JP2015232994A - 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置 - Google Patents

Abstract

【課題】蛍光発光層と燐光発光層とが積層された構造を有し、良好な発光効率を示す発光素子を提供する。
【解決手段】一対の電極間にＥＬ層を有し、ＥＬ層は、発光層を有し、発光層は、蛍光発光を呈する第１の発光層と燐光発光を呈する第２の発光層を接してなる積層構造を少なくとも有し、第２の発光層は、少なくとも励起錯体を形成する層を複数含み、励起錯体を形成する層は、２つの層の間に、２つの層からそれぞれ得られる発光ピークよりも長波長な発光ピークを示す層が接してなる積層構造を有する発光素子である
【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、電界を加えることにより発光が得られる有機化合物を一対の電極間に挟んでなる発光素子、また、このような発光素子を有する発光装置、電子機器、及び照明装置に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

薄型軽量、高速応答性、直流低電圧駆動などの特徴を有する有機化合物を発光体として用いた発光素子は、次世代のフラットパネルディスプレイへの応用が期待されている。特に、発光素子をマトリクス状に配置した表示装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視野角が広く視認性が優れる点に優位性があると考えられている。

発光素子の発光機構は、一対の電極間に発光体を含むＥＬ層を挟んで電圧を印加することにより、電極からキャリア（電子または正孔）が注入され、このキャリアが再結合することにより励起子を形成し、その励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを放出して発光するといわれている。励起状態には一重項励起状態（Ｓ^＊）と三重項励起状態（Ｔ^＊）が知られ、一重項励起状態からの発光が蛍光、三重項励起状態からの発光が燐光と呼ばれている。そして、発光素子における統計的な生成比率は、Ｓ^＊：Ｔ^＊＝１：３であると考えられている。

この様な発光素子に関しては、その素子特性を向上させる為に、項間交差（一重項励起状態から三重項励起状態へ移ること）が起こりやすい燐光発光物質を用いた発光素子の開発が盛んに行われている。さらに、白色発光を得るために、それぞれに異なる燐光発光物質を含む層が積層されてなる発光素子が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。

特開２００４−５２２２７６号公報

上記構成の発光素子の場合、積層された発光層は、いずれも燐光発光を示す発光層（燐光発光層）で構成されている。これは、燐光発光を利用することにより、高い発光効率が得られるというだけでなく、蛍光発光を示す発光層（蛍光発光層）と燐光発光を示す発光層（燐光発光層）とが積層された場合、燐光発光層で生じた三重項励起子が拡散して、三重項励起エネルギーが蛍光発光層へ移動した後、失活するため発光効率の大幅な低下が生じるという問題を有しているためである。

そこで、本発明の一態様では、蛍光発光層と燐光発光層とが積層された構造を有していても良好な発光効率を示す発光素子を提供する。また、本発明の一態様は、上記発光素子を適用し、低消費電力を実現できる発光装置を提供する。さらに、本発明の一態様は、上記発光素子を適用し、低消費電力を実現できる電子機器および照明装置を提供する。または、本発明の一態様は、新規な発光素子、新規な発光装置、または、新規な照明装置などを提供する。なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はない。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、一対の電極間にＥＬ層を有し、ＥＬ層は、発光層を有し、発光層は、蛍光発光を呈する第１の発光層と燐光発光を呈する第２の発光層を有する積層構造を少なくとも有し、第２の発光層は、少なくとも励起錯体を形成する層を複数含み、励起錯体を形成する層は、２つの層の間に、２つの層からそれぞれ得られる発光ピークよりも長波長な発光ピークを示す層が接してなる積層構造を有することを特徴とする発光素子である。

また、本発明の別の一態様は、一対の電極間にＥＬ層を有し、ＥＬ層は、発光層を有し、発光層は、蛍光発光を呈する第１の発光層と燐光発光を呈する第２の発光層を接してなる積層構造を少なくとも有し、第２の発光層は、励起錯体を形成する物質と燐光発光物質とを含む複数の層を含み、前記複数の層は、２つの層の間に、２つの層からそれぞれ得られる発光ピークよりも長波長な発光ピークを示す層が接する積層構造を有することを特徴とする発光素子である。

また、本発明の別の一態様は、一対の電極間にＥＬ層を有し、ＥＬ層は、発光層を有し、発光層は、蛍光発光を呈する第１の発光層と燐光発光を呈する第２の発光層を接してなる積層構造を少なくとも有し、第２の発光層は、励起錯体を形成する物質と燐光発光物質とを含む複数の層を含み、前記複数の層は、同一の材料を用いて形成された２つの層の間に、２つの層からそれぞれ得られる発光ピークよりも長波長な発光ピークを示す層が接する積層構造を有することを特徴とする発光素子である。

また、本発明の別の一態様は、一対の電極間にＥＬ層を有し、ＥＬ層は、発光層を有し、発光層は、蛍光発光を呈する第１の発光層と燐光発光を呈する第２の発光層を接してなる積層構造を少なくとも有し、第２の発光層は、励起錯体を形成する物質と燐光発光物質とを含む複数の層を含み、前記複数の層は、いずれも共通する有機化合物を１種または複数種含み、かつ２つの層の間に、２つの層からそれぞれ得られる発光ピークよりも長波長な発光ピークを示す層が接する積層構造を有することを特徴とする発光素子である。

また、本発明の別の一態様は、一対の電極間にＥＬ層を有し、ＥＬ層は、発光層を有し、発光層は、蛍光発光を呈する第１の発光層と燐光発光を呈する第２の発光層を接してなる積層構造を少なくとも有し、第１の発光層は、蛍光発光物質を含み、第２の発光層は、燐光発光物質を含む層を複数含み、燐光発光物質を含む層は、２つの層の間に、２つの層からそれぞれ得られる発光ピークよりも長波長な発光ピークを示す層が接する積層構造を有することを特徴とする発光素子である。

また、本発明の別の一態様は、一対の電極間にＥＬ層を有し、ＥＬ層は、発光層を有し、発光層は、蛍光発光を呈する第１の発光層と燐光発光を呈する第２の発光層を接してなる積層構造を少なくとも有し、第１の発光層は、蛍光発光物質と、蛍光発光物質よりもＴ１準位が低いホスト材料を含み、第２の発光層は、励起錯体を形成する物質と燐光発光物質とを含む複数の層を含み、複数の層は、２つの層の間に、２つの層からそれぞれ得られる発光ピークよりも長波長な発光ピークを示す層が接する積層構造を有することを特徴とする発光素子である。

また、本発明の別の一態様は、一対の電極間にＥＬ層を有し、ＥＬ層は、発光層を有し、発光層は、蛍光発光を呈する第１の発光層と燐光発光を呈する第２の発光層を接してなる積層構造を少なくとも有し、第１の発光層は、蛍光発光物質と、蛍光発光物質よりもＴ１準位が低いホスト材料を含み、第２の発光層は、励起錯体を形成する物質と燐光発光物質とを含む複数の層を含み、複数の層は、同一の材料を用いて形成された２つの層の間に、２つの層からそれぞれ得られる発光ピークよりも長波長な発光ピークを示す層が接する積層構造を有することを特徴とする発光素子である。

また、本発明の別の一態様は、一対の電極間にＥＬ層を有し、ＥＬ層は、発光層を有し、発光層は、蛍光発光を呈する第１の発光層と燐光発光を呈する第２の発光層を接してなる積層構造を少なくとも有し、第１の発光層は、蛍光発光物質と、蛍光発光物質よりもＴ１準位が低いホスト材料を含み、第２の発光層は、励起錯体を形成する物質と燐光発光物質とを含む複数の層を含み、複数の層は、いずれも共通する有機化合物を１種または複数種含み、かつ２つの層の間に、２つの層からそれぞれ得られる発光ピークよりも長波長な発光ピークを示す層が接する積層構造を有することを特徴とする発光素子である。

また、本発明の別の一態様は、一対の電極間にＥＬ層を有し、ＥＬ層は、発光層を有し、発光層は、蛍光発光を呈する第１の発光層と燐光発光を呈する第２の発光層を接してなる積層構造を少なくとも有し、第１の発光層は、蛍光発光物質と、蛍光発光物質よりもＴ１準位が低いホスト材料を含み、第２の発光層は、燐光発光物質を含む層を複数含み、燐光発光物質を含む層は、２つの層の間に、２つの層からそれぞれ得られる発光ピークよりも長波長な発光ピークを示す層が接する積層構造を有することを特徴とする発光素子である。

また、本発明の一態様は、上記各構成を有する発光素子を用いた発光装置である。

また、本発明の一態様は、発光素子を有する発光装置だけでなく、発光装置を有する電子機器および照明装置も範疇に含めるものである。従って、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールは、発光装置に含まれる場合がある。

