JP2014122152A - インクジェット下地用処理剤 - Google Patents
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Abstract
【課題】インクジェット印刷法により、フォトリソグラフィーに相当する精度で所定のパターン形成を可能にするインクジェット印刷用の下地処理剤を提供する。
【解決手段】予めインクジェット印刷に使用する基材に表面処理を施すインクジェット下地用処理剤であって、少なくともバインダー樹脂（Ａ）、含フッ素オリゴマー（Ｂ）、光酸発生剤（Ｃ）、及び溶剤（Ｄ）を含有して、含フッ素オリゴマー（Ｂ）としては、一般式（１）の含フッ素モノマーを必須成分として重合される共重合体を含み、該下地処理剤によって形成された樹脂層は、パターンマスクを介した光照射又はパターンマスクを介した光照射と加熱により、親撥液パターニングすることを可能にしたインクジェット下地用処理剤である。
【選択図】なし
【解決手段】予めインクジェット印刷に使用する基材に表面処理を施すインクジェット下地用処理剤であって、少なくともバインダー樹脂（Ａ）、含フッ素オリゴマー（Ｂ）、光酸発生剤（Ｃ）、及び溶剤（Ｄ）を含有して、含フッ素オリゴマー（Ｂ）としては、一般式（１）の含フッ素モノマーを必須成分として重合される共重合体を含み、該下地処理剤によって形成された樹脂層は、パターンマスクを介した光照射又はパターンマスクを介した光照射と加熱により、親撥液パターニングすることを可能にしたインクジェット下地用処理剤である。
【選択図】なし
Description
本発明は、インクジェット下地用処理剤に関し、詳しくは、インクジェット印刷する際の下地として親撥液パターニングを施すことができる下地処理剤に関するものである。
半導体素子、集積回路、有機ＥＬディスプレイ用デバイス等の微細デバイスの製造方法としては、一般に真空蒸着、スパッタリング等によって基板上に機能性材料の薄膜を形成させ、該薄膜をフォトリソグラフィーによってパターン化する手法が用いられる。一般にフォトリソグラフィーは、先ず、パターンニングを行う材料の薄膜を基板上に形成し、次に薄膜上にフォトレジスト膜を形成し、所定のパターンを有するフォトマスクを介して露光し、アルカリ現像液により現像して、フォトレジストパターンを形成する。そして、フォトレジストパターンをマスクとしてエッチングを行い、不要な部分を除去して所望のパターン形状を有する薄膜を得る。フォトリソグラフィーは工程が複雑で、クリーンルーム内で実施する必要があることから、エネルギー、材料等の利用効率が低く、設備が高価となることが問題であり、低コスト、低エネルギーで実施できるパターン形成方法として、印刷法の導入が検討されている。印刷法の中でも、インクジェット印刷法は、他の印刷方式と比較して、ノズルから吐出される液滴の量や、吐出位置を制御する点で優れており、今後さまざまな分野でその利用が広がることが予想される。
しかし、インクジェット装置の印刷精度は現在±１０μｍ程度であり、半導体素子、集積回路、有機ＥＬディスプレイ用デバイス等の微細デバイスの要求する精度、すなわちこれらデバイス製造にもっぱら用いられるフォトリソグラフィー法なみ（±２μｍ）の精度を有していない。また、インクジェット装置から塗布するインキが、塗布される基板の性状、例えばインキとの濡れ性によって印刷される面積が変動する。一方で、印刷される基板（下地）を均一にすることにより、インクジェット装置の印刷精度はそのままで、より高精細な印刷物を得る方法として、例えば、特許文献１に開示されている方法がある。この方法は、インクジェットインクとの親和性の高い（インクジェットインクを吸着し易い若しくは吸収し易い）受容層を下地の表面に予め形成し、そこに印刷を行うことで、にじみの少ない鮮明な印刷物を作成することが出来る。しかし、単純に受容層上に印刷するだけでは微細デバイスに必要な精度の印刷物を得ることはできない。
上記の問題に対して、フォトマスクを介して受容層に光照射を行うことにより、インクジェットインクとの親和性を制御することで、印刷精度を高めた印刷物を得る方法が提案されている。例えば、特許文献２では、光照射又は光照射と加熱によりインクジェットインクとの親液性の増す樹脂層を設け、フォトマスクを介して光照射（、さらに加熱）を施すことによりインクジェットインクとの親液性の高い部分を形成し、この部分に対してインクジェット印刷を行うことで、より精度の高い印刷物（該文献中ではカラーフィルター）を得ることができるという。この場合、露光部分はヒドロキシ基などの親液性残基が形成され、未露光部分はアルキル基やシリコン含有基が形成される。特に、有機溶媒系インクジェットインキに対しては、親液部分と撥液部分との区分けが十分ではなく、有機溶媒系インキ受容量の差を明確にすることができない。また、液付けできるインクの量自体に制限があり、十分な性能を呈するデバイスを作製することは困難である。
その他の方法として、あらかじめ下地表面にインクジェットインクのぬれ広がり易い部分（親液性部分）とぬれ広がり難い部分（撥液性部分）を作成し、親液性部分にのみ印刷を行うことで高精細な印刷を行う方法がある。この場合、撥液性部分に間違って吐出されたインクジェットインクは下地表面で弾かれてしまい、この部分には印刷は行われない。
その具体的な例として、特許文献３や非特許文献１が例示される。特許文献３には、エネルギー照射により表面のぬれ性が変化する光触媒含有層を用いたインクジェット印刷によるカラーフィルターの製造方法が提案されている。この方法は、光触媒含有層をパターン露光することにより親液性のパターンを形成し、この親液性のパターン上にインクを塗布することにより、画素部などを形成してカラーフィルターを作成するものである。ただし、この方法では非常に活性な光触媒がデバイスに残るため、長期信頼性に課題がある。
一方の非特許文献１では、インクジェット印刷によるフルオロアルキルシラン単分子膜によるパターン基板への選択的な高分子薄膜の形成方法が記載されている。この方法によれば、実質的にインクジェットヘッドより吐出されたインクジェットインクの着弾径よりも精細な印刷が可能となる。ただし、単分子膜の作成は前述したフォトリソグラフィーと同様に複雑であり、また使用する光源が深紫外線であるために、基板に対する深紫外線によるダメージ等が生じる。
表面科学Ｖｏｌ．２７、Ｎｏ．２、ｐｐ．１０８−１１５、２００６
従って、本発明の目的は、インクジェットインクのぬれ広がり易い部分（親液性部分）とぬれ広がり難い部分（撥液性部分）とを簡便に作成することができ、しかも、高精細なインクジェット印刷を行うことができるようにするインクジェット下地用処理剤を提供することにある。
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、所定の成分を含んだ下地処理剤によれば、光照射（又は光照射と加熱）を施すことで各成分が相まって、インクジェットインクの親液性部分と撥液性部分とを簡便にパターニングすることができ、フォトリソグラフィー相当の精度でインクジェット印刷が可能になることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明の要旨は次のとおりである。
（１） 予めインクジェット印刷に使用する基材に表面処理を施すインクジェット下地用処理剤において、
該下地処理剤は少なくともバインダー樹脂（Ａ）、含フッ素オリゴマー（Ｂ）、光酸発生剤（Ｃ）、及び溶剤（Ｄ）を含有し、
該下地処理剤によって形成された樹脂層は、パターンマスクを介した光照射又はパターンマスクを介した光照射と加熱により、親液部分と撥液部分とを備えた親撥液パターニングの形成が可能であって、
該樹脂層の光照射又は光照射と加熱を施す前のジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角は４０°以上であり、また、光照射又は光照射と加熱を施した部分のジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角は１５°以下であり、
含フッ素オリゴマー（Ｂ）として、下記一般式（１）の含フッ素モノマーを必須成分として重合される共重合体を含むことを特徴とするインクジェット下地用処理剤。
［一般式（１）中のＲ１は水素原子又はメチル基である。Ｘは直接結合、−C（＝O）O−、−OC（＝O）−、−CH2OC(=O)−のいずれかである。Ｙは直接結合もしくは２価の有機基（炭素数は１〜１０個であり、酸素原子や窒素原子を含んでもよい）である。Ａｒは一般式群（２）に記載の構造のいずれかである。］
［Ｒ２〜Ｒ５７はそれぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールチオカルボニル基、アシロキシ基、アリールチオ基、アルキルチオ基、アリール基、複素環式炭化水素基、アリールオキシ基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、ヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基、置換されていてよいアミノ基、シアノ基、ニトロ基又はハロゲン原子であり、Ｒ２〜Ｒ７のうちの一つ、Ｒ８〜Ｒ１５のうちの一つ、Ｒ１６〜Ｒ２５のうちの一つ、Ｒ２６〜Ｒ３１のうちの一つ、Ｒ３２〜Ｒ３９のうちの一つ、Ｒ４０〜Ｒ４７のうちの一つ、及びR４８〜R５７のうちの一つは、それぞれ一般式（１）中のＸであると共に、Ｒ２〜Ｒ７のうちの少なくとも一つ、Ｒ８〜Ｒ１５のうちの少なくとも一つ、Ｒ１６〜Ｒ２５のうちの少なくとも一つ、Ｒ２６〜Ｒ３１のうちの少なくとも一つ、Ｒ３２〜Ｒ３９のうちの少なくとも一つ、Ｒ４０〜Ｒ４７のうちの少なくとも一つ、及びR４８〜R５７のうちの少なくとも一つは、それぞれＲｆ−O−である（Ｒｆは下記一般式群（３）のいずれかを示す）。Ｍは酸素原子、硫黄原子、＞Ｎ‐Ｒ５８のいずれかであり、Ｒ５８は炭素数が１〜１０個であり、酸素原子や窒素原子を含んでもよい１価の有機基である。］
（１） 予めインクジェット印刷に使用する基材に表面処理を施すインクジェット下地用処理剤において、
該下地処理剤は少なくともバインダー樹脂（Ａ）、含フッ素オリゴマー（Ｂ）、光酸発生剤（Ｃ）、及び溶剤（Ｄ）を含有し、
該下地処理剤によって形成された樹脂層は、パターンマスクを介した光照射又はパターンマスクを介した光照射と加熱により、親液部分と撥液部分とを備えた親撥液パターニングの形成が可能であって、
該樹脂層の光照射又は光照射と加熱を施す前のジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角は４０°以上であり、また、光照射又は光照射と加熱を施した部分のジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角は１５°以下であり、
含フッ素オリゴマー（Ｂ）として、下記一般式（１）の含フッ素モノマーを必須成分として重合される共重合体を含むことを特徴とするインクジェット下地用処理剤。
（２） バインダー樹脂（Ａ）がエポキシ樹脂（Ａ１）であることを特徴とする（１）に記載のインクジェット下地用処理剤。
（３） 下地処理剤中のエポキシ樹脂（Ａ１）、含フッ素オリゴマー（Ｂ）、及び光酸発生剤（Ｃ）の質量比率が、（Ａ）／（Ｂ）／（Ｃ）＝１００／２〜０．１／１０〜０．５の範囲であることを特徴とする（２）に記載のインクジェット下地用処理剤。
（４） エポキシ樹脂（Ａ１）の内、少なくとも５０質量％は常温（２３℃）で固体であることを特徴とする（２）又は（３）に記載のインクジェット下地用処理剤。
（５） 光酸発生剤（Ｃ）が、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、ＣＦ3ＳＯ3の塩、ｐ-ＣＨ3ＰｈＳＯ3の塩、ｐ−ＮＯ2ＰｈＳＯ3の塩（ただし、Ｐhはフェニル基を示す）、有機ハロゲン化合物、オルトキノン−ジアジドスルホニルクロリド、及びスルホン酸エステルからなる群から選択された少なくとも一種であることを特徴とする（１）〜（４）のいずれかに記載のインクジェット下地用処理剤。
（３） 下地処理剤中のエポキシ樹脂（Ａ１）、含フッ素オリゴマー（Ｂ）、及び光酸発生剤（Ｃ）の質量比率が、（Ａ）／（Ｂ）／（Ｃ）＝１００／２〜０．１／１０〜０．５の範囲であることを特徴とする（２）に記載のインクジェット下地用処理剤。
（４） エポキシ樹脂（Ａ１）の内、少なくとも５０質量％は常温（２３℃）で固体であることを特徴とする（２）又は（３）に記載のインクジェット下地用処理剤。
（５） 光酸発生剤（Ｃ）が、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、ＣＦ3ＳＯ3の塩、ｐ-ＣＨ3ＰｈＳＯ3の塩、ｐ−ＮＯ2ＰｈＳＯ3の塩（ただし、Ｐhはフェニル基を示す）、有機ハロゲン化合物、オルトキノン−ジアジドスルホニルクロリド、及びスルホン酸エステルからなる群から選択された少なくとも一種であることを特徴とする（１）〜（４）のいずれかに記載のインクジェット下地用処理剤。
本発明によれば、下地に簡便に親撥液パターニングを施すことが可能になり、より高精細なインクジェット印刷物を得ることができる。
以下、本発明を詳細に説明する。先ず、本発明の処理剤を構成する材料について説明する。
＜バインダー樹脂（Ａ）＞
本発明の下地処理剤に使用するバインダー樹脂としては特に制限はなく、一般公知の材料を使用することができる。例えば、ポリエチレンやポリエステル、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミド、メラミン樹脂、ポリカーボネートなどが挙げられる。この中でも特に、エポキシ樹脂（Ａ１）を使用することが好ましい。エポキシ樹脂を使用することで光照射した部分（又は光照射と加熱した部分）は光酸発生剤により発生した酸と反応・硬化することで、インクジェットインクに対する溶解性が無くなり、インクのぬれ広がり性が向上する。
本発明の下地処理剤に使用するバインダー樹脂としては特に制限はなく、一般公知の材料を使用することができる。例えば、ポリエチレンやポリエステル、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミド、メラミン樹脂、ポリカーボネートなどが挙げられる。この中でも特に、エポキシ樹脂（Ａ１）を使用することが好ましい。エポキシ樹脂を使用することで光照射した部分（又は光照射と加熱した部分）は光酸発生剤により発生した酸と反応・硬化することで、インクジェットインクに対する溶解性が無くなり、インクのぬれ広がり性が向上する。
