JP2015201314A - 発光素子表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】外光環境が変化した場合であっても高い視認性で表示させることができる発光素子表示装置を提供する。
【解決手段】発光素子表示装置は、マトリクス状に配置された複数の画素からなる表示領域を有する基板と、前記基板上の前記複数の画素のそれぞれにおいて形成され、導電体からなる下部電極と、前記下部電極上に形成され、発光層を含む有機層と、前記有機層上に形成され、導電体からなる上部電極と、前記上部電極の前記基板側とは反対側で、表示領域を覆うように配置された高分子分散型液晶層と、前記上部電極の前記基板側とは反対側に形成され、導電体からなる電極層と、を備え、前記表示領域上に配置された前記電極層は一体的に形成され同電位である、ことを特徴とする。
【選択図】図５

Description

本発明は、発光素子表示装置に関する。

近年、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）等の自発光体を用いた発光素子表示装置が実用化されている。このようなＯＬＥＤを用いた有機ＥＬ（Electro-luminescent）表示装置をはじめとする発光素子表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、自発光体を用いているため、視認性、応答速度の点で優れているだけでなく、バックライトのような補助照明装置を要しないため、更なる薄型化が可能となっている。

特許文献１は、ＰＤＬＣ（Polymer Dispersed Liquid Crystal：高分子分散型液晶）層を有する有機ＥＬ表示装置において、発光素子が発光している状態においてＰＤＬＣ層が透明性を示し、発光素子が発光していない状態においてＰＤＬＣ層が光吸収性を示すように制御されることについて開示している。

特許文献２は、発光有機エレクトロルミネッセンス素子において、ＰＤＬＣ層を設け、ＰＤＬＣによる散乱により、内部反射およびキャビティ効果を低減させることについて開示している。

特開２００６−２７６０８９号公報 特開２０１２−５０９５５１号公報

有機ＥＬ表示装置は、観察者側からみて発光層の裏側に通常、発光効率を高めるための反射膜を有しているが、例えば室外等において外光が強い場合には、反射膜による外光の反射により画像の視認性が悪化したり、画面上に虹模様が発生することがあった。従来、このような外光反射の防止のために、円偏光板を表示パネルの上面に設置する構造が提案されているが、円偏光板の光透過率は５０％未満と低く、発光効率の低下につながることとなっていた。また、円偏光板の追加は、新たな製造工程を増加させることとなるため、製造コストの上昇にも繋がる恐れがあった。

本発明は上述の事情を鑑みてしたものであり、外光環境が変化した場合であっても高い視認性で表示させることができる発光素子表示装置を提供することを目的とする。

本発明の発光素子表示装置は、マトリクス状に配置された複数の画素からなる表示領域を有する基板と、前記基板上の前記複数の画素のそれぞれにおいて形成され、導電体からなる下部電極と、前記下部電極上に形成され、発光層を含む有機層と、前記有機層上に形成され、導電体からなる上部電極と、前記上部電極の前記基板側とは反対側で、前記表示領域を覆うように配置された高分子分散型液晶層と、前記上部電極の前記基板側とは反対側に形成され、導電体からなる電極層と、を備え、前記表示領域上に配置された前記電極層は一体的に形成され同電位である、ことを特徴とする発光素子表示装置である。

ここで、「画素」は、発光素子を有する単位を意味し、画素が複数の発光素子で構成されることにより複数の副画素を有している場合には副画素を意味する。

また、本発明の発光素子表示装置において、前記電極層は、前記表示領域全体を覆うベタ電極とすることができる。また、本発明の発光素子表示装置において、前記電極層は、網目状又は短冊状で前記表示領域を覆っていてもよい。

また、本発明の発光素子表示装置において、前記高分子分散型液晶層は、前記電極層と前記上部電極との間に形成されていてもよい。この場合には、前記上部電極と前記高分子分散型液晶層との間において、前記表示領域を覆って形成された上部電極封止膜を更に備えていてもよい。

また、本発明の発光素子表示装置において、前記高分子分散型液晶層と前記電極層との間において、前記表示領域を覆って形成された高分子分散型液晶層封止膜を更に備えていてもよい。

