JP2012505298A - 印刷可能な発光組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】 インクジェットプリンタにおいて発光組成物および素子の製造に用いることができるインク組成物の提供を目的とする。
【解決手段】 電子輸送化合物、放出性化合物および有機溶媒を含む組成物がここに開示される。これらの組成物は発光素子の製造において有用であり、印刷過程によって基板上に被着させることができる。
【選択図】 なし

Description

関連出願への相互参照
本願は２００８年１０月１３日出願の米国仮出願第６１／１０５０１８号に対する優先権を主張し、その仮出願は参照によりその全体がここに組み込まれる。

本発明は発光組成物およびそれらの発光組成物を含む発光素子に関する。具体的には、本発明は印刷可能である発光組成物およびイリジウム官能化ナノ粒子を含む発光素子に関する。

有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は小分子または高分子蛍光化合物もしくはリン光化合物で構成され得る。ＯＬＥＤは陰極、正孔輸送層、放出層、電子輸送層および陽極を含む。ＯＬＥＤ素子は有機化合物（放出）層内部での正電荷（正孔）および負電荷（電子）の再結合の結果として光を放出する。この有機化合物は放射過程の性質に依存して電子蛍光物質または電子リン光物質と呼ばれる。ＯＬＥＤ素子は光度を高めるように開発され、かつ寿命が増加しているため、追加層、例えば、正孔遮断層および電子遮断層がＯＬＥＤ素子に組み込まれている。しかしながら、より多くの材料層の導入はＯＬＥＤ構造をますます複雑にする。この複雑性の増加は製造過程を著しく困難にする。その上、層の追加は、層の厚みの制御の不足が性能を損ない得るため、製造をより困難にする。したがって、ＯＬＥＤの性能の改善はしばしばうんざりするものであり、困難であり、かつ経費がかかる。

ＯＬＥＤ素子内にこれら上述の層を製造するための幾つかの方法が存在する。主な方法論には乾式処理および湿式処理が含まれる。乾式処理は液体なしに実施される処理である。乾式処理操作の例には乾式エッチング、レーザー切断、化学蒸着および真空蒸着が含まれる。乾式処理法には幾つかの欠点があり、それには連続蒸着の最中に前に蒸着した層の厚みまたは組成を制御することが困難であること、装置の設置および維持の高いコスト、遅い処理、並びに大面積を有する基板に関する困難性が含まれる。したがって、湿式製造法が著しい有利をもたらし得る。

溶液または湿式処理には、溶媒中での前駆体物質の溶解または懸濁およびその溶液の望ましい基板への塗布が含まれる。例示的な方法論にはスピンコーティングおよびインクジェット塗布が含まれる。スピンコーティングは、コーティング過程の最中に多量の溶解溶液が所望の表面から分離するため、望ましくないものであり得る。したがって、多量の物質が廃棄され、製造コストはより高価である。

インクジェット製造のほうが安価である。インクジェット製造は単純な方法および短時間での微細なパターニングをも可能にする。さらに、インクの放出量を調整することにより、またはインク濃度を調整することにより、層の厚みが容易に制御されるため、色バランスおよび明度（輝度）のような発光特性のより良好な制御がもたらされる。

本発明者らは、インクジェットプリンタにおいて発光組成物および素子の製造に用いることができるインク組成物としてとりわけ有用である、組成物を発見している。ここで説明される幾つかの実施形態は、ナノ粒子核およびイリジウム錯体を含み得るイリジウム官能化ナノ粒子を含む組成物に関する。他の実施形態において、ここで説明されるイリジウム官能化ナノ粒子は発光性、例えば、白色発光性である。

ここで開示される実施形態の１つは、電子輸送化合物、放出性化合物および有機溶媒を含む組成物であって、放出性化合物が式（Ｉ）：
によって表され、式中、核はナノ粒子核であり、ｎは２であり、Ｘは単結合または
であり；各々の
は独立に第１の任意に置換される二座配位子であり；
は：
から選択される第２の任意に置換される二座配位子であり、ここでｍは１ないし９の範囲の整数であり、ｐは１ないし２０の範囲の整数であり、ｚは０、１または２であり、Ｒ^１はアルキル、置換アルキル、アリールおよび置換アリールから選択され、Ｒ^２は：アルキル、置換アルキル、アリールおよび置換アリールから選択され、^＊は第２の任意に置換される二座配位子の核またはＸへの結合点を示す。

またここで開示される実施形態の１つは、電子輸送化合物、放出性化合物および有機溶媒を含む組成物であって、放出性化合物が下記式：
のうちの１つによって表され、式中、Ｒ’は
によって表され、Ｒ’’は
によって表され、ここで各々の
は独立に第１の任意に置換される二座配位子であり、
は第２の任意に置換される二座配位子であり；Ｒ^３は
であり、ここでｋは０または１ないし２０から選択される整数であり、Ｒ^５は以下から独立に選択され：

ＲはＨまたはアルキルから独立に選択され、^＊はＲ^３における結合点を示す。

別の実施形態では、インクジェットプリンタによって導電性基板にここで開示されるあらゆる組成物を被着させる工程を含む、発光素子の製造方法が提供される。

別の実施形態では、式（ＩＶ）によって表される放出性化合物、および電子輸送化合物；および有機溶媒を含む組成物（ＩＶ）が提供される。
式（ＩＶ）に関して、各々のＲ^４は：
から独立に選択され；Ｒ^５は
である。

別の実施形態は、式（Ｖ）によって表される放出性化合物、電子輸送化合物および有機溶媒を含む組成物（Ｖ）である。
式（Ｖ）に関して、各々のＲ^６は以下：
から独立に選択され；Ｒ^７は
である。

これらの実施形態および他の実施形態を以下でより詳細に説明する。

ナノ粒子は約１００ｎｍ以下の断面寸法（例えば、球状である場合には直径）を有する粒子である。ナノ粒子は、凝集、堆積および／または自己組織化して約１００ｎｍ以下の粒子になる能力を有する、可溶性または不溶性ポリマー（コポリマー、超分岐ポリマー等）であり得る。式（ＩＩ）のシルセスキオキサン基がナノ粒子の一例である。

デンドリマーはナノ粒子の例である。デンドリマーは小分子およびポリマーの両者の有用な特性を示す分岐分子物質である。例えば、Ｆｒｅｃｈｅｔ，Ｊ．Ｍ．Ｊ．；Ｈａｗｋｅｒ，Ｃ．Ｊ．Ｃｏｍｐｒｅｈｅｎｓｉｖｅ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ，２ｎｄ Ｓｕｐｐｌｅｍｅｎｔ；Ｐｅｒｇａｍｏｎ：Ｏｘｆｏｒｄ，Ｅｎｇｌａｎｄ，１９９６；ｐｐ１４０−２０６を参照のこと。デンドリマーは、中心核、高度に分岐しているが実質的に規則的な反復性構築単位および多数の周辺末端基を含む三次元構造を有する、実質的に単分散の合成巨大分子である。これらの用語のより詳細な説明はＧ．Ｏｄｉａｎ，Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ，２^ｎｄ Ｅｄ．，１９８１，ｐｐ．１７７−１７９およびＷ．Ｒ．Ｓｏｒｅｎｓｏｎ，Ｆ．Ｓｗｅｅｎｅｙ ａｎｄ Ｔ．Ｗ．Ｃａｍｐｂｅｌｌ，Ｐｒｅｐａｒａｔｉｖｅ Ｍｅｔｈｏｄｓ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ，３ｒｄ ｅｄ．，２００１，ｐｐ．４４２−４４４に見出され、それらは両者とも参照によりそれら全体がここに組み込まれる。デンドリマーの周辺における多くの官能基は、理想的には、例えば共有結合により、発光性ルモフォア（ｌｕｍｏｐｈｏｒｅｓ）の組み込みに適する。ルモフォアの結合に適合するようにするデンドリマー内の周辺官能基の修飾は、‘‘Ｄｅｎｄｒｉｍｅｒｓ ＩＩＩ：Ｄｅｓｉｇｎ Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ Ｆｕｎｃｔｉｏｎ’’，Ｖｏｅｇｔｌｅ，Ｆ．，Ｖｏｌ．Ｅｄ．Ｔｏｐ．Ｃｕｒｒ．Ｃｈｅｍ．２００１，２１２に記述される一般法によって行うことができる。同様の方法をポリマーナノ粒子の官能化に用いることもできる。

