラズマ生成領域２５付近における空間の通過位置を調節してもよい。

レーザ照射像検出器１００は、軸外放物面ミラー１０１、ビームスプリッタ１０２、結像レンズ１０３、イメージセンサ１０４、およびダンパ１０５を含んでもよい。軸外放物面ミラー１０１は、たとえば支柱１０１ａによってメインチャンバ２ａの内壁に固定されてもよい。支柱１０１ａは、ＥＵＶ光２５２のオブスキュレーション領域内に配置されてもよい。

ビームスプリッタ１０２、結像レンズ１０３、イメージセンサ１０４、およびダンパ１０５は、メインチャンバ２ａに連通した検出器チャンバ１１０内に配置されてもよい。メインチャンバ２ａ内の空間と検出器チャンバ１１０内の空間とは、たとえば連結穴１１０ａを介して連通していてもよい。プラズマ生成領域２５を通過したパルスレーザ光３３は軸外放物面ミラー１０１で反射されてもよい。軸外放物面ミラー１０１によって反射されたパルスレーザ光２５３は、連結穴１１０ａを通して検出器チャンバ１１０内に進入してもよい。その後、パルスレーザ光２５３は、ビームスプリッタ１０２を通過した後、結像レンズ１０３によってイメージセンサ１０４の受光面に結像されてもよい。このとき、イメージセンサ１０４は撮像状態となっていてよい。たとえば、イメージセンサ１０４がシャッタ等を備えている場合、シャッタはパルスレーザ光２５３の出力に同期してシャッタが一定時間、開となるように動作されてもよい。このようにイメージセンサ１０４は、プラズマ生成領域２５を通過したパルスレーザ光３３の像を検出するように配置されていてもよい。ビームスプリッタ１０２は、軸外放物面ミラー１０１で反射された光のうち少なくともパルスレーザ光２５３の波長を含む光の一部を透過し、他の光を反射してもよい。ビームスプリッタ１０２の透過率は、イメージセンサ１０４に入射する光量が飽和光量以下となるように調節されていてもよい。ビームスプリッタ１０２によって反射された光は、ダンパ１０５によって吸収されてもよい。

ＥＵＶ光生成制御システム５は、基準クロック生成器５１ａ、ＥＵＶ光生成点コントローラ５１、レーザ集光点制御ドライバ５２、ターゲットコントローラ５３、およびターゲット供給ドライバ５４を含んでもよい。このＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成装置１Ａ全体の動作を制御してもよい。

具体的には、基準クロック生成器５１ａは、動作基準となる基準クロックを生成してもよい。ＥＵＶ光生成点コントローラ５１は、レーザ集光点制御ドライバ５２、ターゲットコントローラ５３、およびレーザシステム３に、各種信号を入力することで、これらを動作させてもよい。レーザ集光点制御ドライバ５２には、ＥＵＶ光生成点コントローラ５１からの制御信号に基づいて、レーザ集光光学系２２０における１軸ステージ２２１ａおよび２軸傾斜ステージ２２３ａを駆動してもよい。ターゲットコントローラ５３は、ＥＵＶ光生成点コントローラ５１から入力された制御信号およびターゲットセンサ４から入力されたイメージデータに基づいて、ターゲット供給ドライバ５４に制御信号を入力してもよい。ターゲット供給ドライバ５４は、ターゲットコントローラ５３から入力された制御信号に基づいて、ドロップレット生成器２６にターゲット２７を出力させる出力信号を送信してもよい。また、ターゲット供給ドライバ５４は、ターゲットコントローラ５３から入力された制御信号に基づいて、２軸ステージ２６１を駆動してもよい。ＥＵＶ光生成点コントローラ５１からレーザシステム３には、パルスレーザ光３１の出力トリガが送信されてもよい。

４．２ 動作
つぎに、図２に示されるＥＵＶ光生成装置１Ａの動作を説明する。なお、ＥＵＶ光生成装置１Ａの動作は、ＥＵＶ光生成制御システム５によって制御され得る。そこで以下では、ＥＵＶ光生成制御システム５の動作を説明する。

ＥＵＶ光生成制御システム５は、露光装置６からＥＵＶ光生成要求信号とＥＵＶ光生成位置指定信号とを受信してもよい。ＥＵＶ光生成要求信号は、ＥＵＶ光２５２の生成開始を要求する信号であってもよい。ＥＵＶ光生成位置指定信号は、チャンバ２内部でのＥＵＶ光２５２の生成位置を指定する情報が含まれていてもよい。これらの信号を受信したＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲット供給部２６０にターゲット２７の出力信号を出力してもよい。そして、ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲット２７がプラズマ生成領域２５に到達した時にパルスレーザ光３３がターゲット２７に照射されるように、レーザシステム３にパルスレーザ光３１の出力トリガ（レーザ出力タイミング）を送信してもよい。

レーザシステム３から出力されたパルスレーザ光３１は、略平行光のパルスレーザ光３１として２枚の高反射ミラー３４１および３４２を含むビームデリバリーシステム３４を経由した後、ウィンドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。

このパルスレーザ光３１は、軸外放物面凹面ミラー２２２と高反射ミラー２２３とを備えたレーザ集光光学系２２０によって、プラズマ生成領域２５に集光するパルスレーザ光３３に変換されてもよい。このプラズマ生成領域２５には、ターゲット２７の通過タイミングに合わせるように、パルスレーザ光３３が供給されてもよい。

ターゲット２７にパルスレーザ光３３が照射されると、ターゲット２７がプラズマ化してもよい。このプラズマからは、ＥＵＶ光２５２を含む光２５１が放射されてもよい。

放射された光２５１のうちＥＵＶ光２５２は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって、中間焦点（ＩＦ）２９２に集光するように反射されてもよい。中間焦点２９２を通過したＥＵＶ光２５２は、その後、露光装置６に入射してもよい。

また、プラズマ生成領域２５を通過したパルスレーザ光３３は、軸外放物面ミラー１０１によって４５度で反射されてもよい。軸外放物面ミラー１０１は、パルスレーザ光３３を平行光であるパルスレーザ光２５３に変換してもよい。パルスレーザ光２５３は、連結穴１１０ａを経由して検出器チャンバ１１０内のビームスプリッタ１０２に入射してもよい。

ビームスプリッタ１０２は、少なくともパルスレーザ光２５３の波長を含む光の一部を透過するとともに、それ以外の光を反射してもよい。ビームスプリッタ１０２によって反射された光は、ダンパ１０５によって吸収されてもよい。

一方、ビームスプリッタ１０２を透過したパルスレーザ光２５３は、結像レンズ１０３を介して、イメージセンサ１０４に入射してもよい。これにより、プラズマ生成領域２５を通過したパルスレーザ光３３の像が、イメージセンサ１０４上に結像されてもよい。パルスレーザ光３３がターゲット２７に照射された場合、パルスレーザ光２５３の像にはターゲット２７の影が含まれてもよい。

イメージセンサ１０４によって取得されたイメージデータは、ＥＵＶ光生成制御システム５のＥＵＶ光生成点コントローラ５１に送信されてもよい。ＥＵＶ光生成点コントローラ５１はイメージデータに基づいて、レーザ集光点制御ドライバ５２と、ターゲット供給ドライバ５４に制御信号を送信してもよい。ターゲット供給ドライバ５４には、ターゲットコントローラ５３を介して制御信号が入力されてもよい。これにより、パルスレーザ光３３およびターゲット２７がＥＵＶ光生成位置指定信号によって指定されたＥＵＶ光生成位置に到達し得るように、レーザ集光光学系２２０とターゲット供給部２６０とが調整されてもよい。

具体的には、レーザ集光点制御ドライバ５２は、高反射ミラー２２３の２軸傾斜ステージ２２３ａと、１軸ステージ２２１ａとに、それぞれ駆動信号を送信してもよい。これにより、パルスレーザ光３３がＥＵＶ光生成位置を通過するように、レーザ集光光学系２２０が制御されてもよい。また、ターゲット供給ドライバ５４は、２軸ステージ２６１に駆動信号を送信してもよい。これにより、ターゲット２７がＥＵＶ光生成位置を通過するように、ターゲット供給部２６０の位置が制御されてもよい。

ＥＵＶ光生成点コントローラ５１はイメージセンサ１０４によって取得されたイメージデータに基づいて、ドロップレット生成器２６にターゲット２７を出力させる出力信号をドロップレット生成器２６に送信してもよい。この出力信号は、ターゲットコントローラ５３およびターゲット供給ドライバ５４を経由してドロップレット生成器２６に入力されてもよい。ＥＵＶ光生成点コントローラ５１はメージデータに基づいて、レーザシステム３にパルスレーザ光３１を出力させる出力トリガを送信してもよい。これにより、ターゲット２７がＥＵＶ光生成位置に到達するタイミングと略同じタイミングで、パルスレーザ光３３がＥＵＶ光生成位置に到達することが可能となってもよい。

