JP2012209363A - Dicing film - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ダイシングフィルムに関するものである。 The present invention relates to a dicing film.
半導体装置を製造する工程において、半導体ウエハやパッケージ等の半導体部材を切断する際にダイシングフィルムが用いられている。ダイシングフィルムとは、半導体部材を貼り付け、ダイシング(切断、個片化)し、さらに当該ダイシングフィルムをエキスパンティング等することにより、前記半導体ウエハ等をピックアップするために用いられるものである。 In the process of manufacturing a semiconductor device, a dicing film is used when cutting a semiconductor member such as a semiconductor wafer or a package. The dicing film is used for picking up the semiconductor wafer or the like by attaching a semiconductor member, dicing (cutting, dividing into pieces), and expanding the dicing film.
一般にダイシングフィルムは、基材フィルムと、粘着層とで構成されている。従来、基材フィルムとしてはポリ塩化ビニル(PVC)樹脂フィルムが多く用いられていた。しかしながら、PVC樹脂フィルムに含有される可塑剤の付着による半導体部材の汚染防止や、環境問題に対する意識の高まりから、最近ではオレフィン系樹脂並びに、エチレンビニルアルコール系樹脂およびエチレンメタクリル酸アクリレート系樹脂等の非PVC樹脂系材料を用いた基材フィルムが開発されている(例えば特許文献1参照)。 In general, a dicing film is composed of a base film and an adhesive layer. Conventionally, a polyvinyl chloride (PVC) resin film has been often used as a base film. However, from the prevention of contamination of semiconductor members due to the adhesion of plasticizers contained in PVC resin films and the growing awareness of environmental issues, recently, such as olefin resins, ethylene vinyl alcohol resins and ethylene methacrylate acrylate resins, etc. A base film using a non-PVC resin-based material has been developed (see, for example, Patent Document 1).
また近年、半導体部材の小型化・薄型化が進むことで、ダイシングフィルムの厚み精度にバラつきがある場合、ダイシング工程において、ダイシングブレードの接触の仕方に差が生じ半導体ウエハ割れが発生しやすくなるという問題を生じさせる。また、フィルム厚み精度にバラつきがあると半導体部材のカット残りやダイシング時の切り屑や基材ヒゲ(基材フィルムのカットラインから伸びたヒゲ状の切り残査)が発生し半導体デバイスに付着するといった問題も発生する。特に半導体パッケージを切断する際は、厚みの大きいダイシングブレードを使用することが多く、半導体ウエハを切断する時よりも基材ヒゲ発生の問題が顕著に現れる。このような問題を解決する手段として、例えば特開平5−211234号広報には、基材フィルムに放射線を照射した粘着フィルムが提案されている。しかし、この粘着フィルムでは、放射線照射によるフィルムのダメージが大きく、外観的に良好なフィルムが得られ難く、品質面で好ましくない。加えて、フィルム製造において多大なコストがかかるために価格面でも好ましくない。 In recent years, as semiconductor members have become smaller and thinner, if the thickness accuracy of the dicing film varies, there is a difference in the way of contact of the dicing blade in the dicing process, and semiconductor wafer cracking is likely to occur. Cause problems. In addition, if there is variation in the film thickness accuracy, semiconductor component cut residue, chips during dicing, and substrate whiskers (whisker-like cut residue extending from the substrate film cut line) are generated and adhere to the semiconductor device. Such a problem also occurs. In particular, when a semiconductor package is cut, a thick dicing blade is often used, and the problem of generation of substrate whiskers appears more markedly than when a semiconductor wafer is cut. As means for solving such a problem, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-21234 has proposed an adhesive film in which a base film is irradiated with radiation. However, this pressure-sensitive adhesive film is not preferable in terms of quality because damage to the film due to radiation irradiation is large, and it is difficult to obtain a film having a good appearance. In addition, it is not preferable in terms of price because of the great cost in film production.
また、半導体部材を貼り付けてダイシングした後、半導体部材の間隔を広げるために、ダイシングフィルムのエキスパンドを行うが、基材に十分な靭性がないとエキスパンド時にダイシングフィルムが破断するといった問題も発生する。そのため、ダイシング時に基材ヒゲを抑制することができ、かつ、エキスパンディング時に基材が破断しないダイシングフィルムが求められている。 In addition, after dicing by dicing the semiconductor member, the dicing film is expanded in order to widen the gap between the semiconductor members. However, if the base material does not have sufficient toughness, the dicing film may break when expanded. . Therefore, there is a need for a dicing film that can suppress substrate whiskers during dicing and that does not break during expansion.
