JP2013200534A - Electrophotographic photoreceptor, image forming apparatus, and process cartridge - Google Patents
Electrophotographic photoreceptor, image forming apparatus, and process cartridge Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013200534A JP2013200534A JP2012070343A JP2012070343A JP2013200534A JP 2013200534 A JP2013200534 A JP 2013200534A JP 2012070343 A JP2012070343 A JP 2012070343A JP 2012070343 A JP2012070343 A JP 2012070343A JP 2013200534 A JP2013200534 A JP 2013200534A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- undercoat layer
- layer
- photosensitive member
- compounds
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 title claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 60
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 63
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 62
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 62
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 40
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 24
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 20
- 238000002847 impedance measurement Methods 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 170
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 42
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 description 31
- -1 indium oxide Chemical class 0.000 description 29
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 25
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 21
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 20
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 18
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 16
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 14
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 14
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 14
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 12
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 12
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 10
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 9
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 9
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 8
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 8
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 8
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 8
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 8
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 7
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 7
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 7
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 7
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 6
- BSDOQSMQCZQLDV-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] BSDOQSMQCZQLDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 6
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 6
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 5
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 5
- 238000007754 air knife coating Methods 0.000 description 5
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 5
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 5
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 5
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 5
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 5
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 5
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 5
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 5
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 1,1-Diethoxyethane Chemical compound CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IYAYDWLKTPIEDC-UHFFFAOYSA-N 2-[2-hydroxyethyl(3-triethoxysilylpropyl)amino]ethanol Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN(CCO)CCO IYAYDWLKTPIEDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DMZPTAFGSRVFIA-UHFFFAOYSA-N 3-[tris(2-methoxyethoxy)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound COCCO[Si](OCCOC)(OCCOC)CCCOC(=O)C(C)=C DMZPTAFGSRVFIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCl OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UZGVMZRBRRYLIP-UHFFFAOYSA-N 4-[5-[4-(diethylamino)phenyl]-1,3,4-oxadiazol-2-yl]-n,n-diethylaniline Chemical compound C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)N(CC)CC)O1 UZGVMZRBRRYLIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N [diacetyloxy(ethenyl)silyl] acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](OC(C)=O)(OC(C)=O)C=C NOZAQBYNLKNDRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 4
- 239000005018 casein Substances 0.000 description 4
- BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N casein, tech. Chemical compound NCCCCC(C(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CC(C)C)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(C(C)O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(COP(O)(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(N)CC1=CC=CC=C1 BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000021240 caseins Nutrition 0.000 description 4
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 4
- 239000004611 light stabiliser Substances 0.000 description 4
- SJHHDDDGXWOYOE-UHFFFAOYSA-N oxytitamium phthalocyanine Chemical compound [Ti+2]=O.C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 SJHHDDDGXWOYOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 4
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 4
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 4
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N tetrachloro-1,4-benzoquinone Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)C(Cl)=C(Cl)C1=O UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical class N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYSXWUYLAWPLES-MTOQALJVSA-N (Z)-4-hydroxypent-3-en-2-one titanium Chemical compound [Ti].C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O RYSXWUYLAWPLES-MTOQALJVSA-N 0.000 description 3
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 1-octene Chemical group CCCCCCC=C KWKAKUADMBZCLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XDOFQFKRPWOURC-UHFFFAOYSA-N 16-methylheptadecanoic acid Chemical compound CC(C)CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O XDOFQFKRPWOURC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VHQGURIJMFPBKS-UHFFFAOYSA-N 2,4,7-trinitrofluoren-9-one Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC([N+]([O-])=O)=C2C3=CC=C([N+](=O)[O-])C=C3C(=O)C2=C1 VHQGURIJMFPBKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GCGWQXSXIREHCF-UHFFFAOYSA-N 2-[bis(2-hydroxyethyl)amino]ethanol;zirconium Chemical compound [Zr].OCCN(CCO)CCO GCGWQXSXIREHCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 description 3
- KTXWGMUMDPYXNN-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CCCCC(CC)C[O-].CCCCC(CC)C[O-].CCCCC(CC)C[O-].CCCCC(CC)C[O-] KTXWGMUMDPYXNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AIFLGMNWQFPTAJ-UHFFFAOYSA-J 2-hydroxypropanoate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O AIFLGMNWQFPTAJ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 3
- LYPJRFIBDHNQLY-UHFFFAOYSA-J 2-hydroxypropanoate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O LYPJRFIBDHNQLY-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 3
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 4-(4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical class C1=CC(=O)C=CC1=C1C=CC(=O)C=C1 DDTHMESPCBONDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DUFCMRCMPHIFTR-UHFFFAOYSA-N 5-(dimethylsulfamoyl)-2-methylfuran-3-carboxylic acid Chemical compound CN(C)S(=O)(=O)C1=CC(C(O)=O)=C(C)O1 DUFCMRCMPHIFTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 3
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-M Glycolate Chemical compound OCC([O-])=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DRNPGEPMHMPIQU-UHFFFAOYSA-N O.[Ti].[Ti].CCCCO.CCCCO.CCCCO.CCCCO.CCCCO.CCCCO Chemical compound O.[Ti].[Ti].CCCCO.CCCCO.CCCCO.CCCCO.CCCCO.CCCCO DRNPGEPMHMPIQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229920002433 Vinyl chloride-vinyl acetate copolymer Polymers 0.000 description 3
- DOGMBBJJIGBYGZ-UHFFFAOYSA-M [O-]CCCC.[Zr+2].C(CCCCCCCCCCCCCCC(C)C)(=O)[O-] Chemical compound [O-]CCCC.[Zr+2].C(CCCCCCCCCCCCCCC(C)C)(=O)[O-] DOGMBBJJIGBYGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- PXAAPMQZVHQRCH-UHFFFAOYSA-F [Zr+4].C(C)(=O)CC(=O)[O-].[Zr+4].C(C)(=O)CC(=O)[O-].C(C)(=O)CC(=O)[O-].C(C)(=O)CC(=O)[O-].C(C)(=O)CC(=O)[O-].C(C)(=O)CC(=O)[O-].C(C)(=O)CC(=O)[O-].C(C)(=O)CC(=O)[O-] Chemical compound [Zr+4].C(C)(=O)CC(=O)[O-].[Zr+4].C(C)(=O)CC(=O)[O-].C(C)(=O)CC(=O)[O-].C(C)(=O)CC(=O)[O-].C(C)(=O)CC(=O)[O-].C(C)(=O)CC(=O)[O-].C(C)(=O)CC(=O)[O-].C(C)(=O)CC(=O)[O-] PXAAPMQZVHQRCH-UHFFFAOYSA-F 0.000 description 3
- ZJDGKLAPAYNDQU-UHFFFAOYSA-J [Zr+4].[O-]P([O-])=O.[O-]P([O-])=O Chemical compound [Zr+4].[O-]P([O-])=O.[O-]P([O-])=O ZJDGKLAPAYNDQU-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 3
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 3
- SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N aluminium isopropoxide Chemical compound [Al+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- MQPPCKJJFDNPHJ-UHFFFAOYSA-K aluminum;3-oxohexanoate Chemical compound [Al+3].CCCC(=O)CC([O-])=O.CCCC(=O)CC([O-])=O.CCCC(=O)CC([O-])=O MQPPCKJJFDNPHJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 3
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 3
- XRASGLNHKOPXQL-UHFFFAOYSA-L azane 2-oxidopropanoate titanium(4+) dihydrate Chemical compound N.N.O.O.[Ti+4].CC([O-])C([O-])=O.CC([O-])C([O-])=O XRASGLNHKOPXQL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 3
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- FPCJKVGGYOAWIZ-UHFFFAOYSA-N butan-1-ol;titanium Chemical compound [Ti].CCCCO.CCCCO.CCCCO.CCCCO FPCJKVGGYOAWIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VIKWSYYNKVUALB-UHFFFAOYSA-M butan-1-olate;2-methylprop-2-enoate;zirconium(2+) Chemical compound [Zr+2].CCCC[O-].CC(=C)C([O-])=O VIKWSYYNKVUALB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- WIVTVDPIQKWGNS-UHFFFAOYSA-M butan-1-olate;octadecanoate;zirconium(2+) Chemical compound [Zr+2].CCCC[O-].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O WIVTVDPIQKWGNS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- KKBWAGPOKIAPAW-UHFFFAOYSA-N butoxyalumane Chemical compound CCCCO[AlH2] KKBWAGPOKIAPAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000006258 conductive agent Substances 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- WPCPXPTZTOMGRF-UHFFFAOYSA-K di(butanoyloxy)alumanyl butanoate Chemical compound [Al+3].CCCC([O-])=O.CCCC([O-])=O.CCCC([O-])=O WPCPXPTZTOMGRF-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- WDGXHWGCFUAELX-UHFFFAOYSA-J dodecanoate zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCC([O-])=O WDGXHWGCFUAELX-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 3
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 3
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 3
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 3
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 3
- BEGAGPQQLCVASI-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate;titanium Chemical compound [Ti].CCOC(=O)C(C)O BEGAGPQQLCVASI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000019439 ethyl acetate Nutrition 0.000 description 3
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 3
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 3
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 3
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 3
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 3
- PRMHOXAMWFXGCO-UHFFFAOYSA-M molport-000-691-708 Chemical compound N1=C(C2=CC=CC=C2C2=NC=3C4=CC=CC=C4C(=N4)N=3)N2[Ga](Cl)N2C4=C(C=CC=C3)C3=C2N=C2C3=CC=CC=C3C1=N2 PRMHOXAMWFXGCO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- VRQWWCJWSIOWHG-UHFFFAOYSA-J octadecanoate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O VRQWWCJWSIOWHG-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 3
- MCCIMQKMMBVWHO-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid;titanium Chemical compound [Ti].CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O MCCIMQKMMBVWHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- DAWBXZHBYOYVLB-UHFFFAOYSA-J oxalate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O DAWBXZHBYOYVLB-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 3
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 3
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 3
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 3
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 150000004053 quinones Chemical class 0.000 description 3
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 3
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 description 3
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 description 3
- 150000007964 xanthones Chemical class 0.000 description 3
- JOERSAVCLPYNIZ-UHFFFAOYSA-N 2,4,5,7-tetranitrofluoren-9-one Chemical class O=C1C2=CC([N+]([O-])=O)=CC([N+]([O-])=O)=C2C2=C1C=C([N+](=O)[O-])C=C2[N+]([O-])=O JOERSAVCLPYNIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGRZHLPEQDVPET-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethoxysilane Chemical compound COCCO[SiH3] WGRZHLPEQDVPET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WRMNZCZEMHIOCP-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethanol Chemical compound OCCC1=CC=CC=C1 WRMNZCZEMHIOCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 2
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 2
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 2
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001593 boehmite Inorganic materials 0.000 description 2
- OCWYEMOEOGEQAN-UHFFFAOYSA-N bumetrizole Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(C)=CC(N2N=C3C=C(Cl)C=CC3=N2)=C1O OCWYEMOEOGEQAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYECDUKPLOMPBO-UHFFFAOYSA-N butan-1-ol ethyl 3-oxobutanoate Chemical compound CCCCO.CCOC(=O)CC(C)=O GYECDUKPLOMPBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QJNYIFMVIUOUSU-UHFFFAOYSA-N chloroethene;ethenyl acetate;furan-2,5-dione Chemical compound ClC=C.CC(=O)OC=C.O=C1OC(=O)C=C1 QJNYIFMVIUOUSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 2
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 2
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WEIQRLLXVVSKIL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2,2-diethyl-3-oxobutanoate Chemical compound CCOC(=O)C(CC)(CC)C(C)=O WEIQRLLXVVSKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000008376 fluorenones Chemical class 0.000 description 2
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 2
- FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M hydroxidooxidoaluminium Chemical compound O[Al]=O FAHBNUUHRFUEAI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 125000001841 imino group Chemical group [H]N=* 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229960004592 isopropanol Drugs 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 2
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N phthalic acid di-n-butyl ester Natural products CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 2
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical compound [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YAXWOADCWUUUNX-UHFFFAOYSA-N 1,2,2,3-tetramethylpiperidine Chemical class CC1CCCN(C)C1(C)C YAXWOADCWUUUNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZXBSSAFKXWFUMF-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trinitrofluoren-9-one Chemical compound C12=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C([N+](=O)[O-])C([N+]([O-])=O)=C2[N+]([O-])=O ZXBSSAFKXWFUMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003920 1,2,4-triazines Chemical class 0.000 description 1
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMNSBFYYVHREEE-UHFFFAOYSA-N 1,2-dinitroanthracene-9,10-dione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=C([N+]([O-])=O)C([N+](=O)[O-])=CC=C3C(=O)C2=C1 NMNSBFYYVHREEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZUKQUVSCNEFMJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-dinitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1[N+]([O-])=O IZUKQUVSCNEFMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydrobenzimidazole-2-thione Chemical compound C1=CC=C2NC(S)=NC2=C1 YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDCYWAQPCXBPJA-UHFFFAOYSA-N 1,3-dinitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC([N+]([O-])=O)=C1 WDCYWAQPCXBPJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 1,4-phenylenediamine Chemical compound NC1=CC=C(N)C=C1 CBCKQZAAMUWICA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDKQSSXSXTUOJV-UHFFFAOYSA-N 1-(4-methylphenyl)-9H-fluoren-2-amine Chemical compound CC1=CC=C(C=C1)C1=C(C=CC=2C3=CC=CC=C3CC1=2)N LDKQSSXSXTUOJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHUFHLFHOQVFGB-UHFFFAOYSA-N 1-aminoanthracene-9,10-dione Chemical class O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2N KHUFHLFHOQVFGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MEZZCSHVIGVWFI-UHFFFAOYSA-N 2,2'-Dihydroxy-4-methoxybenzophenone Chemical compound OC1=CC(OC)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1O MEZZCSHVIGVWFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGRVJHAUYBGFFP-UHFFFAOYSA-N 2,2'-Methylenebis(4-methyl-6-tert-butylphenol) Chemical compound CC(C)(C)C1=CC(C)=CC(CC=2C(=C(C=C(C)C=2)C(C)(C)C)O)=C1O KGRVJHAUYBGFFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKMGAJGJIURJSJ-UHFFFAOYSA-N 2,2,6,6-Tetramethylpiperidine Substances CC1(C)CCCC(C)(C)N1 RKMGAJGJIURJSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBNAYEYTRHHEOB-UHFFFAOYSA-N 2,3,5-triphenyl-1,3-dihydropyrazole Chemical compound N1N(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC=CC=2)C=C1C1=CC=CC=C1 FBNAYEYTRHHEOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEUMBMHMMCOFAG-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrooxadiazole Chemical compound N1NC=CO1 VEUMBMHMMCOFAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BYLSIPUARIZAHZ-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tris(1-phenylethyl)phenol Chemical compound C=1C(C(C)C=2C=CC=CC=2)=C(O)C(C(C)C=2C=CC=CC=2)=CC=1C(C)C1=CC=CC=C1 BYLSIPUARIZAHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLFZYIUUQBHRNV-UHFFFAOYSA-N 2,5-dihydrooxadiazole Chemical class C1ONN=C1 RLFZYIUUQBHRNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUNFOTHAFHGRIM-UHFFFAOYSA-N 2,5-dinaphthalen-1-yl-1,3,4-oxadiazole Chemical class C1=CC=C2C(C3=NN=C(O3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 MUNFOTHAFHGRIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQIGHOCYKUBBOE-UHFFFAOYSA-N 2,6-ditert-butyl-4-(3,5-ditert-butyl-4-oxocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene)cyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical compound C1=C(C(C)(C)C)C(=O)C(C(C)(C)C)=CC1=C1C=C(C(C)(C)C)C(=O)C(C(C)(C)C)=C1 GQIGHOCYKUBBOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 2-(3-phenylmethoxyphenyl)-1,3-thiazole-4-carbaldehyde Chemical compound O=CC1=CSC(C=2C=C(OCC=3C=CC=CC=3)C=CC=2)=N1 OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UKHHJBHJLJNZRN-UHFFFAOYSA-N 2-(4-methoxyphenyl)-1-benzofuran Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1C1=CC2=CC=CC=C2O1 UKHHJBHJLJNZRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMWRRFHBXARRRT-UHFFFAOYSA-N 2-(benzotriazol-2-yl)-4,6-bis(2-methylbutan-2-yl)phenol Chemical compound CCC(C)(C)C1=CC(C(C)(C)CC)=CC(N2N=C3C=CC=CC3=N2)=C1O ZMWRRFHBXARRRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FALRKNHUBBKYCC-UHFFFAOYSA-N 2-(chloromethyl)pyridine-3-carbonitrile Chemical compound ClCC1=NC=CC=C1C#N FALRKNHUBBKYCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEOWMMORTLDJTA-UHFFFAOYSA-N 2-[(diphenylhydrazinylidene)methyl]aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1C=NN(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FEOWMMORTLDJTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SKMNWICOBCDSSQ-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoyloxy]-2,2,6,6-tetramethylpiperidin-1-yl]ethyl 3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoate Chemical compound CC(C)(C)C1=C(O)C(C(C)(C)C)=CC(CCC(=O)OCCN2C(CC(CC2(C)C)OC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)(C)C)=C1 SKMNWICOBCDSSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBBFBHOZKCHJHN-UHFFFAOYSA-N 2-amino-1-hydroxyanthracene-9,10-dione Chemical class C1=CC=C2C(=O)C3=C(O)C(N)=CC=C3C(=O)C2=C1 WBBFBHOZKCHJHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKFYKCYQEWQPTM-UHFFFAOYSA-N 2-azaniumyl-2-(4-fluorophenyl)acetate Chemical compound OC(=O)C(N)C1=CC=C(F)C=C1 JKFYKCYQEWQPTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOTYDHBOKPPXRB-UHFFFAOYSA-N 2-butyl-2-[(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)methyl]propanedioic acid Chemical compound CCCCC(C(O)=O)(C(O)=O)CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 DOTYDHBOKPPXRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MJQNQKYYOCSNKD-UHFFFAOYSA-N 2-naphthalen-1-yl-1,3,4-oxadiazole Chemical compound O1C=NN=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 MJQNQKYYOCSNKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLAMLWHELXOEJZ-UHFFFAOYSA-N 2-nitrobenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1[N+]([O-])=O SLAMLWHELXOEJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMXSHNIXAVHELO-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-4-(2-phenylethenyl)quinazoline Chemical compound C=1C=CC=CC=1C=CC(C1=CC=CC=C1N=1)=NC=1C1=CC=CC=C1 OMXSHNIXAVHELO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXIQYSLFEXIOAV-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-4-(5-tert-butyl-4-hydroxy-2-methylphenyl)sulfanyl-5-methylphenol Chemical compound CC1=CC(O)=C(C(C)(C)C)C=C1SC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C=C1C HXIQYSLFEXIOAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFANXOISJYKQRP-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butyl-4-[1-(5-tert-butyl-4-hydroxy-2-methylphenyl)butyl]-5-methylphenol Chemical compound C=1C(C(C)(C)C)=C(O)C=C(C)C=1C(CCC)C1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C=C1C PFANXOISJYKQRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGIGUEBEKRSTEW-UHFFFAOYSA-N 2-vinylpyridine Chemical compound C=CC1=CC=CC=N1 KGIGUEBEKRSTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEKJEMDSKURVLI-UHFFFAOYSA-N 3,4-dibromofuran-2,5-dione Chemical compound BrC1=C(Br)C(=O)OC1=O GEKJEMDSKURVLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCN ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNTVTBIKSZRANH-UHFFFAOYSA-N 4-(4-aminophenyl)-3-(3-methylphenyl)aniline Chemical compound CC1=CC=CC(C=2C(=CC=C(N)C=2)C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 DNTVTBIKSZRANH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YGBCLRRWZQSURU-UHFFFAOYSA-N 4-[(diphenylhydrazinylidene)methyl]-n,n-diethylaniline Chemical compound C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C=NN(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 YGBCLRRWZQSURU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTLNPYWUJOZPPA-UHFFFAOYSA-N 4-nitrobenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 OTLNPYWUJOZPPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZVHIXYEVGDQDX-UHFFFAOYSA-N 9,10-anthraquinone Chemical group C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C(=O)C2=C1 RZVHIXYEVGDQDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PLAZXGNBGZYJSA-UHFFFAOYSA-N 9-ethylcarbazole Chemical compound C1=CC=C2N(CC)C3=CC=CC=C3C2=C1 PLAZXGNBGZYJSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RGCKGOZRHPZPFP-UHFFFAOYSA-N Alizarin Natural products C1=CC=C2C(=O)C3=C(O)C(O)=CC=C3C(=O)C2=C1 RGCKGOZRHPZPFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 1
