JP2012253108A5 - - Google Patents
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Claims (8)
- 電流をスイッチングするためのゲート電極を有する炭化珪素半導体装置であって、
前記電流が貫通する厚さ方向を有し、第１導電型の不純物濃度Ｎ1dを有するドリフト層と、
前記ドリフト層の一部の上に設けられ、前記ゲート電極によってスイッチングされるチャネルを有し、前記第１導電型の不純物濃度Ｎ1bと、前記不純物濃度Ｎ1bよりも大きい第２導電型の不純物濃度Ｎ2bとを有するボディ領域と、
前記ドリフト層上において前記ボディ領域に隣接し、前記第１導電型の不純物濃度Ｎ1jと、前記不純物濃度Ｎ1jよりも小さい前記第２導電型の不純物濃度Ｎ2jとを有し、Ｎ1j−Ｎ2j＞Ｎ1dかつＮ2j＜Ｎ2bを満たすＪＦＥＴ領域とを備え、
Ｎ 1j ＝Ｎ 1b が満たされる、炭化珪素半導体装置。 - Ｎ1j−Ｎ2j＜Ｎ2b−Ｎ1bが満たされる、請求項１に記載の炭化珪素半導体装置。
- 電流をスイッチングするためのゲート電極を有する炭化珪素半導体装置であって、
前記電流が貫通する厚さ方向を有し、第１導電型の不純物濃度Ｎ 1d を有するドリフト層と、
前記ドリフト層の一部の上に設けられ、前記ゲート電極によってスイッチングされるチャネルを有し、前記第１導電型の不純物濃度Ｎ 1b と、前記不純物濃度Ｎ 1b よりも大きい第２導電型の不純物濃度Ｎ 2b とを有するボディ領域と、
前記ドリフト層上において前記ボディ領域に隣接し、前記第１導電型の不純物濃度Ｎ 1j と、前記不純物濃度Ｎ 1j よりも小さい前記第２導電型の不純物濃度Ｎ 2j とを有し、Ｎ 1j −Ｎ 2j ＞Ｎ 1d かつＮ 2j ＜Ｎ 2b を満たすＪＦＥＴ領域とを備え、
Ｎ1d＝Ｎ1bが満たされる、炭化珪素半導体装置。 - Ｎ 1j −Ｎ 2j ＜Ｎ 2b −Ｎ 1b が満たされる、請求項３に記載の炭化珪素半導体装置。
- 電流をスイッチングするためのゲート電極を有する炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記電流が貫通する厚さ方向を有し、第１導電型の不純物濃度Ｎ1dを有するドリフト層を形成する工程と、
前記ドリフト層の一部の上に、前記ゲート電極によってスイッチングされるチャネルを有し、前記第１導電型の不純物濃度Ｎ1bと、前記不純物濃度Ｎ1bよりも大きい第２導電型の不純物濃度Ｎ2bとを有するボディ領域を形成する工程と、
前記ドリフト層上において前記ボディ領域に隣接し、前記不純物濃度Ｎ 1b に等しい前記第１導電型の不純物濃度Ｎ1jと、前記不純物濃度Ｎ1jよりも小さい前記第２導電型の不純物濃度Ｎ2jとを有し、Ｎ1j−Ｎ2j＞Ｎ1dかつＮ2j＜Ｎ2bを満たすＪＦＥＴ領域を形成する工程とを備える、炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記ＪＦＥＴ領域を形成する工程は、前記ドリフト層の上に前記第１導電型のエピタキシャル層を成長させる工程を含む、請求項５に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 電流をスイッチングするためのゲート電極を有する炭化珪素半導体装置の製造方法であって、
前記電流が貫通する厚さ方向を有し、第１導電型の不純物濃度Ｎ 1d を有するドリフト層を形成する工程と、
前記ドリフト層の一部の上に、前記ゲート電極によってスイッチングされるチャネルを有し、前記不純物濃度Ｎ 1ｄ に等しい前記第１導電型の不純物濃度Ｎ 1b と、前記不純物濃度Ｎ 1b よりも大きい第２導電型の不純物濃度Ｎ 2b とを有するボディ領域を形成する工程と、
前記ドリフト層上において前記ボディ領域に隣接し、前記第１導電型の不純物濃度Ｎ 1j と、前記不純物濃度Ｎ 1j よりも小さい前記第２導電型の不純物濃度Ｎ 2j とを有し、Ｎ 1j −Ｎ 2j ＞Ｎ 1d かつＮ 2j ＜Ｎ 2b を満たすＪＦＥＴ領域を形成する工程とを備える、炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記ＪＦＥＴ領域を形成する工程は、前記ドリフト層へ前記第１導電型の不純物をイオン注入する工程を含む、請求項７に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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