JP2014007013A - 静電レンズアレイ、マルチ荷電粒子光学系、及びフォーカス調整方法 - Google Patents
静電レンズアレイ、マルチ荷電粒子光学系、及びフォーカス調整方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014007013A JP2014007013A JP2012140610A JP2012140610A JP2014007013A JP 2014007013 A JP2014007013 A JP 2014007013A JP 2012140610 A JP2012140610 A JP 2012140610A JP 2012140610 A JP2012140610 A JP 2012140610A JP 2014007013 A JP2014007013 A JP 2014007013A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens array
- electrostatic lens
- electrode
- charged particle
- electrode substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J3/14—Arrangements for focusing or reflecting ray or beam
- H01J3/18—Electrostatic lenses
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J3/00—Details of electron-optical or ion-optical arrangements common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J3/02—Electron guns
- H01J3/027—Construction of the gun or parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
- H01J37/12—Lenses electrostatic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/03—Mounting, supporting, spacing or insulating electrodes
- H01J2237/032—Mounting or supporting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/10—Lenses
- H01J2237/12—Lenses electrostatic
- H01J2237/1205—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/26—Electron or ion microscopes
- H01J2237/28—Scanning microscopes
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】静電レンズアレイを構成する電極の膜厚にばらつきを有していても、静電レンズアレイ全体としてフォーカスを容易に調整することが可能となる静電レンズアレイを提供する。
【解決手段】離間して配置された複数の電極基板を備え、複数の電極基板のそれぞれに電荷粒子ビームが通過する複数の開口を有する静電レンズアレイであって、
複数の電極基板の表面に略垂直な方向から見たとき、複数の電極基板における最上面の電極基板の上面および最下面の電極基板の下面以外の面のいずれかがつくる外周輪郭線が、最上面の電極基板の上面または最下面の電極基板の下面の外周輪郭線より突出した部分を備え、
突出した部分の位置を位置規定部材により規定することによって、
突出した部分を備えた面が、静電レンズアレイの電極基板の最上面から最下面の開口を通過して電荷粒子ビームが照射される基板面に対し、平行となるように平行度が調整可能に構成されている。
【選択図】 図1
【解決手段】離間して配置された複数の電極基板を備え、複数の電極基板のそれぞれに電荷粒子ビームが通過する複数の開口を有する静電レンズアレイであって、
複数の電極基板の表面に略垂直な方向から見たとき、複数の電極基板における最上面の電極基板の上面および最下面の電極基板の下面以外の面のいずれかがつくる外周輪郭線が、最上面の電極基板の上面または最下面の電極基板の下面の外周輪郭線より突出した部分を備え、
突出した部分の位置を位置規定部材により規定することによって、
突出した部分を備えた面が、静電レンズアレイの電極基板の最上面から最下面の開口を通過して電荷粒子ビームが照射される基板面に対し、平行となるように平行度が調整可能に構成されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、静電レンズアレイ、マルチ荷電粒子光学系、及びフォーカス調整方法に関し、特にマルチ荷電粒子光学系に用いられる静電レンズアレイに関する。
従来の荷電粒子ビームを収束するための静電レンズアレイが採用されている一つの形態では、特許文献1や特許文献2に示されるようなマルチ荷電粒子線描画装置が知られている。
この装置では、荷電粒子源から放出される荷電粒子を加速、成形、縮小し、試料上に荷電粒子ビームを照射することによって所望のパターンを試料上に描画する。荷電粒子線を成形する際には、静電レンズアレイを用いて複数の荷電粒子ビームを個別に収束するように構成されている。
この装置では、荷電粒子源から放出される荷電粒子を加速、成形、縮小し、試料上に荷電粒子ビームを照射することによって所望のパターンを試料上に描画する。荷電粒子線を成形する際には、静電レンズアレイを用いて複数の荷電粒子ビームを個別に収束するように構成されている。
上記特許文献1の従来例では、静電レンズアレイは、縮小光学系の手前の像に対するレンズであったため、静電レンズを構成する電極の膜厚ばらつきにより発生する、デフォーカス量の影響が問題になることはほとんどなかった。
これに対し、縮小光学系である対物レンズに静電レンズアレイを持つ、マルチカラム式の荷電粒子光学系の場合、電極の膜厚ばらつきにより発生するデフォーカス量の影響が大きくなるという課題が生じる。
静電レンズを対物レンズに用いた他の例として、例えば単一の粒子線ビームを用いる電子顕微鏡の場合、静電レンズを構成する電極に膜厚ばらつきが生じても、静電レンズとして一度に機能させる静電レンズは1つの開口である。そのため、その付近でフォーカスを調整でき、本質的な問題にならない。
しかし、マルチ粒子線ビームを用いる装置の場合には、多数の粒子線ビームが多数の開口を持つ静電レンズアレイによって、同時にフォーカスされている必要がある。
これに対し、縮小光学系である対物レンズに静電レンズアレイを持つ、マルチカラム式の荷電粒子光学系の場合、電極の膜厚ばらつきにより発生するデフォーカス量の影響が大きくなるという課題が生じる。
静電レンズを対物レンズに用いた他の例として、例えば単一の粒子線ビームを用いる電子顕微鏡の場合、静電レンズを構成する電極に膜厚ばらつきが生じても、静電レンズとして一度に機能させる静電レンズは1つの開口である。そのため、その付近でフォーカスを調整でき、本質的な問題にならない。
しかし、マルチ粒子線ビームを用いる装置の場合には、多数の粒子線ビームが多数の開口を持つ静電レンズアレイによって、同時にフォーカスされている必要がある。
また、上記特許文献2の従来例では、対物レンズに用いられている静電レンズアレイは、主に接着剤を用いてレンズアセンブリに固定されており、レンズアセンブリとウエハとの平行を合わせたとしても、静電レンズアレイとウエハが平行であるとは限らなかった。
そのため、対物レンズに静電レンズアレイを用いたマルチ荷電粒子光学系においては、複数の静電レンズによって形成された像を評価して全体のフォーカスずれを最小化する、困難な調整が必要であった。
以上のように、従来においては、このフォーカス調整に多大な時間を要し、これを容易にすることが課題であった。
そのため、対物レンズに静電レンズアレイを用いたマルチ荷電粒子光学系においては、複数の静電レンズによって形成された像を評価して全体のフォーカスずれを最小化する、困難な調整が必要であった。
以上のように、従来においては、このフォーカス調整に多大な時間を要し、これを容易にすることが課題であった。
