JP2017017402A - トランス装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】一層広帯域の伝送周波数特性を有するトランス装置を提供する。【解決手段】伝送周波数帯域Wt1を有するトランス2と、トランス2の前・後段に配設された各フィルタ4a,4bと、低周波側帯域が伝送周波数帯域Wt1の高周波側帯域との重複帯域となる伝送周波数帯域Wt2を有するトランス3と、トランス3の前・後段に配設された各フィルタ5a,5bとを備え、各フィルタ4a,4bは重複帯域内に高域側遮断周波数が含まれる通過帯域Wf1のフィルタ4を構成し、各フィルタ5a,5bは重複帯域内に低域側遮断周波数が含まれる通過帯域Wf2のフィルタ5を構成し、トランス2およびフィルタ4からなる伝送回路6と、トランス3およびフィルタ5からなる伝送回路7とが並列接続されて、全体として両伝送周波数帯域Wt1,Wt2を含む周波数帯域において伝送信号Siを平坦な周波数特性で伝送する。【選択図】図1
Description
本発明は、信号伝送用のトランス装置に関するものである。
この種のトランス装置として、下記の特許文献1に開示されたトランスが知られている。図5に示すように、このトランス51は、1つのトロイダルコア52に一次巻線53および二次巻線54が巻回された構造を有して、通信データを伝達し得るパルストランスとして構成されている。
ところが、上記したトランス装置には、以下のような改善すべき課題が存在している。すなわち、このトランス装置は、通信データ(つまり、通信データを構成するデジタルデータの基本周波数成分およびその高調波成分)を伝達可能な広帯域の伝送周波数特性を備えているが、このトランス装置の帯域よりも、さらに低周波側やさらに高周波側に伝送周波数特性が伸びている一層広帯域のトランス装置の実現が望まれている。
本発明は、かかる課題を改善するためになされたものであり、一層広帯域の伝送周波数特性を有するトランス装置を提供することを主目的とする。
上記目的を達成すべく請求項1記載のトランス装置は、第1伝送周波数帯域を有する第1トランスと、前記第1トランスの前段に配設された第1前段フィルタと、前記第1トランスの後段に配設された第1後段フィルタと、低周波側帯域が前記第1伝送周波数帯域の高周波側帯域との重複帯域となる第2伝送周波数帯域を有する第2トランスと、前記第2トランスの前段に配設された第2前段フィルタと、前記第2トランスの後段に配設された第2後段フィルタとを備え、前記第1前段フィルタおよび前記第1後段フィルタは、全体として前記重複帯域内に高域側遮断周波数が含まれる第1通過帯域を有する第1フィルタを構成し、前記第2前段フィルタおよび前記第2後段フィルタは、全体として前記重複帯域内に低域側遮断周波数が含まれる第2通過帯域を有する第2フィルタを構成し、前記第1前段フィルタ、前記第1トランスおよび前記第1後段フィルタで構成される低周波側伝送回路と、前記第2前段フィルタ、前記第2トランスおよび前記第2後段フィルタで構成される高周波側伝送回路とが並列接続されることにより、全体として前記第1伝送周波数帯域および前記第2伝送周波数帯域を含む周波数帯域において、入力される伝送信号を平坦な周波数特性で伝送する。
請求項2記載のトランス装置は、請求項1記載のトランス装置において、前記第1フィルタおよび前記第2フィルタは、前記高域側遮断周波数および前記低域側遮断周波数が一致するように構成されている。
請求項1記載のトランス装置では、第1前段フィルタおよび第1後段フィルタは、全体として重複帯域(第1トランス単体での第1伝送周波数帯域と第2トランス単体での第2伝送周波数帯域の重複帯域)内に高域側遮断周波数が含まれる第1通過帯域を有する第1フィルタを構成し、第2前段フィルタおよび第2後段フィルタは、全体として重複帯域内に低域側遮断周波数が含まれる第2通過帯域を有する第2フィルタを構成し、第1トランスおよび第1フィルタで構成される低周波側伝送回路と、第2トランスおよび第2フィルタで構成される高周波側伝送回路とが並列接続されて、全体として第1伝送周波数帯域および第2伝送周波数帯域を含む周波数帯域において、入力される伝送信号を平坦な周波数特性で伝送する。