本発明の一態様により、蛍光発光層と燐光発光層とが積層された構造を有していても良好な発光効率を示す発光素子を提供することができる。また、本発明の一態様は、上記発光素子を適用し、低消費電力を実現した発光装置を提供することができる。さらに、本発明の一態様は、上記発光素子を適用し、低消費電力を実現した電子機器および照明装置を提供することができる。または、本発明の一態様により、新規な発光素子、新規な発光装置、または、新規な照明装置などを提供することができる。なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

本発明の一態様である発光素子の構造について説明する図。 発光装置について説明する図。 電子機器について説明する図。 照明装置について説明する図。 発光素子１および比較発光素子２の構造について説明する図。 発光素子１および比較発光素子２の発光スペクトルを示す図。 発光素子１の信頼性を示す図。 発光素子３の輝度−パワー効率特性を示す図。 発光素子３の発光スペクトルを示す図。 発光素子４の輝度−電流効率特性を示す図。 発光素子４の発光スペクトルを示す図。 発光層におけるエネルギー準位の相関を説明する図。

以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子について説明する。

本発明の一態様である発光素子は、一対の電極間に発光層を含むＥＬ層を挟んで形成されており、発光層は、蛍光発光が得られる発光層（Ｉ）と、燐光発光が得られる発光層（ＩＩ）を有する。なお、当該発光素子では発光層（Ｉ）と発光層（ＩＩ）との間に電荷発生層が設けられていなくても（タンデム型の素子でなくても）蛍光発光と燐光発光を共に効率よく得ることができる。以下、本発明の一態様である発光素子の素子構造について、図１を用いて詳細に説明する。

図１に示す発光素子は、一対の電極（第１の電極１０１、第２の電極１０２）間に発光層１０６を含むＥＬ層１０３が挟まれており、ＥＬ層１０３は、第１の電極（陽極）１０１側から正孔（ホール）注入層１０４、正孔（ホール）輸送層１０５、発光層１０６、電子輸送層１０７、電子注入層１０８等が順次積層された構造を有する。また、発光層１０６は、発光層（Ｉ）１０６ａと、発光層（ＩＩ）１０６ｂとが積層された構造を有する。なお、発光層（Ｉ）１０６ａと、発光層（ＩＩ）１０６ｂとの積層順は、特に限定されず適宜変えることができることとする。

発光層（Ｉ）１０６ａは、蛍光発光物質とホスト材料（有機化合物）を含んでおり、ホスト材料から生成される三重項励起子を効率良く三重項−三重項消滅（ＴＴＡ：ｔｒｉｐｌｅｔ−ｔｒｉｐｌｅｔ ａｎｎｉｈｉｌａｔｉｏｎ）させることにより、一重項励起子に変換し、一重項励起子からのエネルギー移動により蛍光発光物質を発光させる構成を有する。

具体的には、発光層（Ｉ）１０６ａにおけるホスト材料のＴ１準位（最低三重項励起エネルギー準位）が、蛍光発光物質のＴ１準位よりも低いことが好ましい。通常、発光層における存在比率は、ホスト材料の方が圧倒的に高い。ホスト材料のＴ１準位が蛍光発光物質のＴ１準位よりも低くなるように組み合わせて用いることで、発光層（Ｉ）１０６ａで生じた三重項励起子が、発光層（Ｉ）１０６ａ中にわずかにしか存在しない蛍光発光物質（分子）にトラップされ局在化してしまうことによる、三重項励起子同士の衝突確率の低下を防ぎ、ＴＴＡの発生確率を高めることができる。これにより、発光層（Ｉ）１０６ａにおける蛍光発光の発光効率を高めることができる。なお、発光層（Ｉ）１０６ａに用いる蛍光発光物質としては、公知の物質を用いることができ、その発光色は、青色（例えば、４００ｎｍと４８０ｎｍとの間に発光スペクトルのピークを有する）、緑色（例えば、５００ｎｍと５６０ｎｍとの間に発光スペクトルのピークを有する）、赤色（例えば、５８０ｎｍと６８０ｎｍとの間に発光スペクトルのピークを有する）、橙色、黄色など、適宜用いることができるものとする。

発光層（ＩＩ）１０６ｂは、少なくとも３つの異なる層が積層された構造を含み、それぞれを図１で示すように第１の層１０６（ｂ１）、第２の層１０６（ｂ２）、第３の層１０６（ｂ３）とする。これらの３つの層は、いずれも励起錯体（エキサイプレックス）を形成することができる２種類の有機化合物と燐光発光物質とを含む。なお、各層において、形成された励起錯体の発光波長は、励起錯体を形成する有機化合物のそれぞれの発光波長（蛍光波長）に比べて長波長側に存在するため、これらの蛍光スペクトルを、より長波長側に位置する発光スペクトルに変換することができ、駆動電圧をより低減することができる。また、励起錯体から燐光発光物質へエネルギー移動することができるため、高い発光効率も実現できる。なお、発光層（ＩＩ）１０６ｂにおいては、上記３つの層に加えて、燐光発光物質を含まない有機化合物からなる層を有していても良い。

さらに、上記の３つの層は、第２の層１０６（ｂ２）から得られる燐光発光の発光ピークが第１の層１０６（ｂ１）および第３の層１０６（ｂ３）のそれぞれの燐光発光の発光ピークよりも長波長になるように形成する。

具体的には、第２の層１０６（ｂ２）に用いる第２の燐光発光物質は、第１の層１０６（ｂ１）に用いる第１の燐光発光物質や、第３の層１０６（ｂ３）に用いる第３の燐光発光物質よりも発光ピークが長波長である物質を用いることとする。なお、発光層（ＩＩ）１０６ｂが有するこれらの３つの層に用いる燐光発光物質としては、公知の物質を用いることができ、その発光色は、青色（例えば、４００ｎｍと４８０ｎｍとの間に発光スペクトルのピークを有する）、緑色（例えば、５００ｎｍと５６０ｎｍとの間に発光スペクトルのピークを有する）、赤色（例えば、５８０ｎｍと６８０ｎｍとの間に発光スペクトルのピークを有する）、橙色、黄色など、上記の構成に合わせて適宜用いることができるものとする。

なお、発光層（ＩＩ）１０６ｂにこのような構成を用いることにより、第２の層１０６（ｂ２）において、第２の層１０６（ｂ２）で生成される励起錯体から発光ピークが最も長波長である燐光発光物質へのエネルギー移動を効率良く行うことができ、また他の層への励起子の拡散を抑制できるため、発光層（ＩＩ）１０６ｂにおける燐光発光の発光効率を高めることができる。なお、発光層（ＩＩ）１０６ｂは、上述した３つの層のみで形成されていてもよいが、燐光発光物質を含まず励起錯体を形成することができる２種類の有機化合物を含む層をさらに有していても良い。

発光層（Ｉ）１０６ａや発光層（ＩＩ）１０６ｂにおいて、蛍光発光物質や燐光発光物質以外に用いるホスト材料などの有機化合物としては、主として１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する電子輸送性材料や、主として１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する正孔輸送性材料が挙げられる。但し、発光層（ＩＩ）１０６ｂのうち燐光発光物質を含む層においては、各層毎に上記有機化合物のうちの励起錯体を形成しうる組み合わせである２種以上を用いることとする。

また、発光層（Ｉ）１０６ａや発光層（ＩＩ）１０６ｂにおいて、発光物質（蛍光発光物質や燐光発光物質）を、上記有機化合物に分散させた構成とすることにより、発光層における結晶化を抑制することができる。また、発光物質の濃度が高いことによる濃度消光を抑制し、発光素子の発光効率を高くすることができる。

また、発光層（ＩＩ）１０６ｂにおいて、上記有機化合物のＴ１準位は、上記燐光発光物質のＴ１準位よりも高いことが好ましい。電子輸送性材料や正孔輸送性材料のＴ１準位が燐光発光物質のＴ１準位よりも低いと、発光に寄与する燐光発光物質の三重項励起エネルギーを電子輸送性材料や正孔輸送性材料が消光（クエンチ）してしまい、発光効率の低下を招くためである。

