JP2013172017A - 多層配線基板及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】差動信号ビアと差動配線との間のクロストークを低減できる多層配線基板を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの信号層３とグランド層２とを有する多層配線基板１である。多層配線基板１は、多層配線基板１の積層方向に延び、信号層３上に設けられた１対の差動信号配線３０Ａの一方に接続され、第１の格子点上に形成された第１の差動信号ビア１２Ａを有する。更に、多層配線基板１は、積層方向に延び、１対の差動信号配線３０Ａの他方に接続され、第１の差動信号ビア１２Ａに対して対角位置の第２の格子点上に形成された第２の差動信号ビア１２Ｂを有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、多層配線基板及び電子機器に関する。

従来から、多層配線基板内の各層をビアで接続する技術がある。図１７は、一部を省略した多層配線基板の信号ビア対の配置関係の一例を示す説明図、図１８は、信号ビア対の一例を示す説明図、図１９は、一部を省略した図１８のＤ−Ｄ線断面図である。

図１９に示す多層配線基板１００は、絶縁材１０１を用いて複数のグランド層１０２及び信号層１０３が順次積層されて形成される多層構造の配線基板である。例えば、多層配線基板１００は、第１信号層１０３Ａに、第２グランド層１０２Ｂ、第３信号層１０３Ｃ、第４グランド層１０２Ｄ、第５信号層１０３Ｅ、第６グランド層１０２Ｆ、第７信号層１０３Ｇの順で各層が積層される。更に、多層配線基板１００は、第７信号層１０３Ｇに、第８グランド層１０２Ｈ、第９信号層１０３Ｉ及び第１０グランド層１０２Ｊ等の順で各層が積層される。

ビア１１０は、多層配線基板１００の積層面に格子状に所定ピッチで形成され、積層面に対して鉛直な方向に延在する孔内に銅等の導電物質を充填して形成される。そして、各ビア１１０は、多層配線基板１００内の各層を接続する。

また、複数のビア１１０は、グランドビア１１１と、差動信号ビア１１２とを有する。グランドビア１１１は、グランド層１０２と接続される。また、差動信号ビア１１２は、信号ランド１１３を通じて信号層１０３と接続される。尚、説明の便宜上、図１７では、グランドビア１１１は黒丸で示し、差動信号ビア１１２はハッチングを付した丸で示すものとする。

また、信号ビア対１２０は、例えば、Ｎ１又はＮ２方向に隣接する一対の差動信号ビア１１２と、これら一対の差動信号ビア１１２を挟む一対のグランドビア１１１とを有する。更に、信号ビア対１２０は、例えば、ＢＧＡ（Ball Grid Array）又はＬＧＡ（Land Grid Array）と接続される。各信号ビア対１２０は、隣接する信号ビア対１２０から、例えば、１ビア分若しくは２ビア分をオフセットして配置される。

また、信号ビア対１２０内の差動信号ビア１１２が挿通するグランド層１０２には、差動信号ビア１１２間の短絡を防止する、差動信号ビア１１２の直径よりも大きい直径のクリアランス１１４が形成される。クリアランス１１４は、差動信号ビア１１２と接触しない位置に形成される。

また、多層配線基板１００は、信号ビア対１２０の差動信号ビア１１２から配線を引き出す場合、配線を引き出す方向に差動配線１３０を配置し、この差動配線１３０を用いて差動信号ビア１１２から配線を引き出す。

図１７に示す多層配線基板１００は、例えば、第１の信号ビア対１２０Ａ〜第３の信号ビア対１２０Ｃを有する。多層配線基板１００は、第３の信号ビア対１２０Ｃの差動信号ビア１１２から配線を引き出す第１の差動配線１３０Ａと、第２の信号ビア対１２０Ｂの差動信号ビア１１２から配線を引き出す第２の差動配線１３０Ｂとを有する。また、第１の差動配線１３０Ａは、図１９に示すように、第２グランド層１０２Ｂと第４グランド層１０２Ｄとの間の第３信号層１０３Ｃに配置され、例えば、第１の信号ビア対１２０Ａ内の差動信号ビア１１２間を通過する。また、第２の差動配線１３０Ｂは、第４グランド層１０２Ｄと第６グランド層１０２Ｆとの間の第５信号層１０３Ｅに配置され、例えば、第１の信号ビア対１２０Ａ内の差動信号ビア１１２間を通過する。

特開昭６０−１２７７９７号公報 特表２０１０−５０６３８０号公報 特開２０１１−１８６７３号公報 特開平８−２０４３３８号公報 特開２００１−１１９１５４号公報 特開２００４−９５６１４号公報

しかしながら、多層配線基板１００は、近年の配線高密度化の要求に伴って、信号ビア対１２０内の一対の差動信号ビア１１２間の距離が短くなるため、差動信号ビア１１２間で発生する電磁波の影響が大きくなる。しかも、一対の差動信号ビア１１２間に差動配線１３０を通過させた場合、差動信号ビア１１２と差動配線１３０との間の電磁波の干渉でクロストークが大きくなる。その結果、差動信号ビア１１２の信号は差動配線１３０の信号のノイズとなり、差動配線１３０の信号は差動信号ビア１１２の信号のノイズとなる。

また、多層配線基板１００は、差動信号ビア１１２のスタブ１４０から漏れる電磁波が隣接する差動配線１３０に影響する。このように、差動信号ビア１１２の信号と、差動配線１３０の信号とが互いにノイズとなったり、差動信号ビア１１２のスタブ１４０から電磁波が漏れたりすることにより、差動信号ビア１１２と差動配線１３０との間のクロストークが大きくなる。

一つの側面では、差動信号ビア（信号ビア）と差動配線（差動信号配線）との間のクロストークを低減できる多層配線基板及び電子機器を提供することを目的とする。

一つの態様では、少なくとも１つの信号層とグランド層とを有する多層配線基板である。この態様では、前記多層配線基板の積層方向に延び、前記信号層上に設けられた１対の差動信号配線の一方に接続され、第１の格子点上に形成された第１の信号ビアを有する。更に、この態様では、前記積層方向に延び、前記１対の差動信号配線の他方に接続され、前記第１の信号ビアに対して対角位置の第２の格子点上に形成された第２の信号ビアを有する。

