JP2013236113A - 樹脂付リードフレーム、リードフレーム、半導体装置および樹脂付リードフレームの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】外側樹脂部がダイパッドとリード部との間の空間から脱落することを防止することが可能な樹脂付リードフレーム、リードフレーム、および半導体装置を提供する。
【解決手段】樹脂付リードフレーム３０は、ＬＥＤ素子２１を載置するダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に空間１３を介して設けられたリード部１２とを備えている。ダイパッド１１とリード部１２は、それぞれ空間１３を介して互いに対向する対向面１４、１５を有している。ダイパッド１１の対向面１４とリード部１２の対向面１５は、それぞれ凹凸状に形成されている。さらにダイパッド１１とリード部１２との間の空間１３を埋める外側樹脂部２３が設けられている。
【選択図】図２

Description

本発明は、ＬＥＤ素子を載置するために用いられる樹脂付リードフレーム、リードフレーム、このようなリードフレームを備えた半導体装置、および樹脂付リードフレームの製造方法に関する。

従来より、ＬＥＤ（発光ダイオード）素子を光源として用いる照明装置が、各種家電、ＯＡ機器、車両機器の表示灯、一般照明、車載照明、およびディスプレイ等に用いられている。このような照明装置の中には、リードフレームとＬＥＤ素子とを有する半導体装置を含むものがある。

このような半導体装置として、例えば特許文献１には、ＰＬＣＣタイプの半導体装置が開示されている。特許文献１において、ＰＬＣＣタイプの半導体装置は、リードフレームを保持する構造体と、ＬＥＤダイを封止するドーム形カプセル材料とを有している。

特開２００７−４９１６７号公報

ところで近年、ＬＥＤ素子を含む半導体装置を更に薄型化することが求められている。このため、ＬＥＤ素子を薄型の半導体装置（例えばＳＯＮタイプ）内に搭載することが行われている。しかしながら、このような薄型の半導体装置においては、外側樹脂部とリードフレームとの接触面積が非常に小さいため、外側樹脂部がダイパッドとリード部との間から脱落しやすいという問題がある。

さらに、ＬＥＤ素子をモールドする樹脂（封止樹脂部）は透明であることが必須であり、リードフレームとの密着性が十分な材質を選択するのは困難である。したがって、ＬＥＤ素子を含む半導体装置においては、通常の半導体用樹脂モールドパッケージより樹脂の脱落防止に関してより改善したリードフレームが要求される。

本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、外側樹脂部がダイパッドとリード部との間の空間から脱落することを防止することが可能な樹脂付リードフレーム、リードフレーム、半導体装置および樹脂付リードフレームの製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、ＬＥＤ素子を載置するダイパッドと、ダイパッドの周囲に空間を介して設けられたリード部とを備えた樹脂付リードフレームにおいて、ダイパッドとリード部は、それぞれ空間を介して互いに対向する対向面を有し、ダイパッドの対向面とリード部の対向面は、それぞれ凹凸状に形成され、ダイパッドとリード部との間の空間を埋める外側樹脂部を設けたことを特徴とする樹脂付リードフレームである。

本発明は、リード部の対向面のうち、その上端と、リード部の厚さ方向略中央部とにそれぞれ空間に向けて突出する突起が形成されることにより、リード部の対向面が凹凸状に形成されていることを特徴とする樹脂付リードフレームである。

本発明は、リード部の対向面のうち、その上端と、その下端とにそれぞれ空間に向けて突出する突起が形成されることにより、リード部の対向面が凹凸状に形成されていることを特徴とする樹脂付リードフレームである。

本発明は、ダイパッドは、ベース部と、ベース部からリード部側に向けて延びるとともにベース部より薄肉の延伸部とを有し、ダイパッドの対向面は延伸部の先端に形成され、このダイパッドの対向面に突起が形成されることにより、ダイパッドの対向面が凹凸状に形成されていることを特徴とする樹脂付リードフレームである。

