JP2017009637A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】シール部において、無機絶縁膜とシール材との間に形成されている配向膜が無機絶縁膜から剥離する現象を防止する。【解決手段】上記課題は、次のような構成によって実現することができる。画素がマトリクス状に形成され、配向膜１０５を有し、外形が矩形であるＴＦＴ基板１００と、外形が矩形である対向基板２００がシール部においてシール材３０によって接着し、内部に液晶３００が封入された液晶表示装置であって、前記ＴＦＴ基板１００は表示領域と端子領域を有し、前記表示領域は、前記シール材３０に囲まれた領域に形成され、前記対向基板２００は前記端子領域には存在しておらず、前記ＴＦＴ基板１００において、前記シール材３０の下層には配向膜１０５が存在し、前記配向膜１０５の下層には酸化物導電膜１０４が存在し、前記酸化物導電膜１０４は、前記ＴＦＴ基板１００の端部にまで形成され、前記酸化物導電膜１０４はフロートであることを特徴とする液晶表示装置。【選択図】図２

Description

本発明は表示装置に係り、狭額縁としても、シール部の信頼性を確保出来る液晶表示装置に関する。

液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている構成となっている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。

中小型の液晶表示パネルでは、外形を小さく保ったまま、表示領域を大きくしたいという要求が強い。そうすると、表示領域の端部から液晶表示パネルの端部までの幅が小さくなり、いわゆる狭額縁となる。狭額縁では、ＴＦＴ基板と対向基板を接着しているシール材のシール幅が小さくなり、シール部の接着力が問題となる。

ＴＦＴ基板と対向基板が液晶と接する面には、液晶を初期配向させるために配向膜が形成されている。従来は、シール部における接着力の信頼性を向上させるために、シール部には配向膜を形成しないような構成がとられてきた。しかし、狭額縁となると、配向膜をシール部から排除することが難しくなる。したがって、シール部における接着の信頼性を考える場合は、シール材と配向膜の接着強度、配向膜とその下地膜との接着強度を考える必要がある。

特許文献１には、表示領域において、配線によって凸部ができた部分の上の配向膜がラビングで剥離することを防止するために、凸部にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｎ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）を配置して、配向膜の接着強度を上げることが記載されている。また、特許文献２には、ＩＴＯによって配線を形成し、このＩＴＯ配線をシール部の下を通過して端子領域に延在させる構成が記載されている。特許文献２には、配向膜の塗布範囲については記載が無い。

特開２０１２−１８９８５６号公報 特開平１０−２０６８７１号公報

シール部の信頼性について、従来は、シール材と配向膜の接着力のみに関心が払われてきた。しかし、シール材と配向膜の接着力が向上すると、配向膜とその下地膜の接着が問題となる。従来は、配向膜と下地膜は十分な接着強度があると考えられてきたが、狭額縁となるにしたがって、配向膜とその下地膜との接着力が問題となってきたのである。

配向膜の下地膜は、ＴＦＴ基板側と対向基板側とでは異なる。対向基板側は、オーバーコート膜という有機膜が下地膜になっているのに対し、ＴＦＴ基板側ではＳｉＮｘ等の無機絶縁膜が下地膜となっている場合が多い。配向膜はポリイミド等で形成された有機膜である。一般に、有機膜と有機膜の接着強度は強いが、有機膜と無機膜の接着強度は比較的弱い。したがって、配向膜と下地膜の接着力は、ＴＦＴ基板側で問題となる。

本発明の課題は、配向膜と下地膜との接着強度を上げ、狭額縁としても、シール部の信頼性を確保した液晶表示装置を実現することである。

本発明は上記問題を克服するものであり、代表的な手段は次のとおりである。すなわち、画素がマトリクス状に形成され、配向膜を有し、外形が矩形であるＴＦＴ基板と、外形が矩形である対向基板がシール部においてシール材によって接着し、内部に液晶が封入された液晶表示装置であって、前記ＴＦＴ基板は表示領域と端子領域を有し、前記表示領域は、前記シール材に囲まれた領域に形成され、前記対向基板は前記端子領域には存在しておらず、前記ＴＦＴ基板において、前記シール材の下層には配向膜が存在し、前記配向膜の下層には酸化物導電膜が存在し、前記酸化物導電膜は、前記ＴＦＴ基板の端部にまで形成され、前記酸化物導電膜はフロートであることを特徴とする液晶表示装置である。

