JP2016134530A - 加工制御装置、加工制御プログラムおよび加工制御方法 - Google Patents

Abstract

【課題】エッチング量を精度よく制御することができる加工制御装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の加工制御装置は、発光量算出部と、処理制御部と、を備えている。前記発光量算出部は、基板に対してプラズマを用いたドライエッチング加工が実行されている間に発生した光の中から所定波長の光を選択する。そして、前記処理制御部は、選択した光の発光強度を前記選択した光の検出された時間で積分した積分値を算出する。さらに、前記処理制御部は、前記積分値の合計値を前記基板での合計発光量として算出する。また、前記処理制御部は、前記合計発光量が所定の基準値に到達した場合に、前記ドライエッチング加工を停止させる指示を出力する。
【選択図】図２

Description

本発明の実施形態は、加工制御装置、加工制御プログラムおよび加工制御方法に関する。

プラズマを用いたドライエッチング加工の際には、エッチング量を制御する必要がある。エッチング量の制御方法の１つとして、ドライエッチング加工のエッチング時間を制御する方法がある。また、エッチング量の制御方法の１つとして、ドライエッチング加工を実行した後にエッチング後のパターン寸法を測長し、測長値をフィードバックすることによってエッチング量を制御する方法がある。しかしながら、上記の２つの方法では、エッチング量を精度よく制御することが困難であった。

特許第５３８４７５８号公報 特許第５１９２８５０号公報 特開２０１３−２１７７７６号公報

本発明が解決しようとする課題は、エッチング量を精度よく制御することができる加工制御装置、加工制御プログラムおよび加工制御方法を提供することである。

実施形態によれば加工制御装置が提供される。前記加工制御装置は、発光量算出部と、処理制御部と、を備えている。前記発光量算出部は、基板に対してプラズマを用いたドライエッチング加工が実行されている間に発生した光の中から所定波長の光を選択する。そして、前記処理制御部は、選択した光の発光強度を前記選択した光の検出された時間で積分した積分値を算出する。さらに、前記処理制御部は、前記積分値の合計値を前記基板での合計発光量として算出する。また、処理制御部は、前記合計発光量が所定の基準値に到達した場合に、前記ドライエッチング加工を停止させる指示を出力する。

図１は、実施形態に係るドライエッチング装置の構成を示す図である。 図２は、実施形態に係る制御装置の構成を示す図である。 図３は、実施形態に係るエッチング処理の処理手順を示すフローチャートである。 図４は、エッチング処理の処理例を説明するための図である。 図５は、発光強度の波形例を示す図である。 図６は、実施形態に係る制御装置のハードウェア構成を示す図である。

以下に添付図面を参照して、実施形態に係る加工制御装置、加工制御プログラムおよび加工制御方法を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではない。

（実施形態）
図１は、実施形態に係るドライエッチング装置の構成を示す図である。ドライエッチング装置１は、加工部９と、制御装置（加工制御装置）１０とを備えている。ドライエッチング装置１は、ウェハＷａなどの基板にドライエッチング加工を行う装置である。本実施形態のドライエッチング装置１は、エッチング時の発光強度に基づいて、エッチング量を制御する。

加工部９は、チャンバ２と、ステージ３と、アンテナコイル４と、ブロッキングコンデンサ５と、高周波電源６，７と、発光強度測定部８とを備える。なお、ここでは図示を省略したが、ドライエッチング装置１は、チャンバ２内へ反応性ガスを供給するガス供給部と、チャンバ２内部の雰囲気をチャンバ２の外部へ排気する排気部とを備える。

チャンバ２は、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）を行う処理室である。チャンバ２は、グランドに接続され、内部にステージ３が設けられている。ステージ３は、載置されるウェハＷａなどの半導体基板（処理対象基板）を保持するテーブルである。ステージ３は、ブロッキングコンデンサ５および高周波電源６を介してグランドに接続されている。アンテナコイル４は、チャンバ２の天板上に設けられた平面視渦巻き状のコイルである。アンテナコイル４は、高周波電源７を介してグランドに接続されている。

ドライエッチング装置１は、チャンバ２の内部へ反応性ガスを導入する。ドライエッチング装置１は、チャンバ２の内部を略真空にした状態で、高周波電源７からアンテナコイル４へ高周波電圧を印加する。さらに、ドライエッチング装置１は、高周波電源６からステージ３へ高周波電圧を印加して反応性ガスをプラズマ化する。

