JP2012509111A5

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Publication number: JP2012509111A5
Application number: JP2011536608A
Authority: JP
Filing date: 2009-11-17
Publication date: 2012-12-27
Anticipated expiration: 2029-11-17

Description

これらおよび他の実施形態は、添付の図面に関連して以下の説明においてさらに詳細に説明される。
本発明は、例えば、以下を提供する。
（項目１）
近位表面と遠位表面とを備えているトランスデューサ要素と、
該トランスデューサ要素の該遠位表面に取り付けられた第１のヒートシンクと、
該トランスデューサ要素の該近位表面に取り付けられた第２のヒートシンクと、
該第１のヒートシンクおよび第２のヒートシンクに結合されたベースであって、該ベースは、該トランスデューサ要素の該近位表面および遠位表面を冷却するために該トランスデューサ要素を通過して流体が流れることを可能にするように構成される、ベースと
を備えている、トランスデューサシステム。
（項目２）
上記ベースと、上記トランスデューサ要素と、上記第１のヒートシンクと、上記第２のヒートシンクとを収納するように構成される管状のジャケットをさらに備え、該管状のジャケットは、該管状のジャケットから流体が出ることを可能にするように構成される少なくとも１つの流体出口ポートを備えている、項目１に記載のシステム。
（項目３）
上記第１のヒートシンクは、第１の接合部分と、第１の実質的に湾曲した部分とを備え、該第１の接合部分は、上記トランスデューサの上記遠位表面に接合され、該第１の実質的に湾曲した部分は、該トランスデューサ要素から近位に突き出ることによって、該トランスデューサ要素の該遠位表面から熱を逃がすように伝える、項目１に記載のシステム。
（項目４）
上記第１の接合部分は、材料を含み、該材料の組成および寸法が上記トランスデューサ要素の上記遠位表面に音響的整合層を提供する、項目３に記載のシステム。
（項目５）
上記第１の接合部分は、アルミニウムと、グラファイトと、金属充填グラファイトと、セラミックと、グラファイトおよび銅またはタングステンのアマルガムと、エポキシ充填金属とからなる群から選ばれる材料である、項目４に記載のシステム。
（項目６）
上記接合部分は、上記トランスデューサ要素の上記遠位表面と電気的連絡かつ熱的連絡をしている、項目５に記載のシステム。
（項目７）
上記接合部分と上記遠位表面との間の電気的連絡は、該接合部分と該遠位表面との間の直接接触によって確立される、項目６に記載のシステム。
（項目８）
上記直接接触は、上記接合部分および上記遠位表面の表面あらさによって制御される、項目７に記載のシステム。
（項目９）
上記第２のヒートシンクは、第２の接合部分と、第２の実質的に湾曲した部分とを備え、該第２の接合部分は、上記トランスデューサの上記近位表面に接合され、該第２の実質的に湾曲した部分は、該トランスデューサ要素から近位に突き出ることによって、該トランスデューサ要素の該近位表面から熱を逃がすように伝える、項目１に記載のシステム。
（項目１０）
上記第２の接合部分は、材料を含み、該材料の組成が上記トランスデューサ要素の音響インピーダンスに音響的に不整合であることによって、該トランスデューサ要素の上記近位表面に反射バッキング層を提供する、項目９に記載のシステム。
（項目１１）
上記トランスデューサの上記近位表面と上記第２のヒートシンクとの間に配置されるエアポケットをさらに備えている、項目１に記載のシステム。
（項目１２）
上記第２の接合部分は銅を含む、項目９に記載のシステム。
（項目１３）
