JP2014236565A - トランスデューサ - Google Patents
トランスデューサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014236565A JP2014236565A JP2013115915A JP2013115915A JP2014236565A JP 2014236565 A JP2014236565 A JP 2014236565A JP 2013115915 A JP2013115915 A JP 2013115915A JP 2013115915 A JP2013115915 A JP 2013115915A JP 2014236565 A JP2014236565 A JP 2014236565A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrostrictive element
- low moisture
- hygroscopic agent
- permeable layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
Abstract
Description
本発明のトランスデューサは、電歪素子と、低透湿層と、吸湿剤と、を備える。
電歪素子は、誘電層と電極層とを有する。誘電層はエラストマーを含む。エラストマーは、架橋ゴムでも熱可塑性エラストマーでもよい。エラストマーとしては、例えば、NBR、H−NBR、エチレン−プロピレン−ジエン共重合ゴム(EPDM)、イソプレンゴム、天然ゴム、フッ素ゴム、シリコーンゴム、ウレタンゴム、アクリルゴム、ブチルゴム、スチレンブタジエンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−酢酸ビニル−アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。また、エポキシ化天然ゴム、カルボキシル基変性水素化ニトリルゴム(XH−NBR)等のように、官能基を導入するなどして変性したエラストマーでもよい。エラストマーとしては、一種を単独で、あるいは二種以上を混合して用いることができる。
低透湿層は、電歪素子の外側、すなわち、電歪素子の表面および裏面のうち少なくとも一面を被覆するように配置される。低透湿層は、ブチルゴムを含む。ブチルゴムとしては、レギュラーブチルゴム、塩素化ブチルゴム、臭素化ブチルゴム等が挙げられる。これらの一種を単独で、あるいは二種以上を混合して用いればよい。
吸湿剤は、低透湿層と電歪素子との間、および、電歪素子を挟んで低透湿層と反対側、の少なくとも一方に配置される。換言すれば、吸湿剤の配置形態は、「低透湿層/吸湿剤/電歪素子」、および「低透湿層/電歪素子/吸湿剤」の少なくとも一方である。すなわち、構成部材の積層方向(厚さ方向)において、吸湿剤は低透湿層よりも内側に配置される。また、本発明のトランスデューサは、電歪素子を二つ備えていてもよい。例えば、表側電歪素子と裏側電歪素子とを備える場合には、吸湿剤は、表側電歪素子と裏側電歪素子との間に配置されることが望ましい。この場合の吸湿剤の配置形態は、「低透湿層/表側電歪素子/吸湿剤/裏側電歪素子/低透湿層」になる。なお、これらの配置形態は、後述する保護層が、電歪素子と吸湿剤との間に介在する形態を排除するものではない。
本発明のトランスデューサにおいては、電歪素子の電極層と吸湿剤とが直接接しないように、電歪素子と吸湿剤との間に、絶縁性の保護層を配置することができる。この場合、保護層を、吸湿剤を担持する基材として用いてもよい。保護層は、電歪素子の伸縮を阻害しないように、エラストマー製であることが望ましい。例えば、誘電層を構成するエラストマーと同じ材料を用いることができる。ここで、「エラストマー製」とは、保護層のベース材料が、エラストマーであることを意味する。すなわち、保護層は、エラストマーの他に、添加剤等の他の成分を含んでいてもよい。また、エラストマーは、架橋ゴムでも熱可塑性エラストマーでもよい。
本発明のトランスデューサは、例えば、次のようにして製造すればよい。まず、誘電層と、必要に応じてイオン含有層等と、電極層と、が積層された電歪素子を作製する。次に、ブチルゴムを含む塗料を基材に塗布し、塗膜を乾燥した後、硬化させて、低透湿層を作製する。また、必要に応じて、吸湿剤を基材に担持させる。保護層を配置する場合には、保護層を準備する。そして、低透湿層、電歪素子、保護層、吸湿剤を適宜配置して、トランスデューサを製造する。
まず、本発明のトランスデューサの第一実施形態となるアクチュエータの構成を説明する。図1に、本実施形態のアクチュエータの厚さ方向断面図を示す。図1に示すように、アクチュエータ1は、薄いシート状を呈しており、電歪素子10と、表側低透湿層11Uと、裏側低透湿層11Dと、吸湿剤12と、保護層13と、を備えている。
