JP2017011122A - 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 - Google Patents

基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 Download PDF

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Abstract

【課題】基板保持機構により保持された基板に傷が付いたり不純物が付着することのない基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体を提供する。【解決手段】基板処理装置は、保持面２３と吸着部２４とを有する回転自在の基板処理機構２２と、塗布液５０ａを供給するノズル５０とを備えている。ノズル５０から保持面２３周縁部に塗布液５０ａが供給され、塗布液が乾燥して保持面２３上にウエハＷを載置する環状塗布膜２５が形成される。【選択図】図３

Description

本発明は、例えば基板に対して例えば現像処理等の流体で処理を行う基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体に関する。
半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）や液晶ディスプレイのガラス基板（ＬＣＤ基板）の表面に所定のパタ−ンを形成するためのマスクは、ウエハ等の基板表面にレジストを塗布した後、光、電子線あるいはイオン線等をレジスト面に照射し、現像液（処理液）を用いた液処理により得られる。
このような液処理は、従来、例えば次のようにして行っていた。つまり先ず、例えば真空吸着機能を備えた基板保持機構上に基板例えばウエハを吸着保持して、供給ノズルからウエハ表面に処理液を供給しながら、ウエハを回転させることにより、液処理が行われる。
ところで液処理中にウエハ等の基板を基板保持機構により吸着保持する際、基板保持機構の保持面に傷やパーティクルが存在すると、この保持面の傷やパーティクルにより基板に傷が付いたり、不純物が付着する。
あるいは基板保持機構の保持面の硬度が高い場合も、保持面により基板に傷が付くことがある。
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、基板保持機構により保持された基板に傷が付いたり不純物が付着することのない基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体を提供することを目的とする。
本発明は、保持面と、この保持面に設けられた吸引部とを有する基板保持機構と、前記基板保持機構の保持面に設けられた前記吸引部を囲むように塗布液を供給して、前記保持面に基板を載置する環状塗布膜を形成する塗布液供給部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置である。
本発明は、保持面と、この保持面に設けられた吸引部とを有する基板保持機構を準備する工程と、前記基板保持機構の保持面に設けられた前記吸引部を囲むように塗布液供給部から塗布液を供給して、前記保持面に基板を載置する環状塗布膜を形成する工程と、前記保持面の前記環状塗布膜上に基板を載置して基板を吸引部により吸着保持する工程と、を備えたことを特徴とする基板処理方法である。
本発明は、コンピュータに基板処理方法を実行させるための記憶媒体において、前記基板処理方法は、前記基板処理方法は、保持面と、この保持面に設けられた吸引部とを有する基板保持機構を準備する工程と、前記基板保持機構の保持面に設けられた前記吸引部を囲うように塗布液供給部から塗布液を供給して、前記保持面に基板を載置する環状塗布膜を形成する工程と、前記保持面の前記環状塗布膜上に基板を載置して基板を吸引部により吸着保持する工程と、を備えたことを特徴とする記憶媒体である。
以上のように本発明によれば、基板保持機構により保持された基板に傷が付いたり、不純物が付着することを防止することができる。
図１は本発明の実施の形態に係る基板処理装置の一例を示す断面図。 図２（ａ）は処理流体を供給するノズルを示す斜視図であり、図２（ｂ）はノズルを示す平面図。 図３（ａ）〜（ｆ）は本発明の実施の形態に係る基板処理方法を示す図。 図４は基板処理装置の基板保持機構を示す底面図。 図５は基板保持機構の保持面と塗布液供給部を示す平面図。