- SDDLEVPIDBLVHC-UHFFFAOYSA-N Bisphenol Z Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C1(C=2C=CC(O)=CC=2)CCCCC1 SDDLEVPIDBLVHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRTBVQUCOSKJIJ-UHFFFAOYSA-K C(CC(=O)C)(=O)[O-].C(C)[Zr+3].C(CC(=O)C)(=O)[O-].C(CC(=O)C)(=O)[O-] Chemical compound C(CC(=O)C)(=O)[O-].C(C)[Zr+3].C(CC(=O)C)(=O)[O-].C(CC(=O)C)(=O)[O-] KRTBVQUCOSKJIJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- WUBVLTLWPCSPBD-UHFFFAOYSA-N CC1C(N(C(C(C1O)C)(C)C)CCO)(C)C Chemical compound CC1C(N(C(C(C1O)C)(C)C)CCO)(C)C WUBVLTLWPCSPBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K Citrate Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- GHKOFFNLGXMVNJ-UHFFFAOYSA-N Didodecyl thiobispropanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC(=O)CCSCCC(=O)OCCCCCCCCCCCC GHKOFFNLGXMVNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920000181 Ethylene propylene rubber Polymers 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000000177 Indigofera tinctoria Nutrition 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021612 Silver iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- QHWKHLYUUZGSCW-UHFFFAOYSA-N Tetrabromophthalic anhydride Chemical compound BrC1=C(Br)C(Br)=C2C(=O)OC(=O)C2=C1Br QHWKHLYUUZGSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- CGRTZESQZZGAAU-UHFFFAOYSA-N [2-[3-[1-[3-(3-tert-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl)propanoyloxy]-2-methylpropan-2-yl]-2,4,8,10-tetraoxaspiro[5.5]undecan-9-yl]-2-methylpropyl] 3-(3-tert-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl)propanoate Chemical compound CC(C)(C)C1=C(O)C(C)=CC(CCC(=O)OCC(C)(C)C2OCC3(CO2)COC(OC3)C(C)(C)COC(=O)CCC=2C=C(C(O)=C(C)C=2)C(C)(C)C)=C1 CGRTZESQZZGAAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUBKMWFYVHYZAI-UHFFFAOYSA-N [Al].[Cu].[Zn] Chemical compound [Al].[Cu].[Zn] MUBKMWFYVHYZAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQBCVRSTVUHIGH-UHFFFAOYSA-L [dodecanoyloxy(dioctyl)stannyl] dodecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCC(=O)O[Sn](CCCCCCCC)(CCCCCCCC)OC(=O)CCCCCCCCCCC XQBCVRSTVUHIGH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- HFVAFDPGUJEFBQ-UHFFFAOYSA-M alizarin red S Chemical compound [Na+].O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C(S([O-])(=O)=O)C(O)=C2O HFVAFDPGUJEFBQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N anthrone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3CC2=C1 RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001555 benzenes Chemical class 0.000 description 1
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSOILICUEWXSLA-UHFFFAOYSA-N bis(1,2,2,6,6-pentamethylpiperidin-4-yl) decanedioate Chemical compound C1C(C)(C)N(C)C(C)(C)CC1OC(=O)CCCCCCCCC(=O)OC1CC(C)(C)N(C)C(C)(C)C1 RSOILICUEWXSLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XITRBUPOXXBIJN-UHFFFAOYSA-N bis(2,2,6,6-tetramethylpiperidin-4-yl) decanedioate Chemical compound C1C(C)(C)NC(C)(C)CC1OC(=O)CCCCCCCCC(=O)OC1CC(C)(C)NC(C)(C)C1 XITRBUPOXXBIJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKVNPHBNOWQYFE-UHFFFAOYSA-N carbamodithioic acid Chemical compound NC(S)=S DKVNPHBNOWQYFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 1
- 229940105329 carboxymethylcellulose Drugs 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000001907 coumarones Chemical class 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- PWWSSIYVTQUJQQ-UHFFFAOYSA-N distearyl thiodipropionate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOC(=O)CCSCCC(=O)OCCCCCCCCCCCCCCCCCC PWWSSIYVTQUJQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 239000012990 dithiocarbamate Substances 0.000 description 1
- MCPKSFINULVDNX-UHFFFAOYSA-N drometrizole Chemical compound CC1=CC=C(O)C(N2N=C3C=CC=CC3=N2)=C1 MCPKSFINULVDNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000007720 emulsion polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002081 enamines Chemical class 0.000 description 1
- 229920005558 epichlorohydrin rubber Polymers 0.000 description 1
- TUKWPCXMNZAXLO-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-nonylsulfanyl-4-oxo-1h-pyrimidine-6-carboxylate Chemical compound CCCCCCCCCSC1=NC(=O)C=C(C(=O)OCC)N1 TUKWPCXMNZAXLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000012760 heat stabilizer Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004338 hydroxy anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- 229940097275 indigo Drugs 0.000 description 1
- COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N indigo powder Natural products N1C2=CC=CC=C2C(=O)C1=C1C(=O)C2=CC=CC=C2N1 COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001023 inorganic pigment Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- ISGXOWLMGOPVPB-UHFFFAOYSA-N n,n-dibenzylaniline Chemical compound C=1C=CC=CC=1CN(C=1C=CC=CC=1)CC1=CC=CC=C1 ISGXOWLMGOPVPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- QUAMTGJKVDWJEQ-UHFFFAOYSA-N octabenzone Chemical compound OC1=CC(OCCCCCCCC)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 QUAMTGJKVDWJEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SSDSCDGVMJFTEQ-UHFFFAOYSA-N octadecyl 3-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOC(=O)CCC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 SSDSCDGVMJFTEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 1
- 150000002898 organic sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000001741 organic sulfur group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002903 organophosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- DXGLGDHPHMLXJC-UHFFFAOYSA-N oxybenzone Chemical compound OC1=CC(OC)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 DXGLGDHPHMLXJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BBRNKSXHHJRNHK-UHFFFAOYSA-L p0997 Chemical compound N1=C(C2=CC=CC=C2C2=NC=3C4=CC=CC=C4C(=N4)N=3)N2[Sn](Cl)(Cl)N2C4=C(C=CC=C3)C3=C2N=C2C3=CC=CC=C3C1=N2 BBRNKSXHHJRNHK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- LGOPTUPXVVNJFH-UHFFFAOYSA-N pentadecanethioic s-acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCC(O)=S LGOPTUPXVVNJFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M perchlorate Inorganic materials [O-]Cl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002530 phenolic antioxidant Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920002382 photo conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L phthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=CC=C1C([O-])=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- INAAIJLSXJJHOZ-UHFFFAOYSA-N pibenzimol Chemical compound C1CN(C)CCN1C1=CC=C(N=C(N2)C=3C=C4NC(=NC4=CC=3)C=3C=CC(O)=CC=3)C2=C1 INAAIJLSXJJHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXNIZHLAWKMVMX-UHFFFAOYSA-N picric acid Chemical compound OC1=C([N+]([O-])=O)C=C([N+]([O-])=O)C=C1[N+]([O-])=O OXNIZHLAWKMVMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920003225 polyurethane elastomer Polymers 0.000 description 1
- 235000019422 polyvinyl alcohol Nutrition 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 229920002717 polyvinylpyridine Polymers 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical group CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003246 quinazolines Chemical class 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 229940045105 silver iodide Drugs 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 description 1
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 229940014800 succinic anhydride Drugs 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 229940095064 tartrate Drugs 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- NLDYACGHTUPAQU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoethylene Chemical group N#CC(C#N)=C(C#N)C#N NLDYACGHTUPAQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVEOKSIILWWVEO-UHFFFAOYSA-N tetradecyl 3-(3-oxo-3-tetradecoxypropyl)sulfanylpropanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCOC(=O)CCSCCC(=O)OCCCCCCCCCCCCCC LVEOKSIILWWVEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001757 thermogravimetry curve Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZHULIWXRDLGRR-UHFFFAOYSA-N tridecyl 3-(3-oxo-3-tridecoxypropyl)sulfanylpropanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCOC(=O)CCSCCC(=O)OCCCCCCCCCCCCC MZHULIWXRDLGRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZMFITAWSPYPDV-UHFFFAOYSA-N undecane-2,4-dione Chemical compound CCCCCCCC(=O)CC(C)=O PZMFITAWSPYPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 150000003673 urethanes Chemical class 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- BOXSVZNGTQTENJ-UHFFFAOYSA-L zinc dibutyldithiocarbamate Chemical compound [Zn+2].CCCCN(C([S-])=S)CCCC.CCCCN(C([S-])=S)CCCC BOXSVZNGTQTENJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003755 zirconium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Discharging, Photosensitive Material Shape In Electrophotography (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
Description
本発明は、電子写真感光体、画像形成装置、およびプロセスカートリッジに関する。 The present invention relates to an electrophotographic photosensitive member, an image forming apparatus, and a process cartridge.
電子写真方式の画像形成装置は高速でかつ高印字の品質が得られ、複写機およびレーザービームプリンター等の画像形成装置において利用されている。画像形成装置において用いられる感光体としては、有機の光導電性材料を用いた有機感光体が主流となっている。有機感光体を製造する場合、例えば、アルミニウム等からなる支持体の上に下引層を形成し、その後、感光層、特に電荷発生層および電荷輸送層からなる感光層を形成する場合が多い。 An electrophotographic image forming apparatus has high speed and high printing quality, and is used in image forming apparatuses such as copying machines and laser beam printers. As a photoreceptor used in an image forming apparatus, an organic photoreceptor using an organic photoconductive material has become the mainstream. When producing an organic photoreceptor, for example, an undercoat layer is often formed on a support made of aluminum or the like, and then a photosensitive layer, in particular, a photosensitive layer comprising a charge generation layer and a charge transport layer is often formed.
例えば、特許文献1には、Al支持体の上に感光層を有する電子写真感光体において支持体と感光層の間に下引層を設け、下引層は水溶性もしくはアルコール可溶性樹脂、導電性ポリマー、電解質系の添加物、および無機顔料からなり、該下引層は20℃、90%RHの雰囲気に20hr置かれたときの含水分量が下引層1g当り、0.02g以下である電子写真感光体が開示されている。 For example, in Patent Document 1, in an electrophotographic photosensitive member having a photosensitive layer on an Al support, an undercoat layer is provided between the support and the photosensitive layer, and the undercoat layer is a water-soluble or alcohol-soluble resin, conductive An electron composed of a polymer, an electrolyte-based additive, and an inorganic pigment, wherein the undercoat layer has a moisture content of 0.02 g or less per 1 g of the undercoat layer when placed in an atmosphere of 20 ° C. and 90% RH for 20 hours. A photographic photoreceptor is disclosed.
本発明の課題は、形成される画像におけるゴーストの発生が抑制された電子写真感光体を提供することにある。 An object of the present invention is to provide an electrophotographic photosensitive member in which the occurrence of ghost in the formed image is suppressed.
上記課題は、以下の手段により解決される。即ち、
請求項1に係る発明は、
支持体と、
少なくとも金属酸化物粒子および結着樹脂を含有し、示唆熱熱重量同時測定における温度30℃から130℃までの質量変化量が0.65質量%以下である下引層と、
感光層と、
をこの順に有する電子写真感光体である。
The above problem is solved by the following means. That is,
The invention according to claim 1
A support;
An undercoat layer containing at least metal oxide particles and a binder resin, and having a mass change amount of not more than 0.65% by mass from a temperature of 30 ° C. to 130 ° C. in suggested thermogravimetric simultaneous measurement;
A photosensitive layer;
In this order.
請求項2に係る発明は、
前記下引層は、交流インピーダンス測定における抵抗値が1×108Ω以上1×1010Ω以下である請求項1に記載の電子写真感光体である。
The invention according to claim 2
2. The electrophotographic photosensitive member according to claim 1, wherein the undercoat layer has a resistance value in an AC impedance measurement of 1 × 10 8 Ω to 1 × 10 10 Ω.
請求項3に係る発明は、
請求項1に記載の電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電装置と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成装置と、
前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する現像装置と、
前記電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を記録媒体に転写する転写装置と、
を備える画像形成装置である。
The invention according to claim 3
An electrophotographic photoreceptor according to claim 1;
A charging device for charging the surface of the electrophotographic photosensitive member;
An electrostatic latent image forming apparatus for forming an electrostatic latent image on the surface of the charged electrophotographic photosensitive member;
A developing device for developing the electrostatic latent image formed on the surface of the electrophotographic photosensitive member with toner to form a toner image;
A transfer device for transferring a toner image formed on the surface of the electrophotographic photosensitive member to a recording medium;
An image forming apparatus.
請求項4に係る発明は、
請求項1に記載の電子写真感光体を備え、
画像形成装置に着脱されるプロセスカートリッジである。
The invention according to claim 4
The electrophotographic photoreceptor according to claim 1,
It is a process cartridge that can be attached to and detached from the image forming apparatus.
請求項1に係る発明によれば、示唆熱熱重量同時測定における温度30℃から130℃までの質量変化量が0.65質量%以下である下引層を有さない場合に比べ、形成される画像におけるゴーストの発生が抑制された電子写真感光体が提供される。 According to the invention of claim 1, it is formed as compared with the case where there is no subbing layer in which the mass change amount from the temperature 30 ° C. to 130 ° C. in the suggested thermothermal weight measurement is 0.65% by mass or less. An electrophotographic photosensitive member in which the occurrence of ghost in an image is suppressed is provided.
請求項2に係る発明によれば、交流インピーダンス測定における抵抗値が1×108Ω以上1×1010Ω以下である下引層を有さない場合に比べ、リークの発生が抑制され、且つ繰り返し使用時にも安定した電位特性が得られた電子写真感光体が提供される。 According to the invention according to claim 2, the occurrence of leakage is suppressed as compared with the case where the resistance value in the AC impedance measurement is 1 × 10 8 Ω or more and 1 × 10 10 Ω or less, and no undercoat layer is provided. Provided is an electrophotographic photosensitive member that provides stable potential characteristics even when used repeatedly.
請求項3に係る発明によれば、示唆熱熱重量同時測定における温度30℃から130℃までの質量変化量が0.65質量%以下である下引層を備えた電子写真感光体を備えない場合に比べ、画像におけるゴーストの発生が抑制された画像形成装置が提供される。 The invention according to claim 3 does not include an electrophotographic photosensitive member provided with an undercoat layer whose mass change amount from a temperature of 30 ° C. to 130 ° C. in the suggested thermothermogravimetric simultaneous measurement is 0.65% by mass or less. Compared to the case, an image forming apparatus in which the occurrence of ghost in an image is suppressed is provided.
請求項4に係る発明によれば、示唆熱熱重量同時測定における温度30℃から130℃までの質量変化量が0.65質量%以下である下引層を備えた電子写真感光体を備えない場合に比べ、画像におけるゴーストの発生が抑制されたプロセスカートリッジが提供される。 The invention according to claim 4 does not include an electrophotographic photosensitive member provided with an undercoat layer whose mass change from a temperature of 30 ° C. to 130 ° C. is 0.65% by mass or less in the simultaneous thermothermogravimetric measurement. Compared to the case, a process cartridge in which the occurrence of ghost in an image is suppressed is provided.
以下、本発明の実施形態について、詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
<電子写真感光体>
本実施形態に係る電子写真感光体(以下単に「感光体」とも称す)は、支持体と、少なくとも金属酸化物粒子および結着樹脂を含有し、示唆熱熱重量同時測定(TG/DTA測定)における温度30℃から130℃までの質量変化量が0.65質量%以下である下引層と、感光層と、をこの順に有する。
<Electrophotographic photoreceptor>
The electrophotographic photoreceptor according to the exemplary embodiment (hereinafter also simply referred to as “photoreceptor”) includes a support, at least metal oxide particles, and a binder resin, and suggests thermothermogravimetric simultaneous measurement (TG / DTA measurement). The undercoat layer has a mass change amount of 0.65% by mass or less from 30 ° C. to 130 ° C. and the photosensitive layer in this order.
従来、静電潜像保持体として感光体を備えた電子写真方式の画像形成装置においては、形成された画像においてゴーストの画像欠陥が生じることがあった。このゴーストが発生するメカニズムについては必ずしも明確ではないが、次のように推測される。例えば、感光層が電荷発生層と電荷輸送層とからなる積層型感光体を負帯電させた後に反転現像を行う画像形成方式の場合、像露光により生成した正孔の一部が電荷発生層内に蓄積し、次サイクルの帯電工程の直後に電荷輸送層表面に移動することで、表面電位を低下させてしまう。その結果、前サイクルの画像が濃く浮き出る、いわゆるポジゴーストと呼ばれる現象が発生するものと推察される。また一方で、像露光により生成した正孔の一部が、電荷発生層と電荷輸送層との界面に蓄積し、次サイクルにおいても開放されずに残留する場合、電荷発生層内の実効電界強度が低下し、像露光により生成される電荷数が減少することにより、前サイクルの画像が薄く浮き出る、いわゆるネガゴーストと呼ばれる現象が発生するものと推察される。 Conventionally, in an electrophotographic image forming apparatus provided with a photoreceptor as an electrostatic latent image holding member, a ghost image defect may occur in the formed image. The mechanism by which this ghost occurs is not necessarily clear, but is presumed as follows. For example, in the case of an image forming system in which reversal development is performed after negatively charging a multi-layered photoreceptor having a charge generation layer and a charge transport layer, a part of the holes generated by image exposure is in the charge generation layer. And the surface potential is lowered by moving to the surface of the charge transport layer immediately after the charging step of the next cycle. As a result, it is presumed that a phenomenon called so-called positive ghost, in which the image of the previous cycle appears deeply, occurs. On the other hand, if some of the holes generated by image exposure accumulate at the interface between the charge generation layer and the charge transport layer and remain without being released in the next cycle, the effective electric field strength in the charge generation layer It is presumed that a phenomenon called so-called negative ghost, in which the image of the previous cycle appears thinly, occurs due to a decrease in the number of charges generated by image exposure.
ここで、電子写真方式の画像形成装置においては、画像の形成を繰り返すほど感光体の下引層における抵抗値が上昇することがあり、抵抗値が上昇し過ぎると前記ネガゴーストが発生することがあった。
特に、近年、帯電前の感光体全面に光を照射することで前サイクルの履歴を消去する機能を果たす除電装置を、コスト低減の観点から設けない画像形成装置の開発が盛んに行われている。この除電装置を有さない画像形成装置では、下引層の抵抗値をより高抵抗とすることで前サイクルの履歴によるポジゴーストを低減する方法があるが、この構成の場合、下引層における抵抗値が上昇した際に臨界値を超えやすく、前記ネガゴーストの発生が顕著となることがあった。
Here, in an electrophotographic image forming apparatus, the resistance value in the undercoat layer of the photoreceptor may increase as the image formation is repeated, and the negative ghost may occur if the resistance value increases excessively. there were.
