JP2016108577A - 小型装置保守機構 - Google Patents

Abstract

【課題】ハーフインチサイズのようなきわめて小さいウェハの成膜に適し、チャンバ内のメンテナンス性が向上する成膜装置および、ミニマルファブシステム用処理装置を提供する。
【解決手段】本発明は、スパッタ源３１と、スパッタ源３１に対向して設けたチャンバ３４と、チャンバ３４から引き出し可能に取り付けた引き出し体３５と、を具備し、引き出し体３５は、チャンバ３４内に取り付けた状態で、チャンバ３４内の少なくとも一部を覆う防着板を有した構成である。
【選択図】図３

Description

本発明は、成膜源に対してチャンバが取り付けられた成膜装置、および外気から遮断された処理室内にウェハ処理部が設けられたミニマルファブシステム用処理装置に関する。

近年、半導体デバイスの製造ラインとして、０．５インチサイズ（ハーフインチサイズ）のウェハに１個のデバイスを作成することを基本とし、そのために製造工程を複数の可搬性の単位処理装置で構成し、これら複数の単位処理装置をフローシップやジョブショップに再配置することを容易にすることで、超少量生産でかつ多品種生産に適切に対応できるようにしたミニマルファブシステムが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。

このミニマルファブシステムに適合させた単位処理装置は、上下方向に長手方向を有する略直方体状に形成され外気から遮断された構成の筐体を備えており、この筐体内に、ハーフインチサイズのウェハを処理するためのウェハ処理部を収容させて構成されている（例えば、特許文献２参照。）。

国際公開第２０１２／０２９７７５号 国際公開第２０１３／０８４５７４号

上記特許文献１のミニマルファブシステムは、ハーフインチサイズのウェハを単位処理装置で一枚ずつ処理する方法であり、ミニマルファブシステムに適合させた単位処理装置として、上記特許文献２に記載の装置が知られているものの、ハーフインチサイズのウェハの表面に、所定の膜を成膜する成膜装置については、何ら提案されていない。特に、この種の成膜装置は、一般に、成膜時に生じるターゲット原子のチャンバ内への付着を防着板にて防止する構成となっており、防着板の交換が必須であるため、チャンバ内のメンテナンス性の向上が求められている。

本発明は、上述した従来技術における実状からなされたもので、その目的は、上記したミニマルファブシステム等に使用することのできる、ハーフインチサイズのようなきわめて小さいウェハの成膜に適し、チャンバ内のメンテナンス性が向上する成膜装置および、ミニマルファブシステム用処理装置を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明は、成膜源を備えたチャンバと、前記チャンバから引き出し可能に取り付けられた引き出し体と、を具備し、前記引き出し体は、前記チャンバ内に取り付けた状態で、前記チャンバ内の少なくとも一部を覆う防着板を有していることを特徴とする成膜装置とした。

このように構成された本発明によれば、チャンバから引き出し体を引き出すことによって、チャンバが開放され、外部からのチャンバ内へのアクセスが可能となり、かつ引き出し体とともに防着板をチャンバから引き出すことができる。この結果、チャンバ内のメンテナンス性を向上でき、防着板の交換をより容易にできる。

また本発明は、上記発明において、前記引き出し体は、枠体を有し、前記防着板は、前記枠体に取り外し可能に取り付けられていることを特徴とする成膜装置とした。

このように構成された本発明によれば、チャンバから引き出し体を引き出すことによって、チャンバから枠体を取り出すことができる。よって、チャンバ内から取り出した状態の枠体から防着板を取り外すことができるので、防着板の交換をより容易に行うことができる。

また本発明は、上記発明において、前記引き出し体は、前記成膜源にて成膜する被成膜体が設置されるステージを有していることを特徴とする成膜装置とした。

このように構成された本発明は、チャンバから引き出し体を引き出すことによって、チャンバ内からステージを引き出すことができる。よって、チャンバから引き出し体を引き出すことによって、チャンバ内のメンテナンス性とともに、ステージのメンテナンス性を向上することができる。

また本発明は、上記発明において、前記引き出し体は、前記成膜源に対し、前記ステージに設置した被成膜体を遮蔽するシャッタを有していることを特徴とする成膜装置とした。

このように構成された本発明は、チャンバから引き出し体を引き出すことによって、チャンバからシャッタを引き出すことができる。よって、チャンバ内のメンテナンス性に加え、シャッタのメンテナンス性を向上することができる。