本発明の目的は、半導体製造時のダイシング工程において切り屑や基材ヒゲの発生が少なく、また好適なエキスパンド性を有するダイシングフィルムを提供することにある。 An object of the present invention is to provide a dicing film that generates less chips and substrate whiskers in a dicing process during semiconductor manufacturing and has a suitable expandability.
本発明に係るダイシングフィルムは、基材フィルムの少なくとも一の面に粘着層を有するダイシングフィルムであって、前記基材フィルムが、融点が110℃以下、かつ、重量平均分子量/数平均分子量で表される分子量分布(以下単に「分子量分布」ともいう。)が5以下であるポリエチレン(A)と、スチレン系エラストマー(B)を含むものである。 The dicing film according to the present invention is a dicing film having an adhesive layer on at least one surface of a base film, wherein the base film has a melting point of 110 ° C. or lower and a weight average molecular weight / number average molecular weight. The polyethylene (A) having a molecular weight distribution (hereinafter also simply referred to as “molecular weight distribution”) of 5 or less and the styrene elastomer (B) are included.
本発明に係るダイシングフィルムは、前記ポリエチレン(A)が直鎖状低密度ポリエチレンであるとすることができる。 In the dicing film according to the present invention, the polyethylene (A) may be a linear low density polyethylene.
本発明に係るダイシングフィルムは、前記ポリエチレン(A)がメタロセン触媒で重合された直鎖状低密度ポリエチレンであるとすることができる。 The dicing film according to the present invention can be a linear low density polyethylene obtained by polymerizing the polyethylene (A) with a metallocene catalyst.
本発明に係るダイシングフィルムは、前記スチレン系エラストマー(B)がスチレン‐エチレン‐ブチレン‐スチレン共重合体であるとすることができる。 In the dicing film according to the present invention, the styrenic elastomer (B) can be a styrene-ethylene-butylene-styrene copolymer.
本発明に係るダイシングフィルムは、前記基材フィルム中のポリエチレン(A)と前記スチレン系エラストマー(B)との重量比率(A/B)が30/70以上70/30以下であるとすることができる。 In the dicing film according to the present invention, the weight ratio (A / B) of the polyethylene (A) and the styrene-based elastomer (B) in the base film is 30/70 or more and 70/30 or less. it can.
本発明に係るダイシングフィルムは、以下の破断エネルギー評価試験における基材フィルムの破断エネルギーが15mJ以上であるとすることができる。 In the dicing film according to the present invention, the breaking energy of the base film in the following breaking energy evaluation test can be 15 mJ or more.
<破断エネルギー評価試験>
フィルムの片面に下記切創作製条件にて十字の切創を作製する。
切創を作製した面を下側にし、十字の切創の交差点に対し下記の落錘試験条件にて、
落錘試験を実施し、基材が破断する錘の位置エネルギーを破断エネルギーとする。
<切創作製条件>
ブレードを用いて深さ80μm、長さ40mm以上の切創を十字に作成する。
<落錘試験条件>
錘 :1.02kg
錘形先端状 :直径20mmの半球状
試験片固定形状 :直径40mmの円形状
<Break energy evaluation test>
A cross cut is made on one side of the film under the following cut preparation conditions.
With the face where the cut was made facing down, with the following drop weight test conditions for the intersection of the cross cut,
A falling weight test is performed, and the potential energy at which the base material breaks is defined as the breaking energy.
<Cut cutting conditions>
Using a blade, create a cut with a depth of 80 μm and a length of 40 mm or more in a cross shape.
<Falling weight test conditions>
Weight: 1.02 kg
Conical tip shape: Fixed shape of hemispherical test piece with a diameter of 20 mm: Circular shape with a diameter of 40 mm
本発明によれば、半導体製造時のダイシング工程において切り屑や基材ヒゲの発生が少なく、また好適なエキスパンド性を有するダイシングフィルムを提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a dicing film that has less generation of chips and substrate whiskers in a dicing process during semiconductor manufacturing and that has suitable expandability.
本発明に係るダイシングフィルムは、主に半導体を製造する工程において、半導体ウエハや半導体パッケージ等の半導体部材をダイシング(切断)する際に用いられるものである。例えば、半導体ウエハや半導体パッケージ等に貼り付けられ、半導体ウエハ等をダイシングし、その後エキスパンティングすることにより、半導体ウエハを切断して得られた半導体素子をピックアップするために用いられる。 The dicing film according to the present invention is used when dicing (cutting) a semiconductor member such as a semiconductor wafer or a semiconductor package mainly in a process of manufacturing a semiconductor. For example, it is attached to a semiconductor wafer, a semiconductor package or the like, and is used for picking up a semiconductor element obtained by cutting the semiconductor wafer by dicing the semiconductor wafer or the like and then expanding the wafer.
