JP2014123077A - 反射防止体及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】互いにトレードオフとされてきた反射防止体の光学性能と強度の改善を同時に解決する。
【解決手段】反射防止体（１０）は、基材（１１）と、基材（１１）の主面上に設けられ、第１の平均ピッチ（ＰＳ）を有する第１の凹凸構造（Ｓ）と、第１の平均ピッチ（ＰＳ）よりも大きい第２の平均ピッチ（ＰＬ）を有する第２の凹凸構造（Ｌ）と、を具備し、第１の凹凸構造（Ｓ）の平均凸部頂部位置と第２の凹凸構造（Ｌ）の平均凸部頂部位置と、の最短距離が、０ｎｍ超１００μｍ以下であり、第２の凹凸構造（Ｌ）の平均凸部頂部位置は、第１の凹凸構造（Ｓ）の平均凸部頂部位置よりも、基材（１１）の面外方向に位置する。
【選択図】図３
【解決手段】反射防止体（１０）は、基材（１１）と、基材（１１）の主面上に設けられ、第１の平均ピッチ（ＰＳ）を有する第１の凹凸構造（Ｓ）と、第１の平均ピッチ（ＰＳ）よりも大きい第２の平均ピッチ（ＰＬ）を有する第２の凹凸構造（Ｌ）と、を具備し、第１の凹凸構造（Ｓ）の平均凸部頂部位置と第２の凹凸構造（Ｌ）の平均凸部頂部位置と、の最短距離が、０ｎｍ超１００μｍ以下であり、第２の凹凸構造（Ｌ）の平均凸部頂部位置は、第１の凹凸構造（Ｓ）の平均凸部頂部位置よりも、基材（１１）の面外方向に位置する。
【選択図】図３
Description
本発明は、反射防止体及びその製造方法に関する。
ナノスケールの凹凸構造により低反射率を実現できることが知られている（例えば、非特許文献１又は、特許文献１）。このようなナノスケールの凹凸構造を具備する微細構造体は、低反射率を有することから注目を集めており、ＬＣＤやレンズなどの光学用途に広く適用が見込まれている。
微細構造体においては、光学的な有効場質近似作用を原理とし入射光の反射率を低減しているため、微細構造の形状としては、その断面形状において光の入射方向に対して垂直な平面（平滑面）を有しないことが重要である。光の入射方向に対して垂直な平面を有すると、有効媒質的屈折率の変化が急峻となるためである。そのため、微細構造体においては、表面に付与する微細構造の充填率を高めて、垂直な平面を極小化して有効媒質的屈折率がなだらかに変化するような構造とすることが重要となる。
「光技術コンタクト」４３（１１），６３０（２００５）
ところで、ナノスケールの凹凸構造による反射防止機能を有す反射防止体を使用する際に、反射防止の機能を最大限に発現させるには、対象となる光を凹凸構造面側より入光させる必要がある。しかしながら、構造により反射防止機能を発現させるためには、光が凹凸構造を略認識しない有効媒質近似作用を機能させる必要がある。このような有効媒質近似作用を発現する凹凸構造は、微細な凹凸構造であり、デバイスへの実装や使用に際し破損することが問題となっている。例えば、表面に付着した埃や指紋などの汚れを拭き取った場合や、デバイスに実装する際に凹凸構造に触れた場合に、微細構造が破壊され、表面が白く濁り、低反射率を維持できなくなる。特に、有効媒質近似作用を良好に発現させるほど、凹凸構造は微細になるため、その強度が低下する、という課題があった。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、互いにトレードオフとされてきた反射防止体の光学性能と強度の改善を同時に解決可能な反射防止体及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、反射防止体の凹凸構造が、平均ピッチの異なる二つの種類の凹凸構造より構成される、より具体的には、一方の凹凸構造の表面の少なくとも一部に、前記一方の凹凸構造の平均ピッチよりも大きな平均ピッチを有する他方の凹凸構造を設けることで、互いにトレードオフとされてきた反射防止性能と強度を同時に解決できることを見出し、この知見に基づいて本発明をなすに至った。すなわち、本発明は、以下の通りである。
本発明の反射防止体は、基材と、前記基材の主面上に設けられ、第１の平均ピッチ（ＰＳ）を有する第１の凹凸構造（Ｓ）と、前記第１の平均ピッチよりも大きい第２の平均ピッチ（ＰＬ）を有する第２の凹凸構造（Ｌ）と、を具備し、前記第１の凹凸構造（Ｓ）の平均凸部頂部位置と前記第２の凹凸構造（Ｌ）の平均凸部頂部位置との最短距離が、０ｎｍ超１００μｍ以下であり、前記第２の凹凸構造（Ｌ）の平均凸部頂部位置は、前記第１の凹凸構造（Ｓ）の平均凸部頂部位置よりも、前記基材の面外方向に位置することを特徴とする。
この構成により、反射防止体の、第１の凹凸構造（Ｓ）及び第２の凹凸構造（Ｌ）で構成される凹凸構造面による機能を分離し発現させることができる。即ち、第１の平均ピッチ（ＰＳ）を有する第１の凹凸構造（Ｓ）により反射防止性能を改善し、平均ピッチ（ＰＬ）を有する第２の凹凸構造（Ｌ）により強度を向上させることができる。更に、第２の凹凸構造（Ｌ）の平均凸部頂部位置は、第１の凹凸構造（Ｓ）の平均凸部頂部位置よりも基材の面外方向に位置すると共に、第１の凹凸構造（Ｓ）の平均凸部頂部位置と第２の凹凸構造（Ｌ）の平均凸部頂部位置との最短距離が所定の範囲を満たすため、反射防止性能を維持し、強度を向上させることが可能となる。
本発明の反射防止体においては、前記第１の凹凸構造（Ｓ）は、互いに離間した複数の凸部から構成されると共に、前記凸部の径は、前記凸部の底部から前記凸部の頂点に向かうに従い小さくなることが好ましい。
この構成によれば、凹凸構造面側より光を入光させた際に、光から見た第１の凹凸構造（Ｓ）の屈折率は、有効媒質近似作用によりなだらかな変化をする。このため、反射率を効果的に減少させることが可能となる。
また、本発明の反射防止体においては、前記第１の平均ピッチ（ＰＳ）は、５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下であることが好ましい。
この構成によれば、反射防止体の性能を発揮可能な波長帯域が広がる。即ち、用途よらず反射防止性能を発現することが可能となる。
また、本発明の反射防止体においては、第１の凹凸構造（Ｓ）を構成する物質の屈折率ｎＳと前記第２の凹凸構造（Ｌ）を構成する物質の屈折率ｎＬと、は０≦｜ｎＬ−ｎＳ｜≦０．２を満たすことが好ましい。
この構成によれば、第１の凹凸構造（Ｓ）と第２の凹凸構造（Ｌ）との界面における光の反射を抑制できるため、反射防止性能を向上させることができる。
また、本発明の反射防止体は、フィルム状であることが好ましい。
この構成によれば、反射防止体が屈曲性を有すため、反射防止体のクラックといった破損を抑制することができる。更に、フィルム状であるため、デバイスへの実装適用箇所を広げることができる。また、製造する際の凹凸構造の制御性が向上する。
本発明の反射防止ロールは、上記記載の反射防止体を巻き取り製造されることを特徴とする。
この構成によれば、反射防止体の使用に好適な場所にて反射防止体を使用することが可能となる。
本発明の円筒状マスターは、上記記載の反射防止体を転写法により製造するための円筒状マスターであって、前記円筒状マスターはその表面に前記微細パタンは前記第１の凹凸構造（Ｓ）及び前記第２の凹凸構造（Ｌ）の反転形状である微細パタンを具備することを特徴とする。
この構成によれば、円筒状マスターより反射防止体を剥離する際に、反射防止体の第１の凹凸構造（Ｓ）に加わる外力を弱めると共に、第１の凹凸構造（Ｓ）に加わる応力を分散化することができるため、反射防止体の製造時に生じる凹凸構造の破壊を抑制することができる。
本発明の反射防止体の製造方法は、上記記載の反射防止体の製造方法であって、上記記載の円筒状マスターの前記微細パタンを有する表面と基材の表面とを転写材を介して貼合する工程と、前記円筒状マスターと前記基材とを分離する工程を具備することを特徴とする。
この構成によれば、反射防止性能と強度を両立可能な凹凸構造面を有する反射防止体を連続的に精度高く製造することが可能となる。
また、本発明の反射防止体の製造方法は、上記記載の反射防止体の製造方法であって、円筒状マスターの表面に設けられた前記第１の凹凸構造（Ｓ）の反転形状をした微細パタンと基材とを転写材を介して貼合する工程と、前記円筒状マスターと前記基材とを分離して前記第１の凹凸構造（Ｓ）を具備した基材を得る工程と、前記基材の前記第１の凹凸構造（Ｓ）上に前記第２の凹凸構造（Ｌ）を作製する工程とを具備することを特徴とする。
この構成によれば、第１の凹凸構造（Ｓ）を構成する材料と第２の凹凸構造（Ｌ）を構成する材料を任意に選択することが可能であるため、第１の凹凸構造（Ｓ）による反射防止性能の向上と第２の凹凸構造（Ｌ）による強度の向上とをいずれも良好に達成することができる。
本発明によれば、互いにトレードオフとされてきた反射防止体の微細凹凸構造面の反射防止性能と強度を同時に解決することができる。
まず、本発明の概要について説明する。凹凸構造による反射防止機能は、光学的な有効媒質近似作用により達成される。有効媒質近似作用は、光からみてその波長よりも十分に小さな凹凸構造がある場合、光は凹凸構造を認識せず、凹凸構造とその周囲を取り囲む媒質の体積平均的屈折率の薄膜に対する光学挙動が観察される現象である。より詳細には、凹凸構造に対し光が入光する時、凹凸構造の入光面側から出光面側へと、凹凸構造を構成する材料の屈折率と凹凸構造を取り囲む媒質の屈折率の体積平均的屈折率が徐々に変化するように、光学挙動が観察される現象である。
ところで、光の反射は、光が異なる媒質界面に到達した場合に生じる現象である。ここで、光から見た媒質は、屈折率により定義される。
すなわち、上記説明したように、屈折率が徐々に変化する場合、光からみて、屈折率の界面がなくなるため、光学的反射現象が抑制される。
このような、有効媒質近似作用を発現可能な凹凸構造は、光の波長からみて十分に小さな凹凸構造である。ここで、凹凸構造が微小になるほど、凹凸構造の物理強度は低下する。即ち、凹凸構造の強度を重視した場合、有効媒質近似作用は機能しづらくなり、反射率が増加する。一方、反射性能を重視した場合、凹凸構造はより微小な構造になるため、物理強度が低下する。
そこで、互いにトレードオフの関係にある反射防止性能と強度の原理の違いに着目した。
反射防止を凹凸構造により発現させる場合、上記説明したように有効媒質近似作用を効果的に発現させる必要がある。有効媒質近似作用を発現させ、反射率を大きく低下させるためには、有効媒質近似的屈折率の変化をよりなだらかにする必要がある。
一方で、凹凸構造の物理強度を向上させるためには、凹凸構造の外力に対する耐性を向上させる必要がある。外力に対する耐性は、物理的破壊強度の絶対値と、応力集中を緩和する応力分散により決定することができる。
以上から、反射防止体の反射防止性能と強度を同時に改善するためには、反射防止性能を改善できる一方の凹凸構造と物理強度を改善できる他方の凹凸構造をそれぞれ設けること、及び、互いの凹凸構造がそれぞれの機能に支障をきたさないような配置が重要であることを発見し、本発明を完成させるに至った。
本発明においては、反射防止性能を改善する一方の凹凸構造と物理強度を改善する他方の凹凸構造とは、凹凸構造の平均ピッチ（ｐａｖ）の違いにより決定した。即ち、本発明の反射防止体の凹凸構造は、第１の平均ピッチ（ＰＳ）を有する凹凸構造（Ｓ）と、第２の平均ピッチ（ＰＬ）を有する第２の凹凸構造（Ｌ）を具備し、第１の平均ピッチ（ＰＳ）は第２の平均ピッチ（ＰＬ）よりも小さいことを特徴とする。ここで、第１の平均ピッチ（ＰＳ）を有する第１の凹凸構造（Ｓ）により反射防止性能が、第２の平均ピッチ（ＰＬ）を有する凹凸構造（Ｌ）により物理強度が発現される。更に、それぞれの凹凸構造の機能を相乗させ互いに補完させるために、換言すれば反射防止性能を改善する第１の凹凸構造（Ｓ）により物理強度が低下することなく、物理強度を向上する第２の凹凸構造（Ｌ）により反射防止性能が低下することのないために、第１の凹凸構造（Ｓ）の凸部頂部平均位置よりも第２の凹凸構造（Ｌの）凸部頂部平均位置が、反射防止体を構成する基材の面外方向に位置するように第１の凹凸構造（Ｓ）及び第２の凹凸構造（Ｌ）と、が配置されることを特徴とする。