また本発明は、上記発明において、前記引き出し体は、前記ステージを上下動させる昇降機構を有していることを特徴とする成膜装置とした。

このように構成された本発明は、チャンバから引き出し体を引き出すことによって、ステージを上下動させる昇降機構をチャンバから引き出すことができる。よって、チャンバ内のメンテナンス性に加え、ステージの昇降機構のメンテナンス性を向上することができる。

また本発明は、上記発明において、前記引き出し体は、前記ステージに設置された被成膜体の温度調整をするための温度制御機構を有していることを特徴とする成膜装置とした。

このように構成された本発明は、チャンバから引き出し体を引き出すことによって、ステージに設置された被成膜体の温度調整をするための温度制御機構をチャンバから引き出すことができる。よって、チャンバ内のメンテナンス性に加え、被成膜体の温度調整をするための温度制御機構のメンテナンス性を向上することができる。

また本発明は、外気から遮断された処理室と、前記処理室内に設けられ、ウェハを処理するウェハ処理部とを具備し、前記ウェハ処理部は、前記ウェハの処理時に前記ウェハを収容するチャンバと、前記チャンバから引き出し可能に取り付けられた引き出し体と、を備えたことを特徴とするミニマルファブシステム用処理装置とした。

このように構成された本発明は、チャンバから引き出し体を引き出すことによって、チャンバが開放し、外部からのチャンバ内へのアクセスが容易になる。したがって、ミニマルファブシステムに適合させた種々の処理装置において、チャンバ内のメンテナンス性を向上することができる。

また本発明は、上記発明において、前記ウェハは、外径１２．５ｍｍの円盤状であることを特徴とするミニマルファブシステム用処理装置とした。

このように構成された本発明は、きわめて小さな外径１２．５ｍｍの円盤状のウェハを処理する、ミニマルファブシステムに適合させた種々の処理を行う処理装置における、チャンバ内のメンテナンス性を向上することができる。

本発明によれば、チャンバから引き出し体を引き出すことによって、外部からのチャンバ内へのアクセスが可能となり、引き出し体とともに防着板をチャンバから引き出すことができるから、チャンバ内のメンテナンス性を向上でき、防着板の交換をより容易にできる。

本発明の一実施形態に係るミニマルファブシステム用処理装置の外観を示す斜視図である。 上記ミニマルファブシステム用処理装置の内部構造を示す概略図である。 上記ミニマルファブシステム用処理装置に収容された成膜装置の概要を示す図で、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図である。 上記成膜装置の引き出し体を引き出した状態を示す概略図で、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図である。 上記成膜装置の引き出し体に取り付けられた枠体および防着板の概要を示す斜視図である。

以下、本発明の実施形態を図に基づいて説明する。

＜全体構成＞
本発明の一実施形態に係るミニマルファブシステム用処理装置１は、図１に示すように、予め規格された大きさの筐体２内に収容されたミニマルファブ（minimal fabrication）構想に基づく単位処理装置（小型装置）である。ミニマルファブシステム用処理装置１は、例えばウェハＷ上に所定の膜を成膜する際に用いられる成膜装置、すなわちミニマルスパッタ装置等である。ここで、ミニマルファブ構想とは、多品種少量という半導体製造市場に最適なもので、省資源・省エネルギー・省投資・高性能な多様なファブに対応でき、例えば特開２０１２−５４４１４号公報に記載の生産をミニマル化させるミニマル生産システムを実現させるものである。

筐体２は、上下方向に長手方向を有する略直方体状に形成された、幅（ｘ）０．２９４ｍ×奥行（ｙ）０．４５ｍ×高さ（ｚ）１．４４ｍの大きさに統一され、内部への微粒子およびガス分子のそれぞれの侵入を遮断し、外気から遮断された処理室である。筐体２の上側の装置上部２ａには、ウェハＷを処理するための種々の処理装置本体３が収容されている。処理装置本体３は、例えばウェハＷの表面に所定の膜を成膜する成膜工程を行うことが可能なウェハ処理部となっている。装置上部２ａのうち、処理装置本体３の上側には、処理装置本体３の電源となるスパッタ用電源４、ガスボンベ・質量流量計（マスフロー）５等が収容されている。