プラズマ中の電子は、アンテナコイル４に面するチャンバ２の天井、およびステージ３へ引き寄せられる。チャンバ２の天井に引き寄せられる電子は、チャンバ２がグランドに接続されているためグランドへ流れる。このため、チャンバ２の天井の電位は一定となる。一方、ブロッキングコンデンサ５は、直流電流を遮断するので、引き寄せる電子を蓄積して上部電極が負に帯電する。

ドライエッチング装置１は、プラズマ中の陽イオンを負に帯電したブロッキングコンデンサ５へ引き寄せ、ステージ３に載置されるウェハＷａに衝突させることによってＲＩＥを行う。

発光強度測定部８は、ウェハＷａに対してエッチング（プラズマを用いたドライエッチング加工）が行われている間に発生する光の強度（発光強度）を測定する。チャンバ２内でエッチングが行われると、ウェハＷａ上の被エッチング膜およびエッチングに用いられるガスの種類に応じた波長の光が発生する。発光強度測定部８は、発光強度を測定し、測定結果を制御装置１０に送る。発光強度測定部８は、例えば、チャンバ２内などに配置されている。

制御装置１０は、加工部９に接続されており、加工部９を制御する。本実施形態の制御装置１０は、発光強度に基づいて、ＲＩＥの終了タイミングを制御する。制御装置１０は、所定の波長に対応する発光強度波形の積分値を合算していき、積分値の合計値（総和量）が、予め設定しておいた値に到達すると、ＲＩＥの終了タイミングであると判断する。

図２は、実施形態に係る制御装置の構成を示す図である。制御装置１０は、入力部１１と、発光量算出部１２と、記憶部１３と、処理制御部１４とを備えている。入力部１１は、加工部９の発光強度測定部８に接続されている。入力部１１は、発光強度測定部８から送られてくる発光強度を受信して発光量算出部１２に送る。

また、入力部１１へは、ユーザなどによって、加工条件が入力される。入力部１１は、入力された加工条件を発光量算出部１２に送る。入力部１１へは、例えば、後述する（１）〜（８）の情報が、加工条件として入力される。なお、入力部１１へは、例えば、後述する（１）〜（８）の組合せを示す情報が加工条件として入力されてもよい。

発光量算出部１２は、測定された光の中から所定波長の光を選択し、選択した光の発光強度の波形に基づいて、発光量の合計値（以下、合計発光量という）を算出する。発光量算出部１２が算出する合計発光量は、発光強度を処理時間で積分した値の合計値である。発光量算出部１２は、被エッチング膜およびエッチングガスに応じた波長の発光光に対して合計発光量を算出する。具体的には、発光量算出部１２は、発光強度の波形の中から被エッチング膜およびエッチングガスに応じた波長の波形を抽出する。そして、発光量算出部１２は、抽出した波形を時間積分（選択した光が検出されている時間で積分）し、時間積分した値（面積）を合計する。発光量算出部１２は、算出した合計値を合計発光量として、処理制御部１４に送る。また、発光量算出部１２は、入力部１１から送られてきた加工条件を処理制御部１４に送る。

記憶部１３は、加工条件毎の発光量基準値を記憶する。発光量基準値は、エッチング処理の終了が判断される際の基準値である。したがって、算出された合計発光量が、基準値に到達すると、エッチング処理は終了となる。

発光量基準値は、加工条件毎に設定されている。加工条件には、エッチング時のパワー、圧力、ガス種などがある。加工条件は、例えば、以下の（１）〜（８）などである。
（１）被エッチング膜の種類
（２）エッチングガスの種類
（３）エッチング時のＴＣＰ（Transformer Coupled Plasma）パワー
（４）エッチング時のバイアスパワー
（５）エッチング時のチャンバ２内の圧力
（６）エッチング時のガス流量
（７）エッチング時のデューティサイクル
（８）ウェハＷａの開口率

（２）に示したエッチングガスの種類は、エッチングに用いられるメインガスの種類である。メインガスには、例えば、塩素、フッ素などがある。（６）に示したエッチング時のガス流量は、エッチングに用いられるメインガスの流量である。（７）に示したエッチング時のデューティサイクルは、バイアスがオン／オフされるサイクルの全体時間に対するバイアスオン時間の比率である。