他に指示されない限り、置換基が「任意に置換される」または「置換される」と称されるとき、その置換基は、アルキル、アルケニル、アルキニル、シクロアルキル、シクロアルケニル、シクロアルキニル、アリール、ヘテロアリール、ヘテロアリシクリル、アラルキル、ヘテロアラルキル、（ヘテロアリシクリル）アルキル、ヒドロキシ、保護ヒドロキシル、アルコキシ、アリールオキシ、アシル、エステル、メルカプト、アルキルチオ、アリールチオ、シアノ、ハロゲン、カルボニル、チオカルボニル、Ｏ−カルバミル、Ｎ−カルバミル、Ｏ−チオカルバミル、Ｎ−チオカルバミル、Ｃ−アミド、Ｎ−アミド、Ｓ−スルホンアミド、Ｎ−スルホンアミド、Ｃ−カルボキシ、保護Ｃ−カルボキシ、Ｏ−カルボキシ、イソシアナト、チオシアナト、イソチオシアナト、ニトロ、シリル、スルフェニル、スルフィニル、スルホニル、ハロアルキル、ハロアルコキシ、トリハロメタンスルホニル、トリハロメタンスルホンアミド並びに一および二置換アミノ基を含むアミノ並びにそれらの保護誘導体から個別に、かつ独立に選択される、約１ないし約２０原子を含む１以上の基で置換されていてもよい基であることを意味する。

本明細書で用いられる「アリール」という用語は、完全に非局在化したπ系を有する、単環Ｃ_３〜２０炭素環系および多環Ｃ_３〜２０炭素環系を指す。例示的なアリール基はフェニルおよびナフチルである。

本明細書で用いられる「アルキル」という用語は１ないし３５個の炭素原子の直鎖または分岐鎖である。アルキル基の例としては、限定されるものではないが、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル等が挙げられる。

本明細書で用いられる「シクロアルキル」という用語は、３ないし３５個の炭素原子を有する、完全に飽和した炭素単環式環系および炭素多環式環系を指す。

「単座配位子」は、金属イオンのような中心原子への１つの結合（例えば、配位共有結合および／または共有結合）を形成する配位子を指す。単座配位子は中性分子または孤立電子対を有するイオンであり得る。「二座」配位子は、中心原子への２つの結合（例えば、配位共有結合および／または共有結合）を形成する配位子を指す。

本明細書で用いられる場合、「リン光」という用語は有機分子の三重項励起状態からの放射を指す。「蛍光」という用語は有機分子の一重項励起状態からの放射を指す。

「凝集放射体（ａｇｇｒｅｇａｔｅ ｅｍｉｔｔｅｒ）」は基底状態および／または励起状態で結合する２種類以上の発光化合物を含む。「エキシマー」は、２つの同一分子にわたって広がり、凝集放射体を含む発光化合物が励起状態では結合するが基底状態では結合しないときに形成される、励起状態波動関数を有する二量体である。

「シルセスキオキサン」という用語はケイ素および酸素からなる多環式化合物のファミリーの一般名である。シルセスキオキサンはシラセスキオキサンおよび多面体オリゴマーシルセスキオキサン（ＰＯＳＳ）としても知られる。

金属の「仕事関数」は金属の表面から電子を引き出すのに必要な最少エネルギーの量である。

「高仕事関数金属」は、正孔を容易に注入し、典型的には４．５以上の仕事関数を有する金属または合金である。

「低仕事関数金属」は、電子を容易に失い、典型的には４．３未満の仕事関数を有する金属または合金である。

「湿式過程」は本明細書では当業者によって理解されるその通常の意味で用いられ、それには層内に含まれる物質が水溶液または有機溶液中に存在する層を形成する過程が含まれる。湿式過程の例としては、限定されるものではないが、噴霧、スピンコーティング、ドロップキャスティング、インクジェット印刷およびスクリーン印刷が挙げられる。

物質は、それが白色光を放射する場合、白色光放射性である。白色光はおおよそのＣＩＥ色座標（Ｘ＝１／３、Ｙ＝１／３）を有する光である。ＣＩＥ色座標（Ｘ＝１／３、Ｙ＝１／３）は無彩色点と定義される。ＸおよびＹ色座標は色と一致するようにＣＩＥ原色に適用される重みである。これらの用語のより詳細な説明はＣＩＥ １９７１，Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｍｍｉｓｓｉｏｎ ｏｎ Ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ，Ｃｏｌｏｒｉｍｅｔｒｙ：Ｏｆｆｉｃｉａｌ Ｒｅｃｏｍｍｅｎｄａｔｉｏｎｓ ｏｆ ｔｈｅ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｍｍｉｓｓｉｏｎ ｏｎ Ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ，Ｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎ ＣＩＥ Ｎｏ．１５（Ｅ−１．３．１）１９７１，Ｂｕｒｅａｕ Ｃｅｎｔｒａｌ ｄｅ ｌａ ＣＩＥ，Ｐａｒｉｓ，１９７１およびＦ．Ｗ．Ｂｉｌｌｍｅｙｅｒ，Ｊｒ．，Ｍ．Ｓａｌｔｚｍａｎ，Ｐｒｉｎｃｉｐｌｅｓ ｏｆ Ｃｏｌｏｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，２ｎｄ ｅｄｉｔｉｏｎ，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ，１９８１に見出すことができ、これらの両者は参照によりそれらの全体がここに組み込まれる。演色評価数（ＣＲＩ）は様々な色を表示する能力を指し、これには０ないし１００の範囲の値があって１００が最良である。

一実施形態は電子輸送化合物、放出性化合物および有機溶媒を含む組成物を提供する。幾つかの実施形態において、組成物は正孔輸送化合物をさらに含むことができる。組成物は印刷過程による発光素子の製造に有用である。組成物はインクジェットプリンタにより使用することができる。

放出性化合物はナノ粒子核に結合するイリジウム錯体（すなわち、イリジウム官能化ナノ粒子）を含む。幾つかの実施形態において、イリジウム錯体はリン光放射体であり得る。一実施形態において、イリジウム官能化ナノ粒子は以下のような式（Ｉ）によって表される。
式（Ｉ）における核はナノ粒子核を表し、その一方で
はイリジウム錯体を表す。イリジウム錯体におけるｎは２であり、各々の
は独立に第１の任意に置換される二座配位子であり、
は第２の任意に置換される二座配位子である。式（Ｉ）におけるＸは単結合または
であり得る。幾つかの実施形態において、第２の任意に置換される二座配位子は
から選択することができ、式中、ｍは１ないし９の範囲の整数であり、ｐは１ないし２０の範囲の整数であり、ｚは０、１または２であり、Ｒ^１はアルキル、置換アルキル、アリールおよび置換アリールから選択され、Ｒ^２は：アルキル、置換アルキル、アリールおよび置換アリールから選択され、^＊は、第２の任意に置換される二座配位子の核またはＸへの結合点を示す。

幾つかの実施形態において、式（Ｉ）のイリジウム官能化ナノ粒子は核に結合する少なくとも１つのホストをさらに含み、その少なくとも１つのホストは正孔輸送物質、電子輸送物質またはそれらの混合物であり得る。換言すると、少なくとも１つのホストは正孔輸送物質および電子輸送物質から独立に選択される。幾つかの実施形態において、少なくとも１つのホストは
を含むことができ、ここでｋは０であるか、または１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、１９および２０から選択される整数である。各々のＲ^５は以下から独立に選択され：
式中、ＲはＨまたはアルキルから独立に選択され、^＊は結合点を示す。
はその結合が核に結合することを示す。

幾つかの実施形態において、核はシルセスキオキサン、シクロホスファゼン、トリアジン、シクロデキストリン、カリザレン、フタロシアニンおよびシリカ粒子からなる群より選択される部分を含むことができる。一実施形態において、核は［ＰＯＳＳ］である。

幾つかの実施形態において、イリジウム官能化ナノ粒子または放出性化合物は以下の式：
によって表すことができ、式中Ｒ’およびＲ’’の両者はＩｒ錯体であり、Ｒ’は
または
によって表され、Ｒ’’は
によって表され、ここで各々の
は独立に第１の任意に置換される二座配位子であり、
は第２の任意に置換される二座配位子である。Ｒ^３は
であり、式中、ｋは０または１ないし２０から選択される整数である。幾つかの実施形態において、Ｒ^３はホストであってもよく、式（Ｉ）、（ＩＩ）および（ＩＩＩ）における各々のＲ^５は独立に以下から選択され：
式中、ＲはＨまたはアルキルから独立に選択され、^＊はＳｉまたはＲ^３内のアルキル基への結合点を示す。幾つかの実施形態において、２以上のホストがイリジウム官能化ナノ粒子錯体内に存在することができる。幾つかの実施形態において、発光組成物は式（Ｉ）、（ＩＩ）または（ＩＩＩ）の化合物から独立に選択される複数のイリジウム官能化ナノ粒子を含むことができる。

