JP2013187357A - 反射光センサ - Google Patents

Abstract

【課題】発光面に対して垂直の２つの側面で規定される溝部を発光素子と受光素子との間に形成しても、発光素子からの発光のうち樹脂層を通って受光素子へ直接入射する光量は依然として多く、従って、反射光センサのＳ/Ｎ比は小さかった。
【解決手段】発光素子１、受光素子２を配線基板３上に実装し、さらに、光透過性（可視光カット）の樹脂層４にて封止している。発光素子１側の側面Ｓ１が発光面に対して垂直であり受光素子２側の側面Ｓ２’が発光面に対して受光素子２側に傾斜しているレ字型溝部５を設けてある。発光素子１から垂直な側面Ｓ１を通って空気(溝部５)を介して領域した側面Ｓ２’に到達した光Ｌ１の側面Ｓ２’に対する入射角は大きくなる。この結果、光Ｌ１の側面Ｓ２’における反射光の光量は多くなり、この結果、発光素子１から受光素子２へ直接入射する光の光量は減少し、従って、反射光センサのＳ/Ｎ比を向上できる。
【選択図】 図１

Description

本発明は表面実装型の反射光センサに関する。

一般に、反射光センサは、発光素子及び受光素子を備え、発光素子からの発光を被検出物に照射し、その反射光を受光素子で受光し、これにより、被検出物の存否を検出する。

図１４は従来の反射光センサを示し、（Ａ）は上面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。図１４においては、発光素子１０１及び受光素子１０２を光透過性樹脂層１０３によって封止し、かつ発光素子１０１と受光素子１０２との間の樹脂層１０３に発光面に対して両側面Ｓ１,Ｓ２が垂直な溝部１０４を設けていた（参照：特許文献１の第４図、特許文献２の第１図）。これにより、発光素子１０１からの発光が樹脂層１０３を通って受光素子１０２に直接入射しないようにし、反射光センサの信号/雑音（Ｓ/Ｎ）比を向上させていた。尚、１０３ａ、１０３ｂは樹脂層１０３によって形成される発光素子１０１、受光素子１０２に対するレンズである。

特開昭５９−５６７７９号公報 特開昭６２−１３２３７７号公報

しかしながら、上述の従来の反射光センサにおいては、発光素子１０１からの発光のうち樹脂層１０３及び溝部１０４を通って受光素子１０２へ直接入射する光量は依然として多く、従って、光センサのＳ/Ｎ比は依然として小さいという課題があった。

すなわち、一般的に、屈折率が変化する側面Ｓ１、Ｓ２では、光はスネルの屈折反射法則に従って屈折及び反射するが、その際、入射角θ１１、θ１２；θ２１、θ２２が大きくなるにつれて光の反射量が増加する一方、光の屈折量が減少する。また、側面Ｓ１では入射角が臨界角以上のときのみ光は全反射する。

従って、図１４の（Ａ）、（Ｂ）において、発光素子１０１から樹脂層１０３を通って側面Ｓ１に斜めに到達した光Ｌ１、Ｌ２は側面Ｓ１にて反射しその反射量は側面Ｓ１に対する入射角θ１に応じた量であり、また、これらの光Ｌ１、Ｌ２のうち側面Ｓ１にて屈折して空気（溝部１０４）を透過して側面Ｓ２に斜めに到達した光Ｌ１、Ｌ２は側面Ｓ２にて反射しその反射量は側面Ｓ２に対する入射角θ１２、θ２２に応じた量である。従って、光Ｌ１、Ｌ２のうち側面Ｓ２にて屈折して樹脂層１０３に再び入り込む光の光量は小さくなる。しかしながら、図１４の（Ａ）における発光素子１０１から樹脂層１０３を通って側面Ｓ１に直角に到達した光Ｌ３は側面Ｓ１に対する入射角がほぼ０°であるので、光Ｌ３のほぼ全光量が側面Ｓ１において屈折して空気（溝部１０４）を透過し、側面Ｓ２に到達する。このときも、光Ｌ３の側面Ｓ２に対する入射角もほぼ０°であるので、光Ｌ３のほぼ全光量が側面Ｓ２にて屈折して再び樹脂層１０３に入り込む。光Ｌ３の入り込みはＳ／Ｎ比の点で問題となる。このようにして、たとえ発光面に対して側面Ｓ１、Ｓ２よりなる溝部１０４を発光素子１０１と受光素子１０２との間に設けても、再び樹脂層１０３に入り込んだ光が樹脂層１０３の内壁で反射して発光素子１０１から受光素子１０２へ直接入射する光の光量の減少は依然として小さく、従って、反射光センサのＳ/Ｎ比は依然として小さい。

上述の課題を解決するために、本発明に係る反射光センサは、基板上に形成された発光素子及び受光素子と、発光素子及び受光素子を封止する光透過性樹脂層とを具備する反射光センサにおいて、光透過性樹脂層は、発光素子と受光素子との間に形成された溝部を有し、溝部を構成する発光素子に対向する第１の面及び受光素子に対向する第２の面の少なくとも１つの面は、溝部の断面において、発光素子との距離が溝部の上方に向って大きくなるように受光素子側に傾斜していることを特徴とするものである。これにより、発光素子から傾斜した面に到達した光のこの傾斜した面に対する入射角が大きくなる。

また、上述の第１の面及び第２の面の少なくとも１つの面には、溝部の上方から見て、発光素子の中心と受光素子の中心とを結ぶ線に垂直な面に対して傾斜した傾斜領域が形成されている。この傾斜領域は、溝部の上方から見て、受光素子から発光素子に向って突出するように湾曲して形成されている。あるいは、傾斜領域は、溝部の上方から見て、受光素子から発光素子に向って突出する２つの面として形成されている。あるいは、傾斜領域は、溝部の上方から見て、発光素子の中心と受光素子の中心とを結ぶ線に斜めに交差する面として形成されている。