本実施形態のアクチュエータと第一実施形態のアクチュエータとの主な相違点は、吸湿剤を二箇所に配置した点である。よって、ここでは、相違点についてのみ説明する。図2に、本発明のトランスデューサの第二実施形態となるアクチュエータの厚さ方向断面図を示す。図2中、図1と対応する部材については同じ符号で示す。図2に示すように、アクチュエータ1は、電歪素子10と、表側低透湿層11Uと、裏側低透湿層11Dと、表側吸湿剤12Uと、裏側吸湿剤12Dと、表側保護層13Uと、裏側保護層13Dと、を備えている。
本実施形態のアクチュエータと第一実施形態のアクチュエータとの主な相違点は、アクチュエータの形状、および吸湿剤の配置形態である。図3に、本発明のトランスデューサの第三実施形態となるアクチュエータの軸方向断面図を示す。図3中、図1と対応する部材については同じ符号で示す。図3に示すように、アクチュエータ1は、円柱状を呈しており、軸部材14と、吸湿剤12と、保護層13と、電歪素子10と、低透湿層11と、を備えている。
次に、本発明のトランスデューサの第四実施形態として、スピーカの構成を説明する。 1.スピーカの全体構成
まず、本実施形態のスピーカの全体構成について説明する。以下に示す図においては、前方が本発明の「表側」に、後方が本発明の「裏側」に、各々対応している。図4に、本実施形態のスピーカの斜視図を示す。図5に、図4のV−V方向断面図を示す。図6に、同スピーカの分解斜視図を示す。
表側枠部材60は、樹脂製であって、上下方向に長い長方形枠状を呈している。表側電極層用導電部70、裏側電極層用導電部71は、各々銅製であって、表側枠部材60の後面(裏面)に配置されている。表側電極層用導電部70は、表側枠部材60の左辺に沿って、上下方向に延在している。表側電極層用導電部70は、表側枠部材60の左上隅において、後述する負極第一端子80LUに電気的に接続されている。表側電極層用導電部70は、表側枠部材60の左下隅において、後述する負極第二端子80LDに電気的に接続されている。裏側電極層用導電部71は、表側枠部材60の右辺に沿って、上下方向に延在している。裏側電極層用導電部71は、表側枠部材60の右上隅において、後述する正極第一端子80RUに電気的に接続されている。裏側電極層用導電部71は、表側電極層用導電部70よりも、前後方向厚さ(表裏方向厚さ)が厚い。
前方のフィルムアセンブリ2は、上下方向に長い長方形フィルム状を呈している。フィルムアセンブリ2は、表側枠部材60の後方に配置されている。介装部材4により、フィルムアセンブリ2は、前方に突出している。すなわち、図5に強調して示すように、フィルムアセンブリ2は、前方に膨らむ凸状を呈している。
裏側絶縁部材63は、PET製であって、上下方向に長い長方形枠状を呈している。裏側絶縁部材63は、表側絶縁部材62の後方に配置されている。
介装部材4は、発泡スチロール製であって、四角形板状を呈している。介装部材4は、前後方向に積層された一対の板部材40a、40bからなる。介装部材4は、フィルムアセンブリ2の後方に配置されている。また、介装部材4は、表側絶縁部材62および裏側絶縁部材63の枠内に配置されている。介装部材4は、前後方向から圧縮された状態で、配置されている。このため、介装部材4は、フィルムアセンブリ2を前方に、フィルムアセンブリ3を後方に、弾性的に押圧している。
後方のフィルムアセンブリ3は、上下方向に長い長方形フィルム状を呈している。フィルムアセンブリ3は、裏側絶縁部材63および介装部材4の後方に配置されている。介装部材4により、フィルムアセンブリ3は、後方に突出している。すなわち、図5に強調して示すように、フィルムアセンブリ3は、後方に膨らむ凸状を呈している。
十四本のスクリュー86は、積層体の四辺に沿って配置されている。十四本のスクリュー86は、積層体を前後方向に貫通している。十四本のスクリュー86の後端には、各々、ナット87が止着されている。十四本のスクリュー86および十四個のナット87により、積層体は一体化されている。
次に、前方のフィルムアセンブリ2の構成について説明する。図7に、フィルムアセンブリ2の分解斜視図を示す。図7に示すように、フィルムアセンブリ2は、電歪素子20と、低透湿層24と、保護層25と、を備えている。電歪素子20は、本発明の「表側電歪素子」の概念に含まれる。電歪素子20は、誘電層21と、表側電極層22と、裏側電極層23と、を有している。電歪素子20の各層、低透湿層24、保護層25は、各々、上下方向に長い長方形フィルム状を呈している。これらの層は、前方から後方に向かって、低透湿層24、表側電極層22、誘電層21、裏側電極層23、保護層25の順に積層されている。
低透湿層24は、ブチルゴムとタルクとを含んでいる。低透湿層24のヤング率は5MPaであり、低透湿層24は応力歪み線図において降伏点を持たない。低透湿層24は、左右両辺に沿って穿設された挿通孔を有している。左側の挿通孔には表側電極層用導電部70が、右側の挿通孔には裏側電極層用導電部71が、各々挿通されている。また、低透湿層24は、左下隅と右下隅に穿設された挿通孔を有している。左下隅の挿通孔には負極第二端子80LDが、右下隅の挿通孔には正極第二端子80RDが、各々挿通されている。
