JP2013201421A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】多量の処理ガスを必要とせず、また、処理ガスの使用効率も高く、かつ、被処理体に処理を施す処理空間の気密性も良好である基板処理装置を提供すること。
【解決手段】被処理体Ｇを載置する載置面２ａを有するステージ２の一端に設けられ、処理ガスを載置面に噴出する複数のガス孔４を有するガス供給ヘッド３と、ガス供給ヘッド３及び被処理体Ｇを収容し、処理空間７を載置面２ａ上に形成する、ステージに対して着脱自在に接合可能なカバー６と、カバー６とステージ２との接合部２０に設けられ、カバー６とステージ２との間をシールするシール部材２１と、カバー６とステージ２との接合部２０に設けられ、かつ、シール部材２１と処理空間７との間に設けられたパージガス溝２２と、パージガス溝２２にパージガスを供給するパージガス供給機構とを具備する。
【選択図】図３

Description

この発明は、基板処理装置に関する。

被処理体上に成膜処理等の処理を施す基板処理装置において、処理容器を構成する複数の構成部材の間をシールするために、Ｏリング等のシール部材が利用されている。特許文献１には、ベルジャに固定されたアウターリングと、サセプタが配置されるベースプレートとの間を、Ｏリングを利用してシールする縦型エピタキシャル成長装置が記載されている。

構成部材どうしの間は、Ｏリングを利用することでシールされる。しかし、構成部材どうしの間に僅かな隙間があると、この隙間に処理ガスが侵入し、Ｏリングに堆積物が発生させることがある。Ｏリングに堆積物が発生すると、構成部材どうしの間のシール性が劣化し、処理容器の気密性が劣化する。

そこで、特許文献１においては、Ｏリングに反応生成物が付着すること、即ちＯリングに堆積物が発生することを防ぐために、アウターリングとベースプレートとの間の隙間に円心状の溝を設け、この溝を経て上記隙間に、反応ガスをパージするガスをエピタキシャル成長のシーケンスに応じて噴出させるようにしている。これにより、特許文献１においては、処理容器の気密性の劣化を抑制している。

実公平６−４５９号公報

ところで、特許文献１は、ベルジャとベースプレートとによって、複数の被処理体を収容する大きな処理容器を構成する。大きな処理容器の内部には、ベルジャとベースプレートとによって広い気密空間が形成される。半導体ウエハ等の被処理体は、ベースプレート上に配置されたサセプタ上に載置され、サセプタ上に載置された被処理体には、広い気密空間内において成膜処理等の処理が施される。

特許文献１にも記載されているように、元来、被処理体に処理を施すために提供される気密空間は広く、被処理体のサイズに比較して、気密空間の容積も大きくなりやすい。広い気密空間を処理ガスで満たすためには、多量の処理ガスが必要である。こればかりでなく、成膜等の反応に実際に寄与する処理ガスも、供給された処理ガスのうちの極めて僅かなものとなってしまう。

このように、処理容器の内部に広い気密空間を持ち、広い気密空間を被処理体に処理を施す処理空間として利用する基板処理装置においては、多量の処理ガスを必要とし、また、処理ガスの使用効率が低い、という事情がある。

この発明は、多量の処理ガスを必要とせず、また、処理ガスの使用効率も高く、かつ、被処理体に処理を施す処理空間の気密性も良好である基板処理装置を提供する。

この発明の一態様に係る基板処理装置は、被処理体を載置する載置面を有するステージと、前記ステージの一端に設けられ、前記被処理体に処理を施す処理ガスを、前記載置面に噴出する複数のガス孔を有するガス供給ヘッドと、前記ガス供給ヘッド及び前記載置面上に載置された前記被処理体を収容し、前記被処理体に処理を施す処理空間を前記載置面上に形成する、前記ステージに対して着脱自在に接合可能なカバーと、前記カバーと前記ステージとの接合部に設けられ、前記カバーと前記ステージとの間をシールするシール部材と、前記カバーと前記ステージとの接合部に設けられ、かつ、前記シール部材と前記処理空間との間に設けられたパージガス溝と、前記パージガス溝にパージガスを供給するパージガス供給機構とを具備する。

この発明によれば、多量の処理ガスを必要とせず、また、処理ガスの使用効率も高く、かつ、被処理体に処理を施す処理空間の気密性も良好である基板処理装置を提供できる。

この発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の一例を示す水平断面図、 図２（Ａ）及び（Ｂ）は図１中のII−II線に沿う断面図 図１中のIII−III線に沿う断面図 この発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の第１の変形例を示す水平断面図 図４中のV−V線に沿う断面図 図４中のVI−VI線に沿う断面図 この発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の第２の変形例を示す水平断面図 この発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の第３の変形例を示す水平断面図 図８中のIX−IX線に沿う断面図 図１０（Ａ）はこの発明の第２の実施形態に係る基板処理装置の一例を示す水平断面図、図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）中のＸ−Ｘ線に沿う断面図 図１１（Ａ）は第２の実施形態の参考例に係る基板処理装置を示す断面図、図１１（Ｂ）は図１０（Ａ）中のXIＢ−XIＢ線に沿う断面図 第２の実施形態の参考例に係る基板処理装置の水平断面図 図１３（Ａ）はこの発明の第３の実施形態に係る基板処理装置の一例を示す水平断面図、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）中の矢印XIIIＢの方向からみた側面図、図１３（Ｃ）は図１３（Ａ）中の矢印XIIIＣの方向からみた側面図 ガスの流れを示す図 この発明の第４の実施形態の参考例に係る基板処理装置の水平断面図 この発明の第４の実施形態に係る基板処理装置の第１例を示す水平断面図 この発明の第４の実施形態に係る基板処理装置の第２例を示す水平断面図

以下、添付図面を参照して、この発明の実施形態について説明する。この説明において、参照する図面全てにわたり、同一の部分については同一の参照符号を付す。

（第１の実施形態）
図１はこの発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の一例を示す水平断面図、図２（Ａ）及び（Ｂ）は図１中のII−II線に沿う断面図、図３は図１中のIII−III線に沿う断面図である。

第１の実施形態においては、被処理体の一例としてＦＰＤの製造や太陽電池モジュールに用いられるガラス基板を用い、基板処理装置の一例としてガラス基板に成膜処理を施す成膜装置を例示する。