さらに、上述の発光素子及び受光素子は発光素子の一側面と受光素子の一側面とが対向するように基板上に搭載され、上述の第１の面及び第２の面の少なくとも１つの面には、溝部を上方から見て、発光素子の受光素子に対向した側面に対して傾斜した傾斜領域が形成されている。この傾斜領域は、溝部の上方から見て、受光素子から発光素子に向って突出する傾斜した湾曲面として形成されている。あるいは、傾斜領域は、溝部の上方から見て、受光素子から発光素子に向って突出する傾斜した２つの傾斜面として形成されている。あるいは、傾斜領域は、溝部の上方から見て、発光素子の中心と受光素子の中心とを結ぶ線に斜めに交差する傾斜面として形成されている。

さらに、上述の傾斜領域は、溝部の上方から見て、発光素子の中心と受光素子の中心とを結ぶ線に交差する部分領域に形成されている。この場合、溝部は、基板上から見て、発光素子の中心と受光素子の中心とを結ぶ線に交差する部分領域でこの線に対して傾斜し、この部分領域の外側の領域でこの線に対して垂直となっている。

本発明によれば、発光素子からの光の溝部を構成する第１、第２の面の少なくとも１つの面に対する入射角が大きくなるので、第１、第２の面の少なくとも１つの面における反射光の光量は多くなり、この結果、発光素子から受光素子へ直接入射する光の光量は減少し、従って、反射光のＳ/Ｎ比を向上できる。

本発明に係る反射光センサの第１の実施の形態を示し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は上面図、（Ｃ）は（Ｂ）のＣ-Ｃ線断面図である。 本発明に係る反射光センサの第２の実施の形態を示し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は上面図、（Ｃ）は（Ｂ）のＣ-Ｃ線断面図である。 本発明に係る反射光センサの第３の実施の形態を示し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は上面図、（Ｃ）は（Ｂ）のＣ-Ｃ線断面図である。 本発明に係る反射光センサの第４の実施の形態を示し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は上面図、（Ｃ）は（Ｂ）のＣ-Ｃ線断面図である。 本発明に係る反射光センサの第５の実施の形態を示し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は上面図、（Ｃ）は（Ｂ）のＣ-Ｃ線断面図である。 本発明に係る反射光センサの第６の実施の形態を示し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は上面図、（Ｃ）は（Ｂ）のＣ-Ｃ線断面図である。 本発明に係る反射光センサの第７の実施の形態を示し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は上面図、（Ｃ）は（Ｂ）のＣ-Ｃ線断面図である。 本発明に係る反射光センサの第８の実施の形態を示し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は上面図、（Ｃ）は（Ｂ）のＣ-Ｃ線断面図である。 本発明に係る反射光センサの第９の実施の形態を示し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は上面図、（Ｃ）は（Ｂ）のＣ-Ｃ線断面図である。 本発明に係る反射光センサの第１０の実施の形態を示し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は上面図、（Ｃ）は（Ｂ）のＣ-Ｃ線断面図である。 本発明に係る反射光センサの第１１の実施の形態を示し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は上面図、（Ｃ）は（Ｂ）のＣ-Ｃ線断面図である。 本発明に係る反射光センサの第１２の実施の形態を示し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は上面図、（Ｃ）は（Ｂ）のＣ-Ｃ線断面図である。 図１の（Ｂ）の変更例を示す上面図である。 従来の反射光センサを示し、（Ａ）は上面図、（Ｂ）は（Ａ）のＢ-Ｂ線断面図である。

図１は本発明に係る反射光センサの第１の実施の形態を示し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は上面図、（Ｃ）は（Ｂ）のＣ-Ｃ線断面図である。

図１においては、発光素子１、受光素子２を配線基板３上に実装し、さらに、光透過性（発光素子１の発光波長が赤外領域の場合には、可視光カットが好ましい）の樹脂層４にて封止している。さらに、図１４の溝部１０４の代わりに、発光素子１側の側面Ｓ１が発光素子１の上面に対して垂直（発光素子１の受光素子２側の側面に平行）であり受光素子２側の側面Ｓ２’が発光素子１の受光素子２側の側面に対して受光素子２側に該側面との距離が溝部５の上方に向かって大きくなるように傾斜した傾斜面である断面レ字型溝部５を設けてある。溝部５は、樹脂層４の発光素子１と受光素子２との間に、樹脂層４の上面から配線基板３に向けて形成されている。このレ字型溝部５は樹脂層４をトランスファ成型する際に金型で形成してもよく、または、トランスファ成型後にレーザ加工で形成してもよい。このレーザ加工の場合、レーザ加工面が黒化(炭化)すると遮光性が高くなるので、炭酸ガスレーザ等のハイパワーレーザ加工が適している。溝部５は、底部が発光素子１の上面より低い位置まで達していることが好ましく、受光素子２の上面より低い位置まで達していることが好ましい。また、溝部５は、配線基板３まで達してもよい。

尚、図１において、発光素子１は赤外線発光ダイオード（LED）素子、受光素子２はフォトダイオード素子、フォトトランジスタ素子等、配線基板３はガラスエポキシ基板等をベースとし、発光素子１および受光素子２への給電用の配線パターン（図示せず）が形成されている。樹脂層４はエポキシ樹脂、シリコーン樹脂等よりなる。６はカーボンブラック等の遮光材料入りの遮光性ダイアタッチ材料層、７は受光素子２の側面から上端面を覆う金属層である。遮光性ダイアタッチ材料層６は受光素子２側の樹脂層４に入り込んだ迷光及び溝部５より深い樹脂層４に入り込んだ光が受光素子２に入射しないようにする。また、金属層７は受光素子２の上面以外からの入射光を遮光するためのものであり、Ｓ/Ｎ比の向上に役立つ。尚、金属層７を形成する受光素子２の肩部分をメサエッチングすることにより金属層７のクラックを防止する。また、図示しない金、銀、または銅等のワイヤよりなるボンディングワイヤにより発光素子１、受光素子２の電極と配線基板３の配線パターンとを接続する。

