JP2015109403A - 導電膜形成用組成物、導電膜、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイスおよび配線板 - Google Patents

導電膜形成用組成物、導電膜、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイスおよび配線板 Download PDF

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Abstract

【課題】優れた絶縁信頼性および高い移動度を示す有機薄膜トランジスタを得られる、導電膜形成用組成物ならびにこれを用いた導電膜、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイスおよび配線板を提供する。
【解決手段】導電性粒子（Ａ）と、還元電位が−２．６０Ｖより高い有機オニウム塩（Ｂ）とを含有する、導電膜形成用組成物。
【選択図】なし

Description

本発明は、導電膜形成用組成物ならびにこれを用いた導電膜、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイスおよび配線板に関する。
軽量化、低コスト化、柔軟化が可能であることから、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイに用いられるＦＥＴ（電界効果トランジスタ）、ＲＦＩＤ（ＲＦタグ）やメモリなどの論理回路を用いる装置等に、有機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ）が利用されている。
通常、有機薄膜トランジスタは、基板とゲート絶縁膜と有機半導体層と３つの電極（ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極）とを備える。
ここで、基板や絶縁膜などに電極や配線などの導電膜を形成する方法としては、導電性粒子（例えば、銀粒子）の分散体を塗布し、焼結することによって導電膜を形成する方法が知られている。上記方法は、従来の高熱・真空プロセス（スパッタ）やめっき処理による形成方法に比べて、簡便・省エネルギー・省資源であることから次世代エレクトロニクス開発において大きな期待を集めている。
例えば、特許文献１には、導電性粒子とテトラ−ｎ−ブチルアンモニウムクロライドとを含有する導電性インクが開示され（実施例７）、配線パターンの材料として用いることができる旨が記載されている（段落［００４４］）。
特開２００６−３３５９９５号公報
昨今、有機薄膜トランジスタの小型化や高性能化が進められるなか、有機薄膜トランジスタに対して、優れた移動度（特に電界効果移動度）および安定性（例えば、絶縁信頼性）が求められている。
このようななか、本発明者らが特許文献１を参考にして、導電性粒子とテトラ−ｎ−ブチルアンモニウムクロライドとを含有する組成物を用いて電極を形成し、有機薄膜トランジスタを作製したところ、得られた有機薄膜トランジスタの移動度は昨今求められるレベルを満たさないことが明らかとなった。また、得られた有機薄膜トランジスタについて寿命試験を行ったところ、ソース電極とドレイン電極との間で導電性物質のエレクトロケミカルマイグレーションが顕著に発生し、得られた有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性は昨今求められるレベルを満たさないことが明らかとなった。
そこで、本発明は、上記実情を鑑みて、優れた絶縁信頼性および高い移動度を示す有機薄膜トランジスタを得られる、導電膜形成用組成物ならびにこれを用いた導電膜、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイスおよび配線板を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記課題について鋭意検討した結果、導電性粒子と特定の還元電位を有する有機オニウム塩とを含有する導電膜形成用組成物を用いて電極を形成することで、優れた絶縁信頼性および高い移動度を示す有機薄膜トランジスタを得られることを見出し、本発明に至った。すなわち、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。
（１） 導電性粒子（Ａ）と、還元電位が−２．６０Ｖより高い有機オニウム塩（Ｂ）とを含有する、導電膜形成用組成物。
（２） 上記有機オニウム塩（Ｂ）が、後述する一般式（Ｉ）で表される化合物である、上記（１）に記載の導電膜形成用組成物。
（３） 上記導電性粒子（Ａ）が、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、ＮｉおよびＴａからなる群より選択される金属の粒子である、上記（１）または（２）に記載の導電膜形成用組成物。
（４） 後述する一般式（Ｉ）中、Ａm-が、ＳＯ4 2-、ＲA2ＳＯ4 -、ＲA3ＳＯ3 -、ＰＯ4 3-、ＲA4ＰＯ4 2-、（ＲA5）2ＰＯ4 -、ＰＯ3 3-、ＲA6ＰＯ3 2-、（ＲA7）2ＰＯ3 -、［ＢＦ4］-、［Ｂ（ＣＮ）4］-、［Ｂ（Ｃ6Ｈ5）4］-、ＣＮ-、ＯＣＮ-、ＳＣＮ-、［ＲA8−ＣＯＯ］-、［（ＲA9−ＳＯ2）2Ｎ］-およびＮ（ＣＮ）2 -からなる群より選択されるアニオン（ここで、ＲA2〜ＲA9は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を有してもよい炭化水素基を表す）である、上記（２）または（３）に記載の導電膜形成用組成物。
（５） 後述する一般式（Ｉ）中、Ａm-が、ＳＯ4 2-、ＲA2ＳＯ4 -およびＲA3ＳＯ3 -からなる群より選択されるアニオン（ここで、ＲA2およびＲA3は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を有してもよい炭化水素基を表す）である、上記（２）〜（４）のいずれかに記載の導電膜形成用組成物。
（６） 上記（１）〜（５）のいずれかに記載の導電膜形成用組成物を用いて形成された導電膜。
（７） 上記（１）〜（５）のいずれかに記載の導電膜形成用組成物を用いて形成された電極を備える、有機薄膜トランジスタ。
（８） 上記（７）に記載の有機薄膜トランジスタを使用した、電子ペーパー。
（９） 上記（７）に記載の有機薄膜トランジスタを使用した、ディスプレイデバイス。
（１０） 上記（１）〜（５）のいずれかに記載の導電膜形成用組成物を用いて形成された配線を備える、配線板。
以下に示すように、本発明によれば、優れた絶縁信頼性および高い移動度を示す有機薄膜トランジスタを得られる、導電膜形成用組成物ならびにこれを用いた導電膜、有機薄膜トランジスタ、電子ペーパー、ディスプレイデバイスおよび配線板を提供することができる。
本発明の有機薄膜トランジスタの一態様の断面模式図である。 本発明の有機薄膜トランジスタの別の一態様の断面模式図である。
以下に、本発明の導電膜形成用組成物およびこれを用いた有機薄膜トランジスタなどについて説明する。
なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
［導電膜形成用組成物］
本発明の導電膜形成用組成物（以下、本発明の組成物とも言う）は、導電性粒子（Ａ）と、還元電位が−２．６０Ｖより高い有機オニウム塩（Ｂ）とを含有する。
本発明の組成物はこのような構成をとるため、所望の効果が得られるものと考えられる。
その理由は明らかではないが、およそ以下のとおりと推測される。
有機薄膜トランジスタの電極に電圧を印加すると、電界の作用により電極中の金属などの導電性物質がイオン化して、イオンと電子が生じることがある。そして、生じたイオンは有機薄膜トランジスタの有機半導体層中を高電位側から低電位側に移動し、同時に、生じた電子は低電位側から高電位側へと移動することがある。このようなイオンおよび電子の移動（マイグレーション）が生じると、ソース／ドレイン電極間の絶縁性が低下してしまう。すなわち、絶縁信頼性が低下する。
本発明の組成物を用いて電極（導電膜）を形成した場合、電極中には、特定の還元電位を有する有機オニウム塩（Ｂ）が含有される。そのため、上述のように金属などの導電性物質がイオン化してイオンと電子が生じた場合、有機オニウム塩（Ｂ）中のアニオンがイオンをトラップし、同時に、有機オニウム塩（Ｂ）中のカチオンが電子をトラップし、マイグレーションを防止する。すなわち、有機オニウム塩（Ｂ）は優れたマイグレーション抑制剤（マイグレーション防止剤）として働く。結果として、本発明の組成物を用いて電極を形成した有機薄膜トランジスタは優れた絶縁信頼性を示すものと考えられる。なお、上記効果は、有機オニウム塩（Ｂ）中のアニオンおよびカチオンが電極中のイオンおよび電子とそれぞれ高い親和性を有することに起因すると考えられるが、特に、有機オニウム塩（Ｂ）中の特定の還元電位を有するカチオンがイオン化により生じた電子と極めて高い親和性を有することに起因すると考えられる。
また、上述のとおり、有機オニウム塩（Ｂ）中のアニオンおよびカチオンは電極中のイオンや電子と高い親和性を有するため、有機オニウム塩（Ｂ）は電極中での安定性が高く、隣接する有機半導体層などに遊離し難い。結果として、有機薄膜トランジスタの移動度への悪影響がほとんどなく、高い移動度を示すものと考えられる。
