JP2016018577A - 配線回路基板 - Google Patents

Abstract

【課題】第２端子部に対して外部基板を確実に接合することができながら、第２端子部、および、第１端子部を補強することのできる配線回路基板を提供すること。
【解決手段】
回路付サスペンション基板１は、第１開口部４９を備えるベース絶縁層９と、ベース絶縁層９の上に形成され、第１開口部４９に充填される第１充填部５５を有する後側端子部５２を備える下側導体層１０と、ベース絶縁層９の上に形成され、第２開口部５９を備える中間絶縁層１１と、中間絶縁層１１の上に形成され、後側端子部５２と接続されるように、第２開口部５９に充填される第２充填部６３を有するパッド部６２を備える上側導体層１２と、ベース絶縁層９の下に形成され、第１開口部４９に充填される第１充填部５５と接続される支持部６６を備える金属支持基板８とを備えている。
【選択図】図３

Description

本発明は、配線回路基板、詳しくは、回路付サスペンション基板などの配線回路基板に関する。

配線回路基板として、金属支持基板と、金属支持基板の上に形成される第１絶縁層と、第１絶縁層の上に形成される第１配線層と、第１絶縁層の上に形成され、第１配線層を被覆する第２絶縁層と、第２絶縁層の上に形成される第２配線層を備えるサスペンション用基板が知られている（例えば、特許文献１参照）。

このようなサスペンション用基板では、第２絶縁層が、第１配線層の端子部を露出させるための開口を備えており、第２配線層の端子部が、第２絶縁層の開口を介して、第１配線層の端子部と接続されている。

特開２０１３−２２９０７９号公報

しかるに、特許文献１に記載のサスペンション用基板において、外部基板を第２配線層の端子部に対して接合する場合には、外部基板と第２配線層の端子部との間に接続媒体（異方性導電フィルム、はんだなど）を配置し、第２配線層とは反対側に位置する金属支持基板に対してボンディングツールなどを接触させて接続媒体を加熱する必要がある。そのため、金属支持基板から、接続媒体までは、第１絶縁層、第１配線層の端子部、第２絶縁層、および、第２配線層の端子部が介在しているために、接続媒体に効率良く伝熱することができないという不具合がある。

一方で、第１配線層の端子部の下の第１絶縁層、および、金属支持基板を開口して、第１配線層の端子部にボンディングツールを接触させて、第１配線層の端子部、および、第２配線層の端子のみを介して、接続媒体まで伝熱することが検討される。しかし、金属支持基板、および、第１絶縁層が開口されていると、外部端子の接合時に、第２配線層の端子部、および、第１配線層の端子部の強度が不足するおそれがある。

そこで、本発明の目的は、第２端子部に対して外部基板を確実に接合することができながら、第２端子部、および、第１端子部を補強することのできる配線回路基板を提供することにある。

本発明の配線回路基板は、第１開口部を備える第１絶縁層と、第１絶縁層の厚み方向一方側に形成され、配線、および、配線と接続されるとともに第１開口部に充填される第１充填部を有する第１端子部を備える第１導体層と、第１絶縁層の厚み方向一方側に、配線を被覆するように形成され、厚み方向に投影したときに、第１端子部と重なる第２開口部を備える第２絶縁層と、第２絶縁層の厚み方向一方側に形成され、第１端子部と接続されるように、第２開口部に充填される第２充填部を有する第２端子部を備える第２導体層と、第１絶縁層の厚み方向他方側に形成され、第１開口部に充填される第１充填部と接続される支持部を備える金属支持層とを備えていることを特徴としている。

このような配線回路基板では、第２端子部は、第２開口部を介して第１端子部と接続され、第１端子部は、第１開口部を介して支持部と接続されているので、外部基板と第２端子部とを、それらの間に接続媒体などを配置して加熱・接合するときに、支持部を加熱することによって、接続媒体まで、確実に伝熱することができる。

そのため、外部基板と第２端子部とを確実に接合することができる。

しかも、第１端子部、および、第２端子部の厚み方向他方側に支持部が形成されていることにより、第１端子部、および、第２端子部を補強することができる。

また、本発明の配線回路基板では、支持部、第１端子部、および、第２端子部は、厚み方向に投影したときに、それらの外形が一致していることが好適である。

このような配線回路基板によれば、第２端子部に対する外部基板の接合時に、支持部によって、均一に、第１端子部と第２端子部とを介しての、第２端子部と外部基板との間の接続媒体までの伝熱、および、第１端子部と第２端子部との補強をすることができる。

また、本発明の配線回路基板では、支持部は、互いに間隔を隔てて複数備えられ、第１開口部、第１端子部、第２開口部、および、第２端子部は、それぞれ、複数の支持部に対応して、複数備えられていることが好適である。