図１の（Ｃ）に示すごとく、発光素子１から側面Ｓ１を通って空気(溝部５)を介して側面Ｓ２’に到達した光Ｌ１の側面Ｓ２’に対する入射角は図１４の（Ｂ）における光Ｌ１の側面Ｓ２に対する入射角より大きくなる。ここで、光Ｌ１は、発光素子１から溝部５の発光素子１側の側面Ｓ１を通り、溝部５の受光素子２側の側面Ｓ２’に到達する光のうち、配線基板３の上面と平行な光より発光素子１から上方に放出される光を示す。この結果、光Ｌ１の側面Ｓ２’における反射光の光量は図１４の（Ｂ）における光Ｌ1の側面Ｓ２における反射光量より多くなり、この結果、発光素子１から受光素子２へ直接入射する光の光量は減少し、従って、反射光センサのＳ/Ｎ比を向上できる。

図２は本発明に係る反射光センサの第２の実施の形態を示し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は上面図、（Ｃ）は（Ｂ）のＣ-Ｃ線断面図である。

図２においては、図１４の溝部１０４の代わりに、発光素子１側の側面Ｓ１’が発光素子１の受光素子２側の側面に対して受光素子２側に該側面（発光素子の受光素子側の側面）との距離が溝部５’の上方に向かって大きくなるように傾斜した傾斜面であり、受光素子２側の側面Ｓ２が発光素子１の上面に対して垂直（発光素子１の受光素子２側の側面に平行）である断面ム字型溝部５’を設けてある。溝部５’は、樹脂層４の発光素子１と受光素子２との間に、樹脂層４の上面から配線基板３に向けて形成されている。このム字型溝部５’は樹脂層４をトランスファ成型後にレーザ加工で形成する。このレーザ加工の場合、レーザ加工面が黒化(炭化)すると遮光性が高くなるので、炭酸ガスレーザ等のハイパワーレーザ加工が適している。

図２の（Ｃ）に示すごとく、発光素子１から側面Ｓ１’に到達した光Ｌ１の側面Ｓ１’に対する入射角は図１４の（Ｂ）における光Ｌ１の側面Ｓ１に対する入射角より大きくなる。この結果、光Ｌ１の側面Ｓ１’における反射光の光量は図１４の（Ｂ）の光Ｌ１の側面Ｓ１における反射光の光量より多くなり、この結果、発光素子１から受光素子２へ直接入射する光の光量は減少し、従って、反射光センサのＳ/Ｎ比を向上できる。

図３は本発明に係る反射光センサの第３の実施の形態を示し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は上面図、（Ｃ）は（Ｂ）のＣ-Ｃ線断面図である。

図３においては、図１４の溝部１０４の代わりに、発光素子１側の側面Ｓ１’及び受光素子２側の側面Ｓ２’が共に発光素子１の受光素子２側の側面に対して受光素子２側に該側面（発光素子１の受光素子２側の側面）との距離が溝部５’’の上方に向かって大きくなるように傾斜した側面である溝部５’’を設けてある。溝部５”は、樹脂層４の発光素子１と受光素子２との間に、樹脂層４の上面から配線基板３に向けて形成されている。この溝部５’’は樹脂層４をトランスファ成型する際に金型で形成してもよく、または、トランスファ成型後にレーザ加工で形成してもよい。このレーザ加工の場合、レーザ加工面が黒化(炭化)すると遮光性が高くなるので、炭酸ガスレーザ等のハイパワーレーザ加工が適している。

図３の（Ｃ）に示すごとく、発光素子１から側面Ｓ１’に到達した光Ｌ１の側面Ｓ１’に対する入射角は図１４の（Ｂ）における光Ｌ１の側面Ｓ１に対する入射角より大きくなると共に、側面Ｓ１’を通って空気(溝部５”)を介して側面Ｓ２’に到達した光Ｌ１の側面Ｓ２’に対する入射角も図１４の（Ｂ）における光Ｌ1の側面Ｓ２に対する入射角より大きくなる。この結果、光Ｌ１の側面Ｓ１’、Ｓ２’における反射光の光量は図１４の（Ｂ）の光Ｌ１の側面Ｓ１、Ｓ２における反射光の光量より多くなり、この結果、発光素子１から受光素子２へ直接入射する光の光量は減少し、従って、反射光センサのＳ/Ｎ比を向上できる。

図４は本発明に係る反射光センサの第４の実施の形態を示し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は上面図、（Ｃ）は（Ｂ）のＣ-Ｃ線断面図である。尚、第４の実施の形態の側面Ｓ２’は第１の実施の形態の反射光センサの側面Ｓ２’を受光素子２を囲むようなＲ形状を有するように形成したものである。側面Ｓ２’は、配線基板３の上方から観測して、受光素子２側から発光素子１側に向かって突出するような湾曲面として形成されている。本実施の形態において、側面Ｓ２’は、発光素子１の受光素子２側の側面および溝部５の発光素子１側の側面Ｓ１に対して傾斜した面で形成されている。第４の実施の形態における溝部５の側面Ｓ２’の形状は図２、図３の反射光センサの側面Ｓ２、側面Ｓ２’にも適用できる。

図４の（Ｂ）に示すごとく、発光素子１から側面Ｓ１を通って空気(溝部５)を介して側面Ｓ２’に到達した光Ｌ２の側面Ｓ２’に対する入射角は図１４の（Ａ）における光Ｌ２の側面Ｓ２に対する入射角より大きくなる。ここで、光Ｌ２は、発光素子１からの溝部５の発光素子１側の側面を通り、溝部５の受光素子２側の側面に到達する光のうち、樹脂層４の上方から見て（上面図、図４の（Ｂ）において）、側面Ｓ２’における発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に垂直な面に対して傾斜した領域に入射した光を示す。この結果、光Ｌ２の側面Ｓ２’における反射光の光量は図１４の（Ａ）における光Ｌ２の側面Ｓ２における反射光量より多くなり、この結果、発光素子１から受光素子２へ直接入射する光の光量は減少し、従って、反射光センサのＳ/Ｎ比を向上できる。

図１に示す第１の実施の形態と同様、溝部５を構成する受光素子２側の側面Ｓ２’が、発光素子１の受光素子２側の側面に対して受光素子２側に該側面との距離が溝部５の上方に向かい大きくなるよう傾斜している。そのため、発光素子１の受光素子２側の側面に平行な場合と比較して、発光素子１から放出された光のうち、側面Ｓ１を通過して側面Ｓ２’へ入射する光の入射角が大きくなるので、側面Ｓ２’における反射光量が大きくなり、受光素子２への入射光量が減少し、反射光センサのＳ/Ｎ比を向上することができる。