一つの態様では、信号ビアと差動信号配線との間のクロストークを低減できる。

図１は、実施例１の一部を省略した多層配線基板の信号ビア対の配置関係の一例を示す説明図である。 図２は、一部を省略した図１のＡ−Ａ線断面図である。 図３は、実施例１と比較例１とのクロストークの計算結果を比較した説明図である。 図４は、実施例１の多層配線基板と実装する半導体チップのパッドとの位置関係の一例を示す説明図である。 図５は、実施例２の一部を省略した多層配線基板の信号ビア対の配置関係の一例を示す説明図である。 図６は、一部を省略した図５のＢ−Ｂ線断面図である。 図７は、実施例２と比較例２とのクロストークの計算結果を比較した説明図である。 図８は、比較例２の多層配線基板の信号ビア対の配置関係の一例を示す説明図である。 図９は、実施例３の一部を省略した多層配線基板の信号ビア対の配置関係の一例を示す説明図である。 図１０は、実施例３と比較例２とのクロストークの計算結果を比較した説明図である。 図１１は、実施例４の一部を省略した多層配線基板の信号ビア対の配置関係の一例を示す説明図である。 図１２は、実施例４の信号ビア対の一例を示す説明図である。 図１３は、実施例４と比較例３とのクロストークの計算結果を比較した説明図である。 図１４は、実施例５の一部を省略した多層配線基板の信号ビア対の配置関係の一例を示す説明図である。 図１５は、実施例５の信号ビア対の一例を示す説明図である。 図１６は、実施例５と比較例４とのクロストークの計算結果を比較した説明図である。 図１７は、一部を省略した多層配線基板の信号ビア対の配置関係の一例を示す説明図である。 図１８は、信号ビア対の一例を示す説明図である。 図１９は、一部を省略した図１８のＤ−Ｄ線断面図である。

以下、図面に基づいて、本願の開示する多層配線基板及び電子機器の実施例を詳細に説明する。尚、本実施例により、開示技術が限定されるものではない。以下の実施例では、多層配線基板内における各要素、例えば、ビアの二次元の相対位置は、例えば、図１に示す通り、図に向かって上下方向をＮ１及びＮ２で示し、図に向かって左右方向をＭ１及びＭ２で示す。また、図に向かって左下方向及び右上方向をＸ１及びＸ２で示す。Ｘ１−Ｘ２の軸と、Ｍ１−Ｍ２の軸とは、αの角度で交わる。αは、例えば、０°＜α≦４５°である。

また、図１等において、Ｘ１−Ｘ２の軸に限らず、Ｎ１−Ｎ２の軸に関してＸ１−Ｘ２の軸と線対称となる、図に向かって右上方向及び左下方向を示す軸により、多層配線基板内における各要素の二次元の相対位置を指定しても良い。以下の実施例では、多層配線基板内における各要素が、例えば、信号ビアがＭ１及びＭ２方向、並びに、Ｎ１及びＮ２方向に格子状に所定ピッチで配置される。そして、Ｘ１及びＸ２方向は、所定ピッチに対する斜め方向となる。また、以下の実施例では、差動信号ビアの直径は、差動信号ビアの水平断面の最大径を指す。また、クリアランスの直径は、クリアランスの水平断面の最大径を指すものとする。

図１は、実施例１の一部を省略した多層配線基板の信号ビア対の配置関係の一例を示す説明図である。図２は、一部を省略した図１のＡ−Ａ線断面図である。

図２に示す多層配線基板１は、絶縁材９１Ａを用いて複数のグランド層２及び信号層３が順次積層されて形成される多層構造、例えば、１８層構造の配線基板である。例えば、多層配線基板１は、第１信号層３Ａに、第２グランド層２Ｂ、第３信号層３Ｃ、第４グランド層２Ｄ、第５信号層３Ｅ、第６グランド層２Ｆ及び第７信号層３Ｇの順で各層が積層される。更に、多層配線基板１は、第７信号層３Ｇに、第８グランド層２Ｈ、第９信号層３Ｉ及び第１０グランド層２Ｊ等の順で各層が積層される。尚、説明の便宜上、第１１層から第１８層までの図示は省略する。第１４層、第１６層及び第１８層は、例えば、信号層３とする。

ビア１０は、グランド層２及び信号層３の積層面に対して鉛直な方向に延在する孔内に銅等の導電物質を充填して形成されるが、完全に充填する必要はなく、接続される層と導通がとれていればよい。また、複数のビア１０は、図１に示すように、格子状に所定ピッチで積層面上に形成されるものである。そして、各ビア１０により、多層配線基板１内の各層が接続される。

また、複数のビア１０は、グランドビア１１と、差動信号ビア１２とを有する。尚、差動信号ビア１２は、信号ビアの一例である。グランドビア１１は、グランド層２と接続される。また、差動信号ビア１２は、信号ランド１３を通じて信号層３と接続される。尚、説明の便宜上、図１では、グランドビア１１は黒丸で示し、差動信号ビア１２はハッチングした丸で示すものとする。

また、信号ビア対２０は、格子状に配置された複数のビア１０の内、図１に示すＸ１又はＸ２方向に隣接する一対のビア１０で成す一対の差動信号ビア１２と、一対の差動信号ビア１２に隣接する一対のグランドビア１１とを有する。尚、信号ビア対２０内の一対のグランドビア１１は、信号ビア対２０内の差動信号ビア１２と隣接するビア１０で形成するため、適宜変更可能である。更に、信号ビア対２０は、例えば、ＢＧＡ（Ball Grid Array）又はＬＧＡ（Land Grid Array）と接続される。また、一対の差動信号ビア１２は、例えば、ピッチに対して斜め方向、すなわちＸ１又はＸ２方向に隣接する一対のビア１０で構成される。

また、信号ビア対２０内の差動信号ビア１２が挿通するグランド層２には、差動信号ビア１２間の短絡を防止する、差動信号ビア１２の直径よりも大きい直径のクリアランス１４が形成される。クリアランス１４は、差動信号ビア１２と接触しない位置に形成される。

また、信号ビア対２０の差動信号ビア１２から配線を引き出す場合、配線を引き出す方向に差動配線３０を配置し、この差動配線３０を用いて差動信号ビア１２から配線が引き出される。尚、差動配線３０は、信号配線の一例である。

図２に示す多層配線基板１は、信号ビア対２０の差動信号ビア１２から配線を引き出す第１の差動配線３０Ａと、図示せぬ信号ビア対２０の差動信号ビア１２から配線を引き出す第２の差動配線３０Ｂとを有する。また、第２の差動配線３０Ｂは、図２に示すように、第２グランド層２Ｂと第４グランド層２Ｄとの間の第３信号層３Ｃに配置され、信号ビア対２０内の差動信号ビア１２間を通過する。また、第１の差動配線３０Ａは、第４グランド層２Ｄと第６グランド層２Ｆとの間の第５信号層３Ｅに配置され、信号ビア対２０内の差動信号ビア１２から引き出される。