以上の動作を繰り返すことによって、ＥＵＶ光生成位置を通過する各ターゲット２７にパルスレーザ光３３が順次照射され得る。その結果、所望のＥＵＶ光生成位置でＥＵＶ光２５２が発生するようにＥＵＶ光生成装置１Ａが制御され得る。なお、ＥＵＶ光生成位置は、上述のように露光装置コントローラ６１から指定されてもよいし、その他の装置から指定されてもよい。もしくは、ＥＵＶ光生成位置は、予め定められた固定位置であってもよい。

４．３ 作用
以上のように、プラズマ生成領域２５を通過したパルスレーザ光３３の像とターゲット２７の像とが検出されてもよい。これにより、ターゲット２７に対するパルスレーザ光３３の照射位置と、パルスレーザ光３３の集光位置との両方が、直接的に検出され得る。

また、この検出結果に基づいて、パルスレーザ光３３の集光位置とターゲット２７の通過位置とが制御可能となり得る。これによれば、ＥＵＶ光の生成位置が高精度に制御され得る。

４．４ ターゲットにレーザ光が照射された時の像
ここで、図３に、ターゲット２７にパルスレーザ光３３を照射した際の位置関係の一例を示す。また、図４に、レーザ照射像検出器１００のイメージセンサ１０４で検出されたパルスレーザ光２５３の像の一例を示す。図３において、軸Ａｂは、パルスレーザ光３３の光軸である。軸Ａｏは、基準点Ｏを通過する軸である。この軸Ａｏは、たとえばＺ軸に相当してもよい。図４において、中心位置Ｅ（Ｘｔ，Ｙｔ）は、ＥＵＶ光生成位置を示し、中心位置Ｌ（Ｘｂ，Ｙｂ）は、パルスレーザ光２５３の像Ｇ３３の中心位置（光軸Ａｂに相当）を示し、中心位置Ｔ（Ｘｄ，Ｙｄ）は、ターゲット２７の像（影）Ｇ２７の中心位置を示す。

図３に示されるように、ターゲット２７にパルスレーザ光３３が照射すると、パルスレーザ光３３が照射された側にプリプラズマ２７１が発生するとともに、反対側からターゲット物質が飛散し、フラグメント２７２が発生してもよい。また、図４に示されるように、イメージセンサ１０４は、パルスレーザ光２５３の像Ｇ３３と、ターゲット２７の像Ｇ２７とを撮像してもよい。ターゲットの像Ｇ２７はパルスレーザ光２５３によるターゲット２７の影を含んでもよい。そこで、パルスレーザ光２５３の像Ｇ３３の中心位置Ｌ（Ｘｂ，Ｙｂ）と、ターゲット２７の像Ｇ２７の中心位置Ｔ（Ｘｄ，Ｙｄ）とが、それぞれＥＵＶ光生成位置Ｅ（Ｘｔ，Ｙｔ）に近づくように、各ステージの位置およびタイミングが制御されてもよい。

４．５ 制御フロー
つぎに、図２に示されるＥＵＶ光生成装置１Ａの動作を、フローチャートを用いて詳細に説明する。なお、以下の動作は、図２の基準クロック生成器５１ａから与えられる基準クロックに基づいて実行されてもよい。以下では、説明の簡略化のため、基準クロックの周波数が、タイミング調整をしない場合の出力トリガの繰返し周波数と同等とする。

４．５．１ メインフロー
図５は、ＥＵＶ光生成制御システム５のメインフローを示す。図５に示されるように、ＥＵＶ光生成制御システム５は、起動後、まず、各種パラメータに初期値を設定するパラメータ初期設定サブルーチンを実行してもよい（ステップＳ１０１）。つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５は、たとえば露光装置コントローラ６１から指定されたＥＵＶ光生成位置を設定するＥＵＶ光生成位置設定サブルーチンを実行してもよい（ステップＳ１０２）。

つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５は、露光装置６（具体的には露光装置コントローラ６１）からＥＵＶ光の生成を要求するＥＵＶ光生成要求信号を受信するまで待機してもよい（ステップＳ１０３；ＮＯ）。ＥＵＶ光生成要求信号を受信すると（ステップＳ１０３；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光を生成するＥＵＶ光生成サブルーチン（ステップＳ１０４）、ターゲット２７を通過したパルスレーザ光３３の像を検出するレーザ照射像検出サブルーチン（ステップＳ１０５）、および実際のＥＵＶ光生成位置が許容範囲内であるか否かを判定する位置判定サブルーチン（ステップＳ１０６）を順次実行してもよい。

つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５は、位置判定サブルーチン（ステップＳ１０６）で実際のＥＵＶ光生成位置が、予め設定された、または、露光装置６などの外部から入力された許容範囲内であるか否かを判定してもよい（ステップＳ１０７）。実際のＥＵＶ光生成位置が許容範囲内である場合（ステップＳ１０７；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御システム５は、露光装置６へＥＵＶ光生成位置が正常であることを示すＥＵＶ光生成位置正常信号を送信してもよい（ステップＳ１０８）。その後、ＥＵＶ光生成制御システム５は、ステップＳ１１２へ移行してもよい。一方、実際のＥＵＶ光生成位置が許容範囲外である場合（ステップＳ１０７；ＮＯ）、ＥＵＶ光生成制御システム５は、露光装置６へＥＵＶ光生成位置が異常であることを示すＥＵＶ光生成位置異常信号を送信してもよい（ステップＳ１０９）。その後、ＥＵＶ光生成制御システム５は、ステップＳ１１０へ移行してもよい。

ステップＳ１１０では、ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲット２７の通過位置およびタイミングを制御するターゲット位置制御サブルーチンを実行してもよい。つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５は、パルスレーザ光３３の集光位置およびタイミングを制御するレーザ集光位置制御サブルーチンを実行してもよい（ステップＳ１１１）。この２つのサブルーチン（ステップＳ１１０およびＳ１１１）により、パルスレーザ光３３が指定されたＥＵＶ光生成位置でターゲット２７に照射するように、ＥＵＶ光生成装置１Ａが制御されてもよい。

その後、ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光の生成位置を制御する本動作を終了するか否かを判定してもよい（ステップＳ１１２）。動作を終了する場合（ステップＳ１１２；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御システム５は、本動作を終了してもよい。一方、動作を終了しない場合（ステップＳ１１２；ＮＯ）、ＥＵＶ光生成制御システム５は、ステップＳ１０２へ帰還して、以降の動作を繰り返してもよい。

４．５．２ パラメータ初期設定サブルーチン
つぎに、図５のステップＳ１０１に示されるパラメータ初期設定サブルーチンが、図６を用いて詳細に説明される。図６に示されるように、パラメータ初期設定サブルーチンでは、ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成位置の初期値Ｅ（Ｘｔ０、Ｙｔ０）を読み込んでもよい（ステップＳ１２１）。この初期値Ｅ（Ｘｔ０，Ｙｔ０）は、たとえば不図示のメモリ等に記憶されていてもよい。

つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５は、ドロップレット生成器２６に入力する出力信号の基準クロックからの遅延時間Ｄｄに初期値Ｄｄ０を設定してもよい（ステップＳ１２２）。この初期値Ｄｄ０は、たとえば不図示のメモリ等に記憶されていてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲット２７の所定位置通過タイミングに対するパルスレーザ光３１の出力トリガの遅延時間Ｌｄに初期値Ｌｄ０を設定してもよい（ステップＳ１２３）。この初期値Ｌｄ０は、たとえば不図示のメモリ等に記憶されていてもよい。なお、遅延時間Ｌｄとは、たとえばターゲットセンサ４からターゲット２７の通過信号が出力されてから、ＥＵＶ光生成位置上でターゲット２７にパルスレーザ光３３を照射するのに必要となる出力トリガの遅延時間であってよい。

つづいて、ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲット供給部２６０の２軸ステージ２６１やレーザ集光光学系２２０の１軸ステージ２２１ａなどの各種アクチュエータを駆動する際のパラメータとして、比例定数ｋを読み込んでもよい（ステップＳ１２４）。この比例定数ｋは、たとえば不図示のメモリ等に記憶されていてもよいし、露光装置６などの外部装置から与えられてもよい。

その後、ＥＵＶ光生成制御システム５は、実際のＥＵＶ光生成位置に対する許容範囲を読み込んでもよい（ステップＳ１２５）。その後、ＥＵＶ光生成制御システム５は、図５に示される動作へリターンしてもよい。なお、許容範囲には、パルスレーザ光３３の光軸に対する許容範囲Ｌｔｒと、ターゲット２７の通過位置に対する許容範囲Ｌｂｒとが含まれていてもよい。