また、バインダー樹脂は印刷物に要求される特性に応じて選択することも出来る。例えば、絶縁性、耐熱性を求められる用途ではポリイミドをバインダー樹脂として選択すると良い。バインダー樹脂として使用するポリイミドは、溶剤に溶解する可溶性ポリイミドであることが好ましいが、前駆体であるポリアミック酸として配合し、のちに熱硬化によってポリイミド化する方法をとることもできる。可溶性ポリイミドとしては、例えば、脂肪族酸二無水物／ジアミン、含フッ素酸二無水物／ジアミン、含シリコーン酸二無水物／ジアミン、分子中に折れ曲がり構造（例えば、エーテル性酸素原子など）を持つ酸二無水物／ジアミンなどからなる繰り返し単位を含むポリイミドが挙げられる。
＜エポキシ樹脂（Ａ１）＞
本発明の処理剤に使用するエポキシ樹脂（Ａ１）としては、例えばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタン型エポキシ樹脂、テトラフェノールエタン型エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ε−カプロラクトン変性エポキシ樹脂、脂環式もしくは複素環式のエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型もしくはナフタレン型の構造を有するエポキシ樹脂などが挙げられる。
本発明の処理剤に使用するエポキシ樹脂（Ａ１）としては、例えばフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタン型エポキシ樹脂、テトラフェノールエタン型エポキシ樹脂、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビフェノール型エポキシ樹脂エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ε−カプロラクトン変性エポキシ樹脂、脂環式もしくは複素環式のエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型もしくはナフタレン型の構造を有するエポキシ樹脂などが挙げられる。
エポキシ樹脂の市販品としては、例えば三菱化学のｊＥＲシリーズ、新日鉄住金化学のＹＤ／ＹＤＦ／ＺＸ／ＰＧ／ＹＤＰＮ／ＹＤＣＮ／ＹＤＢ／ＦＸ／ＹＨ／ＳＴ／ＹＤＳ／ＹＳＬＶ／ＹＣ／ＹＰＢ／ＰＢ／ＹＰシリーズ、ＤＩＣのＥＰＩＣＬＯＮシリーズ、ダイセル化学のセロキサイド／ＥＨＰＥ／エポリード／エポフレンドシリーズ、日本化薬のＥＣＯＮ／ＥＰＰＮ／ＮＣ／ＢＲＥＮ／ＧＡＮ／ＧＯＴ／ＡＫ／ＲＥ／ＣＥＲ／ＸＤシリーズ、ダウ・ケミカルのＤ．Ｅ．Ｒ．／Ｄ．Ｅ．Ｎ．シリーズなどが挙げられる。これらのエポキシ樹脂は単独で使用してもかまわないし、二種類以上を組み合わせて使用してもかまわない。
エポキシ樹脂（Ａ１）について、単独で使用する場合はそれ自身が、もしくは二種類以上を組み合わせて使う場合はその内の少なくとも５０質量％が、常温（２３℃）で固体であることが望ましい。固体のエポキシ樹脂としては、三菱化学製のｊＥＲ１００１、ｊＥＲ１００２、ｊＥＲ１００３、ｊＥＲ１０５５、ｊＥＲ１００４、ｊＥＲ１００４ＡＦ、ｊＥＲ１００７、ｊＥＲ１００９、ｊＥＲ１０１０、ｊＥＲ１００３Ｆ、ｊＥＲ１００４Ｆ、ｊＥＲ１００５Ｆ、ｊＥＲ１００９Ｆ、ｊＥＲ１００４ＦＳ、ｊＥＲ１００６ＦＳ、ｊＥＲ１００７ＦＳ、ｊＥＲ４００５Ｐ、ｊＥＲ４００７Ｐ、ｊＥＲ４０１０Ｐ、ｊＥＲ１２５６、ｊＥＲ４２５０、ｊＥＲ４２７５、ｊＥＲ５０５０、ｊＥＲ５０５１、ｊＥＲ１５４、ｊＥＲ１５７Ｓ７０、ｊＥＲ１０３１Ｓ、ｊＥＲ１０３２Ｈ６０、ｊＥＲ５４５、ｊＥＲ ＹＬ６８１０、ｊＥＲ ＹＸ８８００、ｊＥＲ ＹＸ４０００、ｊＥＲ ＹＸ４０００Ｈ、ｊＥＲ ＹＬ６１２１Ｈ、ｊＥＲ ＹＸ７３９９、新日鉄住金化学製のＹＤＦ−２００１、ＹＤＦ−２００４、ＹＤＦ−２００５ＲＬ、ＹＤＢ−４００、ＹＤＢ−４０５、ＳＴ−４０００Ｄ、ＹＰ−５０、ＹＰ−５０Ｓ、ＹＰ−７０、ＺＸ−１３５６−２、ＦＸ−３１６、ＹＰＢ−４３Ｃ、ＹＰＢ−４３Ｍ、ダイセル化学製のＥＨＰＥ３１５０、エポフレンドＡＴ５０１、エポフレンドＣＴ３１０、日本化薬製のＮＣ−３０００、ＮＣ−３０００−Ｌ、ＮＣ−３０００−Ｈ、ＣＥＲ−３０００−Ｌ、ＮＣ−２０００−Ｌ、ＸＤ−１０００、ＮＣ−７０００Ｌ、ＮＣ−７３００Ｌ、ＥＰＰＮ−５０１Ｈ、ＥＰＰＮ−５０１ＨＹ、ＥＰＰＮ−５０２Ｈ、ＥＣＯＮ−１０２０、ＥＣＯＮ−１０２Ｓ、ＥＣＯＮ−１０３Ｓ、ＥＣＯＮ−１０４Ｓ、ＣＥＲ−１０２０、ＥＰＰＮ−２０１Ｌ、ＢＲＥＮ−Ｓ、ＢＲＥＮ−１０５等が挙げられる。
また、エポキシ樹脂（Ａ１）としては、エポキシ当量が１０００以下のものが好ましく、５００以下であることがより好ましい。エポキシ当量が１０００を超えると、光酸発生剤により発生した酸による反応効率が低下し、露光した部分もインクジェットインクを吸収・膨潤しやすい状態なためインクのぬれ広がりが良くならない。
＜含フッ素オリゴマー（Ｂ）＞
本発明の下地処理剤に使用する含フッ素オリゴマー（Ｂ）は、一般式（１）の含フッ素モノマーを必須成分として重合される共重合を含むものである。
本発明の下地処理剤に使用する含フッ素オリゴマー（Ｂ）は、一般式（１）の含フッ素モノマーを必須成分として重合される共重合を含むものである。
一般式（１）中のＲ１は水素原子又はメチル基である。
一般式（１）中のＸは直接結合、−C（＝O）O−、−OC（＝O）−、−CH2OC(=O)−のいずれかである。
一般式（１）中のＹは直接結合もしくは２価の有機基（炭素数は１〜１０個であり、酸素原子や窒素原子を含んでもよい）である。例えば、−ＣＨ2−、−ＣＨ（ＯＨ）−、−ＣＨ（ＯＣＨ3）−、−ＣＨ（ＮＨ2）−、−ＣＨ（ＮＨ（ＣＨ3））−、−ＣＨ（Ｎ（ＣＨ3）2）−、−（ＣＨ2）2−、−ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ（ＯＨ）−、−ＣＨ（ＯＣＨ3）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ（ＯＣＨ3）−、−ＣＨ（Ｎ（ＣＨ3）2）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ（Ｎ（ＣＨ3）2）−、−ＣＨ2ＯＣＨ2−、−（ＣＨ2）2Ｏ（ＣＨ2）2−、−ＣＨ（ＣＨ3）ＯＣＨ（ＣＨ3）−、−ＣＨ2Ｎ（ＣＨ3）ＣＨ2、−（ＣＨ2）3−、−（ＣＨ2Ｏ）2ＣＨ2−などが挙げられる。
一般式（１）中のＡｒは一般式群（２）に記載の構造のいずれかである。
含フッ素オリゴマー中に一般式群（２）のような芳香族構造を持つことにより、含フッ素オリゴマーの紫外線に対する感光性が向上し、光照射又は光照射と加熱により接触角を低下させることができる。
一般式群（２）中のＲ２〜Ｒ５７はそれぞれ独立して、水素原子、アルキル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールチオカルボニル基、アシロキシ基、アリールチオ基、アルキルチオ基、アリール基、複素環式炭化水素基、アリールオキシ基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、ヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基、置換されていてよいアミノ基、シアノ基、ニトロ基又はハロゲン原子である。また、Ｍは酸素原子、硫黄原子、＞Ｎ-Ｒ５８（ここでＲ５８は、炭素数が１〜１０個であり、酸素原子や窒素原子を含んでもよい１価の有機基）のいずれかである。
ただし、Ｒ２〜Ｒ７のうち、必ず一つは一般式（１）におけるYに結合するＸであり、また、別の少なくとも一つはＲｆ−Ｏ−であり、Ｒｆは下記一般式群（３）のいずれかの基）である。
ただし、Ｒ８〜Ｒ１５のうち、必ず一つは一般式（１）におけるYに結合するＸであり、また、別の少なくとも一つはＲｆ−Ｏ−であり、Ｒｆは上記一般式群（３）のいずれかの基）である。
ただし、Ｒ１６〜Ｒ２５のうち、必ず一つは一般式（１）におけるYに結合するＸであり、また、別の少なくとも一つはＲｆ−Ｏ−であり、Ｒｆは上記一般式群（３）のいずれかの基）である。
ただし、Ｒ２６〜Ｒ３１のうち、必ず一つは一般式（１）におけるYに結合するＸであり、また、別の少なくとも一つはＲｆ−Ｏ−であり、Ｒｆは上記一般式群（３）のいずれかの基）である。
ただし、Ｒ３２〜Ｒ３９のうち、必ず一つは一般式（１）におけるYに結合するＸであり、また、別の少なくとも一つはＲｆ−Ｏ−であり、Ｒｆは上記一般式群（３）のいずれかの基）である。
ただし、Ｒ４０〜Ｒ４７のうち、必ず一つは一般式（１）におけるYに結合するＸであり、また、別の少なくとも一つはＲｆ−Ｏ−であり、Ｒｆは上記一般式群（３）のいずれかの基）である。
ただし、Ｒ４８〜Ｒ５７のうち、必ず一つは一般式（１）におけるYに結合するＸであり、また、別の少なくとも一つはＲｆ−Ｏ−であり、Ｒｆは上記一般式群（３）のいずれかの基）である。
ここで、一般式群（３）で表される基は、それぞれがC9F17−の組成式で表されるパーフルオロアルケニル基の構造異性体の関係にあり、合成時にはこれらの混合物として得られるが、混合物のまま使用して差し支えない。
また、一般式群（２）中のＲ２〜Ｒ５７におけるアルキル基としては、炭素数１〜１８の直鎖アルキル基（メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ドデシル、ｎ−テトラデシル、ｎ−ヘキサデシル及びｎ−オクタデシル等）、炭素数１〜１８の分枝鎖アルキル基（イソプロピル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、イソペンチル、ネオペンチル、ｔｅｒｔ−ペンチル、イソヘキシル及びイソオクタデシル）、及び炭素数３〜１８のシクロアルキル基（シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル及び４−デシルシクロヘキシル等）等が挙げられる。
また、アルコキシ基としては、炭素数１〜１８の直鎖又は分枝鎖アルコキシ基（メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、イソブトキシ、ｓｅｃ−ブトキシ、ｔｅｒｔ−ブトキシ、ヘキシルオキシ、デシルオキシ、ドデシルオキシ及びオクタデシルオキシ等）等が挙げられる。
アルキルカルボニル基としては、炭素数２〜１８の直鎖又は分枝鎖アルキルカルボニル基（アセチル、プロピオニル、ブタノイル、２−メチルプロピオニル、ヘプタノイル、２−メチルブタノイル、３−メチルブタノイル、オクタノイル、デカノイル、ドデカノイル及びオクタデカノイル等）等が挙げられる。
アリールカルボニル基としては、炭素数７〜１１のアリールカルボニル基（ベンゾイル及びナフトイル等）等が挙げられる。
アルコキシカルボニル基としては、炭素数２〜１８の炭素数２〜１９の直鎖又は分枝鎖アルコキシカルボニル基（メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、イソブトキシカルボニル、ｓｅｃ−ブトキシカルボニル、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル、オクチロキシカルボニル、テトラデシルオキシカルボニル及びオクタデシロキシカルボニル等）等が挙げられる。
アリールオキシカルボニル基としては、炭素数７〜１１のアリールオキシカルボニル基（フェノキシカルボニル及びナフトキシカルボニル等）等が挙げられる。
アリールチオカルボニル基としては、炭素数７〜１１のアリールチオカルボニル基（フェニルチオカルボニル及びナフトキシチオカルボニル等）等が挙げられる。
アシロキシ基としては、炭素数２〜１９の直鎖又は分枝鎖アシロキシ基（アセトキシ、エチルカルボニルオキシ、プロピルカルボニルオキシ、イソプロピルカルボニルオキシ、ブチルカルボニルオキシ、イソブチルカルボニルオキシ、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ、オクチルカルボニルオキシ、テトラデシルカルボニルオキシ及びオクタデシルカルボニルオキシ等）等が挙げられる。
アリールチオ基としては、炭素数６〜２０のアリールチオ基（フェニルチオ、２−メチルフェニルチオ、３−メチルフェニルチオ、４−メチルフェニルチオ、２−クロロフェニルチオ、３−クロロフェニルチオ、４−クロロフェニルチオ、２−ブロモフェニルチオ、３−ブロモフェニルチオ、４−ブロモフェニルチオ、２−フルオロフェニルチオ、３−フルオロフェニルチオ、４−フルオロフェニルチオ、２−ヒドロキシフェニルチオ、４−ヒドロキシフェニルチオ、２−メトキシフェニルチオ、４−メトキシフェニルチオ、１−ナフチルチオ、２−ナフチルチオ、４−［４−（フェニルチオ）ベンゾイル］フェニルチオ、４−［４−（フェニルチオ）フェノキシ］フェニルチオ、４−［４−（フェニルチオ）フェニル］フェニルチオ、４−（フェニルチオ）フェニルチオ、４−ベンゾイルフェニルチオ、４−ベンゾイル−２−クロロフェニルチオ、４−ベンゾイル−３−クロロフェニルチオ、４−ベンゾイル−３−メチルチオフェニルチオ、４−ベンゾイル−２−メチルチオフェニルチオ、４−（４−メチルチオベンゾイル）フェニルチオ、４−（２−メチルチオベンゾイル）フェニルチオ、４−（ｐ−メチルベンゾイル）フェニルチオ、４−（ｐ−エチルベンゾイル）フェニルチオ４−（ｐ−イソプロピルベンゾイル）フェニルチオ及び４−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゾイル）フェニルチオ等）等が挙げられる。
アルキルチオ基としては、炭素数１〜１８の直鎖又は分枝鎖アルキルチオ基（メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブチルチオ、イソブチルチオ、ｓｅｃ−ブチルチオ、ｔｅｒｔ−ブチルチオ、ペンチルチオ、イソペンチルチオ、ネオペンチルチオ、ｔｅｒｔ−ペンチルチオ、オクチルチオ、デシルチオ、ドデシルチオ及びイソオクタデシルチオ等）等が挙げられる。
アリール基としては、炭素数６〜１０のアリール基（フェニル、トリル、ジメチルフェニル及びナフチル等）等が挙げられる。
複素環式炭化水素基としては、炭素数４〜２０の複素環式炭化水素基（チエニル、フラニル、ピラニル、ピロリル、オキサゾリル、チアゾリル、ピリジル、ピリミジル、ピラジニル、インドリル、ベンゾフラニル、ベンゾチエニル、キノリル、イソキノリル、キノキサリニル、キナゾリニル、カルバゾリル、アクリジニル、フェノチアジニル、フェナジニル、キサンテニル、チアントレニル、フェノキサジニル、フェノキサチイニル、クロマニル、イソクロマニル、ジベンゾチエニル、キサントニル、チオキサントニル及びジベンゾフラニル等）等が挙げられる。
アリールオキシ基としては、炭素数６〜１０のアリールオキシ基（フェノキシ及びナフチルオキシ等）等が挙げられる。
アルキルスルフィニル基としては、炭素数１〜１８の直鎖又は分枝鎖スルフィニル基（メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、プロピルスルフィニル、イソプロピルスルフィニル、ブチルスルフィニル、イソブチルスルフィニル、ｓｅｃ−ブチルスルフィニル、ｔｅｒｔ−ブチルスルフィニル、ペンチルスルフィニル、イソペンチルスルフィニル、ネオペンチルスルフィニル、ｔｅｒｔ−ペンチルスルフィニル、オクチルスルフィニル及びイソオクタデシルスルフィニル等）等が挙げられる。
