JP2016199436A - 気相成長方法 - Google Patents

気相成長方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2016199436A
JP2016199436A JP2015081146A JP2015081146A JP2016199436A JP 2016199436 A JP2016199436 A JP 2016199436A JP 2015081146 A JP2015081146 A JP 2015081146A JP 2015081146 A JP2015081146 A JP 2015081146A JP 2016199436 A JP2016199436 A JP 2016199436A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nitride film
gallium nitride
aluminum
film
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015081146A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6480244B2 (ja
Inventor
英志 高橋
Hideshi Takahashi
英志 高橋
佐藤　裕輔
Yusuke Sato
裕輔 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nuflare Technology Inc
Original Assignee
Nuflare Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nuflare Technology Inc filed Critical Nuflare Technology Inc
Priority to JP2015081146A priority Critical patent/JP6480244B2/ja
Priority to TW105109146A priority patent/TWI579395B/zh
Priority to KR1020160042101A priority patent/KR20160121424A/ko
Priority to CN201610218148.1A priority patent/CN106057658B/zh
Publication of JP2016199436A publication Critical patent/JP2016199436A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6480244B2 publication Critical patent/JP6480244B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6326—Deposition processes
    • H10P14/6349—Deposition of epitaxial materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/34—Deposited materials, e.g. layers
    • H10P14/3402—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition
    • H10P14/3414—Deposited materials, e.g. layers characterised by the chemical composition being group IIIA-VIA materials
    • H10P14/3416—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/24—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using chemical vapour deposition [CVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
    • H10P14/27—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials using selective deposition, e.g. simultaneous growth of monocrystalline and non-monocrystalline semiconductor materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
    • H10P14/60—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials
    • H10P14/63—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of insulating materials characterised by the formation processes
    • H10P14/6326—Deposition processes
    • H10P14/6328—Deposition from the gas or vapour phase
    • H10P14/6334—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H10P14/6339—Deposition from the gas or vapour phase using decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE or pulsed CVD

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

【目的】シリコン基板上に窒化ガリウムを形成する際のクラックの発生を抑制する気相成長方法を提供する。【構成】実施形態の気相成長方法は、シリコン基板上に単結晶の窒化アルミニウム膜を形成し、窒化アルミニウム上に単結晶の窒化アルミニウムガリウム膜を形成し、窒化アルミニウムガリウム上膜に単結晶の第１の窒化ガリウム膜を形成し、第１の窒化ガリウム膜上に、第１の窒化ガリウム膜の形成よりも高い温度且つ高い成長速度で単結晶の第２の窒化ガリウム膜を形成する。【選択図】図１