４．５．３ ＥＵＶ光生成位置設定サブルーチン
つぎに、図５のステップＳ１０２に示されるＥＵＶ光生成位置設定サブルーチンが、図７を用いて詳細に説明される。図７に示されるように、ＥＵＶ光生成位置設定サブルーチンでは、ＥＵＶ光生成制御システム５は、露光装置６から目標とするＥＵＶ光生成位置Ｅの再設定データΔＥｓを受信したか否かを判定してもよい（ステップＳ１３１）。この再設定データΔＥｓは、たとえば露光装置６においてＥＵＶ光生成装置１に対して要求するＥＵＶ光生成位置Ｅが変更された際に、露光装置コントローラ６１からＥＵＶ光生成制御システム５に送信されてもよい。また、本例では、再設定データΔＥが現在要求しているＥＵＶ光生成位置Ｅ（Ｘｔ，Ｙｔ）からのずれ量（ΔＸｓ，ΔＹｓ）であるとするが、これに限られない。再設定データΔＥは、新たなＥＵＶ光生成位置（座標）であってもよい。

ステップＳ１３１の判定の結果、再設定データΔＥｓを受信していない場合（ステップＳ１３１；ＮＯ）、ＥＵＶ光生成制御システム５は、そのまま図５に示される動作へリターンしてもよい。一方、再設定データΔＥｓを受信していた場合（ステップＳ１３１；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御システム５は、この再設定データΔＥｓ（ΔＸｓ，ΔＹｓ）を読み込んでもよい（ステップＳ１３２）。つづいて、ＥＵＶ光生成制御システム５は、現在のＥＵＶ光生成位置Ｅ（Ｘｔ，Ｙｔ）に対して再設定データΔＥｓ（ΔＸｓ，ΔＹｓ）を加算することで、新たなＥＵＶ光生成位置Ｅ（Ｘｔ，Ｙｔ）を算出してもよい（ステップＳ１３３）。これにより、目標とするＥＵＶ光生成位置Ｅが更新されてもよい。その後、ＥＵＶ光生成制御システム５は、図５に示される動作へリターンしてもよい。

４．５．４ ＥＵＶ光生成サブルーチン
つぎに、図５のステップＳ１０４に示されるＥＵＶ光生成サブルーチンが、図８を用いて詳細に説明される。図８に示されるように、ＥＵＶ光生成サブルーチンでは、ＥＵＶ光生成制御システム５は、基準クロックを受信するまで待機してもよい（ステップＳ１４１；ＮＯ）。基準クロックを受信すると（ステップＳ１４１；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御システム５は、不図示のタイマＴをリセットしてもよい（ステップＳ１４２）。

つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５は、タイマＴのカウント値Ｔが遅延時間Ｄｄ以上となるまで待機してもよい（ステップＳ１４３；ＮＯ）。カウント値Ｔが遅延時間Ｄｄ以上となると（ステップＳ１４３；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲット供給部２６０にターゲット２７を出力させる出力信号を送信してもよい（ステップＳ１４４）。

その後、ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲットセンサ４からターゲット２７が所定の位置を通過したことを示す通過信号を受信するまで待機してもよい（ステップＳ１４５；ＮＯ）。通過信号を受信すると（ステップＳ１４５；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御システム５は、タイマＴをリセットしてもよい（ステップＳ１４６）。つづいて、ＥＵＶ光生成制御システム５は、タイマＴのカウント値Ｔが遅延時間Ｌｄ以上となるまで待機してもよい（ステップＳ１４７；ＮＯ）。遅延時間Ｌｄ以上となると（ステップＳ１４７；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御システム５は、レーザシステム３に１パルス分の出力トリガを送信してもよい（ステップＳ１４８）。その後、ＥＵＶ光生成制御システム５は、図５に示される動作へリターンしてもよい。これにより、ターゲット２７のＥＵＶ光生成位置通過タイミングに合わせてパルスレーザ光３３がＥＵＶ光生成位置に集光するように、ＥＵＶ光生成装置１Ａが動作してもよい。

４．５．５ レーザ照射像検出サブルーチン
つぎに、図５のステップＳ１０５に示されるレーザ照射像検出サブルーチンが、図９を用いて詳細に説明される。図９に示されるように、レーザ照射像検出サブルーチンでは、ＥＵＶ光生成制御システム５は、レーザ照射像検出器１００のイメージセンサ１０４から、ＥＵＶ光生成位置通過後のパルスレーザ光３３のイメージデータ（像データ）を取得してもよい（ステップＳ１５１）。つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５は、取得したイメージデータに含まれるターゲット２７の像（影）Ｇ２７と、パルスレーザ光２５３の像Ｇ３３とを検出してもよい（ステップＳ１５２）。つづいて、ＥＵＶ光生成制御システム５は、検出した像（影）Ｇ２７の中心位置Ｔ（Ｘｄ，Ｙｄ）および検出した像Ｇ３３の中心位置Ｂ（Ｘｂ，Ｙｂ）をそれぞれ検出してもよい（ステップＳ１５３）。その後、ＥＵＶ光生成制御システム５は、図５に示される動作へリターンしてもよい。

４．５．６ 位置判定サブルーチン
つぎに、図５のステップＳ１０６に示される位置判定サブルーチンが、図１０を用いて詳細に説明される。図１０に示されるように、位置判定サブルーチンでは、ＥＵＶ光生成制御システム５は、まず、ＥＵＶ光生成位置Ｅとターゲット２７の位置（たとえば中心位置Ｔ（Ｘｄ，Ｙｄ））との距離Ｌｔを算出してもよい（ステップＳ１６１）。距離Ｌｔは、ＥＵＶ光生成位置Ｅに対するターゲット２７の座標差ΔＴ（ΔＸｄ，ΔＹｄ）を算出することで求められてもよい。座標差ΔＴ（ΔＸｄ，ΔＹｄ）は、たとえば目標とするＥＵＶ光生成位置Ｅ（Ｘｔ，Ｙｔ）とターゲット２７の位置（たとえば中心位置Ｔ（Ｘｄ，Ｙｄ））とから求めることができる。算出した座標差ΔＴおよび距離Ｌｔは、たとえば不図示のメモリ等に保存されてもよい。なお、ここでは、Ｚ方向のずれは考慮しないものとしてもよい。ただし、Ｚ方向のずれを考慮する場合は、イメージデータにおけるターゲット２７の像Ｇ２７の大きさを用いるとよい。

また、ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成位置Ｅとパルスレーザ光３３の位置（たとえば中心位置Ｌ（Ｘｂ，Ｙｂ））との距離Ｌｂを算出してもよい（ステップＳ１６２）。距離Ｌｂは、ＥＵＶ光生成位置Ｅに対するパルスレーザ光３３の座標差ΔＢ（ΔＸｂ，ΔＹｂ）を算出することで求められてもよい。座標差ΔＢ（ΔＸｂ，ΔＹｂ）は、たとえば目標とするＥＵＶ光生成位置Ｅ（Ｘｔ，Ｙｔ）とパルスレーザ光３３の位置（たとえば中心位置Ｌ（Ｘｂ，Ｙｂ））とから求めることができる。算出した座標差ΔＢおよび距離Ｌｂは、たとえば不図示のメモリ等に保存されてもよい。なお、ここでは、Ｚ方向のずれ、すなわち焦点位置のＺ方向のずれは考慮しないものとしてもよい。ただし、Ｚ方向のずれを考慮する場合は、イメージデータにおけるパルスレーザ光３３の像Ｇ３３の大きさを用いるとよい。

つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５は、距離ＬｔおよびＬｂが、それぞれ許容範囲ＬｔｒおよびＬｂｒ内であるか否かを判定してもよい（ステップＳ１６３）。許容範囲内である場合（ステップＳ１６３；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御システム５は、たとえば不図示のメモリ内に設けた位置正常フラグに正常であることを示す“ｔｒｕｅ”をセットしてもよい（ステップＳ１６４）。その後、ＥＵＶ光生成制御システム５は、図５に示される動作へリターンしてもよい。一方、許容範囲外である場合（ステップＳ１６３；ＮＯ）、ＥＵＶ光生成制御システム５は、位置正常フラグに異常であることを示す“ｆａｌｓｅ”をセットしてもよい（ステップＳ１６５）。その後、ＥＵＶ光生成制御システム５は、図５に示される動作へリターンしてもよい。図５のステップＳ１０７では、この位置正常フラグを用いて判定が実行されてもよい。