本発明は、ＬＥＤ素子を載置するダイパッドと、ダイパッドの周囲に空間を介して設けられたリード部とを備えたリードフレームにおいて、ダイパッドとリード部は、それぞれ空間を介して互いに対向する対向面を有し、ダイパッドの対向面とリード部の対向面は、それぞれ凹凸状に形成され、空間内に充填される外側樹脂部の脱落を防止することを特徴とするリードフレームである。

本発明は、リードフレームと、リードフレームのダイパッド上に載置されたＬＥＤ素子と、リードフレームのリード部とＬＥＤ素子とを電気的に接続する導電部と、ＬＥＤ素子を取り囲む凹部を有するとともに、リードフレームのダイパッドとリード部との間の空間を埋める外側樹脂部と、外側樹脂部の凹部内に充填され、ＬＥＤ素子と導電部とを封止する封止樹脂部とを備えたことを特徴とする半導体装置である。

本発明は、ＬＥＤ素子を載置するダイパッドと、ダイパッドの周囲に空間を介して設けられたリード部と、ダイパッドとリード部との間の空間を埋める外側樹脂部とを有する樹脂付リードフレームの製造方法において、金属基板を準備する工程と、金属基板の表裏に、それぞれエッチング用レジスト層を形成する工程と、エッチング用レジスト層を耐腐蝕膜として金属基板の表裏にエッチングを施す工程と、ダイパッドとリード部との間の空間を埋める外側樹脂部を設ける工程とを備え、エッチングを施す工程において、ダイパッドとリード部にそれぞれ空間を介して互いに対向する対向面が形成され、ダイパッドの対向面とリード部の対向面は、それぞれ凹凸状に形成されることを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法である。

本発明によれば、ダイパッドの対向面とリード部の対向面をそれぞれ凹凸状に形成しているので、ダイパッドとリード部との間から外側樹脂部が脱落することを防止することができる。このことにより、ＬＥＤ素子を含む半導体装置を更に薄型化することができる。

本発明の第１の実施の形態によるリードフレームを示す断面図。 本発明の第１の実施の形態による樹脂付リードフレームを示す断面図。 本発明の第１の実施の形態による半導体装置を示す断面図。 本発明の第１の実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図。 本発明の第１の実施の形態によるリードフレームの製造方法のうち、エッチング工程を示す図。 本発明の第１の実施の形態による樹脂付リードフレームの製造方法を示す断面図。 本発明の第１の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図。 本発明の第２の実施の形態によるリードフレーム、樹脂付リードフレームおよび半導体装置を示す断面図。 本発明の第２の実施の形態によるリードフレームの製造方法のうち、エッチング工程を示す図。 本発明の第３の実施の形態によるリードフレーム、樹脂付リードフレームおよび半導体装置を示す断面図。

（第１の実施の形態）
以下、本発明の第１の実施の形態について、図１乃至図７を参照して説明する。

リードフレームの構成
まず、図１により、本実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。図１は、本実施の形態によるリードフレームを示す断面図である。

図１に示すように、ＬＥＤ用リードフレーム１０（以下、リードフレーム１０ともいう）は、ＬＥＤ素子２１（後述）を載置するために用いられるものである。このようなリードフレーム１０は、ＬＥＤ素子２１を載置する載置面１１ａを有するダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に空間１３を介して設けられたリード部１２とを備えている。

ダイパッド１１およびリード部１２は、１枚の金属基板をエッチング加工することにより形成されたものである。ダイパッド１１およびリード部１２の材料としては、例えば銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４１％のＦｅ合金）等を挙げることができる。このダイパッド１１およびリード部１２の厚みは、半導体装置の構成にもよるが、０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍとすることが好ましい。