したがって、このトランス装置によれば、第1トランスまたは第2トランスのいずれか一方のトランスだけの構成(単一のトランスだけの構成)のときの伝送周波数帯域よりも広帯域の周波数帯域において、入力される伝送信号を伝送することができる。つまり、このトランス装置によれば、単一のトランスだけの構成と比較して、一層広帯域の伝送周波数特性を有するトランス装置を提供することができる。
請求項2記載のトランス装置によれば、第1フィルタおよび第2フィルタ5のうちのより低い通過帯域を有する第1フィルタの高域側遮断周波数、およびより高い通過帯域を有する第2フィルタの低域側遮断周波数が一致するように両フィルタが構成されているため、広帯域の周波数帯域において、入力される伝送信号をより一層平坦な周波数特性で伝送することができる。
以下、トランス装置の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。
最初に、図1に示すトランス装置としてのトランス装置1の構成について、図面を参照して説明する。なお、以下では、発明の理解を容易にするため、トランス装置1の各構成要素での損失はゼロであるものとする。
このトランス装置1は、一例として、第1トランス2、第2トランス3、第1フィルタ4、および第2フィルタ5を備え、第1トランス2および第1フィルタ4で構成される第1伝送回路6と、第2トランス3および第2フィルタ5で構成される第2伝送回路7とが入力端子Piと出力端子Poとの間に並列接続されて構成されて、入力端子Piから入力される伝送信号Siを平坦な周波数特性で伝送信号Soとして伝送可能(出力端子Poから出力可能)となっている。
第1トランス2は、一例として、共通の不図示の磁芯に互いに独立した状態で、かつ同じターン数で巻回されて形成された一次巻線2aおよび二次巻線2bを備えて、信号伝送用トランスとして構成されている。また、第1トランス2は、単体での伝送周波数帯域Wt1(第1伝送周波数帯域)の上限周波数が図2に示すように周波数ft1となるように規定される(以下では、この周波数ft1を第1トランス2単体での上限周波数ft1ともいう)と共に、この伝送周波数帯域Wt1内でのゲインが平坦(一例として0[dB]で一定)となる伝送周波数特性を有している。
第2トランス3は、一例として、共通の不図示の磁芯(第1トランス2の磁芯とは磁気的に結合しない他の磁芯)に互いに独立した状態で、かつ同じターン数で巻回されて形成された一次巻線3aおよび二次巻線3bを備えて、信号伝送用トランスとして構成されている。また、第2トランス3は、単体での伝送周波数帯域Wt2(第2伝送周波数帯域)の下限周波数が図2に示すように周波数ft2(周波数ft1よりも低い周波数)となるように規定される(以下では、この周波数ft2を第2トランス3単体での下限周波数ft2ともいう)と共に、この伝送周波数帯域Wt2内でのゲインが平坦(一例として0[dB]で一定)となる伝送周波数特性を有している。
また、上記したように、第2トランス3は、その伝送周波数帯域Wt2の下限周波数ft2が第1トランス2の伝送周波数帯域Wt1の上限周波数ft1よりも低い周波数に規定されていることから、図2に示すように、その伝送周波数帯域Wt2の低周波側帯域が伝送周波数帯域Wt1の高周波側帯域と重複する構成、つまり伝送周波数帯域Wt2の低周波側帯域が伝送周波数帯域Wt1の高周波側帯域との重複帯域Wov(下限周波数が周波数ft2で、上限周波数が周波数ft1の周波数帯域)となる構成となっている。
