JP2015149285A

JP2015149285A - 照明装置

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Publication number: JP2015149285A
Application number: JP2015045639A
Authority: JP
Inventors: 山崎　舜平; Shunpei Yamazaki; 舜平山崎; 小山　潤; Jun Koyama; 潤小山
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2009-03-18
Filing date: 2015-03-09
Publication date: 2015-08-20
Anticipated expiration: 2030-03-16
Also published as: TWI513370B; JP2010245033A; US20130264959A1; KR20110134480A; CN102356697B; US20100237805A1; CN102356697A; JP5984985B2; TW201106790A; US9426848B2; US8441209B2; KR101849786B1; WO2010106897A1

Abstract

【課題】ＥＬ素子に劣化が生じた場合にも、輝度を保持し、照明装置としての劣化を低減する照明装置を提供することを課題とする。【解決手段】有機ＥＬ素子を含む面光源部と、口金部内に設けられた制御回路部と、を有し、前記制御回路部は、前記有機ＥＬ素子の点灯期間をカウントし、前記点灯期間に応じて前記有機ＥＬ素子の輝度を制御する。その結果、ＥＬ素子の劣化に関わらず、輝度を保持し、照明装置としての劣化を低減した照明装置を提供することができる。【選択図】図１

Description

本発明は、照明装置に関する。特にエレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉ
ｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下、ＥＬと略す）が得られる発光物質を含む層を有する発光素子を
用いた照明装置に関する。

環境分野に対する意識の高まりから、白熱電球に代わってＬＥＤを用いた照明装置の開発
、製品化が盛んである。そして、近年面発光光源である有機ＥＬ素子（以下、ＥＬ素子と
略す）を用いた照明装置の開発も進んでいる（例えば、特許文献１を参照）。

特開２００７−２２７５２３号公報

ＥＬ素子は、累積した点灯時間（累積点灯時間という）の増加に伴い輝度特性が変化する
。つまり、劣化したＥＬ素子と劣化していないＥＬ素子とでは、同じ電圧で電流を供給し
たとしても、その輝度に差が生じてしまう。そのため、ＥＬ素子を有する照明装置は、面
発光光源として非常に有望な照明装置であるものの、まだ改良の余地がある。

本発明の一態様は、ＥＬ素子に劣化が生じた場合にも、輝度を保持し、照明装置としての
劣化を低減する照明装置を提供することを課題とする。

本発明の一態様は、有機ＥＬ素子を含む面光源部と、口金部内に設けられた制御回路部と
、を有し、制御回路は、有機ＥＬ素子の点灯時間をカウントした累積点灯時間を記憶し、
累積点灯時間に応じて有機ＥＬ素子の輝度を制御する輝度調整回路、を有する照明装置で
ある。

本発明の一態様は、有機ＥＬ素子を含む面光源部と、口金部内に設けられた制御回路部と
、を有し、制御回路部は、交流電源電圧を、脈流化した直流電圧とするための整流平滑回
路と、整流平滑回路で得られる直流電圧を、定電圧の信号とするための定電圧回路と、定
電圧回路より出力される定電圧の信号に応じて、有機ＥＬ素子の点灯時間をカウントした
累積点灯時間を記憶し、累積点灯時間に応じた劣化補正データを出力する輝度調整回路と
、輝度調整回路の制御に応じて有機ＥＬ素子に電流を供給する可変電流源回路と、を有す
る照明装置である。

本発明の一態様は、有機ＥＬ素子を含む面光源部と、口金部内に設けられた制御回路部と
、を有し、制御回路部は、交流電源電圧を、脈流化した直流電圧とするための整流平滑回
路と、整流平滑回路で得られる直流電圧を、定電圧の信号とするための定電圧回路と、定
電圧回路より出力される定電圧の信号に応じて、有機ＥＬ素子の点灯時間をカウントする
点灯時間計測回路と、点灯時間を累積した累積点灯時間を記憶する累積点灯時間記憶部と
、累積点灯時間に対して、有機ＥＬ素子が予め設定された輝度となる劣化補正データを有
する劣化補正テーブルを記憶した劣化補正記憶回路部と、累積点灯時間の更新及び読み出
し、累積点灯時間に応じた劣化補正データの読み出し及び出力を行う補正回路と、を有す
る輝度調整回路と、輝度調整回路の制御に応じて有機ＥＬ素子に電流を供給する可変電流
源回路と、を有する照明装置である。

本発明の一態様において、輝度調整回路は、温度センサからの信号を元に有機ＥＬ素子の
輝度を制御する機能を有する照明装置である。

本発明の一態様において、輝度調整回路は、輝度設定回路を有し、輝度設定回路の輝度レ
ベルに応じて有機ＥＬ素子の輝度を制御する機能を有する照明装置である。

本発明の一態様において、面光源部は、円盤形の光源部である照明装置である。

本発明の一態様において、面光源部と制御回路部とが、脱着可能である照明装置である。

本発明の一態様により、ＥＬ素子の劣化に関わらず、輝度を保持し、照明装置としての劣
化を低減した照明装置を提供することができる。

照明装置を説明するための回路図。照明装置を説明するための断面図。照明装置を説明するための回路図。照明装置を説明するための回路図。照明装置を説明するための回路図。照明装置を説明するための回路図。照明装置を説明するための断面図及び回路図。ＥＬ素子の特性を説明するための図。照明装置の詳細を説明するための図。照明装置の詳細を説明するための図。照明装置の詳細を説明するための図。照明装置の詳細を説明するための図。照明装置の応用例を説明するための図。照明装置の応用例を説明するための図。照明装置の応用例を説明するための図。照明装置の詳細を説明するための図。照明装置の詳細を説明するための図。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、本発明は多く
の異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱すること
なくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。した
がって、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、本明細書中
の図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その説
明は省略する。

なお、各実施の形態の図面等において示す各構成の、大きさ、層の厚さ等については、明
瞭化のために誇張されて表記している場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定
されない。

なお、本明細書にて用いる「第１」、「第２」、「第３」等などの用語は、構成要素の混
同を避けるために付したものであり、数的に限定するものではないことを付記する。

（実施の形態１）
図１（Ａ）は、照明装置のブロック図の構成を示している。図１（Ａ）に示す照明装置１
００は、制御回路部１０１、面光源部１０２を有する。制御回路部１０１には、点灯スイ
ッチ１０３を介して交流電源１０４が供給される。制御回路部１０１は、整流平滑回路１
０５、定電圧回路１０６（安定化回路ともいう）、輝度調整回路１０７、可変電流源回路
１０８を有する。また面光源部１０２は、発光素子１０９を有する。

図１（Ａ）に示す照明装置１００では、制御回路部１０１内の整流平滑回路１０５で電源
（交流電源）から出力される交流電圧が脈流化し、リップルを含んだ直流電圧（脈流化し
た直流電圧ともいう）を定電圧回路１０６に供給する。制御回路部１０１内の定電圧回路
１０６は、整流平滑回路１０５からのリップルまたはノイズを含んだ直流電圧を、安定化
した定電圧の信号とする。制御回路部１０１内の輝度調整回路１０７は、定電圧回路１０
６の定電圧の信号に応じて発光素子１０９の点灯時間をカウントし、当該点灯時間を累積
した累積点灯時間として記憶し、累積点灯時間に応じて可変電流源回路１０８から出力す
る電流値を調整する。そして、累積点灯時間による発光素子１０９（ＥＬ素子）の劣化に
関わらず、輝度を保持することができ、照明装置としての劣化を低減することができる。

なお照明装置１００において、制御回路部１０１と面光源部１０２とは、脱着可能な構成
としてもよい。発光素子１０９は輝度の経時劣化に伴う寿命があるため、面光源部１０２
を脱着可能な構成とすることにより、発光素子の交換を行うことができ、制御回路部１０
１の再利用を図ることができる。

なお点灯スイッチ１０３は、面光源部１０２の点灯または非点灯、もしくは輝度の調整を
行う機能を有し、点灯スイッチ１０３の制御については家電ネットワーク等による制御で
もよいし、人手による制御でもよい。また、点灯スイッチ１０３に、照明装置１００の向
き等の制御を行う機能を付加する構成でもよい。また、点灯スイッチ１０３は、照明装置
１００と一体に設けられる構成であってもよい。

なお交流電源１０４は、商用交流電源を想定して説明するが、他にも光電変換装置（また
は太陽電池ともいう）を利用した電源電圧、発電機を利用した電源電圧等であってもよい
。また二次電池のような直流電圧の電源（直流電源ともいう）であってもよい。交流電源
の代わりに直流電源を用いる際には、整流平滑回路１０５を削減することもできる。

なお整流平滑回路１０５は、整流回路及び平滑回路を具備する回路であり、交流電圧を直
流電圧にするための回路である。整流平滑回路１０５は、例えば整流回路はダイオード素
子を用いて構成し、平滑回路は容量素子を用いて構成すればよい。またダイオード素子を
用いて構成される整流回路は、全波整流回路であっても半波整流回路であってもよく、ダ
イオードブリッジを用いた回路（以下ダイオードブリッジ回路と略す）、トランスを用い
た全波整流回路等で構成されればよい。なお、交流電源からの交流信号を、一度トランス
等を介して振幅変換した上で整流化及び平滑化をおこなってもよい。

なお、定電圧回路１０６は、リップルを含んだ直流電圧を安定化した定電圧の信号として
出力する機能を有する回路で有ればよい。一例として、定電圧回路１０６は、シリーズレ
ギュレータ、スイッチングレギュレータ等を用いて形成すればよい。また定電圧回路１０
６を構成する回路は、トランジスタ等の半導体素子を用いて構成すればよい。トランジス
タ等の半導体素子で形成することで、回路の小型化を容易にすることができる。なお、ト
ランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子を有する
素子であり、ドレイン領域とソース領域の間にチャネル領域を有しており、ドレイン領域
とチャネル領域とソース領域とを介して電流を流すことが出来る。なお、トランジスタは
、ベースとエミッタとコレクタとを含む少なくとも三つの端子を有する素子であってもよ
い。

なお、輝度調整回路１０７は、常時または定期的（例えば１分毎）に、面光源部１０２の
点灯状態を計測し、該点灯状態の情報をもとに、累積点灯時間をカウントし、当該累積点
灯時間を元に演算された補正値を可変電流源回路１０８に出力する機能を有する。ここで
カウントされた累積点灯時間は、順次、輝度調整回路１０７内の記憶回路部（メモリ部と
もいう）にデータとして記憶する。輝度調整回路１０７内の演算回路は、累積点灯時間を
記憶回路部より定期的（例えば１時間毎）に取り込み、その累積点灯時間を、別途記憶さ
れた劣化補正テーブルと照合し、面光源部１０２の発光素子１０９が予め設定された輝度
となるような劣化補正データを得る。劣化補正データは、Ｄ／Ａコンバータ等を介して、
可変電流源回路１０８に出力される。