筐体２の下側は、処理装置本体３を制御する制御ユニット・ＤＣ電源６、ポンプ７、ラジエータユニット８等を内蔵するための装置下部２ｂが設けられている。装置下部２ｂには、筐体２を支持するための支持部ｍが設けられている。

筐体２の装置上部２ａの上下方向の中間部には、この装置上部２ａの正面側が上方に凹状に切り欠かれた形状とされている。装置上部２ａの上側の正面側には、操作パネル２ｃが取り付けられている。装置上部２ａの下側の部分は、ウェハＷを筐体２内に搬入させる前室２ｄとされている。前室２ｄの上面の略中央部には、搬送容器としてのシャトル（図示せず）を設置するためのシャトル収容部としての略円形状のドッキングポート２ｅが設けられている。ドッキングポート２ｅには、このドッキングポート２ｅに嵌合させたシャトルを固定するためクランプ（図示せず）が設けられている。前室２ｄは、筐体２内への微粒子およびガス分子のそれぞれを遮断する構成となっている。前室２ｄには、シャトル内に収容されているウェハＷを外気に曝す等することなく筐体２内へ出し入れできるようにするＰＬＡＤ（Particle Lock Air-tight Docking）システム９が取り付けられている。

＜処理装置本体＞
処理装置本体３は、所定の大きさに成形された円盤状のウェハＷの表面を成膜する成膜装置であるスパッタ装置を構成する成膜ユニットである。処理装置本体３にて処理するウェハＷは、所定の大きさ、例えば直径１２．５ｍｍ（ハーフインチサイズ）の円形状の表面を有する円盤状に形成されている。なお、ウェハＷとしては、ベアシリコンウェハ等の種々の基板であっても用いることができる。

処理装置本体３は、成膜源としてのスパッタ源３１を備えた真空容器としてのプロセス室３２と、このプロセス室３２の下方に設置されたターボ分子ポンプ３３とを有している。スパッタ源３１は、ターゲット（材料）が取り付けられ、このターゲットに高電圧を印加し、アルゴン等のイオン化させた不活性ガスを材料に衝突させることで、ターゲット原子がはじき飛ばされ、プロセス室３２内に設置されたウェハＷの表面に、ターゲット原子を到達させて付着させて成膜（スパッタ）する。プロセス室３２は、図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、中空な立方体状のチャンバ３４を備えている。チャンバ３４は、プロセス室３２でのウェハＷのスパッタ処理時にウェハＷを収容するプロセス容器である。チャンバ３４とＰＬＡＤシステム９とは、搬送室としてのロードロック室１１を介して接続されており、大気に暴露することなくシャトル内のウェハＷをＰＬＡＤシステム９にてロードロック室１１を介して処理装置本体３のチャンバ３４内の所定位置へ搬出入できる構成となっている。

ロードロック室１１とは反対側のチャンバ３４の一側面には、矩形状の開口部３４ａが設けられている。この開口部３４ａには、チャンバ３４から引き出し可能に引き出し体３５が取り付けられている。引き出し体３５は、上方が開口した略立方体状に形成された引き出し本体３５ａと、引き出し本体３５ａの一側面に取り付けられチャンバ３４の開口部３４ａを閉塞するための矩形平板状の扉体３５ｂとを備えた保守機構である。
ている。チャンバ３４の両側部には、スライダーとなる一対のガイドレール３６ａ，３６ｂが水平に設置されている。引き出し体３５は、図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、チャンバ３４の開口部３４ａからチャンバ３４より外側に、ガイドレール３６ａ，３６ｂによって水平方向に沿って完全に引き出すことができ、かつこの状態からチャンバ３４内の所定位置に収納できる構成となっている。