第1フィルタ4は、図1に示すように、第1トランス2の前段に配設されて第1トランス2の一次巻線2aに接続された第1前段フィルタ4aと、第1トランス2の後段に配設されて第1トランス2の二次巻線2bに接続された第1後段フィルタ4bとで構成されている。また、本例では、第1フィルタ4は、第1トランス2が伝送可能な周波数帯域(上記したように重複帯域Wovでは重複するものの第2トランス3の伝送周波数帯域Wt2よりも全体として低い伝送周波数帯域Wt1)の信号を選択的に通過させる構成となっている。このため、この第1フィルタ4は、低域通過型フィルタとして構成されている。
本例では、第1前段フィルタ4aは、一例として、入力端子Piと第1トランス2の一次巻線2aの一端との間に配設された1つのコイル11(インダクタンス値La)と、この一次巻線2aの一端と他端との間に接続された(つまり、一次巻線2aに並列に接続された)1つのコンデンサ12(容量値Ca)とで構成されている。また、本例では一例として、一次巻線2aの他端は、トランス装置1の基準電位(グランド電位)Gに接続されている。
また、第1後段フィルタ4bは、一例として、第1トランス2の二次巻線2bの一端と二次巻線2bの他端との間に接続された(つまり、二次巻線2bに並列に接続された)1つのコンデンサ13(容量値Ca)と、二次巻線2bの一端と出力端子Poとの間に配設された1つのコイル14(インダクタンス値La)とで構成されている。また、本例では一例として、二次巻線2bの他端は基準電位Gに接続されている。
以上のように第1前段フィルタ4aおよび第1後段フィルタ4bが構成されているため、各フィルタ4a,4bで構成される第1フィルタ4は、全体として、直列接続された2つのコイル11,14と、各コイル11,14の接続点と基準電位Gとの間に配設された1つのコンデンサ(2つのコンデンサ12,13の並列合成容量値と同じ容量値(2×Ca)のコンデンサ)とで構成されるパッシブフィルタであるT型3次の低域通過型フィルタとして機能する。
また、この構成により、この第1フィルタ4を含んで構成される第1伝送回路6は、低周波側伝送回路として機能する。また、各コイル11,14のインダクタンス値Laおよび各コンデンサ12,13の容量値Caは、上記の第1フィルタ4の通過帯域Wf1(第1通過帯域)の高域側遮断周波数ff1(第1伝送回路6の高域側遮断周波数でもある)が重複帯域Wov内に含まれるように規定されている。
第2フィルタ5は、図1に示すように、第2トランス3の前段に配設されて第2トランス3の一次巻線3aに接続された第2前段フィルタ5aと、第2トランス3の後段に配設されて第2トランス3の二次巻線3bに接続された第2後段フィルタ5bとで構成されている。また、本例では、第2フィルタ5は、第2トランス3が伝送可能な周波数帯域(上記したように重複帯域Wovでは重複するものの第1トランス2の伝送周波数帯域Wt1よりも全体として高い伝送周波数帯域Wt2)の信号を選択的に通過させる構成となっている。このため、この第2フィルタ5は、高域通過型フィルタとして構成されている。
本例では、第2前段フィルタ5aは、一例として、入力端子Piと第2トランス3の一次巻線3aの一端との間に配設された1つのコンデンサ21(容量値Cb)と、この一次巻線3aの一端と他端との間に接続された(つまり、一次巻線3aに並列に接続された)1つのコイル22(インダクタンス値Lb)とで構成されている。また、本例では一例として、一次巻線3aの他端は、基準電位Gに接続されている。
また、第2後段フィルタ5bは、一例として、第2トランス3の二次巻線3bの一端と他端との間に接続された(つまり、二次巻線3bに並列に接続された1つのコイル23(インダクタンス値Lb)と、二次巻線3bの一端と出力端子Poとの間に配設された1つのコンデンサ24(容量値Cb)とで構成されている。また、本例では一例として、二次巻線3bの他端は基準電位Gに接続されている。
以上のように第2前段フィルタ5aおよび第2後段フィルタ5bが構成されているため、各フィルタ5a,5bで構成される第2フィルタ5は、全体として、直列接続された2つのコンデンサ21,24と、各コンデンサ21,24の接続点と基準電位Gとの間に配設された1つのコイル(2つのコイル22,23の並列合成インダクタンス値と同じインダクタンス値(Lb/2)のコイル)とで構成されるパッシブフィルタであるT型3次の高域通過型フィルタとして機能する。
