JP2015138902A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】発光装置を、基板の平面形状も厚さも増加することなく、小型で充分な絶縁耐圧が得られるようにする。
【解決手段】絶縁材である基板１の表面上に複数の発光素子であるＬＥＤ１３が配置し、その各ＬＥＤ１３を封止部材１５によって封止している。その基板１上にリード電極１２が形成され、その配線パターン部１２ａがＬＥＤ１３と電気的に接続され、封止部材１５の外部に延びる外部接続端子部１２ｂが、外部の給電回路と電気的に接続可能である。そのリード電極１２と基板１の表面側端縁１ａとの間に絶縁材からなる凸壁２Ａを設け、その凸壁２Ａは、基板１の表面からその厚さ方向に突出し、リード電極１２の基板１の表面側端縁１ａに沿う方向の両端よりそれぞれ長く延びている。その凸壁２Ａによって、外部接続端子部１２ｂと外部の導電性部材２０との間の沿面距離を長くして、絶縁耐圧を高める。
【選択図】 図３

Description

この発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージのように、基板上に１個あるいは複数個の発光素子を配置して封止した発光装置に関する。

ＬＥＤ等の発光素子を搭載した上述のような発光装置は、各種表示装置のバックライト光源や、照明用光源などに多用されるようになっている。
従来のＬＥＤパッケージ等の表面実装型発光装置は、一般に絶縁材の基板あるいはアルミニウム基材の表面側にガラス添加エポキシ樹脂（「ガラエポ」と略称される）のような絶縁材を接着した基板上に、配線パターンを形成している。その基板上に発光素子を配置（搭載）した後、その発光素子の電極と配線パターンとをワイヤボンディングで接続し、それらを透明な樹脂等の封止部材で封止している。その発光素子に給電できるようにするためには、配線パターンと連続するか又はそれと接続したリード電極を封止部材の外部に露出させ、その露出したリード電極を外部の給電回路（電源や駆動回路）に接続する必要がある（特許文献１参照）。

そのような従来の発光装置の典型的な例を図１１〜図１３によって説明する。図１１はその発光装置の要部断面図、図１２はその外観を示す斜視図、図１３は同じくその発光装置を封止部材を除去して示す平面図である。

この発光装置１０は、絶縁材からなる基板１１上に、配線パターンを兼ねたリード電極１２が形成され、複数個の発光素子であるチップ状のＬＥＤ１３が配置されており、それらの各ＬＥＤ１３が直接又は間接的に、金線１４によるワイヤボンディングでリード電極１２の配線パターン部１２ａに接続されている。それらが透明な封止部材１５で封止され、リード電極１２の外部接続端子部１２ｂが封止部材１５から露出して基板１１の表面側端縁１１ａの方向へ延びている。
その外部接続端子部１２ｂに接続線１６を半田付けして外部の図示していない給電回路と接続する。

特開２００４−３１１４６７号公報（第６−７頁、図１）

このような発光装置１０は、導電性の支持部材等の接地された導電性部材２０上に搭載されても充分な絶縁性を保持する必要がある。そのため、基板１１としてセラミック基板やアルミナ基板などを使用すれば、基板１１を通しての絶縁耐圧は充分得られる。例えば、アルミナの絶縁特性は１０〜１６ｋＶ／ｍｍであり、３００μｍ程度の厚さのアルミナ基板でも４ｋＶ程度の絶縁耐圧が得られる。また、ガラエポ基板でも絶縁特性は２０〜３０ｋＶ／ｍｍであり、２００μｍ程度の厚さで４ｋＶの絶縁耐圧が得られる。

これに対して、空気の絶縁破壊電圧は３．５ｋＶ／ｍｍと云われている。そのため、図１１に示すリード電極１２の外部接続端子部１２ｂから基板１１の表面側端縁１１ａまでの寸法ｅと、その表面側端縁１１ａから導電部材２０までの寸法ａ（基板１１の厚さ）が充分ないと、リード電極１２に高電圧が印加された場合に絶縁破壊が生じる恐れがある。
すなわち、基板１１の端部表面１１ｂと端面１１ｃとに沿って空気を通して矢示Ｓで示
すように沿面放電が発生し、絶縁破壊してしまう。

