JP2017019764A - イソシアヌレート化合物、樹脂組成物およびその利用 - Google Patents
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Abstract
Description
また、このイソシアヌレート化合物を含有する樹脂組成物、そして、該樹脂組成物を用いて製造されるソルダーレジストインク、プリプレグ、銅張積層板、層間絶縁材、樹脂付銅箔、プリント配線板および半導体封止材を提供することを目的とする。
即ち、第1の発明は、化学式(I)、化学式(II)または化学式(III)で示されるジグリシジルイソシアヌレート化合物である。
第3の発明は、第2の発明の樹脂組成物を含有するソルダーレジストインクである。
第4の発明は、第3の発明のソルダーレジストインクにより形成されたソルダーレジスト層を備えるプリント配線板である。
第5の発明は、基材と第2の発明の樹脂組成物から構成されたプリプレグである。
第6の発明は、銅箔と第5の発明のプリプレグから構成された銅張積層板である。
第7の発明は、第2の発明の樹脂組成物により形成された層間絶縁材である。
第8の発明は、第2の発明の樹脂組成物により形成された樹脂層を備える樹脂付銅箔である。
第9の発明は、第2の発明の樹脂組成物により形成された樹脂層を備えるプリント配線板である。
第10の発明は、第2の発明の樹脂組成物を含有する半導体封止材である。
また、本発明のジグリシジルイソシアヌレート化合物は液体であるので、樹脂または硬化性化合物や、それらに添加される種々の薬剤あるいは充填剤との相溶性に優れることが期待される。
本発明のジグリシジルイソシアヌレート化合物は、前記の化学式(I)、化学式(II)または化学式(III)に示されるとおり、2つのジグリシジルイソシアヌレートが、オキシアルキレン基、アルキレン基またはチオアルキレン基を介して接続した構造を有している。
オキシジエチレンビス(3,5−ジグリシジルイソシアヌレート)、
1,2−ビス(3,5−ジグリシジルイソシアヌルエトキシ)エタン、
オキシジエチレンビス(3,5−ジグリシジル−1−エトキシイソシアヌレート)、
1,2−ビス(3,5−ジグリシジルイソシアヌルエトキシエトキシ)エタン、
オキシジエチレンビス(3,5−ジグリシジル−1−エトキシエトキシイソシアヌレート)、
1,2−ビス(3,5−ジグリシジルイソシアヌルエトキシエトキシエトキシ)エタン、
オキシジエチレンビス(3,5−ジグリシジル−1−エトキシエトキシエトキシイソシアヌレート)および
1,2−ビス(3,5−ジグリシジルイソシアヌルエトキシエトキシエトキシエトキシ)エタンである。
エチレンビス(3,5−ジグリシジルイソシアヌレート)、
トリメチレンビス(3,5−ジグリシジルイソシアヌレート)、
テトラメチレンビス(3,5−ジグリシジルイソシアヌレート)、
ペンタメチレンビス(3,5−ジグリシジルイソシアヌレート)、
ヘキサメチレンビス(3,5−ジグリシジルイソシアヌレート)、
ヘプタメチレンビス(3,5−ジグリシジルイソシアヌレート)、
オクタメチレンビス(3,5−ジグリシジルイソシアヌレート)、
ノナメチレンビス(3,5−ジグリシジルイソシアヌレート)、
デカメチレンビス(3,5−ジグリシジルイソシアヌレート)、
ドデカメチレンビス(3,5−ジグリシジルイソシアヌレート)等が挙げられる。
1,2−ビス(3,5−ジグリシジルイソシアヌルプロピルチオ)エタン、
チオジエチレンビス(3,5−ジグリシジル−1−プロピルチオイソシアヌレート)、
1,2−ビス(3,5−ジグリシジルイソシアヌルプロピルチオエチルチオ)エタン、
チオジエチレンビス(3,5−ジグリシジル−1−プロピルチオエチルチオイソシアヌレート)、
1,2−ビス(3,5−ジグリシジルイソシアヌルプロピルチオエチルチオエチルチオ)エタン、
チオジエチレンビス(3,5−ジグリシジル−1−プロピルチオエチルチオエチルチオイソシアヌレート)、
1,2−ビス(3,5−ジグリシジルイソシアヌルプロピルチオエチルチオエチルチオエチルチオ)エタン、
チオジエチレンビス(3,5−ジグリシジル−1−プロピルチオエチルチオエチルチオエチルチオイソシアヌレート)、