本発明の液晶表示装置の平面図である。 図１のＡ−Ａ断面図である。 本発明のＩＴＯの形成範囲の例を示す模式平面図である。 本発明を示す拡大平面図である。 島状ＩＴＯの例を示す平面図である。 島状ＩＴＯの他の例を示す平面図である。 ＩＴＯを２層使用した場合の例を示す平面図である。 図７のＢ−Ｂ断面図である。 ＩＴＯを２層使用した場合の他の例を示す平面図である。 図９のＣ−Ｃ断面図である。 本発明でのＩＴＯの形成範囲の他の例を示す模式平面図である。 実施例２のＩＴＯの形成範囲の例を示す模式平面図である。 実施例２のＩＴＯの形成範囲の他の例を示す模式平面図である。 実施例２のＩＴＯの形成範囲のさらに他の例を示す模式平面図である。 実施例２のＩＴＯの形成範囲のさらに他の例を示す模式平面図である。 実施例２のＩＴＯの形成範囲のさらに他の例を示す模式平面図である。 実施例２のＩＴＯの形成範囲のさらに他の例を示す模式平面図である。

以下に実施例にしたがって、本発明を詳細に説明する。

図１は本発明が適用される液晶表示パネルの平面図である。図１において、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００がシール材３０によって接着し、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間に液晶が挟持されている。ＴＦＴ基板１００は対向基板２００よりも大きく形成されており、ＴＦＴ基板１００が１枚となっている部分は端子領域１５０となっている。端子領域１５０には、液晶表示パネルを駆動するＩＣドライバ１６０、液晶表示パネルに、電源、映像信号、走査信号等を供給するためのフレキシブル配線基板を接続するための端子等が形成されている。

図１において、表示領域１０００には走査線１０が横方向に延在し、縦方向に配列している。また、映像信号線２０が縦方向に延在し、横方向に配列している。走査線１０と映像信号線２０とで囲まれた領域が画素２５となっている。狭額縁では、表示領域１０００の端部と液晶表示装置の端部の距離ｄは１ｍｍ程度にまで小さくなっている。この場合、シール材３０の接着幅は０．４ｍｍ程度しか確保することが出来ない。したがって、シール部における接着強度は重要な問題となる。

液晶表示装置は視野角特性が問題である。ＩＰＳ（Ｉｎ Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｃｈｉｎｇ）方式は、液晶分子をＴＦＴ基板の主面と平行方向に回転させることによって透過率を制御するものであり、優れた視野角特性を有している。本明細書では、本発明を、いわゆるＩＰＳ方式の液晶表示装置について説明するが、本発明は、ＩＰＳ方式の液晶表示装置に限定されるものではなく、他の液晶表示装置あるいは有機ＥＬ表示装置等に対しても適用することが出来る。

ＩＰＳ方式では、画素において、ＩＴＯ等の透明電極によって平面状に形成された第２の電極の上に、ＩＴＯ等の透明電極によって櫛歯状、あるいは、スリットを有するように形成された第１の電極が、層間絶縁膜を介して形成されている。そして、第２の電極と第１の電極の間に映像信号による電圧を印加することによって、液晶表示装置を駆動する。画素には、ＴＦＴ、第１の電極、第２の電極等が形成されている。本明細書では、第１の電極を構成するＩＴＯを第１ＩＴＯ、第２の電極を形成するＩＴＯを第２ＩＴＯと呼ぶ。なお、第１の電極が画素電極で第２の電極がコモン電極の場合もあるし、その逆の場合もある。

図２は、図１のＡ−Ａ断面に相当するシール部の詳細断面図である。シール部の断面形状は表示領域の断面形状とは異なる。表示領域に形成される層のうち、シール部に不要な層は省略されている。図２において、ガラスで形成されたＴＦＴ基板１００に第１の絶縁膜１０１が形成されている。第１の絶縁膜１０１は走査線と映像信号線の間を絶縁する層間絶縁膜である場合もあるし、ゲート絶縁膜の場合もある。