このような配線回路基板によれば、支持部が複数備えられていても、それぞれが互いに間隔を隔てて配置されているので、支持部同士を短絡させることなく配置することができる。

そして、複数の支持部のそれぞれによって、複数の第１端子部のそれぞれ、および、複数の第２端子部のそれぞれを介して、第２端子部と外部基板との間の接続媒体まで効率よく伝熱することができながら、複数の第１端子部のそれぞれ、および、複数の第２端子部のそれぞれを補強することができる。

本発明の配線回路基板によれば、第２端子部に対して外部基板を確実に接合することができながら、第２端子部、および、第１端子部を補強することができる。

図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板の平面図を示す。 図２は、図１に示す回路付サスペンション基板の底面図を示す。 図３Ａは、図１に示す外部接続部のＡ−Ａ線に沿う断面図を示す。図３Ｂは、図１に示す外部接続部のＢ−Ｂ線に沿う断面図を示す。 図４Ａおよび図４Ｂは、回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための工程図であって、図４Ａは、金属支持基板を用意する工程、図４Ｂは、ベース絶縁層を用意する工程を示す。 図５Ｃおよび図５Ｄは、図４Ｂに引き続き、回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための工程図であって、図５Ｃは、下側導体層を形成する工程、図５Ｄは、中間絶縁層を形成する工程を示す。 図６Ｅおよび図６Ｆは、図５Ｄに引き続き、回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための工程図であって、図６Ｅは、上側導体層を形成する工程、図６Ｆは、カバー絶縁層を形成し、金属支持基板を加工する工程を示す。

１．回路付サスペンション基板の概略
図１において、紙面左右方向は、先後方向（第１方向）であって、紙面左側が先側（第１方向一方側）、紙面右側が後側（第１方向他方側）である。また、紙面上下方向は、左右方向（幅方向、第２方向）であって、紙面上側が左側（幅方向一方側、第２方向一方側）、紙面下側が右側（幅方向他方側、第２方向他方側）である。また、紙面紙厚方向は、上下方向（厚み方向、第３方向）であって、紙面手前側が上側（厚み方向一方側、第３方向一方側）、紙面奥側が下側（厚み方向他方側、第３方向他方側）である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。

なお、図１および図２においては、中間絶縁層１１、および、カバー絶縁層１３を省略している。

配線回路基板の一例としての回路付サスペンション基板１は、図１および図２に示すように、磁気ヘッド３を搭載するスライダ４、および、発光素子５を搭載するスライダユニット６を実装して、ハードディスクドライブ（図示せず）に搭載される。

回路付サスペンション基板１は、図１に示すように、先後方向に延びる平帯形状に形成されている。回路付サスペンション基板１では、図３Ａに示すように、金属支持層の一例としての金属支持基板８、金属支持基板８の上に形成される第１絶縁層の一例としてのベース絶縁層９、ベース絶縁層９の上に形成される第１導体層の一例としての下側導体層１０、ベース絶縁層９の上に、下側導体層１０を被覆するように形成される第２絶縁層の一例としての中間絶縁層１１、中間絶縁層１１の上に形成される第２導体層の一例としての上側導体層１２、中間絶縁層１１の上に、上側導体層１２を被覆するように形成されるカバー絶縁層１３を備えている。

なお、回路付サスペンション基板１は、図１に示すように、先後方向に延びる平面視略矩形の平帯形状に形成されており、先後方向に沿って延び、スライダユニット６が実装される配線部１５と、配線部１５の後側に設けられ、リード・ライト基板７に電気的に接続される外部接続部１６とを備えている。

２．回路付サスペンション基板における配線部の構成
金属支持基板８は、配線部１５において、図２に示すように、本体部１９と、本体部１９の先側に設けられるジンバル部２０とを一体的に備えている。

本体部１９は、先後方向に延びる平面視略矩形状に形成されている。

ジンバル部２０は、本体部１９の先端縁から先側に連続して設けられており、本体部１９に対して幅方向両外側に膨出する平面視略矩形状に形成されている。ジンバル部２０の中央部には、金属支持基板８を厚み方向に貫通し、先側に向かって開放される平面視略Ｕ字形状のスリット２２が設けられている。

また、ジンバル部２０は、アウトリガー部２３と、折返部２４と、タング部２５とを備えている。

アウトリガー部２３は、スリット２２の幅方向両外側に配置され、本体部１９の幅方向両端部から幅方向外側に屈曲した後、先側に向かって延びる平面視略矩形状に１対として形成されている。

折返部２４は、アウトリガー部２３の先端部間に架設されている。折返部２４は、幅方向に延びる平面視略矩形状に形成されている。

タング部２５は、スリット２２の幅方向内側に配置され、折返部２４から後方に向かって平面視略矩形舌状に延びている。タング部２５の先側部分には、金属支持基板８を厚み方向に貫通する発光素子挿通開口２６が設けられている。