信号ビア対２０内の差動信号ビア１２は、第１の差動信号ビア１２Ａと、第２の差動信号ビア１２Ｂとを有する。第１の差動信号ビア１２Ａは、信号層３に配置された第１の差動配線３０Ａの一方に接続され、格子状の第１の格子点上に形成される。また、第２の差動信号ビア１２Ｂは、信号層３に配置された第１の差動配線３０Ａの他方に接続され、第１の差動信号ビア１２Ａに対して対角位置の第２の格子点上に形成される。そして、第１の差動信号ビア１２Ａ及び第２の差動信号ビア１２Ｂの各々の中心点間の距離Ｙ２は、第１の差動配線３０Ａに接続された信号ビア１０の中心点間の最短距離Ｙ１よりも長い距離である。第１の差動信号ビア１２Ａ及び第２の差動信号ビア１２Ｂは、各々の中心点から距離Ｙ２分、離間して配置される。尚、第１の差動信号ビア１２Ａ及び第２の差動信号ビア１２Ｂの各々の中心点間の距離Ｙ２は、最短距離Ｙ１の２倍よりも短い距離の範囲内である。

図３は、実施例１と比較例１とのクロストークの計算結果を比較した説明図である。尚、ビア１０の直径は約０．２５ｍｍ、差動信号ビア１２の直径は約０．２ｍｍ、格子状に配置されたビア１０間のピッチは約１ｍｍとした。更に、クリアランス１４の直径は約０．８ｍｍ、信号層３の銅厚は３０μｍ、グランド層２は厚さ０の理想グラウンドとして計算を行った。尚、ビア１０間のピッチは、ビア１０の中心から隣接するビア１０の中心までの距離である。

図３は、４区間のクロストークの計算結果を示すものである。尚、区間を定義する各ポートは以下の通りである。第１のポートＰ１は、信号ビア対２０内の差動信号ビア１２の表層（第１８信号層）である。第２のポートＰ２は、図１に示す通り、第１の差動配線３０ＡのＭ１側の線路端である。第３のポートＰ３は、図１に示す通り、第２の差動配線３０ＢのＭ２側の線路端である。第４のポートＰ４は、図１に示す通り、第２の差動配線３０ＢのＭ１側の線路端である。

また、クロストークのＳパラメータは、差動モード（Differential Mode）及び同相モード(Common Mode)を混合した混合モード（Mixed-Mode）のＳパラメータで表記する。また、比較例１は、図１７及び図１８に示すように、格子状に所定ピッチに配置された複数のビア１１０の内、Ｎ１又はＮ２方向に隣接する一対の差動信号ビア１１２間に差動配線１３０を通過させた基板を使用するものとする。

図３の（Ａ）に示すＸｔａｌｋ Ｓｄｄ（３，１）は、第１のポートＰ１を入力ポート、第３のポートＰ３を出力ポートとする第１の区間における第１のポートＰ１と第３のポートＰ３との間のクロストークの計算結果を示す。実施例１の第１のポートＰ１と第３のポートＰ３との間のクロストークＳ１は、比較例１の第１のポートＰ１と第３のポートＰ３との間のクロストークＳ１００と比較して、ほぼ全周波数帯で約１０ｄＢ低下している。

また、図３の（Ｂ）に示すＸｔａｌｋ Ｓｄｄ（３，２）は、第２のポートＰ２を入力ポート、第３のポートＰ３を出力ポートとする第２の区間における第２のポートＰ２と第３のポートＰ３との間のクロストークの計算結果を示す。実施例１の第２のポートＰ２と第３のポートＰ３との間のクロストークＳ１は、比較例１の第２のポートＰ２と第３のポートＰ３との間のクロストークＳ１００と比較して、ほぼ全周波数帯で約１０ｄＢ低下している。

また、図３の（Ｃ）に示すＸｔａｌｋ Ｓｄｄ（４，１）は、第１のポートＰ１を入力ポート、第４のポートＰ４を出力ポートとする第３の区間における第１のポートＰ１と第４のポートＰ４との間のクロストークの計算結果を示す。実施例１の第１のポートＰ１と第４のポートＰ４との間のクロストークＳ１は、比較例１の第１のポートＰ１と第４のポートＰ４との間のクロストークＳ１００と比較して、ほぼ全周波数帯で約１０ｄＢ低下している。

また、図３の（Ｄ）に示すＸｔａｌｋ Ｓｄｄ（４，２）は、第２のポートＰ２を入力ポート、第４のポートＰ４を出力ポートとする第４の区間における第２のポートＰ２と第４のポートＰ４との間のクロストークの計算結果を示す。実施例１の第２のポートＰ２と第４のポートＰ４との間のクロストークＳ１は、比較例１の第２のポートＰ２と第４のポートＰ４との間のクロストークＳ１００と比較して、ほぼ全周波数帯で約１０ｄＢ低下している。

実施例１では、格子状に所定ピッチで配置された複数のビア１０の内、Ｘ１又はＸ２方向に隣接する一対のビア１０で信号ビア対２０の一対の差動信号ビア１２が形成される。また、格子内の第１の格子点上に形成された第１の差動信号ビア１２Ａと、第１の差動信号ビア１２Ａに対して対角位置の第２の格子点上に形成された第２の差動信号ビア１２Ｂとが形成される。つまり、信号ビア対２０の一対の差動信号ビア１２間の距離Ｙ２がＮ１又はＮ２方向若しくはＭ１又はＭ２方向に隣接する一対の差動信号ビア１２間の距離Ｙ１に比較して長くなる。その結果、信号ビア対２０の一対の差動信号ビア１２間のクロストークを低減できると共に、一対の差動信号ビア１２間に差動配線３０を通過させた場合でも、比較例１に比較してクロストークを低減できる。

また、図４は、実施例１の多層配線基板１と実装する半導体チップのパッドとの位置関係の一例を示す説明図である。多層配線基板１に実装する半導体チップのパッド６０は、図４の（Ａ）に示す通りである。そして、半導体チップの２列目のパッド６０は、第１のグランドパッド６１Ａ、第１の信号パッド６２Ａ、第２の信号パッド６２Ｂ及び第２のグランドパッド６１Ｂを有する。