第１の絶縁膜１０１の上に信号線の引き出し線２１が形成されている。この引き出し線２１は、図１における図面上方から下方に延在する引き出し線であるか、図１には記載されていない。引き出し線２１を覆って、有機パッシベーション膜１０２が形成されている。有機パッシベーション膜１０２は平坦化膜としての役割も有するので、２μｍ程度と厚く形成されている。有機パッシベーション膜１０２の上に層間絶縁膜１０３がＣＶＤ等によって形成されている。層間絶縁膜１０３は、表示領域において、第１の電極と第２の電極を絶縁するためのものである。層間絶縁膜１０３を覆って第１ＩＴＯ１０４が形成されている。

図２において、ＴＦＴ基板１００の端部側においては、第１の絶縁膜１０１の上に第１ＩＴＯ１０４が形成されている。そして、第１ＩＴＯ１０４を覆って配向膜１０５が形成されている。このように、配向膜１０５の下層にＩＴＯ１０４が形成されていることが本発明の特徴である。層間絶縁膜１０３はＳｉＮｘ（窒化シリコン）で形成されており、第１の絶縁膜１０１もＳｉＮｘで形成されている場合が多いが、ＳｉＯ_２の場合もある。ＳｉＮｘもＳｉＯ_２も同様な性質を持っているので、以下、ＳｉＮｘで代表して説明する。ＳｉＮｘと配向膜との接着力は弱い。一方、配向膜とＩＴＯとの接着力は強いので、本発明ではシール部の信頼性を向上することが出来る。

第１ＩＴＯ１０４は電気的にはフロートの状態である。外側の第１ＩＴＯ１０４は、ＴＦＴ基板１００の端部まで形成されているので、端部から静電気が侵入しやすい。しかし、外側の第１ＩＴＯ１０４と内側の第１ＩＴＯ１０４とは、有機パッシベーション膜１０２の端部において分離されており、外部から静電気が侵入しても、静電気が内部の第１ＩＴＯ１０４や配線に侵入しないようにしている。

図２において、ＴＦＴ基板１００に対向して対向基板２００が配置している。対向基板２００には、カラーフィルタ層２０１が形成され、その上（ＴＦＴ基板側）にオーバーコート膜２０２が形成され、オーバーコート膜２０２の上に配向膜１０５が形成されている。なお、カラーフィルタ層２０１は、品種によってはＴＦＴ基板１００側に形成されることもある。ＴＦＴ基板１００と対向基板２００とはシール材３０によって接着し、シール材３０より内側に液晶３００が封入されている。

シール材３０は、ＴＦＴ基板１００側、対向基板２００側ともに、配向膜１０５と接着している。配向膜１０５の接着力は、特に、ＴＦＴ基板１００側におけるＳｉＮｘ膜１０４との間で問題となる。本発明では、ＴＦＴ基板１００側のシール部においては、配向膜１０５はほとんどＩＴＯ１０４と接着しているので、シール部の信頼性は高い。

図３はＴＦＴ基板１００側において、第１ＩＴＯ１０４が形成されている範囲とシール材３０が形成されている範囲を示す模式平面図である。図３において、配向膜はＴＦＴ基板１００全面に形成されている。図３において、外側の第１ＩＴＯ１０４は、ＴＦＴ基板の辺に沿って島状に形成され、さらに、ギャップを挟んで内側の第１ＩＴＯ１０４が形成されている。図では、外側の第１ＩＴＯ１０４も内側の第１ＩＴＯ１０４も電気的にはフロートとなっているが、内側の第１ＩＴＯ１０４にコモン電圧（Ｖｃｏｍ）や電源等の他の電圧を供給するものであってもよい。そして外側の第１ＩＴＯ１０４と内側の第１ＩＴＯ１０４は、電気的には互いに絶縁されている。

