JP2016011221A - 誘電体セラミックス及びその製造方法、並びに積層コンデンサ - Google Patents

Abstract

【課題】高誘電率及び低ｔａｎδを両立可能な誘電体セラミックスを提供する。
【解決手段】誘電体セラミックスは、セラミックス粒子と、二次相とを含有する。上記セラミックス粒子は、バリウム及びチタンを含むペロブスカイト構造であって、ドメインを有する。上記二次相は、上記セラミックス粒子の中にあり、シリコン及び酸素を含む。この構成では、シリコン及び酸素を含む二次相の作用によりｔａｎδが低減される。また、この誘電体セラミックスでは、二次相がセラミックス粒子の中にあるため、二次相が粒界や三重点にある場合のような誘電率の低下が生じない。したがって、この構成によれば、誘電率を低下させることなく、ｔａｎδを低減することが可能である。
【選択図】図２

Description

本発明は、積層コンデンサに利用可能な誘電体セラミックス及びその製造方法、並びに積層コンデンサに関する。

近年、電子機器の小型化及び高性能化に伴い、電子機器に用いられる積層コンデンサに対する小型化及び大容量化への要求がますます強くなってきている。このため、積層コンデンサを構成する誘電体セラミックスには、誘電率の向上、及び誘電正接（ｔａｎδ）の低減が求められる。

特許文献１，２に、誘電体セラミックスの粒界及び三重点にシリコン（Ｓｉ）を分散させる技術が開示されている。上記技術に係る誘電体セラミックスでは、粒界及び三重点に分散するシリコンの作用によりｔａｎδが低減される。

特開２０１２−２１４３３４号公報 特開２００９−０４４０１７号公報

しかしながら、上記技術に係る誘電体セラミックスでは、シリコンの存在により粒界及び三重点が拡大し、これに伴って誘電体セラミックスを構成する誘電体粒子が縮小してしまう。誘電体粒子が縮小すると、誘電体粒子ひとつあたりの分極量が小さくなるため、誘電体セラミックスの誘電率が低下してしまう。

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、高誘電率及び低ｔａｎδを両立可能な誘電体セラミックス及びその製造方法、並びに積層コンデンサを提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る誘電体セラミックスは、セラミックス粒子と、二次相とを含有する。
上記セラミックス粒子は、バリウム及びチタンを含むペロブスカイト構造であって、ドメインを有する。
上記二次相は、上記セラミックス粒子の中にあり、シリコン及び酸素を含む。

この構成では、シリコン及び酸素を含む二次相の作用によりｔａｎδが低減される。また、この誘電体セラミックスでは、二次相がセラミックス粒子の中にあるため、二次相が粒界や三重点にある場合のような誘電率の低下が生じない。したがって、この構成によれば、誘電率を低下させることなく、ｔａｎδを低減することが可能である。

上記二次相は円形の断面を有していてもよい。
この構成では、二次相が球状であるため、誘電体セラミックスの内部応力により二次相からセラミックス粒子に加わる力が均一になる。これにより、セラミックス粒子にクラックが生じにくくなる。

単一の上記セラミックス粒子の中に、複数の上記二次相が含まれていてもよい。
この構成では、誘電率を低下させることなく、ｔａｎδを更に低減することが可能である。

本発明の一形態に係る誘電体セラミックスの製造方法では、バリウム及びチタンを含むペロブスカイト構造の材料により構成されるセラミックス粒子を含有する主相粉末が準備される。
シリコン及び酸素を含む二次相を含有する二次相粉末が準備される。
上記主相粉末と上記二次相粉末とを混合して混合物が作製される。
上記混合物を成形して成形体が作製される。
上記成形体に対し、１０００［℃／時間］以上の昇温速度で、９００℃以上１０００℃以下の第１温度まで昇温し、上記第１温度で５分以上３０分以下保持する第１熱処理が行われる。
上記第１熱処理の後の上記成形体に対し、１０００［℃／時間］以上の昇温速度で、１１００℃以上１３００℃以下の第２温度まで昇温する第２熱処理が行われる。