1,2−ビス(3,5−ジグリシジルイソシアヌルプロピルチオエチルチオエチルチオエチルチオエチルチオ)エタン等が挙げられる。
1,3−ジアリルイソシアヌレートと、化学式(IV)で示される塩素化エチレングリコール化合物、または化学式(V)で示される塩素化アルキレン化合物を、塩基性物質の存在下、適宜の溶媒中において、適宜の反応温度および反応時間にて反応させることにより、各々化学式(VI)または化学式(VII)で示されるビス体のジアリルイソシアヌレート化合物を得ることができる。
次いで、第1工程において得られたビス体のジアリルイソシアヌレート化合物のアリル基を、適宜の溶媒中において、適宜の反応温度および反応時間にて酸化剤によってエポキシ化することにより、化学式(I)または化学式(II)で示される本発明のジグリシジルイソシアヌレート化合物を得ることができる。
これらの塩基性物質の使用量は、1,3−ジアリルイソシアヌレート1モルに対して、通常、1.0〜2.0モルの割合とすることが好ましい。
なお、第1工程の反応終了後、得られた反応混合物をそのまま、第2工程の反応(酸化)に供してもよい。
なお、これらの物質のうちの一部は、前述のとおり硬化剤としても用いられる。
即ち、本発明の樹脂組成物を、必要により他の成分(助剤)と共に、有効成分として含有するソルダーレジストインクとすることができる。
このソルダーレジストインクを、例えば、銅回路部が形成された銅張積層板の表面に塗布し、乾燥して形成される塗膜を、熱や活性エネルギー線を用いて硬化させることにより、ソルダーレジスト層(樹脂層)が形成されて、プリント配線板が製造される。
基材(紙、ガラスクロス、ガラス不織布等)に本発明の樹脂組成物を塗布したり、前記基材を当該樹脂組成物中に浸漬して、該樹脂組成物を含浸させることにより、プリプレグ(樹脂層)が製造される。
前記プリプレグと銅箔とを積層することにより、銅張積層板が製造される。
本発明の樹脂組成物を適宜の基板上に塗布し、乾燥、半硬化または硬化させて樹脂層とすることにより、層間絶縁材が形成される。
銅箔上に本発明の樹脂組成物を塗布し、乾燥、半硬化または硬化させることにより、樹脂付銅箔が製造される。
本発明の樹脂組成物は、前述のソルダーレジストインクの場合と同様に、半導体封止材の成分として用いることができる。
即ち、本発明の樹脂組成物を、必要により他の成分(助剤)と共に、有効成分として含有する半導体封止材とすることができる。
なお、これらにおいて使用した主な原材料は、以下のとおりである。
・1,3−ジアリルイソシアヌレート:四国化成工業社製、商品名「DA−ICA」
・1,2−ビス(2−クロロエトキシ)エタン:和光純薬工業社製
・モノ過硫酸水素カリウム複塩:デュポン社製、商品名「オキソン」(注:登録商標)、組成式:2KHSO5・KHSO4・K2SO4、以下「オキソン」と云う。
・ビスフェノールA型エポキシ樹脂:三菱化学社製、商品名「jER828」
・シリカ:龍森社製、商品名「MSR−25」
・2−エチル−4−メチルイミダゾール:四国化成工業社製、商品名「2E4MZ」、以下「2E4MZ」と云う。
・1−アリル−3,5−ジグリシジルイソシアヌレート:四国化成工業社製、商品名「MA−DGIC」、以下「MA−DGIC」と云う。
・1,3,5−トリグリシジルイソシアヌレート:和光純薬工業社製、以下「TGIC」云う。
<1,2−ビス(3,5−ジアリルイソシアヌルエトキシ)エタンの合成>
温度計を備えた200 mLフラスコに、1,3−ジアリルイソシアヌレート10.45g(50.0mmol)と、1,2−ビス(2−クロロエトキシ)エタン4.63g(24.8mmol)、炭酸カリウム10.26g(74.3mmol)およびN,N−ジメチルホルムアミド25mLを投入し、反応液を調製した。
反応液を110℃にて12時間攪拌した後、室温まで冷却して、反応液から不溶物をろ別した。続いて、反応液を減圧濃縮後、トルエン50mLを加え、飽和食塩水20mLで3回、蒸留水20mLで1回洗浄した後、揮発分を留去することにより、白色固体12.32g(収率93%)を得た。
・1H-NMR(CDCl3)δ:5.82-5.91(m,4H), 5.22-5.32(m,8H), 4.48(d,8H), 4.11(t,4H), 3.70(t,4H), 3.59(s,4H).