アリールスルフィニル基としては、炭素数６〜１０のアリールスルフィニル基（フェニルスルフィニル、トリルスルフィニル及びナフチルスルフィニル等）等が挙げられる。
アルキルスルホニル基としては、炭素数１〜１８の直鎖又は分枝鎖アルキルスルホニル基（メチルスルホニル、エチルスルホニル、プロピルスルホニル、イソプロピルスルホニル、ブチルスルホニル、イソブチルスルホニル、ｓｅｃ−ブチルスルホニル、ｔｅｒｔ−ブチルスルホニル、ペンチルスルホニル、イソペンチルスルホニル、ネオペンチルスルホニル、ｔｅｒｔ−ペンチルスルホニル、オクチルスルホニル及びオクタデシルスルホニル等）等が挙げられる。
アリールスルホニル基としては、炭素数６〜１０のアリールスルホニル基（フェニルスルホニル、トリルスルホニル（トシル基）及びナフチルスルホニル等）等が挙げられる。
ヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基としては、一般式（４）で表されるヒドロキシ（ポリ）アルキレンオキシ基等が挙げられる。
ＨＯ（−ＡＯ）ｑ− （４）
[ＡＯはエチレンオキシ基及び／又はプロピレンオキシ基、ｑは１〜５の整数を表す。]
ＨＯ（−ＡＯ）ｑ− （４）
[ＡＯはエチレンオキシ基及び／又はプロピレンオキシ基、ｑは１〜５の整数を表す。]
置換されていてよいアミノ基としては、アミノ基（−ＮＨ2）及び炭素数１〜１５の置換アミノ基（メチルアミノ、ジメチルアミノ、エチルアミノ、メチルエチルアミノ、ジエチルアミノ、ｎ−プロピルアミノ、メチル−ｎ−プロピルアミノ、エチル−ｎ−プロピルアミノ、ｎ−プロピルアミノ、イソプロピルアミノ、イソプロピルメチルアミノ、イソプロピルエチルアミノ、ジイソプロピルアミノ、フェニルアミノ、ジフェニルアミノ、メチルフェニルアミノ、エチルフェニルアミノ、ｎ−プロピルフェニルアミノ及びイソプロピルフェニルアミノ等）等が挙げられる。
Ｒ５８としては、例えばメチル、エチル、プロピル、イソプロピルなどのアルキル基や、−ＣＨ2ＯＣＨ3、−（ＣＨ2）2ＯＣＨ3、−ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ3、−（ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3））ＯＣＨ3などが挙げられる。
以下、含フッ素モノマーの具体例として、一般式群（４ａ）及び一般式群（４ｂ）を例示する。なお、一般式群（４ａ）及び一般式群（４ｂ）におけるＲｆは一般式群（３）に記載した構造のいずれかの官能基である。
含フッ素オリゴマーを構成するその他のモノマー成分としては、一般式（１）で表される含フッ素モノマーと共重合可能なものであれば特に制限はなく、一般公知の材料を使用することができる。
その他のモノマーの市販品としては、例えば、日油のブレンマーシリーズ、新中村化学のＮＫエステルシリーズ、日立化成のファンクリルシリーズ、大阪有機化学のビスコートシリーズ、共栄社化学のライトエステル／ライトアクリレートシリーズ、東亜合成のアロニックスシリーズなどが挙げられる。
含フッ素オリゴマーを構成する全モノマーの質量の和に対する一般式（１）で表される含フッ素モノマーの質量比率は４０〜８０質量％であることが望ましい。より望ましくは５０〜７０質量％の範囲である。４０質量％を下回ると、光照射又は光照射と加熱を行わない部分のジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角が低くなり、８０質量％を超えるとエポキシ樹脂や溶剤との相溶性が悪くなり、きれいな樹脂層を形成することができなくなる。
含フッ素オリゴマーの製造には特に制限はなく、公知の方法を用いることができる。たとえば、丸善（株）が出版している「第４版 実験科学講座２８ 高分子合成 （日本化学会編）、２．２．４ アクリル系ポリマー」に記載の方法を使用することができる。
含フッ素オリゴマーの重量平均分子量は２０００〜２００００であることが望ましい。より望ましくは４０００〜１００００の範囲である。重量平均分子量はこの範囲を外れると、該処理剤で作成した樹脂層が所望の性能を有さないおそれがある。
＜光酸発生剤（Ｃ）＞
光酸発生剤は光をあてることによって反応し酸を発生する材料である。ここで発生した酸が含フッ素オリゴマーを構成する含フッ素モノマーに作用することで、含フッ素オリゴマーの母骨格からＲｆを含む構造単位の脱離を促進し、光照射した部分（又は光照射と加熱を施した部分）のジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角の低下を促進させる。
光酸発生剤は光をあてることによって反応し酸を発生する材料である。ここで発生した酸が含フッ素オリゴマーを構成する含フッ素モノマーに作用することで、含フッ素オリゴマーの母骨格からＲｆを含む構造単位の脱離を促進し、光照射した部分（又は光照射と加熱を施した部分）のジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角の低下を促進させる。
このような材料としては、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、ＣＦ3ＳＯ3の塩、ｐ-ＣＨ3ＰｈＳＯ3の塩、ｐ−ＮＯ2ＰｈＳＯ3の塩（ただし、Ｐhはフェニル基）等、有機ハロゲン化合物、オルトキノン−ジアジドスルホニルクロリド、及びスルホン酸エステル等を挙げることができる。
光酸発生剤の市販品としては、和光純薬工業製のＷＰＡＧ−１４５、ＷＰＡＧ−１７０、ＷＰＡＧ−１９９、ＷＰＡＧ−２８１、ＷＰＡＧ−３３６、ＷＰＡＧ−３６７、ＷＰＩ−１１３、サンアプロ製のＣＰＩ−１００Ｐ、ＣＰＩ−１０１Ａ、ＣＰＩ−２００Ｋ、ＣＰＩ−２１０Ｓ、三和ケミカル製のＴＳ−０１、ＴＳ−９１、ＴＦＥ−トリアジン、ＴＭＥ−トリアジン、ＭＰ−トリアジン、ジメトキシトリアジン、ＢＡＳＦ製のＩｒｇａｃｕｒｅＰＡＧ１０３、ＩｒｇａｃｕｒｅＰＡＧ１２１、ＩｒｇａｃｕｒｅＰＡＧ２０３、ＣＧＩ７２５、ＣＧＩ１９０７、Ｉｒｇａｃｕｒｅ２５０、ＩｒｇａｃｕｒｅＰＡＧ２９０、ＧＳＩＤ２６−１、ＡＤＥＫＡ製のアデカオプトマーＳＰ−１５０、アデカオプトマーＳＰ−１５２、アデカオプトマーＳＰ−１７０、アデカオプトマーＳＰ−１７２、アデカオプトマーＳＰ−３００などが挙げられる。これらの光酸発生剤は単独で使用してもかまわないし、二種類以上を組み合わせて使用してもかまわない。この中でも特に、スルホニウム塩系光酸発生剤であるＷＰＡＧ−２８１、ＷＰＡＧ−３３６、ＷＰＡＧ−３６７、ＣＰＩ−１００Ｐ、ＣＰＩ−１０１Ａ、ＣＰＩ−２００Ｋ、ＣＰＩ−２１０Ｓ、ＴＳ−０１、ＴＳ−９１、ＩｒｇａｃｕｒｅＰＡＧ２９０、ＧＳＩＤ２６−１、アデカオプトマーＳＰ−１５０、アデカオプトマーＳＰ−１５２、アデカオプトマーＳＰ−１７０、アデカオプトマーＳＰ−１７２、アデカオプトマーＳＰ−３００の使用が望ましい。
＜溶剤（Ｄ）＞
本発明の処理剤に使用する溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコール等のアルコール類、α−若しくはβ−テルピネオール等のテルペン類等、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のケトン類、トルエン、キシレン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素類、セロソルブ、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、カルビトール、メチルカルビトール、エチルカルビトール、ブチルカルビトール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル等のグリコールエーテル類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート、エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等の酢酸エステル類等が挙げられる。これらの溶剤は単独で使用してもかまわないし、二種類以上を組み合わせて使用してもかまわない。
本発明の処理剤に使用する溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、エチレングリコール、プロピレングリコール等のアルコール類、α−若しくはβ−テルピネオール等のテルペン類等、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のケトン類、トルエン、キシレン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素類、セロソルブ、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、カルビトール、メチルカルビトール、エチルカルビトール、ブチルカルビトール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル等のグリコールエーテル類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート、エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート等の酢酸エステル類等が挙げられる。これらの溶剤は単独で使用してもかまわないし、二種類以上を組み合わせて使用してもかまわない。
＜（Ａ）〜（Ｄ）以外の成分＞
本発明の処理剤には、必要に応じて上記（Ａ）〜（Ｄ）以外の成分（その他の成分）を添加してもかまわない。その他の成分として、染料や顔料などの色材、多官能エポキシ化合物や多官能オキセタン化合物などの架橋剤、アルミナやマイカ、シリカのような充填剤、レベリング剤や消泡剤、可塑剤、カップリング剤、硬化剤、紫外線吸収剤、光安定剤、酸化防止剤、蛍光増白剤などの添加剤を適宜含有してもよい。
本発明の処理剤には、必要に応じて上記（Ａ）〜（Ｄ）以外の成分（その他の成分）を添加してもかまわない。その他の成分として、染料や顔料などの色材、多官能エポキシ化合物や多官能オキセタン化合物などの架橋剤、アルミナやマイカ、シリカのような充填剤、レベリング剤や消泡剤、可塑剤、カップリング剤、硬化剤、紫外線吸収剤、光安定剤、酸化防止剤、蛍光増白剤などの添加剤を適宜含有してもよい。
＜処理剤中の各成分の質量比率＞
下地処理剤中のエポキシ樹脂（Ａ１）、含フッ素オリゴマー（Ｂ）、光酸発生剤（Ｃ）の質量比率が、（Ａ１）／（Ｂ）／（Ｃ）＝１００／２〜０．１／１０〜０．５の範囲であることが望ましい。含フッ素オリゴマーは、上記比率で２を超える量を添加すると、光照射（又は光照射と加熱）を施した後のジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角が高くなるため不適であり、０．１を下回ると光照射（又は光照射と加熱）を施す前の樹脂層でのジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角が低くなり適切でない。また、光酸発生剤は、上記比率で０．５を下回るとエポキシ樹脂の硬化が不十分となり適切ではなく、大量に添加しても性能に変化はないので１０を超えて添加する必要はない。また、その他の成分を添加する場合の質量比率は（Ａ）〜（Ｃ）成分の合計を１００質量部とすると、その他の成分は１００質量部を超えない範囲であることが好ましい。その他の成分が１００質量部を超えてしまうと本来の性能が発揮されなくなる。また、溶剤（Ｄ）の質量比率は、（Ａ）〜（Ｃ）成分とその他の成分の合計を１００質量部とすると、１５０〜９００質量部の範囲であることが好ましい。より好ましくは３００〜７００質量部の範囲である。溶剤（Ｄ）が１５０質量部を下回る又は９００質量部を超える場合、それぞれ下地処理剤の基材への塗工が困難になる。
下地処理剤中のエポキシ樹脂（Ａ１）、含フッ素オリゴマー（Ｂ）、光酸発生剤（Ｃ）の質量比率が、（Ａ１）／（Ｂ）／（Ｃ）＝１００／２〜０．１／１０〜０．５の範囲であることが望ましい。含フッ素オリゴマーは、上記比率で２を超える量を添加すると、光照射（又は光照射と加熱）を施した後のジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角が高くなるため不適であり、０．１を下回ると光照射（又は光照射と加熱）を施す前の樹脂層でのジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角が低くなり適切でない。また、光酸発生剤は、上記比率で０．５を下回るとエポキシ樹脂の硬化が不十分となり適切ではなく、大量に添加しても性能に変化はないので１０を超えて添加する必要はない。また、その他の成分を添加する場合の質量比率は（Ａ）〜（Ｃ）成分の合計を１００質量部とすると、その他の成分は１００質量部を超えない範囲であることが好ましい。その他の成分が１００質量部を超えてしまうと本来の性能が発揮されなくなる。また、溶剤（Ｄ）の質量比率は、（Ａ）〜（Ｃ）成分とその他の成分の合計を１００質量部とすると、１５０〜９００質量部の範囲であることが好ましい。より好ましくは３００〜７００質量部の範囲である。溶剤（Ｄ）が１５０質量部を下回る又は９００質量部を超える場合、それぞれ下地処理剤の基材への塗工が困難になる。
次に、本発明の下地処理剤の使用方法について説明する。先ず、本処理剤を、インクジェット印刷を行う基材の表面に塗工し、プレベークを行うことで、基材表面に下地処理剤からなる樹脂層を形成する。次に、この樹脂層にパターンマスクを介した光照射又は光照射と加熱を行うことで、インクジェットインキに対する親液部分と撥液部分とを有するような親撥液パターニングを施す。ここで、得られた親液部分にインクジェット装置で機能性インクを印刷することで、微細デバイスの作成が可能となる。
＜塗工＞
本発明の下地処理剤の塗工方法には特に制限はなく、公知の方法、例えば、スピンコート法、ディップコート法、バーコート法、スリットコート法、ブレードコート法、エアナイフコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法などの何れの方法も採用することができ、塗工する基材や、塗工厚に応じて適宜選択される。塗工厚は、乾燥膜厚に換算して０．５〜２０μｍが望ましい。より好ましくは１．０〜１０μｍである。塗工厚が乾燥膜厚に換算して０．５μｍ未満の場合、作成した樹脂層が所望の性能を発揮しないおそれがある。また、樹脂層の性能上、乾燥膜厚に換算して２０μｍを超える厚みまでは必要とされない。