表側電極層22は、アクリルゴムとカーボンブラックとを含んでいる。表側電極層22は、アクリルゴムポリマー溶液にカーボンブラックを分散させた導電塗料から形成した導電膜を、誘電層21の表面に積層して、形成されている。図7に、低透湿層24、誘電層21、保護層25の大きさを一点鎖線で示す。図7に示すように、表側電極層22は、低透湿層24、誘電層21、保護層25よりも、小さい。表側電極層22は、左上隅において、負極第一端子80LUに電気的に接続されている。表側電極層22の上辺、下辺、右辺は、表側枠部材60および裏側枠部材61により、前後方向から挟持、固定されていない。表側電極層22の左辺は、表側枠部材60および裏側枠部材61により、前後方向から挟持、固定されている。
誘電層21は、H−NBR製である。誘電層21は、右辺に沿って穿設された挿通孔を有している。当該挿通孔には裏側電極層用導電部71が挿通されている。また、誘電層21は、左上隅、左下隅、右下隅に穿設された挿通孔を有している。左上隅の挿通孔には負極第一端子80LUが、左下隅の挿通孔には負極第二端子80LDが、右下隅の挿通孔には正極第二端子80RDが、各々挿通されている。
裏側電極層23は、アクリルゴムとカーボンブラックとを含んでいる。裏側電極層23は、アクリルゴムポリマー溶液にカーボンブラックを分散させた導電塗料から形成した導電膜を、誘電層21の裏面に積層して、形成されている。図7に示すように、裏側電極層23は、低透湿層24、誘電層21、保護層25よりも、小さい。裏側電極層23は、右上隅において、正極第一端子80RUに電気的に接続されている。裏側電極層23の上辺、下辺、左辺は、表側枠部材60および裏側枠部材61により、前後方向から挟持、固定されていない。裏側電極層23の右辺は、表側枠部材60および裏側枠部材61により、前後方向から挟持、固定されている。裏側電極層用導電部71は、低透湿層24および誘電層21の右辺に穿設された挿通孔を貫通して、裏側電極層23の右辺の前面に当接している。負極第一端子80LU、負極第二端子80LD、正極第二端子80RDは、裏側電極層23に当接していない。
保護層25は、H−NBR製である。保護層25は、四隅に穿設された挿通孔を有している。左上隅の挿通孔には負極第一端子80LUが、左下隅の挿通孔には負極第二端子80LDが、右上隅の挿通孔には正極第一端子80RUが、右下隅の挿通孔には正極第二端子80RDが、各々挿通されている。
次に、後方のフィルムアセンブリ3の構成について説明する。フィルムアセンブリ3は、介装部材4を挟んでフィルムアセンブリ2と対称的に配置されている。図8に、フィルムアセンブリ3の分解斜視図を示す。フィルムアセンブリ3の構成は、フィルムアセンブリ2の構成と同じである。すなわち、図8に示すように、フィルムアセンブリ3は、電歪素子30と、低透湿層34と、保護層35と、を備えている。電歪素子30は、本発明の「裏側電歪素子」の概念に含まれる。電歪素子30は、誘電層31と、表側電極層32と、裏側電極層33と、を有している。電歪素子30の各層、低透湿層34、保護層35は、各々、上下方向に長い長方形フィルム状を呈している。これらの層は、前方から後方に向かって、保護層35、表側電極層32、誘電層31、裏側電極層33、低透湿層34の順に積層されている。フィルムアセンブリ3を構成する各々の層については、フィルムアセンブリ2において対応する層と同じである。よって、ここでは説明を省略する。
次に、回路部5の構成について説明する。図5に示すように、回路部5は、二つの交流電源50a、50bと、直流バイアス電源51と、スイッチ53と、を備えている。
次に、本実施形態のスピーカ6の動きについて説明する。停止状態においては、スイッチ53が開成されている。このため、一対のフィルムアセンブリ2、3には、電圧が印加されていない。スイッチ53が閉成されると、一対のフィルムアセンブリ2、3に、各々、バイアス電圧が印加される。バイアス電圧が印加されると、フィルムアセンブリ2の表側電極層22と裏側電極層23との間に静電引力が発生する。このため、誘電層21は前後方向に圧縮され、面方向に伸張する。同様に、フィルムアセンブリ3の誘電層31も前後方向に圧縮され、面方向に伸張する。
次に、本実施形態のスピーカ6の作用効果について説明する。本実施形態のスピーカ6において、フィルムアセンブリ2、3の最外層は、低透湿層24、34である。このため、低透湿層24、34により、外部の水分の透過が抑制される。仮に、低透湿層24、34を透過した水分があっても、当該水分は、電歪素子20、30を速やかに透過して、介装部材4に担持される吸湿剤41により吸収される。このため、外部の水分が、電歪素子20の誘電層21および電歪素子30の誘電層31に、留まらない。よって、H−NBR製の誘電層21、31の耐絶縁破壊性は、低下しにくい。したがって、フィルムアセンブリ2、3、延いてはスピーカ6の耐久性が向上する。