また、本発明の発光素子表示装置において、前記電極層上において前記表示領域を覆って形成された電極層封止膜を更に備えていてもよい。

本発明の発光素子表示装置は、マトリクス状に配置された複数の画素からなる表示領域を有する基板と、前記基板上の前記複数の画素のそれぞれにおいて形成され、導電体からなる下部電極と、前記下部電極の端部を覆い、発光領域を画定する画素分離膜と、前記下部電極上に形成され、発光層を含む有機層と、前記有機層上に形成され、導電体からなる上部電極と、前記上部電極上に形成され、前記表示領域を覆って形成された封止膜と、前記封止膜上で、平面視で前記画素分離膜と重畳する領域に形成された、導電体からなる電極層と、前記封止膜上及び前記電極層上において、表示領域を覆うように配置された高分子分散型液晶層と、を備える発光素子表示装置である。

また、本発明の発光素子表示装置において、前記電極層は、前記表示領域において電気的に独立した複数の電極により構成されていてもよく、この場合において、前記複数の電極は、前記表示領域において短冊状に一方向に延びていてもよい。更にこの場合において、前記複数の短冊状に延びる電極は、隣接する前記画素の前記一方向に延びる列の間に複数形成されていてもよい。

また、本発明の発光素子表示装置において、前記表示領域上に配置された前記電極層は一体的に形成され同電位であるとすることができる。

また、本発明の発光素子表示装置において、前記有機層は、光を共振させて強めるマイクロキャビティ構造であってもよい。

また、本発明の発光素子表示装置において、周囲の明るさを計測する外光センサと、前記外光センサの出力に基づいて前記電極層の電位を制御する電位制御部と、を更に備えることとしてもよい。

本発明の第１実施形態に係る発光素子表示装置である有機ＥＬ表示装置を概略的に示す図である。 図１のII−II線における断面を概略的に示す図である。 図１の画素に含まれる副画素の構成例について示す図である。 図１の画素に含まれる副画素の構成例について示す図である。 副画素の断面の一例について拡大して示す図である。 電極層に上部電極と同じ電位が印加された場合について示す図である。 電極層に上部電極とは異なる電位が印加された場合について示す図である。 視野角制御における視角と輝度の関係について示すグラフである。 本発明の第２実施形態係る副画素の断面の一例について示す図である。 図９の構成において、電極層に上部電極とは異なる電位が印加された場合について説明するための図である。 電極層の配置の様子について示す図である。 電極層の配置の異なる例について示す平面図である。 電極層の配置の異なる例について示す平面図である。

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。

［第１実施形態］
図１には、本発明の第１実施形態に係る発光素子表示装置である有機ＥＬ表示装置１００が概略的に示されている。この図に示されるように、有機ＥＬ表示装置１００は、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）基板１２０及び対向基板１５０の２枚の基板を有している。有機ＥＬ表示装置１００のＴＦＴ基板１２０及び対向基板１５０には、マトリクス状に配置された画素２１０からなる表示領域２０５が形成されている。ここで、各画素２１０は複数の副画素２１２（後述）から構成されている。

また、ＴＦＴ基板１２０は透明のガラス又は樹脂の絶縁材料からなる基板であり、ＴＦＴ基板１２０には、副画素２１２のそれぞれに配置された画素トランジスタの走査信号線に対してソース・ドレイン間を導通させるための電位を印加すると共に、画像信号線に対して副画素２１２の階調値に対応する電圧を印加する駆動回路である駆動ＩＣ（Integrated Circuit）１８２が載置され、外部から画像信号等を入力するためのＦＰＣ（Flexible Printed Circuits）１８１が取付けられている。また、有機ＥＬ表示装置１００の環境における外光照度について測定する外光センサである照度センサ（輝度センサ）１８３を有していてもよく、この場合には照度センサ１８３の出力が、直接又は間接的に駆動ＩＣ１８２に通知される。更に、駆動ＩＣ１８２内には、照度センサ１８３の出力又は使用者の指示に基づいて表示品質を制御する電位制御部１８４を有している。ここで照度センサ等の外光センサには、発光素子表示装置を備える端末装置等に内蔵されたカメラや環境光センサを用いることができる。なお、本実施形態においては、図の矢印に示されるように、ＴＦＴ基板１２０の発光層が形成された側に光を出射するトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置としている。