＜発明の実施の形態＞
以下、図１乃至図４を参照して本発明の実施の形態について説明する。
ここで図１は、本発明による基板処理装置を示す縦断面図である。図１に示すように基板処理装置１は基板であるウエハＷの中央近傍を、被処理面が上を向くようにほぼ水平な状態で吸着保持すると共に、当該ウエハＷを鉛直軸まわりに回転させ、かつ昇降させるための、例えばポリテトラフルオロエチレンやポリエ−テルエ−テルケトン等の樹脂あるいは金属により構成されたウエハ保持部（基板保持機構）２２と、このウエハ保持部２２の上方に配置され、ウエハ保持部２２により吸着保持されたウエハＷ表面に薬液、ＤＩＷ（Ｄｅ Ｉｎｏｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ）等からなる処理液、あるいはＮ２ガス等の乾燥ガスを供給するノズル（処理流体供給部）５とを備えている。このうち、ウエハ保持部２２は基板保持機構をなすものであって、ウエハＷを保持する保持面２３と、保持面２３の中央部に開口し、ウエハＷを真空吸着する開口（吸引部）２４とを有している。そしてこのウエハ保持部２２は昇降機構とモ−タとが組み合わされた駆動部２１により、回転軸を介して鉛直軸まわりに回転自在かつ昇降自在となっている。こうしてウエハＷは、ウエハ保持部２２により、図１に示すウエハ保持部２２に吸着保持された処理位置と、処理位置よりも上方側のウエハＷの受け渡し位置Ｈとの間で昇降自在、回転自在に保持される。
このようなウエハ保持部２２の周囲には、前記処理位置にあるウエハＷの周囲を囲み、ウエハ上に供給された処理液を振り切る際に、この液が周囲に飛散するのを防ぐための、円形筒状のカップ３が設けられている。カップ３は、外カップ３１と内カップ３２とからなり、外カップ３１は、処理液の飛散を防止するときには、前記ウエハＷの受け渡し位置よりも上方側に上端が位置し、ウエハＷの受け渡し時や処理液の供給時には、前記ウエハＷの受け渡し位置よりも下方側に上端が位置するように、図示しない昇降機構により昇降自在に構成されている。
内カップ３２は外カップ３１の内側に、前記ウエハＷの受け渡し位置よりも下方側であって、ウエハＷが前記処理位置にあるときには、当該ウエハＷよりも上方側に上端が位置するように設けられている。この内カップ３２は、ウエハＷの側方側では上に向かって内側に傾斜し、ウエハＷの下方側には処理液のウエハＷの裏面側への回り込みを抑えるために、前記処理位置にあるウエハＷの裏面側周縁に接しない程度に環状の凸部３３が設けられ、ウエハＷの外方から凸部３３に向かって上に傾斜するように形成されている。
また内カップ３２のウエハＷの裏面側の周縁領域に対応する位置には、複数例えば３本の保持ピン４が設けられている。この保持ピン４は、ウエハＷをウエハ保持部２２から浮上させた状態で保持するものである。このような保持ピン４は、例えばステンレスにより構成され、先端に例えばアルミナにより構成された保護材が設けられており、ウエハＷを保持するときの当該保持ピン４とウエハＷとの接触面積は、ウエハ保持部２２の保持面２３にてウエハＷを保持したときの保持面２３とウエハＷとの接触面積よりもかなり小さくなるように設定されている。
これら保持ピン４の下端側は、水平な支持ア−ム４１を介して昇降機構４２に接続されており、保持ピン４の上端が、前記処理位置にあるウエハＷの下方側に位置する待機位置と、待機位置よりも上方側の位置であって、ウエハＷを保持してウエハ保持部２２から浮上させる位置との間で昇降可能となっている。さらにカップ３には、処理液の排液路３４と、排気路と排液路とを兼ねた排出路３５とが接続されており、排出路３５は図示しない気液分離手段に接続されている。
上述のようにウエハ保持部２２に真空吸着された処理位置にあるウエハＷの上方には、当該ウエハＷの表面に処理流体を供給するための供給部をなすノズル５が設けられている。このノズル５は、図２（ａ）（ｂ）に示すように、例えば横に細長い棒状に形成されたノズル本体５ａと、ノズル本体５ａの下面に設けられ、ウエハ表面に径方向に沿って処理流体を吐出するための供給孔５ｂとを有し、前記ノズル本体５ａ及び供給孔５ｂは、ウエハ表面の中心線（ウエハＷの中心を通り、径方向に伸びる線）近傍に、処理流体を供給するように構成されている。