シール材３０は、ＴＦＴ基板１００あるいは、対向基板２００の端部から点線までのハッチングで示す領域に形成されている。図３に示すように、シール材３０は、ＴＦＴ基板１００側においては、大部分の領域において、第１ＩＴＯ１０４とオーバーラップしている。ただし、端子領域１５０側の辺においては、配向膜の下には第１ＩＴＯは形成されていない。端子領域１５０側では、配線が高い密度で形成されているので、第１ＩＴＯ１５０を通した静電気の影響が大きいからである。一方、端子領域１５０側の辺においては、他の辺に比べてスペース的に余裕がある。そのため、端子領域１５０側の辺のシール材３０の幅を他の辺のシールの幅よりも太くし、接着面積を他の辺よりも大きくすることが出来るため、その分接着強度を大きくできる。

図４は、図３の長辺側または短辺側のシール部における第１ＩＴＯ１０４、シール材３０等の寸法の関係を示す拡大平面図である。図４において、シール材３０は、ＴＦＴ基板１００端部からｗ３の範囲で形成されており、島状の外側第１ＩＴＯ１０４は、ＴＦＴ基板１００端部から幅ｗ１で形成されており、内側第１ＩＴＯ１０４はＴＦＴ基板１００端部からｗ２の距離より内側方向に幅ｗ４で、ＴＦＴ基板１００の辺方向にストライプ状に延在している。内側の第１ＩＴＯ１０４の端部は、図４では、シール材３０の内側端部よりもさらに表示領域１０００側方向に形成されている。ただし、第１ＩＴＯ１０４の目的は、シール部における接着強度の向上であるから、内側第１ＩＴＯ１０４の内側端部は、シール材３０の内側端部と同じであってもよいし、接着に大きな影響を与えなければ、シール材３０の内側よりも、外側、すなわち、シール材３０の中心側に位置していてもよい。

外側第１ＩＴＯ１０４と内側第１ＩＴＯ１０４との間にはｇ２なるギャップが存在し、外部から侵入してきた静電気が内側の第１ＩＴＯ１０４に流れ込まないようにしている。島状に形成された外側ＩＴＯ１０４のＴＦＴ基板１００の辺に沿う長さはｈ１であり、島状第１ＩＴＯ１０４と島状第１ＩＴＯ１０４の間隔はｇ１である。シール材３０と内側あるいは外側第１ＩＴＯ１０４が存在しない部分においては、シール材は層間絶縁膜１０３すなわち、ＳｉＮｘと接している。配向膜の接着強度を向上させるためには、ｇ１は小さいほうがよい。

具体的な数値の例は次のとおりである。すなわち、島状の外側第１ＩＴＯ１０４の大きさを決めるｗ１は１００μｍ、ｈ１は１５０μｍである。また、島状第１ＩＴＯ１０４と島状第１ＩＴＯ１０４の間隔は５μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上で、５０μｍ以下であることが望ましい。また、島状の外側第１ＩＴＯ１０４とストライプ状の内側第１ＩＴＯ１０４との間隔ｇ２も５μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上で、５０μｍ以下であることが望ましい。ｇ１もｇ２も、下限は、静電気が他の領域に入り込まないようにするためであり、上限は、配向膜と第１ＩＴＯが接触する面積をできるだけ大きくするためである。

図４において、シール材３０の幅ｗ３は４００μｍ、内側第1ＩＴＯ１０４は、ｗ２＝ｗ１＋ｇ２の位置から内側に幅ｗ４で形成されている。ｗ２は例えば１５０μｍである。また、島状の第1ＩＴＯ１０４は、ＴＦＴ基板１００の端部に形成されているので、静電気が入りやすいため、幅ｗ１は制限した方がよい。例えば、外側の島状第1ＩＴＯ１０４の幅（ｗ１）/シール材の幅（ｗ３）は３５％以下に抑えることが望ましい。また、接着強度の観点からは、シール材３０の幅ｗ３に対する、外側第1ＩＴＯ１０４と内側第1ＩＴＯ１０４の間隔ｇ２の割合は、１５％以下とすることが望ましい。

