JP2014026902A - 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 - Google Patents

表示装置、表示装置の製造方法および電子機器 Download PDF

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Abstract

【課題】印刷法によって発光層を形成する場合に、版を用いずに複数の発光層を形成する。
【解決手段】基板上の第１の領域と第２の領域との間に、上記基板からみて上記第１の領域が上記第２の領域よりも高くなるように段差を形成する段差形成部材と、上記第１の領域に転写される第１の発光層と、上記第１の領域および上記第２の領域に転写され、発光波長が上記第１の発光層の発光波長よりも短い第２の発光層とを含む表示装置が提供される。
【選択図】図４

Description

本開示は、表示装置、表示装置の製造方法および電子機器に関する。
近年、有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイの発光層（有機層）を、印刷法によって形成することが提案されている。印刷法は、真空蒸着法に比べてプロセスコストが低く、また装置の大型化も容易であるという利点を有する。
この印刷法は、非接触方式と接触方式とに大別される。非接触方式の方法としては、例えばインクジェット法やノズルプリンティング法が知られている。これらの方法は、装置の大型化が容易であり、また材料利用効率が高いという利点を有する。しかし、これらの方法では、インクの塗布位置を規定するためにバンク（隔壁）を設けなければならず、バンクへのインクの濡れ上がり等によって画素内で膜厚にむらが生じる場合がある。
一方、接触方式の方法としては、例えばフレキソ印刷法や、グラビアオフセット印刷法、反転オフセット印刷法などが知られている。フレキソ印刷法は、基板上での膜厚精度が比較的高く、印刷に要する時間が短く、また印刷機の大型化が可能であるといった利点を有するが、版の精度が低く、表示装置の高精細化や大型化に対応することは難しい。グラビアオフセット印刷法は、版の精度が高く、高精細化や大型化に対応可能であるが、画素内の膜厚分布が山型になり、発光輝度にむらが生じる場合がある。
そのような中で注目されているのが、反転オフセット印刷法である。反転オフセット印刷法は、転写体上にインクを均一に成膜したものを版に加圧接触させて非印刷部分のインクを取り除き、転写体上に残ったパターンを転写パターンとして被印刷体に転写する方法である。この反転オフセット印刷法では、膜厚分布がより均一になるのに加えて、高精細なパターニングも可能である。
それゆえ、反転オフセット印刷法は、有機ＥＬディスプレイの発光層の印刷のみならず、いわゆるプリンテッドエレクトロニクスの分野全体での適用が期待されている。具体的には、例えば、プリント基板の配線／絶縁パターン、フォトリソグラフィ工程で用いられるフォトレジスト、ディスプレイ用のカラーフィルタ、および有機薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）の有機層などの印刷に、反転オフセット印刷法を適用することが検討されている。かかる反転オフセット印刷法を用いた技術の例は、例えば特許文献１に記載されている。
特開２０１０−１５８７９９号公報
しかし、上記のように版を用いる反転オフセット印刷法では、印刷の度に版の洗浄が必要であるために、装置コストやプロセスコストが上昇する傾向がある。また、高精細なパターニングが可能ではあるが、その場合は転写体を被印刷体に対して高い精度でアライメントさせなければならず、高精細な印刷は必ずしも容易な工程ではなかった。
そこで、本開示では、印刷法によって発光層を形成する場合に、版を用いずに複数の発光層を形成することが可能な、新規かつ改良された表示装置、表示装置の製造方法および電子機器を提案する。
本開示によれば、基板上の第１の領域と第２の領域との間に、上記基板からみて上記第１の領域が上記第２の領域よりも高くなるように段差を形成する段差形成部材と、上記第１の領域に転写される第１の発光層と、上記第１の領域および上記第２の領域に転写され、発光波長が上記第１の発光層の発光波長よりも短い第２の発光層とを含む表示装置が提供される。
また、本開示によれば、転写体上に一様に塗布された第１の発光層を基板上の第１の領域に転写しつつ、上記第１の領域と上記基板上の第２の領域との間に形成された段差によって上記第１の発光層が上記第２の領域に付着することを防ぐ工程と、上記第１の領域および上記第２の領域に、発光波長が上記第１の発光層の発光波長よりも短い第２の発光層を転写する工程とを含む、表示装置の製造方法が提供される。
また、本開示によれば、基板上の第１の領域と第２の領域との間に、上記基板からみて上記第１の領域が上記第２の領域よりも高くなるように段差を形成する段差形成部材と、
上記第１の領域に転写される第１の発光層と、上記第１の領域および上記第２の領域に転写され、発光波長が上記第１の発光層の発光波長よりも短い第２の発光層とを含む表示装置を有する電子機器が提供される。
第１の領域と第２の領域との間に段差を設けることによって、より発光波長が長く発光しやすい第１の発光層が第２の領域に転写されるのを防ぐことができる。従って、第２の領域に転写される第２の発光層による発光は、第１の発光層の影響を受けない。一方、第２の発光層は第１の領域に転写された第１の発光層に重なって転写されるが、第１の発光層の方がより発光しやすいために、第２の発光層の影響を抑制することが可能である。
以上説明したように本開示によれば、印刷法によって発光層を形成する場合に、版を用いずに複数の発光層を形成することができる。
本開示の第１の実施形態に係る表示装置の全体構成の例を示す図である。 本開示の第１の実施形態に係る表示装置の画素駆動回路の構成例を示す図である。 本開示の第１の実施形態に係る表示装置の表示領域の平面構成の例を示す図である。 図３のＩ−Ｉ断面図である。 本開示の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法を示すフローチャートである。 図５の製造方法の工程を示す図である。 図５の製造方法の工程を示す図である。 図５の製造方法の工程を示す図である。 図５の製造方法の工程を示す図である。 図５の製造方法における発光層の転写について説明するための図である。 本開示の第１の実施形態に係る表示装置を有する電子機器の構成を示す概略的なブロック図である。 本開示の第２の実施形態に係る表示装置の表示領域の断面図である。 本開示の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を示すフローチャートである。 図１０の製造方法の工程を示す図である。 図１０の製造方法の工程を示す図である。 図１０の製造方法の工程を示す図である。 図１０の製造方法の工程を示す図である。 本開示の第２の実施形態の変形例を示す図である。 本開示の第２の実施形態の別の変形例を示す図である。 本開示の第３の実施形態に係る表示装置の表示領域の断面図である。
以下に添付図面を参照しながら、本開示の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
なお、説明は以下の順序で行うものとする。
１．第１の実施形態（赤色、緑色、および青色の発光層をそれぞれ転写する例）
１−１．表示装置の構成
１−２．表示装置の製造方法
１−３．電子機器への適用
１−４．変形例
２．第２の実施形態（青色の発光層を共通層とする例）
２−１．表示装置の構成
２−２．表示装置の製造方法
２−３．変形例
３．第３の実施形態（黄色および青色の発光層をそれぞれ転写する例）
３−１．表示装置の構成
３−２．変形例
４．補足
（１．第１の実施形態）
（１−１．表示装置の構成）
まず、図１〜図４を参照して、本開示の第１の実施形態に係る表示装置の構成について説明する。図１および図２は、表示装置の全体構成を説明するための図である。図３および図４は、表示装置の表示領域についてより詳しく説明するための図である。
（全体構成）
図１は、本開示の第１の実施形態に係る表示装置の構成の例を示す図である。本実施形態に係る表示装置は、有機ＥＬディスプレイ１００である。
図１を参照すると、有機ＥＬディスプレイ１００は、基板１１上に、赤色発光素子１０Ｒ、緑色発光素子１０Ｇ、および青色発光素子１０Ｂがマトリクス状に配列された表示領域１１０を有する。一組の赤色発光素子１０Ｒ、緑色発光素子１０Ｇ、および青色発光素子１０Ｂによって、画素１０が構成される。表示領域１１０の周辺には、映像表示用のドライバとして、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられる。
また、表示領域１１０には、赤色発光素子１０Ｒ、緑色発光素子１０Ｇ、および青色発光素子１０Ｂにそれぞれ接続される画素駆動回路１４０が設けられる。この画素駆動回路１４０の構成について、以下で図２を参照してさらに説明する。
（画素駆動回路の構成）
図２は、有機ＥＬディスプレイ１００に設けられる画素駆動回路１４０の構成例を示す図である。本実施形態において、画素駆動回路１４０は、後述する発光素子の下部電極の下層に形成されるアクティブ型の駆動回路である。