本発明は、上記課題に鑑み、静電レンズアレイを構成する電極の膜厚にばらつきを有していても、静電レンズアレイ全体としてフォーカスを容易に調整することが可能となる静電レンズアレイ、マルチ荷電粒子光学系、及びフォーカス調整方法の提供を目的とする。
本発明の静電レンズアレイは、離間して配置された複数の電極基板を備え、前記複数の電極基板のそれぞれに電荷粒子ビームが通過する複数の開口を有する静電レンズアレイであって、
前記複数の電極基板の表面に略垂直な方向から見たとき、前記複数の電極基板における最上面の電極基板の上面および最下面の電極基板の下面以外の面のいずれかがつくる外周輪郭線が、最上面の電極基板の上面または最下面の電極基板の下面の外周輪郭線より突出した部分を備え、
前記突出した部分の位置を位置規定部材により規定することによって、
前記突出した部分を備えた面が、前記静電レンズアレイの前記電極基板の最上面から最下面の開口を通過して電荷粒子ビームが照射される基板面に対し、平行となるように平行度が調整可能に構成されていることを特徴とする。
また、本発明のマルチ荷電粒子光学系は、離間して配置された複数の電極基板を備え、該複数の電極基板のそれぞれに電荷粒子ビームが通過する複数の開口を有する静電レンズアレイと、
前記静電レンズアレイを通過して荷電粒子ビームが照射される試料面とを有するマルチ荷電粒子光学系であって、
前記静電レンズアレイが、上記した静電レンズアレイで構成されていることを特徴とする。
また、本発明のフォーカス調整方法は、上記したマルチ荷電粒子光学系のフォーカスを調整するフォーカス調整方法であって、
前記複数の電極基板のそれぞれの上下面のうち、最上面の電極の上面および最下面の電極の下面以外の面のいずれかと、前記試料面との平行度を調整し、フォーカスを調整することを特徴とする。
前記複数の電極基板の表面に略垂直な方向から見たとき、前記複数の電極基板における最上面の電極基板の上面および最下面の電極基板の下面以外の面のいずれかがつくる外周輪郭線が、最上面の電極基板の上面または最下面の電極基板の下面の外周輪郭線より突出した部分を備え、
前記突出した部分の位置を位置規定部材により規定することによって、
前記突出した部分を備えた面が、前記静電レンズアレイの前記電極基板の最上面から最下面の開口を通過して電荷粒子ビームが照射される基板面に対し、平行となるように平行度が調整可能に構成されていることを特徴とする。
また、本発明のマルチ荷電粒子光学系は、離間して配置された複数の電極基板を備え、該複数の電極基板のそれぞれに電荷粒子ビームが通過する複数の開口を有する静電レンズアレイと、
前記静電レンズアレイを通過して荷電粒子ビームが照射される試料面とを有するマルチ荷電粒子光学系であって、
前記静電レンズアレイが、上記した静電レンズアレイで構成されていることを特徴とする。
また、本発明のフォーカス調整方法は、上記したマルチ荷電粒子光学系のフォーカスを調整するフォーカス調整方法であって、
前記複数の電極基板のそれぞれの上下面のうち、最上面の電極の上面および最下面の電極の下面以外の面のいずれかと、前記試料面との平行度を調整し、フォーカスを調整することを特徴とする。
本発明によれば、静電レンズアレイを構成する電極の膜厚にばらつきを有していても、静電レンズアレイ全体としてフォーカスを容易に調整することが可能となる静電レンズアレイ、マルチ荷電粒子光学系、及びフォーカス調整方法を実現することができる。
以下に、本発明の実施形態を図面を用いて説明する。
但し、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
また、荷電粒子線の一例として本実施形態では電子線を収束するための静電レンズアレイについて説明するが、この発明は、マルチ荷電粒子ビームに限らずイオンビームを用いた荷電粒子線装置にも同様に適用できる。
但し、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
また、荷電粒子線の一例として本実施形態では電子線を収束するための静電レンズアレイについて説明するが、この発明は、マルチ荷電粒子ビームに限らずイオンビームを用いた荷電粒子線装置にも同様に適用できる。
図10を用いて、本実施形態におけるマルチ荷電粒子ビーム露光装置について説明する。
図10は、本実施形態におけるマルチ荷電粒子光学系の全体構成を示す図である。
なお、図10において、109はウェーネルト電極、113は照射光学系の主光線、114は照射光学系クロスオーバーから発散する電子ビーム、116はコリメータレンズによる平行化された照射光線である。
本実施形態は個別に投影系をもついわゆるマルチカラム式である。
電子源108からアノード電極110によって引き出された放射電子ビームは、クロスオーバー調整光学系111によって照射光学系クロスオーバー112を形成する。
ここで電子源108としてはLaB6やBaO/W(ディスペンサーカソード)などのいわゆる熱電子型の電子源が用いられる。
クロスオーバー調整光学系111は2段の静電レンズで構成されており、1段目・2段目共に静電レンズは3枚の電極からなり、中間電極に負の電圧を印加し上下電極は接地する、いわゆるアインツェル型の静電レンズである。
照射光学系クロスオーバー112から広域に放射された電子ビームは、コリメータレンズ115によって平行ビームとなり、アパーチャアレイ117へと照射される。
アパーチャアレイ117によって分割されたマルチ電子ビーム118は、集束レンズアレイ119によって個別に集束され、アライナー制御回路107で制御されたアライナー120によって位置を調整され、ブランカーアレイ122上に結像される。
図10は、本実施形態におけるマルチ荷電粒子光学系の全体構成を示す図である。
なお、図10において、109はウェーネルト電極、113は照射光学系の主光線、114は照射光学系クロスオーバーから発散する電子ビーム、116はコリメータレンズによる平行化された照射光線である。
本実施形態は個別に投影系をもついわゆるマルチカラム式である。
電子源108からアノード電極110によって引き出された放射電子ビームは、クロスオーバー調整光学系111によって照射光学系クロスオーバー112を形成する。
ここで電子源108としてはLaB6やBaO/W(ディスペンサーカソード)などのいわゆる熱電子型の電子源が用いられる。
クロスオーバー調整光学系111は2段の静電レンズで構成されており、1段目・2段目共に静電レンズは3枚の電極からなり、中間電極に負の電圧を印加し上下電極は接地する、いわゆるアインツェル型の静電レンズである。
照射光学系クロスオーバー112から広域に放射された電子ビームは、コリメータレンズ115によって平行ビームとなり、アパーチャアレイ117へと照射される。
アパーチャアレイ117によって分割されたマルチ電子ビーム118は、集束レンズアレイ119によって個別に集束され、アライナー制御回路107で制御されたアライナー120によって位置を調整され、ブランカーアレイ122上に結像される。
ここで、集束レンズアレイ119は、上下方向に離間して配置された複数の電極基板を備え、該複数の電極基板のそれぞれに電荷粒子ビームが通過する複数の開口を有する静電レンズアレイが用いられる。
例えば、3枚の多開口電極からなる静電レンズで、3枚の電極のうち中間の電極のみ負の電圧を印加し上下電極は接地する、アインツェル型の静電レンズアレイが用いられる。
また、アパーチャアレイ117はNA(収束半角)を規定する役割も持たせるため、集束レンズアレイ119の瞳面位置(集束レンズアレイの前側焦点面位置)に置かれている。
ブランカーアレイ122は個別の偏向電極を持ったデバイスで、描画パターン発生回路102、ビットマップ変換回路103、ブランキング指令回路106によって生成されるブランキング信号に基づき、描画パターンに応じて個別にビームのon/offを行う。
ビームがonの状態のときには、ブランカーアレイ122の偏向電極には電圧を印加せず、ビームがoffの状態のときには、ブランカーアレイ122の偏向電極に電圧を印加してマルチ電子ビームを偏向する。
ブランカーアレイ122によって偏向されなければ、ブランカーアレイを通過するマルチ電子ビーム124はビームがonの状態となる。ブランカーアレイ122によって偏向されたマルチ電子ビーム125は後段にあるストップアパーチャアレイ123によって遮断され、ビームがoffの状態となる。
例えば、3枚の多開口電極からなる静電レンズで、3枚の電極のうち中間の電極のみ負の電圧を印加し上下電極は接地する、アインツェル型の静電レンズアレイが用いられる。