ダイパッド１１は、ベース部１１ｂと、ベース部１１ｂからリード部１２側に向けて延びる延伸部１１ｃとを有している。このうちベース部１１ｂの裏面（下面）には、図示しない外部の電極に接続される第１アウターリード部２７が設けられている。また延伸部１１ｃは、ベース部１１ｂより薄肉となっており、後述する外側樹脂部２３から外方に露出しない部分である。延伸部１１ｃの厚みは、例えば０．０２５ｍｍ〜０．２５ｍｍとすることができる。

リード部１２の表面（図１の上面）には、後述するボンディングワイヤ２２が接続されるボンディング面１２ａが形成されている。またリード部１２の裏面（図１の下面）には、図示しない外部の電極に接続される第２アウターリード部２８が設けられている。

ところでダイパッド１１とリード部１２とは、それぞれ空間１３を介して互いに対向する対向面１４、１５を有している。

このうちダイパッド１１の対向面１４は、上述した延伸部１１ｃの先端に形成されている。この対向面１４の上端（表面側）と下端とに、それぞれ突起１６ａ、１６ｂが形成されており、これら突起１６ａ、１６ｂは、いずれも空間１３内に向けて突出している。このように対向面１４に突起１６ａ、１６ｂが形成されていることにより、対向面１４は凹凸状に形成されている。

一方、リード部１２の対向面１５には、その上端（表面側）と、リード部１２の厚さ方向略中央部とに、それぞれ突起１７ａ、１７ｂが形成されている。これら突起１７ａ、１７ｂは、いずれも空間１３内に向けて突出している。そして対向面１５に突起１７ａ、１７ｂが形成されていることにより、対向面１５は凹凸状に形成されている。

このようにダイパッド１１の対向面１４とリード部１２の対向面１５とが、それぞれ凹凸状に形成されていることにより、後述するように、空間１３内に充填される外側樹脂部２３の脱落を防止することができる。さらにダイパッド１１の延伸部１１ｃは表面側に形成されており、ダイパッド１１の載置面１１ａの面積を広くとることができ、ＬＥＤ素子２１の光を反射する光反射面を広くすることができるという利点を有する。

樹脂付リードフレームの構成
次に図２により、本実施の形態による樹脂付リードフレームの概略について説明する。図２は、本実施の形態による樹脂付リードフレームを示す断面図である。

図２に示すように、樹脂付リードフレーム３０は、図１に示すリードフレーム１０と、リードフレーム１０のダイパッド１１とリード部１２との間の空間１３を埋める外側樹脂部２３とを備えている。これらリードフレーム１０と外側樹脂部２３とは、互いに一体に結合されている。

このうち外側樹脂部２３は、ダイパッド１１とリード部１２との間の空間１３に埋設された埋設樹脂部２３ａと、リードフレーム１０の上方に突設する突設樹脂部２３ｂとからなっている。

埋設樹脂部２３ａは、上面２３ｄと下面２３ｅとを有している。このうち上面２３ｄは、ダイパッド１１の載置面１１ａおよびリード部１２のボンディング面１２ａと略同一平面上に位置している。また下面２３ｅは、ダイパッド１１の第１アウターリード部２７およびリード部１２の第２アウターリード部２８と略同一平面上に位置している。

一方、突設樹脂部２３ｂは、ダイパッド１１の載置面１１ａおよびリード部１２のボンディング面１２ａを取り囲むように形成されるとともに、凹部２３ｃを有している。なお突設樹脂部２３ｂの高さは、０．１ｍｍ〜０．５ｍｍとすることが可能である。

さらにリードフレーム１０の表面には、めっき層２５が形成されている。めっき層２５は、ＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能するものである。めっき層２５の構成は、反射層として機能するものであれば問わないが、例えば下地層としての銅めっき層と、銅めっき層上の反射用銀めっき層とからなっていても良い。なおめっき層２５の厚みは、例えば１μｍ〜５μｍとすることが好ましい。