以上のような条件を満たす発光素子を作製することにより、蛍光発光と燐光発光が得られる発光素子を得ることができる。また、上述した材料を用いて作製された蛍光発光が得られる発光層（Ｉ）１０６ａと燐光発光が得られる発光層（ＩＩ）１０６ｂのそれぞれから得られる発光色の組み合わせ（「発光層（Ｉ）１０６ａで得られる発光色＼発光層（ＩＩ）１０６ｂで得られる発光色」と示す）としては、例えば、「青色＼緑色・赤色・緑色」、「青色＼青色・赤色・緑色」、「青色＼黄色・赤色・緑色」、「青色＼緑色・赤色・黄色」、「青色＼黄色・赤色・黄色」、「緑色＼緑色・赤色・緑色」、「緑色＼青色・赤色・緑色」、「緑色＼黄色・赤色・緑色」、「緑色＼緑色・赤色・黄色」、「緑色＼黄色・赤色・黄色」、「赤色＼緑色・赤色・緑色」、「赤色＼青色・赤色・緑色」、「赤色＼黄色・赤色・緑色」、「赤色＼緑色・赤色・黄色」、「赤色＼黄色・赤色・黄色」などが挙げられる。なお、発光層（Ｉ）１０６ａと発光層（ＩＩ）１０６ｂとの積層関係が逆になる場合も同様の組み合わせが可能である。

なお、通常、蛍光が得られる発光層と燐光が得られる発光層とを積層すると、燐光発光層で生じた三重項励起エネルギーが蛍光発光層のホスト材料に移動して無放射失活するため、発光効率の低下を引き起こすことが知られている。しかし、本発明の一態様で示す発光素子は、燐光発光層において形成される励起錯体から燐光発光物質へ三重項励起エネルギーが移動して発光が得られる構成であり、励起錯体から燐光発光物質以外への励起子の拡散が原理的に起こりにくい状況にあるため、蛍光発光だけでなく燐光発光も効率良く得ることができる。但し、本発明の一態様では、発光層（Ｉ）１０６ａにおいて、ＴＴＡによる一重項励起状態を容易に生成できる構成を有していることから、発光層（ＩＩ）１０６ｂにおいて生じた励起錯体からの三重項励起エネルギーの移動があった場合でも、これを蛍光発光に変換することが可能となる。

発光素子における各物質及び励起錯体のエネルギー準位の相関図を図１２に示す。図中、Ｓ_ＦＨは発光層（Ｉ）１０６ａにおけるホスト材料の一重項励起準位、Ｔ_ＦＨは発光層（Ｉ）１０６ａにおけるホスト材料の三重項励起準位、Ｓ_ＦＧは発光層（Ｉ）１０６ａにおけるゲスト材料（蛍光発光物質）の一重項励起準位、Ｔ_ＦＧは発光層（Ｉ）１０６ａにおけるゲスト材料（蛍光発光物質）の三重項励起準位、Ｓ_ＰＨは発光層（ＩＩ）１０６ｂにおけるホスト材料（第１の有機化合物又は第２の有機化合物）の一重項励起準位、Ｔ_ＰＨは発光層（ＩＩ）１０６ｂにおけるホスト材料（第１の有機化合物又は第２の有機化合物）の三重項励起準位、Ｓ_Ｅは発光層（ＩＩ）１０６ｂにおける励起錯体の一重項励起準位、Ｔ_Ｅは、発光層（ＩＩ）１０６ｂにおける励起錯体の三重項励起準位、Ｔ_ＰＧは発光層（ＩＩ）１０６ｂにおけるゲスト材料（燐光発光物質）の三重項励起準位である。

図１２に示すように、発光層（Ｉ）１０６ａでは、ホスト材料の三重項励起分子の衝突によりＴＴＡが起こり、ホスト材料の三重項励起分子の一部が一重項励起分子に変換される（一部は熱失活する）。そして、このＴＴＡにより生じたホスト材料の一重項励起状態（Ｓ_ＦＨ）にあるエネルギーが、蛍光発光物質の一重項励起状態（Ｓ_ＦＧ）に移動し、そのエネルギーが蛍光に変換される。

また、発光層（ＩＩ）１０６ｂでは、励起錯体の励起準位（Ｓ_Ｅ、Ｔ_Ｅ）は、ホスト材料（第１の有機化合物及び第２の有機化合物）の励起準位（Ｓ_ＰＨ、Ｔ_ＰＨ）よりも小さいため、励起錯体からホスト材料への励起エネルギーの移動は起こらない。また、励起錯体から他の励起錯体へのエネルギー移動も起こらない。しかし、励起錯体の励起エネルギーがゲスト材料（燐光発光物質）に移動すると、発光に変換することができる。このように発光層（ＩＩ）１０６ｂにおいては、三重項励起エネルギーの拡散がほとんどなく、発光に変換することができる。

従って、発光層（Ｉ）１０６ａと発光層（ＩＩ）１０６ｂが接している界面でのエネルギー移動が多少ある場合でも（例えば、該界面に存在する燐光発光物質のＴ_ＰＧからＴ_ＦＨやＴ_ＦＧへのエネルギー移動など）、発光層（Ｉ）１０６ａと発光層（ＩＩ）１０６ｂのどちらからも良好な効率で発光を得ることができる。また、発光層（Ｉ）１０６ａでは、ＴＴＡによる三重項励起エネルギーによる一重項励起状態の生成が行われるため、界面におけるエネルギー移動が生じた場合であってもその一部が蛍光発光へ変換されるため、エネルギーの損失を抑制することが可能である。

次に、上記の発光素子を作製する上での具体例について説明する。

第１の電極（陽極）１０１および第２の電極（陰極）１０２には、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。具体的には、酸化インジウム−酸化スズ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）の他、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびカルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、マグネシウム（Ｍｇ）、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金、その他グラフェン等を用いることができる。なお、第１の電極（陽極）１０１および第２の電極（陰極）１０２は、例えばスパッタリング法や蒸着法（真空蒸着法を含む）等により形成することができる。

正孔注入層１０４は、正孔輸送性の高い正孔輸送層１０５を介して発光層１０６に正孔を注入する層であり、正孔輸送性材料とアクセプター性物質を含む層である。正孔輸送性材料とアクセプター性物質を含むことで、アクセプター性物質により正孔輸送性材料から電子が引き抜かれて正孔（ホール）が発生し、正孔輸送層１０５を介して発光層１０６に正孔が注入される。なお、正孔輸送層１０５は、正孔輸送性材料を用いて形成される。

正孔注入層１０４および正孔輸送層１０５に用いる正孔輸送性材料としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等が挙げられる。その他、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）等のカルバゾール誘導体、等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。

さらに、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物を用いることもできる。

また、正孔注入層１０４に用いるアクセプター性物質としては、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化モリブデンが特に好ましい。

発光層１０６は、発光層（Ｉ）１０６ａと発光層（ＩＩ）１０６ｂが積層された層であり、これらの層についての構成は上述した通りである。

発光層（Ｉ）１０６ａに用いる蛍光発光物質としては、下記の一重項励起エネルギーを発光に変える物質が挙げられる。

例えば、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン（略称：ＴＢＰ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）、クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルキナクリドン、（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）、｛２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、｛２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２−（２，６−ビス｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２−｛２，６−ビス［２−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）などが挙げられる。特に、１，６ＦＬＰＡＰｒｎや１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎのようなピレンジアミン化合物に代表される縮合芳香族ジアミン化合物は、ホールトラップ性が高く、発光効率や信頼性に優れているため好ましい。

また、発光層（ＩＩ）１０６ｂに用いる燐光発光物質としては、下記の三重項励起エネルギーを発光に変える物質が挙げられる。

例えば、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）、トリス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、ビス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ））、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐｈｅｎ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ））、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）_２（ａｃａｃ））、ビス｛２−［４’−（パーフルオロフェニル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）_２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）_２（ａｃａｃ））、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）_２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ））、ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ））などが挙げられる。

なお、上記燐光発光物質に代えて、熱活性化遅延蛍光を示す熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料を用いることもできる。なお、ＴＡＤＦ材料における遅延蛍光とは、通常の蛍光と同様のスペクトルを持ちながら、寿命が著しく長い発光をいう。その寿命は、１０^−６秒以上、好ましくは１０^−３秒以上である。

具体的なＴＡＤＦ材料としては、例えば、フラーレンやその誘導体、プロフラビン等のアクリジン誘導体、エオシン等が挙げられる。また、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム（Ｐｄ）等を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。該金属含有ポルフィリンとしては、例えば、プロトポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｐｒｏｔｏ ＩＸ））、メソポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｍｅｓｏ ＩＸ））、ヘマトポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｈｅｍａｔｏ ＩＸ））、コプロポルフィリンテトラメチルエステル−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｃｏｐｒｏ ＩＩＩ−４Ｍｅ））、オクタエチルポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（ＯＥＰ））、エチオポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ_２（Ｅｔｉｏ Ｉ））、オクタエチルポルフィリン−塩化白金錯体（ＰｔＣｌ_２ＯＥＰ）等が挙げられる。さらに、２−（ビフェニル−４−イル）−４，６−ビス（１２−フェニルインドロ［２，３−ａ］カルバゾール−１１−イル）−１，３，５−トリアジン（ＰＩＣ−ＴＲＺ）等のπ電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有する複素環化合物を用いることもできる。なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香環のドナー性とπ電子不足型複素芳香環のアクセプター性が共に強くなり、Ｓ１とＴ１のエネルギー差が小さくなるため、特に好ましい。

