JP2017121077A - 高周波モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】空洞共振器の設計を容易にできる高周波モジュールを得ること。
【解決手段】高周波モジュールは、モジュール筐体と、モジュール筐体を貫通し、内導体及び誘電体を有する同軸線路と、モジュール筐体に収容され、増幅器で増幅された高周波信号を伝送する基板と、同軸線路と基板とを接続する金リボンと、モジュール筐体内の同軸線路の周囲の部分における同軸線路に沿った方向の一部に、同軸線路に沿って並んで配されるとともに、同軸線路を介して互いに接続され、かつ互いに異なる共振周波数を有する複数の空洞共振器と、を備え、複数の空洞共振器は、同軸線路に垂直な断面で見た場合に各々が略矩形状であり、複数の空洞共振器それぞれの空洞内には、同軸線路の内導体及び誘電体が含まれるとともに、誘電体はそれぞれの空洞の底面と接する。
【選択図】図1
【解決手段】高周波モジュールは、モジュール筐体と、モジュール筐体を貫通し、内導体及び誘電体を有する同軸線路と、モジュール筐体に収容され、増幅器で増幅された高周波信号を伝送する基板と、同軸線路と基板とを接続する金リボンと、モジュール筐体内の同軸線路の周囲の部分における同軸線路に沿った方向の一部に、同軸線路に沿って並んで配されるとともに、同軸線路を介して互いに接続され、かつ互いに異なる共振周波数を有する複数の空洞共振器と、を備え、複数の空洞共振器は、同軸線路に垂直な断面で見た場合に各々が略矩形状であり、複数の空洞共振器それぞれの空洞内には、同軸線路の内導体及び誘電体が含まれるとともに、誘電体はそれぞれの空洞の底面と接する。
【選択図】図1
Description
本発明は、高周波モジュールに関する。
一般的に、マイクロ波増幅器は、増幅処理の対象となる基本波以外にも高調波を発生する。このため、マイクロ波増幅器を含む回路とその増幅された基本波の信号を使用する回路との間を接続するには、不要な高調波を抑制するフィルタが必要となる。
特許文献1には、高周波回路において、半導体素子の入力端子に入力整合回路を接続し、半導体素子の出力端子に出力整合回路及び基本波の波長の1/4の長さのラインの一端を接続し、そのラインの他端をキャパシタを介して接地することが記載されている。これにより、特許文献1によれば、半導体素子の出力端子から見て、ラインの一端が、基本波に対してはオープン状態となり、基本波の2倍の波長を持つ2倍波に対してはショート状態となるので、基本波に対して影響を与えることなく、2倍波(高調波)抑圧することができるとされている。
特許文献2には、電力増幅器において、増幅器の出力の伝送線路に沿って一定間隔を保ち平行に、一端が接地され2倍波の波長の1/4の長さを持つ2倍波共振器と、一端が接地され3倍波の波長の1/4の長さを持つ3倍波共振器とをそれぞれ設けることが記載されている。これにより、特許文献2によれば、2倍波共振器の短絡状態のインピーダンスと3倍波共振器の短絡状態のインピーダンスとにより、それぞれ、2倍波と3倍波の高調波を増幅器に反射させるので、増幅器の出力の基本波に対し無影響な高調波処理回路が得られるとされている。
特許文献3には、高周波モジュールにおいて、同軸コネクタの誘電体及び内導体の一端が外導体から突出して金属板及びモジュール筐体を貫通し、金属板とモジュール筐体外壁との間に内導体を中心とし高調波(例えば、2倍波)の1/4の半径を持つ円盤形状の掘り込みを形成することが記載されている。これにより、特許文献3によれば、マイクロ波増幅器の出力端から筐体空間内に放射され筐体空間内を導波管モードとして伝播する高調波信号をモジュール筐体内へと反射させ、高周波モジュールの外部へ漏洩する高調波信号を抑圧することができるとされている。
特許文献1及び2には、ともに、伝送線路を介して伝播する高調波を抑圧することについてしか記載されておらず、筺体空間内を伝播する高調波をどのように抑制するのかについて一切記載がない。
しかし、増幅器を金属筺体内に設置した場合、高調波の一部は、筺体空間内に放射され、導波管モードで伝播すると考えられる。筺体空間内を伝播してきた高調波は、モジュールの出力コネクタに結合し、コネクタを介して筺体外に漏洩する可能性がある。
一方、特許文献3には、筺体空間内を伝播する高調波を抑制するための構成として、モジュール筐体における掘り込み(空洞共振器)が記載されている。
しかし、特許文献3に記載の技術は、円盤形状の掘り込み(空洞共振器)を形成するものであるため、空洞共振器の寸法関係が決めにくい。すなわち、特許文献3に記載の空洞共振器の干渉原理は空洞内における導波管モードでの電磁波による共鳴であるが、高調波の1/4の半径を持つ空洞共振器を設計しても、期待する周波数で共振しにくい傾向にある。このため、空洞共振器の設計が困難である。
また、特許文献3に記載の空洞共振器は、狭帯域であるために、加工精度のマージンが小さくなってしまう可能性がある。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、空洞共振器の設計を容易にできる高周波モジュールを得ることを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の1つの側面にかかる高周波モジュールは、モジュール筐体と、前記モジュール筐体を貫通し、内導体及び誘電体を有する同軸線路と、前記モジュール筐体に収容され、増幅器で増幅された高周波信号を伝送する基板と、前記同軸線路と前記基板とを接続する金リボンと、前記モジュール筐体内の前記同軸線路の周囲の部分における前記同軸線路に沿った方向の一部に、前記同軸線路に沿って並んで配されるとともに、前記同軸線路を介して互いに接続され、かつ互いに異なる共振周波数を有する複数の空洞共振器と、を備え、前記複数の空洞共振器は、前記同軸線路に垂直な断面で見た場合に各々が略矩形状であり、前記複数の空洞共振器それぞれの空洞内には、前記同軸線路の前記内導体及び前記誘電体が含まれるとともに、前記誘電体はそれぞれの前記空洞の底面と接する。
本発明によれば、空洞共振器が、同軸線路に垂直な断面で見た場合に略矩形状であるので、空洞共振器の寸法関係を一意的に決めることができる。これにより、空洞共振器の設計を容易にできる。
以下に、本発明にかかる高周波モジュールの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
実施の形態1.
実施の形態1にかかる高周波モジュール100について図1を用いて説明する。図1は、高周波モジュール100の構成を示す断面図である。
実施の形態1にかかる高周波モジュール100について図1を用いて説明する。図1は、高周波モジュール100の構成を示す断面図である。
高周波モジュール100は、モジュール筺体1、増幅器9、金リボン42、基板2、キャリア3、金リボン41、同軸線路5、及び複数の空洞共振器13、14を備える。
モジュール筺体1は、例えば、誘電体多層基板を積層し表面に金属めっきを施して箱型に構成した誘電体パッケージや、金属を箱型に構成した金属筐体により構成されたパッケージの形態で構成される。モジュール筺体1は、その内側に筐体空間1aを有する。モジュール筺体1は、その筐体空間1a内に、主として、増幅器9、基板2、及びキャリア3を収容する。また、モジュール筺体1における同軸線路5側の外壁面1bには、空洞11となるべき凹構造が形成されている。また、モジュール筺体1内には、空洞12が形成されている。
増幅器9は、例えば、電界効果トランジスタや高電子移動度トランジスタ等の半導体素子により構成されたMIC(マイクロ波集積回路)やMMIC(モノリシックマイクロ波集積回路)の形態で構成される。増幅器9は、高周波信号を受けて、その高周波信号を増幅し、増幅された高周波信号を出力端子9bから出力する。高周波信号は、例えば、マイクロ波帯もしくはミリ波帯の信号である。増幅器9で増幅された高周波信号は、所望の周波数から成る基本波の成分と、基本波に対する高調波(例えば、2倍波)の成分とを含む。
金リボン42は、増幅器9の出力端子9bと基板2の入力端子21aとを電気的に接続する。
基板2は、金リボン42を介して、増幅器9から出力された高周波信号を受ける。基板2は、高周波信号を伝送して出力する。
具体的には、基板2は、伝送線路21を有する。伝送線路21は、例えば、一端21a及び他端21bが基板2の表面2aに露出され、一端21a及び他端21bの間の主要部21cが基板2内を延びている。伝送線路21は、一端21aを入力端子として受けた高周波信号を主要部21c経由で伝送し他端21bを出力端子として出力する。
キャリア3は、基板2とモジュール筐体1との間に配されている。キャリア3は、基板2を支持し、基板2をモジュール筐体1に固定する。
金リボン41は、基板2の出力端子21bと同軸線路5の入力端子51aとを電気的に接続する。
同軸線路5は、モジュール筺体1の外側から筐体空間1a内へ向かうように、モジュール筺体1を貫通する。同軸線路5は、金リボン41を介して、基板2から出力された高周波信号を受ける。同軸線路5は、高周波信号を伝送して出力する。
具体的には、同軸線路5は、内導体51、誘電体52、外導体53、及び導体板54を有する。内導体51は、モジュール筺体1の外側から筐体空間1a内へ向かい、その一端51aが筐体空間1a内に位置するように、モジュール筺体1を貫通して延びている。内導体51は、一端51aを入力端子として受けた高周波信号を伝送し他端51bを出力端子として出力する。
誘電体52は、モジュール筺体1の外側から筐体空間1a内へ向かい、その一端が内導体51の一端51aの手前で且つ筐体空間1aに面する位置まで、モジュール筺体1を貫通して延びている。誘電体52は、例えば、内導体51に対して同軸となる略円筒形状を有している。誘電体52は、例えば、内導体51に垂直な断面で見た場合に内導体51を囲うように覆っている(図3参照)。
外導体53は、モジュール筺体1の外側から筐体空間1a内へ向かい、導体板54に接続される位置まで延びている。外導体53は、例えば、内導体51及び誘電体52に対して同軸となる略円筒形状を有している。外導体53は、例えば、内導体51に垂直な断面で見た場合に内導体51及び誘電体52を囲うように覆っている。
導体板54は、空洞11を塞ぐように、モジュール筺体1における同軸線路5側の外壁面1bを覆っている。導体板54は、外導体53に接続されているとともに外導体53の反対側で外壁面1bに接続されている。導体板54は、その内側に貫通孔54aを有し、貫通孔54aを介して内導体51及び誘電体52により貫通されている。
複数の空洞共振器13、14は、それぞれ、モジュール筐体1内の同軸線路5の周囲の部分10における同軸線路5に沿った方向の一部に配されている。例えば、空洞共振器13は、外壁面1bの凹構造が導体板54により塞がれて形成された空洞11を含む。空洞共振器14は、モジュール筐体1内に形成された空洞12を含む。各空洞共振器13、14は、例えば、同軸線路5に垂直な断面で見た場合に略矩形状の空洞11、12を含む(図3参照)。
複数の空洞共振器13、14は、モジュール筐体1内の同軸線路5の周囲の部分10にそれぞれ配され、同軸線路5を介して互に接続されている。複数の空洞共振器13、14は、モジュール筐体1内の同軸線路5の周囲の部分10において、同軸線路5に沿った方向に互に離間するように、同軸線路5に沿って並んでいる。これにより、複数の空洞共振器13、14は、同軸線路5の内導体51内を高周波信号が伝送する際に、高周波信号に含まれる高調波(例えば、2倍波)の成分を増幅器9側へ反射し、高周波信号に含まれる基本波の成分を選択的に内導体51内で透過させる。また、複数の空洞共振器13、14は、増幅器9の出力端子9bから筐体空間1aへ放射され導波管モードで伝播する高周波信号を受けた際に、高周波信号に含まれる高調波(例えば、2倍波)の成分を増幅器9側へ反射し、高周波信号に含まれる基本波の成分を選択的に内導体51内へ導く。
また、複数の空洞共振器13、14は、互いに異なる共振周波数を有する。具体的には、複数の空洞共振器13、14は、図2及び図3に示すような構成を有している。図2は、空洞共振器13、14の構成を示す斜視透視図である。図3は、モジュール筺体1における同軸線路5側の外壁面1bに沿って切った断面図であり、空洞共振器13、14の構成を示す断面図である。
空洞共振器13は、同軸線路5に垂直な断面で見た場合に略矩形状の空洞11を含む。同軸線路5に垂直な断面で見た場合に、空洞11内には、同軸線路5の内導体51及び誘電体52が含まれている。例えば、空洞11の底面11bには、誘電体52が接している。このとき、例えば、空洞11の長辺及び短辺の一方の長さをa1とし、他方の長さをb1とすると、空洞共振器13の共振周波数に対応した共振波長λc1は、下記の数式1を満たすように設計される。
λc1=1/√((1/(2a1))2+(1/(2b1))2)・・・数式1
λc1=1/√((1/(2a1))2+(1/(2b1))2)・・・数式1
例えば、空洞共振器13の共振波長λc1が基本波の波長の2倍近傍になるように空洞共振器13を設計した場合、空洞共振器13は、図4に示すような透過/反射特性を示す。図4では、基本波の波長に対応した周波数を10GHzとし2倍波の周波数20GHzとした場合について、透過特性を実線で示し、反射特性を破線で示している。図4に示されるように、内導体51内で伝送される高周波信号や筐体空間1aを介して伝播された高周波信号に対して、高調波(2倍波)の成分は、ほぼ全反射されモジュール外へ出力されにくくなっており、基本波の成分は、非常に良い透過特性を維持したままモジュール外へ出力されやすくなっていることが分かる。
空洞共振器14は、同軸線路5に垂直な断面で見た場合に略矩形状の空洞12を含む。同軸線路5に垂直な断面で見た場合に、空洞12内には、同軸線路5の内導体51及び誘電体52が含まれている。例えば、空洞12の底面12bには、誘電体52が接している。このとき、例えば、空洞12の長辺及び短辺の一方の長さをa2とし、他方の長さをb2とすると、空洞共振器14の共振周波数に対応した共振波長λc2は、下記の数式2を満たすように設計される。
λc2=1/√((1/(2a2))2+(1/(2b2))2)・・・数式2
λc2=1/√((1/(2a2))2+(1/(2b2))2)・・・数式2
例えば、空洞共振器14の共振波長λc2が基本波の波長の3倍近傍になるように空洞共振器14を設計した場合、空洞共振器14は、図4に示すものと同様な透過/反射特性を示す。すなわち、内導体51内で伝送される高周波信号や筐体空間1aを介して伝播された高周波信号に対して、高調波(3倍波)の成分は、ほぼ全反射されモジュール外へ出力されにくくなっており、基本波の成分は、非常に良い透過特性を維持したままモジュール外へ出力されやすくなっている。
ここで、下記の数式3及び数式4の少なくとも一方が成り立つように設計することで、下記の数式5を満たすように複数の空洞共振器13、14を構成できる。
a1≠a2・・・数式3
b1≠b2・・・数式4
λc1≠λc2・・・数式5
なお、図3には、上記の数式3及び数式4の両方を満たす場合の複数の空洞共振器13、14の構成が例示的に示されている。
a1≠a2・・・数式3
b1≠b2・・・数式4
λc1≠λc2・・・数式5
なお、図3には、上記の数式3及び数式4の両方を満たす場合の複数の空洞共振器13、14の構成が例示的に示されている。
ここで、仮に、平面回路にオープンスタブやショートスタブを電気的に接続した高調波抑圧回路により、高調波の抑圧を図る場合について考える。この場合、高調波抑圧回路は、増幅器9の出力端子9bから筐体空間1aへ放射され導波管モードで伝播する高周波信号を受けた際に、その高周波信号に対して高調波の抑圧機能を発揮できない。これにより、モジュール外へ高調波が出力されてしまう傾向にある。
それに対して、実施の形態1では、複数の空洞共振器13、14が、増幅器9の出力端子9bから筐体空間1aへ放射され導波管モードで伝播する高周波信号を受けた際に、高周波信号に含まれる高調波の成分を増幅器9側へ反射し、高周波信号に含まれる基本波の成分を選択的に内導体51内へ導く。これにより、伝送線路を介して伝送された高周波信号だけでなく、導波管モードで伝播する高周波信号に対しても、高調波を抑圧できる。
あるいは、仮に、各空洞共振器13、14が、同軸線路5に垂直な断面視において、内導体51及び誘電体52を囲む円盤形状である場合について考える。この場合、空洞共振器13、14の寸法関係が決めにくい。すなわち、内導体51を中心として、抑圧すべき高調波の波長の1/4の半径を持つように各空洞共振器13、14を設計しても、期待する周波数で共振しにくい傾向にある。このため、空洞共振器13、14の設計が困難である。
それに対して、実施の形態1では、各空洞共振器13、14が、同軸線路5に垂直な断面で見た場合に略矩形状である。これにより、空洞共振器13、14の寸法関係を一意的に決めることができる。すなわち、上記の数式1、2を満たすように空洞共振器13、14を設計することで、期待する周波数で共振させることができる(図4参照)。例えば、略矩形状の空洞共振器によれば、円盤形状の空洞共振器に比べて、共振のピークを鋭くでき、不要な高調波成分を確実に遮断することができる一方、共振周波数以外、特に基本波では非常に良い透過特性を維持することができる。このため、空洞共振器13、14の設計を容易にできる。
また、実施の形態1では、複数の空洞共振器13、14が、互いに異なる共振周波数を有するとともに、同軸線路5を介して互に接続されている。これにより、複数の空洞共振器13、14の全体として、内導体51内で伝送される高周波信号や筐体空間1aを介して伝播された高周波信号に対して、広帯域に高調波を抑圧することができる。さらに、遮断周波数を広帯域化できるため、電気特性の個体差が発生した場合でも、不要な高調波を抑圧可能である。
また、実施の形態1では、各空洞共振器13、14が、モジュール筐体1内の同軸線路5の周囲の部分10における同軸線路5に沿った方向の一部に配されている。また、複数の空洞共振器13、14は、同軸線路5に沿って並んでいる。これにより、新たな部品等を搭載することなくモジュール筐体1を加工することで上記の機能を達成できることから、高周波モジュール100を大型化することなく、高周波モジュール100の機能向上を図ることができる。
なお、実施の形態1では、高周波モジュール100が複数の空洞共振器13、14を備える場合について例示的に説明しているが、高周波モジュール100は1つの空洞共振器を備えるものであってもよい。この場合でも、空洞共振器が同軸線路5に垂直な断面で見た場合に略矩形状であれば、空洞共振器の設計を容易にできる。
あるいは、高周波モジュール100iにおいて、図5に示すように、各空洞共振器13i、14iに含まれる空洞11i、12iの底面11bには、誘電体52が接していなくてもよい。すなわち、同軸線路5に垂直な断面で見た場合に、空洞11i、12iの内側に誘電体52が含まれていてもよい。この場合でも、複数の空洞共振器13i、14iは、互いに異なる共振周波数を有するように設計できる。
例えば、空洞11iの長辺及び短辺の一方の長さをc1とし、他方の長さをd1とすると、空洞共振器13iの共振周波数に対応した共振波長λc1iは、下記の数式6を満たすように設計される。
λc1i=1/√((1/(2c1))2+(1/(2d1))2)・・・数式6
λc1i=1/√((1/(2c1))2+(1/(2d1))2)・・・数式6
例えば、空洞12iの長辺及び短辺の一方の長さをc2とし、他方の長さをd2とすると、空洞共振器14iの共振周波数に対応した共振波長λc2iは、下記の数式7を満たすように設計される。
λc2i=1/√((1/(2c2))2+(1/(2d2))2)・・・数式7
λc2i=1/√((1/(2c2))2+(1/(2d2))2)・・・数式7
ここで、下記の数式8及び数式9の少なくとも一方が成り立つように設計することで、下記の数式10を満たすように複数の空洞共振器13i、14iを構成できる。
c1≠c2・・・数式8
d1≠d2・・・数式9
λc1i≠λc2i・・・数式10
c1≠c2・・・数式8
d1≠d2・・・数式9
λc1i≠λc2i・・・数式10
1 モジュール筐体、2 基板、3 キャリア、5 同軸線路、9 増幅器、10 周囲の部分、11,11i 空洞、12,12i 空洞、13,13i 空洞共振器、14,14i 空洞共振器、21 伝送線路、41 金リボン、42 金リボン、51 内導体、52 誘電体、53 外導体、54 導体板、100,100i 高周波モジュール。
Claims (1)
- モジュール筐体と、
前記モジュール筐体を貫通し、内導体及び誘電体を有する同軸線路と、
前記モジュール筐体に収容され、増幅器で増幅された高周波信号を伝送する基板と、
前記同軸線路と前記基板とを接続する金リボンと、
前記モジュール筐体内の前記同軸線路の周囲の部分における前記同軸線路に沿った方向の一部に、前記同軸線路に沿って並んで配されるとともに、前記同軸線路を介して互いに接続され、かつ互いに異なる共振周波数を有する複数の空洞共振器と、を備え、
前記複数の空洞共振器は、前記同軸線路に垂直な断面で見た場合に各々が略矩形状であり、前記複数の空洞共振器それぞれの空洞内には、前記同軸線路の前記内導体及び前記誘電体が含まれるとともに、前記誘電体はそれぞれの前記空洞の底面と接することを特徴とする高周波モジュール。
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| WO2020090812A1 (ja) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | 株式会社Pmt | マイクロ波装置 |
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