図１〜図３に示すように、基板処理装置１は、被処理体Ｇを載置する載置面２ａを有するステージ２を備えている。ステージ２の一端には、被処理体Ｇに処理を施す処理ガスを噴出するガス供給ヘッド３が設けられている。ガス供給ヘッド３は、処理ガスを載置面２ａに噴出する複数のガス孔４と、これら複数のガス孔４それぞれに連通されるガス拡散室５、及びガス拡散室５に処理ガスを供給する処理ガス供給路５ａを備えている。ステージ２の上方には、ステージ２に対して着脱自在に接合可能なカバー６が配置されている。

ステージ２及びカバー６は、高さ方向に対して相対的に移動可能に構成されている。ステージ２とカバー６とを高さ方向にずらす、例えば、図２（Ａ）に示すように、カバー６を上昇させてカバー６をステージ２から離すと、ステージ２の載置面２ａが外部に露呈する。これにより、載置面２ａ上への搬送アームＴＡを用いた被処理体Ｇの搬入、載置、及び搬出が可能となる。なお、図１〜図３においては、載置面２ａにおいて、被処理体Ｇを上昇下降させるリフターの図示は省略している。

また、図２（Ｂ）及び図３に示すように、載置面２ａ上に被処理体Ｇが載置された状態でカバー６を下降させ、カバー６をステージ２に密着させると、ステージ２とカバー６との間に、ガス供給ヘッド３及び載置面２ａ上に載置された被処理体Ｇを収容し、被処理体Ｇに処理を施す処理空間７が形成される。

このように基板処理装置１においては、ステージ２とカバー６とで、ステージ２の載置面２ａの上方のみに限られた処理空間７を形成する。このような処理空間７は、例えば、ベルジャとベースプレートとによって気密空間を形成し、これを処理空間として利用する装置に比較して、被処理体Ｇのサイズあたりの処理空間７の容積を小さくすることができる。このため、基板処理装置１においては、多量の処理ガスを必要とせず、また、処理ガスの使用効率も高まる、という利点を得ることができる。

また、本例では、ステージ２に対してカバー６が上昇下降する例を示しているが、カバー６に対してステージ２が上昇下降するように構成することも可能である。もちろん、ステージ２及びカバー６の双方を上昇下降させるように構成することも可能である。

処理空間７の内部には、上記ガス供給ヘッド３とともに、排気溝８が設けられる。排気溝８はステージ２に形成され、排気装置９に接続されている。排気装置９は処理空間７の内部を、排気溝８を介して排気する。排気装置９が処理空間７の内部を排気することで、処理空間７内の圧力の調節や、処理空間７内の雰囲気の置換（パージ）が行われる。

本例においては、ガス供給ヘッド３及び排気溝８はともに直線状である。そして、直線状のガス供給ヘッド３及び排気溝８は、互いに相対する位置、例えば、４辺を備えた矩形状のステージ２のうちの相対する２辺に沿って配置される。被処理体Ｇは、直線状のガス供給ヘッド３と直線状の排気溝８との間に挟まれるかたちで、上記載置面２ａ上に載置される。これにより、被処理体Ｇの被処理面の上方には、ガス供給ヘッド３から排気溝８に向けて一方向に層流となるガス流れＦを形成することができる。このように本例では、被処理体Ｇに対し、一方向に層流とされたガスによる均一な処理、例えば均一な成膜処理が行なわれる。

ガス供給機構１０はガス供給ヘッド３のガス供給路５ａに接続され、処理に使用する処理ガスをガス供給路５ａに供給する。ガス供給路５ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室５を介して複数のガス孔４それぞれに供給される。処理ガスは、複数のガス孔４のそれぞれから、載置面２ａに向けて噴出される。複数のガス孔４の開口は、載置面２ａの辺に沿った方向に列を成す。また、載置面２ａの辺に沿った複数のガス孔４の開口の列の長さＬ３は、載置面２ａ上に載置された被処理体Ｇの、ガス供給ヘッド３に沿った長さＬＧと同等あるいはそれ以上である。これにより、一方向に層流となるガス流れＦを、被処理体Ｇの被処理面の全体に対し、より均一に与えることができ、例えば、より均一な成膜処理の促進に寄与する。

さらに、本例では、パージガス供給機構１１とパージガス排気機構１２とを備えている。パージガス供給機構１１は、詳しくは後述するパージガス溝２２にパージガスを供給し、パージガス排気機構１２は、パージガス溝２２からパージガスを排気する。

このような基板処理装置１の各部の制御は、制御部１３により行われる。制御部１３は、例えば、マイクロプロセッサ（コンピュータ）からなるプロセスコントローラ１３ａを有する。プロセスコントローラ１３ａには、オペレータが基板処理装置１を管理するために、コマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理装置１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェース１３ｂが接続されている。プロセスコントローラ１３ａには記憶部１３ｃが接続されている。記憶部１３ｃは、基板処理装置１で実行される各種処理を、プロセスコントローラ１３ａの制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて基板処理装置１の各部に処理を実行させるためのレシピが格納される。レシピは、例えば、記憶部１３ｃ中の記憶媒体に記憶される。記憶媒体は、ハードディスクや半導体メモリであってもよいし、ＣＤ-ＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、レシピは、例えば、専用回線を介して、他の装置から適宜伝送させるようにしてもよい。レシピは、必要に応じて、ユーザーインターフェース１３ｂからの指示等にて記憶部１３ｃから読み出され、読み出されたレシピに従った処理をプロセスコントローラ１３ａが実行することで、基板処理装置１は、プロセスコントローラ１３ａの制御のもと、所望の処理、制御を実施する。

第１の実施形態に係る基板処理装置１は、カバー６とステージ２との接合部２０に設けられ、カバー６とステージ２との間をシールするシール部材２１と、同じく接合部２０に設けられ、かつ、シール部材２１と処理空間７との間に設けられたパージガス溝２２とを、さらに備えている。シール部材２１の一例は、例えば、Ｏリングである。シール部材２１は、本例ではステージ２に取り付けられているが、カバー６に取り付けることも可能である。