発光層（Ｉ）１０６ａに用いる有機化合物としては、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、３−［４−（１−ナフチル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、７−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）、６−［３−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン（略称：２ｍＢｎｆＰＰＡ）、９−フェニル−１０−｛４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）−ビフェニル−４’−イル｝アントラセン（略称：ＦＬＰＰＡ）等のアントラセン化合物が挙げられる。なお、アントラセン骨格を有する物質をホスト材料として用いると、発光効率、耐久性共に良好な発光層を実現することが可能である。特に、ＣｚＰＡ、ｃｇＤＢＣｚＰＡ、２ｍＢｎｆＰＰＡ、ＰＣｚＰＡは非常に良好な特性を示すため、好ましい。

発光層（ＩＩ）１０６ｂに用いる有機化合物である電子輸送性材料としては、含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香族化合物が好ましく、例えば、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［４−（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ−ＩＩＩ）、７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、及び、６−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）等のキノキサリンないしはジベンゾキノキサリン誘導体が挙げられる。

また、発光層（ＩＩ）１０６ｂに用いる有機化合物である正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体やインドール誘導体）や芳香族アミン化合物が好ましく、例えば、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：１’−ＴＮＡＴＡ）、２，７−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡ２ＳＦ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｂ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−２−ジフェニルアミノ−９Ｈ−フルオレン−７−イル）ジフェニルアミン（略称：ＤＰＮＦ）、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリフェニル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）ベンゼン−１，３，５−トリアミン（略称：ＰＣＡ３Ｂ）、２−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＰＣＡＳＦ）、２−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−９，９−ジメチルフルオレン−２，７−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｆ）、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−Ｎ−｛９，９−ジメチル−２−［Ｎ’−フェニル−Ｎ’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）アミノ］−９Ｈ−フルオレン−７−イル｝フェニルアミン（略称：ＤＦＬＡＤＦＬ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ２）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−（１−ナフチル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＴＰＮ２）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）が挙げられる。

電子輸送層１０７は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層１０７には、Ａｌｑ_３、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ＢＡｌｑ、Ｚｎ（ＢＯＸ）_２、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）などの金属錯体を用いることができる。また、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。また、ポリ（２，５−ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）のような高分子化合物を用いることもできる。ここに述べた物質は、主に１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層１０７として用いてもよい。

また、電子輸送層１０７は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が２層以上積層したものとしてもよい。

電子注入層１０８は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層１０８には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ_３）のような希土類金属化合物を用いることができる。また、電子注入層１０８にエレクトライドを用いてもよい。該エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。なお、上述した電子輸送層１０７を構成する物質を用いることもできる。

また、電子注入層１０８に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層１０７を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。

なお、上述した正孔注入層１０４、正孔輸送層１０５、発光層１０６（発光層（Ｉ）１０６ａ、発光層（ＩＩ）１０６ｂ）、電子輸送層１０７、電子注入層１０８は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

上述した発光素子は、第１の電極１０１および第２の電極１０２との間に生じた電位差によりキャリアが注入され、ＥＬ層１０３において正孔と電子とが再結合することにより発光する。そして、この発光は、第１の電極１０１および第２の電極１０２のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第１の電極１０１および第２の電極１０２のいずれか一方、または両方が透光性を有する電極となる。

以上、本実施の形態で説明した構造を有する発光素子を形成することにより、蛍光発光と燐光発光が得られる発光素子において、特に燐光発光の発光効率を高め、発光素子全体として発光効率の高い発光素子を得ることができる。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子を有する発光装置の一例として、アクティブマトリクス型の発光装置について図２を用いて説明する。なお、本実施の形態に示す発光装置には、実施の形態１で説明した発光素子を適用することが可能である。

なお、図２（Ａ）は発光装置を示す上面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）を鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図である。本実施の形態に係るアクティブマトリクス型の発光装置は、素子基板２０１上に設けられた画素部２０２と、駆動回路部（ソース線駆動回路）２０３と、駆動回路部（ゲート線駆動回路）２０４ａ及び２０４ｂと、を有する。画素部２０２、駆動回路部２０３、及び駆動回路部２０４ａ及び２０４ｂは、シール材２０５によって、素子基板２０１と封止基板２０６との間に封止されている。

また、素子基板２０１上には、駆動回路部２０３、及び駆動回路部２０４ａ及び２０４ｂに外部からの信号（例えば、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子を接続するための引き回し配線２０７が設けられる。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）２０８を設ける例を示している。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。

次に、断面構造について図２（Ｂ）を用いて説明する。素子基板２０１上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、ソース線駆動回路である駆動回路部２０３と、画素部２０２が示されている。

駆動回路部２０３はＦＥＴ２０９とＦＥＴ２１０とを組み合わせた構成について例示している。なお、駆動回路部２０３が有するＦＥＴ２０９とＦＥＴ２１０は、単極性（Ｎ型またはＰ型のいずれか一方のみ）のトランジスタを含む回路で形成されても良いし、Ｎ型のトランジスタとＰ型のトランジスタを含むＣＭＯＳ回路で形成されても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に駆動回路を形成することもできる。

また、画素部２０２はスイッチング用ＦＥＴ２１１と、電流制御用ＦＥＴ２１２と電流制御用ＦＥＴ２１２の配線（ソース電極又はドレイン電極）に電気的に接続された第１の電極（陽極）２１３とを含む複数の画素により形成される。また、本実施の形態においては、スイッチング用ＦＥＴ２１１と、電流制御用ＦＥＴ２１２との２つのＦＥＴにより画素部２０２を構成する例について示したが、これに限定されない。例えば、３つ以上のＦＥＴと、容量素子とを組み合わせた画素部２０２としてもよい。

ＦＥＴ２０９、２１０、２１１、２１２としては、例えば、スタガ型や逆スタガ型のトランジスタを適用することができる。ＦＥＴ２０９、２１０、２１１、２１２に用いることのできる半導体材料としては、例えば、ＩＶ族（ケイ素等）半導体、ＩＩＩ族（ガリウム等）半導体、化合物半導体、酸化物半導体、有機半導体材料を用いることができる。また、該半導体材料の結晶性については、特に限定されず、例えば、非晶質半導体、または結晶性半導体を用いることができる。特に、ＦＥＴ２０９、２１０、２１１、２１２としては、酸化物半導体を用いると好ましい。該酸化物半導体としては、例えば、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、またはＮｄ）等が挙げられる。ＦＥＴ２０９、２１０、２１１、２１２として、例えば、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、さらに好ましくは３ｅＶ以上の酸化物半導体材料を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができる。

また、第１の電極２１３の端部を覆って絶縁物２１４が形成されている。ここでは、絶縁物２１４として、ポジ型の感光性アクリル樹脂を用いることにより形成する。また、本実施の形態においては、第１の電極２１３を陽極として用いる。

また、絶縁物２１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。絶縁物２１４の形状を上記のように形成することで、絶縁物２１４の上層に形成される膜の被覆性を良好なものとすることができる。例えば、絶縁物２１４の材料として、ネガ型の感光性樹脂、或いはポジ型の感光性樹脂のいずれかを使用することができ、有機化合物に限らず無機化合物、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン等を使用することができる。

第１の電極（陽極）２１３上には、ＥＬ層２１５及び第２の電極（陰極）２１６が積層形成されている。ＥＬ層２１５は、少なくとも発光層が設けられており、発光層は、実施の形態１で説明した積層構造を有する。また、ＥＬ層２１５には、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層等を適宜設けることができる。

なお、第１の電極（陽極）２１３、ＥＬ層２１５及び第２の電極（陰極）２１６との積層構造で、発光素子２１７が形成されている。第１の電極（陽極）２１３、ＥＬ層２１５及び第２の電極（陰極）２１６に用いる材料としては、実施の形態１に示す材料を用いることができる。また、ここでは図示しないが、第２の電極（陰極）２１６は外部入力端子であるＦＰＣ２０８に電気的に接続されている。