以下、本発明の組成物に含有される各成分について詳述する。
〔導電性粒子（Ａ）〕
本発明の組成物に含有される導電性粒子（Ａ）は、粒子状の導電性物質であれば特に制限されない。
粒子状とは小さい粒状を指し、その具体例としては、球状、楕円体状などが挙げられる。完全な球や楕円体である必要は無く、一部が歪んでいてもよい。
上記導電性粒子（Ａ）は、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｎｉ（ニッケル）およびＴａ（タンタル）からなる群より選択される金属の粒子であることが好ましく、銀粒子または銅粒子であることがより好ましく、銀粒子であることがさらに好ましい。
上記導電性粒子（Ａ）は、導電性ナノ粒子であることが好ましい。
上記導電性粒子（Ａ）が銀ナノ粒子である場合、その調製方法は特に制限されないが、例えば、硝酸銀などの銀塩の水溶液に分散剤存在下、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンなどの還元剤の水溶液を滴下し、銀塩を還元剤で還元することにより調製することができる。
導電性粒子（Ａ）の平均粒子径は特に制限されないが、２００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることがより好ましい。下限も特に制限されないが、５ｎｍ以上が好ましい。
なお、本発明における平均粒子径は、平均一次粒径のことを指す。平均粒子径は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察により、少なくとも５０個以上の導電性粒子の粒子径（直径）を測定し、それらを算術平均して求める。なお、観察図中、導電性粒子の形状が真円状でない場合、長径を直径として測定する。
本発明の組成物において、導電性粒子（Ａ）の含有量は特に制限されないが、組成物全体に対して、５．０〜８０．０質量％であることが好ましく、１０．０〜６０．０質量％であることがより好ましい。
〔有機オニウム塩（Ｂ）〕
有機オニウム塩（Ｂ）は、還元電位が−２．６０Ｖより高い有機オニウム塩であれば特に制限されない。ここで、有機オニウム塩とは「ルイス塩基がその非結合電子対を用いて配位結合を作り、原子価を拡大して生成する有機塩」であり、例えば、アンモニウム塩（第１〜４級アンモニウム塩）、イミダゾリウム塩、ピリジニウム塩、ピロリジニウム塩、ホスホニウム塩、スルホニウム塩、ピリリウム塩、チオピリリウム塩などが挙げられる。
＜還元電位＞
上述のとおり、有機オニウム塩（Ｂ）は、還元電位が−２．６０Ｖより高い有機オニウム塩である。ここで、有機オニウム塩（Ｂ）の還元電位とは、有機オニウム塩を構成するカチオンが還元される電位を指す。
上記還元電位は、得られる有機薄膜トランジスタがより高い移動度を示す理由から、−２．５０Ｖ以上であることが好ましく、なかでも、得られる有機薄膜トランジスタがより優れた絶縁信頼性を示す理由から、−２．００Ｖ以上であることがより好ましく、−１．５０Ｖ以上であることがさらに好ましい。還元電位の上限は特に制限されないが、０．００Ｖ以下であることが好ましく、−０．５０Ｖ以下であることがより好ましい。
還元電位が−２．６０Ｖより高い還元電位を有する有機オニウム塩を得る方法は特に制限されないが、例えば、カチオン化される元素に直接芳香族炭化水素基を導入する方法、
芳香族性複素環化合物(イミダゾール、ピリジン他)をルイス塩基として使用する方法、シッフ塩基をルイス塩基として使用する方法等が挙げられる。また、公知の有機オニウム塩について後述する方法で還元電位を測定し、還元電位が−２．６０Ｖより大きい有機オニウム塩を選択してもよい。
なお、本明細書において還元電位とは、アルゴン下で蒸留したアセトニトリルに有機オニウム塩を溶解させた溶液（有機オニウム塩の濃度：０．１Ｍ）について、電気化学アナライザーＶＭＰ３（Ｂｉｏ−Ｌｏｇｉｃ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製）を用いてサイクリックボルタモメトリー法（以下条件）により測定される還元電位（電流値が１ｍＡ／ｃｍ2になったときの電位）を指す。
・作用電極：グラッシーカーボン電極（ビーエーエス社製）
・対極：白金電極
・参照電極：Ａｇ／Ａｇ+電極（ビーエーエス社製、型番ＲＥ−７）
・測定温度：２５℃
・走査速度：５ｍＶ
＜好適な態様＞
有機オニウム塩（Ｂ）は、下記一般式（Ｉ）で表される化合物であることが好ましい。すなわち、下記一般式（Ｉ）で表される化合物のうち、還元電位が−２．６０Ｖより高い有機オニウム塩であることが好ましい。なお、下記一般式（Ｉ）で表される化合物のなかから、還元電位が−２．６０Ｖより高いものを選択する方法は、上述した還元電位が−２．６０Ｖより高い還元電位を有する有機オニウム塩を得る方法と同様である。
ｃＣn+ａＡm- 一般式（Ｉ）
（カチオン）
一般式（Ｉ）中、Ｃn+は、ｎ価のカチオンを表す。ここで、ｎは１〜６の整数を表す。すなわち、Ｃn+は、１〜６価のカチオンである。
一般式（Ｉ）中のｎが１の場合（すなわち、Ｃn+が１価のカチオンの場合）、上記Ｃn+は、下記一般式（Ａ）〜（Ｅ）からなる群より選択されるカチオンを表す。なかでも、一般式（Ａ）で表されるカチオンであることが好ましく、そのなかでも、得られる有機薄膜トランジスタがより優れた絶縁信頼性を示す理由から、ピリジニウムイオンであることがより好ましい。
一般式（Ａ）中、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基（ただし、ヒドロキシアルキル基を除く）を表す。ただし、Ｒ1〜Ｒ4の全てが同時に水素原子であることはない。
上記炭化水素基は特に制限されないが、例えば、脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、またはこれらを組み合わせた基などが挙げられる。
上記脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれであってもよい。上記脂肪族炭化水素基の炭素数は特に制限されないが、１〜１２であることが好ましい。上記脂肪族炭化水素基の具体例としては、アルキル基、アルケニル基およびアルキニル基などが挙げられる。
上記芳香族炭化水素基の炭素数は特に制限されないが、６〜１８であることが好ましい。上記芳香族炭化水素基の具体例としては、アリール基（フェニル基、トリル基、キシリル基など）、ナフチル基などが挙げられる。
上記置換基としては、例えば、後述する置換基Ｑなどが挙げられる。
上記置換基は、得られる有機薄膜トランジスタの移動度がより優れる理由から、ヒドロキシ基以外の置換基であることが好ましい。
上記Ｒ1〜Ｒ4の少なくとも１つは、芳香族炭化水素基である。
上述のとおり、一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4は、ヒドロキシアルキル基ではない。ここで、ヒドロキシアルキル基は、ヒドロキシ基を有するアルキル基であり、例えば、ヒドロキシエチル基（−Ｃ2Ｈ4−ＯＨ）などが挙げられる。
上記Ｒ1〜Ｒ4のいずれかがヒドロキシアルキル基である場合、電極間を移動するキャリアをトラップする事になり、結果として、得られる有機薄膜トランジスタの移動度が低下する。
また、上述のとおり、一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4の全てが同時に水素原子であることはない。すなわち、Ｃn+はＮＨ4 +ではない。Ｃn+がＮＨ4 +である場合、遊離したアンモニアが揮発しやすいため、熱安定性が低下し、焼結などにより導電膜（電極）を形成したときに有機オニウム塩（Ｂ）が分解しやすくなる。結果として、得られる有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性が低下する。
一般式（Ａ）中、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。すなわち、Ｒ1〜Ｒ4からなる群より選択される２以上の基は互いに結合して環構造を形成してもよい。なお、本明細書において、互いに結合して環構造を形成するとは、２以上の基が任意の位置で単結合、二重結合、三重結合または２価の連結基を介して結合し、環構造を形成することを表す。
上記２価の連結基は特に制限されないが、例えば、−ＣＯ−、−ＮＨ−、−ＮＲ−（Ｒ：置換基（例えば、後述する置換基Ｑ））、−Ｏ−、−Ｓ−、またはこれらを組み合わせた基などが挙げられる。
以下に一般式（Ａ）で表されるカチオンの好適な態様を示す。ここで、Ｒpは、それぞれ独立に、上述したＲ1〜Ｒ4で表される基を表す。複数あるＲpは同一であっても異なってもよい。Ｒは、それぞれ独立に、水素原子または置換基（例えば、後述する置換基Ｑ）を表す。
一般式（Ｂ）中、Ｒ5は、置換基を有してもよい炭化水素基、−ＮＲ19Ｒ20、−Ｎ＝ＣＲ21Ｒ22、−ＣＲ23＝ＮＲ24、または、−ＣＲB1ＲB2−ＮＲB3ＲB4を表す。上記置換基を有してもよい炭化水素基の具体例および好適な態様は上述した一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4と同じである。