また図１に示すように、ウエハ保持部２２の上方には、ウエハ保持部２２の保持面２３の例えば、周縁部に塗布液５０ａを供給して、保持面２３上に開口２４を囲うように所望の膜厚の環状塗布膜２５を形成するノズル（塗布液供給部）５０が設けられている。ここでいう環状塗布膜２５の環状とは、一続きの閉じたヒモ状をなす形状を意味し、円形に限定されるものではない。
ここでノズル５０は、ウエハ保持部２２を回転させながら、ウエハ保持部２２の保持面２３にトップコート液、レジスト液、または反射防止膜液等の塗布液を供給するものである。塗布液は溶剤と、樹脂等からなる水溶性の残部を含み、保持面２３に供給された塗布液はウエハ保持部２２の回転に伴って保持面２３の周縁部に環状に塗布される。そして保持面２３上の塗布液のうち溶剤が外方へ放出され塗布液カップ５１へ導かれ、残部が保持面２３の周縁部に残り、環状塗布膜２５を形成する。この環状塗布膜２５は好ましくは、帯電防止剤を含み、環状塗布膜２５に静電気が帯電しないようになっている。なお、塗布液５０ａに含まれる溶剤の揮発性が高く、ウエハ保持部２２の回転に伴って溶剤が外方へ放出されない場合は、環状塗布膜２５を保持面２３の周縁部に形成しなくてもよく、ウエハＷが吸着保持できるのであれば開口２４を囲うように任意の位置に環状塗布膜２５を形成してもよい。また、この場合、塗布液カップ５１を設けなくてもよい。
また、ウエハ保持部２２と、保持ピン４との間に、ノズル５０から保持面２３上に供給された塗布液を受けて下方へ導く塗布液カップ５１が上下方向に昇降自在に設けられている。
さらにまた、ウエハ保持部２２の外周に、ウエハ保持部２２上のウエハＷの周縁部を保持して持上げるリングガイド５２が設けられている。
ところでウエハ保持部２２の保持面２３には、上述のように開口２４が設けられている。この開口２４は保持面２３の中央部に形成され、保持面２３の周縁部に上述の環状塗布膜２５が形成される（図４参照）。
保持面２３に設けられた開口２４は、ウエハ保持部２２を貫通して延びる連通ライン５５を介して真空源５６に接続されている。
さらにまた連通ライン５５には、真空源５６に加えてＤＩＷ供給源５７およびＮ２ガス供給源５８が接続されており、切換機構６０を介して、連通ライン５５を真空源５６、ＤＩＷ供給源５７またはＮ２ガス供給源５８に選択的に接続することができる。
この場合、連通ライン５５を真空源５６に接続することにより、開口２４は吸着機能をもつことが可能となる。また連通ライン５５をＤＩＷ供給源５７に接続することにより、ＤＩＷ供給５７から連通ライン５５を介して開口２４からＤＩＷを供給することができる。さらに連通ライン５５をＮ２ガス供給源５８に接続することにより、Ｎ２ガス供給源５８から連通ライン５５を介して開口２４からＮ２ガスを供給することができる。
以上に説明した構成を備えた基板処理装置１の各構成要素、例えばウエハ保持部２２の駆動部２１、ノズル５、ノズル５０、昇降機構４２、切換機構６０等は、図１に示すように制御部１０に接続されている。制御部１０はＣＰＵ１１と記憶媒体１２とを備えたコンピュータからなり、記憶媒体１２には液処理装置１の作用、即ち液処理方法の動作に係わる制御についてのステップ（命令）群が組まれたプログラムが記録されている。このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク、メモリーカードなどの記憶媒体１２に格納され、そこからコンピュータにインストールされる。
次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について、図３（ａ）〜（ｆ）により説明する。
まず、図５に示すように、ノズル（塗布液供給部）５０を退避位置から保持面２３の例えば周縁部の上方位置に移動させ、ウエハ保持部２２を回転させながら、ウエハ保持部２２の保持面２３の周縁部にノズル（塗布液供給部）５０から塗布液５０ａを供給する。
この場合、ウエハ保持部２２の回転に伴って、塗布液５０ａは保持面２３の周縁部にリング状に拡がり、保持面２３の周縁部から外方へ放出された塗布液５０ａは保持面２３の周縁部から塗布液カップ５１により下方へ導かれる。このように、塗布液５０ａは保持面２３の周縁部から塗布液カップ５１により下方へ導かれるため、塗布液５０ａがウエハ保持部２２外方に位置するカップ３側へ飛散することはない。