図２は、図１のII−II線における断面を概略的に示す図である。この断面図に示されるように、ＴＦＴ基板１２０には、ＴＦＴ回路が形成されたＴＦＴ回路層１６０と、ＴＦＴ回路層１６０上に形成された複数の発光素子である複数の有機ＥＬ素子１３０と、有機ＥＬ素子１３０を覆って水分を遮断する封止膜１２５と、を有している。有機ＥＬ素子１３０は、各画素２１０に含まれる副画素２１２の数だけ形成されるが、図２では説明を分かりやすくするため、省略して記載している。また、対向基板１５０には、例えば３色又は４色のそれぞれ異なる波長領域の光を透過するカラーフィルタ及び各副画素２１２の境界から出射される光を遮断する遮光膜であるブラックマトリクス、並びに後述する電極層が形成されている。ＴＦＴ基板１２０と対向基板１５０との間の高分子分散型液晶層２２１は、シール剤２２２により封止されている。

なお、本実施形態においては、駆動ＩＣ１８２をＴＦＴ基板１２０上に配置することとしたが、駆動ＩＣ１８２をＦＰＣ１８１上に配置することとしてもよく、また、駆動回路はＴＦＴ基板１２０上に直接形成されることとしてもよい。また、ＴＦＴ基板１２０を柔軟な樹脂材料とし、対向基板１５０を有さない構成とすることもでき、この場合には、ＴＦＴ基板１２０をＦＰＣ１８１と一体とした構成であってもよい。また、本実施形態においては、有機ＥＬ素子１３０において白色を発光し、カラーフィルタを用いて３色又は４色の波長領域の光を透過する構成とするが、有機ＥＬ素子１３０において、例えば３色又は４色のそれぞれ異なる波長領域の光を発光する構成としてもよい。

図３は、図１の画素２１０に含まれる副画素２１２の構成例について示す図である。この図に示されるように画素２１０は、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）Ｗ（白）の４種類の色に対応する波長領域の光を出射する略矩形の副画素２１２からなり、副画素２１２は同じ画素２１０内の他の副画素２１２と２辺が接するように田の字型に整列されている。なお、画素２１０における副画素２１２の構成は、図３の構成に限られず、図４に示されるようなＲＧＢの３色に対応する副画素２１２からなるストライプ構成であってもよく、また、ストライプ構成で更にＲＧＢＷの４種類の色を使用するものであってもよい。画素２１０を構成する副画素２１２の配置はこれらに限られず適宜定めることができる。

図５は、副画素２１２の断面の一例について拡大して示す図である。この図に示されるように、ＴＦＴ回路層１６０内の駆動トランジスタ１６８のソース／ドレインの一方は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＡｇ等からなり、副画素２１２毎に独立した下部電極１３１に接続されている。下部電極１３１の端部は、隣接する副画素２１２の下部電極１３１と絶縁性を保つための、絶縁材料からなる画素分離膜１３７に覆われており、画素分離膜１３７上と、下部電極１３１上で表示領域２０５を覆うように発光層を含む有機層１３３が成膜されている。更に、下部電極１３１と対となって発光層を発光させるための上部電極１３５が、ＩＴＯ等の透明電極により形成されている。上部電極１３５上には、有機層１３３の劣化を防ぐために、空気の侵入を防ぐ封止膜１２５が表示領域２０５を覆うように形成されている。

封止膜１２５上には、高分子分散型液晶からなる高分子分散型液晶層２２１が配置され、対向基板１５０が重ねられている。ここで高分子分散型液晶は、電界がかけられると可視光を透過する透過状態となり、電界がかけられていない場合には入射する光を散乱させる散乱状態となる性質を有している。対向基板１５０には、基板１５１上にカラーフィルタ及びブラックマトリクス、並びに表示領域２０５を覆うベタ電極である電極層１５２が形成されている。電極層１５２は、所定の固定電位が印加された上部電極１３５と協働して高分子分散型液晶層２２１に対して電界を形成する。

各副画素２１２においては、下部電極１３１と接続された駆動トランジスタ１６８が、各副画素２１２の階調電圧を反映した電流を流し、共通の電位に保たれた上部電極１３５と下部電極１３１との間の有機層１３３内の発光層を発光させる。有機層１３３は、上部電極１３５から出射される光が共振効果を利用して光が強められるように調整された膜厚を有する、所謂マイクロキャビティ効果を利用したものとすることができる。このマイクロキャビティ効果を利用する場合には特に正面輝度が高くなるように調整することができる。