上記Ｒ19〜Ｒ24およびＲB1〜ＲB4は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。上記置換基を有してもよい炭化水素基の具体例および好適な態様は上述した一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4と同じである。Ｒ19およびＲ20は、互いに結合して環構造を形成してもよい。
一般式（Ｂ）中、Ｒ6は、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。上記置換基を有してもよい炭化水素基の具体例および好適な態様は上述した一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4と同じである。
Ｒ6は、有機オニウム塩（Ｂ）の還元電位がより高くなり、結果として、得られる有機薄膜トランジスタがより優れた絶縁信頼性を示す理由から、水素原子であることが好ましい。
一般式（Ｂ）中、Ｒ7は、水素原子、置換基を有してもよい炭化水素基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、または、−ＮＲ25Ｒ26を表す。上記置換基を有してもよい炭化水素基の具体例および好適な態様は上述した一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4と同じである。
上記Ｒ25およびＲ26は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基を表し、互いに結合して環構造を形成してもよい。上記置換基を有してもよい炭化水素基の具体例および好適な態様は上述した一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4と同じである。
一般式（Ｂ）中、Ｒ8は、水素原子、置換基を有してもよい炭化水素基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、−ＮＲ27Ｒ28、−Ｎ＝ＣＲ29Ｒ30、または、−ＣＲ31＝ＮＲ32を表す。上記置換基を有してもよい炭化水素基の具体例および好適な態様は上述した一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4と同じである。
上記Ｒ27〜Ｒ32は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。上記置換基を有してもよい炭化水素基の具体例および好適な態様は上述した一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4と同じである。Ｒ27およびＲ28は、互いに結合して環構造を形成してもよい。
ただし、一般式（Ｂ）中のＲ7およびＲ8の両方が同時にアルコキシ基、ヒドロキシ基、アルキルチオ基またはメルカプト基であることはない。
また、一般式（Ｂ）中のＲ5、Ｒ7およびＲ8の全てが同時に上記−ＮＲ19Ｒ20、上記−ＮＲ25Ｒ26または上記−ＮＲ27Ｒ28であることはない。すなわち、Ｒ5が上記−ＮＲ19Ｒ20であり、同時にＲ7が上記−ＮＲ25Ｒ26であり、同時にＲ8が上記−ＮＲ27Ｒ28であることはない。
一般式（Ｂ）中、Ｒ5〜Ｒ8は、それぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。すなわち、Ｒ5〜Ｒ8からなる群より選択される２以上の基は互いに結合して環構造を形成してもよい。
Ｒ5〜Ｒ8からなる群より選択される２以上の基は互いに結合して環構造を形成するのが好ましい。
Ｒ5が環構造を形成する場合、環構造中のＲ5に由来する２価の基は、下記一般式（ａ）〜（ｆ）からなる群より選択される基であることが好ましい。
Ｒ6が環構造を形成する場合、環構造中のＲ6に由来する２価の基は、下記一般式（ａ）〜（ｄ）からなる群より選択される２価の基であることが好ましい。
Ｒ7が環構造を形成する場合、環構造中のＲ7に由来する２価の基は、下記一般式（ａ）〜（ｅ）、（ｇ）および（ｈ）からなる群より選択される２価の基であることが好ましい。
Ｒ8が環構造を形成する場合、環構造中のＲ8に由来する２価の基は、下記一般式（ａ）〜（ｈ）からなる群より選択される２価の基であることが好ましい。
ただし、「環構造中のＲ7に由来する２価の基」および「環構造中のＲ8に由来する２価の基」の両方が同時に下記一般式（ｇ）または（ｈ）で表される基であることはない。また、「環構造中のＲ5に由来する２価の基」、「環構造中のＲ7に由来する２価の基」および「環構造中のＲ8に由来する２価の基」の全てが同時に下記一般式（ｅ）で表される基であることはない。
一般式（ａ）〜（ｆ）中、Ｒ35〜Ｒ48は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。置換基としては、例えば、後述する置換基Ｑなどが挙げられる。
一般式（ａ）〜（ｈ）中、アスタリスク（星印）は結合位置を表し、２つのアスタリスクのうち一方のアスタリスクは一般式（Ｂ）における各基の結合位置を表し、他方のアスタリスクは環構造を形成するために互いに結合する際の結合位置を表す。例えば、一般式（Ｂ）中のＲ5とＲ6とが互いに結合して環構造を形成し、環構造中のＲ5に由来する２価の基が一般式（ａ）で表される基であり、環構造中のＲ6に由来する２価の基が一般式（ｂ）で表される基である場合、一般式（ａ）および（ｂ）中の一方のアスタリスクは一般式（Ｂ）中のＮ+との結合位置を表し、一般式（ａ）および（ｂ）中の他方のアスタリスクはＲ5とＲ6とが互いに結合する際の結合位置を表す。
以下に一般式（Ｂ）で表されるカチオンの好適な態様を示す。ここで、Ｒpは、上述したＲ5またはＲ6で表される基を表し、Ｒsは、上述したＲ7またはＲ8で表される基を表し、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子または置換基（例えば、後述する置換基Ｑ）を表す。
一般式（Ｃ）中、Ｒ9は、置換基を有してもよい炭化水素基、または、−ＮＲC1ＲC2を表す。上記置換基を有してもよい炭化水素基の具体例および好適な態様は上述した一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4と同じである。
上記ＲC1およびＲC2は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。上記置換基を有してもよい炭化水素基の具体例および好適な態様は上述した一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4と同じである。
一般式（Ｃ）中、Ｒ10は、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。上記置換基を有してもよい炭化水素基の具体例および好適な態様は上述した一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4と同じである。
一般式（Ｃ）中、Ｒ11は、置換基を有してもよい炭化水素、−ＣＲ33＝ＮＲ34、または、−ＮＲC3ＲC4を表す。上記置換基を有してもよい炭化水素基の具体例および好適な態様は上述した一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4と同じである。
上記Ｒ33、Ｒ34、ＲC3およびＲC4は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。上記置換基を有してもよい炭化水素基の具体例および好適な態様は上述した一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4と同じである。
一般式（Ｃ）中、Ｒ9〜Ｒ11は、それぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。すなわち、Ｒ9〜Ｒ11からなる群より選択される２以上の基は互いに結合して環構造を形成してもよい。
以下に一般式（Ｃ）で表されるカチオンの好適な態様を示す。ここで、Ｒpは、上述したＲ9またはＲ10で表される基を表し、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子または置換基（例えば、後述する置換基Ｑ）を表す。
一般式（Ｄ）中、Ｒ12〜Ｒ15は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。上記置換基を有してもよい炭化水素基の具体例および好適な態様は上述した一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4と同じである。
有機オニウム塩（Ｂ）の還元電位がより高くなり、結果として、得られる有機薄膜トランジスタがより優れた絶縁信頼性を示す理由から、Ｒ12〜Ｒ15の少なくとも１つは、芳香族炭化水素基であることが好ましい。
ただし、一般式（Ｄ）中のＲ12〜Ｒ15の全てが同時に水素原子であることはない。すなわち、Ｃn+はＰＨ4 +ではない。Ｃn+がＰＨ4 +である場合、熱安定性が低下し、焼結などにより導電膜（電極）を形成したときに有機オニウム塩（Ｂ）が分解しやすくなる。結果として、得られる有機薄膜トランジスタの絶縁信頼性が低下する。
