JP2017005148A5 - - Google Patents
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Description
すなわち、本発明は、以下の発明に関する。
［１］ ガリウムを含有する酸化物半導体を主成分として含む半導体膜であって、膜の一部または全部における水素濃度が２×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）以下であることを特徴とする半導体膜。
［２］ 水素濃度が１×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）以下である前記［１］記載の半導体膜。
［３］
膜の最表面から１００ｎｍ以上の深さにおける膜中の水素濃度が２×１０ １７ （ａｔｏｍｓ／ｃｍ ３ ）以下である請求項１記載の結晶性半導体膜。
［４］ 膜の一部または全部におけるハロゲン濃度が１×１０１６（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）以下である前記［１］〜［３］のいずれかに記載の半導体膜。
［５］ 酸化物半導体がコランダム構造を有する前記［１］〜［４］のいずれかに記載の半導体膜。
［６］ 酸化物半導体が、α−Ｇａ２Ｏ３を含む前記［１］〜［５］のいずれかに記載の半導体膜。
［７］ ドーパントを含む、前記［１］〜［６］のいずれかに記載の半導体膜。
［８］ 前記［１］〜［７］のいずれかに記載の半導体膜を含む半導体装置。
［９］ ダイオードまたはトランジスタである前記［８］記載の半導体装置。
［１］ ガリウムを含有する酸化物半導体を主成分として含む半導体膜であって、膜の一部または全部における水素濃度が２×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）以下であることを特徴とする半導体膜。
［２］ 水素濃度が１×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）以下である前記［１］記載の半導体膜。
［３］
膜の最表面から１００ｎｍ以上の深さにおける膜中の水素濃度が２×１０ １７ （ａｔｏｍｓ／ｃｍ ３ ）以下である請求項１記載の結晶性半導体膜。
［４］ 膜の一部または全部におけるハロゲン濃度が１×１０１６（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）以下である前記［１］〜［３］のいずれかに記載の半導体膜。
［５］ 酸化物半導体がコランダム構造を有する前記［１］〜［４］のいずれかに記載の半導体膜。
［６］ 酸化物半導体が、α−Ｇａ２Ｏ３を含む前記［１］〜［５］のいずれかに記載の半導体膜。
［７］ ドーパントを含む、前記［１］〜［６］のいずれかに記載の半導体膜。
［８］ 前記［１］〜［７］のいずれかに記載の半導体膜を含む半導体装置。
［９］ ダイオードまたはトランジスタである前記［８］記載の半導体装置。
Claims (9)
- ガリウムを含有する酸化物半導体を主成分として含む半導体膜であって、膜の一部または全部における水素濃度が２×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）以下であることを特徴とする半導体膜。
- 水素濃度が１×１０１７（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）以下である請求項１記載の半導体膜。
- 膜の最表面から１００ｎｍ以上の深さにおける膜中の水素濃度が２×１０ １７ （ａｔｏｍｓ／ｃｍ ３ ）以下である請求項１記載の結晶性半導体膜。
- 膜の一部または全部におけるハロゲン濃度が１×１０１６（ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）以下である請求項１〜３のいずれかに記載の半導体膜。
- 酸化物半導体がコランダム構造を有する請求項１〜４のいずれかに記載の半導体膜。
- 酸化物半導体が、α−Ｇａ２Ｏ３を含む請求項１〜５のいずれかに記載の半導体膜。
- ドーパントを含む、請求項１〜６のいずれかに記載の半導体膜。
- 請求項１〜７のいずれかに記載の半導体膜を含む半導体装置。
- ダイオードまたはトランジスタである請求項８記載の半導体装置。
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