引き出し体３５の扉体３５ｂは、引き出し体３５の引き出し本体３５ａをチャンバ３４の開口部３４ａからチャンバ３４内に収容させた際に、このチャンバ３４の開口部３４ａを気密に閉塞できるように、チャンバ３４の一側面を構成する構造になっている。扉体３５ｂの内側面には、図３（ｂ）に示すように、成膜対象となる被成膜体であるウェハＷを設置するためのステージ３５ｃと、このステージ３５ｃに設置されたウェハＷをスパッタ源３１に対して遮蔽するためのシャッタ３５ｄと、ステージ３５ｃおよびシャッタ３５ｄを跨ぐように略コの字状の防着板３５ｍとが取り付けられている。ステージ３５ｃは、ステージ本体３５ｅと、このステージ本体３５ｅの上側に昇降可能に取り付けられウェハＷを設置して保持するための設置部３５ｆと、この設置部３５ｆを上下方向に昇降すなわち上下動させる昇降機構３５ｇと、設置部３５ｆに設置されたウェハＷの温度調整、具体的には冷却するための温度調整機構としての冷却機構３５ｈとを備えている。なお、処理装置本体３による処理に応じ、冷却機構３５ｈではなく、ステージ３５ｃの設置部３５ｆに設置されたウェハＷを過熱する過熱機構とすることもでき、必要に応じ、ウェハＷ上に形成する膜の密着性の向上や、膜質の向上を図ることもできる。

シャッタ３５ｄは、扉体３５ｂの外側面に取り付けられた駆動源としてのモータ３５ｉにて駆動する構成となっており、ステージ３５ｃの設置部３５ｆに設置されたウェハＷをスパッタ源３１に対して遮蔽できるように、水平方向に移動可能となっている。設置部３５ｆは、ＰＬＡＤシステム９にてロードロック室１１を介してプロセス室３２内へ搬送されてくるウェハＷが設置される。プロセス室３２にて処理、すなわち成膜処理された後のウェハＷは、ＰＬＡＤシステム９により、設置部３５ｆからロードロック室１１を介して、ドッキングポート２ｅに嵌合させたシャトル内に収容される。昇降機構３５ｇは、駆動源となるモータ３５ｊと、モータ３５ｊにて上下方向に駆動する駆動部３５ｋとを備え、モータ３５ｊの駆動にて駆動部３５ｋを昇降させることで設置部３５ｆを昇降駆動させる。冷却機構３５ｈは、例えばポンプ７からの冷却水の循環供給によってステージ３５ｃのステージ本体３５ｅおよび設置部３５ｆを冷却することによって、設置部３５ｆ上のウェハＷを冷却する。

引き出し本体３５ａには、図４（ａ）、図４（ｂ）および図５に示すように、複数、例えば５枚の矩形平板状の防着板３７ａ〜３７ｅを有する防着板機構３７が取り外し可能に収容されている。防着板機構３７は、チャンバ３４内に引き出し体３５を収容させた状態で、チャンバ３４内の少なくとも一部、具体的にはチャンバ３４内の上下面、両側面、ロードロック室１１側の一側面を覆う構成となっている。防着板機構３７は、チャンバ３４の開口部３４ａから引き出し体３５を引き出した状態で、引き出し本体３５ａの上方へ取り外すことができる構成となっている。防着板機構３７は、図５に示すように、一方の面が開口した立法体の各辺を有する枠状のフレームである枠体３８を備えている。枠体３８は、上下面、両側面、およびロードロック室１１側の一側面のそれぞれに防着板３７ａ〜３７ｅを取り外し可能に取り付けることができる構成となっている。

各防着板３５ｍ，３７ａ〜３７ｅは、チャンバ３４内へのターゲット原子（材料）の付着を防止し、この付着したターゲット原子が剥がれてチャンバ３４内へ舞い上がることにより、スパッタ処理の品質悪化を防止するものであり、所定のスパッタ処理を行った場合にメンテナンス、すなわち交換あるいは洗浄が必要な部品である。防着板３５ｍは、扉体３５ｂの内側面に対して取り外し可能に取り付けられている。

枠体３８の上面に取り付ける防着板３７ａには、スパッタ源３１からのターゲット原子を通過させるための円形状の開口部３７ｆが設けられている。枠体３８のロードロック室１１側に取り付ける防着板３７ｅにもまた、ＰＬＡＤシステム９によってロードロック室１１から搬送されてくるウェハＷをチャンバ３４内に搬出入可能とさせる開口部３７ｇが設けられている。防着板３７ａ〜３７ｅが取り付けられない枠体３８の他側面は、引き出し本体３５ａの扉体３５ｂ側に位置する部分であり、扉体３５ｂの内側面に取り付けられているステージ３５ｃおよびシャッタ３５ｄ等を跨いで防着板機構３７を引き出し体３５の所定位置に取り付け、引き出し本体３５ａ内に収容できる構成になっている。