一般式（Ｄ）中、Ｒ12〜Ｒ15は、それぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。すなわち、Ｒ12〜Ｒ15からなる群より選択される２以上の基は互いに結合して環構造を形成してもよい。
一般式（Ｅ）中、Ｒ16〜Ｒ18は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。上記置換基を有してもよい炭化水素基の具体例および好適な態様は上述した一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4と同じである。
電極中での有機オニウム塩（Ｂ）の安定性の点で、Ｒ16〜Ｒ18の全てが同時に芳香族炭化水素基でない方が好ましい。すなわち、Ｒ16〜Ｒ18のうち少なくとも１つは芳香族炭化水素基以外の炭化水素基であることが好ましい。
一般式（Ｅ）中、Ｒ16〜Ｒ18は、それぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。すなわち、Ｒ16〜Ｒ18からなる群より選択される２以上の基は互いに結合して環構造を形成してもよい。
なお、上記Ｒ5〜Ｒ34、上記ＲB1〜ＲB4および上記ＲC1〜ＲC4は、ヒドロキシアルキル基であってもよい。
一般式（Ｉ）中のｎが２〜６の場合（すなわち、Ｃn+が２〜６価のカチオンの場合）、Ｃn+は、一般式（Ａ）〜（Ｅ）からなる群より選択されるカチオンを同一分子内に部分構造としてｎ個有するカチオンを表す。すなわち、一般式（Ｉ）中のｎが２〜６の場合、Ｃn+は、一般式（Ａ）〜（Ｅ）からなる群より選択されるカチオンから１以上の水素原子を除くことで得られる部分構造を同一分子内にｎ個有するカチオンを表す。なお、１種類の部分構造をｎ個有するカチオンであっても、２種類以上の部分構造を計ｎ個有するカチオンであってもよい。
一般式（Ｉ）中のｎが２〜６の場合、Ｃn+は、一般式（Ａ）〜（Ｅ）からなる群より選択されるｎ個のカチオン同士が、任意の位置で単結合、二重結合、三重結合または２価の連結基を介して結合したカチオンであることが好ましい。２価の連結基の具体例は上述のとおりである。なお、１種類のｎ個のカチオン同士が結合したカチオンであっても、２種類以上の計ｎ個のカチオン同士が結合したカチオンであってもよい。
（アニオン）
一般式（Ｉ）中、Ａm-は、ｍ価のアニオンを表す。ここで、ｍは１〜３の整数を表す。すなわち、Ａm-は、１〜３価のアニオンである。
上記Ａm-は、１〜３価のアニオンであれば特に制限されない。Ａm-の具体例としては、ＳＯ4 2-、ＲA2ＳＯ4 -、ＲA3ＳＯ3 -、ＰＯ4 3-、ＲA4ＰＯ4 2-、（ＲA5）2ＰＯ4 -、ＰＯ3 3-、ＲA6ＰＯ3 2-、（ＲA7）2ＰＯ3 -、［ＢＦ4］-、［Ｂ（ＣＮ）4］-、［Ｂ（Ｃ6Ｈ5）4］-、ＣＮ-、ＯＣＮ-、ＳＣＮ-、［ＲA8−ＣＯＯ］-、［（ＲA9−ＳＯ2）2Ｎ］-、Ｎ（ＣＮ）2 -、Ｃｌ-、Ｂｒ-、Ｉ-、ＰＦ6 -、ＲA1ＣＯ3 -、ＳｂＦ6 -、および、ＡｓＦ6 -などが挙げられる。
なかでも、ＳＯ4 2-、ＲA2ＳＯ4 -、ＲA3ＳＯ3 -、ＰＯ4 3-、ＲA4ＰＯ4 2-、（ＲA5）2ＰＯ4 -、ＰＯ3 3-、ＲA6ＰＯ3 2-、（ＲA7）2ＰＯ3 -、［ＢＦ4］-、［Ｂ（ＣＮ）4］-、［Ｂ（Ｃ6Ｈ5）4］-、ＣＮ-、ＯＣＮ-、ＳＣＮ-、［ＲA8−ＣＯＯ］-、［（ＲA9−ＳＯ2）2Ｎ］-およびＮ（ＣＮ）2 -からなる群より選択されるアニオンであることが好ましく、ＳＯ4 2-、ＲA2ＳＯ4 -およびＲA3ＳＯ3 -からなる群より選択されるアニオンであることがより好ましい。
ここで、ＲA1〜ＲA9は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を有してもよい炭化水素基を表す。上記置換基を有してもよい炭化水素基の具体例および好適な態様は上述した一般式（Ａ）中のＲ1〜Ｒ4と同じである。
上記ＲA2は、水素原子またはアルキル基であることが好ましい。
上記ＲA3は、置換基を有してもよいアルキル基（特に炭素数１〜１２のもの）または、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基（特に炭素数６〜１８のもの）であることが好ましい。
上記ＲA4およびＲA5は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基であることが好ましい。
一般式（Ｉ）中、ｃは１〜３の整数を表し、ａは１〜６の整数を表し、一般式（Ｉ）中、ｃ、ｎ、ａおよびｍは、ｃ×ｎ＝ａ×ｍの関係式を満たす。すなわち、有機オニウム塩（Ｂ）は、ｃ個のカチオン（Ｃn+）とａ個のアニオン（Ａm-）からなる電荷的に中性の塩である。
（置換基Ｑ）
本明細書における置換基Ｑとしては、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、複素環基、シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、複素環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、複素環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基、アルキルおよびアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリールおよび複素環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基、またはこれらの組み合わせなどが挙げられる。
さらに詳しくは、置換基Ｑとしては、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基〔（直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２−エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１．２．２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イル）、さらに環構造が多いトリシクロ構造なども包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。〕、
アルケニル基〔直鎖、分岐、環状の置換または無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換または無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換または無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２．２．２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。〕、アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）、
アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、複素環基（好ましくは５または６員の置換または無置換の、芳香族または非芳香族の複素環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３から３０の５員または６員の芳香族の複素環基である。例えば２−フラニル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリニル）、
シアノ基、ヒドロキシ基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフェノキシ、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ）、シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３から２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）、複素環オキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換の複素環オキシ基、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ）、アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ）、カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ）、アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−オクチルカルボニルオキシ）、アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）、
アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルアミノ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアニリノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）、アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）、アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアミノカルボニルアミノ、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）、スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０から３０の置換または無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）、アルキルおよびアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニルアミノ、炭素数６から３０の置換または無置換のアリールスルホニルアミノ、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）、
メルカプト基、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルチオ基、例えば、メチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオ）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリールチオ、例えば、フェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ）、複素環チオ基（好ましくは炭素数２から３０の置換または無置換の複素環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０から３０の置換または無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセチルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、Ｎ−（Ｎ‘−フェニルカルバモイル）スルファモイル）、スルホ基、アルキルおよびアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルフィニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）、
アルキルおよびアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のアルキルスルホニル基、６から３０の置換または無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、フェニルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）、アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換または無置換の炭素原子でカルボニル基と結合している複素環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル、２−ピリジルカルボニル、２−フリルカルボニル）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換または無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）、アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）、
カルバモイル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換または無置換のカルバモイル、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）、アリールおよび複素環アゾ基（好ましくは炭素数６から３０の置換または無置換のアリールアゾ基、炭素数３から３０の置換または無置換の複素環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、ｐ−クロロフェニルアゾ、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ）、イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）、ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）、ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）、ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）、ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換または無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）、シリル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換または無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）などが挙げられる。
本発明の組成物において、有機オニウム塩（Ｂ）の含有量は特に制限されないが、導電性粒子（Ａ）の含有量に対する有機オニウム塩（Ｂ）の含有量の割合は、０．１〜２０．０質量％であることが好ましく、得られる有機薄膜トランジスタがより優れた絶縁性を示し、また、より高い移動度を示す理由から、１．０〜１０．０質量％であることがより好ましく、３．０〜８．０質量％であることがさらに好ましい。
また、組成物全体に対する有機オニウム塩（Ｂ）の含有量は特に制限されないが、０．０１〜１５質量％であることが好ましく、０．５〜５．０質量％であることがより好ましく、なかでも、得られる有機薄膜トランジスタがより優れた絶縁性を示し、また、より高い移動度を示す理由から、１．０〜４．０質量％であることがさらに好ましい。
＜任意成分＞
（溶媒）
本発明の組成物は、粘度調節のし易さ、および、塗布性の観点から、溶媒を含有するのが好ましい。溶媒は、導電性粒子（Ａ）の分散媒として機能する。
溶媒の種類は特に制限されないが、例えば、水や、アルコール類、エーテル類、エステル類などの有機溶媒などを使用することができる。なかでも、水が好ましい。
溶媒の含有量は特に制限されないが、粘度の上昇が抑制され、取扱い性により優れる点から、組成物全体に対して、２０〜９０質量％であることが好ましい。
（その他の成分）
本発明の組成物には、上記各成分以外の成分が含有されていてもよい。例えば、本発明の組成物には、分散剤や界面活性剤などが含有されていてもよい。
＜導電膜形成用組成物の調製方法＞
本発明の組成物の調製方法は特に制限されず、公知の方法を採用できる。例えば、上記溶媒中に上記導電性粒子（Ａ）および上記有機オニウム塩（Ｂ）を添加した後、超音波法（例えば、超音波ホモジナイザーによる処理）、ミキサー法、３本ロール法、ボールミル法などの公知の手段により拡販するによって、組成物を得ることができる。
本発明の組成物は電界効果トランジスタ（特に有機薄膜トランジスタ）の電極を形成するための導電膜形成用組成物として有用である。電極は、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極のいずれであってもよいが、特に、ソース電極およびドレイン電極に有用である。
また、上述のとおり、本発明の組成物に含有される有機オニウム塩（Ｂ）は優れたマイグレーション抑制剤として働き、結果として、優れた絶縁信頼性をもたらすため、配線板（例えば、プリント配線板）などの配線を形成するための導電膜形成用組成物としても有用である。
［有機薄膜トランジスタ］
本発明の有機薄膜トランジスタは、上述した本発明の組成物を用いて形成された電極（特に、ソース電極およびドレイン電極）を備える有機薄膜トランジスタである。有機薄膜トランジスタは、ボトムコンタクト型（ボトムゲート−ボトムコンタクト型、トップゲート−ボトムコンタクト型）であっても、トップコンタクト型（ボトムゲート−トップコンタクト型、トップゲート−トップコンタクト型）であってもよい。
本発明の有機薄膜トランジスタの一態様について図面を参照して説明する。
図１は、本発明の有機薄膜トランジスタの一態様の断面模式図である。
図１において、有機薄膜トランジスタ１００は、基板１０と、ゲート電極２０と、ゲート絶縁膜３０と、ソース電極４０と、ドレイン電極４２と、有機半導体層５０と、封止層６０を備える。ここで、ソース電極４０およびドレイン電極４２は、上述した本発明の組成物を用いて形成されたものである。有機薄膜トランジスタ１００は、ボトムコンタクト型の有機薄膜トランジスタである。
以下、基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層および封止層並びにそれぞれの形成方法について詳述する。
＜基板＞
基板は、後述するゲート電極、ソース電極、ドレイン電極などを支持する役割を果たす。