パージガス溝２２には、上述したパージガス供給機構１１からパージガス供給路２３を介してパージガスが供給される。パージガスの一例は、例えば、窒素（Ｎ_２）ガスである。パージガス溝２２及びパージガス供給路２３は、本例ではステージ２に形成されているが、カバー６に形成することも可能である。

カバー６とステージ２とを接合させるとシール部材２１が潰れる。これにより、カバー６とステージ２とが密着されてカバー６とステージ２との間がシールされ、処理空間７は気密空間となる。このとき、カバー６とステージ２との間に隙間がないことが理想的ではある。しかしながら、カバー６とステージ２との間には、僅かな隙間が生じる。この僅かな隙間に処理ガスが侵入すると、シール部材２１及び接合部２０の、僅かな隙間に露呈する部分に堆積物が発生する。そこで、本例では、接合部２０で、かつ、シール部材２１と処理空間７との間にパージガス溝２２を設ける。パージガス溝２２は、例えば、載置面２ａ上に載置された被処理体Ｇを取り囲むように配置される。このようなパージガス溝２２に、例えば、少なくとも基板に成膜処理が施されている間、パージガスを供給して流しておく。これにより、処理空間７から処理ガスが僅かな隙間に侵入することを抑制でき、シール部材２１上への堆積物の発生が抑制され、接合部２０におけるシール性の劣化を防ぐことができる。接合部２０におけるシール性の劣化が防がれることで、第１の実施形態に係る基板処理装置１は、処理空間７の気密性が良好となる、という利点を得ることができる。

しかも、接合部２０におけるシール性の劣化が進行しづらくなるので、メンテナンスからメンテナンスまでの期間を長くしても、良好なシール性を長い期間に及んで維持できる、という利点を得ることができる。このような利点からは、基板処理装置１のメンテナンスのためのダウンタイムの増大を抑制でき、結果として基板処理装置１のスループットの向上にも役立つ、という利点も得られるようになる。

また、もしも、シール部材２１、若しくは接合部２０に堆積物が発生すると、カバー６又はステージ２を開閉するたび、堆積物が剥がれてパーティクルが飛散することになる。本例では、ステージ２にシール部材２１が取り付けられる、あるいは接触される。つまり、シール部材２１が、被処理体Ｇの周囲を全周にわたって、ステージ２上にて近接して取り囲む。このような被処理体Ｇに近接するシール部材２１からパーティクルが飛散するようになってしまうと、被処理体Ｇを使用して製造される電子製品の歩留りが、急速に低下しかねない。

この点、第１の実施形態に係る基板処理装置１においては、シール部材２１上への堆積物の発生を抑制できるので、シール部材２１の堆積物に由来したパーティクルに伴う歩留り低下を抑制できる。このことは、シール部材２１が、被処理体Ｇの周囲を全周にわたって、ステージ２上にて近接して取り囲む装置においては、特に有効な利点である。

また、本例ではパージガス排気機構１２が設けられており、パージガス溝２２に供給されたパージガスを、パージガス溝２２からパージガス排気路２４を介して排気する。パージガス排気機構１２およびパージガス排気路２４は、必ずしも設けられる必要はなく、必要に応じて設けられれば良いが、パージガス溝２２からパージガスを排気するようにすると、例えば、パージガス溝２２から処理空間７に向けて漏れだすパージガスの量を減らすことができる、という利点を得ることができる。漏れだすパージガスの量を減らせることで、例えば、処理空間７内の処理ガスの濃度がパージガスによって不安定に変化する、という事情を抑制することができる。

本例では、図１に示されているように、パージガス溝２２が一本の連続した溝であり、環状である。このようなパージガス溝２２の場合、パージガス排気路２４は、例えば、パージガス溝２２とパージガス供給路２３との接続点から、右回りでも左回りでも等距離になる位置においてパージガス溝２２と接続されるように形成されると良い。このようにパージガス排気路２４を配置することで、パージガス供給路２３からパージガス排気路２４までの、パージガス溝２２内のパージガスの流れを、右回りと左回りで均一にできる。パージガス溝２２内のパージガスの流れが右回りと左回りで均一になれば、上記漏れだすパージガスの量を左右対称にすることが可能となる。左右のパージガス供給路が対称でない場合、漏れ出すパージガス量が不均一となり、処理ガスの均一性に影響を与える恐れがあるが、パージガス供給路を左右対称とすることで、漏れ出すパージガス量が均一となり、処理ガスの均一性を保つことができる。これにより、均一な成膜処理が可能となる。

また、パージガス溝２２内のパージガスの流れＦＰは、ガス供給ヘッド３から排気溝８に向かうガス流れＦに沿う箇所においては、互いに一致させることが良い（図１参照）。パージガス溝２２内のパージガスの流れＦＰと、処理空間７内のガス流れＦとを逆行させてしまうと、処理空間７に気流の微妙な乱れを生じる可能性がある。気流の微妙な乱れは、処理の均一性に悪影響を及ぼす可能性がある。特に、本例では、パージガス溝２２と被処理体Ｇとの距離が近い。このような装置においては、パージガスの流れＦＰと、ガス流れＦとを一致させておくと、予期せぬ処理の均一性の乱れを、最小限に抑えることが可能となる。

このような第１の実施形態に係る基板処理装置１によれば、ステージ２とカバー６とで、ステージ２の載置面２ａ上方のみに限られた、狭い処理空間７を形成できる。このため、多量の処理ガスを必要とせず、また、処理ガスの使用効率も高くなる、という利点を得ることができる。

また、カバー６とステージ２との接合部２０で、かつ、シール部材２１と処理空間７との間にパージガス溝２２を設け、ここにパージガスを流すことで、シール部材２１上への堆積物の発生が抑制され、処理空間７の気密性が良好となる、という利点を得ることができる。

また、シール部材２１上への堆積物の発生が抑制されることで、シール部材２１の堆積物に由来したパーティクルの飛散をも抑制でき、特に、シール部材２１が、被処理体Ｇの周囲を全周にわたって、ステージ２上にて近接して取り囲む装置において、歩留りの低下を抑制できる、という利点についても得ることができる。

次に、上記第１の実施形態に係る基板処理装置の変形例を説明する。

（第１の変形例）
図４はこの発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の第１の変形例を示す水平断面図、図５は図４中のV−V線に沿う断面図、図６は図４中のVI−VI線に沿う断面図である。

