JP2012508403A - ほぼ波長無依存性のハイブリッド素子のための方法および装置 - Google Patents

ほぼ波長無依存性のハイブリッド素子のための方法および装置 Download PDF

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Abstract

様々な実施形態が、光学素子と関連付けられた少なくとも1つの端子内で振動モードを生じさせることによって、その素子の波長依存性を低減する手段を含む。

Description

本発明は、電磁気信号を処理するデバイスに関し、より具体的には、ハイブリッド電磁処理デバイスに関する。
ハイブリッド光カプラーなどの光学処理および結合素子が、当技術分野において知られている。そのような構成要素は、電力の分割、結合、および他の機能を行うように物理的寸法が慎重に選択された要素を利用する。これらのタイプの素子は、一般的に、特定の光周波数で動作するように構築される。
I.Kaminow/T.Li、「Optical Fiber Telecommunications IVI Components」、Chapter 9 sections 2.4−2.6、Chris Doerr、2002年発行、Elsevier Science、ISBN:0−12−395172−0
様々な実施形態が、自由空間光学領域(free space optical region)と、そこに端接続される入力および出力光導波路とを含む光学素子を提供する。光導波路の少なくとも1つは、その2つのセグメント間に横オフセットを有する。横オフセットは自由空間光学領域の近傍に位置する。
従来技術のいくつかの欠点は、ほぼ波長無依存性のハイブリッド光学素子のための光学素子のいくつかの実施形態によって対処される。具体的には、そのような実施形態では、横オフセットは横モード振動を生じさせるので、前記オフセットを有さない素子に比べて素子の波長依存性が低減される。
一実施形態は、ある装置を特徴とする。この装置は平面集積光学素子を含む。平面集積光学素子は、少なくとも1つの入力光導波路と、自由空間光学領域と、複数の出力光導波路とを有する。光導波路は自由空間光学領域に端接続する。少なくとも1つの入力光導波路は、少なくとも1つの入力光導波路の入力部および出力部の連結端部において、そのコアのオフセットを有する。
本発明の実施形態の教示は、以下の詳細な説明を添付図面と併せて検討することによって容易に理解することができる。
当該技術において知られているハイブリッド光学素子の一例を示す図である。 様々な実施形態による機能を行う90°のほぼ波長無依存性の2×4ハイブリッド光学素子を示す図である。 様々な実施形態によるモード振動プロファイルを示すグラフである。 様々な実施形態によるモード振動プロファイルを示すグラフである。 様々な実施形態によるモード振動プロファイルを示すグラフである。 様々な実施形態によるモード振動プロファイルを示すグラフである。 様々な実施形態によるモード振動プロファイルを示すグラフである。
理解を容易にするため、可能な場合は、同一の要素または類似の機能を有する要素を図面中で指定するのに同一の参照番号が使用されている。
デュアル入力、クワッド出力(2×4)の90°ハイブリッド平面光学素子で行われる光結合/処理機能の文脈で、様々な実施形態を示す。他の実施形態は、異なる数の、例えば2つを超える光学入力、および異なる数の光学出力を有してもよい。概して、そのような光学素子、例えばスターカプラーの波長依存性は、光導波路内で電界を振動させる比較的急激なオフセットまたは変位を備えて入力光導波路を構築することによって低減されてもよい。かかる振動については本明細書で考察される。振動の周期は波長に伴って変化する。本明細書にて考察されるいくつかの実施形態に従って設計パラメータを制御することによって、電界の移動は、スターカプラーの波長依存性を大幅に低減するように適合されてもよい。
