JP2017143092A - ガラスインタポーザモジュール、撮像装置、および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】製造時の熱膨張による歪の発生を低減できるようにする。【解決手段】ガラスインタポーザとCIS(CMOSイメージセンサ)との間に、光透過性部材を充填する。これにより、ガラスインタポーザの剛性を向上させることが可能となるので、CISの撓みを抑制すると共に、ガラスインタポーザに搭載されるジャイロセンサ等に与える歪の影響を低減することができるので、ジャイロ信号の誤検出を低減させることができる。本開示は、ガラスインタポーザモジュールに適用することができる。【選択図】図3
Description
本開示は、ガラスインタポーザモジュール、撮像装置、および電子機器に関し、特に、製造時の熱膨張による歪の発生を低減したガラスインタポーザモジュール、撮像装置、および電子機器に関する。
従来のカメラモジュールでは受光面保護や接合時の熱応力低減の為にガラス基板(ガラスインタポーザ)を使った構造が用いられてきた(特許文献1,2参照)。
しかしながら、特許文献1の技術では、ガラス基板上に、手振れ補正に用いられるジャイロセンサを、イメージセンサと混載する場合、ガラス基板は線膨張係数がイメージセンサ、およびジャイロセンサのシリコンと異なるため作製プロセス時および使用時に反りが発生し、実装されたジャイロセンサにも歪みが生じる。歪みは誤ったジャイロ信号を発生させ、適切な手振れ補正ができなくなる恐れがあった。
また、特許文献2の技術においては、ガラス基板の受光面にチップ(メモリチップ、ロジックチップ、CIS(CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサ)チップ、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)チップ等)が設けられ、貫通電極でガラス基板の背面側の基板に接続されている。このため、受光面がガラス基板と接触せず、むき出しとなるため、防護用のガラス基板等が別途必要となり、モジュール化したとき、低背化できない恐れがあった。
本開示は、このような状況に鑑みてなされたものであり、特に、ガラス基板上に、ジャイロセンサをイメージセンサと混載させる場合に、ガラス基板と、ジャイロセンサおよびイメージセンサのシリコンとの線膨張係数の違いにより生じる歪を低減させると共に、搭載されるチップの受光面がガラス基板と接触することで、低背化を実現できるようにするものである。
本開示の一側面のガラスインタポーザモジュールは、画像を撮像するイメージセンサと、前記イメージセンサを、前記イメージセンサの受光面と対向するように搭載するガラスインタポーザと、前記イメージセンサの受光面と前記ガラスインタポーザとの間に充填される光透過性部材とを含むガラスインタポーザモジュールである。
前記ガラスインタポーザには物理センサが搭載されるようにすることができる。
前記物理センサは、FPC(フレキシブルプリント配線板)が接続するガラスインタポーザ端部と前記イメージセンサを挟んで対向する位置に配置されるようにすることができる。
前記物理センサは、線膨張係数が0.7乃至6×10-6(K-1)の材料からなるものとすることができる。
前記ガラスインタポーザ上にはAF(Auto Focus)機構またはOIS(Optical Image Stabilizer)機構用駆動ドライバが搭載されるようにすることができる。
前記ガラスインタポーザ上には排熱用パッドが搭載されるようにすることができる。
前記ガラスインタポーザにガラスウエハレベルレンズが接合されるようにすることができる。
前記ガラスインタポーザには、IR(赤外線)カットフィルタが貼付け、または塗布されるようにすることができる。
前記ガラスインタポーザには、貫通孔が形成され、導電性部材が前記貫通孔内壁に形成または内部に充填されるようにすることができる。
前記ガラスインタポーザには、貫通孔が形成され、光吸収膜が前記貫通孔内壁に形成または光吸収剤が充填されるようにすることができる。
前記光吸収膜が形成または光吸収部材が充填された貫通孔が、前記導電性部材が形成または前記導電性部材が充填された貫通孔よりも内側受光面に近い距離に配置されるようにすることができる。
前記イメージセンサの受光部は複数とすることができる。
前記複数の受光部間の領域においてバンプ接続されるようにすることができる。
前記イメージセンサの裏面側に再配線層が形成されるようにすることができる。
前記ガラスインタポーザには貫通孔またはキャビティが形成されるようにすることができる。
前記ガラスインタポーザは無アルカリガラスとすることができる。
前記ガラスインタポーザは、線膨張係数が0.7乃至6×10-6(K-1)の材料からなるものとすることができる。
前記ガラスインタポーザは、アッベ数が40以上の材料からなるものとすることができる。
前記ガラスインタポーザは、アッベ数が40以上の材料からなるものとすることができる。
前記光透過性部材は、ヤング率0.1乃至10GPaの材料からなるものとすることができる。
前記光透過性部材は、アッベ数が40以上の材料からなるものとすることができる。
