JP2017103380A5 - 半導体モジュール - Google Patents
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Description
本実施の形態は、半導体モジュールに関する。
本実施の形態は、放熱特性に優れ、モジュール化が容易であり、小型化にとって好適な半導体モジュールを提供する。
本実施の形態の一態様によれば、第１面と、前記第１面と反対側を向く第２面と、を備え、放熱作用を有する板部と、前記板部の前記第１面上に配置された複数の半導体デバイスと、前記板部の前記第１面上に配置され、前記複数の半導体デバイスを駆動する複数のドライブ回路と、前記板部の前記第１面上に配置され、入力される電圧を前記ドライブ回路から電気的に絶縁状態とする絶縁部と、を備える半導体モジュールが提供される。
本実施の形態によれば、放熱特性に優れ、モジュール化が容易であり、小型化にとって好適な半導体モジュールを提供することができる。
Claims (8)
- 第１面と、前記第１面と反対側を向く第２面と、を備え、放熱作用を有する板部と、
前記板部の前記第１面上に配置された複数の半導体デバイスと、
前記板部の前記第１面上に配置され、前記複数の半導体デバイスを駆動する複数のドライブ回路と、
前記板部の前記第１面上に配置され、入力される電圧を前記ドライブ回路から電気的に絶縁状態とする絶縁部と
を備える半導体モジュール。 - 前記複数のドライブ回路は、
第１の駆動信号を第１の電圧で出力する第１のドライブ回路と、
第２の駆動信号を前記第１の電圧よりも低い第２の電圧で出力する第２のドライブ回路と、を少なくとも備える、請求項１に記載の半導体モジュール。 - 前記複数の半導体デバイスは、
前記第１の駆動信号を入力する第１の半導体デバイスと、
前記第２の駆動信号を入力する第２の半導体デバイスと、を少なくとも備える、請求項１又は２に記載の半導体モジュール。 - 前記入力される電圧は、前記ドライブ回路に供給される電源電圧であり、
前記絶縁部は、トランスを備える、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体モジュール。 - 前記第１の駆動信号及び前記第２の駆動信号は、前記絶縁部を介して前記ドライブ回路に入力される、請求項４に記載の半導体モジュール。
- 前記複数の半導体デバイスは、ＳｉＣ系ＭＯＳＦＥＴを備える、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
- 前記複数の半導体デバイスは、ＧａＮ系ＦＥＴを備える、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
- 前記複数の半導体デバイスは、ＩＧＢＴを備える、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体モジュール。
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