図２を参照すると、画素駆動回路１４０には、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２が設けられ、駆動トランジスタＴｒ１と書き込みトランジスタＴｒ２との間にはキャパシタＣｓが接続される。赤色発光素子１０Ｒ、緑色発光素子１０Ｇ、または青色発光素子１０Ｂは、第１の電源ラインＶｃｃと第２の電源ラインＧＮＤとの間で駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続される。
ここで、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）である。ＴＦＴの構造としては、例えば逆スタガ構造（ボトムゲート型）、またはスタガ構造（トップゲート型）など、各種の構造が用いられうる。
また、画素駆動回路１４０では、列方向の信号線１２０Ａと行方向の走査線１３０Ａとが、それぞれ複数配列される。信号線１２０Ａと走査線１３０Ａとの交点は、それぞれが赤色発光素子１０Ｒ、緑色発光素子１０Ｇ、または青色発光素子１０Ｂのいずれかに対応する。それぞれの信号線１２０Ａは上記の信号線駆動回路１２０に接続され、信号線駆動回路１２０は信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号を供給する。同様に、それぞれの走査線１３０Ａは上記の走査線駆動回路１３０に接続され、走査線駆動回路１３０は走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号を順次供給する。
（表示領域の構成）
図３は、有機ＥＬディスプレイ１００における表示領域１１０の平面構成の例を示す図である。図４は、図３のＩ−Ｉ断面図である。図３に示すように、表示領域１１０には、赤色発光素子１０Ｒ、緑色発光素子１０Ｇ、および青色発光素子１０Ｂがマトリクス状に配列される。一組の赤色発光素子１０Ｒ、緑色発光素子１０Ｇ、および青色発光素子１０Ｂは、画素１０を構成する。
図４に示すように、基板１１上には、基板１１側から順に、ＴＦＴ層１３、平坦化絶縁膜１４、下部電極１５、開口絶縁膜１６、有機層１７、上部電極１８、接着層２２、および封止用基板２１が設けられる。このうち、下部電極１５、開口絶縁膜１６、有機層１７、上部電極１８によって、赤色発光素子１０Ｒ、緑色発光素子１０Ｇ、および青色発光素子１０Ｂ（以下、「発光素子」として総称する場合がある）がそれぞれ構成される。なお、有機ＥＬディスプレイ１００は、発光素子の光が基板１１側から取り出されるボトムエミッション型である。
（基板〜平坦化絶縁膜）
基板１１は、平坦面を有する支持体である。基板１１としては、例えば、石英、ガラス、金属箔、または樹脂製のフィルムやシートなどが用いられる。樹脂製のフィルムやシートを用いる場合、その材質としては、例えばポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などのメタクリル樹脂類、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＴ）などのポリエステル類、またはポリカーボネート樹脂などが用いられうる。この場合、透水性や透ガス性を抑えるために、基板１１を積層構造にして表面処理をすることが望ましい。
ＴＦＴ層１３は、上記で図２を参照して説明した画素駆動回路１４０が形成される層である。画素駆動回路１４０に設けられる駆動トランジスタＴｒ１は、下部電極１５に電気的に接続される。
平坦化絶縁膜１４は、ＴＦＴ層１３の表面を平坦化するために設けられる。平坦化絶縁膜１４には、ＴＦＴ層１３の駆動トランジスタＴｒ１と下部電極１５とを接続するための接続孔１４Ｈが形成される。そのため、平坦化絶縁膜１４は、例えばポリイミド系の有機材料、または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などの無機材料のような、パターン精度がよい材料によって形成されることが望ましい。
本実施形態において、平坦化絶縁膜１４の厚みｄは、赤色発光素子１０Ｒが形成される第１の領域Ｒ１と、緑色発光素子１０Ｇが形成される第２の領域Ｒ２と、青色発光素子１０Ｂが形成される第３の領域Ｒ３との間で、それぞれ異なる。より具体的には、第１の領域Ｒ１での厚みｄ１は、第２の領域Ｒ２での厚みｄ２よりも大きい。また、第２の領域Ｒ２での厚みｄ２は、第３の領域Ｒ３での厚みｄ３よりも大きい。
これによって、基板１１からみて、第１の領域Ｒ１が第２の領域Ｒ２よりも高くなり、第２の領域Ｒ２が第３の領域Ｒ３よりも高くなるように、段差が形成される。つまり、本実施形態では、平坦化絶縁膜１４が、段差形成部材として機能する。後述するように、この段差は、第１の領域Ｒ１に転写される赤色発光層１７３Ｒが第２の領域Ｒ２および第３の領域Ｒ３に付着することを防ぎ、さらに第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２に転写される緑色発光層１７３Ｇが第３の領域Ｒ３に付着することを防ぐ。
ここで、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との間の段差の大きさ（ｄ１−ｄ２）、および第２の領域Ｒ２と第３の領域Ｒ３との間の段差の大きさ（ｄ２−ｄ３）は、例えば発光層の転写に用いられる転写体の材質や、転写体の押し付け圧力などに応じて、適宜設定されうる。１つの設定例として、段差の大きさ（ｄ１−ｄ２）および（ｄ２−ｄ３）は、それぞれの段差で下段にあたる第２の領域Ｒ２または第３の領域Ｒ３の幅の１／１００以上であることが望ましく、５００ｎｍ以上であることがさらに望ましい。
有機ＥＬディスプレイの解像度は、携帯電話などのモバイル機器から大型テレビまで含め、一般に３００ｐｐｉから２０ｐｐｉ程度である。それゆえ、例えば、図３に示す画素１０のピッチＷ１０は、８４μｍ〜１２７０μｍ程度である。従って、第１の領域Ｒ１、第２の領域Ｒ２、および第３の領域Ｒ３の幅ＷＲ１，ＷＲ２，ＷＲ３は、それぞれ２８μｍ〜４２０μｍ程度になる。この場合、段差の大きさ（ｄ１−ｄ２）および（ｄ２−ｄ３）は、１μｍ〜１０μｍ程度あれば十分である。
なお、図示されていないが、基板１１と平坦化絶縁膜１４との間には、カラーフィルタが設けられてもよい。カラーフィルタは、例えば、赤色フィルタ、緑色フィルタ、および青色フィルタを含みうる。赤色フィルタは赤色発光素子１０Ｒが形成される第１の領域Ｒ１に、緑色フィルタは緑色発光素子１０Ｇが形成される第２の領域Ｒ２に、青色フィルタは青色発光素子１０Ｂが形成される第３の領域Ｒ３に、それぞれ配置される。赤色フィルタ、緑色フィルタ、および青色フィルタは、それぞれ例えば顔料を含む樹脂によって形成される。顔料を適宜選択することによって、それぞれ赤色、緑色、または青色の波長域の光の透過率が他の波長域よりも高くなるように調整することが可能である。
カラーフィルタには、赤色フィルタ、緑色フィルタ、または青色フィルタとともに、ブラックマトリクスとしての遮光膜が設けられてもよい。これによって、各発光素子で発生した光が取り出されるとともに、各発光素子またはその間の配線部分で反射した外光が吸収され、コントラストが向上する。遮光膜は、例えば黒色の着色剤を含み、光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜または薄膜フィルタによって形成される。黒色の樹脂膜は、比較的安価であり、容易に形成できる。一方、薄膜フィルタは、例えば、金属、金属窒化物、または金属酸化物の薄膜を少なくとも１層有し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させる。薄膜フィルタは、例えば、クロム（Ｃｒ）と酸化クロム（Ｃｒ２Ｏ３）とを交互に積層することによって形成されうる。
なお、本実施形態では、赤色、緑色、および青色についてそれぞれ発光素子が設けられるため、赤色フィルタ、緑色フィルタ、および青色フィルタのうちのいずれか、またはすべてが設けられなくてもよい。
（発光素子）
下部電極１５は、発光素子の陽極であり、上述のようにＴＦＴ層１３の駆動トランジスタＴｒ１に接続される。下部電極１５は、発光素子ごとに設けられ、例えばクロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、または銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金の透明材料によって形成される。あるいは、上記の金属材料で形成される金属膜と透明導電膜とを積層して下部電極１５を形成してもよい。この場合、透明導電膜としては、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）、酸化インジウム亜鉛（ＩｎＺｎＯ）、または酸化亜鉛（ＺｎＯ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金などが用いられうる。
開口絶縁膜１６は、下部電極１５と上部電極１８との間の絶縁性を確保するとともに、発光領域を所望の形状に成形するための開口を形成する。開口絶縁膜１６の上に設けられる有機層１７および上部電極１８は、開口の部分以外の開口絶縁膜１６の上に形成されてもよいが、発光が生じるのは開口の部分である。開口絶縁膜１６は、例えば酸化ケイ素などの無機絶縁材料によって形成されてもよい。あるいは、開口絶縁膜１６は、上記の無機絶縁材料の上に、ポジ型感光性ポリベンゾオキサゾールまたはポジ型感光性ポリイミドなどの感光性樹脂を積層して形成されてもよい。