また、図２（Ｂ）に示す断面図では発光素子２１７を１つのみ図示しているが、画素部２０２において、本発明の一態様である発光素子を含む複数の発光素子がマトリクス状に配置されているものとする。なお、画素部２０２には、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子をそれぞれ選択的に形成し、フルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。また、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子の他に、例えば、ホワイト（Ｗ）、イエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）等の発光が得られる発光素子を形成してもよい。例えば、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子に上述の数種類の発光が得られる発光素子を追加することにより、色純度の向上、消費電力の低減等の効果が得ることができる。また、各発光色を狭線化させるべく、電極間での光の共振効果を利用した微小光共振器（マイクロキャビティー）構造を有する構成としても良い。また、カラーフィルタと組み合わせることによってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。さらに、本発明の一態様である発光素子の構成にタンデム構造を組み合わせた発光素子を適用しても良い。

さらに、シール材２０５で封止基板２０６を素子基板２０１と貼り合わせることにより、素子基板２０１、封止基板２０６、およびシール材２０５で囲まれた空間２１８に発光素子２１７が備えられた構造になっている。なお、空間２１８には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材２０５で充填される構成も含むものとする。

なお、シール材２０５にはエポキシ系樹脂やガラスフリットを用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板２０６に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。シール材としてガラスフリットを用いる場合には、接着性の観点から素子基板２０１及び封止基板２０６はガラス基板であることが好ましい。

以上のようにして、アクティブマトリクス型の発光装置を得ることができる。なお、本実施の形態では、発光装置の一例として、アクティブマトリクス型の発光装置について説明したが、実施の形態１で説明した本発明の一態様である発光素子を適用したパッシブマトリクス型の発光装置を作製することもできる。

なお、アクティブマトリクス型の発光装置の場合において、トランジスタ（ＦＥＴ）の構造は、特に限定されない。例えば、スタガ型や逆スタガ型のＦＥＴを適宜用いることができる。また、ＦＥＴ基板に形成される駆動用回路についても、Ｎ型およびＰ型のＦＥＴからなるものでもよいし、Ｎ型のＦＥＴまたはＰ型のＦＥＴのいずれか一方のみからなるものであってもよい。さらに、ＦＥＴに用いられる半導体膜の結晶性についても特に限定されない。例えば、非晶質半導体膜、結晶性半導体膜を用いることができる。また、半導体材料としては、ＩＶ族（ケイ素等）半導体、ＩＩＩ族（ガリウム等）半導体、化合物半導体（酸化物半導体を含む）の他、有機半導体等を用いることができる。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子を適用して作製された発光装置を用いて完成させた様々な電子機器の一例について、図３を用いて説明する。

発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図３に示す。

図３（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７１０３が組み込まれている。表示部７１０３により、映像を表示することが可能であり、発光装置を表示部７１０３に用いることができる。また、ここでは、スタンド７１０５により筐体７１０１を支持した構成を示している。

テレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キー７１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作機７１１０から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。

なお、テレビジョン装置７１００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。

図３（Ｂ）はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む。なお、コンピュータは、発光装置をその表示部７２０３に用いることにより作製することができる。

図３（Ｃ）は、スマートウオッチであり、筐体７３０２、表示パネル７３０４、操作ボタン７３１１、７３１２、接続端子７３１３、バンド７３２１、留め金７３２２、等を有する。

ベゼル部分を兼ねる筐体７３０２に搭載された表示パネル７３０４は、非矩形状の表示領域を有している。表示パネル７３０４は、時刻を表すアイコン７３０５、その他のアイコン７３０６等を表示することができる。

なお、図３（Ｃ）に示すスマートウオッチは、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。

また、筐体７３０２の内部に、スピーカ、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン等を有することができる。なお、スマートウオッチは、発光装置をその表示パネル７３０４に用いることにより作製することができる。

図３（Ｄ）は、携帯電話機（スマートフォンを含む）の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１に、表示部７４０２、マイク７４０６、スピーカ７４０５、カメラ７４０７、外部接続部７４０４、操作用ボタン７４０３などを備えている。また、本発明の一態様に係る発光素子を、可撓性を有する基板に形成した場合、図３（Ｄ）に示すような曲面を有する表示部７４０２に適用することが可能である。

図３（Ｄ）に示す携帯電話機７４００は、表示部７４０２を指などで触れることで、情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。

表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。

例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボード又は番号ボタンを表示させることが好ましい。

また、携帯電話機７４００内部に、ジャイロセンサや加速度センサ等の検出装置を設けることで、携帯電話機７４００の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。

また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、又は筐体７４０１のボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。

また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサで検出される信号を検知し、表示部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。

表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４０２に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。

さらに、携帯電話機（スマートフォンを含む）の別の構成として、図３（Ｄ’−１）や図３（Ｄ’−２）のような構造を有する携帯電話機に適用することもできる。

なお、図３（Ｄ’−１）や図３（Ｄ’−２）のような構造を有する場合には、文字情報や画像情報などを筐体７５００（１）、７５００（２）の第１面７５０１（１）、７５０１（２）だけでなく、第２面７５０２（１）、７５０２（２）に表示させることができる。このような構造を有することにより、携帯電話機を胸ポケットに収納したままの状態で、第２面７５０２（１）、７５０２（２）などに表示された文字情報や画像情報などを使用者が容易に確認することができる。

以上のようにして、本発明の一態様である発光素子を含む発光装置を適用して電子機器を得ることができる。なお、適用できる電子機器は、本実施の形態に示したものに限らず、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子を含む発光装置を適用した照明装置の一例について、図４を用いて説明する。

図４は、発光装置を室内の照明装置８００１として用いた例である。なお、発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置を形成することもできる。その他、曲面を有する筐体を用いることで、発光領域が曲面を有する照明装置８００２を形成することもできる。本実施の形態で示す発光装置に含まれる発光素子は薄膜状であり、筐体のデザインの自由度が高い。したがって、様々な意匠を凝らした照明装置を形成することができる。さらに、室内の壁面に大型の照明装置８００３を備えても良い。

また、発光装置をテーブルの表面に用いることによりテーブルとしての機能を備えた照明装置８００４とすることができる。なお、その他の家具の一部に発光装置を用いることにより、家具としての機能を備えた照明装置とすることができる。

以上のように、発光装置を適用した様々な照明装置が得られる。なお、これらの照明装置は本発明の一態様に含まれるものとする。

また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。

本実施例では、本発明の一態様である発光素子として発光素子１および比較のための比較発光素子２を作製し、それぞれの特性比較を行った。

発光素子１および比較発光素子２の素子構造については、蛍光発光が得られる発光層（Ｉ）と燐光発光が得られる発光層（ＩＩ）をいずれも有しているが、発光層（ＩＩ）の構成がそれぞれ異なる。しかし、その他は同じであるため、発光素子１を説明する図５（Ａ）および比較発光素子２を説明する図５（Ｂ）は、共通の符号を用いて、まとめて説明する。なお、発光素子１の発光層（ＩＩ）５０６ｂは、積層構造を有しており、第２の層５０６（ｂ２）と第４の層５０６（ｂ４）との間に形成される第３の層５０６（ｂ３）が、第２の層５０６（ｂ２）や第４の層５０６（ｂ４）から得られる発光の発光ピークよりも長波長の発光ピークを示す構成を有する。また、本実施例で用いる材料の構造式と略称を以下に示す。

≪発光素子１および比較発光素子２の作製≫
第１の電極５０１は、陽極として機能する電極であり、屈折率が１．８４のガラス製の基板５００上にインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）をスパッタリング法により、１１０ｎｍの膜厚で成膜し、形成した。電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。

ここで、前処理として、基板５００の表面を水で洗浄した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１９０℃で６０分間の真空焼成を行った後、基板５００を３０分程度放冷した。

第１の電極５０１上には、ＥＬ層５０３、第２の電極５０２が順次形成される。なお、図５（Ａ）に示すように発光素子１におけるＥＬ層５０３には、正孔注入層５０４、正孔輸送層５０５、発光層５０６（発光層（Ｉ）５０６ａ、発光層（ＩＩ）５０６ｂ）、電子輸送層５０７、電子注入層５０８が含まれる。また、発光層（ＩＩ）５０６ｂは、含まれる物質の異なる複数の層（５０６（ｂ１）、５０６（ｂ２）、５０６（ｂ３）、５０６（ｂ４））からなる積層構造を有する。また、図５（Ｂ）に示すように比較発光素子２における発光層５０６は、発光層（ＩＩ）５０６ｂ’の構成が発光素子１と異なる。従って、本実施の形態では、発光素子１と比較発光素子２の共通部分については、まとめて説明し、異なる部分のみを個別に説明することとする。

正孔注入層５０４は、真空蒸着装置内を１０^−４Ｐａに減圧した後、１，３，５−トリ（ジベンゾチオフェン−４−イル）−ベンゼン（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）と酸化モリブデン（ＶＩ）とを、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ：酸化モリブデン＝１：０．５（質量比）となるように共蒸着して第１の電極５０１上に形成した。共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。なお、発光素子１および比較発光素子２のいずれの場合も、膜厚を３０ｎｍとした。