前記ガラスインタポーザは、アッベ数が40以上の材料からなり、かつ、前記光透過性部材は、アッベ数が25以上の材料からなるものとすることができる。
前記光透過性部材は、ハロゲン元素を含まない材料からなるものとすることができる。
本開示のデジタルカメラ、携帯情報端末、または、車載カメラは、本開示のガラスインタポーザモジュールを搭載する。
本開示の一側面の撮像装置は、画像を撮像するイメージセンサと、前記イメージセンサを前記イメージセンサの受光面と対向するように搭載するガラスインタポーザと、前記イメージセンサの受光面と前記ガラスインタポーザとの間に充填される光透過性部材とを含む撮像装置である。
本開示の一側面の電子機器は、画像を撮像するイメージセンサと、前記イメージセンサを前記イメージセンサの受光面と対向するように搭載するガラスインタポーザと、前記イメージセンサの受光面と前記ガラスインタポーザとの間に充填される光透過性部材とを含む電子機器である。
本開示の一側面においては、イメージセンサにより画像が撮像され、ガラスインタポーザに前記イメージセンサが前記イメージセンサの受光面と対向するように搭載され、光透過性部材が、前記イメージセンサの受光面と前記ガラスインタポーザとの間に充填される。
本開示の一側面においては、ガラスインタポーザモジュールの製造時の熱膨張による歪の発生を低減することが可能となる。
本開示の一側面によれば、ガラス基板と、ジャイロセンサおよびイメージセンサのシリコンとの線膨張係数の違いにより生じる歪を低減させることが可能になると共に、搭載されるチップの受光面がガラス基板と接触することで、低背化を実現することが可能となる。
以下に添付図面を参照しながら、本開示の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
また、以下の順序で説明を行う。
1.従来の実施の形態
2.第1の実施の形態
3.第2の実施の形態
4.第3の実施の形態
5.第4の実施の形態
6.第5の実施の形態
7.第6の実施の形態
8.第7の実施の形態
9.第8の実施の形態
10.第9の実施の形態
11.応用例
1.従来の実施の形態
2.第1の実施の形態
3.第2の実施の形態
4.第3の実施の形態
5.第4の実施の形態
6.第5の実施の形態
7.第6の実施の形態
8.第7の実施の形態
9.第8の実施の形態
10.第9の実施の形態
11.応用例
<<1.従来の実施の形態>>
図1,図2は、それぞれ特許文献1,2に対応する従来のガラスインタポーザモジュールからなるカメラモジュールの第1および第2の実施の形態の構成例である。
図1,図2は、それぞれ特許文献1,2に対応する従来のガラスインタポーザモジュールからなるカメラモジュールの第1および第2の実施の形態の構成例である。
図1においては、図中の上方から光が下方向に入射する。図中における透明基板(ガラス基板)Aの下に密閉リングCおよびソルダバンプFを介してイメージセンサDが接続されている。イメージセンサDは、受光面Eが入射光の入射方向に対して対向するように設けられている。また、図中における透明基板Aの下部であって、イメージセンサDの隣に半導体チップ素子(LCR)Bが搭載されている。
このような構成により、透明基板Aにより受光面Eを保護することが可能になると共に、接合時の熱応力の低減を実現することが可能となる。
しかしながら、図1の構成の場合、透明基板AとイメージセンサDとの熱膨張率差により反りが発生し、半導体チップ素子BがLCRではなく、例えば、ジャイロセンサなどのような場合、ジャイロセンサのジャイロ信号に誤検出が発生する可能性があり、適切なジャイロ信号を出力できない可能性がある。
そこで、図2で示されるように、半導体チップ素子Lを図中の上方を受光面Mとして、透明基板(ガラス基板)Pの表面に端子を有する複数の電子部品を、樹脂層Nを挟んで積層し、加熱しながら荷重をかけて、半田接合は行わずに、端子、半田層、端子を繋げて複数積層後、複数の電子部品間(端子間)の半田接合をまとめて行うことで、荷重の開放に起因して生じ得る樹脂噛み(端子間に樹脂が入り込み、端子、半田層、端子の連結状態が解消されること)を抑制する特許文献2の構成が提案されている。
しかしながら、このような構成の場合、半導体チップ素子Lの受光面Mが透明基板Pに接続されてない構造となるので、モジュール化しようとすると、別途、防護用の透明な層が必要となり、結果として、低背化を実現することができなくなる恐れがあった。
<<2.第1の実施の形態>>
次に、図3を参照して、本開示のガラスインタポーザモジュールを適用したカメラモジュールについて説明する。尚、図3の上部は、カメラモジュールの上面図であり、図3の下部は、図3の左部のカメラモジュールのAA断面である。
次に、図3を参照して、本開示のガラスインタポーザモジュールを適用したカメラモジュールについて説明する。尚、図3の上部は、カメラモジュールの上面図であり、図3の下部は、図3の左部のカメラモジュールのAA断面である。
カメラモジュール11は、全体がガラスIP(インターポーザ)31により構成されている。ガラスIP31には、背面の中央に開口部が設けられた絶縁層55が設けられている。