次に、上記一実施形態に係るミニマルファブシステム用処理装置１の動作について説明する。

＜成膜処理＞
まず、ウェハＷが収容されたシャトルを、ミニマルファブシステム用処理装置１のドッキングポート２ｅに嵌合させる。この状態で、クランプを操作し、ドッキングポート２ｅに嵌合させたシャトルを固定する。次いで、操作パネル２ｃを操作し、所定のレシピを選択してから、ウェハＷの成膜処理をスタートさせる。

すると、ＰＬＡＤシステム９により、シャトル内からウェハＷが取り出され、ロードロック室１１を介して、処理装置本体３のステージ３５ｃ上へウェハＷが搬送される。次いで、昇降機構３５ｇにより、ステージ３５ｃ上に設置されたウェハＷの上下位置の調整が行われる。

そして、チャンバ３４内の真空排気が行われてから、アルゴン等の不活性ガスをチャンバ３４内に導入した上で、チャンバ３４内の圧力調整が行われる。また、必定に応じ、冷却機構３５ｈが駆動され、ステージ３５ｃ上のウェハＷの冷却、すなわち温度調整が行われる。また、必要に応じ、シャッタ３５ｄが駆動され、ウェハＷの表面の少なくとも一部がスパッタ源３１から遮蔽される。この状態で、スパッタ源３１からのターゲット原子の放出が開始され、ウェハＷの表面に対する成膜処理、具体的にはプレスパッタおよびメインスパッタが行われる。

この後、ＰＬＡＤシステム９によって、ステージ３５ｃ上のウェハＷがロードロック室１１を介してシャトル内へ搬送される。そして、ドッキングポート２ｅのクランプによる固定を解除することによって、成膜処理が行われたウェハＷを収容したシャトルを、ドッキングポート２ｅから取り外すことができる。

＜メンテナンス＞
チャンバ３４内の防着板３７ａ〜３７ｅを交換する場合には、まず、ミニマルファブシステム用処理装置１の筐体２の背面に取り付けられたパネル（図示せず）を取り外して処理装置本体３の扉体を露出させてから、図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、ガイドレール３６ａ，３６ｂに沿って扉体３５ｂをチャンバ３４内から引き出す。

この結果、チャンバ３４外へ引き出し体３５を完全に引き出すことができる。この状態で、枠体３８の所定の面に防着板３７ａ〜３７ｅが取り付けられた防着板機構３７を、持ち上げる等して上方に移動させて引き出し本体３５ａから取り外す。そして、図５に示すように、防着板機構３７の各防着板３７ａ〜３７ｅを枠体３８から取り外すことによって、各防着板３７ａ〜３７ｅの交換および洗浄が可能となる。

引き出し体３５をチャンバ３４から引き出した状態においては、引き出し体３５とともに、ステージ３５ｃ、シャッタ３５ｄ、昇降機構３５ｇおよび冷却機構３５ｈのそれぞれがチャンバ３４外へと引き出されるため、これらステージ３５ｃ、シャッタ３５ｄ、昇降機構３５ｇおよび冷却機構３５ｈのそれぞれについても、チャンバ３４から取り出した状態でメンテナンスを行うことができる。

チャンバ３４から引き出し体３５を引き出し、かつ防着板機構３７を引き出し本体３５ａから取り外した状態においては、単に引き出し体３５をチャンバ３４から引き出した状態に比べ、チャンバ３４の開口部３４ａをより大きく開口することができるため、チャンバ３４内へのアクセスがより容易になり、チャンバ３４内のメンテナンスがより容易になる。

そして、洗浄した防着板３７ａ〜３７ｅ、あるいは新しい防着板３７ａ〜３７ｅを枠体３８に取り付けた防着板機構３７を、引き出し本体３５ａに収容させて取り付けてから、扉体３５ｂを押す等して引き出し体３５をチャンバ３４内に収容させることによって、防着板３７ａ〜３７ｅの交換、およびチャンバ３４内のメンテナンスが完了する。