この構成により、セラミックス粒子の中に二次相を含ませることができるようになる。したがって、この構成の誘電体セラミックスの製造方法によれば、高誘電率及び低ｔａｎδを両立可能な誘電体セラミックスを提供することができる。

上記第２熱処理では、上記第２温度で５分以上３０分以下保持してもよい。
この構成により、より良好にセラミックス粒子の中に二次相を含ませることができるようになる。

本発明の一形態に係る積層コンデンサは、第１及び第２内部電極と、上記第１及び第２の内部電極の間に配置される誘電体セラミックス層とを具備する。
上記誘電体セラミックス層は、バリウム及びチタンを含むペロブスカイト構造であって、ドメインを有するセラミックス粒子と、上記セラミックス粒子の中にあり、シリコン及び酸素を含む二次相と、を含む。
この構成では、高誘電率及び低ｔａｎδを両立可能な誘電体セラミックス層が得られる。したがって、この構成によれば、高性能な積層コンデンサを提供することができる。

高誘電率及び低ｔａｎδを両立可能な誘電体セラミックス及びその製造方法、並びに積層コンデンサを提供することができる。

本発明の一実施形態に係る積層コンデンサの断面図である。 図１の一点鎖線で囲んだ領域を拡大して示す上記積層コンデンサの拡大断面図である。 上記積層コンデンサの製造方法を示すフローチャートである。 実施例に係る積層コンデンサの断面のＥＤＳによる組成分析結果を示す図である。 実施例及び比較例に係る積層コンデンサの誘電率及びｔａｎδを示すグラフである。

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。

［積層コンデンサ１］
図１は、本発明の一実施形態に係る積層コンデンサ１の断面図である。

積層コンデンサ１は、積層体１０と、第１外部電極１４と、第２外部電極１５とを具備する。第１外部電極１４及び第２外部電極１５は、相互に対を成し、積層体１０の両端部にそれぞれ設けられている。

積層体１０は、複数の第１内部電極１１と、複数の第２内部電極１２と、誘電体セラミックス層１３とを有する。複数の第１内部電極１１及び複数の第２内部電極１２は、相互に対を成し、交互に積層されている。誘電体セラミックス層１３は、複数の第１内部電極１１と複数の第２内部電極１２との間に配置されている。

複数の第１内部電極１１は第１外部電極１４に接続され、複数の第２内部電極１２は第２外部電極１５に接続されている。このような構成により、積層コンデンサ１では、外部電極１４，１５間に電圧が印加されると、内部電極１１，１２間の誘電体セラミックス層１３に電圧が加わる。

［誘電体セラミックス層１３］
図２は、図１の一点鎖線で囲んだ領域を拡大して示す積層コンデンサ１の拡大断面図である。積層コンデンサ１の誘電体セラミックス層１３は、セラミックス粒子１６と、二次相１７とを含有する誘電体セラミックスにより構成される。誘電体セラミックス層１３は、その厚さ方向に、１〜２個程度のセラミックス粒子１６を有する。

セラミックス粒子１６は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）に代表される、バリウム（Ｂａ）及びチタン（Ｔｉ）を含むペロブスカイト構造の材料により構成されている。各セラミックス粒子１６が高誘電率となるように構成されることにより、誘電体セラミックス層１３では９０００以上の高誘電率が得られる。

誘電体セラミックス層１３内の高誘電率のセラミックス粒子１６はそれぞれドメインパターン（以下、単に「ドメイン」とも言う。）を有する。このため、誘電体セラミックス層１３内のセラミックス粒子１６が高誘電率であると、誘電体セラミックス層１３の断面には、図２に示すような一連の縞状のドメインパターンを有するセラミックス粒子１６が観察されるようになる。