絶縁層55には、図3の上面部および下面部のそれぞれに配線層54−1,54−2が設けられており、このうち配線層54−2が、バンプ52を介して、中央背面に設けられたCIS(CMOSイメージセンサ)41と電気的に接続されている。
バンプ52は、Au(金)などからなり、例えば、超音波によるAuバンプ接合されている。尚、バンプ52は、Auバンプ、半田バンプ、Cuコアバンプ、これらの組み合わせでもよい。
CIS41の上面部には、カラーフィルタ42が設けられており、例えば、ベイヤ配列により画素単位でRGBのそれぞれの波長に対応する光を透過させる。
ガラスIP31の上面には、赤外光に対応する波長の光のみを遮光するIRカットフィルタ53が貼り付け、または塗布されることで設けられている。
また、ガラスIP31の側面部には、側面方向から入射する光を吸収することで、迷光の入射を抑制する光吸収部材56が設けられている。
ガラスIP31とCIS41(の上面に設けられたカラーフィルタ42)との間には、光透過性部材51が充填されている。
ガラスIP31は、無アルカリガラスなどからなり、その線膨張係数がシリコンと同程度である。例えば、シリコンの線膨張率1乃至4.5×10-6(K-1)に対して0.7乃至6×10-6(K-1)の範囲の材料を用いることができるが、利用温度でシリコンに近い線膨張係数であることが好ましい。
光透過性部材51は、ヤング率0.1乃至10GPaの材料を用いることができるが、1GPa以上がよりCIS41の反りを抑えられ好ましく、ハロゲン元素を含まない材質である。
ガラスIP31と光透過性部材51のアッベ数は、40以上の材料を用いることができるが、55以上が、色分散を小さくでき好ましい。
または、光透過性部材51のアッベ数が25以上であっても、色消し条件に従ってガラスIP31のアッベ数40以上の材料を用いることで色分散を小さくできる。
更にガラスIP31と光透過性部材51の透過率は、90%以上の材料を用いることができるが、95%以上であることが好ましい。
光吸収部材56は、屈折率(材料)と膜厚を制御した多層膜による反射防止部材である。
このように、ガラスIP31とCIS41との間に光透過部材51が充填されることにより全体の剛性を高くすることが可能となり、外力に対して変形し難く、CIS41の平坦性を保つことが可能となる。
また、ガラスIP31と線膨張係数差によるCIS41の反り応力が発生しても、充填された光透過部材51が支えるのでCISの平坦性を保つことが可能となる。
<<3.第2の実施の形態>>
以上においては、カメラモジュール11が、1のガラスIP31の単体で構成されている例について説明してきたが、さらに、FPC(フレキシブルプリント配線板)や物理センサを含めた構成とするようにしてもよい。
以上においては、カメラモジュール11が、1のガラスIP31の単体で構成されている例について説明してきたが、さらに、FPC(フレキシブルプリント配線板)や物理センサを含めた構成とするようにしてもよい。
図4は、ガラスIPにFPCおよび物理センサを含めたカメラモジュール11の構成例である。尚、図3のカメラモジュール11における構成と同一の機能を備えた構成については、同一の符号、および同一の名称を付しており、その説明は適宜省略するものとし、以降においても同様とする。
図4の例においては、ジャイロセンサ43、AF(Auto Focus)機構、およびOIS(Optical Image Stabilizer)機構等を含む駆動ドライバ44、並びに排熱パッド45が、ガラスIP31の配線層54−2にバンプ52を介して物理的に、かつ、電気的に接合されている。バンプ52は、超音波によるAuバンプ接続されている。
尚、ジャイロセンサ43、AF(Auto Focus)機構、またはOIS(Optical Image Stabilizer)機構等を含む駆動ドライバ44、および排熱パッド45は、これら以外の物理センサや制御部品であってもよく、例えば、加速度センサ、地磁気センサ、またはホール素子センサなどでもよい。
ジャイロセンサ43、AF(Auto Focus)機構、およびOIS(Optical Image Stabilizer)機構等を含む駆動ドライバ44、並びに排熱パッド45の線膨張率は0.7乃至6×10-6(K-1)の範囲の材料を用いることができるが、利用温度でシリコンにより近い線膨張係数であることが好ましい。
図4で示されるように、ガラスIP31の板端の配線面54−2には、FPC32がCIS41を挟んで、ジャイロセンサ43、AF(Auto Focus)機構、およびOIS(Optical Image Stabilizer)機構等を含む駆動ドライバ44、並びに排熱パッド45と、イメージセンサ41を挟んで対向した位置に、例えば、異方性導電膜57により接合される。
以上のように、ガラスIP31とCIS41との間に光透過性部材51が充填されることにより全体の剛性が高くなり、外力に対して変形し難く、平坦性が保たれた状態のガラスIP31上にジャイロセンサ43が実装されているので、信号のオフセットなどの誤検出の発生を抑制することが可能となる。
また、より大きな廃熱パッド45により排熱効率を高くすることが可能となる。
<<4.第3の実施の形態>>
以上においては、ガラスIP31とCIS41との間に光透過性部材51を充填するようにして、剛性を高めるようにしたカメラモジュール11の例について説明してきたが、さらに、ガラスウェハレベルレンズを含めた構成とするようにしてもよい。