外側第1ＩＴＯ１０４の形状は図３あるいは図４の形状に限る必要はない。図５および図６は、外側第1ＩＴＯ１０４の形状の他の例である。図５は外側第1ＩＴＯ１０４を小さなタイル状に形成した場合であり、図６は外側第1ＩＴＯ１０４を大きなタイル状に形成した場合である。図５の形状は、静電気が侵入した場合、静電気の影響を小さな領域に抑え込むことが出来る。しかし、第1ＩＴＯ１０４の下側の層間絶縁膜１０３が露出する面積の割合が増えるので接着力は低下する。一方、図６の形状は、侵入した静電気の影響が図５の領域よりも大きいが、層間絶縁膜１０３の露出面積の割合を小さくすることが出来るので、接着力の点では優れている。また、内側第１ＩＴＯ１０４についても、図では１本設けているが、２本以上設けることも可能である。また、設けないことも可能である。基板の一部における内側第１ＩＴＯ１０４に対して、他の部分の内側第１ＩＴＯ１０４を太く設けたり、本数を多く設けたりすることも可能である。内側第１ＩＴＯ１０４を複数本設ける場合、基板の外側に近い側の内側第１ＩＴＯ１０４をフローティングとし、他の内側第１ＩＴＯ１０４に対してコモン電圧等の所定の電位を印加するものであってもよい。

図５においては、第１ＩＴＯ１０４は横方向に２列のみ形成されているが、３列以上形成してもよい。また、マトリクス状ではなく、千鳥状（ある列に対して隣接する列をずらす形状）としてもよい。また、基板の端部側の島と内側の島との大きさを異ならせることも可能である。なお、島状の第１ＩＴＯ１０４の間の絶縁を維持しつつ、シール部における第１ＩＴＯ１０４の面積の割合を大きくするには、第１ＩＴＯ１０４の形状は、タイル状にすることが合理的である。

外側第1ＩＴＯ１０４の形状は、ＴＦＴ基板１００の辺全体にわたって同じである必要はない。液晶表示パネルのコーナ部においては引きはがし応力が大きいので、コーナ部においては第1ＩＴＯ１０４を図６のような形状とし、辺部（コーナー部とコーナ部との間）においては、静電気対策を重視して、図５のような形状にすることもできる。

以上の説明では、ＩＴＯとして、第1ＩＴＯ１０４のみを用いるということで説明した。ＩＰＳ方式液晶表示装置では、先に説明したように、ＴＦＴ基板１００側に第1ＩＴＯを用いた第１の電極と第２ＩＴＯを用いた第２電極が存在するので、シール部における配向膜の接着強度の向上のために、第1ＩＴＯと第２ＩＴＯの両方を用いることもできる。図７は、図３の外側ＩＴＯとして、第1ＩＴＯ１０４と第２ＩＴＯ１０６を用いた場合の平面図であり、図８は図７のＢ−Ｂ断面図である。図７および図８においては、第２ＩＴＯ１０６を大きなタイル状に形成し、第1ＩＴＯ１０４を小さなタイル状に形成している。このような構成とすることによって、ＩＴＯ膜の表面が凹凸化されるので、この点から、配向膜とＩＴＯの接着力をさらに強化することが出来る。この場合、島状の第１ＩＴＯとが第２ＩＴＯ１０６を介して電気的に接続しているのが、島状の第１ＩＴＯ間の第２ＩＴＯ１０６にスリットを設けることも可能である。これにより、外部からの静電気の侵入を防止することが可能となる。また、第１ＩＴＯと第２ＩＴＯとの間に島状に絶縁膜を残存させることも可能である。

図９及び図１０は第1ＩＴＯ１０４と第２ＩＴＯ１０６を用いた場合の他の例である。図９は、第２ＩＴＯ１０６を小さなタイル状に形成し、第1ＩＴＯ１０４を大きなタイル状に形成した場合の平面図であり、図１０は図９のＣ−Ｃ断面図である。図９および図１０の効果は、図７及び図８の構成で説明したのと同様である。この場合も、第１ＩＴＯ１０４にスリットを設けたり、島状の第２ＩＴＯを覆うように島状の絶縁膜を残存させる構成であってもよい。