図1は、当該分野において知られている平面光学素子の一例、すなわちスターカプラー100を示す。スターカプラー100は、光を再分布させる(例えば、分割および/または結合する)光90°平面光学素子として作用する2×4平面光カプラーである。光90°ハイブリッドは受動素子である。第1および第2の入力ポートはそれぞれ信号AおよびBを受け取る。第1、第2、第3、および第4の出力ポートは信号を伝送し、それらの信号は、AとBとの間で、0°、90°、180°、および270°の4つの異なる相対位相でそれぞれ干渉する。換言すれば、第1、第2、第3、および第4の出力ポートからの出力増幅は、それぞれ、(A+B)/2、(A+iB)/2、(A−B)/2、および(A−iB)/2(iは虚数)で表すことができる。従来の平面スターカプラーの例の動作は、例えば、I.Kaminow/T.Li、「Optical Fiber Telecommunications IVI Components」、Chapter 9 sections 2.4−2.6、Chris Doerr、2002年発行、Elsevier Science、ISBN:0−12−395172−0に説明されており、その全体を参照により本明細書に組み込む。
スターカプラー100は、入力導波路1101−2と、自由空間領域120と、出力導波路1301−4とを含む。スターカプラー100はまた、入力および出力導波路1101−2および1301−4の周りにおけるスターカプラー100の光結合および加工をより均一にする助けとなる、任意の使用されないダミー導波路140を含んでもよい。スターカプラー100が光パワースプリッタとして作用しているとき、所与の強度の電磁(EM)波(すなわち、光信号)が、入力導波路1101−2を介してカプラー100に入り、自由空間領域120を介して分散し、出力導波路1301−4を介して分割されて出力される。
スターカプラー100などの既存の平面光学素子における90°光ハイブリッドは、EM波が素子の入力と出力との間で伝搬するカプラー内で、異なる光路にわたって光路長差を適切に提供する構造によって形成される。光路長差は、素子の個々の出力導波路に到達する(かつそこを介して伝搬する)光波間の異なる相対位相を生じさせる。これらの位相差(Δφ)は、ハイブリッド素子の物理的寸法に基づいた精密な設計波長値(λ)に応じて変わる。カプラー100などの2×4スターカプラーの場合、導波路m1から導波路m2までのΔφは次式によって表される。
Figure 2012508403
式中、λは素子を通過するEM波の波長であり、mは等しい整数値2または3であってもよく(4つの可能な導波路のうち中央の2つの導波路が、90°ハイブリッドの入力側で使用されるため)、mは等しい整数値1、2、3、または4であってもよい。具体的には、導波路110についてはm=2、導波路110についてはm=3である。導波路130、130、130、および130それぞれについては、m=1、2、3、および4である。したがって、そのような既存のハイブリッド素子の動作特性は波長依存性であり、そのため、いくつかの広帯域光学用途にそれらを使用するのは不可能なことがある。
図2は、いくつかの実施形態に従って機能する、90°かつほぼ波長無依存性の2×4ハイブリッド光学素子を示す。具体的には、ほぼ波長無依存性の2×4平面光カプラー200は、入力導波路2101−2と、自由空間領域220と、出力導波路2301−4と、任意のダミー導波路140とを含む、2×4平面光カプラーを備える。しかし、図1の従来のスターカプラー100とは異なり、カプラー200の入力導波路2101−2の各入力部は、端接続され、相対的な横オフセット240を間に有するように位置付けられた入力部2121−2および出力部2141−2を有する。特に、各入力導波路2101−2の入力部2121−2の軸線は、同じ入力導波路の入力2101−2の出力部2141−2の軸線に対して横オフセットされる。例えば、入力導波路2101−2の入力部2121−2および出力部2141−2の側壁は、連結端部に急激な相対的オフセットを有する。
各入力部2121−2は、例えば、同じ入力導波路2101−2の出力部2141−2に対して、カプラー200の対称中心線に向かって相対的に変位される。しかし、他の実施形態では、オフセットはカプラー200から離れる方向に配向されてもよいことも想起される。オフセット240は、入力導波路2101−2内のモードの横方向移動を生じさせるように動作して、導波路内のモードの振動を引き起こし、後述するように、いくつかの実施形態による素子のある程度の波長無依存性をもたらす。振動は、波を伝搬して導波路に沿って長手方向の「ジグザグ」パターンで移動させ、導波路の中心に対して異なる位置で導波路を出るようにすることに関して、導波路の長さに対して横断方向である。本明細書における「振動」の具体的な意味は、図3A〜3Cを参照してより詳細に説明される。しかし、例示的なカプラー200の寸法(例えば、値I、R、weff、θ、およびθ)のより詳細な考察が、最初に以下に説明される。