In particular, in recent years, development of image forming apparatuses that do not provide a charge eliminating device that performs the function of erasing the history of the previous cycle by irradiating light on the entire surface of the photosensitive member before charging has been actively performed. . In the image forming apparatus that does not have the static eliminator, there is a method of reducing the positive ghost due to the history of the previous cycle by making the resistance value of the undercoat layer higher, but in this configuration, in the undercoat layer When the resistance value increases, the critical value is easily exceeded, and the occurrence of the negative ghost sometimes becomes remarkable.
これに対し、本実施形態に係る感光体は、下引層の示唆熱熱重量同時測定(TG/DTA測定)における温度30℃から130℃までの質量変化量が0.65質量%以下であり、これにより、ネガゴーストの発生が効果的に抑制される。
この効果が奏されるメカニズムは、必ずしも明確ではないが、感光体の製造の際に下引層中に混入する水分に起因するものと推察される。具体的には、下引層中に水分が混入すると、金属酸化物の酸素欠損中に水分などの不純物が入り込むことで電荷を捕獲するトラップとなり、下引層の抵抗が上昇して生成される電荷数が減少し、その結果ネガゴーストが発生するものと考えられる。また、水分などの不純物が混入することで下引層が緩和され、導電剤である金属酸化物同士の距離が広がるために導電剤同士の距離が遠くなり、その結果下引層の抵抗が上昇してネガゴーストが発生するものと考えられる。しかし、本実施形態に係る感光体の下引層は、温度30℃から130℃までの質量変化量が上記範囲であり、この温度30℃から130℃までの質量変化量は水分の含有量の指標として考えられる。つまり下引層における水分の含有量が上記範囲に抑制されているため、水分に起因して引き起こされる下引層の抵抗上昇が抑制され、その結果ネガゴーストの発生が抑制されるものと推察される。
On the other hand, in the photoconductor according to this embodiment, the mass change amount from the temperature of 30 ° C. to 130 ° C. in the simultaneous thermogram measurement (TG / DTA measurement) of the undercoat layer is 0.65% by mass or less. Thereby, generation | occurrence | production of a negative ghost is suppressed effectively.
The mechanism by which this effect is exerted is not necessarily clear, but is presumed to be due to moisture mixed in the undercoat layer during the production of the photoreceptor. Specifically, when moisture is mixed into the undercoat layer, impurities such as moisture enter the oxygen vacancies of the metal oxide to form traps for trapping charges, and the resistance of the undercoat layer is increased. It is thought that the number of charges decreases, resulting in a negative ghost. In addition, the undercoat layer is relaxed by the entry of impurities such as moisture, and the distance between the conductive agents increases because the distance between the metal oxides as the conductive agent increases, resulting in an increase in the resistance of the undercoat layer. Therefore, it is considered that negative ghost is generated. However, the undercoat layer of the photoconductor according to this embodiment has a mass change amount from 30 ° C. to 130 ° C. within the above range, and the mass change amount from 30 ° C. to 130 ° C. is the moisture content. Considered as an indicator. In other words, since the moisture content in the undercoat layer is controlled within the above range, it is assumed that the increase in resistance of the undercoat layer caused by moisture is suppressed, and as a result, the occurrence of negative ghost is suppressed. The
尚、示唆熱熱重量同時測定(TG/DTA測定)における温度30℃から130℃までの質量変化量は、更に0.5質量%以下であることがより好ましく、0.3質量%以下が更に好ましく、質量変化率が低いほど好ましい。 In addition, the mass change amount from the temperature 30 ° C. to 130 ° C. in the suggested thermothermogravimetric simultaneous measurement (TG / DTA measurement) is more preferably 0.5% by mass or less, and more preferably 0.3% by mass or less. Preferably, the lower the rate of mass change, the better.
−質量変化率の測定−
ここで、下引層における上記質量変化率の測定は、まず感光体から下引層を剥がし取り、TG/DTA6300(エスアイアイ・ナノテクノロジー(株)社製)を用いて、30℃から130℃まで10℃/minの上昇率で温度を上昇させた際の質量変化量を測定することで行われる。
-Measurement of mass change rate-
Here, in the measurement of the mass change rate in the undercoat layer, first, the undercoat layer is peeled off from the photoconductor, and TG / DTA6300 (manufactured by SII Nanotechnology Co., Ltd.) is used. It is performed by measuring the amount of mass change when the temperature is increased at a rate of increase of 10 ° C./min.
−質量変化率の達成手段−
下引層における前記質量変化率を前記の範囲に制御する手段としては、特に限定されるものではないが、例えば後述の方法によって支持体上に下引層を形成した後、更に乾燥処理を行う方法が挙げられる。該乾燥処理は、下引層を形成し更にその上に感光層(例えば電荷発生層や電荷輸送層)などの他の層を形成した後に行なってもよく、また下引層上に他の層を形成していない状態でおこなってもよい。
乾燥の方法としては、特に真空乾燥を行うことが好ましい。尚、乾燥条件は、真空乾燥を行わない場合、温度が90℃以上120℃以下が好ましく、110℃以上120℃以下がより好ましい。時間は20分以上1時間以下が好ましく、20分以上30分以下がより好ましい。真空乾燥を行う場合、温度が70℃以上120℃以下が好ましく、70℃以上100℃以下がより好ましい。時間は、30分以上が好ましく、1時間以上がより好ましく、3時間以上が更に好ましい。
-Means for achieving mass change rate-
The means for controlling the mass change rate in the undercoat layer within the above range is not particularly limited. For example, after the undercoat layer is formed on the support by the method described later, further drying treatment is performed. A method is mentioned. The drying treatment may be performed after forming an undercoat layer and further forming another layer such as a photosensitive layer (for example, a charge generation layer or a charge transport layer) on the undercoat layer. You may carry out in the state which is not formed.
As a drying method, it is particularly preferable to perform vacuum drying. In addition, as for drying conditions, when not vacuum-drying, temperature is 90 to 120 degreeC, and 110 to 120 degreeC is more preferable. The time is preferably from 20 minutes to 1 hour, more preferably from 20 minutes to 30 minutes. When performing vacuum drying, the temperature is preferably 70 ° C. or higher and 120 ° C. or lower, and more preferably 70 ° C. or higher and 100 ° C. or lower. The time is preferably 30 minutes or more, more preferably 1 hour or more, and still more preferably 3 hours or more.
−感光体の構成−
ついて、本実施形態に係る感光体の層構成について説明する。図1乃至図6は、本実施形態に係る感光体の層構成の例を示す概略図である。
図1に示す感光体は、支持体1と、支持体1の上に形成された下引層2と、下引層2の上に形成された感光層3と、から構成されている。また、図2に示すごとく、感光層3は電荷発生層31と電荷輸送層32との2層構造でもよい。さらに、図3および図4に示すごとく、感光層3上または電荷輸送層32上に保護層5を設けてもよい。また、図5および図6に示すごとく、下引層2と感光層3との間または下引層2と電荷発生層31との間に中間層4を設けてもよい。
-Structure of photoconductor-
Next, the layer configuration of the photoreceptor according to the present embodiment will be described. 1 to 6 are schematic views showing examples of the layer structure of the photoreceptor according to the present embodiment.
The photoconductor shown in FIG. 1 includes a support 1, an undercoat layer 2 formed on the support 1, and a photosensitive layer 3 formed on the undercoat layer 2. Further, as shown in FIG. 2, the photosensitive layer 3 may have a two-layer structure of a charge generation layer 31 and a charge transport layer 32. Further, as shown in FIGS. 3 and 4, the protective layer 5 may be provided on the photosensitive layer 3 or the charge transport layer 32. 5 and 6, an intermediate layer 4 may be provided between the undercoat layer 2 and the photosensitive layer 3 or between the undercoat layer 2 and the charge generation layer 31.
(支持体)
支持体1としては、導電性を有する支持体が用いられ、例えば、アルミニウム、銅、亜鉛、ステンレス、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等の金属または合金を用いて構成される金属板、金属ドラム、および金属ベルト、または、導電性ポリマー、酸化インジウム等の導電性化合物やアルミニウム、パラジウム、金等の金属または合金を塗布、蒸着またはラミネートした紙、プラスチックフィルム、ベルト等が挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が1013Ωcm未満であることをいう。
(Support)
As the support 1, a conductive support is used. For example, the support 1 is configured using a metal or an alloy such as aluminum, copper, zinc, stainless steel, chromium, nickel, molybdenum, vanadium, indium, gold, or platinum. Examples include metal plates, metal drums, and metal belts, or paper, plastic films, belts, etc. coated, vapor-deposited, or laminated with conductive polymers, conductive compounds such as indium oxide, and metals or alloys such as aluminum, palladium, and gold. It is done. Here, “conductive” means that the volume resistivity is less than 10 13 Ωcm.
本実施形態に係る感光体がレーザープリンターに使用される場合であれば、支持体1の表面は中心線平均粗さRaで0.04μm以上0.5μm以下に粗面化することが望ましい。但し、非干渉光を光源に用いる場合には粗面化は特に行わなくてもよい。 If the photoreceptor according to this embodiment is used in a laser printer, the surface of the support 1 is desirably roughened to a centerline average roughness Ra of 0.04 μm to 0.5 μm. However, when non-interfering light is used as a light source, roughening is not particularly required.
粗面化の方法としては、研磨剤を水に懸濁させて支持体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、または回転する砥石に支持体を接触させ、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が望ましい。 Surface roughening methods include wet honing by suspending an abrasive in water and spraying it on the support, or centerless grinding and anodization in which the support is brought into contact with a rotating grindstone and continuously ground. Processing is desirable.
また、他の粗面化の方法としては、支持体1表面を粗面化することなく、導電性または半導電性粉体を樹脂中に分散させて、支持体表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も望ましく用いられる。 Further, as another roughening method, without roughening the surface of the support 1, the conductive or semiconductive powder is dispersed in the resin to form a layer on the surface of the support, A method of roughening with particles dispersed in the layer is also desirably used.
ここで、陽極酸化による粗面化処理は、アルミニウムを陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することによりアルミニウム表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であるため、陽極酸化膜の微細孔を加圧水蒸気または沸騰水中(ニッケル等の金属塩を加えてもよい)で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが望ましい。陽極酸化膜の膜厚については、0.3μm以上15μm以下が望ましい。 Here, the roughening treatment by anodic oxidation is to form an oxide film on the aluminum surface by anodizing in an electrolyte solution using aluminum as an anode. Examples of the electrolyte solution include a sulfuric acid solution and an oxalic acid solution. However, since the porous anodic oxide film formed by anodic oxidation is chemically active as it is, fine pores of the anodic oxide film may be added to pressurized water vapor or boiling water (metal salt such as nickel may be added). It is desirable to perform a sealing treatment to block the volume expansion due to the hydration reaction, and to change to a more stable hydrated oxide. The thickness of the anodic oxide film is desirably 0.3 μm or more and 15 μm or less.
また、支持体1には、酸性水溶液による処理またはベーマイト処理を施してもよい。
リン酸、クロム酸およびフッ酸を含む酸性処理液による処理は以下のようにして実施される。先ず、酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸およびフッ酸の配合割合は、リン酸が10質量%以上11質量%以下の範囲、クロム酸が3質量%以上5質量%以下の範囲、フッ酸が0.5質量%以上2質量%以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は13.5質量%以上18質量%以下の範囲が望ましい。処理温度は42℃以上48℃以下が望ましい。被膜の膜厚は、0.3μm以上15μm以下が望ましい。
Further, the support 1 may be subjected to treatment with an acidic aqueous solution or boehmite treatment.
The treatment with an acidic treatment solution containing phosphoric acid, chromic acid and hydrofluoric acid is carried out as follows. First, an acidic treatment liquid is prepared. The mixing ratio of phosphoric acid, chromic acid and hydrofluoric acid in the acidic treatment liquid is such that phosphoric acid is in the range of 10% by mass to 11% by mass, chromic acid is in the range of 3% by mass to 5% by mass, and hydrofluoric acid is 0. The concentration of these acids is preferably in the range of 13.5 mass% to 18 mass%. The treatment temperature is desirably 42 ° C. or higher and 48 ° C. or lower. The film thickness is preferably from 0.3 μm to 15 μm.
ベーマイト処理は、90℃以上100℃以下の純水中に5分間以上60分間以下浸漬すること、または90℃以上120℃以下の加熱水蒸気に5分間以上60分間以下接触させることにより行われる。被膜の膜厚は、0.1μm以上5μm以下が望ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の他種に比べ被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。 The boehmite treatment is performed by immersing in pure water of 90 ° C. or more and 100 ° C. or less for 5 minutes or more and 60 minutes or less, or by contacting with heated steam of 90 ° C. or more and 120 ° C. or less for 5 minutes or more and 60 minutes or less. The film thickness is preferably 0.1 μm or more and 5 μm or less. This is further anodized using an electrolyte solution with lower film solubility than other types such as adipic acid, boric acid, borate, phosphate, phthalate, maleate, benzoate, tartrate, citrate, etc. It may be processed.
(下引層)
本実施形態における下引層2は、示唆熱熱重量同時測定(TG/DTA測定)における温度30℃から130℃までの質量変化量が0.65質量%以下である。
尚、下引層2は、少なくとも金属酸化物粒子と結着樹脂とを含有した層として構成される。
(Undercoat layer)
In the undercoat layer 2 in this embodiment, the mass change amount from the temperature of 30 ° C. to 130 ° C. in the simultaneous thermothermal weight measurement (TG / DTA measurement) is 0.65% by mass or less.
The undercoat layer 2 is configured as a layer containing at least metal oxide particles and a binder resin.
・結着樹脂
下引層2に含有される結着樹脂としては、公知のいかなるものでも使用し得るが、例えばポリビニルブチラール等のアセタール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、カゼイン、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、不飽和ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子樹脂化合物、また電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂やポリアニリン等の導電性樹脂等が用いられる。中でも上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が望ましく用いられ、特に尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂や、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂およびポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも1種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が望ましく用いられる。
これらを2種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。
-Binder resin As the binder resin contained in the undercoat layer 2, any known resin can be used. For example, acetal resins such as polyvinyl butyral, polyvinyl alcohol resin, casein, polyamide resin, cellulose resin, gelatin, Polyurethane resin, polyester resin, polyether resin, methacrylic resin, acrylic resin, polyvinyl chloride resin, polyvinyl acetate resin, vinyl chloride-vinyl acetate-maleic anhydride resin, silicone resin, silicone-alkyd resin, urea resin, phenol resin, Known polymer resin compounds such as phenol-formaldehyde resin, melamine resin, unsaturated urethane resin, polyester resin, alkyd resin, epoxy resin, etc., charge transport resin having a charge transport group and conductive resin such as polyaniline, etc. Use It is done. Among them, resins that are insoluble in the upper layer coating solvent are desirably used, and in particular, thermosetting resins such as urea resins, phenol resins, phenol-formaldehyde resins, melamine resins, urethane resins, unsaturated polyester resins, alkyd resins, epoxy resins, A resin obtained by reaction of at least one resin selected from the group consisting of polyamide resin, polyester resin, polyether resin, acrylic resin, polyvinyl alcohol resin and polyvinyl acetal resin with a curing agent is desirably used.
When these are used in combination of two or more, the mixing ratio is set as necessary.
・金属酸化物粒子
金属酸化物粒子としては、粉体抵抗(体積抵抗率)102Ω・cm以上1011Ω・cm以下のものが望ましく用いられる。
Metal oxide particles As metal oxide particles, powder resistance (volume resistivity) of 10 2 Ω · cm or more and 10 11 Ω · cm or less is desirably used.
金属酸化物粒子としては、酸化錫、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム等の金属酸化物粒子(金属酸化物粒子)を用いるのが望ましく、特に酸化亜鉛は望ましく用いられる。 As the metal oxide particles, it is desirable to use metal oxide particles (metal oxide particles) such as tin oxide, titanium oxide, zinc oxide, and zirconium oxide, and zinc oxide is particularly desirable.
金属酸化物粒子の体積平均粒径は50nm以上200nm以下の範囲が望ましく、更には70nm以上120nm以下の範囲がより望ましい。
尚、金属酸化物粒子の体積平均粒径は、レーザ回析式粒度分布測定装置(LA−700:堀場製作所製)を用いて測定を行う。測定法としては、分散液となっている状態の試料を固形分で2gになるよう調整し、これにイオン交換水を添加して40mlにし、これをセルに適当な濃度になるまで投入し、2分待ったところで測定を行う。得られたチャンネルごとの体積平均粒径を小さい方から累積し、累積50%になったところを体積平均粒径とする。
The volume average particle size of the metal oxide particles is preferably in the range of 50 nm to 200 nm, and more preferably in the range of 70 nm to 120 nm.
The volume average particle size of the metal oxide particles is measured using a laser diffraction particle size distribution measuring device (LA-700: manufactured by Horiba, Ltd.). As a measuring method, the sample in the state of dispersion is adjusted to 2 g in solid content, ion-exchanged water is added thereto to make 40 ml, and this is put into a cell until an appropriate concentration is obtained. Measure after 2 minutes. The obtained volume average particle diameter for each channel is accumulated from the smaller one, and the place where the accumulation reaches 50% is defined as the volume average particle diameter.
また、金属酸化物粒子としては、BET法による比表面積が10m2/g以上のものが望ましく用いられる。 Further, as the metal oxide particles, those having a specific surface area of 10 m 2 / g or more by the BET method are desirably used.
下引層中における金属酸化物粒子の含有量(固形分比率)としては、望ましくは10質量%以上80質量%以下の範囲であり、さらに望ましくは30質量%以上60質量%以下の範囲である。 The content (solid content ratio) of the metal oxide particles in the undercoat layer is desirably in the range of 10% by mass to 80% by mass, and more desirably in the range of 30% by mass to 60% by mass. .
また、金属酸化物粒子は表面処理を行ったものでもよく、表面処理の異なるもの、または、粒子径の異なるものなど2種以上混合して用いてもよい。 Further, the metal oxide particles may be subjected to a surface treatment, or may be used by mixing two or more kinds such as those having different surface treatments or particles having different particle diameters.
金属酸化物粒子は表面処理を施してもよい。表面処理剤としては、公知の材料から選択される。例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性材等が挙げられる。特に、シランカップリング剤が望ましく用いられる。さらにアミノ基を有するシランカップリング剤も望ましく用いられる。 The metal oxide particles may be subjected to a surface treatment. The surface treatment agent is selected from known materials. For example, a silane coupling agent, a titanate coupling agent, an aluminum coupling agent, a surfactant, and the like can be given. In particular, a silane coupling agent is desirably used. Furthermore, a silane coupling agent having an amino group is also desirably used.
アミノ基を有するシランカップリング剤としてはいかなる物を用いてもよいが、具体的例としてはγ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルメチルメトキシシラン、N,N−ビス(β−ヒドロキシエチル)−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられる。但し、これらに限定されるものではない。 Any material may be used as the silane coupling agent having an amino group. Specific examples include γ-aminopropyltriethoxysilane, N-β- (aminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane, N -Β- (aminoethyl) -γ-aminopropylmethylmethoxysilane, N, N-bis (β-hydroxyethyl) -γ-aminopropyltriethoxysilane, and the like. However, it is not limited to these.