ドメインパターンは、例えば、ＳＴＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：走査型透過電子顕微鏡）やＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：透過型電子顕微鏡）によって観察可能である。

ドメインパターンは、セラミックス粒子１６の自発分極に起因して発現する。したがって、ドメインパターンは、高誘電率であることに加え、自発分極の向きなどの条件が揃っているセラミックス粒子１６のみに観察される。

このため、図２に示すように、誘電体セラミックス層１３内のセラミックス粒子１６がいずれも高誘電率であり、いずれもドメインを有する場合であっても、誘電体セラミックス層１３の断面には、ドメインが観察されるセラミックス粒子１６と、ドメインが観察されないセラミックス粒子１６との両方が存在する。

二次相１７は、シリコン（Ｓｉ）及び酸素（Ｏ）を含む材料により構成されている。二次相１７は、セラミックス粒子１６よりも小さい球形のサブミクロン粒子として構成される。二次相１７は、セラミックス粒子１６の粒界や三重点にはほとんど存在せず、主としてセラミックス粒子１６の中に存在する。したがって、本実施形態に係る誘電体セラミックス層１３の断面には、二次相１７を包含するセラミックス粒子１６が観察される。

セラミックス粒子１６に包含される二次相１７が、円形の断面を有し、球形であるため、誘電体セラミックス層１３の内部応力により二次相１７からセラミックス粒子１６に加わる力が均一になる。したがって、セラミックス粒子１６に対して局所的な力が加わることにより、セラミックス粒子１６にクラックが生じることを防止することができる。

以上のように、誘電体セラミックス層１３の断面には、一連のドメインを有するセラミックス粒子１６が観察されるとともに、二次相１７を包含するセラミックス粒子１６が観察される。したがって、本実施形態に係る誘電体セラミックス層１３の断面は、図２に示すように、一連のドメインが観察され、かつ、二次相１７を包含するセラミックス粒子１６が含まれる特徴的な組織となる。

誘電体セラミックス層１３では、セラミックス粒子１６内の二次相１７によって、セラミックス粒子１６に圧電効果により生じる内部応力が緩衝され、セラミックス粒子１６における内部電界の上昇が抑制される。これにより、誘電体セラミックス層１３では、セラミックス粒子１６内における分極の反転がスムーズに起こるようになる。このため、本実施形態に係る積層コンデンサ１では誘電正接（ｔａｎδ）が低減される。

また、誘電体セラミックス層１３では、二次相１７がセラミックス粒子１６の粒界や三重点にほとんど存在しないため、セラミックス粒子１６が縮小することによるセラミックス粒子１６の誘電率の低下が生じない。したがって、本実施形態では、誘電体セラミックス層１３を高誘電率に保ちつつ、積層コンデンサ１のｔａｎδを低減することが可能である。

更に、誘電体セラミックス層１３が複数の二次相１７を包含するセラミックス粒子１６を有する場合に、積層コンデンサ１におけるｔａｎδを低減させる効果がより良好に得られる。したがって、誘電体セラミックス層１３は、一連のドメインが観察されるセラミックス粒子１６が複数の二次相１７を包含している断面組織を有することが好ましい。

［積層コンデンサ１の製造方法］
図３は、積層コンデンサ１の製造方法を示すフローチャートである。図３に沿って、積層コンデンサ１の製造方法について説明する。

（ステップＳ０１：セラミックススラリー準備）
まず、主相粉末と二次相粉末とを準備する。主相粉末は、バリウム及びチタンを含むペロブスカイト構造の材料により構成され、誘電体セラミックス層１３のセラミックス粒子１６となる未焼成粉末である。二次相粉末は、シリコン及び酸素を含み、誘電体セラミックス層１３の二次相１７となる未焼成粉末である。