なお、可変電流源回路１０８は、輝度調整回路１０７で得られた信号を元にして累積点灯
時間に応じた電流を発光素子１０９に供給する機能を有する。また可変電流源回路１０８
を構成する回路は、トランジスタ等の半導体素子を用いて構成すればよい。

なお発光素子１０９は、有機ＥＬ層を第１の電極及び第２の電極で挟持した構成をとる。

また図１（Ａ）では発光素子１０９が一つ設けられた図を示したが、発光素子１０９が電
気的に直列及び／または並列に複数設けられている構成であってもよい。

次に照明装置１００の外観の簡単な斜視図について図１（Ｂ）に示す。照明装置１００は
、口金部１１１、円盤形光源部１１２に大別される。なお、口金部１１１の形状は、白熱
電球等の規格に応じて設計されるものであればよい。なお、口金部１１１と円盤形光源部
１１２の接続は、２つの端子部を介して行われるものであればよい。また円盤形光源部１
１２の大きさは、生産性等を考慮して１２ｃｍ程度であることが好ましい。なお口金部１
１１には、図１（Ｃ）の断面図に示すように、図１（Ａ）で示した制御回路部１０１が内
設されている。口金部１１１内に制御回路部１０１を内設することで、照明装置１００の
小型化を図ることができ、省スペース化することができる。また図１（Ｃ）では、上述し
たように円盤形光源部１１２において、有機ＥＬ層が第１の電極及び第２の電極で挟持さ
れた図、及び図１（Ｃ）の断面図と図１（Ａ）のブロック図の対応について示している。
すなわち図１（Ｃ）からわかるように、口金部１１１内に制御回路部１０１を有し、円盤
形光源部１１２が面光源部１０２に相当する構成となっている。なお図１（Ｃ）に示す制
御回路部１０１内の２つの端子部１１３は、口金部１１１内の制御回路部１０１によって
、直流の信号が供給されるため、いずれか一方が陽極、他方が負極を担う構成となる。

ここで、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）で示した円盤形光源部１１２の構成、及び口金部１１１
の構成について説明する。図２（Ａ）には、照明装置１００の断面図について示しており
、図１（Ｃ）と同様に、口金部１１１及び円盤形光源部１１２について示している。円盤
形光源部１１２は、一例として、基板２０１上に第１の電極２０２、第１の電極２０２上
に有機ＥＬ層２０３、有機ＥＬ層２０３上に第２の電極２０４を有する。口金部１１１は
、一例として、口金２０６（第１の電極ともいう）、絶縁部２０７、電極２０８（第２の
電極ともいう）を有する。

なお、円盤形光源部１１２において、基板２０１は、透光性を有する基板を用いればよい
。第１の電極２０２（陽極とも言う）は、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上
であることが好ましい）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用
いればよい。有機ＥＬ層２０３は、少なくとも発光層を含んで形成されていればよく、発
光層以外の機能層を含む積層構造を用いてもよい。第２の電極２０４（陰極ともいう）は
、透光性を有し、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下が好ましい。）金属、合
金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いればよい。そして円盤形光源部
１１２では、有機ＥＬ層２０３より、透光性を有する第２の電極２０４を介して、光２０
５が放射されることとなる。なお図２（Ｂ）に図示するように、基板２０１側より、第２
の電極２０４、有機ＥＬ層２０３、第１の電極２０２を順次積層し、基板２０１及び第２
の電極２０４を介して、光２０５が放射される構成としてもよい。なお図２（Ｂ）の場合
は、基板２０１も透光性を有する材料であることが好ましい。なお、第１の電極２０２、
有機ＥＬ層２０３、第２の電極２０４の積層構造が、照明装置１００での発光素子１０９
に対応する。

なお図２（Ａ）、（Ｂ）では、円盤形光源部１１２の一例として、基板２０１上に、第１
の電極２０２、有機ＥＬ層２０３、第２の電極２０４を積層する構成について説明したが
、光の取り出し効率を高めるための電極を追加、及び／または電極の形状について凹凸を
設ける構成としてもよい。また、基板２０１上に絶縁膜を追加する構成としてもよい。

なお図２（Ａ）、（Ｂ）では、口金部１１１の一例として、ねじ込み式（回し込み式とも
いう）の口金の構成を図示したが、他にも差し込み式の口金であってもよい。また、口金
の規格等に応じて、第１の電極、第２の電極の配置、形状等を適宜変更してもよい。

図３では、図１（Ａ）で示した照明装置１００のブロック図の構成について詳述する。図
３に示す照明装置１００は、図１（Ａ）に示す照明装置１００と同様に、制御回路部１０
１、面光源部１０２を有する。図３に示す制御回路部１０１は、図１（Ａ）に示す制御回
路部１０１と同様に、点灯スイッチ１０３を介して交流電源１０４から電源電圧が供給さ
れる。図３に示す制御回路部１０１は、図１（Ａ）に示す制御回路部１０１と同様に、整
流平滑回路１０５、定電圧回路１０６、輝度調整回路１０７、可変電流源回路１０８を有
する。また図３に示す面光源部１０２は、図１（Ａ）に示す面光源部１０２と同様に、発
光素子１０９を有する。整流平滑回路１０５は、トランス３０１（変圧回路、変圧器とも
いう）、整流回路３０２、及び容量素子３０３を有する。輝度調整回路１０７は、点灯時
間計測回路３０４、補正回路３０５、累積点灯時間記憶部３０６、劣化補正記憶回路部３
０７、及びＤ／Ａコンバータ３０８を有する。

図３に示す照明装置１００では、整流平滑回路１０５内のトランス３０１で交流電圧の昇
降圧化がされる。整流平滑回路１０５内の整流回路３０２及び容量素子３０３でトランス
３０１からの交流電圧を脈流化した直流電圧にし、リップルを含んだ直流電圧を定電圧回
路１０６に供給する。制御回路部１０１内の定電圧回路１０６は、整流平滑回路１０５か
らのリップルまたはノイズを含んだ直流電圧を、安定化した定電圧の信号とする。輝度調
整回路１０７内の点灯時間計測回路３０４は、定電圧回路１０６の出力電圧に応じて発光
素子１０９の点灯時間をカウントし、点灯時間を計測する。輝度調整回路１０７内の補正
回路３０５は、計測された点灯時間を累積点灯時間記憶部３０６に保持された累積点灯時
間に加算していき、累積点灯時間を更新していく。続いて、輝度調整回路１０７内の補正
回路３０５は、累積点灯時間を元に劣化補正記憶回路部３０７に記憶された劣化補正テー
ブルと照合して劣化補正データを読み出し、当該劣化補正データをＤ／Ａコンバータ３０
８に出力する。輝度調整回路１０７内のＤ／Ａコンバータ３０８は、劣化補正データに応
じたアナログ電圧Ｖｃを出力する。そして、可変電流源回路１０８でアナログ電圧Ｖｃに
応じた電流を発光素子１０９に供給する。

なおトランス３０１は、図３では図示したが、交流電源１０４からの電圧に応じて制御回
路部１０１内に設けなくてもよい。一例としては、図４（Ａ）に示すように、交流電源１
０４から電圧が、点灯スイッチ１０３を介して、整流回路３０２に供給される構成として
もよい。

なお整流回路３０２は、整流化するための機能を有し、ダイオード素子を用いて構成すれ
ばよい。またダイオード素子を用いて構成される整流回路は、全波整流回路であっても半
波整流回路であってもよく、一例としては、ダイオードブリッジ回路、トランスを用いた
全波整流回路等で構成されればよい。また容量素子３０３は、全波整流または半波整流さ
れた電圧を平滑化するための機能を有する素子である。

なお照明装置１００における整流平滑回路は、図４（Ｂ）に図示するように、直流電源４
０４からの給電を受ける際には、削減することもできる。なお制御回路部１０１内で、外
部からの給電が直流電源または交流電源の場合に応じて切り替える構成としてもよい。

なお点灯時間計測回路３０４は、常時または定期的に、面光源部１０２の点灯状態を計測
し、該点灯状態の情報をもとに、累積点灯時間をカウントし、当該累積点灯時間に応じた
信号を、補正回路３０５に出力する機能を有する回路である。たとえば点灯時間計測回路
３０４は、発振回路、及びカウンター回路を有する構成である。そして、定電圧回路１０
６の出力電圧を定期的にサンプリングし、固定周波数の発振回路からの発振信号に応じた
カウンター値を点灯時間として補正回路３０５に出力すればよい。

なお補正回路３０５は、点灯時間計測回路３０４でのカウンター値に応じた信号を点灯時
間として累積点灯時間記憶部３０６に記憶し、また当該累積点灯時間記憶部３０６に記憶
した点灯時間を定期的に読み出して点灯時間を加算していき、累積点灯時間を更新する機
能を有する。また補正回路３０５は、累積点灯時間を元に劣化補正記憶回路部３０７に記
憶された劣化補正テーブルと照合して劣化補正データを読み出し、当該劣化補正データを
Ｄ／Ａコンバータ３０８に出力する機能を有する。

なお累積点灯時間記憶部３０６は、補正回路３０５で取得した点灯時間を累積するための
累積点灯時間に関するデータを記憶及び保持するための機能を有する回路である。なお、
累積点灯時間記憶部３０６は揮発性メモリまたは不揮発性メモリでもよいが、停電等によ
る累積点灯時間のデータの消失に備え、不揮発性メモリに定期的にデータを保持する構成
とすることが好ましい。

なお劣化補正記憶回路部３０７は、補正回路３０５で読み出された累積点灯時間に対して
、面光源部１０２の発光素子１０９が予め設定された輝度となるような劣化補正データを
有する劣化補正テーブルを記憶し、補正回路３０５の読み出しに応じて劣化補正データを
出力する機能を有する。