４．５．７ ターゲット位置制御サブルーチン
つぎに、図５のステップＳ１１０に示されるターゲット位置制御サブルーチンが、図１１を用いて詳細に説明される。図１１に示されるように、ターゲット位置制御サブルーチンでは、ＥＵＶ光生成制御システム５は、図１０のステップＳ１６１で取得した座標差ΔＴ（ΔＸｄ，ΔＹｄ）を読み込んでもよい（ステップＳ１７１）。つづいて、ＥＵＶ光生成制御システム５は、この座標差ΔＴに基づいて、ターゲット供給部２６０にターゲット２７を出力させる出力信号の遅延時間Ｄｄをｋ・ΔＸｄ分、調整してもよい（Ｄｄ＝Ｄｄ＋ｋ・ΔＸｄ）（ステップＳ１７２）。つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲット供給部２６０の２軸ステージ２６１をＹ方向にＹ調整量ΔＹｄ分、移動させてもよい（ステップＳ１７３）。これにより、ターゲット２７とパルスレーザ光３１が所定のタイミングで目標とするＥＵＶ光生成位置Ｅに到達するように制御されてもよい。その後、ＥＵＶ光生成制御システム５は、図５に示される動作へリターンしてもよい。

４．５．７．１ ターゲット位置制御サブルーチンの変形例
また、図５のステップＳ１１０に示されるターゲット位置制御サブルーチンは、図１２に示されるようにも変形することができる。図１２に示されるように、変形例によるターゲット位置制御サブルーチンでは、ＥＵＶ光生成制御システム５は、図１０のステップＳ１６１で取得した座標差ΔＴ（ΔＸｄ，ΔＹｄ）を読み込んでもよい（ステップＳ１７５）。つづいて、ＥＵＶ光生成制御システム５は、この座標差ΔＴに基づいて、レーザシステム３にパルスレーザ光３１を出力させる出力トリガの遅延時間ＬｄをＸ調整量ｋ・ΔＸｄ分、調整してもよい（Ｌｄ＝Ｌｄ＋ｋ・ΔＸｄ）（ステップＳ１７６）。つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲット供給部２６０の２軸ステージ２６１をＹ方向にＹ調整量ΔＹｄ分、移動させてもよい（ステップＳ１７７）。このように、パルスレーザ光３１の出力タイミングを制御して所定のタイミングをシフトすることによっても、ターゲット２７とパルスレーザ光３１が所定のタイミングで目標とするＥＵＶ光生成位置Ｅに到達するように制御することができてもよい。その後、ＥＵＶ光生成制御システム５は、図５に示される動作へリターンしてもよい。

４．５．８ レーザ集光位置制御サブルーチン
つぎに、図５のステップＳ１１１に示されるレーザ集光位置制御サブルーチンが、図１３を用いて詳細に説明される。図１３に示されるように、レーザ集光位置制御サブルーチンでは、ＥＵＶ光生成制御システム５は、図１０のステップＳ１６２で取得した座標差ΔＢ（ΔＸｂ，ΔＹｂ）を読み込んでもよい（ステップＳ１８１）。つづいて、ＥＵＶ光生成制御システム５は、この座標差ΔＢに基づいて、レーザ集光光学系２２０の高反射ミラー２２３のＸ方向およびＹ方向の角度変化量ΔθｘおよびΔθｙそれぞれを計算してもよい（Δθｘ＝ｆ（ΔＸｂ）、Δθｙ＝ｆ（ΔＹｂ））（ステップＳ１８２）。つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５は、高反射ミラー２２３を保持する２軸傾斜ステージ２２３ａをΔθｘおよびΔθｙ変化させる制御信号を送信してもよい（ステップＳ１８３）。これにより、パルスレーザ光３３が所定のタイミングで目標とするＥＵＶ光生成位置Ｅを通過するように制御されてもよい。その後、ＥＵＶ光生成制御システム５は、図５に示される動作へリターンしてもよい。なお、パルスレーザ光３３の焦点位置も制御する場合は、レーザ集光光学系２２０の１軸ステージ２２１ａを移動させるように制御してもよい。

以上のように、ＥＵＶ光生成位置を通過したパルスレーザ光２５３の像検出結果に基づいて、パルスレーザ光３３の集光位置とターゲット２７の通過位置とを制御することで、高精度にＥＵＶ光の生成位置を制御してもよい。

５．ドロプレットにプリパルスとメインパルスレーザ光が照射された時の像検出器を含むＥＵＶ光生成装置
つぎに、ターゲットを複数回レーザ照射する多段レーザ照射方式のＥＵＶ光生成装置１Ｂを、図面を用いて詳細に説明する。図１４は、多段レーザ照射方式のＥＵＶ光生成装置１Ｂの概略構成を示す模式図である。なお、図２に示されるＥＵＶ光生成装置１Ａと同様の構成については、同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。

５．１ 構成
図１４に示されるＥＵＶ光生成装置１Ｂは、図２に示されるＥＵＶ光生成装置１Ａと同様の構成を備えてもよい。ただし、ＥＵＶ光生成装置１Ｂは、以下の点で、ＥＵＶ光生成装置１Ａと異なる構成を備えてもよい。

ＥＵＶ光生成装置１Ｂでは、レーザシステム３がレーザシステム３Ｂに置き換えられていてもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１Ｂでは、ビームデリバリーシステム３４がビームデリバリーシステム３４Ｂに置き換えられていてもよい。

レーザシステム３Ｂは、パルスレーザ光（以下、これをメインパルスレーザ光という）３１を出力するメインパルスレーザ装置ＭＬと、プリパルスレーザ光４１を出力するプリパルスレーザ装置ＰＬとを含んでもよい。ビームデリバリーシステム３４Ｂは、ビームコンバイナ３４１Ｂと、高反射ミラー３４２および３４３とを含んでもよい。ＥＵＶ光生成点コントローラ５１は、メインパルスレーザ装置ＭＬとプリパルスレーザ装置ＰＬとにそれぞれ接続していてもよい。

高反射ミラー３４３の反射面には、プリパルスレーザ光４１を高反射する膜がコートされていてもよい。ビームコンバイナ３４１Ｂのメインパルスレーザ光３１が入射する面には、プリパルスレーザ光４１を高透過させる膜がコートされていてもよい。ビームコンバイナ３４１Ｂの他方の面には、プリパルスレーザ光４１を高透過し、メインパルスレーザ光３１を高反射する膜がコートされていてもよい。

プリパルスレーザ装置ＰＬから出力されたプリパルスレーザ光４１は、高反射ミラー３４３で反射されてもよい。反射されたプリパルスレーザ光４１は、ビームコンバイナ３４１Ｂに入射してもよい。メインパルスレーザ装置ＭＬから出力されたメインパルスレーザ光３１は、ビームコンバイナ３４１Ｂに、プリパルスレーザ光４１とは反対側の面から入射してもよい。ビームコンバイナ３４１Ｂは、たとえばダイクロイックミラーなどで構成されてもよい。このビームコンバイナ３４１Ｂは、メインパルスレーザ光３１を高反射してもよく、プリパルスレーザ光４１を高透過してもよい。ビームコンバイナ３４１Ｂは、反射したメインパルスレーザ光３１の光路と透過したプリパルスレーザ光４１の光路とが重なるように配置されてもよい。これにより、ビームコンバイナ３４１Ｂは、メインパルスレーザ光３１の光路とプリパルスレーザ光４１の光路とを重ね合わせる光路調整部として機能し得る。ビームコンバイナ３４１Ｂを透過したプリパルスレーザ光４１は、その後、レーザ集光光学系２２０を通過することで、プリパルスレーザ光４３としてＥＵＶ光生成位置に集光されてもよい。

５．２ 動作
つづいて、図１４に示されるＥＵＶ光生成装置１Ｂの動作を説明する。なお、ＥＵＶ光生成装置１Ｂの動作は、ＥＵＶ光生成制御システム５によって制御されるため、以下では、ＥＵＶ光生成制御システム５の動作を説明する。

ＥＵＶ光生成制御システム５は、露光装置６からＥＵＶ光生成要求信号とＥＵＶ光生成位置指定信号とを受信すると、ターゲット供給部２６０にターゲット２７の出力信号を出力してもよい。そして、ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲット２７がプラズマ生成領域２５に到達した時にプリパルスレーザ光４３がターゲット２７に照射されるように、プリパルスレーザ装置ＰＬにプリパルスレーザ光４１の出力トリガ（レーザ出力タイミング）を送信してもよい。

そして、ＥＵＶ光生成制御システム５は、プリパルスレーザ光４３の照射によってターゲット２７がある程度拡散した後に、この発生した拡散ターゲットにメインパルスレーザ光３３が照射されるように、メインパルスレーザ装置ＭＬに出力トリガ（レーザ出力タイミング）を送信してもよい。ターゲット２７がある程度拡散したか否かは、プリパルスレーザ光４１へ出力トリガを送信したタイミングから所定の遅延時間経過したか否かに基づいて判定されてもよい。