ここで、図３に示されるように、各発光素子の発光領域に対応して開口絶縁膜１６によって形成される開口は、幅ＷＬ、長さＤＬである。一例として、画素１０のピッチＷ１０が３６０μｍ、第１の領域Ｒ１、第２の領域Ｒ２、および第３の領域Ｒ３の幅ＷＲ１，ＷＲ２，ＷＲ３がいずれも１２０μｍである場合、幅ＷＬは６０μｍ、長さＤＬは２８０μｍに設定されうる。
有機層１７は、基板１１側から順に、正孔注入層（ＨＩＬ：Hole Injection Layer）１７１、正孔輸送層（ＨＴＬ：Hole Transport Layer）１７２、発光層（ＥＭＬ：Emitting Layer）１７３、電子輸送層（ＥＴＬ：Electron Transport Layer）１７４、および電子注入層（ＥＩＬ：Electron Injection Layer）１７５を含む。発光層１７３として、赤色発光素子１０Ｒに対応して赤色発光層１７３Ｒが、緑色発光素子１０Ｇに対応して緑色発光層１７３Ｇが、青色発光素子１０Ｂに対応して青色発光層１７３Ｂが、それぞれ設けられる。
正孔注入層１７１は、各発光素子に共通して設けられる。正孔注入層１７１は、正孔注入効率を向上させるとともに、正孔のリークを防止するバッファ層として機能する。正孔注入層１７１の材料は、電極や隣接する層の材料との関係に応じて適宜選択されうるが、例えば、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリフェニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキノキサリンおよびその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体等の導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等）、またはカーボンなどが用いられうる。正孔注入層１７１の厚みは、例えば５ｎｍ〜１００ｎｍ程度であり、８ｎｍ〜５０ｎｍ程度であることがより望ましい。
ここで、正孔注入層１７１が高分子材料によって形成される場合、重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば２０００〜３０００００程度であり、５０００〜２０００００程度であることがより望ましい。Ｍｗが５０００未満である場合、正孔輸送層１７２以降の層を形成するときに溶解する可能性がある。また、Ｍｗが３０００００を超える場合、材料のゲル化によって成膜が困難になる可能性がある。なお、重量平均分子量（Ｍｗ）は、テトラヒドロフランを溶媒として、ＧＰＣ（Gel Permeation Chromatography）によって、ポリスチレン換算の重量平均分子量を求めた値である。
上記の場合、正孔注入層１７１は、例えば、ポリアニリン、オリゴアニリン、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）などのポリジオキシチオフェンのような高分子材料によって形成されてもよい。かかる材料として、より具体的には、エイチ・シー・スタルク製の商品名Nafion（登録商標）および商品名Liquion（登録商標）、日産化学製の商品名エルソース（登録商標）および綜研化学製の導電性ポリマーベラゾールなどが用いられうる。
なお、下部電極１５を発光素子の陽極として用いる場合、正孔注入性の高い材料で形成することが望ましいが、例えばアルミニウム合金のような仕事関数の大きさが比較的小さい材料も、正孔注入層１７１を適切に形成することによって陽極として用いることが可能である。
正孔輸送層１７２は、各発光素子に共通して設けられる。正孔輸送層１７２は、発光層１７３への正孔輸送効率を向上させる機能を有する。正孔輸送層１７２を形成する材料としては、有機溶媒に可溶な発光材料、例えば、ポリビニルカルバゾールおよびその誘導体、ポリフルオレンおよびその誘導体、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリシランおよびその誘導体、側鎖または主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、またはポリピロールなどが用いられうる。正孔輸送層１７２の厚みは、例えば１０ｎｍ〜２００ｎｍ程度であり、１５ｎｍ〜１５０ｎｍ程度であることがより望ましい。
ここで、正孔輸送層１７２が高分子材料によって形成される場合、重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば５００００〜３０００００程度であり、１０００００〜２０００００程度であることがより望ましい。Ｍｗが５００００未満である場合、発光層１７３を形成するときに高分子材料中の低分子成分が脱落して正孔注入層１７１および正孔輸送層１７２にドットが生じ、発光素子の初期性能が低下したり素子の劣化を引き起こしたりする可能性がある。また、Ｍｗが３０００００を超える場合、材料のゲル化によって成膜が困難になる可能性がある。
発光層１７３、すなわち赤色発光層１７３Ｒ、緑色発光層１７３Ｇ、および青色発光層１７３Ｂは、電界がかけられることによって電子と正孔との再結合を生じて発光する。赤色発光層１７３Ｒは、基板１１上の第１の領域Ｒ１に形成される。緑色発光層１７３Ｇは、基板１１上の第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２に形成される。青色発光層１７３Ｂは、基板１１上の第１の領域Ｒ１、第２の領域Ｒ２、および第３の領域Ｒ３のすべてに形成される。赤色発光層１７３Ｒは、例えば６２０ｎｍ〜７５０ｎｍの範囲に少なくとも１つのピーク波長を有する発光材料で形成される。緑色発光層１７３Ｇは、例えば４９５ｎｍ〜５７０ｎｍの範囲に少なくとも１つのピーク波長を有する発光材料で形成される。また、青色発光層１７３Ｂは、例えば４５０ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲に少なくとも１つのピーク波長を有する発光材料で形成される。
より具体的には、発光層１７３は、高分子（発光）材料に低分子材料（モノマーまたはオリゴマー）を添加した混合材料によって形成されうる。例えば、発光層１７３は、ポリフルオレン系高分子誘導体、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、または上記の高分子材料に、有機ＥＬ材料をドープすることによって形成される。ドープ材料としては、例えば、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、またはクマリン６などが用いられうる。発光層１７３の厚みは、例えば１０ｎｍ〜２００ｎｍ程度であり、１５ｎｍ〜１００ｎｍであることがより望ましい。
本実施形態において、赤色発光層１７３Ｒ、緑色発光層１７３Ｇ、および青色発光層１７３Ｂは、いずれも、転写体上に一様に塗布されて、基板１１上に転写される。このとき、上記のように、平坦化絶縁膜１４によって形成された段差によって、第１の領域Ｒ１に転写される赤色発光層１７３Ｒが第２の領域Ｒ２および第３の領域Ｒ３に付着すること、および第２の領域Ｒ２に転写される緑色発光層１７３Ｇが第３の領域Ｒ３に付着することが防止される。従って、各発光層１７３は、波長がより長く発光しやすい他の発光層が付着することによる混色などの影響を受けることがない。
その一方で、緑色発光層１７３Ｇは、本来転写されるべき第２の領域Ｒ２以外に第１の領域Ｒ１にも転写される。また、青色発光層１７３Ｂは、本来転写されるべき第３の領域Ｒ３以外に第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２にも転写される。しかしながら、これらの場合は、励起エネルギー準位の低い長波長側の発光層１７３の方が発光する確率が高いために、波長がより長い赤色発光層１７３Ｒ（第１の領域Ｒ１の場合）や緑色発光層１７３Ｇ（第２の領域Ｒ２の場合）がより強く発光し、重なって転写された他の発光層の影響は少ない。
電子輸送層１７４は、各発光素子に共通して設けられる。電子輸送層１７４は、発光層１７３への電子輸送効率を向上させる機能を有する。電子輸送層１７４の材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、フェナントレン、ピレン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、フラーレン、オキサジアゾール、フルオレノン、アントラセン、ナフタレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、またはこれらの誘導体や金属錯体、例えばトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ３）などが用いられうる。
電子注入層１７５は、各発光素子に共通して設けられる。電子注入層１７５は、電子注入効率を向上させる機能を有する。電子注入層１７５の材料としては、例えば、リチウム（Ｌｉ）の酸化物である酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）や、セシウム（Ｃｓ）の複合酸化物である炭酸セシウム（Ｃｓ２ＣＯ３）、またはこれらの混合物が用いられうる。また、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）などのアルカリ土類金属、リチウム、セシウムなどのアルカリ金属、インジウム（Ｉｎ）、またはマグネシウム（Ｍｇ）などの仕事関数の小さい金属が、単体あるいは合金で用いられてもよい。さらに、これらの金属の酸化物、複合酸化物、フッ化物が、単体あるいは混合物として用いられてもよい。