以上においては、ガラスIP31とCIS41との間に光透過性部材51を充填するようにして、剛性を高めるようにしたカメラモジュール11の例について説明してきたが、さらに、ガラスウェハレベルレンズを含めた構成とするようにしてもよい。
図5は、ガラスウェハレベルレンズを含めたカメラモジュール11の構成例を示している。
ガラスウェハレベルレンズ71は、ガラスIP31の配線層54−1が設けられた面の反対側の面に積層されている。ガラスウェアレベルレンズ71の中心部分は、円形の凸部71aより構成されている。
ガラスウェハレベルレンズ71とガラスIP31上面のIRカットフィルタ53との間には、光透過性部材51と同様の光透過性部材72が充填されている。
ガラスウェハレベルレンズ71の線膨張係数、ヤング率、アッベ数、透過率の範囲はガラスIP31や光透過性部材51と同様である。
このように、ガラスウエハレベルレンズ71の接合により、さらに剛性を高めることが可能となるため、外力によるガラスIP31の撓みをさらに抑制することが可能となり、よりジャイロセンサ43の信号におけるオフセットなどの誤検出を抑制することが可能となる。
<<5.第4の実施の形態>>
以上においては、ガラスIP31とCIS41との間に光透過性部材51を充填するようにして、剛性を高めるようにしたカメラモジュール11の例について説明してきたが、さらに、TGV(Through Glass Via)を設けて導電性部材を内壁に形成、または充填するようにして剛性を高めるようにしてもよい。
以上においては、ガラスIP31とCIS41との間に光透過性部材51を充填するようにして、剛性を高めるようにしたカメラモジュール11の例について説明してきたが、さらに、TGV(Through Glass Via)を設けて導電性部材を内壁に形成、または充填するようにして剛性を高めるようにしてもよい。
図6は、ガラスIPにTGV(貫通孔:Through Glass Via)を設けて導電性部材がその内壁に形成され、充填されているカメラモジュール11の構成例を示している。
図6のカメラモジュール11のガラスIP31には、TGV(貫通孔)が設けられ、導電性部材がその内壁に形成または充填された導電性部材付TGV91が設けられている。
導電性部材付TGV91は、図6の上部で示されるようにCIS41の受光面を囲むように等間隔または不等間隔で配置されており、また、複数列にわたって配列されている。
また、導電性部材TGV91は、銅(Cu)やアルミニウム(Al)などの金属の他ポリシリコンなどが充填されている。
このような構成により、ガラスIP31の剛性を高めることが可能になると共に、配線レイアウトの自由度を高めることが可能となる。結果として、ジャイロセンサ43やFPC32をガラスIP31の背面のみならず、図中の上面側に接続することも可能となる。
<<6.第5の実施の形態>>
以上においては、ガラスIP31とCIS41との間に光透過性部材51を充填するようにして、剛性を高めるようにしたカメラモジュール11の例について説明してきたが、さらに、TGV(貫通孔:Through Glass Via)を設けて光吸収部材を充填するようにしてもよい。
以上においては、ガラスIP31とCIS41との間に光透過性部材51を充填するようにして、剛性を高めるようにしたカメラモジュール11の例について説明してきたが、さらに、TGV(貫通孔:Through Glass Via)を設けて光吸収部材を充填するようにしてもよい。
図7は、ガラスIP31にTGVを設けて光吸収部材を充填するようにしたカメラモジュール11の構成例を示している。
図7のカメラモジュール11においては、ガラスIP31にTGVが設けられており、さらに、光吸収部材が充填されている光吸収部材付TGV111が設けられている。
この光吸収部材付TGV111は、屈折率(材料)と膜厚を制御した多層膜による反射防止部材であり、真空下において、TGVに充填される。
光吸収部材付TGV111は、図7の上部で示されるようにCIS41受光面を囲むように複数列(例えば、3列)で、かつ、等間隔または不等間隔で配置されている。
このような構成により、ガラスIP31の剛性を高めることが可能になると共に、光吸収部材付TGV111によりガラスIP31内の迷光を抑制することが可能となる。
<<7.第6の実施の形態>>
以上においては、ガラスIP31とCIS41との間に光透過性部材51を充填するようにして、剛性を高めるようにしたカメラモジュール11に、導電性部材付TGVを設ける、または、光吸収部材付TGVを設けるようにした例について説明してきたが、その両方を設けるようにしてもよい。
以上においては、ガラスIP31とCIS41との間に光透過性部材51を充填するようにして、剛性を高めるようにしたカメラモジュール11に、導電性部材付TGVを設ける、または、光吸収部材付TGVを設けるようにした例について説明してきたが、その両方を設けるようにしてもよい。
図8は、ガラスIP31に導電性部材付TGV91および光吸収部材付TGV111の両方が形成されたカメラモジュール11の構成例が示されている。