なお樹脂付リードフレーム３０において、リードフレーム１０の表面にこのようなめっき層２５を形成しない構成も可能である。

半導体装置の構成
次に、図３により、本実施の形態による半導体装置について説明する。図３は、本実施の形態による半導体装置（ＳＯＮタイプ）を示す断面図である。

図３に示すように、半導体装置２０は、図１に示すリードフレーム１０と、リードフレーム１０のダイパッド１１の載置面１１ａ上に載置されたＬＥＤ素子２１と、リードフレーム１０のリード部１２とＬＥＤ素子２１とを電気的に接続するボンディングワイヤ（導電部）２２とを備えている。

このうちリードフレーム１０の表面には、めっき層２５が形成されている。めっき層２５は、上述したようにＬＥＤ素子２１からの光を反射するための反射層として機能するものである。

また外側樹脂部２３（埋設樹脂部２３ａ）により、リードフレーム１０のダイパッド１１とリード部１２との間の空間１３が充填されている。さらに外側樹脂部２３（突設樹脂部２３ｂ）により、ＬＥＤ素子２１およびボンディングワイヤ２２が取り囲まれている。

さらにＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とは、透光性の封止樹脂部２４によって封止されている。この封止樹脂部２４は、外側樹脂部２３の凹部２３ｃ内に充填されている。

以下、このような半導体装置２０を構成する各構成部材について、順次説明する。

リードフレーム１０は、ダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に空間１３を介して設けられたリード部１２とを備えている。このリードフレーム１０の構成については、図１を用いて既に説明したので、ここでは詳細な説明を省略する。

ＬＥＤ素子２１は、発光層として例えばＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＩｎＧａＰ、またはＩｎＧａＮ等の化合物半導体単結晶からなる材料を適宜選ぶことにより、紫外光から赤外光に渡る発光波長を選択することができる。このようなＬＥＤ素子２１としては、従来一般に用いられているものを使用することができる。

またＬＥＤ素子２１は、はんだまたはダイボンディングペーストにより、外側樹脂部２３の凹部２３ｃ内において、ダイパッド１１の載置面１１ａ上（厳密にはめっき層２５上）に固定されている。なお、ダイボンディングペーストを用いる場合、耐光性のあるエポキシ樹脂やシリコーン樹脂からなるダイボンディングペーストを選択することが可能である。

ボンディングワイヤ２２は、例えば金等の導電性の良い材料からなり、その一端がＬＥＤ素子２１の端子部２１ａに接続されるとともに、その他端がリードフレーム１０のリード部１２のボンディング面１２ａ上に接続されている。

外側樹脂部２３は、例えばリードフレーム１０上に熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより形成されたものである。外側樹脂部２３の形状は、射出成形またはトランスファ成形に使用する金型の設計により、様々に実現することが可能である。例えば、外側樹脂部２３の全体形状を直方体、円筒形および錐形等の形状とすることが可能である。凹部２３ｃの底面は、円形、楕円形、角丸の矩形または多角形等とすることができる。凹部２３ｃの側壁の断面形状は、図３のように直線から構成されていても良いし、あるいは曲線から構成されていてもよい。

外側樹脂部２３に使用される熱可塑性樹脂については、特に耐熱性、耐候性および機械的強度に優れたものを選ぶことが望ましい。熱可塑性樹脂の種類としては、ポリアミド、ポリフタルアミド、ポリフェニレンサルファイド、液晶ポリマー、ポリエーテルサルホン、シリコーン、エポキシ、ポリエーテルイミドおよびポリブチレンテレフタレート等を使用することができる。さらにまた、これらの樹脂中に光反射剤として、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、窒化アルミニウムおよび窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって、凹部２３ｃの底面及び側面において、発光素子からの光の反射率を増大させ、半導体装置２０全体の光取り出し効率を増大させることが可能となる。