上記トランスデューサ要素は、実質的に平らな円形のディスクを備えている、項目１に記載のシステム。
（項目１４）
上記トランスデューサ要素は、第１の周波数範囲において第１の出力レベルおよび第２の周波数範囲において第２の出力レベルで動作する、項目１に記載のシステム。
（項目１５）
上記第１の周波数範囲は組織を超音波による画像化するために用いられ、上記第２の周波数範囲は組織損傷を作るために用いられる、項目１４に記載のシステム。
（項目１６）
上記第１の周波数範囲は５ＭＨｚ〜３０ＭＨｚであり、上記第２の周波数範囲は１０ＭＨｚ〜１８ＭＨｚである項目１５に記載のシステム。
（項目１７）
上記第１の接合部分および上記第２の接合部分は目打ちを備え、その結果、該第１の接合部分は上記トランスデューサ要素の上記音響インピーダンスに音響的に整合し、該第２の接合部分は該トランスデューサ要素の該音響インピーダンスに音響的に不整合である、項目３に記載のシステム。
（項目１８）
近位端と遠位端とを有する細長い可撓性シャフトをさらに備え、上記トランスデューサは該シャフトの該遠位端に隣接して配置される、項目１に記載のシステム。
（項目１９）
上記トランスデューサと流体連絡する冷却流体をさらに備えている、項目１に記載のシステム。
（項目２０）
温度をモニタするために、上記トランスデューサに隣接して温度センサをさらに備えている、項目１に記載のシステム。
（項目２１）
組織を切除する方法であって、該方法は、
患者に切除デバイスを導入することであって、該デバイスは、第１の出力レベルおよび第２の出力レベルで動作するように構成される超音波トランスデューサ要素を備え、該第１の出力レベルは、組織を超音波による画像化し、標的組織を識別するために用いられ、該第２の出力レベルは、該標的組織を切除するために用いられる、ことと、
該組織の一部分を画像化し、該標的組織を識別するために該第１の出力レベルで該トランスデューサ要素を動作させ、該標的組織を切除するために該第２の出力レベルで該トランスデューサ要素を動作させることと、
該超音波トランスデューサの表面を冷却することと
を包含する、方法。
（項目２２）
上記トランスデューサ要素は、近位表面と遠位表面とを備え、上記デバイスは、該トランスデューサ要素の該遠位表面および近位表面に接合された第１および第２のヒートシンクをさらに備えている、項目２１に記載の方法。
（項目２３）
上記冷却することは、上記トランスデューサ要素の動作中、上記トランスデューサ要素ならびに上記第１のヒートシンクおよび第２のヒートシンクに流体を導入することによって、該トランスデューサ要素をさらに冷却する、項目２１に記載の方法。
（項目２４）
上記流体の温度をモニタすることと、該モニタされた温度に基づいて流体の流れを調整することをさらに包含する、項目２３に記載の方法。
（項目２５）
上記トランスデューサ要素は、第１の部分と第２の部分とを備え、該第１の部分は上記第１の出力レベルで動作するように構成され、該第２の部分は上記第２の出力レベルで動作するように構成される、項目２１に記載の方法。
（項目２６）
上記第１の部分は、上記第２の出力レベルでの上記第２の部分の動作と同時に上記第１の出力レベルで動作させられる、項目２５に記載の方法。
（項目２７）
上記導入するステップは、患者の心臓の隔壁を横切って中隔を越えて上記切除デバイスを通過させることを包含する、項目２１に記載の方法。
（項目２８）
上記導入するステップは、患者の心臓の左心房の中に上記切除デバイスの位置を決めることを包含する、項目２１に記載の方法。
（項目２９）
上記超音波トランスデューサと上記標的組織とは接触しない、項目２８に記載の方法。
（項目３０）
上記トランスデューサ要素の温度をモニタすることと、該モニタされた温度に基づいて上記第１の出力レベルまたは上記第２の出力レベルのいずれかを調整することをさらに包含する、項目２１に記載の方法。