図8のカメラモジュール11には、ガラスIP31に導電性部材付TGV91と光吸収部材付TGV111が形成されており、それぞれは図8の上部で示されるようにCIS41の受光面を囲むように複数列(例えば3列)を等間隔または不等間隔で配置され、導電性部材付TGV91よりも内側に光吸収部材付TGV111が配置されている。
このような構成により、ガラスIP31の剛性を高め、さらに、導電性部材付TGV91により、配線レイアウトの自由度を高めることが可能となると共に、光吸収部材付TGV111によりガラスIP31内の迷光を抑制することが可能となる。
<<8.第7の実施の形態>>
以上においては、ガラスIP31とCIS41との間に光透過性部材51を充填するようにして、剛性を高めるようにしたカメラモジュール11の例について説明してきたが、複数の受光面からなる、例えば、ステレオタイプのカメラモジュールに適用するようにしてもよい。
以上においては、ガラスIP31とCIS41との間に光透過性部材51を充填するようにして、剛性を高めるようにしたカメラモジュール11の例について説明してきたが、複数の受光面からなる、例えば、ステレオタイプのカメラモジュールに適用するようにしてもよい。
図9は、ステレオタイプのカメラモジュール11の構成例を示している。
図9のカメラモジュール11においては、図3のカメラモジュールにおけるCIS41に代えて、ステレオカメラタイプのCIS141が設けられている。右眼、および左眼のそれぞれに対応する受光面が設定されており、それぞれのカラーフィルタ42−1,42−2が設けられている。
ただし、CIS41とCIS141との基本的な構成は、受光面の数が複数になっていること以外については、同一の構成である。
すなわち、CIS141のそれぞれのカラーフィルタ42−1,42−2のそれぞれとガラスIP31との間には、光透過性部材51−1,51−2がそれぞれ充填されている。このため、CIS141が設けられたガラスIP31の剛性が高められて、ガラスIP31と線膨張係数差によるCIS141の反り応力が発生してもCIS141の平坦性を保つことが可能となり、さらに、ジャイロセンサ43における誤検出を抑制することが可能となる。
また、複数の受光面を設けるために、個別にCIS41を実装するよりも、左右それぞれの光軸ずれを抑制することが可能となる。結果として、例えば、ステレオカメラによりdepth画像を撮像する際にも、高精度での撮像を実現することが可能となる。
尚、図9のカメラモジュール11におけるガラスIP31に、導電性部材TGV91や光吸収部材付TGV111が形成されるようにしてもよく、同様の効果を奏することが可能となる。
また、このような構成により、例えば、車両に搭載され、走行中の前方障害物や追従運転などの前走車までの距離を撮像するステレオカメラとしても、高精度に使用することが可能となる。
さらに、以上においては、受光面は、2か所の例について説明してきたが、それ以上の数の受光面を設けるようにしてもよい。
<<9.第8の実施の形態>>
以上においては、ガラスIP31とCIS41との間に光透過性部材51を充填するようにして、剛性を高めるようにしたカメラモジュール11の例について説明してきたが、さらに、CIS41の背面に被覆樹脂(Fan-out樹脂)を塗布して再配線層(RDL:Redistribution Layer)が設けられるようにしてもよい。
以上においては、ガラスIP31とCIS41との間に光透過性部材51を充填するようにして、剛性を高めるようにしたカメラモジュール11の例について説明してきたが、さらに、CIS41の背面に被覆樹脂(Fan-out樹脂)を塗布して再配線層(RDL:Redistribution Layer)が設けられるようにしてもよい。
図10は、CIS41の背面に被覆樹脂(Fan-out樹脂)を塗布して再配線層(RDL:Redistribution Layer)が設けられるようにしたカメラモジュール11の構成例を示している。
図10のカメラモジュール11においては、CIS41の背面に被覆樹脂配線(Fan-out樹脂配線)131が、被覆樹脂が塗布されることにより形成されており、さらに、再配線層(RDL:Redistribution Layer)132が設けられ、配線層54−2と電気的に接続されている。
このような構成により、ガラスIP31の剛性を高めると共に、被覆樹脂配線131により入出力端子を増加させることが可能となる。
<<10.第9の実施の形態>>
以上においては、ガラスIP31とCIS41との間に光透過性部材51を充填するようにして、剛性を高めるようにしたカメラモジュール11の例について説明してきたが、さらに、ガラスIP31のジャイロセンサ43の接続される領域に導電性部材付TGV、光吸収部材付TGV、または、キャビティを設けるようにしてもよい。
以上においては、ガラスIP31とCIS41との間に光透過性部材51を充填するようにして、剛性を高めるようにしたカメラモジュール11の例について説明してきたが、さらに、ガラスIP31のジャイロセンサ43の接続される領域に導電性部材付TGV、光吸収部材付TGV、または、キャビティを設けるようにしてもよい。
図11は、ガラスIP31のジャイロセンサ43の接続される領域に導電性部材付TGV、光吸収部材付TGV、または、キャビティを設けるようにしたカメラモジュール11の構成例を示している。