ここで、電極層１５２はベタ電極であることとしたが、例えば、画素２１０毎又は副画素２１２毎に孔が開いたような網目状の電極であってもよいし、表示領域２０５の横方向又は縦方向に短冊状に延びる複数の電極であってもよい。また、この実施形態では、有機層１３３は表示領域２０５を覆う層であることとし、各副画素２１２において、例えばＷ（白）等の発光を行うこととしているが、各副画素２１２毎に発光層を塗り分け、各画素２１０において異なる色の波長領域の光を発する副画素２１２を有する構成としていもよい。

なお、電極層１５２への電位の印加は、図１の電位制御部１８４を介して行われ、表示領域の外側において、配線と複数の箇所において接触することにより、電極層１５２に均一な電位を印加することができる。なお、電位制御部１８４を駆動ＩＣ１８２内に設けることとしたが、駆動ＩＣ１８２以外の制御回路内に設けることとしてもよく、さらに、対向基板１５０に直接設けられる端子を介して電極層１５２の電位の制御が行われてもよい。また、電位制御部１８４への指示は、手動により、つまり画面表示の設定機能を提供する画面等からタッチパネル等の入力装置を用いて行われることとしてもよいし、図１の照度センサ１８３の出力を用いて切替えることとしてもよい。この場合に透過状態と散乱状態と２段階だけでなく、３段階以上又は無段階で連続的に切り替わることとしてもよい。

また、照度センサ１８３による出力において、外光が強いと判定される場合には高分子分散型液晶層２２１を透過状態とし、外光が弱いと判定される場合には高分子分散型液晶層２２１を散乱状態とするように制御することもできるし、逆に外光が強いと判定される場合に散乱状態とし、外光が弱いと判定される場合に透過状態とすることもできる。これは、例えば外光反射を担う反射膜を兼ねた下部電極１３１が外光をどの程度反射するように設計されているか等の設計的要因により影響される。つまり、透過状態及び拡散状態を適切に選択することにより、外光の環境が変化した場合であっても高い視認性で表示させることができる。

図６及び７は、図５の構成における、表示時の視野角制御について説明するための図である。図６は、電極層１５２に上部電極１３５と同じ電位が印加された場合について示す図である。この場合には、上部電極１３５と電極層１５２との間に電界が形成されないため、高分子分散型液晶は散乱状態となる。このため、発光層から出射された光は散乱し、正面方向だけでなく、斜め方向にもより多くの光が出射され、結果として、視野角の広い画像表示を行うことができる。

図７は、電極層１５２に上部電極１３５とは異なる電位が印加された場合について示す図である。この場合には、高分子分散型液晶層２２１内の矢印に示されるように、上部電極１３５と電極層１５２との間に電界が形成され、高分子分散型液晶は透過状態となる。このため、散乱状態よりもより正面輝度が高くなる。特に、マイクロキャビティ効果を利用している場合には、より正面輝度が高くなる。図８は、電極層１５２に上部電極１３５と同じ電位を印加した場合（Ａ）と、電極層１５２に上部電極１３５と異なる電位を印加した場合（Ｂ）とでの視角と輝度の関係について示すグラフである。このグラフに示されるように、（Ａ）では、高分子分散型液晶が散乱状態となるため、広い視角に渡って輝度が高くなるが、（Ｂ）では、高分子分散型液晶が透明状態となるため、正面方向は特に高い輝度となるが、視角は狭くなる。

図５において、高分子分散型液晶層２２１と上部電極１３５との間に封止膜１２５を形成することとしたが、高分子分散型液晶が吸湿性を有することから、封止膜１２５を兼ねることができる場合がある。この場合には、封止膜１２５を省略し、上部電極１３５上に直接高分子分散型液晶層２２１を配置することができる。これにより、製造工程を簡略化でき、更に、高分子分散型液晶が吸湿性により、より効率的に有機層１３３への水分の侵入を防ぐことができ、長期の信頼性を得られると共に、長寿命化を図ることができる。