また、本発明には、上記の本発明の反射防止体が巻き取られたことを特徴とする反射防止ロールが包含される。
また、本発明には、上記の本発明の反射防止体を製造するために使用されることを特徴とする円筒状マスターが包含される。
また、本発明には、上記の本発明の反射防止体及び反射防止ロールの製造方法が包含される。
次に、本発明の一実施の形態（以下、「実施の形態」と略記する。）について、詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。
以下、図面を参照し反射防止体について説明する。図１は、本実施の形態に係る反射防止体を示す断面模式図である。図１Ａは、反射防止体１０を構成する基材１１と凹凸構造面２０と、が同一の物質である場合を、図１Ｂは、基材１１と凹凸構造面２０と、が異なる物質の場合をそれぞれ示している。即ち、反射防止体１０は、基材１１を直接加工して表面に凹凸構造面２０を作製することで製造されても、基材１１上に別途凹凸構造面２０を有する層１２を設けることで製造されてもよい。図１Ａ及び図１Ｂでは、凹凸構造面２０が凸部の単純な繰り返しとして図示されているが、凹凸構造面２０は、平均ピッチＰＳを有する第１の凹凸構造Ｓ及び平均ピッチＰＳよりも大きな平均ピッチＰＬを有する第２の凹凸構造Ｌにより構成される。そして、凹凸構造Ｓ及び凹凸構造Ｌが、凹凸構造Ｓの凸部頂部平均位置よりも、凹凸構造Ｌの凸部頂部平均位置が、基材１１の面外方向に位置するように配置されている。
図２は、本実施の形態に係る反射防止体を示す断面模式図である。図２では、基材１１の両面に凹凸構造面２０が設けられている場合を示している。基材１１の両面に設けられる凹凸構造面２０は、図１Ａ及び図１Ｂを参照して説明したように、基材１１との物質が同一であっても異なっていてもよい。また、基材１１の両面に凹凸構造面２０が設けられる場合、少なくとも一方の凹凸構造面２０が、凹凸構造Ｓ及び凹凸構造Ｌより構成されれば良い。そして、凹凸構造Ｓ及び凹凸構造Ｌが、凹凸構造Ｓの凸部頂部平均位置よりも、凹凸構造Ｌの凸部頂部平均位置が、基材１１の面外方向に位置するように配置されればよい。
図３は、本実施の形態に係る反射防止体を示す断面模式図である。図３に示すように、反射防止体１０の表面に平均ピッチＰＳを有する凹凸構造Ｓが設けられ、凹凸構造Ｓの表面の少なくとも一部に平均ピッチＰＬの凹凸構造Ｌが設けられている。
より詳細に説明すると、基材１１の主面に、複数の凸部１及び凹部２で構成された凹凸構造Ｓが形成され、さらに凹凸構造Ｓの表面が一部露出するように互いに離間して複数の凸部３が形成され、凹凸構造Ｌを構成している。
このような構成をとることにより、露出する凹凸構造Ｓにより反射防止性能を向上させることが可能となり、凹凸構造Ｌによる強度を向上させることができる。
本実施の形態に係る反射防止体はフィルム状であると好ましい。ここでフィルム状とは、反射防止体が屈曲性を有す状態であり、特に、以下に説明する反射防止ロールの形態をとれる状態である。例えば、基材としてＰＥＴフィルム、ＴＡＣフィルム、ＰＥＮフィルムに代表されるプラスチックフィルムを選定し、凹凸構造面が樹脂より構成される場合、反射防止体は屈曲性を有す。このようなフィルム状の反射防止体とすることにより、デバイスに対して実装する際のハンドリング性が向上すると共に、適用可能なデバイスへの実装箇所を増加させることができる。
次に、本実施の形態に係る反射防止ロールについて説明する。図４Ａは、本実施の形態に係る反射防止ロールを示す説明図であり、図４Ｂは、図４Ａに示す反射防止ロールの側面の一部を拡大した拡大概略図である。図４Ａに示す反射防止ロール３０は、フィルム状の反射防止体１０をロール芯部３１の周面上に巻き取ったものである。本実施の形態に係る反射防止体１０においては、凹凸構造Ｌにより強度を向上させることができるため、巻き取った場合であっても凹凸構造面２０の破壊を抑制することができる。このような巻き取ったロールの形態にすることにより、使用に好適な場所において反射防止体１０を使用することが可能となる。なお、図４Ｂに示すように、凹凸構造面２０は、一つ内側に巻き回された反射防止体１０の基材１１と接しているが、凹凸構造面２０上にカバーフィルムを合わせ、その状態で巻き取ってもよい。この場合、カバーフィルムによる凹凸構造Ｓの汚染を、凹凸構造Ｌにより抑制することができる。
本実施の形態に係る反射防止体１０を使用することで、反射防止性能と強度とが同時に向上する。その理由は以下の通りである。
既に説明したように、反射防止性能は主に凹凸構造Ｓにより発現される。凹凸構造Ｓの平均ピッチＰＳは、凹凸構造Ｌの平均ピッチＰＬに比べて小さい。このため、凹凸構造Ｓは微小な凹凸構造となる。このため、有効媒質近似作用を効果的に発現することが可能となり、反射率が低下する。
しかしながら、有効媒質近似作用を有効に機能させ、有効媒質近似的屈折率をなだらかに変化させる場合、凹凸構造Ｓ単体のみでは、物理強度が低下し、凹凸構造Ｓの破壊が生じる。凹凸構造Ｓが破壊された場合、反射率は大きく増加する。これは、凹凸構造Ｓが複数の凸部より構成された場合、凸部が１つ欠落した場合であっても生じる現象である。例えば、正六方配列した複数の凸部のある場合、隣接する凸部の距離は全て一定となる。ここで、１つの凸部が欠落した場合、凸部の隣接距離が２倍になる部位が発生する。このような部位は、光の波長からみた有効媒質近似的作用が生じにくいため、反射率が増加する。反射率の増加程度は、破壊される凹凸構造Ｓの割合に応じ増加する。
ここで、平均ピッチＰＳの凹凸構造Ｓの凸部頂部平均位置よりも、平均ピッチＰＳよりも大きな平均ピッチＰＬの凹凸構造Ｌの凸部頂部平均位置が、反射防止体１０の基材１１の面外方向に位置するように凹凸構造Ｓ及び凹凸構造Ｌを配置することで、凹凸構造Ｌにより凹凸構造Ｓに対する応力の集中を抑制することができるため、物理強度が向上する。更に、凹凸構造Ｌの平均凸部頂部位置と凹凸構造Ｓの平均凸部頂部位置と、が所定の範囲を満たすことから、凹凸構造Ｌを設けることによる反射防止性能の劣化は抑制されると考えられる。即ち、凹凸構造Ｓにより反射防止性能を向上させ、且つ反射防止性能を維持した状態にて凹凸構造Ｌにより強度を改善できると考えられる。
次に、本実施の形態に係る反射防止体１０の凹凸構造面２０について説明する。
凹凸構造面２０は、平均ピッチ（ｐａｖ）の異なる２つの凹凸構造により構成される。ここで２つの凹凸構造をそれぞれ、凹凸構造Ｓ、凹凸構造Ｌと呼ぶ。凹凸構造Ｓの平均ピッチはＰＳであり、凹凸構造Ｌの平均ピッチはＰＬである。平均ピッチＰＬは平均ピッチＰＳよりも大きい。
なお、凹凸構造Ｌと凹凸構造Ｓと、は光学的に連続していても、光学的界面を有してもよい。これは、光学的界面、即ち屈折率の差が凹凸構造Ｌと凹凸構造Ｓと、の間に設けられる場合であっても、該界面には凹凸構造Ｓが配置されるため、有効媒質近似作用が機能し、該界面における反射を抑制できるためである。換言すれば、凹凸構造Ｓを構成する物質の屈折率ｎＳと凹凸構造Ｌを構成する物質の屈折率ｎＬと、は異なっていても同一であってもよい。特に、｜ｎＬ−ｎＳ｜≦０．２を満たすことで、上記説明した凹凸構造Ｌと凹凸構造Ｓと、の界面における反射を効果的に抑制できるため好ましい。
凹凸構造面２０は、凸部及び凹部を有していれば、その形状や配列は限定されず、上記説明したように凹凸構造Ｌと凹凸構造Ｓとの位置関係及び凹凸構造Ｌの平均ピッチＰＬが凹凸構造Ｓの平均ピッチＰＳよりも大きければ、反射防止性能を維持した状態で強度を強くすることができる。このため、例えば、複数の柵状体が配列したラインアンドスペース構造、複数の柵状体が交差した格子構造、複数のドット（凸部、突起）状構造が配列したドット構造、及び、複数のホール（凹部）状構造が配列したホール構造などを採用できる。ドット構造やホール構造は、例えば、円錐、円柱、四角錐、四角柱、六角錐、六角柱、多角錐、多角柱、二重リング状、多重リング状などの構造が挙げられる。なお、これらの形状は底面の外径が歪んだ形状や、側面が湾曲した形状を含む。
いずれの形状を採用した場合であっても、凹凸構造Ｓにおいては、反射防止性能を向上させる観点から、凸部の径は、凸部の底部から頂部へと向かうに従い小さくなることが好ましい。これは、有効媒質近似的屈折率の変化をなだらかにするためである。更に、凸部頂部と凸部側面部と、は連続的になめらかにつながっていることが好ましい。中でも、凸部頂部の幅が０に漸近する形状であると、凹凸構造Ｓの凸部頂部位置における有効媒質近似的屈折率の変化がなだらかになるため、好ましい。
なお、ドット構造とは、複数の凸部が互いに独立して配置された構造である。即ち、各凸部は連続した凹部により隔てられる。なお、各凸部は連続した凹部により滑らかに接続されてもよい。一方、ホール構造とは、複数の凹部が互いに独立して配置された構造である。即ち、各凹部は連続した凸部により隔てられる。なお、各凹部は連続した凸部により滑らかに接続されてもよい。中でも反射防止性能を向上させる観点から凹凸構造面２０は、ドット状構造であると好ましい。特に、反射防止性能を向上させるために、凹凸構造Ｓは、ドット状構造の中でも、凸部頂部に平坦面を有さない構造であると好ましい。更に、凹凸構造Ｓの凹部底部は平坦面を有さないことがより好ましい。また、凹凸構造Ｌにおいては、強度を向上させ、且つ反射防止性能を維持する観点から、ドット状構造であって、凸部頂部と凸部側面部と、が滑らかにつながった構造であると好ましい。
続いて、凹凸構造面２０の説明に使用する定義について説明する。なお、以下の説明において、凹凸構造面２０は、凹凸構造Ｓ及び凹凸構造Ｌにより構成されており、特に明記する場合を除き、凹凸構造Ｌ及び凹凸構造Ｓの双方を単に「凹凸構造」と呼ぶ。
＜平均ピッチ（ｐａｖ）＞
図５は、本実施の形態に係る反射防止体を凹凸構造面側から見た上面図である。図５に示すように、凹凸構造面２０が、複数の凸部１が配置されたドット構造である場合、ある凸部Ａ１の中心とこの凸部Ａ１に隣接する凸部Ｂ１−１〜凸部Ｂ１−６の中心との間の距離ｐＡ１Ｂ１−１〜距離ｐＡ１Ｂ１−６を、ピッチｐと定義する。しかし、この図５に示すように、隣接する凸部によりピッチｐが異なる場合は次の手順に従い、平均ピッチ（ｐａｖ）を決定する。（１）任意の複数の凸部Ａ１，Ａ２…ＡＮを選択する。（２）凸部ＡＭと凸部ＡＭ（１≦Ｍ≦Ｎ）に隣接する凸部（ＢＭ−１〜ＢＭ−ｋ）と、のピッチｐＡＭＢＭ−１〜ｐＡＭＢＭ−ｋを測定する。（３）凸部Ａ１〜凸部ＡＮについても、（２）と同様にピッチｐを測定する。（４）ピッチｐＡ１Ｂ１−１〜ｐＡＮＢＮ−ｋの相加平均値を平均ピッチ（ｐａｖ）として定義する。但し、Ｎは５以上１０以下、ｋは４以上６以下とする。なお、ホール構造の場合、上記ドット構造にて説明した凸部を凹部開口部と読み替えることで、平均ピッチ（ｐａｖ）を定義することができる。なお、凹凸構造Ｓに対して測定された平均ピッチ（ｐａｖ）が平均ピッチＰＳであり、凹凸構造Ｌに対して測定された平均ピッチ（ｐａｖ）が平均ピッチＰＬである。
図５は、本実施の形態に係る反射防止体を凹凸構造面側から見た上面図である。図５に示すように、凹凸構造面２０が、複数の凸部１が配置されたドット構造である場合、ある凸部Ａ１の中心とこの凸部Ａ１に隣接する凸部Ｂ１−１〜凸部Ｂ１−６の中心との間の距離ｐＡ１Ｂ１−１〜距離ｐＡ１Ｂ１−６を、ピッチｐと定義する。しかし、この図５に示すように、隣接する凸部によりピッチｐが異なる場合は次の手順に従い、平均ピッチ（ｐａｖ）を決定する。（１）任意の複数の凸部Ａ１，Ａ２…ＡＮを選択する。（２）凸部ＡＭと凸部ＡＭ（１≦Ｍ≦Ｎ）に隣接する凸部（ＢＭ−１〜ＢＭ−ｋ）と、のピッチｐＡＭＢＭ−１〜ｐＡＭＢＭ−ｋを測定する。（３）凸部Ａ１〜凸部ＡＮについても、（２）と同様にピッチｐを測定する。（４）ピッチｐＡ１Ｂ１−１〜ｐＡＮＢＮ−ｋの相加平均値を平均ピッチ（ｐａｖ）として定義する。但し、Ｎは５以上１０以下、ｋは４以上６以下とする。なお、ホール構造の場合、上記ドット構造にて説明した凸部を凹部開口部と読み替えることで、平均ピッチ（ｐａｖ）を定義することができる。なお、凹凸構造Ｓに対して測定された平均ピッチ（ｐａｖ）が平均ピッチＰＳであり、凹凸構造Ｌに対して測定された平均ピッチ（ｐａｖ）が平均ピッチＰＬである。