例えば、寸法ａとｅがそれぞれ３００μｍとすると、a＋ｅ＝６００μｍであるから、３．５×６００／１０００=２．１ｋＶで絶縁破壊してしまう。
そのため、絶縁耐圧（耐電圧）は２．１ｋＶ未満であり、高電圧を印加する必要がある場合には、絶縁耐圧が充分とはいえないという問題があった。

そこで、発光装置の絶縁耐圧を高めるためには、上記寸法ａ＋ｅによる沿面距離を長くする必要があり、基板の厚さを厚くするか、基板の平面形状を大きくすることになる。しかし、基板を厚くすると発光素子が発する熱の放熱性が悪くなる。
そのため、従来のこの種の発光装置は、一般に図１２及び図１３に示すように、基板１１の平面形状を大きくし、リード電極１２の外部接続端子部１２ａから基板１１の表面側端縁１１ａまでの寸法ｅを大きくして沿面距離を長くし、必要な絶縁耐圧を得るようにしている。
そのため、パッケージのサイズが大きくなり、コスト高になるばかりか発光装置の小型化を図れず、多数の発光装置を搭載して照明装置を製造するような場合に、その搭載密度が制約されてしまうなどの問題があった。

この発明は上記のような問題を解消するためになされたものであり、上記のような発光装置を、基板の平面形状も厚さも増加することなく、小型で充分な絶縁耐圧が得られるようにすることを目的とする。

この発明による発光装置は、少なくとも表面側が絶縁材である基板と、その基板の表面上に配置された発光素子と、その発光素子を封止する封止部材と、その封止部材の外部に延びて上記基板の表面上に設けられ、上記発光素子と電気的に接続し、外部の給電回路と電気的に接続可能なリード電極とを有する発光装置であって、上記の目的を達成するため、上記リード電極と上記基板の表面側端縁との間に絶縁材からなる凸壁を設け、その凸壁は上記基板の表面からその厚さ方向に突出し、且つ上記リード電極における上記基板の表面側端縁に沿う方向の両端よりそれぞれ長く延びていることを特徴とする。

上記凸壁は、上記リード電極における上記基板の表面側端縁に沿う方向の両端よりそれぞれ、基板の表面から突出する高さ寸法の２倍に相当する長さ以上長く延びているのが望ましい。
その凸壁を、上記基板の表面側端縁における上記リード電極が接近している領域に沿ってのみ設けてもよい。あるいは、その凸壁を、上記基板の表面側端縁の全周に沿って設けてもよい。

上記基板はアルミナで形成することができ、上記基板と凸壁とを一体に成形することもできる。
上記基板の表面上に複数個の発光素子を配置し、その複数個の発光素子を共通の封止部材によって封止してもよい。上記発光素子が発光ダイオード（ＬＥＤ）であるとよい。

この発明による発光装置は、上記リード電極と基板の表面側端縁との間に設けた絶縁材からなる凸壁によって、リード電極の端部と外部の導電部材との間の沿面距離を増加させることができるので、基板の平面形状も厚さも増加することなく、高い絶縁耐圧を得ることができる。したがって、高耐電圧の発光装置の小型化を実現できる。

この発明による発光装置の第１の実施形態の外観を示す斜視図である。 同じくその発光装置を封止部材を除去して示す平面図である。 同じくその発光装置の要部断面図である。 図３に示した各寸法と沿面距離の具体例を示す表図である。 この発明による発光装置の第２の実施形態の図３と同様な要部断面図である。 図５に示した各寸法と沿面距離の具体例を示す表図である。 この発明による発光装置の第３の実施形態の外観を示す斜視図である。 同じくその発光装置を封止部材を除去して示す平面図である。 この発明による発光装置の第４の実施形態の外観を示す斜視図である。 同じくその発光装置を封止部材を除去して示す平面図である。 この発明の対象とする発光装置の従来例の要部断面図である。 その発光装置の外観を示す斜視図である。 同じくその発光装置を封止部材を除去して示す平面図である。

以下、この発明を実施するための形態を図面に基づいて具体的に説明する。
〔第１の実施形態〕
そこで、この発明による発光装置の第１の実施形態について、図１から図４によって説明する。図１はその発光装置の外観を示す斜視図で、図２はその発光装置を封止部材を除去して示す平面図、図３はその発光装置の要部断面図である。これらの図において、図１１〜図１３に示した各部と同等な部分には同じ符号を付している。図４は図３に示した各寸法と沿面距離の具体例を示す表図である。