発光素子挿通開口２６は、幅方向に延びる平面視略矩形状に形成されている。

ベース絶縁層９は、配線部１５において、図１に示すように、金属支持基板８の本体部１９、および、ジンバル部２０に対応する配線部ベース絶縁層２９を備えている。

配線部ベース絶縁層２９は、金属支持基板８の本体部１９、および、ジンバル部２０の上面において、下側導体層１０（先側発光素子端子３３を除く）が形成されるパターンに対応するように形成されている。

下側導体層１０は、配線部１５において、先側発光素子端子３３と、配線の一例としての下側発光素子配線３４と、下側接続端子３５（図２および図３Ａ参照）とを備えている。

先側発光素子端子３３は、ジンバル部２０の中央部に、幅方向に間隔を隔てて複数（４つ）配置されている。詳しくは、発光素子挿通開口２６内の先側部分に配置されている。先側発光素子端子３３は、平面視略矩形状に形成されている。

先側発光素子端子３３の幅および長さ（先後方向長さ）は、例えば、１５μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、８００μｍ以下である。

また、先側発光素子端子３３間の間隔は、例えば、１５μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、８００μｍ以下である。

下側発光素子配線３４は、配線部ベース絶縁層２９の上面に幅方向に互いに間隔を隔てて複数（４つ）配置されている。下側発光素子配線３４は、先側発光素子端子３３と、後述する後側発光素子端子５２Ａとに電気的に接続されている。具体的には、下側発光素子配線３４は、配線部１５においては、配線部ベース絶縁層２９の後端部から先側に延び、アウトリガー部２３において、幅方向両側に向かって２束に分岐状に屈曲した後、幅方向両端部において先側に屈曲し、アウトリガー部２３を通過するように先側に延び、折返部２４において、幅方向内側に屈曲して集束状に至り、折り返されて、先側発光素子端子３３の先端に至るように形成されている。

下側発光素子配線３４の幅（幅方向長さ）は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上であり、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。

また、下側発光素子配線３４間の間隔は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上であり、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。

下側接続端子３５は、図２および図３Ａに示すように、配線部ベース絶縁層２９の後端部の上面に、幅方向に互いに間隔を隔てて複数（６つ）配置されている。下側接続端子３５は、後述する後側ヘッド端子５２Ｂに対して、後述する下側ヘッド配線５４を介して電気的に接続されるように構成されている。

中間絶縁層１１は、図１および図３Ａが参照されるように、配線部１５において、配線部中間絶縁層３８を備えている。

配線部中間絶縁層３８は、先側発光素子端子３３、下側発光素子配線３４、および、下側接続端子３５の周縁を被覆するとともに、配線部ベース絶縁層２９の上面において、上側導体層１２が形成されるパターンに対応するように形成されている。なお、配線部中間絶縁層３８は、厚み方向に投影したときに、発光素子挿通開口２６の先端縁よりも後側まで延びるように形成されている。これにより、下側導体層１０の先側発光素子端子３３は、下側が露出され、上側が配線部中間絶縁層３８によって被覆されている。

また、配線部中間絶縁層３８は、連通穴４０を備えている。

連通穴４０は、配線部中間絶縁層３８の後端部において、下側接続端子３５と対応するように、幅方向に互いに間隔を隔てて複数（６つ）配置されている。連通穴４０は、配線部中間絶縁層３８を厚み方向に貫通するように形成されている。

これにより、連通穴４０から、下側接続端子３５の上面が一部露出されている。

連通穴４０の幅および長さ（先後方向長さ）は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、９０μｍ以下である。

また、連通穴４０間の間隔は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上であり、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。

上側導体層１２は、配線部１５において、図１に示すように、先側ヘッド端子４３と、上側接続端子４４と、上側ヘッド配線４５とを備えている。

先側ヘッド端子４３は、厚み方向に投影したときに、発光素子挿通開口２６よりも先側における配線部中間絶縁層３８の上面に、幅方向に間隔を隔てて複数（６つ）配置されている。先側ヘッド端子４３は、先側発光素子端子３３よりも先側に配置されている。先側ヘッド端子４３は、平面視略矩形状に形成されている。

先側ヘッド端子４３の幅および長さ（先後方向長さ）は、例えば、１５μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、８００μｍ以下である。

また、先側ヘッド端子４３間の間隔は、例えば、１５μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、８００μｍ以下である。

上側接続端子４４は、配線部中間絶縁層３８の後端部において、幅方向に互いに間隔を隔てて複数（６つ）配置されている。導体側接続端子３３は、図３Ａに示すように、配線部中間絶縁層３８の複数の連通穴４０のそれぞれに充填されるように形成されており、これにより、上側接続端子４４の下端部が、対応する下側導体層１０の下側接続端子３５の上面と接触している。