本発明の下地処理剤の塗工方法には特に制限はなく、公知の方法、例えば、スピンコート法、ディップコート法、バーコート法、スリットコート法、ブレードコート法、エアナイフコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法などの何れの方法も採用することができ、塗工する基材や、塗工厚に応じて適宜選択される。塗工厚は、乾燥膜厚に換算して０．５〜２０μｍが望ましい。より好ましくは１．０〜１０μｍである。塗工厚が乾燥膜厚に換算して０．５μｍ未満の場合、作成した樹脂層が所望の性能を発揮しないおそれがある。また、樹脂層の性能上、乾燥膜厚に換算して２０μｍを超える厚みまでは必要とされない。
なお、本発明の下地処理剤を塗工する基材には特に制限はなく、ステンレスや銅箔、ガラス、シリコンウエハのような無機基材や、ポリエチレンテレフタレートやポリカーボネートなどの板やフィルムのような有機基材など、いずれの基材でも採用することができ、作製するデバイスの特性に応じて適宜選択される。
＜プレベーク＞
プレベークは、オーブン、ホットプレート等による加熱、真空乾燥又はこれらの組み合わせることによって行われ、下地処理剤中の溶剤（Ｄ）の種類や基材の種類によって適宜選択される。ただし、乾燥温度としては４５〜１２０℃が望ましい。４５℃未満の場合、樹脂層中に溶剤が残留してしまう可能性があり、１２０℃超の場合、組成物中の活性基が失活してしまう可能性がある。乾燥時間としては、例えば１〜１０分間程度行えばよい。この時の樹脂層表面のジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角は４０°以上となる。
プレベークは、オーブン、ホットプレート等による加熱、真空乾燥又はこれらの組み合わせることによって行われ、下地処理剤中の溶剤（Ｄ）の種類や基材の種類によって適宜選択される。ただし、乾燥温度としては４５〜１２０℃が望ましい。４５℃未満の場合、樹脂層中に溶剤が残留してしまう可能性があり、１２０℃超の場合、組成物中の活性基が失活してしまう可能性がある。乾燥時間としては、例えば１〜１０分間程度行えばよい。この時の樹脂層表面のジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角は４０°以上となる。
＜光照射又は光照射と加熱＞
本発明における光照射とは、主に２５０ｎｍから４００ｎｍの波長を含む紫外線を照射することである。使用する紫外線光源としては、高圧水銀灯やメタルハライドランプなどが挙げられるが、特に制限はない。樹脂層への光照射は、例えばパターニングされた石英製クロム蒸着マスクのようなフォトマスクを介して行う。露光量は１０００〜１００００ｍＪ／ｃｍ2が望ましい。より望ましくは、３０００〜７０００ｍＪ／ｃｍ2がよい。１０００ｍＪ／ｃｍ2を下回る場合は光照射部分のジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角が１５°以下に低下せず、露光量が１００００ｍＪ／ｃｍ2を超えても性能に影響はないため、これ程の露光量は必要ない。更に、露光に続いて加熱を行うことがより望ましい。加熱を行うことで光照射された部分が硬化し、より接触角が低下する。この加熱は、オーブン、ホットプレート等によって行われる。加熱温度としては５０〜１５０℃が望ましい。５０℃未満の場合、加熱の効果が不十分であり、硬化に１５０℃を超す温度は必要ない。
本発明における光照射とは、主に２５０ｎｍから４００ｎｍの波長を含む紫外線を照射することである。使用する紫外線光源としては、高圧水銀灯やメタルハライドランプなどが挙げられるが、特に制限はない。樹脂層への光照射は、例えばパターニングされた石英製クロム蒸着マスクのようなフォトマスクを介して行う。露光量は１０００〜１００００ｍＪ／ｃｍ2が望ましい。より望ましくは、３０００〜７０００ｍＪ／ｃｍ2がよい。１０００ｍＪ／ｃｍ2を下回る場合は光照射部分のジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角が１５°以下に低下せず、露光量が１００００ｍＪ／ｃｍ2を超えても性能に影響はないため、これ程の露光量は必要ない。更に、露光に続いて加熱を行うことがより望ましい。加熱を行うことで光照射された部分が硬化し、より接触角が低下する。この加熱は、オーブン、ホットプレート等によって行われる。加熱温度としては５０〜１５０℃が望ましい。５０℃未満の場合、加熱の効果が不十分であり、硬化に１５０℃を超す温度は必要ない。
このようにして得られた親撥液性パターンの親液部分にインクジェット印刷機で機能性インクを印刷することで、微細デバイスの作成が可能になる。
作製した親撥液性パターンの評価には、未露光部分（撥液性部分に相当する）と露光部分（親液性部分に相当する）のジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートの接触角を測定することで行う。インクジェットインクは、一般的に大気圧（７６０ｍｍＨｇ）で沸点が２００℃以上の高沸点溶剤を使用することが多い。これにより、インクジェットヘッドにおけるインクの乾燥を抑制し、インクの吐出不良を軽減することができる。従って本発明では、高沸点（大気圧（７６０ｍｍＨｇ）で２１７℃）であり、インクジェットインクに使用されることが多いジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートを、高価なインクジェットインクの代わりに使用して接触角を測定し、親撥液性の評価としている。
以下、実施例及び比較例に基づいて、本発明の実施形態を具体的に説明する。なお、本発明はこれら実施例にのみに限定されるものではない。
＜合成例１＞ 含フッ素オリゴマーＢ１の合成
冷却管を備えた三つ口フラスコ内に、下記一般式（ｂ１、λmax（ε）＝２３２．５（１０３９０）、２５７（５９４０）（アセトニトリル中））で表される含フッ素モノマー１６．６７ｇ、アクリル酸４−ヒドロキシブチル６．６７ｇ、メタクリル酸２−（２−メトキシエトキシ）エチル１０ｇ、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート５１．５６ｇ、２，２‘−アゾビスイソブチロニトリル０．２６ｇ、及びラウリルメルカプタン０．７８ｇを入れて反応溶液とした。
［Ｒｆは一般式群（３）に示す構造の混合物である］
冷却管を備えた三つ口フラスコ内に、下記一般式（ｂ１、λmax（ε）＝２３２．５（１０３９０）、２５７（５９４０）（アセトニトリル中））で表される含フッ素モノマー１６．６７ｇ、アクリル酸４−ヒドロキシブチル６．６７ｇ、メタクリル酸２−（２−メトキシエトキシ）エチル１０ｇ、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート５１．５６ｇ、２，２‘−アゾビスイソブチロニトリル０．２６ｇ、及びラウリルメルカプタン０．７８ｇを入れて反応溶液とした。
反応溶液中に窒素ガスを導入し、反応容器内を窒素置換した。その後、反応溶液を撹拌しながら９０℃まで加熱し、反応を開始した。その後、９０℃で撹拌を１４時間続行した。反応の終了は１Ｈ−ＮＭＲを用いて確認した。降温後、固形分濃度が２０質量％となるように、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを用いて希釈し、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ１を得た。テトラヒドロフランを展開溶媒としたＧＰＣにより重量平均分子量（ポリスチレン換算）を求めると、８０００だった。
＜合成例２＞ 含フッ素オリゴマーＢ２の合成
窒素置換を行ったナスフラスコ内に、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ１を１０ｇ、アクリル酸２−イソシアネートエチル０．２０ｇ、及び１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン０．００３ｇを入れた。その後、５０℃にて１２時間攪拌して、室温へ冷却した。反応の終了はＦＴ−ＩＲを用いて確認した。降温後、固形分濃度が２０質量％となるように、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを用いて希釈し、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ２を得た。
窒素置換を行ったナスフラスコ内に、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ１を１０ｇ、アクリル酸２−イソシアネートエチル０．２０ｇ、及び１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン０．００３ｇを入れた。その後、５０℃にて１２時間攪拌して、室温へ冷却した。反応の終了はＦＴ−ＩＲを用いて確認した。降温後、固形分濃度が２０質量％となるように、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを用いて希釈し、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ２を得た。
＜合成例３＞ 含フッ素オリゴマーＢ３の合成
冷却管を備えた三つ口フラスコ内に、下記一般式（ｂ２）で表される含フッ素モノマー１６．６７ｇ、アクリル酸４−ヒドロキシブチル６．６７ｇ、メタクリル酸２−（２−メトキシエトキシ）エチル１０ｇ、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート５１．５６ｇ、及び２，２‘−アゾビスイソブチロニトリル０．２６ｇ、ラウリルメルカプタン０．７８ｇを入れて反応溶液とした。
［Ｒｆは一般式群（３）に示す構造の混合物である］
冷却管を備えた三つ口フラスコ内に、下記一般式（ｂ２）で表される含フッ素モノマー１６．６７ｇ、アクリル酸４−ヒドロキシブチル６．６７ｇ、メタクリル酸２−（２−メトキシエトキシ）エチル１０ｇ、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート５１．５６ｇ、及び２，２‘−アゾビスイソブチロニトリル０．２６ｇ、ラウリルメルカプタン０．７８ｇを入れて反応溶液とした。
反応溶液中に窒素ガスを導入し、反応容器内を窒素置換した。その後、反応溶液を撹拌しながら９０℃まで加熱し、反応を開始した。その後、９０℃で撹拌を１４時間続行した。反応の終了は１Ｈ−ＮＭＲを用いて確認した。降温後、固形分濃度が２０質量％となるように、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを用いて希釈し、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ３を得た。テトラヒドロフランを展開溶媒としたＧＰＣにより重量平均分子量（ポリスチレン換算）を求めると、８２００だった。
＜合成例４＞ 含フッ素オリゴマーＢ４の合成
冷却管を備えた三つ口フラスコ内に、下記一般式（ｂ３）で表される含フッ素モノマー１６．６７ｇ、アクリル酸４−ヒドロキシブチル６．６７ｇ、メタクリル酸２−（２−メトキシエトキシ）エチル１０ｇ、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート５１．５６ｇ、２，２‘−アゾビスイソブチロニトリル０．２６ｇ、及びラウリルメルカプタン０．７８ｇを入れて反応溶液とした。
［Ｒｆは一般式群（３）に示す構造の混合物である］
冷却管を備えた三つ口フラスコ内に、下記一般式（ｂ３）で表される含フッ素モノマー１６．６７ｇ、アクリル酸４−ヒドロキシブチル６．６７ｇ、メタクリル酸２−（２−メトキシエトキシ）エチル１０ｇ、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート５１．５６ｇ、２，２‘−アゾビスイソブチロニトリル０．２６ｇ、及びラウリルメルカプタン０．７８ｇを入れて反応溶液とした。
反応溶液中に窒素ガスを導入し、反応容器内を窒素置換した。その後、反応溶液を撹拌しながら９０℃まで加熱し、反応を開始した。その後、９０℃で撹拌を１４時間続行した。反応の終了は１Ｈ−ＮＭＲを用いて確認した。降温後、固形分濃度が２０質量％となるように、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを用いて希釈し、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ４を得た。テトラヒドロフランを展開溶媒としたＧＰＣにより重量平均分子量（ポリスチレン換算）を求めると、７５００だった。
＜合成例５＞ 含フッ素オリゴマーＢ５の合成
冷却管を備えた三つ口フラスコ内に、下記一般式（ｂ４）で表される含フッ素モノマー１６．６７ｇ、アクリル酸４−ヒドロキシブチル６．６７ｇ、メタクリル酸２−（２−メトキシエトキシ）エチル１０ｇ、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート５１．５６ｇ、２，２‘−アゾビスイソブチロニトリル０．２６ｇ、及びラウリルメルカプタン０．７８ｇを入れて反応溶液とした。
［Ｒｆは一般式群（３）に示す構造の混合物である］
冷却管を備えた三つ口フラスコ内に、下記一般式（ｂ４）で表される含フッ素モノマー１６．６７ｇ、アクリル酸４−ヒドロキシブチル６．６７ｇ、メタクリル酸２−（２−メトキシエトキシ）エチル１０ｇ、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート５１．５６ｇ、２，２‘−アゾビスイソブチロニトリル０．２６ｇ、及びラウリルメルカプタン０．７８ｇを入れて反応溶液とした。
反応溶液中に窒素ガスを導入し、反応容器内を窒素置換した。その後、反応溶液を撹拌しながら９０℃まで加熱し、反応を開始した。その後、９０℃で撹拌を１４時間続行した。反応の終了は１Ｈ−ＮＭＲを用いて確認した。降温後、固形分濃度が２０質量％となるように、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを用いて希釈し、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ５を得た。テトラヒドロフランを展開溶媒としたＧＰＣにより重量平均分子量（ポリスチレン換算）を求めると、８０００だった。
＜合成例６＞ 含フッ素オリゴマーＢ６の合成
冷却管を備えた三つ口フラスコ内に、下記一般式（ｂ５、λmax（ε）＝２３４（６５０００）、２６８．５（１２５００）、３３２（２３９０）（アセトニトリル中））で表される含フッ素モノマー１６．６７ｇ、アクリル酸４−ヒドロキシブチル６．６７ｇ、メタクリル酸２−（２−メトキシエトキシ）エチル１０ｇ、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート５１．５６ｇ、２，２‘−アゾビスイソブチロニトリル０．２６ｇ、及びラウリルメルカプタン０．７８ｇを入れて反応溶液とした。
