JP2016170936A - 発光素子、電気光学装置、電子機器、及び発光素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】表示に寄与しないコンタクト部を小さくし、表示に寄与する発光部を大きくすること。
【解決手段】反射電極３５と、絶縁膜６１，６２，６３，６４と、絶縁膜６５，６６と、画素電極３１と、発光機能層３２と、対向電極３３と、が積層され、反射電極３５と画素電極３１とを電気的に接続する第２の中継電極４１と、絶縁膜６１，６２，６３，６４を貫くコンタクトホール７５と、絶縁膜６５，６６を貫くコンタクトホール７２と、を含み、第２の中継電極４１は、コンタクトホール７５内及びコンタクトホール７５の周囲の絶縁膜６１，６２，６３，６４上の少なくとも一部に位置し、コンタクトホール７５内に凹部８１を有し、コンタクトホール７２は、第２の中継電極４１上であって、凹部８１と平面視で重ならない場所に位置することを特徴とする。
【選択図】図７

Description

本発明は、発光素子、当該発光素子を備えた電気光学装置、当該電気光学装置を備えた電子機器、並びに当該発光素子の製造方法に関するものである。

電気光学装置の一例として、例えばトランジスターや有機エレクトロルミネッセンス（以降、有機ＥＬと称す）素子を有する画素がマトリックス状に配列された有機ＥＬ装置が提案されている（特許文献１）。

特許文献１に記載の有機ＥＬ装置では、有機ＥＬ素子が発光する発光部と、トランジスターからの信号を有機ＥＬ素子の陽極（画素電極）に供給するコンタクト部とが、各画素に設けられている。コンタクト部では、トランジスターのソースまたはドレインに電気的に接続された中継電極と、絶縁膜と、遮光層（コンタクト電極）と、光学調整層と、画素電極とが順に積層されている。遮光層（コンタクト電極）は、絶縁膜を貫く第１コンタクトホールを介して中継電極に電気的に接続されている。画素電極は、光学調整層を貫く第２コンタクトホールを介して遮光層（コンタクト電極）に電気的に接続されている。第１コンタクトホールは第２コンタクトホールの内側に配置され、第２コンタクトホールが第１コンタクトホールよりも大きくなっている。

第２コンタクトホールを覆うように遮光層（コンタクト電極）を形成することで、有機ＥＬ素子で発せられた光がトランジスターに入射しにくくなり、遮光性が高められている。

特開２０１３−２３８７２５号公報

一方、画素の微細化や高輝度化に伴い、表示に寄与しないコンタクト部（非発光部）を小さくし、発光部を大きくすることが要求されている。
ところが、第１コンタクトホールを第２コンタクトホールの内側に配置する構成では、第２コンタクトホールが大きくなり、コンタクト部を小さくすることが難しい。このため、表示に寄与しないコンタクト部（非発光部）を小さくし、発光部を大きくすることが難しいという課題があった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る発光素子は、反射電極と、絶縁層と、光学調整層と、第１の電極と、発光層と、第２の電極と、が積層され、前記反射電極と前記第１の電極とを電気的に接続するコンタクト電極と、前記絶縁層を貫く第１のコンタクトホールと、前記光学調整層を貫く第２のコンタクトホールと、を含み、前記コンタクト電極は、前記第１のコンタクトホール内及び前記第１のコンタクトホールの周囲の前記絶縁層上の少なくとも一部に位置し、前記第１のコンタクトホール内に凹部を有し、前記第２のコンタクトホールは、前記コンタクト電極上であって、前記凹部と平面視で重ならない場所に位置することを特徴とする。

第２のコンタクトホールは、凹部（第１のコンタクトホール）と平面視で重ならない場所に位置するので、第１のコンタクトホール及び第２のコンタクトホールの両方を小さくすることができる。

例えば、凹部（第１のコンタクトホール）及び第２のコンタクトホールの両方が小さく、凹部と第２のコンタクトホールとが平面視で重なる構成では、凹部と第２のコンタクトホールとが平面視で重なった部分に大きな段差が形成される。さらに、第１の電極を、当該大きな段差を覆うように形成し、コンタクト電極に電気的に接続させる必要がある。ところが、第１の電極が覆う必要がある段差が大きくなると、当該段差において、第１の電極の付き回りが悪くなり、第１の電極に段切れ（断線）等の不具合が生じるおそれがある。

本適用例では、第２のコンタクトホールは、凹部（第１のコンタクトホール）と平面視で重ならない場所に位置するので、第１の電極が覆う必要がある段差が小さくなり、当該段差において第１の電極に段切れ（断線）が生じにくくなる。従って、第１の電極に段切れによってコンタクト電極から第１の電極に信号が供給されず、発光素子が発光しないという不具合（発光素子の不点灯）を抑制することができる。

［適用例２］上記適用例に記載の発光素子において、前記第１の電極は、第１の辺と、前記第１の辺よりも長い第２の辺と、を有し、前記第１のコンタクトホール及び前記第２のコンタクトホールは、前記第１の辺に沿った方向に配置されていることが好ましい。

第１の電極は、第１の辺と、第１の辺よりも長い第２の辺とを有する長方形状を有している。さらに、第１の電極は、コンタクト電極から信号が供給されるコンタクト部と、発光層を発光させる発光部とを有する。
発光部の輝度を高めるためには、発光部を第２の辺に沿った方向に長くなった長方形状とし、発光部の面積が大きくなるように第１のコンタクトホール及び第２のコンタクトホールを配置することが好ましい。

発光部の面積は、発光部の第１の辺に沿った長さと、発光部の第２の辺に沿った長さとの積で決まる。第１のコンタクトホール及び第２のコンタクトホールを第１の辺に沿った方向に配置する場合、第１のコンタクトホール及び第２のコンタクトホールを第２の辺に沿った方向に配置する場合と比べて、コンタクト部の第２の辺に沿った方向の長さが小さくなるので、発光部の第２の辺に沿った方向の長さを大きくし、発光部の面積を大きくすることができる。

さらに、第１のコンタクトホール及び第２のコンタクトホールを第１の辺に沿った方向に配置し、第１のコンタクトホール及び第２のコンタクトホールが共に小さい場合、第１コンタクトホールを第２コンタクトホールの内側に配置し、第２コンタクトホールが第１コンタクトホールよりも大きい場合と比べて、コンタクト部の第２の辺に沿った方向の長さが小さくなるので、発光部の第２の辺に沿った方向の長さを大きくし、発光部の面積を大きくすることができる。
従って、発光部の面積を大きくし、発光部の輝度（発光素子の輝度）を高めるためには、第１のコンタクトホール及び第２のコンタクトホールを第１の辺に沿った方向に配置することが好ましい。

［適用例３］本適用例に係る電気光学装置は、上記適用例に記載の発光素子を備えていることを特徴とする。

本適用例に係る電気光学装置は、発光素子の不点灯が抑制されているので、ドット欠陥の発生が抑制された高品位の表示を提供することができる。さらに、本適用例に係る電気光学装置は、発光素子の輝度が高められているのでて、高輝度の表示を提供することができる。

［適用例４］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする。

本適用例に係る電子機器の表示部に、上記適用例に記載の電気光学装置を適用することで、高品位で高輝度の表示を提供することができる。

［適用例５］本適用例に係る発光素子の製造方法は、反射電極と、絶縁層と、光学調整層と、第１の電極と、発光層と、第２の電極と、が積層され、前記反射電極と前記第１の電極とを電気的に接続するコンタクト電極を含む発光素子の製造方法であって、前記反射電極上に前記絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層を貫く第１のコンタクトホールを形成する工程と、前記第１のコンタクトホール内及び前記第１のコンタクトホールの周囲の前記絶縁層上の少なくとも一部に、コンタクト電極を形成する工程と、前記絶縁層及び前記コンタクト電極上に光学調整層を形成する工程と、前記光学調整層を貫く第２のコンタクトホールを形成する工程と、を含み、前記コンタクト電極を形成する工程では、前記第１のコンタクトホール内に前記コンタクト電極の凹部を形成し、前記第２のコンタクトホールを形成する工程では、前記第２のコンタクトホールが前記コンタクト電極上であって、前記凹部と平面視で重ならない位置に形成することを特徴とする。

第２のコンタクトホールを、凹部（第１のコンタクトホール）と平面視で重ならない位置に形成するので、第１のコンタクトホール及び第２のコンタクトホールの両方を小さくすることができる。さらに、第２のコンタクトホールが凹部と平面視で重なる場合と比べて、第１の電極が覆う必要がある段差が小さくなり、当該段差において第１の電極に段切れ（断線）が生じにくくなる。