封止樹脂部２４としては、光の取り出し効率を向上させるために、半導体装置２０の発光波長において光透過率が高く、また屈折率が高い材料を選択するのが望ましい。したがって耐熱性、耐候性、及び機械的強度が高い特性を満たす樹脂として、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂を選択することが可能である。特に、ＬＥＤ素子２１として高輝度ＬＥＤを用いる場合、封止樹脂部２４が強い光にさらされるため、封止樹脂部２４は高い耐候性を有するシリコーン樹脂からなることが好ましい。

リードフレームの製造方法
次に、図１に示すリードフレーム１０の製造方法について、図４（ａ）−（ｄ）および図５（ａ）−（ｃ）を用いて説明する。図４（ａ）−（ｄ）は、本実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図であり、図５（ａ）−（ｃ）は、本実施の形態によるリードフレームの製造方法のうち、エッチング工程を示す図である。

まず図４（ａ）に示すように、平板状の金属基板３１を準備する。この金属基板３１としては、上述のように銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４１％のＦｅ合金）等からなる金属基板を使用することができる。なお金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。

次に、金属基板３１の表裏に感光性レジストを塗布、乾燥し、これを所望のフォトマスクを介して露光した後、現像してエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図４（ｂ））。なお感光性レジストとしては、従来公知のものを使用することができる。

次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図４（ｃ））。腐蝕液は、使用する金属基板３１の材質に応じて適宜選択することができる。例えば、金属基板３１として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、これは金属基板３１の両面からスプレーエッチングにて行うことができる。

このエッチング工程の間、図５（ａ）−（ｂ）の矢印に示すように、腐蝕液は、エッチング用レジスト層３２、３３の開口部３２ａ、３３ａから進入し、金属基板３１の表面から内部に向けて金属基板３１を腐食していく。

その後、図５（ｃ）に示すように、腐蝕液によって金属基板３１が厚さ方向に貫通して空間１３が形成され、同時に、空間１３を介してダイパッド１１とリード部１２とが形成される。この場合、ダイパッド１１の対向面１４は、突起１６ａ、１６ｂが形成されることにより凹凸状となる。同様に、リード部１２の対向面１５は、突起１７ａ、１７ｂが形成されることにより凹凸状となる。

次いで、図４（ｄ）に示すように、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去する。このようにして、ダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に空間１３を介して設けられたリード部１２とを備えたリードフレーム１０（図１参照）が得られる。

樹脂付リードフレームの製造方法
次に、図２に示す樹脂付リードフレーム３０の製造方法について、図６（ａ）−（ｄ）を用いて説明する。図６（ａ）−（ｄ）は、本実施の形態による樹脂付リードフレームの製造方法を示す断面図である。

まず、上述したリードフレーム１０の表面および裏面に、各々所望のパターンを有するめっき用レジスト層３４、３５を設ける（図６（ａ））。このうち表面側のめっき用レジスト層３４には、めっき層２５の形成部位に相当する箇所に開口部３４ａが形成され、この開口部３４ａからはダイパッド１１の載置面１１ａおよびリード部１２のボンディング面１２ａが露出している。他方、裏面側のめっき用レジスト層３５は、リードフレーム１０の裏面全体を覆っている。

次に、めっき用レジスト層３４、３５に覆われたリードフレーム１０の表面側に電解めっきを施す。これによりリードフレーム１０上であって、開口部３４ａ内に金属（例えば銀）を析出させて、めっき層２５を形成する（図６（ｂ））。

次いでめっき用レジスト層３４、３５を剥離することにより、めっき層２５が形成されたリードフレーム１０を得る（図６（ｃ））。

次に、リードフレーム１０に対して熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、外側樹脂部２３を形成する。これにより、外側樹脂部２３とリードフレーム１０とが一体に結合される。

この場合、外側樹脂部２３は、ダイパッド１１とリード部１２との間の空間１３に充填された埋設樹脂部２３ａと、リードフレーム１０の上方に突設する突設樹脂部２３ｂとからなる。またこのとき、射出成形またはトランスファ成形に使用する金型を適宜設計することにより、外側樹脂部２３に凹部２３ｃを形成するとともに、この凹部２３ｃ底面においてめっき層２５が外方に露出するようにする。