また、この構成により、この第2フィルタ5を含んで構成される第2伝送回路7は、第1伝送回路6を基準として、高周波側伝送回路として機能する。また、各コンデンサ21,24の容量値Cbおよび各コイル22,23のインダクタンス値Lbは、上記の第2フィルタ5の通過帯域Wf2(第2通過帯域)の低域側遮断周波数ff2(第2伝送回路7の低域側遮断周波数でもある)が重複帯域Wov内に含まれるように規定されている。
本例では、図2に示すように、この低域側遮断周波数ff2が第1フィルタ4の通過帯域Wf1の高域側遮断周波数ff1と同等となる(互いに一致するか、またはほぼ一致するとみなせる程度に近接した値となる)ように、各コンデンサ21,24の容量値Cbおよび各コイル22,23のインダクタンス値Lbが規定されている。このため、第1伝送回路6および第2伝送回路7が並列接続されて構成されているトランス装置1は、トランス装置としての全体伝送周波数帯域Wtt(図2参照)内の伝送信号Siを平坦な周波数特性で伝送信号Soとして伝送可能に構成されている。
この場合、この全体伝送周波数帯域Wttとは、低周波側伝送回路として機能する第1伝送回路6の下限周波数(第1トランス2および第1フィルタ4の各下限周波数のうちの高い方の下限周波数)から、高周波側伝送回路として機能する第2伝送回路7の上限周波数(第2トランス3および第2フィルタ5の各上限周波数のうちの低い方の上限周波数)までの周波数帯域である。本例では、図2に示すように、第1フィルタ4の通過帯域Wf1の下限周波数よりも第1トランス2の伝送周波数帯域Wt1の下限周波数の方が高いため、第1伝送回路6の下限周波数は、この第1トランス2の伝送周波数帯域Wt1の下限周波数となっている。また、第2フィルタ5の通過帯域Wf2の上限周波数よりも第2トランス3の伝送周波数帯域Wt2の上限周波数の方が低いため、第2伝送回路7の上限周波数は、この第2トランス3の伝送周波数帯域Wt2の上限周波数となっている。したがって、本例での全体伝送周波数帯域Wttは、図2に示すように、第1トランス2の伝送周波数帯域Wt1の下限周波数から第2トランス3の伝送周波数帯域Wt2の上限周波数までの周波数帯域、つまり、伝送周波数帯域Wt1および伝送周波数帯域Wt2全体を含む周波数帯域となっている。
次に、トランス装置1の動作について説明する。このトランス装置1の入力端子Piに不図示の信号源から伝送信号Siが入力されている状態において、この伝送信号Siの周波数が低域側遮断周波数ff2(本例では高域側遮断周波数ff1でもある)以下の低周波数のときには、低周波側伝送回路として機能する第1伝送回路6がこの伝送信号Siを、平坦な周波数特性で主として伝送して出力端子Poから伝送信号Soとして出力する。また、この伝送信号Siの周波数が低域側遮断周波数ff2(本例では高域側遮断周波数ff1でもある)以上の高周波数のときには、高周波側伝送回路として機能する第2伝送回路7がこの伝送信号Siを、平坦な周波数特性で主として伝送して出力端子Poから伝送信号Soとして出力する。
このように、このトランス装置1では、第1前段フィルタ4aおよび第1後段フィルタ4bは、全体として重複帯域Wov(第1トランス2単体での伝送周波数帯域Wt1と第2トランス3単体での伝送周波数帯域Wt2の重複帯域)内に高域側遮断周波数ff1が含まれる第1通過帯域Wf1を有する第1フィルタ4を構成し、第2前段フィルタ5aおよび第2後段フィルタ5bは、全体として重複帯域Wov内に低域側遮断周波数ff2が含まれる第2通過帯域Wf2を有する第2フィルタ5を構成し、第1トランス2および第1フィルタ4で構成される第1伝送回路6と、第2トランス3および第2フィルタ5で構成される第2伝送回路7とが並列接続されて、全体として伝送周波数帯域Wt1および伝送周波数帯域Wt2を含む全体伝送周波数帯域Wttにおいて、入力される伝送信号Siを平坦な周波数特性で伝送信号Soとして伝送(出力)する。