Claims

近位表面と遠位表面とを備えているトランスデューサ要素と、
該トランスデューサ要素の該遠位表面に取り付けられた第１のヒートシンクと、
該トランスデューサ要素の該近位表面に取り付けられた第２のヒートシンクと、
該第１のヒートシンクおよび第２のヒートシンクに結合されたベースであって、該ベースは、該トランスデューサ要素の該近位表面および遠位表面を冷却するために該トランスデューサ要素を通過して流体が流れることを可能にするように構成されている、ベースと
を備えている、トランスデューサシステム。
前記ベースと、前記トランスデューサ要素と、前記第１のヒートシンクと、前記第２のヒートシンクとを収納するように構成された管状のジャケットをさらに備え、該管状のジャケットは、該管状のジャケットから流体が出ることを可能にするように構成された少なくとも１つの流体出口ポートを備えている、請求項１に記載のシステム。
前記第１のヒートシンクは、第１の接合部分と、第１の実質的に湾曲した部分とを備え、該第１の接合部分は、前記トランスデューサの前記遠位表面に接合され、該第１の実質的に湾曲した部分は、該トランスデューサ要素から近位に突き出ることによって、該トランスデューサ要素の該遠位表面から熱を逃がすように伝える、請求項１に記載のシステム。
前記第１の接合部分は、材料を含み、該材料の組成および寸法が前記トランスデューサ要素の前記遠位表面に音響的整合層を提供する、請求項３に記載のシステム。
前記第１の接合部分は、アルミニウムと、グラファイトと、金属充填グラファイトと、セラミックと、グラファイトおよび銅またはタングステンのアマルガムと、エポキシ充填金属とからなる群から選ばれる材料である、請求項４に記載のシステム。
前記接合部分は、前記トランスデューサ要素の前記遠位表面と電気的連絡かつ熱的連絡をしている、請求項５に記載のシステム。
前記接合部分と前記遠位表面との間の電気的連絡は、該接合部分と該遠位表面との間の直接接触によって確立される、請求項６に記載のシステム。
前記直接接触は、前記接合部分および前記遠位表面の表面粗さによって制御される、請求項７に記載のシステム。
前記第２のヒートシンクは、第２の接合部分と、第２の実質的に湾曲した部分とを備え、該第２の接合部分は、前記トランスデューサの前記近位表面に接合され、該第２の実質的に湾曲した部分は、該トランスデューサ要素から近位に突き出ることによって、該トランスデューサ要素の該近位表面から熱を逃がすように伝える、請求項１に記載のシステム。
前記第２の接合部分は、材料を含み、該材料の組成が前記トランスデューサ要素の音響インピーダンスに音響的に不整合であることによって、該トランスデューサ要素の前記近位表面に反射バッキング層を提供する、請求項９に記載のシステム。
前記トランスデューサの前記近位表面と前記第２のヒートシンクとの間に配置されたエアポケットをさらに備えている、請求項１に記載のシステム。
前記第２の接合部分は、銅を含む、請求項９に記載のシステム。
前記トランスデューサ要素は、実質的に平らな円形のディスクを備えている、請求項１に記載のシステム。
前記トランスデューサ要素は、第１の周波数範囲において第１の出力レベルで動作し、第２の周波数範囲において第２の出力レベルで動作する、請求項１に記載のシステム。
前記第１の周波数範囲は、組織を超音波によって画像化するために用いられ、前記第２の周波数範囲は、組織損傷を作るために用いられる、請求項１４に記載のシステム。
前記第１の周波数範囲は、５ＭＨｚ〜３０ＭＨｚであり、前記第２の周波数範囲は、１０ＭＨｚ〜１８ＭＨｚである、請求項１５に記載のシステム。
前記第１の接合部分および前記第２の接合部分は、目打ちを備え、その結果、該第１の接合部分は、前記トランスデューサ要素の前記音響インピーダンスに音響的に整合し、該第２の接合部分は、該トランスデューサ要素の該音響インピーダンスに音響的に不整合である、請求項３に記載のシステム。
近位端と遠位端とを有する細長い可撓性シャフトをさらに備え、前記トランスデューサは、該シャフトの該遠位端に隣接して配置されている、請求項１に記載のシステム。
前記トランスデューサと流体連絡する冷却流体をさらに備えている、請求項１に記載のシステム。
温度をモニタするために、前記トランスデューサに隣接して温度センサをさらに備えている、請求項１に記載のシステム。