図2の実施形態を参照すると、同じ入力光導波路2101−2の入力部2121−2と出力部2141−2との間の各オフセット240は、非断熱性であるように構築される。すなわち、入力光導波路2101−2の各入力部2121−2は、接続領域において、同じ光導波路2101−2の出力部2141−2に対して急激に横方向にシフトされる。入力導波路2101−2の各入力部2121−2および出力部2141−2はそれぞれ、多重モードの光伝搬に対応するのに十分な幅でもある。
多重モード導波路におけるモードνの伝搬定数βは次式によって表される。
Figure 2012508403
式中、kは自由空間中の伝搬定数(すなわち、k=2π/λ)、nはコア屈折率、weffは偏光方向に配向された導波路の有効幅である。
考察される様々な特定の実施形態、およびそれらに従う式は、約5以下のモードに対応する導波路について言及している。しかし、より多数のモードに対応する導波路を利用し、かつ本明細書に記載される実施形態の一般原理に依然として従う他の実施形態も想到される。多重モード波の伝搬に入力導波路2101−2のうち1つが対応するとき、同じ入力導波路2101−2の入力部2121−2と出力部2141−2との間のオフセット240が、次式によって表されるような適切なビート長Lを有するように構築することによって、横方向のモード振動が容易になる。
Figure 2012508403
式中、k=2π/λである。そのため、近次式(3a)はまた、次式によって表されてもよい。
Figure 2012508403
式(3a)および(3b)両方において、TOSCはλに依存する。本発明者は、励起モードの数が約5以下である場合、この3分の1の長さの近似ビート長があるものと考える。説明を単純にするため、モードの数は約5以下であるものと仮定する。したがって、次式が使用される。
Figure 2012508403
式中、nは少なくとも1つあるいは1つまたは複数の入力光導波路のコア屈折率、weffは個々の入力導波路の有効幅、λは、1,550nmのCバンド通信波長など、標準的な通信波長である。実際問題として、Lは、一実施形態では±0.1Lに近似されることに留意されたい。
ビート周期中の最も急なポイントで動作することが好ましい。したがって、多重モード導波路の長さをビート長の約1/4+A/2倍(Aは0以上の任意の整数)に等しくすることが望ましい。したがって、カプラー200の入力導波路2101−2の出力部2141−2は、図2に示されるように、次式によって表される長さlを有する。
Figure 2012508403
カプラー200の自由空間領域の入出力境界は曲率半径Rを有する。カプラー200の寸法は角度θおよびθを含む。θは、様々な実施形態による入力導波路210を光波面が出るときの入力境界222における光波の波面の中心位置(例えば、エネルギーの中心)と、カプラー200の反対側にある自由空間領域220の出力境界222における出力導波路230および230の交点252との間の、垂直中心線250に対する角度である。θは、自由空間領域220の入力境界222における入力導波路210および210の交点254と、出力境界222における中心線250に対する出力導波路230の中心との間の角度である。lおよびweffの適切な値を(例えば、式4に従って)選択することによって、モード振動が容易になる。
次に、光学モード振動の実例について考察する。式(3b)に関して既に記載したように、Lは波長λに応じて変わる。一実施形態では、λは、1,550nmのCバンド通信波長などの標準的な通信波長である。平面光カプラー200に関する、参照される実施形態では、θのポートからθの別のポートまでの位相差、すなわちφ12は、次式によって表される。
Figure 2012508403
式(5)から、φ12はλに依存し、それによってカプラーの望ましくない波長依存が引き起こされることが分かる。導波路210は、多重モード伝搬に十分に対応する幅なので、λが変化すると、光導波路内において伝搬する光学モードの中心の相対的な横方向位置によってθの値が変化することが示される。θのこの変化は、λに対するφ12の正味の依存性を部分的にまたは大幅に相殺して、結果としてカプラーの波長依存性を実質的に低減または排除するように設計することができる。
