JP2016100172A - 発光装置及び発光装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】発光装置の端子に導通部材を接続する工程において、端子と導通部材の接続信頼性を確保しつつ、基板が破損しないようにする。【解決手段】発光部に接続する第１端子１１２は、第１層１１２ａ及び第２層１１２ｂを有している。第１層１１２ａは基板１００上に形成されており、第２層１１２ｂは第１層１１２ａより上に位置している。そして第２層１１２ｂは第１層１１２ａよりも柔らかい。第２層１１２ｂは第１端子１１２の表層に位置しており、また、第１層１１２ａのすぐ上に位置している。【選択図】図２

Description

本発明は、発光装置及び発光装置の製造方法に関する。

近年は、発光素子として有機ＥＬ（Organic Electroluminescence）素子を有する発光装置の開発が進んでいる。このような発光装置において、有機ＥＬ素子は基板に形成されている。この基板には、有機ＥＬ素子に接続する端子が設けられている。この端子には、ＦＰＣ（Flexible Printed circuit）、リード端子、又はボンディングワイヤなどの導通部材が接続されている。端子がＦＰＣに接続する場合、端子とＦＰＣは異方性導電性膜を介して互いに接続する場合が多い。

なお、特許文献１には、液晶表示装置の端子に、異方性導電膜を用いてＦＰＣを接続することが記載されている。特許文献１において、液晶表示装置の端子は、ＩＴＯによって形成されている。そしてこの端子の上には、保護膜が形成されている。この保護膜は、レジストに、ＩＴＯなどの導電性物質からなる透明な粒子を混ぜたものである。

特開平１１−２９５７４７号公報

薄い発光装置の要求が高まるにつれて、薄い基板や可撓性のある樹脂基板が採用されている。このような基板を利用した端子に導通部材を接続する工程において、端子には導通部材が押し付けられる。この押付力が大きいと、薄い基板は基板が破損する可能性があり、又可撓性のある樹脂基板は基板上の端子などが破損する可能性が出てくる。しかし、この押付力が小さいと、端子と導通部材の接続信頼性が低下する可能性が出てくる。

本発明が解決しようとする課題としては、発光装置の端子に導通部材を接続する工程において、端子と導通部材の接続信頼性を確保しつつ、基板が破損しないようにすることが一例として挙げられる。

請求項１に記載の発明は、基板と、
前記基板の上側に形成された端子と、
前記端子と電気的に接続する発光部と、
を備え、
前記端子は、
第１層と、
前記第１層よりも上側に位置し、前記第１層よりも柔らかい第２層と、
を備える発光装置である。

請求項９に記載の発明は、基板に端子を形成する工程と、
前記基板に、前記端子に接続する発光部を形成する工程と、
を備え、
前記端子を形成する工程は、
スパッタリングにより第１層を形成する工程と、
前記スパッタリングの入力電力を下げることにより、前記第１層より柔らかい第２層を前記第１層の上に形成する工程と、
を含む発光装置の製造方法である。

実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。 図１の点線αで囲んだ領域を拡大した図である。 発光装置の製造方法を示すための断面図である。 実施例１に係る発光装置の平面図である。 図４から隔壁、第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。 図４のＡ−Ａ断面図である。 図４のＢ−Ｂ断面図である。 図４のＣ−Ｃ断面図である。 実施例２に係る発光装置の構成を示す平面図である。 図９から第２電極を取り除いた図である。 図１０から有機層を取り除いた図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。図２は、図１の点線αで囲んだ領域を拡大した図である。図１に示すように、実施形態に係る発光装置１０は、基板１００、第１端子１１２、及び発光部１４０を有している。発光部１４０は、例えば照明装置の光源、又は表示装置の画素である。そして図２に示すように、第１端子１１２は、第１層１１２ａ及び第２層１１２ｂを有している。第１層１１２ａは基板１００上に形成されており、第２層１１２ｂは第１層１１２ａより上に位置している。そして第２層１１２ｂは第１層１１２ａよりも柔らかい。柔らかいとは硬度が低いことと、密度が低いことである。図２に示す例において、第２層１１２ｂは第１端子１１２の表層に位置しており、また、第１層１１２ａのすぐ上に位置している。以下、詳細に説明する。