また、比較例である多層配線基板１００の信号ビア対１２０は、図４の（Ｂ）に示すように、複数のビア１１０の内、Ｎ１又はＮ２方向に隣接する一対の差動信号ビア１１２及び一対のグランドビア１１１を有する。信号ビア対１２０は、第１のグランドビア１１１Ａ、第１の差動信号ビア１１２Ａ、第２の差動信号ビア１１２Ｂ及び第２のグランドビア１１１Ｂを有する。そして、多層配線基板１００上に半導体チップを実装する場合、図４の（Ｂ）に示す通りになる。つまり、第１のグランドビア１１１Ａに第１のグランドパッド６１Ａを、第１の差動信号ビア１１２Ａに第１の信号パッド６２Ａを半田ボール等で接続する。更に、第２の差動信号ビア１１２Ｂに第２の信号パッド６２Ｂを、第２のグランドビア１１１Ｂに第２のグランドパッド６１Ｂを半田ボール等で接続する。そして、多層配線基板１００上に半導体チップを実装できる。

これに対して、実施例１の多層配線基板１の信号ビア対２０は、図４の（Ｃ）に示すように、複数のビア１０の内、Ｘ１又はＸ２方向に隣接する一対の差動信号ビア１２及び一対のグランドビア１１を有する。そして、信号ビア対２０は、第１のグランドビア１１Ａ、第１の差動信号ビア１２Ａ、第２の差動信号ビア１２Ｂ及び第２のグランドビア１１Ｂを有する。そして、多層配線基板１上に半導体チップを実装する場合、図４の（Ｃ）に示す通りになる。つまり、第１のグランドビア１１Ａに第１のグランドパッド６１Ａを、第１の差動信号ビア１２Ａに第１の信号パッド６２Ａを半田ボール等で接続する。更に、第２の差動信号ビア１２Ｂに第２の信号パッド６２Ｂを、第２のグランドビア１１Ｂに第２のグランドパッド６１Ｂを半田ボール等で接続する。そして、多層配線基板１上に半導体チップを実装できる。

実施例１では、Ｘ１又はＸ２方向に隣接した一対の差動信号ビア１２Ａ，１２Ｂを含む信号ビア対２０を備えた多層配線基板１であるが、このような多層配線基板１でも、従来の半導体チップのパッド位置に設計変更を加えることなく、半導体チップを実装できる。その結果、半導体チップを多層配線基板１に実装した電子機器が提供できる。

次に、Ｘ１又はＸ２方向に隣接した第１の差動信号ビア１２Ａ及び第２の差動信号ビア１２Ｂを含む信号ビア対２０を並列に配置した多層配線基板１の実施の形態につき、実施例２として以下に説明する。

図５は、実施例２の一部を省略した多層配線基板の信号ビア対の配置関係の一例を示す説明図である。図６は、一部を省略した図５のＢ−Ｂ線断面図である。

図６に示す多層配線基板１Ａは、第１信号層３Ａに、第２グランド層２Ｂ、第３信号層３Ｃ、第４グランド層２Ｄ、第５信号層３Ｅ、第６グランド層２Ｆ及び第７信号層３Ｇの順で各層が積層される。更に、多層配線基板１Ａは、第７信号層３Ｇに、第８グランド層２Ｈ、第９信号層３Ｉ及び第１０グランド層２Ｊ等の順で各層が積層される。尚、説明の便宜上、第１１層から第１８層までの図示は省略する。第１４層、第１６層及び第１８層は、例えば、信号層３とする。

また、図５に示す多層配線基板１Ａは、第１の信号ビア対２０Ａ、第２の信号ビア対２０Ｂ及び第３の信号ビア対２０Ｃを有する。第１の信号ビア対２０Ａ、第２の信号ビア対２０Ｂ及び第３の信号ビア対２０Ｃは、平行に隣接して配置される。尚、信号ビア対２０内の差動信号ビア１２が挿通するグランド層２には、差動信号ビア１２との間の短絡を防止する、差動信号ビア１２の直径よりも大きい直径のクリアランス１４が形成される。クリアランス１４は、差動信号ビア１２と接触しない位置に形成される。

また、信号ビア対２０の差動信号ビア１２から配線を引き出す場合、配線を引き出す方向に差動配線３０を配置し、この差動配線３０を用いて差動信号ビア１２から配線が引き出される。

図５に示す多層配線基板１Ａは、第１の信号ビア対２０Ａの差動信号ビア１２から配線を引き出す第１の差動配線３０Ａと、第２の信号ビア対２０Ｂの差動信号ビア１２から配線を引き出す第２の差動配線３０Ｂとを有する。また、第１の差動配線３０Ａは、例えば、第２グランド層２Ｂと第４グランド層２Ｄとの間の第３信号層３Ｃに配置される。また、第２の差動配線３０Ｂは、例えば、第４グランド層２Ｄと第６グランド層２Ｆとの間の第５信号層３Ｅに配置される。

図７は、実施例２と比較例２とのクロストークの計算結果を比較した説明図である。尚、ビア１０の直径は約０．２５ｍｍ、差動信号ビア１２の直径は約０．２ｍｍ、格子状に配置されたビア１０間のピッチは約１ｍｍとした。更に、クリアランス１４の直径は約０．８ｍｍ、信号層３の銅厚は３０μｍ、グランド層２は厚さ０の理想グラウンドとして計算を行った。尚、ビア１０間のピッチは、ビア１０の中心から隣接するビア１０の中心までの距離である。図８は、比較例２の多層配線基板１００の信号ビア対の配置関係の一例を示す説明図である。尚、図１７の多層配線基板１００と同一の構成には同一符号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明については省略する。図８に示す多層配線基板１００は、第１の信号ビア対１２０Ａの差動信号ビア１１２から配線を引き出す第１の差動配線１３０Ｃと、第２の信号ビア対１２０Ｂの差動信号ビア１１２から配線を引き出す第２の差動配線１３０Ｄとを有する。

実施例２は、多層配線基板１ＡのＸ１又はＸ２方向に隣接する一対の差動信号ビア１２を含む第１の信号ビア対２０Ａ及び第２の信号ビア対２０Ｂを対象とした。これに対し、比較例２は、図８に示す多層配線基板１００のＮ１又はＮ２方向に隣接する一対の差動信号ビア１１２を含む第１の信号ビア対１２０Ａ及び第２の信号ビア対１２０Ｂを対象とした。

図７は、４区間のクロストークの計算結果を示すものである。尚、区間を定義する各ポートは以下の通りである。第１のポートＰ１は、第１の信号ビア対２０Ａ内の差動信号ビア１２の表層（第１８信号層）である。第２のポートＰ２は、図５に示す通り、第１の差動配線３０ＡのＭ１側の線路端である。第３のポートＰ３は、第２の信号ビア対２０Ｂ内の差動信号ビア１２の表層（第１８信号層）である。第４のポートＰ４は、図５に示す通り、第２の差動配線３０ＢのＭ１側の線路端である。また、クロストークのＳパラメータは、差動モード（Differential Mode）及び同相モード(Common Mode)を混合した混合モード（Mixed-Mode）のＳパラメータで表記する。