また、アパーチャアレイ117はNA(収束半角)を規定する役割も持たせるため、集束レンズアレイ119の瞳面位置(集束レンズアレイの前側焦点面位置)に置かれている。
ブランカーアレイ122は個別の偏向電極を持ったデバイスで、描画パターン発生回路102、ビットマップ変換回路103、ブランキング指令回路106によって生成されるブランキング信号に基づき、描画パターンに応じて個別にビームのon/offを行う。
ビームがonの状態のときには、ブランカーアレイ122の偏向電極には電圧を印加せず、ビームがoffの状態のときには、ブランカーアレイ122の偏向電極に電圧を印加してマルチ電子ビームを偏向する。
ブランカーアレイ122によって偏向されなければ、ブランカーアレイを通過するマルチ電子ビーム124はビームがonの状態となる。ブランカーアレイ122によって偏向されたマルチ電子ビーム125は後段にあるストップアパーチャアレイ123によって遮断され、ビームがoffの状態となる。
本実施形態においてブランカーアレイは2段で構成されており、ブランカーアレイ122及びストップアパーチャアレイ123と同じ構造の、第二ブランカーアレイ127および第二ストップアパーチャアレイ128が後段に配置されている。第二ストップアパーチャアレイ128では第二ブランカーアレイ127によって偏向された電子ビーム129が遮断される。
ブランカーアレイ122を通過したマルチ電子ビームは第二集束レンズアレイ126によって第二ブランカーアレイ127上に結像される。さらにマルチ電子ビームは第三集束レンズ130、静電レンズアレイ132によって集束されてウエハ(試料面)133上に結像される。
ここで、第二集束レンズアレイ126・第三集束レンズアレイ130・静電レンズアレイ132は集束レンズアレイ119同様に、アインツェル型の静電レンズアレイである。
この静電レンズアレイ132の縮小率は100倍程度に設定される。静電レンズアレイの中間の電極の電位は、レンズ制御回路105によって制御される。
これにより、ブランカーアレイ122の中間結像面上の電子ビーム121(スポット径がFWHMで2μm)が、ウエハ133面上で100分の1に縮小され、FWHMで20nm程度のマルチ電子ビームがウエハ上に結像される。
ブランカーアレイ122を通過したマルチ電子ビームは第二集束レンズアレイ126によって第二ブランカーアレイ127上に結像される。さらにマルチ電子ビームは第三集束レンズ130、静電レンズアレイ132によって集束されてウエハ(試料面)133上に結像される。
ここで、第二集束レンズアレイ126・第三集束レンズアレイ130・静電レンズアレイ132は集束レンズアレイ119同様に、アインツェル型の静電レンズアレイである。
この静電レンズアレイ132の縮小率は100倍程度に設定される。静電レンズアレイの中間の電極の電位は、レンズ制御回路105によって制御される。
これにより、ブランカーアレイ122の中間結像面上の電子ビーム121(スポット径がFWHMで2μm)が、ウエハ133面上で100分の1に縮小され、FWHMで20nm程度のマルチ電子ビームがウエハ上に結像される。
ウエハ上のマルチ電子ビームのスキャンは偏向器131で行うことができる。偏向器131は対向電極によって形成されており、x、y方向について2段の偏向を行うために4段の対向電極で構成される(図中では簡単のため2段偏向器を1ユニットとして表記している)。
偏向器131は偏向信号発生回路104の信号に従って駆動される。
パターン描画中はウエハ133はX方向にステージ134によって連続的に移動し、レーザ測長機による実時間での測長結果を基準としてウエハ面上の電子ビーム135が偏向器131によってY方向に偏向される。
同時に、ブランカーアレイ122及び第二ブランカーアレイ127によって描画パターンに応じてビームのon/offが個別になされる。これにより、ウエハ133面上に所望のパターンを高速に描画することができる。
本実施形態での各回路の制御は、コントローラ101によって行われる。
偏向器131は偏向信号発生回路104の信号に従って駆動される。
パターン描画中はウエハ133はX方向にステージ134によって連続的に移動し、レーザ測長機による実時間での測長結果を基準としてウエハ面上の電子ビーム135が偏向器131によってY方向に偏向される。
同時に、ブランカーアレイ122及び第二ブランカーアレイ127によって描画パターンに応じてビームのon/offが個別になされる。これにより、ウエハ133面上に所望のパターンを高速に描画することができる。
本実施形態での各回路の制御は、コントローラ101によって行われる。
図2を用いて、本実施形態における静電レンズアレイを説明する。図2は、静電レンズアレイ132の拡大図である。
静電レンズアレイ132は、第一電極1、第二電極2、第三電極3による複数の電極基板がそれぞれ離間して構成され、マルチ電子ビーム118を個々に収束するように、対応する複数のそれぞれの開口5を有した静電レンズである。
マルチ電子ビーム118を収束させるには、静電レンズアレイ132を通過したマルチ電子ビーム118が、ウエハ(電極基板の最上面から最下面の開口を通過して電荷粒子ビームが照射される基板面)133に対してフォーカスできるように構成されていればよい。
例えば、静電レンズアレイ132の第一電極1、第三電極3を接地し、第二電極2に適切な電圧を印加するように構成する。
図2のp11、p12、p21、p22、p31、p32 はそれぞれ、ウエハ133表面に対する最上面の第一電極1上面、第一電極1下面、第二電極2上面、第二電極2下面、最下面の第三電極3上面、第三電極3下面の平行度を示す。本実施形態では、p12、p21、p22、p31のうち最も小さい平行度を、p11、p32のうち小さい方の平行度よりもさらに小さくすることにより、静電レンズアレイ132の位置を調整可能に構成されている。この理由について以下に詳細に述べる。
静電レンズアレイ132は、第一電極1、第二電極2、第三電極3による複数の電極基板がそれぞれ離間して構成され、マルチ電子ビーム118を個々に収束するように、対応する複数のそれぞれの開口5を有した静電レンズである。
マルチ電子ビーム118を収束させるには、静電レンズアレイ132を通過したマルチ電子ビーム118が、ウエハ(電極基板の最上面から最下面の開口を通過して電荷粒子ビームが照射される基板面)133に対してフォーカスできるように構成されていればよい。
例えば、静電レンズアレイ132の第一電極1、第三電極3を接地し、第二電極2に適切な電圧を印加するように構成する。
図2のp11、p12、p21、p22、p31、p32 はそれぞれ、ウエハ133表面に対する最上面の第一電極1上面、第一電極1下面、第二電極2上面、第二電極2下面、最下面の第三電極3上面、第三電極3下面の平行度を示す。本実施形態では、p12、p21、p22、p31のうち最も小さい平行度を、p11、p32のうち小さい方の平行度よりもさらに小さくすることにより、静電レンズアレイ132の位置を調整可能に構成されている。この理由について以下に詳細に述べる。
図3は、図2の破線の矩形で囲んだ領域の拡大図である。
静電レンズのレンズ機能は、電極間に発生する等電位線100によって生じる。電極が厚さばらつきを有するとき、局所的には、第一電極1、第二電極2、第三電極3の厚さが異なっている。
この際、図3(b)、(c)のように、第一電極1上面、第三電極3下面を基準にウエハ133からの距離を調整すると、レンズ全体がシフトしたことになり、電極の厚さばらつきと同等の量だけデフォーカスされてしまう。
一方で、例えば図3(d)のように、第三電極3上面を基準としたとき、第一電極1や第三電極3の厚さがばらついても、第二電極2の厚さおよび電極間隔が変化しなければ、等電位線100にはほとんど寄与しないため、フォーカス位置への影響はほとんどない。
一方で、図3(e)のように、第二電極2が厚くなった時には、第二電極2を通過する粒子のドリフト空間が長くなるが、第一電極1上面、第三電極3下面を基準にした場合と比べると、フォーカス位置への影響は小さい。また、図3(f)のように、第一電極1と第二電極2の間隔が変化したとき、等電位線100の間隔が変化するが、ビームの軌道を広げる側と、収束させる側の両方の力が第一電極1の下面と第二電極2の上面でそれぞれ発生して相殺する方向に作用する。そのため、やはり第一電極1上面、第三電極3下面を基準にした場合と比べると、フォーカス位置への影響は小さくなる。
静電レンズのレンズ機能は、電極間に発生する等電位線100によって生じる。電極が厚さばらつきを有するとき、局所的には、第一電極1、第二電極2、第三電極3の厚さが異なっている。