Description

本発明は、シリコン基板上に窒化ガリウムを形成する気相成長方法に関する。
高品質な半導体膜を成膜する方法として、ウェハ等の基板に気相成長により単結晶膜を成長させるエピタキシャル成長技術がある。エピタキシャル成長では、ウェハを加熱しながら、成膜の原料となるソースガス等のプロセスガスをウェハ表面に供給する。ウェハ表面ではソースガスの熱反応等が生じ、ウェハ表面にエピタキシャル単結晶膜が成膜される。
近年、発光デバイスやパワーデバイスの材料として、窒化ガリウム（ＧａＮ）系の半導体デバイスが注目されている。ＧａＮ系の半導体膜を成膜するエピタキシャル成長技術として、有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）がある。
例えば、シリコン（Ｓｉ）基板上に窒化ガリウム膜を形成する場合、窒化ガリウム膜の膜厚が厚くなると、シリコンと窒化ガリウムの熱膨張係数等の違いに起因して窒化ガリウム膜にクラックが発生するという問題がある。特許文献１には、この問題を解決するために、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）のバッファ層をシリコン基板上に形成した後、第１の圧力で第１の窒化ガリウムを形成し、第１の圧力よりも低い第２の圧力で窒化ガリウムを形成する方法が記載されている。
特開２００６−１２８６２６号公報
本発明が解決しようとする課題は、シリコン基板上に窒化ガリウムを形成する際のクラックの発生を抑制する気相成長方法を提供することである。
本発明の一態様の気相成長方法は、シリコン基板上に単結晶の窒化アルミニウム膜を形成し、前記窒化アルミニウム膜上に単結晶の窒化アルミニウムガリウム膜を形成し、前記窒化アルミニウムガリウム膜上に単結晶の第１の窒化ガリウム膜を形成し、前記第１の窒化ガリウム膜上に、前記第１の窒化ガリウム膜の形成よりも高い温度且つ高い成長速度で単結晶の第２の窒化ガリウムを形成する。
上記態様の気相成長方法において、前記第１の窒化ガリウム膜を島状に形成し、前記第１の窒化ガリウム膜の高さの平均を１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすることが望ましい。
上記態様の気相成長方法において、前記第１の窒化ガリウム膜形成時のＶ／ＩＩＩ比が前記第２の窒化ガリウム膜形成時のＶ／ＩＩＩ比より大きいことが望ましい。
上記態様の気相成長方法において、前記第１の窒化ガリウム膜形成時の成長速度が３μｍ／ｈｏｕｒ以下であることが望ましい。
上記態様の気相成長方法において、前記第１の窒化ガリウム膜形成時の温度が９５０℃以上１０５０℃未満であり、前記第２の窒化ガリウム膜形成時の温度が１０００℃以上１１００℃未満であることが望ましい。
本発明によれば、シリコン基板上に窒化ガリウム膜を形成する際のクラックの発生を抑制する気相成長方法を提供することが可能となる。
実施形態の気相成長方法のプロセスフロー図。 実施形態の気相成長方法を示す模式断面図。 実施形態の気相成長方法を示す模式断面図。 実施形態の気相成長方法を示す模式断面図。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
実施形態の気相成長方法は、シリコン基板上に単結晶の窒化アルミニウム膜を形成し、窒化アルミニウム膜上に単結晶の窒化アルミニウムガリウム膜を形成し、窒化アルミニウム膜上に単結晶の第１の窒化ガリウム膜を形成し、第１の窒化ガリウム膜上に、第１の窒化ガリウムの形成よりも高い温度且つ高い成長速度で単結晶の第２の窒化ガリウム膜を形成する。
図１は、実施形態の気相成長方法のプロセスフロー図である。また、図２−図４は、実施形態の気相成長方法を示す模式断面図である。
本実施形態の気相成長方法は、シリコン（Ｓｉ）基板準備ステップ（Ｓ１００）、窒化アルミニウム膜（ＡｌＮ）形成ステップ（Ｓ１１０）、窒化アルミニウムガリウム膜（ＡｌＧａＮ）形成ステップ（Ｓ１２０）、第１の窒化ガリウム膜（ＧａＮ）形成ステップ（Ｓ１３０）、第２の窒化ガリウム膜（ＧａＮ）形成ステップ（Ｓ１４０）を備えている。本実施形態では、ＭＯＣＶＤ法により成膜が行われる。
まず、例えば、水素（Ｈ２）中で、１１００℃でベークし、自然酸化膜を除去した（１１１）面の単結晶のシリコン基板１０を準備する（Ｓ１００）。シリコン基板１０の厚さは、例えば、３００μｍ以上１５００μｍ以下である。
次に、シリコン基板１０上に単結晶の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）膜１２を形成する（Ｓ１１０）。窒化アルミニウム膜１２は、シリコン基板１０上にエピタキシャル成長させる。
窒化アルミニウム膜１２は、シリコン基板１０を加熱し、例えば、水素（Ｈ２）で希釈されたトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）と、水素（Ｈ２）で希釈されたアンモニア（ＮＨ３）をソースガスとして供給することにより成長させる。ＴＭＡはアルミニウム（Ａｌ）のソースガスであり、アンモニアは窒素（Ｎ）のソースガスである。