このようにして、リードフレーム１０と、リードフレーム１０のダイパッド１１とリード部１２との間の空間１３を埋める外側樹脂部２３とを備えた樹脂付リードフレーム３０（図２参照）が得られる（図６（ｄ））。

なお、本実施の形態において、金属基板３１にエッチングを施すことにより所定形状のリードフレーム１０を作製した後（図４（ａ）−（ｄ））、リードフレーム１０上にめっき層２５を形成している（図６（ａ）−（ｃ））。しかしながらこれに限らず、まず金属基板３１上にめっき層２５を形成し、その後エッチングにより金属基板３１を所定の形状に加工することにより、リードフレーム１０を作製してもよい。

半導体装置の製造方法
次に、図３に示す半導体装置２０の製造方法について、図７（ａ）−（ｃ）により説明する。図７（ａ）−（ｃ）は、本実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図である。

まず、上述した工程により（図６（ａ）−（ｄ））、リードフレーム１０と、リードフレーム１０のダイパッド１１とリード部１２との間の空間１３を埋める外側樹脂部２３とを備えた樹脂付リードフレーム３０を作製する。

次に、リードフレーム１０のダイパッド１１の載置面１１ａ上に、ＬＥＤ素子２１を搭載する。この場合、はんだまたはダイボンディングペーストを用いて、ＬＥＤ素子２１をダイパッド１１の載置面１１ａ上に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図７（ａ））。

次に、ＬＥＤ素子２１の端子部２１ａと、リード部１２のボンディング面１２ａとを、ボンディングワイヤ２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図７（ｂ））。

その後、外側樹脂部２３の凹部２３ｃ内に封止樹脂部２４を充填し、この封止樹脂部２４によりＬＥＤ素子２１とボンディングワイヤ２２とを封止する。このようにして、図３に示す半導体装置２０を得ることができる（図７（ｅ））。この場合、予めリードフレーム１０上に複数のＬＥＤ素子２１を搭載しておき、各ＬＥＤ素子２１間の外側樹脂部２３をそれぞれダイシングすることにより、各半導体装置２０を作製しても良い。

本実施の形態の作用効果
次に、本実施の形態による作用効果について説明する。

本実施の形態による半導体装置２０においては、上述したように、ダイパッド１１の対向面１４とリード部１２の対向面１５とは、それぞれ凹凸状に形成されている。このことにより、ダイパッド１１とリード部１２との間の空間１３において、外側樹脂部２３（埋設樹脂部２３ａ）とリードフレーム１０との接触面積を大きくすることができる。したがって、外側樹脂部２３とリードフレーム１０との密着性を向上させることができ、外側樹脂部２３が空間１３から脱落することを防止することができる。

さらに、ダイパッド１１の対向面１４およびリード部１２の対向面１５に形成された凹凸（突起１６ａ、１６ｂ、１７ａ、１７ｂ）によりアンカー効果が得られるので、ストレスに対する半導体装置２０の強度を向上させることかできる。したがって、半導体装置２０にストレスが加わった場合であっても、外側樹脂部２３が空間１３から脱落することを防止することかできる。

例えば、半導体装置２０のサーマルサイクル試験を実施した際、リードフレーム１０を構成する金属（例えば銅）と、外側樹脂部２３（埋設樹脂部２３ａ）を構成する合成樹脂（例えばシリコーン樹脂）との間に熱膨張の差が発生するが、この場合であっても外側樹脂部２３がリードフレーム１０から剥離してしまうおそれがない。

このように外側樹脂部２３の脱落を防止することができることにより、リードフレーム１０の厚みを薄くすることができ、この結果、半導体装置２０の厚みを薄くすることができる。具体的には半導体装置２０の厚みを０．２ｍｍ〜０．８ｍｍとすることができる。