この際、図3(b)、(c)のように、第一電極1上面、第三電極3下面を基準にウエハ133からの距離を調整すると、レンズ全体がシフトしたことになり、電極の厚さばらつきと同等の量だけデフォーカスされてしまう。
一方で、例えば図3(d)のように、第三電極3上面を基準としたとき、第一電極1や第三電極3の厚さがばらついても、第二電極2の厚さおよび電極間隔が変化しなければ、等電位線100にはほとんど寄与しないため、フォーカス位置への影響はほとんどない。
一方で、図3(e)のように、第二電極2が厚くなった時には、第二電極2を通過する粒子のドリフト空間が長くなるが、第一電極1上面、第三電極3下面を基準にした場合と比べると、フォーカス位置への影響は小さい。また、図3(f)のように、第一電極1と第二電極2の間隔が変化したとき、等電位線100の間隔が変化するが、ビームの軌道を広げる側と、収束させる側の両方の力が第一電極1の下面と第二電極2の上面でそれぞれ発生して相殺する方向に作用する。そのため、やはり第一電極1上面、第三電極3下面を基準にした場合と比べると、フォーカス位置への影響は小さくなる。
このような理由により、第一電極1上面、第三電極3下面以外の電極の表面を基準とし、ウエハ133表面との平行を合わせると、マルチ電子ビーム118全体のデフォーカス量を小さくするように、静電レンズアレイ132の位置が容易に調整できる。
また、レンズ効果が生じる電界を規定する、ウエハ133上の平面に対して最も近い面は、第三電極3の上面である。
このため、図4に示すように、p31の平行度が最小になるようにすると、より好ましくフォーカスでき、静電レンズアレイ132の位置が容易に調整できる。上記の平行度を評価するための基準平面は、ウエハ133では、例えば全面に対して格子状に測定したZ座標の近似平面としてもよいし、簡易的には、3点以上測定したZ座標の近似平面としてもよい。
一方、フォーカス調整の対象面には静電レンズ132の電極、あるいはそれら電極の間隔を規定する部材であるスペーサとなる。
それらの表面を直接的、あるいは高さ精度が出ている部材を介して間接的に3点以上測定したZ座標の近似平面を先の基準平面と調整する。
また、レンズ効果が生じる電界を規定する、ウエハ133上の平面に対して最も近い面は、第三電極3の上面である。
このため、図4に示すように、p31の平行度が最小になるようにすると、より好ましくフォーカスでき、静電レンズアレイ132の位置が容易に調整できる。上記の平行度を評価するための基準平面は、ウエハ133では、例えば全面に対して格子状に測定したZ座標の近似平面としてもよいし、簡易的には、3点以上測定したZ座標の近似平面としてもよい。
一方、フォーカス調整の対象面には静電レンズ132の電極、あるいはそれら電極の間隔を規定する部材であるスペーサとなる。
それらの表面を直接的、あるいは高さ精度が出ている部材を介して間接的に3点以上測定したZ座標の近似平面を先の基準平面と調整する。
平行度を評価するZ座標を測定するために、ウエハ133の表面に対する、静電レンズアレイ132の対象となる電極の面を、静電レンズアレイ132の外側から検出できる形態にしておくと、より好ましい。
そのための一手段として、複数の電極の表面に略垂直な方向から見たとき、最上面の電極または最下面の電極以外の部材の表面がつくる外周輪郭線が、最上面の電極の上面または最下面の電極の下面の外周輪郭線より突出した部分を有すればよい。
これにより、最上面の電極の上面または最下面の電極の下面にさえぎられること無く、突出した部分の位置を容易に測定できる。そのため、所望の部材表面を基準に、ウエハ表面に対する静電レンズの平行度を調整できる。
例えば、図1のように、スペーサ12を、第三電極3の下面の外周輪郭線よりも突出させておくことで、例えば静電容量センサや、レーザ測長機、位置規定部材で、スペーサ12下面と本質的に同一面である第三電極3上面のZ座標を規定できる。
そのための一手段として、複数の電極の表面に略垂直な方向から見たとき、最上面の電極または最下面の電極以外の部材の表面がつくる外周輪郭線が、最上面の電極の上面または最下面の電極の下面の外周輪郭線より突出した部分を有すればよい。
これにより、最上面の電極の上面または最下面の電極の下面にさえぎられること無く、突出した部分の位置を容易に測定できる。そのため、所望の部材表面を基準に、ウエハ表面に対する静電レンズの平行度を調整できる。
例えば、図1のように、スペーサ12を、第三電極3の下面の外周輪郭線よりも突出させておくことで、例えば静電容量センサや、レーザ測長機、位置規定部材で、スペーサ12下面と本質的に同一面である第三電極3上面のZ座標を規定できる。
図1では、スペーサ12の下面に薄型の静電容量センサ9を設けており、第三電極3上面で平行度が規定できるため、好ましい例である。
図5のように、スペーサ12の下面と静電容量センサ10下面の相対位置をあらかじめ測定しておき、静電容量センサ10を、スペーサ12を貫通させて配置させても、第三電極3上面で平行度が規定できるため好ましい。
また、図6のように、第三電極3上面の外周輪郭線を他の部材よりも突出させ、さらに第三電極3の突出部に設けた開口に、凸部を有する静電容量センサ10が第三電極3の上面につき当たるように配置しても、第三電極3の上面の平行度が規定できるため好ましい。
図5のように、スペーサ12の下面と静電容量センサ10下面の相対位置をあらかじめ測定しておき、静電容量センサ10を、スペーサ12を貫通させて配置させても、第三電極3上面で平行度が規定できるため好ましい。
また、図6のように、第三電極3上面の外周輪郭線を他の部材よりも突出させ、さらに第三電極3の突出部に設けた開口に、凸部を有する静電容量センサ10が第三電極3の上面につき当たるように配置しても、第三電極3の上面の平行度が規定できるため好ましい。
あるいは、別の手段として、図7のように、静電レンズアレイ132のスペーサ12を第三電極3より突出させるように配置し、突出した部分に対して、位置規定部材14を介することで、静電レンズアレイ132の平行度を規定してもよい。
また、図8(a)のように、位置規定部材15を静電レンズに取り付けてもよい。この場合、位置規定部材15の高さは所望のワーク間距離よりも低くしておき、平行度を調整した後、図8(b)のように、平行度を保ったまま、所望のワーク間距離にすることで、全体のフォーカスを最適に調整できる。
更には、図9のように、スペーサ12を第三電極3に対して突出させた上で、その突出部分を把持する治具(突出した部分を支持する支持部)16に静電容量センサ10を設けても、所望の電極の面に平行度を規定できる好ましい例といえる。
本実施形態においては、上記した静電レンズアレイの構成をマルチ荷電粒子光学に適用することにより、静電レンズアレイを構成する電極の膜厚にばらつきがある場合であっても、静電レンズアレイ全体としてフォーカスを容易に調整することが可能となる。
また、複数の電極のそれぞれの上下面のうち、最上面の電極の上面および最下面の電極の下面以外の面のいずれかと、試料面との平行度の調整を可能に構成することにより、フォーカスの調整が容易なマルチ荷電粒子光学系のフォーカス調整方法の実現が可能となる。
また、図8(a)のように、位置規定部材15を静電レンズに取り付けてもよい。この場合、位置規定部材15の高さは所望のワーク間距離よりも低くしておき、平行度を調整した後、図8(b)のように、平行度を保ったまま、所望のワーク間距離にすることで、全体のフォーカスを最適に調整できる。
更には、図9のように、スペーサ12を第三電極3に対して突出させた上で、その突出部分を把持する治具(突出した部分を支持する支持部)16に静電容量センサ10を設けても、所望の電極の面に平行度を規定できる好ましい例といえる。
本実施形態においては、上記した静電レンズアレイの構成をマルチ荷電粒子光学に適用することにより、静電レンズアレイを構成する電極の膜厚にばらつきがある場合であっても、静電レンズアレイ全体としてフォーカスを容易に調整することが可能となる。
また、複数の電極のそれぞれの上下面のうち、最上面の電極の上面および最下面の電極の下面以外の面のいずれかと、試料面との平行度の調整を可能に構成することにより、フォーカスの調整が容易なマルチ荷電粒子光学系のフォーカス調整方法の実現が可能となる。
以下に、本発明の実施例について説明する。
[実施例1]
実施例1として、本発明を適用した静電レンズアレイの構成例について、図1を用いて説明する。