ここで劣化補正テーブルについて説明する。発光素子１０９であるＥＬ素子は、印加する
電圧に対してＥＬ素子を流れる電流の値が、累積点灯時間の増加に応じて図８に示す曲線
８０１、曲線８０２、曲線８０３のように変化していく。そのため、印加する電圧がＶ_１
で電流Ｉ_１が流れる初期特性の曲線８０１であっても、累積点灯時間の累積と共にＥＬ素
子の特性が曲線８０２、曲線８０３のように変化していく。そして、ＥＬ素子に流れる電
流が電流Ｉ_２、電流Ｉ_３のように、実際に流したい電流値Ｉ_１を下回った値の電流しか流
れないこととなる。ＥＬ素子は流れる電流に応じて輝度が決まる。ＥＬ素子を流れる電流
値の低下は、輝度の低下、照明装置としての品質の低下を招いてしまう。そのため、劣化
補正テーブルでは、予め累積点灯時間に応じて、印加する電圧をＶ_２、Ｖ_３とする。劣化
補正テーブルで、予め印加する電圧を加増するよう見積もって劣化補正記憶回路部３０７
に記憶しておくことで、曲線８０２、曲線８０３のように特性が劣化しても、所望の電流
Ｉ_１を流すことができ、輝度の低下を低減することができる。なお他の要因により、ＥＬ
素子の劣化が進んだ場合でも、センサ等にてその変化をモニターし、予め印加する電圧を
加増（または減少）して劣化補正記憶回路部３０７に記憶しておけばよい。

なおＤ／Ａコンバータ３０８は、面光源部１０２の発光素子１０９が予め設定された輝度
となるように補正された劣化補正データに応じたアナログ電圧Ｖｃを出力するための回路
である。

なお、累積点灯時間記憶部３０６及び劣化補正記憶回路部３０７は、補正回路３０５に内
在する回路であってもよい。

なお輝度調整回路１０７は、温度センサを具備する構成であってもよい。図５（Ａ）に温
度センサを具備する構成について示す。温度センサ５０１は、定期的（例えば一時間毎）
に周囲温度の計測を行い、周囲温度に応じた信号を補正回路３０５に出力する。そして補
正回路３０５では、劣化補正記憶回路部３０７に記憶された温度変化用劣化補正テーブル
と照合して温度変化用劣化補正データを読み出し、当該温度変化用劣化補正データをＤ／
Ａコンバータ３０８に出力する機能を有する。また劣化補正記憶回路部３０７は、補正回
路３０５で得た周囲温度に応じた信号に対して、面光源部１０２の発光素子１０９が予め
設定された輝度となるような温度変化用劣化補正テーブルを記憶し、補正回路３０５の読
み出しに応じて温度変化用劣化補正データを出力する機能を有する。

なお周囲温度が大きく変動しない環境、例えば室内のみでの使用を想定した場合には、温
度センサによる補正はなくてもよい。なお、劣化補正記憶回路部３０７に記憶される劣化
補正テーブルは、周囲温度に応じた補正テーブル、及び累積点灯時間に応じた補正テーブ
ルを併せもった補正テーブルであってもよいし、別々の補正テーブルから補正データを読
み出して、補正回路３０５で演算して補正データを算出する構成であってもよい。

なお輝度調整回路１０７は、温度センサに加え、輝度設定回路５０２を具備する構成であ
ってもよい。図５（Ｂ）に温度センサ５０１に加え、輝度設定回路５０２を具備する構成
について示す。輝度設定回路５０２は、面光源部１０２の発光素子１０９の輝度レベルを
複数段階に設定した際の輝度レベルに応じた信号を補正回路３０５に出力する。そして補
正回路３０５では、劣化補正記憶回路部３０７に記憶された輝度レベルに応じた劣化補正
テーブルと照合して輝度レベルに応じた劣化補正データを読み出し、当該輝度レベルに応
じた劣化補正データをＤ／Ａコンバータ３０８に出力する機能を有する。また劣化補正記
憶回路部３０７は、面光源部１０２の発光素子１０９が予め設定された輝度レベルとなる
ような劣化補正テーブルを記憶し、補正回路３０５の読み出しに応じて輝度レベルに応じ
た劣化補正データを出力する機能を有する。

Ｄ／Ａコンバータ３０８は、補正回路３０５より出力されたデジタルデータの劣化補正デ
ータを、アナログ値の電圧Ｖｃ（以下、劣化補正電圧Ｖｃという）に変換するための回路
である。

また、図６に可変電流源回路１０８の回路の一例について示す。図６に示す可変電流源回
路１０８は、カレントミラー回路６０１及びトランジスタ６０２を有する。図６に示すト
ランジスタ６０２のゲートには、劣化補正電圧Ｖｃが印加される構成であり、トランジス
タ６０２のソースとドレインとの間には劣化補正電圧Ｖｃに応じて電流が流れる。そして
、トランジスタ６０２を流れる電流は、カレントミラー回路６０１を流れることで、劣化
補正電圧Ｖｃに応じた電流を発光素子１０９に流すことができ、輝度の補正を行うことが
できる。

また制御回路部１０１と面光源部１０２とを脱着可能な構成とする場合、図７（Ａ）に示
すように、端子部１１３の部分で口金部１１１と円盤形光源部１１２を脱着可能な構成と
するものである。図７（Ａ）に示すように、円盤形光源部１１２を交換した際には、制御
回路部１０１における輝度調整回路１０７での累積点灯時間をリセットする機能を有する
ことが好ましい。一例として、面光源部１０２を交換する際の制御回路部１０１における
輝度調整回路１０７の構成について図７（Ｂ）に示す。面光源部１０２の脱着を検知する
回路（脱着検知回路７０１という）を設け、当該脱着検知回路７０１からの信号に基づい
て累積点灯時間記憶部３０６に記憶された累積点灯時間の初期化を行う構成とすればよい
。なお、脱着検知回路７０１の他に、機械的スイッチ等による手動で、制御回路部１０１
における輝度調整回路１０７での累積点灯時間をリセットする構成としてもよい。

以上説明したように、本発明の一態様は、照明装置の口金部内に設けられた制御回路部で
、有機ＥＬ素子の点灯期間をカウントし、点灯期間に応じて有機ＥＬ素子の輝度を制御す
る構成とするものである。そのため、ＥＬ素子の劣化に関わらず、輝度を保持し、照明装
置としての劣化を低減した照明装置を提供することができる。

本実施の形態は他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することが可能である。

（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態で述べた円盤形光源部の一例について、図面を参照し
て説明する。

本実施の形態で示す円盤形光源部は、一例として、中央部に開口部を有する基板上に、第
１の電極と、有機ＥＬ層と、第２の電極とが積層して設けられ、基板の中央部に第１の接
続部及び第２の接続部を有するものである。

以下、具体的な構成に関して図９、図１０を参照して説明する。なお、図９は、円盤形光
源部の平面の模式図を示し、図１０（Ａ）は図９におけるＡ−Ｂ間の断面の模式図を示し
、図１０（Ｂ）は図９におけるＣ−Ｄ間の断面の模式図を示している。

図９、図１０に示す円盤形光源部９３０は、中央部に開口部９０９を有し且つ円盤状の基
板９０１と、基板９０１上に絶縁膜９０２を介して設けられた発光素子９３２と、発光素
子９３２を覆うように設けられた絶縁膜９１０と、基板９０１上に設けられた第１の接続
部９１２及び第２の接続部９１４とを有している。

発光素子９３２は、第１の電極９０４、有機ＥＬ層９０６及び第２の電極９０８の積層構
造で形成されており、ここでは、基板９０１上に絶縁膜９０２を介して第１の電極９０４
が形成され、第１の電極９０４上に有機ＥＬ層９０６が形成され、有機ＥＬ層９０６上に
第２の電極９０８が形成される場合を示している。

絶縁膜９１０は、基板９０１の中央部において開口部９１５を有しており、当該開口部９
１５に第１の接続部９１２及び第２の接続部９１４が設けられている。なお、絶縁膜９１
０の開口部９１５は、基板９０１に形成された開口部９０９よりその面積（基板９０１の
表面と平行な面における開口部分の面積）が大きくなるように形成する。

第１の接続部９１２は、開口部９１５まで引き出された（延伸した）第１の電極９０４に
より設けられ、第２の接続部９１４は開口部９１５まで引き出された第２の電極９０８に
より設けられている。つまり、第１の電極９０４の一部が絶縁膜９１０の開口部９１５ま
で引き出されて（延伸して）第１の接続部９１２が形成され、第２の電極９０８の一部が
絶縁膜９１０の開口部９１５まで引き出されて第２の接続部９１４が形成されている。

このように、基板９０１上に形成された第１の電極９０４及び第２の電極９０８を引き出
して、基板９０１上に第１の接続部９１２及び第２の接続部９１４を形成することにより
、円盤形光源部を薄膜化することができる。

また、基板９０１上に形成された第１の電極９０４及び第２の電極９０８を第１の接続部
９１２及び第２の接続部９１４として用いることにより、照明装置の構造を簡略化し、低
コスト化を図ることができる。

また、開口部９０９を有する基板９０１を用い、当該基板９０１の中央部（より具体的に
は、開口部９０９の近傍領域）に第１の接続部９１２及び第２の接続部９１４を設けるこ
とにより、基板９０１に形成された開口部９０９を介して外部から電源の供給を行うこと
が可能となる。その結果、円盤形光源部において、１箇所（基板の中央部）で発光素子９
３２に電源を供給することができる。

また、図９、図１０で示す構成では、第１の電極９０４、有機ＥＬ層９０６及び第２の電
極９０８にも、絶縁膜９１０と同様に基板の中央部に開口部が形成されており、第１の電
極９０４、有機ＥＬ層９０６及び絶縁膜９１０の開口部に第２の電極９０８の一部が引き
出されることにより、基板９０１上に第２の接続部９１４が設けられている。この際、第
２の電極９０８の一部が、第１の電極９０４の端部及び有機ＥＬ層９０６の端部を乗り越
える（横断する）部分においては、第１の電極９０４と第２の電極９０８が接触しないよ
うに、第１の電極９０４の端部を有機ＥＬ層９０６が覆うように設けることができる。

次に、上記図９、図１０に示した円盤形光源部を構成する材料等について、具体的に説明
する。

＜基板９０１＞
基板９０１は、薄膜を成膜可能な部材、又は薄膜が成膜された部材であって、内部に開口
部９０９を有するディスク形状（円盤形状）を用いることができる。具体的には、ガラス
基板、セラミック基板、石英基板などを挙げることができる。また、ポリカーボネート、
ポリアリレート、ポリエーテルスルフォン等からなるプラスチック基板などを用いること
ができる。また、フィルム（ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル
、塩化ビニルなどからなる）、無機蒸着フィルムを用いることもできる。

また、基板９０１として可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、折り曲げることが
できる（フレキシブル）基板のことである。また、ステンレス合金などの金属基板の表面
に絶縁膜を設けた基板を適用しても良く、円盤形光源部９３０の作製工程において支持体
として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。