幾つかの実施形態において、第１の任意に置換される二座配位子は以下：
およびそれらの任意に置換される誘導体から独立に選択することができ、式中、
はＩｒへの結合点を示す。幾つかの実施形態において、第１の任意に置換される二座配位子は以下の置換誘導体：
から独立に選択することもでき、式中、
はＩｒへの結合点を示す。幾つかの実施形態において、第１の二座配位子は以下：
から独立に選択することができ、式中、
はＩｒへの結合点を示す。幾つかの実施形態において、２つの二座配位子または２つの任意に置換される二座配位子は同じであり得る。

幾つかの実施形態において、第２の任意に置換される二座配位子は以下の基：
から選択することができ、式中、ｍは１ないし９の範囲の整数であり、ｐは１ないし２０の範囲の整数であり、ｚは０、１または２であり、Ｒ^１はアルキル、置換アルキル、アリールおよび置換アリールから選択され、Ｒ^２は：アルキル、置換アルキル、アリールおよび置換アリールから選択され；^＊は核またはＸへの結合点を示す。

本明細書に記載される一実施形態は：
から選択される１以上の式（Ｉ）の化合物を含む組成物に関し、式中、Ｒ^３は以下の式
のうちの１つを有するホストであり、ここでｋは０または１ないし２０から選択される整数であり、Ｒ^５は以下から選択することができ：
式中、ＲはＨまたはアルキルから独立に選択され、^＊はＳｉまたはＲ^３内のアルキル基への結合点を示す。

幾つかの実施形態において、イリジウム官能化ナノ粒子または放出性化合物は下記式：
によって表すことができ、式中、各々のＲ^４は：
から独立に選択され、Ｒ^５は
である。

幾つかの実施形態において、イリジウム官能化ナノ粒子または発光性化合物は下記式：
によって表すことができ、式中、各々のＲ^４は：
から独立に選択され、Ｒ^７は
である。

幾つかの実施形態において、組成物はナノ粒子核に結合しないホスト物質をさらに含むことができる。例示的なホスト物質は当業者に公知である。例えば、発光層に含まれるホスト物質は以下から選択される任意に置換される化合物であり得る：芳香族置換アミン、芳香族置換ホスフィン、チオフェン、オキサジアゾール、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ｔ−ブチル−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＯＸＤ−７）、トリアゾール、３−フェニル−４−（１’−ナフチル）−５−フェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、３，４，５−トリフェニル−１，２，３−トリアゾール、３，５−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチル−フェニル）−４−フェニル［１，２，４］トリアゾール、芳香族フェナントロリン、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−フェナントロリン（バトクプロインまたはＢＣＰ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、キノリン、アルミニウムトリス（８−ヒドロキシキノレート）（Ａｌｑ３）、ピリジン、ジシアノイミダゾール、シアノ置換芳香族化合物、１，３，５−トリス（２−Ｎ−フェニルベンゾイミダゾリル）ベンゼン（ＴＰＢＩ）、４，４’−ビス［Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ，Ｎ’−（３−トリル）アミノ］−３，３’−ジメチルビフェニル（Ｍ１４）、４，４’−ビス［Ｎ，Ｎ’−（３−トリル）アミノ］−３，３’−ジメチルビフェニル（ＨＭＴＰＤ）、１，１−ビス（４−ビス（４−メチルフェニル）アミノフェニル）シクロヘキサン、カルバゾール、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール−ビフェニル（ＣＢＰ）、ポリ（９−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）、Ｎ，Ｎ’Ｎ’’−１，３，５−トリカルバゾロイルベンゼン（ｔＣＰ）、ポリチオフェン、ベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン、トリフェニルアミン、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−（ナフチレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン、４，４’，４’’−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）、フェニレンジアミン、ポリアセチレンおよびフタロシアニン金属錯体。可能性のあるホストとして上に記載される基が正孔輸送物質または電子輸送物質として機能し得ることは当業者には理解される。

幾つかの実施形態において、組成物中の電子輸送化合物は、例えば、アルミニウムトリス（８−ヒドロキシキノレート）（Ａｌｑ３）、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ｔ−ブチル−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＯＸＤ−７）、３−フェニル−４−（１’−ナフチル）−５−フェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−フェナントロリン（バトクプロインまたはＢＣＰ）および１，３，５−トリス［２−Ｎ−フェニルベンゾイミダゾル−ｚ−イル］ベンゼン（ＴＰＢＩ）であり得る。

幾つかの実施形態において、組成物中の正孔輸送化合物は、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ，Ｎ’−（３−トリル）アミノ］−３，３’−ジメチルビフェニル（Ｍ１４）、４，４’，４’−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ，Ｎ’−（３−トリル）アミノ］−３，３’−ジメチルビフェニル（ＨＭＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’Ｎ’’−１，３，５−トリカルバゾロイルベンゼン（ｔＣＰ）、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール−ビフェニル（ＣＢＰ）、ポリ（９−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）、３，４，５−トリフェニル−１，２，３−トリアゾール、３，５−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチル−フェニル）−４−フェニル［１，２，４］トリアゾール、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、１，１−ビス（４−ビス（４−メチルフェニル）アミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−（ナフチレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミンおよび銅フタロシアニンであり得る。幾つかの実施形態において、正孔輸送化合物はカルバゾールであり得る。

幾つかの実施形態において、組成物中の有機溶媒にはハロゲン化炭化水素が含まれ得る。幾つかの実施形態において、有機溶媒はクロロホルム、キシレン、１，３，−ジクロロベンゼン、１，４−ジクロロベンゼン、１，２−ジクロロベンゼン、二塩化エチレン、クロロベンゼン、ベンゼン、トルエン、１，２−ジクロロエタン、４−メチル−２−ペンタノンおよびＣ_１〜１０ケトンからなる群より選択される。幾つかの実施形態において、有機溶媒は１８０．５℃を上回る沸点を有することを特徴とする。幾つかの実施形態において、有機溶媒は約３６．２ダイン／ｃｍを上回る表面張力を有する。

幾つかの実施形態においては、上述の有機溶媒の組み合わせを組成物中で一緒に用いることができる。有機溶媒にはクロロホルム、キシレン、１，３−ジクロロベンゼン、１，４−ジクロロベンゼン、１，２−ジクロロベンゼン、二塩化エチレン、クロロベンゼン、ベンゼン、トルエン、１，２−ジクロロエタン、４−メチル−２−ペンタノンおよびＣ_１〜１０ケトンから選択される２種類の化合物の組み合わせが含まれ得る。

幾つかの実施形態において、組成物中の有機溶媒は約７０ないし約２００ｇ／ｍｏｌ、または約８５ないし約１５０ｇ／ｍｏｌの範囲の分子量を有することができる。

幾つかの実施形態において、放出性化合物は約０．０００１ｗｔ％ないし約１０ｗｔ％、約０．００１ｗｔ％ないし約５ｗｔ％、約０．０１ｗｔ％ないし約１．５ｗｔ％、または約０．０３ｗｔ％ないし約１．５ｗｔ％の濃度で存在し得る。

幾つかの実施形態において、電子輸送化合物は約０．１ｗｔ％ないし約１０ｗｔ％、０．１ｗｔ％ないし約１ｗｔ％、約０．４６ｗｔ％、または約０．１７ｗｔ％の濃度で存在し得る。

幾つかの実施形態において、正孔輸送化合物は約０．１ｗｔ％ないし約５ｗｔ％、あるいは、約０．１％ないし約１０％の濃度で存在し得る。

幾つかの実施形態において、組成物は、約２０℃で、約１ｃＰないし約２０ｃＰまたは約１ｃＰないし約１０ｃＰの粘度を有する。

イリジウム官能化ナノ粒子（すなわち、放出性化合物）は様々な方法で、例えば、イリジウム系錯体をナノ粒子核に結合させることによって調製することができる。光を放出するナノ粒子を製造するための好ましい方法がここで説明される。シルセスキオキサンナノ粒子核へのイリジウム錯体の共有結合は、好ましくは、ここでの説明や、ＰＣＴ ＷＯ ０２／０５９７１（これは参照によりここに組み込まれる）に記載される一般法で行う。好ましいナノ粒子核は、式（ＩＩ）に示されるシルセスキオキサン、より好ましくは、式（ＩＩＩ）に示される１，３，５，７，９，１１，１３，１５−オクタキス（ジメチルシリルオキシ）ペンタシクロ−［９．５．１．１^３，９．１^５，１５．１^７，１３］オクタシロキサンであり、両式は上に示される。

１以上のイリジウム錯体をナノ粒子核に結合させることによって様々な色を放出する放出性化合物を調製することができる。ここで説明されるイリジウム官能化ナノ粒子を調製するための例示的な方法をスキーム１ａ〜ｃおよび２ａ〜ｄに示す。