窒化アルミニウム膜１２の成長温度は、例えば、１０００℃以上１２００℃以下とする。窒化アルミニウム膜１２の結晶性を向上させる観点から、成長温度は１０００℃以上であることが望ましい。窒化アルミニウム膜１２の膜厚は、例えば、２００ｎｍ以上３００ｎｍ以下とする。
窒化アルミニウム膜１２は、シリコン基板１０上にガリウム（Ｇａ）を含む単結晶膜をエピタキシャル成長させる際に、シリコンとガリウムとの反応が生じ、ガリウムを含む単結晶膜の膜質が劣化することや、シリコン基板がメルトバックすることを抑制する。また、シリコンと、ガリウムを含む単結晶膜との格子不整合を緩和するバッファ層として機能する。
次に、窒化アルミニウム膜１２上に、単結晶の窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＸＧａ（１−Ｘ）Ｎ、ただし０＜Ｘ＜１）膜１４を形成する（Ｓ１２０、図２）。窒化アルミニウムガリウム膜１４は、窒化アルミニウム膜１２上にエピタキシャル成長させる
窒化アルミニウムガリウム膜１４は、シリコン基板１０を加熱し、例えば、水素（Ｈ２）で希釈されたトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）とトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、水素（Ｈ２）で希釈されたアンモニア（ＮＨ３）をソースガスとして供給することにより成長させる。ＴＭＡはアルミニウム（Ａｌ）のソースガスであり、ＴＭＧはガリウム（Ｇａ）のソースガスであり、アンモニアは窒素（Ｎ）のソースガスである。
窒化アルミニウムガリウム膜１４の成長温度は、例えば、１０００℃以上１２００℃以下とする。窒化アルミニウムガリウム膜１４の膜厚は、例えば、１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とする。
窒化アルミニウムガリウム膜１４は、窒化アルミニウム膜１２と、窒化アルミニウムガリウム膜１４の上層に形成される単結晶ガリウム膜との格子不整合を緩和するバッファ層として機能する。格子不整合を緩和する観点から、窒化アルミニウムガリウム膜１４中のアルミニウム含有量を、窒化アルミニウムガリウム膜１４から窒化アルミニウムガリウム膜１４の上層に形成される単結晶ガリウム膜に向かう方向に低減させることが望ましい。また、窒化アルミニウムガリウム膜１４は、窒化アルミニウム膜１２から伸びる転位の向きを曲げて、転位が上層に形成される単結晶ガリウム膜に伸びることを抑制する機能を備える。
次に、窒化アルミニウムガリウム膜１４上に単結晶の第１の窒化ガリウム（ＧａＮ）膜１６を形成する（Ｓ１３０、図３）。第１の窒化ガリウム膜１６は、窒化アルミニウムガリウム膜１４上に島状にエピタキシャル成長させた島状膜である。
第１の窒化ガリウム膜１６は、シリコン基板１０を加熱し、例えば、水素（Ｈ２）で希釈されたトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、水素（Ｈ２）で希釈されたアンモニア（ＮＨ３）をソースガスとして供給することにより成長させる。ＴＭＧはガリウム（Ｇａ）のソースガスであり、アンモニアは窒素（Ｎ）のソースガスである。
その際、島状の第１の窒化ガリウム膜１６の高さ（図３中のｈ）の平均を例えば１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、幅（図３中のｗ）の平均を１０ｎｍ以上５０ｎｍとする。第１の窒化ガリウム膜１６の高さは、例えば、第１の窒化ガリウム膜１６成長後の断面をＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で観察することで求めることが可能である。
そして、第１の窒化ガリウム膜１６形成時のＶ／ＩＩＩ比を、例えば１０００以上とする。ここで、Ｖ／ＩＩＩ比とは、窒化ガリウムをエピタキシャル成長する際のガリウム（ＩＩＩ族元素）のソースガスであるＴＭＧと、窒素（Ｖ族元素）のソースガスであるアンモニアの流量比である。各ソースガスの流量単位は、μｍｏｌ／ｍｉｎである。
また、第１の窒化ガリウム膜１６形成時の成長速度を、例えば３μｍ／ｈｏｕｒ以下、温度を、例えば９５０℃以上１０５０℃未満、圧力を、例えば２０ｋＰａ以上３５ｋＰａ以下とする。
次に、島状の第１の窒化ガリウム膜１６上に第１の窒化ガリウム膜１６の形成よりも、高い温度且つ高い成長速度で単結晶の第２の窒化ガリウム（ＧａＮ）膜１８を形成する（Ｓ１４０、図４）。第２の窒化ガリウム膜１８は、第１の窒化ガリウム膜１６上に層状にエピタキシャル成長させる。
第２の窒化ガリウム膜１８は、シリコン基板１０を加熱し、例えば、水素（Ｈ２）で希釈されたトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、水素（Ｈ２）で希釈されたアンモニア（ＮＨ３）をソースガスとして供給することにより成長させる。ＴＭＧはガリウム（Ｇａ）のソースガスであり、アンモニアは窒素（Ｎ）のソースガスである。
第２の窒化ガリウム膜１８の膜厚は、例えば、３μｍ以上１０μｍ以下とする。第２の窒化ガリウム膜１８の膜厚は、例えば、第２の窒化ガリウム膜１８の成長後の断面をＳＥＭで観察することで求めることが可能である。