本発明のダイシングフィルムは、基材フィルムの構成成分に、融点が110℃以下かつ分子量分布が5以下であるポリエチレン(A)と、スチレン系エラストマー(B)とを用いることにより、樹脂に起因する基材ヒゲの発生を低減し、また、ダイシングフィルムのエキスパンド性を重視した設計が可能となる。以下本発明の構成要件について図面を用いて説明する。 The dicing film of the present invention is derived from the resin by using polyethylene (A) having a melting point of 110 ° C. or lower and a molecular weight distribution of 5 or lower and a styrene elastomer (B) as constituents of the base film. It is possible to reduce the occurrence of substrate whiskers and to design with an emphasis on expandability of the dicing film. The structural requirements of the present invention will be described below with reference to the drawings.
<基材フィルム>
本発明に係るダイシングフィルム10は、図1に例示するように基材フィルム1と粘着層2とを少なくとも有するものである。そして前記基材フィルム1には、融点が110℃以下かつ分子量分布が5以下であるポリエチレン(A)と、スチレン系エラストマー(B)とが含まれる。前記ポリエチレン(A)は、直鎖状低密度ポリエチレンであることが好ましく、メタロセン触媒で重合された直鎖状低密度ポリエチレンであることがさらに好ましい。メタロセン触媒で重合された直鎖状低密度ポリエチレンを使用することにより、ダイシング時の切り屑や基材ヒゲの発生をより少なくすることができる。
<Base film>
The dicing film 10 according to the present invention has at least a base film 1 and an adhesive layer 2 as illustrated in FIG. The base film 1 includes polyethylene (A) having a melting point of 110 ° C. or lower and a molecular weight distribution of 5 or lower, and a styrene elastomer (B). The polyethylene (A) is preferably a linear low density polyethylene, and more preferably a linear low density polyethylene polymerized with a metallocene catalyst. By using linear low density polyethylene polymerized with a metallocene catalyst, generation of chips and substrate whiskers during dicing can be further reduced.
前記スチレン系エラストマー(B)としては、例えばスチレン−ブタジエン共重合体、スチレン‐ブタジエン‐スチレン共重合体、スチレン‐ブタジエン‐ブチレン‐スチレン共重合体、スチレン‐イソプレン共重合体、スチレン‐イソプレン‐スチレン共重合体、スチレン‐エチレン‐イソプレン‐スチレン共重合体、水添ビニル(スチレン‐エチレン‐イソプレン‐スチレン)共重合体、水添ビニル(スチレン‐イソプレン‐スチレン)共重合体、スチレン‐エチレン‐ブチレン‐スチレン共重合体を挙げることができる。この中でも基材層の破断強度を高めるという観点並びにダイシング時の切り屑およびヒゲの低減という観点からは、特にスチレン‐エチレン‐ブチレン‐スチレン共重合体であることが好ましい。 Examples of the styrene elastomer (B) include styrene-butadiene copolymer, styrene-butadiene-styrene copolymer, styrene-butadiene-butylene-styrene copolymer, styrene-isoprene copolymer, and styrene-isoprene-styrene. Copolymer, styrene-ethylene-isoprene-styrene copolymer, hydrogenated vinyl (styrene-ethylene-isoprene-styrene) copolymer, hydrogenated vinyl (styrene-isoprene-styrene) copolymer, styrene-ethylene-butylene -Styrene copolymers may be mentioned. Among these, a styrene-ethylene-butylene-styrene copolymer is particularly preferable from the viewpoint of increasing the breaking strength of the base material layer and reducing chips and whiskers during dicing.
前記基材フィルム1中のポリエチレン(A)と前記スチレン系エラストマー(B)との重量比率(A/B)が30/70以上70/30以下であることが好ましく、ポリエチレン(A)の重量比率を前記範囲下限値以上であることにより基材フィルムの基材ヒゲ抑制の効果が優れたものとなり、前記範囲上限値以下とすることにより基材フィルムの破断強度が好適なものとなる。 The weight ratio (A / B) of the polyethylene (A) and the styrene elastomer (B) in the base film 1 is preferably 30/70 or more and 70/30 or less, and the weight ratio of the polyethylene (A) When the value is equal to or higher than the lower limit of the range, the effect of suppressing the base whiskers of the base film is excellent.