プリパルスレーザ光４１は、ビームデリバリーシステム３４Ｂを経由してもよい。具体的には、プリパルスレーザ光４１は、ビームデリバリーシステム３４Ｂの高反射ミラー３４３により高反射されてよく、ビームコンバイナ３４１Ｂを透過してよく、高反射ミラー３４２により反射されてもよい。その後、プリパルスレーザ光４１は、チャンバ２のウィンドウ２１を透過してチャンバ２内に進入してもよい。

このプリパルスレーザ光４１は、軸外放物面凹面ミラー２２２と高反射ミラー２２３とを備えたレーザ集光光学系２２０によって、プラズマ生成領域２５に集光するプリパルスレーザ光４３に変換されてもよい。このプラズマ生成領域２５には、プリパルスレーザ光４３の通過タイミングに合わせるように、ターゲット２７が供給されてもよい。

ターゲット２７にプリパルスレーザ光４３が照射されると、ターゲット２７が飛散して拡散ターゲットが生成されてもよい。この拡散ターゲットにメインパルスレーザ光３が照射されることで、高効率にターゲット物質がプラズマ化されてもよい。それにより、ＥＵＶ光のエネルギー変換効率ＣＥが向上し得る。

メインパルスレーザ光３３は、たとえばプリパルスレーザ光４３と同一光路で拡散ターゲットに照射されてもよい。拡散ターゲットは微粒子等によって構成され得る。そのため、メインパルスレーザ光３３の一部は、これら微粒子のいずれにも照射されずに拡散ターゲットを通過し得る。拡散ターゲットを通過したメインパルスレーザ光３３は、軸外放物面ミラー１０１によって４５度で反射されてもよい。この際、メインパルスレーザ光３３は、平行光であるメインパルスレーザ光２５３にコリメートされてもよい。レーザ照射像検出器１００は、この拡散ターゲットを通過したメインパルスレーザ光２５３の像を検出してもよい。メインパルスレーザ光３３が拡散ターゲットに照射された場合、メインパルスレーザ光２５３の像には拡散ターゲットの影が含まれ得る。メインパルスレーザ光３３の光路は、ターゲット２７に対する拡散ターゲットの発生位置、およびプリパルスレーザ光４３の照射からメインパルスレーザ光３３の照射までの時間に拡散ターゲットがドリフトする距離等を考慮して、プリパルスレーザ光４３の光路からずれた光路に設定されてもよい。

ＥＵＶ光生成点コントローラ５１は、レーザ集光点制御ドライバ５２とターゲット供給ドライバ５４とに制御信号を送信してもよい。これにより、露光装置コントローラ６１から受信したＥＵＶ光生成位置指定信号で指定されたＥＵＶ光生成位置でメインパルスレーザ光３３が拡散ターゲットに照射されるように、ターゲット供給部２６０およびレーザ集光光学系２２０が制御されてもよい。

その他の構成および動作は、図２に示されるＥＵＶ光生成装置１Ａと同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。

５．３ 作用
以上のように、拡散ターゲットを通過したメインパルスレーザ光３３の像を検出することによって、拡散ターゲットに対するメインパルスレーザ光３３の照射位置と、メインパルスレーザ光３３の集光位置との両方を、直接的に検出することができてもよい。

また、この検出結果に基づいて、プリパルスレーザ光４３およびメインパルスレーザ光３３の集光位置とターゲット２７の通過位置とが制御可能であってもよい。それによれば、ＥＵＶ光の生成位置が高精度に制御され得る。

５．４ ターゲットにメインパルスレーザ光が照射された時の像
拡散ターゲットにメインパルスレーザ光を照射する場合の一例として、フラグメントにメインパルスレーザ光を照射する場合を説明する。図１５に、ターゲット２７にプリパルスレーザ光４３を照射することで生成したフラグメント３７２とメインパルスレーザ光３３との位置関係の一例を示す。また、図１６に、レーザ照射像検出器１００のイメージセンサ１０４で検出されたメインパルスレーザ光２５３の像を示す。図１５において、破線４３１は、プリパルスレーザ光４３のビーム断面における光強度分布を示す。破線４３１から分かるように、本例で使用するプリパルスレーザ光４３は、ビーム断面の各位置における光強度が略等しい、いわゆるトップハット型の光強度分布を持ってもよい。以下、このような光強度分布を持つプリパルスレーザ光を、トップハットプリパルスレーザ光４３Ｔという。

図１５に示されるように、ターゲット２７にトップハットプリパルスレーザ光４３Ｔが照射されると、ターゲット２７が飛散してもよい。この結果、トップハットプリパルスレーザ光４３Ｔの照射側とは反対側に、ターゲット物質が飛散したフラグメント３７２が生成され得る。図１６に示されるように、フラグメント３７２は略円盤状に形成されてもよい。トップハットプリパルスレーザ光４３Ｔのようにビーム断面の光強度分布が略均一の場合、イメージセンサ１０４で検出された像においては、円盤状フラグメントの中心位置Ｔ（Ｘｓ、Ｙｓ）は、ターゲット２７の中心位置Ｔ（Ｘｄ，Ｙｄ）と略一致し得る。この理由を図１７〜図１９によって説明する。図１７〜図１９では、光軸Ａｂと平行かつ、ターゲット２７の中心を通る中心線Ａｄがトップハットプリパルスレーザ光４３Ｔの光軸Ａｂからずれた場合を例示する。また、トップハット型の光強度分布をもつトップハットプリパルスレーザ光４３Ｔの光束内にターゲット２７全体が位置しているとする。このとき、ターゲット２７が光束内に位置するかぎり、ターゲット２７表面においてレーザ光が照射される部位はほぼ同一の部位であり得る。つまり、ターゲット２７表面における入熱範囲および入熱分布はほぼ一定となり得る。この入熱条件が一定であればフラグメント３７２の飛散方向はトップハットプリパルスレーザ光４３Ｔの入射方向に対してほぼ平行となり得る。結果として、光軸Ａｂと平行かつ、フラグメント３７２の中心を通る中心線は、中心線Ａｄと略一致し得る。なお、図１７は、ターゲット２７がトップハットプリパルスレーザ光４３Ｔの光軸Ａｂに対して＋Ｘ方向にΔＸずれた場合を示す。図１８は、トップハットプリパルスレーザ光４３Ｔの光軸Ａｂがターゲット２７の中心を通る場合を示す。図１９は、ターゲット２７がトップハットプリパルスレーザ光４３Ｔの光軸Ａｂに対して−Ｘ方向にΔＸずれた場合を示す。図１７〜図１９に示されるように、レーザ光軸と同軸の方向から観測する場合、フラグメント中心位置Ｔ（Ｘｓ、Ｙｓ）とターゲット中心位置Ｔ（Ｘｄ，Ｙｄ）とは略一致して検出され得る。

イメージセンサ１０４で検出された像を解析することで、目標とするＥＵＶ光生成位置Ｅ（Ｘｔ，Ｙｔ）とメインパルスレーザ光３３の中心位置Ｌｍ（Ｘｂ，Ｙｂ）との座標差ΔＢが求められてもよい。トップハットプリパルスレーザ光４３Ｔ（およびメインパルスレーザ光３３）の中心位置は、求められた結果に基づいて制御されてもよい。もしくは、目標とするＥＵＶ光生成位置Ｅ（Ｘｔ，Ｙｔ）とフラグメント３７２の中心位置Ｔ（Ｘｓ，Ｙｓ）との座標差ΔＴを求めて、その結果に基づいてターゲット２７の中心位置が制御されてもよい。

一方、図２０〜図２２に示の破線４３２に示されるように、プリパルスレーザ光４３Ｇの強度分布がガウシアン形状である場合、発生したフラグメント３７２の中心位置Ｔ（Ｘｓ、Ｙｓ）は、ターゲット２７の中心位置Ｔ（Ｘｄ，Ｙｄ）とプリパルスレーザ光４３Ｇの中心位置Ｌｐ（Ｘｂ，Ｙｂ）との関係によって変化する場合がある。すなわち、フラグメント３７２は、プリパルスレーザ光４３Ｇの中心位置Ｌｐ（Ｘｂ，Ｙｂ）に対してターゲット２７の中心位置Ｔ（Ｘｄ，Ｙｄ）が変位している方向に発生し得る。この方向は、プレパルスレーザ光４３Ｇのターゲット２７への入射方向と平行ではない場合がある。なお、図２０は、ターゲット２７がプリパルスレーザ光４３Ｇの光軸Ａｂに対して＋Ｘ方向にΔＸずれた場合を示す。図２１は、プリパルスレーザ光４３Ｇの光軸Ａｂがターゲット２７の中心を通る場合を示す。図２２は、ターゲット２７がプリパルスレーザ光４３Ｇの光軸Ａｂに対して−Ｘ方向にΔＸずれた場合を示す。プリパルスレーザ光４３Ｇの強度分布がガウシアン形状である場合は、目標とするＥＵＶ光生成位置Ｅ（Ｘｔ，Ｙｔ）とメインパルスレーザ光３３の中心位置Ｌｍ（Ｘｂ，Ｙｂ）との座標差ΔＢに対して、上記変位分が考慮されるとよい。トップハットプリパルスレーザ光４３Ｔ（およびメインパルスレーザ光３３）の中心位置またはターゲット２７の中心位置は、上記変位分が考慮された座標差に基づいて制御されるとよい。