正孔輸送層５０５は、正孔注入層５０４上にＰＣＰＰｎを１０ｎｍの膜厚で蒸着して形成した。

発光層（Ｉ）５０６ａは、正孔輸送層５０５上に７−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル〕−ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）を、ｃｇＤＢＣｚＰＡ：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ＝１：０．０２５（質量比）となるように共蒸着して形成した。膜厚は、１０ｎｍとした。

図５（Ａ）に示す発光素子１の発光層（ＩＩ）５０６ｂは、複数の層からなる積層構造を有し、具体的には第１の層５０６（ｂ１）、第２の層５０６（ｂ２）、第３の層５０６（ｂ３）、第４の層５０６（ｂ４）からなる積層構造を有する。なお、第２の層５０６（ｂ２）、第３の層５０６（ｂ３）、第４の層５０６（ｂ４）は、いずれも励起錯体からのエネルギー移動に基づく燐光発光が得られる構成である。

第１の層５０６（ｂ１）は、発光層（Ｉ）５０６ａ上に２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）を、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ＝０．２：０．８（質量比）となるよう共蒸着して形成した。膜厚は、２ｎｍとした。

第２の層５０６（ｂ２）は、第１の層５０６（ｂ１）上に２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ、ＰＣＢＢｉＦ、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）を、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］＝０．１：０．９：０．０６（質量比）となるよう共蒸着して形成した。膜厚は、５ｎｍとした。

第３の層５０６（ｂ３）は、第２の層５０６（ｂ２）上に２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ、ＰＣＢＢｉＦ、ビス｛４，６−ジメチル−２−［５−（２，６−ジメチルフェニル）−３−（３，５−ジメチルフェニル）−２−ピラジニル−κＮ］フェニル−κＣ｝（２，４−ペンタンジオナト−κ^２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−ｄｍｐ）_２（ａｃａｃ）］）を、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−ｄｍｐ）_２（ａｃａｃ）］＝０．１：０．９：０．０３（質量比）となるよう共蒸着して形成した。膜厚は、５ｎｍとした。

第４の層５０６（ｂ４）は、第３の層５０６（ｂ３）上に２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ、ＰＣＢＢｉＦ、［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］を、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］＝０．８：０．２：０．０６（質量比）となるよう共蒸着して形成した。膜厚は、２０ｎｍとした。

図５（Ｂ）に示す比較発光素子２の発光層（ＩＩ）５０６ｂ’は、複数の層からなる積層構造を有し、具体的には第１の層５０６（ｂ１）、第２の層５０６（ｂ２’）、第３の層５０６（ｂ３’）からなる積層構造を有する。なお、第１の層５０６（ｂ１）については、発光素子１における第１の層５０６（ｂ１）と同じであるので同様に作製すればよく、説明は省略する。

第２の層５０６（ｂ２’）は、第１の層５０６（ｂ１）上に２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ、ＰＣＢＢｉＦ、［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−ｄｍｐ）_２（ａｃａｃ）］を、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−ｄｍｐ）_２（ａｃａｃ）］＝０．１：０．９：０．０６（質量比）となるよう共蒸着して形成した。膜厚は、５ｎｍとした。

第３の層５０６（ｂ３’）は、第２の層５０６（ｂ２’）上に２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ、ＰＣＢＢｉＦ、［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］を、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］＝０．８：０．２：０．０６（質量比）となるよう共蒸着して形成した。膜厚は、２０ｎｍとした。

電子輸送層５０７は、発光層（ＩＩ）（５０６ｂ、５０６ｂ’）上に２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩを１５ｎｍの膜厚で蒸着した後、Ｂｐｈｅｎ（略称）を１５ｎｍの膜厚で蒸着して形成した。

電子注入層５０８は、電子輸送層５０７上にフッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍの膜厚で蒸着して形成した。

第２の電極５０２は、陰極として機能する電極であり、電子注入層５０８上に銀（Ａｇ）とマグネシウム（Ｍｇ）とを１：０．５（質量比）で共蒸着して１ｎｍの膜厚で形成した後、銀をスパッタリング法により１５０ｎｍの膜厚で成膜して形成した。なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。

なお、図５には示さないが、作製した発光素子１および比較発光素子２は、大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス内において封止した（具体的に、シール材を素子の周囲に塗布し、３６５ｎｍの紫外光を６Ｊ／ｃｍ^２照射し、及び８０℃にて１時間熱処理した。）。

以上により得られた発光素子１および比較発光素子２の素子構造を表１に示す。但し、発光素子１における発光層（Ｉ）５０６ａについては、表中の＊^１で示し、発光層（ＩＩ）５０６ｂに含まれる第１の層５０６（ｂ１）については、表中の＊^２で示し、第２の層５０６（ｂ２）については、表中の＊^３で示し、第３の層５０６（ｂ３）については、表中の＊^４で示し、第４の層５０６（ｂ４）については、表中の＊^５で示す。また、比較発光素子２における第１の層５０６（ｂ１）については、表中の＊^２で示し、第２の層５０６（ｂ２’）については、表中の＊^６で示し、第３の層５０６（ｂ３’）については、表中の＊^５で示す。

≪発光素子１および比較発光素子２の素子特性≫
まず、作製した発光素子１および比較発光素子２に対し、屈折率２．０の半球型のレンズを、光が放出される側の基板表面に屈折率１．７８の接触液を用いて接着した。これらの素子特性について、室温（２５℃に保たれた雰囲気）で積分球を用いて全光束を測定した結果を以下の表２に示す。なお、表２に示す結果は、１０００ｃｄ／ｍ^２付近における発光素子１および比較発光素子２の主な初期特性値である。

上記結果から、本実施例で作製した発光素子１は、比較発光素子２に比べて高い外部量子効率を示すことがわかった。また、相関色温度もＪＩＳ規格に定められている室内用照明の規定範囲（具体的には、相関色温度が２６００Ｋ〜７１００Ｋ）にある電球色発光（２６００Ｋ〜３２５０Ｋ）を示すという結果が得られた。

また、発光素子１および比較発光素子２に３．７５ｍＡ／ｃｍ^２の電流密度で電流を流した際の駆動初期の発光スペクトルを、図６に示す。図６に示す通り、発光素子１および比較発光素子２の発光スペクトルは、いずれも４７０ｎｍ付近、５４７ｎｍ付近、６１３ｎｍ付近にピークを有しており、発光層（Ｉ）５０６ａから得られる蛍光発光、および発光層（ＩＩ）（５０６ｂ、５０６ｂ’）から得られる燐光発光に由来していることが示唆される。

なお、発光素子１と比較発光素子２を比較した際の外部量子効率の差は、発光素子１における発光層（ＩＩ）５０６ｂの積層構造に起因するものと考えられる。これは、図６において、発光素子１の５４７ｎｍ付近および６１３ｎｍ付近に発光ピークを有する緑色および赤色発光の強度が、比較発光素子２の強度に比べて大きくなっていることで説明できる。

すなわち、発光素子１は、発光層（ＩＩ）５０６ｂにおいて、第２の層５０６（ｂ２）と第４の層５０６（ｂ４）との間に形成される第３の層５０６（ｂ３）が、第２の層５０６（ｂ２）や第４の層５０６（ｂ４）から得られる発光の発光ピークよりも長波長の発光ピークを示すように形成されており、この結果、第３の層５０６（ｂ３）で生成される励起子が他の層へ拡散するのを抑制できるため発光効率が上がったものと考えられる。

さらに、図６において、発光素子１の４７０ｎｍ付近に発光ピークを有する青色発光の強度が、比較発光素子２の強度に比べて小さくなっていることに関しては、発光層（ＩＩ）５０６ｂにおける燐光発光が上記の理由により効率良く行われるようになり、発光層（Ｉ）５０６ａへのエネルギー移動の確率が低くなったためであると説明することができる。

これらの結果として、発光素子１の蛍光発光と燐光発光との発光比率における燐光発光の割合が、比較発光素子２に比べて高くなり、外部量子効率が高くなったものと考えられる。

また、発光素子１についての信頼性試験の結果を図７に示す。図７において、縦軸は初期輝度を１００％とした時の規格化輝度（％）を示し、横軸は素子の駆動時間（ｈ）を示す。なお、信頼性試験は、初期輝度を５０００ｃｄ／ｍ^２に設定し、電流密度一定の条件で発光素子１を駆動させた。その結果、発光素子１は、長寿命な発光素子であることがわかった。