上記のように、融点が110℃以下、分子量分布が5以下であるポリエチレン(A)とスチレン系エラストマー(B)とを併用することにより、基材ヒゲ抑制に優れ、半導体部材加工工程において好適に用いられるダイシングフィルムとなる。 As described above, the combined use of polyethylene (A) having a melting point of 110 ° C. or less and a molecular weight distribution of 5 or less and the styrene elastomer (B) is excellent in suppressing substrate whisker, and suitable for a semiconductor member processing step. It becomes the dicing film used.
また本発明に係るダイシングフィルムの基材フィルムには本発明の効果を損なわない範囲で、目的に合わせて、各種樹脂や添加剤等を添加することができる。例えば、帯電防止性を付与するために、ポリエーテル/ポリオレフィンブロックポリマーやポリエーテルエステルアミドブロックポリマー等の高分子型帯電防止剤やカーボンブラック等が添加可能な材料として挙げられる。なお、帯電防止効果を付与する場合においては、オレフィン系樹脂との相溶性という観点からは、ポリエーテル/ポリオレフィン共重合体を用いたイオン伝導型帯電防止剤が好ましい。また、エラストマーを付与する事で破断伸度を大きくすることができる。 Various resins and additives can be added to the base film of the dicing film according to the present invention in accordance with the purpose within a range not impairing the effects of the present invention. For example, in order to impart antistatic properties, a polymer type antistatic agent such as a polyether / polyolefin block polymer or a polyether ester amide block polymer, carbon black or the like can be added. In the case of imparting an antistatic effect, an ion conductive antistatic agent using a polyether / polyolefin copolymer is preferable from the viewpoint of compatibility with the olefin resin. Further, the elongation at break can be increased by applying an elastomer.
ダイシングフィルムの基材フィルムの厚みは半導体ウエハダイシング用では50μm以上150μm以下であることが好ましく、更に好ましくは、70μm以上100μm以下である。また、半導体パッケージ等の特殊部材ダイシング用では、100μm以上300μm以下であることが好ましく、更に好ましくは、150μm以上200μm以下である。前記範囲下限値以上とすることによりエキスパンド時の基材フィルムが破断しにくいものとなり、前記範囲上限値以下とすることによりダイシング時の基材ヒゲの発生を抑制することができる。 The thickness of the substrate film of the dicing film is preferably 50 μm or more and 150 μm or less, more preferably 70 μm or more and 100 μm or less for semiconductor wafer dicing. For dicing special members such as semiconductor packages, the thickness is preferably from 100 μm to 300 μm, and more preferably from 150 μm to 200 μm. By setting it as the said range lower limit value or more, the base film at the time of expansion will become difficult to fracture | rupture, and generation | occurrence | production of the base beard at the time of dicing can be suppressed by setting it as the said range upper limit value or less.
本発明に係るダイシングフィルムは、半導体部材をダイシングした後、半導体部材を容易にピックアップできるように半導体部材を貼り付けた状態でダイシングフィルムをエキスパンドする(引き伸ばす)ことにより半導体部材の間隔を広げる。好適なエキスパンド性を得るためには、以下の破断エネルギー評価試験における基材フィルムの破断エネルギーが15mJ以上であることが好ましい。上記下限値以上とすることによりエキスパンド時の破断を抑制することができる。破断エネルギーは基材フィルム中のエラストマーの配合比率を変更することにより適宜調整可能となる。例えばエラストマーを配合することにより破断エネルギーを大きくすることができる。 In the dicing film according to the present invention, after dicing the semiconductor member, the dicing film is expanded (stretched) in a state where the semiconductor member is attached so that the semiconductor member can be easily picked up, thereby widening the interval between the semiconductor members. In order to obtain suitable expandability, it is preferable that the breaking energy of the base film in the following breaking energy evaluation test is 15 mJ or more. By setting it to the above lower limit value or more, breakage during expansion can be suppressed. The breaking energy can be appropriately adjusted by changing the blending ratio of the elastomer in the base film. For example, the breaking energy can be increased by blending an elastomer.
<破断エネルギー評価試験>
図2に示すようにフィルム1の片面に下記切創作製条件にて十字切創3を作製する。
切創を作製した面を下側にし、十字の切創3の交差点に対し下記の落錘試験条件にて、
落錘試験を実施し、基材が破断する錘の位置エネルギーを破断エネルギーとする。
<切創作製条件>
ブレードを用いて深さ80μm、長さ40mm以上の切創を十字に作製する。
<落錘試験条件>
錘 :1.02kg
錘形先端状 :直径20mmの半球状
試験片固定形状 :直径40mmの円形状
<Break energy evaluation test>
As shown in FIG. 2, a cross cut 3 is produced on one side of the film 1 under the following cut production conditions.