この発光装置１０Ａは、アルミナ粉末を焼結して成形した絶縁材である基板１を使用している。そして、その基板１上に、前述した従来の発光装置１０と同様に、配線パターンを兼ねたリード電極１２が形成され、複数個の発光素子であるチップ状の発光ダイオード（ＬＥＤ）１３が配置されている。それらの各ＬＥＤ１３が直接又は間接的に、金線１４によるワイヤボンディングでリード電極１２の配線パターン部１２ａに電気的に接続されている。それらが封止部材１５で封止され、リード電極１２の外部接続端子部１２ｂが封止部材１５から露出して基板の端縁方向へ延びており、外部の給電回路と電気的に接続可能になっている。

この実施形態では図２に明示するように、基板上の封止部材１５によって封止を施す円形の領域（仮想線で示す）内に多数のＬＥＤ１３が配置されて接着されている。その円形の領域を囲むように、一対のリード電極１２の円弧状の配線パターン部１２ａが対向して形成されている。そのリード電極１２は、各配線パターン部１２ａから基板の共通の対角線に沿ってそれぞれ各対角点に向かうように延びて、直角三角形状の外部接続端子部１２ｂを形成している。
その外部接続端子部１２ｂは、図１１に示したように、接続線１６を半田付けして外部の給電回路と電気的に接続可能な正負一対の端子である。

このリード電極１２は、導電性のよい金属材料でパターン形成され、例えば、１０μｍの銅（Ｃｕ）膜上に５μｍのニッケル（Ｎｉ）膜が、さらにその上に１μｍの金（Ａｕ）膜が積層して形成される。
多数のＬＥＤ１３の配線は、直列接続と並列接続を適宜組み合わせて行うことができるが、この例では、一対のリード電極１２の円弧状の配線パターン部１２ａ間に、４個直列に接続したＬＥＤ列を４列並列に接続している。各ＬＥＤ１３はＧａＮ系半導体材料で形成された青色の光を発する半導体発光素子である。

そして、各リード電極１２の直角三角形状の外部接続端子部１２ｂと基板１の表面側端
縁１ａとの間に、それぞれ絶縁材からなる凸壁２Ａを設けている。その凸壁２Ａは、基板１の表面からその厚さ方向に突出し、且つリード電極１２における外部接続端子部１２ｂの基板１の表面側端縁１ａに沿う方向の両端よりそれぞれ長く延びている。
この第１の実施形態では、図１及び図２に明示するように、平面形状がほぼ正方形の基板１の表面側端縁１ａの全周に沿って凸壁２Ａを形成し、その対角点の２つのコーナ部で、それぞれリード電極１２の外部接続端子部１２ｂと対峙している。

また、その凸壁２Ａはアルミナ粉末を焼結して基板１と一体に成形されている。したがって、基板１の全周に亘って絶縁材の凸壁２Ａを容易に形成することができる。
この基板１と凸壁２Ａを、上述のアルミナ以外のセラミックスあるいは樹脂などの絶縁材によって一体成形することもできる。あるいは、基板１と凸壁２Ａを同じ絶縁材又は異なる絶縁材によって個別に形成して、接着などによって一体化するようにしてもよい。
但し、基板１は、この発光装置１０Ａの機械的強度を保ち、且つ絶縁性と放熱性の要求を満たす必要がある。なお、凸壁２Ａはどのような色でも構わないが、ＬＥＤ１３より発せられた光が凸壁２Ａに当たった際に起こる光の吸収を減らすために、透明、または白色であることが好ましい。

封止部材１５には透明度が高い樹脂、例えばエポキシ樹脂、ＡＢＳ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂などを使用し、拡散材や蛍光体を分散させてもよい。例えば、青色発光のＬＥＤを用いて擬似的に白色光を出射させる場合、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）系蛍光体を透明な樹脂に分散させた封止部材を使用するとよい。それによって、ＬＥＤ１３の青色発光による青色光の一部がその蛍光体に吸収されて波長変換され、補色の黄色光を発色する。そのため、ＬＥＤ１３からの青色光と蛍光体からの黄色光とが混色して擬似的な白色光になって出射する。
また、この封止部材１５上に、プラスチック又はガラスからなるレンズ等の光学部材を設けることもできる。