したがって、このトランス装置1によれば、第1トランス2または第2トランス3のいずれか一方のトランスだけの構成(単一のトランスだけの構成)のときの伝送周波数帯域(単一の第1トランス2だけの構成のときには伝送周波数帯域Wt1、単一の第2トランス3だけの構成のときには伝送周波数帯域Wt2)よりも広帯域の全体伝送周波数帯域Wttにおいて、入力される伝送信号Siを伝送信号Soとして伝送(出力)することができる。つまり、このトランス装置1によれば、単一のトランスだけの構成と比較して、一層広帯域の伝送周波数特性を有するトランス装置を提供することができる。
また、このトランス装置1によれば、第1フィルタ4および第2フィルタ5のうちのより低い通過帯域Wf1を有する第1フィルタ4の高域側遮断周波数ff1、およびより高い通過帯域Wf2を有する第2フィルタ5の低域側遮断周波数ff2が一致するように両フィルタ4,5が構成されているため、広帯域の全体伝送周波数帯域Wttにおいて、入力される伝送信号Siをより一層平坦な周波数特性で伝送信号Soとして伝送(出力)することができる。
なお、上記のトランス装置1は、第1トランス2および第1フィルタ4で構成される第1伝送回路6と、第2トランス3および第2フィルタ5で構成される第2伝送回路7の2つの伝送回路を並列接続する構成を採用しているが、3つ以上の伝送回路を並列接続する構成を採用してトランス装置を構成することもできる。以下では、図3,4を参照して、一例として、3つの伝送回路を並列接続して構成されたトランス装置1Aについて説明する。
このトランス装置1Aは、図3に示すように、第1トランス2、第2トランス31、第3トランス32、第1フィルタ4、第2フィルタ33および第3フィルタ34を備え、第1トランス2および第1フィルタ4で構成される第1伝送回路(低周波側伝送回路)6と、第2トランス31および第2フィルタ33で構成される第2伝送回路(中周波側伝送回路)35と、第3トランス32および第3フィルタ34で構成される第3伝送回路(高周波側伝送回路)36とが入力端子Piと出力端子Poとの間に並列接続されて構成されて、入力端子Piから入力される伝送信号Siを平坦な周波数特性で伝送信号Soとして伝送可能(出力端子Poから出力可能)となっている。なお、第1伝送回路6は、上記したトランス装置1と同一であるため、同一の構成については同一の符号を付して重複する説明を省略する。
第2トランス31は、一例として、共通の不図示の磁芯(第1トランス2の磁芯とは磁気的に結合しない他の磁芯)に互いに独立した状態で、かつ同じターン数で巻回されて形成された不図示の一次巻線および二次巻線を備えて、信号伝送用トランスとして構成されている。また、第2トランス31は、単体での伝送周波数帯域Wt2(第2伝送周波数帯域)の下限周波数が図4に示すように周波数ft2(周波数ft1よりも低い周波数)となるように規定され(以下では、この周波数ft2を第2トランス31単体での下限周波数ft2ともいう)、また伝送周波数帯域Wt2の上限周波数が周波数ft3となるように規定されている(以下では、この周波数ft3を第2トランス31単体での上限周波数ft3ともいう)。また、第2トランス31は、この伝送周波数帯域Wt2内でのゲインが平坦(一例として0[dB]で一定)となる伝送周波数特性を有している。
また、上記したように、第2トランス31は、その伝送周波数帯域Wt2の下限周波数ft2が第1トランス2の伝送周波数帯域Wt1の上限周波数ft1よりも低い周波数に規定されていることから、図4に示すように、その伝送周波数帯域Wt2の低周波側帯域が伝送周波数帯域Wt1の高周波側帯域と重複する構成、つまり伝送周波数帯域Wt2の低周波側帯域が伝送周波数帯域Wt1の高周波側帯域との重複帯域Wov(下限周波数が周波数ft2で、上限周波数が周波数ft1の周波数帯域。第1重複帯域Wovともいう)となる構成となっている。