上部電極１８は、発光素子の陰極であり、各発光素子に共通して電子注入層１７５上に設けられる。つまり、上部電極１８は、赤色発光素子１０Ｒ、緑色発光素子１０Ｇ、および青色発光素子１０Ｂの共通電極である。上述のように、上部電極１８と下部電極１５とは絶縁されている。上部電極１８は、例えば２００ｎｍの厚みでアルミニウム（Ａｌ）によって形成されうる。
本実施形態において、各領域における下部電極１５と上部電極１８との間隔ｓは、第１の領域Ｒ１〜第３の領域Ｒ３の間で、それぞれ異なる。より具体的には、第１の領域Ｒ１では、赤色発光層１７３Ｒ、緑色発光層１７３Ｇ、および青色発光層１７３Ｂが重畳されるため、間隔ｓ１は３つの領域の中で最も大きい。第２の領域Ｒ２では、緑色発光層１７３Ｇ、および青色発光層１７３Ｂが重畳されるため、間隔ｓ２は次に大きい。第３の領域Ｒ３では、青色発光層１７３Ｂだけが形成されるため、間隔ｓ３は３つの領域の中で最も小さい。
ここで、間隔ｓ１〜ｓ３が、例えばそれぞれの領域の本来の発光層の発光波長の整数倍になるように設定すれば、キャビティー効果によって、各色の光をより強く取り出すことができる。より具体的には、第３の領域Ｒ３では、間隔ｓ３が青色発光層１７３Ｂの発光波長の整数倍になるように、青色発光層１７３Ｂの厚みを設定すればよい。また、第２の領域Ｒ２では、間隔ｓ２が緑色発光層１７３Ｇの発光波長の整数倍になるように、青色発光層１７３Ｂに重畳される緑色発光層１７３Ｇの厚みを設定すればよい。さらに、第１の領域Ｒ１では、間隔ｓ１が赤色発光層１７３Ｒの発光波長の整数倍になるように、緑色発光層１７３Ｇおよび青色発光層１７３Ｂに重畳される赤色発光層１７３Ｒの厚みを設定すればよい。
なお、間隔ｓを発光波長に応じて設定する場合、必ずしも間隔ｓ１〜ｓ３のすべてを発光波長に応じて設定する必要はなく、そのうちの一部だけを発光波長に応じて設定してもよい。本実施形態では、各領域で重畳される発光層の数が異なるために、複数の領域で、各領域の本来の発光層の発光波長に対応した電極間隔を設定し、各色についてのキャビティー効果を得ることが可能である。
（接着層および封止基板）
上部電極１８上には、熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂などの接着層２２が形成され、接着層２２上にガラスなどの封止用基板２１が接着される。上記のように、有機ＥＬディスプレイ１００はボトムエミッション型であるが、これをトップエミッション型とすることも可能である。その場合、カラーフィルタ基板が封止用基板２１として用いられてもよい。
なお、図示されていないが、上部電極１８と接着層２２との間には、各発光素子に共通して保護層が設けられてもよい。保護層は、例えば、アモルファスシリコン（α−シリコン）、アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ）、アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ１−ｘＮｘ）あるいはアモルファスカーボン（α−Ｃ）などの無機アモルファス性の絶縁性材料で形成されうる。上記の材料で保護層を形成した場合、グレインが構成されないため、保護層の透水性が低くなり、保護膜としての特性が向上する。なお、保護層は、他の絶縁性材料または導電性材料で形成されてもよい。
（１−２．表示装置の製造方法）
次に、図５〜図７を参照して、本開示の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法について説明する。図５は、製造方法のフローチャートである。図６Ａ〜図６Ｄは、製造方法の各工程での表示装置の状態を示す図である。図７は、製造方法における発光層の転写についてより詳しく説明するための図である。以下では、図５に沿って製造方法を説明しつつ、図６Ａ〜図６Ｄおよび図７を適宜参照する。
（ＴＦＴ基板工程〜正孔輸送層の形成）
図５を参照すると、本実施形態に係る表示装置である有機ＥＬディスプレイ１００の製造方法では、まず、ＴＦＴ基板工程が実行される（ステップＳ１０１）。ＴＦＴ基板工程は、基板１１上にＴＦＴ層１３、平坦化絶縁膜１４、下部電極１５、および開口絶縁膜１６を形成する処理である。
このうち、平坦化絶縁膜１４は、例えば感光性ポリイミドを用いて形成される。この場合、まず、感光性ポリイミドで形成された絶縁膜をＴＦＴ層１３上に配置し、接続孔１４Ｈに対応する部分に開口を有するマスクを用いて露光する。次に、第２の領域Ｒ２および第３の領域Ｒ３に対応する部分に開口を有するマスクを用いてハーフ露光する。次に、第３の領域Ｒ３に対応する部分に開口を有するマスクを用いてさらにハーフ露光する。これによって、接続孔１４Ｈが形成され、第１の領域Ｒ１での厚みｄ１が第２の領域Ｒ２での厚みｄ２よりも大きく、第２の領域Ｒ２での厚みｄ２が第３の領域Ｒ３での厚みｄ３よりも大きい平坦化絶縁膜１４が形成される。
また、下部電極１５は、例えば、基板１１上に形成されたＩＴＯなどの透明導電膜をパターニングすることによって形成される。このとき、下部電極１５は、平坦化絶縁膜１４の接続孔１４Ｈを介して、ＴＦＴ層１３にある駆動トランジスタＴｒ１のドレイン電極に接続される。
また、開口絶縁膜１６は、例えば、基板１１上に化学気相成長法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）によって酸化ケイ素などの無機絶縁材料を成膜した後、これに感光性樹脂を積層させてパターニングすることによって形成される。
開口絶縁膜１６の形成後、基板１１の表面、つまり下部電極１５および開口絶縁膜１６が形成された側の面を酸素プラズマ処理する。これによって、基板１１の表面に付着した不要な有機物などが除去され、濡れ性が向上する。酸素プラズマ処理では、例えば、基板１１を７０℃〜８０℃程度の所定の温度に加熱し、大気圧下で酸素を反応ガスとしてプラズマ処理する（Ｏ２プラズマ処理）。以上で、ステップＳ１０１のＴＦＴ基板工程が終了する。
次に、基板１１上に正孔注入層（ＨＩＬ）１７１を形成する（ステップＳ１０３）。ここで、正孔注入層１７１は、例えばスピンコート法によって上記の材料を下部電極１５および開口絶縁膜１６の上に成膜し、大気中で１時間ベークすることによって形成される。
次に、基板１１上に正孔輸送層（ＨＴＬ）１７２を形成する（ステップＳ１０５）。ここで、正孔輸送層１７２は、例えばスピンコート法によって上記の材料を正孔注入層１７１上に成膜し、窒素（Ｎ２）雰囲気下、１８０℃で１時間ベークすることによって形成される。
図６Ａには、以上のステップＳ１０５までの工程が終了した状態が示されている。上記のように、ここまでの工程では、段差形成部材である平坦化絶縁膜１４によって各領域の間に段差が形成され、その上に下部電極１５、開口絶縁膜１６、正孔注入層１７１、および正孔輸送層１７２が各領域に共通して形成される。
それゆえ、基板１１上の正孔輸送層１７２の表面は、平坦化絶縁膜１４によって形成された段差に対応した段差を有する。つまり、第１の領域Ｒ１の正孔輸送層１７２の表面は、第２の領域Ｒ２の正孔輸送層１７２の表面よりも（ｄ１−ｄ２）だけ高い。また、第２の領域Ｒ２の正孔輸送層１７２の表面は、第３の領域Ｒ３の正孔輸送層１７２の表面よりも（ｄ２−ｄ３）だけ高い。
（青色発光層の形成）
次に、青色発光層１７３Ｂを基板１１上に転写する（ステップＳ１０７）。青色発光層１７３Ｂは、転写体上に一様に塗布され、基板１１上の第１の領域Ｒ１〜第３の領域Ｒ３のすべてに転写される。
図６Ｂには、ステップＳ１０７で青色発光層１７３Ｂが転写されているときの状態が示されている。青色発光層１７３Ｂは、表面がシリコンゴム（例えばＳＴＤ７００：藤倉ゴム工業）などの弾性材料で形成されるブランケット４１（転写体）上に一様に塗布され、第１の領域Ｒ１、第２の領域Ｒ２，および第３の領域Ｒ３のすべてで正孔輸送層１７２上に転写される。このとき、正孔輸送層１７２の表面には段差が形成されているため、青色発光層１７３Ｂが本来転写されるべき第３の領域Ｒ３は、他の領域に比べて凹になっている。そのため、青色発光層１７３Ｂを転写によって形成する工程では、ブランケット４１の表面に塗布された青色発光層１７３Ｂが段差を超えて第３の領域Ｒ３の正孔輸送層１７２に接触するように、ブランケット４１の基板１１への接触圧力が調整される。より具体的には、青色発光層１７３Ｂを転写するときのブランケット４１の接触圧力は、他の２つの発光層１７３を転写するときの接触圧力よりも大きくなるように調整される。
なお、このとき、ブランケット４１は、当然に、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２の正孔輸送層１７２にも接触する。それゆえ、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２にも、青色発光層１７３Ｂが転写される。しかしながら、上述のように、発光波長がより長い発光層の方が発光しやすいため、赤色発光層１７３Ｒおよび緑色発光層１７３Ｇは、青色発光層１７３Ｂよりも発光しやすい。従って、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２では、青色発光層１７３Ｂが転写されていても、それに重畳して転写される赤色発光層１７３Ｒまたは緑色発光層１７３Ｇによって、赤色や緑色の発光が得られる。