上記第四実施形態のスピーカの構成に準じて、耐湿性試験用のトランスデューサを製造した。図9に、作製したトランスデューサの厚さ方向断面図を示す。図9に示すように、トランスデューサ15は、表側電歪素子16Uと、表側低透湿層17Uと、表側保護層18Uと、裏側電歪素子16Dと、裏側低透湿層17Dと、裏側保護層18Dと、吸湿剤19と、を備えている。
実施例1〜4のトランスデューサ、および比較例1のトランスデューサについて、耐湿性試験を行った。耐湿性試験においては、各トランスデューサを40℃、相対湿度95%の高温高湿環境下に静置して、表側電歪素子16Uの誘電層160Uおよび裏側電歪素子16Dの誘電層160Dの体積抵抗率の経時変化を測定した。体積抵抗率は、日置電機(株)製の「LCRハイテスタ3522−50」を用いて測定した。測定時の印加電圧は1Vとした。耐湿性試験の結果として、図10に、各トランスデューサにおける誘電層の体積抵抗率の経時変化を示す。図10中、グラフの縦軸においては、「1×1010」、「1×1011」、「1×1012」、「1×1013」、「1×1014」、「1×1015」を、順に「1.E+10」、「1.E+11」、「1.E+12」、「1.E+13」、「1.E+14」、「1.E+15」と示す。
2:フィルムアセンブリ、20:電歪素子(表側電歪素子)、21:誘電層、22:表側電極層、23:裏側電極層、24:低透湿層、25:保護層。
3:フィルムアセンブリ、30:電歪素子(裏側電歪素子)、31:誘電層、32:表側電極層、33:裏側電極層、34:低透湿層、35:保護層。
4:介装部材、40a、40b:板部材、41:吸湿剤。
5:回路部、50a、50b:交流電源、51:直流バイアス電源、53:スイッチ。
6:スピーカ(トランスデューサ)、60:表側枠部材、61:裏側枠部材、62:表側絶縁部材、63:裏側絶縁部材、70、72:表側電極層用導電部、71、73:裏側電極層用導電部、80LU:負極第一端子、80LD:負極第二端子、80RU:正極第一端子、80RD:正極第二端子、81:端子用ナット、86:スクリュー、87:ナット。
Claims (8)
- エラストマーを含む誘電層と、該誘電層を挟んで配置される電極層と、を有する電歪素子と、
該電歪素子の外側に配置されブチルゴムを含む低透湿層と、
該低透湿層と該電歪素子との間、および、該電歪素子を挟んで該低透湿層と反対側、の少なくとも一方に配置される吸湿剤と、
を備えることを特徴とするトランスデューサ。 - 前記吸湿剤は、酸化カルシウム粉末、塩化カルシウム粉末、硫酸カルシウム粉末、酸化バリウム粉末から選ばれる一種以上である請求項1に記載のトランスデューサ。
- さらに、前記電歪素子と前記吸湿剤との間に介装されエラストマー製の保護層を備える請求項1または請求項2に記載のトランスデューサ。
- 前記電歪素子の前記電極層は、エラストマーおよび導電材を含む請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のトランスデューサ。
- 前記低透湿層は、さらに薄片状フィラーを含む請求項1ないし請求項4のいずれかに記載のトランスデューサ。
- 前記薄片状フィラーは、タルク、クレー、モンモリロナイト、合成スメクタイトから選ばれる一種以上である請求項5に記載のトランスデューサ。
- 前記電歪素子として、一対の表側電歪素子と裏側電歪素子とを備え、
前記吸湿剤は、該表側電歪素子と該裏側電歪素子との間に配置される請求項1ないし請求項6のいずれかに記載のトランスデューサ。 - さらに、前記表側電歪素子と前記裏側電歪素子との間に介装される介装部材を備え、
前記吸湿剤は、該介装部材に担持される請求項7に記載のトランスデューサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013115915A JP2014236565A (ja) | 2013-05-31 | 2013-05-31 | トランスデューサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013115915A JP2014236565A (ja) | 2013-05-31 | 2013-05-31 | トランスデューサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014236565A true JP2014236565A (ja) | 2014-12-15 |
Family