＜高さＨ＞
凹凸構造面２０を構成する凹凸構造の高さは、凹凸構造の凹部底部の平均位置と凹凸構造の凸部頂部の平均位置との最短距離として定義する。平均位置を算出する際のサンプル点数は１０点以上であることが好ましい。また、凹凸構造Ｌの高さは、凹凸構造Ｌに対し測定され、凹凸構造Ｓの高さは凹凸構造Ｓに対して測定されるものとする。
凹凸構造面２０を構成する凹凸構造の高さは、凹凸構造の凹部底部の平均位置と凹凸構造の凸部頂部の平均位置との最短距離として定義する。平均位置を算出する際のサンプル点数は１０点以上であることが好ましい。また、凹凸構造Ｌの高さは、凹凸構造Ｌに対し測定され、凹凸構造Ｓの高さは凹凸構造Ｓに対して測定されるものとする。
＜凸部頂部幅ｌｃｖｔ、凹部開口幅ｌｃｃｔ、凸部底部幅ｌｃｖｂ、凹部底部幅ｌｃｃ＞
図６は、本実施の形態に係る反射防止体の凹凸構造面を構成する凹凸構造がドット構造の場合の上面図である。図６中に示す破線で示す線分は、ある凸部１の中心と該凸部１に最近接する凸部１の中心との距離であり、上記説明したピッチｐを意味する。図５中に示したピッチｐに相当する線分位置における凹凸構造の断面模式図を示したのが図７Ａ及び図７Ｂである。
図６は、本実施の形態に係る反射防止体の凹凸構造面を構成する凹凸構造がドット構造の場合の上面図である。図６中に示す破線で示す線分は、ある凸部１の中心と該凸部１に最近接する凸部１の中心との距離であり、上記説明したピッチｐを意味する。図５中に示したピッチｐに相当する線分位置における凹凸構造の断面模式図を示したのが図７Ａ及び図７Ｂである。
図７Ａに示すように、凸部頂部幅ｌｃｖｔは凸部頂面の幅として定義され、凹部開口幅ｌｃｃｔは、ピッチｐと凸部頂部幅ｌｃｖｔと、の差分値（ｐ―ｌｃｖｔ）として定義される。
図７Ｂに示すように、凸部底部幅ｌｃｖｂは凸部底部の幅として定義され、凹部底部幅ｌｃｃｂは、ピッチｐと凸部底部幅ｌｃｖｂと、の差分値（ｐ―ｌｃｖｂ）として定義される。
図８は、凹凸構造面２０がホール構造の場合の上面図を示している。図８中に破線で示す線分は、ある凹部２の中心と該凹部２に最近接する凹部の中心との距離であり、上記説明したピッチｐを意味する。図８中に示したピッチｐに相当する線分位置における凹凸構造面２０の断面模式図を示したのが図９Ａ及び図９Ｂである。
図９Ａに示すように、凹部開口幅ｌｃｃｔは凹部２の開口径として定義され、凸部頂部幅ｌｃｖｔは、ピッチｐと凹部開口幅ｌｃｃｔと、の差分値（ｐ―ｌｃｃｔ）として定義される。
図９Ｂに示すように、凸部底部幅ｌｃｖｂは凸部底部の幅として定義され、凹部底部幅ｌｃｃｂは、ピッチｐと凸部底部幅ｌｃｖｂと、の差分値（ｐ―ｌｃｖｂ）として定義される。
また、凹凸構造Ｌの凸部頂部幅ｌｃｖｔ、凹部開口幅ｌｃｃｔ、凸部底部幅ｌｃｖｂ、凹部底部幅ｌｃｃｂは、凹凸構造Ｌに対し測定され、凹凸構造Ｓの凸部頂部幅ｌｃｖｔ、凹部開口幅ｌｃｃｔ、凸部底部幅ｌｃｖｂ、凹部底部幅ｌｃｃは凹凸構造Ｓに対して測定されるものとする。
＜充填率＞
凹凸構造の充填率は、凹凸構造がドット状の場合、単位面積内に含まれる凸部底部の面積の割合として定義される。例えば、凸部底部の外形が円形の場合、上記説明した凸部底部幅ｌｃｖｂを用い以下のように定義できる。
充填率（％）＝（ｌｃｖｂ／２）×（ｌｃｖｂ／２）×π×Ｎ÷Ｓ
但し、Ｓは単位面積である。また、Ｎは単位面積内に含まれる凸部の数である。
凹凸構造の充填率は、凹凸構造がドット状の場合、単位面積内に含まれる凸部底部の面積の割合として定義される。例えば、凸部底部の外形が円形の場合、上記説明した凸部底部幅ｌｃｖｂを用い以下のように定義できる。
充填率（％）＝（ｌｃｖｂ／２）×（ｌｃｖｂ／２）×π×Ｎ÷Ｓ
但し、Ｓは単位面積である。また、Ｎは単位面積内に含まれる凸部の数である。
例えば、単位面積内に完全に収まる凸部が１個、凸部底部面積の１／３の領域のみ収まる凸部が６個含まれる場合、Ｎ＝１＋（１／３）×６＝３となる。なお、滑らかな凹部を通じて凸部が隣接配置される場合、上記定義に従えば、充填率は１００％となる。
一方、凹凸構造がホール状の場合、単位面積内に含まれる凹部開口部の面積の割合として充填率が定義される。例えば、凹部開口部の外形が円形の場合、上記説明した凹部開口幅ｌｃｃｔを用いて以下のように定義できる。
充填率（％）＝（ｌｃｃｔ／２）×（ｌｃｃｔ／２）×π×Ｎ÷Ｓ
但し、Ｓは単位面積である。また、Ｎは単位面積内に含まれる凹部の数である。
充填率（％）＝（ｌｃｃｔ／２）×（ｌｃｃｔ／２）×π×Ｎ÷Ｓ
但し、Ｓは単位面積である。また、Ｎは単位面積内に含まれる凹部の数である。
例えば、単位面積内に完全に収まる凹部が１個、凹部開口部面積の１／３の領域のみ収まる凹部が６個含まれる場合、Ｎ＝１＋（１／３）×６＝３となる。なお、滑らかな凸部を通じて凹部が隣接配置される場合、上記定義に従えば、充填率は１００％となる。
＜デューティ＞
凸部底部幅ｌｃｖｂとピッチｐと、の比率（ｌｃｖｂ／ｐ）で表される。また、凹凸構造Ｌのデューティは、凹凸構造Ｌに対し測定され、凹凸構造Ｓのデューティは凹凸構造Ｓに対して測定されるものとする。
凸部底部幅ｌｃｖｂとピッチｐと、の比率（ｌｃｖｂ／ｐ）で表される。また、凹凸構造Ｌのデューティは、凹凸構造Ｌに対し測定され、凹凸構造Ｓのデューティは凹凸構造Ｓに対して測定されるものとする。
＜アスペクト比＞
凹凸構造がドット構造の場合、アスペクト比は、上記説明したｌｃｖｂを用いて、凹凸構造の高さ／ｌｃｖｂとして定義される。一方、凹凸構造がホール構造の場合、アスペクト比は、上記説明したｌｃｃｔを用いて、凹凸構造の深さ／ｌｃｃｔとして定義される。また、凹凸構造Ｌのアスペクト比は、凹凸構造Ｌに対し測定され、凹凸構造Ｓのアスペクト比は凹凸構造Ｓに対して測定されるものとする。
凹凸構造がドット構造の場合、アスペクト比は、上記説明したｌｃｖｂを用いて、凹凸構造の高さ／ｌｃｖｂとして定義される。一方、凹凸構造がホール構造の場合、アスペクト比は、上記説明したｌｃｃｔを用いて、凹凸構造の深さ／ｌｃｃｔとして定義される。また、凹凸構造Ｌのアスペクト比は、凹凸構造Ｌに対し測定され、凹凸構造Ｓのアスペクト比は凹凸構造Ｓに対して測定されるものとする。
＜凸部底部外接円径φｏｕｔ、凸部底部内接円径φｉｎ＞
図１０Ａから図１０Ｅに反射防止体１０を凹凸構造面側より観察した場合の上面像を示した。本実施の形態に係る反射防止体１０の凹凸構造の凸部は撓んだ形状であってもよい。反射防止体１０を凹凸構造面側より観察した場合の輪郭（以下、凸部底部輪郭という）を、図１０Ａから図１０Ｅに「Ａ」で示す。ここで、凸部底部輪郭Ａが真円ではない場合、凸部底部輪郭Ａに対する内接円と外接円と、は一致しない。図１０Ａから図１０Ｅにおいて、内接円を「Ｂ」で示し、外接円を「Ｃ」で示す。
図１０Ａから図１０Ｅに反射防止体１０を凹凸構造面側より観察した場合の上面像を示した。本実施の形態に係る反射防止体１０の凹凸構造の凸部は撓んだ形状であってもよい。反射防止体１０を凹凸構造面側より観察した場合の輪郭（以下、凸部底部輪郭という）を、図１０Ａから図１０Ｅに「Ａ」で示す。ここで、凸部底部輪郭Ａが真円ではない場合、凸部底部輪郭Ａに対する内接円と外接円と、は一致しない。図１０Ａから図１０Ｅにおいて、内接円を「Ｂ」で示し、外接円を「Ｃ」で示す。
凸部底部輪郭Ａに対する内接円Ｂの直径を凸部底部内接円径φｉｎと定義する。なお、φｉｎは、内接円Ｂの大きさが最大になるときの内接円Ｂの直径とする。なお、内接円Ｂは凸部底部輪郭Ａより内側に配置される円であり、凸部底部輪郭Ａの一部に接し、且つ、凸部底部輪郭Ａより外側にはみ出すことのない円である。
一方、凸部底部輪郭Ａに対する外接円Ｃの直径を凸部底部外接円径φｏｕｔと定義する。Φｏｕｔは、外接円Ｃの大きさが最小となる時の外接円Ｃの直径とする。なお、外接円Ｃは、凸部底部輪郭Ａより外側に配置される円であり、凸部底部輪郭Ａの一部に接し、且つ、凸部底部輪郭Ａより内側に侵入することのない円である。
また、凹凸構造Ｌの凸部底部外接円径φｏｕｔ、凸部底部内接円径φｉｎは、凹凸構造Ｌに対し測定され、凹凸構造Ｓの凸部底部外接円径φｏｕｔ、凸部底部内接円径φｉｎは凹凸構造Ｓに対して測定されるものとする。
なお、凹凸構造が複数の凹部から構成される場合、上記「凸部底部」という文言を「凹部開口部」と読み替えることができる。
＜凸部側面傾斜角Θ＞
凸部側面の傾斜角度Θは、上記説明した凹凸構造の形状パラメータより決定される。凹部側面傾斜角Θも同様に決定される。また、凹凸構造Ｌの凸部側面傾斜角Θは、凹凸構造Ｌに対し測定され、凹凸構造Ｓの凸部側面傾斜角Θは凹凸構造Ｓに対して測定されるものとする。
凸部側面の傾斜角度Θは、上記説明した凹凸構造の形状パラメータより決定される。凹部側面傾斜角Θも同様に決定される。また、凹凸構造Ｌの凸部側面傾斜角Θは、凹凸構造Ｌに対し測定され、凹凸構造Ｓの凸部側面傾斜角Θは凹凸構造Ｓに対して測定されるものとする。
＜凹凸構造の乱れ＞
凹凸構造面２０は以下に説明する乱れを含むことができる。乱れを含むことにより、反射防止性能を向上させることができると推定される。より具体的には、波長λがＡ以上Ｂ以下の範囲にて凹凸構造面２０により低反射率を実現した場合、波長λがＣ（＜Ａ）の光の反射率は大きくなる。ここで、有効媒質近似作用を効果的に発現させるためには、凹凸構造Ｓの配列は規則性を帯びることが好ましい。この観点からみると、波長λがＣの光は、有効媒質近似作用が弱まるため光回折を生じることとなる。例えば、上記Ａを視感度の高い５５０ｎｍに設定し、反射防止体１０を正六方配列の凹凸構造Ｓのみから設計した場合、５５０ｎｍに対する反射率は有効媒質近似作用により効果的に低下するため透明な反射防止体１０を作製することができた。しかしながら、紫外光は光回折する。このため、僅かではあるが青みを観察することができた。凹凸構造面２０に乱れを含めることにより、上記光回折を乱すことが可能となるため、回折色を弱めることが可能となる。回折色を弱める観点から、凹凸構造面２０の乱れは、凹凸構造Ｓ或いは凹凸構造Ｌの少なくとも一方に設けられると好ましい。特に、凹凸構造Ｌに対して乱れを加えることで、回折色を弱める効果がより向上するため好ましい。
凹凸構造面２０は以下に説明する乱れを含むことができる。乱れを含むことにより、反射防止性能を向上させることができると推定される。より具体的には、波長λがＡ以上Ｂ以下の範囲にて凹凸構造面２０により低反射率を実現した場合、波長λがＣ（＜Ａ）の光の反射率は大きくなる。ここで、有効媒質近似作用を効果的に発現させるためには、凹凸構造Ｓの配列は規則性を帯びることが好ましい。この観点からみると、波長λがＣの光は、有効媒質近似作用が弱まるため光回折を生じることとなる。例えば、上記Ａを視感度の高い５５０ｎｍに設定し、反射防止体１０を正六方配列の凹凸構造Ｓのみから設計した場合、５５０ｎｍに対する反射率は有効媒質近似作用により効果的に低下するため透明な反射防止体１０を作製することができた。しかしながら、紫外光は光回折する。このため、僅かではあるが青みを観察することができた。凹凸構造面２０に乱れを含めることにより、上記光回折を乱すことが可能となるため、回折色を弱めることが可能となる。回折色を弱める観点から、凹凸構造面２０の乱れは、凹凸構造Ｓ或いは凹凸構造Ｌの少なくとも一方に設けられると好ましい。特に、凹凸構造Ｌに対して乱れを加えることで、回折色を弱める効果がより向上するため好ましい。
乱れを有す凹凸構造の要素は特に限定されないが、凹凸構造の乱れの要因となる要素として、例えば、ピッチｐ、デューティ、アスペクト比、凸部頂部幅ｌｃｖｔ、凸部底部幅ｌｃｖｂ、凹部開口幅ｌｃｃｔ、凹部底部幅ｌｃｃｂ、凸部側面の傾斜角度、凸部側面の傾斜角度の切り替わり数、凸部底部内接円径φｉｎ、凸部底部外接円径φｏｕｔ、凸部高さ、凸部頂部の面積、凸部表面の微小突起数（密度）や、これらの比率、又凹凸構造の配列より類推できる情報（例えば、凹部の形状）が挙げられる。