また、本実施例で作製した発光素子１と同じ構成の素子を屈折率１．８４の基板上に、発光面積が９０ｍｍ×９０ｍｍとなるように形成し、基板の光が放出される側の面をフロスト加工することにより、発光面積が９０ｍｍ×９０ｍｍの照明装置を作製した。なお、陽極のＩＴＯの膜厚は７０ｎｍとした。また、作製した照明装置は、輝度１０００ｃｄ／ｍ^２付近において平均演色性評価数Ｒａが８４と良好であり、パワー効率も９２ｌｍ／Ｗと非常に高い効率を示した。また、この照明装置は色温度２８００Ｋであり電球色の規格に合致した特性を示している。

本実施例では、本発明の一態様である発光素子として発光素子３を作製し、特性評価を行った。なお、発光素子３は、実施例１で示した発光素子１と同じ構造を有しており、図５（Ａ）で示したように発光層（Ｉ）５０６ａは、蛍光発光が得られる発光層であり、発光層（ＩＩ）５０６ｂは、燐光発光が得られる発光層である。また、発光層（ＩＩ）５０６ｂは、積層構造を有しており、第２の層５０６（ｂ２）と第４の層５０６（ｂ４）との間に形成される第３の層５０６（ｂ３）が、第２の層５０６（ｂ２）や第４の層５０６（ｂ４）から得られる発光の発光ピークよりも長波長の発光ピークを示すように形成されている。また、本実施例で用いる材料の構造式と略称を以下に示す。

≪発光素子３の作製≫
第１の電極５０１は、陽極として機能する電極であり、屈折率１．８４のガラス製の基板５００上に酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により、７０ｎｍの膜厚で成膜し、形成した。電極面積は８１ｃｍ^２とした。また、基板の光が放出される側の面はフロスト加工した。

本実施例で示す発光素子３は、実施例１で示す発光素子１および比較発光素子２に対して電極面積が異なるのみで作製方法などは共通であるため、発光素子３の特徴となる素子構成について以下の表３に示すこととし、詳細な説明は省略する。なお、発光層（Ｉ）５０６ａおよび発光層（ＩＩ）５０６ｂのうち、発光層（Ｉ）５０６ａは、蛍光発光が得られる構成であり、発光層（ＩＩ）５０６ｂに含まれる第２の層５０６（ｂ２）、第３の層５０６（ｂ３）、第４の層５０６（ｂ４）は、発光素子１と同様にいずれも励起錯体からのエネルギー移動に基づく燐光発光が得られる構成である。また、表３中、発光素子３における発光層（Ｉ）５０６ａについては、表中の＊^１で示し、発光層（ＩＩ）５０６ｂに含まれる第１の層５０６（ｂ１）については、表中の＊^２で示し、第２の層５０６（ｂ２）については、表中の＊^３で示し、第３の層５０６（ｂ３）については、表中の＊^４で示し、第４の層５０６（ｂ４）については、表中の＊^５で示す。

≪発光素子３の素子特性≫
作製した発光素子３の素子特性について、室温（２５℃に保たれた雰囲気）で測定した結果を図８および以下の表４に示す。なお、表４に示す結果は、１０００ｃｄ／ｍ^２付近における発光素子３の主な初期特性値である。

上記結果から、本実施例で作製した発光素子３は、実施例１で示した発光素子１と同様に高い外部量子効率を示すことがわかった。また、相関色温度もＪＩＳ規格に定められている室内用照明の規定範囲（具体的には、相関色温度が２６００Ｋ〜７１００Ｋ）にある電球色発（２６００Ｋ〜３２５０Ｋ）光を示すという結果が得られた。

また、発光素子３に１．２ｍＡ／ｃｍ^２の電流密度で電流を流した際の駆動初期の発光スペクトルを、図９に示す。図９に示す通り、発光素子３の発光スペクトルは、４７０ｎｍ付近、５４７ｎｍ付近、６１３ｎｍ付近にピークを有しており、発光層（Ｉ）５０６ａから得られる蛍光発光、および発光層（ＩＩ）５０６ｂから得られる燐光発光に由来していることが示唆される。

また、本実施例で示す発光素子３は、４７０ｎｍ付近に発光ピークを有する青色発光の強度に比べて、６１３ｎｍ付近に発光ピークを有する赤色発光の強度が非常に大きい。従って、発光素子３の発光層（ＩＩ）５０６ｂにおいて、第２の層５０６（ｂ２）と第４の層５０６（ｂ４）との間に形成される第３の層５０６（ｂ３）において生成される励起子の他の層への拡散を抑えられて、蛍光発光と燐光発光との発光比率における燐光発光の割合が高くなり、外部量子効率が高くなったものと考えられる。

本実施例では、本発明の一態様である発光素子として発光素子４を作製し、特性評価を行った。なお、発光素子４は、実施例１で示した発光素子１と類似の構造を有しており、図５（Ａ）で示したように発光層（Ｉ）５０６ａは、蛍光発光が得られる発光層であり、発光層（ＩＩ）５０６ｂは、燐光発光が得られる発光層である。また、発光層（ＩＩ）５０６ｂは、積層構造を有しており、第２の層５０６（ｂ２）と第４の層５０６（ｂ４）との間に形成される第３の層５０６（ｂ３）が、第２の層５０６（ｂ２）や第４の層５０６（ｂ４）から得られる発光の発光ピークよりも長波長の発光ピークを示すように形成されている。また、本実施例で用いる材料の構造式と略称を以下に示す。

≪発光素子４の作製≫
第１の電極５０１は、陽極として機能する電極であり、ガラス製の基板５００上に酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により、１１０ｎｍの膜厚で成膜し、形成した。電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。

本実施例で示す発光素子４は、実施例１で示す発光素子１と作製方法などは共通であるため、発光素子４の特徴となる素子構成について以下の表５に示すこととし、詳細な説明は省略する。なお、発光素子４の発光層（Ｉ）５０６ａおよび発光層（ＩＩ）５０６ｂのうち、発光層（Ｉ）５０６ａは、蛍光発光が得られる構成であり、発光層（ＩＩ）５０６ｂに含まれる第２の層５０６（ｂ２）、第３の層５０６（ｂ３）、第４の層５０６（ｂ４）は、励起錯体からのエネルギー移動に基づく燐光発光が得られる構成である。また、表５中、発光素子４の発光層（Ｉ）５０６ａについては、表中の＊^１で示し、発光層（ＩＩ）５０６ｂに含まれる第１の層５０６（ｂ１）については、表中の＊^２で示し、第２の層５０６（ｂ２）については、表中の＊^３で示し、第３の層５０６（ｂ３）については、表中の＊^４で示し、第４の層５０６（ｂ４）については、表中の＊^５で示す。

≪発光素子４の素子特性≫
作製した発光素子４の素子特性について、室温（２５℃に保たれた雰囲気）で測定した結果を図１０および以下の表６に示す。なお、表６に示す結果は、１０００ｃｄ／ｍ^２付近における発光素子４の主な初期特性値である。

上記結果から、本実施例で作製した発光素子４は、高い外部量子効率を示すことがわかった。また、相関色温度もＪＩＳ規格に定められている室内用照明の規定範囲（具体的には、相関色温度が２６００Ｋ〜７１００Ｋ）にある電球色発光（２６００Ｋ〜３２５０Ｋ）を示すという結果が得られた。

また、発光素子４に３．７５ｍＡ／ｃｍ^２の電流密度で電流を流した際の駆動初期の発光スペクトルを、図１１に示す。図１１に示す通り、発光素子４の発光スペクトルは、４６９ｎｍ付近、５５０ｎｍ付近、６１１ｎｍ付近にピークを有しており、発光層（Ｉ）５０６ａから得られる蛍光発光、および発光層（ＩＩ）５０６ｂから得られる燐光発光に由来していることが示唆される。

また、本実施例で示す発光素子４は、４６９ｎｍ付近に発光ピークを有する青色発光の強度に比べて、６１１ｎｍ付近に発光ピークを有する赤色発光の強度が非常に大きい。従って、発光素子４の発光層（ＩＩ）５０６ｂにおいて、第２の層５０６（ｂ２）と第４の層５０６（ｂ４）との間に形成される第３の層５０６（ｂ３）において生成される励起子の他の層への拡散を抑えられて、蛍光発光と燐光発光との発光比率における燐光発光の割合が高くなり、外部量子効率が高くなったものと考えられる。

また、本実施例で作製した発光素子４と同じ構成の素子を屈折率１．８４の基板上に、発光面積が９０ｍｍ×９０ｍｍとなるように形成し、基板の光が放出される側の面をフロスト加工することにより、発光面積が９０ｍｍ×９０ｍｍの照明装置を作製した。なお、陽極にはＩＴＯを用い、その厚さは７０ｎｍとした。また、作製した照明装置は、輝度１０００ｃｄ／ｍ^２付近において平均演色性評価数Ｒａが８３と良好であり、パワー効率も８１ｌｍ／Ｗと高い効率を示した。また、この照明装置は色温度が３２００Ｋであり、温白色の規格に合致した特性を示している。