図４〜図６に示すように、第１の変形例に係る基板処理装置１ａが、図１〜図３に示した基板処理装置１と異なるところは、載置面２ａは凹部４０を有し、凹部４０にガス供給ヘッド３及び排気溝８が設けられ、凹部４０に被処理体Ｇが載置されることにある。シール部材２１及びパージガス溝２２は、凹部４０周囲に形成された凸部４１とカバー６との接合部２０に形成される。ただし、本例では、特に、図６に良く示されているように、パージガス溝２２のガス供給ヘッド３に沿った部分については凹部４０に形成するようにしている。これにより、パージガス溝２２は処理空間７に露出され、そして、ガス供給ヘッド３の背面に設けるようにしている。

第１の変形例に係る基板処理装置１ａによれば、パージガス溝２２が凸部４１に形成され、被処理体Ｇが凹部４０に載置されるので、パージガス溝２２の位置と被処理体Ｇの位置とが互いにオフセットされる。このため、上記第１の実施形態に係る基板処理装置１に比較して、パージガス溝２２と被処理体Ｇとの距離を遠ざけることができ、処理に際し、パージガス溝２２から漏れだすパージガスの影響を被処理体Ｇが受けにくくなる、という利点を得ることができる。

また、シール部材２１が凸部４１に形成されるので、処理空間７の最も高い位置と同等の高さに配置される。このため、凸部４１とカバー６との接合部２０に、処理ガスが廻り込みにくくなる、という利点も得ることができる。

さらに、パージガス溝２２のガス供給ヘッド３に沿った部分については、パージガス溝２２を処理空間７である凹部４０に形成し、かつ、ガス供給ヘッド３の背面に設けているので、パージガスは主にガス供給ヘッド３の上部とカバー６との間の間隙を通して処理空間７に流れ、ガス供給ヘッド３の背面に処理ガスが回り込むのを防ぐことが可能である。このため、ガス供給ヘッド３の背面に堆積物が発生することも、抑制することができる、という利点を得ることができる。

もちろん、パージガス溝２２のガス供給ヘッド３に沿った部分についても、他の部分と同様に、凸部４１とカバー６との接合部２０に処理ガスが廻り込みにくくなる、という利点を優先する場合には、パージガス溝２２を凹部４０ではなく凸部４１に形成してもよい。

また、パージガス溝２２のガス供給ヘッド３に沿った部分を、ステージ２の突出部である凸部４１とカバー６との接合部２０にではなく処理空間７に面する凹部４０に形成し、ガス供給ヘッド３の背面に設けることについては、これと同様の効果をもたらす構造を図１〜図３に示した基板処理装置１に適用することも可能であるし、これ以降説明するどの変形例に対しても適用することができる。この場合、図１〜図３のように凹部４０が存在しない構造においては、接合部２０とガス供給ヘッド３との間のステージ２上にパージガス溝２２を設ければ同等の効果を得ることができる。

（第２の変形例）
図７はこの発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の第２の変形例を示す水平断面図である。

図７に示すように、第２の変形例に係る基板処理装置１ｂが、図１〜図３に示した基板処理装置１と異なるところは、パージガス溝２２を、載置面２ａ上に載置された被処理体Ｇを取り囲むように配置しながらも、パージガス溝２２を、複数のパージガス溝２２ａ〜２２ｃ２に分割したことである。本例では、パージガス溝２２を、被処理体Ｇのガス供給ヘッド３に沿ったエンド（フロントエンド）に沿うパージガス溝２２ａ、被処理体Ｇの排気溝８に沿ったエンド（バックエンド）に沿うパージガス溝２２ｂ、被処理体Ｇのフロントエンドとバックエンドとをつなぐエンド（サイドエンド）に沿うパージガス溝２２ｃ１、２２ｃ２の四つに分割した。

パージガスは、パージガス供給機構１１から、それぞれのパージガス溝２２ａ〜２２ｃ２に、流量調整器５１ａ〜５１ｃを介して供給される。流量調整器５１ａは、パージガス溝２２ａに流量を調整してパージガスを供給する。流量調整器５１ｂは、パージガス溝２２ｂに流量を調整してパージガスを供給する。流量調整器５１ｃは、パージガス溝２２ｃ１、２２ｃ２に流量を調整してパージガスを供給する。

パージガス溝２２ａには、中央部分からパージガスが供給される。本例では、パージガス溝２２ａには、パージガス排気機構１２は接続しない。これにより、ガス供給ヘッド３の背面にパージガスを漏れだすようにすることができ、ガス供給ヘッド３への堆積物の発生を抑制できる、という利点が得られる。

パージガス溝２２ｂには、両端からパージガスが供給され、中央部分からパージガス排気機構１２を用いてパージガスが排気される。これにより、パージガス溝２２ｂには、両端からそれぞれ中央に向かう均一なパージガスの流れＦＰが形成される。

パージガス溝２２ｃ１、２２ｃ２には、ガス供給ヘッド３側端部からパージガスが供給され、排気溝８側端部からパージガス排気機構１２を用いてパージガスが排気される。これにより、パージガス溝２２ｃ１、２２ｃ２には、ガス供給ヘッド３側から排気溝８側に向かう、処理空間７内のガスの流れＦの方向と一致したパージガスの流れＦＰが形成される。

第２の変形例に係る基板処理装置１ｂによれば、パージガス溝２２ａ〜２２ｃ２に分割したことで、各エリアに流入させるパージガスの流量を調整できるため、実際の成膜時にシール部材２１近傍での堆積物の発生状況に応じて、最適なパージガス流量を設定することができる、という利点を得ることができる。

なお、第２の変形例は、上記第１の変形例と組み合わせての実施が可能である。例えば、第２の変形例においてもステージ２に凸部４１と凹部４０を設けても良く、更に、パージガス溝２２のガス供給ヘッド３に沿った部分については、凸部４１とカバー６の接合部２０ではなく凹部４０に設けても良い。その他第２の変形例に適用可能な構成についても組み合わせることができることは言うまでも無い。

（第３の変形例）
図８はこの発明の第１の実施形態に係る基板処理装置の第３の変形例を示す水平断面図、図９は図８中のIX−IX線に沿う断面図である。

図８及び図９に示すように、第３の変形例に係る基板処理装置１ｃが、図１〜図３に示した基板処理装置１と異なるところは、カバー６とステージ２との間で、かつ、シール部材２１と外界との間に設けられたスペーサー６０を、さらに備えていることである。