実施形態１に係る有機ＥＬ装置の概要を示す概略平面図。 実施形態１に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す図。 画素回路の電気的な構成を示す図。 有機ＥＬ素子の主要な構成要素の状態を示す概略平面図。 （ａ）は、実施形態１に係る赤色の光を発する有機ＥＬ素子の概略平面図、（ｂ）は、比較例１に係る赤色の光を発する有機ＥＬ素子の概略平面図。 図４の線分Ａ−Ａ’に沿った有機ＥＬ素子の発光部の概略断面図。 図４の線分Ｂ−Ｂ’に沿った有機ＥＬ素子のコンタクト部の概略断面図。 比較例２に係る有機ＥＬ素子の主要な構成要素の状態を示す概略平面図。 図８の線分Ｃ−Ｃ’に沿った有機ＥＬ素子のコンタクト部の概略断面図。 比較例３に係る有機ＥＬ素子の主要な構成要素の状態を示す概略平面図。 図１０の線分Ｄ−Ｄ’に沿った有機ＥＬ素子のコンタクト部の概略断面図。 実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示す工程フロー。 図１２に示す主要な工程を経た後の有機ＥＬ素子の状態を示す概略断面図。 図１２に示す主要な工程を経た後の有機ＥＬ素子の状態を示す概略断面図。 図１２に示す主要な工程を経た後の有機ＥＬ素子の状態を示す概略断面図。 実施形態２に係るヘッドマウントディスプレイの構成を示す概略図。

以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせしめてある。

（実施形態１）
「有機エレクトロルミネッセンス装置の概要」
図１は、実施形態１に係る有機ＥＬ装置の概要を示す概略平面図である。図２は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す図である。図３は、画素回路の電気的な構成を示す図である。
まず、図１乃至図３を参照して、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００の概要について説明する。

図１に示すように、有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０と、保護基板７０とを有している。素子基板１０と保護基板７０とは、互いに対向した状態で、図示を省略する接着剤によって接合されている。なお、接着剤には、例えばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などを使用することができる。
なお、有機ＥＬ装置１００は、「電気光学装置」の一例である。

素子基板１０は、赤色（Ｒ）の光を発する有機ＥＬ素子３０Ｒが配置された画素２０Ｒと、緑色（Ｇ）の光を発する有機ＥＬ素子３０Ｇが配置された画素２０Ｇと、青色（Ｂ）光を発する有機ＥＬ素子３０Ｂが配置された画素２０Ｂとがマトリックス状に配列された表示領域Ｅを有している。
なお、有機ＥＬ素子３０Ｒ及び有機ＥＬ素子３０Ｇは、「発光素子」の一例である。

有機ＥＬ装置１００では、画素２０Ｒと画素２０Ｇと画素２０Ｂとが表示単位となってフルカラーの表示が提供される。
以降の説明では、画素２０Ｒと画素２０Ｇと画素２０Ｂとをまとめて画素２０として扱う場合があり、有機ＥＬ素子３０Ｒと有機ＥＬ素子３０Ｇと有機ＥＬ素子３０Ｂとをまとめて有機ＥＬ素子３０として扱う場合がある。

表示領域Ｅには、カラーフィルター層５０が設けられている。カラーフィルター層５０のうち、画素２０Ｒの有機ＥＬ素子３０Ｒの上には赤色のカラーフィルター層５０Ｒが配置され、画素２０Ｇの有機ＥＬ素子３０Ｇの上には緑色のカラーフィルター層５０Ｇが配置され、画素２０Ｂの有機ＥＬ素子３０Ｂの上には青色のカラーフィルター層５０Ｂが配置されている。

本実施形態では、同色の発光が得られる画素２０が一方向に配列し、異なる色の発光が得られる画素２０が当該一方向に対して交差（直交）する方向に配列している。従って、画素２０の配置（配列）は、所謂ストライプ方式となっている。この画素の配置（配列）に応じて、画素２０Ｒ（有機ＥＬ素子３０Ｒ）、画素２０Ｇ（有機ＥＬ素子３０Ｇ）、及び画素２０Ｂ（有機ＥＬ素子３０Ｂ）はそれぞれストライプ状に配置されており、赤色のカラーフィルター層５０Ｒ、緑色のカラーフィルター層５０Ｇ、青色のカラーフィルター層５０Ｂもまたストライプ状に配置されている。なお、画素２０の配置は、ストライプ方式に限定されず、モザイク方式やデルタ方式などであってもよい。

以降の説明では、同色の発光が得られる画素２０が配列された方向をＹ方向とし、Ｙ方向に交差する方向（異なる色の発光が得られる画素２０が配列された方向）をＸ方向とし、素子基板１０から保護基板７０に向かう方向をＺ方向とする。
さらに、図中で各方向を示す矢印の先端側を（＋）とし、基端側を（−）とする。また、Ｚ方向から見ることを平面視と称す。すなわち、本願における平面視とは、Ｚ方向から見た状態をさす。

有機ＥＬ素子３０で発せられた光は、素子基板１０のカラーフィルター層５０を透過して保護基板７０の側から表示光として射出される。すなわち、有機ＥＬ装置１００は、トップエミッション構造を有している。

有機ＥＬ装置１００がトップエミッション構造であることから、素子基板１０の基材には、透明な石英基板やガラス基板などに加えて、セラミック材料や半導体材料などで構成される不透明基板を用いることができる。なお、本実施形態では、素子基板１０の基材はシリコンで構成されている。

表示領域Ｅの外側には、素子基板１０の長辺側の一辺に沿って、複数の外部接続用端子１０３が配列されている。複数の外部接続用端子１０３と表示領域Ｅとの間には、データ線駆動回路１０１が設けられている。素子基板１０の短辺側の二辺と表示領域Ｅとの間には、走査線駆動回路１０２が設けられている。

保護基板７０は、素子基板１０よりも小さく、外部接続用端子１０３が露出されるように素子基板１０と対向して配置されている。外部接続用端子１０３は、フレキシブル配線基板（図示省略）と接続されている。これにより、有機ＥＬ装置１００は、フレキシブル配線基板を介して外部回路（図示省略）と電気的に接続することが可能となっている。

保護基板７０は、透光性の基板であり、石英基板やガラス基板などを使用することができる。保護基板７０は、表示領域Ｅに配置された有機ＥＬ素子３０が傷つかないように保護する役割を有し、表示領域Ｅよりも広く設けられている。

図２に示すように、素子基板１０には、ｍ行の走査線１２がＸ方向に延在して設けられ、ｎ列のデータ線１４がＹ方向に延在して設けられている。また、素子基板１０には、データ線１４に沿って列毎に電源線１９がＹ方向に延在して設けられている。

素子基板１０には、ｍ行の走査線１２とｎ列のデータ線１４との交差部に対応して、画素回路１１０が設けられている。画素回路１１０は、画素２０の一部をなす。すなわち、表示領域Ｅには、ｍ行×ｎ列の画素回路１１０が、マトリックス状に配列されている。

電源線１９には、初期化用のリセット電位Ｖｏｒｓｔが供給（給電）されている。さらに、図示を省略するが、制御信号Ｇｃｍｐ，Ｇｅｌ，Ｇｏｒｓｔを供給する３つの制御線が、走査線１２に並行して設けられている。

走査線１２は、走査線駆動回路１０２に電気的に接続されている。データ線１４は、データ線駆動回路１０１に電気的に接続されている。走査線駆動回路１０２には、走査線駆動回路１０２を制御するための制御信号Ｃｔｒ１が供給されている。データ線駆動回路１０１には、データ線駆動回路１０１を制御するための制御信号Ｃｔｒ２が供給されている。

走査線駆動回路１０２は、フレームの期間にわたって走査線１２を１行毎に走査するための走査信号Ｇｗｒ（１）、Ｇｗｒ（２）、Ｇｗｒ（３）、…、Ｇｗｒ（ｍ− １）、Ｇｗｒ（ｍ）を、制御信号Ｃｔｒ１に従って生成する。さらに、走査線駆動回路１０２は、走査信号Ｇｗｒの他に、制御信号Ｇｃｍｐ，Ｇｅｌ，Ｇｏｒｓｔを制御線に供給する。なお、フレームの期間とは、有機ＥＬ装置１００で１カット（コマ）分の画像が表示される期間であり、例えば同期信号に含まれる垂直同期信号の周波数が１２０Ｈｚであれば、１フレームの期間は約８．３ミリ秒となる。

データ線駆動回路１０１は、走査線駆動回路１０２によって選択された行に位置する画素回路１１０に対し、当該画素回路１１０の階調データに応じた電位のデータ信号Ｖｄ（１）、Ｖｄ（２）、…、Ｖｄ（ｎ）を、１、２、…、ｎ列目のデータ線１４に供給する。

図３に示すように、画素回路１１０は、ＰチャネルＭＯＳ型のトランジスター１２１，１２２，１２３，１２４，１２５と、有機ＥＬ素子３０と、容量２１とを有している。画素回路１１０には、上述した走査信号Ｇｗｒや制御信号Ｇｃｍｐ，Ｇｅｌ，Ｇｏｒｓｔなどが供給される。
なお、画素２０Ｒの画素回路１１０におけるトランジスター１２４，１２５、及び画素２０Ｇの画素回路１１０におけるトランジスター１２４，１２５は、「トランジスター」の一例である。