なお、発光素子９３２が発する光を基板９０１側に取り出す場合、基板９０１として可視
光を透過する材料を用いる。

また、基板９０１の大きさは、円盤形光源部９３０の用途によって適宜設定することが可
能である。一例として、ＣＤ−Ｒ等の光ディスクデバイスと同程度の大きさとすることが
でき、この場合、生産性、又は発光装置の取り扱いの面から好ましい。例えば、直径１０
ｃｍ〜１４ｃｍ、一例として直径１２ｃｍの円盤形状であって、厚みを１．２〜１．５ｍ
ｍ程度としたプラスチック基板を用いることができる。また、０．５〜０．７ｍｍの支持
体を貼り合わせて基板９０１として用いてもよい。また、基板９０１に設ける開口部９０
９の直径は、１０ｍｍ〜２０ｍｍ（例えば、１５ｍｍ）とすることができる。

このような基板を用いることにより、中央部に開口部を有し、直径１０ｃｍ〜１４ｃｍ（
例えば、直径１２ｃｍ）で、厚さが１．２ｍｍ〜２．０ｍｍ程度の円盤状の照明装置を作
製することができる。

なお、本実施の形態では、基板９０１の形状を円盤形状とする場合を示しているが、基板
９０１の形状は円盤形状に限られず、楕円状や矩形状としてもよい。また、基板９０１に
設けられる開口部９０９の形状も円形に限られず、楕円状や矩形状としてもよい。

＜絶縁膜９０２＞
絶縁膜９０２は、基板９０１から発光素子９３２に水分や不純物元素の拡散を抑制する保
護膜として機能する。特に、基板９０１としてプラスチックを用いる場合、基板９０１か
ら発光素子９３２に拡散する水分を低減することができる。

絶縁膜９０２としては、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、酸
化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、酸化マグネシウム膜、酸化イットリウム膜、酸
化ハフニウム膜、酸化タンタル膜、硫化亜鉛膜、酸化珪素を含む硫化亜鉛膜等をその例に
挙げることができる。これらの材料から成る単層または積層構造として形成して用いるこ
とができる。これらの膜は、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等を用いて形成することがで
きる。

絶縁膜９０２は単層であっても、絶縁膜を２層または３層積層して形成してもよい。また
、絶縁膜９０２を設けずに、基板９０１上に接して第１の電極９０４を設けてもよい。

＜第１の電極９０４・第２の電極９０８＞
第１の電極９０４、第２の電極９０８は、発光素子９３２において電極として機能し、導
電膜で設けることができる。

また、第１の電極９０４と第２の電極９０８のうち一方は、発光素子９３２の陽極として
機能し、他方は陰極として機能する。第１の電極９０４を陽極として用いると共に、第２
の電極９０８を陰極として用いてもよいし、第１の電極９０４を陰極として用いると共に
、第２の電極９０８を陽極として用いてもよい。

第１の電極９０４、第２の電極９０８のうち、陽極として用いる電極は、仕事関数の大き
い物質で形成することが好ましい。具体的には、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、または
酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を含む酸化
インジウム（ＩＺＯ）の他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステ
ン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（
Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）等を単層又は積層させて形成することができる。

第１の電極９０４、第２の電極９０８のうち、陰極として用いる電極は、仕事関数の小さ
い物質で形成することが好ましい。具体的には、アルミニウム（Ａｌ）やインジウム（Ｉ
ｎ）の他、リチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、マグネシウム（Ｍｇ
）やカルシウム（Ｃａ）等のアルカリ土類金属、エルビウム（Ｅｒ）やイッテルビウム（
Ｙｂ）等の希土類金属を単層又は積層させて形成することができる。また、アルミニウム
リチウム合金（ＡｌＬｉ）やマグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ）のような合金を電極の材料
として用いることもできる。

また、第１の電極９０４、第２の電極９０８は、スパッタ法や蒸着法等の成膜法を用い、
成膜時にシャドーマスクを適用して形成することができる。

本実施の形態では、第１の電極９０４としてＩＴＯを用いて陽極として機能させ、第２の
電極９０８としてアルミニウムを用いて陰極として機能させることができる。

発光素子９３２の発光は、第１の電極９０４と第２の電極９０８のいずれか一方または両
方を通って外部に取り出される。従って、第１の電極９０４と第２の電極９０８のいずれ
か一方または両方を、透光性を有する電極で形成する。第１の電極９０４のみが透光性を
有する電極である場合、光は第１の電極９０４を通って基板９０１側から取り出される。
また、第２の電極９０８のみが透光性を有する電極である場合、光は第２の電極９０８を
通って絶縁膜９１０側から取り出される。第１の電極９０４および第２の電極９０８がい
ずれも透光性を有する電極である場合、光は第１の電極９０４および第２の電極９０８を
通って、基板９０１側および絶縁膜９１０側の両方から取り出される。

＜有機ＥＬ層９０６＞
有機ＥＬ層９０６は、少なくとも発光物質を含む層を有し、単層構造又は複数の膜が積層
された積層構造で設けることができる。

例えば、第１の電極９０４を陽極とし、第２の電極９０８を陰極として、発光素子９３２
に電圧を加えた場合、第１の電極９０４側から注入した正孔と、第２の電極９０８側から
注入した電子が輸送される。そして、電子と正孔が有機ＥＬ層９０６にて再結合すること
により発光物質を励起し、励起状態の発光物質が基底状態に戻る際に発光して、発光素子
９３２が機能する。本実施の形態で示す円盤形光源部９３０は、このような発光素子９３
２（エレクトロルミネッセンス素子）を用いることができる。

＜絶縁膜９１０＞
絶縁膜９１０は、発光素子９３２を保護すると共に、酸素や水分の侵入を防ぐ封止膜とし
て機能する。絶縁膜９１０は、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素
膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、酸化マグネシウム膜、酸化イットリウム
膜、酸化ハフニウム膜、酸化タンタル膜、硫化亜鉛膜、酸化珪素を含む硫化亜鉛膜等の無
機材料を単層又は積層させて形成することができる。また、炭素を主成分とする薄膜（例
えばＤＬＣ膜、ＣＮ膜）を用いてもよい。

他にも、絶縁膜９１０として、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、レジスト又はベンゾ
シクロブテン等の感光性又は非感光性の有機材料や、シロキサン等の耐熱性有機樹脂を用
いてもよい。また、無機材料と有機材料を積層して絶縁膜９１０を形成してもよい。

また、発光素子９３２が発する光を絶縁膜９１０側に取り出す場合、可視光を透過する材
料を用いて絶縁膜９１０を形成する。可視光を透過する材料としては、例えば、ＣａＦ_２
、ＭｇＦ_２、またはＢａＦ_２をその例に挙げることができる。ＣａＦ_２、ＭｇＦ_２、また
はＢａＦ_２は、蒸着法を用いて成膜することができるため、成膜時に発光素子９３２に与
える損傷を小さくすることができる。

また、絶縁膜９１０の開口部はシャドーマスクを用いて形成することができる。

＜第１の接続部９１２・第２の接続部９１４＞
第１の接続部９１２、第２の接続部９１４は、外部の配線等と電気的な接続を行うための
端子として機能する。つまり、第１の接続部９１２、第２の接続部９１４を介して外部か
ら第１の電極９０４、第２の電極９０８に電源が供給されることにより、発光素子９３２
が発光する。

＜変形例＞
上記図９では、第１の電極９０４で形成される第１の接続部９１２と、第２の電極９０８
で形成される第２の接続部９１４とを対向して設ける場合を示したが、これに限られない
。少なくとも絶縁膜９１０の開口部９１５に、第１の接続部９１２と第２の接続部９１４
を設ける構成とすればよい。

また、第１の接続部９１２と第２の接続部９１４の数をそれぞれ複数設けた構成としても
よい。例えば、第１の接続部を２つ設け、且つ第２の接続部を２つ設けた構成としてもよ
い。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。

（実施の形態３）
本実施の形態では、上記実施の形態２とは別の円盤形光源部の一態様について図１６及び
図１７を用いて説明する。

図１６は円盤形光源部の平面図であり、図１７（Ａ）は図１６における線Ｅ−Ｆ、図１７
（Ｂ）は図１６における線Ｇ−Ｈの断面図である。

下地保護膜（バリア層）として絶縁膜９０２が設けられた基板９０１上に第１の電極９０
４、有機ＥＬ層９０６、及び第２の電極９０８を含む発光素子９３２が形成され、発光素
子９３２は第１の電極９０４及び第２の電極９０８の一部を除いて絶縁膜９１０に覆われ
ている。絶縁膜９１０は発光素子の有機ＥＬ層９０６を外部からの水等の汚染物質から保
護する保護層、封止膜として機能する。なお、基板９０１は、丸型（ディスク形状、円盤
型、または円形）形状を有しており、発光素子９３２を形成する為の薄膜が成膜できる部
材を用いる。

基板９０１は、丸型形状の基板であるため、基板９０１上に積層される絶縁膜９０２、第
１の電極９０４、有機ＥＬ層９０６、第２の電極９０８、及び絶縁膜９１０もその形状を
反映し、概略丸型形状に形成される。

第１の電極９０４及び第２の電極９０８は、絶縁膜９１０上に形成される第１の補助配線
９１１、第２の補助配線９１３とそれぞれ接続するために、基板９０１の外周部まで延設
しており、該延設領域において絶縁膜９１０は覆っておらず、第１の電極９０４、及び第
２の電極９０８が露出している。この第１の電極９０４及び第２の電極９０８の露出領域
は、それぞれ第１の電極９０４と第１の補助配線との接続部、第２の電極９０８と第２の
補助配線との接続部となる。

第１の電極９０４の延設された露出領域に接して第１の補助配線９１１が形成され、同様
に第２の電極９０８の延設された露出領域に接して第２の補助配線９１３が形成されてい
る。第１の補助配線９１１及び第２の補助配線９１３は外部電源の端子との接続のための
円盤形光源部側の端子として機能し、外部電源の端子との第１の接続部９１２（円盤形光
源部の第１の端子部ともいう）、第２の接続部９１４（円盤形光源部の第２の端子部とも
いう）を有している。第１の補助配線９１１及び第２の補助配線９１３によって、第１の
電極９０４の接続部である第１の接続部９１２、及び第２の電極９０８の接続部である第
２の接続部９１４は発光素子９３２と同一面上において円形の基板中央部に設けることが
できる。なお、本明細書において基板や円盤形光源部の中央部とは中央及び中央付近を含
む領域をいう。