第3トランス32は、一例として、共通の不図示の磁芯(他のトランス2,31の磁芯とは磁気的に結合しない他の磁芯)に互いに独立した状態で、かつ同じターン数で巻回されて形成された不図示の一次巻線および二次巻線を備えて、信号伝送用トランスとして構成されている。また、第3トランス32は、単体での伝送周波数帯域Wt3(第3伝送周波数帯域)の下限周波数が図4に示すように周波数ft4(周波数ft3よりも低く、上限周波数ft1よりも十分に高い周波数)となるように規定されている(以下では、この周波数ft4を第3トランス32単体での下限周波数ft4ともいう)。また、第3トランス32は、この伝送周波数帯域Wt3内でのゲインが平坦(一例として0[dB]で一定)となる伝送周波数特性を有している。
また、上記したように、第3トランス32は、その伝送周波数帯域Wt3の下限周波数ft4が第2トランス3の伝送周波数帯域Wt2の上限周波数ft3よりも低い周波数に規定されていることから、図4に示すように、その伝送周波数帯域Wt3の低周波側帯域が伝送周波数帯域Wt2の高周波側帯域と重複する構成、つまり伝送周波数帯域Wt3の低周波側帯域が伝送周波数帯域Wt2の高周波側帯域との重複帯域Wov(下限周波数が周波数ft4で、上限周波数が周波数ft3の周波数帯域。第2重複帯域Wovともいう)となる構成となっている。
第2フィルタ33は、図3に示すように、第2トランス31の前段に配設されて第2トランス31の一次巻線に接続された第2前段フィルタ33aと、第2トランス31の後段に配設されて第2トランス31の二次巻線に接続された第2後段フィルタ33bとで構成されている。また、本例では、第2フィルタ33は、第2トランス31が伝送可能な周波数帯域(上記したように第1重複帯域Wovでは重複するものの第1トランス2の伝送周波数帯域Wt1よりも全体として高く、かつ第2重複帯域Wovでは重複するものの第3トランス32の伝送周波数帯域Wt3よりも全体として低い伝送周波数帯域Wt2)の信号を選択的に通過させる構成となっている。このため、この第2フィルタ5は、帯域通過型フィルタ(バンドパスフィルタ)として構成されている。
また、この第2フィルタ33は、図4に示すように、その通過帯域Wf2の低域側遮断周波数ff2が第1重複帯域Wov内に含まれるように規定されていると共に、通過帯域Wf2の高域側遮断周波数ff3が第2重複帯域Wov内に含まれるように規定されている。また、本例では、第2フィルタ33は、その低域側遮断周波数ff2が第1フィルタ4の通過帯域Wf1の高域側遮断周波数ff1と同等となる(互いに一致するか、またはほぼ一致するとみなせる程度に近接した値となる)ように、かつその高域側遮断周波数ff3が第3フィルタ34の後述する通過帯域Wf3の低域側遮断周波数ff4と同等となる(互いに一致するか、またはほぼ一致するとみなせる程度に近接した値となる)ように構成されている。
第3フィルタ34は、図3に示すように、第3トランス32の前段に配設されて第2トランス32の一次巻線に接続された第3前段フィルタ34aと、第3トランス32の後段に配設されて第3トランス32の二次巻線に接続された第3後段フィルタ34bとで構成されている。また、本例では、第3フィルタ34は、第3トランス32が伝送可能な周波数帯域(上記したように第2重複帯域Wovでは重複するものの第2トランス31の伝送周波数帯域Wt2よりも全体として高い伝送周波数帯域Wt3)の信号を選択的に通過させる構成となっている。このため、この第3フィルタ34は、高域通過型フィルタとして構成されている。