With the face where the cut was made facing down and the intersection of the cross cut 3 under the following drop weight test conditions,
A falling weight test is performed, and the potential energy at which the base material breaks is defined as the breaking energy.
<Cut cutting conditions>
Using a blade, a cut having a depth of 80 μm and a length of 40 mm or more is made into a cross.
<Falling weight test conditions>
Weight: 1.02 kg
Conical tip shape: Fixed shape of hemispherical test piece with a diameter of 20 mm: Circular shape with a diameter of 40 mm
(粘着層)
図1に例示するように本発明に係るダイシングフィルム10の基材フィルム1の少なくとも片面には、粘着層2が設けられる。粘着層2に用いられる樹脂組成物としては、アクリル系粘着剤、UV硬化性ウレタンアクリレート樹脂、イソシアネート系架橋剤等があげられる。これらの中でも半導体部材マウント、端材飛び及びチッピングを抑制するためには極性基を含有したアクリル系粘着剤を用いることが好ましい。アクリル系粘着剤としては、例えば、カルボキシル基含有のアクリル酸ブチル等が好ましい。カルボキシル基含有のアクリル酸ブチルを用いることにより、半導体部材のマウント、端材飛び及びチッピングの抑制に特に好適なものとなる。
(Adhesive layer)
As illustrated in FIG. 1, an adhesive layer 2 is provided on at least one surface of a base film 1 of a dicing film 10 according to the present invention. Examples of the resin composition used for the pressure-sensitive adhesive layer 2 include an acrylic pressure-sensitive adhesive, a UV curable urethane acrylate resin, and an isocyanate-based crosslinking agent. Among these, it is preferable to use an acrylic pressure-sensitive adhesive containing a polar group in order to suppress the mounting of semiconductor members, edge material jumping and chipping. As the acrylic adhesive, for example, carboxyl group-containing butyl acrylate is preferable. By using carboxyl group-containing butyl acrylate, it becomes particularly suitable for mounting of semiconductor members, suppression of jumping of end materials, and chipping.
粘着層2の厚みは、3μm以上100μm以下であることが好ましく、ダイシングフィルムの半導体ウエハダイシング用では3μm以上10μm以下であることが好ましい。また、パッケージ等の特殊部材ダイシング用としては10μm以上30μm以下であることが好ましい。前記範囲下限値以上とすることにより被着体の保持力に優れ、前記範囲上限値以下とすることによりダイシング時の加工性に優れる。 The thickness of the adhesive layer 2 is preferably 3 μm or more and 100 μm or less, and preferably 3 μm or more and 10 μm or less for semiconductor wafer dicing of a dicing film. Further, for dicing special members such as packages, it is preferably 10 μm or more and 30 μm or less. By setting it to the range lower limit value or more, the holding power of the adherend is excellent, and by setting it to the range upper limit value or less, the workability during dicing is excellent.
<ダイシングフィルムの製造方法の一例>
本発明に係るダイシングフィルム10の粘着層2は基材フィルム1、または基材フィルム1を含む樹脂フィルムに対して粘着層2として用いられる樹脂を適宜溶剤に溶解または分散させて塗工液とし、ロールコーティングやグラビアコーティングなどの公知のコーティング法により塗布し、乾燥することにより形成される。
<Example of manufacturing method of dicing film>
The pressure-sensitive adhesive layer 2 of the dicing film 10 according to the present invention is a coating liquid obtained by appropriately dissolving or dispersing a resin used as the pressure-sensitive adhesive layer 2 in a base film 1 or a resin film including the base film 1 in a solvent. It is formed by applying and drying by a known coating method such as roll coating or gravure coating.
本発明に係るダイシングフィルムには、本発明の効果を損なわない範囲で目的に応じて他の樹脂層を設けることができる。 The dicing film according to the present invention can be provided with other resin layers depending on the purpose within a range not impairing the effects of the present invention.
本発明を実施例により更に詳細に説明するが、これは単なる例示であり、本発明はこれにより限定されるものではない。
<基材フィルムの作製>
下記原料を表1に示す重量配合比でドライブレンドにより混合した後、Φ50mm押出機(L/D=25 ユニメルトピンスクリュー スクリュー圧縮比=2.9)、300mm幅のコートハンガーダイ(リップ間隙=0.5mm)、押出温度=220℃(スクリュー先端)の条件で押出製膜し、厚み150μmのフィルムを得た。
The present invention will be described in more detail by way of examples, but this is merely an example, and the present invention is not limited thereby.