基板９０１の外周部Ｅにおいては、絶縁膜９０２上に、第１の電極９０４が形成され、第
１の電極９０４上に第１の電極９０４の端部を覆うように有機ＥＬ層９０６が積層され、
有機ＥＬ層９０６上に有機ＥＬ層９０６の端部を覆い、基板９０１の外周部Ｅ側に延設し
て第２の電極９０８が形成されている。第２の電極９０８の延設された領域は、第２の電
極９０８上に積層される絶縁膜９１０は形成されず露出している。その露出した第２の電
極９０８に接して絶縁膜９１０上に第２の補助配線９１３が基板９０１中央部まで形成さ
れている。よって第２の電極９０８と電気的に接続した第２の補助配線９１３によって、
基板９０１中央部に外部電源との第２の接続部９１４を形成することができる。

基板９０１の外周部Ｆにおいては、絶縁膜９０２上に、第１の電極９０４が基板９０１の
外周部Ｆ側に延設して形成されている。第１の電極９０４上に有機ＥＬ層９０６、第２の
電極９０８が積層され、有機ＥＬ層９０６及び第２の電極９０８上に有機ＥＬ層９０６及
び第２の電極９０８の端部を覆うように絶縁膜９１０が形成される。外周部Ｆにおいて、
第１の電極９０４の延設された領域は、第１の電極９０４上に積層される有機ＥＬ層９０
６、第２の電極９０８、絶縁膜９１０は形成されず露出している。その露出した第１の電
極９０４に接して絶縁膜９１０上に第１の補助配線９１１が基板９０１中央部まで形成さ
れている。よって第１の電極９０４と電気的に接続した第１の補助配線９１１によって、
基板９０１中央部に外部電源との第１の接続部９１２を形成することができる。

基板９０１の外周部Ｇ及びＨにおいては、絶縁膜９０２上に、第１の電極９０４が形成さ
れ、第１の電極９０４上に第１の電極９０４を覆うように有機ＥＬ層９０６が形成され、
有機ＥＬ層９０６上に第２の電極９０８が形成される。第１の電極９０４、有機ＥＬ層９
０６、及び第２の電極９０８上に、有機ＥＬ層９０６及び第２の電極９０８の端部を覆う
ように絶縁膜９１０が形成されている。

このように、円盤形光源部において、有機ＥＬ層９０６は、第１の電極９０４及び第２の
電極９０８が接しないように、第１の電極９０４及び第２の電極９０８の間に形成されて
いる。また、有機ＥＬ層９０６の端部は、絶縁膜９１０又は第２の電極９０８によって覆
われる構造となっている。

よって、発光素子９３２において、第１の電極９０４及び第２の電極９０８は接触による
ショートを生じることなく、発光素子９３２から安定した発光を得ることができる。また
、ＥＬ層が水等により劣化することを防ぎ、円盤形光源部の信頼性を高めることができる
。

本実施の形態の円盤形光源部は、有機ＥＬ層９０６からの光を第１の電極９０４、絶縁膜
９０２、基板９０１を透過して取り出す円盤形光源部である。よって、第１の電極９０４
、絶縁膜９０２、基板９０１は、ＥＬ層からの光を透過する透光性である必要である。な
お、本明細書において透光性とは、少なくとも可視光の波長領域の光に対して光を透過す
る性質を指す。

一方、第２の電極９０８、絶縁膜９１０、第１の補助配線９１１、及び第２の補助配線９
１３は必ずしも透光性を有する必要はない。第２の電極９０８が反射性を有すると、有機
ＥＬ層９０６から基板９０１側よりの光の取り出し効率を高めることができる。

第１の補助配線９１１、第２の補助配線９１３は、導電性材料を用いればよく例えば、ア
ルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブ
デン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、Ｎｄ（ネオジム）、スカンジウム（Ｓｃ）、ニッケル（
Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）から選ばれた材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層
で又は積層して形成することができる。また、酸化タングステンを含むインジウム酸化物
、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、
酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸
化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの導電性材料を用いてもよい。

本実施の形態の照明装置は、簡便な製造工程による作製が可能であるので、量産化を実現
することができる。また、本実施の形態の照明装置は、素子劣化しにくい構造を有するの
で長寿命な照明装置を提供することができる。さらに、本実施の形態の照明装置は、薄膜
軽量化を実現すると共に外部電源との電気的な接続を容易にできるので、様々な用途に用
いることができる。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。
（実施の形態４）
本実施の形態では、上記実施の形態で示した円盤形光源部に設けられた発光素子９３２の
素子構造の一例に関して図１１を参照して説明する。

図１１（Ａ）に示す素子構造は、一対の電極（陽極１００１、陰極１００２）間に発光領
域を含む有機ＥＬ層１００３が挟まれた構造を有する。なお、図１１において、陽極１０
０１、陰極１００２は、上記実施の形態で示した第１の電極９０４又は第２の電極９０８
のいずれかに相当する。

また、有機ＥＬ層１００３は、少なくとも発光層１０１３を含んで形成されていればよく
、発光層１０１３以外の機能層を含む積層構造であっても良い。発光層１０１３以外の機
能層としては、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、
電子注入性の高い物質、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含
む層を用いることができる。具体的には、正孔注入層１０１１、正孔輸送層１０１２、発
光層１０１３、電子輸送層１０１４、電子注入層１０１５等の機能層を適宜組み合わせて
用いることができる。

次に、上述した発光素子に用いることができる材料について、具体的に説明する。

陽極１００１としては、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上が好ましい。）金
属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体
的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄ
ｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸
化亜鉛（ＩＺＯ：ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜
鉛を含有した酸化インジウム等が挙げられる。

これらの導電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル−ゲル法などを
応用して作製しても構わない。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）は、酸化イ
ンジウムに対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法
により形成することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化イン
ジウムは、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０．
１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができる
。

この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（
Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム
（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン等）、モリブ
デン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化
物、チタン酸化物等が挙げられる。

陰極１００２としては、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下であることが好ま
しい）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる
。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素
、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム
（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、および
これらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙ
ｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。なお、アルカリ金属、アル
カリ土類金属、これらを含む合金の膜は、真空蒸着法を用いて形成することができる。ま
た、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む合金はスパッタリング法により形成する
ことも可能である。また、銀ペーストなどをインクジェット法などにより成膜することも
可能である。

この他、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、または希土類金属の化合物（例
えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、酸化リチウム（ＬｉＯｘ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ
）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、フッ化エルビウム（ＥｒＦ_３）など）の薄膜と、ア
ルミニウム等の金属膜とを積層することによって、陰極１００２を形成することも可能で
ある。

なお、本実施の形態に示す発光素子において、陽極１００１および陰極１００２のうち、
少なくとも一方が透光性を有すればよい。

次に、有機ＥＬ層１００３を構成する各層に用いる材料について、以下に具体例を示す。

正孔注入層１０１１は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質と
しては、例えば、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステ
ン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ
_２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、４，４’−ビ
ス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：
ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−［ビス（３−メチルフェニル）アミノ］フェニル］−
Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＤＮＴ
ＰＤ）等の芳香族アミン化合物、或いはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／
ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層
１０１１を形成することができる。さらに、トリス（ｐ−エナミン置換−アミノフェニル
）アミン化合物、２，７−ジアミノ−９−フルオレニリデン化合物、トリ（ｐ−Ｎ−エナ
ミン置換−アミノフェニル）ベンゼン化合物、アリール基が少なくとも１つ置換したエテ
ニル基が一つ又は２つ置換したピレン化合物、Ｎ，Ｎ’−ジ（ビフェニル−４−イル）−
Ｎ，Ｎ’−ジフェニルビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（
ビフェニル−４−イル）ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ
（ビフェニル−４−イル）−３，３’−ジエチルビフェニル−４，４’−ジアミン、２，
２’−（メチレンジ−４，１−フェニレン）ビス［４，５−ビス（４−メトキシフェニル
）−２Ｈ−１，２，３−トリアゾール］、２，２’−（ビフェニル−４，４’−ジイル）
ビス（４，５−ジフェニル−２Ｈ−１，２，３−トリアゾール）、２，２’−（３，３’
−ジメチルビフェニル−４，４’−ジイル）ビス（４，５−ジフェニル−２Ｈ−１，２，
３−トリアゾール）、ビス［４−（４，５−ジフェニル−２Ｈ−１，２，３−トリアゾー
ル−２−イル）フェニル］（メチル）アミン等を用いて正孔注入層１０１１を形成するこ
とができる。

また、正孔注入層１０１１として、有機化合物と無機化合物（好ましくは、有機化合物に
対して電子受容性を示す無機化合物）とを複合してなる正孔注入性複合材料を用いること
ができる。正孔注入性複合材料は、有機化合物と無機化合物との間で電子の授受が行われ
、キャリア密度が増大するため、正孔注入性、正孔輸送性に優れている。

また、正孔注入層１０１１として正孔注入性複合材料を用いた場合、陽極１００１とオー
ム接触をすることが可能となるため、仕事関数に関わらず陽極１００１を形成する材料を
選ぶことができる。

正孔注入性複合材料に用いる無機化合物としては、遷移金属の酸化物であることが好まし
い。また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができ
る。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブ
デン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい
。中でも特に、酸化モリブデンは大気中で安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好
ましい。

正孔注入性複合材料に用いる有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘
導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、
種々の化合物を用いることができる。なお、正孔注入性複合材料に用いる有機化合物とし
ては、正孔輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、１０^−６ｃｍ^２
／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸
送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、正孔注入性複合
材料に用いることのできる有機化合物を具体的に列挙する。

例えば、芳香族アミン化合物としては、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジ
フェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，
Ｎ’−ビス［４−［ビス（３−メチルフェニル）アミノ］フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，
５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（
略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。

正孔注入性複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、３
−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニ
ルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾ
ール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰ
ＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）
アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等を挙げることができる
。

また、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−ト
リス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（
Ｎ−カルバゾリル）］フェニル−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）、１，
４−ビス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベン
ゼン等を用いることができる。

また、正孔注入性複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、２−
ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ
）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビ
ス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブ
チル−９，１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）
、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニル
アントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−
ＢｕＡｎｔｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：Ｄ
ＭＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］ア
ントラセン、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，
６，７−テトラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−
テトラメチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、
１０，１０’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニ
ルフェニル）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−
ペンタフェニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ル
ブレン、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げら
れる。また、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、１×
１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有し、炭素数１４〜４２である芳香族炭化水素
を用いることがより好ましい。