基板の種類は特に制限されず、例えば、プラスチック基板、ガラス基板、セラミック基板などが挙げられる。なかでも、各デバイスへの適用性およびコストの観点から、ガラス基板またはプラスチック基板であることが好ましい。
プラスチック基板の材料としては、熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂（例えばＰＥＴ、ＰＥＮ）など）または熱可塑性樹脂（例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォンなど）が挙げられる。
セラミック基板の材料としては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、ジルコニア、シリコン、窒化シリコン、シリコンカーバイドなどが挙げられる。
ガラス基板の材料としては、例えば、ソーダガラス、カリガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、アルミケイ酸ガラス、鉛ガラスなどが挙げられる。
＜ゲート電極＞
ゲート電極の材料としては、例えば、金（Ａｕ）、銀、アルミニウム（Ａｌ）、銅、クロム、ニッケル、コバルト、チタン、白金、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ナトリウム等の金属；ＩｎＯ2、ＳｎＯ2、ＩＴＯ等の導電性の酸化物；ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン等の導電性高分子；シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素等の半導体；フラーレン、カーボンナノチューブ、グラファイト等の炭素材料などが挙げられる。なかでも、金属であることが好ましく、銀、アルミニウムであることがより好ましい。
ゲート電極の厚みは特に制限されないが、２０〜２００ｎｍであることが好ましい。
ゲート電極を形成する方法は特に制限されないが、例えば、基板上に、電極材料を真空蒸着またはスパッタする方法、電極形成用組成物を塗布または印刷する方法などが挙げられる。また、電極をパターニングする場合、パターニングする方法としては、例えば、フォトリソグラフィー法；インクジェット印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、凸版印刷等の印刷法；マスク蒸着法などが挙げられる。
＜ゲート絶縁膜＞
ゲート絶縁膜の材料としては、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリビニルフェノール、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリビニルアルコール、ポリ酢酸ビニル、ポリウレタン、ポリスルホン、ポリベンゾキサゾール、ポリシルセスキオキサン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等のポリマー；二酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン等の酸化物；窒化珪素等の窒化物などが挙げられる。これらの材料のうち、有機半導体層との相性から、ポリマーであることが好ましい。
ゲート絶縁膜の材料としてポリマーを用いる場合、架橋剤（例えば、メラミン）を併用するのが好ましい。架橋剤を併用することで、ポリマーが架橋されて、形成されるゲート絶縁膜の耐久性が向上する。
ゲート絶縁膜の膜厚は特に制限されないが、１００〜１０００ｎｍであることが好ましい。
ゲート絶縁膜を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極が形成された基板上に、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法、ゲート絶縁膜材料を蒸着またはスパッタする方法などが挙げられる。ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法は特に制限されず、公知の方法（バーコート法、スピンコート法、ナイフコート法、ドクターブレード法）を使用することができる。
ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布してゲート絶縁膜を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。
＜ソース電極、ドレイン電極＞
上述のとおり、ソース電極およびドレイン電極は、上述した本発明の組成物を用いて形成されたものである。
ソース電極およびドレイン電極のチャネル長は特に制限されないが、５〜１００μｍであることが好ましい。
ソース電極およびドレイン電極のチャネル幅は特に制限されないが、５０〜５００μｍであることが好ましい。
ソース電極およびドレイン電極を形成する方法は特に制限されないが、例えば、塗膜形成工程と焼結工程とを備える方法が挙げられる。以下に、それぞれの工程について説明する。
（塗膜形成工程）
本工程は、ゲート電極とゲート絶縁膜とが形成された基板上に、上述した本発明の組成物を塗布する工程である。
本発明の組成物を基板上に塗布して、塗膜を形成する方法は特に制限されず、公知の方法を採用できる。
塗布の方法としては、例えば、ダブルロールコータ、スリットコータ、エアナイフコータ、ワイヤーバーコータ、スライドホッパー、スプレーコータ、ブレードコータ、ドクターコータ、スクイズコータ、リバースロールコータ、トランスファーロールコータ、エクストロージョンコータ、カーテンコータ、ディップコーター、ダイコータ、グラビアロールによる塗工法、スクリーン印刷法、ディップコーティング法、スプレー塗布法、スピンコーティング法、インクジェット法などが挙げられる。
なお、基板上に本発明の組成物を塗布した後、必要に応じて、溶媒を除去するために乾燥処理を施してもよい。乾燥処理の方法としては従来公知の方法を使用することができる。
（焼結工程）
本工程は、上記塗膜形成工程で形成された塗膜に対して加熱熱や光照射などのエネルギー付与を行い、組成物中の導電性粒子（Ａ）を焼結し、導電膜を形成する工程である。
加熱の条件は特に制限されないが、加熱温度は１００〜３００℃が好ましく、加熱時間は１０〜６０分がより好ましい。
加熱手段は特に制限されず、オーブン、ホットプレート等公知の加熱手段を用いることができる。
光照射処理で使用される光源は特に制限されないが、例えば、水銀灯、メタルハライドランプ、キセノン（Ｘｅ）ランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯などが挙げられる。
＜有機半導体層＞
有機半導体層を構成する有機半導体材料としては特に制限されず、有機半導体トランジスタの有機半導体層として利用される公知の材料が利用可能である。具体的には、６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン（ＴＩＰＳペンタセン）、テトラメチルペンタセン、パーフルオロペンタセン等のペンタセン類、ＴＥＳ−ＡＤＴ、ｄｉＦ−ＴＥＳ−ＡＤＴ（２，８−ジフルオロ−５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラジチオフェン）等のアントラジチオフェン類、ＤＰｈ−ＢＴＢＴ、Ｃｎ−ＢＴＢＴ等のベンゾチエノベンゾチオフェン類、Ｃｎ−ＤＮＴＴ等のジナフトチエノチオフェン類、ペリキサンテノキサンテン等のジオキサアンタントレン類、ルブレン類、Ｃ６０、ＰＣＢＭ等のフラーレン類、銅フタロシアニン、フッ素化銅フタロシアニン等のフタロシアニン類、Ｐ３ＲＴ、ＰＱＴ、Ｐ３ＨＴ、ＰＱＴ等のポリチオフェン類、ポリ［２，５−ビス（３−ドデシルチオフェン−２−イル）チエノ［３，２−ｂ］チオフェン］（ＰＢＴＴＴ）等のポリチエノチオフェン類等が例示される。
有機半導体層の厚みは特に制限されないが、１０〜２００ｎｍであることが好ましい。
有機半導体層を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極とゲート絶縁膜とソース電極とドレイン電極とが形成された基板上に、有機半導体材料を溶媒に溶解させた有機半導体用組成物を塗布する方法などが挙げられる。有機半導体用組成物を塗布する方法の具体例は、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法と同じである。有機半導体用組成物を塗布して有機半導体層を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。
＜封止層＞
本発明の有機薄膜トランジスタは、耐久性の観点から、最外層に封止層を備えるのが好ましい。封止層には公知の封止剤を用いることができる。
封止層の厚みは特に制限されないが、０．２〜１０μｍであることが好ましい。
封止層を形成する方法は特に制限されないが、例えば、ゲート電極とゲート絶縁膜とソース電極とドレイン電極と有機半導体層とが形成された基板上に、封止層形成用組成物を塗布する方法などが挙げられる。封止層形成用組成物を塗布する方法の具体例は、ゲート絶縁膜形成用組成物を塗布する方法と同じである。封止層形成用組成物を塗布して有機半導体層を形成する場合、溶媒除去、架橋などを目的として、塗布後に加熱（ベーク）してもよい。