さらに、受光素子２側の側面Ｓ２’は、溝部５を上方から観測した場合において(図４の（Ｂ）参照)、発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に垂直な面に対して傾斜した領域を有する。つまり、受光素子２側の側面Ｓ２’は、発光素子１側の側面Ｓ１に対し傾斜した領域が形成されている。そのため、従来(図１４（Ａ）)や第１の実施の形態（図１の（Ｂ））のように受光素子２側の側面Ｓ２’が発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に対して垂直である場合と比較して、発光素子１から放出された光のうち、側面Ｓ１を通過して側面Ｓ２’における該傾斜領域（発光素子１の中心と受光素子２の中心とを結ぶ線に垂直な面に対して傾斜した領域）へ入射する光の入射角が大きくなるので、側面Ｓ２’における反射光量が大きくなり、受光素子２への入射光量が減少し、反射光センサのＳ/Ｎ比を向上することができる。

図５は本発明に係る反射光センサの第５の実施の形態を示し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は上面図、（Ｃ）は（Ｂ）のＣ-Ｃ線断面図である。尚、第５の実施の形態の溝部５の側面Ｓ２’は、図１の反射光センサの側面Ｓ２’を受光素子２を囲むような傾斜面として形成したものである。側面Ｓ２’は、配線基板３の上方から観測して、受光素子２側から発光素子１側に向かって突出するように２つの傾斜面から形成されている。本実施の形態において、側面Ｓ２’は、発光素子１の受光素子２側の側面および溝部５の発光素子１側の側面Ｓ１に対して傾斜した面で形成されている。なお、溝部５の溝幅は、中央から外側に向かって大きくなるよう形成されている。第５の実施の形態における溝部５の側面Ｓ２’の形状は図２、図３の反射光センサの側面Ｓ２、側面Ｓ２’にも適用できる。

図５の（Ｃ）に示すごとく、発光素子１から側面Ｓ１を通って空気(溝部５)を介して側面Ｓ２’に到達した光Ｌ２の側面Ｓ２’に対する入射角は図１４の（Ａ）における光Ｌ２の側面Ｓ２に対する入射角より大きくなる。ここで、光Ｌ２は、発光素子１から溝部５の発光素子１側の側面Ｓ１を通り、溝部５の受光素子２側の側面Ｓ２’に到達する光のうち、樹脂層４の上方から見て(上面図、図５の（Ｂ）において)、側面Ｓ２’における発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に垂直な面に対して傾斜した領域に入射した光を示す。この結果、光Ｌ２の側面Ｓ２’における反射光の光量は図１４の（Ａ）における光Ｌ２の側面Ｓ２における反射光量より多くなり、この結果、発光素子１から受光素子２へ直接入射する光の光量は減少し、従って、反射光センサのＳ/Ｎ比を向上できる。

図１に示す第１の実施の形態と同様、溝部５を構成する受光素子２側の側面Ｓ２’が、発光素子１の受光素子２側の側面に対して受光素子２側に該側面との距離が溝部５の上方に向かい大きくなるように傾斜している。そのため、発光素子１の受光素子２側の側面に平行な場合と比較して、発光素子１から放出された光のうち、側面Ｓ１を通過して側面Ｓ２’へ入射する光の入射角が大きくなるため、側面Ｓ２’における反射光量が大きくなり、受光素子２への入射光量が減少し、反射光センサのＳ/Ｎ比を向上することができる。

さらに、受光素子２側の側面Ｓ２’は、溝部５を上方から観測した場合において(図５の（Ｂ）参照)、発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に垂直な面に対して傾斜している。つまり、受光素子２側の側面Ｓ２’は、発光素子１側の側面Ｓ１に対して傾斜している。そのため、従来（図１４の（Ａ））や第１の実施の形態（図１の（Ｂ））のように受光素子２側の側面Ｓ２’が発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に対して垂直である場合と比較して、発光素子１から放出された光のうち、側面Ｓ１を通過して側面Ｓ２’へ入射する光の入射角が大きくなるため、側面Ｓ２’における反射光量が大きくなり、受光素子２への入射光量が減少し、反射光センサのＳ/Ｎ比を向上することができる。

図６は本発明に係る反射光センサの第６の実施の形態を示し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は上面図、（Ｃ）は（Ｂ）のＣ-Ｃ線断面図である。尚、図６は図１の反射光センサの側面Ｓ２’の発光素子１に対向する中央部に配線基板３の上方から見て発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に垂直な面に対して傾斜
した領域を形成したものである。本実施の形態においては、発光素子１の受光素子２側の側面および溝部５の発光素子１側の側面Ｓ１に対して傾斜した領域が中央部に形成されている。第６の実施の形態における溝部５の側面Ｓ２’の形状は図２、図３の反射光センサの側面Ｓ２、側面Ｓ２’にも適用できる。

図６の（Ｂ）、（Ｃ）に示すごとく、発光素子１から樹脂層４を通って側面Ｓ１に到達した光Ｌ３は側面Ｓ１に対する入射角がほぼ０であるので、光Ｌ３のほぼ全光量が側面Ｓ１において屈折して空気（溝部５）を透過し、側面Ｓ２’に到達する。しかし、このとき、光Ｌ３の側面Ｓ２’に対する入射角は大きいので、光Ｌ３の多くは側面Ｓ２’にて反射して樹脂層４に入り込む光量は減少する。ここで、光Ｌ３は発光素子１から溝部５の発光素子１側の側面を通り、溝部５の受光素子２側の側面Ｓ２’に到達する光のうち、樹脂層４の上方から見て（上面図、図６の（Ｂ）において）、発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に略平行に発光素子１から放出された光を示す。この結果、発光素子１から受光素子２へ直接入射する光の光量は減少し、従って、反射光センサのＳ/Ｎ比を向上できる。光Ｌ３の入り込み量の減少はＳ／Ｎ比向上に有効である。