これらのような要素の中で、ピッチｐは凹凸構造の配列の乱れを意味し、ピッチ以外の要素は凹凸構造の形状の乱れを意味する。これらの乱れは上記要素１種のみの乱れでも、複合された乱れでもよい。特に、上記説明した回折色を弱める観点から、複数の要素が以下に説明する式（１）に示される乱れを同時に満たすことが好ましい。なかでも、ピッチｐ、デューティ、高さＨ、アスペクト、凸部底部外接円径φｏｕｔ或いは比率（φｏｕｔ／φｉｎ）が乱れを有す場合、光回折を乱し回折色を弱める効果が大きくなると考えられる。これらのうち、２以上の乱れを同時に含むことで、上記説明した光回折を乱す効果がより顕著になる。中でも、ピッチｐ、高さＨ、凸部底部外接円径φｏｕｔ及び凸部底部外接円径φｏｕｔ／凸部底部内接円径φｉｎのいずれかが以下に説明する（１）を満たすとより好ましい。なお、上記乱れに規則性のある場合、凹凸構造Ｓにより反射防止性能を向上させ、且つ規則的乱れにより所定の波長を抽出することもできる。
凹凸構造の乱れの要因となっている要素の乱れは、下記式（１）に示す（標準偏差／相加平均）、即ち変動係数を有する。式（１）において、凹凸構造の（標準偏差／相加平均）は、凹凸構造を構成する要素に対する値である。例えば、凹凸構造が要素Ａ、Ｂ、Ｃの三つから構成される場合、要素Ａに対する標準偏差／要素Ａに対する相加平均といったように、同一の要素に対する標準偏差及び相加平均に対する比率として定義する。
０．０２５≦（標準偏差／相加平均）≦０．８ （１）
０．０２５≦（標準偏差／相加平均）≦０．８ （１）
（相加平均）
ある要素（変量）の分布のＮ個の測定値をｘ１、ｘ２…、ｘｎとした場合に、相加平均値は、次式にて定義される。
ある要素（変量）の分布のＮ個の測定値をｘ１、ｘ２…、ｘｎとした場合に、相加平均値は、次式にて定義される。
（標準偏差）
要素（変量）の分布のＮ個の測定値をｘ１、ｘ２…、ｘｎとした場合に、上記定義された相加平均値を使用し、次式にて定義される。
要素（変量）の分布のＮ個の測定値をｘ１、ｘ２…、ｘｎとした場合に、上記定義された相加平均値を使用し、次式にて定義される。
相加平均を算出する際のサンプル点数Ｎは、１０以上として定義する。また、標準偏差算出時のサンプル点数は、相加平均算出時のサンプル点数Ｎと同様とする。
また、（標準偏差／相加平均）は、反射防止体１０の凹凸構造面２０の面内における値ではなく、反射防止体１０の局所的な部位に対する値として定義する。即ち、凹凸構造面２０の面内に渡りＮ点の計測を行い（標準偏差／相加平均）を算出するのではなく、反射防止体１０の局所的観察を行い、該観察範囲内における（標準偏差／相加平均）を算出する。ここで、観察に使用する局所的範囲とは、凹凸構造の平均ピッチ（ｐａｖ）の５倍〜５０倍程度の範囲として定義する。例えば、平均ピッチ（ｐａｖ）が３００ｎｍであれば、１５００ｎｍ〜１５０００ｎｍの観察範囲の中で観察を行う。そのため、例えば２５００ｎｍの視野像を撮像し、該撮像を使用して標準偏差と相加平均を求め、（標準偏差／相加平均）を算出する。なお、凹凸構造Ｌの乱れに対しては、平均ピッチＰＬを使用し、凹凸構造Ｓの乱れに対しては、平均ピッチＰＳを使用する。
（標準偏差／相加平均）は、凹凸構造を構成する要素毎に最適値が存在するが、凹凸構造の乱れの要因となる要素によらず式（１）を満たすことで、反射防止性能と強度を維持した状態にて、上記説明した光回折を乱し回折色を弱めることができる。上記説明した光回折を乱す効果を発現する観点から、下限値は０．０３以上であることがより好ましい。一方上限値は、反射防止性能と強度の双方を維持する観点から、０．５以下であることが好ましく、０．３５以下であることが好ましく、０．２５以下であることがより好ましく、０．１５以下であることが最も好ましい。
続いて、凹凸構造面２０を構成する凹凸構造Ｌ及び凹凸構造Ｓについて説明する。
上述のように、凹凸構造Ｓの主たる機能は反射防止性能の向上である。一方、凹凸構造Ｌの主たる機能は強度の向上である。強度と反射防止性能を両立する観点から、凹凸構造Ｓを構成する物質の屈折率（ｎＳ）、凹凸構造Ｌを構成する物質の屈折率（ｎＬ）及び基材１１を構成する物質の屈折率（ｎＢ）は、以下の関係を満たすことが好ましい。｜ｎＬ−ｎＳ｜及び｜ｎＳ−ｎＢ｜は、０．２以下であると各界面における反射を抑制できるため好ましい。この効果をより発揮する観点から、｜ｎＬ−ｎＳ｜及び｜ｎＳ−ｎＢ｜は、０．１５以下であるとより好ましく、０．１以下であると最も好ましい。
上述のように、凹凸構造Ｓの主たる機能は反射防止性能の向上である。一方、凹凸構造Ｌの主たる機能は強度の向上である。強度と反射防止性能を両立する観点から、凹凸構造Ｓを構成する物質の屈折率（ｎＳ）、凹凸構造Ｌを構成する物質の屈折率（ｎＬ）及び基材１１を構成する物質の屈折率（ｎＢ）は、以下の関係を満たすことが好ましい。｜ｎＬ−ｎＳ｜及び｜ｎＳ−ｎＢ｜は、０．２以下であると各界面における反射を抑制できるため好ましい。この効果をより発揮する観点から、｜ｎＬ−ｎＳ｜及び｜ｎＳ−ｎＢ｜は、０．１５以下であるとより好ましく、０．１以下であると最も好ましい。
また、ｎＬ≦ｎＳであると反射防止性能をより向上できるため好ましい。
凹凸構造Ｓ、凹凸構造Ｌ、及び基材１１を構成する物質は、上記屈折率関係を満たせば特に限定されない。
特に、凹凸構造Ｌを構成する物質として低屈折率材料を選択することができる。ここで、低屈折率材料とは、屈折率が１．４５以下の物質として定義する。屈折率ｎＬが１．４５以下であることにより、凹凸構造Ｌによる反射防止性能の低下をより抑制することができる。この観点から、屈折率ｎＬは、１．４以下であることが好ましく、１．３５以下であることが最も好ましい。
凹凸構造Ｓの平均凸部頂部位置と凹凸構造Ｌの平均凸部頂部位置との最短距離は、０ｎｍ超１００μｍ以下を満たす。特に、０ｎｍ超を満たすことにより強度が向上し、１００μｍ以下を満たすことにより反射防止性能を維持することができる。同様の観点から、該最短距離は１０ｎｍ以上を満たすことがより好ましく、１００ｎｍ以上を満たすことがより好ましく、１０００μｍ以上を満たすことが最も好ましい。一方上限値は、同様の効果から８０μｍ以下を満たすことが好ましく、５０μｍ以下を満たすことがより好ましく、１０μｍ以下を満たすことが最も好ましい。
次に、凹凸構造Ｌ及び凹凸構造Ｓを詳細に説明する。
＜凹凸構造Ｌ＞
凹凸構造Ｌの主たる機能は強度の向上である。配列としては、六方配列、準六方配列、準四方配列、四方配列、又はこれらの配列を組み合わせた配列、或いは規則性の低い配列などを採用することができる。特に、凹凸構造Ｌの配列規則性が高い程、外力の緩和効果が大きくなるほど好ましい。更に、凹凸構造Ｌの配列は点対称な配列であると、応力の分散効果が高まるため好ましい。これらの観点から、六方配列或いは四方配列が好ましく、六方配列が最も好ましい。
＜凹凸構造Ｌ＞
凹凸構造Ｌの主たる機能は強度の向上である。配列としては、六方配列、準六方配列、準四方配列、四方配列、又はこれらの配列を組み合わせた配列、或いは規則性の低い配列などを採用することができる。特に、凹凸構造Ｌの配列規則性が高い程、外力の緩和効果が大きくなるほど好ましい。更に、凹凸構造Ｌの配列は点対称な配列であると、応力の分散効果が高まるため好ましい。これらの観点から、六方配列或いは四方配列が好ましく、六方配列が最も好ましい。
凹凸構造Ｌの充填率は、０．０００３％以上２５％以下であると好ましい。０．０００３％以上であることにより、強度を向上させることができる。同様の観点から、０．０４％以上であることが好ましく、０．０６％以上であることがより好ましく、０．１％以上であることが最も好ましい。一方上限値が２５％以下であることにより反射防止性能を向上させることができる。同様の観点から、上限値は１５％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましく、６％以下であることが最も好ましい。
平均ピッチＰＬは、平均ピッチＰＳより大きい範囲において、８００ｎｍ以上１００μｍ以下であると好ましい。特に、平均ピッチＰＬが８００ｎｍ以上であることにより、強度を向上させることができる。同様の効果から、１０００ｎｍ以上であることが好ましく、５０００ｎｍ以上であることがより好ましく、１００００ｎｍ以上であることが最も好ましい。一方上限値が１００μｍ以下の範囲を満たすことにより、反射防止性能を向上させることができる。同様の観点から、７５μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以下であることがより好ましく、４５μｍ以下であることが最も好ましい。
また、凹凸構造Ｌのピッチｐに、上記説明した乱れを加えることで、凹凸構造Ｌにより生じる回折光を弱めることができる。凹凸構造Ｌのピッチｐに対する（標準偏差／相加平均）は、上記最も広い範囲（０．０２５以上０．８以下）の中において、０．０３以上０．４以下であると好ましい。特に、０．０３以上であることにより、光回折を乱す効果が大きくなり、０．４以下であることにより反射防止性能を向上させることができる。同様の観点から、０．０３５以上が好ましく、０．０４以上がより好ましい。また、０．３５以下が好ましく、０．２５以下がより好ましく、０．１５以下が最も好ましい。
なお、凹凸構造Ｌのピッチｐの乱れは、高い規則性を有しても規則性が低くてもよい。例えば、六方配列、準六方配列、準四方配列、及び四方配列を非規則的に含む特異構造を含む凹凸構造の場合、凹凸構造Ｌのピッチｐの乱れの規則性は低下するため、光回折を弱める効果が大きくなる。一方、正六方配列において、ピッチｐの増減が周期的に生じるような特異構造を含む凹凸構造の場合、ピッチｐの乱れは高い規則性を有すこととなるため、凹凸構造Ｓにより反射防止性能を発現すると共に、所定の波長の光を抽出することができる。また、例えば、基本構造である正六方配列の中に局所的に特異構造である非正六方配列（例えば、四方配列）部位が配置される場合、該特異構造が非規則的に散在すれば、凹凸構造Ｌのピッチｐの乱れの規則性は低下するため、光回折を弱める効果が大きくなる。一方、基本構造である正六方配列の中に局所的に特異構造である非正六方配列（例えば、四方配列）部位が配置され、該特異構造が規則的に設けられる場合、凹凸構造Ｌのピッチｐの乱れは高い規則性を有すこととなるため、凹凸構造Ｓにより反射防止性能を発現すると共に、所定の波長の光を抽出することができる。
凹凸構造Ｌの凸部頂部幅ｌｃｖｔと凹部開口幅ｌｃｃｔと、の比率（ｌｃｖｔ／ｌｃｃｔ）は、小さい程好ましく、実質的に０であると最も好ましい。なお、ｌｃｖｔ／ｌｃｃｔ＝０とは、凹凸構造Ｌの凸部頂部に平坦面のない場合を意味する。換言すれば、凹凸構造Ｌの凸部頂部が鋭角にとがっている場合或いは、凸部頂部が丸みを帯びている場合がｌｃｖｔ／ｌｃｃｔ＝０である。特に、強度を向上させ、且つ反射防止性能を維持する観点から、凹凸構造Ｌの凸部頂部は丸みを帯びた形状であると好ましい。比率（ｌｃｖｔ／ｌｃｃｔ）が３以下であると、反射防止性能を維持する効果が大きくなるため好ましい。更に、（ｌｃｖｔ／ｌｃｃｔ）が１以下であることにより、凸部頂部における反射を抑制できるため好ましく、０．４以下であることで凸部頂部と凸部側面と、を滑らかに接続できるため好ましい。前記効果を発揮し反射防止性能と強度を同時に向上させる観点から、０．２以下がより好ましく、０．１５以下がなお好ましい。
更に、凸部頂部幅ｌｃｖｔは凸部底部幅ｌｃｖｂよりも小さい形状であると、上記説明した比率（ｌｃｖｔ／ｌｃｃｔ）を満たすことが容易となり、このため、既に説明したメカニズムにより、強度の向上と反射防止性能の向上を同時に実現できる。
凸部底部幅ｌｃｖｂとピッチｐと、の比率（ｌｃｖｂ／ｐ）で表されるデューティは、０．０３以上０．５以下であると好ましい。０．０３以上であることにより、強度の向上効果が大きくなる。同様の効果から、比率（ｌｃｖｂ／ｐ）は０．０５以上であることがより好ましく、０．１０以上であることが最も好ましい。一方、０．８３以下であることにより、反射防止性能の維持効果が良好となる。同様の効果から、比率（ｌｃｖｂ／ｐ）は０．４以下がより好ましく、０．４以下であることが最も好ましい。