以上で説明した第1ＩＴＯ１０４では、外側第1ＩＴＯ１０４を島状に形成し、内側第1ＩＴＯをＴＦＴ基板の辺に平行なストライプ状に形成している。しかし、内側第1ＩＴＯ１０４はストライプ状に限る必要はなく、図１１に示すように島状に形成してもよい。図１１では、内側第1ＩＴＯ１０４の大きさは、外側第1ＩＴＯ１０４の大きさよりも大きい島状であるが、これに限らず、内側第1ＩＴＯ１０４を外側第1ＩＴＯ１０４と同様な形状としても良いし、図１１とは逆に内側第1ＩＴＯ１０４が外側第1ＩＴＯ１０４よりも小さい島形状としてもよい。

図１２乃至図１７は、配向膜の接着力を向上させるための第1ＩＴＯの種々の例を示すものである。図１２乃至図１７は、図１におけるＴＦＴ基板の端部から表示領域の端部までの幅ｄにおいて、1個の島状の第1ＩＴＯ１０４が形成されているが、これは例であって、実施例１で説明したように、図１の幅ｄ内において、島状第1ＩＴＯを複数形成してもよい。

図１２は、ＴＦＴ基板１００において、辺部では第1ＩＴＯ１００の外側端部をＴＦＴ基板１００の端部から所定の距離ｄ１だけ内側に離し、ＴＦＴ基板１００のコーナ部では、第1ＩＴＯ１０４をＴＦＴ基板１００の端部にまで形成した例である。液晶表示パネルのコーナ部では、ＴＦＴ基板と対向基板を引きはがす応力が辺部に比較して大きいので、コーナ部は、第1ＩＴＯ１０４をＴＦＴ基板１００の端部にまで形成し、辺部では、ＴＦＴ基板１００の端部からｄ１だけ離すことによって、静電気の侵入を防止しやすくしている。図１２においても、端子領域１５０側の辺には、第1ＩＴＯ１０４は形成していない。理由は実施例１で説明したのと同じである。尚、図１２中、下側の辺を除く３辺において、第1ＩＴＯ１０４が基板端部から離間しているが、一部の辺においては、辺部の第1ＩＴＯ１０４が基板端部まで延在するものであってもよい。

図１３は図１２とは逆にＴＦＴ基板１００のコーナ部においては、島状の第1ＩＴＯ１０４の端部をＴＦＴ基板１００の端部から所定の距離ｄ２だけ内側に形成し、ＴＦＴ基板１００の辺部においては島状の第1ＩＴＯ１０４をＴＦＴ基板１００の端部まで形成した例である。コーナ部において、目合せマークを形成する等のレイアウト上の要請からＴＦＴ基板１００のコーナ端部にまで、第1ＩＴＯ１０４を形成できないような事情がある場合にこのような構成をとることが出来る。一方、図１３において、辺部では、ＴＦＴ基板１００の端部にまで、第1ＩＴＯ１０４が形成されているので、辺部において、配向膜の必要な接着力を確保している。図１３においても、端子領域１５０側には第1ＩＴＯ１０４は形成されていない。

図１４は、第1ＩＴＯ１０４の端部がコーナ部においても、辺部においても、ＴＦＴ基板１００の端部にまで形成されているが、コーナ部における第1ＩＴＯ１０４の内側形状がコーナカットしたような形状になっている。配線の引き出し線がコーナ部において、９０度ではなく、所定の角度で折れ曲がって配線されているような場合、配線に沿って、島状の第1ＩＴＯ１０４をコーナカット形状とすることによって、引き出し線と島状第1ＩＴＯ１０４がオーバーラップすることを防止することが出来る。

図１５は、端子領域１５０側にも島状の第1ＩＴＯ１０４を形成した例である。これまでの実施例では、端子領域１５０側には第１ＩＴＯ１４０を設けない構成を示してきたが、端子領域１５０側の辺においてもシール部の接着力が問題となる場合がある。図１５において、端子領域１５０側以外の辺においては、第1ＩＴＯ１０４はＴＦＴ基板１００の端部にまで形成され、端子領域１５０側では、対向基板２００の端部に対応する部分にまで第1ＩＴＯ１０４が形成されている。