図１に示す第１の実施の形態と同様、溝部５を構成する受光素子２側の側面Ｓ２’が、発光素子１の受光素子２側の側面に対して受光素子２側に該側面との距離が溝部５の上方に向かい大きくなるよう傾斜している。そのため、発光素子１の受光素子２側の側面に平行な場合と比較して、発光素子１から放出された光のうち、側面Ｓ１を通過して側面Ｓ２’へ入射する光の入射角が大きくなるので、側面Ｓ２’における反射光量が大きくなり、受光素子２への入射光量が減少し、反射光センサのＳ/Ｎ比を向上することができる。

さらに、受光素子２側の側面Ｓ２’は、溝部５を上方から観測した場合において(図６の（Ｂ）参照)、発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に垂直な面に対して傾斜した領域を有する。つまり、受光素子２側の側面Ｓ２’は、発光素子１側の側面Ｓ１に対し傾斜した領域が形成されている。そのため、従来(図１４の（Ａ）)や第１の実施の形態（図１の（Ｂ））のように受光素子２側の側面Ｓ２’が発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に対して垂直である場合と比較して、発光素子１から放出された光のうち、側面Ｓ１を通過して側面Ｓ２’における該傾斜領域（発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に垂直な面に対して傾斜した領域）へ入射する光の入射角が大きくなるため、側面Ｓ２’における反射光量が大きくなり、受光素子２への入射光量が減少し、反射光センサのＳ/Ｎ比を向上することができる。特に、該傾斜領域（発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に垂直な面に対して傾斜した領域）を、発光素子１の中心と受光素子２との中心を結ぶ線に斜めに交差するように形成しているので、効率的に側面Ｓ２’における反射光量が大きくなり、反射光センサのＳ/Ｎ比を効率よく向上することができる。

図７は本発明に係る反射光センサの第７の実施の形態を示し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は上面図、（Ｃ）は（Ｂ）のＣ-Ｃ線断面図である。尚、第７の実施の形態の側面Ｓ１’は、第２の実施の形態の反射光センサの側面Ｓ１’を受光素子２を囲むようなＲ形状を有するように形成したものである。側面Ｓ１’は配線基板３の上方から観測して、受光素子２側から発光素子１側に向かって突出するような湾曲面として形成されている。本実施の形態において、側面Ｓ１’は配線基板３の上方から観測して、発光素子１の受光素子２側の側面および溝部の発光素子２側の側面Ｓ２に対して傾斜した面で形成されている。第７の実施の形態における溝部５’の側面Ｓ１’の形状は図１、図３の反射光センサの側面Ｓ１、側面Ｓ１’にも適用できる。

図７の（Ｂ）に示すごとく、発光素子１から側面Ｓ１’に到達した光Ｌ２の側面Ｓ１’に対する入射角は図１４の（Ａ）における光Ｌ２の側面Ｓ１に対する入射角より大きくなる。この結果、光Ｌ２の側面Ｓ１’における反射光の光量は図１４の（Ａ）における光Ｌ２の側面Ｓ１における反射光量より多くなり、この結果、発光素子１から受光素子２へ直接入射する光の光量は減少し、従って、反射光センサのＳ/Ｎ比を向上できる。

図２に示す第２の実施の形態と同様、溝部５’を構成する発光素子１側の側面Ｓ１’が、発光素子１の受光素子２側の側面に対して受光素子２側に該側面との距離が溝部５’の上方に向かって大きくなるように傾斜している。そのため、図１４に示す従来の光反射センサのような発光素子１の受光素子２側の側面に平行な場合と比較して、発光素子１から放出された光のうち、側面Ｓ１’へ入射する光の入射角が大きくなるので、側面Ｓ１’における反射光量が大きくなり、受光素子２への入射光量が減少し、反射光センサのＳ/Ｎ比を向上することができる。

さらに、受光素子１側の側面Ｓ１’は、溝部５’を上方から観測した場合において(図７の（Ｂ）参照)、発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に垂直な面に対して傾斜した領域を有する。そのため、従来(図１４の（Ａ）)や第２の実施の形態（図２の（Ｂ））のように発光素子１側の側面Ｓ１’が発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に対して垂直である場合と比較して、発光素子１から放出された光のうち、側面Ｓ１’における該傾斜領域（発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に垂直な面に対して傾斜した領域）へ入射する光の入射角が大きくなるので、側面Ｓ１’における反射光量が大きくなり、受光素子２への入射光量が減少し、反射光センサのＳ/Ｎ比を向上することができる。

図８は本発明に係る反射光センサの第８の実施の形態を示し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は上面図、（Ｃ）は（Ｂ）のＣ-Ｃ線断面図である。尚、第８の実施の形態の側面Ｓ１’は、第２の実施の形態の反射光センサの傾斜面Ｓ１’を受光素子２を囲むような傾斜面として形成したものである。側面Ｓ１’は配線基板３の上方から観測して、受光素子２側から発光素子１側に向かって突出するように二つの傾斜面から形成されている。本実施の形態において、側面Ｓ１’は配線基板３の上方から観測して、発光素子１の受光素子２側の側面および、溝部の発光素子２側の側面Ｓ２に対して傾斜した面で形成されている。尚、溝部５’の溝幅は中央から外側に向かって小さくなるように形成されている。第８の実施の形態における溝部５’の側面Ｓ１’の形状は図１、図３の反射光センサの垂直面Ｓ１、傾斜面Ｓ１’にも適用できる。

図８の（Ｂ）に示すごとく、発光素子１から側面Ｓ１’に到達した光Ｌ２の側面Ｓ１’に対する入射角は図１４の（Ａ）における光Ｌ２の側面Ｓ１に対する入射角より大きくなる。この結果、光Ｌ２の側面Ｓ１’における反射光の光量は図１４の（Ａ）における光Ｌ２の側面Ｓ１における反射光量より多くなり、この結果、発光素子１から受光素子２へ直接入射する光の光量は減少し、従って、反射光センサのＳ/Ｎ比を向上できる。