また、図２は、本発明の有機薄膜トランジスタの別の一態様の断面模式図である。
図２において、有機薄膜トランジスタ２００は、基板１０と、ゲート電極２０と、ゲート絶縁膜３０と、ソース電極４０と、ドレイン電極４２と、有機半導体層５０と、封止層６０を備える。ここで、ソース電極４０およびドレイン電極４２は、上述した本発明の組成物を用いて形成されたものである。有機薄膜トランジスタ２００は、トップコンタクト型の有機薄膜トランジスタである。
基板、ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極、有機半導体層および封止層については上述のとおりである。
以下に実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
＜銀インクＡ１の調製＞
分散剤としてＤｉｓｐｅｒｂｙｋ−１９０（ビックケミー社製）（不揮発物として７．３６ｇ）を水（１００ｍＬ）に溶解させた（溶液ａ）。次に、硝酸銀５０．００ｇ（２９４．３ｍｍｏｌ）を水（２００ｍＬ）に溶解させた（溶液ｂ）。溶液ａと溶液ｂとを混合し、攪拌した。得られた混合物に、８５質量％Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミン水溶液（７８．７１ｇ）（Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンとして７５０．５ｍｍｏｌ）を室温でゆっくり滴下した。さらに、Ｄｉｓｐｅｒｂｙｋ−１９０（７．３６ｇ）を水（１０００ｍＬ）に溶解させた溶液を室温でゆっくり滴下した。得られた懸濁液を限外濾過ユニット（ザルトリウス・ステディム社製ビバフロー５０、分画分子量：１０万、ユニット数：４個）に通し、限外濾過ユニットから約５Ｌの滲出液がでるまで精製水を通過させて精製した。精製水の供給を止め、濃縮し、５０ｇの銀ナノ粒子の分散液（銀インクＡ１）を得た。この銀インクＡ１中の固形分の含有量は３２質量％であった。また、固形分中の銀の含有量をＴＧ−ＤＴＡにて測定した所、９７．０質量％であった。
＜実施例１〜８、比較例１〜３＞
溶液ａと溶液ｂとを混合するときに、溶液ａおよび溶液ｂに加えて、第１表に示すマイグレーション抑制剤を、第１表に示す「銀インク全量に対するマイグレーション抑制剤の含有量の割合」となるように配合した以外は、銀インクＡ１の調製と同様の手順に従って、銀インクＡ２〜Ａ９（実施例１〜８の導電膜形成用組成物）および銀インクＡ１０〜Ａ１２（比較例１〜３の導電膜形成用組成物）を調製した。
＜絶縁信頼性の評価＞
ＦＲ４ガラエポ板にＡＢＦ−ＧＸ１３（味の素ファインテクノ社製）をラミネートした基板上へ銀インクＡ１を焼結後の膜厚が２００ｎｍになる様にＳＴＳ−２００（ワイディーメカトロソリューションズ社製）を用いてスプレーコーティング法により塗布した。その後、オーブンを用いて焼結し（２１０℃、１時間）、基板上に銀膜を形成した。形成された銀膜をフォトリソグラフィー法によりＬ／Ｓ＝４０／４０μｍの櫛形にエッチングし、櫛形状の銀膜（銀配線）を形成した。この時ドライフィルムレジストにはフォテックＨ−７０２５（日立化成社製）、銀エッチング液にはアグリップ９４０（メルテックス社製）を用いた。さらに、銀配線上にＣｙｔｏｐ ＣＴＬ１０７ＭＫ（ＡＧＣ社製）を乾燥後の膜厚が１μｍになる様にスピンコートし、その後オーブンで１４０℃、２０分間乾燥させ、封止層を形成して、絶縁信頼性評価用の配線基板を作製した。
得られた配線基板について、湿度８５％、温度８５℃、圧力１．０ａｔｍ、電圧７０Ｖの条件で寿命試験（使用装置：エスペック社製、ＥＨＳ−２２１ＭＤ）を行った。具体的には、上記環境下で、隣り合った銀配線に上記電圧を印加した。そして、エレクトロケミカルマイグレーションによって銀配線間が短絡するまでの時間（銀配線間の抵抗値が１×１０5Ωになるまでの時間Ｔ）を測定した。銀インクＡ１を用いた場合の時間ＴをＴ１（基準）とする。
次に、マイグレーション抑制剤を添加した銀インクＡ２〜Ａ１２（実施例および比較例の導電膜形成用組成物）を用いて、銀インクＡ１と同様に、絶縁信頼性評価用の配線基板を作製し、寿命測定を行った。銀インクＡｎ（ｎ＝２〜１２）を用いた場合の時間ＴをＴｎとする。
銀インクＡ２〜Ａ１２（実施例および比較例の導電膜形成用組成物）について、Ｔｎ／Ｔ１を算出し、以下の基準にしたがって、絶縁信頼性を評価した。結果を第１表に示す。実用上、Ａ〜Ｃであることが好ましく、ＡまたはＢであることがより好ましく、Ａであることがさらに好ましい。
「Ａ」：Ｔｎ／Ｔ１≧５の場合
「Ｂ」：５＞Ｔｎ／Ｔ１≧２の場合
「Ｃ」：２＞Ｔｎ／Ｔ１＞１の場合
「Ｄ」：１≧Ｔｎ／Ｔ１の場合
＜移動度の評価＞
ガラス基板（イーグルＸＧ：コーニング社製）上に、ゲート電極となるＡｌを蒸着した（厚み：５０ｎｍ）。その上にゲート絶縁膜形成用組成物（ポリビニルフェノール／メラミン＝１質量部／１質量部（ｗ／ｗ）のＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）溶液（固形分濃度：２質量％））をスピンコートし、その後、１５０℃で６０分間ベークを行い、膜厚４００ｎｍのゲート絶縁膜を形成した。その上に銀インクＡ１をインクジェット装置ＤＭＰ−２８３１（富士フイルムダイマティクス社製）を用いてソース電極およびドレイン電極状（チャネル長４０μｍ、チャネル幅２００μｍ）に描画した。その後オーブンにて１８０℃、３０分ベークを行い、焼結して、ソース電極およびドレイン電極を形成した。その上に２，８−ジフルオロ−５，１１−ビス（トリエチルシリルエチニル）アントラジチオフェン（ＡＬＤＲＩＣＨ社製）のトルエン溶液をスピンコートし、１４０℃で１５分間ベークを行い、厚み１００ｎｍの有機半導体層を形成した。その上にＣｙｔｏｐ ＣＴＬ−１０７ＭＫ（ＡＧＣ社製）をスピンコートし、１４０℃で２０分間ベークを行い、厚み２μｍの封止層（最上層）を形成して、有機薄膜トランジスタ（ボトムコンタクト型）を作製した。
得られた有機薄膜トランジスタの各電極と、半導体パラメータ・アナライザ（４１５５Ｃ、Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ社製）に接続されたマニュアルプローバの各端子とを接続して、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）の評価を行なった。具体的には、ドレイン電流−ゲート電圧（Ｉｄ‐Ｖｇ）特性を測定することにより電界効果移動度（［ｃｍ2／Ｖ・ｓｅｃ］）を算出した。同様に計５つの有機薄膜トランジスタを作製し、電界効果移動度を算出した。ソース電極およびドレイン電極に銀インクＡ１を用いた５つの有機薄膜トランジスタの電界効果移動度の平均値をμ１とする。
次に、マイグレーション抑制剤を添加した銀インクＡ２〜Ａ１２（実施例および比較例の導電膜形成用組成物）を用いて、銀インクＡ１と同様に、有機薄膜トランジスタを作製し、電界効果移動度の平均値を算出した。銀インクＡｎ（ｎ＝２〜１２）を用いた場合の電界効果移動度の平均値をμｎとする。
銀インクＡ２〜Ａ１２（実施例および比較例の導電膜形成用組成物）について、μｎ／μ１を算出し、以下の基準にしたがって、移動度を評価した。結果を第１表に示す。実用上、Ａ〜Ｃであることが好ましく、ＡまたはＢであることがより好ましく、Ａであることがさらに好ましい。
「Ａ」：μｎ／μ１≧０．８
「Ｂ」：０．８＞μｎ／μ１≧０．５
「Ｃ」：０．５＞μｎ／μ１≧０．１
「Ｄ」：０．１＞μｎ／μ１
＜還元電位の測定＞
第１表に示す各マイグレーション抑制剤（Ｍ１〜Ｍ９）について還元電位を測定した。
具体的には、アルゴン下で蒸留したアセトニトリルにマイグレーション抑制剤を溶解させた溶液（有機オニウム塩の濃度：０．１Ｍ）について、電気化学アナライザーＶＭＰ３（Ｂｉｏ−Ｌｏｇｉｃ Ｓｃｉｅｎｃｅ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製）を用いてサイクリックボルタモメトリー法（以下条件）により還元電位（電流値が１ｍＡ／ｃｍ2になったときの電位）を測定した。結果を第１表に示す。
・作用電極：グラッシーカーボン電極（ビーエーエス社製）
・対極：白金電極
・参照電極：Ａｇ／Ａｇ+電極（ビーエーエス社製、型番ＲＥ−７）
・測定温度：２５℃
・走査速度：５ｍＶ
なお、Ｍ７〜Ｍ９の還元電位はアセトニトリルの電位窓（−３．２Ｖ以上）から外れていた。すなわち、Ｍ７〜Ｍ９の還元電位は−３．２Ｖ未満であった。
第１表中のマイグレーション抑制剤の詳細は以下のとおりである。
・Ｍ１：トシル酸１−エチル−３−メチルイミダゾリニウム塩
・Ｍ２：トシル酸Ｎ−メチルピリジニウム塩
・Ｍ３：トシル酸ピリジニウム塩
・Ｍ４：トシル酸Ｎ−メチル４−シアノピリジニウム塩
・Ｍ５：トシル酸ジメチルフェニルアンモニウム塩
・Ｍ６：１−ブチル−３−メチルイミダゾリニウムヘキサフルオロフォスフェート
・Ｍ７：テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムクロライド
・Ｍ８：テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムブロマイド
・Ｍ９：テトラメチルアンモニウムヘキサフルオロフォスフェート