１０１ 第１の電極
１０２ 第２の電極
１０３ ＥＬ層
１０４ 正孔注入層
１０５ 正孔輸送層
１０６ 発光層
１０６ａ 発光層（Ｉ）、１０６ｂ 発光層（ＩＩ）
１０６（ｂ１） 第１の層
１０６（ｂ２） 第２の層
１０６（ｂ３） 第３の層
１０７ 電子輸送層
１０８ 電子注入層
２０１ 素子基板
２０２ 画素部
２０３ 駆動回路部（ソース線駆動回路）
２０４ａ、２０４ｂ 駆動回路部（ゲート線駆動回路）
２０５ シール材
２０６ 封止基板
２０７ 配線
２０８ ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
２０９ ＦＥＴ
２１０ ＦＥＴ
２１１ スイッチング用ＦＥＴ
２１２ 電流制御用ＦＥＴ
２１３ 第１の電極（陽極）
２１４ 絶縁物
２１５ ＥＬ層
２１６ 第２の電極（陰極）
２１７ 発光素子
２１８ 空間
５００ 基板
５０１ 第１の電極
５０２ 第２の電極
５０３ ＥＬ層
５０４ 正孔注入層
５０５ 正孔輸送層
５０６ 発光層
５０６ａ 発光層（Ｉ）、５０６ｂ 発光層（ＩＩ）
５０６（ｂ１） 第１の層
５０６（ｂ２） 第２の層
５０６（ｂ３） 第３の層
５０６（ｂ４） 第４の層
５０６ｂ’ 発光層（ＩＩ）
５０６（ｂ２’） 第２の層
５０６（ｂ３’） 第３の層
５０７ 電子輸送層
５０８ 電子注入層
７１００ テレビジョン装置
７１０１ 筐体
７１０３ 表示部
７１０５ スタンド
７１０７ 表示部
７１０９ 操作キー
７１１０ リモコン操作機
７２０１ 本体
７２０２ 筐体
７２０３ 表示部
７２０４ キーボード
７２０５ 外部接続ポート
７２０６ ポインティングデバイス
７３０２ 筐体
７３０４ 表示パネル
７３０５ 時刻を表すアイコン
７３０６ その他のアイコン
７３１１ 操作ボタン
７３１２ 操作ボタン
７３１３ 接続端子
７３２１ バンド
７３２２ 留め金
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作用ボタン
７４０４ 外部接続部
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
７４０７ カメラ
７５００（１）、７５００（２） 筐体
７５０１（１）、７５０１（２） 第１面
７５０２（１）、７５０２（２） 第２面
８００１ 照明装置
８００２ 照明装置
８００３ 照明装置
８００４ 照明装置

Claims (12)

1. 一対の電極間にＥＬ層を有し、
   前記ＥＬ層は、発光層を有し、
   前記発光層は、蛍光発光を呈する第１の発光層と燐光発光を呈する第２の発光層を有する積層構造を少なくとも有し、
   前記第２の発光層は、励起錯体を形成する層を複数含み、
   前記励起錯体を形成する層は、２つの層の間に、前記２つの層からそれぞれ得られる発光ピークよりも長波長な発光ピークを示す層が接する積層構造を有することを特徴とする発光素子。
2. 一対の電極間にＥＬ層を有し、
   前記ＥＬ層は、発光層を有し、
   前記発光層は、蛍光発光を呈する第１の発光層と燐光発光を呈する第２の発光層を接してなる積層構造を少なくとも有し、
   前記第２の発光層は、励起錯体を形成する層を複数含み、
   前記励起錯体を形成する層は、２つの層の間に、前記２つの層からそれぞれ得られる発光ピークよりも長波長な発光ピークを示す層が接する積層構造を有することを特徴とする発光素子。
3. 一対の電極間にＥＬ層を有し、
   前記ＥＬ層は、発光層を有し、
   前記発光層は、蛍光発光を呈する第１の発光層と燐光発光を呈する第２の発光層を接してなる積層構造を少なくとも有し、
   前記第２の発光層は、励起錯体を形成する物質と燐光発光物質とを含む複数の層を含み、
   前記複数の層は、同一の材料を用いて形成された２つの層の間に、前記２つの層からそれぞれ得られる発光ピークよりも長波長な発光ピークを示す層が接する積層構造を有することを特徴とする発光素子。
4. 一対の電極間にＥＬ層を有し、
   前記ＥＬ層は、発光層を有し、
   前記発光層は、蛍光発光を呈する第１の発光層と燐光発光を呈する第２の発光層を接してなる積層構造を少なくとも有し、
   前記第２の発光層は、励起錯体を形成する物質と燐光発光物質とを含む複数の層を含み、
   前記複数の層は、いずれも共通する有機化合物を１種または複数種含み、かつ２つの層の間に、前記２つの層からそれぞれ得られる発光ピークよりも長波長な発光ピークを示す層が接する積層構造を有することを特徴とする発光素子。
5. 一対の電極間にＥＬ層を有し、
   前記ＥＬ層は、発光層を有し、
   前記発光層は、蛍光発光を呈する第１の発光層と燐光発光を呈する第２の発光層を接してなる積層構造を少なくとも有し、
   前記第１の発光層は、蛍光発光物質を含み、
   前記第２の発光層は、燐光発光物質を含む層を複数含み、
   前記燐光発光物質を含む層は、２つの層の間に、前記２つの層からそれぞれ得られる発光ピークよりも長波長な発光ピークを示す層が接する積層構造を有することを特徴とする発光素子。
6. 一対の電極間にＥＬ層を有し、
   前記ＥＬ層は、発光層を有し、
   前記発光層は、蛍光発光を呈する第１の発光層と燐光発光を呈する第２の発光層を接してなる積層構造を少なくとも有し、
   前記第１の発光層は、蛍光発光物質と、前記蛍光発光物質よりもＴ１準位が低いホスト材料を含み、
   前記第２の発光層は、励起錯体を形成する物質と燐光発光物質とを含む複数の層を含み、
   前記複数の層は、２つの層の間に、前記２つの層からそれぞれ得られる発光ピークよりも長波長な発光ピークを示す層が接する積層構造を有することを特徴とする発光素子。
7. 一対の電極間にＥＬ層を有し、
   前記ＥＬ層は、発光層を有し、
   前記発光層は、蛍光発光を呈する第１の発光層と燐光発光を呈する第２の発光層を接してなる積層構造を少なくとも有し、
   前記第１の発光層は、蛍光発光物質と、前記蛍光発光物質よりもＴ１準位が低いホスト材料を含み、
   前記第２の発光層は、励起錯体を形成する物質と燐光発光物質とを含む複数の層を含み、
   前記複数の層は、同一の材料を用いて形成された２つの層の間に、前記２つの層からそれぞれ得られる発光ピークよりも長波長な発光ピークを示す層が接する積層構造を有することを特徴とする発光素子。
8. 一対の電極間にＥＬ層を有し、
   前記ＥＬ層は、発光層を有し、
   前記発光層は、蛍光発光を呈する第１の発光層と燐光発光を呈する第２の発光層を接してなる積層構造を少なくとも有し、
   前記第１の発光層は、蛍光発光物質と、前記蛍光発光物質よりもＴ１準位が低いホスト材料を含み、
   前記第２の発光層は、励起錯体を形成する物質と燐光発光物質とを含む複数の層を含み、
   前記複数の層は、いずれも共通する有機化合物を１種または複数種含み、かつ２つの層の間に、前記２つの層からそれぞれ得られる発光ピークよりも長波長な発光ピークを示す層が接する積層構造を有することを特徴とする発光素子。
9. 一対の電極間にＥＬ層を有し、
   前記ＥＬ層は、発光層を有し、
   前記発光層は、蛍光発光を呈する第１の発光層と燐光発光を呈する第２の発光層を接してなる積層構造を少なくとも有し、
   前記第１の発光層は、蛍光発光物質と、前記蛍光発光物質よりもＴ１準位が低いホスト材料を含み、
   前記第２の発光層は、燐光発光物質を含む層を複数含み、
   前記燐光発光物質を含む層は、２つの層の間に、前記２つの層からそれぞれ得られる発光ピークよりも長波長な発光ピークを示す層が接する積層構造を有することを特徴とする発光素子。
10. 請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の発光素子を用いた発光装置。
11. 請求項１０に記載の発光装置を用いた電子機器。
12. 請求項１０に記載の発光装置を用いた照明装置。