なお、正孔注入性複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有して
いてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（
２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（
２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられ
る。

また、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニ
ルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもできる。

正孔輸送層１０１２は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質と
しては、例えば、芳香族アミン（すなわち、ベンゼン環−窒素の結合を有するもの）の化
合物であることが好ましい。広く用いられている材料として、４，４’−ビス［Ｎ−（３
−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、その誘導体である４，４’−ビ
ス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（以下、ＮＰＢと記す）、
４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニル−アミノ）トリフェニルアミン、４，４
’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニル
アミンなどのスターバースト型芳香族アミン化合物が挙げられる。ここに述べた物質は、
主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔
の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送層１０
１２は、単層のものだけでなく、上記物質の混合層、あるいは二層以上積層したものであ
ってもよい。

また、ＰＭＭＡのような電気的に不活性な高分子化合物に、正孔輸送性材料を添加しても
よい。

また、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニ
ルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルア
ミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略
称：ＰＴＰＤＭＡ）ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フ
ェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物を用いてもよく、
さらに上記高分子化合物に上記正孔輸送性材料を適宜添加してもよい。さらに、トリス（
ｐ−エナミン置換−アミノフェニル）アミン化合物、２，７−ジアミノ−９−フルオレニ
リデン化合物、トリ（ｐ−Ｎ−エナミン置換−アミノフェニル）ベンゼン化合物、アリー
ル基が少なくとも１つ置換したエテニル基が一つ又は２つ置換したピレン化合物、Ｎ，Ｎ
’−ジ（ビフェニル−４−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルビフェニル−４，４’−ジアミ
ン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（ビフェニル−４−イル）ビフェニル−４，４’−ジア
ミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（ビフェニル−４−イル）−３，３’−ジエチルビフ
ェニル−４，４’−ジアミン、２，２’−（メチレンジ−４，１−フェニレン）ビス［４
，５−ビス（４−メトキシフェニル）−２Ｈ−１，２，３−トリアゾール］、２，２’−
（ビフェニル−４，４’−ジイル）ビス（４，５−ジフェニル−２Ｈ−１，２，３−トリ
アゾール）、２，２’−（３，３’−ジメチルビフェニル−４，４’−ジイル）ビス（４
，５−ジフェニル−２Ｈ−１，２，３−トリアゾール）、ビス［４−（４，５−ジフェニ
ル−２Ｈ−１，２，３−トリアゾール−２−イル）フェニル］（メチル）アミン等も正孔
輸送層１０１２に用いることができる。

発光層１０１３は、発光性の物質を含む層であり、種々の材料を用いることができる。例
えば、発光性の物質としては、蛍光を発光する蛍光性化合物や燐光を発光する燐光性化合
物を用いることができる。以下に、発光層に用いることのできる有機化合物材料を説明す
る。ただし、発光素子に適用可能な材料はこれらに限定されるものではない。

青色〜青緑色の発光は、例えば、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔ−ブチルペリ
レン（略称：ＴＢＰ）、９，１０−ジフェニルアントラセンなどをゲスト材料として用い
、適当なホスト材料に分散させることによって得られる。また、４，４’−ビス（２，２
−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）などのスチリルアリーレン誘導体
や、９，１０−ジ−２−ナフチルアントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ビス（２−
ナフチル）−２−ｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）などのアントラセン
誘導体から得ることができる。また、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）等のポリマ
ーを用いても良い。また、青色発光のゲスト材料としては、スチリルアミン誘導体が好ま
しく、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−
ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）や、Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）スチルベン−４
，４’−ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｓ）などが挙げられる。特にＹＧＡ２Ｓは、４５０ｎ
ｍ付近にピークを有しており好ましい。また、ホスト材料としては、アントラセン誘導体
が好ましく、９，１０−ビス（２−ナフチル）−２−ｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ
−ＢｕＤＮＡ）や、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−
カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）が好適である。特に、ＣｚＰＡは電気化学的に安定であ
るため好ましい。

青緑色〜緑色の発光は、例えば、クマリン３０、クマリン６などのクマリン系色素や、ビ
ス［２−（２，４−ジフルオロフェニル）ピリジナト］ピコリナトイリジウム（略称：Ｆ
Ｉｒｐｉｃ）、ビス（２−フェニルピリジナト）アセチルアセトナトイリジウム（Ｉｒ（
ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ））などをゲスト材料として用い、適当なホスト材料に分散させる
ことによって得られる。また、上述のペリレンやＴＢＰを５ｗｔ％以上の高濃度で適当な
ホスト材料に分散させることによっても得られる。また、ＢＡｌｑ、Ｚｎ（ＢＴＺ）_２、
ビス（２−メチル−８−キノリノラト）クロロガリウム（Ｇａ（ｍｑ）_２Ｃｌ）などの金
属錯体からも得ることができる。また、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）等のポリマーを
用いても良い。また、青緑色〜緑色の発光層のゲスト材料としては、アントラセン誘導体
が効率の高い発光が得られるため好ましい。例えば、９，１０−ビス｛４−［Ｎ−（４−
ジフェニルアミノ）フェニル−Ｎ−フェニル］アミノフェニル｝−２−ｔｅｒｔ−ブチル
アントラセン（略称：ＤＰＡＢＰＡ）を用いることにより、高効率な青緑色発光が得られ
る。また、２位にアミノ基が置換されたアントラセン誘導体は高効率な緑色発光が得られ
るため好ましく、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル
−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）が特に長寿命であり好適であ
る。これらのホスト材料としてはアントラセン誘導体が好ましく、先に述べたＣｚＰＡが
電気化学的に安定であるため好ましい。また、緑色発光と青色発光を組み合わせ、青色か
ら緑色の波長領域に２つのピークを持つ発光素子を作製する場合、青色発光層のホストに
ＣｚＰＡのような電子輸送性のアントラセン誘導体を用い、緑色発光層のホストにＮＰＢ
のようなホール輸送性の芳香族アミン化合物を用いると、青色発光層と緑色発光層との界
面で発光が得られるため好ましい。すなわちこの場合、２ＰＣＡＰＡのような緑色発光材
料のホストとしては、ＮＰＢの如き芳香族アミン化合物が好ましい。

黄色〜橙色の発光は、例えば、ルブレン、４−（ジシアノメチレン）−２−［ｐ−（ジメ
チルアミノ）スチリル］−６−メチル−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＭ１）、４−（ジシア
ノメチレン）−２−メチル−６−（９−ジュロリジル）エテニル−４Ｈ−ピラン（略称：
ＤＣＭ２）、ビス［２−（２−チエニル）ピリジナト］アセチルアセトナトイリジウム（
Ｉｒ（ｔｈｐ）_２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルキノリナト）アセチルアセトナト
イリジウム（Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ））などをゲスト材料として用い、適当なホスト
材料に分散させることによって得られる。特に、ゲスト材料としてルブレンのようなテト
ラセン誘導体が、高効率かつ化学的に安定であるため好ましい。この場合のホスト材料と
しては、ＮＰＢのような芳香族アミン化合物が好ましい。他のホスト材料としては、ビス
（８−キノリノラト）亜鉛（略称：Ｚｎｑ_２）やビス［２−シンナモイル−８−キノリノ
ラト］亜鉛（略称：Ｚｎｓｑ_２）などの金属錯体を用いることができる。また、ポリ（２
，５−ジアルコキシ−１，４−フェニレンビニレン）等のポリマーを用いても良い。

橙色〜赤色の発光は、例えば、４−（ジシアノメチレン）−２，６−ビス［ｐ−（ジメチ
ルアミノ）スチリル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、４−（ジシアノメチレン
）−２，６−ビス［２−（ジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：
ＢｉｓＤＣＪ），４−（ジシアノメチレン）−２−［ｐ−（ジメチルアミノ）スチリル］
−６−メチル−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＭ１）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチ
ル−６−（９−ジュロリジル）エテニル−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＭ２）、ビス［２−
（２−チエニル）ピリジナト］アセチルアセトナトイリジウム（Ｉｒ（ｔｈｐ）_２（ａｃ
ａｃ））、などをゲスト材料として用い、適当なホスト材料に分散させることによって得
られる。ビス（８−キノリノラト）亜鉛（略称：Ｚｎｑ_２）やビス［２−シンナモイル−
８−キノリノラト］亜鉛（略称：Ｚｎｓｑ_２）などの金属錯体からも得ることができる。
また、ポリ（３−アルキルチオフェン）等のポリマーを用いても良い。赤色発光を示すゲ
スト材料としては、４−（ジシアノメチレン）−２，６−ビス［ｐ−（ジメチルアミノ）
スチリル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、４−（ジシアノメチレン）−２，６
−ビス［２−（ジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＢｉｓＤＣ
Ｊ），４−（ジシアノメチレン）−２−［ｐ−（ジメチルアミノ）スチリル］−６−メチ
ル−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＭ１）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（
９−ジュロリジル）エテニル−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＭ２）、｛２−イソプロピル−
６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７−テトラメチル−１Ｈ，５
Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝
プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、｛２，６−ビス［２−（２，３，６，７−テ
トラヒドロ−８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ
］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリ
ル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）のような４Ｈ−ピラン誘導体が高効率であり、好ましい。
特に、ＤＣＪＴＩ、ＢｉｓＤＣＪＴＭは、６２０ｎｍ付近に発光ピークを有するため好ま
しい。

なお、発光層１０１３としては、上述した発光性の物質（ゲスト材料）を他の物質（ホス
ト材料）に分散させた構成としてもよい。発光性の高い物質を分散させるための物質とし
ては、各種のものを用いることができ、発光性の高い物質よりも最低空軌道準位（ＬＵＭ
Ｏ準位）が高く、最高被占有軌道準位（ＨＯＭＯ準位）が低い物質を用いることが好まし
い。

発光性の物質を分散させるための物質としては、具体的には、トリス（８−キノリノラト
）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）
アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キ
ノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノ
ラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（
８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリ
ル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリ
ル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体、２−（４−ビフェ
ニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略
称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オ
キサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）
−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（
略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フ
ェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称
：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）などの複素環化合物や、９−［４−
（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ
）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−
９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェ
ニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（
略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（
略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（ス
チルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチ
ルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、３，３’，３’’
−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリピレン（略称：ＴＰＢ３）、９，１０−ジフ
ェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェ
ニルクリセンなどの縮合芳香族化合物、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニ
ル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１Ｐ
Ａ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ
）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−
９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４
−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾー
ル−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル
）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ
ＰＢ（またはα−ＮＰＤ）、ＴＰＤ、ＤＦＬＤＰＢｉ、ＢＳＰＢなどの芳香族アミン化合
物などを用いることができる。