有機ＥＬ素子３０は、互いに対向する画素電極３１と対向電極３３とで発光機能層３２を挟持した構造を有している。つまり、有機ＥＬ素子３０は、画素電極３１の上に発光機能層３２と対向電極３３とが順に積層された構造を有している。
なお、画素電極３１は「第１の電極」の一例であり、発光機能層３２は「発光層」の一例であり、対向電極３３は「第２の電極」の一例である。

画素電極３１は、発光機能層３２に正孔を供給するアノードであり、光透過性有する導電材料、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜で構成されている。画素電極３１の膜厚は、例えば膜厚２０ｎｍと薄くなっている。画素電極３１は、トランジスター１２４のドレイン及びトランジスター１２５のソース又はドレインの一方に電気的に接続されている。

対向電極３３は、発光機能層３２に電子を供給するカソードであり、例えばマグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）との合金などの光透過性と光反射性とを有する導電材料により形成されている。対向電極３３は、複数の画素２０に跨って設けられた共通電極であり、電源線８に電気的に接続されている。電源線８には、画素回路１１０において電源の低位側となる電位Ｖｃｔが供給されている。

発光機能層３２は、画素電極３１の側から順に積層された正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、及び電子輸送層などを有している。有機ＥＬ素子３０では、画素電極３１から供給される正孔と、対向電極３３から供給される電子とが、発光機能層３２の中で結合することによって、発光機能層３２が発光する。

また、素子基板１０には、各電源線１９に交差して電源線６がＸ方向に延在して設けられている。なお、電源線１９はＹ方向に延在して設けられてもよいし、Ｘ方向及びＹ方向の両方に延在するように設けられてもよい。トランジスター１２１は、ソースが電源線６に電気的に接続され、ドレインがトランジスター１２３のソース又はドレインの他方と、トランジスター１２４のソースとにそれぞれ電気的に接続されている。また、電源線６には、画素回路１１０において電源の高位側となる電位Ｖｅｌが供給されている。また、電源線６には、容量２１の一端が電気的に接続されている。トランジスター１２１は、トランジスター１２１のゲート及びソース間の電圧に応じた電流を流す駆動トランジスターとして機能する。

トランジスター１２２は、ゲートが走査線１２に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方がデータ線１４に電気的に接続されている。また、トランジスター１２２は、ソース又はドレインの他方が、トランジスター１２１のゲートと、容量２１の他端と、トランジスター１２３のソース又はドレインの一方とに、それぞれ電気的に接続されている。トランジスター１２２は、トランジスター１２１のゲートとデータ線１４との間に電気的に接続され、トランジスター１２１のゲートとデータ線１４との間の電気的な接続を制御する書込トランジスターとして機能する。

トランジスター１２３は、ゲートが制御線に電気的に接続され、制御信号Ｇｃｍｐが供給される。トランジスター１２３は、トランジスター１２１のゲート及びドレインの間の電気的な接続を制御する、閾値補償トランジスターとして機能する。

トランジスター１２４は、ゲートが制御線に電気的に接続され、制御信号Ｇｅｌが供給される。トランジスター１２４は、ドレインがトランジスター１２５のソース又はドレインの一方と有機ＥＬ素子３０の画素電極３１とにそれぞれ電気的に接続されている。トランジスター１２４は、トランジスター１２１のドレインと、有機ＥＬ素子３０の画素電極３１との間の電気的な接続を制御する、発光制御トランジスターとして機能する。

なお、有機ＥＬ素子３０の画素電極３１は、第１の中継電極２８を介して、トランジスター１２４のドレイン及びトランジスター１２５のソース又はドレインの一方に電気的に接続されている。

トランジスター１２５は、ゲートが制御線に電気的に接続され、制御信号Ｇｏｒｓｔが供給される。また、トランジスター１２５のソース又はドレインの他方は、電源線１９に電気的に接続され、リセット電位Ｖｏｒｓｔが供給されている。トランジスター１２５は、電源線１９と、有機ＥＬ素子３０の画素電極３１との間の電気的な接続を制御する初期化トランジスターとして機能する。

「有機ＥＬ素子の概要」
次に、有機ＥＬ素子の概要について説明する。
図４は、有機ＥＬ素子の主要な構成要素の状態を示す概略平面図である。図５（ａ）は、本実施形態に係る赤色の光を発する有機ＥＬ素子の概略平面図である。図５（ｂ）は、比較例１に係る赤色の光を発する有機ＥＬ素子の概略平面図である。
なお、図５（ｂ）において、実施形態１と同一の構成部位には同一の符号が附されている。

図４及び図５では、反射電極３５が網掛けで示され、画素電極３１が太い破線で示され、第２の中継電極４１が太い一点鎖線で示され、コンタクトホール７２，７３，７５が細い破線で示され、開口７１が細い実線で示されている。さらに、図５（ａ）では、画素２０の輪郭が二点鎖線で示されている。

図４及び図５（ａ）に示すように、画素２０（画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）は、平面視で長方形状をなし、画素２０の短手方向がＸ方向と平行となるように配置され、画素２０の長手方向がＹ方向と平行となるように配置されている。

画素２０（画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）のそれぞれに、有機ＥＬ素子３０（有機ＥＬ素子３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂ）が設けられている。有機ＥＬ素子３０は、反射電極３５、第２の中継電極４１、画素電極３１、発光機能層３２（図３参照）、対向電極３３（図３参照）などを含む。
なお、有機ＥＬ素子３０Ｒにおける第２の中継電極４１、及び有機ＥＬ素子３０Ｇにおける第２の中継電極４１は、「コンタクト電極」の一例である。

反射電極３５は、画素２０のそれぞれに島状に配置されている。反射電極３５は、平面視で長方形状をなし、Ｙ方向に長くなっている。反射電極３５は、光反射性を有する導電材料で構成され、光反射性を有している。詳しくは、反射電極３５は、アルミニウム（Ａｌ）を主成分とする合金、例えばＡｌとチタン（Ｔｉ）との合金で構成される。反射電極３５の膜厚は、概略１３０ｎｍである。
画素２０の反射電極３５と、隣り合う画素２０の隣り合う反射電極３５との間には、第１の溝７４が形成されている。

第２の中継電極４１は、平面視で反射電極３５及び画素電極３１と重なり、画素２０のＹ（＋）方向側に配置されている。第２の中継電極４１は、画素電極３１と反射電極３５とを電気的に接続するための電極である。第２の中継電極４１は、平面視で長方形状をなし、Ｘ方向に長くなっている。第２の中継電極４１は、例えば窒化チタン（ＴｉＮ）で構成され、第２の中継電極４１の厚みは概略５０ｎｍである。

反射電極３５と第２の中継電極４１との間には、絶縁膜６１，６２，６３，６４（図７参照）が配置されている。そして、絶縁膜６１，６２，６３，６４を貫くコンタクトホール７５が形成されている。さらに、コンタクトホール７５の内側には、後述する凹部８１（図７参照）が形成されている。
なお、有機ＥＬ素子３０Ｒにおけるコンタクトホール７５、及び有機ＥＬ素子３０Ｇにおけるコンタクトホール７５は、「第１のコンタクトホール」の一例である。

画素電極３１は、画素２０のそれぞれに島状に配置され、平面視で反射電極３５に重なり、反射電極３５よりも一回り小さい。画素電極３１は、平面視で長方形状をなし、Ｙ方向に長くなっている。画素電極３１は、Ｘ方向に沿った辺３１Ｘと、Ｙ方向に沿った辺３１Ｙとを有している。
なお、有機ＥＬ素子３０Ｒにおける画素電極３１の辺３１Ｘ、及び有機ＥＬ素子３０Ｇにおける画素電極３１の辺３１Ｘは、「第１の辺」の一例である。有機ＥＬ素子３０Ｒにおける画素電極３１の辺３１Ｙ、及び有機ＥＬ素子３０Ｇにおける画素電極３１の辺３１Ｙは、「第２の辺」の一例である。

有機ＥＬ素子３０Ｒにおいて、第２の中継電極４１と画素電極３１との間には、絶縁膜６５，６６（図７参照）が配置されている。そして、絶縁膜６５，６６を貫くコンタクトホール７２が形成されている。
なお、有機ＥＬ素子３０Ｒにおけるコンタクトホール７２は、「第２のコンタクトホール」の一例である。

有機ＥＬ素子３０Ｇにおいて、第２の中継電極４１と画素電極３１との間には、絶縁膜６６（第６絶縁膜６６）が配置されている。そして、絶縁膜６６を貫くコンタクトホール７３が形成されている。
なお、有機ＥＬ素子３０Ｇにおけるコンタクトホール７３は、「第２のコンタクトホール」の一例である。