スキーム１ａ、１ｂおよび１ｃにおいて、
、ｍおよびＲ^１は上述のものと同じであり、ｑは０または１ないし１８の範囲の整数であり得る。

スキーム２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄおよび２ｅにおいて、
およびＲ^１は上述のものと同じであり、ｐおよびｑは０または１ないし１８の範囲の整数であり得、Ｒ^５は以下から選択することができ：
式中、ＲはＨまたはアルキルから独立に選択され、^＊はＳｉまたはＲ^４内のアルキル基への結合点を示す。適切な塩基は当業者に公知である。一実施形態において、例示的な塩基はイミダゾールである。ヒドロシリル化反応について、適切な［Ｐｔ］触媒は当業者に公知である。一実施形態において、例示的な［Ｐｔ］触媒は白金ジビニルテトラメチルジシロキサン（Ｐｔ（ｄｖｓ））である。

イリジウム官能化ナノ粒子は、イリジウム錯体の固有性に依存して、様々な色を放出するように構成することができる。イリジウム錯体は、好ましくは、得られるイリジウム官能化ナノ粒子が望ましい色（例えば、白色光）を放出するように選択される。イリジウム錯体を適切に選択することによりイリジウム官能化ナノ粒子によって放出される色を変化させることができることを当業者は理解する。

一実施形態において、ナノ粒子核は式（ＩＩ）によって表されるシルセスキオキサン核を有する単一のシルセスキオキサンであり得る。式（ＩＩ）に示されるシルセスキオキサン核は比較的堅い立方体構造を有し、式（ＩＩ）においてＲ’基によって表されるイリジウム錯体はシルセスキオキサンの頂点で結合することができる。本発明はいかなる操作の理論によっても束縛されるものではないが、結合したホスト物質を有するナノ粒子核の外表面上への共有結合によるイリジウム錯体の連結は、ホストへのイリジウム錯体の直接取り込みよりむしろ、イリジウム錯体同士の相互作用を実質的に減少させ、したがって、凝集を妨げることができるものと考えられる。結果として、ここで説明されるイリジウム官能化ナノ粒子による光の放出が改善される。加えて、シルセスキオキサン核はここで説明される発光組成物に幾らかの熱安定性をもたらすものと考えられる。一実施形態において、シルセスキオキサン核を有する例示的イリジウム官能化ナノ粒子は以下で示され：
式中、「Ｉｒ錯体」はイリジウム系錯体であり、Ｒ^３は上で定義される通りである。

ここで説明されるイリジウム官能化ナノ粒子または放出性化合物は様々な方法で発光素子に組み込むことができる。例えば、一実施形態では：高仕事関数金属を含む陽極層；低仕事関数金属を含む陰極層；陽極層および陰極層の間に位置し、それらに電気的に接続する発光層を含む発光素子が提供される。発光層は、ここで説明されるように、イリジウム官能化ナノ粒子またはその組成物を含む。例えば、一実施形態において、発光層はリン光放出性官能化ナノ粒子、例えば、イリジウム官能化ナノ粒子を含む。一実施形態において、イリジウム官能化ナノ粒子は式（Ｉ）によって表される。一実施形態において、イリジウム官能化ナノ粒子は有機−無機イリジウム官能化ナノ粒子である。一実施形態において、有機−無機イリジウム官能化ナノ粒子は無機元素、例えば、リン（Ｐ）、ケイ素（Ｓｉ）および／または金属を含むナノ粒子核を含む。例えば、一実施形態において、ナノ粒子核はシルセスキオキサン、シクロホスファゼン、トリアジン、シクロデキストリン、カリザレン、フタロシアニンおよびシリカ粒子からなる群より選択される部分を含む。

ここで説明される組成物は１以上のイリジウム官能化ナノ粒子（すなわち、放出性化合物）、電子輸送化合物および有機溶媒を含むことができる。幾つかの実施形態において、組成物は正孔輸送化合物をさらに含む。

陽極層は従来の物質、例えば、金属、混合金属、合金、金属酸化物もしくは混合金属酸化物または導電性ポリマーを含むことができる。適切な金属の例としては、第１族金属、第４、５、６族金属および第８〜１０族遷移金属が挙げられる。陽極層を光透過性とする場合、第１２、１３および１４族金属またはそれらの合金の混合金属酸化物、例えば、Ａｕ、Ｐｔおよびインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）を用いることができる。陽極層は、例えば、‘‘Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅｓ ｍａｄｅ ｆｒｏｍ ｓｏｌｕｂｌｅ ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ ｐｏｌｙｍｅｒ，’’ Ｎａｔｕｒｅ，ｖｏｌ．３５７，ｐｐ．４７７−４７９（１１ Ｊｕｎｅ １９９２）に記述されるポリアニリンのような有機物質を含むことができる。適切な高仕事関数金属の例としては、これらに限定されるものではないが、Ａｕ、Ｐｔ、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）またはそれらの合金が挙げられる。一実施形態において、陽極層は約１ｎｍないし約１０００ｎｍの範囲の厚みを有することができる。

陰極層は陽極層よりも低い仕事関数を有する物質を含むことができる。陰極層に適する物質の例としては、第１族のアルカリ金属、第２族金属、希土類元素を含む第１２族金属、ランタニドおよびアクチニド、アルミニウム、インジウム、カルシウム、バリウム、サマリウムおよびマグネシウムのような物質並びにそれらの組み合わせから選択されるものが挙げられる。Ｌｉ含有有機金属化合物、ＬｉＦおよびＬｉ_２Ｏも有機層および陰極層の間に被着させて作動電圧を低下させることができる。適切な低仕事関数金属には、これらに限定されるものではないが、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｍｇ／Ａｇ、ＬｉＦ／Ａｌ、ＣｓＦ、ＣｓＦ／Ａｌまたはそれらの合金が含まれる。一実施形態において、陰極層は約１ｎｍないし約１０００ｎｍの範囲の厚みを有することができる。

組成物中の放出性化合物の量は変化し得る。幾つかの実施形態において、発光組成物層中のイリジウム官能化ナノ粒子の量は、発光層の総重量を基準にして、約１重量％ないし約１００重量％の範囲であり得る。一実施形態において、発光層中のイリジウム官能化ナノ粒子の量は、発光層の総重量を基準にして、約３０重量％ないし約７０重量％の範囲であり得る。幾つかの実施形態において、発光層中のイリジウム官能化ナノ粒子の量は、発光層の総重量を基準にして、約１重量％ないし約１０重量％の範囲であり得る。幾つかの実施形態において、発光層は約２０ｎｍないし約１５０ｎｍの範囲の厚みを有することができる。

所望であれば、追加層を発光素子内に含めることができる。追加層には、電子注入層（ＥＩＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、正孔遮断層（ＨＢＬ）、励起子遮断層（ＥＢＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）および／または正孔注入層（ＨＩＬ）が含まれる。一実施形態において、発光素子は電子注入層を、例えば陰極層および発光層の間に、含むことができる。電子注入層に含めることができる物質（１種類以上）の最低非占有分子軌道（ＬＵＭＯ）エネルギー準位は、好ましくは、発光層から電子を受け取るのを防ぐのに十分な高さである。電子注入層に含めることができる物質（１種類以上）のＬＵＭＯと陰極層の仕事関数とのエネルギー差は、好ましくは、陰極からの効率的な電子注入を許容するのに十分な小ささである。多数の適切な電子注入物質が当業者に公知である。電子注入層に含めることができる適切な物質（１種類以上）の例としては、これらに限定されるものではないが、以下から選択される任意に置換される化合物が挙げられる：アルミニウムキノレート（Ａｌｑ_３）、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、フェナントロリン、キノキサリン、１，３，５−トリス［Ｎ−フェニルベンゾイミダゾル−ｚ−イル］ベンゼン（ＴＰＢＩ）、トリアジン、８−ヒドロキシキノリンの金属キレート、例えば、トリス（８−ヒドロキシキノリアート）アルミニウム、および金属チオキシノイド化合物、例えば、ビス（８−キノリンチオラート）亜鉛。

ここで説明される幾つかの実施形態は、陰極および放出層の間に位置する電子輸送層を含むことができる。適切な電子輸送物質は当業者に公知である。電子輸送層に含めることができる例示的な電子輸送物質は以下から選択される任意に置換される化合物である：アルミニウムトリス（８−ヒドロキシキノレート）（Ａｌｑ３）、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ｔ−ブチル−フェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＯＸＤ−７）、３−フェニル−４−（１’−ナフチル）−５−フェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−フェナントロリン（バトクプロインまたはＢＣＰ）および１，３，５−トリス［２−Ｎ−フェニルベンゾイミダゾル−ｚ−イル］ベンゼン（ＴＰＢＩ）。