上側接続端子４４の幅および長さ（先後方向長さ）は、例えば、１５μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、８００μｍ以下である。

また、上側接続端子４４間の間隔は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上であり、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。

上側ヘッド配線４５は、図１に示すように、幅方向に互いに間隔を隔てて複数（６つ）配置されている。上側ヘッド配線４５は、先側ヘッド端子４３と、上側接続端子４４とに電気的に接続されている。具体的には、上側ヘッド配線４５は、下側導体層１０の下側発光素子配線３４に沿っており、上側接続端子４４から先側に延び、アウトリガー部２３において、幅方向両側に向かって分岐状に屈曲した後、幅方向両端部において先側に屈曲し、アウトリガー部２３を通過するように先側に延び、折返部２４において、幅方向内側に屈曲して集束状に至り折り返されて、先側ヘッド端子４３の先端に至るように形成されている。

上側ヘッド配線４５の幅（幅方向長さ）は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上であり、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。

また、上側ヘッド配線４５間の間隔は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上であり、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。

カバー絶縁層１３は、図１が参照されるように、本体部１９およびジンバル部２０にわたって、中間絶縁層１１の配線部中間絶縁層３８の上面に、上側導体層１２を被覆するパターンに形成されている。

具体的には、カバー絶縁層１３は、上側接続端子４４の上面、および、上側ヘッド配線４５を被覆し、先側ヘッド端子４３の上面を露出するパターンに形成されている。

そして、この回路付サスペンション基板１には、配線部１５において、図１および図２に仮想線で示すように、スライダユニット６が搭載される。

スライダユニット６は、スライダ４と、発光素子５とを備えている。

スライダ４は、図１に示すように、平面視略矩形箱形状に形成されている。スライダ４は、磁気ヘッド３を搭載している。

磁気ヘッド３は、スライダ４の先端部の上側部分に形成されており、図示しない磁気ディスクに対して、読み取りおよび書き込みできるように設けられている。

発光素子５は、図２に示すように、スライダ４よりも外形の小さい平面視略矩形状に形成されている。発光素子５は、例えば、レーザダイオードを備えた熱アシスト装置であり、レーザービームによって、図示しない磁気ディスクの記録面を加熱することができるように設けられている。発光素子５は、スライダ４の先端部における下面に設けられている。

そして、スライダユニット６は、発光素子５が発光素子挿通開口２６に挿通されるように、回路付サスペンション基板１に対して上側から実装される。

その後、スライダユニット６では、回路付サスペンション基板１に対して、スライダ４の端子が図示しないはんだボールなどにより上側導体層１２の先側ヘッド端子４３と電気的に接続され、発光素子５の端子が図示しないはんだボールなどにより下側導体層１０の先側発光素子端子３３と電気的に接続される。

３．回路付サスペンション基板における外部接続部の構成
ベース絶縁層９は、外部接続部１６において、図１および図２に示すように、後側ベース絶縁層４８を備えている。

後側ベース絶縁層４８は、配線部ベース絶縁層２９の後端縁から後側に連続して設けられており、先後方向に延びる平面視略矩形に形成されている。後側ベース絶縁層４８は、金属支持基板８の本体部１９の後端部よりも後側まで延びている。後側ベース絶縁層４８は、第１開口部４９を備えている。

第１開口部４９は、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、後側ベース絶縁層４８を厚み方向に貫通するように形成されている。第１開口部４９は、図１および図２に示すように、千鳥状に互いに間隔を隔てて、複数（１０個）形成されている。

具体的には、複数（１０個）の第１開口部４９の内の４つは、後側ベース絶縁層４８の幅方向中央において、先後方向に互いに間隔を隔てて配置されている。

また、複数（１０個）の第１開口部４９の内の３つは、後側ベース絶縁層４８の左側に配置されており、それぞれ、先後方向において、後側ベース絶縁層４８の幅方向中央に配置される４つの第１開口部４９の間となるように、互いに間隔を隔てて配置されている。

また、複数（１０個）の第１開口部４９の内の残りの３つは、後側ベース絶縁層４８の右側に配置されており、それぞれ、先後方向において、後側ベース絶縁層４８の幅方向中央に配置される第１開口部４９の間となるように、互いに間隔を隔てて配置されている。なお、後側ベース絶縁層４８の右側に配置される３つの第１開口部４９のそれぞれは、後側ベース絶縁層４８の左側に配置される３つの第１開口部４９のそれぞれと、幅方向に投影したときに、重なっている。

第１開口部４９の幅および長さ（先後方向長さ）は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１５０μｍ以下である。