また、ここで図５において上部電極１３５上に形成されている封止膜１２５を上部電極封止膜１２５と呼ぶこととすると、高分子分散型液晶層２２１と電極層１５２との間において、表示領域２０５を覆って形成された封止膜である高分子分散型液晶層封止膜を上部電極封止膜１２５と共に又は単独で有する構成としてもよい。また、電極層１５２上において、表示領域２０５を覆って形成された封止膜である電極層封止膜を上部電極封止膜１２５と共に又は単独で有していてもよい。このように高分子分散型液晶層の材料及び配置を考慮して封止膜を配置することにより効率的に水分の侵入を抑えることができる。

［第２実施形態］
本出願の第２実施形態に係る発光素子表示装置である有機ＥＬ表示装置について説明する。第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の外観構成は第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置と同様であり説明を省略する。図９は、第２実施形態の有機ＥＬ表示装置に係り、図５と同様の視野による、副画素２１２の断面の一例について示す図である。この図に示されるように、第１実施形態の図５と異なる点は、電極層１５２を有さずに、封止膜１２５上に平面視で画素分離膜１３７に重畳して形成された電極層１２７を有する点で異なっている。しかしながら、第１実施形態と同様に電極層１２７は、上部電極１３５と協働して高分子分散型液晶層２２１に対して電界を形成することができる。

電極層１２７に上部電極１３５と同じ電位が印加されている時は、第１実施形態における図６と同じ状態となり、散乱状態となる。したがってこの場合には、発光層から出射された光は散乱し、正面方向だけでなく、斜め方向にもより多くの光が出射され、結果として、視野角の広い画像表示を行うことができる。図１０は、電極層１２７に上部電極１３５とは異なる電位が印加された場合について示す図である。この場合には、上部電極１３５と電極層１５２との間に電界が形成され、高分子分散型液晶層２２１に電界が形成され透過状態となる。ここで、電界は、図の矢印に示されるように、いわゆるＩＰＳ（In Plane Switching）方式の液晶表示装置と同様に形成され、図７とは異なる横方向電界である。このため、散乱状態よりもより正面輝度が高くなる。特に、マイクロキャビティ効果を利用している場合には、より正面輝度が高くなるが、図７の場合ほど正面輝度を優先させるものではなく、ＩＰＳ方式の液晶表示装置と同様に広い視野角を有するものとなる。

図１１は、電極層１２７の配置の例について示す平面図である。上述したように、電極層１２７は、発光領域２３０の周囲の画素分離膜１３７上に形成されるため、電極層１２７は網目状（又は格子状）に形成され、表示領域２０５を覆うこととなる。

図１２は、電極層１２７の配置の異なる例について示す平面図である。この図に示されるように、電極層１２７は短冊状に延びる電極膜であり、それぞれ電気的に独立した複数の電極となっている。このように配置した場合であっても高分子分散型液晶層２２１に電界を形成することができると共に、図１１の場合と比較して製造工程が簡易化されるため、歩留まりが向上する。また一部に異なる電位を印加することができるため、一部のみを散乱状態とし、他を透過状態とすることもできる。

図１３は、電極層１２７の配置の異なる例について示す図である。この図に示されるように、電極層１２７は、隣合う発光領域２３０の間、つまり隣接する画素の一方向に延びる列の間にそれぞれ２本延びる短冊状の電極膜となっている。このように配置した場合には、副画素２１２のそれぞれの列毎に、透過状態及び散乱状態を制御することができる。なお、図１３では２本としたが３本以上の複数本であってもよい。

電極層１２７上に表示領域２０５を覆う封止膜を更に有していてもよい。第１実施形態と同様に、電位制御部１８４は手動による指示により又は照度センサ１８３による出力等に基づいて電極層１２７への電位を制御することができる。また電位制御は多段階であっても、連続的であってもよく、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

また、上述の各実施形態における高分子分散型液晶は、電界が発生している場合に透過状態となり、電界が発生していない場合に散乱状態となることとしたが、使用環境や設計条件に応じて、電界が発生している場合に散乱状態となり、電界が発生していない場合に透過状態となるリバース型の高分子分散型液晶としてもよい。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