主相粉末と二次相粉末とを有機溶剤及びバインダとともに混合することにより、セラミックススラリーが得られる。

セラミックススラリーには、主相粉末及び二次相粉末以外に、Ｙ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂなどより選ばれる希土類元素の酸化物や、Ｍｎ、Ｖ、Ｍｏなどより選ばれる遷移元素の酸化物や、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒなどより選ばれるアルカリ土類元素の酸化物などが添加物として含まれていてもよい。

（ステップＳ０２：グリーンシート作製）
セラミックススラリーをシート状に成形することによりグリーンシートが得られる。セラミックススラリーのシート化には、例えば、ロールコーターを用いることができる。

（ステップＳ０３：内部電極形成）
グリーンシートに、例えばスクリーン印刷法などによって、導電ペーストを印刷することにより、積層コンデンサ１の内部電極１１，１２となる未焼成の内部電極を形成する。

（ステップＳ０４：積層）
内部電極が形成されたグリーンシートを積層することにより、積層コンデンサ１の積層体１０となる未焼成の積層体が得られる。

（ステップＳ０５：切断）
未焼成の積層体を、例えばダイシングブレードなどにより、各積層コンデンサ１ごとに切り分けることにより、チップが得られる。

（ステップＳ０６：外部電極形成）
チップの両端部に導電ペーストを塗布することにより、積層コンデンサ１の外部電極１４，１５となる未焼成の外部電極を形成する。未焼成の外部電極は、ニッケル（Ｎｉ）や銅（Ｃｕ）などの卑金属により構成されていることが好ましい。

（ステップＳ０７：脱バインダ処理）
未焼成の外部電極を形成したチップを、Ｎ_２雰囲気中で３００℃に加熱することにより、脱バインダ処理を行う。

（ステップＳ０８：第１熱処理）
脱バインダ処理後のチップに対し、所定の第１温度での第１熱処理を行う。第１熱処理では、チップを、１０００［℃／時間］以上の昇温速度で、第１温度まで急速昇温し、第１温度で保持する。第１熱処理は、Ｎ_２及びＨ_２Ｏを含み、０．０１〜０．１ｖｏｌ％の水素濃度となる還元性雰囲気中で行うことが好ましい。

第１熱処理により、誘電体セラミックス層１３におけるセラミックス粒子１６の再配列及び緻密化を促進し、二次相１７を一旦、セラミックス粒子１６の三重点に析出させる。

上記の第１温度は９００℃以上１０００℃以下である。第１温度が９００℃より低いと、二次相１７がセラミックス粒子１６の三重点に良好に析出しない。また、第１温度が１０００℃より高いと、二次相１７がセラミックス粒子１６の粒界にまで濡れ広がってしまう。

更に、第１温度が１０００℃より高いと、セラミックス粒子１６の粒界に分布する添加物粒子のセラミックス粒子１６内への固溶が進む。これにより、セラミックス粒子１６同士の結合が弱くなる場合がある。また、完成後の積層コンデンサ１の誘電体セラミックス層１３においてセラミックス粒子１６のドメインが良好に発現されなくなる場合もある。

また、第１熱処理における第１温度での保持時間は５分以上３０分以下である。保持時間が５分未満であると、二次相１７がセラミックス粒子１６の三重点に良好に析出しない。また、保持時間が３０分を超えると、二次相１７がセラミックス粒子１６の粒界にまで濡れ広がってしまう。

（ステップＳ０９：第２熱処理）
第１熱処理後のチップに対し、第１熱処理に係る第１温度よりも高い所定の第２温度での第２熱処理を行う。第２熱処理では、チップを、１０００［℃／時間］以上の昇温速度で、第２温度まで急速昇温し、第２温度で保持する。第２熱処理は、Ｎ_２及びＨ_２Ｏを含み、０．０１〜０．１ｖｏｌ％の水素濃度となる還元性雰囲気中で行うことが好ましい。