ノズル５０から供給される塗布液５０ａは、上述のようにトップコート液、レジスト液、または反射防止膜液等からなり、保持面２３の周縁部にリング状に拡がる。
保持面２３上の塗布液５０ａは、その後溶剤が外方へ放出され、残部が残って乾燥し固体となって、保持面２３の周縁部に環状塗布膜２５を形成する（図３（ａ）および図４参照）。所望の膜厚の環状塗布膜２５が形成された後、ノズル５０から塗布液５０ａの供給を停止し、その後、ノズル５０からを退避位置に移動し、ウエハ保持部２２の回転が停止する。
保持面２３の周縁部に形成された環状塗布膜２５は、ウエハ保持部２２の保持面２３より軟質の材料からなり、ウエハＷをその上に傷付けることなく載置することができる。
次に図１および図３（ａ）（ｂ）に示すように、外カップ３１をウエハＷの受け渡し位置よりも下降させる。次にウエハＷを、図示しない搬送ア−ムによりウエハ保持部２２上の受け渡し位置まで搬送し、上方に位置する保持ピン４によりウエハＷを受け渡す。その後保持ピン４を降下させてウエハＷをウエハ保持部２２に吸着させる。このとき連通ライン５５は真空源５６に接続されている。
次に待機位置にあるノズル（処理流体供給部）５をウエハ保持部２２の上方位置まで移動させる。このとき、内カップ３２の上端を前記ウエハＷの受け渡し位置よりも上方側に位置させて、ノズル５から処理液５ｃを供給し、ウエハＷの中心線近傍に例えば現像液、洗浄液等の処理液５ｃを供給すると共に、ウエハ保持部２２を回転させる。
このようにノズル５からウエハＷ上に処理液５ｃを供給することにより、ウエハＷ上に処理液５ｃを供給することにより、ウエハＷに対する液処理を実行することができる。
この間、リングガイド５２はウエハＷの外周にウエハＷと接触することなく配置され、ウエハＷ上にノズル５から供給された処理液５ｃはリングガイド５２上面を通って案内されて外方の内カップ３２へ導かれる。
環状塗布膜２５は、ウエハ保持部２２の保持面２３に比べて軟質となっており、かつ環状塗布膜２５は保持面２３から上方へ突出する。このためウエハＷを直接、保持面２３上に載置する場合に比べて、保持面２３上に存在する傷あるいはパーティクルによりウエハＷに傷が付いたり、ウエハＷに不純物が付着することはない。
このためウエハＷを清浄に保ちならが、ウエハＷに対して液処理を施すことができる。
次に図３（ｃ）に示すように、ウエハ保持部２２の回転が停止する。またノズル５からの処理液５ｃの供給が停止し、退避位置に移動する。また、連通ライン５５が切換機構６０によりＤＩＷ供給源５７に接続される。次にＤＩＷ供給源５７から連通ライン５５を介して保持面２３の開口２４にＤＩＷが供給され、このＤＩＷ２４ａは開口２４からウエハＷの裏面に噴出される。この場合、ウエハＷは開口２４により吸着されることなく、保持面２３の環状塗布膜２５上に載置されている。
このため、開口２４から噴出されたＤＩＷ２４ａはウエハＷ裏面を通って外方へ流出する。
ところで、保持面２３上に形成された環状塗布膜２５は、水溶性の材料からなっている。このため環状塗布膜２５は、開口２４から噴出されたＤＩＷ（塗布膜処理液）２４ａにより容易に溶解またはエッチングされ、ＤＩＷ２４ａにより溶解またはエッチングされた環状塗布膜２５はＤＩＷ２４ａとともに保持面２３とウエハＷ裏面との間の間隙を通って外方へ流出する。このときリングガイド５２はウエハＷの外周にあり、ウエハＷからわずかに離れていてもよく、また、リングガイド５２を上昇させ、ウエハＷを保持することで保持面２３と接触しないようにしてもよい。このようにして保持面２３上の環状塗布膜２５が除去される。この場合、保持面２３の開口２４は塗布膜処理液供給部として機能する。
その後、図３（ｄ）に示すように、リングガイド５２でウエハＷを保持していない場合は、リングガイド５２が上昇してウエハＷがリングガイド５２により保持され、ウエハＷが保持面２３からわずかに離れる。この状態でウエハ保持部２２が回転する。保持面２３の開口２４からＤＩＷ２４ａが引き続いて、回転するウエハＷの裏面に噴出される。開口２４から噴出されたＤＩＷ２４ａは回転するウエハＷの裏面を洗浄するとともに、保持面２３を洗浄し、保持面２３とウエハＷの裏面との間の間隙を通って外方へ流出する。このようにして保持面２３およびウエハＷの裏面が洗浄される。