スペーサー６０は、ステージ２又はカバー６のいずれかの周縁部に設けられ、スペーサー６０の上面の位置は、載置面２ａの位置よりも高く設定される。

第３の変形例に係る基板処理装置１ｃによれば、スペーサー６０を、カバー６とステージ２との間で、かつ、シール部材２１と外界との間に設けたので、カバー６とステージ２とはシール部材２１の外側でスペーサー６０を介して接触するようになる、このため、カバー６とステージ２とが接触することで発生するパーティクルの処理空間７への侵入を抑制することができる、という利点も得ることができる。

また、スペーサー６０の高さによって、カバー６とステージ２との間の僅かな隙間の高さを一定とすることも可能である。僅かな隙間の高さが一定となれば、パージガス溝２２から処理空間７までのコンダクタンスを全周にわたり、また、処理毎においても一定にできる。これにより、接合部２０全周にわたるパージガスの漏れ出す量を一定とすることができ、また、処理毎のパージガス溝２２からのパージガスの漏れだす量を一定にすることもできる。さらには、例えば、カバー６とステージ２を外部チャンバ内に複数設け、基板処理装置１ｃをバッチ処理型とした場合においては、複数の基板処理装置１ｃ間でのパージガス溝２２から処理空間７までのコンダクタンスを一定にでき、複数の基板処理装置１ｃ間でのプロセスばらつきを小さくできる、という利点についても得ることができる。

（第２の実施形態）
図１０（Ａ）はこの発明の第２の実施形態に係る基板処理装置の一例を示す水平断面図、図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）中のＸ−Ｘに沿う断面図である。

図１０（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、第２の実施形態に係る基板処理装置１ｄが、図７に示した第２の変形例に係る基板処理装置１ｂと異なるところは、排気溝８に沿ったエンド（バックエンド）に沿うパージガス溝２２ｂにおいて、パージガスの流れＦＰを一端側から他端側への一方向の流れとなるようにしたことである。このため、第２の実施形態に係る基板処理装置１ｄにおいては、パージガス供給路２３がパージガス溝２２ｂの一端側に設けられ、その他端側にパージガス排気路２４が設けられる。

図１１（Ａ）は第２の実施形態の参考例に係る基板処理装置を示す断面図、図１１（Ｂ）は図１０（Ａ）中のXIＢ−XIＢ線に沿う断面図、図１２は第２の実施形態の参考例に係る基板処理装置の水平断面図である。

図１１（Ａ）に示すように、パージガス溝２２ｂの両端にパージガス供給路２３を設け、パージガスをパージガス溝２２ｂの両端からそれぞれ供給し、パージガス溝２２ｂの中央部分に設けたパージガス排気路２４からパージガスを排気する、とする。この場合、パージガス溝２２ｂ内のパージガスの流れＦＰは、パージガス溝２２ｂの一端側から中央部分へ向かう流れと、及びその他端側から中央部分へ向かう流れとの互いに相対した二方向の流れとなる。これら二方向の流れはパージガス溝２２ｂの中央部分で、パージガス排気路２４の上方で水平方向の流れから垂直方向の流れに方向転換し、互いに合流してパージガス排気路２４の内部へと流れていく。

このようなパージガスの流れＦＰによれば、パージガス排気路２４の上方で方向転換する。このため、図１１（Ａ）中の円Ａ内に示すように、パージガス溝２２ｂの底部の、パージガス排気路２４が存在する部分の上方においてパージガスの流れＦＰの流速が“ゼロ”となる部分が生じることがある。パージガスＦＰの存在するところでは、処理空間７からパージガス溝２２ｂへ処理ガスが侵入してもパージガス溝２２ｂを横断して処理ガスを通過させることは無いが、流速が“ゼロ”となる部分は、処理空間７から侵入した処理ガスを通過させてしまう。このため、処理ガスは、バックエンドに沿ったパージガス溝２２ｂの底部にあるパージガス排気路２４の上方を介してその下流、つまり、パージガス排気路２４の後方側のシール部材２１に到達する。処理ガスが到達した結果、図１２中の円Ｂ内に示す部分において、例えば、処理ガスが反応することによって生成された堆積物が生じる。この堆積物は、シール部材２１、例えば、樹脂製のＯリングを劣化させてしまう要因となる。なお、図１２中のXIＡ−XIＡ線に沿う断面が図１１（Ａ）である。

そこで、第２の実施形態においては、バックエンドに沿ったパージガス溝２２ｂにおいて、パージガスの流れＦＰを一端側から他端側への一方向の流れとなるようにした。

このような第２の実施形態に係る基板処理装置１ｄによれば、特に、図１１（Ｂ）に良く示されるように、パージガスの流れＦＰが一端側から他端側への一方向の流れとなることによって、パージガス溝２２ｂの上方においてパージガスの流れＦＰの流速が“ゼロ”となる部分が生じない。このため、処理ガスがバックエンドに沿ったパージガス溝２２ｂを越え難くなり、処理ガスが、その下流にあるシール部材２１まで到達し難くなる。この結果、参考例のような堆積物が生じることを抑制することができる、という利点を得ることができる。

また、バックエンドを流れるパージガスＦＰは、一方向の流れとなるため、処理基板に対して対称ではなくなるが、パージガス溝２２ｂから漏れ出たパージガスは、直ちに排気溝８に流入するため、処理ガスの対称性を乱すことは無い。

また、第２の実施形態に係る基板処理装置１ｄにおいては、特に、図１０（Ｂ）に示されるように、ガス供給ヘッド３への処理ガスの供給、並びに排気溝８からのガスの排気を、より簡易な構成にて実現するために、ステージ２の底部に処理ガス供給ブロック７０およびガス排気ブロック７１を取り付ける構造としている。

処理ガス供給ブロック７０にはガス供給路５ｂが形成されている。ガス供給路５ｂは、ステージ２に形成されたガス供給路５ａに接続される。ガス供給路５ｂは、図１に示したガス供給機構１０からの処理ガスをガス供給路５ａへと導く。