また、発光性の物質を分散させるための物質は複数種用いることができる。例えば、結晶
化を抑制するためにルブレン等の結晶化を抑制する物質をさらに添加してもよい。また、
発光性の物質へのエネルギー移動をより効率良く行うためにＮＰＢ、あるいはＡｌｑ等を
さらに添加してもよい。

発光性の物質を他の物質に分散させた構成とすることにより、発光層１０１３の結晶化を
抑制することができる。また、発光性の物質の濃度が高いことによる濃度消光を抑制する
ことができる。

電子輸送層１０１４は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送性の高い物質と
しては、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（
４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒド
ロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−
８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、
キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等がある。また、この他ビス［
２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）_２）
、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ
）_２）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることが
できる。さらに、金属錯体以外にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−
ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［
５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベ
ンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔ
ｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、バソフェナン
トロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、ビス［３−（１Ｈ
−ベンゾイミダゾール−２−イル）フルオレン−２−オラト］亜鉛（ＩＩ）、ビス［３−
（１Ｈ−ベンゾイミダゾール−２−イル）フルオレン−２−オラト］ベリリウム（ＩＩ）
、ビス［２−（１Ｈ−ベンゾイミダゾール−２−イル）ジベンゾ［ｂ、ｄ］フラン−３−
オラト］（フェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）、ビス［２−（ベンゾオキサゾール−２
−イル）−７，８−メチレンジオキシジベンゾ［ｂ、ｄ］フラン−３−オラト］（２−ナ
フトラト）アルミニウム（ＩＩＩ）なども用いることができる。ここに述べた物質は、主
に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の
輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層１０１４として用いても構わな
い。また、電子輸送層１０１４は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以
上積層したものとしてもよい。

電子注入層１０１５は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入性の高い物質
としては、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（
ＣａＦ_２）等のアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物が挙げられる。
また、有機化合物（好ましくは、電子輸送性を有する有機化合物）と無機化合物（好まし
くは、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、またはそれらの化合物）とを複合
してなる電子注入性複合材料を用いることもできる。電子注入性複合材料としては、例え
ばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いることができる。この様な
構造とすることにより、陰極１００２からの電子注入効率をより高めることができる。

なお、電子注入層１０１５として、上述した電子注入性複合材料を用いた場合には、仕事
関数に関わらずＡｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、珪素若しくは酸化珪素を含有したＩＴＯ等様々な導
電性材料を陰極１００２の材料として用いることができる。

以上の層を適宜組み合わせて積層することにより、有機ＥＬ層１００３を形成することが
できる。なお、発光層１０１３を２層以上の積層構造としても良い。発光層１０１３を２
層以上の積層構造とし、各々の発光層に用いる発光物質の種類を変えることにより様々な
発光色を得ることができる。また、発光物質として発光色の異なる複数の発光物質を用い
ることにより、ブロードなスペクトルの発光や白色発光を得ることもできる。特に、高輝
度が必要とされる照明用途には、発光層を積層させた構造が好適である。

また、有機ＥＬ層１００３の形成方法としては、用いる材料に応じて種々の方法（例えば
、乾式法や湿式法等）適宜選択することができる。例えば、真空蒸着法、スパッタリング
法、インクジェット法、スピンコート法、等を用いることができる。また、各層で異なる
方法を用いて形成してもよい。

また、本実施の形態に示す発光素子の作製方法としては、ドライプロセス（例えば、真空
蒸着法、スパッタリング法）、ウェットプロセス（例えば、インクジェット法、スピンコ
ート法等）を問わず、種々の方法を用いて形成することができる。

なお、本実施の形態に示す発光素子の構成は、図１１（Ｂ）に示すように一対の電極間に
有機ＥＬ層１００３が複数積層された構造、所謂、積層型素子の構成であってもよい。但
し、有機ＥＬ層１００３が、例えばｎ（ｎは２以上の自然数）層の積層構造を有する場合
には、ｍ（ｍは自然数、１≦ｍ≦ｎ−１）番目の有機ＥＬ層と、（ｍ＋１）番目の有機Ｅ
Ｌ層との間には、それぞれ中間層１００４が挟まれた構造を有する。

なお、中間層１００４とは、陽極１００１と陰極１００２に電圧を印加したときに、中間
層１００４に接して形成される陽極１００１側の一方の有機ＥＬ層１００３に対して正孔
を注入する機能を有し、陰極１００２側の他方の有機ＥＬ層１００３に電子を注入する機
能を有する。

中間層１００４は、上述した有機化合物と無機化合物との複合材料（正孔注入性複合材料
や電子注入性複合材料）の他、金属酸化物等の材料を適宜組み合わせて形成することがで
きる。なお、正孔注入性複合材料とその他の材料とを組み合わせて用いることがより好ま
しい。中間層１００４に用いるこれらの材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れ
ているため、発光素子の低電流駆動を実現することができる。

積層型素子の構成において、有機ＥＬ層が２層積層された構成を有する場合において、第
１の有機ＥＬ層から得られる発光の発光色と第２の有機ＥＬ層から得られる発光の発光色
を補色の関係にすることによって、白色発光を外部に取り出すことができる。なお、第１
の有機ＥＬ層および第２の有機ＥＬ層のそれぞれが補色の関係にある複数の発光層を有す
る構成としても、白色発光が得られる。補色の関係としては、青色と黄色、あるいは青緑
色と赤色などが挙げられる。青色、黄色、青緑色、赤色に発光する物質としては、例えば
、先に列挙した発光物質の中から適宜選択すればよい。

以下に、第１の有機ＥＬ層および第２の有機ＥＬ層のそれぞれが補色の関係にある複数の
発光層を有し、白色発光が得られる構成の一例を示す。

例えば、第１の有機ＥＬ層は、青色〜青緑色の波長領域にピークを有する発光スペクトル
を示す第１の発光層と、黄色〜橙色の波長領域にピークを有する発光スペクトルを示す第
２の発光層とを有し、第２の有機ＥＬ層は、青緑色〜緑色の波長領域にピークを有する発
光スペクトルを示す第３の発光層と、橙色〜赤色の波長領域にピークを有する発光スペク
トルを示す第４の発光層とを有するものとする。

この場合、第１の有機ＥＬ層からの発光は、第１の発光層および第２の発光層の両方から
の発光を合わせたものであるので、青色〜青緑色の波長領域および黄色〜橙色の波長領域
の両方にピークを有する発光スペクトルを示す。すなわち、第１の有機ＥＬ層は２波長型
の白色または白色に近い色の発光を呈する。

また、第２の有機ＥＬ層からの発光は、第３の発光層および第４の発光層の両方からの発
光を合わせたものであるので、青緑色〜緑色の波長領域および橙色〜赤色の波長領域の両
方にピークを有する発光スペクトルを示す。すなわち、第２の有機ＥＬ層は、第１の有機
ＥＬ層とは異なる２波長型の白色または白色に近い色の発光を呈する。

したがって、第１の有機ＥＬ層からの発光および第２の有機ＥＬ層からの発光を重ね合わ
せることにより、青色〜青緑色の波長領域、青緑色〜緑色の波長領域、黄色〜橙色の波長
領域、橙色〜赤色の波長領域をカバーする白色発光を得ることができる。

なお、上述した積層型素子の構成において、積層される有機ＥＬ層の間に中間層を配置す
ることにより、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での長寿命素子を実現することが
できる。また、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光
が可能となる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、実施の形態２で示した円盤形光源部９３０及び口金部９５０の接続構
造について図１２（Ａ）、（Ｂ）を参照して説明する。

口金部９５０は、制御回路９５２と、当該制御回路９５２と電気的に接続された第１の接
続配線９５４、第２の接続配線９５６、第１の取り出し配線９５８及び第２の取り出し配
線９６０を有している。

制御回路９５２は、外部電源から供給される電源電圧を元に、発光素子９３２を一定の輝
度で点灯させるための機能を有する回路である。制御回路９５２は、上記実施の形態１で
説明した制御回路部の構成を適用する。また、制御回路９５２には、必要に応じて、サー
ジ対策として保護回路等を設けてもよい。

第１の接続配線９５４、第２の接続配線９５６は、円盤形光源部９３０に設けられた発光
素子９３２と制御回路９５２を電気的に接続する配線として機能する。具体的には、第１
の接続配線９５４は、基板９０１上に設けられた第１の接続部９１２と電気的に接続され
、第２の接続配線９５６は、基板９０１上に設けられた第２の接続部９１４と電気的に接
続される（図１２（Ｂ）参照）。

第１の接続配線９５４と第１の接続部９１２との電気的な接続、第２の接続配線９５６と
第２の接続部９１４との電気的な接続は、図１２（Ｂ）に示すように異方性導電性ペース
ト９５７を用いて行うことができる。なお、電気的な接続は、異方導電性ペースト（ＡＣ
Ｐ（ＡｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＰａｓｔｅ））に限られず、異方
導電性フィルム（ＡＣＦ（ＡｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＦｉｌｍ）
）等で圧着させることにより電気的に接続することが出来る。また、他にも、銀ペースト
、銅ペーストまたはカーボンペースト等の導電性接着剤や半田接合等を用いて接続を行う
ことも可能である。

第１の取り出し配線９５８、第２の取り出し配線９６０は、制御回路９５２と電気的に接
続され、外部から円盤形光源部９３０へ電源を供給するための配線として機能する。

図１２（Ａ）では、基板９０１が設けられた面（絶縁膜９１０が設けられた面と反対側の
面）側から当該基板９０１を介して光を取り出す構成を示しており、この場合、口金部９
５０の制御回路９５２は、絶縁膜９１０の上方に設けた構成とすることができる。

また、発光素子９３２からの光の取り出しは、図１２（Ａ）に示した構成に限られない。
絶縁膜９１０が設けられた面（基板９０１と反対側の面）側から光を取り出す構成として
もよい。この場合、基板９０１の裏面（発光素子９３２が設けられた面と反対側の面）側
に制御回路９５２が設けられ、基板９０１に設けられた開口部を介して第１の接続配線９
５４及び第２の接続配線９５６が発光素子９３２と電気的に接続される構成とすることが
できる。