また、第１開口部４９間の間隔は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、例えば、７００μｍ以下、好ましくは、６００μｍ以下である。

下側導体層１０は、外部接続部１６において、図１および図３Ａに示すように、第１端子部の一例としての後側端子部５２と、下側ヘッド配線５４とを備えている。

後側端子部５２は、後側ベース絶縁層４８の第１開口部４９を上側から覆うように配置されている。つまり、後側端子部５２は、第１開口部４９に対応して、千鳥状に互いに間隔を隔てて、複数（１０個）形成されている。後側端子部５２は、平面視略矩形状に形成されている。後側端子部５２は、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、第１充填部５５を備えている。

第１充填部５５は、第１開口部４９内に落ち込み、充填されるように形成されている。

また、後側端子部５２は、後側発光素子端子５２Ａと、後側ヘッド端子５２Ｂとに区別される。

後側発光素子端子５２Ａは、図１に示すように、後側端子部５２の複数（１０個）の内の４つであり、先側発光素子端子３３と電気的に接続される端子である。具体的には、４つの後側発光素子端子５２Ａは、後側ベース絶縁層４８の幅方向中央に配置される最先端の第１開口部４９、先側から２番目の第１開口部４９、最後端の第１開口部４９、および、後側ベース絶縁層４８の右側に配置される最後端の第１開口部４９に対応している。

後側ヘッド端子５２Ｂは、後側端子部５２の複数（１０個）の内の６つであり、下側接続端子３５と電気的に接続される端子である。具体的には、後側ヘッド端子５２Ｂは、後側端子部５２の複数（１０個）の内、後側発光素子端子５２Ａ以外の６つであり、後側ベース絶縁層４８の幅方向中央に配置される後側から２番目の第１開口部４９、後側ベース絶縁層４８の左側に配置される３つの第１開口部４９、後側ベース絶縁層４８の右側に配置される最先端の第１開口部４９、先後方向中央の第１開口部４９に対応している。

そして、配線部１５から外部接続部１６まで延びる下側導体層１０の下側発光素子配線３４が、後側発光素子端子５２Ａに電気的に接続されている。

後側端子部５２の幅および長さ（先後方向長さ）は、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、１５０μｍ以上であり、例えば、６００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。

また、後側端子部５２間の間隔は、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、１５０μｍ以上であり、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、９００μｍ以下である。

下側ヘッド配線５４は、幅方向に間隔を隔てて複数（６つ）配置されている。後側ヘッド端子５２Ｂと、上記した下側接続端子３５とに電気的に接続されている。具体的には、後側ヘッド端子５２Ｂから先側に延び、下側接続端子３５に至るように形成されている。

下側ヘッド配線５４の幅（幅方向長さ）は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上であり、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。

また、下側ヘッド配線５４間の間隔は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、８μｍ以上であり、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下である。

中間絶縁層１１は、外部接続部１６において、図１および図３Ａが参照されるように、後側中間絶縁層５８を備えている。

後側中間絶縁層５８は、下側ヘッド配線５４、および、下側発光素子配線３４の周縁を被覆するように、ベース絶縁層９の後側ベース絶縁層４８の上面に形成されている。後側中間絶縁層５８は、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、第２開口部５９を備えている。

第２開口部５９は、後側中間絶縁層５８を厚み方向に貫通するように形成されている。第２開口部５９は、厚み方向に投影したときに、第１開口部４９と重なるように千鳥状に互いに間隔を隔てて、複数（１０個）形成されている。

これにより、第２開口部５９から、後側端子部５２の上面が一部露出されている。

平面視において、第２開口部５９の面積は、第１開口部４９の面積に対して、例えば、１０％以上、好ましくは、２０％以上であり、例えば、３００％以下、好ましくは、２５０％以下である。

第２開口部５９の幅および長さ（先後方向長さ）は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１５０μｍ以下である。

また、第２開口部５９間の間隔は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、例えば、７００μｍ以下、好ましくは、６００μｍ以下である。

上側導体層１２は、外部接続部１６において、図１に示すように、第２端子部の一例としてのパッド部６２を備えている。

パッド部６２は、後側中間絶縁層５８の第２開口部５９を上側から覆うように配置されている。つまり、パッド部６２は、第２開口部５９に対応して、千鳥状に互いに間隔を隔てて、複数（１０個）形成されている。パッド部６２は、平面視略矩形状に形成されている。パッド部６２は、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、第２充填部６３を備えている。

第２充填部６３は、第２開口部５９内に落ち込み、充填されるように形成されている。これにより、第２充填部６３の下端部は、後側端子部５２の上面と接触している。

第２充填部６３の幅および長さ（先後方向長さ）は、例えば、３μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、例えば、１８０μｍ以下、好ましくは、１３０μｍ以下である。