以上の構成により、このトランス装置1Aでの全体伝送周波数帯域Wttとは、低周波側伝送回路として機能する第1伝送回路6の下限周波数(第1トランス2および第1フィルタ4の各下限周波数のうちの高い方の下限周波数)から、高周波側伝送回路として機能する第3伝送回路36の上限周波数(第3トランス32および第3フィルタ34の各上限周波数のうちの低い方の上限周波数)までの周波数帯域である。本例では、図4に示すように、第1フィルタ4の通過帯域Wf1の下限周波数よりも第1トランス2の伝送周波数帯域Wt1の下限周波数の方が高いため、第1伝送回路6の下限周波数は、この第1トランス2の伝送周波数帯域Wt1の下限周波数となっている。また、第3フィルタ34の通過帯域Wf3の上限周波数よりも第3トランス32の伝送周波数帯域Wt3の上限周波数の方が低いため、第3伝送回路36の上限周波数は、この第3トランス32の伝送周波数帯域Wt3の上限周波数となっている。したがって、本例でのトランス装置1Aの全体伝送周波数帯域Wttは、図4に示すように、第1トランス2の伝送周波数帯域Wt1の下限周波数から第3トランス32の伝送周波数帯域Wt3の上限周波数までの周波数帯域、つまり、伝送周波数帯域Wt1,Wt2,Wt3全体を含む周波数帯域となっている。
また、このトランス装置1Aでは、上記したように、第2フィルタ33の通過帯域Wf2における低域側遮断周波数ff2が第1フィルタ4の通過帯域Wf1における高域側遮断周波数ff1と同等となり、かつ第3フィルタ34の通過帯域Wf3における低域側遮断周波数ff4が第2フィルタ33の通過帯域Wf2における高域側遮断周波数ff3と同等となるように規定されている。このため、各伝送回路6,35,36が並列接続されて構成されているトランス装置1Aは、トランス装置としての全体伝送周波数帯域Wtt内の伝送信号Siを平坦な周波数特性で伝送信号Soとして伝送可能に構成されている。
したがって、このトランス装置1Aにおいても、第1トランス2、第2トランス31および第3トランス32のうちのいずれか一方のトランスだけの構成(単一のトランスだけの構成)のときの周波数帯域(単一の第1トランス2だけの構成のときには伝送周波数帯域Wt1、単一の第2トランス31だけの構成のときには伝送周波数帯域Wt2、単一の第3トランス32だけの構成のときには伝送周波数帯域Wt3)よりも広帯域の全体伝送周波数帯域Wttにおいて、入力される伝送信号Siを伝送信号Soとして伝送(出力)することができる。つまり、このトランス装置1Aによれば、単一のトランスだけの構成や、単一のトランスを2つ使用する構成と比較して、一層広帯域の伝送周波数特性を有するトランス装置を提供することができる。
また、このトランス装置1Aによれば、第1フィルタ4、第2フィルタ33および第3フィルタ34のうちの低周波側の通過帯域Wf1を有する第1フィルタ4の高域側遮断周波数ff1と中周波側の通過帯域Wf2を有する第2フィルタ33の低域側遮断周波数ff2とが一致し、かつこの第2フィルタ33の高域側遮断周波数ff3と高周波側の通過帯域Wf3を有する第3フィルタ34の低域側遮断周波数ff4とが一致するように各フィルタ4,33,34が構成されているため、一層広帯域の全体伝送周波数帯域Wttにおいて、入力される伝送信号Siをより一層平坦な周波数特性で伝送信号Soとして伝送(出力)することができる。
また、上記のトランス装置1,1Aでは、フィルタ4を構成する第1前段フィルタ4aおよび第1後段フィルタ4bを同じ次数(上記の例では、第1前段フィルタ4aおよび第1後段フィルタ4bが全体として3次のフィルタであるため、双方とも1.5次)のLC回路で構成しているが、例えば、第1前段フィルタ4aを3次とし、第1後段フィルタ4bを5次とする構成のように、異なる次数のLC回路で構成することもできる。これについては、他のフィルタ5,33,34においても同様に適用することができる。また、各フィルタ4,5,33,34については、T型のフィルタに限定されず、π型など種々の形態のフィルタで構成することもできる。
1,1A トランス装置
2,3,31,32 トランス
4,5,33,34 フィルタ
4a,5a 前段フィルタ
4b,5b 前段フィルタ
6 第1伝送回路
7 第2伝送回路