図11のカメラモジュール11は、ガラスIP31に、導電性部材付TGVまたは光吸収部材付TGVのいずれか、または、その両方が混在したTGV151およびキャビティ152が形成されている。
TGV151やキャビティ152は局所的に、特にジャイロセンサ43の直下または周辺に配置されている。
尚、キャビティ152は、その内壁が光吸収部材または導電性部材により形成されてもよいし、光吸収部材または導電性部材が充填されるようにしても良い。
このような構成により、ガラスIP31の線膨張係数が所定の範囲内であってもシリコンとの差により生じた熱応力変形を、TGV151やキャビティ152によってジャイロセンサ43近傍のガラスIP31の剛性を制御(低下)して変形量を小さくすることが可能となる。結果として、ジャイロセンサ43のジャイロ信号のオフセットなどの誤検出を抑制することが可能となる。
また、光吸収部材が用いられるような場合については、ガラスIP31内の迷光を抑制することが可能となる。
<<11.応用例>>
<電子機器への適用例>
上述したCIS41またはCIS141を用いたカメラモジュール11は、例えば、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラ(デジタルカメラ)などの撮像装置、撮像機能を備えた携帯電話機(携帯情報端末)、または、撮像機能を備えた他の機器(例えば、車載カメラなど)といった各種の電子機器に適用することができる。
<電子機器への適用例>
上述したCIS41またはCIS141を用いたカメラモジュール11は、例えば、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラ(デジタルカメラ)などの撮像装置、撮像機能を備えた携帯電話機(携帯情報端末)、または、撮像機能を備えた他の機器(例えば、車載カメラなど)といった各種の電子機器に適用することができる。
図12は、本技術を適用した電子機器としての撮像装置の構成例を示すブロック図である。
図12に示される撮像装置201は、光学系202、シャッタ装置203、固体撮像素子204、駆動回路205、信号処理回路206、モニタ207、およびメモリ208を備えて構成され、静止画像および動画像を撮像可能である。
光学系202は、1枚または複数枚のレンズを有して構成され、被写体からの光(入射光)を固体撮像素子204に導き、固体撮像素子204の受光面に結像させる。
シャッタ装置203は、光学系202および固体撮像素子204の間に配置され、駆動回路1005の制御に従って、固体撮像素子204への光照射期間および遮光期間を制御する。
固体撮像素子204は、上述した固体撮像素子を含むパッケージにより構成される。固体撮像素子204は、光学系202およびシャッタ装置203を介して受光面に結像される光に応じて、一定期間、信号電荷を蓄積する。固体撮像素子204に蓄積された信号電荷は、駆動回路205から供給される駆動信号(タイミング信号)に従って転送される。
駆動回路205は、固体撮像素子204の転送動作、および、シャッタ装置203のシャッタ動作を制御する駆動信号を出力して、固体撮像素子204およびシャッタ装置203を駆動する。
信号処理回路206は、固体撮像素子204から出力された信号電荷に対して各種の信号処理を施す。信号処理回路206が信号処理を施すことにより得られた画像(画像データ)は、モニタ207に供給されて表示されたり、メモリ208に供給されて記憶(記録)されたりする。
このように構成されている撮像装置201においても、上述した固体撮像素子204に代えて、CIS41またはCIS141を用いたカメラモジュールを適用することにより、ガラスIP31の歪を抑制することが可能となり、ジャイロセンサなどを混載させるような場合にでも、ジャイロ信号の誤検出を低減することが可能となる。
<カメラモジュールの使用例>
<カメラモジュールの使用例>
図13は、上述のCIS41またはCIS141を使用するカメラモジュールの使用例を示す図である。
上述したカメラモジュールは、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、X線等の光をセンシングする様々なケースに使用することができる。
・ディジタルカメラや、カメラ機能付きの携帯機器等の、鑑賞の用に供される画像を撮影する装置
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
尚、本開示は、以下のような構成も取ることができる。
<1> 画像を撮像するイメージセンサと、
前記イメージセンサを前記イメージセンサの受光面と対向するように搭載するガラスインタポーザと、
前記イメージセンサの受光面と前記ガラスインタポーザとの間に充填される光透過性部材とを含む
ガラスインタポーザモジュール。
<2> 前記ガラスインタポーザには物理センサが搭載される
<1>に記載のガラスインタポーザモジュール。
<3> 前記物理センサは、FPC(フレキシブルプリント配線板)が接続するガラスインタポーザ端部と前記イメージセンサを挟んで対向する位置に配置される
<2>に記載のガラスインタポーザモジュール。
<4> 前記物理センサは、線膨張係数が0.7乃至6×10-6(K-1)の材料からなる