［Ｒｆは一般式群（３）に示す構造の混合物である］
冷却管を備えた三つ口フラスコ内に、下記一般式（ｂ５、λmax（ε）＝２３４（６５０００）、２６８．５（１２５００）、３３２（２３９０）（アセトニトリル中））で表される含フッ素モノマー１６．６７ｇ、アクリル酸４−ヒドロキシブチル６．６７ｇ、メタクリル酸２−（２−メトキシエトキシ）エチル１０ｇ、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート５１．５６ｇ、２，２‘−アゾビスイソブチロニトリル０．２６ｇ、及びラウリルメルカプタン０．７８ｇを入れて反応溶液とした。
反応溶液中に窒素ガスを導入し、反応容器内を窒素置換した。その後、反応溶液を撹拌しながら９０℃まで加熱し、反応を開始した。その後、９０℃で撹拌を１４時間続行した。反応の終了は１Ｈ−ＮＭＲを用いて確認した。降温後、固形分濃度が２０質量％となるように、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを用いて希釈し、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ６を得た。テトラヒドロフランを展開溶媒としたＧＰＣにより重量平均分子量（ポリスチレン換算）を求めると、８５００だった。
＜合成例７＞ 含フッ素オリゴマーＢ７の合成
冷却管を備えた三つ口フラスコ内に、下記一般式（ｂ６）で表される含フッ素モノマー１６．６７ｇ、アクリル酸４−ヒドロキシブチル６．６７ｇ、メタクリル酸２−（２−メトキシエトキシ）エチル１０ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート５１．５６ｇ、２，２‘−アゾビスイソブチロニトリル０．２６ｇ、及びラウリルメルカプタン０．７８ｇを入れて反応溶液とした。
［Ｒｆは一般式群（３）に示す構造の混合物である］
冷却管を備えた三つ口フラスコ内に、下記一般式（ｂ６）で表される含フッ素モノマー１６．６７ｇ、アクリル酸４−ヒドロキシブチル６．６７ｇ、メタクリル酸２−（２−メトキシエトキシ）エチル１０ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート５１．５６ｇ、２，２‘−アゾビスイソブチロニトリル０．２６ｇ、及びラウリルメルカプタン０．７８ｇを入れて反応溶液とした。
反応溶液中に窒素ガスを導入し、反応容器内を窒素置換した。その後、反応溶液を撹拌しながら９０℃まで加熱し、反応を開始した。その後、９０℃で撹拌を１４時間続行した。反応の終了は１Ｈ−ＮＭＲを用いて確認した。降温後、固形分濃度が２０質量％となるように、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを用いて希釈し、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ７を得た。テトラヒドロフランを展開溶媒としたＧＰＣにより重量平均分子量（ポリスチレン換算）を求めると、８８００だった。
＜合成例８＞ 含フッ素オリゴマーＢ８の合成
冷却管を備えた三つ口フラスコ内に、下記一般式（b7、λmax（ε）＝２７９（２９４２０）（アセトニトリル中））で表される含フッ素モノマー１６．６７ｇ、アクリル酸４−ヒドロキシブチル６．６７ｇ、メタクリル酸２−（２−メトキシエトキシ）エチル１０ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート５１．５６ｇ、２，２‘−アゾビスイソブチロニトリル０．２６ｇ、及びラウリルメルカプタン０．７８ｇを入れて反応溶液とした。
［Ｒｆは一般式群（３）に示す構造の混合物である］
冷却管を備えた三つ口フラスコ内に、下記一般式（b7、λmax（ε）＝２７９（２９４２０）（アセトニトリル中））で表される含フッ素モノマー１６．６７ｇ、アクリル酸４−ヒドロキシブチル６．６７ｇ、メタクリル酸２−（２−メトキシエトキシ）エチル１０ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート５１．５６ｇ、２，２‘−アゾビスイソブチロニトリル０．２６ｇ、及びラウリルメルカプタン０．７８ｇを入れて反応溶液とした。
反応溶液中に窒素ガスを導入し、反応容器内を窒素置換した。その後、反応溶液を撹拌しながら９０℃まで加熱し、反応を開始した。その後、９０℃で撹拌を１４時間続行した。反応の終了は１Ｈ−ＮＭＲを用いて確認した。降温後、固形分濃度が２０質量％となるように、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを用いて希釈し、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ８を得た。テトラヒドロフランを展開溶媒としたＧＰＣにより重量平均分子量（ポリスチレン換算）を求めると、８６００だった。
＜合成例９＞ 含フッ素オリゴマーＢ９の合成
冷却管を備えた三つ口フラスコ内に、下記一般式（ｂ8、λmax（ε）＝２２７（１０３０）（アセトニトリル中））で表される含フッ素モノマー１６．６７ｇ、アクリル酸４−ヒドロキシブチル６．６７ｇ、メタクリル酸２−（２−メトキシエトキシ）エチル１０ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート５１．２４ｇ、２，２‘−アゾビスイソブチロニトリル０．３０ｇ、及びラウリルメルカプタン０．８０ｇを入れた。
［Ｒｆは一般式群（３）に示す構造の混合物である］
冷却管を備えた三つ口フラスコ内に、下記一般式（ｂ8、λmax（ε）＝２２７（１０３０）（アセトニトリル中））で表される含フッ素モノマー１６．６７ｇ、アクリル酸４−ヒドロキシブチル６．６７ｇ、メタクリル酸２−（２−メトキシエトキシ）エチル１０ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート５１．２４ｇ、２，２‘−アゾビスイソブチロニトリル０．３０ｇ、及びラウリルメルカプタン０．８０ｇを入れた。
反応溶液中に窒素ガスを導入し、反応容器内を窒素置換した。その後、反応溶液を撹拌しながら９０℃まで加熱し、反応を開始した。その後、９０℃で撹拌を１４時間続行した。反応の終了は１Ｈ−ＮＭＲを用いて確認した。降温後、固形分濃度が２０質量％となるように、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを用いて希釈した。テトラヒドロフランを展開溶媒としたＧＰＣにより重量平均分子量（ポリスチレン換算）を求めると、６２００だった。窒素置換を行ったナスフラスコ内に、得られた含フッ素オリゴマー溶液１０ｇ、アクリル酸２−イソシアネートエチル０．２０ｇ、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン０．００３ｇを入れた。その後、５０℃にて１２時間攪拌して、室温へ冷却した。反応の終了はＦＴ−ＩＲを用いて確認した。降温後、固形分濃度が２０質量％となるように、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを用いて希釈し、含フッ素オリゴマー溶液B９を得た。
＜合成例１０＞ 含フッ素オリゴマーＢ１０の合成
冷却管を備えた三つ口フラスコ内に、下記一般式（ｂ１、λmax（ε）＝２３２．５（１０３９０）、２５７（５９４０）（アセトニトリル中））で表される含フッ素モノマー１６．６７ｇ、アクリル酸４−ヒドロキシブチル６．６７ｇ、メタクリル酸２−（２−メトキシエトキシ）エチル８ｇ、メタクリル酸２ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート５１．５６ｇ、２，２‘−アゾビスイソブチロニトリル０．２６ｇ、及びラウリルメルカプタン０．７８ｇを入れて反応溶液とした。
［Ｒｆは一般式群（３）に示す構造の混合物である］
冷却管を備えた三つ口フラスコ内に、下記一般式（ｂ１、λmax（ε）＝２３２．５（１０３９０）、２５７（５９４０）（アセトニトリル中））で表される含フッ素モノマー１６．６７ｇ、アクリル酸４−ヒドロキシブチル６．６７ｇ、メタクリル酸２−（２−メトキシエトキシ）エチル８ｇ、メタクリル酸２ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート５１．５６ｇ、２，２‘−アゾビスイソブチロニトリル０．２６ｇ、及びラウリルメルカプタン０．７８ｇを入れて反応溶液とした。
反応溶液中に窒素ガスを導入し、反応容器内を窒素置換した。その後、反応溶液を撹拌しながら９０℃まで加熱し、反応を開始した。その後、９０℃で撹拌を１４時間続行した。反応の終了は１Ｈ−ＮＭＲを用いて確認した。降温後、固形分濃度が２０質量％となるように、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを用いて希釈し、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ１０を得た。テトラヒドロフランを展開溶媒としたＧＰＣにより重量平均分子量（ポリスチレン換算）を求めると、５０００だった。
＜合成例１１＞ 含フッ素オリゴマーＢ１１の合成
冷却管を備えた三つ口フラスコ内に、下記一般式（ｂ１、λmax（ε）＝２３２．５（１０３９０）、２５７（５９４０）（アセトニトリル中））で表される含フッ素モノマー１６．６７ｇ、アクリル酸４−ヒドロキシブチル６．６７ｇ、メタクリル酸２−（２−メトキシエトキシ）エチル５ｇ、３，４−エポキシシクロヘキシルメチルメタアクリレート５ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート５１．５６ｇ、２，２‘−アゾビスイソブチロニトリル０．２６ｇ、及びラウリルメルカプタン０．７８ｇを入れて反応溶液とした。
［Ｒｆは一般式群（３）に示す構造の混合物である］
冷却管を備えた三つ口フラスコ内に、下記一般式（ｂ１、λmax（ε）＝２３２．５（１０３９０）、２５７（５９４０）（アセトニトリル中））で表される含フッ素モノマー１６．６７ｇ、アクリル酸４−ヒドロキシブチル６．６７ｇ、メタクリル酸２−（２−メトキシエトキシ）エチル５ｇ、３，４−エポキシシクロヘキシルメチルメタアクリレート５ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート５１．５６ｇ、２，２‘−アゾビスイソブチロニトリル０．２６ｇ、及びラウリルメルカプタン０．７８ｇを入れて反応溶液とした。
反応溶液中に窒素ガスを導入し、反応容器内を窒素置換した。その後、反応溶液を撹拌しながら９０℃まで加熱し、反応を開始した。その後、９０℃で撹拌を１４時間続行した。反応の終了は１Ｈ−ＮＭＲを用いて確認した。降温後、固形分濃度が２０質量％となるように、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを用いて希釈し、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ１１を得た。テトラヒドロフランを展開溶媒としたＧＰＣにより重量平均分子量（ポリスチレン換算）を求めると、８８００だった。
＜合成例１２＞ バインダー樹脂Ａ−ＰＩ（可溶性ポリイミド）の合成
乾燥窒素気流下、加熱乾燥させたディーンスタークトラップを備えたガラス製反応容器にダイマージアミン２７．８ｇ、脱水精製したキシレン ８７．５ｇを投入した。しばらく撹拌した後、脱水精製したＮ−メチルピロリドン８７．５ｇ、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物４７．２ｇを加え、昇温を開始した。１７０〜１８０℃で４時間重合反応を行った。その間、脱水縮合により発生する水及び共沸溶媒であるキシレンはディーンスタークトラップにより反応系中から除外した。降温後、固形分濃度が３５質量％となるように、Ｎ−メチルピロリドンを用いて希釈し、バインダー樹脂Ａ−ＰＩを得た。
乾燥窒素気流下、加熱乾燥させたディーンスタークトラップを備えたガラス製反応容器にダイマージアミン２７．８ｇ、脱水精製したキシレン ８７．５ｇを投入した。しばらく撹拌した後、脱水精製したＮ−メチルピロリドン８７．５ｇ、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物４７．２ｇを加え、昇温を開始した。１７０〜１８０℃で４時間重合反応を行った。その間、脱水縮合により発生する水及び共沸溶媒であるキシレンはディーンスタークトラップにより反応系中から除外した。降温後、固形分濃度が３５質量％となるように、Ｎ−メチルピロリドンを用いて希釈し、バインダー樹脂Ａ−ＰＩを得た。
＜配合例１＞ 評価用インクジェットインクの作製
ピグメントレッド２５４を高分子分散剤の共存下、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートを溶媒としてビーズミル中で分散を行い、赤色分散体を作成した。この分散体を元に、以下に記載する組成で混合した。
ピグメントレッド２５４ ： ４．１質量部
高分子分散剤 ： ２．３質量部
ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（ダイセル化学製） ： ６０．４質量部
ペンタエリスリトールトリアクリレート（日本化薬製） ： ２８．４質量部
２−メチル−１−〔4−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルフォリノプロパン−１−オン（ＢＡＳＦジャパン製） ： ３．９質量部
３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業製） ： ０．６質量部
界面活性剤（ビックケミー・ジャパン製、商品名「ＢＹＫ−３７８」） ： ０．１質量部
ピグメントレッド２５４を高分子分散剤の共存下、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートを溶媒としてビーズミル中で分散を行い、赤色分散体を作成した。この分散体を元に、以下に記載する組成で混合した。
ピグメントレッド２５４ ： ４．１質量部
高分子分散剤 ： ２．３質量部
ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート（ダイセル化学製） ： ６０．４質量部
ペンタエリスリトールトリアクリレート（日本化薬製） ： ２８．４質量部
２−メチル−１−〔4−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルフォリノプロパン−１−オン（ＢＡＳＦジャパン製） ： ３．９質量部