2,3,31,32 トランス
4,5,33,34 フィルタ
4a,5a 前段フィルタ
4b,5b 前段フィルタ
6 第1伝送回路
7 第2伝送回路
Claims (2)
- 第1伝送周波数帯域を有する第1トランスと、
前記第1トランスの前段に配設された第1前段フィルタと、
前記第1トランスの後段に配設された第1後段フィルタと、
低周波側帯域が前記第1伝送周波数帯域の高周波側帯域との重複帯域となる第2伝送周波数帯域を有する第2トランスと、
前記第2トランスの前段に配設された第2前段フィルタと、
前記第2トランスの後段に配設された第2後段フィルタとを備え、
前記第1前段フィルタおよび前記第1後段フィルタは、全体として前記重複帯域内に高域側遮断周波数が含まれる第1通過帯域を有する第1フィルタを構成し、
前記第2前段フィルタおよび前記第2後段フィルタは、全体として前記重複帯域内に低域側遮断周波数が含まれる第2通過帯域を有する第2フィルタを構成し、
前記第1前段フィルタ、前記第1トランスおよび前記第1後段フィルタで構成される低周波側伝送回路と、前記第2前段フィルタ、前記第2トランスおよび前記第2後段フィルタで構成される高周波側伝送回路とが並列接続されることにより、全体として前記第1伝送周波数帯域および前記第2伝送周波数帯域を含む周波数帯域において、入力される伝送信号を平坦な周波数特性で伝送するトランス装置。 - 前記第1フィルタおよび前記第2フィルタは、前記高域側遮断周波数および前記低域側遮断周波数が一致するように構成されている請求項1記載のトランス装置。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2015129378A JP2017017402A (ja) | 2015-06-29 | 2015-06-29 | トランス装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2015129378A JP2017017402A (ja) | 2015-06-29 | 2015-06-29 | トランス装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017017402A true JP2017017402A (ja) | 2017-01-19 |
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ID=57828271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015129378A Pending JP2017017402A (ja) | 2015-06-29 | 2015-06-29 | トランス装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2017017402A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54166308U (ja) * | 1978-05-12 | 1979-11-22 | ||
| JPS5824212A (ja) * | 1981-08-03 | 1983-02-14 | Fujitsu Ltd | 分波形変成器 |
| JPS61212U (ja) * | 1984-06-06 | 1986-01-06 | パイオニア株式会社 | Mcトランス |
| JP2001016062A (ja) * | 1999-06-30 | 2001-01-19 | Aichi Electronic Co Ltd | 高周波用分岐/分配器 |
-
2015
- 2015-06-29 JP JP2015129378A patent/JP2017017402A/ja active Pending
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