図７の（Ａ）に示すＸｔａｌｋ Ｓｄｄ（３，１）は、第１のポートＰ１を入力ポート、第３のポートＰ３を出力ポートとする第１の区間における第１のポートＰ１と第３のポートＰ３との間のクロストークの計算結果を示す。実施例２の第１のポートＰ１と第３ポートＰ３間のクロストークＳ２は、比較例２の第１のポートＰ１と第３のポートＰ３との間のクロストークＳ１０１と比較して、ほぼ全周波数帯で数ｄＢ低下している。

図７の（Ｂ）に示すＸｔａｌｋ Ｓｄｄ（３，２）は、第２のポートＰ２を入力ポート、第３のポートＰ３を出力ポートとする第２の区間における第２のポートＰ２と第３のポートＰ３との間のクロストークの計算結果を示す。実施例２の第２のポートＰ２と第３のポートＰ３との間のクロストークＳ２は、比較例２の第２のポートＰ２と第３のポートＰ３との間のクロストークＳ１０１と比較して、約１２ＧＨｚ以上の周波数帯で約２０ｄＢ低下している。

図７の（Ｃ）に示すＸｔａｌｋ Ｓｄｄ（４，１）は、第１のポートＰ１を入力ポート、第４のポートＰ４を出力ポートとする第３の区間における第１のポートＰ１と第４のポートＰ４との間のクロストークの計算結果を示す。実施例２の第１のポートＰ１と第４のポートＰ４との間のクロストークＳ２は、比較例２の第１のポートＰ１と第４のポートＰ４との間のクロストークＳ１０１と比較して、ほぼ全周波数帯で約１５ｄＢ低下している。

図７の（Ｄ）に示すＸｔａｌｋ Ｓｄｄ（４，２）は、第２のポートＰ２を入力ポート、第４のポートＰ４を出力ポートとする第４の区間における第２のポートＰ２と第４のポートＰ４との間のクロストークの計算結果を示す。実施例２の第２のポートＰ２と第４のポートＰ４との間のクロストークＳ２は、比較例２の第２のポートＰ２と第４のポートＰ４との間のクロストークＳ１０１と比較して、ほぼ全周波数帯で約１０ｄＢ低下している。

実施例２では、格子状に所定ピッチで配置された複数のビア１０の内、Ｘ１又はＸ２方向に隣接する一対の差動信号ビア１２を含む第１の信号ビア対２０Ａ及び第２の信号ビア対２０Ｂを平行に隣接配置する。Ｎ１又はＮ２方向若しくはＭ１又はＭ２方向に隣接する一対の差動信号ビアを含む信号ビア対を隣接配置する場合に比較して、信号ビア対間の距離が長くなる。その結果、Ｘ１又はＸ２方向に隣接する一対の差動信号ビア１２を含む信号ビア対２０を平行に隣接配置する場合、Ｎ１又はＮ２方向若しくはＭ１又はＭ２方向に隣接する一対の差動信号ビアを含む信号ビア対（比較例２）に比較して、クロストークを低減できる。

次に実施例３の多層配線基板について説明する。図９は、実施例３の一部を省略した多層配線基板の信号ビア対の配置関係の一例を示す説明図である。尚、実施例１の多層配線基板１と同一の構成には同一符号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明については省略する。

図９に示す多層配線基板１Ｂは、第１の信号ビア対２０Ａと、第２の信号ビア対２０Ｂと、第４の信号ビア対２１とを有する。第４の信号ビア対２１は、格子状に所定ピッチで配置された複数のビア１０の内、Ｍ１又はＭ２方向に隣接する一対のビア１０で成す一対の差動信号ビア１２と、一対の差動信号ビア１２の両側を挟む一対のグランドビア１１とを有する。尚、信号ビア対２１内の一対のグランドビア１１は、信号ビア対２１内の一対の差動信号ビア１２と隣接するビア１０で形成するため、適宜変更可能である。第１の信号ビア対２０Ａ及び第２の信号ビア対２０Ｂは、平行に隣接して配置される。更に、第２の信号ビア対２０Ｂ及び第４の信号ビア対２１も、平行に隣接して配置される。

図９に示す多層配線基板１Ｂは、第２の信号ビア対２０Ｂの差動信号ビア１２から引き出す第３の差動配線３０Ｃと、第４の信号ビア対２１の差動信号ビア１２から引き出す第４の差動配線３０Ｄとを有する。また、第３の差動配線３０Ｃは、例えば、第２グランド層２Ｂと第４グランド層２Ｄとの間の第３信号層３Ｃに配置される。また、第４の差動配線３０Ｄは、例えば、第４グランド層２Ｄと第６グランド層２Ｆとの間の第５信号層３Ｅに配置される。

図１０は、実施例３と比較例２とのクロストークの計算結果を比較した説明図である。実施例３は、多層配線基板１ＢのＸ１又はＸ２方向に隣接する一対の差動信号ビア１２を含む第２の信号ビア対２０Ｂ及び、Ｍ１又はＭ２方向に隣接する一対の差動信号ビア１２を含む第４の信号ビア対２１を対象とした。尚、図１０に示すＸｔａｌｋ Ｓｄｄ（３，１）、Ｘｔａｌｋ Ｓｄｄ（４，１）、Ｘｔａｌｋ Ｓｄｄ（３，２）、Ｘｔａｌｋ Ｓｄｄ（４，２）は、図７と同様である。

第１のポートＰ１は、第２の信号ビア対２０Ｂ内の差動信号ビア１２の表層（第１８信号層）である。第２のポートＰ２は、図９に示す通り、第３の差動配線３０ＣのＭ１側の線路端である。第３のポートＰ３は、第４の信号ビア対２１内の差動信号ビア１２の表層（第１８信号層）である。第４のポートＰ４は、図９に示す通り、第４の差動配線３０ＤのＭ２側の線路端である。

図１０の（Ａ）を参照すると、実施例３の第１のポートＰ１と第３のポートＰ３との間のクロストークＳ３は、比較例２の第１のポートＰ１と第３のポートＰ３との間のクロストークＳ１０１と比較して、ほぼ全周波数帯で約１０ｄＢ低下している。

図１０の（Ｂ）を参照すると、実施例３の第２のポートＰ２と第３のポートＰ３との間のクロストークＳ３は、比較例２の第２のポートＰ２と第３のポートＰ３との間のクロストークＳ１０１と比較して、ほぼ全周波数帯で約１０ｄＢ低下している。