ここで、短波長側の発光材料からの発光をさらに抑制するために、例えば基板１１上にカラーフィルタを設けて、短波長側の発光をカットしてもよい。また、発光層１７３を形成する材料の選択や、正孔輸送性または電子輸送性の材料を発光層１７３にブレンドしてキャリアバランスを調整することによって、短波長側の発光を抑制してもよい。
（緑色発光層の形成）
次に、緑色発光層１７３Ｇを基板１１上に転写する（ステップＳ１０９）。緑色発光層１７３Ｇも、ブランケット４１上に一様に塗布されて基板１１上に転写されるが、青色発光層１７３Ｂとは異なり、第３の領域Ｒ３には転写されない。そのために、緑色発光層１７３Ｇの転写の工程では、上記のように基板１１上に形成された段差を利用し、転写体を適切な接触圧力で基板１１に接触させることによって、緑色発光層１７３Ｇを基板１１上に選択的に転写する。
図７には、緑色発光層１７３Ｇを基板１１上に選択的に転写する工程の例が示されている。なお、本実施形態では、赤色発光層１７３Ｒも、同様の工程によって基板１１上に選択的に転写される。
まず、転写体であるブランケット４１の表面に緑色発光層１７３Ｇを一様に塗布する。ここで、ブランケット４１は、円筒状のロール４２に巻回されている。緑色発光層１７３Ｇの材料は、有機溶媒に溶解され、スリットコートダイ４３を用いてブランケット４１の表面に塗布される。
次に、ブランケット４１を適切な接触圧力で基板１１に接触させた状態でロール４２を転動させることによって、緑色発光層１７３Ｇを基板１１上に転写する。このとき、基板１１上に形成された段差のために、緑色発光層１７３Ｇは、段差の上側にあたる部分、すなわち第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２に選択的に転写される。ブランケット４１に残った緑色発光層１７３Ｇは、例えばクリーニングローラーを用いて除去される。あるいは、ブランケット４１に残った緑色発光層１７３Ｇは、次回の緑色発光層１７３Ｇ転写の際に再利用されてもよい。
図６Ｃには、ステップＳ１０９で緑色発光層１７３Ｇが転写されているときの状態が示されている。緑色発光層１７３Ｇは、青色発光層１７３Ｂと同様にブランケット４１上に一様に塗布されるが、第１の領域Ｒ１、第２の領域Ｒ２，および第３の領域Ｒ３のすべてで転写される青色発光層１７３Ｂとは異なり、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２の正孔輸送層１７２上に選択的に転写される。このとき、正孔輸送層１７２の表面に形成された段差のために、第２の領域Ｒ２は、第３の領域Ｒ３に比べて高くなっている。そのため、第３の領域Ｒ３では、ブランケット４１が正孔輸送層１７２に接触せず、緑色発光層１７３Ｇは、第３の領域Ｒ３には付着しない。
一方、正孔輸送層１７２の表面に形成された段差のために、第２の領域Ｒ２は、第１の領域Ｒ１に比べて低くなっている。そのため、緑色発光層１７３Ｇを転写によって形成する工程では、ブランケット４１上の転写パターンが、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との間の段差を越えて第２の領域Ｒ２の正孔輸送層１７２に接触するように、ブランケット４１の基板１１への接触圧力を調整する。より具体的には、緑色発光層１７３Ｇを転写するときのブランケット４１の接触圧力は、赤色発光層１７３Ｒを転写するときの接触圧力よりも大きくなるように調整される。
なお、このとき、ブランケット４１は、当然に、第１の領域Ｒ１の正孔輸送層１７２にも接触する。それゆえ、第１の領域Ｒ１にも、緑色発光層１７３Ｇが転写される。しかしながら、赤色発光層１７３Ｒは、緑色発光層１７３Ｇよりも光の波長が長く、発光しやすい。従って、第１の領域Ｒ１では、緑色発光層１７３Ｇが転写されていても、それに重畳して転写される赤色発光層１７３Ｒによって、赤色の発光が得られる。なお、上記の青色発光層１７３Ｂの場合と同様に、第１の領域Ｒ１では、カラーフィルタや発光層１７３のキャリアバランスの調整などによって、緑色発光層１７３Ｇ（および青色発光層１７３Ｂ）の発光がさらに抑制されてもよい。
（赤色発光層の形成）
次に、赤色発光層１７３Ｒを基板１１上に転写する（ステップＳ１１１）。赤色発光層１７３Ｒも、ブランケット４１上に一様に塗布されて基板１１上に転写されるが、赤色発光層１７３Ｒは、第１の領域Ｒ１だけに転写される。そのために、赤色発光層１７３Ｒの転写の工程では、上記のように基板１１上に形成された段差を利用し、転写体を適切な接触圧力で基板１１に接触させることによって、赤色発光層１７３Ｒを基板１１上に選択的に転写する。
図６Ｄには、ステップＳ１１１で赤色発光層１７３Ｒが転写されているときの状態が示されている。赤色発光層１７３Ｒは、第１の領域Ｒ１の正孔輸送層１７２上に選択的に転写される。ここで、正孔輸送層１７２の表面に形成された段差のために、第１の領域Ｒ１は、他の領域に比べて凸になっている。そのため、赤色発光層１７３Ｒを転写によって形成する工程では、ブランケット４１上に塗布された赤色発光層１７３Ｒが、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との間の段差を越えず、第２の領域Ｒ２および第３の領域Ｒ３の正孔輸送層１７２には付着しないように、ブランケット４１の接触圧力が調整される。より具体的には、赤色発光層１７３Ｒを転写するときのブランケット４１の接触圧力は、他の２つの発光層１７３を転写するときの接触圧力よりも小さくなるように調整される。
次に、ステップＳ１０７〜Ｓ１１１でそれぞれ転写された青色発光層１７３Ｂ、緑色発光層１７３Ｇ、および赤色発光層１７３Ｒを、例えば窒素雰囲気下、１３０℃で２時間ベークすることによって乾燥させる（ステップＳ１１３）。
（共通層の形成〜封止）
次に、発光層１７３が形成された基板１１上に、共通層を蒸着する（ステップＳ１１５）。本実施形態において、共通層は、電子注入層１７５および上部電極１８である。これらの共通層は、同一の成膜装置内で連続して形成されることが望ましい。それぞれの層の形成の間に基板１１が大気に曝露されると、大気中の水分によって材料の劣化が生じる可能性があるためである。なお、この工程で、上部電極１８の上に保護層が形成されてもよい。
次に、上記の工程によって形成された各層を、封止用基板２１によって封止する（ステップＳ１１７）。より具体的には、ステップＳ１１５で形成された共通層の上に、接着層２２の樹脂などを塗布した後、封止用基板２１をアライメントして貼り合わせ、接着層２２を硬化させる。
以上の工程によって、有機ＥＬディスプレイ１００が完成する。
（１−３．電子機器への適用）
次に、図８を参照して、本開示の第１の実施形態に係る表示装置を有する電子機器の構成について説明する。図８は、電子機器の構成を示す概略的なブロック図である。
図８を参照すると、電子機器１０００は、有機ＥＬディスプレイ１００、制御回路５００、操作部６００、記憶部７００、および通信部８００を含む。電子機器１０００は、例えば、テレビジョン、携帯電話（スマートフォン）、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータなど、表示部として有機ＥＬディスプレイ１００を有する何らかの機器である。
制御回路５００は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、およびＲＯＭ（Read Only Memory）などによって構成され、電子機器１０００の各部を制御する。有機ＥＬディスプレイ１００も、この制御回路５００によって制御される。
操作部６００は、例えばタッチパッド、ボタン、キーボード、またはマウスなどによって構成され、電子機器１０００に対するユーザの操作入力を受け付ける。制御回路５００は、操作部６００が取得した操作入力に従って電子機器１０００を制御する。
記憶部７００は、例えば半導体メモリ、磁気ディスク、または光ディスクなどによって構成され、電子機器１０００が機能するために必要な各種のデータを格納する。制御回路５００は、記憶部７００に格納されたプログラムを読み出して実行することによって動作してもよい。
通信部８００は、付加的に設けられる。通信部８００は、有線または無線のネットワーク９００に接続される通信インターフェースであり、例えばモデムやポート、またはアンテナなどによって構成される。制御回路５００は、通信部８００を介して、ネットワーク９００からデータを受信し、またネットワーク９００にデータを送信する。
上記で説明した有機ＥＬディスプレイ１００だけではなく、これを有する電子機器１０００もまた、本開示の実施形態に含まれる。
（１−４．変形例）
以上で説明した本開示の第１の実施形態の変形例について説明する。
例えば、上述したように、有機ＥＬディスプレイ１００は、図示されていないカラーフィルタや保護層など、他の構成要素を含んで構成されてもよい。有機ＥＬディスプレイ１００は、図示された例のようなボトムエミッション型には限られず、トップエミッション型であってもよい。また、画素駆動回路１４０は、アクティブ型の駆動回路には限られず、パッシブ型の駆動回路であってもよい。
また、上記の例では、青色発光層１７３Ｂが転写によって形成されたが、青色発光層１７３Ｂは別の方法、例えば塗布や蒸着などによって形成されてもよい。青色発光層１７３Ｂは、第１の領域Ｒ１〜第３の領域Ｒ３のすべてに形成されるため、その形成方法は任意に選択されうる。