＜作用効果＞
上記一実施形態に係るミニマルファブシステム用処理装置１においては、筐体２の背面のパネルを取り外してから、処理装置本体３の扉体３５ｂをガイドレール３６ａ，３６ｂに沿って移動させることによって、チャンバ３４から引き出し体３５を引き出すことができる構成としている。この結果、チャンバ３４から引き出し体３５を引き出すことにより、チャンバ３４の開口部３４ａが大きく開口し、外部からのチャンバ３４内へのアクセスが可能となるため、例えばチャンバ３４の側面を開口する場合等に比べ、チャンバ３４内のメンテナンス性を向上でき、部品交換の必要性が高いチャンバ内の部品交換を容易にできる。よって、きわめて小さな外径１２．５ｍｍの円盤状のハーフインチサイズのウェハＷを処理する、ミニマルファブ構想に適合させた種々の処理を行うミニマルファブシステム用処理装置１における、チャンバ３４内のメンテナンス性をも向上できる。また、何等かの不具合で処理装置本体３のチャンバ３４内にウェハＷが取り残された場合であっても、チャンバ３４から引き出し体３５を引き出すことによって、チャンバ３４内のウェハＷを取り除くことができる。

特に、引き出し体３５の引き出し本体３５ａに、防着板３７ａ〜３７ｅを取り付けた防着板機構３７を収容させているため、チャンバ３４から引き出し体３５を引き出すことによって、引き出し体３５とともに防着板機構３７をチャンバ３４から引き出すことができる。よって、チャンバ３４から引き出した引き出し本体３５ａから防着板機構３７を取り外し、防着板機構３７の枠体３８から防着板３７ａ〜３７ｅを取り外すことによって、これら防着板３７ａ〜３７ｅの交換あるいは洗浄が可能となるため、これら防着板３７ａ〜３７ｅのメンテナンス作業を容易にできる。このとき、各防着板３７ａ〜３７ｅを枠体３８に取り付けた防着板機構３７を、引き出し本体３５ａに収容させて引き出し体３５に取り付ける構成としているため、防着板機構３７を引き出し本体３５ａから取り外すことによって、複数枚の防着板３７ａ〜３７ｅを引き出し体３５から一度に取り外すことができ、これら防着板３７ａ〜３７ｅの引き出し体３５からの取り外しを容易に行うことができる。また、引き出し本体３５ａから防着板機構３７を取り外すことにより、扉体３５ｂの内側面に取り付けられている防着板３５ｍの交換も容易に行うことができる。

さらに、処理装置本体３のステージ３５ｃ、シャッタ３５ｄ、昇降機構３５ｇ、および冷却機構３５ｈのそれぞれを引き出し体３５の扉体３５ｂの内側面に取り付けた構成としている。このため、チャンバ３４から引き出し体３５を引き出すことによって、引き出し体３５とともにチャンバ３４内からステージ３５ｃ、シャッタ３５ｄ、昇降機構３５ｇおよび冷却機構３５ｈのそれぞれを引き出すことができる。よって、チャンバ３４から引き出し体３５を引き出すことによって、チャンバ３４内のメンテナンス性とともに、ステージ３５ｃ、シャッタ３５ｄ、昇降機構３５ｇおよび冷却機構３５ｈそれぞれのメンテナンス性を向上できる。

また、チャンバ３４から引き出し体３５を引き出す際に、引き出し体３５をガイドレール３６ａ，３６ｂに沿って移動させる構成とし、引き出し体３５をチャンバ３４外へ完全に引き出すことができる構成としている。よって、ガイドレール３６ａ，３６ｂを用いず、引き出し体３５の一部がチャンバ３４に係止するようにした場合に比べ、チャンバ３４の開口部３４ａをより大きく開口できる。したがって、チャンバ３４内へのアクセスをより容易に行うことができるから、チャンバ３４内のメンテナンス性をより向上できる。またさらに、ガイドレール３６ａ，３６ｂを用いず、引き出し体３５をチャンバ３４から引き出した際に引き出し体３５がチャンバ３４からすぐに外れるようにした場合に比べ、チャンバ３４から引き出し体３５を引き出した際の、引き出し体３５の思わぬ落下や損傷を防止できるため、処理装置本体３のメンテナンス性をより向上できる。