カプラー200の様々な実施形態では、同じ入力導波路2101−2の入力部2121−2と出力部2141−2との間の横オフセット240のサイズは変動することがある。概して、横オフセット240が大きいほど、それに対する入射波に生じる伝送損失は大きくなる。オフセットが大きすぎると、生じる損失が大きくなりすぎるが、オフセットが小さすぎると、導波路内における光学モードの横方向振動が、光カプラー200の波長依存性を大幅に低減するのに十分ではなくなる。本発明者によって利用されている一般的なオフセット240としては、weff/4が挙げられる。つまり、入力導波路の入力部212および212のオフセットされた入力部は、入力導波路の出力部214および214に対してweff/4の長さだけ内側に(カプラー200の中心線に向けて)設定される。しかし、1つまたは複数のオフセットがカプラー200の中心線に対して外側に設定される実施形態も想到される。様々な実施形態では、例えば、式(4)の値「A」が偶数の整数である場合、入力部2121−2のオフセット240はカプラー200の中心線250に向けて内側に位置付けられる。反対に、「A」が偶数の整数である場合、入力部2121−2のオフセット240はカプラー200の中心線250から離れる方向で外側に位置付けられる。スターカプラーの自由空間領域境界における多重モード導波路の伝搬方向に対して横方向に伝搬する光学モードの中心位置は、λに伴って変化する。伝搬モードの横方向中心のこの移動は、隣接した出力導波路の端部で、すなわちスターカプラー220の第2のまたは出力境界222で受け取られる光の間の相対位相差の波長依存性を補償することができる。
一実施形態では、オフセットは、約weff/4±(0.1)weff/4のサイズを有する。式中、weff/4は、1つまたは複数の入力光導波路のうち少なくとも1つのコアの幅である。
概して、weff/2以下のオフセットは、カプラー200などの実施形態で利用されると、オフセットをほぼ非断熱性に保ち、所望の振動効果を生じさせることができる。しかし、本明細書におけるオフセット240の特定の値(例えば、weff/2および/またはweff/4)に対するあらゆる具体的な言及は、単に一例として提供されるものであり、参照されるあらゆる実施形態または他の実施形態の範囲を、何らかの特定の寸法的制約に限定するものと解釈すべきではないことが強調されるべきである。より正確に言えば、全体的な原理に依然として従いながら、振動を生じさせるあらゆる適切なオフセット値または他の手段が利用されてもよい。
本明細書の教示は、平面光学素子の隣接した出力導波路における相対位相の実質的な波長非依存性を容易にするのに広く適用可能であることに注目することが重要である。実施形態は、素子の入力および/または出力導波路の光学的もしくは電気的振動の様々なモードに適応するか、あるいはそれらモードをもたらす。したがって、導波路2101−2のオフセット240によって引き起こされる振動は、1つの特定の実施形態に関連する一例にすぎない。
図3A〜3Cは、図2の実施形態に関して記載したような、様々な実施形態を理解するのに有用な光伝搬モードの例示的な振動プロファイル310、320、および330を示す。光伝搬モードのモード振動プロファイル310、320、および330が、オフセット240、オフセット導波路部分212、および非オフセット導波路部分214それぞれを有する(カプラー200の)導波路210内で生じるものとして、例示のために示される。モード振動プロファイル310、320、および330は、特定の縮尺で、または特定の波長に関して示されるものではないが、導波路2101−2など、導波路構造内のλに対するλがビート長によってどのように変化するかの概念を示すため、互いに対する比較の形で示されるものとする。
モード振動プロファイル310は、様々な実施形態に従って、「ジグザグ」パターンで横方向に振動する(オフセット240によって)とともに、導波路210の非オフセット導波路部分214に沿って長手方向に伝搬して、導波路が接続された素子(例えば、カプラー200)の波長感度を低減させる、1つまたは複数のモードの中心エネルギーの経路を示す。振動の周期(TOSC)は、式(3a)および(3b)によって定義されるビート長に対応する。モード振動プロファイル310のビート長Lはλ=λであることを示す。対照的に、モード振動プロファイル320は、λ<λのときのビート長(モード振動プロファイル310に対する)の一例を示す。式(3a)および(3b)によれば、モード振動プロファイル320のビート長Lは、モード振動パターン310のλ=λのビート長の例に比べて増加する。最後に、振動モードプロファイル330は、振動プロファイル310に比べて減少する、λ>λに従う例示的なビート長を示す。