別の実施形態において、素子は正孔遮断層を、例えば陰極および発光層の間に、含むことができる。正孔遮断層に含めることができる様々な適切な正孔遮断物質が当業者に公知である。適切な正孔遮断物質（１種類以上）には、これらに限定されるものではないが、以下から選択される任意に置換される化合物が含まれる：バトクプロイン（ＢＣＰ）、３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾール、３，５−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチル−フェニル）−４−フェニル−［１，２，４］トリアゾール、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリンおよび１，１−ビス（４−ビス（４−メチルフェニル）アミノフェニル）−シクロヘキサン。

さらに別の実施形態において、発光素子は励起子遮断層を、例えば発光層および陽極の間に、含むことができる。励起子遮断層を含む物質（１種類以上）のバンドギャップは、好ましくは、励起子の拡散を実質的に防ぐのに十分な大きさである。励起子遮断層に含めることができる多数の適切な励起子遮断物質が当業者に公知である。励起子遮断層を構成することができる物質（１種類以上）の例としては、以下から選択される任意に置換される化合物が挙げられる：アルミニウムキノレート（Ａｌｑ_３）、４，４’−ビス［Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール−ビフェニル（ＣＢＰ）、バトクプロイン（ＢＣＰ）および励起子の拡散を実質的に防ぐのに十分な大きいバンドギャップを有するあらゆる他の物質（１種類以上）。

さらに別の実施形態において、発光素子は正孔輸送物質を含むことができる。正孔輸送物質は、必要に応じて、独立層として存在しても、放出層に含まれても、同時に両者に含まれてもよい。正孔輸送層が存在する場合、それは発光層および陽極の間に存在することができる。正孔輸送層に含めることができる適切な正孔輸送物質は当業者に公知である。例えば、正孔輸送層に含めることができる正孔輸送物質は、４，４’−ビス［Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ，Ｎ’−（３−トリル）アミノ］−３，３’−ジメチルビフェニル（Ｍ１４）、４，４’，４’−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ，Ｎ’−（３−トリル）アミノ］−３，３’−ジメチルビフェニル（ＨＭＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’Ｎ’’−１，３，５−トリカルバゾロイルベンゼン（ｔＣＰ）、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール−ビフェニル（ＣＢＰ）、ポリ（９−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）、３，４，５−トリフェニル−１，２，３−トリアゾール、３，５−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチル−フェニル）−４−フェニル［１，２，４］トリアゾール、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、１，１−ビス（４−ビス（４−メチルフェニル）アミノフェニル）シクロヘキサン、カルバゾール、ポリチオフェン、ベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン、トリフェニルアミン、フェニレンジアミン、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−（ナフチレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン、オキサジアゾール、ポリアセチレンおよびフタロシアニン金属錯体である。

一実施形態において、発光素子は正孔注入層を、例えば発光層および陽極の間に、含むことができる。正孔注入層に含めることができる様々な適切な正孔注入物質が当業者に公知である。例示的な正孔注入物質（１種類以上）には以下から選択される任意に置換される化合物が含まれる：ポリチオフェン誘導体、例えば、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）／ポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）、ベンジジン誘導体、例えば、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラフェニルベンジジン、ポリ（Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン）、トリフェニルアミンもしくはフェニレンジアミン誘導体、例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−１，４−フェニレンジアミン、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−（ナフチレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミン、オキサジアゾール誘導体、例えば、１，３−ビス（５−（４−ジフェニルアミノ）フェニル−１，３，４−オキサジアゾル−２−イル）ベンゼン、ポリアセチレン誘導体、例えば、ポリ（１，２−ビス−ベンジルチオ−アセチレン）、またはフタロシアニン金属錯体誘導体、例えば、銅フタロシアニン。正孔注入物質は、依然として正孔を輸送することができるものの、正孔注入物質が従来の正孔輸送物質の正孔移動度よりも実質的に小さい正孔移動度を有するという点で、従来の正孔輸送物質とは区別される。

当業者は、素子の構成に依存して上述の様々な物質を幾つかの異なる層に組み込むことができることを認める。好ましくは、各層において用いられる物質は発光層中の正孔および電子の再結合が生じるように選択される。電子注入層（ＥＩＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、正孔遮断層（ＨＢＬ）、励起子遮断層（ＥＢＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）および正孔注入層（ＨＩＬ）は当業者に公知の方法（例えば、蒸着）を用いて発光素子に加えることができる。

放出性化合物を含む発光素子は、ここで提供される指針によって情報が得られるように、当該分野において公知の技術を用いて製造することができる。例えば、陽極として作用し得るＩＴＯのような高仕事関数金属でガラス基板をコーティングすることができる。陽極層のパターン形成をした後、イリジウム官能化ナノ粒子または放出性化合物を含む放出層を陽極上に形成することができる。その後、低仕事関数金属（例えば、Ｍｇ：Ａｇ）を含む陰極層を発光組成物層上に蒸着させることができる。所望であれば、ここで提供される指針によって情報が得られるように、当該分野において公知の技術を用いて素子に加えることができる電子輸送／注入層、正孔遮断層、正孔注入層、励起子遮断層および／または第２放出層を素子が含むことも可能である。好ましい実施形態において、ここで開示される組成物は、発光素子を作製するため、インクジェットプリンタを用いて印刷することができる。結果として、ＯＬＥＤ素子の製造がより容易になる。

幾つかの実施形態において、有機発光素子の製造方法は以下の工程を含む：導電性基板（例えば、ＩＴＯ）を用意する工程、印刷過程によって上述の組成物を導電性基板上に被着させる工程、および不活性雰囲気中で放出層および基板を加熱して放出層を形成する工程。組成物は２０℃で約１ないし約１０ｃＰ、あるいは、約１ないし約２０ｃＰの粘度を有することができる。幾つかの実施形態において、組成物は約１０ないし約５０ダイン／ｃｍ、あるいは、約３２ないし約４１ダイン／ｃｍの表面張力を有することもできる。幾つかの実施形態において、この方法は上記放出層上に正孔遮断層を被着させる工程、および該正孔遮断層上に陰極を被着させる工程をさらに含むことができる。

幾つかの実施形態において、被着した放出層は約５１ｎｍ二乗平均平方根（ＲＭＳ）未満、約２４ｎｍ ＲＭＳ未満、または約３ないし約５ｎｍ ＲＭＳの範囲の粗度を有する。粗度は光干渉法エッジスキャン（ｏｐｔｉｃａｌ ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｒｙ ｅｄｇｅ ｓｃａｎｓ）によって決定する。印刷可能な組成物を用いて製造された発光素子は、約５０００ｃｄ／ｍ^２を超え、または約１０，０００ｃｄ／ｍ^２すら上回る発光をもたらし得る。

ここで説明される発光素子は様々な色の光を放出するように構成することができる。一実施形態においては、２種類以上の放出性化合物を異なる比で組み合わせて光の色を生成することができる。別の実施形態においては、１種類以上のイリジウム官能化ナノ粒子を１種類以上の他のタイプの発光化合物と組み合わせて光の色を生成することができる。例えば、青色発光性イリジウム官能化ナノ粒子およびオレンジ色発光性化合物（１種類以上）（例えば、オレンジイリジウム官能化ナノ粒子）を発光層に入れて白色光を生成することができる。ここで説明される幾つかの実施形態において、発光組成物は、青、緑、オレンジ、赤および白のような光を放出するように構成される。

いかなる特定の理論または操作によっても束縛されることなしに、ホストとしてのナノ粒子核上への正孔輸送または電子輸送部分の取り込みは電荷移動度を増加させ、かつ／または素子内での正孔輸送もしくは電子輸送の均衡を保たせることができるものと考えられる。ナノ粒子核へのホストの直接結合は正孔輸送または電子輸送部分（すなわち、ホスト）と放出性ドーパント（すなわち、Ｉｒ錯体）との間の適合性をさらに改善するか、または相分離の可能性を低下させ得る。

幾つかの実施形態において、シルセスキオキサン核を有する例示的なルモフォア官能化ナノ粒子は以下のように示される。
Ｉｒ−錯体−Ａ、Ｉｒ−錯体−ＢおよびＩｒ−錯体−Ｃは上述のＩｒ−錯体のいずれでもあり得る３つの異なるＩｒ−錯体を表す。「ホスト」も上で定義されるものと同じものである。異なる比の３種類の赤−緑−青ホスト／ルモフォア官能化ナノ粒子を混合することにより、発光素子の一実施形態は白色またはほぼ白色の光を放出することができる。