まず、図１を用いて発光装置１０の構成を説明する。

基板１００は、例えばガラスや樹脂などの材料で形成されている。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。基板１００は可撓性を有していてもよい。基板１００が可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。特に基板１００がガラスである場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。厚さが２００μｍ以下になると、後述するフレキシブル配線基板２００（以下、ＦＰＣ２００と記載）を接続する時、ＦＰＣ２００を押し付ける力により基板１００が破損しやすくなり、発光装置１０の歩留りが低下するという課題がある。基板１００が樹脂である場合、基板１００は、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを用いて形成されている。また、基板１００が樹脂である場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも一面（好ましくは両面）に、ＳｉＮ_ｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。

基板１００には、発光部１４０が形成されている。発光部１４０は有機ＥＬ素子を有している。この有機ＥＬ素子は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に積層させた構成を有している。

第１電極１１０は、光透過性を有する透明電極である。透明電極を構成する透明導電材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｕｎｇｓｔｅｎ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよい。

有機層１２０は発光層を有している。有機層１２０は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層を積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層１２０は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層１２０のうち少なくとも一つの層、例えば第１電極１１０と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層１２０の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層１２０のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。

第２電極１３０は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この場合、第２電極１３０は遮光性を有している。第２電極１３０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。ただし、第２電極１３０は、第１電極１１０の材料として例示した材料を用いて形成されていてもよい。第２電極１３０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。

また発光装置１０は、第１端子１１２を有している。第１端子１１２は第１電極１１０に接続している。本図に示す例において、第１端子１１２は、引出配線１１４を介して第１電極１１０に接続している。引出配線１１４は第１電極１１０と一体になっている。また、第１端子１１２の少なくとも一部（例えば第１層１１２ａ）は、第１電極１１０と一体になっている。

第１端子１１２は、異方性導電性樹脂層２２０を介してＦＰＣ２００に接続している。

なお、発光装置１０は、第２電極１３０に接続している第２端子（図示せず）を有している。第２端子の断面構造は、第１端子１１２の断面構造とほぼ同じである。そして第２端子にも、ＦＰＣ２００が接続している。第２端子に接続するＦＰＣ２００は、第１端子１１２に接続するＦＰＣ２００と同じものであってもよいし、このＦＰＣから独立したＦＰＣであってもよい。

また、発光装置１０は、さらに封止部材を有していてもよい。封止部材は、例えばガラス、アルミニウムなどの金属、又は樹脂を用いて形成されており、基板１００と同様の多角形や円形であり、中央に凹部を設けた形状を有している。そして封止部材の縁は接着材で基板１００に固定されている。これにより、封止部材と基板１００で囲まれた空間は封止される。そして発光部１４０は、この封止された空間の中に位置している。なお、封止部材は原子層成長（ＡＬＤ）法で形成された膜又は化学気相成長（ＣＶＤ）法で形成された膜であってもよい。

また、発光装置１０は、さらに乾燥剤を有していてもよい。乾燥剤は、例えば封止部材によって封止された空間内、例えば封止部材のうち基板１００に対向する面に配置されている。

次に図２を用いて、第１端子１１２の構成、及び第１端子１１２とＦＰＣ２００の接続構造について説明する。上記したように、第１端子１１２は、第１層１１２ａ及び第２層１１２ｂを有している。第２層１１２ｂは第１層１１２ａより密度が低く、柔らかい。厚さ方向の断面において、第２層１１２ｂの密度は第１層１１２ａの密度よりも低い。これらの密度の大小は、例えばＸＲＤ（X‐ray diffraction）やＲＢＳ（Rutherford Backscattering Spectrometry）を用いて判断することができる。また、第１層１１２ａ及び第２層１１２ｂの密度は、第１端子１１２の断面写真において空隙の割合を測定しても、判断できる。

上記したように、第１端子１１２は、第１層１１２ａ及び第２層１１２ｂを有している。第２層１１２ｂは第１層１１２ａより硬度が低く、柔らかい。第１層１１２ａ及び第２層１１２ｂの硬度は、マイクロビッカース試験などによって測定されてもよい。

第２層１１２ｂは、第１層１１２ａと同一の材料（例えばＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明導電材料）によって形成することができる。このようにすると、成膜条件を途中で変更することにより、第１層１１２ａと第２層１１２ｂとを同一の成膜装置で連続して形成することができる。

なお、図１に示した第１電極１１０は、第１層１１２ａ又は第２層１１２ｂのどちらか一層のみで形成されていてもよいし、第１層１１２ａと第２層１１２ｂを積層した構成であってもよい。後者の場合、第１電極１１０を第１端子１１２と同一工程で形成することができる。