また、図１２（Ａ）、（Ｂ）の構成において、光の取り出される面と反対側の面上（図１
２（Ａ）では絶縁膜９１０上）に乾燥剤を設けておくことが好ましい。乾燥剤は、スパッ
タ等を用いて形成することができる。特に、基板９０１の裏面側に設ける場合には、スパ
ッタにより全面に設けることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、照明装置の応用例を示す。

図１３は、本発明の一態様である照明装置を室内の照明装置として用いた一例を示してい
る。本発明の一態様である照明装置は、天井用照明装置１３０１としてのみならず、壁用
照明装置１３０２としても用いることが可能である。また、当該照明装置は、卓上照明装
置１３０３としても用いることが可能である。また本発明の一態様である照明装置は、面
光源の光源を有するため、点光源の光源を用いた場合に比べ、光反射板等の部材を削減す
ることができ、または熱の発生が白熱電球に比べて小さい点等、室内の照明装置として好
ましい。

また、本発明の一態様である照明装置は、自動車、自転車などのヘッドライトとして用い
ることが可能である。図１４（Ａ）〜図１４（Ｃ）は、本発明の一態様である照明装置を
自動車のヘッドライトとして用いた一例を示している。図１４（Ａ）は、本発明の一態様
である照明装置をヘッドライト１４００として用いた自動車の外観図である。また図１４
（Ｂ）、図１４（Ｃ）は、図１４（Ａ）のヘッドライト１４００の断面図である。図１４
（Ｂ）、図１４（Ｃ）において、電源供給用コネクタ１４０２に接続された照明装置１４
０１は、光源として用いられている。図１４（Ｂ）では、複数の照明装置１４０１が用い
られているため高輝度の光を外部に取り出すことができる。一方、図１４（Ｃ）では、反
射板１４０３によって照明装置からの光が集光されており、指向性を有する高輝度の光を
外部に取り出すことができる。

次に、本発明の一態様である照明装置を、信号機、誘導灯等の照明装置として適用した例
について図１５（Ａ）に示す。

図１５（Ａ）は、一例として、信号機の外観について示した図である。信号機１５００は
、青の照明部１５０１、黄色の照明部１５０２、赤の照明部１５０３を有する。信号機１
５００は、各照明部における照明装置に青、黄、赤の三色に対応する本発明の一態様であ
る照明装置を有する。

本発明の一態様である照明装置を避難口誘導灯に適用した例について図１５（Ｂ）に示す
。

図１５（Ｂ）は、一例として、避難口誘導灯の外観について示した図である。避難口誘導
灯１５１０は、照明装置と、蛍光部が設けられた蛍光板とを組み合わせて構成することが
できる。また、特定の色を発光する照明装置と、図面のような形状の透過部が設けられた
遮光板とを組み合わせて構成することもできる。本発明の一態様である照明装置は、一定
の輝度で点灯することができるため、常時点灯が求められる避難口誘導灯として好ましい
。

本発明の一態様である照明装置を屋外用照明に適用した例について図１５（Ｃ）に示す。

屋外用照明の一つとして例えば街灯が挙げられる。街灯は、例えば図１５（Ｃ）に示すよ
うに、筐体１６０１と、照明部１６０２と、を有する構成とすることができる。本発明の
一態様である照明装置は、照明部１６０２に複数配置して用いることができる。図１５（
Ｃ）に示すように、街灯は、例えば道路沿いに設置して照明部１６０２により周囲を照ら
すことができるため、道路を含め周囲の視認性を向上させることができる。

なお、街灯に電源電圧を供給する場合には、例えば図１５（Ｃ）に示すように、電柱１６
０３の送電線１６０４を介して電源電圧を供給することができる。ただしこれに限定され
ず、例えば光電変換装置を筐体１６０１に設け、光電変換装置により得られた電圧を電源
電圧として利用することもできる。

また、本発明の一態様である照明装置を携帯用照明に適用した例について図１５（Ｄ）及
び図１５（Ｅ）に示す。図１５（Ｄ）は、装着型ライトの構成を示す図であり、図１５（
Ｅ）は手持ち型ライトの構成を示す図である。

図１５（Ｄ）に示す装着型ライトは、装着部１６０５と、照明部１６０６を有し、照明部
１６０６は装着部１６０５に固定されている。本発明の一態様である照明装置は、照明部
１６０６に用いることができる。図１５（Ｄ）に示す装着型ライトは、装着部１６０５を
頭部に装着し、照明部１６０６を発光させることができる。また、照明部１６０６として
面光源の光源を用いることにより、周囲の視認性を向上させることができる。また、照明
部１６０６は軽量であるため、頭部に装着して使用する際の負担を軽減することができる
。

なお、図１５（Ｄ）に示す装着型ライトの構成に限定されず、例えば装着部１６０５をリ
ング状にした平紐やゴム紐のベルトにし、該ベルトに照明部１６０６を固定し、該ベルト
を頭部に直接巻きつける構成とすることもできる。

図１５（Ｅ）に示す手持ち型ライトは、筐体１６０７と、照明部１６０８と、スイッチ１
６０９と、を有する。本発明の一態様である照明装置は、照明部１６０８に用いることが
できる。本発明の一態様である照明装置を照明部１６０８に用いることにより、照明部１
６０８の厚さを薄くすることができ、小型にすることができるため、携帯しやすくするこ
とができる。

スイッチ１６０９は、照明部１６０８の発光または非発光を制御する機能を有する。また
、スイッチ１６０９は、例えば発光時の照明部１６０８の輝度を調節する機能を有するこ
ともできる。

図１５（Ｅ）に示す手持ち型ライトは、スイッチ１６０９により照明部１６０８を発光さ
せることにより、周囲を照らすことができるため、周囲の視認性を向上させることができ
る。また本発明の一態様である照明装置は、面光源の光源を有するため、点光源の光源を
用いた場合に比べ、光反射板等の部材を削減することも可能である。

なお、本実施の形態において、各々の図で述べた内容は、別の実施の形態で述べた内容に
対して、適宜、組み合わせ、又は置き換えなどを自由に行うことができる。

１００照明装置
１０１制御回路部
１０２面光源部
１０３点灯スイッチ
１０４交流電源
１０５整流平滑回路
１０６定電圧回路
１０７輝度調整回路
１０８可変電流源回路
１０９発光素子
１１１口金部
１１２円盤形光源部
１１３端子部
２０１基板
２０２電極
２０３有機ＥＬ層
２０４電極
２０５光
２０６口金
２０７絶縁部
２０８電極
３０１トランス
３０２整流回路
３０３容量素子
３０４点灯時間計測回路
３０５補正回路
３０６累積点灯時間記憶部
３０７劣化補正記憶回路部
３０８Ｄ／Ａコンバータ
４０４直流電源
５０１温度センサ
５０２輝度設定回路
６０１カレントミラー回路
６０２トランジスタ
７０１脱着検知回路
８０１曲線
８０２曲線
８０３曲線
９０１基板
９０２絶縁膜
９０４電極
９０６有機ＥＬ層
９０８電極
９０９開口部
９１０絶縁膜
９１１補助配線
９１２接続部
９１３補助配線
９１４接続部
９１５開口部
９３０円盤形光源部
９３２発光素子
９５０口金部
９５２制御回路
９５４接続配線
９５６接続配線
９５７異方性導電性ペースト
９５８取り出し配線
９６０取り出し配線
１００１陽極
１００２陰極
１００３有機ＥＬ層
１００４中間層
１０１１正孔注入層
１０１２正孔輸送層
１０１３発光層
１０１４電子輸送層
１０１５電子注入層
１３０１天井用照明装置
１３０２壁用照明装置
１３０３卓上照明装置
１４００ヘッドライト
１４０１照明装置
１４０２電源供給用コネクタ
１４０３反射板
１５００信号機
１５０１照明部
１５０２照明部
１５０３照明部
１５１０避難口誘導灯
１６０１筐体
１６０２照明部
１６０３電柱
１６０４送電線
１６０５装着部
１６０６照明部
１６０７筐体
１６０８照明部
１６０９スイッチ

Claims

光源部と、制御回路部と、を有し、
前記光源部は、
基板と、
前記基板上の、第１の電極と、
前記第１の電極上の、ＥＬ層と、
前記ＥＬ層上の、第２の電極と、
前記第２の電極上の、絶縁膜と、を有し、
前記第１の電極と、前記ＥＬ層と、前記第２の電極とを有する発光素子を有し、
前記基板は、円盤形状を有し、
前記基板は、中央部に、第１の開口部を有し、
前記第１の電極は、第１の開口部と重なる領域に、第２の開口部を有し、
前記ＥＬ層は、前記第２の開口部と重なる領域に、第３の開口部を有し、
前記第２の電極は、前記第３の開口部と重なる領域に、第４の開口部を有し、
前記第１の開口部側において、前記第１の電極は、前記絶縁膜の端より延在し、前記延在した領域は、第１の接続部として機能し、
前記第１の開口部側において、前記第２の電極は、前記絶縁膜の端より延在し、前記延在した領域は、第２の接続部として機能し、
前記制御回路部は、
輝度調整回路と、
可変電流源回路と、を有し、
前記輝度調整回路は、前記発光素子の点灯時間をカウントした累積点灯時間を記憶し、前記累積点灯時間に応じて前記発光素子の輝度を制御する機能を有し、
前記可変電流現回路は、前記輝度調整回路から出力された信号に応じて前記発光素子に電流を供給する機能を有することを特徴とする照明装置。
光源部と、制御回路部と、を有し、
前記光源部は、
基板と、
前記基板上の、第１の電極と、
前記第１の電極上の、ＥＬ層と、
前記ＥＬ層上の、第２の電極と、
前記第２の電極上の、絶縁膜と、
前記絶縁膜上の、第３の電極及び第４の電極と、を有し、
前記第１の電極と、前記ＥＬ層と、前記第２の電極とを有する発光素子を有し、
前記基板は、円盤形状を有し、
前記基板の外周側において、前記第１の電極は、前記絶縁膜の端より延在し、
前記第１の電極は、前記延在した領域を介して、前記第３の電極と電気的に接続され、
前記基板の外周側において、前記第２の電極は、前記絶縁膜の端より延在し、
前記第２の電極は、前記延在した領域を介して、前記第４の電極と電気的に接続され、
前記制御回路部は、
輝度調整回路と、
可変電流源回路と、を有し、
前記輝度調整回路は、前記発光素子の点灯時間をカウントした累積点灯時間を記憶し、前記累積点灯時間に応じて前記発光素子の輝度を制御する機能を有し、
前記可変電流現回路は、前記輝度調整回路から出力された信号に応じて前記発光素子に電流を供給する機能を有することを特徴とする照明装置。