また、この固体のIRスペクトルデータは、図1に示したチャートのとおりであった。
これらのスペクトルデータより、得られた固体は、化学式(X)で示される標題のジアリルイソシアヌレート化合物(以下「前駆体A」と略記する。)であるものと同定した。
<1,2−ビス(3,5−ジグリシジルイソシアヌルエトキシ)エタンの合成>
温度計を備えた500mLフラスコに、実施例1−1において得られた前駆体A5.32g(10.0mmol)と、アセトン100mLおよび水100mLを投入した。得られた溶液を45℃に保ちながら、オキソン31.07g(50.0mmol)および炭酸水素ナトリウム1.30g(150.0mmol)を添加し、同温度で1時間攪拌した。
次いで、反応液を室温まで冷却して、不溶物をろ別し、アセトンを減圧下にて留去した。続いて、クロロホルム20mLで2回抽出した後、蒸留水20mLで2回洗浄し、揮発分を留去することにより、淡黄色液体5.46g(収率99%)を得た。
・1H-NMR(CDCl3)δ:4.11-4.18(m,8H), 3.99-4.04(m,4H), 3.71(t,4H), 3.61(d,4H), 3.23-3.27(m,4H), 2.82(t,4H), 2.69(quin,4H).
また、この液体のIRスペクトルデータは、図2に示したチャートのとおりであった。
これらのスペクトルデータより、得られた液体は、化学式(XI)で示される標題のジグリシジルイソシアヌレート化合物(以下「ジグリシジルイソシアヌレート化合物A」と云う。)であるものと同定した。
ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ジグリシジルイソシアヌレート化合物A、シリカ(フィラー)および2E4MZ(硬化剤)を表1記載の組成となるように室温にて配合し、3本ロールミルにより混練し、エポキシ樹脂組成物を調製した。
この調製時において、50℃でのビスフェノールA型エポキシ樹脂に対するジグリシジルイソシアヌレート化合物Aの溶解性について、目視観察により評価を行った。
次に、得られたエポキシ樹脂組成物を140℃/2時間加熱した後、続いて150℃/4時間加熱し硬化させて、板状の硬化物を作製した。
この板状の硬化物について、ガラス転移温度を、JISK7121に準拠して測定した。
また、この板状の硬化物について、曲げ弾性率および曲げ強度を、JISK7171に準拠して測定した。
得られた試験結果は、表1に示したとおりであった。
ジグリシジルイソシアヌレート化合物Aを用いない以外は、実施例2と同様にして、表1記載の組成を有するエポキシ樹脂組成物を調製し、硬化物を作製して、ガラス転移温度、曲げ弾性率および曲げ強度を測定した。
得られた試験結果は、表1に示したとおりであった。
ジグリシジルイソシアヌレート化合物Aの代わりにMA−DGICを用いた以外は、実施例2と同様にして、表1記載の組成を有するエポキシ樹脂組成物を調製した。
この調製時において、50℃でのビスフェノールA型エポキシ樹脂に対するMA−DGICの溶解性について、目視観察により評価を行った。
また、実施例2と同様にして、硬化物を作製し、ガラス転移温度、曲げ弾性率および曲げ強度を測定した。
得られた試験結果は、表1に示したとおりであった。
ジグリシジルイソシアヌレート化合物Aの代わりにTGICを用いた以外は、実施例2と同様にして、表1記載の組成を有するエポキシ樹脂組成物を調製した。
この調製時において、50℃でのビスフェノールA型エポキシ樹脂に対するTGICの溶解性について、目視観察により評価を行った。
また、実施例2と同様にして、硬化物を作製し、ガラス転移温度、曲げ弾性率および曲げ強度を測定した。
得られた試験結果は、表1に示したとおりであった。
また、本発明のジグリシジルイソシアヌレート化合物は液体であるので、樹脂または硬化性化合物に限らず、それらに添加される種々の薬剤あるいは充填剤との相溶性に優れることが期待される。
Claims (10)
- 請求項1記載のジグリシジルイソシアヌレート化合物と、樹脂または硬化性化合物を含有する樹脂組成物。
- 請求項2記載の樹脂組成物を含有するソルダーレジストインク。
- 請求項3記載のソルダーレジストインクにより形成されたソルダーレジスト層を備えるプリント配線板。
- 基材と請求項2記載の樹脂組成物から構成されたプリプレグ。
- 銅箔と請求項5記載のプリプレグから構成された銅張積層板。
- 請求項2記載の樹脂組成物により形成された層間絶縁材。
- 請求項2記載の樹脂組成物により形成された樹脂層を備える樹脂付銅箔。
- 請求項2記載の樹脂組成物により形成された樹脂層を備えるプリント配線板。
- 請求項2記載の樹脂組成物を含有する半導体封止材。
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