３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業製） ： ０．６質量部
界面活性剤（ビックケミー・ジャパン製、商品名「ＢＹＫ−３７８」） ： ０．１質量部
上記で得られた混合溶液を１μｍデプスフィルターによって加圧ろ過を行い、評価用インクジェットインクを作製した。作製したインクジェットインクの粘度は１１．３ｍＰａ・ｓｅｃ（２３℃、ＲＥ型粘度計（東機産業）により測定）、表面張力は２２．３ｍＮ／ｍ（２３℃、ＣＢＶＰ−Ｚ（協和界面科学）により測定）だった。
＜実施例１＞
ＥＨＰＥ−３１５０（（Ａ）成分、ダイセル化学製固形エポキシ樹脂：2,2-ビス(ヒドロキシメチル)-1-ブタノールの1,2-エポキシ-4-(2-オキシラニル)シクロヘキサン付加物）１０ｇ、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ１（（Ｂ）成分、２０質量％溶液）０．２５ｇ、ＣＰＩ−１００Ｐ（（Ｃ）成分、サンアプロ製光酸発生剤、５０質量％溶液）０．４ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（（Ｄ）成分、ダイセル化学製）３０ｇを混合した。次いで、２μｍのポリプロピレン製メンブレンフィルターを用いてろ過することで、インクジェット用下地処理剤１を調整した。
ＥＨＰＥ−３１５０（（Ａ）成分、ダイセル化学製固形エポキシ樹脂：2,2-ビス(ヒドロキシメチル)-1-ブタノールの1,2-エポキシ-4-(2-オキシラニル)シクロヘキサン付加物）１０ｇ、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ１（（Ｂ）成分、２０質量％溶液）０．２５ｇ、ＣＰＩ−１００Ｐ（（Ｃ）成分、サンアプロ製光酸発生剤、５０質量％溶液）０．４ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（（Ｄ）成分、ダイセル化学製）３０ｇを混合した。次いで、２μｍのポリプロピレン製メンブレンフィルターを用いてろ過することで、インクジェット用下地処理剤１を調整した。
得られた下地処理剤１を、スピンコーターを用いて１２５ｍｍ×１２５ｍｍのガラス基板の上にプレベーク後の膜厚が２μｍとなるように塗工し、ホットプレートを用いて７０℃で３分間プレベークを行い、ガラス基板上に樹脂層を形成した。プレベーク後の樹脂層について、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角は４９°だった。次いで、樹脂層を備えたこの基板に対して、超高圧水銀ランプで露光（５０００ｍJ／ｃｍ2、i線基準）を行った後、７０℃で５分間加熱した。加熱後の樹脂層について、光照射と加熱が施された部分はジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角が１１°に低下した。
上記露光の際には、石英製のフォトマスク（ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍ）を樹脂層に被せて露光（５０００ｍJ／ｃｍ2、i線基準）し、さらに基板ごと７０℃で５分間加熱することで、ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍの親撥液パターニングを行った。そして、樹脂層を備えたこの基板に対して、コニカミノルタＩＪ製インクジェットヘッド（ピエゾ素子駆動型、ＫＭ５１２Ｍ）を用いて、評価用インクジェットインクを１４ｐｌ吐出した。この時の顕微鏡写真を図１に示す。この写真から分かるように、評価用インクジェットインキに対する親液部分と撥液部分とを有する親撥液パターニング（ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍ）の親液部分ではインクがぬれ広がり、さらに撥液部分ではインクを弾くことで約３０μｍの赤いラインを形成した。
＜実施例２＞
ＥＨＰＥ−３１５０（（Ａ）成分、ダイセル化学製固形エポキシ樹脂）１０ｇ、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ２（（Ｂ）成分、２０質量％溶液）０．２５ｇ、ＣＰＩ−１００Ｐ（（Ｃ）成分、サンアプロ製光酸発生剤、５０質量％溶液）０．４ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（（Ｄ）成分、ダイセル化学製）３０ｇを混合した。次いで、２μｍのポリプロピレン製メンブレンフィルターを用いてろ過することで、インクジェット用下地処理剤２を調整した。
ＥＨＰＥ−３１５０（（Ａ）成分、ダイセル化学製固形エポキシ樹脂）１０ｇ、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ２（（Ｂ）成分、２０質量％溶液）０．２５ｇ、ＣＰＩ−１００Ｐ（（Ｃ）成分、サンアプロ製光酸発生剤、５０質量％溶液）０．４ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（（Ｄ）成分、ダイセル化学製）３０ｇを混合した。次いで、２μｍのポリプロピレン製メンブレンフィルターを用いてろ過することで、インクジェット用下地処理剤２を調整した。
得られた下地処理剤２を、スピンコーターを用いて１２５ｍｍ×１２５ｍｍのガラス基板の上にプレベーク後の膜厚が２μｍとなるように塗工し、ホットプレートを用いて７０℃で３分間プレベークを行い、ガラス基板上に樹脂層を形成した。プレベーク後の樹脂層について、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角は４８°だった。次いで、樹脂層を備えたこの基板に対して、超高圧水銀ランプで露光（５０００ｍJ／ｃｍ2、i線基準）を行った後、７０℃で５分間加熱した。加熱後の樹脂層について、光照射と加熱が施された部分はジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角が１０°以下に低下した。
上記露光の際には、石英製のフォトマスク（ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍ）を樹脂層に被せて露光（５０００ｍJ／ｃｍ2、i線基準）し、さらに基板ごと７０℃で５分間加熱することで、ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍの親撥液パターニングを行った。そして、樹脂層を備えたこの基板に対して、コニカミノルタＩＪ製インクジェットヘッド（ピエゾ素子駆動型、ＫＭ５１２Ｍ）を用いて、評価用インクジェットインクを１４ｐｌ吐出した。実施例１と同様に、親撥液パターニング（ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍ）の親液部分ではインクがぬれ広がり、さらに撥液部分ではインクを弾くことで約３０μｍの赤いラインを形成した。
＜実施例３＞
ｊＥＲ ＹＸ−４０００ＨＫ（（Ａ）成分、三菱化学製固形エポキシ樹脂：ビフェニル型エポキシ）１０ｇ、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ３（（Ｂ）成分、２０質量％溶液）０．２５ｇ、ＧＳＩＤ２６−１（（Ｃ）成分、ＢＡＳＦ製光酸発生剤）０．２ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（（Ｄ）成分、ダイセル化学製）３０ｇを混合した。次いで、２μｍのポリプロピレン製メンブレンフィルターを用いてろ過することで、インクジェット用下地処理剤３を調整した。
ｊＥＲ ＹＸ−４０００ＨＫ（（Ａ）成分、三菱化学製固形エポキシ樹脂：ビフェニル型エポキシ）１０ｇ、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ３（（Ｂ）成分、２０質量％溶液）０．２５ｇ、ＧＳＩＤ２６−１（（Ｃ）成分、ＢＡＳＦ製光酸発生剤）０．２ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（（Ｄ）成分、ダイセル化学製）３０ｇを混合した。次いで、２μｍのポリプロピレン製メンブレンフィルターを用いてろ過することで、インクジェット用下地処理剤３を調整した。
得られた下地処理剤３を、スピンコーターを用いて１２５ｍｍ×１２５ｍｍのガラス基板の上にプレベーク後の膜厚が２μｍとなるように塗工し、ホットプレートを用いて７０℃で３分間プレベークを行い、ガラス基板上に樹脂層を形成した。プレベーク後の樹脂層について、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角は４８°だった。次いで、樹脂層を備えたこの基板に対して、超高圧水銀ランプで露光（５０００ｍJ／ｃｍ2、i線基準）を行った後、７０℃で５分間加熱した。加熱後の樹脂層について、光照射と加熱が施された部分はジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角が１０°以下に低下した。
上記露光の際には、石英製のフォトマスク（ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍ）を樹脂層に被せて露光（５０００ｍJ／ｃｍ2、i線基準）し、さらに基板ごと７０℃で５分間加熱することで、ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍの親撥液パターニングを行った。そして、樹脂層を備えたこの基板に対して、コニカミノルタＩＪ製インクジェットヘッド（ピエゾ素子駆動型、ＫＭ５１２Ｍ）を用いて、評価用インクジェットインクを１４ｐｌ吐出した。実施例１と同様に、親撥液パターニング（ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍ）の親液部分ではインクがぬれ広がり、さらに撥液部分ではインクを弾くことで約３０μｍの赤いラインを形成した。
＜実施例４＞
ｊＥＲ ＹＸ−４０００ＨＫ（（Ａ）成分、三菱化学製固形エポキシ樹脂）１０ｇ、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ４（（Ｂ）成分、２０質量％溶液）０．２５ｇ、ＧＳＩＤ２６−１（（Ｃ）成分、ＢＡＳＦ製光酸発生剤）０．２ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（（Ｄ）成分、ダイセル化学製）３０ｇを混合した。次いで、２μｍのポリプロピレン製メンブレンフィルターを用いてろ過することで、インクジェット用下地処理剤４を調整した。
ｊＥＲ ＹＸ−４０００ＨＫ（（Ａ）成分、三菱化学製固形エポキシ樹脂）１０ｇ、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ４（（Ｂ）成分、２０質量％溶液）０．２５ｇ、ＧＳＩＤ２６−１（（Ｃ）成分、ＢＡＳＦ製光酸発生剤）０．２ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（（Ｄ）成分、ダイセル化学製）３０ｇを混合した。次いで、２μｍのポリプロピレン製メンブレンフィルターを用いてろ過することで、インクジェット用下地処理剤４を調整した。
得られた下地処理剤４を、スピンコーターを用いて１２５ｍｍ×１２５ｍｍのガラス基板の上にプレベーク後の膜厚が２μｍとなるように塗工し、ホットプレートを用いて７０℃で３分間プレベークを行い、ガラス基板上に樹脂層を形成した。プレベーク後の樹脂層について、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角は４７°だった。次いで、樹脂層を備えたこの基板に対して、超高圧水銀ランプで露光（５０００ｍJ／ｃｍ2、i線基準）を行った後、７０℃で５分間加熱した。加熱後の樹脂層について、光照射と加熱が施された部分はジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角が１０°以下に低下した。
上記露光の際には、石英製のフォトマスク（ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍ）を樹脂層に被せて露光（５０００ｍJ／ｃｍ2、i線基準）し、さらに基板ごと７０℃で５分間加熱することで、ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍの親撥液パターニングを行った。そして、樹脂層を備えたこの基板に対して、コニカミノルタＩＪ製インクジェットヘッド（ピエゾ素子駆動型、ＫＭ５１２Ｍ）を用いて、評価用インクジェットインクを１４ｐｌ吐出した。実施例１と同様に、親撥液パターニング（ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍ）の親液部分ではインクがぬれ広がり、さらに撥液部分ではインクを弾くことで約３０μｍの赤いラインを形成した。
＜実施例５＞
ＳＴ−４０００Ｄ（（Ａ）成分、新日鉄住金化学製固形エポキシ樹脂：水添ＢＰＡ型特殊エポキシ）１０ｇ、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ５（（Ｂ）成分、２０質量％溶液）０．２５ｇ、ＣＰＩ−１００Ｐ（（Ｃ）成分、サンアプロ製光酸発生剤、５０質量％溶液）０．４ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（（Ｄ）成分、ダイセル化学製）３０ｇを混合した。次いで、２μｍのポリプロピレン製メンブレンフィルターを用いてろ過することで、インクジェット用下地処理剤５を調整した。
ＳＴ−４０００Ｄ（（Ａ）成分、新日鉄住金化学製固形エポキシ樹脂：水添ＢＰＡ型特殊エポキシ）１０ｇ、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ５（（Ｂ）成分、２０質量％溶液）０．２５ｇ、ＣＰＩ−１００Ｐ（（Ｃ）成分、サンアプロ製光酸発生剤、５０質量％溶液）０．４ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（（Ｄ）成分、ダイセル化学製）３０ｇを混合した。次いで、２μｍのポリプロピレン製メンブレンフィルターを用いてろ過することで、インクジェット用下地処理剤５を調整した。
得られた下地処理剤２を、スピンコーターを用いて１２５ｍｍ×１２５ｍｍのガラス基板の上にプレベーク後の膜厚が２μｍとなるように塗工し、ホットプレートを用いて７０℃で３分間プレベークを行い、ガラス基板上に樹脂層を形成した。プレベーク後の樹脂層について、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角は４７°だった。次いで、樹脂層を備えたこの基板に対して、超高圧水銀ランプで露光（５０００ｍJ／ｃｍ2、i線基準）を行った後、７０℃で５分間加熱した。加熱後の樹脂層について、光照射と加熱が施された部分はジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角が１０°以下に低下した。