一実施形態では異なるホスト／ルモフォア官能化ナノ粒子の混合物を含む発光組成物が提供される。幾つかの実施形態において、発光組成物は１種類以上の上で定義される式（Ｉ）の化合物を含むことができる。幾つかの実施形態において、発光組成物は以下の群から選択される２種類以上の化合物の混合物であり得：
式中、Ｒ^３は式
を有するホストであり、ｋは０または１ないし２０から選択される整数であり、Ｒ^５は以下から選択することができ：
ここで、ＲはＨまたはアルキルから独立に選択され、^＊はＳｉまたはＲ^３内のアルキル基への結合点を示す。

幾つかの実施形態において、ルモフォアの固有性およびルモフォアのホスト基に対する相対比は、約６０ないし約１００、約８０ないし約１００、または７０を上回る範囲のＣＲＩ比を有するように選択することができる。

実施形態のうちの幾つかは核に結合するホストを少なくとも１つ含み、そのホストは正孔輸送物質または電子輸送物質から独立に選択される。これらの実施形態においては、幾つかのホストが存在し得る。例えば、１、２、３、４またはそれを上回るホストが存在し得る。ホストは独立に選択されるため、複数のホストが同じであることも異なることもある。例えば、すべてのホストが同じ正孔輸送物質であり得るか、またはすべてのホストが同じ電子輸送物質であり得る。加えて、１種類以上のホストが１種類以上の他のホストとは異なる正孔輸送物質であってもよい。同様に、１種類以上のホストが１種類以上の他のホストとは異なる電子輸送物質であってもよい。さらに、すべてが単一の核に結合する場合に、１種類以上のホストが１種類以上の電子輸送物質であってもよく、１種類以上のホストが１種類以上の正孔輸送物質であってもよい。

例えば、式（ＩＶ）によって表される化合物は：
である１、２、３またはそれを上回るＲ^４基および：
である１、２、３またはそれを上回るＲ^４を有することができる。

あるいは、式（ＩＶ）によって表される化合物のＲ^４部分のすべてが：
であってもよい。

あるいは、式（ＩＶ）によって表される化合物のＲ^４部分のすべてが：
であってもよい。

Ｒ^４の組み合わせの異なる置換パターンも可能である。

同様に、例えば、式（Ｖ）によって表される化合物は：
である１、２、３またはそれを上回るＲ^４基および：
である１、２、３またはそれを上回るＲ^４基を有することができる。

あるいは、式（ＩＶ）によって表される化合物のＲ^６部分のすべてが：
であってもよい。

Ｒ^６の組み合わせの異なる置換パターンも可能である。

上に開示される組成物のいずれも、インクジェットプリンタによって導電性基板上に組成物を被着することを含む発光素子の製造方法において用いることができる。

ここで開示される組成物において用いられる化合物は、発明者ＨＹＵＮ ＳＩＫ ＣＨＡＥらの利益になるように２００８年７月２日に出願された発光素子および組成物（ＬＩＧＨＴ ＥＭＩＴＴＩＮＧ ＤＥＶＩＣＥＳ ＡＮＤ ＣＯＭＰＯＳＩＴＩＯＮＳ）と題する米国特許出願第１２／１６７，１２７号（これは参照によりその全体がここに組み込まれる）に記述される方法によって調製することができる。ここで説明される組成物は米国特許出願第１２／１６７，１２７に記述されるもののような素子の調製に用いることもできる。

ここで代表的な実施形態を、いかにしてそのような実施形態を実行することができるかを含めて、説明する。それらの方法、材料、条件、過程、パラメータ、装置等が必ずしも本発明の範囲を限定するものではないことが理解される。

すべての化学物質、溶媒および試薬はＡｌｄｒｉｃｈおよびＡＣＲＯＳ ＯＲＧＡＮＩＣＳから購入し、さらに精製することなしに用いた。ＩｒＣｌ_３・Ｈ_２Ｏまたはあらゆる他のＩｒ（ＩＩＩ）種に関わるすべての手順は、それらの化合物の空気安定性にもかかわらず不活性気体雰囲気中で行ったが、主たる関心はそれらの酸化安定性および高温での中間錯体の安定性である。^１Ｈおよび^１３Ｃ ＮＭＲデータは室温、ＣＤＣｌ_３または（ＣＤ_３）_２ＣＯ中、４００ＭＨｚ（^１３Ｃ｛１Ｈ｝については１００ＭＨｚ）で測定した。ＵＶ−ｖｉｓスペクトルはＰｅｒｋｉｎ−Ｅｌｍｅｒ ＵＶ−ｖｉｓ Ｌａｍｂｄａ分光計で、分光グレードのクロロホルムまたはジクロロメタン中の溶液として記録した。質量スペクトルはＢｒｕｍｍｅｒ Ｄａｌｔｏｎｉｃｓ ｍｉｃｒｏｆｌｅｘ ＬＴで記録した。融点および分解温度はＰｅｒｋｉｎ−Ｅｌｍｅｒ示差走査熱量計Ｐｙｒｉｓ １で測定した。

２の合成手順：４−（クロロメチル）ベンジルアルコール１（５ｇ、３２ｍｍｏｌ）、３，４−ジヒドロ−２Ｈ−ピラン（２．６９ｇ、３２ｍｍｏｌ）およびｐ−トルエンスルホン酸一水和物（６０ｍｇ、０．３２ｍｍｏｌ）を６０ｍＬの無水ジクロロメタンに溶解した。混合物をアルゴンの下、室温で３時間撹拌した。その後、粗製混合物をジクロロメタンで抽出し、水で３回（５０ｍＬ×３）および食塩水（５０ｍＬ）で洗浄し、無水硫酸マグネシウム、ＭｇＳＯ_４で乾燥させた。次いで、減圧下で有機溶媒を蒸発させた。その粗製生成物をフラッシュクロマトグラフィーによって１：４比（Ｒ_ｆ＝０．６３）の酢酸エチルおよびヘキサンで溶出し、６．１５ｇ（８０％）の２を無色油として得た。

３の合成手順：アセチルアセトン（２ｇ、２０ｍｍｏｌ）を、氷／水浴内、０℃の無水ＴＨＦ中で、２．２当量の１．８ＭのＬＤＡ（２４ｍＬ、４４ｍｍｏｌ）と反応させた。反応混合物を０℃で２０分間撹拌した後、２（３．０５ｇ、２０ｍｍｏｌ）をゆっくりと添加した。次に、反応混合物を０℃でさらに２０分撹拌した後、１ＭのＨＣｌ（ａｑ）でクエンチした。有機溶媒をロータリーエバポレーターによって完全に蒸発させ、残滓をジクロロメタンに溶解した。有機層を水および食塩水で３回（３×５０ｍＬ）洗浄し、ＭｇＳＯ_４で乾燥させた。粗製生成物を、１：４比（Ｒ_ｆ＝０．４５）の酢酸エチルおよびヘキサンを用いるシリカゲルクロマトグラフィーによってさらに精製し、１．３５ｇ（収率３１％）の３を淡黄色油として得た。

４の合成手順：３（１．０６ｇ、３．４８ｍｍｏｌ）をメタノール（２０ｍＬ）に溶解し、０．５ｍＬの濃ＨＣｌ（ａｑ）と混合した。混合物を室温で２時間撹拌した。ロータリーエバポレーターによってメタノールを除去し、残滓を酢酸エチルに溶解した。有機層を水、食塩水で洗浄し、ＭｇＳＯ_４で乾燥させた。粗製混合物を、１：１比（Ｒ_ｆ＝０．６５）の酢酸エチルおよびヘキサンを用いるシリカゲルクロマトグラフィーによってさらに精製し、０．７２ｇ（９４％）の４を精製生成物として得た。

二量体Ｉ、［Ｉｒ（μ−Ｃｌ）（ｐｐｙ） _２ ］ _２ の合成手順：Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９８４，１０６，６６４７およびＢｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，１９７４，４７，７６７（これらは両者とも参照によりそれらの全体がここに組み込まれる）に記述される手順に従って二量体Ｉを合成した。三塩化イリジウム水和物（１ｍｍｏｌ）を２−エトキシエタノールおよび水（３／１）の混合液に溶解した２−フェニルピリジン（４．４６ｍｍｏｌ）と合わせた。混合物を２４時間還流した。次に、溶液を室温まで冷却し、黄色沈殿を９５％エタノールおよびアセトンで洗浄した。次いで、黄色沈殿をジクロロメタンに溶解し、濾過した。トルエンおよびヘキサンを濾液に添加した後、蒸発によってその体積を減少させた。冷却後、二量体１の結晶が得られた。