また、シランカップリング剤は2種以上混合して使用してもよい。前記アミノ基を有するシランカップリング剤と併用して用いてもよいシランカップリング剤の例としては、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピル−トリス(β−メトキシエトキシ)シラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N,N−ビス(β−ヒドロキシエチル)−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロルプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。但し、これらに限定されるものではない。 Two or more silane coupling agents may be mixed and used. Examples of silane coupling agents that may be used in combination with the silane coupling agent having an amino group include vinyltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropyl-tris (β-methoxyethoxy) silane, β- (3 , 4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N-β- (aminoethyl) -Γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β- (aminoethyl) -γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, N, N-bis (β-hydroxyethyl) -γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-chloropropyl Examples include trimethoxysilane. However, it is not limited to these.
表面処理方法は公知の方法であればいかなる方法でも使用し得るが、乾式法または湿式法を用いることがよい。 As the surface treatment method, any known method can be used, but a dry method or a wet method is preferably used.
下引層2中の金属酸化物粒子に対するシランカップリング剤の量は、任意に設定されるが、金属酸化物粒子に対して0.5質量%以上10質量%以下が望ましい。 The amount of the silane coupling agent relative to the metal oxide particles in the undercoat layer 2 is arbitrarily set, but is preferably 0.5% by mass or more and 10% by mass or less with respect to the metal oxide particles.
・電子受容性化合物
さらに金属酸化物粒子に加えて、電子受容性化合物(アクセプター性化合物)を含有させてもよい。電子受容性化合物(アクセプター性化合物)としてはいかなるものでも使用し得るが、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物、テトラシアノキノジメタン系化合物、2,4,7−トリニトロフルオレノン、2,4,5,7−テトラニトロ−9−フルオレノン等のフルオレノン化合物、2−(4−ビフェニル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾールや2,5−ビス(4−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(4−ジエチルアミノフェニル)1,3,4−オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物、キサントン系化合物、チオフェン化合物、3,3’,5,5’テトラ−t−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物等の電子輸送性物質などが望ましく、特にアントラキノン構造を有する化合物が望ましい。さらに、ヒドロキシアントラキノン系化合物、アミノアントラキノン系化合物、アミノヒドロキシアントラキノン系化合物等、アントラキノン構造を有するアクセプター性化合物が望ましく用いられ、具体的にはアントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が挙げられる。
-Electron-accepting compound In addition to metal oxide particles, an electron-accepting compound (acceptor compound) may be contained. Any electron accepting compound (acceptor compound) may be used. For example, quinone compounds such as chloranil and bromoanil, tetracyanoquinodimethane compounds, 2,4,7-trinitrofluorenone, 2, Fluorenone compounds such as 4,5,7-tetranitro-9-fluorenone, 2- (4-biphenyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole and 2,5-bis Oxadiazole compounds such as (4-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole, 2,5-bis (4-diethylaminophenyl) 1,3,4-oxadiazole, xanthone compounds, thiophene compounds , Electron transporting materials such as diphenoquinone compounds such as 3,3 ′, 5,5 ′ tetra-t-butyldiphenoquinone are desirable. Compounds having Torakinon structure is desirable. Furthermore, acceptor compounds having an anthraquinone structure such as hydroxyanthraquinone compounds, aminoanthraquinone compounds, aminohydroxyanthraquinone compounds, and the like are desirably used.
下引層2中の電子受容性化合物の含有量(固形分比/一部分子状として存在するものも含む)は、0.004質量%以上16質量%以下の範囲であることが望ましく、0.02質量%以上8質量%以下の範囲であることがより望ましい。
また、下引層2中に金属酸化物粒子に加えて電子受容性化合物を含有させる場合には、電子受容性化合物は望ましくは金属酸化物粒子100質量部に対して0.01質量部以上20質量部以下、さらに望ましくは0.05質量部以上10質量部以下の範囲で用いられる。
The content of the electron-accepting compound in the undercoat layer 2 (including those present as solid content ratio / partial molecular weight) is preferably in the range of 0.004% by mass to 16% by mass. It is more desirable that the range be 02 mass% or more and 8 mass% or less.
Further, when the electron accepting compound is contained in the undercoat layer 2 in addition to the metal oxide particles, the electron accepting compound is desirably 0.01 parts by mass or more and 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the metal oxide particles. It is used in an amount of not more than mass parts, more desirably in the range of not less than 0.05 parts by mass and not more than 10 parts by mass.
アクセプター化合物は、下引層2の塗布時に添加するだけでもよいし、金属酸化物粒子表面にあらかじめ付着させておいてもよい。金属酸化物粒子表面にアクセプター化合物を付与させる方法としては、乾式法、または、湿式法が挙げられる。 The acceptor compound may be added only when the undercoat layer 2 is applied, or may be previously attached to the surface of the metal oxide particles. Examples of the method for imparting the acceptor compound to the surface of the metal oxide particles include a dry method or a wet method.
乾式法にて表面処理を施す場合には金属酸化物粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接または有機溶媒に溶解させたアクセプター化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させることによって処理される。添加または噴霧する際には溶剤の沸点以下の温度で行われることが望ましい。添加または噴霧した後、さらに100℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けの温度、時間については任意の範囲で実施される。 When surface treatment is performed by a dry method, while stirring metal oxide particles with a mixer having a large shearing force or the like, an acceptor compound dissolved directly or in an organic solvent is dropped and sprayed with dry air or nitrogen gas. It is processed. The addition or spraying is preferably performed at a temperature below the boiling point of the solvent. After addition or spraying, baking may be performed at 100 ° C. or higher. About baking temperature and time, it implements in arbitrary ranges.
湿式法としては、金属酸化物粒子を溶剤中で攪拌し、超音波、サンドミルやアトライター、ボールミル等を用いて分散し、アクセプター化合物を添加し攪拌または分散したのち、溶剤除去することで処理される。溶剤除去方法はろ過または蒸留により留去される。溶剤除去後にはさらに100℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けの温度、時間については任意の範囲で実施される。湿式法においては表面処理剤を添加する前に金属酸化物粒子含有水分を除去してもよく、その例として表面処理に用いる溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法を用いてもよい。 As a wet method, the metal oxide particles are stirred in a solvent, dispersed using ultrasonic waves, a sand mill, an attritor, a ball mill, etc., and after adding or accepting an acceptor compound, the solvent is removed. The The solvent removal method is distilled off by filtration or distillation. After removing the solvent, baking may be performed at 100 ° C. or higher. About baking temperature and time, it implements in arbitrary ranges. In the wet method, the water containing metal oxide particles may be removed before adding the surface treatment agent. For example, the method of removing with stirring and heating in the solvent used for the surface treatment, removing by azeotroping with the solvent. You may use the method to do.
・他の添加剤
下引層2中には種々の添加剤を用いてもよい。添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が用いられる。
Other Additives Various additives may be used in the undercoat layer 2. As additives, known materials such as polycyclic condensation type, azo type electron transporting pigments, zirconium chelate compounds, titanium chelate compounds, aluminum chelate compounds, titanium alkoxide compounds, organic titanium compounds, silane coupling agents and the like are used. It is done.
シランカップリング剤は金属酸化物粒子の表面処理に用いられるが、添加剤としてさらに塗布液に添加して用いてもよい。ここで用いられるシランカップリング剤の具体例としては、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピル−トリス(β−メトキシエトキシ)シラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N,N−ビス(β−ヒドロキシエチル)−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロルプロピルトリメトキシシラン等である。 The silane coupling agent is used for the surface treatment of the metal oxide particles, but may be further added to the coating solution as an additive. Specific examples of the silane coupling agent used here include vinyltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropyl-tris (β-methoxyethoxy) silane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ. -Glycidoxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N-β- (aminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β -(Aminoethyl) -γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, N, N-bis (β-hydroxyethyl) -γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-chloropropyltrimethoxysilane and the like.
ジルコニウムキレート化合物の例として、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。 Examples of zirconium chelate compounds include zirconium butoxide, zirconium zirconium acetoacetate, zirconium triethanolamine, acetylacetonate zirconium butoxide, ethyl zirconium acetoacetate, zirconium acetate, zirconium oxalate, zirconium lactate, zirconium phosphonate, zirconium octoate, naphthene. Zirconate, zirconium laurate, zirconium stearate, zirconium isostearate, methacrylate zirconium butoxide, stearate zirconium butoxide, isostearate zirconium butoxide and the like.
チタニウムキレート化合物の例としては、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ(2−エチルヘキシル)チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。 Examples of titanium chelate compounds include tetraisopropyl titanate, tetranormal butyl titanate, butyl titanate dimer, tetra (2-ethylhexyl) titanate, titanium acetylacetonate, polytitanium acetylacetonate, titanium octylene glycolate, titanium lactate ammonium salt , Titanium lactate, titanium lactate ethyl ester, titanium triethanolamate, polyhydroxy titanium stearate and the like.
アルミニウムキレート化合物の例としては、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス(エチルアセトアセテート)等が挙げられる。 Examples of the aluminum chelate compound include aluminum isopropylate, monobutoxy aluminum diisopropylate, aluminum butyrate, ethyl acetoacetate aluminum diisopropylate, aluminum tris (ethyl acetoacetate) and the like.
これらの化合物は単独で若しくは複数の化合物の混合物または重縮合物として用いてもよい。 These compounds may be used alone or as a mixture or polycondensate of a plurality of compounds.
・下引層の形成
下引層形成用の塗布液を調製するための溶媒としては公知の有機溶剤、例えばアルコール系、芳香族系、ハロゲン化炭化水素系、ケトン系、ケトンアルコール系、エーテル系、エステル系等から選択される。溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、n−プロパノール、iso−プロパノール、n−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロルベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が用いられる。
-Formation of undercoat layer As a solvent for preparing a coating solution for forming the undercoat layer, known organic solvents such as alcohols, aromatics, halogenated hydrocarbons, ketones, ketone alcohols, ethers are used. , Selected from ester series and the like. Examples of the solvent include methanol, ethanol, n-propanol, iso-propanol, n-butanol, benzyl alcohol, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl acetate, ethyl acetate, n-butyl acetate, Usual organic solvents such as dioxane, tetrahydrofuran, methylene chloride, chloroform, chlorobenzene and toluene are used.
また、これらの分散に用いる溶剤は単独または2種以上混合して用いてもよい。混合する際、使用される溶剤としては、混合溶剤として結着樹脂を溶かし得る溶剤であれば、いかなるものでも使用される。 Moreover, you may use the solvent used for these dispersion | distribution individually or in mixture of 2 or more types. When mixing, any solvent can be used as long as it can dissolve the binder resin as the mixed solvent.
分散方法としては、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカーなどの公知の方法が用いられる。
上記分散の際の条件としては、例えば直径1mmのガラスビーズを用いたサンドミルによる分散では、充填率:70%以上95%以下、0.1時間以上100時間以下で分散させることが望ましい。
As a dispersion method, known methods such as a roll mill, a ball mill, a vibrating ball mill, an attritor, a sand mill, a colloid mill, and a paint shaker are used.
As the conditions for the above dispersion, for example, in dispersion by a sand mill using glass beads having a diameter of 1 mm, it is desirable to disperse at a filling rate of 70% to 95% and 0.1 hours to 100 hours.
さらにこの下引層2を設ける際に用いる塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。 Further, as the coating method used when the undercoat layer 2 is provided, conventional methods such as blade coating method, wire bar coating method, spray coating method, dip coating method, bead coating method, air knife coating method, curtain coating method, etc. Is used.
なお、前記金属酸化物粒子と電子受容性化合物とを反応させる場合には、前記分散工程中で金属酸化物粒子と該金属酸化物粒子と反応する電子受容性化合物が反応しても、塗布膜乾燥・硬化中に反応してもよいが、分散液中で反応する方が望ましい。 When the metal oxide particles and the electron-accepting compound are reacted, the coating film is formed even if the metal-oxide particles and the electron-accepting compound that reacts with the metal oxide particles react in the dispersion step. Although it may react during drying and hardening, it is desirable to react in a dispersion.
こうして得られた下引層形成用塗布液を用い、支持体1上に塗布した下引層形成用塗布液を乾燥させることで下引層2が成膜される。
乾燥の際の条件としては、通常溶剤を蒸発させ製膜し得る温度で行われるが、例えば温度としては150℃以上200℃以下が好ましく、160℃以上200℃以下がより好ましく、170℃以上190℃以下が更に好ましい。また、乾燥の時間としては10分以上50分以下が好ましく、20分以上40分以下がより好ましい。
By using the undercoat layer forming coating solution thus obtained, the undercoat layer forming coating solution coated on the support 1 is dried to form the undercoat layer 2.
The drying conditions are usually carried out at a temperature at which the solvent can be evaporated to form a film. For example, the temperature is preferably 150 ° C. or higher and 200 ° C. or lower, more preferably 160 ° C. or higher and 200 ° C. or lower, and 170 ° C. or higher and 190 ° C. or lower. More preferably, it is not higher than ° C. Moreover, as drying time, 10 minutes or more and 50 minutes or less are preferable, and 20 minutes or more and 40 minutes or less are more preferable.
・下引層の物性
下引層2は、交流インピーダンス測定における抵抗値が1×108Ω以上1×1010Ω以下であることが好ましく、更には1×109Ω以上1×1010Ω以下がより好ましい。
-Physical properties of the undercoat layer The undercoat layer 2 preferably has a resistance value of 1 × 10 8 Ω or more and 1 × 10 10 Ω or less, more preferably 1 × 10 9 Ω or more and 1 × 10 10 Ω in AC impedance measurement. The following is more preferable.
尚、下引層2の抵抗値の詳細な測定方法は、以下の通りである。
まず、下引層2のインピーダンスを測定する。インピーダンス測定用試料におけるアルミパイプ等の支持体を陰極、金電極を陽極として、1Vp−pの交流電圧を周波数1MHzから1mHzまでの範囲で高周波側から印加し、各試料の交流インピーダンスを測定する。この測定より得られたCole−ColeプロットのグラフをRC並列の等価回路にフィッティングすることで下引層2の抵抗値を得る。
The detailed method for measuring the resistance value of the undercoat layer 2 is as follows.
First, the impedance of the undercoat layer 2 is measured. Using a support such as an aluminum pipe in the impedance measurement sample as a cathode and a gold electrode as an anode, an AC voltage of 1 Vp-p is applied from the high frequency side in a frequency range from 1 MHz to 1 mHz, and the AC impedance of each sample is measured. The resistance value of the undercoat layer 2 is obtained by fitting the Cole-Cole plot graph obtained from this measurement to an RC parallel equivalent circuit.
なお、電子写真感光体から、抵抗値測定用の下引層試料を作製する方法は、以下の通りである。例えば、下引層を被覆している電荷発生層、電荷輸送層等の塗膜をアセトン、テトラヒドロフラン、メタノール、エタノール等の溶媒を用いて除去し、露出された下引層上に真空蒸着法やスパッタ法等により金電極を装着することで、体積抵抗率測定用の下引層試料とする。 A method for preparing an undercoat layer sample for resistance value measurement from an electrophotographic photosensitive member is as follows. For example, a coating such as a charge generation layer and a charge transport layer covering the undercoat layer is removed using a solvent such as acetone, tetrahydrofuran, methanol, ethanol, etc., and a vacuum deposition method or the like is applied to the exposed undercoat layer. By attaching a gold electrode by sputtering or the like, an undercoat layer sample for volume resistivity measurement is obtained.
下引層2の抵抗値を上記範囲内に調整する方法としては、例えば、前記金属酸化物粒子の添加量や粒径を調整したり、前記下引層形成用塗布液中の金属酸化物粒子の分散方法を変更したりする方法が挙げられる。前記金属酸化物粒子の粒径が大きくなるにつれ、下引層の抵抗値は低下する傾向にある。また、前記金属酸化物粒子の添加量を多くするにつれ、下引層の抵抗値は上昇する傾向にある。更に、前記下引層形成用塗布液中の金属酸化物粒子の分散性を向上させると、下引層の抵抗値は上昇する傾向にある。具体的には、下引層形成用塗布液の分散処理時間を長くするにつれ、下引層の抵抗値は上昇する傾向にある。
更に、下引層の抵抗値は下引層を形成する際の乾燥温度によっても調整され、前記乾燥温度が高くなるにつれ、下引層の抵抗値は低下する傾向にある。
Examples of the method for adjusting the resistance value of the undercoat layer 2 within the above range include adjusting the addition amount and particle diameter of the metal oxide particles, or metal oxide particles in the undercoat layer forming coating solution. Or a method of changing the dispersion method. As the particle size of the metal oxide particles increases, the resistance value of the undercoat layer tends to decrease. Moreover, the resistance value of the undercoat layer tends to increase as the amount of the metal oxide particles added increases. Furthermore, when the dispersibility of the metal oxide particles in the coating solution for forming the undercoat layer is improved, the resistance value of the undercoat layer tends to increase. Specifically, the resistance value of the undercoat layer tends to increase as the dispersion treatment time of the coating solution for forming the undercoat layer is increased.
Furthermore, the resistance value of the undercoat layer is also adjusted by the drying temperature at the time of forming the undercoat layer, and the resistance value of the undercoat layer tends to decrease as the drying temperature increases.
下引層2はいかなる厚さに設定してもよいが、特に下引層の抵抗値を上述の範囲に制御する観点から、厚さが15μm以上が望ましく、さらに望ましくは15μm以上50μm以下である。 The undercoat layer 2 may be set to any thickness, but in particular, from the viewpoint of controlling the resistance value of the undercoat layer within the above range, the thickness is preferably 15 μm or more, and more preferably 15 μm or more and 50 μm or less. .
また、下引層2は、ビッカース強度が35以上とされていることが望ましい。 The undercoat layer 2 preferably has a Vickers strength of 35 or more.
また、下引層2の表面粗さ(十点平均粗さ)はモアレ像防止のために、使用される露光用レーザー波長λの1/4n(nは上層の屈折率)から1/2λまでに調整されることが望ましい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂などの粒子を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が用いられる。また、表面粗さ調整のために下引層を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が用いられる。
Further, the surface roughness (ten-point average roughness) of the undercoat layer 2 is from 1 / 4n (n is the refractive index of the upper layer) to 1 / 2λ of the exposure laser wavelength λ used to prevent moire images. It is desirable to be adjusted to.
In order to adjust the surface roughness, particles such as a resin may be added to the undercoat layer. As the resin particles, silicone resin particles, cross-linked polymethyl methacrylate resin particles and the like are used. Further, the undercoat layer may be polished for adjusting the surface roughness. As a polishing method, buffing, sandblasting, wet honing, grinding, or the like is used.
(中間層)
下引層と感光層との間に中間層4を設けてもよい。
中間層4を構成する材料としては、ポリビニルブチラールなどのアセタール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、カゼイン、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂などの高分子樹脂化合物のほかに、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素原子などを含有する有機金属化合物などがある。
これらの化合物は単独にあるいは複数の化合物の混合物あるいは重縮合物として用いてもよい。中でも、ジルコニウムもしくはシリコンを含有する有機金属化合物が望ましい。
(Middle layer)
An intermediate layer 4 may be provided between the undercoat layer and the photosensitive layer.
The material constituting the intermediate layer 4 includes acetal resin such as polyvinyl butyral, polyvinyl alcohol resin, casein, polyamide resin, cellulose resin, gelatin, polyurethane resin, polyester resin, methacrylic resin, acrylic resin, polyvinyl chloride resin, polyvinyl acetate. In addition to polymer resin compounds such as resin, vinyl chloride-vinyl acetate-maleic anhydride resin, silicone resin, silicone-alkyd resin, phenol-formaldehyde resin, melamine resin, zirconium, titanium, aluminum, manganese, silicon atoms, etc. Contains organometallic compounds.