図1は、図10における静電レンズアレイ132の詳細を示す図であり、第一電極1、第二電極2、第三電極3の厚さはそれぞれ平均100μm、それらの間隔はそれぞれ平均400μmである。
マルチ電子ビームが通過するための開口5の直径は平均30μmであり、ウエハ133の表面と静電レンズ132の下面との距離は平均100μmである。
なお、電極の厚さ、電極の間隔、ウエハ133の表面と静電レンズ132の下面との距離は正確な値ではなく、それぞれ±1μm、±0.5μm、±1μm程度の誤差を持っている。
[実施例1]
実施例1として、本発明を適用した静電レンズアレイの構成例について、図1を用いて説明する。
図1は、図10における静電レンズアレイ132の詳細を示す図であり、第一電極1、第二電極2、第三電極3の厚さはそれぞれ平均100μm、それらの間隔はそれぞれ平均400μmである。
マルチ電子ビームが通過するための開口5の直径は平均30μmであり、ウエハ133の表面と静電レンズ132の下面との距離は平均100μmである。
なお、電極の厚さ、電極の間隔、ウエハ133の表面と静電レンズ132の下面との距離は正確な値ではなく、それぞれ±1μm、±0.5μm、±1μm程度の誤差を持っている。
本実施例では、上記複数の電極の表面に略垂直な方向から見たとき、スペーサ12の下面がつくる外周輪郭線が、第三電極3の下面の外周輪郭線より突出した部分を有するように、静電レンズアレイ132が構成されている。
スペーサ12は、略円形の第三電極3より10mm大きい半径の略円形であり、全周にわたって第三電極3の下面より突出している。
この静電レンズアレイ132を用い、位置検出手段として、薄型の静電容量センサ9がスペーサ12の突出した部分の下面に、円周を3等分するように、3箇所取り付けられる。
スペーサ12は、略円形の第三電極3より10mm大きい半径の略円形であり、全周にわたって第三電極3の下面より突出している。
この静電レンズアレイ132を用い、位置検出手段として、薄型の静電容量センサ9がスペーサ12の突出した部分の下面に、円周を3等分するように、3箇所取り付けられる。
予めウエハ133表面全体のZ位置をレーザ測長機で測定したデータを配列Z0として保持しておき、静電レンズ132の3箇所に取り付けた薄型の静電容量センサ9によって測定した、ウエハ133の表面からのZ位置を配列Z1とした。
ウエハ133の表面から第三電極3上面までの設計距離を保ちつつ、配列Z0とZ1の要素の差の二乗和が最小になるように、ステージ134の傾きを調整した。
こうして、第三電極3上面と、ウエハ133表面の平行度が他の電極表面に対して最小になるようにした。
そして、平均的なデフォーカス量が最小となるように、不図示の調整機構により平行をほぼ保ったまま、第三電極3上面と、ウエハ133表面を所定の距離に調整した。
このような構成によれば、従来のように、実際に電子ビーム像を形成・評価して傾きを調整する必要がなくなり、静電レンズアレイ132全体としてのフォーカスを、容易に調整することが可能となる。
ウエハ133の表面から第三電極3上面までの設計距離を保ちつつ、配列Z0とZ1の要素の差の二乗和が最小になるように、ステージ134の傾きを調整した。
こうして、第三電極3上面と、ウエハ133表面の平行度が他の電極表面に対して最小になるようにした。
そして、平均的なデフォーカス量が最小となるように、不図示の調整機構により平行をほぼ保ったまま、第三電極3上面と、ウエハ133表面を所定の距離に調整した。
このような構成によれば、従来のように、実際に電子ビーム像を形成・評価して傾きを調整する必要がなくなり、静電レンズアレイ132全体としてのフォーカスを、容易に調整することが可能となる。
1:第一電極
2:第二電極
3:第三電極
5:開口
9:薄型の静電容量センサ
11:第一、第二電極間スペーサ
12:第二、第三電極間スペーサ
133:ウエハ
134:ステージ
2:第二電極
3:第三電極
5:開口
9:薄型の静電容量センサ
11:第一、第二電極間スペーサ
12:第二、第三電極間スペーサ
133:ウエハ
134:ステージ
Claims (5)
- 離間して配置された複数の電極基板を備え、前記複数の電極基板のそれぞれに電荷粒子ビームが通過する複数の開口を有する静電レンズアレイであって、
前記複数の電極基板の表面に略垂直な方向から見たとき、前記複数の電極基板における最上面の電極基板の上面および最下面の電極基板の下面以外の面のいずれかがつくる外周輪郭線が、最上面の電極基板の上面または最下面の電極基板の下面の外周輪郭線より突出した部分を備え、
前記突出した部分の位置を位置規定部材により規定することによって、
前記突出した部分を備えた面が、前記静電レンズアレイの前記電極基板の最上面から最下面の開口を通過して電荷粒子ビームが照射される基板面に対し、平行となるように平行度が調整可能に構成されていることを特徴とする静電レンズアレイ。 - 前記突出した部分を支持する支持部を備え、前記支持部を介して前記平行度が前記位置規定部材によって調整可能に構成されていることを特徴とする請求項1に記載の静電レンズアレイ。
- 前記位置規定部材が、レーザ測長機、静電容量センサ、突き当て治具のいずれか、またはこれらの組み合わせにより構成されていることを特徴とする請求項2に記載の静電レンズアレイ。
- 離間して配置された複数の電極基板を備え、該複数の電極基板のそれぞれに電荷粒子ビームが通過する複数の開口を有する静電レンズアレイと、
前記静電レンズアレイを通過して荷電粒子ビームが照射される試料面とを有するマルチ荷電粒子光学系であって、
前記静電レンズアレイが、請求項1から3のいずれか1項に記載の静電レンズアレイで構成されていることを特徴とするマルチ荷電粒子光学系。 - 請求項4に記載のマルチ荷電粒子光学系のフォーカスを調整するフォーカス調整方法であって、
前記複数の電極基板のそれぞれの上下面のうち、最上面の電極基板の上面および最下面の電極基板の下面以外の面のいずれかと、前記試料面との平行度を調整し、フォーカスを調整することを特徴とするフォーカス調整方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012140610A JP2014007013A (ja) | 2012-06-22 | 2012-06-22 | 静電レンズアレイ、マルチ荷電粒子光学系、及びフォーカス調整方法 |
| US13/915,834 US8748842B2 (en) | 2012-06-22 | 2013-06-12 | Electrostatic lens array |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012140610A JP2014007013A (ja) | 2012-06-22 | 2012-06-22 | 静電レンズアレイ、マルチ荷電粒子光学系、及びフォーカス調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014007013A true JP2014007013A (ja) | 2014-01-16 |
Family
ID=49773625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012140610A Pending JP2014007013A (ja) | 2012-06-22 | 2012-06-22 | 静電レンズアレイ、マルチ荷電粒子光学系、及びフォーカス調整方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8748842B2 (ja) |
| JP (1) | JP2014007013A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022536722A (ja) * | 2019-06-13 | 2022-08-18 | カール ツァイス マルチセム ゲーエムベーハー | 個別粒子ビームのアジマス偏向用の粒子ビームシステム及び粒子ビームシステムにおけるアジマス補正の方法 |
| JP2023541365A (ja) * | 2020-09-17 | 2023-10-02 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 荷電粒子評価ツール、検査方法 |