つまり、有機ＥＬ素子３０Ｒはコンタクトホール７２とコンタクトホール７５と有し、有機ＥＬ素子３０Ｇはコンタクトホール７３とコンタクトホール７５とを有し、有機ＥＬ素子３０Ｂはコンタクトホール７５だけを有している。
なお、コンタクトホール７２、コンタクトホール７３、及びコンタクトホール７５は、成膜工程、フォトリソ工程、及びエッチング工程などを経て形成されており、これら工程で形成可能な最小寸法（工程限界に相当する小さな寸法）Ｗ１で形成されている。つまり、コンタクトホール７２、コンタクトホール７３、及びコンタクトホール７５は、正方形状をなし、一辺の長さは工程限界に相当する小さな寸法Ｗ１である。

有機ＥＬ素子３０のそれぞれでは、第２の中継電極４１が、コンタクトホール７５を介して反射電極３５に電気的に接続されている。さらに、反射電極３５が、第１の中継電極２８（図３参照）を介して、トランジスター１２４のドレイン及びトランジスター１２５のソース又はドレインの一方に電気的に接続され、画素回路１１０の信号が供給される。
このように、第２の中継電極４１が形成された部分は、画素回路１１０の信号が供給される画素コンタクトを形成し、以降コンタクト部と称す。

画素電極３１の外縁は、保護絶縁膜２９（図６参照）で覆われている。保護絶縁膜２９には、画素電極３１を露出させる開口７１が形成されている。開口７１は、平面視で長方形状をなし、Ｙ方向に長くなっている。

開口７１によって露出された画素電極３１の上に、発光機能層３２（図３参照）と、対向電極３３（図３参照）とが順に積層される。そして、画素電極３１から供給される正孔と、対向電極３３から供給される電子とが、発光機能層３２の中で結合することによって、発光機能層３２が発光する。つまり、開口７１で露出された画素電極３１に接する部分の発光機能層３２が発光し、開口７１が有機ＥＬ素子３０の発光する部分の面積を規定する。

よって、開口７１の面積が大きくなると、有機ＥＬ素子３０の発光面積が広くなり、有機ＥＬ素子３０の発光輝度が高くなり、明るい表示が得られる。より明るい表示を得るためには、開口７１の面積を大きくすることが好ましい。
以降、開口７１が形成された部分を、発光部と称す。

上述したように、コンタクトホール７２、コンタクトホール７３、及びコンタクトホール７５を、工程限界に相当する小さな寸法Ｗ１で形成することによって、コンタクト部の面積を小さくし、発光部の面積を大きくし、より明るい表示を得ることができる。

図４及び図５（ａ）に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ素子３０Ｒは、コンタクトホール７２及びコンタクトホール７５がＸ方向に沿って配置されている。つまり、コンタクトホール７２及びコンタクトホール７５は、画素電極３１の辺３１Ｘに沿った方向に配置されている。

「比較例１」
図５（ｂ）に示すように、比較例１に係る有機ＥＬ素子３０Ｒは、コンタクトホール７２及びコンタクトホール７５がＹ方向に沿って配置されている。つまり、コンタクトホール７２及びコンタクトホール７５は、画素電極３１の辺３１Ｙに沿った方向に配置されている。コンタクトホール７２及びコンタクトホール７５をＹ方向に沿って配置すると、コンタクト部のＹ方向寸法が大きくなり、発光部（開口７１）のＹ方向寸法が小さくなるため、発光部の面積が小さくなる。

よって、コンタクトホール７２及びコンタクトホール７５がＸ方向に沿って配置された本実施形態に係る有機ＥＬ素子３０Ｒ（図５（ａ））は、コンタクトホール７２及びコンタクトホール７５がＹ方向に沿って配置された比較例１に係る有機ＥＬ素子３０Ｒ（図５（ｂ））と比べて、開口７１のＹ方向の寸法が大きくなり、開口７１の面積（発光部の面積）が大きくなり、より明るい表示を得ることができる。

従って、有機ＥＬ素子３０Ｒにおいて、コンタクトホール７２及びコンタクトホール７５をＸ方向に沿って配置すると、コンタクトホール７２及びコンタクトホール７５をＹ方向に沿って配置する場合と比べて、有機ＥＬ素子３０Ｒで発せられる赤色の光の輝度を高めることができる。

換言すれば、有機ＥＬ素子３０Ｒにおいて、画素電極３１が長方形状を有し、画素電極３１に二つのコンタクトホール７２，７５が配置される場合、当該二つのコンタクトホール７２，７５を画素電極３１の短辺（辺３１Ｘ）に沿った方向に配置すると、当該二つのコンタクトホール７２，７５を画素電極３１の長辺（辺３１Ｙ）に沿った方向に配置する場合と比べて、有機ＥＬ素子３０Ｒで発せられる赤色の光の輝度を高めることができる。

有機ＥＬ素子３０Ｇにおいても、有機ＥＬ素子３０Ｒと同様に、コンタクトホール７３及びコンタクトホール７５がＸ方向に沿って配置され、コンタクトホール７３及びコンタクトホール７５がＹ方向に沿って配置される場合と比べて、有機ＥＬ素子３０Ｇで発せられる緑色の光の輝度を高めることができる。

換言すれば、有機ＥＬ素子３０Ｇにおいて、画素電極３１が長方形状を有し、画素電極３１に二つのコンタクトホール７３，７５が配置される場合、当該二つのコンタクトホール７３，７５を画素電極３１の短辺（辺３１Ｘ）に沿った方向に配置すると、当該二つのコンタクトホール７３，７５を画素電極３１の長辺（辺３１Ｙ）に沿った方向に配置する場合と比べて、有機ＥＬ素子３０Ｇで発せられる緑色の光の輝度を高めることができる。

「有機ＥＬ素子の構造」
図６は、図４の線分Ａ−Ａ’に沿った有機ＥＬ素子の発光部の概略断面図である。図７は、図４の線分Ｂ−Ｂ’に沿った有機ＥＬ素子のコンタクト部の概略断面図である。なお、図６及び図７では、上述した発光機能層３２及び対向電極３３の図示が省略されている。

また、図６及び図７において、基板１１は、シリコンで構成された基材に、電源線６，８，１９、走査線１２、データ線１４、制御線、第１の中継電極２８、容量２１、トランジスター１２１，１２２，１２３，１２４，１２５、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２（図２、図３参照）などが形成された半導体基板である。

最初に、図６を参照し、有機ＥＬ素子３０の発光部の構造について説明する。
図６に示すように、基板１１の上には、反射電極３５が有機ＥＬ素子３０のそれぞれに島状に形成されている。反射電極３５は、光反射性を有し、発光機能層３２で発せられた光をＺ（＋）方向に反射する。

反射電極３５の表面を覆うように、第１絶縁膜６１が形成されている。第１絶縁膜６１は、反射電極３５による反射特性を高める役割を有し、光透過性を有する絶縁材料で構成される。第１絶縁膜６１は、例えば膜厚４０ｎｍの酸化シリコン（ＳｉＯ₂）膜で構成される。

詳細は後述するが、反射電極３５及び第１絶縁膜６１は、同じ形状にパターニングされている。その結果、画素２０の反射電極３５及び第１絶縁膜６１と、隣り合う画素２０の反射電極３５及び第１絶縁膜６１との間に、第１の溝７４が形成されている。

第２絶縁膜６２は、第１絶縁膜６１の表面及び第１の溝７４を覆い、複数の画素２０に跨って配置される。第２絶縁膜６２は、光透過性を有する絶縁材料、例えば膜厚４０ｎｍの窒化シリコン（ＳｉＮ）膜で構成される。第２絶縁膜６２は、第１絶縁膜６１が侵されないように、第１絶縁膜６１を保護する役割を有している。

第１の溝７４は第２絶縁膜６２で覆われ、第１の溝７４の形状が反映された第２の溝７７が、第１の溝７４の内側に形成される。第２の溝７７には、埋め込み絶縁膜４０が充填されている（埋め込まれている）。埋め込み絶縁膜４０は、光透過性を有する絶縁材料、例えば酸化シリコン膜で構成されている。そして、埋め込み絶縁膜４０と第２絶縁膜６２とによって、平坦な面が形成される。

埋め込み絶縁膜４０と第２絶縁膜６２とによって形成された平坦な面は、第３絶縁膜６３で覆われている。第３絶縁膜６３は、光透過性を有する絶縁材料、例えば窒化シリコン膜で構成され、埋め込み絶縁膜４０が侵されないように、埋め込み絶縁膜４０を保護する役割を有している。

有機ＥＬ素子３０Ｒの発光部において、反射電極３５の上に、第１絶縁膜６１と、第２絶縁膜６２と、第３絶縁膜６３と、第５絶縁膜６５と、第６絶縁膜６６と、画素電極３１とが順に積層されている。第３絶縁膜６３、第５絶縁膜６５、及び第６絶縁膜６６は、有機ＥＬ素子３０Ｒにおける調整層６８を構成する。