These compounds may be used alone or as a mixture or polycondensate of a plurality of compounds. Of these, organometallic compounds containing zirconium or silicon are desirable.
シリコン化合物としては、例えばビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス(β−メトキシエトキシシラン)、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピル−トリス(β−メトキシエトキシ)シラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N,N−ビス(β−ヒドロキシエチル)−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロルプロピルトリメトキシシランなどである。これらのなかでも特に望ましく用いられるシリコン化合物は、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス(β−メトキシエトキシシラン)、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、N−β−(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β−(アミノエチル)γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤が挙げられる。 Examples of the silicon compound include vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltris (β-methoxyethoxysilane), γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropyl-tris (β-methoxyethoxy) silane, β -(3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N-β- ( Aminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β- (aminoethyl) -γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, N, N-bis (β-hydroxy) ethyl) -Γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-chloropropyltrimethoxysilane, and the like. Among these, particularly preferably used silicon compounds are vinyltriethoxysilane, vinyltris (β-methoxyethoxysilane), γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, β- (3, 4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, N-β- (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β- (aminoethyl) γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, Examples include silane coupling agents such as N-phenyl-γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, and γ-chloropropyltrimethoxysilane.
有機ジルコニウム化合物の例として、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシドなどが挙げられる。 Examples of organic zirconium compounds include zirconium butoxide, zirconium zirconium acetoacetate, zirconium triethanolamine, acetylacetonate zirconium butoxide, ethyl acetoacetate butoxide, zirconium acetate, zirconium oxalate, zirconium lactate, zirconium phosphonate, zirconium octoate, naphthene. Zirconate, zirconium laurate, zirconium stearate, zirconium isostearate, methacrylate zirconium butoxide, stearate zirconium butoxide, isostearate zirconium butoxide and the like.
有機チタン化合物の例としては、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ(2−エチルヘキシル)チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレートなどが挙げられる。 Examples of organic titanium compounds include tetraisopropyl titanate, tetranormal butyl titanate, butyl titanate dimer, tetra (2-ethylhexyl) titanate, titanium acetylacetonate, polytitanium acetylacetonate, titanium octylene glycolate, titanium lactate ammonium salt , Titanium lactate, titanium lactate ethyl ester, titanium triethanolamate, polyhydroxy titanium stearate and the like.
有機アルミニウム化合物の例としてはアルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス(エチルアセトアセテート)などが挙げられる。 Examples of the organoaluminum compound include aluminum isopropylate, monobutoxyaluminum diisopropylate, aluminum butyrate, diethyl acetoacetate aluminum diisopropylate, and aluminum tris (ethyl acetoacetate).
また、中間層を設ける際に用いる塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。 In addition, as a coating method used when providing the intermediate layer, a normal method such as a blade coating method, a wire bar coating method, a spray coating method, a dip coating method, a bead coating method, an air knife coating method, or a curtain coating method is used. It is done.
中間層4を形成する場合には、0.1μm以上3μm以下の膜厚範囲に設定されることが望ましい。 When the intermediate layer 4 is formed, it is desirable to set the film thickness within the range of 0.1 μm to 3 μm.
(電荷発生層)
感光層の電荷発生層31は、電荷発生物質を真空蒸着して形成するか、電荷発生物質を、有機溶剤、結着樹脂、添加剤等とともに分散して塗布することにより形成される。
本実施形態において、電荷発生材料としては、公知の電荷発生物質を使用してよいが、特に優れた性能が得られ、望ましく使用される電荷発生物質として、フタロシアニン系顔料が挙げられる。また、これらの有機顔料は一般に数種の結晶型を有しており、目的にあった感度が得られる顔料であるならば、これらのいずれの結晶型を用いてもよい。特に望ましく用いられる電荷発生材料の具体例を以下に示す。
(Charge generation layer)
The charge generation layer 31 of the photosensitive layer is formed by vacuum-depositing a charge generation material, or by dispersing and applying the charge generation material together with an organic solvent, a binder resin, an additive, and the like.
In this embodiment, a known charge generation material may be used as the charge generation material, but particularly excellent performance is obtained, and a phthalocyanine pigment is preferably used as the charge generation material. In addition, these organic pigments generally have several crystal forms, and any of these crystal forms may be used as long as it is a pigment capable of obtaining a sensitivity suitable for the purpose. Specific examples of charge generation materials that are particularly preferably used are shown below.
電荷発生材料としては、無金属フタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニン、ジクロロスズフタロシアニン、チタニルフタロシアニン等のフタロシアニン顔料が挙げられ、特に、CuKα特性X線に対するブラッグ角(2θ±0.2゜)の少なくとも7.4゜、16.6゜、25.5゜および28.3゜に強い回折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶、CuKα特性X線に対するブラッグ角(2θ±0.2゜)の少なくとも7.7゜、9.3゜、16.9゜、17.5゜、22.4゜および28.8゜に強い回折ピークを有する無金属フタロシアニン結晶、CuKα特性X線に対するブラッグ角(2θ±0.2゜)の少なくとも7.5゜、9.9゜、12.5゜、16.3゜、18.6゜、25.1゜および28.3゜に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、CuKα特性X線に対するブラッグ角(2θ±0.2゜)の少なくとも9.6゜、24.1゜および27.2゜に強い回折ピークを有するチタニルフタロシアニン結晶、CuKα特性X線に対するブラッグ角(2θ±0.2゜)の少なくとも7.6゜、18.3゜、23.2゜、24.2゜、27.3゜に強い回折ピークを有するチタニルフタロシアニン結晶が挙げられる。その他、電荷発生材料としては、キノン顔料、ペリレン顔料、インジゴ顔料、ビスベンゾイミダゾール顔料、アントロン顔料、キナクリドン顔料等が挙げられる。また、これらの電荷発生材料は、単独または2種以上を混合して用いてもよい。
これらの中でも、CuKα特性X線に対するブラッグ角(2θ±0.2゜)の少なくとも7.5゜、9.9゜、12.5゜、16.3゜、18.6゜、25.1゜および28.3゜に強い回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶、CuKα特性X線に対するブラッグ角(2θ±0.2゜)の少なくとも7.6゜、18.3゜、23.2゜、24.2゜、27.3゜に強い回折ピークを有するチタニルフタロシアニン結晶がよい。
Examples of the charge generation material include phthalocyanine pigments such as metal-free phthalocyanine, chlorogallium phthalocyanine, hydroxygallium phthalocyanine, dichlorotin phthalocyanine, and titanyl phthalocyanine. Chlorogallium phthalocyanine crystal having strong diffraction peaks at least at 7.4 °, 16.6 °, 25.5 ° and 28.3 °, Bragg angle (2θ ± 0.2 °) to CuKα characteristic X-ray of at least 7. Metal-free phthalocyanine crystals having strong diffraction peaks at 7 °, 9.3 °, 16.9 °, 17.5 °, 22.4 ° and 28.8 °, Bragg angle (2θ ± 0. 2 °) at least 7.5 °, 9.9 °, 12.5 °, 16.3 °, 18.6 °, Hydroxygallium phthalocyanine crystals with strong diffraction peaks at 5.1 ° and 28.3 °, Bragg angles (2θ ± 0.2 °) to CuKα characteristic X-rays of at least 9.6 °, 24.1 ° and 27.2 A titanyl phthalocyanine crystal having a strong diffraction peak at a temperature of at least 7.6 °, 18.3 °, 23.2 °, 24.2 °, and 27. of a Bragg angle (2θ ± 0.2 °) with respect to CuKα characteristic X-rays. Examples thereof include titanyl phthalocyanine crystals having a strong diffraction peak at 3 °. In addition, examples of the charge generation material include quinone pigments, perylene pigments, indigo pigments, bisbenzimidazole pigments, anthrone pigments, quinacridone pigments, and the like. These charge generation materials may be used alone or in combination of two or more.
Among these, at least 7.5 °, 9.9 °, 12.5 °, 16.3 °, 18.6 °, 25.1 ° of the Bragg angle (2θ ± 0.2 °) with respect to CuKα characteristic X-rays. And a hydroxygallium phthalocyanine crystal having a strong diffraction peak at 28.3 °, a Bragg angle (2θ ± 0.2 °) of CuKα characteristic X-ray of at least 7.6 °, 18.3 °, 23.2 °, 24. A titanyl phthalocyanine crystal having strong diffraction peaks at 2 ° and 27.3 ° is preferable.
本実施形態に用いる電荷発生物質は、例えば、公知の方法で製造される顔料結晶を、自動乳鉢、遊星ミル、振動ミル、CFミル、ローラーミル、サンドミル、ニーダー等で機械的に乾式粉砕するか、乾式粉砕後、溶剤と共にボールミル、乳鉢、サンドミル、ニーダー等を用いて湿式粉砕処理を行うことによって製造される。上記の処理において使用される溶剤は、芳香族類(トルエン、クロロベンゼン等)、アミド類(ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン等)、脂肪族アルコール類(メタノール、エタノール、ブタノール等)、脂肪族多価アルコール類(エチレングリコール、グリセリン、ポリエチレングリコール等)、芳香族アルコール類(ベンジルアルコール、フェネチルアルコール等)、エステル類(酢酸エステル、酢酸ブチル等)、ケトン類(アセトン、メチルエチルケトン等)、ジメチルスルホキシド、エーテル類(ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等)、さらには数種の混合系、水とこれら有機溶剤の混合系があげられる。
溶剤は、顔料結晶に対して、1部以上200部以下、望ましくは10部以上100部以下の範囲(質量比)で用いる。
処理温度は、0℃以上溶剤の沸点以下、望ましくは10℃以上60℃以下の範囲で行う。
The charge generation material used in the present embodiment is, for example, mechanically dry pulverizing pigment crystals produced by a known method using an automatic mortar, planetary mill, vibration mill, CF mill, roller mill, sand mill, kneader, or the like. After the dry pulverization, it is manufactured by performing a wet pulverization process using a ball mill, a mortar, a sand mill, a kneader or the like together with a solvent. Solvents used in the above treatment are aromatics (toluene, chlorobenzene, etc.), amides (dimethylformamide, N-methylpyrrolidone, etc.), aliphatic alcohols (methanol, ethanol, butanol, etc.), aliphatic polyvalents. Alcohols (ethylene glycol, glycerin, polyethylene glycol, etc.), aromatic alcohols (benzyl alcohol, phenethyl alcohol, etc.), esters (acetic ester, butyl acetate, etc.), ketones (acetone, methyl ethyl ketone, etc.), dimethyl sulfoxide, ether (Diethyl ether, tetrahydrofuran, etc.), several mixed systems, and mixed systems of water and these organic solvents.
The solvent is used in a range (mass ratio) of 1 part to 200 parts, preferably 10 parts to 100 parts, based on the pigment crystals.
The treatment temperature is 0 ° C. or higher and the boiling point of the solvent or lower, preferably 10 ° C. or higher and 60 ° C. or lower.
また、粉砕の際に食塩、ぼう硝等の磨砕助剤が用いられる。磨砕助剤は顔料に対し0.5倍以上20倍以下、望ましくは1倍以上10倍以下用いればよい。
また、公知の方法で製造される顔料結晶を、アシッドペースティングあるいはアシッドペースティングと前述した乾式粉砕あるいは湿式粉砕を組み合わせることにより、結晶制御される。アシッドペースティングに用いる酸としては、硫酸が望ましく、濃度70%以上100%以下、望ましくは95%以上100%以下のものが使用され、溶解温度は、−20℃以上100℃以下、望ましくは0℃以上60℃以下の範囲に設定される。濃硫酸の量は、顔料結晶の質量に対して、1倍以上100倍以下、望ましくは3倍以上50倍以下の範囲に設定される。析出させる溶剤としては、水あるいは、水と有機溶剤の混合溶剤が任意の量で用いられる。析出させる温度については特に制限はないが、発熱を防ぐために、氷等で冷却することが望ましい。
Further, grinding aids such as sodium chloride and sodium nitrate are used during grinding. The grinding aid may be used 0.5 to 20 times, preferably 1 to 10 times the pigment.
Further, the pigment crystal produced by a known method is controlled by combining acid pasting or acid pasting and the above-described dry pulverization or wet pulverization. The acid used for acid pasting is preferably sulfuric acid, having a concentration of 70% to 100%, preferably 95% to 100%, and a dissolution temperature of −20 ° C. to 100 ° C., preferably 0 It is set in the range of not less than 60 ° C and not more than 60 ° C. The amount of concentrated sulfuric acid is set in the range of 1 to 100 times, preferably 3 to 50 times the mass of the pigment crystal. As a solvent to be precipitated, water or a mixed solvent of water and an organic solvent is used in an arbitrary amount. The temperature for precipitation is not particularly limited, but it is desirable to cool with ice or the like in order to prevent heat generation.
電荷発生層に用いる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択される。ポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシランなどの有機光導電性ポリマーから選択してもよい。
望ましい結着樹脂としては、ポリビニルアセタール樹脂、ポリアリレート樹脂(ビスフェノールAとフタル酸の重縮合体等)、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等の絶縁性樹脂が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの結着樹脂は単独あるいは2種以上混合して用いてもよい。これらの中で特にポリビニルアセタール樹脂が望ましく用いられる。
また、電荷発生物質と結着樹脂との配合比(質量比)は、10:1乃至1:10の範囲が望ましい。
The binder resin used for the charge generation layer is selected from a wide range of insulating resins. You may select from organic photoconductive polymers, such as poly-N-vinyl carbazole, polyvinyl anthracene, polyvinyl pyrene, polysilane.
Desirable binder resins include polyvinyl acetal resin, polyarylate resin (polycondensate of bisphenol A and phthalic acid, etc.), polycarbonate resin, polyester resin, phenoxy resin, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, polyamide resin, acrylic resin. Insulating resins such as polyacrylamide resin, polyvinyl pyridine resin, cellulose resin, urethane resin, epoxy resin, casein, polyvinyl alcohol resin, polyvinyl pyrrolidone resin are not limited thereto. These binder resins may be used alone or in combination of two or more. Of these, polyvinyl acetal resin is particularly preferably used.
In addition, the blending ratio (mass ratio) of the charge generation material and the binder resin is preferably in the range of 10: 1 to 1:10.
塗布液を調整するための溶媒としては公知の有機溶剤、例えばアルコール系、芳香族系、ハロゲン化炭化水素系、ケトン系、ケトンアルコール系、エーテル系、エステル系等から選択してもよい。例えば、メタノール、エタノール、n−プロパノール、iso−プロパノール、n−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸n−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロルベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が用いられる。
分散に用いる溶剤は単独あるいは2種以上混合して用いてもよい。混合する際、使用される溶剤としては、混合溶剤として結着樹脂を溶かす溶剤であれば、いかなるものでも使用してもよい。
The solvent for adjusting the coating solution may be selected from known organic solvents such as alcohols, aromatics, halogenated hydrocarbons, ketones, ketone alcohols, ethers and esters. For example, methanol, ethanol, n-propanol, iso-propanol, n-butanol, benzyl alcohol, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, methyl acetate, ethyl acetate, n-butyl acetate, dioxane, tetrahydrofuran, Usual organic solvents such as methylene chloride, chloroform, chlorobenzene and toluene are used.
You may use the solvent used for dispersion | distribution individually or in mixture of 2 or more types. When mixing, any solvent may be used as long as it dissolves the binder resin as a mixed solvent.
分散方法としては、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカーなどの方法が用いられる。
分散の際、粒子を0.5μm以下、望ましくは0.3μm以下、さらに望ましくは0.15μm以下の粒子サイズにすることが有効である。
As a dispersion method, methods such as a roll mill, a ball mill, a vibration ball mill, an attritor, a sand mill, a colloid mill, and a paint shaker are used.
When dispersing, it is effective that the particles have a particle size of 0.5 μm or less, desirably 0.3 μm or less, and more desirably 0.15 μm or less.
電荷発生層形成用塗布液には、種々の添加剤を添加してもよい。添加剤としては、クロラニル、ブロモアニル、アントラキノン等のキノン系化合物、テトラシアノキノジメタン系化合物、2,4,7−トリニトロフルオレノン、2,4,5,7−テトラニトロ−9−フルオレノン等のフルオレノン化合物、2−(4−ビフェニル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾールや2,5−ビス(4−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(4−ジエチルアミノフェニル)1,3,4オキサジアゾールなどのオキサジアゾール系化合物、キサントン系化合物、チオフェン化合物、3,3’,5,5’テトラ−t−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物などの電子輸送性物質、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が用いられる。 Various additives may be added to the coating solution for forming the charge generation layer. Additives include quinone compounds such as chloranil, bromoanil and anthraquinone, tetracyanoquinodimethane compounds, fluorenones such as 2,4,7-trinitrofluorenone and 2,4,5,7-tetranitro-9-fluorenone Compounds, 2- (4-biphenyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole and 2,5-bis (4-naphthyl) -1,3,4-oxadi Azoles, oxadiazole compounds such as 2,5-bis (4-diethylaminophenyl) 1,3,4 oxadiazole, xanthone compounds, thiophene compounds, 3,3 ′, 5,5 ′ tetra-t-butyl Electron transporting substances such as diphenoquinone compounds such as diphenoquinone, electron transporting pigments such as polycyclic condensation systems and azo systems, zirconium chelate compounds, tita Umukireto compounds, aluminum chelate compounds, titanium alkoxide compounds, organic titanium compounds, known materials such as a silane coupling agent is used.
シランカップリング剤の例としてはビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピル−トリス(β−メトキシエトキシ)シラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β−(アミノエチル)−γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N,N−ビス(β−ヒドロキシエチル)−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロルプロピルトリメトキシシランなどである。 Examples of silane coupling agents include vinyltrimethoxysilane, γ-methacryloxypropyl-tris (β-methoxyethoxy) silane, β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltri Methoxysilane, vinyltriacetoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N-β- (aminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β- (aminoethyl)- γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, N, N-bis (β-hydroxyethyl) -γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-chloropropyltrimethoxysilane, and the like.
ジルコニウムキレート化合物の例として、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシドなどが挙げられる。 Examples of zirconium chelate compounds include zirconium butoxide, zirconium zirconium acetoacetate, zirconium triethanolamine, acetylacetonate zirconium butoxide, ethyl acetoacetate butoxide, zirconium acetate, zirconium oxalate, zirconium lactate, zirconium phosphonate, zirconium octoate, naphthene. Zirconate, zirconium laurate, zirconium stearate, zirconium isostearate, methacrylate zirconium butoxide, stearate zirconium butoxide, isostearate zirconium butoxide and the like.
チタニウムキレート化合物の例としては、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ(2−エチルヘキシル)チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレートなどが挙げられる。 Examples of titanium chelate compounds include tetraisopropyl titanate, tetranormal butyl titanate, butyl titanate dimer, tetra (2-ethylhexyl) titanate, titanium acetylacetonate, polytitanium acetylacetonate, titanium octylene glycolate, titanium lactate ammonium salt , Titanium lactate, titanium lactate ethyl ester, titanium triethanolamate, polyhydroxy titanium stearate and the like.
アルミニウムキレート化合物の例としてはアルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス(エチルアセトアセテート)などが挙げられる。
これらの化合物は単独にあるいは複数の化合物の混合物あるいは重縮合物として用いられる。
Examples of the aluminum chelate compound include aluminum isopropylate, monobutoxy aluminum diisopropylate, aluminum butyrate, diethyl acetoacetate aluminum diisopropylate, aluminum tris (ethyl acetoacetate) and the like.