＜その他＞
なお、上記一実施形態においては、ミニマルファブ構想に適合させたハーフインチサイズのウェハＷの表面を成膜する処理装置本体３を備えたミニマルファブシステム用処理装置１について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、ウェハを処理するためのチャンバ３４を有する種々の処理装置本体３を備えたミニマルファブシステム用処理装置１であっても、チャンバ３４の引き出し構造を用いることができる。さらに、引き出し体３５の構造については、チャンバ３４内のアクセスや、防着板３７ａ〜３７ｅの交換が容易になる構成であればよい。すなわち、例えば、引き出し体３５とは別個に、ステージ３５ｃおよびシャッタ３５ｄの少なくとも一方をチャンバ３４内に設け、少なくとも防着板３７ａ〜３７ｅが引き出し体３５とともにチャンバ３４外へ引き出すことができる構成でも良く、様々な構成にすることもできる。

１ ミニマルファブシステム用処理装置
２ 筐体（処理室）
２ａ 装置上部
２ｂ 装置下部
２ｃ 操作パネル
２ｄ 前室
２ｅ ドッキングポート
３ 処理装置本体（ウェハ処理部、成膜装置）
４ スパッタ用電源
５ ガスボンベ・マスフロー
６ 制御ユニット・ＤＣ電源
７ ポンプ
８ ラジエータユニット
９ ＰＬＡＤシステム
１１ ロードロック室
３１ スパッタ源（成膜源）
３２ プロセス室
３３ ターボ分子ポンプ
３４ チャンバ
３４ａ 開口部
３５ 引き出し体
３５ａ 引き出し本体
３５ｂ 扉体
３５ｃ ステージ
３５ｄ シャッタ
３５ｅ ステージ本体
３５ｆ 設置部
３５ｇ 昇降機構
３５ｈ 冷却機構（温度調整機構）
３５ｉ モータ
３５ｊ モータ
３５ｋ 駆動部
３５ｍ 防着板
３６ａ，３６ｂ ガイドレール
３７ 防着板機構
３７ａ〜３７ｅ 防着板
３７ｆ 開口部
３７ｇ 開口部
３８ 枠体
Ｗ ウェハ（被成膜体）
ｍ 支持部

Claims (8)

1. 成膜源を備えたチャンバと、
   前記チャンバから引き出し可能に取り付けられた引き出し体と、を具備し、
   前記引き出し体は、前記チャンバ内に取り付けた状態で、前記チャンバ内の少なくとも一部を覆う防着板を有している
   ことを特徴とする成膜装置。
2. 請求項１に記載の成膜装置において、
   前記引き出し体は、枠体を有し、
   前記防着板は、前記枠体に取り外し可能に取り付けられている
   ことを特徴とする成膜装置。
3. 請求項１または２に記載の成膜装置において、
   前記引き出し体は、前記成膜源にて成膜する被成膜体が設置されるステージを有している
   ことを特徴とする成膜装置。
4. 請求項３に記載の成膜装置において、
   前記引き出し体は、前記成膜源に対し、前記ステージに設置した被成膜体を遮蔽するシャッタを有している
   ことを特徴とする成膜装置。
5. 請求項３または４に記載の成膜装置において、
   前記引き出し体は、前記ステージを上下動させる昇降機構を有している
   ことを特徴とする成膜装置。
6. 請求項３ないし５のいずれか一項に記載の成膜装置において、
   前記引き出し体は、前記ステージに設置された被成膜体の温度調整をするための温度制御機構を有している
   ことを特徴とする成膜装置。
7. 外気から遮断された処理室と、
   前記処理室内に設けられ、ウェハを処理するウェハ処理部とを具備し、
   前記ウェハ処理部は、前記ウェハの処理時に前記ウェハを収容するチャンバと、前記チャンバから引き出し可能に取り付けられた引き出し体と、を備えた
   ことを特徴とするミニマルファブシステム用処理装置。
8. 請求項７に記載のミニマルファブシステム用処理装置であって、
   前記ウェハは、外径１２．５ｍｍの円盤状である
   ことを特徴とするミニマルファブシステム用処理装置。