第５絶縁膜６５は、光透過性を有する絶縁材料、例えば酸化シリコン膜で構成されている。表示領域Ｅにおいて、第５絶縁膜６５は、画素２０Ｒに配置され、ストライプ形状をなしている。つまり、第５絶縁膜６５は、Ｙ方向に配列された複数の有機ＥＬ素子３０Ｒに跨って配置されている。

第６絶縁膜６６は、光透過性を有する絶縁材料、例えば酸化シリコン膜で構成されている。表示領域Ｅにおいて、第６絶縁膜６６は、画素２０Ｒ及び２０Ｇに配置され、ストライプ形状をなしている。つまり、第６絶縁膜６６は、Ｙ方向に配列された複数の有機ＥＬ素子３０Ｒ及びＹ方向に配列された複数の有機ＥＬ素子３０Ｇに跨って配置されている。

有機ＥＬ素子３０Ｇの発光部において、反射電極３５の上に、第１絶縁膜６１と、第２絶縁膜６２と、第３絶縁膜６３と、第６絶縁膜６６と、画素電極３１とが順に積層されている。第３絶縁膜６３及び第６絶縁膜６６は、有機ＥＬ素子３０Ｇにおける調整層６８を構成する。

有機ＥＬ素子３０Ｂの発光部において、反射電極３５の上に、第１絶縁膜６１と、第２絶縁膜６２と、第３絶縁膜６３と、画素電極３１とが順に積層されている。第３絶縁膜６３は、有機ＥＬ素子３０Ｂにおける調整層６８を構成する。

画素電極３１の外縁は保護絶縁膜２９で覆われ、保護絶縁膜２９には画素電極３１を露出させる開口７１が形成されている。図示を省略するが、開口７１によって露出された画素電極３１の上に、発光機能層３２（図３参照）と対向電極３３（図３参照）とが順に積層され、発光機能層３２が発光する。

よって、有機ＥＬ素子３０Ｒの発光部は、反射電極３５と、第１絶縁膜６１と、第２絶縁膜６２と、第３絶縁膜６３と、第５絶縁膜６５と、第６絶縁膜６６と、画素電極３１と、発光機能層３２と、対向電極３３とが順に積層された構造を有している。
有機ＥＬ素子３０Ｇの発光部は、反射電極３５と、第１絶縁膜６１と、第２絶縁膜６２と、第３絶縁膜６３と、第６絶縁膜６６と、画素電極３１と、発光機能層３２と、対向電極３３とが順に積層された構造を有している。
有機ＥＬ素子３０Ｂの発光部は、反射電極３５と、第１絶縁膜６１と、第２絶縁膜６２と、第３絶縁膜６３と、画素電極３１と、発光機能層３２と、対向電極３３とが順に積層された構造を有している。

このため、反射電極３５と対向電極３３との間の距離（光学的距離）は、有機ＥＬ素子３０Ｒの発光部、有機ＥＬ素子３０Ｇの発光部、有機ＥＬ素子３０Ｂの発光部の順に小さくなっている。

上述したように、対向電極３３は、光透過性と光反射性とを有し、発光機能層３２で発せられた光を反射する一方の反射層となる。反射電極３５は、光反射性を有し、発光機能層３２で発せられた光を反射する他方の反射層となる。
発光機能層３２で発せられた光は、対向電極３３と反射電極３５との間で繰り返し反射され、対向電極３３と反射電極３５との間の光学的距離に対応する特定波長（共振波長）の光が増幅される。さらに、対向電極３３と反射電極３５との間で共振波長に増幅された光は、対向電極３３からＺ（＋）方向に射出され、カラーフィルター層５０を通過し、表示光となる。

有機ＥＬ素子３０Ｒの発光部では、共振波長（輝度が最大となるピーク波長）が６１０ｎｍとなるように、反射電極３５と対向電極３３との間の光学的距離が設定されている。つまり、共振波長が６１０ｎｍとなるように、調整層６８（第３絶縁膜６３、第５絶縁膜６５、第６絶縁膜６６）の厚さが調整されている。その結果、有機ＥＬ素子３０Ｒの発光部から、６１０ｎｍをピーク波長とする赤色の光がＺ（＋）方向に射出される。さらに、６１０ｎｍをピーク波長とする赤色の光は、赤色のカラーフィルター層５０Ｒを通過し、赤色の光の色純度が高められている。

有機ＥＬ素子３０Ｇの発光部では、共振波長が５４０ｎｍとなるように、反射電極３５と対向電極３３との間の光学的距離が設定されている。つまり、共振波長が５４０ｎｍとなるように、調整層６８（第３絶縁膜６３、第６絶縁膜６６）の厚さが調整されている。その結果、有機ＥＬ素子３０Ｇの発光部から、５４０ｎｍをピーク波長とする緑色の光がＺ（＋）方向に射出される。さらに、５４０ｎｍをピーク波長とする緑色の光は、緑色のカラーフィルター層５０Ｇを通過し、緑色の光の色純度が高められている。

有機ＥＬ素子３０Ｂの発光部では、共振波長が４７０ｎｍとなるように、反射電極３５と対向電極３３との間の光学的距離が設定されている。つまり、共振波長が４７０ｎｍとなるように、調整層６８（第３絶縁膜６３）の厚さが調整されている。その結果、有機ＥＬ素子３０Ｂの発光部から、４７０ｎｍをピーク波長とする青色の光がＺ（＋）方向に射出される。さらに、４７０ｎｍをピーク波長とする青色の光は、青色のカラーフィルター層５０Ｂを通過し、青色の光の色純度が高められている。

次に、図７を参照し、有機ＥＬ素子３０のコンタクト部の構造について説明する。
図７に示すように、基板１１の上には、反射電極３５が、画素２０毎に島状に配置されている。有機ＥＬ素子３０のコンタクト部において、反射電極３５の上に、第１絶縁膜６１と、第２絶縁膜６２と、第３絶縁膜６３と、第４絶縁膜６４と、第２の中継電極４１とが順に積層されている。
なお、第１絶縁膜６１、第２絶縁膜６２、第３絶縁膜６３、及び、第４絶縁膜６４は、「絶縁層」の一例である。

第４絶縁膜６４は、例えば膜厚６５ｎｍの酸化シリコン膜で構成される。詳細は後述するが、第２の中継電極４１からはみ出した第４絶縁膜６４がエッチング除去され、第４絶縁膜６４は、第３絶縁膜６３と第２の中継電極４１との間に配置されている。このため、第４絶縁膜６４は、有機ＥＬ素子３０のコンタクト部に配置され、有機ＥＬ素子３０の発光部に配置されていない。
なお、有機ＥＬ素子３０のコンタクト部は、第４絶縁膜６４を含まない構成であってもよい。

反射電極３５の上には、第１絶縁膜６１と第２絶縁膜６２と第３絶縁膜６３と第４絶縁膜６４とを貫くコンタクトホール７５が形成されている。

コンタクトホール７５内（コンタクトホール７５の内側）、及びコンタクトホール７５の周囲の第４絶縁膜６４の上の少なくとも一部には、第２の中継電極４１が形成されている。
第２の中継電極４１は、コンタクトホール７５を覆うように形成され、コンタクトホール７５内に凹部８１を有している。つまり、コンタクトホール７５の形状が反映された凹部８１が、コンタクトホール７５の内側に形成されている。

第２の中継電極４１において、凹部８１の底面（反射電極３５に接する部分）が第１のコンタクト部４１ａであり、コンタクトホール７５の周囲の第４絶縁膜６４の上の少なくとも一部に形成された部分が第２のコンタクト部４１ｂである。
第２の中継電極４１では、第１のコンタクト部４１ａが反射電極３５に接し、反射電極３５に電気的に接続されている。

有機ＥＬ素子３０Ｒのコンタクト部において、第２の中継電極４１の上には、第５絶縁膜６５と、第６絶縁膜６６と、画素電極３１とが順に積層されている。
なお、第５絶縁膜６５及び第６絶縁膜６６は、有機ＥＬ素子３０Ｒにおける「光学調整層」の一例である。

第２の中継電極４１の第２のコンタクト部４１ｂの上には、第５絶縁膜６５及び第６絶縁膜６６を貫くコンタクトホール７２が形成されている。コンタクトホール７２は、第２の中継電極４１上であって（第２のコンタクト部４１ｂ上に形成され）、凹部８１と平面視で重ならない場所に位置する。

さらに、コンタクトホール７２を覆うように、画素電極３１が形成されている。画素電極３１は、コンタクトホール７２を介して第２のコンタクト部４１ｂに接し、第２の中継電極４１に電気的に接続されている。

よって、有機ＥＬ素子３０Ｒのコンタクト部では、画素電極３１が、コンタクトホール７２と、第２の中継電極４１（第２のコンタクト部４１ｂ、第１のコンタクト部４１ａ）と、コンタクトホール７５とを介して、反射電極３５に電気的に接続されている。つまり、第２の中継電極４１は、画素電極３１と反射電極３５とを電気的に接続するための電極である。