５．５ 制御フロー
つぎに、図１４に示されるＥＵＶ光生成装置１Ｂの動作を、図面を用いて詳細に説明する。ＥＵＶ光生成装置１Ｂの動作は、図５〜図１３に示されるＥＵＶ光生成装置１Ａの動作と略同様であってよい。ただし、図６に示されるパラメータ初期設定サブルーチン（図５のステップＳ１０１）は、図２３に示されるパラメータ初期設定サブルーチンに置き換えられてもよい。また、図８に示されるＥＵＶ光生成サブルーチン（図５のステップＳ１０４）は、図２４に示されるＥＵＶ光生成サブルーチンに置き換えられてもよい。

５．５．１ パラメータ初期設定サブルーチン
図２３に示されるように、本例によるパラメータ初期設定サブルーチンでは、ＥＵＶ光生成制御システム５は、ＥＵＶ光生成位置の初期値Ｅ（Ｘｔ０、Ｙｔ０）を読み込んでもよい（ステップＳ２２１）。この初期値Ｅ（Ｘｔ０，Ｙｔ０）は、たとえば不図示のメモリ等に記憶されていてもよい。

つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５は、ドロップレット生成器２６に入力する出力信号の基準クロックからの遅延時間Ｄｄに初期値Ｄｄ０を設定してもよい（ステップＳ２２２）。この初期値Ｄｄ０は、たとえば不図示のメモリ等に記憶されていてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲット２７の所定位置通過タイミングに対するプリパルスレーザ光４１の出力トリガの遅延時間Ｌｄｐに初期値Ｌｄｐ０を設定してもよい（ステップＳ２２３）。また、ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲット２７の所定位置通過タイミングに対するメインパルスレーザ光３１の出力トリガの遅延時間Ｌｄｍに初期値Ｌｄｍ０を設定してもよい（ステップＳ２２４）。この初期値Ｌｄｐ０およびＬｄｍ０は、たとえば不図示のメモリ等に記憶されていてもよい。なお、遅延時間Ｌｄｐとは、たとえばターゲットセンサ４からターゲット２７の所定位置通過を検出した信号が出力されてから、ＥＵＶ光生成位置上でターゲット２７にプリパルスレーザ光４３を照射するまでに必要となる出力トリガの遅延時間であってよい。また、遅延時間Ｌｄｍとは、プリパルスレーザ光４３に対するメインパルスレーザ光３３の照射タイミングの遅延時間であってよい。

つづいて、ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲット供給部２６０の２軸ステージ２６１やレーザ集光光学系２２０の１軸ステージ２２１ａなどの各種アクチュエータを駆動する際のパラメータとして、比例定数ｋを読み込んでもよい（ステップＳ２２５）。この比例定数ｋは、たとえば不図示のメモリ等に記憶されていてもよいし、露光装置６などの外部装置から与えられてもよい。

その後、ＥＵＶ光生成制御システム５は、実際のＥＵＶ光生成位置に対する許容範囲を読み込んでよい（ステップＳ２２６）。その後、ＥＵＶ光生成制御システム５は、図５に示される動作へリターンしてもよい。なお、許容範囲には、メインパルスレーザ光３３およびプリパルスレーザ光４１の光軸に対する許容範囲Ｌｔｒと、ターゲット２７の通過位置に対する許容範囲Ｌｂｒとが含まれていてもよい。

５．５．２ ＥＵＶ光生成サブルーチン
また、図２４に示されるように、本例によるＥＵＶ光生成サブルーチンでは、ＥＵＶ光生成制御システム５は、基準クロックを受信するまで待機してもよい（ステップＳ２４１；ＮＯ）。基準クロックを受信すると（ステップＳ２４１；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御システム５は、不図示のタイマＴをリセットしてもよい（ステップＳ２４２）。

つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５は、タイマＴのカウント値Ｔが遅延時間Ｄｄ以上となるまで待機してもよい（ステップＳ２４３；ＮＯ）。遅延時間Ｄｄ以上となると（ステップＳ２４３；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲット供給部２６０にターゲット２７を出力させる出力信号を送信してもよい（ステップＳ２４４）。

その後、ＥＵＶ光生成制御システム５は、ターゲットセンサ４からターゲット２７が所定の位置を通過したことを示す通過信号を受信するまで待機してよい（ステップＳ２４５；ＮＯ）。通過信号を受信すると（ステップＳ２４５；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御システム５は、タイマＴをリセットしてもよい（ステップＳ２４６）。つづいて、ＥＵＶ光生成制御システム５は、タイマＴのカウント値Ｔがプリパルスレーザ光４１の遅延時間Ｌｄｐ以上となるまで待機してよい（ステップＳ２４７；ＮＯ）。遅延時間Ｌｄｐ以上となると（ステップＳ２４７；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御システム５は、プリパルスレーザ装置ＰＬに１パルス分の出力トリガを送信してもよい（ステップＳ２４８）。

つぎに、ＥＵＶ光生成制御システム５は、タイマＴのカウント値Ｔがメインパルスレーザ光３１の遅延時間Ｌｄｍ以上となるまで待機してよい（ステップＳ２４９；ＮＯ）。カウント値Ｔが遅延時間Ｌｄｍ以上となると（ステップＳ２４９；ＹＥＳ）、ＥＵＶ光生成制御システム５は、メインパルスレーザ装置ＭＬに１パルス分の出力トリガを送信してよい（ステップＳ２５０）。その後、ＥＵＶ光生成制御システム５は、図５に示される動作へリターンしてもよい。これにより、ターゲット２７のＥＵＶ光生成位置通過タイミングに合わせて、プリパルスレーザ光４３とメインパルスレーザ光３３とが順次、適切なタイミングでプリパルスレーザ光４３またはメインパルスレーザ光３３を出力するように動作してもよい。

以上のように、ＥＵＶ光生成位置を通過したパルスレーザ光２５３の像検出結果に基づいて、プリパルスレーザ光４３およびメインパルスレーザ光３３の集光位置とターゲット２７の通過位置とが制御されてもよい。それによれば、ＥＵＶ光の生成位置が高精度に制御され得る。

６．ビームデリバリーシステムにレーザの集光点のアクチュエータを含むＥＵＶ光生成装置
つぎに、メインパルスレーザ光３３またはプリパルスレーザ光４３の焦点位置を制御するＺ方向レーザ集光点調節器３４５がビームデリバリーシステム３４Ｃ内に設けられた場合のＥＵＶ光生成装置１Ｃを、図面を用いて詳細に説明する。図２５は、ビームデリバリーシステム３４Ｃを備えたＥＵＶ光生成装置１Ｃの概略構成を示す模式図である。なお、図２または図１４に示されるＥＵＶ光生成装置１Ａまたは１Ｂと同様の構成については、同一の符号を付し、その重複する説明を省略する。

６．１ 構成
図２５に示されるＥＵＶ光生成装置１Ｃは、図１４に示されるＥＵＶ光生成装置１Ｂと同様の構成を備えてもよい。ただし、ＥＵＶ光生成装置１Ｃは、以下の点で、ＥＵＶ光生成装置１Ｂと異なる構成を備えてもよい。

ＥＵＶ光生成装置１Ｃでは、ビームデリバリーシステム３４Ｂがビームデリバリーシステム３４Ｃに置き換えられていてもよい。また、ＥＵＶ光生成装置１Ｃでは、レーザ集光光学系２２０がレーザ集光光学系２２０Ｃに置き換えられていてもよい。

ビームデリバリーシステム３４Ｃは、ビームデリバリーシステム３４Ｂと同様の構成を備えてもよい。ただし、ビームデリバリーシステム３４Ｃでは、高反射ミラー３４２が２軸傾斜ステージ３４２ａによって保持されていてもよい。なお、高反射ミラー３４２および２軸傾斜ステージ３４２ａはチャンバ２内に配置されてもよい。