この発光装置１０Ａでは、図３に示すように、リード電極１２の外部接続端子部１２ｂと、導電性の支持部材等の導電性部材２０との間の空気中を通しての放電経路は、凸壁２Ａを乗り越えなければならない。したがって、基板１の厚さ寸法をａ、凸壁２Ａの基板１の表面からの高さ寸法をｂ、凸壁２Ａの幅寸法をｃとすると、放電経路長となる沿面距離は、最短でもａ＋２ｂ＋ｃになる。すなわち、凸壁２Ａが無い図１１に示した例と比べて、ｃ＝ｅだった場合でも凸壁２Ａの高さ寸法ｂの２倍だけ沿面距離が長くなり、それだけ絶縁耐圧（耐電圧）が高くなることが明らかである。

図４にその具体的な数値例を示す。基板１の厚さ寸法ａが３００μｍ、凸壁２Ａの高さ寸法ｂが２００μｍ、凸壁２Ａの幅寸法ｃが３００μｍの場合、その全体の沿面距離は、ａ＋２ｂ＋ｃ＝３００μｍ＋４００μｍ＋３００μｍ＝１０００μｍ（＝１ｍｍ）になる。
したがって、空気の絶縁破壊電圧が３．５ｋＶ／ｍｍとすると、３．５ｋＶで絶縁破壊するので、３．４ｋＶ／ｍｍ程度の絶縁耐圧があることになる。

すなわち、図１１に示した例の場合の絶縁耐圧が２．１ｋＶ未満であったのに比べて、絶縁耐圧が大幅に向上したことが分かる。
必要な絶縁耐圧に応じて、凸壁２Ａの高さを変更すれば、基板１の厚さや平面形状を大きくすることなく所望の絶縁耐圧を容易に確保することができる。したがって、小型で絶縁耐圧が充分高い発光装置を実現できる。なお、必要な絶縁耐圧が確保されるのであれば、凸壁２Ａの高さは封止部材１５よりも低いことが好ましい。凸壁２Ａの高さが封止部材１５より高いことによって、実装するためのスペースがより多く必要となると共に、凸壁２Ａに当たって減衰する光が多くなる為である。

〔第２の実施形態〕
次に、この発明による発光装置の第２の実施形態を図５及び図６によって説明する。図５はその発光装置の図３と同様な要部断面図、図６は図５に示した各寸法と沿面距離の具体例を示す表図である。図５において、図３の各部と同等な部分には同一の符号を付してあり、それらの説明は省略する。

この第２の実施形態の発光装置１０Ｂが前述した第１の実施形態の発光装置１０Ａと相異するのは、基板３と凸壁２Ｂだけである。
図５に示す発光装置１０Ｂの基板３は、アルミニウム板３１上にガラス添加エポキシ樹脂等の絶縁材層３２を、接着剤３３によって接着して構成されている。したがって、この基板３も少なくとも表面側は絶縁材である。
その絶縁材層３２上にリード電極１２を形成し、ＬＥＤ１３を搭載するとともに、凸壁２Ｂを設けている。

凸壁２Ｂは、アルミナ粉末やセラミックスあるいは樹脂などの絶縁材によって形成され、基板３の絶縁材層３２上における、リード電極１２の外部接続端子部１２ｂと基板１の表面側端縁３ａとの間に接着される。この凸壁２Ｂは、第１の実施形態における凸壁２Ａと同様に、基板３の表面側端縁３ａの全周に沿って設けてもよい。あるいは、後述する第３、第４の実施形態のように、基板３の表面側端縁３ａにおけるリード電極１２が接近している領域に沿ってのみ設けるようにしてもよい。その場合、凸壁２Ｂはリード電極１２の外部接続端子部１２ｂにおける基板３の表面側端縁３ａに沿う方向の両端よりそれぞれ長く延びていることが必要である。

この発光装置１０Ｂでは、図５から分かるように、基板外の接地された導電性部材２０上に接触する基板３のアルミニウム板３１も導電部材である。そのため、リード電極１２の外部接続端子部１２ｂとアルミニウム板３１との間で空気中を通して放電する恐れがある。しかし、その放電経路は凸壁２Ｂを乗り越えなければならない。そのため、基板３の絶縁材部分（絶縁材層３２と接着剤３３の層）の厚さ寸法をｄ、凸壁２Ｂの基板１の表面からの高さ寸法をｈ、凸壁２Ｂの幅寸法をｃとすると、放電経路長となる沿面距離は最短でもｄ＋２ｈ＋ｃになる。