有機ＥＬ素子３０Ｇのコンタクト部において、第２の中継電極４１の上には、第６絶縁膜６６と、画素電極３１とが順に積層されている。
なお、第６絶縁膜６６は、有機ＥＬ素子３０Ｇにおける「光学調整層」の一例である。

第２の中継電極４１の第２のコンタクト部４１ｂの上には、第６絶縁膜６６を貫くコンタクトホール７３が形成されている。コンタクトホール７３は、第２の中継電極４１上であって（第２のコンタクト部４１ｂ上に形成され）、凹部８１と平面視で重ならない場所に位置する。

さらに、コンタクトホール７３を覆うように、画素電極３１が形成されている。画素電極３１は、コンタクトホール７３を介して第２のコンタクト部４１ｂに接し、第２の中継電極４１に電気的に接続されている。

よって、有機ＥＬ素子３０Ｇのコンタクト部では、画素電極３１が、コンタクトホール７３と、第２の中継電極４１（第２のコンタクト部４１ｂ、第１のコンタクト部４１ａ）と、コンタクトホール７５とを介して、反射電極３５に電気的に接続されている。つまり、第２の中継電極４１は、画素電極３１と反射電極３５とを電気的に接続するための電極である。

有機ＥＬ素子３０Ｂのコンタクト部において、画素電極３１は、第２の中継電極４１を覆うように形成されている。つまり、画素電極３１は、第２の中継電極４１に直接接し、第２の中継電極４１に電気的に接続されている。

上述したように、反射電極３５は、第１の中継電極２８（図３参照）を介して、トランジスター１２４のドレイン及びトランジスター１２５のソース又はドレインの一方に電気的に接続され、画素回路１１０の信号が供給される。従って、有機ＥＬ素子３０のコンタクト部において、画素電極３１は、第２の中継電極４１と反射電極３５と第１の中継電極２８とを介して、トランジスター１２４のドレイン及びトランジスター１２５のソース又はドレインの一方に電気的に接続され、画素回路１１０の信号が供給される。

「比較例２」
図８は、図４に対応する図であり、比較例２に係る有機ＥＬ素子の主要な構成要素の状態を示す概略平面図である。図９は、図７に対応する図であり、図８の線分Ｃ−Ｃ’に沿った有機ＥＬ素子のコンタクト部の概略断面図である。
比較例２では、コンタクトホール７２及びコンタクトホール７３の形成位置が、実施形態１と異なる。他の構成は、比較例２と本実施形態とで同じである。
なお、図８及び図９において、実施形態１と同一の構成部位には同一の符号が附されている。

図８に示すように、画素２０Ｒの有機ＥＬ素子３０Ｒでは、コンタクトホール７２が、凹部８１と平面視で重なるように形成されている。画素２０Ｇの有機ＥＬ素子３０Ｇでは、コンタクトホール７３が、凹部８１と平面視で重なるように形成されている。

本実施形態では、有機ＥＬ素子３０Ｒのコンタクト部において、画素電極３１は、コンタクトホール７２で形成された段差（第５絶縁膜６５と第６絶縁膜６６との総厚さに相当する段差）を覆い、第２のコンタクト部４１ｂに接し、第２の中継電極４１に電気的に接続されている（図７参照）。

比較例２では、図９に示すように、有機ＥＬ素子３０Ｒのコンタクト部において、画素電極３１は、コンタクトホール７２で形成される段差（第５絶縁膜６５及び第６絶縁膜６６の総厚さに相当する段差）と、凹部８１で形成される段差（第１絶縁膜６１と第２絶縁膜６２と第３絶縁膜６３との総厚さに相当する段差）とを合計した段差Ｈ１を覆い、第１のコンタクト部４１ａに接し、第２の中継電極４１に電気的に接続される。
よって、有機ＥＬ素子３０Ｒのコンタクト部において、画素電極３１が覆う必要がある段差は、本実施形態と比べて、比較例２の方が大きい。

本実施形態では、有機ＥＬ素子３０Ｇのコンタクト部において、画素電極３１は、コンタクトホール７３で形成された段差（第６絶縁膜６６の厚さに相当する段差）を覆い、第２のコンタクト部４１ｂに接し、第２の中継電極４１に電気的に接続されている（図７参照）。

比較例２では、有機ＥＬ素子３０Ｇのコンタクト部において、画素電極３１は、コンタクトホール７３で形成される段差（第６絶縁膜６６の厚さに相当する段差）と、コンタクトホール７５で形成された段差（第１絶縁膜６１と第２絶縁膜６２と第３絶縁膜６３との総厚さに相当する段差）とを合計した段差Ｈ２を覆い、第２の中継電極４１の第１のコンタクト部４１ａに接し、第２の中継電極４１に電気的に接続される。
よって、有機ＥＬ素子３０Ｇのコンタクト部において、画素電極３１が覆う必要がある段差は、本実施形態と比べて、比較例２の方が大きい。

画素電極３１を構成するＩＴＯ膜は、例えばスパッタ法などの真空成膜法で形成される。スパッタ法などの真空成膜法は、例えばメッキやゾルゲル法などの液相法と比べて、段差部分に膜が形成されにくい。このため、画素電極３１（ＩＴＯ膜）が覆う必要がある段差が大きくなると、段差部分でＩＴＯ膜の付き回りが悪くなり、例えばＩＴＯ膜の断線（段切れ）やＩＴＯ膜の抵抗増などの不具合が生じやすくなる。

例えば、段差部分でＩＴＯ膜の断線（画素電極３１の断線）が生じると、画素回路１１０から画素電極３１に信号が供給されず、有機ＥＬ素子３０が非発光（不点灯）となり、有機ＥＬ装置１００においてドット欠陥が発生する。

例えば、段差部分でＩＴＯ膜の抵抗増が生じると、画素回路１１０から画素電極３１に供給される信号がなまり、有機ＥＬ素子３０から発せられる光の輝度が変化し、有機ＥＬ装置１００においてドットムラ（ドット単位の輝度ムラ）が発生する。

本実施形態は、比較例２と比べて、画素電極３１が覆う必要がある段差が小さく、段差部分でのＩＴＯ膜の断線やＩＴＯ膜の抵抗増などの不具合が生じにくい。従って、本実施形態の構成、すなわち第２の中継電極４１は、コンタクトホール７５内及びコンタクトホール７５の周囲の第４絶縁膜６４上の少なくとも一部に位置し、コンタクトホール７５内に凹部８１を有し、コンタクトホール７２，７３は、第２の中継電極４１上であって、凹部８１と平面視で重ならない場所に位置する構成が好ましい。

「比較例３」
図１０は、図４に対応する図であり、比較例３に係る有機ＥＬ素子の主要な構成要素の状態を示す概略平面図である。図１１は、図７に対応する図であり、図１０の線分Ｄ−Ｄ’に沿った有機ＥＬ素子のコンタクト部の概略断面図である。
比較例３では、コンタクトホール７２及びコンタクトホール７３の形成位置が、実施形態１と異なる。他の構成は、比較例３と本実施形態とで同じである。
なお、図１０及び図１１において、実施形態１と同一の構成部位には同一の符号が附されている。

図１０に示すように、有機ＥＬ素子３０Ｒのコンタクト部において、コンタクトホール７５を囲むように、コンタクトホール７２が形成されている。つまり、コンタクトホール７２の内側に、コンタクトホール７５が形成されている。コンタクトホール７２の寸法はＷ２であり、コンタクトホール７５の寸法Ｗ１よりも大きい。

有機ＥＬ素子３０Ｇのコンタクト部において、コンタクトホール７５を囲むように、コンタクトホール７３が形成されている。つまり、コンタクトホール７３の内側に、コンタクトホール７５が形成されている。コンタクトホール７３の寸法はＷ２であり、コンタクトホール７５の寸法Ｗ１よりも大きい。

図１１に示すように、有機ＥＬ素子３０Ｒのコンタクト部において、コンタクトホール７２は、第１のコンタクト部４１ａ及び第２のコンタクト部４１ｂの両方を露出させるように形成されている。画素電極３１は、第１のコンタクト部４１ａ及び第２のコンタクト部４１ｂの両方に接し、第２の中継電極４１に電気的に接続される。

有機ＥＬ素子３０Ｇのコンタクト部において、コンタクトホール７３は、第１のコンタクト部４１ａ及び第２のコンタクト部４１ｂの両方を露出させるように形成されている。画素電極３１は、第１のコンタクト部４１ａ及び第２のコンタクト部４１ｂの両方に接し、第２の中継電極４１に電気的に接続される。

比較例３は、本実施形態と同様に、画素電極３１が第２のコンタクト部４１ｂに接する構成を有しているので、画素電極３１と第２の中継電極４１とを良好に電気的に接続させることができる。