ID=52138912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013115915A Pending JP2014236565A (ja) | 2013-05-31 | 2013-05-31 | トランスデューサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2014236565A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017183814A (ja) * | 2016-03-28 | 2017-10-05 | 住友理工株式会社 | 静電型トランスデューサ |
| WO2020067252A1 (ja) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 正毅 千葉 | 誘電エラストマー振動システムおよび電源装置 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11300957A (ja) * | 1998-04-15 | 1999-11-02 | Seiko Epson Corp | インクジェット式記録ヘッド |
| JP2004064038A (ja) * | 2002-06-05 | 2004-02-26 | Ngk Insulators Ltd | 圧電/電歪デバイス及び圧電/電歪素子、並びにそれらの製造方法 |
| JP2006013411A (ja) * | 2003-10-30 | 2006-01-12 | Ngk Insulators Ltd | セル駆動型圧電/電歪アクチュエータ及びその製造方法 |
| JP2006228519A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Canon Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| JP2008227384A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Nsk Ltd | 誘電性ゴム積層体 |
| JP2009081347A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Fujifilm Corp | 圧電デバイスおよび液体吐出ヘッド |
| WO2011001910A1 (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-06 | 東海ゴム工業株式会社 | 柔軟導電材料およびトランスデューサ |
| JP2011212539A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 脱臭システム及び脱臭システムの使用方法 |
| JP2012249463A (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Mikio Wake | 駆動性能及び耐久性が改善されたトランスデューサー用電場応答性高分子 |
-
2013
- 2013-05-31 JP JP2013115915A patent/JP2014236565A/ja active Pending
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11300957A (ja) * | 1998-04-15 | 1999-11-02 | Seiko Epson Corp | インクジェット式記録ヘッド |
| JP2004064038A (ja) * | 2002-06-05 | 2004-02-26 | Ngk Insulators Ltd | 圧電/電歪デバイス及び圧電/電歪素子、並びにそれらの製造方法 |
| JP2006013411A (ja) * | 2003-10-30 | 2006-01-12 | Ngk Insulators Ltd | セル駆動型圧電/電歪アクチュエータ及びその製造方法 |
| JP2006228519A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Canon Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| JP2008227384A (ja) * | 2007-03-15 | 2008-09-25 | Nsk Ltd | 誘電性ゴム積層体 |
| JP2009081347A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Fujifilm Corp | 圧電デバイスおよび液体吐出ヘッド |
| WO2011001910A1 (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-06 | 東海ゴム工業株式会社 | 柔軟導電材料およびトランスデューサ |
| JP2011212539A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 脱臭システム及び脱臭システムの使用方法 |