また、ビームデリバリーシステム３４Ｃでは、高反射ミラー３４３とビームコンバイナ３４１Ｂとの間に、トップハット機構３４４が設けられていてもよい。トップハット機構３４４は、プリパルスレーザ装置ＰＬと高反射ミラー３４３との間に設けられていてもよい。なお、プリパルスレーザ装置ＰＬがビーム断面における強度分布がトップハット形状のプリパルスレーザ光４１を出力する場合は、トップハット機構３４４が省略されてもよい。ビームデリバリーシステム３４Ｃでは、ビームコンバイナ３４１Ｂと高反射ミラー３４２との間に、Ｚ方向レーザ集光点調節器３４５が設けられていてもよい。

６．２ 動作
ビームデリバリーシステム３４Ｃの高反射ミラー３４２を保持する２軸傾斜ステージ３４２ａは、レーザ集光点制御ドライバ５２からの制御の下で駆動してもよい。これにより、２軸傾斜ステージ３４２ａは、図１４のレーザ集光光学系２２０における高反射ミラー２２３および２軸傾斜ステージ２２３ａと同様の機能を果たしてもよい。その場合、図２５に示される例では、レーザ集光光学系２２０Ｃがサブチャンバ２ｂまたは間仕切りプレート２０１に固定されていてもよい。

トップハット機構３４４は、プリパルスレーザ光４１のビーム断面における強度分布をトップハット形状に変換してもよい。Ｚ方向レーザ集光点調節器３４５は、メインパルスレーザ光３１およびプリパルスレーザ光４１のダイバージェンスを調節することで、メインパルスレーザ光３３およびプリパルスレーザ光４３の集光点をＺ方向に移動させることが可能であってよい。

レーザ集光光学系２２０Ｃは、軸外放物面凸面ミラー２２４と、軸外放物面凹面ミラー２２５とを含んでもよい。軸外放物面凸面ミラー２２４は、ウィンドウ２１を介して入射したプリパルスレーザ光４１およびメインパルスレーザ光３１をビーム拡大してもよい。軸外放物面凹面ミラー２２５は、軸外放物面凸面ミラー２２４によってビーム拡大されたプリパルスレーザ光４１およびメインパルスレーザ光３１を、それぞれプリパルスレーザ光４３およびメインパルスレーザ光３３としてＥＵＶ光生成位置に集光してもよい。軸外放物面凸面ミラー２２４および軸外放物面凹面ミラー２２５は、それぞれおよそ４５°入射となるように、ベースプレート２２１に固定されてもよい。このベースプレート２２１は、サブチャンバ２ｂまたは間仕切りプレート２０１に固定されてもよい。

６．３ 作用
図２５に示されるＥＵＶ光生成装置１Ｃでは、メインパルスレーザ光３３がフラグメント３７２を通過した後の像を検出することによって、フラグメント３７２に対するメインパルスレーザ光３３の照射位置と、メインパルスレーザ光３３の集光位置との両方が直接的に検出されてもよい。

また、この検出結果に基づいて、メインパルスレーザ光３３の集光位置とターゲット２７の通過位置と制御可能であってもよい。それによれば、ＥＵＶ光の生成位置が高精度に制御され得る。

さらに、メインパルスレーザ光３３およびプリパルスレーザ光４３の集光点を制御する機構（２軸傾斜ステージ３４２ａおよびＺ方向レーザ集光点調節器３４５）がビームデリバリーシステム３４Ｃ内に設置されてもよい。これによれば、チャンバ２内に配置するレーザ集光光学系２２０Ｃの構成が簡略化され得る。なお、２軸傾斜ステージ３４２ａがチャンバ２内に配置された場合であっても、チャンバ２内に１軸ステージ２２１ａが設置されなくともよい。この場合、レーザ集光光学系２２０Ｃが簡単で機械的に安定な構成となり得る。

７．補足説明
７．１ ２軸傾斜ステージ
ここで、上述した２軸傾斜ステージ２２３ａおよび３４２ａの一例を、図面を参照して説明する。図２６は、２軸傾斜ステージ２２３ａ／３４２ａの一例を示す斜視図である。図２６に示されるように、２軸傾斜ステージ２２３ａ／３４２ａは、高反射ミラー２２３／３４２が固定されるホルダ２２３１およびたとえば２つの自動マイクロメータ２２３３、２２３４を備えてもよい。ホルダ２２３１が自動マイクロメータ２２３３、２２３４を介して取り付けられることで、ホルダ２２３１に固定された高反射ミラー２２３／３４２のＸ軸方向のアオリ角度θｘおよびＹ軸方向のアオリ角度θｙの調節が可能となり得る。なお、高反射ミラー２２３／３４２の反射面中心における垂線がＺ軸と定義された場合、アオリ角度θｘはＸ軸を中心に回転するピッチ角度、アオリ角度θｙはＹ軸を中心に回転するヨウ角度であってよい。このような２軸傾斜ステージを備えたホルダ２２３１には市販品を用いることができる。このような市販品には、たとえばＮＥＷＰＯＲＴ社製ＡＧ−Ｍ１００ＮＶ６などがある。

７．２ 集光位置調節機構
つぎに、上述したＺ方向レーザ集光点調節器３４５の一例が、図２７を参照して説明される。図２７に示されるように、Ｚ方向レーザ集光点調節器３４５は、高反射ミラー３４５１および３４５３ならびに軸外放物面凹面ミラー３４５４および３４５５を含んでもよい。高反射ミラー３４５３および軸外放物面凹面ミラー３４５４は、たとえば高反射ミラー３４５１および軸外放物面凹面ミラー３４５５に対して移動可能なステージ３４５２に固定されていてもよい。このステージ３４５２が移動することで、軸外放物面凹面ミラー３４５４と軸外放物面凹面ミラー３４５５との距離が調節されてもよい。その場合、入射したパルスレーザ光３１の波面が目的の波面に調節され得る。その結果、メインパルスレーザ光３１およびプリパルスレーザ光４１のダイバージェンスを調節することが可能となり得る。

７．３ 集光位置調節機構の変形例
また、Ｚ方向レーザ集光点調節器３４５は、図２８〜図３０に示されるようにも変形することができる。図２８〜図３０は、変形例によるＺ方向レーザ集光点調節器３４５の一例を示す。図２８〜図３０に示されるように、Ｚ方向レーザ集光点調節器３４５Ａは、たとえば反射面の曲率を変更することが可能なデフォーマブルミラー３４５６を用いて構成されてもよい。デフォーマブルミラー３４５６は、たとえば反射面が平面である場合、図２８に示されるように、平行光で入射するパルスレーザ光３１をそのまま平行光として反射してもよい。また、たとえば反射面が凹面となるように曲率が調整されていた場合、図２９に示されるように、デフォーマブルミラー３４５６は、平行光で入射するパルスレーザ光３１を焦点距離が＋Ｆ離れた焦点Ｆ１２に集光されるように反射してもよい。一方、たとえば反射面が凸面となるように曲率が調整されていた場合、図３０に示されるように、デフォーマブルミラー３４５６は、平行光で入射するパルスレーザ光３１を、ビーム断面積が拡大されたパルスレーザ光として反射してもよい。このビーム断面積が拡大されたパルスレーザ光は、焦点距離−Ｆ離れた位置に焦点Ｆ１３を持っていてもよい。このように、反射面の曲率を変更可能なデフォーマブルミラー３４５６を用いることで、入射光に対する反射光の波面を所定の波面に調節することが可能であってよい。その結果、メインパルスレーザ光３１およびプリパルスレーザ光４１のダイバージェンスを調節することが可能であってよい。

７．４ トップハット機構
つぎに、上述したトップハット機構３４４について、図面を参照して詳細に説明する。図３１は、トップハット機構３４４の一例であるトップハット機構３４４Ａの構成を模式的に示す。図３１に示されるように、トップハット機構３４４Ａは、高精度回折光学素子（Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｖｅ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｅｌｅｍｅｎｔ：ＤＯＥ）３４４ａを含んでもよい。ＤＯＥ３４４ａは、プリパルスレーザ光４１が入射する面または出射する面に高精度の回折格子を備えてもよい。ＤＯＥ３４４ａから出射したプリパルスレーザ光４１は、３次元回折されてもよい。この結果、プリパルスレーザ光４１の回折光が合成されてもよい。合成された回折光は、その光強度分布がトップハット形状のトップハットプリパルスレーザ光４１Ｔであってもよい。出力されたトップハットプリパルスレーザ光４１Ｔは、レーザ集光光学系２２０を介することで、トップハットプリパルスレーザ光４３Ｔとなってよい。トップハットプリパルスレーザ光４３Ｔは、ターゲット２７への照射位置においてその光強度分布がほぼ均一となるように、チャンバ２内のＥＵＶ光生成位置に集光してもよい。なお、図３１には、透過型のＤＯＥを例示したが、これに限らず、反射型のＤＯＥが用いられてもよい。