また、第１端子１１２とＦＰＣ２００は、異方性導電性樹脂層２２０を介して電気的に接続している。異方性導電性樹脂層２２０は、絶縁性の樹脂に複数の導電粒子２２２を混ぜた構成を有している。導電粒子２２２は、例えば金属粒子であるが、樹脂粒子などの絶縁性の粒子の表面に金などの金属膜を成膜したものであってもよい。そして導電粒子２２２が第１端子１１２とＦＰＣ２００の端子２０２に接続することにより、第１端子１１２とＦＰＣ２００が導通する。

ＦＰＣ２００を第１端子１１２に固定する際には、例えば図３に示すように、圧着ツール３００を用いる。例えば圧着ツール３００によりＦＰＣ２００及び異方性導電性樹脂層２２０を加熱しながら、異方性導電性樹脂層２２０を第１端子１１２に押し付ける。

上記したように第２層１１２ｂは第１層１１２ａよりも柔らかいため、第１端子１１２が第１層１１２ａのみで形成されている場合と比較して、ＦＰＣ２００を第１端子１１２に押し付ける力は小さい力で接続信頼性を確保できる。本図に示す例では第２層１１２ｂは第１端子１１２の表層に位置している。このため、導電粒子２２２は第１端子１１２に押し込められやすい。従って、ＦＰＣ２００を第１端子１１２に接続するとき、ＦＰＣ２００を第１端子１１２に押し付ける力を小さくしても、導電粒子２２２を第１端子１１２に押し込めることができる。例えば第１端子１１２が第１層１１２ａのみで形成されている場合と比較して、ＦＰＣ２００を第１端子１１２に押し付ける力を１／２〜２／３にすることができる。従って、ＦＰＣ２００を第１端子１１２に接続する工程において基板１００が破損することを抑制できる。

次に、発光装置１０の製造方法を説明する。まず基板１００に第１電極１１０、第１端子１１２、及び第２端子となる導電膜を、例えばスパッタリング法を用いて形成する。このとき、成膜条件を途中で変更する。例えばスパッタリングの入力電力を途中で下げる。これにより、第１層１１２ａとなる膜及び第２層１１２ｂとなる膜を、この順に連続して製膜することができる。又、第１層１１２ａとなる膜をスパッタリング法で形成した後、別の装置にてスパッタリングの入力電圧を下げた成膜条件で第２層１１２ｂとなる膜を形成しても良い。次いで、この導電膜を、例えばフォトリソグラフィー法を利用して所定のパターンにする。これにより、第１電極１１０、第１端子１１２、及び第２端子が形成される。

次いで、有機層１２０及び第２電極１３０をこの順に形成する。有機層１２０が蒸着法で形成される層を含む場合、この層は、例えばマスクを用いるなどして所定のパターンに形成される。第２電極１３０も、例えばマスクを用いるなどして所定のパターンに形成される。その後、封止部材（図示せず）を用いて発光部１４０を封止する。

以上、本実施形態によれば、第１端子１１２は、第１層１１２ａと第２層１１２ｂとを有している。第２層１１２ｂは第１層１１２ａより上に位置している。第２層１１２ｂは第１層１１２ａよりも柔らかいため、導電粒子２２２は第１端子１１２に押し込められやすい。従って、ＦＰＣ２００を第１端子１１２に接続するとき、ＦＰＣ２００を第１端子１１２に押し付ける力を小さくすることができる。特に基板１００が２００μｍ以下の薄いガラスを有している場合、基板１００は破損しやすい。また、基板１００が可撓性を有する樹脂の場合、基板１００上の第１端子１１２や第２端子１３２は破損しやすい。このため、ＦＰＣ２００を第１端子１１２に押し付ける力を弱くすることにより、発光装置１０の歩留まりは大きく向上する。

（実施例１）
図４は、実施例１に係る発光装置１０の平面図である。図５は、図４から隔壁１７０、第２電極１３０、有機層１２０、及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図６は図４のＡ−Ａ断面図であり、図７は図４のＢ−Ｂ断面図であり、図８は図４のＣ−Ｃ断面図である。

本実施例に係る発光装置１０は表示装置であり、基板１００、第１電極１１０、複数の第１端子１１２、複数の第２端子１３２、発光部１４０、絶縁層１５０、複数の開口１５２、複数の開口１５４、複数の引出配線１１４、有機層１２０、第２電極１３０、複数の引出配線１３４、及び複数の隔壁１７０を有している。