図１０の（Ｃ）を参照すると、実施例３の第１のポートＰ１と第４のポートＰ４との間のクロストークＳ３は、比較例２の第１のポートＰ１と第４のポートＰ４との間のクロストークＳ１０１と比較して、ほぼ全周波数帯で約５ｄＢ低下している。

図１０の（Ｄ）を参照すると、実施例３の第２のポートＰ２と第４のポートＰ４との間のクロストークＳ３は、比較例２の第２のポートＰ２と第４のポートＰ４との間のクロストークＳ１０１と比較して、ほぼ全周波数帯で約５ｄＢ低下している。

実施例３では、格子状に所定ピッチの複数のビア１０の内、Ｘ１又はＸ２方向に隣接する一対の差動信号ビア１２を含む第１の信号ビア対２０Ａと、Ｍ１又はＭ２方向に隣接する一対の差動信号ビア１２を含む第４の信号ビア対２１とを平行に隣接配置する。Ｎ１又はＮ２方向若しくはＭ１又はＭ２方向に隣接する一対の差動信号ビアを含む信号ビア対を隣接配置する場合に比較して、信号ビア対間の距離が長くなる。その結果、Ｘ１又はＸ２方向に隣接する一対の差動信号ビア１２を含む信号ビア対２０及び、Ｍ１又はＭ２方向に隣接する一対の差動信号ビアを含む信号ビア対２１を平行に隣接配置する場合、比較例２に比較して、クロストークを低減できる。

尚、上記実施例３では、第２の信号ビア対２０Ｂ及び第４の信号ビア対２１を平行に隣接配置する場合について説明した。しかしながら、第４の信号ビア対２１を、Ｎ１又はＮ２方向に隣接する一対の差動信号ビア１２を含む信号ビア対に変更しても同様の効果が得られる。

次に実施例４の多層配線基板について説明する。図１１は、実施例４の一部を省略した多層配線基板の信号ビア対の配置関係の一例を示す説明図である。図１２は、実施例４の信号ビア対の一例を示す説明図である。尚、実施例１の多層配線基板１と同一のものには同一符号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明については省略する。

図１１に示す多層配線基板１Ｃの信号ビア対２３は、格子状に所定ピッチで配置された複数のビア１０の内、Ｎ１又はＮ２方向に隣接する一対のビア１０で成す一対の差動信号ビア１２と、一対の差動信号ビア１２の両側を挟む一対のグランドビア１１とを有する。尚、グランドビア１１は、信号ビア対２３内の差動信号ビア１２に隣接するビア１０に適宜変更可能である。

一対の差動信号ビア１２は、第１の差動信号ビア１２Ｃと、第２の差動信号ビア１２Ｄとを有する。一対のグランドビア１１は、第１の差動信号ビア１２Ｃに隣接した位置に形成された第１のグランドビア１１Ｃと、第２の差動信号ビア１２Ｄに隣接した位置に形成された第２のグランドビア１１Ｄとを有する。

また、多層配線基板１Ｃは、第１の信号ビア対２３Ａと、第２の信号ビア対２３Ｂと、第３の信号ビア対２３Ｃと、第４の信号ビア対２３Ｄとを有する。更に、異なる信号層３に配置された第７の差動配線３０Ｇは、第２の信号ビア対２３Ｂ内のグランドビア１１と差動信号ビア１２との間を通過する。更に、第７の差動配線３０Ｇは、第４の信号ビア対２３Ｄ内のグランドビア１１と差動信号ビア１２との間を通過する。更に、第７の差動配線３０Ｇは、第３の信号ビア対２３Ｃ内のグランドビア１１と差動信号ビア１２との間を通過する。更に、第７の差動配線３０Ｇは、第１の信号ビア対２３Ａ内のグランドビア１１と差動信号ビア１２との間を通過する。また、第１の信号ビア対２３Ａ内の差動信号ビア１２は、異なる信号層３に配置された第８の差動配線３０Ｈと接続される。

図１３は、実施例４と比較例３とのクロストークの計算結果を比較した説明図である。第１のポートＰ１は、第１の信号ビア対２３Ａの差動信号ビア１２の表層（第１８信号層）である。第２のポートＰ２は、図１１に示す通り、第８の差動配線３０ＨのＭ１側の終端路である。更に、第３のポートＰ３は、図１１に示す通り、第７の差動配線３０ＧのＭ２側の線路端である。第４のポートＰ４は、図１１に示す通り、第７の差動配線３０ＧのＭ１側の線路端である。尚、比較例３では、差動配線３０を信号ビア対２３内の差動信号ビア１２間に通過させた基板を使用するものとする。尚、図１３に示すＸｔａｌｋ Ｓｄｄ（３，１）、Ｘｔａｌｋ Ｓｄｄ（４，１）、Ｘｔａｌｋ Ｓｄｄ（３，２）、Ｘｔａｌｋ Ｓｄｄ（４，２）は、図７と同様である。

図１３の（Ａ）を参照すると、実施例４の第１のポートＰ１と第３のポートＰ３との間のクロストークＳ４は、比較例３の第１のポートＰ１と第３のポートＰ３との間のクロストークＳ１０２と比較して、１０ＧＨｚ以上の周波数帯で約５〜１０ｄＢ低下している。

図１３の（Ｂ）を参照すると、実施例４の第２のポートＰ２と第３のポートＰ３との間のクロストークＳ４は、比較例３の第２のポートＰ２と第３のポートＰ３との間のクロストークＳ１０２と比較して、２ＧＨｚ以上の周波数帯で約５〜１０ｄＢ低下している。

図１３の（Ｃ）を参照すると、実施例４の第１のポートＰ１と第４のポートＰ４との間のクロストークＳ４は、比較例３の第１のポートＰ１と第４のポートＰ４との間のクロストークＳ１０２と比較して、２ＧＨ以上の周波数帯で約５〜１０ｄＢ低下している。

図１３の（Ｄ）を参照すると、実施例４の第２のポートＰ２と第４のポートＰ４との間のクロストークＳ４は、比較例３の第２のポートＰ２と第４のポートＰ４との間のクロストークＳ１０２と比較して、２ＧＨｚ以上の周波数帯で約５〜１０ｄＢ低下している。

実施例４では、信号ビア対２３内に差動配線３０を通過させる場合、信号ビア対２３内の差動信号ビア１２とグランドビア１１との間に差動配線３０を通過させる。例えば、第１の差動信号ビア１２Ｃと第１のグランドビア１１Ｃとの間、又は、第２の差動信号ビア１２Ｄと第２のグランドビア１２Ｄとの間に差動配線３０を通過させる。その結果、信号ビア対２３内の差動配線３０を通過する一方がグランドビア１１となるため、差動信号ビア１２間に差動配線３０を通過させる場合に比較してクロストークを低減できる。