（８）に示したウェハＷａの開口率は、ウェハＷａ上面の全体面積に対する被エッチング膜の面積の比率（被覆率）である。ウェハＷａでは、被エッチング膜の上部にマスク材が形成されている。そして、ウェハＷａのうち、マスク材の形成されていない箇所がエッチングされる。例えば、ウェハＷａの最上層面がラインパターンなどのマスク材であり、マスク材の配置されていない箇所がスペースパターンである。このようなウェハＷａでは、スペースパターンよりも下層側がエッチングされる。そして、ウェハＷａ上面の全体面積に対するスペースパターンの面積が、ウェハＷａの開口率である。

記憶部１３は、例えば、上述した（１）〜（８）の組合せである加工条件と、発光量基準値との対応関係を記憶しておく。

処理制御部１４は、ユーザによって指定された加工条件に対応する発光量基準値を記憶部１３から抽出する。処理制御部１４は、発光量算出部１２から送られてくる合計発光量が、抽出した発光量基準値に到達したか否かを判断する。処理制御部１４は、発光量算出部１２から送られてくる合計発光量が、抽出した発光量基準値に到達すると、エッチング処理の終了指示を加工部９に送る。

つぎに、実施形態に係るエッチング処理の処理手順について説明する。図３は、実施形態に係るエッチング処理の処理手順を示すフローチャートである。エッチングの開始前には、エッチング前の寸法測定が行われる（ステップＳ１０）。エッチング前の寸法測定は、エッチングの前工程が完了した後に行われる処理である。エッチング前の寸法測定では、ウェハＷａ上のパターン寸法が測定される。具体的には、エッチング前の寸法測定では、例えば、エッチングの際に用いられるマスクパターンの寸法や、マスクで覆われていない被エッチング膜の寸法などが測定される。

そして、ユーザが制御装置１０に加工条件を入力すると、ドライエッチング装置１は、ウェハＷａへのエッチングを開始する（ステップＳ２０）。このとき、制御装置１０は、ユーザから指定された加工条件でウェハＷａがエッチングされるよう加工部９を制御する。

加工部９がエッチングを開始すると、発光強度測定部８は、ウェハＷａ近傍での発光強度を測定する（ステップＳ３０）。発光強度測定部８は、測定した発光強度（測定結果）を制御装置１０に送る。制御装置１０の入力部１１は、発光強度測定部８から送られてくる発光強度を受信して発光量算出部１２に送る。発光量算出部１２は、発光強度の波形に基づいて、合計発光量を算出する（ステップＳ４０）。

図４は、エッチング処理の処理例を説明するための図である。図４の（ａ）〜（ｃ）では、ウェハＷａ上に形成されているパターンの断面図を示している。図４の（ａ）に示すように、ウェハＷａでは、被エッチング膜３１Ａ上にマスク３２が形成されている。そして、ウェハＷａに対しては、マスク３２上からエッチングが行われる。

マスク３２をマスクとして被エッチング膜３１Ａがエッチングされると、図４の（ｂ）に示すように、被エッチング膜３１Ａは、穴部３３が設けられた被エッチング膜３１Ｂとなる。

この後、図４の（ｃ）に示すように、ウェハＷａ上には、側壁保護膜３４が形成される。側壁保護膜３４は、マスク３２の側壁面を保護する膜である。側壁保護膜３４は、マスク３２の上面および側壁面と、穴部３３の底面および側壁面とを覆うように形成される。

この後、図４の（ｂ）に示した被エッチング膜３１Ｂを掘り下げる処理（穴部３３を深くする処理）と、図４の（ｃ）に示した側壁保護膜３４を形成する処理とが繰り返される。図４の（ｂ）および（ｃ）の繰り返し処理が、エッチングサイクルプロセスである。エッチングサイクルプロセスによって、被エッチング膜３１Ｂには、所定の深さを有した穴部３３が設けられる。

本実施形態では、所望の深さの穴部３３でエッチングを終了するために、エッチング時の発光強度が測定される。そして、エッチング時の発光強度に基づいて、合計発光量が算出され、合計発光量に基づいて、エッチングの終了タイミングが判断される。

図５は、発光強度の波形例を示す図である。ここでは、ウェハＷａ上に形成された、ゲート酸化膜層およびPoly層からなる積層構造を、ＲＩＥ法にて加工した場合の波形例について説明する。

図５の（ａ）では、発光強度の第１の波形例（発光強度特性１０１）を示し、図５の（ｂ）では、発光強度の第２の波形例（発光強度特性１０２）を示している。図５の（ａ）および図５の（ｂ）に示すグラフの横軸は時間であり、縦軸は発光強度である。