端子領域１５０側の辺では、引き出し配線が密集しているので、静電気対策が重要となる。この対策としては、端子領域１５０側の辺において、他の辺よりも第１ＩＴＯ１０４のサイズを小さくする、あるは、第１ＩＴＯ１０４の形状を他の辺とは異なる形状にする等によって、対処することが出来る。さらには、膜厚の厚い、有機パッシベーション膜を端子領域側のシール部の外側端部にまで延在させることによって、静電気に対する耐性を向上させることが出来る。

図１６は、対向基板２００とＴＦＴ基板１００が接着しているシール部の４コーナ部のみにおいて、配向膜の下に第1ＩＴＯ１０４を配置した例である。この場合も配向膜の下層に形成された第1ＩＴＯ１０４は、ＴＦＴ基板１００の端部にまで形成されている。シール部における引きはがし応力は、４コーナ部において大きいからである。一方、液晶表示パネルの辺部においては、端部に第1ＩＴＯ１０４が存在していないので、広い領域において静電気の問題を避けることが出来る。

図１７は、対向基板２００とＴＦＴ基板１００が接着しているシール部において、端子領域１５０から遠い、２コーナにおいてのみ、配向膜の下に第1ＩＴＯ１０４を配置した例である。この場合も配向膜の下層に形成される第1ＩＴＯ１０４は、ＴＦＴ基板１００の端部にまで形成されている。シール材における引きはがし応力は、端子領域１５０から最も遠い２コーナにおいて最も大きいからである。一方、液晶表示パネルの辺部を含む他の部分においては、端部に第1ＩＴＯ１０４が存在していないので、広い領域において静電気の問題を避けることが出来る。

ＩＰＳ方式は、はプレティルト角が必要でないため、配向膜に対する配向処理として、いわゆる光配向方式が適している。光配向は、偏光紫外線を照射することによって、特定方向の高分子の鎖を破壊し、配向膜に一軸異方性を与え、配向特性を発揮させるものである。光配向処理された配向膜は、光配向以外の配向処理を受けた配向膜に比べて、シール材あるいは配向膜の下層の膜との接着性が低いという性質がある。したがって、以上で述べた本発明は、光配向処理されたＩＰＳ方式の液晶表示装置に特に適している。しかし、光配向処理されたＩＰＳ方式の液晶表示装置であっても、本願発明を適用することで、狭額縁化、接着力強化を実現することが可能となる。

以上の説明では、配向膜の接着強度を向上させる材料として、ＩＴＯを使用するとして説明した。これは、第１電極あるいは第２電極を構成する酸化物導電膜がＩＴＯであるという前提での構成である。しかし、酸化物導電膜は、ＩＴＯに限らず、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等が使用されることもある。画素における第１電極あるいは第２電極としてＩＺＯ等が使用される場合は、ＴＦＴ基板あるいは対向基板の端部において配向膜の下層に形成される酸化物導電膜にＩＺＯ等を使用することが出来る。

以上は、本発明をＩＰＳ方式について説明したが、本発明は、ＩＰＳに限らず、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｎｅｔ）方式あるいはＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）方式の液晶表示装置についても適用することが出来る。ＶＡ方式では、負の誘電率異方性を有する液晶を使用する。ＶＡは、無電界の状態では、液晶分子はＴＦＴ基板あるいは対向基板の平面と直角方向に配向し、電界が印加されると液晶分子が傾いて、液晶層を通過する光の透過率を制御するものである。ＴＮ方式は、無電界の状態では、液晶分子をＴＦＴ基板側から対向基板側に向かうにしたがって、液晶分子の配向方向を９０度捩じるよう初期配向させておき、電界を印加することによって、初期配向方向から変化させ、電界の強度に応じて初期配向方向から変化する量を制御して液晶層を通過する光の透過率を制御するものである。

ＶＡ、ＴＮ等では、ＴＦＴ基板側に透明導電膜による画素電極が形成され、対向基板側には透明導電膜によるコモン電極が形成されている。したがって、ＴＦＴ基板側および対向基板側の両方において、基板の端部にまで配向膜の下にＩＴＯを形成する構成とすることが出来る。