本実施例において、第１電極１１０の層構造、第１端子１１２の層構造、及び引出配線１１４の層構造は、実施形態と同様である。また、第２端子１３２の層構造は第１端子１１２の層構造と同様であり、引出配線１３４の層構造は第２端子１３２の層構造と同様である。

また、第１電極１１０は、第１方向（図４におけるＹ方向）にライン状に延在している。そして第１電極１１０の端部は、引出配線１１４に接続している。

引出配線１１４の上には、導体層１６２が形成されてもよい。導体層１６２は、引出配線１１４よりも低抵抗な材料、例えば金属によって形成されている。導体層１６２は多層構造を有していてもよい。この場合、導体層１６２は、例えば、Ｍｏ又はＭｏ合金などの金属層である第１導電層、Ａｌ又はＡｌ合金などの金属層である第２導電層、及び、Ｍｏ又はＭｏ合金などの金属層である第３導電層をこの順に積層した構成を有している。第２導電層の厚さは、例えば５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。好ましくは１００ｎｍ以下である。また第１導電層及び第３導電層は、第２導電層よりも薄く、例えば３０ｎｍ以下、好ましくは２５ｎｍ以下である。なお、導体層１６２は第１端子１１２を覆っていない。

絶縁層１５０は、例えばポリイミドなどの感光性の樹脂材料によって形成されており、図４、及び図６〜図８に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１５０には、複数の開口１５２及び複数の開口１５４が形成されている。複数の第２電極１３０は、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図４におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。そして、複数の第２電極１３０の間には、詳細を後述する隔壁１７０が延在している。開口１５２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１３０の交点に位置している。具体的には、複数の開口１５２は、第１電極１１０が延在する方向（図４におけるＹ方向）に並んでいる。また、複数の開口１５２は、第２電極１３０の延在方向（図４におけるＸ方向）にも並んでいる。このため、複数の開口１５２はマトリクスを構成するように配置されていることになる。

開口１５４は、平面視で複数の第２電極１３０のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口１５４は、開口１５２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図４におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１５４は、所定の間隔で配置されている。開口１５４からは、引出配線１３４の一部分が露出している。そして、引出配線１３４は、開口１５４を介して第２電極１３０に接続している。

引出配線１３４は、第２電極１３０を第２端子１３２に接続する配線であり、第１電極１１０と同一の材料からなる層を有している。引出配線１３４の一端側は開口１５４の下に位置しており、引出配線１３４の他端側は、絶縁層１５０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、引出配線１３４の他端側は第２端子１３２となっている。そして引出配線１３４の上には、導体層１６２が形成されてもよい。導体層１６２は第２端子１３２を覆っていない。

開口１５２と重なる領域には、有機層１２０が形成されている。有機層１２０の正孔輸送層は第１電極１１０に接しており、有機層１２０の電子輸送層は第２電極１３０に接している。このため、発光部１４０は、開口１５２と重なる領域それぞれに位置していることになる。

なお、図６及び図７に示す例では、有機層１２０を構成する各層は、いずれも開口１５２の外側まではみ出している場合を示している。そして図４に示すように、有機層１２０は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１５２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図８に示すように、有機層１２０は、開口１５４には形成されていない。

第２電極１３０は、図４、図６〜図８に示すように、第１方向と交わる第２方向（図４におけるＸ方向）に延在している。そして隣り合う第２電極１３０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１３０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１５０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。

隔壁１７０は、断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１３０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第２電極１３０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１３０を一括で形成することができる。また、隔壁１７０は、有機層１２０を分断する機能も有している。

また、第１端子１１２及び第２端子１３２には、ＦＰＣ２００が接続している。本図に示す例では、第１端子１１２及び第２端子１３２は基板１００の同一の辺に沿って配置されている。このため、第１端子１１２及び第２端子１３２を、一つのＦＰＣ２００に接続することができる。

次に、本実施例における発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０、第１端子１１２、第２端子１３２、及び引出配線１１４，１３４を形成する。これらの形成方法は、実施形態において第１電極１１０及び第１端子１１２を形成する方法と同様である。

次いで、引出配線１１４上及び引出配線１３４上を含む領域に、導体層１６２となる導電膜を形成する。次いで、この導電膜を、例えばフォトリソグラフィー法を利用して所定のパターンにする。これにより、導体層１６２が形成される。