<2>に記載のガラスインタポーザモジュール。
<5> 前記ガラスインタポーザ上にはAF(Auto Focus)機構またはOIS(Optical Image Stabilizer)機構用駆動ドライバが搭載される
<1>乃至<4>のいずれかに記載のガラスインタポーザモジュール。
<6> 前記ガラスインタポーザ上には排熱用パッドが搭載される
<1>乃至<5>のいずれかに記載のガラスインタポーザモジュール。
<7> 前記ガラスインタポーザにガラスウエハレベルレンズが接合される
<1>乃至<6>のいずれかに記載のガラスインタポーザモジュール。
<8> 前記ガラスインタポーザには、IR(赤外線)カットフィルタが貼付け、または塗布される
<1>乃至<7>のいずれかに記載のガラスインタポーザモジュール。
<9> 前記ガラスインタポーザには、貫通孔が形成され、導電性部材が前記貫通孔内壁に形成または内部に充填される
<1>乃至<8>のいずれかに記載のガラスインタポーザモジュール。
<10> 前記ガラスインタポーザには、貫通孔が形成され、光吸収膜が前記貫通孔内壁に形成または光吸収剤が充填される
<1>乃至<9>のいずれかに記載のガラスインタポーザモジュール。
<11> 前記光吸収膜が形成または光吸収部材が充填された貫通孔が、前記導電性部材が形成または前記導電性部材が充填された貫通孔よりも内側受光面に近い距離に配置される
<10>に記載のガラスインタポーザモジュール。
<12> 前記イメージセンサの受光部は複数である
<1>乃至<11>のいずれかに記載のガラスインタポーザモジュール。
<13> 前記複数の受光部間の領域においてバンプ接続される
<12>に記載のガラスインタポーザモジュール。
<14> 前記イメージセンサの裏面側に再配線層が形成される
<1>乃至<13>のいずれかに記載のガラスインタポーザモジュール。
<15> 前記ガラスインタポーザには貫通孔またはキャビティが形成される
<1>乃至<14>のいずれかに記載のガラスインタポーザモジュール。
<16> 前記ガラスインタポーザは無アルカリガラスである
<1>乃至<15>のいずれかに記載のガラスインタポーザモジュール。
<17> 前記ガラスインタポーザは、線膨張係数が0.7乃至6×10-6(K-1)の材料からなる
<1>乃至<16>のいずれかに記載のガラスインタポーザモジュール。
<18> 前記ガラスインタポーザは、アッベ数が40以上の材料からなる
<1>乃至<17>のいずれかに記載のガラスインタポーザモジュール。
<19> 前記光透過性部材は、ヤング率0.1乃至10GPaの材料からなる
<1>乃至<18>のいずれかに記載のガラスインタポーザモジュール。
<20> 前記光透過性部材は、アッベ数が40以上の材料からなる
<1>乃至<19>に記載のガラスインタポーザモジュール。
<21> 前記ガラスインタポーザは、アッベ数が40以上の材料からなり、かつ、前記光透過性部材は、アッベ数が25以上の材料からなる
<1>乃至<20>のいずれかに記載のガラスインタポーザモジュール。
<22> 前記光透過性部材は、ハロゲン元素を含まない材料からなる
<1>乃至<21>のいずれかに記載のガラスインタポーザモジュール。
<23> <1>に記載のガラスインタポーザモジュールを搭載する
デジタルカメラ、携帯情報端末、または、車載カメラ。
<24> 画像を撮像するイメージセンサと、
前記イメージセンサを前記イメージセンサの受光面と対向するように搭載するガラスインタポーザと、
前記イメージセンサの受光面と前記ガラスインタポーザとの間に充填される光透過性部材とを含む
撮像装置。
<25> 画像を撮像するイメージセンサと、
前記イメージセンサを前記イメージセンサの受光面と対向するように搭載するガラスインタポーザと、
前記イメージセンサの受光面と前記ガラスインタポーザとの間に充填される光透過性部材とを含む
電子機器。
<1> 画像を撮像するイメージセンサと、
前記イメージセンサを前記イメージセンサの受光面と対向するように搭載するガラスインタポーザと、
前記イメージセンサの受光面と前記ガラスインタポーザとの間に充填される光透過性部材とを含む
ガラスインタポーザモジュール。
<2> 前記ガラスインタポーザには物理センサが搭載される
<1>に記載のガラスインタポーザモジュール。
<3> 前記物理センサは、FPC(フレキシブルプリント配線板)が接続するガラスインタポーザ端部と前記イメージセンサを挟んで対向する位置に配置される
<2>に記載のガラスインタポーザモジュール。
<4> 前記物理センサは、線膨張係数が0.7乃至6×10-6(K-1)の材料からなる
<2>に記載のガラスインタポーザモジュール。
<5> 前記ガラスインタポーザ上にはAF(Auto Focus)機構またはOIS(Optical Image Stabilizer)機構用駆動ドライバが搭載される
<1>乃至<4>のいずれかに記載のガラスインタポーザモジュール。
<6> 前記ガラスインタポーザ上には排熱用パッドが搭載される
<1>乃至<5>のいずれかに記載のガラスインタポーザモジュール。
<7> 前記ガラスインタポーザにガラスウエハレベルレンズが接合される
<1>乃至<6>のいずれかに記載のガラスインタポーザモジュール。