第２熱処理は第１熱処理に連続して実施されることが好ましい。つまり、第１熱処理の終了後すぐに、チップを第１温度から第２温度へと昇温することが好ましい。

第２熱処理により、誘電体セラミックス層１３におけるセラミックス粒子１６が、図２に示す大きさまで粒成長する。粒成長したセラミックス粒子１６は、その断面の全域にわたって一連のドメインを発現可能となる。

また、セラミックス粒子１６の粒成長の過程において、相互に隣接する複数のセラミックス粒子１６が結合する際に、第１熱処理において三重点に析出していた二次相１７が、セラミックス粒子１６の中に取り込まれる。これにより、誘電体セラミックス層１３における二次相１７がセラミックス粒子１６によって包含される構成ができあがる。

上記の第２温度は１１００℃以上１３００℃以下である。第２温度が１１００℃より低いと、セラミックス粒子１６の粒成長が良好に進行しない。第２温度が１３００℃より高いと、セラミックス粒子１６の粒成長が進みすぎ、セラミックス粒子１６が粗大化してしまう。

また、第２熱処理における第２温度での保持時間は５分以上３０分以下である。保持時間が５分未満であると、セラミックス粒子１６の粒成長が良好に進行しない。また、保持時間が３０分を超えると、セラミックス粒子１６の粒成長が進みすぎ、セラミックス粒子１６が粗大化してしまう。

なお、第１熱処理において、二次相１７がセラミックス粒子１６の粒界にまで濡れ広がってしまっていると、第２熱処理におけるセラミックス粒子１６の粒成長の過程において、二次相１７がセラミックス粒子１６の粒界に沿って流動してしまう。これにより、二次相１７は、セラミックス粒子１６に取り込まれることなく、セラミックス粒子１６の粒界に残存しやすくなる。

（ステップＳ１０：アニール処理）
第２熱処理後のチップに対し、アニール処理を行う。アニール処理では、チップを、６００［℃／時間］以上の昇温速度で、１１００℃以上１３００℃以下の第３温度まで昇温し、第３温度で１時間以上５時間以下保持する。アニール処理は、０．５〜４．０ｖｏｌ％の水素濃度となる還元性雰囲気中で行うことが好ましい。

（ステップＳ１１：再酸化処理）
アニール処理後のチップに対し、再酸化処理を行う。再酸化処理では、チップを、Ｎ_２及びＯ_２を混合した酸化性雰囲気中において、６００度以上８００℃以下の第４温度で保持する。

以上により、本実施形態に係る積層コンデンサ１が得られる。

［実施例１〜８］
上記の製造方法によって、実施例１〜８に係る積層コンデンサ１を、第１熱処理の条件を変化させて製造した。いずれの積層コンデンサ１についても第１熱処理の条件以外の製造条件は共通である。いずれの積層コンデンサ１でも、外形寸法を、幅０．５ｍｍ、長さ１．０ｍｍ、高さ０．５ｍｍとし、誘電体セラミックス層１３を１０層とし、各層の平均厚さを１．２μｍとした。

各積層コンデンサ１の評価として、各積層コンデンサ１について、断面分析、及び電気特性測定を行った。各積層コンデンサ１の断面分析では、分析サンプルとして、各積層コンデンサ１を切り出して形成した薄片を用い、分析装置として、ＳＴＥＭ及びＥＤＳ（Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いた。

ＳＴＥＭ観察は、各積層コンデンサ１の断面における誘電体セラミックス層１３を２層含む視野で行った。ＳＴＥＭ観察では、各積層コンデンサ１について３０個以上抽出したセラミックス粒子１６の中から、その全域にわたって一連のドメインが観察されるセラミックス粒子１６の個数を計上した。

また、ＳＴＥＭ観察において一連のドメインが観察されるセラミックス粒子１６におけるコントラストの不連続な部分を検出し、検出した部分についてＥＤＳによる組成分析を行った。これにより、シリコンが検出された場合、当該セラミックス粒子１６に二次相１７が包含されるものと判断した。