第２の窒化ガリウム膜１８形成時のＶ／ＩＩＩ比を１０００以下とする。また、第２の窒化ガリウム膜１８形成時の成長速度を、第１の窒化ガリウム膜１６形成時の成長速度より高く、例えば３μｍ／ｈｏｕｒ以上とする。また、第２の窒化ガリウム膜１８形成時の温度を、例えば、１０００℃以上１１００℃未満、圧力を、例えば、２０ｋＰａ以上３５ｋＰａ以下とし、第１の窒化ガリウム膜１６形成時の圧力と同一とする。
なお、第２の窒化ガリウム膜１８の一部又は全部に、例えば、シリコン（Ｓｉ）やマグネシウム（Ｍｇ）等のドーパントを添加することができる。
次に、実施形態の作用及び効果について説明する。
シリコン基板上に窒化ガリウム膜を形成する場合、窒化ガリウム膜の膜厚が厚くなると、シリコンと窒化ガリウムの熱膨張係数等の違いに起因して窒化ガリウム膜にクラックが発生するおそれがある。これは、窒化ガリウム膜の形成中に、窒化ガリウム膜に引張応力が発生することにより生じると考えられる。特に、窒化ガリウム膜の成長速度を速くした場合に、クラックが発生しやすくなる。
本実施形態では、第１の窒化ガリウム膜１６を島状に３次元的に成長させる。この際、窒化アルミニウムガリウム膜１４表面における核形成の密度を、島状の第１の窒化ガリウム膜１６が十分な高さに成長する前に側面で接触してしまうことのないように制御する。その後、第２の窒化ガリウム膜１８を、第１の窒化ガリウム膜１６よりも速い成長速度で層状に成長させる。この方法により、窒化ガリウム膜の形成を、窒化ガリウム膜に圧縮応力をかけた状態で行うことが可能となる。したがって、クラックの発生を抑制しつつ、窒化ガリウム膜の高速成長が実現できる。また、結晶欠陥の低減した窒化ガリウム膜を成膜することが可能となる。
第１の窒化ガリウム膜１６を島状に形成する際、島状の第１の窒化ガリウム膜１６の高さ（図３中のｈ）の平均を１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、幅（図３中のｗ）の平均を１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることが望ましい。上記範囲を下回ると、第２の窒化ガリウム膜１８成膜の際に、第２の窒化ガリウム膜１８の応力が圧縮応力とならないおそれがある。また、第２の窒化ガリウム膜１８の結晶性が劣化する恐れがある。上記範囲を上回ると、第２の窒化ガリウム膜１８の表面モフォロジーが劣化する恐れがある。第２の窒化ガリウム膜１８の表面を平坦にする観点から、第１の窒化ガリウム膜１６の高さの平均が５０ｎｍ以下であることが望ましい。
第１の窒化ガリウム膜１６形成時のＶ／ＩＩＩ比が１０００以上であることが、第１の窒化ガリウム膜１６の成長速度を抑え、結晶性を向上させ、島状に３次元的に成長させる観点から望ましい。第１の窒化ガリウム膜１６形成時の成長速度は３μｍ／ｈｏｕｒ以下、温度は９５０℃以上１０５０℃未満、圧力は２０ｋＰａ以上３５ｋＰａ以下であることが、第１の窒化ガリウム膜１６の、結晶性を向上させ、島状に３次元的に成長させる観点から望ましい。
また、第２の窒化ガリウム膜１８の成長速度を速くし、生産性をあげる観点から、第２の窒化ガリウム膜１８形成時のＶ／ＩＩＩ比が１０００以下であることが望ましく、５００以下であることがより望ましい。第２の窒化ガリウム膜１８形成時のＶ／ＩＩＩ比は、第１の窒化ガリウム膜１６形成時のＶ／ＩＩＩ比よりも小さいことが望ましい。そして、第２の窒化ガリウム膜１８の成長速度は、３μｍ／ｈｏｕｒ以上であることが、生産性をあげる観点から望ましい。
さらに、第２の窒化ガリウム膜１８の成長速度を第１の窒化ガリウム膜１６の成長速度を速くする観点から、１０００℃以上１１００℃未満であって、第１の窒化ガリウム膜１６の形成よりも高い温度で、第２の窒化ガリウム膜１８の形成を行う。そして、生産性を向上させる観点から、第２の窒化ガリウム膜１８形成時の圧力は、圧力は２０ｋＰａ以上３５ｋＰａ以下であって、第１の窒化ガリウム膜１６形成時の圧力と略同一であることが望ましい。
本実施形態の気相成長方法によれば、シリコン基板上に膜厚の厚い窒化ガリウムを形成する際のクラックの発生を抑制することが可能となる。また、結晶欠陥の低減した膜厚の厚い窒化ガリウム膜を、高速で成膜することが可能となる。
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施形態について説明した。上記、実施形態はあくまで、例として挙げられているだけであり、本発明を限定するものではない。また、各実施形態の構成要素を適宜組み合わせてもかまわない。
実施形態では、気相成長方法等で、本発明の説明に直接必要としない部分等については記載を省略したが、必要とされる等を適宜選択して用いることができる。その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全ての気相成長方法は、本発明の範囲に包含される。本発明の範囲は、特許請求の範囲及びその均等物の範囲によって定義されるものである。
１０ シリコン基板
１２ 窒化アルミニウム膜
１４ 窒化アルミニウムガリウム膜
１６ 第１の窒化ガリウム膜
１８ 第２の窒化ガリウム膜