１００ 有機ＥＬ表示装置、１２０ ＴＦＴ基板、１２５ 上部電極封止膜、１２５ 封止膜、１２７ 電極層、１３０ 有機ＥＬ素子、１３１ 下部電極、１３３ 有機層、１３５ 上部電極、１３７ 画素分離膜、１５０ 対向基板、１５１ 基板、１５２ 電極層、１６０ ＴＦＴ回路層、１６８ 駆動トランジスタ、１８２ 駆動ＩＣ、１８３ 照度センサ、１８４ 電位制御部、２０５ 表示領域、２１０ 画素、２１２ 副画素、２２１ 高分子分散型液晶層、２２２ シール剤、２３０ 発光領域。

Claims (14)

1. マトリクス状に配置された複数の画素からなる表示領域を有する基板と、
   前記基板上の前記複数の画素のそれぞれにおいて形成され、導電体からなる下部電極と、
   前記下部電極上に形成され、発光層を含む有機層と、
   前記有機層上に形成され、導電体からなる上部電極と、
   前記上部電極の前記基板側とは反対側で、前記表示領域を覆うように配置された高分子分散型液晶層と、
   前記上部電極の前記基板側とは反対側に形成され、導電体からなる電極層と、を備え、
   前記表示領域上に配置された前記電極層は一体的に形成され同電位である、ことを特徴とする発光素子表示装置。
2. 請求項１に記載の発光素子表示装置において、
   前記電極層は、前記表示領域全体を覆うベタ電極である、ことを特徴とする発光素子表示装置。
3. 請求項１に記載の発光素子表示装置において、
   前記電極層は、網目状又は短冊状で前記表示領域を覆っている、ことを特徴とする発光素子表示装置。
4. 請求項１のいずれか一項に記載の発光素子表示装置において、
   前記高分子分散型液晶層は、前記電極層と前記上部電極との間に形成されている、ことを特徴とする発光素子表示装置。
5. 請求項４に記載の発光素子表示装置において、
   前記上部電極と前記高分子分散型液晶層との間において、前記表示領域を覆って形成された上部電極封止膜を更に備える、ことを特徴とする発光素子表示装置。
6. 請求項４又は５に記載の発光素子表示装置において、
   前記高分子分散型液晶層と前記電極層との間において、前記表示領域を覆って形成された高分子分散型液晶層封止膜を更に備える、ことを特徴とする発光素子表示装置。
7. 請求項４又は５に記載の発光素子表示装置において、
   前記電極層上において前記表示領域を覆って形成された電極層封止膜を更に備える、ことを特徴とする発光素子表示装置。
8. マトリクス状に配置された複数の画素からなる表示領域を有する基板と、
   前記基板上の前記複数の画素のそれぞれにおいて形成され、導電体からなる下部電極と、
   前記下部電極の端部を覆い、発光領域を画定する画素分離膜と、
   前記下部電極上に形成され、発光層を含む有機層と、
   前記有機層上に形成され、導電体からなる上部電極と、
   前記上部電極上に形成され、前記表示領域を覆って形成された封止膜と、
   前記封止膜上で、平面視で前記画素分離膜と重畳する領域に形成された、導電体からなる電極層と、
   前記封止膜上及び前記電極層上において、表示領域を覆うように配置された高分子分散型液晶層と、を備える発光素子表示装置。
9. 請求項８に記載の発光素子表示装置において、
   前記電極層は、前記表示領域において電気的に独立した複数の電極により構成されている、ことを特徴とする発光素子表示装置。
10. 請求項９に記載の発光素子表示装置において、
    前記複数の電極は、前記表示領域において短冊状に一方向に延びている、ことを特徴とする発光素子表示装置。
11. 請求項１０に記載の発光素子表示装置において、
    前記複数の短冊状に延びる電極は、隣接する前記画素の前記一方向に延びる列の間に複数の形成されている、ことを特徴とする発光素子表示装置。
12. 請求項８に記載の発光素子表示装置において、
    前記表示領域上に配置された前記電極層は一体的に形成され同電位である、ことを特徴とする発光素子表示装置。
13. 請求項１又は８に記載の発光素子表示装置において、
    前記有機層は、光を共振させて強めるマイクロキャビティ構造である、ことを特徴とする発光素子表示装置。
14. 請求項１又は８に記載の発光素子表示装置において、
    周囲の明るさを計測する外光センサと、
    前記外光センサの出力に基づいて前記電極層の電位を制御する電位制御部と、を更に備える、ことを特徴とする発光素子表示装置。

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