上記露光の際には、石英製のフォトマスク（ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍ）を樹脂層に被せて露光（５０００ｍJ／ｃｍ2、i線基準）し、さらに基板ごと７０℃で５分間加熱することで、ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍの親撥液パターニングを行った。そして、樹脂層を備えたこの基板に対して、コニカミノルタＩＪ製インクジェットヘッド（ピエゾ素子駆動型、ＫＭ５１２Ｍ）を用いて、評価用インクジェットインクを１４ｐｌ吐出した。実施例１と同様に、親撥液パターニング（ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍ）の親液部分ではインクがぬれ広がり、さらに撥液部分ではインクを弾くことで約３０μｍの赤いラインを形成した。
＜実施例６＞
ＳＴ−４０００Ｄ（（Ａ）成分、新日鉄住金化学製固形エポキシ樹脂）１０ｇ、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ６（（Ｂ）成分、２０質量％溶液）０．２５ｇ、ＣＰＩ−１００Ｐ（（Ｃ）成分、サンアプロ製光酸発生剤、５０質量％溶液）０．４ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（（Ｄ）成分、ダイセル化学製）３０ｇを混合した。次いで、２μｍのポリプロピレン製メンブレンフィルターを用いてろ過することで、インクジェット用下地処理剤６を調整した。
ＳＴ−４０００Ｄ（（Ａ）成分、新日鉄住金化学製固形エポキシ樹脂）１０ｇ、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ６（（Ｂ）成分、２０質量％溶液）０．２５ｇ、ＣＰＩ−１００Ｐ（（Ｃ）成分、サンアプロ製光酸発生剤、５０質量％溶液）０．４ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（（Ｄ）成分、ダイセル化学製）３０ｇを混合した。次いで、２μｍのポリプロピレン製メンブレンフィルターを用いてろ過することで、インクジェット用下地処理剤６を調整した。
得られた下地処理剤６を、スピンコーターを用いて１２５ｍｍ×１２５ｍｍのガラス基板の上にプレベーク後の膜厚が２μｍとなるように塗工し、ホットプレートを用いて７０℃で３分間プレベークを行い、ガラス基板上に樹脂層を形成した。プレベーク後の樹脂層について、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角は４４°だった。次いで、樹脂層を備えたこの基板に対して、超高圧水銀ランプで露光（５０００ｍJ／ｃｍ2、i線基準）を行った後、７０℃で５分間加熱した。加熱後の樹脂層について、光照射と加熱が施された部分はジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角が１０°以下に低下した。
上記露光の際には、石英製のフォトマスク（ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍ）を樹脂層に被せて露光（５０００ｍJ／ｃｍ2、i線基準）し、さらに基板ごと７０℃で５分間加熱することで、ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍの親撥液パターニングを行った。そして、樹脂層を備えたこの基板に対して、コニカミノルタＩＪ製インクジェットヘッド（ピエゾ素子駆動型、ＫＭ５１２Ｍ）を用いて、評価用インクジェットインクを１４ｐｌ吐出した。実施例１と同様に、親撥液パターニング（ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍ）の親液部分ではインクがぬれ広がり、さらに撥液部分ではインクを弾くことで約３０μｍの赤いラインを形成した。
＜実施例７＞
ＳＴ−４０００Ｄ（（Ａ）成分、新日鉄住金化学製固形エポキシ樹脂）１０ｇ、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ６（（Ｂ）成分、２０質量％溶液）０．２５ｇ、ＣＰＩ−１００Ｐ（（Ｃ）成分、サンアプロ製光酸発生剤、５０質量％溶液）０．４ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（（Ｄ）成分、ダイセル化学製）３０ｇを混合した。次いで、２μｍのポリプロピレン製メンブレンフィルターを用いてろ過することで、インクジェット用下地処理剤７を調整した。
ＳＴ−４０００Ｄ（（Ａ）成分、新日鉄住金化学製固形エポキシ樹脂）１０ｇ、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ６（（Ｂ）成分、２０質量％溶液）０．２５ｇ、ＣＰＩ−１００Ｐ（（Ｃ）成分、サンアプロ製光酸発生剤、５０質量％溶液）０．４ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（（Ｄ）成分、ダイセル化学製）３０ｇを混合した。次いで、２μｍのポリプロピレン製メンブレンフィルターを用いてろ過することで、インクジェット用下地処理剤７を調整した。
得られた下地処理剤７を、スピンコーターを用いて１２５ｍｍ×１２５ｍｍのガラス基板の上にプレベーク後の膜厚が２μｍとなるように塗工し、ホットプレートを用いて７０℃で３分間プレベークを行い、ガラス基板上に樹脂層を形成した。プレベーク後の樹脂層について、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角は４４°だった。次いで、樹脂層を備えたこの基板に対して、超高圧水銀ランプで露光（５０００ｍJ／ｃｍ2、i線基準）を行った後、７０℃で５分間加熱した。加熱後の樹脂層について、光照射と加熱が施された部分はジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角が１０°以下に低下した。
上記露光の際には、石英製のフォトマスク（ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍ）を樹脂層に被せて露光（５０００ｍJ／ｃｍ2、i線基準）し、さらに基板ごと７０℃で５分間加熱することで、ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍの親撥液パターニングを行った。そして、樹脂層を備えたこの基板に対して、コニカミノルタＩＪ製インクジェットヘッド（ピエゾ素子駆動型、ＫＭ５１２Ｍ）を用いて、評価用インクジェットインクを１４ｐｌ吐出した。実施例１と同様に、親撥液パターニング（ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍ）の親液部分ではインクがぬれ広がり、さらに撥液部分ではインクを弾くことで約３０μｍの赤いラインを形成した。
＜実施例８＞
ＳＴ‐４０００Ｄ((Ａ)成分、新日鉄住金化学製固形エポキシ樹脂）１０ｇ、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ８（（Ｂ）成分、２０質量％溶液）０．２５ｇ、ＣＰＩ−１００Ｐ（（Ｃ）成分、サンアプロ製光酸発生剤、５０質量％溶液）０．４ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（（Ｄ）成分、ダイセル化学製）３０ｇを混合した。次いで、２μｍのポリプロピレン製メンブレンフィルターを用いてろ過することで、インクジェット用下地処理剤８を調整した。
ＳＴ‐４０００Ｄ((Ａ)成分、新日鉄住金化学製固形エポキシ樹脂）１０ｇ、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ８（（Ｂ）成分、２０質量％溶液）０．２５ｇ、ＣＰＩ−１００Ｐ（（Ｃ）成分、サンアプロ製光酸発生剤、５０質量％溶液）０．４ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（（Ｄ）成分、ダイセル化学製）３０ｇを混合した。次いで、２μｍのポリプロピレン製メンブレンフィルターを用いてろ過することで、インクジェット用下地処理剤８を調整した。
得られた下地処理剤８を、スピンコーターを用いて１２５ｍｍ×１２５ｍｍのガラス基板の上にプレベーク後の膜厚が２μｍとなるように塗工し、ホットプレートを用いて７０℃で３分間プレベークを行い、ガラス基板上に樹脂層を形成した。プレベーク後の樹脂層について、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角は４４°だった。次いで、樹脂層を備えたこの基板に対して、超高圧水銀ランプで露光（５０００ｍJ／ｃｍ2、i線基準）を行った後、７０℃で５分間加熱した。加熱後の樹脂層について、光照射と加熱が施された部分はジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角が１０°以下に低下した。
上記露光の際には、石英製のフォトマスク（ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍ）を樹脂層に被せて露光（５０００ｍJ／ｃｍ2、i線基準）し、さらに基板ごと７０℃で５分間加熱することで、ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍの親撥液パターニングを行った。そして、樹脂層を備えたこの基板に対して、コニカミノルタＩＪ製インクジェットヘッド（ピエゾ素子駆動型、ＫＭ５１２Ｍ）を用いて、評価用インクジェットインクを１４ｐｌ吐出した。実施例１と同様に、親撥液パターニング（ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍ）の親液部分ではインクがぬれ広がり、さらに撥液部分ではインクを弾くことで約３０μｍの赤いラインを形成した。
＜実施例９＞
ＥＨＰＥ−３１５０（（Ａ）成分、ダイセル化学製固形エポキシ樹脂）１０ｇ、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ１０（（Ｂ）成分、２０質量％溶液）０．２５ｇ、ＣＰＩ−１００Ｐ（（Ｃ）成分、サンアプロ製光酸発生剤、５０質量％溶液）０．４ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（（Ｄ）成分、ダイセル化学製）３０ｇを混合した。次いで、２μｍのポリプロピレン製メンブレンフィルターを用いてろ過することで、インクジェット用下地処理剤９を調整した。
ＥＨＰＥ−３１５０（（Ａ）成分、ダイセル化学製固形エポキシ樹脂）１０ｇ、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ１０（（Ｂ）成分、２０質量％溶液）０．２５ｇ、ＣＰＩ−１００Ｐ（（Ｃ）成分、サンアプロ製光酸発生剤、５０質量％溶液）０．４ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（（Ｄ）成分、ダイセル化学製）３０ｇを混合した。次いで、２μｍのポリプロピレン製メンブレンフィルターを用いてろ過することで、インクジェット用下地処理剤９を調整した。
得られた下地処理剤９を、スピンコーターを用いて１２５ｍｍ×１２５ｍｍのガラス基板の上にプレベーク後の膜厚が２μｍとなるように塗工し、ホットプレートを用いて７０℃で３分間プレベークを行った。プレベーク後のジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する基板上の接触角は４８°だった。この基板に対して、超高圧水銀ランプで露光（５０００ｍJ／ｃｍ2、i線基準）を行った後、７０℃で５分間加熱すると、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する基板上の接触角は１２°に低下した。
露光の際、石英製のフォトマスク（ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍ）を被せて露光（５０００ｍJ／ｃｍ2、i線基準）し、さらにこの基板を７０℃で５分間加熱することでライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍの親撥液パターニングを行った。この基板に対してコニカミノルタＩＪ製インクジェットヘッド（ピエゾ素子駆動型、ＫＭ５１２Ｍ）を用いて、評価用インクジェットインクを１４ｐｌ吐出した。実施例１と同様に、親撥液パターニング（ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍ）の親液部分ではインクがぬれ広がり、さらに撥液部分ではインクを弾くことで約３０μｍの赤いラインを形成した。
＜実施例１０＞
ＥＨＰＥ−３１５０（（Ａ）成分、ダイセル化学製固形エポキシ樹脂）１０ｇ、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ１１（（Ｂ）成分、２０質量％溶液）０．２５ｇ、ＣＰＩ−１００Ｐ（（Ｃ）成分、サンアプロ製光酸発生剤、５０質量％溶液）０．４ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（（Ｄ）成分、ダイセル化学製）３０ｇを混合した。次いで、２μｍのポリプロピレン製メンブレンフィルターを用いてろ過することで、インクジェット用下地処理剤１０を調整した。
ＥＨＰＥ−３１５０（（Ａ）成分、ダイセル化学製固形エポキシ樹脂）１０ｇ、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ１１（（Ｂ）成分、２０質量％溶液）０．２５ｇ、ＣＰＩ−１００Ｐ（（Ｃ）成分、サンアプロ製光酸発生剤、５０質量％溶液）０．４ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（（Ｄ）成分、ダイセル化学製）３０ｇを混合した。次いで、２μｍのポリプロピレン製メンブレンフィルターを用いてろ過することで、インクジェット用下地処理剤１０を調整した。
得られた下地処理剤１０を、スピンコーターを用いて１２５ｍｍ×１２５ｍｍのガラス基板の上にプレベーク後の膜厚が２μｍとなるように塗工し、ホットプレートを用いて７０℃で３分間プレベークを行った。プレベーク後のジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する基板上の接触角は４８°だった。この基板に対して、超高圧水銀ランプで露光（５０００ｍJ／ｃｍ2、i線基準）を行った後、７０℃で５分間加熱すると、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する基板上の接触角は１１°に低下した。