Claims (5)

  1. シリコン基板上に単結晶の窒化アルミニウム膜を形成し、
    前記窒化アルミニウム膜上に単結晶の窒化アルミニウムガリウム膜を形成し、
    前記窒化アルミニウムガリウム膜上に単結晶の第１の窒化ガリウム膜を形成し、
    前記第１の窒化ガリウム膜上に、前記第１の窒化ガリウム膜の形成よりも高い温度且つ高い成長速度で、単結晶の第２の窒化ガリウム膜を形成する気相成長方法。
  2. 前記第１の窒化ガリウム膜を島状に形成し、前記第１の窒化ガリウム膜の高さの平均を１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とする請求項１記載の気相成長方法。
  3. 前記第１の窒化ガリウム膜形成時のＶ／ＩＩＩ比が前記第２の窒化ガリウム膜形成時のＶ／ＩＩＩ比より大きい請求項１又は請求項２記載の気相成長方法。
  4. 前記第１の窒化ガリウム膜形成時の成長速度が３μｍ／ｈｏｕｒ以下である請求項１乃至請求項３いずれか一項記載の気相成長方法。
  5. 前記第１の窒化ガリウム膜形成時の温度が９５０℃以上１０５０℃未満であり、前記第２の窒化ガリウム膜形成時の温度が１０００℃以上１１００℃未満である請求項１乃至請求項４いずれか一項記載の気相成長方法。
JP2015081146A 2015-04-10 2015-04-10 気相成長方法 Active JP6480244B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015081146A JP6480244B2 (ja) 2015-04-10 2015-04-10 気相成長方法
TW105109146A TWI579395B (zh) 2015-04-10 2016-03-24 Gas growth method
KR1020160042101A KR20160121424A (ko) 2015-04-10 2016-04-06 기상 성장 방법
CN201610218148.1A CN106057658B (zh) 2015-04-10 2016-04-08 气相生长方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015081146A JP6480244B2 (ja) 2015-04-10 2015-04-10 気相成長方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016199436A true JP2016199436A (ja) 2016-12-01
JP6480244B2 JP6480244B2 (ja) 2019-03-06

Family

ID=57250867

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015081146A Active JP6480244B2 (ja) 2015-04-10 2015-04-10 気相成長方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6480244B2 (ja)
KR (1) KR20160121424A (ja)
CN (1) CN106057658B (ja)
TW (1) TWI579395B (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10388518B2 (en) 2017-03-31 2019-08-20 Globalwafers Co., Ltd. Epitaxial substrate and method of manufacturing the same

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000277441A (ja) * 1999-03-26 2000-10-06 Nagoya Kogyo Univ 半導体構造とそれを備えた半導体素子及び結晶成長方法
JP2002313733A (ja) * 2001-04-12 2002-10-25 Sony Corp 窒化物半導体の結晶成長方法及び半導体素子の形成方法
JP2004524250A (ja) * 2000-12-14 2004-08-12 ニトロネックス・コーポレーション 窒化ガリウム材料および方法
JP2004363500A (ja) * 2003-06-06 2004-12-24 Satoru Tanaka 窒化物系化合物半導体の製造方法および窒化物系化合物半導体
JP2006128626A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Samsung Electro Mech Co Ltd 窒化物系半導体装置及びその製造方法
JP2007137763A (ja) * 2005-11-22 2007-06-07 Samsung Corning Co Ltd 窒化ガリウム単結晶厚膜の製造方法
JP2008166349A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Eudyna Devices Inc 半導体基板および半導体装置
WO2013015894A2 (en) * 2011-07-25 2013-01-31 Bridgelux, Inc. Nucleation of aluminum nitride on a silicon substrate using an ammonia preflow
CN103165771A (zh) * 2013-03-28 2013-06-19 天津三安光电有限公司 一种具有埋入式孔洞结构的氮化物底层及其制备方法
CN104037284A (zh) * 2014-06-10 2014-09-10 广州市众拓光电科技有限公司 一种生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用
JP2015029042A (ja) * 2013-06-27 2015-02-12 株式会社東芝 窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の形成方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2485418B (en) * 2010-11-15 2014-10-01 Dandan Zhu Semiconductor materials
KR20130081956A (ko) * 2012-01-10 2013-07-18 삼성전자주식회사 질화물 반도체층 성장 방법
US20140158976A1 (en) * 2012-12-06 2014-06-12 Sansaptak DASGUPTA Iii-n semiconductor-on-silicon structures and techniques

