JP2016157263A - タッチパネル付液晶表示装置 - Google Patents
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 209
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 76
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 14
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract description 10
- 230000003068 static effect Effects 0.000 abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 9
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 101100136063 Mycobacterium tuberculosis (strain ATCC 25618 / H37Rv) PE11 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100136064 Mycobacterium tuberculosis (strain ATCC 25618 / H37Rv) PE13 gene Proteins 0.000 description 1
- -1 PE12 Proteins 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
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- Liquid Crystal (AREA)
- Position Input By Displaying (AREA)
Abstract
【解決手段】アレイ側基板の一面の複数本のゲート信号線21と、ゲート信号線21と交差する複数本の画像信号線22と、TFT24及び画素電極23を含む画素部と、アレイ側基板と対向するカラーフィルタ側基板と、カラーフィルタ側基板の液晶側の面の第1の容量検出電極線7と、カラーフィルタ側基板の液晶側の面に対向する面の第2の容量検出電極線9と、を有する。第1の容量検出電極線7は、ゲート信号線21及び画像信号線22のいずれかに平面視で重なって画素電極23間に形成される。第2の容量検出電極線9は、透明電極線であるとともに第1の容量検出電極線7よりも大きな幅で平面視で画素電極に重なるように第1の容量検出電極線7と交差する方向に形成される。
【選択図】図2
Description
2 第2の基板としてのカラーフィルタ側基板
3 封止部
4 第1の半導体集積回路素子
5 第2の半導体集積回路素子
6 第1のFPC
7 第1の容量検出電極線
8 第2のFPC
9 第2の容量検出電極線
10 第3のFPC
11 液晶
21 ゲート信号線
22 画像信号線
23 画素電極
24 TFT
Claims (4)
- 第1の基板の一面の第1の方向に形成された複数本のゲート信号線と、前記第1の方向と交差する第2の方向に前記ゲート信号線と交差させて形成された複数本の画像信号線と、前記ゲート信号線と前記画像信号線の交差部に形成された、薄膜トランジスタ及び画素電極を含む画素部と、前記第1の基板の前記一面に液晶を挟んで一面が対向する第2の基板と、前記第2の基板の前記一面に形成された第1の容量検出電極線と、前記第2の基板の前記一面に対向する面に形成された第2の容量検出電極線と、を有する静電容量検出型のタッチパネル付液晶表示装置であって、前記第1の容量検出電極線は、前記ゲート信号線及び前記画像信号線のいずれかに平面視で重なるように前記画素電極間に形成されており、前記第2の容量検出電極線は、透明電極線であるとともに、前記第1の容量検出電極線よりも大きな幅とされて平面視で前記画素電極に重なるように前記第1の容量検出電極線と交差する方向に形成されているタッチパネル付液晶表示装置。
- 前記第2の容量検出電極線は、その幅が前記第1の容量検出電極線の幅の5倍以上である請求項1に記載のタッチパネル付液晶表示装置。
- 前記第1の容量検出電極線は金属線である請求項1または請求項2に記載のタッチパネル付液晶表示装置。
- 前記第1の容量検出電極線は、前記金属線とそれを覆う透明電極線とから成る請求項3に記載のタッチパネル付液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015034423A JP2016157263A (ja) | 2015-02-24 | 2015-02-24 | タッチパネル付液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015034423A JP2016157263A (ja) | 2015-02-24 | 2015-02-24 | タッチパネル付液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016157263A true JP2016157263A (ja) | 2016-09-01 |
Family
ID=56826281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015034423A Pending JP2016157263A (ja) | 2015-02-24 | 2015-02-24 | タッチパネル付液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2016157263A (ja) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171226 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180831 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A711 | Notification of change in applicant |
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