発光強度特性１０１は、１枚のウェハＷａに対してエッチング処理（Si加工）を５回繰り返した場合の特性を示している。また、発光強度特性１０２は、１枚のウェハＷａに対してエッチング処理を７回繰り返した場合の特性を示している。エッチング処理の際には、例えば、以下の条件などが用いられる。
ＴＣＰ Ｐｏｗｅｒ：７００Ｗ
Ｂｉａｓ Ｖｏｌｔａｇｅ：６５０Ｗ
Cl₂：１００ｓｃｃｍ
O₂：０〜１０ｓｃｃｍ
圧力：１５ｍＴｏｒｒ
デューティサイクル：１５〜３０％

発光強度特性１０１，１０２は、種々のタイミングで大きくなる。すなわち、発光強度特性１０１，１０２は、複数の波（凸形状の波）を有している。発光強度が大きくなるタイミング（波）のうち、ウェハＷａへのエッチング処理によって発生するものが、波５１である。波５１は、例えば、波長４２５ｎｍの発光に対応する波である。換言すると、Si（シリコン膜）加工中に得られるプラズマ発光のうち、波長４２５ｎｍの発光が、波５１である。

発光強度特性１０１，１０２のうち、波５１以外の波は、エッチングとは異なる処理（形状維持プロセスなど）の際に発生する波である。加工部９では、エッチング処理と、エッチングとは異なる処理とが、繰り返される。

発光量算出部１２は、エッチング処理によって発生する波５１の発光量を算出する。このとき、発光量算出部１２は、発光強度を処理時間（波５１が発生している時間）で積分することによって波５１の発光量を算出する。波５１は、複数回発生するので、発光量算出部１２は、各波５１に対する発光量を算出する。そして、発光量算出部１２は、波５１の各発光量を加算することによって、合計発光量を算出する。

１枚のウェハＷａに対して５回のエッチング処理が行われた場合、発光量算出部１２は、５つの波５１に対して合計発光量を算出する。また、１枚のウェハＷａに対して７回のエッチング処理が行われた場合、発光量算出部１２は、７つの波５１に対して合計発光量を算出する。

発光量算出部１２は、算出した合計発光量を、処理制御部１４に送る。また、発光量算出部１２は、入力部１１から送られてきた加工条件を処理制御部１４に送る。

処理制御部１４は、入力部１１から送られてきた加工条件に対応する発光量基準値を記憶部１３から抽出する。処理制御部１４は、発光量算出部１２から送られてくる合計発光量が、抽出した発光量基準値に到達したか否かを判断する（ステップＳ５０）。

処理制御部１４は、発光量算出部１２から送られてくる合計発光量が、抽出した発光量基準値に到達していなければ（ステップＳ５０、Ｎｏ）、エッチング処理の終了指示を加工部９に送らない。この結果、加工部９では、エッチング処理が継続される。これにより、発光強度測定部８は、発光強度の測定を継続する（ステップＳ３０）。そして、発光量算出部１２は、合計発光量の算出を継続する（ステップＳ４０）。このとき、処理制御部１４は、発光量算出部１２から送られてくる合計発光量が、発光量基準値に到達したか否かの判断を継続している（ステップＳ５０）。

処理制御部１４は、発光量算出部１２から送られてくる合計発光量が、抽出した発光量基準値に到達すると（ステップＳ５０、Ｙｅｓ）、エッチング処理の終了指示を加工部９に送る。

これにより、加工部９は、エッチングを終了し（ステップＳ６０）、ウェハＷａを外部に搬出する。制御装置１０は、合計発光量が予め設定された１９６０００となるようエッチングを制御したところ、Si加工のstep数によらず所望のSiトレンチ深さを得ることができた。

本実施形態では、合計発光量が同じであれば、同じトレンチ深さを得ることができる。換言すると、１枚のウェハＷａに対してＮ回（Ｎは自然数）のエッチング処理が行われた場合、合計発光量が同じであれば、合計発光量に応じたトレンチ深さを得ることができる。例えば、５回のエッチング処理が行われた場合の合計発光量と、７回のエッチング処理が行われた場合の合計発光量と、が同じである場合、同じトレンチ深さを得ることができる。

なお、制御装置１０は、複数の波長に対して合計発光量を算出し、算出した合計発光量に基づいて、エッチング量を制御してもよい。この場合、波長毎に予め複数の発光量基準値の範囲（発光量基準範囲）を設定しておく。例えば、記憶部１３へは、第１の波長（例えば、波長４２５ｎｍ）に対応する第１の発光量基準範囲（例えば、１９６０００±１０００）と、第２の波長（例えば、波長２５６ｎｍ）に対応する第２の発光量基準範囲（例えば、２２００００±２０００）と、を記憶させておく。