なお、以下に説明する凸部底部外接円径φｏｕｔ及び凸部底部外接円径φｏｕｔ／凸部底部内接円径φｉｎが上記式（１）を満たすことで、回折光を弱める効果が大きくなるため好ましい。凸部底部外接円径φｏｕｔが乱れを有すことは、デューティが乱れを有すことを意味する。
アスペクト比が０．１以上であることにより、凹凸構造Ｓの破壊を抑制する効果が得られる。同様の観点から、０．３以上が好ましく、０．５以上がより好ましく、０．８以上が最も好ましい。一方、アスペクト比は５以下であることにより、凹凸構造Ｌの破壊を抑制することができる。同様の効果から、２以下が好ましく、１．５以下がより好ましく、１．０以下が最も好ましい。
なお、以下に説明する高さＨが上記式（１）を満たす乱れを有す場合、光回折を抑制する効果が大きくなるため好ましい。この場合、同時にアスペクト比も乱れを有すこととなる。なお、凹凸構造Ｌの高さＨの乱れは、高い規則性を有しても規則性が低くてもよい。即ち、アスペクト比の乱れは、高い規則性を有しても規則性が低くてもよい。例えば、中心高さＨ０、最小高さＨ１、最大高さＨ２の凹凸構造Ｌがあり、高さＨが前記範囲内で規則性低く乱れを有す特異構造を含む凹凸構造Ｌの場合、凹凸構造Ｌの高さＨの乱れの規則性は低下し、光回折を抑制する効果が発現される。一方、高さＨの増減が周期的に生じる特異構造を含む凹凸構造の場合、高さＨの乱れは高い規則性を有すこととなり、凹凸構造Ｓにより反射防止性能を発現すると共に、所定の波長の光を抽出することができる。また、例えば、高さＨ１の集合である基本構造の中に局所的に高さＨ２の特異部位が配置される場合、該特異部位が非規則的に散在すれば、凹凸構造Ｌの高さＨの乱れの規則性は低下し、光回折を抑制する効果が発現される。一方、高さＨ１の集合である基本構造の中に局所的に高さＨ２の特異部位が配置され、該特異部位が規則的に設けられる場合、高さＨの乱れは高い規則性を有すこととなり、凹凸構造Ｓにより反射防止性能を発現すると共に、所定の波長の光を抽出することができる。
凸部底部外接円径φｏｕｔと凸部底部内接円径φｉｎとの比率（φｏｕｔ／φｉｎ）は、凸部底部輪郭Ａの歪を表す尺度である。該比率（φｏｕｔ／φｉｎ）は、１以上３以下であることが好ましい。比率（φｏｕｔ／φｉｎ）が１の場合、凸部底部輪郭Ａは真円となる。この場合、凹凸構造Ｌの設計に際し、光学シミュレーションを好適に作用させることが可能となると共に、凹凸構造Ｌの凸部の強度が向上する。一方、比率（φｏｕｔ／φｉｎ）が３以下であることにより、凹凸構造Ｓの破壊を抑制する効果が大きくなる。同様の効果から、２以下がより好ましく、１．５以下が最も好ましい。
また、凸部底部外接円径φｏｕｔの乱れにより光回折を抑制する観点から、乱れの要因となっている凹凸構造Ｌの凸部底部外接円径φｏｕｔに対する（標準偏差／相加平均）は、上記最も広い範囲（０．０２５〜０．８）の中において、０．０３以上０．４以下であると好ましい。特に、０．０３以上であることにより、光回折の乱れが大きくなるため好ましい。０．４以下であることにより強度と反射防止性能を維持する効果が大きくなる。同様の観点から、０．０４以上が好ましく、０．０５以上がより好ましく、０．０６以上が最も好ましい。また、０．３５以下が好ましく、０．２５以下がより好ましく、０．１５以下が最も好ましい。
また、比率（φｏｕｔ／φｉｎ）の乱れにより光回折を抑制する観点から、乱れの要因となっている凹凸構造の比率（φｏｕｔ／φｉｎ）に対する（標準偏差／相加平均）は、上記最も広い範囲（０．０２５〜０．８）の中において、０．０３以上０．３５以下であると好ましい。特に、０．０３以上であることに光回折を乱す効果が大きくなる。０．３５以下であることにより強度と反射防止性能を維持する効果が大きくなる。同様の観点から、０．０４以上が好ましく、０．０５以上がより好ましく、０．０６以上が最も好ましい。また、０．２５以下が好ましく、０．１５以下がより好ましく、０．１０以下が最も好ましい。
上記凸部底部外接円径φｏｕｔ及び凸部底部外接円径φｏｕｔ／凸部底部内接円径φｉｎが、上記範囲を満たす場合、凹凸構造の乱れに基づく光回折を抑制する効果が大きくなるため好ましい。
また、凸部底部外接円径φｏｕｔと上記説明した高さＨと、が上記式（１）の範囲を満たすことで、乱れに相当する部位の体積変化が大きくなることから、光回折の抑制がいっそう良好となる。同様の効果から、凸部底部外接円径φｏｕｔ、高さＨ及びピッチｐが上記式（１）を満たすと好ましく、凸部底部外接円径φｏｕｔ、高さＨ、ピッチｐ及び凸部底部外接円径φｏｕｔ／凸部底部内接円径φｉｎが上記式（１）を満たすとより好ましい。
また、高さＨの乱れにより光回折を抑制する観点から、乱れの要因となっている凹凸構造Ｌの高さＨに対する（標準偏差／相加平均）は、上記最も広い範囲（０．０２５〜０．８）の中において、０．０３以上０．４０以下であると好ましい。特に、０．０３以上であることにより、光回折の抑制効果が大きくなる。０．４０以下であることにより強度と反射防止性能を維持する効果が大きくなる。同様の観点から、０．０４以上が好ましく、０．０５以上がより好ましく、０．１２以上が最も好ましい。また、０．３５以下が好ましく、０．３以下がより好ましく、０．２５以下が最も好ましい。
上記高さＨが、上記範囲を満たす場合、凹凸構造Ｌの乱れに基づく光回折の抑制効果が大きくなるため好ましい。同様の原理から、高さＨ、ピッチｐ及び凸部底部外接円径φｏｕｔが上記式（１）を満たすとより好ましく、高さＨ、ピッチｐ、凸部底部外接円径φｏｕｔ、及び凸部底部外接円径φｏｕｔ／凸部底部内接円径φｉｎが上記式（１）を満たすとより好ましい。
なお、高さＨの乱れは、高い規則性を有しても規則性が低くてもよい。例えば、中心高さＨ０、最小高さＨ１、最大高さＨ２の凹凸構造Ｌがあり、高さＨが前記範囲内で規則性低く乱れを有す特異構造を含む凹凸構造Ｌの場合、凹凸構造Ｌの高さＨの乱れの規則性は低下し、光回折を乱す効果が大きくなる。一方、高さＨの増減が周期的に生じる特異構造を含む凹凸構造Ｌの場合、高さＨの乱れは高い規則性を有すこととなり、凹凸構造Ｓにより反射防止性能を発現すると共に、特定の波長の光を抽出することができる。また、例えば、高さＨ１の集合である基本構造の中に局所的に高さＨ２の特異部位が配置される場合、該特異部位が非規則的に散在すれば、凹凸構造Ｌの高さＨの乱れの規則性は低下し、光回折を乱す効果が大きくなる。一方、高さＨ１の集合である基本構造の中に局所的に高さＨ２の特異部位が配置され、該特異部位が規則的に設けられる場合、高さＨの乱れは高い規則性を有すこととなり、凹凸構造Ｓにより反射防止性能を発現すると共に、特定の波長の光を抽出することができる。
＜凹凸構造Ｓ＞
凹凸構造Ｓの主たる機能は反射防止性能の向上、即ち低反射率を実現することである。
凹凸構造Ｓの主たる機能は反射防止性能の向上、即ち低反射率を実現することである。
凹凸構造Ｓの充填率は、有効媒質近似を好適に作用させ反射率を低減する観点から、６５％以上であることが好ましい。特に、７０％以上であることにより、有効媒質近似的屈折率の急峻な変化を抑制できるため好ましい。同様の効果から、８０％以上であることが好ましく、８５％以上であることがより好ましく、９０％以上であることが最も好ましい。なお、充填率が１００％の場合は、隣接する凸部同士が滑らかな凹部を通じつながった状態であり、反射抑制の効果が特に大きいため好ましい。
凹凸構造Ｓの平均ピッチＰＳは、反射防止性能を発現可能な光の波長帯域を増加させる観点から、５０ｎｍ以上８００ｎｍ以下であることが好ましい。特に、可視光域において低反射率を実現するために、５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下を満たすことが好ましく、５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下を満たすことがより好ましく、５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下を満たすことが最も好ましい。
また、凹凸構造Ｓのピッチｐに、上記説明した乱れを加えることで、凹凸構造Ｓによる光回折を抑制することができる。凹凸構造Ｓのピッチｐに対する（標準偏差／相加平均）は、上記最も広い範囲（０．０２５以上０．８以下）の中において、０．０３以上０．５以下であると好ましい。特に、０．０３以上であることにより、光回折を乱す効果が大きくなる。一方、０．４以下であることにより低反射率を維持することができる。同様の観点から、０．０３５以上が好ましく、０．０４以上がより好ましい。また、０．３５以下が好ましく、０．２５以下がより好ましく、０．１５以下が最も好ましい。
なお、凹凸構造Ｓのピッチｐの乱れは、上記説明した凹凸構造Ｌのピッチｐの乱れと同様に高い規則性を有しても規則性が低くてもよい。
凹凸構造Ｓの配列は、低反射率を実現する観点から、六方配列、準六方配列、準四方配列、四方配列、又はこれらの組み合わされた配列、或いは規則性の低い配列を採用できる。特に、凹凸構造Ｓの充填率を向上させるために、六方配列であることが好ましい。
凹凸構造Ｓの凸部頂部幅ｌｃｖｔは、小さい程好ましい。これは、有効媒質近似的屈折率の急峻な変化を抑制するためである。凹凸構造Ｓの凸部頂部幅ｌｃｖｔと凹部開口幅ｌｃｃｔと、の比率（ｌｃｖｔ／ｌｃｃｔ）は、小さい程好ましく、実質的に０であると最も好ましい。なお、ｌｃｖｔ／ｌｃｃｔ＝０とは、ｌｃｖｔ＝０ｎｍであることを意味する。しかしながら、例えば、走査型電子顕微鏡によりｌｃｖｔを測定した場合であっても、０ｎｍは正確には計測できない。よって、ここでのｌｃｖｔは測定分解能以下の場合全てを含むものとする。比率（ｌｃｖｔ／ｌｃｃｔ）が３以下であると、凸部頂部面積が減少し、有効媒質近似的屈折率がなだらかに変化するため好ましい。更に、（ｌｃｖｔ／ｌｃｃｔ）が１以下であることにより、凸部の体積変化を小さくすることができるため、反射率を小さくすることができる。前記効果をより発揮する観点から、（ｌｃｖｔ／ｌｃｃｔ）は、０．４以下が好ましく、０．２以下がより好ましく、０．１５以下がなお好ましい。
更に、凸部頂部幅ｌｃｖｔは凸部底部幅ｌｃｖｂよりも小さい形状であると、有効媒質近似的屈折率の急峻な変化を効果的に抑制できるため、反射防止性能を向上させることができる。
また、凹凸構造Ｓは、ドット構造であると凸部頂部幅ｌｃｖｔ及び凸部底部幅ｌｃｖｂの制御が容易となり、比率（ｌｃｖｔ／ｌｃｃｔ）を満たすことが容易となり、このため、既に説明したメカニズムにより、反射防止性能が向上する。
アスペクト比が０．５以上であることにより、凹凸構造Ｓによる反射防止性能が発現される。一方、凹凸構造Ｓの破壊を抑制する観点から、アスペクト比は５以下であることが好ましい。有効媒質近似的屈折率の変化をよりなだらかにする観点から、１．０以上が好ましく、１．２以上がより好ましく、１．５以上最も好ましい。一方、凹凸構造Ｓに加わるモーメントエネルギーを小さくし、破壊を抑制する観点から、アスペクト比は４以下であることが好ましく、３以下であることがより好ましく、２以下であることが最も好ましい。
なお、以下に説明する高さＨが上記式（１）を満たす乱れを有す場合、上記凹凸構造Ｌにおいて説明したのと同様に光回折を抑制することができる。この場合、同時にアスペクト比も乱れを有すこととなる。なお、凹凸構造Ｓの高さＨの乱れは、高い規則性を有しても規則性が低くてもよい。即ち、アスペクト比の乱れは、高い規則性を有しても規則性が低くてもよい。例えば、中心高さＨ０、最小高さＨ１、最大高さＨ２の凹凸構造Ｓがあり、高さＨが前記範囲内で規則性低く乱れを有す特異構造を含む凹凸構造Ｓの場合、凹凸構造Ｓの高さＨの乱れの規則性は低下し、光回折を効果的に乱すことができる。一方、高さＨの増減が周期的に生じる特異構造を含む凹凸構造の場合、高さＨの乱れは高い規則性を有すこととなり、反射防止性能を発現しつつ、所定の光を抽出することが可能となる。また、例えば、高さＨ１の集合である基本構造の中に局所的に高さＨ２の特異部位が配置される場合、該特異部位が非規則的に散在すれば、凹凸構造Ｓの高さＨの乱れの規則性は低下し、光回折を乱す効果が大きくなる。一方、高さＨ１の集合である基本構造の中に局所的に高さＨ２の特異部位が配置され、該特異部位が規則的に設けられる場合、高さＨの乱れは高い規則性を有すこととなり、反射防止性能を発現すると共に、所定の光を抽出することができる。