また、上記の例では、段差形成部材として平坦化絶縁膜１４が用いられたが、他の部材が段差形成部材として用いられてもよい。例えば、基板１１上にカラーフィルタが設けられる場合、カラーフィルタの有無、または厚みの差によって上記の段差が形成されてもよい。また、ＴＦＴ層１３の表面の凹凸が、上記の段差として利用されてもよい。さらに、正孔注入層１７１もしくは正孔輸送層１７２の厚みの差、または開口絶縁膜１６のリブによって上記の段差が形成されてもよい。つまり、段差形成部材としては、発光層１７３よりも基板１１側に位置するあらゆる構成要素を利用することが可能である。なお、カラーフィルタを利用する例、およびＴＦＴ層１３を利用する例については、続く第２の実施形態の変形例としてより詳しく説明する。
（２．第２の実施形態）
（２−１．表示装置の構成）
次に、図９を参照して、本開示の第２の実施形態に係る表示装置の構成について説明する。図９は、表示装置の表示領域について説明するための図である。
本実施形態に係る表示装置は、有機ＥＬディスプレイ２００である。なお、表示装置の全体構成、および表示領域の平面構成について、本実施形態における構成は上記の第１の実施形態で図１〜図３を参照して説明した構成とほぼ同様であるため、詳細な説明は省略する。
図９に示すように、基板１１上には、基板１１側から順に、ＴＦＴ層１３、平坦化絶縁膜１４、下部電極１５、開口絶縁膜１６、有機層２７、上部電極１８、接着層２２、および封止用基板２１が設けられる。このうち、有機層２７以外について、本実施形態における構成は上記の第１の実施形態で図４を参照して説明した構成とほぼ同様であるため、詳細な説明は省略する。
有機層２７は、基板１１側から順に、正孔注入層（ＨＩＬ）１７１、正孔輸送層（ＨＴＬ）１７２、発光層（ＥＭＬ）２７３、電子輸送層（ＥＴＬ）１７４、および電子注入層（ＥＩＬ）１７５を含む。発光層２７３として、赤色発光素子１０Ｒでは赤色発光層２７３Ｒが、緑色発光素子１０Ｇでは緑色発光層２７３Ｇがそれぞれ設けられる。また、青色発光素子１０Ｂを含む各発光素子に共通して、青色発光層２７３Ｂが設けられる。
なお、正孔注入層１７１、正孔輸送層１７２、電子輸送層１７４、および電子注入層１７５については、上記の第１の実施形態とほぼ同様の構成要素であるため、詳細な説明を省略する。また、赤色発光層２７３Ｒおよび緑色発光層２７３Ｇは、形成順序を除いては第１の実施形態の赤色発光層１７３Ｒおよび緑色発光層１７３Ｇとほぼ同様の構成要素であるため、これらについても詳細な説明を省略する。
青色発光層２７３Ｂは、他の発光層と同様に、電界がかけられることによって電子と正孔との再結合を生じて発光する。青色発光層２７３Ｂは、例えば４５０ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲に少なくとも１つのピーク波長を有する発光材料で形成される。より具体的には、青色発光層２７３Ｂは、ホスト材料としてのアントラセン化合物に、ゲスト材料として青色もしくは緑色の低分子蛍光性色素、りん光色素、または金属錯体などの有機発光材料をドーピングすることによって形成されうる。
本実施形態では、赤色発光層２７３Ｒおよび緑色発光層２７３Ｇが転写によって形成されるのに対し、青色発光層２７３Ｂは、蒸着によって、第１の領域Ｒ１、第２の領域Ｒ２、および第３の領域Ｒ３に共通して形成される。青色発光層２７３Ｂは、他の発光層２７３が転写された後に形成されるため、第１の領域Ｒ１では赤色発光層２７３Ｒおよび緑色発光層２７３Ｇの上に青色発光層２７３Ｂが形成され、第２の領域Ｒ２では緑色発光層２７３Ｇの上に青色発光層２７３Ｂが形成される。
また、本実施形態では、赤色発光層２７３Ｒと緑色発光層２７３Ｇとの形成順序が、上記の第１の実施形態とは異なる。後述するように、本実施形態では、先に赤色発光層２７３Ｒが転写され、その後に緑色発光層２７３Ｇが転写される。ここで、第１の実施形態と同様に、緑色発光層２７３Ｇは、第２の領域Ｒ２だけではなく第１の領域Ｒ１にも転写される。従って、第１の領域Ｒ１では、赤色発光層２７３Ｒの上に緑色発光層２７３Ｇが形成される。
このように、本開示の実施形態において、各発光層の形成順序は任意に設定されうる。例えば、第１および第２の実施形態のようにＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の発光層が形成される場合、形成順序は第１の実施形態の（Ｂ，Ｇ，Ｒ）、第２の実施形態の（Ｒ，Ｇ，Ｂ）の他にも、（Ｂ，Ｒ，Ｇ）、（Ｒ，Ｂ，Ｇ）、（Ｇ，Ｒ，Ｂ）、（Ｇ，Ｂ，Ｒ）のように、任意の順序とすることが可能である。これは、３色以外、例えば２色や４色以上の発光層が形成される場合も同様である。
（２−２．表示装置の製造方法）
次に、図１０および図１１Ａ〜Ｄを参照して、本開示の第２の実施形態に係る表示装置の製造方法について説明する。図１０は、製造方法のフローチャートである。図１１Ａ〜Ｄは、製造方法の各工程での表示装置の状態を示す図である。以下では、図１０に沿って製造方法を説明しつつ、図１１Ａ〜Ｄを適宜参照する。
（ＴＦＴ基板工程〜正孔輸送層の形成）
図１０を参照すると、本実施形態に係る表示装置である有機ＥＬディスプレイ２００の製造方法では、ステップＳ１０１〜Ｓ１０５として、上記の第１の実施形態で図５を参照して説明した工程と同様にして、基板１１上にＴＦＴ層１３、平坦化絶縁膜１４、下部電極１５、開口絶縁膜１６、正孔注入層（ＨＩＬ）１７１、および正孔輸送層（ＨＴＬ）１７２が形成される。
図１１Ａには、以上のステップＳ１０５までの工程が終了した状態が示されている。ここまでの工程では、第１の実施形態と同様に、段差形成部材である平坦化絶縁膜１４によって各領域の間に段差が形成され、その上に下部電極１５、開口絶縁膜１６、正孔注入層１７１、および正孔輸送層１７２が各領域に共通して形成される。
（赤色発光層および緑色発光層の形成）
次に、赤色発光層２７３Ｒ、および緑色発光層２７３Ｇを、それぞれ基板１１上に転写して形成する（ステップＳ２０７，Ｓ２０９）。
図１１Ｂには、ステップＳ１０７で赤色発光層１７３Ｒが転写されているときの状態が示されている。赤色発光層１７３Ｒは、第１の実施形態と同様に、正孔輸送層１７２の表面に形成された段差を利用して、第１の領域Ｒ１に選択的に転写される。ブランケット４１上に塗布された赤色発光層１７３Ｒが、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との間の段差を越えず、第２の領域Ｒ２および第３の領域Ｒ３の正孔輸送層１７２には付着しないように、ブランケット４１の接触圧力が調整される。
図１１Ｃには、ステップＳ１０９で緑色発光層１７３Ｇが転写されているときの状態が示されている。緑色発光層１７３Ｇは、第１の実施形態と同様に、正孔輸送層１７２の表面に形成された段差を利用して、第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２に選択的に転写される。ブランケット４１上に塗布された緑色発光層１７３Ｇが、第２の領域Ｒ２と第３の領域Ｒ３との間の段差を越えず、第３の領域Ｒ３の正孔輸送層１７２には付着しないように、ブランケット４１の接触圧力が調整される。
なお、図示された例では、青色発光層２７３Ｂが蒸着によって形成されるが、青色発光層２７３Ｂも、赤色発光層２７３Ｒおよび緑色発光層２７３Ｇと同様に転写によって形成されてもよい。この場合、上記のステップＳ２０９の後に、青色発光層２７３Ｂを基板１１上に転写して形成する工程（ステップＳ２１１）が実行される。この場合、青色発光層１７３Ｂが段差を超えて第３の領域Ｒ３の正孔輸送層１７２に転写されるように、ブランケット４１の接触圧力が調整される。
次に、ステップＳ２０７，Ｓ２０９でそれぞれ転写された赤色発光層２７３Ｒおよび緑色発光層２７３Ｇを、例えば、窒素雰囲気下、１３０℃で２時間ベークすることによって乾燥させる（ステップＳ１１３）。
（共通層の形成〜封止）
次に、赤色発光層２７３Ｒおよび緑色発光層２７３Ｇが形成された基板１１上に、共通層を蒸着する（ステップＳ２１５）。本実施形態において、共通層は、青色発光層２７３Ｂ、電子輸送層１７４、電子注入層１７５、および上部電極１８である。図１１の（ｄ）には、ステップＳ２１５で青色発光層２７３Ｂを蒸着したときの状態が示されている。第１の実施形態と同様に、これらの共通層は、同一の成膜装置内で連続して形成されることが望ましい。また、この工程で、上部電極１８の上に保護層が形成されてもよい。
次に、上記の工程によって形成された各層を、第１の実施形態と同様に、封止用基板２１によって封止する（ステップＳ１１７）。以上の工程によって、有機ＥＬディスプレイ２００が完成する。
なお、上記の第１の実施形態の場合と同様に、有機ＥＬディスプレイ２００を有する電子機器もまた、本開示の実施形態に含まれる。
（２−３．変形例）
以上で説明した本開示の第２の実施形態の変形例について説明する。
（段差形成部材としてカラーフィルタを用いる例）
図１２は、本実施形態において、段差形成部材として平坦化絶縁膜１４に代えてカラーフィルタ１２を用いる変形例を示す図である。
図１２を参照すると、カラーフィルタ１２は、例えばＴＦＴ層１３と平坦化絶縁膜１４との間に設けられるオンチップカラーフィルタである。カラーフィルタ１２は、赤色発光素子１０Ｒに対応する赤色フィルタ１２Ｒ、緑色発光素子１０Ｇに対応する緑色フィルタ１２Ｇ、および青色発光素子１０Ｂに対応する青色フィルタ１２Ｂを含む。ここで、第１の領域Ｒ１に設けられる赤色フィルタ１２Ｒの厚みｔ１は、第２の領域Ｒ２に設けられる緑色フィルタ１２Ｇの厚みよりも大きい。また、第２の領域Ｒ２に設けられる緑色フィルタ１２Ｇの厚みｔ２は、第３の領域Ｒ３に設けられる青色フィルタ１２Ｂの厚みｔ３よりも大きい。