<Preparation of base film>
After the following raw materials were mixed by dry blending at a weight blending ratio shown in Table 1, Φ50 mm extruder (L / D = 25 unimelt pin screw, screw compression ratio = 2.9), 300 mm width coat hanger die (lip gap = 0.5 mm) and extrusion temperature = 220 ° C. (screw tip) to form a film having a thickness of 150 μm.
<実施例/比較例の基材フィルムに使用した原料>
・直鎖状低密度ポリエチレン1
製品名:エボリューSP0540、株式会社プライムポリマー製
融点98℃ 分子量分布≦5 メタロセン触媒重合ポリエチレン
・低密度ポリエチレン1
製品名:スミカセンL211、住友化学株式会社製
融点113℃ 分子量分布>5
・直鎖状低密度ポリエチレン2
製品名:エボリューSP1540、株式会社プライムポリマー製
融点113℃ 分子量分布≦5 メタロセン触媒重合ポリエチレン
・低密度ポリエチレン2
製品名:スミカセンL705、住友化学株式会社製
融点107℃ 分子量分布>5
・スチレン‐エチレン‐ブチレン‐スチレン共重合体
製品名:セプトン8007、株式会社クラレ製
<Raw Materials Used for Base Films of Examples / Comparative Examples>
・ Linear low density polyethylene 1
Product name: Evolue SP0540, manufactured by Prime Polymer Co., Ltd. Melting point 98 ° C. Molecular weight distribution ≦ 5 Metallocene catalyzed polyethylene ・ Low density polyethylene 1
Product name: Sumikasen L211, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., melting point 113 ° C., molecular weight distribution> 5
・ Linear low density polyethylene 2
Product name: Evolue SP1540, manufactured by Prime Polymer Co., Ltd., melting point 113 ° C., molecular weight distribution ≦ 5, metallocene catalyzed polyethylene, low density polyethylene 2
Product name: Sumikasen L705, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., melting point 107 ° C., molecular weight distribution> 5
・ Styrene-ethylene-butylene-styrene copolymer Product name: Septon 8007, manufactured by Kuraray Co., Ltd.
<3>破断エネルギー
基材フィルムに下記ダイシング条件1で十字にダイシングを実施後、カットラインを下にして基材裏面からカットライン十字の交差部に下記落錘試験条件1で落錘試験を実施し、基材が破断する錘の位置エネルギーを測定し、破断エネルギーとした。
<3> Breaking energy After the substrate film is diced under the following dicing condition 1, the falling weight test is performed under the following falling weight test condition 1 from the back of the substrate to the intersection of the cut line cross with the cutting line down Then, the potential energy of the weight at which the base material breaks was measured and used as the breaking energy.
<ダイシング条件1>
ダイシングブレード:NBC−ZH2050−SE 27HEDD(株式会社ディスコ製)
ブレード回転数 :40000rpm
カット速度 :100mm/sec
ブレードハイト :80μm
サンプルカットサイズ:70mm×60mm角
6インチリング使用
<Dicing condition 1>
Dicing blade: NBC-ZH2050-SE 27HEDD (manufactured by DISCO Corporation)
Blade rotation speed: 40000 rpm
Cutting speed: 100 mm / sec
Blade height: 80 μm
Sample cut size: 70mm x 60mm square 6 inch ring used
<落錘試験条件1>
錘 :1.02kg
錘形先端状 :直径20mmの半球状
試験片固定形状 :直径40mmの円形状
<Falling weight test condition 1>
Weight: 1.02 kg
Conical tip shape: Fixed shape of hemispherical test piece with a diameter of 20 mm: Circular shape with a diameter of 40 mm
<粘着層の作製>
2−エチルヘキシルアクリレート30重量%、酢酸ビニル70重量%および2−ヒドロキシエチルメタクリレート1重量%をトルエン溶媒中にて溶液重合させ重量平均分子量150,000のベース樹脂を得た。このベース樹脂100重量部に対して、エネルギー線硬化型樹脂として2官能ウレタンアクリレート100重量部(三菱レイヨン社製、重量平均分子量が11,000)と、架橋剤としてトリレンジイソシアネートの多価アルコール付加体(コロネートL、日本ポリウレタン社製)15重量部と、エネルギー線重合開始剤として2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン5重量部とを酢酸エチルに溶解した後、剥離処理したポリエステルフィルム(厚さ38μm)に乾燥後の厚さが20μmになるように塗工し、80℃で5分間乾燥して粘着層を得た。
<Preparation of adhesive layer>
A base resin having a weight average molecular weight of 150,000 was obtained by solution polymerization of 30% by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 70% by weight of vinyl acetate and 1% by weight of 2-hydroxyethyl methacrylate in a toluene solvent. Addition of 100 parts by weight of bifunctional urethane acrylate as an energy ray curable resin (Mitsubishi Rayon Co., Ltd., weight average molecular weight of 11,000) and addition of polyhydric alcohol of tolylene diisocyanate as a crosslinking agent to 100 parts by weight of this base resin 15 parts by weight of a body (Coronate L, manufactured by Nippon Polyurethane Co., Ltd.) and 5 parts by weight of 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone as an energy ray polymerization initiator were dissolved in ethyl acetate, and then a release-treated polyester film (thickness) The thickness after drying was 20 μm and dried at 80 ° C. for 5 minutes to obtain an adhesive layer.
<ダイシングフィルムの作製>
上述の粘着層を30℃でラミネートロールを用いて、各実施例および比較例の基材フィルム(厚み150μm)にラミネートしてダイシングフィルムを得た。
<Production of dicing film>
The above-mentioned pressure-sensitive adhesive layer was laminated at 30 ° C. on the base film (thickness 150 μm) of each Example and Comparative Example using a laminating roll to obtain a dicing film.
得られたダイシングフィルムを以下の項目で評価を実施した。
<1>基材ヒゲの発生量
上記により得られたダイシングフィルムをシリコンミラーウエハに貼り付けた(ミラー面へ貼付け)。貼付け後20分間放置し、下記ダイシング条件2でダイシングを実施した。ダイシング後のダイシングフィルムを下記UV照射条件1にてUV照射し、シリコンミラーウエハを剥離後、ダイシングラインを顕微鏡で観察した。任意の隣接する10チップ(5個×2列)のダイシングラインの各辺の切り屑(基材ヒゲ)を顕微鏡(25倍)で観察した。基材ヒゲの合計数が2個以下のものは◎、5個以下のものは○、10個以下のものは△、11個以上のものは×とし、5個以下のものを合格とした。
The obtained dicing film was evaluated on the following items.
<1> Generated amount of base mustache The dicing film obtained as described above was attached to a silicon mirror wafer (attached to a mirror surface). After pasting, the substrate was left for 20 minutes, and dicing was performed under the following dicing condition 2. The dicing film after dicing was irradiated with UV under the following UV irradiation condition 1, the silicon mirror wafer was peeled off, and the dicing line was observed with a microscope. Chips (base beards) on each side of a dicing line of arbitrary 10 chips (5 × 2 rows) were observed with a microscope (25 times). When the total number of substrate mustaches was 2 or less, ◎, 5 or less were ◯, 10 or less were Δ, 11 or more were x, and 5 or less were acceptable.
<ダイシング条件2>
ダイシングブレード:NBC−ZH2050−SE 27HEDD(株式会社ディスコ製)、
ブレード回転数:30000rpm
カット速度:50mm/sec
サンプルカットサイズ:5mm×5mm角
ブレードハイト:75μm
6インチリング/半導体ウエハ(厚み:400μ)使用
<Dicing condition 2>
Dicing blade: NBC-ZH2050-SE 27HEDD (manufactured by DISCO Corporation),
Blade rotation speed: 30000 rpm
Cutting speed: 50mm / sec
Sample cut size: 5mm x 5mm square blade height: 75μm
6 inch ring / semiconductor wafer (thickness: 400μ) used
<UV照射条件1>
照度 :65mW/cm2
積算光量 :200mJ/cm2
UVランプ :高圧水銀ランプ H03−L21 80W/cm
(アイグラフィックス株式会社製)
UV照度計 :UV―PFA1(アイグラフィックス株式会社製)
<UV irradiation condition 1>
Illuminance: 65 mW / cm2
Integrated light quantity: 200 mJ / cm2
UV lamp: High-pressure mercury lamp H03-L21 80 W / cm
(Made by Eye Graphics Co., Ltd.)
UV illuminance meter: UV-PFA1 (made by Eye Graphics Co., Ltd.)
<2>エキスパンド性
前記条件で作製したダイシングフィルムを用い、下記ダイシング条件3でダイシングした。その後、下記UV照射条件2にてUV照射後に下記エキスパンド条件にてエキスパンドを実施し、テープが破断しないものを○、テープが破断するものを×とした。
<2> Expandability Using the dicing film produced under the above conditions, dicing was performed under the following dicing conditions 3. Then, after UV irradiation under the following UV irradiation condition 2, the expansion was carried out under the following expanding conditions. The case where the tape did not break was marked with ◯, and the case where the tape was broken was marked with x.
<ダイシング条件3>
ダイシングブレード :NBC−ZH2050−SE 27HEDD(株式会社ディスコ製)
ブレード回転数 :30000rpm
カット速度 :50mm/sec
サンプルカットサイズ:5mm×5mm角
ブレードハイト :75μm
6インチリング/半導体ウエハ(厚み:400μ)使用
<Dicing condition 3>
Dicing blade: NBC-ZH2050-SE 27HEDD (manufactured by DISCO Corporation)
Blade rotation speed: 30000 rpm
Cutting speed: 50 mm / sec
Sample cut size: 5 mm x 5 mm square blade height: 75 μm
6 inch ring / semiconductor wafer (thickness: 400μ) used
<UV照射条件2>
照度 :65mW/cm2
積算光量 :200mJ/cm2
UVランプ :高圧水銀ランプ H03−L21 80W/cm
(アイグラフィックス株式会社製)
UV照度計 :UV―PFA1(アイグラフィックス株式会社製)
<UV irradiation condition 2>
Illuminance: 65 mW / cm2
Integrated light quantity: 200 mJ / cm2
UV lamp: High-pressure mercury lamp H03-L21 80 W / cm
(Made by Eye Graphics Co., Ltd.)
UV illuminance meter: UV-PFA1 (made by Eye Graphics Co., Ltd.)
<エキスパンド条件>
エキスパンド量 :5mm
8インチリング使用
<Expanding conditions>
Expanding amount: 5 mm
8-inch ring used
上記実施例及び比較例の評価結果を表1に示す。本発明に規定する構成要件を有する実施例1および2は基材ヒゲの発生が抑制されるとともに基材フィルムのエキスパンド性についても良好な結果となった。一方、比較例1、5は基材ヒゲの発生が抑制できない上にエキスパンド性に劣るものとなった。また、比較例2、3、4、6は基材ヒゲの発生が抑制できない結果となった。 The evaluation results of the above examples and comparative examples are shown in Table 1. In Examples 1 and 2 having the constitutional requirements defined in the present invention, generation of base whiskers was suppressed, and the expandability of the base film was also good. On the other hand, Comparative Examples 1 and 5 were inferior in expandability, as well as the occurrence of substrate mustache. In Comparative Examples 2, 3, 4, and 6, it was impossible to suppress the occurrence of substrate whiskers.
本発明のダイシングフィルムはダイシング時の切り屑や基材ヒゲの発生が少なく、ダイシングフィルムとして好適な強度と良好な外観を有するため半導体装置製造のダイシング工程において半導体部材固定用のフィルムとして好適に用いることができる。 Since the dicing film of the present invention has less generation of chips and substrate whiskers during dicing and has a suitable strength and good appearance as a dicing film, it is suitably used as a film for fixing a semiconductor member in a dicing process of manufacturing a semiconductor device. be able to.
1・・・基材フィルム
2・・・粘着層
3・・・切創
10・・・ダイシングフィルム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Base film 2 ... Adhesive layer 3 ... Cut 10 ... Dicing film
Claims (6)
<破断エネルギー評価試験>
フィルムの片面に下記切創作製条件にて十字の切創を作製する。
切創を作製した面を下側にし、十字の切創の交差点に対し下記の落錘試験条件にて、
落錘試験を実施し、基材が破断する錘の位置エネルギーを破断エネルギーとする。
<切創作製条件>
ブレードを用いて深さ80μm、長さ40mm以上の切創を十字に作製する。
<落錘試験条件>
錘 :1.02kg
錘形先端状 :直径20mmの半球状
試験片固定形状 :直径40mmの円形状
The dicing film according to any one of claims 1 to 5, wherein the breaking energy of the substrate in the following breaking energy evaluation test is 15 mJ or more.
<Break energy evaluation test>
A cross cut is made on one side of the film under the following cut preparation conditions.
With the face where the cut was made facing down, with the following drop weight test conditions for the intersection of the cross cut,
A falling weight test is performed, and the potential energy at which the base material breaks is defined as the breaking energy.
<Cut cutting conditions>
Using a blade, a cut having a depth of 80 μm and a length of 40 mm or more is made into a cross.
<Falling weight test conditions>
Weight: 1.02 kg
Conical tip shape: Fixed shape of hemispherical test piece with a diameter of 20 mm: Circular shape with a diameter of 40 mm
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