These compounds are used alone or as a mixture or polycondensate of a plurality of compounds.
電荷発生層を設ける際に用いる塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
電荷発生層の厚みは、望ましくは0.01μm以上5μm以下、より望ましくは0.05μm以上2.0μm以下の範囲に設定される。
As a coating method used when providing the charge generation layer, a usual method such as a blade coating method, a wire bar coating method, a spray coating method, a dip coating method, a bead coating method, an air knife coating method, a curtain coating method, or the like is used. .
The thickness of the charge generation layer is desirably set in the range of 0.01 μm to 5 μm, more desirably 0.05 μm to 2.0 μm.
(電荷輸送層)
電荷輸送層に含有される電荷輸送物質としては、公知のものならいかなるものを使用してよいが、下記に示すものが例示される。2,5−ビス(p−ジエチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾールなどのオキサジアゾール誘導体、1,3,5−トリフェニル−ピラゾリン、1−[ピリジル−(2)]−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノスチリル)ピラゾリンなどのピラゾリン誘導体、トリフェニルアミン、トリ(P−メチル)フェニルアミン、N,N’−ビス(3,4−ジメチルフェニル)ビフェニル−4−アミン、ジベンジルアニリン、9,9−ジメチル−N,N’−ジ(p−トリル)フルオレノン−2−アミンなどの芳香族第3級アミノ化合物、N,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−[1,1−ビフェニル]−4,4’−ジアミンなどの芳香族第3級ジアミノ化合物、3−(4’ジメチルアミノフェニル)−5,6−ジ−(4’−メトキシフェニル)−1,2,4−トリアジンなどの1,2,4−トリアジン誘導体、4−ジエチルアミノベンズアルデヒド−1,1−ジフェニルヒドラゾン、4−ジフェニルアミノベンズアルデヒド−1,1−ジフェニルヒドラゾン、[p−(ジエチルアミノ)フェニル](1−ナフチル)フェニルヒドラゾンなどのヒドラゾン誘導体、2−フェニル−4−スチリル−キナゾリンなどのキナゾリン誘導体、6−ヒドロキシ−2,3−ジ(p−メトキシフェニル)−ベンゾフランなどのベンゾフラン誘導体、p−(2,2−ジフェニルビニル)−N,N’−ジフェニルアニリンなどのα−スチルベン誘導体、エナミン誘導体、N−エチルカルバゾールなどのカルバゾール誘導体、ポリ−N−ビニルカルバゾールおよびその誘導体などの正孔輸送物質、クロラニル、ブロモアニル、アントラキノン等のキノン系化合物、テトラシアノキノジメタン系化合物、2,4,7−トリニトロフルオレノン、2,4,5,7−テトラニトロ−9−フルオレノン等のフルオレノン化合物、2−(4−ビフェニル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾールや2,5−ビス(4−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(4−ジエチルアミノフェニル)1,3,4オキサジアゾールなどのオキサジアゾール系化合物、キサントン系化合物、チオフェン化合物、3,3’,5,5’テトラ−t−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物などの電子輸送物質、あるいは以上に示した化合物に由来する基を主鎖または側鎖に有する重合体などがあげられる。これらの電荷輸送材料は、1種または2種以上を組み合せて使用される。
(Charge transport layer)
As a charge transport material contained in the charge transport layer, any known material may be used, but the following are exemplified. Oxadiazole derivatives such as 2,5-bis (p-diethylaminophenyl) -1,3,4-oxadiazole, 1,3,5-triphenyl-pyrazoline, 1- [pyridyl- (2)]-3 Pyrazoline derivatives such as-(p-diethylaminostyryl) -5- (p-diethylaminostyryl) pyrazoline, triphenylamine, tri (P-methyl) phenylamine, N, N'-bis (3,4-dimethylphenyl) biphenyl Aromatic tertiary amino compounds such as -4-amine, dibenzylaniline, 9,9-dimethyl-N, N′-di (p-tolyl) fluoren-2-amine, N, N′-diphenyl-N, Aromatic tertiary diamino compounds such as N′-bis (3-methylphenyl)-[1,1-biphenyl] -4,4′-diamine, 3- (4′dimethylaminophen L) -5,6-di- (4′-methoxyphenyl) -1,2,4-triazine, 1,2,4-triazine derivatives, 4-diethylaminobenzaldehyde-1,1-diphenylhydrazone, 4-diphenyl Hydrazone derivatives such as aminobenzaldehyde-1,1-diphenylhydrazone, [p- (diethylamino) phenyl] (1-naphthyl) phenylhydrazone, quinazoline derivatives such as 2-phenyl-4-styryl-quinazoline, 6-hydroxy-2, Benzofuran derivatives such as 3-di (p-methoxyphenyl) -benzofuran, α-stilbene derivatives such as p- (2,2-diphenylvinyl) -N, N′-diphenylaniline, enamine derivatives, N-ethylcarbazole, etc. Carbazole derivatives, poly-N-vinylcarbazole and Hole transport materials such as derivatives thereof, quinone compounds such as chloranil, bromoanil and anthraquinone, tetracyanoquinodimethane compounds, 2,4,7-trinitrofluorenone, 2,4,5,7-tetranitro-9- Fluorenone compounds such as fluorenone, 2- (4-biphenyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole and 2,5-bis (4-naphthyl) -1,3 Oxadiazole compounds such as 4-oxadiazole, 2,5-bis (4-diethylaminophenyl) 1,3,4 oxadiazole, xanthone compounds, thiophene compounds, 3,3 ′, 5,5′tetra -A group derived from an electron transporting material such as a diphenoquinone compound such as t-butyldiphenoquinone or a compound derived from the above-described compounds is present in the main chain or side chain. And the like. These charge transport materials are used alone or in combination of two or more.
電荷輸送層の結着樹脂は公知のものを使用してよいが、例えば、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体、シリコン樹脂。シリコン−アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹脂、ポリ−N―カルバゾール、ポリビニルブチラール、ポリビニルフォルマール、ポリスルホン、カゼイン、ゼラチン、ポリビニルアルコール、エチルセルロース、フェノール樹脂、ポリアミド、カルボキシ−メチルセルロース、塩化ビニリデン系ポリマーワックス、ポリウレタン等があげられるが、これらに限定されるものではない。 As the binder resin for the charge transport layer, known resins may be used. For example, polycarbonate resin, polyester resin, methacrylic resin, acrylic resin, polyvinyl chloride resin, polyvinylidene chloride resin, polystyrene resin, polyvinyl acetate resin, styrene -Butadiene copolymer, vinylidene chloride-acrylonitrile copolymer, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, vinyl chloride-vinyl acetate-maleic anhydride copolymer, silicone resin. Silicon-alkyd resin, phenol-formaldehyde resin, styrene-alkyd resin, poly-N-carbazole, polyvinyl butyral, polyvinyl formal, polysulfone, casein, gelatin, polyvinyl alcohol, ethyl cellulose, phenol resin, polyamide, carboxy-methyl cellulose, vinylidene chloride Examples thereof include, but are not limited to, polymer wax and polyurethane.
これらの結着樹脂は、単独または2種類以上混合して用いられるが、特にポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂が望ましく用いられる。
結着樹脂と電荷輸送物質との配合比(質量比)は、10:1乃至1:5が好ましい。
These binder resins may be used alone or in combination of two or more, and in particular, polycarbonate resins, polyester resins, methacrylic resins, and acrylic resins are preferably used.
The blending ratio (mass ratio) of the binder resin and the charge transport material is preferably 10: 1 to 1: 5.
電荷輸送層の厚みは5μm以上50μm以下が望ましく、更には10μm以上35μm以下が望ましい。
電荷輸送層を設ける際に用いる塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。塗布に用いる溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロルベンゼン等の芳香族炭化水素類、アセトン、2−ブタノン等のケトン類、塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロンゲン化脂肪族炭化水素類、テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状もしくは直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が、単独あるいは2種以上混合して用いられる。
The thickness of the charge transport layer is preferably 5 μm or more and 50 μm or less, and more preferably 10 μm or more and 35 μm or less.
As a coating method used when the charge transport layer is provided, usual methods such as a blade coating method, a wire bar coating method, a spray coating method, a dip coating method, a bead coating method, an air knife coating method, and a curtain coating method are used. . Solvents used for coating include aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene, xylene and chlorobenzene, ketones such as acetone and 2-butanone, and halogenated aliphatic hydrocarbons such as methylene chloride, chloroform and ethylene chloride, Usual organic solvents such as cyclic or linear ethers such as tetrahydrofuran and ethyl ether are used singly or in admixture of two or more.
さらに、本実施形態の電子写真感光体には、感光層中に酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤などの添加剤を添加してもよい。
たとえば、酸化防止剤としてはヒンダードフェノール、ヒンダードアミン、パラフェニレンジアミン、アリールアルカン、ハイドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノンおよびそれらの誘導体、有機硫黄化合物、有機燐化合物などが挙げられる。
Furthermore, an additive such as an antioxidant, a light stabilizer, and a heat stabilizer may be added to the photosensitive layer in the electrophotographic photoreceptor of this embodiment.
Examples of the antioxidant include hindered phenol, hindered amine, paraphenylenediamine, arylalkane, hydroquinone, spirochroman, spiroidanone and their derivatives, organic sulfur compounds, and organic phosphorus compounds.
酸化防止剤の具体的な化合物例として、フェノール系酸化防止剤では2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノール、スチレン化フェノール、n−オクタデシル−3−(3’,5’−ジ−t−ブチル−4’−ヒドロキシフェニル)−プロピオネート、2,2’−メチレン−ビス−(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、2−t−ブチル−6−(3’−t−ブチル−5’−メチル−2’−ヒドロキシベンジル)−4−メチルフェニルアクリレート、4,4’−ブチリデン−ビス−(3−メチル−6−t−ブチル−フェノール)、4,4’−チオ−ビス−(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、1,3,5−トリス(4−t−ブチル−3−ヒドロキシ−2,6−ジメチルベンジル)イソシアヌレート、テトラキス−[メチレン−3−(3’,5’−ジ−t−ブチル−4’−ヒドロキシ−フェニル)プロピオネート]−メタン、3,9−ビス[2−[3−(3−t−ブチル−4−ヒドロキシ−5−メチルフェニル)プロピオニルオキシ]−1,1−ジメチルエチル]−2,4,8,10−テトラオキサスピロ[5,5]ウンデカンなどが挙げられる。ヒンダードアミン系化合物ではビス(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)セバケート、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)セバケート、1−[2−[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシ]エチル]−4−[3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシ]−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、8−ベンジル−7,7,9,9−テトラメチル−3−オクチル−1,3,8−トリアザスピロ[4,5]ウンデカン−2,4−ジオン、4−ベンゾイルオキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン、コハク酸ジメチル−1−(2−ヒドロキシエチル)−4−ヒドロキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン重縮合物、ポリ[{6−(1,1,3,3−テトラメチルブチル)イミノ−1,3,5−トリアジン−2,4−ジイミル}{(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)イミノ}ヘキサメチレン{(2,3,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)イミノ}]、2−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)−2−n−ブチルマロン酸ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)、N,N’−ビス(3−アミノプロピル)エチレンジアミン−2,4−ビス[N−ブチル−N−(1,2,2,6,6,−ペンタメチル−4ピペリジル)アミノ]−6−クロロ−1,3,5−トリアジン縮合物などが挙げられる。有機イオウ系酸化防止剤としてジラウリル−3,3’−チオジプロピオネート、ジミリスチル−3,3’−チオジプロピオネート、ジステアリル−3,3’−チオジプロピオネート、ペンタエリスリトール−テトラキス−(β−ラウリル−チオプロピオネート)、ジトリデシル−3,3’−チオジプロピオネート、2−メルカプトベンズイミダゾールなどが挙げられる。有機燐系酸化防止剤としてトリスノニルフェニルフォスフィート、トリフェニルフォスフィート、トリス(2,4−ジ−t−ブチルフェニル)−フォスフィートなどが挙げられる。
有機硫黄系および有機燐系酸化防止剤は2次酸化防止剤と言われ、フェノール系あるいはアミン系などの1次酸化防止剤と併用することにより相乗効果が得られる。
Specific examples of antioxidants include phenolic antioxidants such as 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol, styrenated phenol, n-octadecyl-3- (3 ′, 5′-di -T-butyl-4'-hydroxyphenyl) -propionate, 2,2'-methylene-bis- (4-methyl-6-t-butylphenol), 2-t-butyl-6- (3'-t-butyl) -5'-methyl-2'-hydroxybenzyl) -4-methylphenyl acrylate, 4,4'-butylidene-bis- (3-methyl-6-tert-butyl-phenol), 4,4'-thio-bis -(3-methyl-6-tert-butylphenol), 1,3,5-tris (4-tert-butyl-3-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl) isocyanurate, tetrakis- [methylene-3- (3 ', 5' Di-tert-butyl-4′-hydroxy-phenyl) propionate] -methane, 3,9-bis [2- [3- (3-tert-butyl-4-hydroxy-5-methylphenyl) propionyloxy] -1 , 1-dimethylethyl] -2,4,8,10-tetraoxaspiro [5,5] undecane. Among hindered amine compounds, bis (2,2,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) sebacate, bis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl) sebacate, 1- [2- [3 -(3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionyloxy] ethyl] -4- [3- (3,5-di-tert-butyl-4-hydroxyphenyl) propionyloxy] -2, 2,6,6-tetramethylpiperidine, 8-benzyl-7,7,9,9-tetramethyl-3-octyl-1,3,8-triazaspiro [4,5] undecane-2,4-dione, 4, -Benzoyloxy-2,2,6,6-tetramethylpiperidine, dimethyl-1- (2-hydroxyethyl) -4-hydroxy-2,2,6,6-tetramethylpiperidine heavy succinate Compound, poly [{6- (1,1,3,3-tetramethylbutyl) imino-1,3,5-triazine-2,4-diimyl} {(2,2,6,6-tetramethyl- 4-piperidyl) imino} hexamethylene {(2,3,6,6-tetramethyl-4-piperidyl) imino}], 2- (3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl) -2- n-Butylmalonate bis (1,2,2,6,6-pentamethyl-4-piperidyl), N, N′-bis (3-aminopropyl) ethylenediamine-2,4-bis [N-butyl-N— (1,2,2,6,6, -pentamethyl-4piperidyl) amino] -6-chloro-1,3,5-triazine condensate and the like. Dilauryl-3,3′-thiodipropionate, dimyristyl-3,3′-thiodipropionate, distearyl-3,3′-thiodipropionate, pentaerythritol-tetrakis- ( β-lauryl-thiopropionate), ditridecyl-3,3′-thiodipropionate, 2-mercaptobenzimidazole and the like. Examples of the organophosphorus antioxidant include trisnonylphenyl phosfte, triphenyl phosfte, tris (2,4-di-t-butylphenyl) -phosfte, and the like.
Organic sulfur-based and organic phosphorus-based antioxidants are referred to as secondary antioxidants, and a synergistic effect is obtained by using them together with primary antioxidants such as phenolic or amine-based antioxidants.
光安定剤としては、ベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、ジチオカルバメート系、テトラメチルピペリジン系などの誘導体が挙げられる。
ベンゾフェノン系光安定剤として2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン、2−ヒドロキシ−4−オクトキシベンゾフェノン、2,2’−ジ−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノンなどが挙げられる。ベンゾトリアゾール系系光安定剤として2−(−2’−ヒドロキシ−5’メチルフェニル−)−ベンゾトリアゾール、2−[2’−ヒドロキシ−3’−(3’’,4’’,5’’,6’’−テトラ−ヒドロフタルイミド−メチル)−5’−メチルフェニル]−ベンゾトリアゾール、2−(−2’−ヒドロキシ−3’−t−ブチル−5’−メチルフェニル−)−5−クロロベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−3’−t−ブチル−5’−メチルフェニル−)−5−クロロベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−3’,5’−t−ブチルフェニル−)−ベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−5’−t−オクチルフェニル)−ベンゾトリアゾール、2−(2’−ヒドロキシ−3’,5’−ジ−t−アミルフェニル−)−ベンゾトリアゾールなどが挙げられる。その他の化合物として2,4,ジ−t−ブチルフェニル−3’,5’−ジ−t−ブチル−4’−ヒドロキシベンゾエート、ニッケルジブチル−ジチオカルバメートなどがある。
Examples of the light stabilizer include benzophenone, benzotriazole, dithiocarbamate, and tetramethylpiperidine derivatives.
Examples of the benzophenone light stabilizer include 2-hydroxy-4-methoxybenzophenone, 2-hydroxy-4-octoxybenzophenone, and 2,2′-di-hydroxy-4-methoxybenzophenone. As a benzotriazole-based light stabilizer, 2-(-2′-hydroxy-5′methylphenyl-)-benzotriazole, 2- [2′-hydroxy-3 ′-(3 ″, 4 ″, 5 ″) , 6 ″ -tetra-hydrophthalimido-methyl) -5′-methylphenyl] -benzotriazole, 2-(-2′-hydroxy-3′-t-butyl-5′-methylphenyl-)-5-chloro Benzotriazole, 2- (2′-hydroxy-3′-t-butyl-5′-methylphenyl-)-5-chlorobenzotriazole, 2- (2′-hydroxy-3 ′, 5′-t-butylphenyl) -)-Benzotriazole, 2- (2'-hydroxy-5'-t-octylphenyl) -benzotriazole, 2- (2'-hydroxy-3 ', 5'-di-t-amylphenyl-)-benzo Triazole etc. are mentioned Other compounds include 2,4, di-t-butylphenyl-3 ′, 5′-di-t-butyl-4′-hydroxybenzoate, nickel dibutyl-dithiocarbamate, and the like.
また、少なくとも1種の電子受容性物質を含有せしめてもよい。本実施形態の感光体に使用される電子受容性物質としては、例えば無水琥珀酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレイン酸、無水フタル酸、テトラブロム無水フタル酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、o−ジニトロベンゼン、m−ジニトロベンゼン、クロラニル、ジニトロアントラキノン、トリニトロフルオレノン、ピクリン酸、o−ニトロ安息香酸、p−ニトロ安息香酸、フタル酸などが挙げられる。これらのうち、フルオレノン系、キノン系や、Cl、CN、NO2等の電子吸引性置換基を有するベンゼン誘導体が特によい。 Further, at least one kind of electron accepting substance may be contained. Examples of the electron-accepting substance used in the photoconductor of this embodiment include succinic anhydride, maleic anhydride, dibromomaleic anhydride, phthalic anhydride, tetrabromophthalic anhydride, tetracyanoethylene, tetracyanoquinodimethane, Examples include o-dinitrobenzene, m-dinitrobenzene, chloranil, dinitroanthraquinone, trinitrofluorenone, picric acid, o-nitrobenzoic acid, p-nitrobenzoic acid, and phthalic acid. Of these, fluorenone-based, quinone-based, and benzene derivatives having electron-withdrawing substituents such as Cl, CN, NO 2 are particularly preferable.
また、塗布液にはレベリング剤としてシリコーンオイルを添加してもよい。 Moreover, you may add a silicone oil as a leveling agent to a coating liquid.
(保護層)
本実施形態の電子写真感光体は、感光層上に保護層5を設けてもよい。この保護層は、積層構造からなる感光体では帯電時の電荷輸送層の化学的変化を防止したり、感光層の機械的強度をさらに改善する為に設けられる。保護層としては公知の保護層が用いられる。
(Protective layer)
In the electrophotographic photoreceptor of this embodiment, the protective layer 5 may be provided on the photosensitive layer. This protective layer is provided to prevent chemical change of the charge transport layer during charging or to further improve the mechanical strength of the photosensitive layer in a photoreceptor having a laminated structure. A known protective layer is used as the protective layer.