凸部底部外接円径φｏｕｔと凸部底部内接円径φｉｎとの比率（φｏｕｔ／φｉｎ）は、凸部底部輪郭Ａの歪を表す尺度である。該比率（φｏｕｔ／φｉｎ）は、１以上５以下であることが好ましい。比率（φｏｕｔ／φｉｎ）が１の場合、凸部底部輪郭Ａは真円となる。この場合、凹凸構造Ｓの設計に際し、光学シミュレーションを好適に作用させることが可能となると共に、充填率が向上するため反射防止性能が向上する。一方、比率（φｏｕｔ／φｉｎ）が５以下であることにより、反射防止性能を維持すると共に、強度が向上する。特に、強度をより向上させる観点から、比率（φｏｕｔ／φｉｎ）は、３以下であることが好ましく、２以下であることがより好ましく、１．５以下であることが最も好ましい。
また、凸部底部外接円径φｏｕｔの乱れにより光回折を抑制する観点から、比率（φｏｕｔ／φｉｎ）に対する（標準偏差／相加平均）は、上記凹凸構造Ｌにて説明した範囲を満たすことができる。
上記凸部底部外接円径φｏｕｔ及び凸部底部外接円径φｏｕｔ／凸部底部内接円径φｉｎが、上記範囲を満たす場合、凹凸構造の乱れにより光回折を効果的に抑制することができる。また、凸部底部外接円径φｏｕｔと上記説明した高さＨと、が上記式（１）の範囲を満たすことで、乱れ部位における凹凸構造の体積変化が大きくなり、光回折を抑制する効果が大きくなる。同様の効果から、凸部底部外接円径φｏｕｔ、高さＨ及びピッチｐが上記式（１）を満たすと好ましく、凸部底部外接円径φｏｕｔ、高さＨ、ピッチｐ及び凸部底部外接円径φｏｕｔ／凸部底部内接円径φｉｎが上記式（１）を満たすとより好ましい。
凹凸構造Ｓの凸部の高さＨは、平均ピッチ（ｐａｖ）の３倍以下であると、凹凸構造Ｓの強度が向上する。強度と反射防止性能を両立する観点から、２倍以下であることがより好ましく、１．５倍以下であることが最も好ましい。
また、高さＨの乱れにより光回折を抑制する観点から、乱れの要因となっている凹凸構造Ｓの高さＨに対する（標準偏差／相加平均）は、上記凹凸構造Ｌにて説明した範囲を満たすことができる。
上記高さＨが、上記範囲を満たす場合、凹凸構造Ｓの乱れにより光回折を抑制することができる。同様の原理から、高さＨ、ピッチｐ及び凸部底部外接円径φｏｕｔが上記式（１）を満たすとより好ましく、高さＨ、ピッチｐ、凸部底部外接円径φｏｕｔ、及び凸部底部外接円径φｏｕｔ／凸部底部内接円径φｉｎが上記式（１）を満たすとより好ましい。
なお、高さＨの乱れは、高い規則性を有しても規則性が低くてもよい。例えば、中心高さＨ０、最小高さＨ１、最大高さＨ２の凹凸構造Ｓがあり、高さＨが前記範囲内で規則性低く乱れを有す特異構造を含む凹凸構造Ｓの場合、凹凸構造Ｓの高さＨの乱れの規則性は低下し、光回折を抑制することができる。一方、高さＨの増減が周期的に生じる特異構造を含む凹凸構造Ｓの場合、高さＨの乱れは高い規則性を有すこととなり、反射防止性能を発現すると共に、所定の波長の光を抽出することができる。また、例えば、高さＨ１の集合である基本構造の中に局所的に高さＨ２の特異部位が配置される場合、該特異部位が非規則的に散在すれば、凹凸構造Ｓの高さＨの乱れの規則性は低下し、光回折を抑制することができる。一方、高さＨ１の集合である基本構造の中に局所的に高さＨ２の特異部位が配置され、該特異部位が規則的に設けられる場合、高さＨの乱れは高い規則性を有すこととなり、反射防止性能を発現すると共に、所定の波長の光を抽出することができる。
次に凹凸構造Ｓ、凹凸構造Ｌ及び基材１１を構成する物質について説明する。凹凸構造Ｓ、凹凸構造Ｌ及び基材１１を構成する物質は、上記説明した屈折率の関係を満たせば、反射防止性能を発現可能なため限定されず、光硬化性樹脂の硬化物、熱硬化性樹脂の硬化物、熱可塑性樹脂、無機前駆体の硬化物、硬化性有機無機混合物の硬化物、硬化性有機無機ハイブリッド樹脂の硬化物、絶縁無機物、導電無機物、半導体などを使用することができる。
中でも、反射防止により高透過率にて透過した出光光を利用する観点から、凹凸構造Ｓ、凹凸構造Ｌ及び基材１１を構成する物質は光学的に透明な物質であると好ましい。ここで、光学的に透明とは、消衰係数（ｋ）が０であることと定義する。ｋ＝０であることにより、吸収係数を０にすることが可能となる。このため、光が反射防止体内部にて吸収され減衰するのを抑制することができる。ここで、吸収係数ｋが０である場合とは、ｋ≦０．０１を満たす範囲と定義する。この範囲を満たすことで上記効果を得られるため好ましい。特に、多重反射を抑制する観点からｋ≦０．００１であるとより好ましい。なお、ｋは小さい程好ましい。
次に、本実施の形態に係る反射防止体１０の製造方法について説明する。
本実施の形態に係る反射防止体１０の製造方法は、上記説明した条件を満たした凹凸構造面を基板の表面に作製できれば特に限定されない。
本実施の形態に係る反射防止体１０の製造方法は、上記説明した条件を満たした凹凸構造面を基板の表面に作製できれば特に限定されない。
凹凸構造面２０は、凹凸構造面２０の反転形状である微細パタンを具備した鋳型を用いた、転写法或は射出成型により作製することができる。
また、凹凸構造Ｓを作製し、続いて凹凸構造Ｌを作製することでも、凹凸構造面２０を作製することができる。凹凸構造Ｓの作製方法は２つに分類できる。
（１）基材を直接加工し凹凸構造Ｓを設ける場合
基材１１を直接加工し凹凸構造Ｓを設ける方法としては、転写法、フォトリソグラフィ法、熱リソグラフィ法、電子線描画法、干渉露光法、ナノ粒子をマスクとしたリソグラフィ法、自己組織化構造をマスクとしたリソグラフィ法などを挙げることができる。基材１１が無機物の場合はフォトリソグラフィ法、干渉露光法が有用である。また、基材１１が有機物の場合は、転写法が有効である。転写法については後述する。
基材１１を直接加工し凹凸構造Ｓを設ける方法としては、転写法、フォトリソグラフィ法、熱リソグラフィ法、電子線描画法、干渉露光法、ナノ粒子をマスクとしたリソグラフィ法、自己組織化構造をマスクとしたリソグラフィ法などを挙げることができる。基材１１が無機物の場合はフォトリソグラフィ法、干渉露光法が有用である。また、基材１１が有機物の場合は、転写法が有効である。転写法については後述する。
（２）凹凸構造Ｓを基材上に別途設ける場合
凹凸構造Ｓを基材１１上に別途設ける方法としては、転写法、粒子を内包する薄膜を基材１１上に成膜する方法、ナノ粒子を自己配列させる方法、基材１１上に成膜したレジストの一部を除去し、除去された部分に凹凸構造Ｓを構成する材料を満たし（例えば、蒸着やスパッタ法、電鋳法）、最後にレジストを除去する方法、基材１１上に凹凸構造Ｓの材料を成膜し、成膜された凹凸構造Ｓの材料を直接加工する方法、ブロックコポリマーの自己組織化を用いる方法、エレクトロスピニング法、化学蒸着法、化学溶液析出法（Ｌｉｑｕｉｄ Ｐｈａｓｅ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法）、交互吸着法（Ｌａｙｒｅ ｂｙ Ｌａｙｅｒ Ａｄｓｏｒｐｔｉｏｎ法）などが挙げられる。中でも、凹凸構造を精度高く、且つ生産性高く製造できるため転写法を採用すると好ましい。転写法については後述する。
凹凸構造Ｓを基材１１上に別途設ける方法としては、転写法、粒子を内包する薄膜を基材１１上に成膜する方法、ナノ粒子を自己配列させる方法、基材１１上に成膜したレジストの一部を除去し、除去された部分に凹凸構造Ｓを構成する材料を満たし（例えば、蒸着やスパッタ法、電鋳法）、最後にレジストを除去する方法、基材１１上に凹凸構造Ｓの材料を成膜し、成膜された凹凸構造Ｓの材料を直接加工する方法、ブロックコポリマーの自己組織化を用いる方法、エレクトロスピニング法、化学蒸着法、化学溶液析出法（Ｌｉｑｕｉｄ Ｐｈａｓｅ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法）、交互吸着法（Ｌａｙｒｅ ｂｙ Ｌａｙｅｒ Ａｄｓｏｒｐｔｉｏｎ法）などが挙げられる。中でも、凹凸構造を精度高く、且つ生産性高く製造できるため転写法を採用すると好ましい。転写法については後述する。
上記説明した方法により凹凸構造Ｓを作製し、続いて凹凸構造Ｌを作製することで凹凸構造面２０を作製できる。
凹凸構造Ｌを凹凸構造Ｓ上に設ける方法としては、転写法、インクジェット法、ノズルに強電場を加えるインクジェット法、キャスト法、エレクトロスピニング法、マイクロ粒子を配列させる方法、フォトリソグラフィ法、熱リソグラフィ法、電子線描画法、干渉露光法、ナノ粒子をマスクとしたリソグラフィ法、自己組織化構造をマスクとしたリソグラフィ法などが挙げられる。転写法、インクジェット法、キャスト法を採用すると好ましい。転写法については後述する。
（転写法）
転写法を、表面に微細パタンを具備したモールドの、微細パタンを被処理体に転写する工程を含む方法として定義する。即ち、モールドの微細パタンと被処理体とを転写材を介して貼合する工程と、モールドを剥離する工程と、を少なくとも含む方法である。なお、基材１１と凹凸構造面２０とが同じ材料よりなる場合、前記転写材は被処理体と同義である。より具体的に、転写法は２つに分類することができる。
転写法を、表面に微細パタンを具備したモールドの、微細パタンを被処理体に転写する工程を含む方法として定義する。即ち、モールドの微細パタンと被処理体とを転写材を介して貼合する工程と、モールドを剥離する工程と、を少なくとも含む方法である。なお、基材１１と凹凸構造面２０とが同じ材料よりなる場合、前記転写材は被処理体と同義である。より具体的に、転写法は２つに分類することができる。
第１に、基材１１を直接変形させる方法である。この場合、被処理体（基材１１）の変形可能な温度以上の温度にて、モールドの微細パタンを被処理体に対し押圧し、冷却後モールドを剥離することができる。例えば、基材として、ガラスや熱可塑性樹脂を採用することができる。
第２に、基材１１上に別途凹凸構造を設ける場合である。モールドの微細パタンを転写材を介し被処理体上に押圧する工程（１）と、転写材を硬化させる工程（２）と、微細パタンを除去する工程（３）と、を含む方法である。転写材がエネルギー線硬化性樹脂の場合、工程（２）においては、エネルギー線を照射し、転写材を硬化させる。転写材が熱硬化性樹脂の場合は、工程（２）において、加熱を行い転写材を硬化させる。
特に、転写法を採用する場合、ロール・ツー・ロール法を採用することができるため、凹凸構造の精度及び生産性を向上させることができる。この場合、モールドは円筒状のモールド、すなわち円筒状マスターであり、円筒表面に微細パタンが設けられる。
即ち、本実施の形態に係る円筒状マスターは、転写法に使用される鋳型であり、上記説明した凹凸構造面２０の反転形状をした微細パタンを円筒の表面に具備する。円筒表面の材質は特に限定されず、ガラス、石英、アルミ、酸化アルミ、クロム、酸化クロムなどを採用できる。また、円筒状マスターの微細パタン表面にメチル基或いはフッ素を含む基を担持することで、転写法の精度が向上するため好ましい。
円筒状マスターの具備する微細パタンが、上記説明した凹凸構造の反転形状であることにより、円筒状マスターより反射防止体１０を剥離する際に加わる、凹凸構造Ｓに対する外力を弱め、且つ凹凸構造Ｓに対する応力を分散化できるため、反射防止体１０の凹凸構造面の精度を向上させることができる。
以下、本発明の効果を確認するために行った実施例について説明する。
以下の説明において使用する記号は、以下の意味を示す。
・ＤＡＣＨＰ…フッ素含有ウレタン（メタ）アクリレート（ＯＰＴＯＯＬ ＤＡＣ ＨＰ（ダイキン工業社製））
・Ｍ３５０…トリメチロールプロパン（ＥＯ変性）トリアクリレート（東亞合成社製 Ｍ３５０）