Ｉｒ−化合物Ｉの合成手順：二量体Ｉ（３．１１ｇ、２．９ｍｍｏｌ）、４（１．６４ｇ、７．４５ｍｍｏｌ）および重炭酸ナトリウムＮａ_２ＣＯ_３（３．２６ｇ）を２−エトキシエタノール（５０ｍＬ）に溶解し、アルゴン雰囲気下で１２〜１５時間還流した。冷却後、Ｎａ_２ＣＯ_３を濾別した。濾液を減圧下で蒸発させ、生じる残滓をジクロロメタンに再溶解した。溶液を水および食塩水で洗浄した。有機層をＭｇＳＯ_４で乾燥させた後、１：１比（Ｒ_ｆ＝０．３３）の酢酸エチルおよびヘキサンで溶出するシリカゲルカラムクロマトグラフィーにかけ、２．８５ｇ（６８％）のＩｒ化合物Ｉを得た。ＭＳ（ｍ／ｚ）：Ｃ_３５Ｈ_３１ＩｒＮ_２Ｏ_３の算出値７１９．８５、実測値７２０．０。融点：２４５℃。ＴＧＡ；Ｔ_５％＝空気中で３０９℃。

Ｉｒ（ｐｐｙ）２ＰＯＳＳの合成手順−緑色発光性：無水ジクロロメタン中のＩｒ化合物Ｉ（０．４７ｇ、０．６５ｍｍｏｌ）、１．５当量のＰＯＳＳ−クロロ−ヘプタシクロペンチル置換（０．９２ｇ、０．９８ｍｍｏｌ）および２当量のイミダゾール（８９ｍｇ、１．３ｍｍｏｌ）を室温で２時間撹拌した。次に、反応混合物を水および食塩水で洗浄した。有機層をＭｇＳＯ_４で乾燥させ、１．５４ｇの粗製生成物を黄色固体として得た。粗製固体を、１：４比（Ｒ_ｆ＝０．２５）の酢酸エチルおよびヘキサンで溶出するシリカゲルクロマトグラフィーによって精製し、０．８８ｇ（８３％）の（ＰＯＳＳ）（Ｉｒ化合物Ｉ）を得た。Ｃ_７０Ｈ_９４ＩｒＮ_２Ｏ_１５Ｓｉ_８ ｍ／ｅ：１６１９．４４（１００％）。ＭＳ（ｍ／ｚ）：Ｃ_７０Ｈ_９３ＩｒＮ_２Ｏ_１５Ｓｉ_８の算出値１６１９．３９、実測値１６１９。

実施例１に記述されるのと同様な手順を用いるか、または ＨｅＩｖ．Ｃｈｉｍ．Ａｃｔａ．，１９７７，６０，６３８に記述される文献手順に従って、デカ−９−エン−２，４−ジオンを合成した。

Ｉｒ化合物Ｖの合成手順：二量体Ｉ［Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（μ−Ｃｌ）］（６．０ｇ、５．６ｍｍｏｌ）を窒素ガスで脱気した無水メタノール１００ｍＬに懸濁させた。デカ−９−エン−２，４−ジオン（２．１９ｇ、１３ｍｍｏｌ）およびトリエチルアミン（ＮＥｔ_３）（２．４０ｍＬ、１７．５ｍｍｏｌ）を添加し、得られた混合物を加熱して３時間還流させた。得られる反応混合物を室温まで冷却し、ロータリーエバポレーターを用いることによって濃縮した。粗製混合物を２００ｍＬのクロロホルム（ＣＨＣｌ_３）で抽出し、水（１００ｍＬ×３）および食塩水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒を除去した後、１：２比のＥｔＯＡｃ：ｎ−ヘキサンを溶離液とするシリカゲルを用いるフラッシュクロマトグラフィーによって残滓を精製し、４．８ｇ（６４％）の生成物、Ｉｒ化合物Ｖを微細黄色粉末として得た。

（ＰＯＳＳ）（Ｉｒ化合物Ｖ）の合成手順−緑色発光性：Ｉｒ化合物Ｖ（８００ｍｇ、１．２ｍｍｏｌ）およびＰＳＳ−（ヒドリドジメチル−シロキシ）−ヘプタシクロペンチル置換（Ａｌｄｒｉｃｈ）（１．１７ｇ、１．２ｍｍｏｌ）を１０ｍＬの乾燥トルエンに溶解した後、Ｐｔ（０）−１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、Ｐｔ（ｄｖｓ）触媒（０．０３ｍＬ）を添加した。反応混合物をＡｒ雰囲気下で２４時間撹拌した後、過剰量のメタノールに注ぎ入れた。沈殿物を、１：４比のｎ−ヘキサン：ＥｔＯＡｃを溶離液として用いるシリカゲルクロマトグラフィーによって精製し、１．８ｇ（９２％）の（ＰＯＳＳ）（Ｉｒ化合物Ｖ）を淡黄色粉末として得た。

ＰＯＳＳ（Ｉｒ−ｐｐｙ） _１ （カルバゾール） _７ の合成手順：丸底フラスコに撹拌棒、オクタキス（ジメチルシロキシ）−ＰＯＳＳ（４９２ｍｇ、０．４８３ｍｍｏｌ）、（Ｉｒ化合物Ｖ）（３２３ｍｇ、０．４８３ｍｍｏｌ）および無水トルエン（２０ｍＬ）を投入した。溶液をアルゴンで５分間脱気した後、白金−ジビニルテトラメチルジシロキサン（Ｐｔ（ｄｖｓ））（０．０４ｍＬ、キシレン中の２％ Ｐｔ ｗｔ．溶液）を添加し、反応混合物をアルゴン陽圧の下、室温で１時間撹拌した。Ｎ−アリルカルバゾール（１．００ｇ、４．８３ｍｍｏｌ）を添加し、反応混合物を室温で２時間撹拌した。トルエンを真空中で蒸発させ、生成物を１：１ ジクロロメタン：ヘキサンを用いてクロマトグラフィー分離して３０１ｍｇ（２０％）を得た。

実施例９
発光素子の製造：素子基板、例えば、ＩＴＯコートガラスを、洗剤洗浄、溶媒すすぎおよび溶媒煮沸を含む標準な多工程洗浄過程を用いて調製した。その後、プラズマ灰化過程であらゆる表面有機不純物を除去した。次に、Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｋ（ＰＶＰ ＡＩ ４０８３）から購入したポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルホネート）（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）を基板上にスピンコートして正孔注入層を形成した。スピンコートの後、基板を約１１５℃で２０分間加熱して水分を除去した。表１に列挙される組成を有する放出層を、Ｄｉｍａｔｉｘ／Ｆｕｊｉｆｉｌｍ ＤＭＰ−２８００マテリアルプリンタを用いるインクジェット印刷によって空気中でＰＥＤＯＴ：ＰＳＳコート基板上に被着させた。組成物中に生じる放出性化合物濃度はＰＶＫにＰＢＤを加えたものの合計質量を基準にして約２．６ｗｔ％であり、これは固体組成物中に約１ｗｔ％の染料充填に相当した。インク組成物は５０μｍの液滴間隔で印刷した。液滴間隔は約８８μｍの測定液滴サイズよりも小さく、したがって、基板上の組成物の連続被覆をもたらしていた。さらに、次の各層は前の層から（＿ｘ，＿ｙ）＝（±２５μｍ，±２５μｍ）だけ補正して完全な被覆を確実なものとした。続いて、さらなる処理に先立ち、得られる積層物を不活性雰囲気中、１１５℃で３０分間加熱した。次いで、４００Åの２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）正孔遮断層を真空蒸着チャンバ（Ａｎｇｓｔｒｏｍ）内、１０^−６Ｔｏｒｒの圧力、１Å／ｓの均一な成長速度で蒸着した。次に、１５°Ａ ＬｉＦ、次いで少なくとも１０００ÅのＡｌを用いて、シャドウマスクを通して陰極を被着させた。得られた素子を不活性雰囲気中で特徴付けた。

本発明の範囲から逸脱することなしに上述の過程に対して様々な省略、付加および修正をなすことができ、そのような修正および変更のすべてが本発明の範囲内に入ることが意図されることを当業者は理解するであろう。

Claims (44)