７．５ トップハット機構の変形例１
また、図３２は、変形例１によるトップハット機構３４４Ｂの構成を模式的に示す。図３２に示されるように、トップハット機構３４４Ｂは、位相光学素子３４４ｂを用いて構成されてもよい。位相光学素子３４４ｂは、プリパルスレーザ光４１が入射する面または出射する面が波打った形状を有してよい。このため、位相光学素子３４４ｂを通過したプリパルスレーザ光４１は、通過する位置に応じた位相シフトを受けていてもよい。部分的に異なる位相シフトを受けたプリパルスレーザ光４１は、その光強度分布がトップハット形状のトップハットプリパルスレーザ光４１Ｔであってもよい。その後、トップハットプリパルスレーザ光４１Ｔは、レーザ集光光学系２２０によってトップハットプリパルスレーザ光４３Ｔとなってよい。なお、図３２には、透過型の位相光学素子を例示したが、これに限らず、反射型の位相光学素子を用いてもよい。

７．６ トップハット機構の変形例２
図３３は、変形例２によるトップハット機構３４４Ｃの構成を模式的に示す。図３３に示されるように、トップハット機構３４４Ｃは、マスク３４４ｃと、コリメートレンズ３４４ｄとを備えてもよい。マスク３４４ｃは、プリパルスレーザ光４１における光強度分布が比較的平坦な部分のみを通過させてもよい。コリメートレンズ３４４ｄは、マスク３４４ｃを通過後に広がったプリパルスレーザ光４１をコリメートしてもよい。このようなトップハット機構３４４Ｃによれば、マスク３４４ｃの像がコリメートレンズ３４４ｄとレーザ集光光学系２２０とによって、ＥＵＶ光生成位置に結像され得る。

上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。

本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。

１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ ＥＵＶ光生成装置
２ チャンバ
２ａ メインチャンバ
２ｂ サブチャンバ
３、３Ｂ レーザシステム
４ ターゲットセンサ
５ ＥＵＶ光生成制御システム
６ 露光装置
２１ ウィンドウ
２２ レーザ光集光ミラー
２３ ＥＵＶ集光ミラー
２４、２０１ａ 貫通孔
２５ プラズマ生成領域
２６ ドロップレット生成器
２７ ターゲット
２８ ターゲット回収器
２９ 接続部
２９１ 壁
２９２ 中間焦点（ＩＦ）
３１、３３ パルスレーザ光（メインパルスレーザ光）
３４、３４Ｂ、３４Ｃ レーザ光進行方向制御アクチュエータ部（ビームデリバリーシステム）
４１、４３、４３Ｇ プリパルスレーザ光
４１Ｔ、４３Ｔ トップハットプリパルスレーザ光
５１ａ 基準クロック生成器
５１ ＥＵＶ光生成点コントローラ
５２ レーザ集光点制御ドライバ
５３ ターゲットコントローラ
５４ ターゲット供給ドライバ
１００ レーザ照射像検出器
１０１ 軸外放物面ミラー
１０１ａ 支柱
１０２、３４１Ｂ ビームスプリッタ
１０３ 結像レンズ
１０４ イメージセンサ
１０５ ダンパ
１１０ 検出器チャンバ
１１０ａ 連結穴
２０１ 間仕切りプレート
２２０、２２０Ｃ レーザ集光光学系
２２１ ベースプレート
２２１ａ １軸ステージ
２２２、２２５ 軸外放物面凹面ミラー
２２２ａ ミラーホルダ
２２３、３４１、３４２、３４３ 高反射ミラー
２２３ａ、３４２ａ ２軸傾斜ステージ
２２４ 軸外放物面凸面ミラー
２６０ ターゲット供給部
２６１ ２軸ステージ
２７１ プリプラズマ
２７２、３７２ フラグメント
３４４ トップハット機構
３４５ Ｚ方向レーザ集光点調節器
Ａｂ 光軸
Ａｄ 中心線
Ｇ２７、Ｇ３３、Ｇ３７２ 像
ＭＬ メインパルスレーザ装置
ＰＬ プリパルスレーザ装置

Claims (11)

1. レーザ装置を備えた極端紫外光生成装置において、
   前記レーザ装置から出力されたレーザ光を導入するウィンドウを備えたチャンバと、
   前記チャンバ内部の所定位置付近にターゲットを出力するターゲット供給部と、
   前記所定位置付近に前記レーザ光を集光するレーザ集光光学系と、
   前記所定位置付近を通過したレーザ光の像を検出する検出器と、
   前記所定位置付近における前記ターゲットの通過位置を調整するターゲット位置調整装置と、
   前記所定位置付近における前記レーザ光の集光位置を調整するレーザ集光位置調整装置と、
   前記検出器で検出された像に基づいて、前記ターゲット位置調整装置と前記レーザ集光位置調整装置とを制御する制御部と、
   を備える極端紫外光生成装置。
2. 前記制御部は、前記検出器で検出された像から、前記ターゲットの像における位置と前記レーザ光の像における位置との差を算出し、該算出した差に基づいて前記ターゲット位置調整装置と前記レーザ集光位置調整装置を制御する、
   請求項１記載の極端紫外光生成装置。
3. 前記レーザ光の広がり角を調節する広がり角調整機構をさらに備え、
   前記制御部は、前記検出器で検出された像から、前記レーザ光の集光サイズを算出し、該算出した差に基づいて前記広がり角調整機構を制御する、
   請求項２記載の極端紫外光生成装置。
4. 前記制御部は、前記検出器で検出された像から、前記ターゲットの像における位置と前記レーザ光の像における位置との差を算出し、該算出した差に基づいて前記ターゲット供給部が前記ターゲットを供給するタイミング、または、前記レーザ装置が前記レーザ光を出力するタイミングを制御する、
   請求項２記載の極端紫外光生成装置。
5. 前記レーザ装置は、
   第１レーザ光を出力する第１レーザ装置と、
   第２レーザ光を出力する第２レーザ装置とを含み、
   前記レーザ集光光学系は、前記第１および第２レーザ光を前記所定位置付近に集光し、
   前記検出器は、前記所定位置付近を通過した第２レーザ光の像を検出し、
   前記レーザ集光位置調整装置は、前記所定位置付近における前記第１および第２レーザ光のうち少なくとも一方の集光位置を調整し、
   前記制御部は、前記検出器で検出された像に基づいて、前記ターゲット位置調整装置と前記レーザ集光位置調整装置とを制御する、
   請求項１記載の極端紫外光生成装置。
6. レーザ装置から出力されたレーザ光を導入するウィンドウを備えたチャンバと、
   前記チャンバ内部の所定位置付近にターゲットを供給するターゲット供給部と、
   前記所定位置付近に前記レーザ光を集光するレーザ集光光学系と、
   前記所定位置付近を通過したレーザ光の像を検出する検出器と、
   を備えた装置の極端紫外光生成方法であって、
   前記検出器で検出された像に基づいて、前記ターゲットの通過位置と前記レーザ光の集光位置とを制御する、極端紫外光生成方法。
7. 前記検出器で検出された像から、前記ターゲットの通過位置と前記レーザ光の集光位置との差を算出し、該算出した差に基づいて、前記ターゲットの通過位置を調節する、
   請求項６記載の極端紫外光生成方法。
8. 前記検出器で検出された像から、前記ターゲットの通過位置と前記レーザ光の集光位置との差を算出し、該算出した差に基づいて、前記レーザ光の通過位置を調節する、
   請求項６記載の極端紫外光生成方法。
9. 前記検出器で検出された像から、前記ターゲットの通過位置と前記レーザ光の集光位置との差を算出し、該算出した差に基づいて、前記レーザ光の広がり角を調節する、
   請求項８記載の極端紫外光生成方法。
10. 前記検出器で検出された像から、前記ターゲットの通過位置と前記レーザ光の集光位置との差を算出し、該算出した差に基づいて前記ターゲット供給部が前記ターゲットを供給するタイミング、または、前記レーザ装置が前記レーザ光を出力するタイミングを制御する、
    請求項９記載の極端紫外光生成方法。
11. 前記レーザ装置は、第１レーザ光を出力する第１レーザ装置と、第２レーザ光を出力する第２レーザ装置とを含み、
    前記レーザ集光光学系は、前記第１および第２レーザ光を前記所定位置付近に集光し、
    前記検出器は、前記所定位置付近を通過した第２レーザ光の像を検出し、
    前記検出器で検出された像に基づいて、前記ターゲットの通過位置と前記第１および第２レーザ光のうち少なくとも一方の集光位置とを制御する、
    請求項１０記載の極端紫外光生成方法。

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