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000277441A (ja) * 1999-03-26 2000-10-06 Nagoya Kogyo Univ 半導体構造とそれを備えた半導体素子及び結晶成長方法
JP2004524250A (ja) * 2000-12-14 2004-08-12 ニトロネックス・コーポレーション 窒化ガリウム材料および方法
JP2002313733A (ja) * 2001-04-12 2002-10-25 Sony Corp 窒化物半導体の結晶成長方法及び半導体素子の形成方法
JP2004363500A (ja) * 2003-06-06 2004-12-24 Satoru Tanaka 窒化物系化合物半導体の製造方法および窒化物系化合物半導体
JP2006128626A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Samsung Electro Mech Co Ltd 窒化物系半導体装置及びその製造方法
JP2007137763A (ja) * 2005-11-22 2007-06-07 Samsung Corning Co Ltd 窒化ガリウム単結晶厚膜の製造方法
JP2008166349A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Eudyna Devices Inc 半導体基板および半導体装置
WO2013015894A2 (en) * 2011-07-25 2013-01-31 Bridgelux, Inc. Nucleation of aluminum nitride on a silicon substrate using an ammonia preflow
CN103165771A (zh) * 2013-03-28 2013-06-19 天津三安光电有限公司 一种具有埋入式孔洞结构的氮化物底层及其制备方法
JP2015029042A (ja) * 2013-06-27 2015-02-12 株式会社東芝 窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の形成方法
CN104037284A (zh) * 2014-06-10 2014-09-10 广州市众拓光电科技有限公司 一种生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法和应用

Also Published As

Publication number Publication date
TW201638372A (zh) 2016-11-01
KR20160121424A (ko) 2016-10-19
CN106057658B (zh) 2019-09-06
JP6480244B2 (ja) 2019-03-06
TWI579395B (zh) 2017-04-21
CN106057658A (zh) 2016-10-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4335187B2 (ja) 窒化物系半導体装置の製造方法
JP5133927B2 (ja) 化合物半導体基板
JP2014239159A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP5874495B2 (ja) Ｇａを含むＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法
JP2015018960A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2013145782A (ja) ヘテロ接合型電界効果トランジスタ用のエピタキシャルウエハ
JP2015216311A (ja) 半導体基板、半導体基板の製造方法および半導体装置
WO2019123763A1 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体基板の製造方法
JP2009067658A (ja) 窒化物半導体下地基板、窒化物半導体積層基板および窒化物半導体自立基板、並びに窒化物半導体下地基板の製造方法
JP2014009156A (ja) 窒化ガリウム基板の製造方法および該方法により製造された窒化ガリウム基板
JP2005032823A (ja) 電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法
JP5914999B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP5460751B2 (ja) 半導体装置
JP5139567B1 (ja) 窒化物半導体層を成長させるためのバッファ層構造を有する基板
JP4768759B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体基板
JP6480244B2 (ja) 気相成長方法
JP2020075842A (ja) 窒化物半導体
WO2015198492A1 (ja) エピタキシャルウェーハの製造方法およびエピタキシャルウェーハ
JP2012174705A (ja) 窒化物半導体デバイス用エピタキシャルウエハとその製造方法
JP6108609B2 (ja) 窒化物半導体基板
JP6156833B2 (ja) 半導体基板の製造方法
JP2016058539A (ja) 高電子移動度トランジスタの製造方法
KR101517808B1 (ko) 크랙 감소를 위한 실리콘 기판 위 GaN 성장방법
JP5059205B2 (ja) ウェーハ及び結晶成長方法
TW201513176A (zh) 半導體晶圓以及生產半導體晶圓的方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180302

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180828

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180911

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181109

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190129

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190207

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6480244

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250