これによって、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との間には、大きさが（ｔ１−ｔ２）の段差が形成される。また、第２の領域Ｒ２と第３の領域Ｒ３との間には、大きさが（ｔ２−ｔ３）の段差が形成される。つまり、本変形例では、カラーフィルタ１２が、段差形成部材として機能する。
なお、上記の例では、赤色フィルタ１２Ｒ、緑色フィルタ１２Ｇ、および青色フィルタ１２Ｂのすべてが設けられるが、例えばこのうち青色フィルタ１２Ｂが設けられなくてもよい。この場合、第２の領域Ｒ２と第３の領域Ｒ３との間には、大きさがｔ２の段差が形成される。このように、カラーフィルタ１２は、それぞれの領域における厚みが異なることによって段差を形成してもよいし、段差の上段にあたる領域に限って設けられることによって段差を形成してもよい。
このように、段差形成部材としてカラーフィルタ１２を用いる場合、平坦化絶縁膜１４に段差を形成する工程が不要になる。また、カラーフィルタが必要な場合に、カラーフィルタ基板のような別途のカラーフィルタを設けなくてもよい。
（段差形成部材としてＴＦＴ層を用いる例）
図１３は、本実施形態において、段差形成部材として平坦化絶縁膜１４に代えてＴＦＴ層１３を用いる変形例を示す図である。
図１３を参照すると、本変形例では、ＴＦＴ層１３の表面の凹凸が、基板１１上に段差を形成するために利用される。この凹凸は、例えば、ＴＦＴ層１３に形成される画素駆動回路１４０に含まれるトランジスタやキャパシタによって形成される。この凹凸が、基板１１上に所望の段差を形成するように画素駆動回路１４０を設計すれば、ＴＦＴ層１３を段差形成部材として用いることも可能である。
このように、段差形成部材としてＴＦＴ層１３を用いる場合、平坦化絶縁膜１４に段差を形成する工程が不要になる。また、カラーフィルタは任意の形状で設けてもよいし設けなくてもよい、といったように、他の構成要素の設計の自由度が向上する。
なお、この他に、上記で第１の実施形態の変形例として説明されたそれぞれの構成も、本実施形態に適用することが可能である。
（３．第３の実施形態）
（３−１．表示装置の構成）
次に、図１４を参照して、本開示の第３の実施形態に係る表示装置の構成について説明する。図１４は、表示装置の表示領域について説明するための図である。
本実施形態に係る表示装置は、有機ＥＬディスプレイ３００である。なお、表示装置の全体構成、および表示領域の平面構成について、本実施形態における構成は上記の第１の実施形態で図１〜図３を参照して説明した構成とほぼ同様であるため、詳細な説明は省略する。
図１４に示すように、基板１１上には、基板１１側から順に、ＴＦＴ層１３、平坦化絶縁膜３４、下部電極１５、開口絶縁膜１６、有機層３７、上部電極１８、接着層２２、および封止用基板２１が設けられる。このうち、平坦化絶縁膜３４および有機層３７以外について、本実施形態における構成は上記の第１の実施形態で図４を参照して説明した構成とほぼ同様であるため、詳細な説明は省略する。
有機層３７は、基板１１側から順に、正孔注入層（ＨＩＬ）１７１、正孔輸送層（ＨＴＬ）１７２、発光層（ＥＭＬ）３７３、電子輸送層（ＥＴＬ）１７４、および電子注入層（ＥＩＬ）１７５を含む。発光層３７３として、赤色発光素子１０Ｒおよび緑色発光素子１０Ｇでは黄色発光層３７３Ｙが、青色発光素子１０Ｂでは青色発光層３７３Ｂが、それぞれ設けられる。
なお、正孔注入層１７１、正孔輸送層１７２、電子輸送層１７４、および電子注入層１７５については、上記の第１の実施形態とほぼ同様の構成要素であるため、詳細な説明を省略する。
発光層３７３、すなわち黄色発光層３７３Ｙおよび青色発光層３７３Ｂは、電界がかけられることによって電子と正孔との再結合を生じて発光する。黄色発光層３７３Ｙは、赤色発光素子１０Ｒおよび緑色発光素子１０Ｇが形成される基板１１上の第１の領域Ｒ１に形成される。青色発光層３７３Ｂは、基板１１上の第１の領域Ｒ１および第２の領域Ｒ２の両方に形成される。なお、本実施形態では、発光層３７３が黄色発光層３７３Ｙおよび青色発光層３７３Ｂの２種類しか設けられないため、基板１１上の領域は第１の領域Ｒ１または第２の領域Ｒ２のどちらかである。
なお、黄色発光層３７３Ｙは、例えば５００ｎｍ〜７５０ｎｍの範囲に少なくとも１つのピークを有する発光材料で形成される。また、青色発光層１７３Ｂは、例えば４５０ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲に少なくとも１つのピーク波長を有する発光材料で形成される。黄色発光層３７３Ｙおよび青色発光層３７３Ｂの具体的な材料は、第１の実施形態の発光層１７３と同様である。
また、黄色発光層３７３Ｙおよび青色発光層３７３Ｂは、第１の実施形態の発光層１７３と同様に、ブランケット上に一様に塗布されたものを基板１１上の所定の領域に転写することによって形成される。このとき、平坦化絶縁膜３４によって形成された段差によって、第１の領域Ｒ１に転写される黄色発光層３７３Ｙが第２の領域Ｒ２に付着することが防止される。従って、青色発光層３７３Ｂは、波長がより長く発光しやすい黄色発光層３７３Ｙが付着することによる混色などの影響を受けることがない。
その一方で、青色発光層３７３Ｂは、本来転写されるべき第２の領域Ｒ２以外に第１の領域Ｒ１にも転写される。しかしながら、後述するように、波長がより短く発光しにくい青色発光層３７３Ｂが付着することによる黄色発光層３７３Ｙへの影響は少ない。
黄色発光層３７３Ｙの光は、基板１１上に設けられるカラーフィルタ（図示せず）、例えば赤色発光素子１０Ｒに対応して設けられる赤色カラーフィルタ、および緑色発光素子１０Ｇに対応して設けられる緑色カラーフィルタを透過することによって、赤色または緑色の光として取り出される。
平坦化絶縁膜３４は、第１の実施形態の平坦化絶縁膜１４と同様に、ＴＦＴ層１３の表面を平坦化し、また基板１１上に段差を形成する。黄色発光層３７３Ｙが形成される第１の領域Ｒ１での平坦化絶縁膜３４の厚みｄ１は、青色発光層３７３Ｂが形成される第２の領域Ｒ２での平坦化絶縁膜３４の厚みｄ２よりも大きい。これによって、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との間には、大きさが（ｄ１−ｄ２）の段差が形成される。この段差によって、第１の領域Ｒ１に転写される黄色発光層３７３Ｙが第２の領域Ｒ２に付着することが防止される。
上述のように、本実施形態では、発光層３７３が２種類しか設けられない。そのため、段差生成部材である平坦化絶縁膜３４によって形成される基板１１上の段差も、第１の実施形態では３段であったのに対して本実施形態では２段である。このように、本開示の実施形態では、基板上に形成される段差の数は、発光層の種類の数に対応する。
なお、有機ＥＬディスプレイ３００は、上記で図５を参照して説明された第１の実施形態の製造方法のうち、赤色発光層および緑色発光層を形成するステップＳ１０７，Ｓ１０９の２つの工程を、黄色発光層３７３Ｙを形成する１つの工程に置き換えた製造方法によって製造される。
また、上記の第１の実施形態の場合と同様に、有機ＥＬディスプレイ３００を有する電子機器もまた、本開示の実施形態に含まれる。
（３−２．変形例）
以上で説明した本開示の第３の実施形態の変形例について説明する。
例えば、上述したように、有機ＥＬディスプレイ３００は、図示されていないカラーフィルタや保護層など、他の構成要素を含んで構成されてもよい。なお、本実施形態のように黄色発光層３７３Ｙを設ける場合、上記の例のように赤色、緑色、青色の３原色表示をするためには、赤色および緑色についてカラーフィルタが必要である。しかし、例えば黄色、青色の２原色表示をする場合であれば、カラーフィルタを設けずに黄色発光層３７３Ｙの光をそのまま取り出してもよい。
また、上記の例では、青色発光層３７３Ｂが転写によって形成されたが、青色発光層３７３Ｂは、第２の実施形態の青色発光層２７３Ｂのように、共通層として蒸着などによって形成されてもよい。
なお、この他に、上記で第１の実施形態または第２の実施形態の変形例として説明されたそれぞれの構成も、本実施形態に適用することが可能である。
（４．補足）
以上、添付図面を参照しながら本開示の好適な実施形態について詳細に説明したが、本開示の技術的範囲はかかる例に限定されない。本開示の技術分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本開示の技術的範囲に属するものと了解される。
なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）基板上の第１の領域と第２の領域との間に、前記基板からみて前記第１の領域が前記第２の領域よりも高くなるように段差を形成する段差形成部材と、
前記第１の領域に転写される第１の発光層と、
前記第１の領域および前記第２の領域に転写され、発光波長が前記第１の発光層の発光波長よりも短い第２の発光層と
を備える表示装置。
（２）前記段差形成部材は、さらに、前記第２の領域と前記基板上の第３の領域との間に、前記基板からみて前記第２の領域が前記第３の領域よりも高くなるように段差を形成し、
前記表示装置は、少なくとも前記第３の領域に形成され、発光波長が前記第２の発光層の発光波長よりも短い第３の発光層をさらに備える、前記（１）に記載の表示装置。
（３）前記第３の発光層は、前記第１の領域、前記第２の領域、および前記第３の領域に形成される、前記（２）に記載の表示装置。
（４）前記第３の発光層は、前記第１の領域、前記第２の領域、および前記第３の領域に転写される、前記（３）に記載の表示装置。