尚、実施例４では、信号ビア対２３内の一対の差動信号ビア１２を、格子状に所定ピッチで配置された複数のビア１０の内、Ｎ１又はＮ２方向に隣接する一対のビア１０で形成した。しかしながら、一対の差動信号ビア１２を、Ｍ１又はＭ２方向若しくはＸ１又はＸ２方向に隣接する一対のビア１０で形成しても良い。

次に実施例５の多層配線基板について説明する。図１４は、実施例５の一部を省略した多層配線基板の信号ビア対の配置関係の一例を示す説明図である。図１５は、実施例５の信号ビア対の一例を示す説明図である。尚、実施例１の多層配線基板１と同一のものには同一符号を付すことで、その重複する構成及び動作の説明については省略する。

図１４に示す多層配線基板１Ｄの信号ビア対２３は、格子状に所定ピッチで配置された複数のビア１０の内、Ｎ１又はＮ２方向に隣接する一対のビア１０で成す一対の差動信号ビア１２と、一対の差動信号ビア１２の両側を挟む一対のグランドビア１１とを有する。尚、グランドビア１１は、信号ビア対２３内の差動信号ビア１２に隣接するビア１０に適宜変更可能である。

また、多層配線基板１Ｄは、第１の信号ビア対２３Ａと、第２の信号ビア対２３Ｂと、第３の信号ビア対２３Ｃと、第４の信号ビア対２３Ｄとを有する。更に、異なる信号層３に配置された第９の差動配線３０Ｉは、第２の信号ビア対２３Ｂ内のグランドビア１１と差動信号ビア１２との間を通過する。更に、第９の差動配線３０Ｉは、第２の信号ビア対２３Ｂ内の隣接する一対の差動信号ビア１２と並列に通過する。更に、第９の差動配線３０Ｉは、第４の信号ビア対２３Ｄ内のグランドビア１１と差動信号ビア１２との間を通過する。更に、第９の差動配線３０Ｉは、第３の信号ビア対２３Ｃ内のグランドビア１１と差動信号ビア１２との間を通過する。更に、第９の差動配線３０Ｉは、第１の信号ビア対２３Ａ内のグランドビア１１と差動信号ビア１２との間を通過する。また、第１の信号ビア対２３Ａ内の差動信号ビア１２は、異なる信号層３に配置された第１０の差動配線３０Ｊと接続される。

図１６は、実施例５と比較例４とのクロストークの計算結果を比較した説明図である。第１のポートＰ１は、第１の信号ビア対２３Ａの差動信号ビア１２の表層（第１８信号層）である。第２のポートＰ２は、図１４に示す通り、第１０の差動配線３０ＪのＭ１側の終端路である。更に、第３のポートＰ３は、図１４に示す通り、第９の差動配線３０ＩのＭ２側の線路端である。第４のポートＰ４は、図１４に示す通り、第９の差動配線３０ＩのＭ１側の線路端である。尚、比較例４では、差動配線３０を信号ビア対２３内の差動信号ビア１２間に通過させた基板を使用するものとする。尚、図１６に示すＸｔａｌｋ Ｓｄｄ（３，１）、Ｘｔａｌｋ Ｓｄｄ（４，１）、Ｘｔａｌｋ Ｓｄｄ（３，２）、Ｘｔａｌｋ Ｓｄｄ（４，２）は、図７と同様である。

図１６の（Ａ）を参照すると、実施例５の第１のポートＰ１と第３のポートＰ３との間のクロストークＳ５は、比較例４の第１のポートＰ１と第３のポートＰ３との間のクロストークＳ１０３と比較して、全周波数帯で約１０〜１５ｄＢ低下している。

図１６の（Ｂ）を参照すると、実施例５の第２のポートＰ２と第３のポートＰ３との間のクロストークＳ５は、比較例４の第２のポートＰ２と第３のポートＰ３との間のクロストークＳ１０３と比較して、全周波数帯で約１０〜１５ｄＢ低下している。

図１６の（Ｃ）を参照すると、実施例５の第１のポートＰ１と第４のポートＰ４との間のクロストークＳ５は、比較例４の第１のポートＰ１と第４のポートＰ４との間のクロストークＳ１０３と比較して、全周波数帯で約１０〜１５ｄＢ低下している。

図１６の（Ｄ）を参照すると、実施例５の第２のポートＰ２と第４のポートＰ４との間のクロストークＳ５は、比較例４の第２のポートＰ２と第４のポートＰ４との間のクロストークＳ１０３と比較して、全周波数帯で約１０〜１５ｄＢ低下している。

実施例５では、信号ビア対２３内に差動配線３０を通過させる場合、信号ビア対２３内の差動信号ビア１２とグランドビア１１との間に差動配線３０を通過させると共に、信号ビア対２３内の一対の差動信号ビア１２と並列に差動配線３０を通過させる。その結果、差動配線３０を差動信号ビア１２間に通過させる場合に比較してクロストークが低減できる。

実施例５では、信号ビア対２３内の一対の差動信号ビア１２間で電磁界が結合するため、一対の差動信号ビア１２間で差動配線３０を通過させた場合、クロストークが大きくなる。これに対して、一対の差動信号ビア１２を並列に差動配線３０を通過させる場合、差動信号ビア１２間で電磁界が結合しているため、並列に通過する差動配線３０へのクロストークが小さくなる。

尚、実施例５では、信号ビア対２３内の一対の差動信号ビア１２を、格子状に所定ピッチで配置された複数のビア１０の内、Ｎ１又はＮ２方向に隣接する一対のビア１０で形成した。しかしながら、一対の差動信号ビア１２を、Ｍ１又はＭ２方向若しくはＸ１又はＸ２方向に隣接する一対のビア１０で形成しても良い。

また、上記実施例では、具体的な数値を例示したが、これら数値に限定されるものではない。

以上、本実施例を含む実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。

（付記１）少なくとも１つの信号層とグランド層とを有する多層配線基板において、
前記多層配線基板の積層方向に延び、前記信号層上に設けられた１対の差動信号配線の一方に接続され、第１の格子点上に形成された第１の信号ビアと、
前記積層方向に延び、前記１対の差動信号配線の他方に接続され、前記第１の信号ビアに対して対角位置の第２の格子点上に形成された第２の信号ビアと
を有することを特徴とする多層配線基板。