図２に示す第２の実施の形態と同様、溝部５’を構成する発光素子１側の側面Ｓ１’が、発光素子１の受光素子２側の側面に対して受光素子２側に該側面との距離が溝部５’の上方に向かって大きくなるように傾斜している。そのため、図１４に示す従来の光反射センサのような発光素子１の受光素子２側の側面に平行な場合と比較して、発光素子１から放出された光のうち、側面Ｓ１’へ入射する光の入射角が大きくなるので、側面Ｓ１’における反射光量が大きくなり、受光素子２への入射光量が減少し、反射光センサのＳ/Ｎ比を向上することができる。

さらに、発光素子１側の側面Ｓ１’は、溝部５’を上方から観測した場合において(図８の（Ｂ）参照)、発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に垂直な面に対して傾斜している。そのため、従来（図１４の（Ａ））や第２の実施の形態（図２の（Ｂ））のように発光素子１側の側面Ｓ１’が発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に対して垂直である場合と比較して、発光素子１から放出された光のうち、側面Ｓ１’へ入射する光の入射角が大きくなるので、側面Ｓ１’における反射光量が大きくなり、受光素子２への入射光量が減少し、反射光センサのＳ/Ｎ比を向上することができる。

図９は本発明に係る反射光センサの第９の実施の形態を示し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は上面図、（Ｃ）は（Ｂ）のＣ-Ｃ線断面図である。尚、図９は図２の反射光センサの側面Ｓ１’の発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に垂直な面に対して傾斜した領域を形成したものである。本実施の形態においては、発光素子１の受光素子２側の側面および、溝部５’の受光素子２側の側面Ｓ２に対して傾斜した領域が中央部に形成されている。第９の実施の形態における溝部５’の側面Ｓ１’の形状は図１、図３の反射光センサの側面Ｓ１、側面Ｓ１’にも適用できる。

図９の（Ｂ）、（Ｃ）に示すごとく、発光素子１から樹脂層４を通って側面Ｓ１’に到達した光Ｌ３は、光Ｌ３の側面Ｓ１’に対する入射角は大きいので、光Ｌ３の多くは側面Ｓ１’にて反射し、空気（溝部５’）を透過して樹脂層４に入り込む光量は減少する。この結果、発光素子１から受光素子２へ直接入射する光の光量は減少し、従って、反射光センサのＳ/Ｎ比を向上できる。

図２に示す第２の実施の形態と同様、溝部５’を構成する受光素子１側の側面Ｓ１’が、発光素子１の受光素子２側の側面に対して受光素子２側に該側面との距離が溝部５’の上方に向かって大きくなるように傾斜している。そのため、発光素子１の側面が受光素子２側の側面に平行な場合と比較して、発光素子１から放出された光のうち、側面Ｓ１’へ入射する光の入射角が大きくなるので側面Ｓ１’における反射光量が大きくなり、受光素子２への入射光量が減少し、反射光センサのＳ/Ｎ比を向上することができる。

さらに、発光素子１側の側面Ｓ１’は、溝部５’を上方から観測した場合において(図９の（Ｂ）参照)、発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に垂直な面に対して傾斜している。そのため、従来(図１４の（Ａ）)や第２の実施の形態（図２の（Ｂ））のように発光素子１側の側面Ｓ１’が発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に対して垂直である場合と比較して、発光素子１から放出された光のうち、側面Ｓ１’における該傾斜領域（発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に垂直な面に対して傾斜した領域）へ入射する光の入射角が大きくなるため、側面Ｓ１’における反射光量が大きくなり、受光素子２への入射光量が減少し、反射光センサのＳ/Ｎ比を向上することができる。特に、該傾斜領域（発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に垂直な面に対して傾斜した領域）を、発光素子１の中心と受光素子２との中心を結ぶ線に交わるように形成しているため、効率的に側面Ｓ１’における反射光量を大きくすることができため、反射光センサのＳ/Ｎ比を効率よく向上することができる。

図１０は本発明に係る反射光センサの第１０の実施の形態を示し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は上面図、（Ｃ）は（Ｂ）のＣ-Ｃ線断面図である。尚、第１０の実施の形態の側面Ｓ１’およびＳ２’は、第３の実施の形態の反射光センサの側面Ｓ１’、Ｓ２’を受光素子２を囲むようなＲ形状を有するように形成したものである。側面Ｓ１’は配線基板３の上方から観測して、受光素子２側から発光素子１側に向かって突出するような湾曲面として形成されている。本実施の形態において、溝部５’’の側面Ｓ１’およびＳ２’は、発光素子１の受光素子２側の側面に対して傾斜した面で形成されている。第１０の実施の形態における溝部５の側面Ｓ１’、Ｓ２’の形状は図１、図２の反射光センサの側面Ｓ１、側面Ｓ１’にも適用できる。

図１０の（Ｂ）に示すごとく、発光素子１から側面Ｓ１’に到達した光Ｌ２の側面Ｓ１’に対する入射角は図１４の（Ａ）における光Ｌ２の側面Ｓ１に対する入射角より大きくなる。この結果、光Ｌ２の側面Ｓ１’における反射光の光量は図１４の（Ａ）における光Ｌ２の側面Ｓ１における反射光量より多くなる。また、側面Ｓ１’を通って空気(溝部５”)を介して側面Ｓ２’に到達した光Ｌ２の側面Ｓ２’に対する入射角も図１４の（Ａ）の光Ｌ２の側面Ｓ２’に対する入射角より大きくなる。この結果、光Ｌ２の側面Ｓ２における反射量の光量は図１４の（Ａ）における光Ｌ２の側面Ｓ２における反射光量より多くなる。この結果、発光素子１から受光素子２へ直接入射する光の光量は減少し、従って、反射光センサのＳ/Ｎ比を向上できる。