・Ｉ．１８４…１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（ＢＡＳＦ社製 Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標） １８４）
・Ｉ．３６９…２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１（ＢＡＳＦ社製 Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標） ３６９）
・ＴＴＢ…チタニウム（ＩＶ）テトラブトキシドモノマー（和光純薬工業社製）
・ＳＨ７１０…フェニル変性シリコーン（東レ・ダウコーニング社製）
・３ＡＰＴＭＳ…３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ５１０３（信越シリコーン社製））
・ＤＩＢＫ…ジイソブチルケトン
・ＭＥＫ…メチルエチルケトン
・ＭＩＢＫ…メチルイソブチルケトン
・ＤＲ８３３…トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（ＳＲ８３３（ＳＡＲＴＯＭＥＲ社製））
・ＳＲ３６８…トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリアクリレート（ＳＲ８３３（ＳＡＲＴＯＭＥＲ社製）
以下の説明において使用する記号は、以下の意味を示す。
・ＤＡＣＨＰ…フッ素含有ウレタン（メタ）アクリレート（ＯＰＴＯＯＬ ＤＡＣ ＨＰ（ダイキン工業社製））
・Ｍ３５０…トリメチロールプロパン（ＥＯ変性）トリアクリレート（東亞合成社製 Ｍ３５０）
・Ｉ．１８４…１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（ＢＡＳＦ社製 Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標） １８４）
・Ｉ．３６９…２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１（ＢＡＳＦ社製 Ｉｒｇａｃｕｒｅ（登録商標） ３６９）
・ＴＴＢ…チタニウム（ＩＶ）テトラブトキシドモノマー（和光純薬工業社製）
・ＳＨ７１０…フェニル変性シリコーン（東レ・ダウコーニング社製）
・３ＡＰＴＭＳ…３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン（ＫＢＭ５１０３（信越シリコーン社製））
・ＤＩＢＫ…ジイソブチルケトン
・ＭＥＫ…メチルエチルケトン
・ＭＩＢＫ…メチルイソブチルケトン
・ＤＲ８３３…トリシクロデカンジメタノールジアクリレート（ＳＲ８３３（ＳＡＲＴＯＭＥＲ社製））
・ＳＲ３６８…トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートトリアクリレート（ＳＲ８３３（ＳＡＲＴＯＭＥＲ社製）
（実施例１、２）
表面に凹凸構造面を具備する反射防止体を作製し、反射防止体の強度と反射率を比較した。
表面に凹凸構造面を具備する反射防止体を作製し、反射防止体の強度と反射率を比較した。
（実施例１）
以下の検討においては、表面に凹凸構造面を具備する反射防止体を作製するために、凹凸構造Ｓを作製し、続いて凹凸構造Ｌを凹凸構造Ｓの表面上に作製した。
以下の検討においては、表面に凹凸構造面を具備する反射防止体を作製するために、凹凸構造Ｓを作製し、続いて凹凸構造Ｌを凹凸構造Ｓの表面上に作製した。
・凹凸構造Ｓの作製
凹凸構造Ｓは、微細パタンを表面に具備する円筒状マスターモールを作製し、続いて円筒状マスターモールドの微細パタンを転写法により連続的にフィルムへと写し取ることで作製した。
凹凸構造Ｓは、微細パタンを表面に具備する円筒状マスターモールを作製し、続いて円筒状マスターモールドの微細パタンを転写法により連続的にフィルムへと写し取ることで作製した。
（１）円筒状マスターモールドの作製
半導体レーザを用いた直接描画リソグラフィ法により円筒状石英ガラスの表面に、凹凸構造Ｓの反転形状を形成した。まず円筒状石英ガラス表面上に、スパッタリング法によりレジスト層を成膜した。スパッタリング法は、ターゲット（レジスト層）として、φ３インチのＣｕＯ（８ａｔｍ％Ｓｉ含有）を用いて、ＲＦ１００Ｗの電力で実施し、２０ｎｍのレジスト層を成膜した。続いて、円筒状石英ガラスを回転させながら、波長４０５ｎｍｎ半導体レーザを用いレジスト層全面に露光を行った。続いて、一度露光されたレジスト層に対し、波長４０５ｎｍの半導体レーザを用い、パルス露光を行った。パルスの間隔は、円周方向に２００ｎｍとし、軸方向に１７３ｎｍとした。また、パルスの配列は六方配列とした。パルス露光後に、レジスト層の現像を行った。現像は、０．０３ｗｔ％のグリシン水溶液を用いて、２４０ｓｅｃ処理とした。次に、現像したレジスト層をマスクとし、ドライエッチングによるエッチング層（石英ガラス）のエッチングを行った。ドライエッチングは、エッチングガスとしてＳＦ６を用い、処理ガス圧１Ｐａ、処理電力３００Ｗ、処理時間５分の条件で実施した。最後に、表面に微細パタンが付与された円筒状石英ガラスから、レジスト層残渣のみを、ｐＨ１の塩酸を用い剥離した。剥離時間は６分間とした。
半導体レーザを用いた直接描画リソグラフィ法により円筒状石英ガラスの表面に、凹凸構造Ｓの反転形状を形成した。まず円筒状石英ガラス表面上に、スパッタリング法によりレジスト層を成膜した。スパッタリング法は、ターゲット（レジスト層）として、φ３インチのＣｕＯ（８ａｔｍ％Ｓｉ含有）を用いて、ＲＦ１００Ｗの電力で実施し、２０ｎｍのレジスト層を成膜した。続いて、円筒状石英ガラスを回転させながら、波長４０５ｎｍｎ半導体レーザを用いレジスト層全面に露光を行った。続いて、一度露光されたレジスト層に対し、波長４０５ｎｍの半導体レーザを用い、パルス露光を行った。パルスの間隔は、円周方向に２００ｎｍとし、軸方向に１７３ｎｍとした。また、パルスの配列は六方配列とした。パルス露光後に、レジスト層の現像を行った。現像は、０．０３ｗｔ％のグリシン水溶液を用いて、２４０ｓｅｃ処理とした。次に、現像したレジスト層をマスクとし、ドライエッチングによるエッチング層（石英ガラス）のエッチングを行った。ドライエッチングは、エッチングガスとしてＳＦ６を用い、処理ガス圧１Ｐａ、処理電力３００Ｗ、処理時間５分の条件で実施した。最後に、表面に微細パタンが付与された円筒状石英ガラスから、レジスト層残渣のみを、ｐＨ１の塩酸を用い剥離した。剥離時間は６分間とした。
得られた円筒状石英ガラスの微細パタンに対し、フッ素系離型剤であるデュラサーフＨＤ−１１０１Ｚ（ダイキン化学工業社製）を塗布し、６０℃で１時間加熱後、室温で２４時間静置し固定化した。その後、デュラサーフＨＤ−ＺＶ（ダイキン化学工業社製）で３回洗浄し、円筒状マスターモールドを得た。
（２）凹凸構造Ｓを具備したリールの作製
作製した円筒状マスターモールドを鋳型とし、光ナノインプリント法を適用し、連続的にリール表面に凹凸構造Ｓを作製した。
作製した円筒状マスターモールドを鋳型とし、光ナノインプリント法を適用し、連続的にリール表面に凹凸構造Ｓを作製した。
幅３００ｍｍ、長さ２００ｍのＴＡＣ（トリアセチルセルロース）フィルムから保護フィルムを剥離し、保護フィルムの合わさっていた面に対してマイクログラビアコーティング（廉井精機社製）により、塗布膜厚３μｍになるように以下に示す転写材料を塗布した。次いで、円筒状マスターモールドに対し、材料１が塗布されたＴＡＣフィルムをニップロールで押し付け、大気下、温度２５℃、湿度６０％で、ランプ中心下での積算露光量が１５００ｍＪ／ｃｍ２となるように、フュージョンＵＶシステムズ・ジャパン株式会社製ＵＶ露光装置（Ｈバルブ）を用いて紫外線を照射し、連続的に光硬化を実施し、表面に凹凸構造Ｓが転写されたリール（長さ２００ｍ、幅３００ｍｍ）を得た。なお、転写材料としては、光硬化性アクリレート樹脂を使用した。光硬化性アクリレートは、硬化後の屈折率が１．５３（５５０ｎｍ）のものを使用した。
得られたリール表面の凹凸構造Ｓを走査型電子顕微鏡を用い観察したところ、凹凸構造Ｓの配列及び形状は以下の通りであった。
配列・・・六方配列であった。フィルム長手方向のピッチが２００ｎｍであった。平均ピッチＰＳが２００ｎｍであった。
形状・・・凸部高さＨが２５０ｎｍであった。凸部底部の径は１９０ｎｍ。凸部底部から凸部頂部に向かうに従い、凸部の径は細くなっていた。また、凸部頂部に平坦面はなかった。
配列・・・六方配列であった。フィルム長手方向のピッチが２００ｎｍであった。平均ピッチＰＳが２００ｎｍであった。
形状・・・凸部高さＨが２５０ｎｍであった。凸部底部の径は１９０ｎｍ。凸部底部から凸部頂部に向かうに従い、凸部の径は細くなっていた。また、凸部頂部に平坦面はなかった。
・凹凸構造面の作製
上記のようにして得た凹凸構造Ｓを具備するリールの凹凸構造Ｓ面上に凹凸構造Ｌを作製することで、凹凸構造Ｓ及び凹凸構造Ｌで構成された凹凸構造面を具備するリール状反射防止体を得た。
上記のようにして得た凹凸構造Ｓを具備するリールの凹凸構造Ｓ面上に凹凸構造Ｌを作製することで、凹凸構造Ｓ及び凹凸構造Ｌで構成された凹凸構造面を具備するリール状反射防止体を得た。
凹凸構造Ｓの表面に、凹凸構造Ｓと同様の原料をインクジェット法により滴下した。続いて、窒素パージにより酸素濃度を減少させた環境中にて、高圧水銀灯により光照射を行い、インクジェットにより滴下された液滴を硬化させた。
得られたリール状反射防止体が具備する凹凸構造面を、走査型電子顕微鏡を用い観察したところ、凹凸構造Ｓの形状に変化はないことがわかった。また、凹凸構造Ｌの配列及び形状は以下の通りであった。
配列・・・六方配列であった。平均ピッチは２００μｍであった。
形状・・・凸部底部の平均径は、５μｍ又は１０μｍであった。凸部底部の形状は、真円に近いものから、輪郭の歪んだものまで含まれていた。また、凸部頂部と凸部側面とは連続的に滑らかにつながっていた。
配列・・・六方配列であった。平均ピッチは２００μｍであった。
形状・・・凸部底部の平均径は、５μｍ又は１０μｍであった。凸部底部の形状は、真円に近いものから、輪郭の歪んだものまで含まれていた。また、凸部頂部と凸部側面とは連続的に滑らかにつながっていた。
また、凹凸構造Ｓの平均凸部頂部位置と凹凸構造Ｌの平均凸部頂部位置との距離は、０．５μｍ〜５μｍであった。
表１に、実施例１で得られたサンプルＮｏ．１及びＮｏ．２のリール状反射防止体について、凹凸構造Ｓ及び凹凸構造Ｌの、配列、平均ピッチｐａｖ、凸部底部径ｌｃｖｂ及び充填率、並びに、凹凸構造Ｓの平均凸部頂部位置と凹凸構造Ｌの平均凸部頂部位置との距離（表１中、単に「距離」と記す）を記載した。なお、表１中で、「Ｈｅｘ」とは、六方配列を意味する。
（実施例２）
実施例２においては、凹凸構造Ｌ及び凹凸構造Ｓの反転形状で構成される微細パタンを具備する平板状マスターを製造し、平板状マスターの微細パタンを転写法により、リール表面へと写し取ることで、凹凸構造Ｓ及び凹凸構造Ｌで構成された凹凸構造面を具備する反射防止体を作製した。
実施例２においては、凹凸構造Ｌ及び凹凸構造Ｓの反転形状で構成される微細パタンを具備する平板状マスターを製造し、平板状マスターの微細パタンを転写法により、リール表面へと写し取ることで、凹凸構造Ｓ及び凹凸構造Ｌで構成された凹凸構造面を具備する反射防止体を作製した。
（１）平板状マスターモールドの作製
半導体レーザを用いた直接描画リソグラフィ法により平板状石英ガラスの表面に、凹凸構造Ｓの反転形状を形成した。まず平板状石英ガラス表面上に、スパッタリング法によりレジスト層を成膜した。スパッタリング法は、ターゲット（レジスト層）として、φ３インチのＣｕＯ（８ａｔｍ％Ｓｉ含有）を用いて、ＲＦ１００Ｗの電力で実施し、２０ｎｍのレジスト層を成膜した。続いて、平板状石英ガラスを回転させながら、波長４０５ｎｍｎ半導体レーザを用いレジスト層全面に露光を行った。続いて、一度露光されたレジスト層に対し、波長４０５ｎｍの半導体レーザを用い、パルス露光を行った。パルスの間隔は、円周方向に２００ｎｍとし、軸方向に１７３ｎｍとした。また、パルスの配列は六方配列とした。パルス露光後に、レジスト層の現像を行った。現像は、０．０３ｗｔ％のグリシン水溶液を用いて、２４０ｓｅｃ処理とした。次に、現像したレジスト層をマスクとし、ドライエッチングによるエッチング層（石英ガラス）のエッチングを行った。ドライエッチングは、エッチングガスとしてＳＦ６を用い、処理ガス圧１Ｐａ、処理電力３００Ｗ、処理時間５分の条件で実施した。最後に、表面に凹凸構造Ｓに対応する微細パタンが付与された円筒状石英ガラスから、レジスト層残渣のみを、ｐＨ１の塩酸を用い剥離した。剥離時間は６分間とした。