このような処理ガス供給ブロック７０をステージ２の底部に取り付ける構造とすると、例えば、ステージ２に形成されるガス供給路５ａについては、単純に、ガス拡散室５からステージ２の底部に向かって貫通する直線状の穴とすることができる。このため、ガス供給路５ａをステージ２に形成する際、ガス供給路５ａをステージ２の内部で鍵型に屈曲させる、というような複雑な加工を施す必要がなくなる。ステージ２は、被処理体Ｇよりも大きな面積を持つ大きな部材である。このような大きな部材には、複雑な穴加工を施すことが困難になる場合もあるが、第２の実施形態のように、処理ガス供給ブロック７０をステージ２とは別に設け、例えば、複雑な穴加工については、ステージ２よりも小さい処理ガス供給ブロック７０の方で行うようにする。これにより、ステージ２が、さらに大型化した場合であっても、加工の困難性を抑制できる、という利点を得ることができる。

ガス排気ブロック７１も、処理ガス供給ブロック７０と同様である。ガス排気ブロック７１をステージ２の底部に取り付ける構造とすることで、例えば、ステージ２に形成されるガス排気路は、単純に、排気溝８をステージ２の底部に向かって貫通させるだけで良い。この貫通した排気溝８を、ガス排気ブロック７１に形成されたガス排気路８ａに接続させる。そして、ガス排気路８ａを、図１に示した排気装置９に接続する。これにより、ステージ２に対して複雑な穴加工を施すことなく、排気装置９に接続されるガス排気路を簡易に得ることができる。

また、第２の実施形態に係る基板処理装置１ｄにおいては、ガス供給路２３とパージガス溝２２ｂとの接続を、パージガス溝２２ｂの一端における側面を介して行うようにしている。同様に、ガス排気路２４とパージガス溝２２ｂとの接続もまた、パージガス溝２２ｂの他端における側面を介して行うようにしている。しかし、ガス供給路２３及びガス排気路２４とパージガス溝２２ｂとの接続は、パージガス溝２２ｂの底部を介して行うようにすることも可能である。

ただし、処理ガスの流れＦの最も下流側にあるパージガス溝２２ｂの内部において、流速が“ゼロ”となる部分を確実に無くしたいのであれば、第２の実施形態のように、パージガスの流れＦＰが垂直方向と水平方向とで方向転換することがない、ガス供給路２３及びガス排気路２４とパージガス溝２２ｂとの接続を、パージガス溝２２ｂの側面を介して行うようにすることが好ましい。このようにすることで、パージガスの流れＦＰが垂直方向と水平方向とで方向転換することがなくなり、パージガス溝２２ｂの内部においてパージガスの流速が“ゼロ”となる部分を解消することが可能となるためである。

（第３の実施形態）
図１３（Ａ）はこの発明の第３の実施形態に係る基板処理装置の一例を示す水平断面図、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）中の矢印XIIIＢの方向からみた側面図、図１３（Ｃ）は図１３（Ａ）中の矢印XIIIＣの方向からみた側面図である。図１４は、ガスの流れを示す図である。なお、図１３（Ａ）〜図１３（ｃ）、及び図１４においてはシール部材２１の図示は省略している。

図１３（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、第３の実施形態に係る基板処理装置１ｅが、図７に示した第２の変形例に係る基板処理装置１ｂと異なるところは、パージガスの排気の仕方である。第３の実施形態においては、まず、被処理体Ｇのフロントエンドとバックエンドとをつなぐエンド（サイドエンド）に沿ったパージガス溝２２ｃ１、２２ｃ２からパージガスを排気するパージガス排気路２４ｃ１、２４ｃ２を、ガス排気路、本例ではガス排気ブロック７１のガス排気路８ａに対して、ガス排気路８ａ内のガスの流れに沿って斜めに合流させるようにしている。より具体的には、図１４に示すように、パージガスの流れＦＰが、ガス排気路８ａ内の処理ガスの流れＦの向きと同じ向きのベクトル成分Ｃを持つ形で、処理ガスの流れＦに合流するように、パージガス排気路２４ｃ１、２４ｃ２をガス排気路８ａに斜めに接続する。

このように、パージガス排気路２４ｃ１、２４ｃ２をガス排気路８ａに対して斜めに接続することで、例えば、パージガス排気路２４ｃ１、２４ｃ２をガス排気路８ａに対して直角に接続させる場合に比較して、パージガスをガス排気路８ａからパージガス排気路２４ｃ１、２４ｃ２を介して排気させやすくなる、という利点を得ることができる。

同様に、被処理体Ｇのバックエンドに沿ったパージガス溝２２ｂについても、パージガス溝２２ｂからパージガスを排気するパージガス排気路２４ｂを、ガス排気路８ａに対してガス排気路８ａ内のガスの流れに沿って斜めに、パージガスの流れＦＰが、ガス排気路８ａ内の処理ガスの流れＦの向きと同じ向きのベクトル成分Ｄを持つ形で合流させる。

このように、パージガス排気路２４ｂについてもガス排気路８ａに対して斜めに接続することで、例えば、パージガス排気路２４ｂをガス排気路８ａに対して直角に接続させる場合に比較して、パージガスをガス排気路８ａからパージガス排気路２４ｂを介して排気させやすくなる、という利点を得ることができる。

また、パージガス排気路２４ｃ１、２４ｃ２とガス排気路８ａとの合流部であるが、パージガス排気路２４ｃ１、２４ｃ２は、排気溝８又は排気溝８の近傍には合流させないほうがよい。パージガス排気路２４ｃ１、２４ｃ２を、排気溝８又は排気溝８の近傍で合流させると、排気溝８又は排気溝８の近傍の気流を、パージガスが合流することによって乱してしまう可能性があるためである。排気溝８又は排気溝８の近傍の気流が乱れると、その影響が処理空間７の内部にまで及ぶ可能性があり、処理空間７の気流に微小な“揺らぎ”が発生することがある。気流の“揺らぎ”は、被処理体Ｇに対する処理の均一性に影響を与え、処理ムラ発生の原因となり得る。このため、パージガス排気路２４ｃ１、２４ｃ２とガス排気路８ａとは、排気溝８の、例えば、中心線からある程度の距離Ｅを離した地点で合流させることがよい。ある程度の距離Ｅは、基板処理装置１ｅの大きさに依存して様々に変更されるが、少なくともパージガスをガス排気路８ａに排気しても、排気溝８又は排気溝８の近傍の気流については層流を維持することが可能な距離であることが必要である。排気溝８又は排気溝８の近傍の気流については層流を維持させることで、パージガスを処理ガスが排気されるガス排気路８ａに排気しても、被処理体Ｇに対する処理の均一性に影響を与え難くすることができ、例えば、処理ムラの発生を抑制することが可能となる。