次いで、第１電極１１０上に、絶縁層１５０となる絶縁膜を、例えば塗布法を用いて形成する。次いで、この絶縁膜を露光及び現像する。これにより、絶縁層１５０が形成される。この工程において、開口１５２，１５４も形成される。

次いで、隔壁１７０を形成する。隔壁１７０の形成方法も、絶縁層１５０の形成方法と同様である。さらに有機層１２０及び第２電極１３０を形成する。これらの形成方法は、実施形態と同様である。

本実施例において、第１端子１１２及び第２端子１３２は、実施形態における第１端子１１２と同様の構成を有している。このため、実施形態と同様に、ＦＰＣ２００を第１端子１１２及び第２端子１３２に押し付ける力は第２層１１２ｂで吸収される。従って、ＦＰＣ２００を第１端子１１２に接続する工程において基板１００が破損することを抑制できる。また、第２層１１２ｂは第１端子１１２の表層に位置しているため、実施形態と同様に、ＦＰＣ２００を第１端子１１２に押し付ける力を小さくすることができる。

（実施例２）
図９は、実施例２に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図１０は、図９から第２電極１３０を取り除いた図である。図１１は、図１０から有機層１２０を取り除いた図である。本図に示す発光装置１０は照明装置である。このため、発光部１４０は基板１００の縁を除いた領域に形成されている。

詳細には、第１電極１１０は基板１００のほぼ全面に形成されている。絶縁層１５０は第１電極１１０の縁を覆っている。絶縁層１５０は、第１電極１１０の縁において第１電極１１０と第２電極１３０が短絡することを防止している。また、有機層１２０は、第１電極１１０のうち絶縁層１５０で囲まれた領域の中に形成されている。言い換えると、絶縁層１５０は発光部１４０を画定している。

第１電極１１０の上には複数の補助電極１６０が形成されている。補助電極１６０は、実施例１における導体層１６２と同様の層構造を有しており、第１の方向（図９における上下方向）に延在している。補助電極１６０を設けることにより、第１電極１１０の見かけ上の抵抗を下げることができる。

本実施例において、第１端子１１２及び第２端子１３２の層構造は、実施例１と同様であり、少なくとも第１層１１２ａが第１電極１１０と一体になっている。第１電極１１０が第１層１１２ａ及び第２層１１２ｂの積層構造を有している場合、第１端子１１２の全体が第１電極１１０と一体になっている。

本実施例において、第１端子１１２及び第２端子１３２は、実施形態における第１端子１１２と同様の構成を有している。このため、実施形態と同様に、ＦＰＣ２００を第１端子１１２及び第２端子１３２に押し付ける力は第２層１１２ｂが柔らかいため小さい力で良い。従って、ＦＰＣ２００を第１端子１１２に接続する工程において基板１００が破損することを抑制できる。

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

１０ 発光装置
１００ 基板
１１０ 第１電極
１１２ 第１端子
１１２ａ 第１層
１１２ｂ 第２層
１１４ 引出配線
１２０ 有機層
１３０ 第２電極
１３２ 第２端子
１４０ 発光部
１６２ 導体層

Claims (9)

1. 基板と、
   前記基板の上側に形成された端子と、
   前記端子と電気的に接続する発光部と、
   を備え、
   前記端子は、
   第１層と、
   前記第１層よりも上側に位置し、前記第１層よりも柔らかい第２層と、
   を備える発光装置。
2. 請求項１に記載の発光装置において、
   前記第２層は前記端子の表層に位置している発光装置。
3. 請求項１又は２に記載の発光装置において、
   前記第２層の密度は前記第１層の密度よりも低い発光装置。
4. 請求項３に記載の発光装置において、前記第２層は前記第１層と同じ材料によって形成されている発光装置。
5. 請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記基板は透光性を有しており、
   前記端子は透明導電材料を用いて形成されている発光装置。
6. 請求項５に記載の発光装置において、
   前記透明導電材料はＩＴＯ又はＩＺＯである発光装置。
7. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記基板は可撓性のある樹脂を有している発光装置。
8. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光装置において、
   前記基板は厚み２００μｍ以下のガラスを有している発光装置。
9. 基板に端子を形成する工程と、
   前記基板に、前記端子に接続する発光部を形成する工程と、
   を備え、
   前記端子を形成する工程は、
   スパッタリングにより第１層を形成する工程と、
   前記スパッタリングの入力電力を下げることにより、前記第１層より柔らかい第２層を前記第１層の上に形成する工程と、
   を含む発光装置の製造方法。

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