| JP2012249463A (ja) * | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Mikio Wake | 駆動性能及び耐久性が改善されたトランスデューサー用電場応答性高分子 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017183814A (ja) * | 2016-03-28 | 2017-10-05 | 住友理工株式会社 | 静電型トランスデューサ |
| WO2020067252A1 (ja) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 正毅 千葉 | 誘電エラストマー振動システムおよび電源装置 |
| JP2020054131A (ja) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 正毅 千葉 | 誘電エラストマー振動システムおよび電源装置 |
| CN112703062A (zh) * | 2018-09-27 | 2021-04-23 | 千叶正毅 | 介电弹性体振动系统及电源装置 |
| CN112703062B (zh) * | 2018-09-27 | 2022-02-25 | 千叶正毅 | 介电弹性体振动系统及电源装置 |
| US12011739B2 (en) | 2018-09-27 | 2024-06-18 | Seiki Chiba | Dielectric elastomer vibration system and power supply device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8958581B2 (en) | Polymer speaker | |
| KR101423856B1 (ko) | 유연 도전 재료, 및 그것을 사용한 트랜스듀서, 플렉시블 배선판, 전자파 실드 | |
| JP5486369B2 (ja) | 誘電材料およびそれを用いたトランスデューサ | |
| JP5633769B1 (ja) | 柔軟なトランスデューサ | |
| JP5474473B2 (ja) | 誘電膜およびそれを用いたトランスデューサ | |
| US9504151B2 (en) | Conductive composition and conductive film | |
| JPWO2014080470A1 (ja) | 柔軟導電部材およびそれを用いたトランスデューサ | |
| US20150200039A1 (en) | Conductive material and transducer including the conductive material | |
| KR20130056628A (ko) | 고분자 압전 소자 | |
| JPWO2013058237A1 (ja) | 誘電膜およびそれを用いたトランスデューサ | |
| WO2011001910A1 (ja) | 柔軟導電材料およびトランスデューサ | |
| JP6002524B2 (ja) | トランスデューサ | |
| JP2014236565A (ja) | トランスデューサ | |
| JP6431887B2 (ja) | 静電型トランスデューサ | |
| JP6409357B2 (ja) | 振動低減ユニット、振動低減支持装置及び振動低減方法 | |
| JP2009232677A (ja) | エラストマートランスデューサーおよび誘電性ゴム組成物ならびに発電素子 | |
| JP5506488B2 (ja) | 誘電積層体およびそれを用いたトランスデューサ | |
| JP2019134070A5 (ja) | ||
| US20190240698A1 (en) | Haptic device | |
| JP2010110090A (ja) | エラストマートランスデューザー | |
| JP5337651B2 (ja) | 誘電膜およびそれを用いたトランスデューサ | |
| JP5694877B2 (ja) | 高分子スピーカ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160205 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160927 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160930 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170328 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20171024 |