1. 電子輸送化合物；
   放出性化合物；および
   有機溶媒；
   を含む組成物であって、上記放出性化合物が式（Ｉ）：
   によって表され、式中：
   核はナノ粒子核であり；
   ｎは２であり；
   Ｘは単結合または
   であり；
   各々の
   は独立に第１の任意に置換される二座配位子であり；
   は：
   から選択される第２の任意に置換される二座配位子であり、
   ここでｍは１ないし９の範囲の整数であり、ｐは１ないし２０の範囲の整数であり、ｚは０、１または２であり、Ｒ^１はアルキル、置換アルキル、アリールおよび置換アリールから選択され、Ｒ^２はアルキル、置換アルキル、アリールおよび置換アリールから選択され、^＊は第２の任意に置換される二座配位子の核またはＸへの結合点を示す、
   組成物。
2. １以上の上記式（Ｉ）の化合物がさらに上記核に結合するホストを少なくも１つ含み、該ホストが正孔輸送物質または電子輸送物質から独立に選択される、請求項１に記載の組成物。
3. 上記少なくとも１つのホストが
   を含み、式中、ｋは０または１ないし２０から選択される整数であり、各Ｒ^５は以下：
   から独立に選択され、ここでＲはＨまたはアルキルから独立に選択され、^＊は結合点を示す、請求項２に記載の組成物。
4. 上記少なくとも１つのホストが正孔輸送物質を含む、請求項２または３に記載の組成物。
5. 上記核がシルセスキオキサン、シクロホスファゼン、トリアジン、シクロデキストリン、カリザレン、フタロシアニンおよびシリカ粒子からなる群より選択される部分を含む、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の組成物。
6. 上記シルセスキオキサンが１，３，５，７，９，１１，１３，１５−オクタキス（ジメチルシリルオキシ）ペンタシクロ−［９．５．１．１３，９．１５，１５．１７，１３］−オクタシロキサンを含む、請求項５に記載の組成物。
7. 上記第１の任意に置換される二座配位子が：
   およびそれらの任意に置換される誘導体から選択され、式中
   はＩｒへの結合点を示す、請求項１ないし６のいずれか１項に記載の組成物。
8. 上記第１の任意に置換される二座配位子が：
   から選択される置換誘導体であり、式中
   はＩｒへの結合点を示す、請求項１ないし６のいずれか１項に記載の組成物。
9. 上記第１の任意に置換される二座配位子が：
   から選択され、式中
   はＩｒへの結合点を示す、請求項１ないし６のいずれか１項に記載の組成物。
10. 上記第１の任意に置換される二座配位子が同じである、請求項１ないし９のいずれか１項に記載の組成物。
11. 上記式（Ｉ）の化合物が：
    から選択され、式中、Ｒ^３は下記式
    を有するホストであり、ここでｋは０または１ないし２０から選択される整数であり、Ｒ^５は以下から選択することができ：
    式中、ＲはＨまたはアルキルから独立に選択され、^＊は結合点を示す、請求項１に記載の組成物。
12. 電子輸送化合物；
    放出性化合物；および
    有機溶媒
    を含む組成物であって、上記放出性化合物が下記式：
    のうちの１つによって表され、式中、Ｒ’は
    によって表され、Ｒ’’は
    によって表され、ここで各々の
    は独立に第１の任意に置換される二座配位子であり、
    は第２の任意に置換される二座配位子であり；
    Ｒ^３は
    であり、ここでｋは０または１ないし２０から選択される整数であり、Ｒ^５は以下から独立に選択され：
    式中、ＲはＨまたはアルキルから独立に選択され、^＊はＲ^３における結合点を示す、
    組成物。
13. が
    およびそれらの任意に置換される誘導体から選択され、式中、ｍは１ないし９の範囲の整数であり、ｐは１ないし２０の範囲の整数であり、ｚは０、１または２であり、Ｒ^１はアルキル、置換アルキル、アリールおよび置換アリールから選択され、Ｒ^２はアルキル、置換アルキル、アリールおよび置換アリールから選択され、^＊はＳｉへの結合点を示す、 請求項１２に記載の組成物。
14. が
    およびそれらの任意に置換される誘導体から選択され、式中、
    はＩｒへの結合点を示す、請求項１２または１３に記載の組成物。
15. 上記有機溶媒の分子量が約７０ないし約２００ｇ／ｍｏｌである、請求項１２ないし１４のいずれか１項に記載の組成物。
16. 上記有機溶媒の分子量が約８５ないし約１５０ｇ／ｍｏｌである、請求項１２ないし１５のいずれか１項に記載の組成物。
17. 上記有機溶媒がハロゲン化されている、請求項１２ないし１６のいずれか１項に記載の組成物。
18. 上記有機溶媒が：二塩化エチレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンおよびそれらの組み合わせから選択される、請求項１７に記載の組成物。
19. 上記有機溶媒が４−メチル−２−ペンタノンを含む、請求項１２ないし１４のいずれか１項に記載の組成物。
20. 上記有機溶媒が：ベンゼン、トルエン、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼンおよびＣ_１〜１０ケトンから選択される２種類の化合物の組み合わせを含む、請求項１２ないし１４のいずれか１項に記載の組成物。
21. 上記放出性化合物が約０．０００１ｗｔ％ないし約１０ｗｔ％の濃度で存在する、請求項１２ないし２０のいずれか１項に記載の組成物。
22. 上記放出性化合物が約０．００１ｗｔ％ないし約５ｗｔ％の濃度で存在する、請求項１２ないし２１のいずれか１項に記載の組成物。
23. 上記放出性化合物が約０．０１０ｗｔ％ないし約１．５ｗｔ％の濃度で存在する、請求項１２ないし２２のいずれか１項に記載の組成物。
24. 上記電子輸送化合物が約０．１ｗｔ％ないし約１０ｗｔ％の濃度で存在する、請求項１２ないし２３のいずれか１項に記載の組成物。
25. 上記電子輸送化合物が約０．１ｗｔ％ないし約１ｗｔ％の濃度で存在する、請求項１２ないし２４のいずれか１項に記載の組成物。
26. 上記電子輸送化合物が約０．４６ｗｔ％の濃度で存在する、請求項１２ないし２５のいずれか１項に記載の組成物。
27. 上記電子輸送化合物が約０．１７ｗｔ％の濃度で存在する、請求項１２ないし２５のいずれか１項に記載の組成物。
28. ２０℃で約１ｃＰないし約２０ｃＰの粘度を有する、請求項１２ないし２７のいずれか１項に記載の組成物。
29. ２０℃で約１ｃＰないし約１０ｃＰの粘度を有する、請求項１２ないし２８のいずれか１項に記載の組成物。
30. 式（ＩＶ）によって表される放出性化合物：
    式中、各々のＲ^４は：
    から独立に選択され、
    Ｒ^５は
    である；
    電子輸送化合物；および
    有機溶媒
    を含む、組成物。
31. ２０℃で約１ｃＰないし約２０ｃＰの粘度を有する、請求項３０に記載の組成物。
32. 上記有機溶媒がジクロロベンゼンである、請求項３０または３１に記載の組成物。
33. 上記正孔輸送化合物をさらに含む、請求項３０ないし３２のいずれか１項に記載の組成物。
34. 上記正孔輸送化合物がポリ（ビニルカルバゾール）である、請求項３３に記載の組成物
35. 約０．０００１ｗｔ％ないし約２ｗｔ％の上記放出性化合物；
    約０．１ｗｔ％ないし約５ｗｔ％の上記正孔輸送化合物；
    約０．１ｗｔ％ないし約５ｗｔ％の上記電子輸送化合物；
    を含み、上記有機溶媒がジクロロベンゼンである、請求項３３または３４に記載の組成物。
36. 式（Ｖ）によって表される放出性化合物：
    式中、各々のＲ^６は以下：
    から独立に選択され、Ｒ^７は
    である；
    電子輸送化合物；および
    有機溶媒
    を含む、組成物。
37. ２０℃で約１ｃＰないし約２０ｃＰの粘度を有する、請求項３６に記載の組成物。
38. 上記有機溶媒がジクロロベンゼンおよび４−メチル−２−ペンタノンから選択される、請求項３６または３７に記載の組成物。
39. 約０．０００１ｗｔ％ないし約５ｗｔ％の上記放出性化合物；
    約０．１ｗｔ％ないし約５ｗｔ％の上記電子輸送化合物；および
    ４−メチル−２−ペンタノン；
    を含む、請求項３６ないし３８のいずれか１項に記載の組成物。
40. 正孔輸送化合物をさらに含む、請求項３６ないし３９のいずれか１項に記載の組成物。
41. 上記正孔輸送化合物がポリ（ビニルカルバゾール）である、請求項４０に記載の組成物。
42. 上記有機溶媒がジクロロベンゼンである、請求項３６ないし４１のいずれか１項に記載の組成物。
43. 約０．０００１ｗｔ％ないし約２ｗｔ％の上記放出性化合物；
    約０．１ｗｔ％ないし約５ｗｔ％の上記正孔輸送化合物；
    約０．１ｗｔ％ないし約５ｗｔ％の上記電子輸送化合物；
    を含み、上記有機溶媒がジクロロベンゼンである、請求項４０または４１に記載の組成物。
44. 請求項１ないし４３のいずれか１項に記載の組成物を導電性基板上にインクジェットプリンタによって被着させる工程を含む、発光素子の製造方法。