また、第２充填部６３間の間隔は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、例えば、７００μｍ以下、好ましくは、６００μｍ以下である。

金属支持基板８は、外部接続部１６において、図２に示すように、支持部６６を備えている。

支持部６６は、第１開口部４９に充填される第１充填部５５を下側から覆うように配置され、第１充填部５５の下端部と接触している。つまり、支持部６６は、後側端子部５２を介して、パッド部６２と電気的に接続されている。

つまり、支持部６６は、第１開口部４９に対応して、千鳥状に互いに間隔を隔てて、複数（１０個）形成されている。支持部６６は、底面視略矩形状に形成されている。なお、複数の支持部６６のそれぞれは、電気的に独立している。

支持部６６の幅および長さ（先後方向長さ）は、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、１５０μｍ以上であり、例えば、６００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。

また、支持部６６間の間隔は、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、１５０μｍ以上であり、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、９００μｍ以下である。

なお、図２および図３Ａに示すように、すべての支持部６６のそれぞれは、厚み方向に投影したときに、すべてのパッド部６２のそれぞれと外形が一致するように形成されている。

また、図１および図２に示すように、後側端子部５２の複数（１０個）の内の７つが、厚み方向に投影したときに、支持部６６、および、パッド部６２と外形が一致するように形成されており、後側端子部５２の複数（１０個）の内の３つが、厚み方向に投影したときに、支持部６６、および、パッド部６２よりも小さくなるように形成されている。

具体的には、後側ベース絶縁層４８の幅方向中央における最先端の後側端子部５２、先側から２番目の後側端子部５２、先側から３番目の後側端子部５２、先側から４番目（最後端）の後側端子部５２、後側ベース絶縁層４８の左側における先側から３番目（最後端）の後側端子部５２、後側ベース絶縁層４８の右側における先側から２番目（先後方向中央）の後側端子部５２、先側から３番目（最後端）の後側端子部５２の７つの後側端子部５２が、厚み方向に投影したときに、支持部６６、および、パッド部６２と外形が一致している。

また、後側ベース絶縁層４８の幅方向左側における最先端の後側端子部５２は、厚み方向に投影したときに、支持部６６、および、パッド部６２の右側略１／３と重なるように形成されており、その左側では、パッド部６２、および、支持部６６に挟まれるようにして、２つの下側ヘッド配線５４が通過している。

また、後側ベース絶縁層４８の幅方向左側における先側から２番目（先後方向中央）の後側端子部５２は、厚み方向に投影したときに、支持部６６、および、パッド部６２の右側略２／３と重なるように形成されており、その左側では、パッド部６２、および、支持部６６に挟まれるようにして、１つの下側ヘッド配線５４が通過している。

また、後側ベース絶縁層４８の幅方向右側における最先端の後側端子部５２は、厚み方向に投影したときに、支持部６６、および、パッド部６２の左側略１／３と重なるように形成されており、その右側では、パッド部６２、および、支持部６６に挟まれるようにして、１つの下側ヘッド配線５４が通過している。

そして、この回路付サスペンション基板１には、外部接続部１６において、図３Ａおよび図３Ｂに仮想線で示すように、リード・ライト基板７が接合される。

リード・ライト基板７は、スライダユニット６で読み取った情報が伝達され、また、スライダユニット６に対して情報を伝達するように設けられている。リード・ライト基板７は、平面視略矩形状に形成されている。

リード・ライト基板７は、外部接続部１６におけるパッド部６２に対して、異方性導電フィルム６９、および、ボンディングツール７０を用いて接合される。

異方性導電フィルム６９は、熱硬化性樹脂に導電性を有する微細な金属粒子が配合・分散されたフィルムから形成されている。異方性導電フィルム６９の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。

ボンディングツール７０は、公知のボンディングツールからなり、異方性導電フィルム６９を加熱可能に構成されている。

そして、異方性導電フィルム６９を、パッド部６２と、リード・ライト基板７との間に配置し、支持部６６に対して下側からボンディングツール７０を当接させ、後側端子部５２、および、パッド部６２を介して、異方性導電フィルム６９を加熱する。

これにより、パッド部６２と、リード・ライト基板７とが、異方性導電フィルム６９によって接合される。

なお、パッド部６２と、リード・ライト基板７との接合には、異方性導電フィルム６９ではなく、はんだを用いることもできる。

４．回路付サスペンション基板の製造方法
次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法について、図４Ａ〜図６Ｆを参照して説明する。

まず、この方法では、図４Ａに示すように、金属支持基板８を用意する。

金属支持基板８を形成する金属材料としては、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属材料が用いられる。これらのうち、好ましくは、ステンレスが用いられる。