図3A〜3Dに関して考察したモード振動プロファイルは、様々な実施形態による素子の応答特性に影響を及ぼして、そのような素子による感度が低い波長が妨害をほとんどまたはまったく受けずに素子を通過するとともに、素子による感度が高い波長が低減または減衰されるように適合されてもよい。様々な実施形態は、本明細書により詳細に記載されるような異なる構造および技術を使用してモード振動を付与する。概して、モード振動は、素子の特定の波長感度に適合された形で実現される。本明細書で考察される様々な式は、適切なモード振動プロファイルを計算するのに使用されてもよい。あるいは、モード振動プロファイルは経験的に決定されてもよい。
図3Dは、図2のオフセット240などのオフセットを利用して、素子の接続端子においてモード振動をどのように促進して、端子(例えば、導波路)におけるモード振動を生じさせ、様々な実施形態による波長感度を減少させることができるかについてさらなる詳細を示す、カプラー200に類似したカプラー340を示す。カプラー200と同様に、カプラー340は、入力導波路2101−2と、自由空間領域220と、出力導波路2301−4と、ダミー導波路140と、オフセット240と、個々のオフセット部分2121−2および非オフセット部分2141−2とを含む、90°のほぼ波長無依存性の2×4ハイブリッド光学素子である。図2に示される例示的実施形態および式(5)に関して言及したように、カプラー200(およびカプラー340)の励起波長λの変化は、θのシフトを作り出して、様々な実施形態によるカプラー(1つまたは複数)の波長無依存性をもたらす。
図3A〜3Cに関して上述したθの動的シフト能力は、図3Bのθシフト範囲345として表示される。励起波長λが設計波長λに等しい場合(λ=λ)、導波路210を出るときの光エネルギーの横方向配向は導波路の中心にあり、θは、オフセット240がない場合と同じ値のままである。図3Cのモード振動プロファイル330に示されるように、カプラー(200または340)の励起波長λが設計波長λよりも大きいとき、ビート長Lが低減されて(例えば、式(3b)に従って)、導波路210を出る光エネルギーの横方向配向を、λ=λの場合の位置よりもカプラーの水平中心線250からさらに離れる方向に定めて、θがより大きくなる。反対に、図3Cの振動プロファイル320のように、励起波長λが設計波長λよりも小さいとき、ビート長が増加されて、導波路210内の光エネルギーの横方向配向が(λ=λの場合に比べて)カプラーの水平中心線250に近付いて、θがより小さくなる。
様々な実施形態は、本明細書により詳細に記載されるような異なる構造および技術を使用してモード振動を付与する。概して、モード振動は、素子の特定の波長感度に適合された形で実現される。本明細書で考察される様々な式は、適切なモード振動プロファイルを計算するのに使用されてもよい。あるいは、モード振動プロファイルは経験的に決定されてもよい。
図2および3A〜3Dは、入力導波路2101−2の外側のオフセット240を示す。すなわち、非オフセット出力部214は、自由空間領域220とオフセット部分212との間の入力境界222に位置付けられる端部である。様々な実施形態では、図2の長さlがビート長Lの半分よりも短い場合(例えば、式3aおよび/または2bによる)、隣接した出力導波路230および230の端部における相対位相の波長依存性を部分的に補償する、導波モードの横方向移動をもたらす。他の実施形態では、lがTOSCよりも長い場合、入力導波路の入力部212および入力導波路の出力部214の相対的な横オフセット位置は反転するはずである。入力光導波路の入力部212および出力部214を両方とも上述の配向にして平面光学素子が構築される、様々な実施形態も想到される。
導波光モードで生じる振動が調節可能である様々な実施形態も想到される。すなわち、図3A〜3Cの個々の振動プロファイル310、320、および330などの振動プロファイルは、素子の物理的寸法および材料組成のみに基づくものではない。例えば、一実施形態では、カプラー200などの平面光学素子は、リン化インジウム(InP)半導体基板上に構築され、2141−2などの多重モード導波路(リード線)の長さに沿って電極が位置付けられることが想起される。電極を適切に付勢することによって、導波路内に生じる電流がその長さに沿って屈折率を変化させる。屈折率(例えば、ビート長)を調節することによって、振動の性質が変化し、かつ/またはカプラーが調整されてもよい。