図６にその具体的な数値例を示す。基板３の絶縁材部分の厚さ寸法ｄが２００μｍ、凸壁２Ｂの高さ寸法ｈが２５０μｍ、凸壁２Ｂの幅寸法ｃが３００μｍの場合、その全体の沿面距離は、ｄ＋２ｈ＋ｃ＝２００μｍ＋５００μｍ＋３００μｍ＝１０００μｍ（＝１ｍｍ）になる。
したがって、この発光装置１０Ｂによっても、凸壁２Ｂの高さを２５０μｍにすることによって、第１の実施形態の場合と同様に絶縁耐圧を３．４ｋＶ／ｍｍ程度にすることができる。
すなわち、この実施形態によっても、必要な絶縁耐圧に応じて、凸壁２Ｂの高さを変更すれば、基板１の厚さや平面形状を大きくすることなく所望の絶縁耐圧を容易に確保することができる。したがって、小型で絶縁耐圧が充分高い発光装置を実現できる。

〔第３の実施形態〕
次に、この発明による発光装置の第３の実施形態を図７及び図８によって説明する。図７はその発光装置の外観を示す斜視図、図８はその封止部材を除去して示す平面図である。これらの図において、図１及び図２の各部と同等な部分には同一の符号を付してあり、それらの説明は省略する。

この第３の実施形態の発光装置１０Ｃが第１の実施形態の発光装置１０Ａと相異するの
は、凸壁２Ｃが、基板１の表面側端縁１ａにおけるリード電極１２が接近している領域に沿ってのみ設けられている点だけである。図示の例では、一対のリード電極１２の各外部接続端子部１２ｂとそれぞれ対峙する、２ヶ所のコーナ領域にのみ凸壁２ＣがＬ字状に設けられている。

その凸壁２Ｃは、リード電極１２の外部接続端子部１２ｂにおける基板１の表面側端縁１ａに沿う方向の両端よりそれぞれ長く延びていることが必要である。
さらに、好ましくは、図８に示すように、凸壁２Ｃがリード電極１２における基板１の表面側端縁１ａに沿う方向の両端よりそれぞれ延びる部分の寸法ｆが、凸壁２Ｃの高さ寸法の２倍に相当する長さ以上長く延びているとよい。
そうすれば、リード電極１２の外部接続端子部１２ｂの基板１の表面側端縁１ａに沿う方向の両端から凸壁２Ｃの内面に沿って、凸壁２Ｃが無くなった部分を通って沿面放電する場合の沿面距離も、凸壁２Ｃを乗り越えて沿面放電する場合の沿面距離と同等以上になる。したがって、凸壁を基板１の全周に設けなくても充分な絶縁耐圧が得られる。また、充分な絶縁耐圧を有しながら凸壁に光が当たることで起こる光の減衰をさらに小さくすることができる。

その他の点は第１の実施形態と同様である。但し、基板１と凸壁２Ｃは必ずしもアルミナ粉末を焼結して一体に成形しなくてもよい。セラミックスや樹脂などの他の絶縁材料によって一体に成形してもよいし、第２の実施形態のように基板と凸壁を別体に形成したり、基板を金属板の表面側に絶縁層を設けた構成にしてもよい。

〔第４の実施形態〕
次に、この発明による発光装置の第４の実施形態を図９及び図１０によって説明する。図９はその発光装置の外観を示す斜視図、図１０はその封止部材を除去して示す平面図である。これらの図において、図１及び図２の各部と同等な部分には同一の符号を付してあり、それらの説明は省略する。

この第４の実施形態の発光装置１０Ｄでは、基板１上の一対のリード電極２２が、対向する円弧状の配線パターン部２２ａと、その長手方向の中央部からそれぞれ短い帯状に延びた外部接続端子部２２ｂとからなっている。その各外部接続端子部２２ｂは、基板１の互いに平行な表面側端縁１ａ，１ａに向かって、封止部材１５の外部に露出して延びている。

一対の凸壁２Ｄは、基板１の互いに平行な表面側端縁１ａにおけるリード電極２２が接近している領域に沿ってのみ設けられている。図示の例では、一対のリード電極２２の各外部接続端子部２２ｂとそれぞれ対峙する２辺の中央部付近の領域にのみ凸壁２Ｄが設けられている。
その凸壁２Ｄも、リード電極２２の外部接続端子部２２ｂにおける基板１の表面側端縁１ａに沿う方向の両端よりそれぞれ長く延びていることが必要である。