金属支持基板８の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、例えば、３０μｍ以下、好ましくは、２５μｍ以下である。

次いで、この方法では、図４Ｂに示すように、ベース絶縁層９を、金属支持基板８の上面に形成する。

具体的には、ベース絶縁層９を、図１が参照されるように、配線部ベース絶縁層２９、および、後側ベース絶縁層４８に対応するパターンとして、金属支持基板８の上面に形成する。後側ベース絶縁層４８においては、第１開口部４９を備えるパターンとして形成する。

ベース絶縁層９を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂などの絶縁材料が用いられる。これらのうち、好ましくは、ポリイミド樹脂が用いられる。

ベース絶縁層９を形成するには、感光性の絶縁材料のワニスを金属支持基板８の上面に塗布して乾燥させて、ベース皮膜を形成する。

その後、ベース皮膜を、図示しないフォトマスクを介して露光する。フォトマスクは、遮光部分、および、光全透過部分をパターンを備えており、ベース絶縁層９を形成する部分には光全透過部分を、ベース絶縁層９を形成しない部分と、第１開口部４９を形成する部分には遮光部分を、ベース皮膜に対して、対向配置し、露光する。

その後、ベース皮膜を現像し、必要により加熱硬化させることにより、第１開口部４９を備えるベース絶縁層９を、上記したパターンで形成する。

ベース絶縁層９の厚み（最大厚み）は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、例えば、３５μｍ以下、好ましくは、３３μｍ以下である。

次いで、この方法では、図５Ｃに示すように、下側導体層１０をベース絶縁層９の上面に形成する。

下側導体層１０を形成する材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはそれらの合金などの金属材料が用いられる。これらのうち、好ましくは、銅が用いられる。

下側導体層１０を形成するには、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法が用いられる。好ましくは、アディティブ法が用いられる。

つまり、図１が参照されるように、下側導体層１０を、ベース絶縁層９の上面に、先側発光素子端子３３、下側発光素子配線３４、下側接続端子３５（図３Ａ参照）、後側端子部５２、下側ヘッド配線５４を備えるように形成する。なお、後側端子部５２については、第１充填部５５が第１開口部４９内に充填され、落ち込むように形成する。

下側導体層１０の厚みは、例えば、３μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下である。

次いで、この方法では、図５Ｄに示すように、中間絶縁層１１を、ベース絶縁層９の上面に、下側導体層１０を被覆するように形成する。

具体的には、中間絶縁層１１を、配線部中間絶縁層３８、および、後側中間絶縁層５８に対応するパターンとして、ベース絶縁層９の上面に形成する。後側中間絶縁層５８においては、第２開口部５９を備えるパターンとして形成する。

中間絶縁層１１を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂などの絶縁材料が用いられる。これらのうち、好ましくは、ベース絶縁層９と同一の絶縁材料が用いられる。

中間絶縁層１１を形成するには、感光性の絶縁材料のワニスを下側導体層１０を含むベース絶縁層９の上面に塗布して乾燥させて、ベース皮膜を形成する。

その後、ベース皮膜を、図示しないフォトマスクを介して露光する。フォトマスクは、遮光部分、および、光全透過部分をパターンを備えており、中間絶縁層１１を形成する部分には光全透過部分を、ベース絶縁層９を形成しない部分と、第２開口部５９を形成する部分には遮光部分を、ベース皮膜に対して、対向配置し、露光する。

その後、ベース皮膜を現像し、必要により加熱硬化させることにより、第２開口部５９を備える中間絶縁層１１を、上記したパターンで形成する。

中間絶縁層１１の厚み（最大厚み）は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、例えば、３５μｍ以下、好ましくは、３３μｍ以下である。

次いで、この方法では、図６Ｅに示すように、上側導体層１２を中間絶縁層１１の上面に形成する。

上側導体層１２を形成する材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはそれらの合金などの金属材料が用いられる。これらのうち、好ましくは、下側導体層１０と同一の金属材料が用いられる。

上側導体層１２を形成するには、上記と同様のパターンニング法が用いられ、好ましくは、アディティブ法が用いられる。

つまり、上側導体層１２を、図１が参照されるように、中間絶縁層１１の上面に、先側ヘッド端子４３、上側接続端子４４、上側ヘッド配線４５、パッド部６２を備えるように形成する。なお、パッド部６２については、第２充填部６３が第２開口部５９内に充填され、落ち込むように形成する。

上側導体層１２の厚みは、例えば、３μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下である。

次いで、この方法では、図６Ｆに示すように、カバー絶縁層１３を、配線部１５における中間絶縁層１１（配線部中間絶縁層３８）の上面に、上側導体層１２を被覆するように形成する。