次に図３（ｅ）に示すように、ウエハ保持部２２が引き続いて回転し、連通ライン５５が切換機構６０によりＮ２ガス供給源５８に接続される。この場合、開口２４からのＤＩＷ２４ａの噴出は停止し、代わりにＮ２ガス供給源５８から供給されたＮ２ガス２４ｂが連通ライン５５を経て開口２４からウエハＷの裏面に噴出する。
ウエハＷの裏面に噴出されたＮ２ガス２４ｂは、保持面２３およびウエハＷの裏面に残るＤＩＷ２４ａを外方へ追い出し、このようにして保持面２３およびウエハＷの裏面が乾燥する。この場合、開口２４はＮ２ガス供給部として機能する。
その後、図３（ｆ）に示すように、保持ピン４が上昇してウエハＷを上方の受け渡し位置まで持上げ、その後、リングガイド５２を下降させる。次にウエハＷは、図示しない搬送アームにより外方へ搬出される。このとき、外カップ３１は予め降下しており、外カップ３１の上端は、受け渡し位置より下方に位置している。
以上のように本実施の形態によれば、ウエハ保持部２２の保持面２３に保持面２３に比べて軟質の所望の膜厚の環状塗布膜２５を形成することができ、この環状塗布膜２５上にウエハＷを載置することができる。このため保持面２３に直接ウエハＷを載置する場合に比べて、保持面２３上に存在する傷あるいはパーティクルによりウエハＷに傷が付いたり、ウエハＷに不純物が付着することを未然に防ぐことができる。また保持面２３上に設けられた環状塗布膜２５は水溶性材料からなるため、ウエハＷを保持面２３上の環状塗布膜２５に載置してウエハＷに対して液処理を施した後、保持面２３から環状塗布膜２５をＤＩＷ２４ａにより容易に溶解またはエッチングして除去することができる。そして新たなウエハＷをウエハ保持部２２の保持面２３上に保持する毎に、新しい環状塗布２５を容易かつ簡単に形成することができる。
＜本発明の変形例＞
次に本発明の変形例について述べる。上記実施の形態において、保持面２３上に環状塗布膜２５を形成した後、保持面２３の中央部に設けられた開口２４からＤＩＷ２４ａを保持面２３に供給して環状塗布膜２５を溶解またはエッチングして除去する例を示したが、これに限らず保持面２３の周縁部にＤＩＷを供給する３個の開口２４Ａを設けてもよい（図４参照）。この場合、保持面２３の中央部の開口２４は真空源５６に接続されて吸引部として機能する。また周縁部の開口２４Ａは、ＤＩＷ供給源５７またはＮ２ガス供給源５８に選択的に接続されてＤＩＷ供給部あるいはＮ２ガス供給部として機能する。
あるいはまた，環状塗布膜２５を溶解またはエッチングするためのＤＩＷを供給するＤＩＷ供給部をウエハ保持部２２の上方に配置してもよい。
さらにまた保持面２３に設けられた環状塗布膜２５上にウエハＷを載置して吸着保持し、このウエハＷに対して液処理を施した後（図３（ｂ）参照）、環状塗布膜２５をＤＩＷ２４ａにより溶解またはエッチングして除去する例を示したが（図３（ｃ）参照）、これに限らず環状塗布膜２５上に載置されたウエハＷに対して液処理を施した後（図３（ｂ）参照）、環状塗布膜２５を除去することなく、直ちに環状塗布膜２５上のウエハＷを保持ピン４により上方の受け渡し位置まで持ち上げて搬送アームにより外方へ搬出してもよい(図３（ｆ）参照）。この場合、環状塗布膜２５を複数回の液処理に渡って連続的に使用することができる。
さらにまたノズル５を用いて塗布液を供給し、ノズル５と別体のノズル５０を用いて処理流体を供給する例を示したが、これに限らず、単一のノズル５またはノズル５０のいずれかを用いて塗布液を供給するとともに処理流体を供給してもよい。
さらにまた環状塗布膜２５は、平らな保持面２３に形成されるに限らず、たとえば、環状の凸部を有する保持面２３（図示しない）の凸部上部に環状塗布膜２５が形成されてもよく、また、環状の凹部を有する保持面２３（図示しない）の凹部内から突出するように環状塗布膜２５を形成してもよい。
また、上記の実施形態では、ウエハＷを吸着保持して回転するウエハ保持部に環状塗布膜２５を形成する例を示したが、これに限らず、ウエハＷを回転させずにウエハＷを吸着保持するウエハ保持部に環状塗布膜２５を形成するようにしてもよい。
１ 基板処理装置
３ カップ
４ 保持ピン
５ ノズル
５ａ 処理流体
１０ 制御部
１１ 記憶媒体
２２ ウエハ保持部
２３ 保持面
２４ 開口
２４ａ ＤＩＷ
２４ｂ Ｎ２ガス
２５ 環状塗布膜
３１ 外カップ
３２ 内カップ
４２ 昇降機構
５０ ノズル
５０ａ 塗布液
５１ 塗布液カップ
５２ リングガイド
Ｗ ウエハ

Claims (16)