ＶＡ方式あるいは、ＴＮ方式において、対向基板側の端部にＩＴＯを形成する場合も、ＩＴＯは配向膜の下層に形成される。すなわち、図２について言えば、配向膜とオーバーコート膜の間に形成されることになる。そのため、本願発明を、ＴＦＴ基板に設けられるＩＴＯのみならず、対向基板に設けられるＩＴＯに対して適用することが可能である。もちろん、ＴＦＴ基板のＩＴＯと対向基板のＩＴＯとの双方に適用することも可能である。

１０…走査線、 ２０…映像信号線、 ２１…信号線の引出し線、 ２５…画素、 ３０…シール材、 １００…ＴＦＴ基板、 １０１…第１の絶縁膜、 １０２…有機パッシベーション膜、 １０３…層間絶縁膜、 １０４…第１ＩＴＯ、 １０５…配向膜、 １０６…第２ＩＴＯ透明導電膜、 １５０…端子領域、 １６０…ＩＣドライバ、 ２００…対向基板、 ２０１…カラーフィルタ層、 ２０２…オーバーコート膜、 ３００…液晶、 １０００…表示領域

Claims (16)

1. 画素電極と配向膜とを有するＴＦＴ基板と、前記ＴＦＴ基板に対向する対向基板と、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に設けられたシールと液晶とを有する液晶表示装置であって、
   前記ＴＦＴ基板は表示領域と端子領域とを有し、前記表示領域は、前記シール材に囲まれた領域に形成され、
   前記ＴＦＴ基板において、前記シール材と前記ＴＦＴ基板との間には配向膜が存在し、前記配向膜と前記ＴＦＴ基板との間には酸化物導電膜が存在し、前記酸化物導電膜は、前記ＴＦＴ基板の端部にまで形成され、
   前記酸化物導電膜はフロートであることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記酸化物導電膜は、前記ＴＦＴ基板の辺に沿って第１の距離をもって離間して形成され、かつ互いに電気的に絶縁されて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記第１の距離は５μｍ以上で５０μｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
4. 前記酸化物導電膜は、前記ＴＦＴ基板の辺と直角方向の所定の幅内において互いに離間して形成され、かつ、互いに電気的に絶縁して形成されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の液晶表示装置。
5. 前記酸化物導電膜は、前記端子領域側のシール材の下層には形成されていないことを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の液晶表示装置。
6. 前記酸化物導電膜は前記ＴＦＴ基板の前記端子領域から離れたコーナ部において、前記ＴＦＴ基板の端部にまで形成されていることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の液晶表示装置。
7. 前記酸化物導電膜は前記ＴＦＴ基板の前記端子領域側において、前記対向基板のコーナ部に対応する位置において、前記対向基板の端部に対応する位置まで形成されていることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
8. 前記酸化物導電膜は平面で視て島形状に形成され、前記ＴＦＴ基板の辺においては第１の島形状を有し、前記ＴＦＴ基板のコーナ部においては第２の島形状を有し、前記第１の島形状と前記第２の島形状は異なることを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載の液晶表示装置。
9. 前記酸化物導電膜は、第１の酸化物導電膜と第２の酸化物導電膜の２層構造を有していることを特徴とする請求項１乃至８の何れかに記載の液晶表示装置。
10. 前記第１の酸化物導電膜と第２の酸化物導電膜の平面形状が異なることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
11. 前記液晶表示装置はＩＰＳ方式であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
12. 前記対向基板において、前記シール材の下層には対向基板側配向膜が存在し、前記対向基板側配向膜の下層には対向基板側酸化物導電膜が存在し、前記対向基板側酸化物導電膜は、前記対向基板の端部にまで形成され、
    前記対向基板側酸化物導電膜はフロートであることを特徴とする請求項１乃至１１の何れかに記載の液晶表示装置。
13. 前記液晶表示装置はＶＡ方式であることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
14. 前記液晶表示装置はＴＮ方式であることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
15. 前記配向膜は、光配向処理が施されていることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
16. 前記酸化物導電膜はＩＴＯであることを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。

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