そして、発光量算出部１２は、エッチングの際に発生するプラズマ発光のうち、第１の波長の第１の合計発光量と、第２の波長の第２の合計発光量と、を算出する。さらに、処理制御部１４は、第１の合計発光量が第１の発光量基準範囲内となり、かつ第２の合計発光量が第２の発光量基準範囲内となったタイミングを、エッチングの終了タイミングであると判断する。これにより、制御装置１０は、マスク残膜の膜厚および被エッチング膜の膜厚を所望の厚さに制御することが可能となる。この結果、ドライエッチング装置１は、例えば、所望のマスク残膜およびSiトレンチ深さを得ることができる。

なお、発光量算出部１２は、第１の合計発光量が第１の発光量基準範囲内から第１の発光量基準範囲外となった場合に、エッチングを停止させてもよい。また、発光量算出部１２は、第２の合計発光量が第２の発光量基準範囲内から第２の発光量基準範囲外となった場合に、エッチングを停止させてもよい。

また、発光量算出部１２は、第１の合計発光量が第１の発光量基準値（例えば、１９５０００）に到達し、かつ第２の合計発光量が第２の発光量基準値（例えば、２１９６００）に到達したタイミングを、エッチングの終了タイミングであると判断してもよい。

また、発光量算出部１２は、第１の合計発光量が第１の発光量基準値に到達するか、または、第２の合計発光量が第２の発光量基準値に到達したタイミングを、エッチングの終了タイミングであると判断してもよい。

また、発光量算出部１２は、３つ以上の光の合計発光量と、各光に対応する発光量基準値または発光量基準範囲と、に基づいて、エッチングの終了タイミングを判断してもよい。

ところで、エッチング時間に基づいて、エッチングの終了時間を決定する場合、エッチング量のばらつきが大きくなる。また、ＡＰＣ（Advanced Process Control）制御を用いてエッチングの終了時間を決定する方法がある。この方法では、エッチングを所定量まで完了させた後に、ウェハＷａ上のパターン寸法（エッチング後寸法）が測定される。そして、測定結果が後続のウェハ加工にフィードバックされる。これにより、後続のウェハＷａは、測定結果に応じたタイミングでエッチングが完了する。ところが、この方法の場合、フィードバックがかかるまでタイムラグが生じるので、深さ制御のできていないロットが発生する場合がある。本実施形態では、エッチングの処理中にエッチングを終了させるタイミングを算出できるので、全てのロットに対してタイムラグを発生させることなく適切なエッチング制御を実行できる。

ドライエッチング装置１は、例えば、ＲＩＥによってＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）用のトレンチを形成する製造工程などで用いられる。なお、本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、製造工程中にドライエッチングが含まれるものであれば、任意の半導体装置の製造方法への適用が可能である。

ドライエッチング装置１は、例えば、ウェハプロセスのレイヤ毎に用いられる。半導体装置（半導体集積回路）が製造される際には、ウェハＷａ上に被エッチング膜が形成される。そして、被エッチング膜上にレジストが塗布される。この後、レジストの塗布されたウェハＷａにフォトマスクなどを用いて露光が行なわれる。その後、ウェハＷａが現像されることによって、ウェハＷａ上にレジストパターンが形成される。そして、レジストパターンをマスクとして被エッチング膜がドライエッチング装置１によってエッチングされる。これにより、レジストパターンに対応する実パターンがウェハＷａ上に形成される。半導体装置を製造する際には、被エッチング膜の形成処理、レジストの塗布処理、露光処理、現像処理、エッチング処理などがレイヤ毎に繰り返される。なお、半導体装置が製造される際には、露光処理および現像処理の代わりにインプリント処理などが用いられてもよい。

つぎに、制御装置１０のハードウェア構成について説明する。図６は、制御装置のハードウェア構成を示す図である。制御装置１０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）９１、ＲＯＭ（Read Only Memory）９２、ＲＡＭ（Random Access Memory）９３、表示部９４、入力部９５を有している。制御装置１０では、これらのＣＰＵ９１、ＲＯＭ９２、ＲＡＭ９３、表示部９４、入力部９５がバスラインを介して接続されている。