図４は、ＥＤＳによる組成分析結果の一例を示している。図４に示す例では、セラミックス粒子１６に含まれるチタン、バリウム、及び酸素以外に、シリコンが検出されている。したがって、図４に示す組成分析結果から、本例に係る部分に二次相１７が存在するものと判断される。

各積層コンデンサ１について、一連のドメインが観察され、かつ、二次相１７を包含するセラミックス粒子１６の個数を計上した。

電気特性測定では、各積層コンデンサ１について、１ｋＨｚで０．５Ｖｒｍｓの交流電圧を印加した条件下で、ＬＣＲメータによって、誘電体セラミックス層１３の誘電率、及びｔａｎδを測定した。電気特性測定は各積層コンデンサ１につき５０個のサンプルに対して行い、５０個のサンプルについて得られた測定値の平均値を、各積層コンデンサ１についての測定値とした。

表１に、実施例１〜８に係る積層コンデンサ１について、第１熱処理の条件、断面分析結果、及び電気特性測定結果をまとめて示す。

第１熱処理の条件としては、第１温度、及び保持時間が示される。断面分析結果としては、一連のドメインが観察されるセラミックス粒子１６の個数（粒子数Ａ）、及び一連のドメインが観察され、かつ、二次相１７を包含するセラミックス粒子１６の個数（粒子数Ｂ）が示される。電気特性測定結果としては、誘電率の測定値、及びｔａｎδの測定値が示される。

表１に示すように、実施例１〜８に係る積層コンデンサ１では、いずれも粒子数Ｂが１以上であり、すなわち、一連のドメインが観察され、かつ、二次相１７を包含するセラミックス粒子１６が発見された。そして、実施例１〜８に係る積層コンデンサ１では、いずれも９０００以上の高い誘電率と、１４％以下の低いｔａｎδとが得られた。

［比較例１〜６］
比較例１〜６に係る積層コンデンサを製造した。いずれの積層コンデンサについても、第１熱処理の条件以外の製造条件は、実施例１〜８に係る積層コンデンサ１と共通である。各積層コンデンサのその他の構成や、積層コンデンサの評価方法も、実施例１〜８に係る積層コンデンサ１と共通である。

表２に、比較例１〜６に係る積層コンデンサについて、第１熱処理の条件、断面分析結果、及び電気特性測定結果をまとめて示す。

表２に示すように、比較例１，２では上記実施形態よりも第１熱処理の保持時間が短い。比較例３では上記実施形態よりも第１熱処理の時間が長い。比較例４では上記実施形態よりも第１温度が低い。比較例５，６では上記実施形態よりも第１温度が高い。

比較例１，２に係る積層コンデンサでは、いずれも粒子数Ｂがゼロであり、すなわち、一連のドメインが観察され、かつ、二次相１７を包含する粒子１６が発見されなかった。また、比較例１，２に係る積層コンデンサでは、９０００以上の高い誘電率であり、１５％を超える高いｔａｎδであった。

比較例１，２に係る積層コンデンサでは、第１熱処理の第１温度での保持時間が短すぎるため、二次相１７がセラミックス粒子１６の三重点に良好に析出しなかったものと予想される。その結果、二次相１７による積層コンデンサのｔａｎδを低減させる効果が十分に得られなかったものと考えられる。

比較例３に係る積層コンデンサでは、粒子数Ｂがゼロであり、すなわち、一連のドメインが観察され、かつ、二次相１７を包含するセラミックス粒子１６が発見されなかった。また、比較例３に係る積層コンデンサでは、１４％未満の低いｔａｎδであるものの、９０００未満のやや低い誘電率であった。

比較例３に係る積層コンデンサでは、第１熱処理の第１温度での保持時間がやや長かったため、第１熱処理において二次相１７がセラミックス粒子１６の粒界にまで濡れ広がってしまったものと予想される。その結果、セラミックス粒子１６が縮小することにより、誘電体セラミックス層１３の誘電率が低下したものと考えられる。