保護層の厚みは1μm以上20μm以下が望ましく、更には2μm以上10μm以下が望ましい。
保護層を設ける際に用いる塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。
塗布に用いる溶剤としては、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロルベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤を単独あるいは2種以上混合して用いてよいが、下層を溶解しにくい溶剤を用いることが望ましい。
The thickness of the protective layer is preferably 1 μm or more and 20 μm or less, and more preferably 2 μm or more and 10 μm or less.
As a coating method used when the protective layer is provided, usual methods such as a blade coating method, a wire bar coating method, a spray coating method, a dip coating method, a bead coating method, an air knife coating method, and a curtain coating method are used.
As a solvent used for coating, ordinary organic solvents such as dioxane, tetrahydrofuran, methylene chloride, chloroform, chlorobenzene, toluene and the like may be used singly or as a mixture of two or more, but a solvent which does not dissolve the lower layer is used. desirable.
本実施形態に係る感光体は、近赤外光もしくは可視光に発光するレーザービームプリンター、デイジタル複写機、LEDプリンター、レーザーファクシミリなどの画像形成装置に好適に用いられる。
また、本実施形態に係る感光体は、一成分系、二成分系の正規現像剤あるいは反転現像剤とも合わせて用いられる。
The photoconductor according to the present embodiment is suitably used for an image forming apparatus such as a laser beam printer, a digital copying machine, an LED printer, or a laser facsimile that emits near-infrared light or visible light.
The photoreceptor according to the exemplary embodiment is used in combination with a one-component or two-component regular developer or reversal developer.
<画像形成装置>
次に、本実施形態の画像形成装置について説明する。
図7は本実施形態の画像形成装置の一例を示す概略構成図である。図7に示す画像形成装置100は、回転し得るよう設けられた本実施形態のドラム状(円筒状)の電子写真感光体7を備えている。電子写真感光体7の周囲には、電子写真感光体7の外周面の移動方向に沿って、帯電装置8、露光装置10、現像装置11、転写装置12、クリーニング装置13および除電装置(イレーズ装置)14がこの順で配置されている。
尚、コスト低減の観点から、除電装置14を有しない態様としてもよい。
<Image forming apparatus>
Next, the image forming apparatus of this embodiment will be described.
FIG. 7 is a schematic configuration diagram illustrating an example of the image forming apparatus according to the present exemplary embodiment. The image forming apparatus 100 shown in FIG. 7 includes the drum-shaped (cylindrical) electrophotographic photosensitive member 7 of the present embodiment provided so as to be rotatable. Around the electrophotographic photoreceptor 7, along the movement direction of the outer peripheral surface of the electrophotographic photoreceptor 7, a charging device 8, an exposure device 10, a developing device 11, a transfer device 12, a cleaning device 13, and a charge eliminating device (erase device). 14) are arranged in this order.
In addition, it is good also as an aspect which does not have the static elimination apparatus 14 from a viewpoint of cost reduction.
・帯電装置
帯電装置8は、コロナ帯電方式の帯電装置であり、電子写真感光体7を帯電させる。帯電装置8は、電源9に接続されている。帯電装置8としては、例えば、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器が挙げられる。
Charging device The charging device 8 is a corona charging type charging device and charges the electrophotographic photosensitive member 7. The charging device 8 is connected to a power source 9. Examples of the charging device 8 include a non-contact type roller charger, a scorotron charger using corona discharge, and a corotron charger.
また、例えば、導電性の帯電ローラ、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触型帯電器等のそれ自体公知の帯電器も用いられる。
ここで、図8は本実施形態の電子写真感光体を用いた接触帯電型方式の画像形成装置の一例を示す概略図である。
上記接触帯電用部材は、感光体表面に接触するように配置され、電圧を感光体に直接印加し、感光体表面を予め定めた電位に帯電させるものである。この接触帯電用部材にはアルミニウム、鉄、銅などの金属、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリチオフェンなどの導電性高分子材料、ポリウレタンゴム、シリコーンゴム、エピクロロヒドリンゴム、エチレンプロピレンゴム、アクリルゴム、フッソゴム、スチレン−ブタジエンゴム、ブタジエンゴム等のエラストマー材料にカーボンブラック、沃化銅、沃化銀、硫化亜鉛、炭化けい素、金属酸化物などの金属酸化物粒子を分散したものなどが用いられる。
Further, for example, a well-known charger such as a contact charger using a conductive charging roller, a charging brush, a charging film, a charging rubber blade, a charging tube or the like may be used.
Here, FIG. 8 is a schematic view showing an example of a contact charging type image forming apparatus using the electrophotographic photosensitive member of the present embodiment.
The contact charging member is disposed so as to be in contact with the surface of the photoconductor, and applies a voltage directly to the photoconductor to charge the surface of the photoconductor to a predetermined potential. This contact charging member includes metals such as aluminum, iron and copper, conductive polymer materials such as polyacetylene, polypyrrole and polythiophene, polyurethane rubber, silicone rubber, epichlorohydrin rubber, ethylene propylene rubber, acrylic rubber, fluorine rubber, styrene A material obtained by dispersing metal oxide particles such as carbon black, copper iodide, silver iodide, zinc sulfide, silicon carbide, and metal oxide in an elastomer material such as butadiene rubber or butadiene rubber is used.
接触帯電用部材に用いる金属酸化物の例としてはZ2O、SnO2、TiO2、In2O3、MoO3等、あるいはこれらの複合酸化物があげられる。また、エラストマー材料中に過塩素酸塩を含有させて導電性を付与してもよい。 Examples of the metal oxide used for the contact charging member include Z 2 O, SnO 2 , TiO 2 , In 2 O 3 , MoO 3 , or a composite oxide thereof. Moreover, perchlorate may be included in the elastomer material to impart conductivity.
更に、表面に被覆層を設けることもよい。この被覆層を形成する材料としては、N−アルコキシメチル化ナイロン、セルロース樹脂、ビニルピリジン樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン、ポリビニルブチラール、メラミン等が単独あるいは併用して用いられる。
また、エマルジョン樹脂系材料、たとえば、アクリル樹脂エマルジョン、ポリエステル樹脂エマルジョン、ポリウレタン、特にソープフリーのエマルジョン重合により合成されたエマルジョン樹脂を用いてもよい。これらの樹脂にはさらに抵抗率を調整するために、導電剤粒子を分散してもよいし、酸化防止剤を含有させてもよい。また、エマルジョン樹脂にレベリング剤や界面活性剤を含有させてもよい。
Furthermore, a coating layer may be provided on the surface. As a material for forming this coating layer, N-alkoxymethylated nylon, cellulose resin, vinyl pyridine resin, phenol resin, polyurethane, polyvinyl butyral, melamine and the like are used alone or in combination.
Further, an emulsion resin material, for example, an acrylic resin emulsion, a polyester resin emulsion, a polyurethane, particularly an emulsion resin synthesized by soap-free emulsion polymerization may be used. In these resins, in order to further adjust the resistivity, conductive agent particles may be dispersed or an antioxidant may be contained. Further, the emulsion resin may contain a leveling agent or a surfactant.
接触帯電用部材の形状としては、ローラー型、ブレード型、ベルト型、ブラシ型などがあげられる。接触帯電用部材の抵抗は、望ましくは102Ωcm以上1012Ωcm以下、さらに望ましくは103Ωcm以上108Ωcm以下の範囲がよい。また、この接触帯電用部材への印加電圧は、直流、または、直流+交流の形で印加してもよい。 Examples of the shape of the contact charging member include a roller type, a blade type, a belt type, and a brush type. The resistance of the contact charging member is desirably 10 2 Ωcm or more and 10 12 Ωcm or less, more desirably 10 3 Ωcm or more and 10 8 Ωcm or less. The voltage applied to the contact charging member may be applied in the form of direct current or direct current + alternating current.
・露光装置
露光装置10は、帯電した電子写真感光体7を露光して電子写真感光体7上に静電潜像を形成する。露光装置10としては、例えば、電子写真感光体7の表面に、半導体レーザ光、LED光、液晶シャッタ光等の光を、像様に露光する光学系機器等が挙げられる。光源の波長は電子写真感光体7の分光感度領域にあるものがよい。半導体レーザーの波長としては、例えば、780nm前後に発振波長を有する近赤外がよいが、この波長に限定されず、600nm台の発振波長レーザーや青色レーザーとして400nm以上450nm以下に発振波長を有するレーザーも利用してもよい。また、露光装置10としては、例えばカラー画像形成のためにはマルチビーム出力するタイプの面発光型のレーザー光源も有効である。
Exposure Device The exposure device 10 exposes the charged electrophotographic photosensitive member 7 to form an electrostatic latent image on the electrophotographic photosensitive member 7. Examples of the exposure apparatus 10 include optical system devices that expose the surface of the electrophotographic photoreceptor 7 with light such as semiconductor laser light, LED light, and liquid crystal shutter light imagewise. The wavelength of the light source is preferably in the spectral sensitivity region of the electrophotographic photoreceptor 7. The wavelength of the semiconductor laser is preferably, for example, near infrared having an oscillation wavelength of around 780 nm, but is not limited to this wavelength, and a laser having an oscillation wavelength in the range of 600 nm or a blue laser having an oscillation wavelength of 400 nm to 450 nm. May also be used. Further, as the exposure apparatus 10, for example, a surface emitting laser light source of a multi-beam output type is also effective for color image formation.
・現像装置
現像装置11は、静電潜像を現像剤により現像してトナー像を形成する。現像剤は、重合法により得られる体積平均粒子径3μm以上9μm以下のトナー粒子を含有することが望ましい。現像装置11は、例えば、トナーおよびキャリアからなる2成分現像剤を収容する容器内に、現像領域で電子写真感光体7に対向して配置された現像ロールが備えられた構成が挙げられる。
Developing device The developing device 11 develops the electrostatic latent image with a developer to form a toner image. The developer preferably contains toner particles having a volume average particle diameter of 3 μm or more and 9 μm or less obtained by a polymerization method. An example of the developing device 11 is a configuration in which a developing roll disposed in the developing region facing the electrophotographic photosensitive member 7 is provided in a container that contains a two-component developer composed of toner and carrier.
・転写装置
転写装置12は、電子写真感光体7上に現像されたトナー像を被転写媒体に転写する。転写装置12としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の転写帯電器が挙げられる。
Transfer Device The transfer device 12 transfers the toner image developed on the electrophotographic photosensitive member 7 to a transfer medium. Examples of the transfer device 12 include known transfer chargers such as a contact transfer charger using a belt, a roller, a film, a rubber blade, a scorotron transfer charger using a corona discharge, and a corotron transfer charger. Can be mentioned.
・クリーング装置
クリーニング装置13は、転写後の電子写真感光体7上に残存するトナーを除去する。クリーニング装置13は、電子写真感光体7に対して線圧10g/cm以上150g/cm以下で接するブレード部材を有することが望ましい。クリーニング装置13は、例えば、筐体と、クリーニングブレードと、クリーニングブレードの電子写真感光体7回転方向下流側に配置されるクリーニングブラシと、を含んで構成される。また、クリーニングブラシには、例えば、固形状の潤滑剤が接触して配置される。
Cleaning device The cleaning device 13 removes toner remaining on the electrophotographic photosensitive member 7 after transfer. The cleaning device 13 preferably has a blade member that contacts the electrophotographic photoreceptor 7 at a linear pressure of 10 g / cm to 150 g / cm. The cleaning device 13 includes, for example, a housing, a cleaning blade, and a cleaning brush disposed on the downstream side of the cleaning blade in the rotation direction of the electrophotographic photosensitive member 7. In addition, for example, a solid lubricant is disposed in contact with the cleaning brush.
・除電装置
除電装置(イレーズ装置)14は、トナー像を転写した後の電子写真感光体7の表面に除電光を照射して、電子写真感光体の表面に残留する電位を除電する。除電装置14は、例えば、電子写真感光体7の軸方向幅方向全域にわたって除電光を照射して、電子写真感光体7の表面に生じた露光装置10による露光部と非露光部との電位差を除去する。なお、除電装置14が設けられていない態様であってもよい。
-Neutralizing Device The neutralizing device (erasing device) 14 irradiates the surface of the electrophotographic photosensitive member 7 after transferring the toner image with static eliminating light to neutralize the potential remaining on the surface of the electrophotographic photosensitive member. For example, the static eliminator 14 irradiates static electricity over the entire width in the axial direction of the electrophotographic photosensitive member 7, and determines the potential difference between the exposed portion and the non-exposed portion by the exposure device 10 generated on the surface of the electrophotographic photosensitive member 7. Remove. In addition, the aspect in which the static elimination apparatus 14 is not provided may be sufficient.
・定着装置
画像形成装置100は、転写工程後の被転写媒体にトナー像を定着させる定着装置15を備えている。定着装置としては、特に制限はなく、それ自体公知の定着器、例えば熱ローラ定着器、オーブン定着器等が挙げられる。
Fixing Device The image forming apparatus 100 includes a fixing device 15 that fixes the toner image on the transfer medium after the transfer process. The fixing device is not particularly limited, and examples thereof include known fixing devices such as a heat roller fixing device and an oven fixing device.
次に、本実施形態に係る画像形成装置100,101の動作について説明する。まず、電子写真感光体7が矢印Aで示される方向に沿って回転し、帯電装置8により負に帯電する。帯電装置8によって表面が負に帯電した電子写真感光体7は、露光装置10により露光され、表面に静電潜像が形成される。
電子写真感光体7における静電潜像の形成された部分が現像装置11に近づくと、現像装置11により、静電潜像にトナーが付着し、トナー像が形成される。
トナー像が形成された電子写真感光体7が矢印Aに方向にさらに回転すると、転写装置12によりトナー像は記録紙Pに転写される。これにより、記録紙Pにトナー像が形成される。
画像が形成された記録紙Pは、定着装置15でトナー像が定着される。
Next, operations of the image forming apparatuses 100 and 101 according to the present embodiment will be described. First, the electrophotographic photosensitive member 7 rotates along the direction indicated by the arrow A and is negatively charged by the charging device 8. The electrophotographic photosensitive member 7 whose surface is negatively charged by the charging device 8 is exposed by the exposure device 10 to form an electrostatic latent image on the surface.
When the portion where the electrostatic latent image is formed on the electrophotographic photosensitive member 7 approaches the developing device 11, the developing device 11 attaches toner to the electrostatic latent image and forms a toner image.
When the electrophotographic photosensitive member 7 on which the toner image is formed further rotates in the direction of arrow A, the toner image is transferred onto the recording paper P by the transfer device 12. As a result, a toner image is formed on the recording paper P.
The toner image is fixed on the recording paper P on which the image is formed by the fixing device 15.
<プロセスカートリッジ>
本実施形態に係る画像形成装置は、例えば、前記した本実施形態に係る電子写真感光体7を備えたプロセスカートリッジを画像形成装置に着脱させる形態であってもよい。
本実施形態に係るプロセスカートリッジの構成は、少なくとも、前記本実施形態に係る電子写真感光体7を備えてえればよく、電子写真感光体7のほかに、例えば、帯電装置8、露光装置10、現像装置11、転写装置12、およびクリーニング装置13、および除電装置14から選択される少なくとも1つの構成部材を備えていてもよい。
<Process cartridge>
For example, the image forming apparatus according to the present embodiment may be configured such that a process cartridge including the electrophotographic photosensitive member 7 according to the present embodiment described above is attached to and detached from the image forming apparatus.
The configuration of the process cartridge according to the present embodiment may be at least provided with the electrophotographic photosensitive member 7 according to the present embodiment. In addition to the electrophotographic photosensitive member 7, for example, a charging device 8, an exposure device 10, and the like. You may provide the at least 1 component selected from the image development apparatus 11, the transfer apparatus 12, the cleaning apparatus 13, and the static elimination apparatus 14. FIG.
また、本実施形態に係る画像形成装置は、上記構成に限れず、周知の構成、例えば、電子写真感光体7に形成したトナー像を中間転写体に転写した後、記録紙Pに転写する中間転写方式の画像形成装置を採用してもよいし、タンデム方式の画像形成装置を採用してもよい。 In addition, the image forming apparatus according to the present embodiment is not limited to the above-described configuration, and a known configuration, for example, an intermediate for transferring the toner image formed on the electrophotographic photosensitive member 7 to the intermediate transfer member and then transferring the toner image to the recording paper P. A transfer type image forming apparatus may be employed, or a tandem type image forming apparatus may be employed.
以下、実施例および比較例に基づき本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。尚、以下の説明において、特に断りのない限り「部」はすべて「質量部」を意味する。 EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated further more concretely based on an Example and a comparative example, this invention is not limited to a following example at all. In the following description, “part” means “part by mass” unless otherwise specified.
<実施例1>
−感光体の作製−
・下引層
酸化亜鉛(平均粒子径:70nm、テイカ社製、比表面積値:15m2/g)100部をメタノール500部と攪拌混合し、シランカップリング剤としてKBM603(信越化学社製)0.75部を添加し、2時間攪拌した。その後、メタノールを減圧蒸留にて留去し、120℃で3時間焼き付けを行い、シランカップリング剤表面処理酸化亜鉛粒子を得た。
<Example 1>
-Production of photoconductor-
Undercoat layer 100 parts of zinc oxide (average particle size: 70 nm, manufactured by Teika, specific surface area value: 15 m 2 / g) is stirred and mixed with 500 parts of methanol, and KBM603 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) 0 as a silane coupling agent .75 parts was added and stirred for 2 hours. Thereafter, methanol was distilled off under reduced pressure, and baking was performed at 120 ° C. for 3 hours to obtain silane coupling agent surface-treated zinc oxide particles.
前記表面処理を施した酸化亜鉛粒子60部、アリザリン0.6部、硬化剤としてブロック化イソシアネート(スミジュール3173、住友バイエルンウレタン社製)13.5部、およびブチラール樹脂(BM−1、積水化学社製)15部をメチルエチルケトン85部に溶解した溶液38部と、メチルエチルケトン25部とを混合し、直径1mmのガラスビーズを用いてサンドミルにて4時間の分散を行い分散液を得た。得られた分散液に、触媒としてジオクチルスズジラウレート0.005部と、シリコーン樹脂粒子(トスパール145、GE東芝シリコーン社製)4.0部とを添加し、下引層形成用塗布用液を得た。
この塗布液を、浸漬塗布法にて直径30mmのアルミニウム支持体上に塗布し、176℃,24分の乾燥硬化を行い、厚さ32μmの下引層を得た。
60 parts of the surface-treated zinc oxide particles, 0.6 parts of alizarin, 13.5 parts of blocked isocyanate (Sumidule 3173, manufactured by Sumitomo Bayern Urethane Co., Ltd.) as a curing agent, and butyral resin (BM-1, Sekisui Chemical) 38 parts of a solution prepared by dissolving 15 parts of methyl ethyl ketone in 85 parts of methyl ethyl ketone and 25 parts of methyl ethyl ketone were mixed and dispersed in a sand mill for 4 hours using glass beads having a diameter of 1 mm to obtain a dispersion. As a catalyst, 0.005 part of dioctyltin dilaurate and 4.0 parts of silicone resin particles (Tospearl 145, manufactured by GE Toshiba Silicone) are added to the resulting dispersion to obtain a coating solution for forming an undercoat layer. It was.
