JP2017123209A - 薄板配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】端子間距離が減少しても、はんだブリッジの発生を抑制しつつ十分な大きさのはんだフィレットを得ることを可能にする薄板配線基板を提供する。【解決手段】基板をなす金属性の端子部金属支持層８９と、端子部金属支持層８９の表面に備えられた絶縁性の端子部ベース絶縁層９１と、端子部ベース絶縁層９１の表面に複数本の配線として配索された配線層９９と、配線を被覆する絶縁性の端子部カバー絶縁層９５と、複数の配線に備えられ連続的に隣接配置された複数のテール端子部５１ａ、・・・とを備え、複数のテール端子部５１ａ、・・・が対応する複数の基板端子部２７ａ、・・・にそれぞれはんだ材によりはんだ接合されるフレキシャー４３であって、はんだ材に対する障壁部１０１を少なくともテール端子部５１ａ、・・・間に備えたことを特徴とする。【選択図】図１１

Description

本発明は、ヘッドサスペンションのフレキシャー等に適用され薄板配線基板及びその製造方法に関する。

パーソナルコンピュータ等の情報処理装置に、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）が使用されている。ハードディスクドライブは、スピンドルを中心に回転する磁気ディスクと、ピボット軸を中心に旋回するキャリッジなどを含んでいる。キャリッジのアームに、ディスク装置用ヘッドサスペンション（以下、単に「ヘッドサスペンション」と称する。）が設けられている。

特許文献１の記載のように、ヘッドサスペンションは、ロードビーム(load beam)と、ロードビームに重ねて配置されるフレキシャー (flexure)などを有している。フレキシャーの先端付近に形成されたジンバル部にスライダーを含む磁気ヘッドが取付けられている。磁気ヘッドには、データの読取りあるいは書込み等のアクセスを行なうための素子が設けられている。これらヘッドサスペンション及びフレキシャーなどによってヘッドジンバルアセンブリが構成されている。

フレキシャーは、要求される仕様に応じて様々な形態のものが実用化されている。その一例として、薄板配線基板としての配線付フレキシャー (flexure with conductors)（以下の説明においては、「配線付フレキシャー」を「フレキシャー」という。）が知られている。フレキシャーは、薄いステンレス鋼板からなる金属支持層と、この金属支持層上に形成されたポリイミド等の電気絶縁材料からなるベース絶縁層と、このベース絶縁層の表面に複数本の配線として配索された配線層などを含んでいる。フレキシャーは、ロードビームに重なる本体部と、ベースプレートの後方に延出するテール部とを含んでいる。

複数本の配線の一部は書込用であり、配線の他の一部は読取用であるのが基本的な構成である。これら配線の一端は、磁気ヘッドに設けられた素子、例えばＭＲ（Magneto Resistive）素子に接続されている。配線の他端は、フレキシャーのテールパッド部に形成された複数のテール端子部に接続されている。これらテール端子部は、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit board）等の回路基板の複数の基板端子部に対応して電気的に接合される。回路基板にはプリアンプ等の信号処理回路が実装されている。

そして、特許文献１のテール端子部の複数の端子部は、回路基板の複数の端子部に重ねられ、超音波接合等のボンディング手段によって接合されている。

これに対し、接続信頼性を考慮し、超音波接合等に代えてはんだ接合を用いるものがある。この場合、複数のテール端子部を、マイクロはんだボールを介して基板の複数の基板端子部に重ね、リフローで両端止部をはんだ接合する。

しかし、この構造では、所謂はんだブリッジ（＝短絡発生）が問題となる。

さらに述べると、ヘッドサスペンションの多機能化による多配線化に伴い、他部品である回路基板との接続に用いる端子部の数も増加している。加えてハードディスクドライブの小型化も進み、テールパッド部でのテール端子部全体が占めるスペースにも限界が有り、おのずと端子部間距離が減少する。この端子部間距離の減少は、はんだブリッジを多発させる原因となり、その対策が求められている。

この場合、マイクロはんだボールの径をより小さくすることではんだブリッジを抑制できるが、はんだフィレットが十分な大きさにならないという問題を招く。

特開２０１５−９７１３３号公報

解決しようとする問題点は、ヘッドサスペンションの多機能化、或いはハードディスクドライブの小型化などに伴い、端子間距離が減少し、はんだブリッジを多発させる原因となるのに対し、マイクロはんだボールの径を小さくすることではんだブリッジを抑制できるが、はんだフィレットが十分な大きさにならない点である。

本発明は、端子間距離が減少しても、はんだブリッジの発生を抑制しつつ十分な大きさのはんだフィレットを得ることを可能とするため、基板をなす金属性の金属支持層と、前記金属支持層の表面に備えられた絶縁性のベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の表面に複数本の配線として配索された配線層と、前記配線を被覆する絶縁性のカバー絶縁層と、前記複数の配線に備えられ連続的に隣接配置された複数の端子部とを備え、前記複数の端子部が対応する複数の外部端子にそれぞれはんだ材によりはんだ接合される薄板配線基板であって、前記端子部が、前記はんだ材に対する障壁部を少なくとも前記端子部間に備えたことを薄板配線基板の特徴とする。

本発明の薄板配線基板は、上記構成であるから、はんだ接合時にリフローされたはんだ材の流れを障壁部が規制するので、はんだ材が端子部間を短絡するはんだブリッジを抑制できる。

また、障壁部間の凹部がはんだ溜まりとなり、十分な大きさのはんだフィレットを形成することができる。

ヘッドサスペンションを備えたハードディスクドライブの概略斜視図である。（第１参考例） ハードディスクドライブの一部を示す概略断面図である。（第１参考例） フレキシャーを取り付けたヘッドサスペンションと回路基板との概略平面図である。（第１参考例） フレキシャーのテールパッド部と回路基板とを接合した状態の要部拡大平面図である。（第１参考例） フレキシャーのテールパッド部と回路基板とを接合前の分離した状態で示す要部拡大平面図である。（参考図） フレキシャーのテール端子部を示す要部拡大平面図である。（第２参考例） フレキシャーのテール端子部を示す要部拡大裏面図である。（第２参考例） フレキシャーのテール端子部の一部を示す要部拡大平面図である。（第２参考例） 図８のＡ−Ａ線矢視において基板端子部との結合関係で示す要部拡大断面図である。（第２参考例） 図８のＢ−Ｂ線矢視において基板端子部との結合関係で示す要部拡大断面図である。（第２参考例） 図８のＡ−Ａ線矢視に対応し基板端子部との結合関係で示す要部拡大断面図である。（実施例１） 図８のＢ−Ｂ線矢視に対応し基板端子部との結合関係で示す要部拡大断面図である。（実施例１） 実施例１の変形例１に係り、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例１） 実施例１の変形例１に係り、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例１） 実施例１の変形例２に係り、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例１） 実施例１の変形例２に係り、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例１） 実施例１の変形例３に係り、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例１） 実施例１の変形例３に係り、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例１） 実施例１の変形例４に係り、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例１） 実施例１の変形例４に係り、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例１） 実施例１の変形例５に係り、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例１） 実施例１の変形例５に係り、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例１） 実施例１の変形例６に係り、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例１） 実施例１の変形例６に係り、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例１） 実施例１の変形例７に係り、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例１） 実施例１の変形例７に係り、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例１） 実施例１の変形例８に係り、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例１） 実施例１の変形例８に係り、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例１） 実施例１の変形例９に係り、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例１） 実施例１の変形例９に係り、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例１） 実施例１の変形例１０に係り、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例１） 実施例１の変形例１０に係り、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例１） 実施例１の変形例１１に係り、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例１） 実施例１の変形例１１に係り、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例１） 図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例２） 図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例２） 実施例２の変形例１に係り、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例２） 実施例２の変形例１に係り、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例２） 実施例２の変形例２に係り、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例２） 実施例２の変形例２に係り、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例２） 実施例２の変形例３に係り、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例２） 実施例２の変形例３に係り、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例２） 図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例３） 図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例３） 実施例３の変形例１に係り、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例３） 実施例３の変形例１に係り、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例３） 実施例３の変形例２に係り、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例３） 実施例３の変形例２に係り、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例３） 実施例３の変形例３に係り、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例３） 実施例３の変形例３に係り、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例３） 実施例３の変形例４に係り、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例３） 実施例３の変形例４に係り、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例３） 実施例３の変形例５に係り、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例３） 実施例３の変形例５に係り、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例３） 実施例３の変形例６に係り、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例３） 実施例３の変形例６に係り、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。（実施例３）

端子間距離が減少しても、はんだブリッジの発生を抑制しつつ十分な大きさのはんだフィレットを得ることを可能にするという目的を、本発明に係る薄板配線基板は、はんだ材に対する障壁部を連続的に隣接配置された複数の端子部の少なくとも端子部間に備えたことで実現した。

前記障壁部は、前記端子部の中央部を周回状に囲んではんだ溜まり凹部を形成してもよい。

前記障壁部は、前記ベース絶縁層と前記配線層とに薄層部又は孔を選択的に備えることによって設けてもよい。

前記障壁部を、前記ベース絶縁層と前記配線層とに渡って形成され前記金属支持層に接地されたグランドに設けてもよい。

図１〜５は、本発明の実施例を理解するための第１参考例、図６〜１０は、同第２参考例である。本発明の薄板配線基板である実施例のフレキシャーの構造、機能の理解の前提として、第１、第２参考例によりハードディスクドライブ及びフレキシャーを取り付けたヘッドサスペンションとの関連を先に説明する。

［第１参考例］
図１は、ハードディスクドライブの概略斜視図である。図１のハードディスクドライブ１は、ケース３と、スピンドル５を中心に回転するディスク７と、ピボット軸９を中心に旋回可能なキャリッジ１１と、キャリッジ１１を駆動するためのポジショニング用モータ１３などを有している。ケース３は、蓋（図示せず）によって密閉される。

図２は、ハードディスクドライブの一部を示す概略断面図である。この図２のように、キャリッジ１１にアーム１５が設けられている。アーム１５の先端部に、ヘッドサスペンション１７が取付けられている。ヘッドサスペンション１７の先端に、磁気ヘッドとして機能するスライダー１９が設けられている。ディスク７が高速で回転すると、ディスク７とスライダー１９との間にエアベアリングが形成される。

ポジショニング用モータ１３によってキャリッジ１１が旋回すると、ヘッドサスペンション１７がディスク７の径方向に移動することにより、スライダー１９がディスク７の所望トラックまで移動する。スライダー１９には、ディスク７にデータを記録するための磁気コイルと、ディスク７に記録されたデータを読取るためのＭＲ素子と、ヒーターとなどが設けられている。ＭＲ素子は磁気信号と電気信号とを変換するための読取り手段として機能する。

図３は、フレキシャーを取り付けたヘッドサスペンションと回路基板との概略平面図である。

図３のように、回路基板２１の一例はＦＰＣである。回路基板２１に、書込用の配線２３，２５と、読取用の配線２７、２９と、ヒーター用の配線３１と、グランド用の配線３３とが設けられている。これら配線２３、２５、２７、２９、３１、３３の基板端子部２３ａ、２５ａ、２７ａ、２９ａ、３１ａ、３３ａは、回路基板２１の表面に露出している。

回路基板２１には、信号処理回路の一部をなすプリアンプ３５（図１に示す）が実装されている。プリアンプ３５は、書込用の配線２３，２５と読取用の配線２７、２９に接続されている。プリアンプ３５から出力される書込用の電流は、書込用の配線２３，２５を介してスライダー１９の磁気コイルに供給される。スライダー１９に設けられたＭＲ素子から出力される電気信号は、読取用の配線２７、２９を介してプリアンプ３５に入力される。書込用の配線２３，２５には、読取用の配線２７、２９よりも大きな電流が流れる。

ヘッドサスペンション１７は、ベースプレート３７と、ロードビーム３９と、ヒンジ部材４１と、フレキシャー ４３などを備えている。ベースプレート３７のボス部３７ａは、キャリッジ１１のアーム１５（図１、図２参照）に固定されている。フレキシャー４３の先端付近にタング４５（図３に示す）が形成されている。タング４５にスライダー１９が取付けられている。

フレキシャー４３は、ロードビーム３９に沿う本体部４３ａと、本体部４３ａからベースプレート３７の後方に延びるテール部４３ｂとを含んでいる。なお、ベースプレート３７の後方とは、図３において矢印Ｒで示す方向、すなわち回路基板２１に近付く方向である。フレキシャー４３の本体部４３ａは、レーザー溶接等の固定手段によってロードビーム３９に固定されている。

図４は、回路基板とフレキシャーのテールパッド部と回路基板とを接合した状態の要部拡大平面図、図５は、フレキシャーのテールパッド部と回路基板とを接合前の分離した状態で示す要部拡大平面図である。

フレキシャー４３は、例えばオーステナイト系ステンレス鋼の板からなるメタルベースとなる金属支持層４７と、金属支持層４７に沿って形成された配線部４９とを含んでいる。金属支持層４７は曲げ加工等の塑性加工が可能であり、かつ、ばね性を有している。金属支持層４７の厚さはロードビーム３９の厚さよりも小さい。ロードビーム３９の厚さは例えば３０〜６２μｍ、金属支持層４７の厚さは例えば１８μｍ（１２〜２５μｍ）である。

配線部４９は、金属支持層４７上に形成されたベース絶縁層と、ベース絶縁層の表面に配索された書込用の配線５１、５３と、読取用の配線５５、５７と、ヒーター用の配線５９と、グランド用の配線６１と、これらの配線５１、５３、５５、５７、５９、６１を覆うカバー絶縁層とを含んでいる。

図４と図５に示されるように、テール部４３ｂにテールパッド部６３が形成されている。テールパッド部６３に、書込用のテール端子部５１ａ、５３ａと、読取用のテール端子部５５、５７ａと、ヒーター用のテール端子部５９ａと、グランド用のテール端子部６１ａが配置されている。

テール端子部５１ａ、５３ａ、５５ａ、５７ａ、５９ａ、６１ａは、テールパッド部６３において、互いに略平行となるように隣接配置されている。テール端子部５１ａ、５３ａ、５５ａ、５７ａ、５９ａ、６１ａが回路基板２１の基板端子部２３ａ、２５ａ、２７ａ、２９ａ、３１ａ、３３ａに重ねられ、超音波接合等のボンディング手段によって接合されている。

テールパッド部６３の金属支持層４７には、開口６５を有する枠部６７が形成されている。開口６５はテール部４３ｂの長手方向（図４に矢印Ｚ１で示す）に延びている。金属支持層４７の開口６５は、エッチングによって形成されている。ベース絶縁層とカバー絶縁層にも同様の開口６５が形成されている。テール端子部５１ａ、５３ａ、５５ａ、５７ａ、５９ａ、６１ａはそれぞれ開口６５を横断し、開口６５の内側において露出している。

開口６５は、テール部４３ｂの長手方向（図４に矢印Ｚ１で示す）に延びる縦枠６９、７１と、テール部４３ｂの幅方向（図４に矢印Ｚ２で示す）に延びる横枠７３、７５とからなる。すなわち縦枠６９、７１と横枠７３、７５とによって枠部６７が構成されている。縦枠６９、７１と横枠７３、７５とは、いずれも金属支持層４７の一部である。

なお、第１参考例では、テスト用パッド部が切離された後に残るスタブ７７が示されている。

［第２参考例］
図６〜図１０は、上記テールパッド部に代えて、ヘッドサスペンション１７の多機能化による多配線化に伴い、回路基板との接続に用いるテール端子部の数もさらに増加したテールパッド部を示す。図６は、フレキシャーのテール端子部を示す要部拡大平面図である。図７は、フレキシャーのテール端子部を示す要部拡大裏面図である。図８は、フレキシャーのテール端子部の一部を示す要部拡大平面図である。図９は、図８のＡ−Ａ線矢視において基板端子部との結合関係で示す要部拡大断面図である。図１０は、図８のＢ−Ｂ線矢視において基板端子部との結合関係で示す要部拡大断面図である。なお、説明には上記第１参考例と同一の符号を用い、重複説明は省略する。図６〜図１０の説明において存在しない符号は、第１参考例を参照する。

図６、図７のように、第２参考例のテール端子部５１ａ、５３ａ、５５ａ、５７ａ、５９ａ、６１ａ、７９ａ、８１ａ、８３ａ、８５ａは、図３の第1参考例のテール端子部５１ａ、５３ａ、５５ａ、５７ａ、５９ａ、６１ａよりも端子数を増加させ、多機能に応じた構造となっている。

第２参考例のテール端子部５１ａ、５３ａ、５５ａ、５７ａ、５９ａ、６１ａ、７９ａ、８１ａ、８３ａ、８５ａも複数の配線に備えられている。テール端子部５１ａ、・・・は、テールパッド部６３において、開口６５を横断するように互いに略平行となるように連続的に隣接配置されている。連続的な隣接配置は、等間隔で行なわれているが、一部などを異なる間隔で隣接配置させることもできる。開口６５の形状は、テール部４３ｂの長手方向の両端等において図４の第１参考例と多少異なるが、開口の機能としては異なることは無い。

第２参考例のテール端子部５１ａ、５３ａ、５５ａ、５７ａ、５９ａ、６１ａ、７９ａ、８１ａ、８３ａ、８５ａが開口６５において形成する隣接方向（テールパッド部６３の長手方向）の間隔は、端子数の増加により第１参考例に比較しても明らかなように、益々小さくなっている。

ここで、テール端子部５１ａ、５３ａ、５５ａ、５７ａ、５９ａ、６１ａ、７９ａ、８１ａ、８３ａ、８５ａは、配線部４９の端末部を構成するものであり、その積層構造は、第１参考例の配線部４９に対応している。

図８、図９、図１０で示すテール端子部５１ａについて説明する。他のテール端子部５３ａ、５５ａ、５７ａ、５９ａ、６１ａ、７９ａ、８１ａ、８３ａ、８５ａも略同様な積層構造である。なお、グランドとなる例えばテール端子部８５ａは、グランドのための構造をさらに備える。

テール端子部５１ａは、端子部金属支持層８９の表面に備えられた端子部ベース絶縁層９１と、端子部ベース絶縁層９１の表面に形成された端子層９３と、端子部カバー絶縁層９５と、端子層９３を覆う金メッキ９７とからなっている。金メッキ９７は、下地にニッケルメッキを施す場合もある。

端子部金属支持層８９は、基板をなす金属性の金属支持層である。この端子部金属支持層８９は、１参考例の金属支持層４７（図４、図５参照。）に形成されて金属支持層４７に含まれ、材質、厚みは、第１参考例の金属支持層４７の材質、厚みと同様である。テール端子部５１ａでの端子部金属支持層８９は、中央に島状部８９ａを備えている。
図９をＡ−Ａ線断面、図１０をＢ−Ｂ線断面と称すると、Ａ−Ａ線断面では、端子面がフラットである。Ｂ−Ｂ線断面では、端子部カバー絶縁層９５及び金メッキ９７の厚み設定によりテール端子部５１ａの中央部の端子面が両側の端子部カバー絶縁層９５に対して若干凹んだ形態となる。

図１０で示すＢ−Ｂ線断面では、島状部８９ａの幅が、図９で示すＡ−Ａ線断面よりも大きく、且つ両側に離間した側壁部８９ｂを備えている。これら島状部８９ａ及び側壁部８９ｂは、テール端子部５１ａの補強のために形成されている。島状部８９ａ及び側壁部８９ｂは、配線部４９の金属支持層４７に含まれ、側壁部８９ｂは、金属支持層４７（図４参照。）に一体となっている。

端子部ベース絶縁層９１及び端子部カバー絶縁層９５は、第１参考例の配線部４９（図４参照。）のものと同様であり、ポリイミド等の絶縁性の電気絶縁性材で形成され、端子部ベース絶縁層９１の厚みは、例えば１０μｍ（５〜２０μｍ）に設定されている。端子部カバー絶縁層９５の厚みは、例えば５μｍ（２〜１０μｍ）に設定されている。

端子層９３は、配線５１（図４、図５参照。）に含まれて配線５１の端末をなす。配線５１は、他の配線と共に複数本の配線として配索された配線層９９（図６参照。）を構成している。端子層９３は、銅メッキにより形成され、その厚みは、例えば１０μｍ（４〜１５μｍ）に設定されている。この端子層９３は、Ｂ−Ｂ線断面において端子面の両側が前記端子部カバー絶縁層９５により被覆されている。
金メッキ９７は、表面薄膜層として形成され、金メッキ９７の厚みは、例えば０．５μｍ（０．１〜５．０μｍ）に設定されている。

第２参考例では、図９、図１０で示すテール端子部５１ａと基板端子部２３ａとの接合に示すように、テール端子部５１ａ、５３ａ、５５ａ、５７ａ、５９ａ、６１ａ、７９ａ、８１ａ、８３ａ、８５ａと外部端子である回路基板の基板端子部２３ａ、・・・とが対応して重ねられ、接合される。なお、回路基板の基板端子部２３ａ、・・・は、第１、第２参考例よりも増加し、実施例１のテール端子部５１ａ、・・・に対応した数を備えている。

この接合は、第１参考例の超音波接合等のボンディング手段に代え、マイクロはんだボールを使用したリフローにより、はんだフィレット８７を形成してはんだ接合し、接続信頼性を向上させている。

一方、特にテール端子部５１ａ、５３ａ、５５ａ、５７ａ、５９ａ、６１ａ、７９ａ、８１ａ、８３ａ、８５ａが連続して隣接する図９のＡ−Ａ線断面では、端子面がフラットであり、且つ端子間距離が第１、第２参考例に比較して狭くなっている。
このため、同じような大きさのマイクロはんだボールを用い、テール端子部５１ａ、・・・と基板端子部２３ａ、・・・とを規定間隔に押し付けてリフローさせると、溶融したはんだ材が大きく流れ出し、テール端子部５１ａ、・・・の何れかの間、或いは全ての間で、はんだブリッジの発生を招く恐れがある。

［障壁部］
図１１、図１２は、障壁部を備えた実施例１に係るものである。図１１は、図９同様に図８のＡ−Ａ線矢視に対応し基板端子部との結合関係で示す要部拡大断面図である。図１２は、図１０同様に図８のＢ−Ｂ線矢視に対応し基板端子部との結合関係で示す要部拡大断面図である。なお、基本的な構成については参考例１、２を参照し、対応する構成部分は、同符号を用いて説明する。

図１１、図１２では、テール端子部５１ａについて主に説明する。他のテール端子部５３ａ、５５ａ、５７ａ、５９ａ、６１ａ、７９ａ、８１ａ、８３ａ、８５ａも同一の構造である。なお、グランドとなる例えばテール端子部８５ａは、グランドのための構造をさらに備える。

本実施例１は、例えば、セミアディティブ法により製造したフレキシャーへの適用例である。

テール端子部５１ａは、障壁部１０１を備えている。この障壁部１０１は、リフローしたはんだ材に対する障壁となり、例えばはんだ材の流れ止めを行うものである。障壁部１０１は、他のテール端子部５３ａ、５５ａ、５７ａ、５９ａ、６１ａ、７９ａ、８１ａ、８３ａ、８５ａにも同様に設けられ、少なくとも端子部間であるテール端子部５１ａ、５３ａ、５５ａ、５７ａ、５９ａ、６１ａ、７９ａ、８１ａ、８３ａ、８５ａの各間に備えられた構成となっている。

障壁部１０１を形成するために、本実施例１では、テール端子部５１ａにおいて端子部ベース絶縁層９１の中央部を薄く形成して薄層部１０３を選択的に備えた。薄層部１０３は、均一な層厚に形成されている。但し、薄層部１０３の一部を厚くし、さらに薄くすることもできる。

この薄層部１０３を含む端子部ベース絶縁層９１に倣って端子層９３を形成している。障壁部１０１は、端子層９３の中央部周囲を囲む形態で端子面上を凹状とし、はんだ溜まり凹部１０４を形成している。

障壁部１０１は、図１１で示すＡ−Ａ線断面の方向が図１２で示すＢ−Ｂ線断面の方向に対し相対的に短く形成され、平面から見て長方形状の枠を構成している。

端子部ベース絶縁層９１の中央部は、端子部金属支持層８９の島状部８９ａにより補強されている。

障壁部１０１は、断面において周回状の内面１０１ａ、上面１０１ｂ、ほぼ周回状の外面１０１ｃを備えている。外面１０１ｃをほぼ周回状としたのは、図１２で示すＢ−Ｂ線断面の一方側、例えば図中左側において、端子部金属支持層８９、端子部ベース絶縁層９１、端子層９３、端子部カバー絶縁層９５が図４のように配線部４９として連続し、完全な周回状ではないためである。

図１１で示すＡ−Ａ線断面では、障壁部１０１は、テール端子部５１ａ、・・・が隣接配置された方向の両側にテール端子部５１ａの端子面を挟むように備えられている。但し、障壁部１０１は、はんだリフロー時にはんだ材の流れを規制できればよく、テール端子部５１ａの片側に形成され、或いはテール端子部５１ａ、・・・の一つ置きに両側に備える形態にすることもできる。

障壁部１０１の下方で端子層９３の下面９３ａ側に端子部ベース絶縁層９１の外縁部９１ａが位置し、障壁部１０１を支持する。金メッキ９７は、端子層９３の中央部の端子面から障壁部１０１の内面１０１ａ、上面１０１ｂ、外面１０１ｃ、及び端子層９３の下面９３ａに渡って形成されている。

図１２で示すＢ−Ｂ線断面では、障壁部１０１は、テール端子部５１ａが隣接配置された方向に交差する両側にテール端子部５１ａの端子面を挟むように備えられている。端子層９３の下面９３ａに端子部ベース絶縁層９１の外縁部９１ａが位置してこれを支持し、端子部ベース絶縁層９１の外縁部９１ａを端子部金属支持層８９の側壁部８９ｂが支持している。

［製造方法］
フレキシャー４３の製造方法を、テール端子部５１ａを中心に説明する。

（第１工程）
第１工程では、金属支持層４７を形成するためのステンレス基材（ＳＳＴ基材）を準備する。

（第２工程）
第２工程において、ステンレス基材上に感光性ポリイミドを全体的に塗布する。次いで、金属支持層４７、端子部金属支持層８９となる部分に、露光により端子部ベース絶縁層９１を含めてベース絶縁層を形成すると共に、端子部ベース絶縁層９１の中央部を薄く形成して薄層部１０３とする。薄層部１０３は、端子部ベース絶縁層９１のエッチング、レーザー処理によっても形成することができる。

（第３工程）
第３工程において、端子部ベース絶縁層９１上を含めてベース絶縁層上にレジストを所定パターンで形成して銅メッキにより端子層９３を含めて配線層９９（図６参照。）を形成し、レジストを剥離する。

（第４工程）
第４工程において、端子層９３等に、配線層９９上を被覆するように端子部カバー絶縁層９５を含めて配線部４９のカバー絶縁層を形成する。

ここで、図１１のように端子部ベース絶縁層９１が端子層９３の配線幅より狭い場合、ＳＳＴ基材側から端子部ベース絶縁層９１をエッチングする必要があり、本工程の次に行われる。

つまり、本工程の次に、ＳＳＴ基材の部分的なエッチングを行い、ベース絶縁層のエッチングにより図１１のような端子部ベース絶縁層９１を形成する。

（第５工程）
第５工程において、端子層９３に金メッキ９７を形成する。

（第６工程）
ＳＳＴ基材をエッチングして金属支持層４７と一体に端子部金属支持層８９を形成し、フレキシャーの連鎖品を形成する。この場合、エッチングにより他の箇所の所定形状と共に島状部８９ａ及び側壁部８９ｂが形成される。

その後、単体のフレキシャー４３が切り離される。

［はんだ接合］
図１１、図１２で示すテール端子部５１ａと基板端子部２３ａとの接合に示すように、テール端子部５１ａ、５３ａ、５５ａ、５７ａ、５９ａ、６１ａ、７９ａ、８１ａ、８３ａ、８５ａと、外部端子である回路基板の基板端子部２３ａ、・・・（図４参照。）とが対応して重ねられる。マイクロはんだボールを使用したリフローによりテール端子部５１ａ、・・・、基板端子部２３ａ、・・・間にはんだ材のフィレット８７を形成してはんだ接合し、接続信頼性を向上させている。

特にテール端子部５１ａ、５３ａ、５５ａ、５７ａ、５９ａ、６１ａ、７９ａ、８１ａ、８３ａ、８５ａが連続して隣接する図１１で示すＡ−Ａ線断面では、障壁部１０１が、テール端子部５１ａ、５３ａ、５５ａ、５７ａ、５９ａ、６１ａ、７９ａ、８１ａ、８３ａ、８５ａの隣接方向間に存在する。

しかも、図１２で示すＢ−Ｂ線断面でも、テール端子部５１ａ、５３ａ、５５ａ、５７ａ、５９ａ、６１ａ、７９ａ、８１ａ、８３ａ、８５ａに障壁部１０１が存在する。

このため、障壁部１０１により各テール端子部５１ａ、・・・に、はんだ溜まり凹部１０４が形成される。

障壁部１０１によりはんだ材の流れを規制し、はんだ溜まり凹部１０４によりはんだ材を溜め、はんだフィレット８７を形成する。

［実施例１の効果］
本発明実施例のフレキシャー４３は、基板をなす端子部金属支持層８９を含む金属性の金属支持層４７、金属支持層４７の表面に備えられた端子部ベース絶縁層９１を含む絶縁性のベース絶縁層と、ベース絶縁層の表面に複数本の配線として配索された端子層９３を含む配線層９９と、配線を被覆する絶縁性の端子部カバー絶縁層９５を含むカバー絶縁層と、複数の配線に備えられ連続的に隣接配置された複数のテール端子部５１ａ、５３ａ、５５ａ、５７ａ、５９ａ、６１ａ、７９ａ、８１ａ、８３ａ、８５ａとを備え、複数のテール端子部５１ａ、・・・が対応する複数の基板端子部２３ａ、２５ａ、２７ａ、２９ａ、３１ａ、３３ａ、・・・にそれぞれはんだ材によりはんだ接合されるフレキシャー４３であって、はんだ材に対する障壁部１０１をテール端子部５１ａ、・・・に備えた。

このため、はんだリフロー時に障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４の働きではんだ材の流れ止めが行なわれ、はんだブリッジの発生を確実に抑制できる。

特に、障壁部１０１の存在により障壁部１０１の先端縁部と基板端子部２３ａ、・・・との間隔が端子層９３の端子表面に比較して狭くなり、はんだ溜まり凹部１０４にはんだ材を収容しながら障壁部１０１の縁部と基板端子部２３ａ、・・・との間で表面張力を有効に働かせることができる。

このため、障壁部１０１での障壁の作用及び障壁部１０１と基板端子部２３ａ、・・・との間隔での表面張力の作用によりリフローされたはんだ材が障壁部１０１と基板端子部２３ａ、・・・との間から流れ難くなる。

しかも、端子層９３の端子表面と基板端子部２３ａ、・・・との間隔を従来に比較して拡げたはんだ溜まり凹部１０４にすることもできるため、はんだ溜まり凹部１０４に十分なはんだ材を確保し、大きさの十分なはんだフィレット８７を作ることができる。

なお、障壁部１０１の形成は、端子部ベース絶縁層９１の露光等により形成するだけであり、製造が容易である。端子部ベース絶縁層９１の厚みは薄くなるが、局部的であり、影響はない。端子層９３は、従来と同様の厚みを確保することができる。

［実施例１の変形例１］
図１３、図１４は、障壁部を備えた実施例１の変形例１を示す。図１３は、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。図１４は、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。なお、基本的な構成については参考例１、２、実施例１を参照し、対応する構成部分は、同符号を用い、実施例１との相違について説明する。重複した説明は、省略する。

本実施例１の変形例１は、例えば、セミアディティブ法により製造したフレキシャーへの適用例である。

本実施例１の変形例１でも、図１３、図１４で示すテール端子部５１ａについて主に説明することは上記同様である。

図１１、図１２の実施例１では、端子部ベース絶縁層９１のテール端子部５１ａ、・・・隣接方向での幅が図１１のように端子層９３の幅よりも小さく形成されているのに対し、図１３、図１４の本実施例１の変形例１では、端子部ベース絶縁層９１の外縁部９１ａを伸ばし、端子部ベース絶縁層９１のテール端子部５１ａ、・・・隣接方向での幅を端子層９３の幅よりも大きくした。

従って、本実施例１の変形例１では、端子部ベース絶縁層９１の外縁部９１ａにより端子層９３の下面９３ａを十分に支持することができる。

また、本実施例１の変形例１でも、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４により、上記実施例１と同様な作用効果を得ることができる。

［実施例１の変形例２］
図１５、図１６は、障壁部を備えた実施例１の変形例２を示す。図１５は、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。図１６は、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。なお、基本的な構成については参考例１、２、実施例１を参照し、対応する構成部分は、同符号を用い、実施例１との相違について説明する。重複した説明は、省略する。

本実施例１の変形例２は、例えば、セミアディティブ法により製造したフレキシャーへの適用例である。

本実施例１の変形例２でも、図１５、図１６で示すテール端子部５１ａについて主に説明することは上記同様である。

図１１、図１２の実施例１では、端子部ベース絶縁層９１及び島状部８９ａのテール端子部５１ａ、・・・隣接方向での幅が図１１のように端子層９３の幅よりも小さく形成されているのに対し、図１５、図１６の本実施例１の変形例２では、端子部ベース絶縁層９１の外縁部９１ａ及び島状部８９ａを伸ばし、端子部ベース絶縁層９１のテール端子部５１ａ、・・・隣接方向での幅を端子層９３の幅よりも大きくした。

従って、本実施例１の変形例２では、端子部ベース絶縁層９１の外縁部９１ａ及び端子部金属支持層８９の島状部８９ａにより端子層９３の下面９３ａを十分に支持することができる。

また、本実施例１の変形例２でも、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４により、上記実施例１と同様な作用効果を得ることができる。

［実施例１の変形例３］
図１７、図１８は、障壁部を備えた実施例１の変形例３を示す。図１７は、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。図１８は、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。なお、基本的な構成については参考例１、２、実施例１を参照し、対応する構成部分は、同符号を用い、実施例１との相違について説明する。重複した説明は、省略する。

本実施例１の変形例３は、例えば、セミアディティブ法により製造したフレキシャーへの適用例である。

本実施例１の変形例３でも、図１７、図１８で示すテール端子部５１ａについて主に説明することは上記同様である。

図１１、図１２の実施例１では、端子部金属支持層８９の島状部８９ａを有しているのに対し、図１７、図１８の本実施例１の変形例３では、端子部金属支持層８９の島状部８９ａを省いた。

従って、本実施例１の変形例３では、テール端子部５１ａ、・・・の可撓性を向上させ、軽量化を図ることもできる。

また、本実施例１の変形例３でも、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４により、上記実施例１と同様な作用効果を得ることができる。

［実施例１の変形例４］
図１９、図２０は、障壁部を備えた実施例１の変形例４を示す。図１９は、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。図２０は、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。なお、基本的な構成については参考例１、２、実施例１を参照し、対応する構成部分は、同符号を用い、実施例１との相違について説明する。重複した説明は、省略する。

本実施例１の変形例４は、例えば、サブトラクティブ法により製造したフレキシャーへの適用例である。

本実施例１の変形例４でも、図１９、図２０で示すテール端子部５１ａについて主に説明することは上記同様である。

図１１、図１２の実施例１では、端子部ベース絶縁層９１の中央部を薄く形成して薄層部１０３とし、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けたのに対し、図１９、図２０の本実施例１の変形例４では、端子部ベース絶縁層９１は薄く形成せず、端子層９３の中央部を薄く形成して薄層部１０５を選択的に形成して備え、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けた。

図１９で示すＡ−Ａ線断面での端子層９３の中央部の幅は、図２０で示すＢ−Ｂ線断面での端子層９３の中央部の幅よりも狭く平面から見て長方形の枠となる障壁部１０１を形成した。障壁部１０１の内側は、はんだ溜まり凹部１０４となる。

端子層９３の中央部の薄層部１０５は、銅のパーシャルエッチングで行うことができる。

従って、本実施例１の変形例４でも、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４により、上記実施例１と同様な作用効果を得ることができる。

また、本実施例１の変形例４では、障壁部１０１の形成は、端子層９３のパーシャルエッチングによる薄層部１０５の形成によるだけであり、製造が容易である。

端子層９３は、従来と同様な厚みの端子部ベース絶縁層９１により支持させることができる。

［実施例１の変形例５］
図２１、図２２は、障壁部を備えた実施例１の変形例５を示す。図２１は、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。図２２は、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。なお、基本的な構成については参考例１、２、実施例１を参照し、対応する構成部分は、同符号を用い、実施例１との相違について説明する。

本実施例１の変形例５は、例えば、セミアディティブ法により製造したフレキシャーへの適用例である。

本実施例１の変形例５では、図２１、図２２で示すグランド端子であるテール端子部８５ａについての適用を説明するが、他のテール端子部５１ａ、５３ａ、５５ａ、５７ａ、５９ａ、６１ａ、７９ａ、８１ａ、８３ａは、前記テール端子部５１ａと同様に構成されている。

図１１、図１２の実施例１では、端子部ベース絶縁層９１の中央部を薄く形成して薄層部１０３とし、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けたのに対し、図２１、図２２の変形例５では、グランド端子としてのテール端子部８５ａの端子部ベース絶縁層９１は薄く形成せず、孔として接地部のビアホール（Via hole）１０７ａ、１０７ｂを選択的に形成して備え、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けた。

図２１で示すＡ−Ａ線断面では、図２２で示すＢ−Ｂ線断面で示されるビアホール１０７ａ、１０７ｂの一方のビアホール１０７ａを示し、ビアホール１０７ａ内に渡って端子層９３が形成されている。ビアホール１０７ａ内で端子層９３は、端子部金属支持層８９の島状部８９ａに接地している。端子層９３の中央部に、はんだ溜まり凹部１０４が段付き状に形成され、その両側に障壁部１０１を形成している。障壁部１０１は、Ａ−Ａ線断面で幅が拡大されている。

図２１で示すＡ−Ａ線断面では現れないビアホール１０７ｂについても、同様の断面構成となっている。

図２２で示すＢ−Ｂ線断面では、端子部ベース絶縁層９１のビアホール１０７ａ、１０７ｂが中央の低壁９１ｂを挟んで一対備えられ、端子層９３の中央部周囲を薄く形成している。端子層９３の中央に凸部９３ｂが形成され、凸部９３ｂを挟んではんだ溜まり凹部１０４を段付き状に形成している。障壁部１０１の内面１０１ａも段付き状となっている。

ビアホール１０７ａ、１０７ｂは、端子部ベース絶縁層９１の露光、エッチング、レーザー処理等により形成することができる。セミアディティブ法の工程では、フォトマスクを使用したベース絶縁層形成と同時に、ビアホール１０７ａ、１０７ｂを形成することもできる。他の例のセミアディティブ法により製造したフレキシャーのビアホールについても同様である。

端子層９３の薄層部１０５は、銅のパーシャルエッチングで行うことができる。

従って、本実施例１の変形例５でも、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４により、上記実施例１と同様な作用効果を得ることができる。

また本実施例１の変形例５では、はんだ溜まり凹部１０４を段付き状に深くすることができ、障壁部１０１の機能を増幅させることができる。

［実施例１の変形例６］
図２３、図２４は、障壁部を備えた実施例１の変形例６を示す。図２３は、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。図２４は、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要の部拡大断面図である。なお、基本的な構成については参考例１、２、実施例１を参照し、対応する構成部分は、同符号を用い、実施例１との相違について説明する。

本実施例１の変形例６は、例えば、セミアディティブ法により製造したフレキシャーへの適用例である。

本実施例１の変形例６では、図２３、図２４で示すグランド端子であるテール端子部８５ａについての適用を説明することは変形例５と同様である。

図１１、図１２の実施例１では、端子部ベース絶縁層９１の中央部を薄く形成して薄層部１０３とし、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けたのに対し、図２３、図２４の変形例６では、グランド端子としてのテール端子部８５ａの端子部ベース絶縁層９１は薄く形成せず、孔として接地部のビアホール１０７を形成することで障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けた。

本変形例６のビアホール１０７は、変形例５の一対のビアホール１０７ａ、１０７ｂに対して図２４のＢ−Ｂ線断面方向の長穴状の形態とした。

図２３で示すＡ−Ａ線断面では、ビアホール１０７内に渡って端子層９３が形成され、中央にはんだ溜まり凹部１０４が形成され、幅が拡大された障壁部１０１を形成している。

図２４で示すＢ−Ｂ線断面では、ビアホール１０７の幅が図２３で示すＡ−Ａ線断面よりも大きく形成され、且つ端子層９３の中央部両側を薄く形成して薄層部１０５としている。はんだ溜まり凹部１０４は、端子層９３の中央から両側に段付き状に形成されている。

ビアホール１０７は、レーザー処理等により加工することができる。端子層９３の薄層部１０５は、銅のパーシャルエッチングで行うことができる。

従って、本実施例１の変形例６でも、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４により、上記実施例１と同様な作用効果を得ることができる。

また本実施例１の変形例６でも、同変形例５と同様な作用効果を得ることができる。

［実施例１の変形例７］
図２５、図２６は、障壁部を備えた実施例１の変形例７を示す。図２５は、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。図２６は、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。なお、基本的な構成については参考例１、２、実施例１、変形例６を参照し、対応する構成部分は、同符号を用い、実施例１、変形例６との相違について説明する。重複した説明は、省略する。

本実施例１の変形例７は、例えば、セミアディティブ法により製造したフレキシャーへの適用例である。

本実施例１の変形例７でも、図２５、図２６で示すグランド端子であるテール端子部８５ａについて主に説明することは上記同様である。

図２３、図２４の実施例１の変形例６では、図２４のように端子層９３の中央部両側を銅のパーシャルエッチングにより薄く形成して薄層部１０５としたのに対し、図２５、図２６の本実施例１の変形例７では、変形例６の薄層部１０５を設けず、端子層９３の中央部両側を中央部と略同一厚みとした。

従って、本実施例１の変形例７では、パーシャルエッチングを省略することができる。

また、本実施例１の変形例７では、端子部ベース絶縁層９１の外縁部９１ａ及び端子部金属支持層８９の島状部８９ａにより端子層９３の下面９３ａを十分に支持することができる。

また、本実施例１の変形例７でも、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４により、上記実施例１と同様な作用効果を得ることができる。

［実施例１の変形例８］
図２７、図２８は、障壁部を備えた実施例１の変形例８を示す。図２７は、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。図２８は、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。なお、基本的な構成については参考例１、２、実施例１、変形例６を参照し、対応する構成部分は、同符号を用い、実施例１、変形例６との相違について説明する。重複した説明は、省略する。

本実施例１の変形例８は、例えば、セミアディティブ法により製造したフレキシャーへの適用例である。

本実施例１の変形例８でも、図２７、図２８で示すグランド端子であるテール端子部８５ａについて主に説明することは上記同様である。

図２３、図２４の実施例１の変形例６では、端子部金属支持層８９の島状部８９ａを有しているのに対し、図２７、図２８の本実施例１の変形例８では、端子部金属支持層８９の島状部８９ａを省いた。

従って、本実施例１の変形例８では、テール端子部８５ａの可撓性を向上させ、軽量化を図ることもできる。

また、本実施例１の変形例８でも、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４により、上記実施例１と同様な作用効果を得ることができる。

［実施例１の変形例９］
図２９、図３０は、障壁部を備えた実施例１の変形例９を示す。図２９は、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。図３０は、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。なお、基本的な構成については参考例１、２、実施例１を参照し、対応する構成部分は、同符号を用い、実施例１との相違について説明する。

本実施例１の変形例９は、例えば、サブトラクティブ法により製造したフレキシャーへの適用例である。

本実施例１の変形例９では、図２９、図３０で示すグランド端子であるテール端子部８５ａについての適用を説明することは上記同様である。

図１１、図１２の実施例１では、端子部ベース絶縁層９１の中央部を薄く形成して薄層部１０３とし、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けたのに対し、図２９、図３０の本変形例９では、テール端子部８５ａの端子部ベース絶縁層９１は薄く形成せず、孔として接地部のビアホール（１０７ａ、１０８ａ）、（１０７ｂ、１０８ｂ）を選択的に形成して備え、このビアホール（１０７ａ、１０８ａ）、（１０７ｂ、１０８ｂ）にニッケルメッキのグランド１０９ａ、１０９ｂを形成して障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けた。

つまり、障壁部１０１を、ベース絶縁層の端子部ベース絶縁層９１と配線層９９の端子層９３とに渡って形成され金属支持層である端子部金属支持層８９に接地されたグランド１０９ａ、１０９ｂに設けている。

図２９で示すＡ−Ａ線断面では、一方のグランド１０９ａを示し、ビアホール（１０７ａ、１０８ａ）にグランド１０９ａが形成され、グランド１０９ａは、端子部金属支持層８９の島状部８９ａに接地している。グランド１０９ａの中央にはんだ溜まり凹部１０４が形成され、周囲に障壁部１０１を構成している。

図２９で示すＡ−Ａ線断面では現れないビアホール（１０７ｂ、１０８ｂ）についても同様である。

図３０で示すＢ−Ｂ線断面では、ビアホール（１０７ａ、１０８ａ）、（１０７ｂ、１０８ｂ）が中央の低壁９１ｂを挟んで一対備えられ、ビアホール（１０７ａ、１０８ａ）、（１０７ｂ、１０８ｂ）にグランド１０９ａ、１０９ｂが各別に形成されている。

ビアホール（１０７ａ、１０８ａ）、（１０７ｂ、１０８ｂ）は、端子層９３及び端子部ベース絶縁層９１のレーザー処理等による加工で形成できる。また、端子層９３の銅をエッチングにより除去してから端子部ベース絶縁層９１をレーザー処理やエッチングして形成することもできる。グランド１０９ａ、１０９ｂは、フォトマスクでマスキングして形成することができる。

従って、本実施例１の変形例９でも、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４により、上記実施例１と同様な作用効果を得ることができる。

また本実施例１の変形例９では、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４をグランド１０９ａ、１０９ｂのニッケルメッキを利用して形成することができ、工程の増加がなく、容易に製造することができる。

［実施例１の変形例１０］
図３１、図３２は、障壁部を備えた実施例１の変形例１０を示す。図３１は、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。図３２は、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。なお、基本的な構成については参考例１、２、実施例１を参照し、対応する構成部分は、同符号を用い、実施例１、変形例９との相違について説明する。

本実施例１の変形例１０は、例えば、サブトラクティブ法により製造したフレキシャーへの適用例である。

本実施例１の変形例１０では、図３１、図３２で示すグランド端子であるテール端子部８５ａについての適用を説明することは上記同様である。

図１１、図１２の実施例１では、端子部ベース絶縁層９１の中央部を薄く形成して薄層部１０３とし、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けたのに対し、図３１、図３２の変形例１０では、テール端子部８５ａの端子部ベース絶縁層９１は薄く形成せず、孔として接地部のビアホール１０７、１０８を形成し、このビアホール１０７、１０８にニッケルメッキのグランド１０９を形成して障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けた。

つまり、障壁部１０１を、ベース絶縁層の端子部ベース絶縁層９１と配線層９９の端子層９３とに渡って形成されたグランド１０９に設けている。

本変形例１０のビアホール１０７、１０８は、単一の長穴として形成され、変形例９の一対のビアホール（１０７ａ、１０８ａ）、（１０７ｂ、１０８ｂ）に対し、単一のビアホール１０７、１０８であることに相違がある。その他は、変形例９と同様である。

従って、本実施例１の変形例１０でも、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４により、上記実施例１、変形例９と同様な作用効果を得ることができる。

［実施例１の変形例１１］
図３３、図３４は、障壁部を備えた実施例１の変形例１１を示す。図３３は、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。図３４は、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。なお、基本的な構成については参考例１、２、実施例１を参照し、対応する構成部分は、同符号を用いて説明する。

本実施例１の変形例１１は、例えば、セミアディティブ法により製造したフレキシャーへの適用例である。

本実施例１の変形例１１では、図３３、図３４で示すグランド端子であるテール端子部８５ａについての適用を説明することは上記同様である。

図１１、図１２の実施例１では、端子部ベース絶縁層９１の中央部を薄く形成して薄層部１０３とし、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けたのに対し、図３２、図３３の本実施例１の変形例１１では、テール端子部８５ａの端子部ベース絶縁層９１は薄く形成せず、端子部ベース絶縁層９１に孔である接地部のビアホール１０７を形成し、このビアホール１０７内に渡って端子層９３を形成し障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けた。ビアホール１０７は、単一の穴として形成されている。

図３３で示すＡ−Ａ線断面及び図３４で示すＢ−Ｂ線断面のように、ビアホール１０７に形成された端子層９３は、端子部金属支持層８９の島状部８９ａに接地している。端子層９３の中央にビアホール１０８が形成され、はんだ溜まり凹部１０４が段付き状に形成され、周囲に障壁部１０１を形成している。金メッキ９７は、端子層９３のビアホール１０８に渡って形成され、端子層９３及び金メッキ９７は、端子部金属支持層８９の島状部８９ａに接地している。

ビアホール１０７は、端子部ベース絶縁層９１をレーザー処理やエッチングにより加工することで形成できる。ビアホール１０８は、端子層９３の銅をエッチングにより除去し、或いはレーザー処理により加工することで形成できる。

従って、本実施例１の変形例１１でも、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４により、上記実施例１と同様な作用効果を得ることができる。

また本実施例１の変形例１１では、上記各実施例に比較してより深いはんだ溜まり凹部１０４を形成することができ、障壁部１０１の機能をより増幅させることができる。

図３５、図３６は、実施例２を示す。図３５は、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。図３６は、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。なお、基本的な構成については参考例１、２、実施例１を参照し、対応する構成部分は、同符号を用い、実施例１との相違について説明する。

本実施例２でも、図３５、図３６で示すテール端子部５１ａについて主に説明することは実施例１と同様である。

図１１、図１２の実施例１では、端子部ベース絶縁層９１の中央部を薄く形成して薄層部１０３とし、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けたのに対し、図３５、図３６の実施例２では、端子層９３の中央部周囲を凸状に形成して障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けた。

図３５、図３６のように、凸部としての障壁部１０１は、端子層９３上に中央部を囲むように凸状に形成されている。端子層９３上には、障壁部１０１で囲まれたはんだ溜まり凹部１０４が形成される。金メッキ９７は、障壁部１０１をも覆うように形成されている。

障壁部１０１は、実施例１の変形例９、１０のように、ニッケルのグランドをフォトマスクでマスキングして形成するときに同時に形成することができる。

本実施例の障壁部１０１の場合は、グランド端子とするテール端子部８５ａのように、端子部ベース絶縁層９１や端子層９３に孔がないのでニッケルメッキのグランドと同時形成したとき端子層９３上で嵩高となる。

従って、本実施例２でも、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４により、上記実施例１と同様な作用効果を得ることができる。

また本実施例２では、端子層９３上に突出する障壁部１０１により基板端子部２３ａ、・・・との間隔をより狭くすることができ、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４の機能をより向上させることができる。

障壁部１０１は、ニッケルメッキのグランドと同時形成することができ、容易に製造することができる。

［実施例２の変形例１］
図３７、図３８は、障壁部を備えた実施例２の変形例１を示す。図３７は、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。図３８は、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。なお、基本的な構成については参考例１、２、実施例１を参照し、対応する構成部分は、同符号を用い、実施例１との相違について説明する。

本実施例２の変形例１でも、図３７、図３８で示すテール端子部５１ａについて主に説明することは上記同様である。

図１１、図１２の実施例１では、端子部ベース絶縁層９１の中央部を薄く形成して薄層部１０３とし、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けたのに対し、図３７、図３８の実施例２の変形例１では、端子部カバー絶縁層９５に障壁部１０１を一体に形成し、はんだ溜まり凹部１０４を設けた。

図３７、図３８のように、障壁部１０１は、端子層９３の中央部の端子面を囲むように形成されている。

障壁部１０１は、端子層９３において端子部カバー絶縁層９５に同じ絶縁材で一体に突出形成されている。

この障壁部１０１は、端子部カバー絶縁層９５の部分で障壁部１０１を含む高さに絶縁材を塗り、露光やエッチング、レーザー処理等の加工で端子層９３を露出させることで形成することができる。

従って、本実施例２の変形例１でも、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４により、上記実施例１と同様な作用効果を得ることができる。

また本実施例２の変形例１では、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を、端子部カバー絶縁層９５のエッチング等により形成することができる。

［実施例２の変形例２］
図３９、図４０は、障壁部を備えた実施例２の変形例２係り、図３９は、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。図４０は、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。なお、基本的な構成については参考例１、２、実施例１を参照し、対応する構成部分は、同符号を用い、実施例１との相違について説明する。

本実施例２の変形例２でも、図３９、図４０で示すテール端子部５１ａについて主に説明することは上記同様である。

図１１、図１２の実施例１では、端子部ベース絶縁層９１の中央部を薄く形成して薄層部１０３とし、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けたのに対し、図３９、図４０の実施例２の変形例２では、実施例２の変形例１同様に端子部カバー絶縁層９５により障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けた。

本実施例２の変形例２の障壁部１０１は、二層に形成され、実施例２の変形例１が単一層であることに対して相違がある。その他は、実施例２の変形例２と同様である。

二層の障壁部１０１は、端子部カバー絶縁層９５に対応した部分で絶縁層を重ねて形成し、露光や、エッチング、レーザー処理等の加工で端子層９３を露出させることで形成することができる。

従って、本実施例２の変形例２でも、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４により、上記実施例１と同様な作用効果を得ることができる。

また本実施例２の変形例２では、障壁部１０１を構成する絶縁層を端子部カバー絶縁層９５にのみ配置することができる。

［実施例２の変形例３］
図４１、図４２は、障壁部を備えた実施例２の変形例３係り、図４１は、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。図４２は、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。なお、基本的な構成については参考例１、２、実施例１、２を参照し、対応する構成部分は、同符号を用い、実施例１との相違について説明する。

本実施例２の変形例３でも、図４１、図４２で示すテール端子部５１ａについて主に説明することは上記同様である。

図１１、図１２の実施例１では、端子部ベース絶縁層９１の中央部を薄く形成することに基づいて障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けたのに対し、図４１、図４２の実施例２の変形例３では、端子部金属支持層８９により障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けた。

図４１で示すＡ−Ａ線断面では、端子部金属支持層８９の幅が大きく、両側を薄く形成して折り曲げにより立ち上げ、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を形成した。障壁部１０１の高さは、端子層９３の側部中間に達する程度であり、端子層９３の側部に対し離間している。凹部１０４は、図４２で示すＢ−Ｂ線断面の方向で両側が開放形態となっている。なお、障壁部１０１をＢ−Ｂ線断面の方向で両側に伸ばし、側壁部８９ｂに近接させることもできる。

図４２で示すＢ−Ｂ線断面は、参考例２の図１０と異なるところはない。

従って、本実施例２の変形例３でも、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４により、上記実施例１と同様な作用効果を得ることができる。

また本実施例２の変形例３では、障壁部１０１を端子部金属支持層８９の折り曲げにより形成し、テール端子部５１ａ、・・・の剛性を向上させることができる。

図４３、図４４は、実施例３を示す。図４３は、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。図４４は、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。なお、基本的な構成については参考例１、２、実施例１を参照し、対応する構成部分は、同符号を用い、実施例１との相違について説明する。

本実施例３は、デュアルレイヤー配線のフレキシャーへの適用例である。なお、デュアルレイヤー配線は、スペース的な理由或いは電気的な特性向上のために採用される。

本実施例３でも、図４３、図４４で示すテール端子部５１ａについて主に説明することは上記同様である。

図１１、図１２の実施例１では、端子部ベース絶縁層９１の中央部を薄く形成して薄層部１０３とし、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けたのに対し、図４３、図４４の実施例３では、デュアルレイヤー配線に対し端子部ベース絶縁層９１の中央部を薄く形成して薄層部１０３とし、中間絶縁層１１１に孔１１１ａを形成して障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けた。

図４３で示すＡ−Ａ線断面、図４４で示すＢ−Ｂ線断面のように、テール端子部５１ａは、端子部金属支持層８９の表面に備えられた端子部ベース絶縁層９１と、端子部ベース絶縁層９１の表面に形成された端子層９３と、端子部カバー絶縁層９５と、端子層９３を覆う金メッキ９７と、中間絶縁層１１１とからなっている。中間絶縁層１１１は、配線部の中間絶縁層に含まれる。金メッキ９７は、下地にニッケルメッキを施す場合もある。端子層９３は、ボトム銅層１１３ａとトップ銅層１１３ｂとからなっている。

図４３で示すＡ−Ａ線断面では、端子部ベース絶縁層９１の薄層部１０３上に端子層９３が形成され、トップ銅層１１３ｂの中央部を障壁部１０１が囲んではんだ溜まり凹部１０４を形成している。

つまり、端子部ベース絶縁層９１の薄層部１０３に倣って端子層９３が形成されている。トップ銅層１１３ｂは、中間絶縁層１１１の孔１１１ａ内に渡って形成され、ボトム銅層１１３ａに接続されている。障壁部１０１は、トップ銅層１１３ｂの中央部のはんだ溜まり凹部１０４周囲を囲む形態で形成されている。

図４４で示すＢ−Ｂ線断面では、はんだ溜まり凹部１０４が、トップ銅層１１３ｂの中央部から両側に段付き状となっている。

図４３、図４４のように、障壁部１０１は、中間絶縁層１１１で支持されている。障壁部１０１の下方でトップ銅層１１３ｂの下面１１３ｂａに中間絶縁層１１１の外縁部１１１ｃが位置する。中間絶縁層１１１の外縁部１１１ｃの下側に位置するボトム銅層１１３ａの下面９３ａに端子部ベース絶縁層９１の外縁部９１ａが位置する。端子部ベース絶縁層９１の外縁部９１ａを端子部金属支持層８９の側壁部８９ｂが支持する。

端子部ベース絶縁層９１の薄層部１０３は、露光、エッチング、レーザー処理等で形成することができる。

中間絶縁層１１１の孔１１１ａは、露光、エッチング、レーザー処理等で形成することができる。

従って、本実施例３でも、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４により、上記実施例１と同様な作用効果を得ることができる。

また本実施例３では、実施例１の変形例６等と同様に、より深いはんだ溜まり凹部１０４にすることができる。

障壁部１０１の形成は、端子部ベース絶縁層９１、中間絶縁層１１１の露光、エッチング等により形成するだけであり、製造が容易である。トップ銅層１１３ｂは、従来と同様の厚みを確保することができる。

［実施例３の変形例１］
図４５、図４６は、障壁部を備えた実施例３の変形例１を示す。図４５は、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。図４６は、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。なお、基本的な構成については参考例１、２、実施例１、３を参照し、対応する構成部分は、同符号を用い、図４３、図４４の実施例３との相違について説明する。

本実施例３の変形例１は、デュアルレイヤー配線のフレキシャーへの適用例である。

本実施例３の変形例１でも、図４５、図４６で示すテール端子部５１ａについて主に説明することは上記同様である。

図４３、図４４の実施例３では、端子部ベース絶縁層９１の中央部を薄く形成して薄層部１０３とし、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けたのに対し、図４５、図４６の本実施例３の変形例１では、端子部ベース絶縁層９１は薄く形成せず、端子層９３のボトム銅層１１３ａの中央部を薄く形成して薄層部１０５とし、中間絶縁層１１１に孔１１１ａを形成して障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けた。その他は、図４３、図４４の実施例３と同様である。

ボトム銅層１１３ａの薄層部１０５は、銅のパーシャルエッチングで形成することができる。

従って、本実施例３の変形例１でも、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４により、上記実施例１、３と同様な作用効果を得ることができる。

また、本実施例３の変形例１では、障壁部１０１の形成は、ボトム銅層１１３ａのパーシャルエッチングにより形成するだけであり、製造が容易である。

端子層９３は、従来と同様な厚みの端子部ベース絶縁層９１により支持させることができる。

［実施例３の変形例２］
図４７、図４８は、障壁部を備えた実施例３の変形例２を示す。図４７は、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。図４８は、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。なお、基本的な構成については参考例１、２、実施例１、３を参照し、対応する構成部分は、同符号を用い、実施例３との相違について説明する。

本実施例３の変形例２は、デュアルレイヤー配線のフレキシャーへの適用例である。

本実施例３の変形例２でも、図４７、図４８で示すテール端子部５１ａについて主に説明することは上記同様である。

図４３、図４４の実施例３では、端子部ベース絶縁層９１の中央部を薄く形成して薄層部１０３とし、且つ孔１１１ａを形成して障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けたのに対し、図４７、図４８の本実施例３の変形例２では、中間絶縁層１１１に孔を形成せず、中間絶縁層１１１の中央部を薄く形成して薄層部１１１ｂとし、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けた。その他は、図４３、図４４の実施例３と同様である。

中間絶縁層１１１の薄層部１１１ｂは、露光、エッチング、レーザー処理等で形成することができる。

従って、本実施例３の変形例２でも、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４により、上記実施例１、３と同様な作用効果を得ることができる。

［実施例３の変形例３］
図４９、図５０は、障壁部を備えた実施例３の変形例３を示す。図４９は、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。図５０は、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。なお、基本的な構成については参考例１、２、実施例１、３を参照し、対応する構成部分は、同符号を用い、実施例３との相違について説明する。

本実施例３の変形例３は、デュアルレイヤー配線のフレキシャーへの適用例である。

本実施例３の変形例３でも、図４９、図５０で示すテール端子部５１ａについて主に説明することは上記同様である。

図４３、図４４の実施例３では、端子部ベース絶縁層９１の中央部を薄く形成して薄層部１０３とし、且つ孔１１１ａを形成して障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けたのに対し、図４９、図５０の本実施例３の変形例３では、中間絶縁層１１１に孔を形成せず、中間絶縁層１１１の中央部を薄く形成して薄層部１１１ｂとし、端子層９３のボトム銅層１１３ａに孔１１３ａａを形成し、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けた。その他は、図４３、図４４の実施例３と同様である。

中間絶縁層１１１の薄層部１１１ｂは、露光、エッチング、レーザー処理等で形成することができる。ボトム銅層１１３ａの孔１１３ａａは、エッチング、レーザー処理等で形成することができる。

従って、本実施例３の変形例３でも、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４により、上記実施例１、３と同様な作用効果を得ることができる。

［実施例３の変形例４］
図５１、図５２は、障壁部を備えた実施例３の変形例４を示す。図５１は、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。図５２は、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。なお、基本的な構成については参考例１、２、実施例１、３を参照し、対応する構成部分は、同符号を用い、実施例３との相違について説明する。

本実施例３の変形例４は、デュアルレイヤー配線のフレキシャーへの適用例である。

本実施例３の変形例４でも、図５１、図５２で示すテール端子部５１ａについて主に説明することは上記同様である。

図４３、図４４の実施例３では、端子部ベース絶縁層９１の中央部を薄く形成して薄層部１０３とし、且つ孔１１１ａを形成して障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けたのに対し、図５１、図５２の本実施例３の変形例４では、トップ銅層１１３ｂの中央部を薄く形成して薄層部１１３ｂｂとし、且つ中間絶縁層１１１に孔１１１ａを形成して障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けた。その他は、図４３、図４４の実施例３と同様である。

トップ銅層１１３ｂの薄層部１１３ｂｂは、銅のパーシャルエッチング等で形成することができる。

中間絶縁層１１１に孔１１１ａは、エッチング、レーザー処理等で形成することができる。

従って、本実施例３の変形例４でも、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４により、上記実施例１、３と同様な作用効果を得ることができる。

［実施例３の変形例５］
図５３、図５４は、障壁部を備えた実施例３の変形例５係り、図５３は、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。図５４は、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。なお、基本的な構成については参考例１、２、実施例１、３を参照し、対応する構成部分は、同符号を用い、実施例３との相違について説明する。

本実施例３の変形例５は、デュアルレイヤー配線のフレキシャーへの適用例である。

本実施例３の変形例５でも、図５３、図５４で示すテール端子部５１ａについて主に説明することは上記同様である。

図４３、図４４の実施例３では、端子部ベース絶縁層９１の中央部を薄く形成して薄層部１０３とし、且つ孔１１１ａを形成して障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けたのに対し、図５３、図５４の本実施例３の変形例５では、トップ銅層１１３ｂを薄く形成して薄層部１１３ｂｂとし、且つ中間絶縁層１１１及びボトム銅層１１３ａに孔１１１ａ、１１３ａａを形成して障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けた。その他は、図４３、図４４の実施例３と同様である。

トップ銅層１１３ｂの薄層部１１３ｂｂは、銅のパーシャルエッチング等で形成することができる。

中間絶縁層１１１及びボトム銅層１１３ａの孔１１１ａ、１１３ａａは、エッチング、レーザー処理等で形成することができる。

従って、本実施例３の変形例５でも、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４により、上記実施例１、３と同様な作用効果を得ることができる。

［実施例３の変形例６］
図５５、図５６は、障壁部を備えた実施例３の変形例６を示す。図５５は、図８のＡ−Ａ線矢視に対応する要部拡大断面図である。図５６は、図８のＢ−Ｂ線矢視に対応する要部拡大断面図である。なお、基本的な構成については参考例１、２、実施例１、３を参照し、対応する構成部分は、同符号を用い、実施例３との相違について説明する。

本実施例３の変形例６は、デュアルレイヤー配線のフレキシャーへの適用例である。

本実施例３の変形例６でも、図５５、図５６で示すテール端子部５１ａについて主に説明することは上記同様である。

図４３、図４４の実施例３では、端子部ベース絶縁層９１の中央部を薄く形成して薄層部１０３とし、且つ孔１１１ａを形成して障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けたのに対し、図５５、図５６の本実施例３の変形例６では、端子部ベース絶縁層９１を薄く形成して薄層部１０３とし、且つ中間絶縁層１１１に孔１１１ａを形成し、端子層９３においてトップ銅層１１３ｂの中央部を無くして障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けた。

図５５で示すＡ−Ａ線断面及び図５６で示すＢ−Ｂ線断面のように、はんだ溜まり凹部１０４において端子層９３の中央部でトップ銅層１１３ｂを無くし、金メッキ９７がボトム銅層１１３ａに至っている。その他は、図４３、図４４の実施例３と同様である。

はんだ溜まり凹部１０４において端子層９３の中央部でトップ銅層１１３ｂを無くすことは、銅のエッチング、レーザー処理等で行うことができる。

従って、本実施例３の変形例６でも、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４により、上記実施例１、３と同様な作用効果を得ることができる。

また、端子層９３においてトップ銅層１１３ｂの中央部を無くすことではんだ溜まり凹部１０４をより深く形成することができる。

本実施例３の変形例６での障壁部１０１の形成は、実施例３に対しトップ銅層１１３ｂのエッチングやレーザー処理による加工を追加するだけであり、製造が容易である。

なお、実施例３及び変形例の層構造は、これら以外にも種々の組み合わせが考えられる。
［その他］
なお、障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４は、端子層９３の中央部を凹状或いは中央部周囲を凸状に形成することで設ける形態のみならず、端子層９３の中央部を凹状に形成すると共に中央部周囲を凸状に形成する双方の組み合わせにより障壁部１０１及びはんだ溜まり凹部１０４を設けることも可能である。例えば、図１１、図１２の実施例１に図２５、図２６の実施例２を組み合わせることもできる。その他、凹状、凸状の種々の組み合わせの形態が考えられる。

本願発明は、リフローされたはんだ材の流れを障壁部１０１により規制できればよく、上記各パーシャルエッチングは、障壁部１０１が機能を満たす限りなくてもよい。

島状部８９ａは、端子部の剛性、電気特性などを考慮して形成され、その形状や有無等は、適宜決めることができる。

４３ フレキシャー（薄板配線基板）
４７ 金属支持層
５１、５３、５５、５７、５９、６１、・・・ 配線
５１ａ、５３ａ、５５ａ、５７ａ、５９ａ、６１ａ、７９ａ、８１ａ、８３ａ、８５ａ テール端子部（端子部）
８９ 端子部金属支持層（金属支持層）
９１ 端子部ベース絶縁層（ベース絶縁層）
９５ 端子部カバー絶縁層（カバー絶縁層）
９３ 端子層
９９ 配線層
１０１ 障壁部
１０３、１０５、１１１ｂ、１１３ｂａ 薄層部
９３ｃ、１０７、１０７ａ、１０７ｂ ビアホール（孔）
１１１ａ、１１３ａａ 孔

Claims (4)

1. 基板をなす金属性の金属支持層と、前記金属支持層の表面に備えられた絶縁性のベース絶縁層と、前記ベース絶縁層の表面に複数本の配線として配索された配線層と、前記配線を被覆する絶縁性のカバー絶縁層と、前記複数の配線に備えられ連続的に隣接配置された複数の端子部とを備え、前記複数の端子部が対応する複数の外部端子にそれぞれはんだ材によりはんだ接合される薄板配線基板であって、
   前記はんだ材に対する障壁部を少なくとも前記端子部間に備えた、
   ことを特徴とする薄板配線基板。
2. 請求項１記載の薄板配線基板であって、
   前記障壁部は、前記端子部の中央部を周回状に囲んではんだ溜まり凹部を形成する、
   ことを特徴とする薄板配線基板。
3. 請求項１又は２に記載の薄板配線基板であって、
   前記障壁部は、前記ベース絶縁層と前記配線層とに薄層部又は孔を選択的に備えることによって設けた、
   ことを特徴とする薄板配線基板。
4. 請求項１〜３の何れか1項に記載の薄板配線基板であって、
   前記障壁部を、前記ベース絶縁層と前記配線層とに渡って形成され前記金属支持層に接地されたグランドに設けた、
   ことを特徴とする薄板配線基板。

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