ところが、比較例３のコンタクトホール７２の寸法及びコンタクトホール７３の寸法はＷ２であり、本実施形態のコンタクトホール７２の寸法及びコンタクトホール７３の寸法はＷ１であり、比較例３は、本実施形態と比べて、コンタクトホール７２の寸法及びコンタクトホール７３の寸法が大きい。従って、比較例３は、本実施形態と比べて、コンタクト部の面積が大きくなり、発光部（開口７１）の面積が小さくなるため、暗い表示になる。

従って、本実施形態の構成、すなわちコンタクトホール７２，７３，７５が工程限界に相当する小さな寸法Ｗ１で形成され、第２の中継電極４１は、コンタクトホール７５内及びコンタクトホール７５の周囲の第４絶縁膜６４上の少なくとも一部に位置し、コンタクトホール７５内に凹部８１を有し、コンタクトホール７２，７３は、第２の中継電極４１上であって、凹部８１と平面視で重ならない場所に位置するという構成が好ましい。

「有機ＥＬ素子の製造方法」
図１２は、本実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示す工程フローである。図１３乃至図１５は、図７に対応する図であり、図１２に示す工程フローの主要な工程を経た後の有機ＥＬ素子の状態を示す概略断面図である。
以下、図１２乃至図１５を参照し、本実施形態に係る有機ＥＬ素子３０の製造方法を説明する。

図１２に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ素子３０の製造方法は、反射電極３５及び第１絶縁膜６１を形成する工程（ステップＳ１）と、第２絶縁膜６２を形成する工程（ステップＳ２）と、埋め込み絶縁膜４０を形成する工程(ステップＳ３)と、第３絶縁膜６３を形成する工程(ステップＳ４)と、第４絶縁膜６４を形成する工程（ステップＳ５）と、コンタクトホール７５を形成する工程（ステップＳ６）と、第２の中継電極４１を形成する工程（ステップＳ７）と、第５絶縁膜６５を形成する工程(ステップＳ８)と、コンタクトホール７２を形成する工程（ステップＳ９）と、第６絶縁膜６６を形成する工程（ステップＳ１０）と、コンタクトホール７２，７３を形成する工程(ステップＳ１１)と、画素電極３１を形成する工程（ステップＳ１２）と、を含む。

なお、ステップＳ１，Ｓ２，Ｓ４，Ｓ５は、「反射電極上に絶縁層を形成する工程」の一例である。ステップＳ６は、「第１のコンタクトホールを形成する工程」の一例である。ステップＳ７は、「コンタクト電極を形成する工程」の一例である。ステップＳ８、Ｓ１０は、有機ＥＬ素子３０Ｒにおける「光学調整層を形成する工程」の一例である。ステップＳ１０は、有機ＥＬ素子３０Ｇにおける「光学調整層を形成する工程」の一例である。ステップＳ９，Ｓ１１は、有機ＥＬ素子３０Ｒにおける「第２のコンタクトホールを形成する工程」の一例である。ステップＳ１１は、有機ＥＬ素子３０Ｇにおける「第２のコンタクトホールを形成する工程」の一例である。

ステップＳ１では、図１３（ａ）に示すように、例えばスパッタ法を用いてＡｌとＴｉとからなるＡｌ合金を基板１１の上に堆積した後、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて酸化シリコン膜を堆積する。続いて、例えばドライエッチング法を用いて、酸化シリコン膜とＡｌ合金とを連続的にエッチングし、基板１１の上にＡｌ合金からなる反射電極３５と、酸化シリコン膜からなる第１絶縁膜６１とを順に形成する。

反射電極３５及び第１絶縁膜６１は、同じ形状にパターニングされ、画素２０Ｒ（有機ＥＬ素子３０Ｒ）、画素２０Ｇ（有機ＥＬ素子３０Ｇ）、及び画素２０Ｂ（有機ＥＬ素子３０Ｂ）のそれぞれに島状に形成される。さらに、画素２０の反射電極３５及び第１絶縁膜６１と、隣り合う画素２０の反射電極３５及び第１絶縁膜６１との間に、第１の溝７４が形成される。

ステップＳ２では、図１３（ｂ）に示すように、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて窒化シリコン膜を堆積し、窒化シリコン膜からなる第２絶縁膜６２を形成する。第２絶縁膜６２は、第１絶縁膜６１の表面、及び第１の溝７４を覆うように形成される。第１の溝７４を覆う第２絶縁膜６２によって、第１の溝７４の形状が反映された第２の溝７７が、第１の溝７４の内側に形成される。

ステップＳ３では、図１３（ｃ）に示すように、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて酸化シリコン膜を堆積する。第２の溝７７の中に酸化シリコン膜が充填される（埋め込まれる）ように、第２の溝７７の深さよりよりも厚い酸化シリコン膜を堆積する。酸化シリコン膜は、第２絶縁膜６２の表面及び第２の溝７７を覆うように形成される。続いて、酸化シリコン膜に、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）による平坦化処理を施し、第２の溝７７の中に埋め込み絶縁膜４０を形成する（埋め込む）。さらに、埋め込み絶縁膜４０と第２絶縁膜６２とによって、平坦な面が形成される。

なお、例えばドライエッチング法を用いて、酸化シリコン膜にＺ（−）方向の異方性エッチングを施し、第２の溝７７の中に埋め込み絶縁膜４０を形成し、埋め込み絶縁膜４０と第２絶縁膜６２とによる平坦な面を形成してもよい。つまり、ドライエッチング法によって平坦化処理を施してもよい。

ステップＳ４では、図１３（ｄ）に示すように、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて窒化シリコン膜を堆積し、第２絶縁膜６２の表面及び埋め込み絶縁膜４０の表面を覆う第３絶縁膜６３を形成する。

ステップＳ５では、図１４（ａ）に示すように、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて酸化シリコン膜を堆積し、第３絶縁膜６３の表面を覆う第４絶縁膜６４を形成する。

ステップＳ６では、図１４（ｂ）に示すように、例えばドライエッチング法を用いて第１絶縁膜６１と第２絶縁膜６２と第３絶縁膜６３と第４絶縁膜６４とをエッチングし、第１絶縁膜６１と第２絶縁膜６２と第３絶縁膜６３と第４絶縁膜６４とを貫き、反射電極３５に至るコンタクトホール７５を、画素２０Ｒ（有機ＥＬ素子３０Ｒ）、画素２０Ｇ（有機ＥＬ素子３０Ｇ）、及び画素２０Ｂ（有機ＥＬ素子３０Ｂ）のそれぞれに形成する。

ステップＳ７では、例えばスパッタ法を用いてＴｉＮ膜を堆積し、続いて例えばドライエッチング法を用いてＴｉＮ膜をパターニングし、画素２０Ｒ（有機ＥＬ素子３０Ｒ）、画素２０Ｇ（有機ＥＬ素子３０Ｇ）、及び画素２０Ｂ（有機ＥＬ素子３０Ｂ）のそれぞれに第２の中継電極４１を形成する。

第４絶縁膜６４は、ＴｉＮ膜をパターニングする際に第３絶縁膜６３が侵されないように、第３絶縁膜６３を保護する。さらに、第２の中継電極４１と第３絶縁膜６３との間に第４絶縁膜６４が配置されるように、例えばドライエッチング法を用いて、第２の中継電極４１から張り出した第４絶縁膜６４をエッチング除去する。

その結果、図１４（ｃ）に示すように、コンタクトホール７５及びコンタクトホール７５の周囲の第４絶縁膜６４上の少なくとも一部を覆う第２の中継電極４１が形成される。さらに、コンタクトホール７５を覆う第２の中継電極４１によって、コンタクトホール７５の形状が反映された凹部８１が、コンタクトホール７５の内側に形成される。
換言すれば、ステップＳ７は、コンタクトホール７５内に第２の中継電極４１の凹部８１を形成する工程である。

ステップＳ８では、図１４（ｄ）に示すように、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて酸化シリコン膜を堆積し、第３絶縁膜６３の表面及び第２の中継電極４１の表面を覆う第５絶縁膜６５を形成する。

ステップＳ９では、図１５（ａ）に示すように、例えばドライエッチング法を用いて第５絶縁膜６５をパターニングし、Ｙ方向に配列された有機ＥＬ素子３０Ｒに跨る第５絶縁膜６５を形成する。同時に、有機ＥＬ素子３０Ｒの第２の中継電極４１を露出するコンタクトホール７２を形成する。つまり、ステップＳ９では、有機ＥＬ素子３０Ｒのそれぞれに、第５絶縁膜６５を貫き第２の中継電極４１に至るコンタクトホール７２を形成する。

ステップＳ１０では、図１５（ｂ）に示すように、例えばプラズマＣＶＤ法を用いて酸化シリコン膜を堆積し、第５絶縁膜６５の表面と第３絶縁膜６３の表面と第２の中継電極４１の表面とを覆う第６絶縁膜６６を形成する。