| JP2023541371A (ja) * | 2020-09-17 | 2023-10-02 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 対物レンズアレイアセンブリ、電子光学系、電子光学系アレイ、集束方法、対物レンズ構成 |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9740343B2 (en) | 2012-04-13 | 2017-08-22 | Apple Inc. | Capacitive sensing array modulation |
| US9030440B2 (en) | 2012-05-18 | 2015-05-12 | Apple Inc. | Capacitive sensor packaging |
| US9883822B2 (en) | 2013-06-05 | 2018-02-06 | Apple Inc. | Biometric sensor chip having distributed sensor and control circuitry |
| US9984270B2 (en) | 2013-08-05 | 2018-05-29 | Apple Inc. | Fingerprint sensor in an electronic device |
| US9460332B1 (en) * | 2013-09-09 | 2016-10-04 | Apple Inc. | Capacitive fingerprint sensor including an electrostatic lens |
| US10296773B2 (en) | 2013-09-09 | 2019-05-21 | Apple Inc. | Capacitive sensing array having electrical isolation |
| US9697409B2 (en) | 2013-09-10 | 2017-07-04 | Apple Inc. | Biometric sensor stack structure |
| DE102015202172B4 (de) | 2015-02-06 | 2017-01-19 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Teilchenstrahlsystem und Verfahren zur teilchenoptischen Untersuchung eines Objekts |
| US10176961B2 (en) | 2015-02-09 | 2019-01-08 | The Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona | Small portable night vision system |
| DE102018202421B3 (de) | 2018-02-16 | 2019-07-11 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem |
| DE102018202428B3 (de) | 2018-02-16 | 2019-05-09 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Vielstrahl-Teilchenmikroskop |
| CN112055886A (zh) | 2018-02-27 | 2020-12-08 | 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司 | 带电粒子多束系统及方法 |
| US10811215B2 (en) | 2018-05-21 | 2020-10-20 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Charged particle beam system |
| DE102018115012A1 (de) | 2018-06-21 | 2019-12-24 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Teilchenstrahlsystem |
| DE102018007455B4 (de) | 2018-09-21 | 2020-07-09 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Verfahren zum Detektorabgleich bei der Abbildung von Objekten mittels eines Mehrstrahl-Teilchenmikroskops, System sowie Computerprogrammprodukt |
| DE102018007652B4 (de) | 2018-09-27 | 2021-03-25 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Teilchenstrahl-System sowie Verfahren zur Stromregulierung von Einzel-Teilchenstrahlen |
| DE102018124044B3 (de) | 2018-09-28 | 2020-02-06 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Verfahren zum Betreiben eines Vielstrahl-Teilchenstrahlmikroskops und Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem |
| DE102018124219A1 (de) | 2018-10-01 | 2020-04-02 | Carl Zeiss Microscopy Gmbh | Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem und Verfahren zum Betreiben eines solchen |
| US10784070B2 (en) * | 2018-10-19 | 2020-09-22 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam device, field curvature corrector, and methods of operating a charged particle beam device |
| TWI743626B (zh) | 2019-01-24 | 2021-10-21 | 德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 | 包含多束粒子顯微鏡的系統、對3d樣本逐層成像之方法及電腦程式產品 |
| CN111477530B (zh) | 2019-01-24 | 2023-05-05 | 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司 | 利用多束粒子显微镜对3d样本成像的方法 |
| KR20240095476A (ko) * | 2019-05-31 | 2024-06-25 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 다중 하전 입자 빔 장치 및 그 작동 방법 |
| DE102019005362A1 (de) | 2019-07-31 | 2021-02-04 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Verfahren zum Betreiben eines Vielzahl-Teilchenstrahlsystems unter Veränderung der numerischen Apertur, zugehöriges Computerprogrammprodukt und Vielzahl-Teilchenstrahlsystem |
| DE102019008249B3 (de) | 2019-11-27 | 2020-11-19 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Teilchenstrahl-System mit einer Multistrahl-Ablenkeinrichtung und einem Strahlfänger, Verfahren zum Betreiben des Teilchenstrahl-Systems und zugehöriges Computerprogrammprodukt |