図３に示す第３の実施の形態と同様、溝部５’’を構成する側面Ｓ１’およびＳ２’がいずれも、発光素子１の受光素子２側の側面に対して受光素子２側に該側面との距離が溝部５’’の上方に向かい大きくなるよう傾斜している。そのため、側面Ｓ１’および側面Ｓ２’が発光素子１の受光素子２側の側面に平行な場合と比較して、発光素子１から放出された光のうち、側面Ｓ１’へ入射する光および側面Ｓ１’を通過して側面Ｓ２’へ入射する光の入射角が大きくなるため側面Ｓ１’および側面Ｓ２’における反射光量が大きくなり、受光素子２への入射光量が減少し、反射光センサのＳ/Ｎ比を向上することができる。

さらに、側面Ｓ１’および側面Ｓ２’は、溝部５’’を上方から観測した場合において(図１０の（Ｂ）参照)、発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に垂直な面に対して傾斜した領域を有する。そのため、従来（図１４の（Ａ）や第３の実施の形態（図３の（Ｂ））のように側面Ｓ１’および側面Ｓ２’が発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に対して垂直である場合と比較して、発光素子１から放出された光のうち、側面Ｓ１’および側面Ｓ２’における該傾斜領域（発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に垂直な面に対して傾斜した領域）へ入射する光の入射角が大きくなるため、側面Ｓ１’および側面Ｓ２’における反射光量が大きくなり、受光素子２への入射光量が減少し、反射光センサのＳ/Ｎ比を向上することができる。

図１１は本発明に係る反射光センサの第１１の実施の形態を示し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は上面図、（Ｃ）は（Ｂ）のＣ-Ｃ線断面図である。尚、第１１の実施の形態の側面Ｓ１’および側面Ｓ２’は、第３の実施の形態の反射光センサの側面Ｓ１’および側面Ｓ２’を受光素子２を囲むような傾斜面として形成したものである。側面Ｓ１’および側面Ｓ２’は配線基板３の上方から観測して、受光素子２側から発光素子１側に向かって突出するように二つの傾斜面から形成されている。本実施の形態において、側面Ｓ１’および側面Ｓ２’は、発光素子１の受光素子２側の側面に対して傾斜した面で形成されている。第１１の実施の形態における溝部５”の側面Ｓ１’および側面Ｓ２’の形状は図１、図２の反射光センサの側面Ｓ１、側面Ｓ１’にも適用できる。

図１１の（Ｂ）に示すごとく、発光素子１から側面Ｓ１’に到達した光Ｌ２の側面Ｓ１’に対する入射角は図１４の（Ａ）における光Ｌ２の側面Ｓ１に対する入射角より大きくなる。この結果、光Ｌ２の側面Ｓ１’における反射光の光量は図１４の（Ａ）における光Ｌ２の側面Ｓ１における反射光量より多くなる。また、側面Ｓ１’を通って空気(溝部５”)を介して側面Ｓ２’に到達した光Ｌ２の側面Ｓ２’に対する入射角も図１４の（Ａ）の光Ｌ２の側面Ｓ２に対する入射角より大きくなる。この結果、光Ｌ２の側面Ｓ２’における反射量の光量は図１４の（Ａ）における光Ｌ２の側面Ｓ２における反射光量より多くなる。この結果、発光素子１から受光素子２へ直接入射する光の光量は減少し、従って、反射光センサのＳ/Ｎ比を向上できる。

図３に示す第３の実施の形態と同様、溝部５’’を構成する側面Ｓ１’およびＳ２’がいずれも、発光素子１の受光素子２側の側面に対して受光素子２側に該側面との距離が溝部５’’の上方に向かい大きくなるよう傾斜している。そのため、側面Ｓ１’および側面Ｓ２’が発光素子１の受光素子２側の側面に平行な場合と比較して、発光素子１から放出された光のうち、側面Ｓ１’へ入射する光および側面Ｓ１’を通過して側面Ｓ２’へ入射する光の入射角が大きくなるため側面Ｓ１’および側面Ｓ２’における反射光量が大きくなり、受光素子２への入射光量が減少し、反射光センサのＳ/Ｎ比を向上することができる。

さらに、側面Ｓ１’および側面Ｓ２’は、溝部５’を上方から観測した場合において(図１１の（Ｂ）参照)、発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に垂直な面に対して傾斜した領域を有する。そのため、従来(図１４の（Ａ）)や第３の実施の形態（図３の（Ｂ））のように側面Ｓ１’および側面Ｓ２’が発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に対して垂直である場合と比較して、発光素子１から放出された光のうち、側面Ｓ１’および側面Ｓ２’における該傾斜領域（発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に垂直な面に対して傾斜した領域）へ入射する光の入射角が大きくなるため、側面Ｓ１’および側面Ｓ２’における反射光量が大きくなり、受光素子２への入射光量が減少し、反射光センサのＳ/Ｎ比を向上することができる。

図１２は本発明に係る反射光センサの第１２の実施の形態を示し、（Ａ）は斜視図、（Ｂ）は上面図、（Ｃ）は（Ｂ）のＣ-Ｃ線断面図である。尚、第１２の実施の形態の溝部の側面Ｓ１’および側面Ｓ２’は、第３の実施の形態の反射光センサの側面Ｓ１’および側面Ｓ２’の発光素子１に対向する中央部に配線基板３の上方から見て発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に垂直な面に対して傾斜した領域を形成したものである。本実施の形態において、側面Ｓ１’および側面Ｓ２’は発光素子１の受光素子２側の側面に対して傾斜した領域が中央部に形成されている。第１２の実施の形態における溝部５”の側面Ｓ２’の形状は図１、図３の反射光センサの側面Ｓ１、側面Ｓ２’；側面Ｓ１’、側面Ｓ２にも適用できる。

図１２の（Ｂ）、（Ｃ）に示すごとく、発光素子１から樹脂層４を通って側面Ｓ１’に到達した光Ｌ３の側面Ｓ１’に対する入射角は大きいので、光Ｌ３の多くは側面Ｓ１’にて反射し、空気（溝部５”）を透過して樹脂層４に入り込む光量は減少する。また、側面Ｓ１’を通って空気(溝部５”)を介して側面Ｓ２’に到達した光Ｌ３の側面Ｓ２’に対する入射角も図１４の（Ａ）の光Ｌ３の側面Ｓ２に対する入射角より大きくなる。この結果、発光素子１から受光素子２へ直接入射する光の光量は減少し、従って、反射光センサのＳ/Ｎ比を向上できる。光Ｌ３の入り込み量の減少はＳ／Ｎ比向上に有効である。