比較例４に係る積層コンデンサでは、粒子数Ｂがゼロであり、すなわち、一連のドメインが観察され、かつ、二次相１７を包含するセラミックス粒子１６が発見されなかった。また、比較例４に係る積層コンデンサでは、９０００以上の高い誘電率であるのの、１７％弱の高いｔａｎδであった。

比較例４に係る積層コンデンサでは、第１熱処理の第１温度が低すぎるため、二次相１７がセラミックス粒子１６の三重点に良好に析出しなかったものと予想される。その結果、二次相１７による積層コンデンサのｔａｎδを低減させる効果が十分に得られなかったものと考えられる。

比較例５，６に係る積層コンデンサでは、いずれも粒子数Ａがゼロであり、すなわち、ドメインが観察されるセラミックス粒子１６が発見されなかった。また、比較例５，６に係る積層コンデンサでは、１４％未満の低いｔａｎδであるものの、７０００前後の低い誘電率であった。

比較例５，６に係る積層コンデンサでは、第１熱処理の第１温度が高すぎるため、第１熱処理において二次相１７がセラミックス粒子１６の粒界にまで濡れ広がってしまったものと予想される。その結果、セラミックス粒子１６が縮小することにより、誘電体セラミックス層１３の誘電率が低下したものと考えられる。

［まとめ］
図５は、実施例１〜８及び比較例１〜６における電気特性測定結果をまとめたグラフである。このグラフから、実施例１〜８に係る積層コンデンサ１では、いずれも高誘電率を保ちつつ、ｔａｎδを低減することが実現されている。すなわち、誘電率が９０００〜１３０００で、ｔａｎδが１０〜１４％の積層コンデンサ１が得られた。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。

１…積層コンデンサ
１０…積層体
１１，１２…内部電極
１３…誘電体セラミックス層
１４，１５…外部電極
１６…セラミックス粒子
１７…二次相

Claims (6)

1. バリウム及びチタンを含むペロブスカイト構造であって、ドメインを有するセラミックス粒子と、
   前記セラミックス粒子の中にあり、シリコン及び酸素を含む二次相と
   を含有する誘電体セラミックス。
2. 請求項１に記載の誘電体セラミックスであって、
   前記二次相は円形の断面を有する
   誘電体セラミックス。
3. 請求項１又は２に記載の誘電体セラミックスであって、
   単一の前記セラミックス粒子の中に、複数の前記二次相が含まれる
   誘電体セラミックス。
4. バリウム及びチタンを含むペロブスカイト構造の材料により構成されるセラミックス粒子を含有する主相粉末を準備し、
   シリコン及び酸素を含む二次相を含有する二次相粉末を準備し、
   前記主相粉末と前記二次相粉末とを混合して混合物を作製し、
   前記混合物を成形して成形体を作製し、
   前記成形体に対し、１０００［℃／時間］以上の昇温速度で、９００℃以上１０００℃以下の第１温度まで昇温し、前記第１温度で５分以上３０分以下保持する第１熱処理を行い、
   前記第１熱処理の後の前記成形体に対し、１０００［℃／時間］以上の昇温速度で、１１００℃以上１３００℃以下の第２温度まで昇温する第２熱処理を行う
   誘電体セラミックスの製造方法。
5. 請求項４に記載の誘電体セラミックスの製造方法であって、
   前記第２熱処理では、前記第２温度で５分以上３０分以下保持する
   誘電体セラミックスの製造方法。
6. 第１及び第２の内部電極と、
   バリウム及びチタンを含むペロブスカイト構造であって、ドメインを有するセラミックス粒子と、前記セラミックス粒子の中にあり、シリコン及び酸素を含む二次相と、を含み、前記第１及び第２の内部電極の間に配置される誘電体セラミックス層と
   を具備する積層コンデンサ。

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