露光の際、石英製のフォトマスク（ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍ）を被せて露光（５０００ｍJ／ｃｍ2、i線基準）し、さらにこの基板を７０℃で５分間加熱することでライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍの親撥液パターニングを行った。この基板に対してコニカミノルタＩＪ製インクジェットヘッド（ピエゾ素子駆動型、ＫＭ５１２Ｍ）を用いて、評価用インクジェットインクを１４ｐｌ吐出した。実施例１と同様に、親撥液パターニング（ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍ）の親液部分ではインクがぬれ広がり、さらに撥液部分ではインクを弾くことで約３０μｍの赤いラインを形成した。
＜実施例１１＞
合成例１２で合成した可溶性ポリイミドＡ−ＰＩ（（Ａ）成分、３５質量％溶液）２８．５７ｇ、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ１（（Ｂ）成分、２０質量％溶液）０．５ｇ、ＣＰＩ−１００Ｐ（（Ｃ）成分、サンアプロ製光酸発生剤、５０質量％溶液）０．４ｇ、Ｎ−メチルピロリドン（（Ｄ）成分）１１．４３ｇを混合した。次いで、２μｍのポリプロピレン製メンブレンフィルターを用いてろ過することで、インクジェット用下地処理剤１１を調整した。
合成例１２で合成した可溶性ポリイミドＡ−ＰＩ（（Ａ）成分、３５質量％溶液）２８．５７ｇ、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ１（（Ｂ）成分、２０質量％溶液）０．５ｇ、ＣＰＩ−１００Ｐ（（Ｃ）成分、サンアプロ製光酸発生剤、５０質量％溶液）０．４ｇ、Ｎ−メチルピロリドン（（Ｄ）成分）１１．４３ｇを混合した。次いで、２μｍのポリプロピレン製メンブレンフィルターを用いてろ過することで、インクジェット用下地処理剤１１を調整した。
得られた下地処理剤１１を、スピンコーターを用いて１２５ｍｍ×１２５ｍｍのガラス基板の上にプレベーク後の膜厚が２μｍとなるように塗工し、ホットプレートを用いて７０℃で３分間プレベークを行った。プレベーク後のジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する基板上の接触角は４４°だった。この基板に対して、超高圧水銀ランプで露光（５０００ｍJ／ｃｍ2、i線基準）を行った後、７０℃で５分間加熱すると、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する基板上の接触角は１２°に低下した。
露光の際、石英製のフォトマスク（ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍ）を被せて露光（５０００ｍJ／ｃｍ2、i線基準）し、さらにこの基板を７０℃で５分間加熱することでライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍの親撥液パターニングを行った。この基板に対してコニカミノルタＩＪ製インクジェットヘッド（ピエゾ素子駆動型、ＫＭ５１２Ｍ）を用いて、評価用インクジェットインクを１４ｐｌ吐出した。実施例１と同様に、親撥液パターニング（ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍ）の親液部分ではインクがぬれ広がり、さらに撥液部分ではインクを弾くことで約３０μｍの赤いラインを形成した。
＜実施例１２＞
Ｖ−２５９ＭＥ（（Ａ）成分、新日鉄住金化学製 ラジカル反応性固形樹脂の５６質量％溶液）１２．５ｇ、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ２（（Ｂ）成分、２０質量％溶液）０．５ｇ、ＣＰＩ−１００Ｐ（（Ｃ）成分、サンアプロ製光酸発生剤、５０質量％溶液）０．４ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（（Ｄ）成分、ダイセル化学製）２４．５ｇ、ライトアクリレートＢＰ−４ＥＡ（その他の成分、共栄社化学製）３ｇ、ＩｒｇａｃｕｒｅＯＸＥ０１（その他の成分、ＢＡＳＦジャパン製）０．２ｇ、を混合した。次いで、２μｍのポリプロピレン製メンブレンフィルターを用いてろ過することで、インクジェット用下地処理剤１２を調整した。
Ｖ−２５９ＭＥ（（Ａ）成分、新日鉄住金化学製 ラジカル反応性固形樹脂の５６質量％溶液）１２．５ｇ、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ２（（Ｂ）成分、２０質量％溶液）０．５ｇ、ＣＰＩ−１００Ｐ（（Ｃ）成分、サンアプロ製光酸発生剤、５０質量％溶液）０．４ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（（Ｄ）成分、ダイセル化学製）２４．５ｇ、ライトアクリレートＢＰ−４ＥＡ（その他の成分、共栄社化学製）３ｇ、ＩｒｇａｃｕｒｅＯＸＥ０１（その他の成分、ＢＡＳＦジャパン製）０．２ｇ、を混合した。次いで、２μｍのポリプロピレン製メンブレンフィルターを用いてろ過することで、インクジェット用下地処理剤１２を調整した。
得られた下地処理剤１２を、スピンコーターを用いて１２５ｍｍ×１２５ｍｍのガラス基板の上にプレベーク後の膜厚が２μｍとなるように塗工し、ホットプレートを用いて７０℃で３分間プレベークを行った。プレベーク後のジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する基板上の接触角は４８°だった。この基板に対して、超高圧水銀ランプで露光（５０００ｍJ／ｃｍ2、i線基準）を行った後、７０℃で５分間加熱すると、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する基板上の接触角は１１°に低下した。
露光の際、石英製のフォトマスク（ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍ）を被せて露光（５０００ｍJ／ｃｍ2、i線基準）し、さらにこの基板を７０℃で５分間加熱することでライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍの親撥液パターニングを行った。この基板に対してコニカミノルタＩＪ製インクジェットヘッド（ピエゾ素子駆動型、ＫＭ５１２Ｍ）を用いて、評価用インクジェットインクを１４ｐｌ吐出した。実施例１と同様に、親撥液パターニング（ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍ）の親液部分ではインクがぬれ広がり、さらに撥液部分ではインクを弾くことで約３０μｍの赤いラインを形成した。
＜比較例１＞
ＥＨＰＥ−３１５０（（Ａ）成分、ダイセル化学製固形エポキシ樹脂）１０ｇ、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ９（（Ｂ）成分、２０質量％溶液）０．２５ｇ、ＣＰＩ−１００Ｐ（（Ｃ）成分、サンアプロ製光酸発生剤、５０質量％溶液）０．４ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（（Ｄ）成分、ダイセル化学製）３０ｇを混合した。次いで、２μｍのポリプロピレン製メンブレンフィルターを用いてろ過することで、インクジェット用下地処理剤９を調整した。
ＥＨＰＥ−３１５０（（Ａ）成分、ダイセル化学製固形エポキシ樹脂）１０ｇ、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ９（（Ｂ）成分、２０質量％溶液）０．２５ｇ、ＣＰＩ−１００Ｐ（（Ｃ）成分、サンアプロ製光酸発生剤、５０質量％溶液）０．４ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（（Ｄ）成分、ダイセル化学製）３０ｇを混合した。次いで、２μｍのポリプロピレン製メンブレンフィルターを用いてろ過することで、インクジェット用下地処理剤９を調整した。
得られた下地処理剤９を、スピンコーターを用いて１２５ｍｍ×１２５ｍｍのガラス基板の上にプレベーク後の膜厚が２μｍとなるように塗工し、ホットプレートを用いて７０℃で３分間プレベークを行い、ガラス基板上に樹脂層を形成した。プレベーク後の樹脂層について、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角は４９°だった。次いで、樹脂層を備えたこの基板に対して、超高圧水銀ランプで露光（５０００ｍJ／ｃｍ2、i線基準）を行った後、７０℃で５分間加熱した。加熱後の樹脂層について、光照射と加熱が施された部分はジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角は４６°とほとんど低下しなかった。
上記露光の際には、石英製のフォトマスク（ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍ）を樹脂層に被せて露光（５０００ｍJ／ｃｍ2、i線基準）し、さらに基板ごと７０℃で５分間加熱することで、ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍの親撥液パターニングを行った。そして、樹脂層を備えたこの基板に対して、コニカミノルタＩＪ製インクジェットヘッド（ピエゾ素子駆動型、ＫＭ５１２Ｍ）を用いて、評価用インクジェットインクを１４ｐｌ吐出した。実施例の場合とは異なり、親撥液パターニングの親液部分と撥液部分との区別なく、インクは円状にぬれ広がるのみだった。
＜比較例２＞
ＹＸ−４０００ＨＫ（（Ａ）成分、三菱化学製固形エポキシ樹脂）１０ｇ、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ９（（Ｂ）成分、２０質量％溶液）０．２５ｇ、ＧＳＩＤ２６−１（（Ｃ）成分、ＢＡＳＦ製光酸発生剤）０．２ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（（Ｄ）成分、ダイセル化学製）３０ｇを混合した。次いで、２μｍのポリプロピレン製メンブレンフィルターを用いてろ過することで、インクジェット用下地処理剤１０を調整した。
ＹＸ−４０００ＨＫ（（Ａ）成分、三菱化学製固形エポキシ樹脂）１０ｇ、含フッ素オリゴマー溶液Ｂ９（（Ｂ）成分、２０質量％溶液）０．２５ｇ、ＧＳＩＤ２６−１（（Ｃ）成分、ＢＡＳＦ製光酸発生剤）０．２ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（（Ｄ）成分、ダイセル化学製）３０ｇを混合した。次いで、２μｍのポリプロピレン製メンブレンフィルターを用いてろ過することで、インクジェット用下地処理剤１０を調整した。
得られた下地処理剤１０を、スピンコーターを用いて１２５ｍｍ×１２５ｍｍのガラス基板の上にプレベーク後の膜厚が２μｍとなるように塗工し、ホットプレートを用いて７０℃で３分間プレベークを行い、ガラス基板上に樹脂層を形成した。プレベーク後の樹脂層について、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角は４９°だった。次いで、樹脂層を備えたこの基板に対して、超高圧水銀ランプで露光（５０００ｍJ／ｃｍ2、i線基準）を行った後、７０℃で５分間加熱した。加熱後の樹脂層について、光照射と加熱が施された部分はジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角は４４°とほとんど低下しなかった。
上記露光の際には、石英製のフォトマスク（ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍ）を樹脂層に被せて露光（５０００ｍJ／ｃｍ2、i線基準）し、さらに基板ごと７０℃で５分間加熱することで、ライン／スペース＝３０μｍ／３０μｍの親撥液パターニングを行った。そして、樹脂層を備えたこの基板に対して、コニカミノルタＩＪ製インクジェットヘッド（ピエゾ素子駆動型、ＫＭ５１２Ｍ）を用いて、評価用インクジェットインクを１４ｐｌ吐出した。実施例の場合とは異なり、親撥液パターニングの親液部分と撥液部分との区別なく、インクは円状にぬれ広がるのみだった。
Claims (5)
- 予めインクジェット印刷に使用する基材に表面処理を施すインクジェット下地用処理剤において、
該下地処理剤は少なくともバインダー樹脂（Ａ）、含フッ素オリゴマー（Ｂ）、光酸発生剤（Ｃ）、及び溶剤（Ｄ）を含有し、
該下地処理剤によって形成された樹脂層は、パターンマスクを介した光照射又はパターンマスクを介した光照射と加熱により、親液部分と撥液部分とを備えた親撥液パターニングの形成が可能であって、
該樹脂層の光照射又は光照射と加熱を施す前のジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角は４０°以上であり、また、光照射又は光照射と加熱を施した部分のジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートに対する接触角は１５°以下であり、
含フッ素オリゴマー（Ｂ）として、下記一般式（１）の含フッ素モノマーを必須成分として重合される共重合体を含むことを特徴とするインクジェット下地用処理剤。
- バインダー樹脂（Ａ）がエポキシ樹脂（Ａ１）であることを特徴とする請求項１に記載のインクジェット下地用処理剤。
- 下地処理剤中のエポキシ樹脂（Ａ１）、含フッ素オリゴマー（Ｂ）、及び光酸発生剤（Ｃ）の質量比率が、（Ａ）／（Ｂ）／（Ｃ）＝１００／２〜０．１／１０〜０．５の範囲であることを特徴とする請求項２に記載のインクジェット下地用処理剤。
- エポキシ樹脂（Ａ１）の内、少なくとも５０質量％は常温（２３℃）で固体であることを特徴とする請求項２又は３に記載のインクジェット下地用処理剤。
- 光酸発生剤（Ｃ）が、ジアゾニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、ＣＦ3ＳＯ3の塩、ｐ-ＣＨ3ＰｈＳＯ3の塩、ｐ−ＮＯ2ＰｈＳＯ3の塩（ただし、Ｐｈはフェニル基を示す）、有機ハロゲン化合物、オルトキノン−ジアジドスルホニルクロリド、及びスルホン酸エステルからなる群から選択された少なくとも一種であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のインクジェット下地用処理剤。
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