しかし、様々な実施形態全体は、本明細書で考察されるあらゆる例示的実施形態に特有の、任意の特徴的な寸法および/または構造の詳細によって限定されるものとして解釈すべきではないことを強調すべきである。同様に、本明細書で考察される特定の実施形態は光学素子であるが、様々な実施形態全体の総合的な基本原理はいかなる形でも光学素子に限定されるものではない。様々な実施形態全体の基本原理は、分布素子の変形例を含む電気デバイス、または少なくとも1つのリード線において振動モードを引き起こすことによって波長依存性が制御される、他のあらゆるタイプのデバイスに等しく適用することができることが十分に想到される。
上述の記載は様々な実施形態を対象とするが、それらの基本的な範囲から逸脱することなく他のさらなる実施形態を考察することができる。そのため、適切な範囲は下記の請求項によって決定されるものとする。

Claims (10)

  1. 自由空間光学領域と、
    第1の表面に沿って前記自由空間光学領域に端接続される1つまたは複数の入力光導波路と、
    前記第1の表面に面する第2の表面に沿って前記自由空間光学領域に端接続される1つまたは複数の出力光導波路とを備え、
    前記1つまたは複数の入力光導波路の少なくとも1つが、多重モード伝搬に対応し、その入力部および出力部の連結端部にオフセットを含み、前記出力部が前記第1の表面に端接続し、
    前記入力および出力光導波路の組が少なくとも3つの光導波路を含む、光学素子。
  2. 前記オフセットが、前記1つまたは複数の入力光導波路の前記少なくとも1つにおいて振動モードを引き起こすように適合される、請求項1に記載の光学素子。
  3. 前記振動モードが、
    Figure 2012508403
    に近似するビート長Lを有し、式中、
    =前記少なくとも1つ、あるいは1つまたは複数の入力光導波路のコア屈折率、
    eff=前記個々の入力導波路の有効幅、
    λ=標準的な通信波長である、請求項2に記載の光学素子。
  4. 前記1つまたは複数の入力導波路の前記少なくとも1つの前記出力部が、
    Figure 2012508403
    によって表される長さlを有し、式中、
    =前記導波路のコア屈折率、
    eff=前記1つまたは複数の入力光導波路の前記少なくとも1つの有効幅、
    λ=標準的な通信波長、
    A=0以上の整数である、請求項1に記載の光学素子。
  5. 前記オフセットが約weff/4±(0.1)weff/4のサイズを有し、weff/4が前記1つまたは複数の入力光導波路の前記少なくとも1つのコアの幅である、請求項1に記載の光学素子。
  6. スターカプラーである、請求項6に記載の光学素子。
  7. 少なくとも1つの入力光導波路と、自由空間光学領域と、複数の出力光導波路とを有し、前記光導波路が前記自由空間光学領域に端接続する、平面集積光学素子を備え、
    前記少なくとも1つの入力光導波路が、前記少なくとも1つの入力光導波路の入力部および出力部の連結端部においてそのコアのオフセットを含む、装置。
  8. 前記光学素子が平面半導体基板上に構築され、前記少なくとも1つの入力光導波路の一部分の屈折率が、それに対して印加される電気的付勢によって調節可能である、請求項7に記載の装置。
  9. 入力光導波路と、自由空間光学領域と、複数の出力光導波路とを有する平面集積光学素子を動作させる方法であって、
    光の導波モードの中心が、前記入力光導波路の第2の端部付近およびその手前で横方向に振動するように、前記入力光導波路の第1の端部に光を送るステップを含み、前記第2の端部が前記自由空間光学領域の表面に端接続し、前記出力光導波路が前記自由空間光学領域に端接続する、方法。
  10. 前記導波モードの前記中心を前記第2の端部付近において前記入力光導波路内で横方向に振動させるように、前記入力光導波路の前記第2の端部付近の部分の屈折率を調節するステップをさらに含む、請求項9に記載の方法。
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