（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態によるリードフレーム、樹脂付リードフレーム、および半導体装置について、図８乃至図９を参照して説明する。図８乃至図９において、図１乃至図７に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。

図８は、本実施の形態によるリードフレーム、樹脂付リードフレーム、および半導体装置（ＳＯＮタイプ）を示す断面図である。図８に示す実施の形態は、リードフレーム１０のリード部１２の対向面１５のうち、リード部１２の裏面側に突起１７ｃが形成されている点が異なるものであり、他の構成は上述した図１乃至図７に示す実施の形態と略同一である。

すなわち図８に示す半導体装置４０において、リードフレーム１０のリード部１２の対向面１５には、その上端（表面側）と下端（裏面側）とに、それぞれ突起１７ａ、１７ｃが形成されており、これによりリード部１２の対向面１５は凹凸状に形成されている。この突起１７ａ、１７ｃは、それぞれ空間１３内に向けて突出している。またダイパッド１１の対向面１４も、突起１６ａ、１６ｂにより凹凸状に形成されている。したがって、図１乃至図７に示す実施の形態と同様、外側樹脂部２３が空間１３から脱落することを防止することができる。

図９（ａ）−（ｄ）は、金属基板３１にエッチングを施すことにより、図８に示すリードフレーム１０を作製する工程を示す図である。図９（ａ）−（ｄ）のうち、図９（ａ）−（ｃ）に示す工程は、上述した図５（ａ）−（ｃ）に示す工程と略同一である。

本実施の形態においては、上述した図５（ａ）−（ｃ）に示す工程（図９（ａ）−（ｃ））に加え、更に長い時間エッチングを行う。この場合、腐蝕液は、リード部１２の対向面１５のうちリード部１２の厚さ方向略中央部を中心として、金属基板３１内部を腐食していく（図９（ｄ））。

この結果、リード部１２の対向面１５は、その略中央部が内方に湾曲した形状となる。また対向面１５の上端（表面側）と下端（裏面側）は、腐蝕液による腐食の進行が相対的に遅れるため、この部分にそれぞれ突起１７ａ、１７ｃが形成される。

このほか、本実施の形態によるリードフレームの製造方法、樹脂付リードフレームの製造方法、および半導体装置の製造方法については、それぞれ図４（ａ）−（ｄ）、図６（ａ）−（ｄ）、および図７（ａ）−（ｃ）を用いて説明した方法と同一であるので、ここでは詳細な説明を省略する。

（第３の実施の形態）
次に、本発明の第３の実施の形態によるリードフレーム、樹脂付リードフレームおよび半導体装置について、図１０を参照して説明する。図１０において、図１乃至図７に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。

図１０は、本実施の形態によるリードフレーム、樹脂付リードフレームおよび半導体装置（ＳＯＮタイプ）を示す断面図である。図１０に示す実施の形態は、リードフレーム１０のダイパッド１１の周囲に、リード部１２が２つ設けられている点が異なるものであり、他の構成は上述した図１乃至図７に示す実施の形態と略同一である。

すなわち図１０に示す半導体装置５０において、リードフレーム１０のダイパッド１１の周囲には、ダイパッド１１を挟んで互いに対向する位置に、一対のリード部１２が設けられている。各リード部１２の対向面１５には、それぞれ空間１３内に向けて突出する突起１７ａ、１７ｂが形成され、これにより各対向面１５は凹凸状に形成されている。

図１０において、ＬＥＤ素子２１は一対の端子部２１ａを有しており、この一対の端子部２１ａは、それぞれボンディングワイヤ２２を介して対応する各リード部１２に接続されている。

本実施の形態によるリードフレームの製造方法、樹脂付リードフレームの製造方法、および半導体装置の製造方法については、それぞれ図４（ａ）−（ｄ）、図５（ａ）−（ｃ）、図６（ａ）−（ｄ）、および図７（ａ）−（ｃ）を用いて説明した方法と略同一であるので、ここでは詳細な説明を省略する。