（付記２）前記第１の信号ビアと前記第２の信号ビアとの間を通過するように配線された差動信号配線
をさらに有することを特徴とする付記１に記載の多層配線基板。

（付記３）少なくとも１つの信号層とグランド層とを有する多層配線基板において、
前記多層配線基板の積層方向に延び、前記信号層上に設けられた１対の差動信号配線の一方に接続された第１の信号ビアと、
前記積層方向に延び、前記１対の差動信号配線の他方に接続された第２の信号ビアと
を備え、
前記第１の信号ビアと前記第２の信号ビアは、
前記第１の信号ビア及び前記第２の信号ビアの各々の中心点間の距離が前記信号層上の差動信号配線に接続された信号ビアの中心点間の最短距離よりも長い距離となる位置に離間して配置された
ことを特徴とする多層配線基板。

（付記４）前記第１の信号ビアと前記第２の信号ビアは、
前記第１の信号ビア及び前記第２の信号ビアの各々の中心点間の距離が前記最短距離の２倍よりも短い距離の範囲内で離間した位置に配置された
ことを特徴とする多層配線基板。

（付記５）少なくとも１つの信号層とグランド層とを有する多層配線基板において、前記多層配線基板の積層方向に延び、前記信号層上に設けられた１対の差動信号配線の一方に接続され、第１の格子点上に形成された第１の信号ビアと、前記積層方向に延び、前記１対の差動信号配線の他方に接続され、前記第１の信号ビアに対して対角位置の第２の格子点上に形成された第２の信号ビアとを有する多層配線基板と、
前記多層配線基板に実装される半導体部品と
を有することを特徴とする電子機器。

（付記６）少なくとも１つの信号層とグランド層とを有する多層配線基板において、
前記多層配線基板の積層方向に延び、前記信号層に接続された第１の信号ビアと、
前記第１の信号ビアに隣接した位置に形成され、前記積層方向に延び、かつ、前記信号層に接続された第２の信号ビアと、
前記第１の信号ビアに隣接した位置に形成され、前記積層方向に延び、かつ、前記グランド層に接続される第１のグランドビアと、
前記第２の信号ビアに隣接した位置に形成され、前記積層方向に延び、かつ、前記グランド層に接続される第２のグランドビアと、
前記第１の信号ビアと前記第１のグランドビアとの間又は、前記第２の信号ビアと前記第２のグランドビアとの間を通過するように配線された差動信号配線と
を有することを特徴とする多層配線基板。

（付記７）前記差動信号配線は、
前記第１の信号ビア及び前記第２の信号ビアが並ぶ列と平行に配線されることを特徴とする付記６に記載の多層配線基板。

（付記８）少なくとも１つの信号層とグランド層とを有する多層配線基板において、
前記多層配線基板の積層方向に延び、前記信号層に接続された第１の信号ビアと、
前記第１の信号ビアに隣接した位置に形成され、前記積層方向に延び、かつ、前記信号層に接続される第２の信号ビアと、
前記第１の信号ビアに隣接した位置に形成され、前記積層方向に延び、かつ、前記グランド層に接続される第１のグランドビアと、
前記第２の信号ビアに隣接した位置に形成され、前記積層方向に延び、かつ、前記グランド層に接続される第２のグランドビアと、
前記第１の信号ビア及び前記第２の信号ビアが並ぶ列と平行に配線された差動信号配線と
を有することを特徴とする多層配線基板。

（付記９）少なくとも１つの信号層とグランド層とを有する多層配線基板において、前記多層配線基板の積層方向に延び、前記信号層上に設けられた１対の差動信号配線の一方に接続された第１の信号ビアと、前記積層方向に延び、前記１対の差動信号配線の他方に接続された第２の信号ビアとを備え、前記第１の信号ビアと前記第２の信号ビアが、前記第１の信号ビア及び前記第２の信号ビアの各々の中心点間の距離が前記信号層上の差動信号配線に接続された信号ビアの中心点間の最短距離よりも長い距離となる位置に離間して配置された多層配線基板と、
前記多層配線基板に実装される半導体部品と
を有することを特徴とする電子機器。

１ 多層配線基板
２ グランド層
３ 信号層
１０ ビア
１１ グランドビア
１１Ｃ 第１のグランドビア
１１Ｄ 第２のグランドビア
１２ 差動信号ビア
１２Ａ 第１の差動信号ビア
１２Ｂ 第２の差動信号ビア
１２Ｃ 第１の差動信号ビア
１２Ｄ 第２の差動信号ビア
２０ 信号ビア対
３０ 差動配線

Claims (5)

1. 少なくとも１つの信号層とグランド層とを有する多層配線基板において、
   前記多層配線基板の積層方向に延び、前記信号層上に設けられた１対の差動信号配線の一方に接続され、第１の格子点上に形成された第１の信号ビアと、
   前記積層方向に延び、前記１対の差動信号配線の他方に接続され、前記第１の信号ビアに対して対角位置の第２の格子点上に形成された第２の信号ビアと
   を有することを特徴とする多層配線基板。
2. 前記第１の信号ビアと前記第２の信号ビアとの間を通過するように配線された差動信号配線をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
3. 少なくとも１つの信号層とグランド層とを有する多層配線基板において、
   前記多層配線基板の積層方向に延び、前記信号層上に設けられた１対の差動信号配線の一方に接続された第１の信号ビアと、
   前記積層方向に延び、前記１対の差動信号配線の他方に接続された第２の信号ビアと
   を備え、
   前記第１の信号ビアと前記第２の信号ビアは、
   前記第１の信号ビア及び前記第２の信号ビアの各々の中心点間の距離が前記信号層上の差動信号配線に接続された信号ビアの中心点間の最短距離よりも長い距離となる位置に離間して配置された
   ことを特徴とする多層配線基板。
4. 前記第１の信号ビアと前記第２の信号ビアは、
   前記第１の信号ビア及び前記第２の信号ビアの各々の中心点間の距離が前記最短距離の２倍よりも短い距離の範囲内で離間した位置に配置された
   ことを特徴とする多層配線基板。
5. 少なくとも１つの信号層とグランド層とを有する多層配線基板において、前記多層配線基板の積層方向に延び、前記信号層上に設けられた１対の差動信号配線の一方に接続され、第１の格子点上に形成された第１の信号ビアと、前記積層方向に延び、前記１対の差動信号配線の他方に接続され、前記第１の信号ビアに対して対角位置の第２の格子点上に形成された第２の信号ビアとを有する多層配線基板と、
   前記多層配線基板に実装される半導体部品と
   を有することを特徴とする電子機器。

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