| EP4100986A1 (en) | 2020-02-04 | 2022-12-14 | Carl Zeiss MultiSEM GmbH | Multi-beam digital scan and image acquisition |
| JP7689139B2 (ja) | 2020-03-12 | 2025-06-05 | カール ツァイス マルティセム ゲゼルシヤフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | マルチビーム発生ユニットおよびマルチビーム偏向ユニットの特定の改善 |
| DE102020107738B3 (de) | 2020-03-20 | 2021-01-14 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Teilchenstrahl-System mit einer Multipol-Linsen-Sequenz zur unabhängigen Fokussierung einer Vielzahl von Einzel-Teilchenstrahlen, seine Verwendung und zugehöriges Verfahren |
| DE102020123567B4 (de) | 2020-09-09 | 2025-02-13 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Vielzahl-Teilchenstrahl-System mit Kontrast-Korrektur-Linsen-System |
| EP3971940A1 (en) * | 2020-09-17 | 2022-03-23 | ASML Netherlands B.V. | Objective lens array assembly, electron-optical system, electron-optical system array, method of focusing, objective lens arrangement |
| EP3971939A1 (en) * | 2020-09-17 | 2022-03-23 | ASML Netherlands B.V. | Charged particle assessment tool, inspection method |
| TW202220012A (zh) | 2020-09-30 | 2022-05-16 | 德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 | 在可調工作距離附近具快速自動對焦之多重粒子束顯微鏡及相關方法 |
| JP2024501654A (ja) * | 2020-12-23 | 2024-01-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 荷電粒子光学デバイス |
| DE102021200799B3 (de) | 2021-01-29 | 2022-03-31 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Verfahren mit verbesserter Fokuseinstellung unter Berücksichtigung eines Bildebenenkipps in einem Vielzahl-Teilchenstrahlmikroskop |
| TW202312205A (zh) | 2021-05-27 | 2023-03-16 | 德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 | 多重射束帶電粒子系統與在多重射束帶電粒子系統中控制工作距離的方法 |
| DE102021116969B3 (de) | 2021-07-01 | 2022-09-22 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Verfahren zur bereichsweisen Probeninspektion mittels eines Vielstrahl-Teilchenmikroskopes, Computerprogrammprodukt und Vielstrahl-Teilchenmikroskop zur Halbleiterprobeninspektion |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5528048A (en) * | 1994-03-15 | 1996-06-18 | Fujitsu Limited | Charged particle beam exposure system and method |
| JP4708653B2 (ja) * | 1999-12-23 | 2011-06-22 | エフ イー アイ カンパニ | 相互に異なる光線が鏡径を限定する多重ビーム石版印刷装置 |
| JP2001283756A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Canon Inc | 電子光学系アレイ、これを用いた荷電粒子線露光装置ならびにデバイス製造方法 |
| JP4947841B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2012-06-06 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線露光装置 |
| US20100261159A1 (en) * | 2000-10-10 | 2010-10-14 | Robert Hess | Apparatus for assay, synthesis and storage, and methods of manufacture, use, and manipulation thereof |
| JP4361271B2 (ja) * | 2000-10-10 | 2009-11-11 | バイオトローブ・インコーポレイテツド | アッセイ、合成、および保存用の器具、ならびに、その作製、使用、および操作の方法 |
| GB2374979A (en) * | 2000-12-28 | 2002-10-30 | Ims Ionen Mikrofab Syst | A field ionisation source |
| KR100503767B1 (ko) * | 2003-06-27 | 2005-07-26 | 학교법인연세대학교 | 2차원 광변조 미세 개구 어레이 장치 및 이를 이용한 고속미세패턴 기록시스템 |
| JP4356064B2 (ja) | 2003-07-08 | 2009-11-04 | キヤノン株式会社 | 荷電粒子線露光装置および該装置を用いたデバイス製造方法 |
| JP4313145B2 (ja) * | 2003-10-07 | 2009-08-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
| US7301263B2 (en) * | 2004-05-28 | 2007-11-27 | Applied Materials, Inc. | Multiple electron beam system with electron transmission gates |
| US7376169B2 (en) * | 2005-03-07 | 2008-05-20 | Joseph Reid Henrichs | Optical phase conjugation laser diode |
| US7825591B2 (en) * | 2006-02-15 | 2010-11-02 | Panasonic Corporation | Mesh structure and field-emission electron source apparatus using the same |
| EP2251893B1 (en) * | 2009-05-14 | 2014-10-29 | IMS Nanofabrication AG | Multi-beam deflector array means with bonded electrodes |