なお本実施の形態において、半導体装置５０は１つのダイパッド１１と２つのリード部１２とを有している。しかしながらこれに限らず、半導体装置が２つ以上のダイパッド１１および／または３つ以上のリード部１２を有していても良い。

１０ リードフレーム
１１ ダイパッド
１２ リード部
１３ 空間
１４ 対向面
１５ 対向面
１６ａ、１６ｂ、１７ａ、１７ｂ、１７ｃ 突起
２０ 半導体装置
２１ ＬＥＤ素子
２２ ボンディングワイヤ（導電部）
２３ 外側樹脂部
２４ 封止樹脂部
２５ めっき層
３０ 樹脂付リードフレーム
４０ 半導体装置

Claims (7)

1. ＬＥＤ素子を載置するダイパッドと、
   ダイパッドの周囲に空間を介して設けられたリード部とを備えた樹脂付リードフレームにおいて、
   ダイパッドとリード部は、それぞれ空間を介して互いに対向する対向面を有し、ダイパッドの対向面とリード部の対向面は、それぞれ凹凸状に形成され、
   ダイパッドとリード部との間の空間を埋める外側樹脂部を設けたことを特徴とする樹脂付リードフレーム。
2. リード部の対向面のうち、その上端と、リード部の厚さ方向略中央部とにそれぞれ空間に向けて突出する突起が形成されることにより、リード部の対向面が凹凸状に形成されていることを特徴とする請求項１記載の樹脂付リードフレーム。
3. リード部の対向面のうち、その上端と、その下端とにそれぞれ空間に向けて突出する突起が形成されることにより、リード部の対向面が凹凸状に形成されていることを特徴とする請求項１記載の樹脂付リードフレーム。
4. ダイパッドは、ベース部と、ベース部からリード部側に向けて延びるとともにベース部より薄肉の延伸部とを有し、ダイパッドの対向面は延伸部の先端に形成され、このダイパッドの対向面に突起が形成されることにより、ダイパッドの対向面が凹凸状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載の樹脂付リードフレーム。
5. ＬＥＤ素子を載置するダイパッドと、
   ダイパッドの周囲に空間を介して設けられたリード部とを備えたリードフレームにおいて、
   ダイパッドとリード部は、それぞれ空間を介して互いに対向する対向面を有し、ダイパッドの対向面とリード部の対向面は、それぞれ凹凸状に形成され、空間内に充填される外側樹脂部の脱落を防止することを特徴とするリードフレーム。
6. 請求項５記載のリードフレームと、
   リードフレームのダイパッド上に載置されたＬＥＤ素子と、
   リードフレームのリード部とＬＥＤ素子とを電気的に接続する導電部と、
   ＬＥＤ素子を取り囲む凹部を有するとともに、リードフレームのダイパッドとリード部との間の空間を埋める外側樹脂部と、
   外側樹脂部の凹部内に充填され、ＬＥＤ素子と導電部とを封止する封止樹脂部とを備えたことを特徴とする半導体装置。
7. ＬＥＤ素子を載置するダイパッドと、ダイパッドの周囲に空間を介して設けられたリード部と、ダイパッドとリード部との間の空間を埋める外側樹脂部とを有する樹脂付リードフレームの製造方法において、
   金属基板を準備する工程と、
   金属基板の表裏に、それぞれエッチング用レジスト層を形成する工程と、
   エッチング用レジスト層を耐腐蝕膜として金属基板の表裏にエッチングを施す工程と、
   ダイパッドとリード部との間の空間を埋める外側樹脂部を設ける工程とを備え、
   エッチングを施す工程において、ダイパッドとリード部にそれぞれ空間を介して互いに対向する対向面が形成され、ダイパッドの対向面とリード部の対向面は、それぞれ凹凸状に形成されることを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法。

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