パージガス排気路２４ｂとガス排気路８ａとの合流部についても同様であり、パージガス排気路２４ｂからのパージガスをガス排気路８ａに排気しても、排気溝８又は排気溝８の近傍の気流については層流を維持することが可能な距離だけ離すことがよい。

また、第３の実施形態に係る基板処理装置１ｅは、第２の実施形態に係る基板処理装置１ｄと同様なパージガス溝２２ｂを備えている。つまり、パージガス溝２２ｂ内のパージガスの流れが一方向である。この場合、パージガス溝２２ｂからのパージガス排気路２４ｂは１本となる。このため、ガス排気路８ａへのパージガスの合流が左右対称ではなくなる。このような場合、パージガス排気路２４ｃ１又は２４ｃ２とガス排気路８ａとの合流部の近傍で、パージガス排気路２４ｂとガス排気路８ａとを合流させてしまうと、排気のバランスが崩れやすい。このため、排気溝８又は排気溝８の近傍の気流については層流を維持することが困難になることも考えられる。このような懸念を生じさせるようなパージガス排気路２４ｂが１本しか存在しない場合には、パージガス排気路２４ｂとガス排気路８ａとの合流部と、パージガス排気路２４ｃ１又は２４ｃ２とガス排気路８ａとの合流部をそれぞれ独立に設け、パージガス排気路２４ｂとガス排気路８ａとの合流部を、パージガス排気路２４ｃ１又は２４ｃ２とガス排気路８ａとの合流部からある程度の距離Ｆだけ離すことがよい。ある程度の距離Ｆについても、基板処理装置１ｅの大きさや、ガス排気路８ａの大きさに依存して様々に変更されるが、１本しかないパージガス排気路２４ｂからパージガスをガス排気路８ａに排気しても、排気溝８又は排気溝８の近傍の気流を乱さず、層流を維持可能な距離だけ離せばよい。

このように工夫をすることで、１本しかないパージガス排気路２４ｂからパージガスをガス排気路８ａに排気しても、被処理体Ｇに対する処理の均一性に影響を与え難くすることができ、例えば、処理ムラの発生を抑制することが可能となる。

また、第３の実施形態においては、パージガス排気路２４ｃ１、２４ｃ２を、ガス排気路８ａの上部で合流させているが、ガス排気路８ａの側面で合流させるようにしてもよい。また、パージガス排気路２４ｂについては、ガス排気路８ａの側面で合流させているが、ガス排気路８ａの上部で合流させるようにしてもよい。

（第４の実施形態）
図１５はこの発明の第４の実施形態の参考例に係る基板処理装置の水平断面図である。

図１５に示すように、被処理体Ｇのサイドエンドに沿ったパージガス溝２２ｃ１、２２ｃ２からパージガスを排気する際、パージガス溝２２ｃ１、２２ｃ２の底部にパージガス排気路２４ｃ１、２４ｃ２を接続するタイプの基板処理装置では、パージガス溝２２ｃ１、２２ｃ２のパージガス排気路２４ｃ１、２４ｃ２の上方において、パージガスの流速が“ゼロ”となる部分が生じる。このため、図１５中の円Ｈ１、Ｈ２内に示す処理ガスの下流側の隅部において、例えば、処理ガスが反応することによって生成された堆積物が生じやすくなる。

そこで、第４の実施形態では、パージガス溝２２ｃ１、２２ｃ２の底部にパージガス排気路２４ｃ１、２４ｃ２を接続した場合でも、処理ガスの下流側にある隅部に堆積物が生じ難くすることが可能な基板処理装置を提供する。

（第１例）
図１６はこの発明の第４の実施形態に係る基板処理装置の第１例を示す水平断面図である。

図１６に示すように、第４の実施形態の第１例に係る基板処理装置１ｆにおいては、被処理体Ｇのサイドエンドに沿ったパージガス溝２２ｃ１、２２ｃ２の平面パターンを、処理ガスの流れＦの下流側において、被処理体Ｇのバックエンドに沿ったパージガス溝２２ｂに沿って屈曲させている。このようにパージガス溝２２ｃ１、２２ｃ２を屈曲させることで、パージガスの流速が“ゼロ”となるパージガス排気路２４ｃ１、２４ｃ２の上方の部分を、パージガスの流速が“ゼロ”とならないパージガス溝２２ｂとオーバーラップさせることで、処理ガスが、処理ガスの流れＦの下流側にある隅部に到達することを抑制することができる。パージガス溝２２ｂの構成は、第２の実施形態に係る基板処理装置１ｄと同様に、パージガスを一方向に流すものとすることがよい。

このような第１例に係る基板処理装置１ｆによれば、たとえ、パージガス溝２２ｃ１、２２ｃ２の底部にパージガス排気路２４ｃ１、２４ｃ２が接続される場合でも、処理ガスの下流側にある隅部に堆積物が生じ難くすることができる、という利点を得ることができる。

（第２例）
図１７はこの発明の第４の実施形態に係る基板処理装置の第２例を示す水平断面図である。

図１７に示すように、第２例に係る基板処理装置１ｇが第１例に係る基板処理装置１ｆと異なるところは、第１例においてはパージガス溝２２ｃ１、２２ｃ２を、被処理体Ｇのバックエンドに沿ったパージガス溝２２ｂに沿って、直角に屈曲させていたところをパージガス溝２２ｂに向かって斜めに屈曲、即ち鈍角に屈曲させたことにある。このようにパージガス溝２２ｃ１、２２ｃ２をパージガス溝２２ｂに向かって斜めに屈曲させることで、パージガス溝２２ｃ１、２２ｃ２の平面パターンを鈍角にすることができる。このため、パージガス溝２２ｃ１、２２ｃ２を直角に屈曲させる場合に比較して、パージガス溝２２ｃ１、２２ｃ２のコンダクタンスを下げることができ、パージガスをより流しやすく、かつ、排気しやすくできる、という利点を得ることができる。