| NL2003619C2 (en) | 2009-10-09 | 2011-04-12 | Mapper Lithography Ip Bv | Projection lens assembly. |
| US8362441B2 (en) * | 2009-10-09 | 2013-01-29 | Mapper Lithography Ip B.V. | Enhanced integrity projection lens assembly |
| EP2494579B1 (en) * | 2009-10-26 | 2017-08-02 | Mapper Lithography IP B.V. | Charged particle multi-beamlet lithography system, modulation device, and method of manufacturing thereof |
| US9696633B2 (en) * | 2010-04-12 | 2017-07-04 | Asml Netherlands B.V. | Substrate handling apparatus and lithographic apparatus |
| JP2012023316A (ja) * | 2010-07-16 | 2012-02-02 | Canon Inc | 荷電粒子線描画装置および物品の製造方法 |
| KR101725299B1 (ko) * | 2010-10-26 | 2017-04-10 | 마퍼 리쏘그라피 아이피 비.브이. | 변조 디바이스 및 이를 사용하는 하전 입자 멀티-빔렛 리소그래피 시스템 |
| JP6038882B2 (ja) * | 2011-04-20 | 2016-12-07 | マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー.ブイ. | 光ファイバの構成体及びこのような構成体を形成する方法 |
-
2012
- 2012-06-22 JP JP2012140610A patent/JP2014007013A/ja active Pending
-
2013
- 2013-06-12 US US13/915,834 patent/US8748842B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022536722A (ja) * | 2019-06-13 | 2022-08-18 | カール ツァイス マルチセム ゲーエムベーハー | 個別粒子ビームのアジマス偏向用の粒子ビームシステム及び粒子ビームシステムにおけるアジマス補正の方法 |
| JP7398481B2 (ja) | 2019-06-13 | 2023-12-14 | カール ツァイス マルチセム ゲーエムベーハー | 個別粒子ビームのアジマス偏向用の粒子ビームシステム及び粒子ビームシステムにおけるアジマス補正の方法 |
| US12249478B2 (en) | 2019-06-13 | 2025-03-11 | Carl Zeiss Multisem Gmbh | Particle beam system for azimuthal deflection of individual particle beams and method for azimuth correction in a particle beam system |
| JP2023541365A (ja) * | 2020-09-17 | 2023-10-02 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 荷電粒子評価ツール、検査方法 |
| JP2023541371A (ja) * | 2020-09-17 | 2023-10-02 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 対物レンズアレイアセンブリ、電子光学系、電子光学系アレイ、集束方法、対物レンズ構成 |
| JP7804648B2 (ja) | 2020-09-17 | 2026-01-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 荷電粒子評価ツール、検査方法 |
| US12537158B2 (en) | 2020-09-17 | 2026-01-27 | Asml Netherlands B.V. | Charged particle assessment tool, inspection method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20130341526A1 (en) | 2013-12-26 |
| US8748842B2 (en) | 2014-06-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2014007013A (ja) | 静電レンズアレイ、マルチ荷電粒子光学系、及びフォーカス調整方法 | |
| NL2029294B1 (en) | Multiple particle beam microscope and associated method with fast autofocus around an adjustable working distance | |
| KR102109963B1 (ko) | 1차 하전 입자 빔렛들의 어레이를 이용한 시료의 검사를 위한 하전 입자 빔 디바이스 및 1차 하전 입자 빔렛들의 어레이를 이용하여 시료를 이미징하거나 조명하는 방법 | |
| TWI480914B (zh) | 末端模組及帶電粒子的多子束系統 | |
| JP5886663B2 (ja) | 電子線応用装置およびレンズアレイ | |
| US20210005423A1 (en) | Charged particle beam system and method | |
| JP5822535B2 (ja) | 描画装置、および、物品の製造方法 | |
| US8294117B2 (en) | Multiple beam charged particle optical system | |
| JP6141276B2 (ja) | 荷電粒子マルチ小ビーム装置 | |
| JP2014229481A (ja) | 荷電粒子線応用装置 | |
| KR102207766B1 (ko) | 이차 전자 광학계 & 검출 디바이스 | |
| KR101556236B1 (ko) | 분산 보상을 갖는 전자 빔 디바이스, 및 이의 동작 방법 | |
| US20120241641A1 (en) | Drawing apparatus and method of manufacturing article | |
| KR20210076117A (ko) | 하전 입자 빔 디바이스, 필드 곡률 보정기, 및 하전 입자 빔 디바이스를 동작시키는 방법들 | |
| KR20230079266A (ko) | 조정 가능한 작동 거리 주위에서 고속 오토포커스를 갖는 복수 입자 빔 현미경 및 관련 방법 | |
| NL2031161B1 (en) | Multiple particle beam microscope and associated method with fast autofocus with special embodiments | |
| JP2007012290A (ja) | 荷電粒子ビーム応用装置 | |
| JP5368086B2 (ja) | マルチコラム電子ビーム露光装置及びマルチコラム電子ビーム露光方法 | |
| JP5749028B2 (ja) | 走査型電子顕微鏡 | |
| JP2006080155A (ja) | 電子ビーム応用装置 | |
| JP5836646B2 (ja) | 描画装置、および、物品の製造方法 | |
| WO2012042738A1 (ja) | 走査電子顕微鏡 | |
| JP2013168398A (ja) | 静電レンズアレイ、マルチ荷電粒子光学系、及びフォーカス調整方法 | |
| JP2019046567A (ja) | 荷電粒子線装置 | |
| JP4181533B2 (ja) | 電子ビーム描画装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20131212 |