半導体レーザを用いた直接描画リソグラフィ法により平板状石英ガラスの表面に、凹凸構造Ｓの反転形状を形成した。まず平板状石英ガラス表面上に、スパッタリング法によりレジスト層を成膜した。スパッタリング法は、ターゲット（レジスト層）として、φ３インチのＣｕＯ（８ａｔｍ％Ｓｉ含有）を用いて、ＲＦ１００Ｗの電力で実施し、２０ｎｍのレジスト層を成膜した。続いて、平板状石英ガラスを回転させながら、波長４０５ｎｍｎ半導体レーザを用いレジスト層全面に露光を行った。続いて、一度露光されたレジスト層に対し、波長４０５ｎｍの半導体レーザを用い、パルス露光を行った。パルスの間隔は、円周方向に２００ｎｍとし、軸方向に１７３ｎｍとした。また、パルスの配列は六方配列とした。パルス露光後に、レジスト層の現像を行った。現像は、０．０３ｗｔ％のグリシン水溶液を用いて、２４０ｓｅｃ処理とした。次に、現像したレジスト層をマスクとし、ドライエッチングによるエッチング層（石英ガラス）のエッチングを行った。ドライエッチングは、エッチングガスとしてＳＦ６を用い、処理ガス圧１Ｐａ、処理電力３００Ｗ、処理時間５分の条件で実施した。最後に、表面に凹凸構造Ｓに対応する微細パタンが付与された円筒状石英ガラスから、レジスト層残渣のみを、ｐＨ１の塩酸を用い剥離した。剥離時間は６分間とした。
続いて、凹凸構造Ｓの反転形状を具備する平板状石英ガラスの微細パタン面側からフォトリソグラフィ法により、凹凸構造Ｌに対応する微細パタンを作製した。このようにして、平板状石英ガラスの表面に凹凸構造Ｓ及び凹凸構造Ｌの反転形状で構成された微細パタンを形成した。
得られた平板状石英ガラスの微細パタンに対し、フッ素系離型剤であるデュラサーフＨＤ−１１０１Ｚ（ダイキン化学工業社製）を塗布し、６０℃で１時間加熱後、室温で２４時間静置し固定化した。その後、デュラサーフＨＤ−ＺＶ（ダイキン化学工業社製）で３回洗浄し、平板状マスターモールドを得た。
（２）反射防止体の作製
作製した平板状マスターモールドを鋳型とし、光ナノインプリント法を適用し、反射防止フィルムを作製した。
作製した平板状マスターモールドを鋳型とし、光ナノインプリント法を適用し、反射防止フィルムを作製した。
幅１５０ｍｍ、長さ２００ｍｍのＴＡＣ（トリアセチルセルロース）フィルムから保護フィルムを剥離し、保護フィルムの合わさっていた面に対してバーコータを用い、転写材料を塗布した。塗布膜厚は５μｍとした。続いて、転写材料面を平板状マスターの微細パタン面にラミネーションし、平板状マスター面側より、高圧水銀灯を用い、積算光量が１５００ｍＪ／ｃｍ２になるように光照射を行った。最後に、ＴＡＣフィルムを剥離することで、フィルム状の反射防止体を得た。なお、転写材料としては、実施例１と同様の光硬化性アクリレート樹脂を使用した。
得られた反射防止体が具備する凹凸構造面を走査型電子顕微鏡を用い観察したところ、凹凸構造面の配列及び形状は以下の通りであった。
・凹凸構造Ｓ
配列・・・六方配列であった。ピッチが２００ｎｍであった。平均ピッチＰＳが２００ｎｍであった。
形状・・・凸部高さＨが２５０ｎｍであった。凸部底部の径は１９０ｎｍ。凸部底部から凸部頂部に向かうに従い、凸部の径は細くなっていた。また、凸部頂部に平坦面はなかった。
配列・・・六方配列であった。ピッチが２００ｎｍであった。平均ピッチＰＳが２００ｎｍであった。
形状・・・凸部高さＨが２５０ｎｍであった。凸部底部の径は１９０ｎｍ。凸部底部から凸部頂部に向かうに従い、凸部の径は細くなっていた。また、凸部頂部に平坦面はなかった。
・凹凸構造Ｌ
配列・・・六方配列であった。平均ピッチは５０μｍであった。
形状・・・凸部底部の平均径は、１μｍ、５μｍ、或いは１０μｍのいずれかであった。凸部底部の形状は、真円に近いものから、輪郭の歪んだものまで含まれていた。また、凸部頂部と凸部側面とは連続的に滑らかにつながっていた。
配列・・・六方配列であった。平均ピッチは５０μｍであった。
形状・・・凸部底部の平均径は、１μｍ、５μｍ、或いは１０μｍのいずれかであった。凸部底部の形状は、真円に近いものから、輪郭の歪んだものまで含まれていた。また、凸部頂部と凸部側面とは連続的に滑らかにつながっていた。
また、凹凸構造Ｓの平均凸部頂部位置と凹凸構造Ｌの平均凸部頂部位置と、の距離は、０．２μｍ〜１μｍであった。
表１に、実施例２で得られたサンプルＮｏ．３〜Ｎｏ．５の反射防止フィルムについて、凹凸構造Ｓ及び凹凸構造Ｌの、配列、平均ピッチｐａｖ、凸部底部径ｌｃｖｂ及び充填率、並びに、凹凸構造Ｓの平均凸部頂部位置と凹凸構造Ｌの平均凸部頂部位置との距離（表１中、単に「距離」と記す）を記載した。なお、表１中で、「Ｈｅｘ」とは、六方配列を意味する。
（比較例）
比較例として、以下の３つのサンプルを作製した。
Ａ、Ｂ…上記転写材料の硬化物からなる凹凸構造Ｌのみを具備したＴＡＣフィルム
Ｃ…上記転写材料の硬化物からなる凹凸構造Ｓのみを具備したＴＡＣフィルム
比較例として、以下の３つのサンプルを作製した。
Ａ、Ｂ…上記転写材料の硬化物からなる凹凸構造Ｌのみを具備したＴＡＣフィルム
Ｃ…上記転写材料の硬化物からなる凹凸構造Ｓのみを具備したＴＡＣフィルム
表１に、比較例で得られたサンプルＡ〜Ｃの反射防止フィルムについて、凹凸構造Ｓ及び凹凸構造Ｌの、配列、平均ピッチｐａｖ、凸部底部径ｌｃｖｂ及び充填率、並びに、凹凸構造Ｓの平均凸部頂部位置と凹凸構造Ｌの平均凸部頂部位置との距離（表１中、単に「距離」と記す）を記載した。なお、表１中で、「Ｈｅｘ」とは、六方配列を意味する。
（評価）
以上、実施例１、２並びに比較例で作製した反射防止体に対し、以下２つの検討を行った。
以上、実施例１、２並びに比較例で作製した反射防止体に対し、以下２つの検討を行った。
・試験１：強度
上記実施例１、２及び比較例にて作製した反射防止体の凹凸構造面側を、乾燥した布で５０回（往復）ふきあげた。ふきあげ後、目視にて観察した。傷や濁り（ヘイズ）が観察された場合を×と表記し、ふきあげ前後で変化がなかった場合を○と表記した。
上記実施例１、２及び比較例にて作製した反射防止体の凹凸構造面側を、乾燥した布で５０回（往復）ふきあげた。ふきあげ後、目視にて観察した。傷や濁り（ヘイズ）が観察された場合を×と表記し、ふきあげ前後で変化がなかった場合を○と表記した。
・試験２：光学性能
上記実施例１、２及び比較例にて作製した反射防止体を、携帯電話の液晶画面上に光学接着剤を介し接着した。
上記実施例１、２及び比較例にて作製した反射防止体を、携帯電話の液晶画面上に光学接着剤を介し接着した。
２−１：反射防止体を備えた携帯電話を１週間使用し、反射防止体を備えない携帯電話に比べて、液晶画面の鮮明さに欠けるといった違和感を覚えた回数を集計し統計処理した。反射防止体を備えない場合よりも鮮明さが増加していた場合を◎、同程度の場合を〇、僅かに鮮明さが欠けた場合を△、画像が見づらい場合を×とした。
２−２：外光（太陽光）反射により液晶画面の視認性が低下したと認識した回数Ｎを記録した。最後に、太陽光下にて携帯電話を操作した総合時間Ｔにて、該回数Ｎを除し、Ｎ／Ｔを算出した。
以上の試験１及び２並びに総合評価の結果を表１に記載した。
表１からわかるように、凹凸構造Ｓ及び凹凸構造Ｌを所定の位置関係にて具備することで、強度が向上することがわかる。これは、凹凸構造Ｌにより、凹凸構造Ｓに加わる応力を抑制できたためと推定される。一方で、凹凸構造Ｌのみの比較例のサンプルＡ及びＢの場合、強度が強いが携帯電話に搭載した場合の違和感が大きいことがわかる。これは、凹凸構造Ｓを備えないこと、又凹凸構造Ｌによる散乱性が強く発現されたためである。凹凸構造Ｓのみを備える比較例のサンプルＣの場合、携帯電話に搭載することで違和感は減少し、画像がより鮮明になった。これは、凹凸構造Ｓによる反射防止機能が発現されためである。しかしながら、強度が弱い。また、外光による視認性低下回数も多い。これは、凹凸構造Ｓの場合、有効媒質近似的作用により反射防止を実現するため、臨界角が存在することによる。携帯電話の画面と視線と、が垂直な関係にある場合に有効媒質近似作用が最も効果的に発現するが、視線が画面に対して大きな角度となり、所定角度を超えると全反射が生じるためである。実施例１、２にて作製したサンプルＮｏ．１〜Ｎｏ．５のように凹凸構造Ｌを設けることで、外光に対する視認性も向上することがわかった。これは、凹凸構造Ｌによる散乱性を発現するためと推定される。
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。
本発明は、反射防止体に適用することができ、例えば、スマートフォン、携帯電話、又はＴＶのディスプレイ表面に設けられる反射防止膜或いは、ビルや家屋の窓ガラスに設けられる反射防止膜に好適に適用することが可能である。
１、３ 凸部
２ 凹部
１０ 反射防止体
１１ 基板
２０ 凹凸構造面
３０ 反射防止ロール
２ 凹部
１０ 反射防止体
１１ 基板
２０ 凹凸構造面
３０ 反射防止ロール
Claims (9)
- 基材と、
前記基材の主面上に設けられ、第１の平均ピッチ（ＰＳ）を有する第１の凹凸構造（Ｓ）と、
前記第１の平均ピッチ（ＰＳ）よりも大きい第２の平均ピッチ（ＰＬ）を有する第２の凹凸構造（Ｌ）と、を具備し、
前記第１の凹凸構造（Ｓ）の平均凸部頂部位置と前記第２の凹凸構造（Ｌ）の平均凸部頂部位置との最短距離が、０ｎｍ超１００μｍ以下であり、
前記第２の凹凸構造（Ｌ）の平均凸部頂部位置は、前記第１の凹凸構造（Ｓ）の平均凸部頂部位置よりも、前記基材の面外方向に位置することを特徴とする反射防止体。 - 前記第１の凹凸構造（Ｓ）は、互いに離間した複数の凸部から構成されると共に、前記凸部の径は、前記凸部の底部から前記凸部の頂点に向かうに従い小さくなることを特徴とする請求項１記載の反射防止体。
- 前記第１の平均ピッチＰＳは、５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２記載の反射防止体。
- 前記第１の凹凸構造（Ｓ）を構成する物質の屈折率ｎＳと前記第２の凹凸構造（Ｌ）を構成する物質の屈折率ｎＬとは、０≦｜ｎＬ−ｎＳ｜≦０．２を満たすことを特徴とする請求項３記載の反射防止体。
- フィルム状であることを特徴とする請求項４記載の反射防止体。
- 請求項１から請求項５のいずれかに記載の反射防止体を巻き取り製造された反射防止ロール。
- 請求項１から請求項５のいずれかに記載の反射防止体を転写法により製造するための円筒状マスターであって、前記円筒状マスターはその表面に前記第１の凹凸構造（Ｓ）及び前記第２の凹凸構造（Ｌ）の反転形状である微細パタンを具備することを特徴とする円筒状マスター。
- 請求項１から請求項５のいずれかに記載の反射防止体の製造方法であって、請求項７記載の円筒状マスターの前記微細パタンを有する表面と基材の表面とを転写材を介して貼合する工程と、前記円筒状マスターと前記基材とを分離する工程を具備することを特徴とする反射防止体の製造方法。
- 請求項１から請求項５のいずれかに記載の反射防止体の製造方法であって、円筒状マスターの表面に設けられた前記第１の凹凸構造（Ｓ）の反転形状をした微細パタンと基材とを転写材を介して貼合する工程と、前記円筒状マスターと前記基材とを分離して前記第１の凹凸構造（Ｓ）を具備した基材を得る工程と、前記基材の前記第１の凹凸構造（Ｓ）上に前記第２の凹凸構造（Ｌ）を作製する工程とを具備することを特徴とする反射防止体の製造方法。
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