さらに、好ましくは、図１０に示すように、凸壁２Ｄがリード電極２２における基板１の表面側端縁１ａに沿う方向の両端よりそれぞれ延びる部分の寸法ｇが、凸壁２Ｄの高さ寸法の２倍に相当する長さ以上長く延びているとよい。
そうすれば、リード電極２２の外部接続端子部２２ｂの基板１の表面側端縁１ａに沿う方向の両端から凸壁２Ｄの内面に沿って、凸壁２Ｄが無くなった部分を通って沿面放電する場合の沿面距離も、凸壁２Ｄを乗り越えて沿面放電する場合の沿面距離と同等以上になる。したがって、凸壁を基板１の全周に設けなくても充分な絶縁耐圧が得られる。また、第３の実施形態と同様に、充分な絶縁耐圧を有しながら凸壁に光が当たることで起こる光の減衰をさらに小さくすることができる。

その他の点は第１の実施形態と同様である。但し、基板１と凸壁２Ｄは必ずしもアルミナ粉末を焼結して一体に成形しなくてもよい。セラミックスや樹脂などの他の絶縁材料によって一体に成形してもよいし、第２の実施形態のように基板と凸壁を別体に形成したり、基板を金属板の表面側に絶縁層を設けた構成にしてもよい。

以上、この発明の各実施形態について説明してきたが、それらの形状や材料、発光素子の個数や接続、寸法例などに限定されるものではない。各実施形態の構成は特許請求の範囲の各請求項に規定した事項を満たす範囲で、適宜変更や追加、あるいは一部を省略したり、組み合わせたりして実施することが可能である。
発光素子もＬＥＤに限らず、レーザダイオード等のレーザ発光素子やＥＬ発光素子など、他の半導体発光素子を使用する発光装置にも適用可能である。
また、複数の発光素子を搭載する発光装置に限らず１個の発光素子を搭載する場合にも有効である。

この発明は、各種表示装置のバックライト光源や、照明用光源などに用いられる発光装置に利用可能であり、特にＬＥＤパッケージ等の表面実装型発光装置で、高い絶縁耐圧（耐電圧）を必要とする発光装置に有効である。

１：基板 １ａ：基板の表面側端縁 １ｃ：基板の端面
２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄ：凸壁 ３：基板 ３ａ：基板の表面側端縁
１０，１０Ａ，１０Ｂ．１０Ｃ，１０Ｄ：発光装置 １１：基板
１１ａ：基板の表面側端縁 １１ｂ：基板の端部表面 １１ｃ：基板の端面
１２，２２：リード電極 １２ａ，２２ａ：配線パターン部
１２ｂ，２２ｂ：外部接続端子部 １３：発光ダイオード（ＬＥＤ：発光素子）
１４：金線 １５：封止部材 １６：接続線 ２０：導電性部材
３１：アルミニウム板（導電性部材） ３２：絶縁材層 ３３：接着剤

Claims (8)

1. 少なくとも表面側が絶縁材である基板と、該基板の表面上に配置された発光素子と、該発光素子を封止する封止部材と、該封止部材の外部に延びて前記基板の表面上に設けられ、前記発光素子と電気的に接続し、外部の給電回路と電気的に接続可能なリード電極とを有する発光装置であって、
   前記リード電極と前記基板の表面側端縁との間に絶縁材からなる凸壁を設け、該凸壁は前記基板の表面からその厚さ方向に突出し、且つ前記リード電極における前記基板の表面側端縁に沿う方向の両端よりそれぞれ長く延びていることを特徴とする発光装置。
2. 前記凸壁が、前記リード電極における前記基板の表面側端縁に沿う方向の両端よりそれぞれ、前記基板の表面から突出する高さ寸法の２倍に相当する長さ以上長く延びていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記凸壁が、前記基板の表面側端縁における前記リード電極が接近している領域に沿ってのみ設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
4. 前記凸壁が、前記基板の表面側端縁の全周に沿って設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
5. 前記基板がアルミナで形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の発光装置。
6. 前記基板と前記凸壁とが一体に成形されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の発光装置。
7. 前記基板の表面上に複数個の発光素子が配置され、該複数個の発光素子が共通の前記封止部材によって封止されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の発光装置。
8. 前記発光素子が発光ダイオードであることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の発光装置。
   

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