This coating solution was applied on an aluminum support having a diameter of 30 mm by a dip coating method, followed by drying and curing at 176 ° C. for 24 minutes to obtain an undercoat layer having a thickness of 32 μm.
・電荷発生層
次に、電荷発生材料としてCuKα特性X線に対するブラッグ角(2θ±0.2゜)の少なくとも7.4゜、16.6゜、25.5゜および28.3゜に強い回折ピークを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶15部、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体樹脂(VMCH、日本ユニオンカーバイト社製)10部およびn−ブチルアルコール300部からなる混合物を、直径1mmのガラスビーズを用いてサンドミルにて4時間分散して電荷発生層形成用塗布液を得た。
この電荷発生層形成用塗布液を前記下引層上に浸漬塗布し、乾燥して、厚みが0.2μmの電荷発生層を得た。
Charge generation layer Next, as a charge generation material, a strong diffraction at a Bragg angle (2θ ± 0.2 °) of at least 7.4 °, 16.6 °, 25.5 ° and 28.3 ° with respect to CuKα characteristic X-rays Using a glass bead having a diameter of 1 mm, a mixture of 15 parts of a chlorogallium phthalocyanine crystal having a peak, 10 parts of a vinyl chloride-vinyl acetate copolymer resin (VMCH, manufactured by Nippon Union Carbide) and 300 parts of n-butyl alcohol is used. Then, it was dispersed for 4 hours with a sand mill to obtain a coating solution for forming a charge generation layer.
This coating solution for forming a charge generation layer was dip-coated on the undercoat layer and dried to obtain a charge generation layer having a thickness of 0.2 μm.
・電荷輸送層
次に、4フッ化エチレン樹脂粒子8部(平均粒径:0.2μm)およびフッ化アルキル基含有メタクリルコポリマー(重量平均分子量30000)0.01部を、テトラヒドロフラン4部およびトルエン1部とともに20℃の液温に保ち、48時間攪拌混合し、4フッ化エチレン樹脂粒子懸濁液Aを得た。
次に、電荷輸送物質としてトリス[4−(4,4−ジフェニル−1,3−ブタジエニル)フェニル]アミンを4部、結着樹脂としてビスフェノールZ型ポリカーボネート樹脂(粘度平均分子量:40,000)を6部、酸化防止剤として2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノールを0.1部、混合してテトラヒドロフラン24部およびトルエン11部を混合溶解して、混合溶解液Bを得た。この混合溶解液Bに前記樹脂粒子懸濁液Aを加えて攪拌混合した後、微細な流路を持つ貫通式チャンバーを装着した高圧ホモジナイザー(吉田機械興行株式会社製)を用いて、500kgf/cm2まで昇圧して分散処理を6回繰り返した液に、フッ素変性シリコーンオイル(商品名:FL−100、信越シリコーン社製)を5ppm添加し、攪拌して電荷輸送層形成用塗布液を得た。
この電荷輸送層形成用塗布液を前記電荷発生層上に塗布して、135℃で25分間乾燥し、膜厚が24μmの電荷輸送層を形成した。
Charge transport layer Next, 8 parts of tetrafluoroethylene resin particles (average particle size: 0.2 μm) and 0.01 part of a fluorinated alkyl group-containing methacrylic copolymer (weight average molecular weight 30000) were added to 4 parts of tetrahydrofuran and 1 toluene. The mixture was kept at a liquid temperature of 20 ° C. together with the part and stirred and mixed for 48 hours to obtain a tetrafluoroethylene resin particle suspension A.
Next, 4 parts of tris [4- (4,4-diphenyl-1,3-butadienyl) phenyl] amine as a charge transport material and bisphenol Z type polycarbonate resin (viscosity average molecular weight: 40,000) as a binder resin are used. 6 parts, 0.1 part of 2,6-di-t-butyl-4-methylphenol as an antioxidant was mixed and 24 parts of tetrahydrofuran and 11 parts of toluene were mixed and dissolved to obtain a mixed solution B . After adding the resin particle suspension A to the mixed solution B and stirring and mixing, 500 kgf / cm using a high-pressure homogenizer (manufactured by Yoshida Kikai Kogyo Co., Ltd.) equipped with a through-type chamber having a fine flow path. 5 ppm of fluorine-modified silicone oil (trade name: FL-100, manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.) was added to the liquid obtained by increasing the pressure to 2 and repeating the dispersion treatment 6 times, and stirred to obtain a coating liquid for forming a charge transport layer. .
This charge transport layer forming coating solution was applied onto the charge generation layer and dried at 135 ° C. for 25 minutes to form a charge transport layer having a thickness of 24 μm.
・真空乾燥処理
次に、得られた電子写真感光体を、乾燥装置(ADVANTEC社製、商品名DRV422DB)を用いて80℃3hの条件にて真空乾燥処理を行い、電子写真感光体を得た。
-Vacuum drying treatment Next, the obtained electrophotographic photosensitive member was vacuum dried using a drying apparatus (trade name DRV422DB, manufactured by ADVANTEC) at 80 ° C. for 3 hours to obtain an electrophotographic photosensitive member. .
<実施例2〜5、比較例1〜2>
実施例1において、下引層形成時の乾燥硬化の際の温度を176℃から下記表1に記載の温度に変更し、且つ真空乾燥処理時の乾燥条件を80℃3hから下記表1に記載の条件に変更した以外は、実施例1に記載の方法により感光体を作製した。
<Examples 2-5, Comparative Examples 1-2>
In Example 1, the temperature at the time of drying and curing at the time of forming the undercoat layer was changed from 176 ° C. to the temperature described in Table 1 below, and the drying conditions at the time of vacuum drying treatment were described from 80 ° C. for 3 hours to Table 1 below. A photoconductor was prepared by the method described in Example 1 except that the conditions were changed.
〔評価試験〕
−質量変化量−
前記実施例および比較例における下引層の形成方法に即して、アルミニウム基板上に下引層のみを形成し、その後該下引層を有するアルミニウム基板に対し、下記表1に記載の真空乾燥処理時の乾燥条件にて真空乾燥処理を施した。そこから該下引層のみを剥離し、TG/DTA6300(エスアイアイ・ナノテクノロジー(株)社製)を用いて、30℃から130℃まで10℃/minの上昇率で温度を上昇させた際の質量変化量を測定した。
〔Evaluation test〕
-Mass change-
In accordance with the method for forming the undercoat layer in the examples and comparative examples, only the undercoat layer is formed on the aluminum substrate, and then the vacuum drying described in Table 1 is performed on the aluminum substrate having the undercoat layer. A vacuum drying treatment was performed under the drying conditions during the treatment. When only the undercoat layer was peeled off from it, and the temperature was increased at a rate of 10 ° C./min from 30 ° C. to 130 ° C. using TG / DTA6300 (manufactured by SII Nanotechnology Co., Ltd.) The mass change amount of was measured.
−抵抗値−
下引層の抵抗値を、以下の通り測定した。まず、下引層のインピーダンスを、インピーダンス測定用試料におけるアルミパイプ等の支持体を陰極、金電極を陽極として、1Vp−pの交流電圧を周波数1MHzから1mHzまでの範囲で高周波側から印加し、各試料の交流インピーダンスを測定した。この測定より得られたCole−ColeプロットのグラフをRC並列の等価回路にフィッティングすることで下引層の抵抗値を得た。
-Resistance value-
The resistance value of the undercoat layer was measured as follows. First, the impedance of the undercoat layer was applied from the high frequency side in the frequency range from 1 MHz to 1 mHz, with an AC voltage of 1 Vp-p, using a support such as an aluminum pipe in the impedance measurement sample as a cathode and a gold electrode as an anode, The AC impedance of each sample was measured. The resistance value of the undercoat layer was obtained by fitting the Cole-Cole plot graph obtained from this measurement to an RC parallel equivalent circuit.
−ゴーストの評価−
DocuCentre 505a(富士ゼロックス社製)の改造機に実施例および比較例で得た感光体を組みこんで、除電手段を備えない条件(イレーズなし)において、10℃、湿度15%の条件下にて、画像濃度100%、2cm×2cmの画像を感光体1サイクル分形成した後、ハーフトーン画像(画像濃度30%)の全面ベタ画像を形成して画像の履歴に起因するネガゴーストの発生の程度を、限度見本を用いた目視観察によって評価した。
・評価基準
A:未発生
B:微小な濃度変化発生
C:濃度変化発生(実用上問題ないレベル)
D:顕著な濃度変化発生
(ただし、−グレードはハーフトーン画像濃度に比べ)
-Evaluation of ghost-
By incorporating the photoconductors obtained in Examples and Comparative Examples into a modified DocuCentre 505a (manufactured by Fuji Xerox Co., Ltd.), under the conditions of 10 ° C. and 15% humidity in the condition that there is no static eliminator (no erase). The degree of occurrence of negative ghost due to image history by forming a full-tone image of a halftone image (image density 30%) after forming an image with 100% image density and 2 cm × 2 cm for one cycle of the photoreceptor Was evaluated by visual observation using a limit sample.
・ Evaluation criteria A: Not generated B: Small concentration change generated C: Concentration change generated (a level that causes no problem in practical use)
D: Significant density change occurs (however, -grade is compared to halftone image density)
−サイクル特性−
サイクル特性は、DocuPrint505(富士ゼロックス社製)の改造機に実施例および比較例で得た感光体を組みこんで、28℃85RH%の雰囲気下で、画像密度5%のランダムチャートを10000枚連続プリントし、その直後に帯電装置と露光装置の中間に表面電位プローブを設置し、表面電位計トレック334(トレック社製)を用いて測定した残留電位(V)と、10000枚連続プリント前の残留電位(V)との差(残留電位上昇分)を算出して、以下の評価基準により評価した。
・評価基準
A:10V以下
B:10V超え15V以下
C:15V超え20V以下
D:20V超え
−Cycle characteristics−
Cycling characteristics are as follows: DocuPrint 505 (Fuji Xerox Co., Ltd.) modified machine incorporating the photoconductors obtained in the examples and comparative examples, and continuous random charts with an image density of 5% under an atmosphere of 28 ° C. and 85 RH%. Immediately after printing, a surface potential probe is installed between the charging device and the exposure device, and the residual potential (V) measured using the surface potential meter Trek 334 (manufactured by Trek) and the residual before 10,000 continuous printing A difference (potential increase in residual potential) from the potential (V) was calculated and evaluated according to the following evaluation criteria.
・ Evaluation criteria A: 10 V or less B: 10 V to 15 V or less C: 15 V to 20 V or less D: 20 V or more
1 支持体、2 下引層、3 感光層、4 中間層、5 保護層、7 電子写真感光体、8 帯電装置、9 電源、10 露光装置、11 現像装置、12 転写装置、13 クリーニング装置、14 除電装置、15 定着装置、31 電荷発生層、32 電荷輸送層、100,101 画像形成装置、P 記録紙(記録媒体の一例) DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Support body, 2 Undercoat layer, 3 Photosensitive layer, 4 Intermediate layer, 5 Protective layer, 7 Electrophotographic photoconductor, 8 Charging device, 9 Power supply, 10 Exposure device, 11 Developing device, 12 Transfer device, 13 Cleaning device, 14 Charger, 15 Fixing device, 31 Charge generation layer, 32 Charge transport layer, 100, 101 Image forming device, P Recording paper (an example of recording medium)
Claims (4)
少なくとも金属酸化物粒子および結着樹脂を含有し、示唆熱熱重量同時測定における温度30℃から130℃までの質量変化量が0.65質量%以下である下引層と、
感光層と、
をこの順に有する電子写真感光体。 A support;
An undercoat layer containing at least metal oxide particles and a binder resin, and having a mass change amount of not more than 0.65% by mass from a temperature of 30 ° C. to 130 ° C. in suggested thermogravimetric simultaneous measurement;
A photosensitive layer;
An electrophotographic photoreceptor having the above in this order.
前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電装置と、
帯電した前記電子写真感光体の表面に静電潜像を形成する静電潜像形成装置と、
前記電子写真感光体の表面に形成された静電潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する現像装置と、
前記電子写真感光体の表面に形成されたトナー像を記録媒体に転写する転写装置と、
を備える画像形成装置。 An electrophotographic photoreceptor according to claim 1;
A charging device for charging the surface of the electrophotographic photosensitive member;
An electrostatic latent image forming apparatus for forming an electrostatic latent image on the surface of the charged electrophotographic photosensitive member;
A developing device for developing the electrostatic latent image formed on the surface of the electrophotographic photosensitive member with toner to form a toner image;
A transfer device for transferring a toner image formed on the surface of the electrophotographic photosensitive member to a recording medium;
An image forming apparatus comprising:
画像形成装置に着脱されるプロセスカートリッジ。 The electrophotographic photoreceptor according to claim 1,
A process cartridge attached to and detached from the image forming apparatus.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012070343A JP5929402B2 (en) | 2012-03-26 | 2012-03-26 | Electrophotographic photosensitive member, image forming apparatus, and process cartridge |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012070343A JP5929402B2 (en) | 2012-03-26 | 2012-03-26 | Electrophotographic photosensitive member, image forming apparatus, and process cartridge |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013200534A true JP2013200534A (en) | 2013-10-03 |
| JP5929402B2 JP5929402B2 (en) | 2016-06-08 |
Family
ID=49520797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012070343A Active JP5929402B2 (en) | 2012-03-26 | 2012-03-26 | Electrophotographic photosensitive member, image forming apparatus, and process cartridge |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5929402B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017037236A (en) * | 2015-08-11 | 2017-02-16 | 富士ゼロックス株式会社 | Image forming apparatus and process cartridge |
| JP2023141321A (en) * | 2022-03-23 | 2023-10-05 | 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 | Electrophotographic photoreceptors, process cartridges, and image forming devices |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62200360A (en) * | 1986-02-28 | 1987-09-04 | Tomoegawa Paper Co Ltd | Electrophotographic sensitive body having double electrostatic chargeability |
| JPH02196244A (en) * | 1989-01-26 | 1990-08-02 | Tomoegawa Paper Co Ltd | Electrophotographic sensitive body |
| JPH03150572A (en) * | 1989-11-08 | 1991-06-26 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic sensitive body |
| JPH06194911A (en) * | 1992-12-25 | 1994-07-15 | Tomoegawa Paper Co Ltd | Electrophotographic photoreceptor |
| JPH0713367A (en) * | 1993-06-24 | 1995-01-17 | Ricoh Co Ltd | Method for manufacturing electrophotographic photoreceptor |
| JPH0990645A (en) * | 1995-09-20 | 1997-04-04 | Fuji Electric Co Ltd | Electrophotographic photoreceptor |
| JP2000275871A (en) * | 1999-03-24 | 2000-10-06 | Ricoh Co Ltd | Coating device for forming undercoat layer of electrophotographic photoreceptor |
| JP2004226751A (en) * | 2003-01-23 | 2004-08-12 | Fuji Xerox Co Ltd | Electrophotographic photoreceptor, method for manufacturing the same, electrophotographic apparatus, and process cartridge |
| JP2008116659A (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Fuji Xerox Co Ltd | Electrophotographic photoreceptor, process cartridge and image forming apparatus |
| JP2011180457A (en) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Fuji Xerox Co Ltd | Electrophotographic photoreceptor, process cartridge, and electrophotographic image forming apparatus |
-
2012
- 2012-03-26 JP JP2012070343A patent/JP5929402B2/en active Active
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62200360A (en) * | 1986-02-28 | 1987-09-04 | Tomoegawa Paper Co Ltd | Electrophotographic sensitive body having double electrostatic chargeability |
| JPH02196244A (en) * | 1989-01-26 | 1990-08-02 | Tomoegawa Paper Co Ltd | Electrophotographic sensitive body |
| JPH03150572A (en) * | 1989-11-08 | 1991-06-26 | Ricoh Co Ltd | Electrophotographic sensitive body |
| JPH06194911A (en) * | 1992-12-25 | 1994-07-15 | Tomoegawa Paper Co Ltd | Electrophotographic photoreceptor |
| JPH0713367A (en) * | 1993-06-24 | 1995-01-17 | Ricoh Co Ltd | Method for manufacturing electrophotographic photoreceptor |
| JPH0990645A (en) * | 1995-09-20 | 1997-04-04 | Fuji Electric Co Ltd | Electrophotographic photoreceptor |
| JP2000275871A (en) * | 1999-03-24 | 2000-10-06 | Ricoh Co Ltd | Coating device for forming undercoat layer of electrophotographic photoreceptor |
| JP2004226751A (en) * | 2003-01-23 | 2004-08-12 | Fuji Xerox Co Ltd | Electrophotographic photoreceptor, method for manufacturing the same, electrophotographic apparatus, and process cartridge |
| JP2008116659A (en) * | 2006-11-02 | 2008-05-22 | Fuji Xerox Co Ltd | Electrophotographic photoreceptor, process cartridge and image forming apparatus |
| JP2011180457A (en) * | 2010-03-02 | 2011-09-15 | Fuji Xerox Co Ltd | Electrophotographic photoreceptor, process cartridge, and electrophotographic image forming apparatus |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017037236A (en) * | 2015-08-11 | 2017-02-16 | 富士ゼロックス株式会社 | Image forming apparatus and process cartridge |
| JP2023141321A (en) * | 2022-03-23 | 2023-10-05 | 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 | Electrophotographic photoreceptors, process cartridges, and image forming devices |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5929402B2 (en) | 2016-06-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8802337B2 (en) | Electrophotographic photoreceptor, image forming apparatus, and process cartridge | |
| JP3991638B2 (en) | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus | |
| JP6447178B2 (en) | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and image forming apparatus | |
| US20130252147A1 (en) | Electrophotographic photoreceptor, process cartridge, and image forming apparatus | |
| JP6413548B2 (en) | Electrophotographic photosensitive member, image forming apparatus, and process cartridge | |
| JP2020201467A (en) | Electro-photographic photoreceptor, process cartridge, and electro-photographic apparatus | |
| JP2006221094A (en) | Image forming apparatus and process cartridge | |
| JP2015184462A (en) | Electrophotographic photoreceptor, process cartridge, and image forming apparatus | |
| JP6155726B2 (en) | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and image forming apparatus | |
| JP5776264B2 (en) | Electrophotographic photosensitive member, image forming apparatus, and process cartridge | |
| JP5982769B2 (en) | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and image forming apparatus | |
| JP2004126069A (en) | Electrophotographic photoreceptor, electrophotographic cartridge and image forming apparatus | |
| JP2018054695A (en) | Electrophotographic photoreceptor, method of manufacturing electrophotographic photoreceptor, process cartridge, and image formation device | |
| JP5929402B2 (en) | Electrophotographic photosensitive member, image forming apparatus, and process cartridge | |
| JP4019809B2 (en) | Electrophotographic photosensitive member, method for manufacturing electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus | |
| JP2013195834A (en) | Image forming apparatus and image forming method | |
| JP3823852B2 (en) | Electrophotographic photosensitive member manufacturing method, electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus | |
| JP2007057987A (en) | Charging device and image forming apparatus | |
| JP6464863B2 (en) | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and image forming apparatus | |
| JP6221883B2 (en) | Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and image forming apparatus | |
| JP6136996B2 (en) | Electrophotographic photosensitive member, image forming apparatus, and process cartridge | |
| JP2013083727A (en) | Electrophotographic photoreceptor, process cartridge, and image forming apparatus | |
| JP4045944B2 (en) | Electrophotographic photosensitive member, method for manufacturing electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus | |
| JP6172006B2 (en) | Image forming apparatus and process cartridge | |
| JP2000330305A (en) | Electrophotographic photoreceptor, electrophotographic device and electrophotographic process cartridge |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150210 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151027 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151224 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160405 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160418 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5929402 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |