JP2012209694A5 - - Google Patents

Description

上記目的を達成するために、本発明のクランプ回路は、電流供給源とクランプ容量との間に接続され、かつ並列に接続された第１スイッチング素子と、第２スイッチング素子と、を備えるスイッチング手段と、前記クランプ容量を介して入力される入力信号の電圧が第１基準電圧未満の場合に、前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて前記クランプ容量を充電させるよう前記第１スイッチング素子を制御する第１制御手段と、前記入力信号が第２基準電圧未満の場合に、前記入力信号に応じて蓄積した電圧情報に基づいて、予め定められた期間で前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて前記クランプ容量を充電させるよう前記第２スイッチング素子を制御する第２制御手段と、を備える。
また、本発明のクランプ回路は、電流供給源とクランプ容量との間に接続されたスイッチング素子と、前記クランプ容量を介して入力される入力信号が基準電圧未満の場合に、出力保持手段に入力される制御信号に応じて前記出力保持手段に保持された電圧情報に基づいて、予め定められた期間で前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて前記クランプ容量を充電させるよう前記スイッチング素子を制御する制御手段と、を備える。

本発明の半導体装置は、入力信号に電圧を加算して入力信号を生成するクランプ容量と電気的に接続される第１端子と、電流供給源と電気的に接続される第２端子と、前記第１端子と前記第２端子との間に接続され、かつ並列に接続された第１スイッチング素子と、第２スイッチング素子と、を備えるスイッチング手段と、前記クランプ容量を介して入力される入力信号の電圧が第１基準電圧未満の場合に、前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて前記クランプ容量を充電させるよう前記第１スイッチング素子を制御する第１制御手段と、前記入力信号が第２基準電圧未満の場合に、前記入力信号に応じて蓄積した電圧情報に基づいて、予め定められた期間で前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて前記クランプ容量を充電させるよう前記第２スイッチング素子を制御する第２制御手段と、を備える。
本発明の信号処理システムは、入力信号に電圧を加算して入力信号を生成するクランプ容量と、電流供給源と、半導体装置と、を備え、前記半導体装置は、前記クランプ容量と電気的に接続される第１端子と、前記電流供給源と電気的に接続される第２端子と、前記第１端子と前記第２端子との間に接続され、かつ並列に接続された第１スイッチング素子と、第２スイッチング素子と、を備えるスイッチング手段と、前記クランプ容量を介して入力される入力信号の電圧が第１基準電圧未満の場合に、前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて前記クランプ容量を充電させるよう前記第１スイッチング素子を制御する第１制御手段と、前記入力信号が第２基準電圧未満の場合に、前記入力信号に応じて蓄積した電圧情報に基づいて、予め定められた期間で前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて前記クランプ容量を充電させるよう前記第２スイッチング素子を制御する第２制御手段と、を備える。

本発明の信号クランプ方法は、クランプ容量により入力信号に電圧を加算して入力信号を生成する生成ステップと、前記クランプ容量を介して入力される入力信号の電圧が第１基準電圧未満の場合に、電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて、前記電流供給源により前記クランプ容量を充電させるよう、前記クランプ容量と前記電流供給源との間に接続された第１スイッチング素子を第１制御手段により制御する第１制御ステップと、前記入力信号が第２基準電圧未満の場合に、前記入力信号に応じて蓄積した電圧情報に基づいて、予め定められた期間で前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて前記クランプ容量を充電させるよう、前記第１スイッチング素子に並列に接続された第２スイッチング素子を第２制御手段により制御する第２制御ステップと、を備える。

Claims (14)

1. 電流供給源とクランプ容量との間に接続され、かつ並列に接続された第１スイッチング素子と、第２スイッチング素子と、を備えるスイッチング手段と、
   前記クランプ容量を介して入力される入力信号の電圧が第１基準電圧未満の場合に、前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて前記クランプ容量を充電させるよう前記第１スイッチング素子を制御する第１制御手段と、
   前記入力信号が第２基準電圧未満の場合に、前記入力信号に応じて蓄積した電圧情報に基づいて、予め定められた期間で前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて前記クランプ容量を充電させるよう前記第２スイッチング素子を制御する第２制御手段と、
   を備えたクランプ回路。
2. 前記第１基準電圧は、前記第２基準電圧よりも大きい、請求項１に記載のクランプ回路。
3. 前記第２制御手段は、前記電圧情報に応じた電荷を蓄積する容量蓄積手段を備えており、前記クランプ容量が充電される前記予め定められた期間は、前記容量蓄積手段に蓄積された電荷に応じて決まる、請求項１または請求項２に記載のクランプ回路。
4. 前記第２制御手段は、
   前記容量蓄積手段に並列に接続された抵抗素子と、
   一端が前記容量蓄積手段と前記抵抗素子との各々の一端に接続され、他端が電源に接続された第３スイッチング素子と、
   前記入力信号が前記第２基準電圧未満である場合に前記電源と前記容量蓄積手段とを接続させるよう前記第３スイッチング素子に制御信号を出力する比較手段と、
   を備え、
   前記容量蓄積手段と前記抵抗素子との各々の他端は接地電位に接続されている、請求項３に記載のクランプ回路。
5. 前記第２制御手段は、
   前記クランプ容量に電気的に接続された第４スイッチング素子と、
   前記第４スイッチング素子を介して前記クランプ容量と接続された比較手段と、
   を備え、
   前記容量蓄積手段は、一端が前記第４スイッチング素子と前記比較手段との間に接続され、他端が接地電位に接続されており、
   前記第４スイッチング素子は、充電期間に応じて入力される充電制御信号に基づいて前記入力信号が前記比較手段に入力されるように前記比較手段と前記クランプ容量とを接続し、
   前記比較手段は、前記容量蓄積手段に蓄積された電荷に基づく電圧が前記第２基準電圧未満の場合に、前記予め定められた期間で前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させるよう前記第２スイッチング素子に制御信号を出力する、請求項３に記載のクランプ回路。
6. 前記第２制御手段は、
   前記第２基準電圧と前記入力信号とを比較した比較結果に応じた比較結果信号を出力する比較手段と、
   前記入力信号に含まれる同期信号に応じて入力される制御信号に基づいて、前記比較手段から出力された前記比較結果信号の出力を保持する出力保持手段と、
   を備えた、請求項１または請求項２に記載のクランプ回路。
7. 入力信号に電圧を加算して入力信号を生成するクランプ容量と電気的に接続される第１端子と、
   電流供給源と電気的に接続される第２端子と、
   前記第１端子と前記第２端子との間に接続され、かつ並列に接続された第１スイッチング素子と、第２スイッチング素子と、を備えるスイッチング手段と、
   前記クランプ容量を介して入力される入力信号の電圧が第１基準電圧未満の場合に、前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて前記クランプ容量を充電させるよう前記第１スイッチング素子を制御する第１制御手段と、
   前記入力信号が第２基準電圧未満の場合に、前記入力信号に応じて蓄積した電圧情報に基づいて、予め定められた期間で前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて前記クランプ容量を充電させるよう前記第２スイッチング素子を制御する第２制御手段と、
   を備えた半導体装置。
8. 入力信号に電圧を加算して入力信号を生成するクランプ容量と、
   電流供給源と、
   半導体装置と、を備え、
   前記半導体装置は、
   前記クランプ容量と電気的に接続される第１端子と、
   前記電流供給源と電気的に接続される第２端子と、
   前記第１端子と前記第２端子との間に接続され、かつ並列に接続された第１スイッチング素子と、第２スイッチング素子と、を備えるスイッチング手段と、
   前記クランプ容量を介して入力される入力信号の電圧が第１基準電圧未満の場合に、前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて前記クランプ容量を充電させるよう前記第１スイッチング素子を制御する第１制御手段と、
   前記入力信号が第２基準電圧未満の場合に、前記入力信号に応じて蓄積した電圧情報に基づいて、予め定められた期間で前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて前記クランプ容量を充電させるよう前記第２スイッチング素子を制御する第２制御手段と、
   を備えた信号処理システム。
9. クランプ容量により入力信号に電圧を加算して入力信号を生成する生成ステップと、
   前記クランプ容量を介して入力される入力信号の電圧が第１基準電圧未満の場合に、電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて、前記電流供給源により前記クランプ容量を充電させるよう、前記クランプ容量と前記電流供給源との間に接続された第１スイッチング素子を第１制御手段により制御する第１制御ステップと、
   前記入力信号が第２基準電圧未満の場合に、前記入力信号に応じて蓄積した電圧情報に基づいて、予め定められた期間で前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて前記クランプ容量を充電させるよう、前記第１スイッチング素子に並列に接続された第２スイッチング素子を第２制御手段により制御する第２制御ステップと、
   を備えた信号クランプ方法。
10. 前記第１制御ステップにおける前記第１基準電圧は、前記第２制御ステップにおける前記第２基準電圧よりも大きい、請求項９に記載の信号クランプ方法。
11. 前記第２制御ステップは、前記入力信号が第２基準電圧未満の場合に、前記入力信号に応じて電圧情報に応じた電荷を容量蓄積手段に蓄積し、前記容量蓄積手段に蓄積された電荷に基づいて予め定められた期間、前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて、前記電流供給源により前記クランプ容量を充電させるよう、前記第１スイッチング素子に並列に接続された第２スイッチング素子を第２制御手段により制御する、請求項９または請求項１０に記載の信号クランプ方法。
12. 前記電圧情報は、前記入力信号の電圧であり、前記容量蓄積手段は、前記入力信号の電圧に応じた電荷を蓄積する、請求項１１に記載の信号クランプ方法。
13. 電流供給源とクランプ容量との間に接続されたスイッチング素子と、
    前記クランプ容量を介して入力される入力信号が基準電圧未満の場合に、出力保持手段に入力される制御信号に応じて前記出力保持手段に保持された電圧情報に基づいて、予め定められた期間で前記電流供給源と前記クランプ容量とを接続させて前記クランプ容量を充電させるよう前記スイッチング素子を制御する制御手段と、
    を備えたクランプ回路。
14. 前記制御手段は、
    前記第２基準電圧と前記入力信号とを比較した比較結果に応じた比較結果信号を出力する比較手段を備え、
    前記出力保持手段は、前記入力信号に含まれる同期信号に応じて入力される前記制御信号に基づいて、前記電圧情報として前記比較手段から出力された前記比較結果信号の出力を保持する、請求項１３に記載のクランプ回路。