図３に示す第３の実施の形態と同様、溝部５’’を構成する側面Ｓ１’および側面Ｓ２’がいずれも、発光素子１の受光素子２側の側面に対して受光素子２側に該側面との距離が溝部５’’の上方に向かい大きくなるよう傾斜している。そのため、側面Ｓ１’および側面Ｓ２’が発光素子１の受光素子２側の側面に平行な場合と比較して、発光素子１から放出された光のうち、側面Ｓ１’へ入射する光および側面Ｓ１’を通過して側面Ｓ２’へ入射する光の入射角が大きくなるため側面Ｓ１’および側面Ｓ２’における反射光量が大きくなり、受光素子２への入射光量が減少し、反射光センサのＳ/Ｎ比を向上することができる。

さらに、側面Ｓ１’および側面Ｓ２’は、溝部５’’を上方から観測した場合において(図１２の（Ｂ）参照)、発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に垂直な面に対して傾斜した領域を有する。そのため、従来(図１４の（Ａ）)や第３の実施の形態（図３の（Ｂ））のように側面Ｓ１’および側面Ｓ２’が発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に対して垂直である場合と比較して、発光素子１から放出された光のうち、側面Ｓ１’における該傾斜領域（発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に垂直な面に対して傾斜した領域）へ入射する光の入射角が大きくなるため、側面Ｓ１’および側面Ｓ２’における反射光量が大きくなり、受光素子２への入射光量が減少し、反射光センサのＳ/Ｎ比を向上することができる。特に、該傾斜領域（発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に垂直な面に対して傾斜した領域）を発光素子１の中心と受光素子２との中心を結ぶ線に交わるように形成しているので、効率的に側面Ｓ１’および側面Ｓ２’における反射光量を大きくすることができ、従って、反射光センサのＳ/Ｎ比を効率よく向上することができる。

つまり、第１〜第１２の実施の形態において、溝部の発光素子１側の側面、受光素子２側の側面の少なくとも１つは、溝部の断面（断面図）において、発光素子１との距離が溝部の上方に向かって大きくなるように受光素子２側に傾斜している。

また、第４〜第１２の実施の形態において、溝部の発光素子１側の側面、受光素子２側の側面の少なくとも１つには、溝部の上方から見て、発光素子１の中心と受光素子２の中心を結ぶ線に垂直な面に対して傾斜した傾斜領域が形成されている。そして、発光素子１の一側面と受光素子２の一側面とが対向するように基板上に搭載されており、発光素子１側の側面、受光素子２側の側面の少なくとも１つには、溝部の上方から見て、発光素子１の受光素子２に対向した側面に対して傾斜した傾斜領域が形成されている。

さらに、第４、５、７、８、１０、１１の実施の形態において、溝部の発光素子１側の側面、受光素子２側の側面の少なくとも１つは、溝部の上方から見て、発光素子１の受光素子２に向かって突出するような形状たとえば湾曲面あるいは２つの傾斜面を有しており、上記傾斜領域が溝部の長軸方向のほぼ全域に形成されている。

さらに、第６、９、１２の実施の形態において、上記傾斜領域は溝部の上方から見て、発光素子１の中心と受光素子２の中心とを結ぶ線に交差する部分領域に形成されている。

尚、溝部の断面にて受光素子２側へ傾斜させる溝部側面の選択及び上記傾斜領域は、基板上に搭載する発光素子１の配光特性、基板上の発光素子１と受光素子２との位置関係、反射光センサの大きさなどに応じて行われる。

また、受光素子２は、図１３に示すごとく、発光素子１の方向に対して90°回転させて実装することにより、受光素子２の側面からの光入射を減少させることができ、この結果、発光素子１から受光素子２へ直接入射する光の光量は減少し、従って、反射光センサのＳ/Ｎ比を向上できる。

１：発光素子
２：受光素子
３：配線基板
４：樹脂層
５：レ字型溝部
５’：ム字型溝部
５”：溝部
６：遮光性ダイアタッチ材料層
７：金属層
１０１：発光素子
１０２：受光素子
１０３：光透過性樹脂層
１０３ａ、１０３ｂ：レンズ
１０４：溝部
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３：光
Ｓ１、Ｓ２：側面
Ｓ１’、Ｓ２’：側面

Claims (5)

1. 基板上に形成された発光素子及び受光素子と、
   前記発光素子及び受光素子を封止する光透過性樹脂層と
   を具備する反射光センサにおいて、
   前記光透過性樹脂層は、前記発光素子と前記受光素子との間に形成された溝部を有し、
   前記溝部を構成する前記発光素子に対向する第１の面及び前記受光素子に対向する第２の面の少なくとも１つの面は、前記溝部の断面において、前記発光素子との距離が前記溝部の上方に向って大きくなるように前記受光素子側に傾斜していることを特徴とする反射光センサ。
2. 前記第１の面及び前記第２の面の少なくとも１つの面には、
   前記溝部の上方から見て、前記発光素子の中心と前記受光素子の中心とを結ぶ線に垂直な面に対して傾斜した傾斜領域が形成されている請求項１に記載の反射光センサ。
3. 前記発光素子及び前記受光素子は前記発光素子の一側面と前記受光素子の一側面とが対向するように前記基板上に搭載され、
   前記第１の面及び前記第２の面の少なくとも１つの面には、
   前記溝部を上方から見て、前記発光素子の前記受光素子に対向した側面に対して傾斜した傾斜領域が形成された請求項１に記載の反射光センサ。
4. 前記傾斜領域は、
   前記溝部の上方から見て、前記発光素子の中心と前記受光素子の中心とを結ぶ線に交差する部分領域に形成された請求項２または３に記載の反射光センサ。
5. 前記溝部は、
   前記基板上から見て、前記発光素子の中心と前記受光素子の中心とを結ぶ線に交差する前記部分領域で該線に対して傾斜し、前記部分領域の外側の領域で前記線に対して垂直となっている請求項４に記載の反射光センサ。
   

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