（５）前記段差形成部材は、前記基板と前記第１の発光層および前記第２の発光層との間に設けられる平坦化絶縁膜である、前記（１）〜（４）のいずれか１項に記載の表示装置。
（６）前記段差は、前記平坦化絶縁膜の前記第１の領域での厚みが前記第２の領域での厚みよりも大きいことによって形成される、前記（５）に記載の表示装置。
（７）前記段差形成部材は、前記基板と前記第１の発光層との間に設けられる第１のカラーフィルタ、および前記基板と前記第２の発光層との間に設けられる第２のカラーフィルタであり、
前記段差は、前記第１のカラーフィルタの厚みが前記第２のカラーフィルタの厚みよりも大きいことによって形成される、前記（１）〜（４）のいずれか１項に記載の表示装置。
（８）前記段差形成部材は、前記基板と第１の発光層との間に設けられるカラーフィルタである、前記（１）〜（４）のいずれか１項に記載の表示装置。
（９）前記段差形成部材は、前記基板と前記第１の発光層および前記第２の発光層との間に設けられる薄膜トランジスタ層であり、
前記段差は、前記薄膜トランジスタ層の表面の凹凸によって形成される、前記（１）〜（４）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１０）前記段差の高さは、前記第２の領域の幅の１／１００以上、または５００ｎｍ以上である、前記（１）〜（９）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１１）前記第１の領域において、重畳された前記第１の発光層および前記第２の発光層を挟んで設けられる１対の電極層をさらに備え、
前記第１の発光層および前記第２の発光層の厚みは、前記第１の領域における前記１対の電極層の間隔が前記第１の発光層の発光波長の整数倍になるように設定される、前記（１）〜（１０）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１２）前記１対の電極層は、前記第２の領域では前記第２の発光層を挟んで設けられ、
前記第２の発光層の厚みは、前記第２の領域における前記１対の電極層の間隔が前記第２の発光層の発光波長の整数倍になるように設定される、前記（１１）に記載の表示装置。
（１３）転写体上に一様に塗布された第１の発光層を基板上の第１の領域に転写しつつ、前記第１の領域と前記基板上の第２の領域との間に形成された段差によって前記第１の発光層が前記第２の領域に付着することを防ぐ工程と、
前記第１の領域および前記第２の領域に、発光波長が前記第１の発光層の発光波長よりも短い第２の発光層を転写する工程と
を含む、表示装置の製造方法。
（１４）前記第２の発光層は、転写体上に一様に塗布されて前記第１の領域および前記第２の領域に転写され、
前記第２の発光層を転写するときに、前記第２の発光層が前記第２の領域に転写されるように前記転写体の接触圧力を調整する
前記（１３）に記載の表示装置の製造方法。
（１５）前記第２の発光層を転写する工程では、前記第２の領域と前記基板上の第３の領域との間に形成された段差によって前記第２の発光層が前記第３の領域に付着することを防ぐ、前記（１３）または（１４）に記載の表示装置の製造方法。
（１６）前記第１の領域、前記第２の領域、および前記第３の領域に第３の発光層を形成する工程をさらに含む、前記（１５）に記載の表示装置の製造方法。
（１７）前記第２の発光層は、転写体上に一様に塗布されて前記第１の領域、前記第２の領域、および前記第３の領域に転写されることによって形成される、前記（１６）に記載の表示装置の製造方法。
（１８）基板上の第１の領域と第２の領域との間に、前記基板からみて前記第１の領域が前記第２の領域よりも高くなるように段差を形成する段差形成部材と、
前記第１の領域に転写される第１の発光層と、
前記第１の領域および前記第２の領域に転写され、発光波長が前記第１の発光層の発光波長よりも短い第２の発光層と
を含む表示装置
を備える電子機器。
１００，２００，３００ 表示装置（有機ＥＬディスプレイ）
１１ 基板
１２ カラーフィルタ
１３ ＴＦＴ層
１４ 平坦化絶縁膜
１５ 下部電極
１６ 開口絶縁膜
１７，２７，３７ 有機層
１７１ 正孔注入層（ＨＩＬ）
１７２ 正孔輸送層（ＨＴＬ）
１７３，２７３，３７３ 発光層（ＥＭＬ）
１７４ 電子輸送層（ＥＴＬ）
１７５ 電子注入層（ＥＩＬ）
１８ 上部電極
２１ 封止用基板
４１ ブランケット
１０００ 電子機器

Claims (18)

  1. 基板上の第１の領域と第２の領域との間に、前記基板からみて前記第１の領域が前記第２の領域よりも高くなるように段差を形成する段差形成部材と、
    前記第１の領域に転写される第１の発光層と、
    前記第１の領域および前記第２の領域に転写され、発光波長が前記第１の発光層の発光波長よりも短い第２の発光層と
    を備える表示装置。
  2. 前記段差形成部材は、さらに、前記第２の領域と前記基板上の第３の領域との間に、前記基板からみて前記第２の領域が前記第３の領域よりも高くなるように段差を形成し、
    前記表示装置は、少なくとも前記第３の領域に形成され、発光波長が前記第２の発光層の発光波長よりも短い第３の発光層をさらに備える、請求項１に記載の表示装置。
  3. 前記第３の発光層は、前記第１の領域、前記第２の領域、および前記第３の領域に形成される、請求項２に記載の表示装置。
  4. 前記第３の発光層は、前記第１の領域、前記第２の領域、および前記第３の領域に転写される、請求項３に記載の表示装置。
  5. 前記段差形成部材は、前記基板と前記第１の発光層および前記第２の発光層との間に設けられる平坦化絶縁膜である、請求項１に記載の表示装置。
  6. 前記段差は、前記平坦化絶縁膜の前記第１の領域での厚みが前記第２の領域での厚みよりも大きいことによって形成される、請求項５に記載の表示装置。
  7. 前記段差形成部材は、前記基板と前記第１の発光層との間に設けられる第１のカラーフィルタ、および前記基板と前記第２の発光層との間に設けられる第２のカラーフィルタであり、
    前記段差は、前記第１のカラーフィルタの厚みが前記第２のカラーフィルタの厚みよりも大きいことによって形成される、請求項１に記載の表示装置。
  8. 前記段差形成部材は、前記基板と第１の発光層との間に設けられるカラーフィルタである、請求項１に記載の表示装置。
  9. 前記段差形成部材は、前記基板と前記第１の発光層および前記第２の発光層との間に設けられる薄膜トランジスタ層であり、
    前記段差は、前記薄膜トランジスタ層の表面の凹凸によって形成される、請求項１に記載の表示装置。
  10. 前記段差の高さは、前記第２の領域の幅の１／１００以上、または５００ｎｍ以上である、請求項１に記載の表示装置。
  11. 前記第１の領域において、重畳された前記第１の発光層および前記第２の発光層を挟んで設けられる１対の電極層をさらに備え、
    前記第１の発光層および前記第２の発光層の厚みは、前記第１の領域における前記１対の電極層の間隔が前記第１の発光層の発光波長の整数倍になるように設定される、請求項１に記載の表示装置。
  12. 前記１対の電極層は、前記第２の領域では前記第２の発光層を挟んで設けられ、
    前記第２の発光層の厚みは、前記第２の領域における前記１対の電極層の間隔が前記第２の発光層の発光波長の整数倍になるように設定される、請求項１１に記載の表示装置。
  13. 転写体上に一様に塗布された第１の発光層を基板上の第１の領域に転写しつつ、前記第１の領域と前記基板上の第２の領域との間に形成された段差によって前記第１の発光層が前記第２の領域に付着することを防ぐ工程と、
    前記第１の領域および前記第２の領域に、発光波長が前記第１の発光層の発光波長よりも短い第２の発光層を転写する工程と
    を含む表示装置の製造方法。
  14. 前記第２の発光層は、転写体上に一様に塗布されて前記第１の領域および前記第２の領域に転写され、
    前記第２の発光層を転写するときに、前記第２の発光層が前記第２の領域に転写されるように前記転写体の接触圧力を調整する
    請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
  15. 前記第２の発光層を転写する工程では、前記第２の領域と前記基板上の第３の領域との間に形成された段差によって前記第２の発光層が前記第３の領域に付着することを防ぐ、請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
  16. 前記第１の領域、前記第２の領域、および前記第３の領域に第３の発光層を形成する工程をさらに含む、請求項１５に記載の表示装置の製造方法。
  17. 前記第２の発光層は、転写体上に一様に塗布されて前記第１の領域、前記第２の領域、および前記第３の領域に転写されることによって形成される、請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
  18. 基板上の第１の領域と第２の領域との間に、前記基板からみて前記第１の領域が前記第２の領域よりも高くなるように段差を形成する段差形成部材と、
    前記第１の領域に転写される第１の発光層と、
    前記第１の領域および前記第２の領域に転写され、発光波長が前記第１の発光層の発光波長よりも短い第２の発光層と
    を含む表示装置
    を備える電子機器。
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