第１表から分かるように、有機オニウム塩（Ｂ）を含有する実施例１〜８の導電膜形成用組成物を用いて電極を形成した有機薄膜トランジスタはいずれも優れた絶縁信頼性および高い移動度を示した。
実施例３と４との対比から、組成物全体に対する有機オニウム塩（Ｂ）の含有量の割合（銀インク全量に対するマイグレーション抑制剤の含有量の割合）が１．０質量％以上である実施例４の方がより優れた絶縁信頼性を示した。
また、実施例１と２との対比から、組成物全体に対する有機オニウム塩（Ｂ）の含有量の割合（銀インク全量に対するマイグレーション抑制剤の含有量の割合）が４．０質量％以下である実施例１の方がより高い移動度を示した。
また、実施例１と４〜８との対比から、有機オニウム塩（Ｂ）の還元電位が−２．５０Ｖ以上である実施例１および４〜７の方がより高い移動度を示した。なかでも、有機オニウム塩（Ｂ）の還元電位が−２．００Ｖ以上である実施例４〜７はより優れた絶縁信頼性を示した。そのなかでも、有機オニウム塩（Ｂ）の還元電位が−１．５０Ｖ以上である実施例５〜７はさらに優れた絶縁信頼性を示した。
また、実施例１および４〜８の対比から、有機オニウム塩（Ｂ）が一般式（Ｉ）で表される化合物であり、かつ、一般式（Ｉ）中のＡm-がＳＯ4 2-、ＲA2ＳＯ4 -およびＲA3ＳＯ3 -からなる群より選択されるアニオンである実施例１および４〜７の方がより高い移動度を示した。
また、実施例１と４〜６との対比から、有機オニウム塩（Ｂ）が一般式（Ｉ）で表される化合物であり、かつ、一般式（Ｉ）中のＣn+が一般式（Ｂ）で表されるカチオンであり、かつ、一般式（Ｂ）で表されるカチオンがピリジニウムイオンである実施例４〜６の方がより優れた絶縁信頼性を示した。なかでも、一般式（Ｂ）中のＲ6が水素原子である実施例５および６の方がさらに優れた絶縁信頼性を示した。
一方、有機オニウム塩（Ｂ）を含有しない比較例１〜３の導電膜形成用組成物を用いて電極を形成した有機薄膜トランジスタは絶縁信頼性および／または移動度が不十分であった。
１０：基板
２０：ゲート電極
３０：ゲート絶縁膜
４０：ソース電極
４２：ドレイン電極
５０：有機半導体層
６０：封止層
１００、２００：有機薄膜トランジスタ

Claims (10)

  1. 導電性粒子（Ａ）と、還元電位が−２．６０Ｖより高い有機オニウム塩（Ｂ）とを含有する、導電膜形成用組成物。
  2. 前記有機オニウム塩（Ｂ）が、下記一般式（Ｉ）で表される化合物である、請求項１に記載の導電膜形成用組成物。
    ｃＣn+ａＡm- 一般式（Ｉ）
    （一般式（Ｉ）中、Ｃn+は、ｎ価のカチオンを表す。ｎは、１〜６の整数を表す。ｎが１の場合、Ｃn+は、下記一般式（Ａ）〜（Ｅ）からなる群より選択されるカチオンを表す。ｎが２〜６の場合、Ｃn+は、下記一般式（Ａ）〜（Ｅ）からなる群より選択されるカチオンを同一カチオン分子内に部分構造としてｎ個有するカチオンを表す。
    Ａm-は、ｍ価のアニオンを表す。ｍは１〜３の整数を表す。
    ｃは１〜３の整数を表し、ａは１〜６の整数を表し、ｃ、ｎ、ａおよびｍは、ｃ×ｎ＝ａ×ｍの関係式を満たす。）
    （一般式（Ａ）中、Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基（ただし、ヒドロキシアルキル基を除く）を表す。ただし、Ｒ1〜Ｒ4の全てが同時に水素原子であることはない。Ｒ1〜Ｒ4の少なくとも１つは、芳香族炭化水素基である。Ｒ1〜Ｒ4は、それぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。）
    （一般式（Ｂ）中、Ｒ5は、置換基を有してもよい炭化水素基、−ＮＲ19Ｒ20、−Ｎ＝ＣＲ21Ｒ22、−ＣＲ23＝ＮＲ24、または、−ＣＲB1ＲB2−ＮＲB3ＲB4を表す。ここで、Ｒ19〜Ｒ24およびＲB1〜ＲB4は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。Ｒ19およびＲ20は、互いに結合して環構造を形成してもよい。
    Ｒ6は、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。
    Ｒ7は、水素原子、置換基を有してもよい炭化水素基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、または、−ＮＲ25Ｒ26を表す。ここで、Ｒ25およびＲ26は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基を表し、互いに結合して環構造を形成してもよい。
    Ｒ8は、水素原子、置換基を有してもよい炭化水素基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、−ＮＲ27Ｒ28、−Ｎ＝ＣＲ29Ｒ30、または、−ＣＲ31＝ＮＲ32を表す。ここで、Ｒ27〜Ｒ32は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。Ｒ27およびＲ28は、互いに結合して環構造を形成してもよい。
    ただし、Ｒ7およびＲ8の両方が同時にアルコキシ基、ヒドロキシ基、アルキルチオ基またはメルカプト基であることはなく、Ｒ5、Ｒ7およびＲ8の全てが同時に−ＮＲ19Ｒ20、−ＮＲ25Ｒ26または−ＮＲ27Ｒ28であることはない。
    Ｒ5〜Ｒ8は、それぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。）
    （一般式（Ｃ）中、Ｒ9は、置換基を有してもよい炭化水素基、または、−ＮＲC1ＲC2を表す。ここで、ＲC1およびＲC2は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。
    Ｒ10は、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。
    Ｒ11は、置換基を有してもよい炭化水素、−ＣＲ33＝ＮＲ34、または、−ＮＲC3ＲC4を表す。ここで、Ｒ33、Ｒ34、ＲC3およびＲC4は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。
    Ｒ9〜Ｒ11は、それぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。）
    （一般式（Ｄ）中、Ｒ12〜Ｒ15は、それぞれ独立に、水素原子、または、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。ただし、Ｒ12〜Ｒ15の全てが同時に水素原子であることはない。Ｒ12〜Ｒ15は、それぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。）
    （一般式（Ｅ）中、Ｒ16〜Ｒ18は、それぞれ独立に、置換基を有してもよい炭化水素基を表す。Ｒ16〜Ｒ18は、それぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。）
  3. 前記導電性粒子（Ａ）が、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、ＮｉおよびＴａからなる群より選択される金属の粒子である、請求項１または２に記載の導電膜形成用組成物。
  4. 前記一般式（Ｉ）中、Ａm-が、ＳＯ4 2-、ＲA2ＳＯ4 -、ＲA3ＳＯ3 -、ＰＯ4 3-、ＲA4ＰＯ4 2-、（ＲA5）2ＰＯ4 -、ＰＯ3 3-、ＲA6ＰＯ3 2-、（ＲA7）2ＰＯ3 -、［ＢＦ4］-、［Ｂ（ＣＮ）4］-、［Ｂ（Ｃ6Ｈ5）4］-、ＣＮ-、ＯＣＮ-、ＳＣＮ-、［ＲA8−ＣＯＯ］-、［（ＲA9−ＳＯ2）2Ｎ］-およびＮ（ＣＮ）2 -からなる群より選択されるアニオン（ここで、ＲA2〜ＲA9は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を有してもよい炭化水素基を表す）である、請求項２または３に記載の導電膜形成用組成物。
  5. 前記一般式（Ｉ）中、Ａm-が、ＳＯ4 2-、ＲA2ＳＯ4 -およびＲA3ＳＯ3 -からなる群より選択されるアニオン（ここで、ＲA2およびＲA3は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を有してもよい炭化水素基を表す）である、請求項２〜４のいずれか１項に記載の導電膜形成用組成物。
  6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電膜形成用組成物を用いて形成された導電膜。
  7. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電膜形成用組成物を用いて形成された電極を備える、有機薄膜トランジスタ。
  8. 請求項７に記載の有機薄膜トランジスタを使用した、電子ペーパー。
  9. 請求項７に記載の有機薄膜トランジスタを使用した、ディスプレイデバイス。
  10. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電膜形成用組成物を用いて形成された配線を備える、配線板。
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