もちろん、第４の実施形態においても、パージガスの流速が“ゼロ”となるパージガス排気路２４ｃ１、２４ｃ２の上方の部分については、パージガスの流速が“ゼロ”とならないパージガス溝２２ｂとオーバーラップさせる。そして、パージガス溝２２ｂの構成は、第２の実施形態に係る基板処理装置１ｄと同様にして、パージガスを一方向に流すものとすることがよい。これにより、第１例と同様に、たとえ、パージガス溝２２ｃ１、２２ｃ２の底部にパージガス排気路２４ｃ１、２４ｃ２が接続される場合でも、処理ガスの下流側にある隅部に堆積物が生じ難くすることができる、という利点を得ることができる。

なお、第４の実施形態は第３の実施形態と併用することが可能である。むしろ、第４の実施形態は第３の実施形態と併用されることがより好ましい。

また、本第２例のように、パージガス溝２２ｃ１、２２ｃ２をパージガス溝２２ｂに向かって斜めに屈曲させた場合には、パージガス排気路２４ｃ１、２４ｃ２を、斜めに屈曲させたパージガス溝２２ｃ１、２２ｃ２が延びる方向と、平面からみて一直線となるように配置することも可能である（図１７参照）。この場合には、パージガス溝２２ｃ１、２２ｃ２が延びる方向と、平面からみたパージガス排気路２４ｃ１、２４ｃ２が延びる方向とがずれている場合に比較して、パージガスを、パージガス溝２２ｃ１、２２ｃ２からパージガス排気路２４ｃ１、２４ｃ２へよりスムーズに引き込んで排気することが可能となる、という利点を得ることができる。

以上、この発明を実施形態に従って説明したが、この発明は、上記実施形態に限定されることは無く、種々変形可能である。

例えば、上記実施形態では、ステージ２は一つのみであったが、ステージ２を多段に積層し、基板処理装置をバッチ処理型とすることも可能である。

また、パージガスを、例えば、ガス供給ヘッド３の背面から上部を通して供給する際に処理ガスのキャリアガスとして兼用することも可能である。
その他、この発明はその要旨を逸脱しない範囲で様々に変形することができる。

Ｇ…被処理体、２…ステージ、２ａ…載置面、３…ガス供給ヘッド、４…ガス孔、５…ガス拡散室、６…カバー、７…処理空間、８ａ…ガス排気路、１１…パージガス供給機構、２０…接合部、２１…シール部材、２２、２２ａ、２２ｂ、２２ｃ１、２２ｃ２…パージガス溝、２４、２４ｂ、２４ｃ１、２４ｃ２…パージガス排気路

Claims (13)

1. 被処理体を載置する載置面を有するステージと、
   前記ステージの一端に設けられ、前記被処理体に処理を施す処理ガスを、前記載置面に噴出する複数のガス孔を有するガス供給ヘッドと、
   前記ガス供給ヘッド及び前記載置面上に載置された前記被処理体を収容し、前記被処理体に処理を施す処理空間を前記載置面上に形成する、前記ステージに対して着脱自在に接合可能なカバーと、
   前記カバーと前記ステージとの接合部に設けられ、前記カバーと前記ステージとの間をシールするシール部材と、
   前記カバーと前記ステージとの接合部に設けられ、かつ、前記シール部材と前記処理空間との間に設けられたパージガス溝と、
   前記パージガス溝にパージガスを供給するパージガス供給機構と
   を具備することを特徴とする基板処理装置。
2. 前記載置面は凹部を有し、該凹部に前記ガス供給ヘッドが設けられ、該凹部に前記被処理体が載置され、
   前記シール部材及び前記パージガス溝の少なくとも一部が、前記凹部の周囲に形成された凸部と前記カバーとの接合面に設けられることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記パージガス溝が、前記載置面上に載置された前記被処理体を取り囲むように配置されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記パージガス溝が、一本の連続した溝であることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
5. 前記パージガス溝が、複数に分割された溝であることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
6. 前記複数に分割されたパージガス溝のうち、前記処理ガスの流れの下流側に位置するパージガス溝には、前記パージガスを一方向に流すことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記処理空間に供給された処理ガスを排気するガス排気路をさらに備え、
   前記複数に分割されたパージガス溝から排気される前記パージガスを前記ガス排気路に排気するとともに、前記パージガスを排気するパージガス排気路を、前記ガス排気路中を流れる前記処理ガスの流れの向きと同じ向きのベクトル成分を持つように、斜めに合流させることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の基板処理装置。
8. 前記複数に分割されたパージガス溝のうち、前記被処理体のサイドエンドに沿ったパージガス溝と前記ガス排気路との合流部と、前記被処理体のバックエンドに沿ったパージガス溝と前記ガス排気路との合流部とを、それぞれ独立に設けて互いに離すことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
9. 前記複数に分割されたパージガス溝のうち、前記被処理体のサイドエンドに沿ったパージガス溝を、前記処理ガスの流れの下流側において、前記被処理体のバックエンドに沿ったパージガス溝に向かって屈曲させ、
   前記被処理体のサイドエンドに沿ったパージガス溝とパージガスを排気するパージガス排気路との接続部を、前記被処理体のバックエンドに沿ったパージガス溝とオーバーラップさせることを特徴とする請求項５から請求項８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
10. 前記パージガス溝の前記ガス供給ヘッドに沿った部分が、前記処理空間に露出し、かつ、前記ガス供給ヘッドの背面にあることを特徴とする請求項３から請求項９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
11. 前記カバーと前記ステージとの間、かつ、前記シール部材と外界との間に設けられたスペーサーを、さらに具備することを特徴とする請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の基板処理装置。
12. 前記ガス供給ヘッドの前記複数のガス孔の開口は、前記載置面の辺に沿った方向に列を成し、
    前記載置面の辺に沿った前記ガス供給ヘッドの長さが、前記載置面上に載置された前記被処理体の、前記ガス供給ヘッドに沿った長さと同等あるいはそれ以上であることを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
13. 前記パージガスが、前記処理ガスのキャリアガスとして兼用されることを特徴とする請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の基板処理装置。

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