ステップＳ１１では、図１５（ｃ）に示すように、例えばドライエッチング法を用いてＹ方向に配列された有機ＥＬ素子３０Ｂの第６絶縁膜６６をエッチング除去し、Ｙ方向に配列された有機ＥＬ素子３０Ｒ及びＹ方向に配列された有機ＥＬ素子３０Ｇに跨る第６絶縁膜６６を形成する。
同時に、有機ＥＬ素子３０Ｒの第２の中継電極４１を露出するコンタクトホール７２と、有機ＥＬ素子３０Ｇの第２の中継電極４１を露出するコンタクトホール７３とを形成する。

ステップＳ１１では、有機ＥＬ素子３０Ｒにおいて、ステップＳ９で形成された第５絶縁膜６５を貫くコンタクトホール７２と同じ位置に、第６絶縁膜６６を貫くコンタクトホール７２を形成する。すなわち、ステップＳ９及びステップＳ１１によって、有機ＥＬ素子３０Ｒにおいて、第５絶縁膜６５及び第６絶縁膜６６を貫き、第２の中継電極４１を露出するコンタクトホール７２を、第２の中継電極４１上であって、凹部８１と平面視で重ならない位置に形成する。
よって、ステップＳ９及びステップＳ１１は、凹部８１と平面視で重ならない位置に、コンタクトホール７２を有機ＥＬ素子３０Ｒに形成する工程である。

さらに、ステップＳ１１では、有機ＥＬ素子３０Ｇにおいて、コンタクトホール７５の周囲の少なくとも一部に配置される第２の中継電極４１を露出するコンタクトホール７３を、第２の中継電極４１上であって、凹部８１と平面視で重ならない位置に形成する。
よって、ステップＳ１１は、凹部８１と平面視で重ならない位置に、コンタクトホール７３を有機ＥＬ素子３０Ｇに形成する工程である。

ステップＳ１２では、図１５（ｄ）に示すように、例えばスパッタ法を用いてＩＴＯ膜を堆積し、続いて例えばドライエッチング法を用いてＩＴＯ膜をパターニングし、画素２０Ｒ（有機ＥＬ素子３０Ｒ）、画素２０Ｇ（有機ＥＬ素子３０Ｇ）、及び画素２０Ｂ（有機ＥＬ素子３０Ｂ）のそれぞれに画素電極３１を形成する。

有機ＥＬ素子３０Ｒでは、画素電極３１は、コンタクトホール７２を介して第２の中継電極４１に電気的に接続される。コンタクトホール７２は第２の中継電極４１上であって、凹部８１と平面視で重ならない場所に位置するので、コンタクトホール７２が凹部８１と平面視で重なる場合と比べて、画素電極３１が覆う必要がある段差が小さくなり、段差部分における画素電極３１の断線や抵抗増などの不具合が生じにくく、画素電極３１と第２の中継電極４１とを安定して電気的に接続させることができる。

有機ＥＬ素子３０Ｇでは、画素電極３１は、コンタクトホール７３を介して第２の中継電極４１に電気的に接続される。コンタクトホール７３は第２の中継電極４１上であって、凹部８１と平面視で重ならない場所に位置するので、コンタクトホール７３が凹部８１と平面視で重なる場合と比べて、画素電極３１が覆う必要がある段差が小さくなり、段差部分における画素電極３１の断線や抵抗増などの不具合が生じにくく、画素電極３１と第２の中継電極４１とを安定して電気的に接続させることができる。

有機ＥＬ素子３０Ｂでは、画素電極３１は、第２の中継電極４１を覆うように形成されている。つまり、画素電極３１は、第２の中継電極４１に直接接し、第２の中継電極４１に安定して電気的に接続される。

以上述べたように、有機ＥＬ装置１００は、段差部分における画素電極３１の断線や抵抗増などの不具合が生じにくく、有機ＥＬ素子３０の点欠陥やドットムラ（ドット単位の輝度ムラ）が生じにくく、高品位の表示を提供することができる。さらに、有機ＥＬ装置１００は、有機ＥＬ素子３０の発光部の面積が大きくなり、有機ＥＬ素子３０で発せられる光の輝度が高くなり、高輝度の表示を提供することができる。

（実施形態２）
図１６は、実施形態２に係るヘッドマウントディスプレイの構成を示す概略図である。
図１６に示すように、ヘッドマウントディスプレイ１０００は、「電子機器」の一例であり、左右の目に対応して設けられた２つの表示部１００１を有している。観察者Ｍはヘッドマウントディスプレイ１０００を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部１００１に表示された文字や画像などを見ることができる。例えば、左右の表示部１００１に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。

表示部１００１には、上述した有機ＥＬ装置１００が用いられている。有機ＥＬ装置１００では、高品位で高輝度の表示を提供することができる。従って、表示部１００１に有機ＥＬ装置１００を搭載することで、高品位で高輝度の表示のヘッドマウントディスプレイ１０００を提供することができる。

なお、本発明は、上記実施形態のものに必ずしも限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
具体的には、本発明を適用した電気光学装置としては、上述した発光素子としての有機ＥＬ素子３０を備えた有機ＥＬ装置１００に限定されず、例えば無機ＥＬ素子やＬＥＤなどの自発光型の発光素子備えた電気光学装置に対して本発明を幅広く適用することが可能である。

また、本発明を適用した電子機器としては、上述したヘッドマウントディスプレイ１０００に限らず、例えば、ヘッドアップディスプレイや、デジタルカメラの電子ビューファインダー、携帯型情報端末、ナビゲーターなどの表示部に、本発明を適用した電気光学装置を用いた電子機器を挙げることができる。

１０…素子基板、１１…基板、１２…走査線、１４…データ線、６，８，１９…電源線、２０，２０Ｂ，２０Ｇ，２０Ｒ…画素、２１…容量、２８…第１の中継電極、２９…保護絶縁膜、３０，３０Ｂ，３０Ｇ，３０Ｒ…有機ＥＬ素子、３１…画素電極、３２…発光機能層、３３…対向電極、３５…反射電極、４０…埋め込み絶縁膜、４１…第２の中継電極、４１ａ…第１のコンタクト部、４１ｂ…第２のコンタクト部、５０，５０Ｂ，５０Ｇ，５０Ｒ…カラーフィルター層、６１…第１絶縁膜、６２…第２絶縁膜、６３…第３絶縁膜、６４…第４絶縁膜、６５…第５絶縁膜、６６…第６絶縁膜、６８…調整層、７０…保護基板、７１…開口、７２…コンタクトホール、７３…コンタクトホール、７４…第１の溝、７５…コンタクトホール、７７…第２の溝、８１…凹部、１００…有機ＥＬ装置、１０１…データ線駆動回路、１０２…走査線駆動回路、１０３…外部接続用端子、１１０…画素回路。

Claims (5)

1. 反射電極と、絶縁層と、光学調整層と、第１の電極と、発光層と、第２の電極と、が積層され、
   前記反射電極と前記第１の電極とを電気的に接続するコンタクト電極と、
   前記絶縁層を貫く第１のコンタクトホールと、
   前記光学調整層を貫く第２のコンタクトホールと、
   を含み、
   前記コンタクト電極は、前記第１のコンタクトホール内及び前記第１のコンタクトホールの周囲の前記絶縁層上の少なくとも一部に位置し、前記第１のコンタクトホール内に凹部を有し、
   前記第２のコンタクトホールは、前記コンタクト電極上であって、前記凹部と平面視で重ならない場所に位置することを特徴とする発光素子。
2. 前記第１の電極は、第１の辺と、前記第１の辺よりも長い第２の辺と、を有し、
   前記第１のコンタクトホール及び前記第２のコンタクトホールは、前記第１の辺に沿った方向に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
3. 請求項１または２に記載の発光素子を備えていることを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項３に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
5. 反射電極と、絶縁層と、光学調整層と、第１の電極と、発光層と、第２の電極と、が積層され、前記反射電極と前記第１の電極とを電気的に接続するコンタクト電極を含む発光素子の製造方法であって、
   前記反射電極上に前記絶縁層を形成する工程と、
   前記絶縁層を貫く第１のコンタクトホールを形成する工程と、
   前記第１のコンタクトホール内及び前記第１のコンタクトホールの周囲の前記絶縁層上の少なくとも一部に、コンタクト電極を形成する工程と、
   前記絶縁層及び前記コンタクト電極上に光学調整層を形成する工程と、
   前記光学調整層を貫く第２のコンタクトホールを形成する工程と、
   を含み、
   前記コンタクト電極を形成する工程では、前記第１のコンタクトホール内に前記コンタクト電極の凹部を形成し、
   前記第２のコンタクトホールを形成する工程では、前記第２のコンタクトホールが前記コンタクト電極上であって前記凹部と平面視で重ならない位置に形成することを特徴とする発光素子の製造方法。

Images