ＣＰＵ９１は、コンピュータプログラムである加工制御プログラム９７を用いてパターンの判定を行う。加工制御プログラム９７は、コンピュータで実行可能な、加工を制御するための複数の命令を含むコンピュータ読取り可能かつ非遷移的な記録媒体（nontransitory computer readable medium）を有するコンピュータプログラムプロダクトである。加工制御プログラム９７では、前記複数の命令が加工を制御することをコンピュータに実行させる。

表示部９４は、液晶モニタなどの表示装置であり、ＣＰＵ９１からの指示に基づいて、加工条件、発光強度の波形、合計発光量、発光量基準値、エッチングの状態（エッチング中、エッチング終了）などを表示する。入力部９５は、マウスやキーボードを備えて構成され、使用者から外部入力される指示情報（加工制御に必要なパラメータおよび加工条件等）を入力する。入力部９５へ入力された指示情報は、ＣＰＵ９１へ送られる。

加工制御プログラム９７は、ＲＯＭ９２内に格納されており、バスラインを介してＲＡＭ９３へロードされる。図６では、加工制御プログラム９７がＲＡＭ９３へロードされた状態を示している。

ＣＰＵ９１はＲＡＭ９３内にロードされた加工制御プログラム９７を実行する。具体的には、制御装置１０では、使用者による入力部９５からの指示入力に従って、ＣＰＵ９１がＲＯＭ９２内から加工制御プログラム９７を読み出してＲＡＭ９３内のプログラム格納領域に展開して各種処理を実行する。ＣＰＵ９１は、この各種処理に際して生じる各種データをＲＡＭ９３内に形成されるデータ格納領域に一時的に記憶させておく。

制御装置１０で実行される加工制御プログラム９７は、発光量算出部１２、処理制御部１４を含むモジュール構成となっており、これらが主記憶装置上にロードされ、これらが主記憶装置上に生成される。

このように実施形態によれば、発光量算出部が合計発光量を算出し、合計発光量が所定の基準値に到達した場合に、処理制御部がドライエッチング加工を停止させる指示を出力するので、合計発光量に応じたタイミングでドライエッチング加工を停止させることができる。したがって、エッチング量を精度よく制御することが可能となる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１…ドライエッチング装置、２…チャンバ、６，７…高周波電源、８…発光強度測定部、９…加工部、１０…制御装置、１１…入力部、１２…発光量算出部、１３…記憶部、１４…処理制御部、３１Ａ，３１Ｂ…被エッチング膜、３２…マスク、３３…穴部、３４…側壁保護膜、１０１，１０２…発光強度特性、Ｗａ…ウェハ。

Claims (5)

1. 基板に対してプラズマを用いたドライエッチング加工が実行されている間に発生した光の中から所定波長の光を選択し、選択した光の発光強度を前記選択した光の検出された時間で積分した積分値を算出し、前記積分値の合計値を前記基板での合計発光量として算出する発光量算出部と、
   前記合計発光量が所定の基準値に到達した場合に、前記ドライエッチング加工を停止させる指示を出力する処理制御部と、
   を備えることを特徴とする加工制御装置。
2. 前記発光量算出部は、前記基板上でマスクパターンの下層側に配置された被エッチング膜が加工されている間に発生する光を前記所定波長の光として選択する、
   ことを特徴とする請求項１に記載の加工制御装置。
3. 前記発光量算出部は、前記被エッチング膜の種類および前記ドライエッチング加工の際に用いられるガスの種類に応じた波長の光を、前記所定波長の光として選択する、
   ことを特徴とする請求項１に記載の加工制御装置。
4. 基板に対してプラズマを用いたドライエッチング加工が実行されている間に発生した光の中から所定波長の光を選択し、選択した光の発光強度を前記選択した光の検出された時間で積分した積分値を算出し、前記積分値の合計値を前記基板での合計発光量として算出する発光量算出ステップと、
   前記合計発光量が所定の基準値に到達した場合に、前記ドライエッチング加工を停止させる指示を出力する処理制御ステップと、
   をコンピュータに実行させることを特徴とする加工制御プログラム。
5. 基板に対してプラズマを用いたドライエッチング加工が実行されている間に発生した光の中から所定波長の光を選択する選択ステップと、
   選択した光の発光強度を前記選択した光の検出された時間で積分した積分値を算出する積分値算出ステップと、
   前記積分値の合計値を前記基板での合計発光量として算出する合計発光量算出ステップと、
   前記合計発光量が所定の基準値に到達した場合に、前記ドライエッチング加工を停止させる指示を出力する出力ステップと、
   を含むことを特徴とする加工制御方法。

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