カバー絶縁層１３を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂などの絶縁材料が用いられる。これらのうち、好ましくは、ベース絶縁層９、および、中間絶縁層１１と同一の絶縁材料が用いられる。

カバー絶縁層１３を形成するには、感光性の絶縁材料のワニスを塗布して乾燥させて、カバー皮膜を形成した後、カバー皮膜を露光し、続いて、現像して、加熱硬化することにより、上側接続端子４４の上面、および、上側ヘッド配線４５を被覆し、先側ヘッド端子４３の上面を露出するパターンで形成する。

カバー絶縁層１３の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、３μｍ以上であり、例えば、４０μｍ以下、好ましくは、１０μｍ以下である。

次いで、この方法では、図６Ｆに示すように、金属支持基板８を加工する。

金属支持基板８を加工するには、例えば、ドライエッチング（例えば、プラズマエッチング）やウェットエッチング（例えば、化学エッチング）などのエッチング法、例えば、ドリル穿孔、例えば、レーザ加工などの方法が用いられる。好ましくは、エッチング法により加工する。

これにより、金属支持基板８における本体部１９より後側部分が部分的に除去され、複数の支持部６６が互いに独立して形成される。

５．作用効果
この回路付サスペンション基板１によれば、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、パッド部６２は、第２開口部５９を介して後側端子部５２と接続され、後側端子部５２は、第１開口部４９を介して支持部６６と接続されている。

そのため、リード・ライト基板７とパッド部６２とを、それらの間に異方性導電フィルム６９を配置して加熱・接合するときに、支持部６６に対して下側からボンディングツール７０を当接させ、支持部６６を加熱することによって、異方性導電フィルム６９まで、確実に伝熱することができる。

その結果、リード・ライト基板７とパッド部６２とを確実に接合することができる。

しかも、後側端子部５２、および、パッド部６２の下側に支持部６６が形成されていることにより、後側端子部５２、および、パッド部６２を補強することができる。

また、この回路付サスペンション基板１によれば、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、支持部６６、後側端子部５２、および、パッド部６２は、厚み方向に投影したときに、それらの外形が一致している。

そのため、パッド部６２に対するリード・ライト基板７の接合時に、支持部６６によって、均一に、後側端子部５２とパッド部６２とを介しての、パッド部６２と外部基板との間の異方性導電フィルム６９までの伝熱、および、後側端子部５２とパッド部６２との補強をすることができる。

また、この回路付サスペンション基板１によれば、図１および図２に示すように、支持部６６は、互いに間隔を隔てて複数（１０個）備えられ、第１開口部４９、後側端子部５２、第２開口部５９（図３Ａ参照）、および、パッド部６２は、それぞれ、複数の支持部６６に対応して、複数（１０個）備えられている。

そのため、支持部６６が複数備えられていても、それぞれが互いに間隔を隔てて配置されているので、支持部６６同士を短絡させることなく配置することができる。

そして、複数の支持部６６のそれぞれによって、複数の後側端子部５２のそれぞれ、および、複数のパッド部６２のそれぞれを介して、パッド部６２とリード・ライト基板７との間の異方性導電フィルム６９まで効率よく伝熱することができながら、複数の後側端子部５２のそれぞれ、および、複数のパッド部６２のそれぞれを補強することができる。

１ 回路付サスペンション基板
８ 金属支持基板
９ ベース絶縁層
１０ 下側導体層
１１ 中間絶縁層
１２ 上側導体層
３４ 下側発光素子配線
４９ 第１開口部
５２ 後側端子部
５５ 第１充填部
５９ 第２開口部
６２ パッド部
６３ 第２充填部
６６ 支持部

Claims (3)

1. 第１開口部を備える第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層の厚み方向一方側に形成され、配線、および、前記配線と接続されるとともに前記第１開口部に充填される第１充填部を有する第１端子部を備える第１導体層と、
   前記第１絶縁層の前記厚み方向一方側に、前記配線を被覆するように形成され、前記厚み方向に投影したときに、前記第１端子部と重なる第２開口部を備える第２絶縁層と、
   前記第２絶縁層の前記厚み方向一方側に形成され、前記第１端子部と接続されるように、前記第２開口部に充填される第２充填部を有する第２端子部を備える第２導体層と、
   前記第１絶縁層の前記厚み方向他方側に形成され、前記第１開口部に充填される前記第１充填部と接続される支持部を備える金属支持層と
   を備えていることを特徴とする、配線回路基板。
2. 前記支持部、前記第１端子部、および、前記第２端子部は、前記厚み方向に投影したときに、それらの外形が一致していることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
3. 前記支持部は、互いに間隔を隔てて複数備えられ、
   前記第１開口部、前記第１端子部、前記第２開口部、および、前記第２端子部は、それぞれ、前記複数の支持部に対応して、複数備えられている
   ことを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。

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