  1. 保持面と、この保持面に設けられた吸引部とを有する基板保持機構と、
    前記基板保持機構の保持面に設けられた前記吸引部を囲うように塗布液を供給して、前記保持面に基板を載置する環状塗布膜を形成する塗布液供給部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記基板保持部は、回転自在であることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  3. 前記保持面上の前記環状塗布膜を溶解またはエッチングする処理液を供給する塗布膜処理液供給部を更に備えたことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  4. 前記基板保持機構の外周に、前記基板保持機構に保持された基板を上方へ持上げる保持ピンを設けたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載の基板処理装置。
  5. 前記基板保持機構の外周に、前記基板保持機構に保持された基板の周縁部を保持して持上げるリングガイドを設けたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか記載の基板処理装置。
  6. 前記基板保持機構と前記保持ピンとの間に、前記基板保持機構の保持面周縁部に供給された塗布液を下方へ導く塗布液カップを設けたことを特徴とする請求項４または５記載の基板処理装置。
  7. 基板保持機構の上方に、前記基板保持機構に保持された基板に対して処理流体を供給する処理流体供給部を設けたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか記載の基板処理装置。
  8. 保持面と、この保持面に設けられた吸引部とを有する基板保持機構を準備する工程と、
    前記基板保持機構の保持面に設けられた前記吸引部を囲うように塗布液供給部から塗布液を供給して、前記保持面に基板を載置する環状塗布膜を形成する工程と、
    前記保持面の前記環状塗布膜上に基板を載置して基板を吸引部により吸着保持する工程と、を備えたことを特徴とする基板処理方法。
  9. 前記基板保持機構は、回転自在であることを特徴とする請求項８の基板処理方法。
  10. 前記基板保持機構により保持された基板上に、前記基板保持機構の上方に設けられた処理流体供給部から処理流体を供給する工程を更に備えたことを特徴とする請求項８または９記載の基板処理方法。
  11. 前記保持面の周縁部に塗布液を供給する際、前記基板保持機構外周に設けられた塗布液カップにより塗布液を下方へ導くことを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか記載の基板処理方法。
  12. 前記保持面上の前記環状塗布膜を溶解またはエッチングする処理液を塗布膜処理液供給部から供給することを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか記載の基板処理方法。
  13. 前記基板保持機構の外周に設けられたリングガイドにより、前記基板保持機構に保持された基板の周縁部を保持して持上げることを特徴とする請求項１２記載の基板処理方法。
  14. 前記塗布液は溶剤と残部とを含み、前記保持面に供給された後、溶剤が外方へ放出され、残部が前記保持面上に残ることを特徴とする請求項８乃至１３のいずれか記載の基板処理方法。
  15. 前記塗布液はトップコート液、レジスト液または反射防止膜液のいずれかを含むことを特徴とする請求項１４記載の基板処理方法。
  16. コンピュータに基板処理方法を実行させるための記憶媒体において、
    前記基板処理方法は、
    保持面と、この保持面に設けられた吸引部とを有する基板保持機構を準備する工程と、
    前記基板保持機構の保持面に設けられた前記吸引部を囲うように塗布液供給部から塗布液を供給して、前記保持面に基板を載置する環状塗布膜を形成する工程と、
    前記保持面の前記環状塗布膜上に基板を載置して基板を吸引部により吸着保持する工程と、を備えたことを特徴とする記憶媒体。
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