<8> 前記ガラスインタポーザには、IR(赤外線)カットフィルタが貼付け、または塗布される
<1>乃至<7>のいずれかに記載のガラスインタポーザモジュール。
<9> 前記ガラスインタポーザには、貫通孔が形成され、導電性部材が前記貫通孔内壁に形成または内部に充填される
<1>乃至<8>のいずれかに記載のガラスインタポーザモジュール。
<10> 前記ガラスインタポーザには、貫通孔が形成され、光吸収膜が前記貫通孔内壁に形成または光吸収剤が充填される
<1>乃至<9>のいずれかに記載のガラスインタポーザモジュール。
<11> 前記光吸収膜が形成または光吸収部材が充填された貫通孔が、前記導電性部材が形成または前記導電性部材が充填された貫通孔よりも内側受光面に近い距離に配置される
<10>に記載のガラスインタポーザモジュール。
<12> 前記イメージセンサの受光部は複数である
<1>乃至<11>のいずれかに記載のガラスインタポーザモジュール。
<13> 前記複数の受光部間の領域においてバンプ接続される
<12>に記載のガラスインタポーザモジュール。
<14> 前記イメージセンサの裏面側に再配線層が形成される
<1>乃至<13>のいずれかに記載のガラスインタポーザモジュール。
<15> 前記ガラスインタポーザには貫通孔またはキャビティが形成される
<1>乃至<14>のいずれかに記載のガラスインタポーザモジュール。
<16> 前記ガラスインタポーザは無アルカリガラスである
<1>乃至<15>のいずれかに記載のガラスインタポーザモジュール。
<17> 前記ガラスインタポーザは、線膨張係数が0.7乃至6×10-6(K-1)の材料からなる
<1>乃至<16>のいずれかに記載のガラスインタポーザモジュール。
<18> 前記ガラスインタポーザは、アッベ数が40以上の材料からなる
<1>乃至<17>のいずれかに記載のガラスインタポーザモジュール。
<19> 前記光透過性部材は、ヤング率0.1乃至10GPaの材料からなる
<1>乃至<18>のいずれかに記載のガラスインタポーザモジュール。
<20> 前記光透過性部材は、アッベ数が40以上の材料からなる
<1>乃至<19>に記載のガラスインタポーザモジュール。
<21> 前記ガラスインタポーザは、アッベ数が40以上の材料からなり、かつ、前記光透過性部材は、アッベ数が25以上の材料からなる
<1>乃至<20>のいずれかに記載のガラスインタポーザモジュール。
<22> 前記光透過性部材は、ハロゲン元素を含まない材料からなる
<1>乃至<21>のいずれかに記載のガラスインタポーザモジュール。
<23> <1>に記載のガラスインタポーザモジュールを搭載する
デジタルカメラ、携帯情報端末、または、車載カメラ。
<24> 画像を撮像するイメージセンサと、
前記イメージセンサを前記イメージセンサの受光面と対向するように搭載するガラスインタポーザと、
前記イメージセンサの受光面と前記ガラスインタポーザとの間に充填される光透過性部材とを含む
撮像装置。
<25> 画像を撮像するイメージセンサと、
前記イメージセンサを前記イメージセンサの受光面と対向するように搭載するガラスインタポーザと、
前記イメージセンサの受光面と前記ガラスインタポーザとの間に充填される光透過性部材とを含む
電子機器。
11 カメラモジュール, 31 ガラスIP, 32 FPC, 41 CIS, 42,42−1,42−2 カラーフィルタ, 51,51−1,51−2 光透過性部材, 52 バンプ, 53 IRカットフィルタ, 54,54−1,54−2 配線層, 55 絶縁層, 56 光吸収部材, 57 異方性導電膜, 71 ガラスウェハレベルレンズ, 72 光透過性部材, 91 導電性部材付TGV, 111 光吸収部材付TGV, 131 被覆樹脂配線, 132 再配線層, 141 CIS, 151 TGV, 152 キャビティ
Claims (25)
- 画像を撮像するイメージセンサと、
前記イメージセンサを前記イメージセンサの受光面と対向するように搭載するガラスインタポーザと、
前記イメージセンサの受光面と前記ガラスインタポーザとの間に充填される光透過性部材とを含む
ガラスインタポーザモジュール。 - 前記ガラスインタポーザには物理センサが搭載される
請求項1に記載のガラスインタポーザモジュール。 - 前記物理センサは、FPC(フレキシブルプリント配線板)が接続するガラスインタポーザ端部と前記イメージセンサを挟んで対向する位置に配置される
請求項2に記載のガラスインタポーザモジュール。 - 前記物理センサは、線膨張係数が0.7乃至6×10-6(K-1)の材料からなる
請求項2に記載のガラスインタポーザモジュール。 - 前記ガラスインタポーザ上にはAF(Auto Focus)機構またはOIS(Optical Image Stabilizer)機構用駆動ドライバが搭載される
請求項1に記載のガラスインタポーザモジュール。 - 前記ガラスインタポーザ上には排熱用パッドが搭載される
請求項1に記載のガラスインタポーザモジュール。 - 前記ガラスインタポーザにガラスウエハレベルレンズが接合される
請求項1に記載のガラスインタポーザモジュール。 - 前記ガラスインタポーザには、IR(赤外線)カットフィルタが貼付け、または塗布される
請求項1に記載のガラスインタポーザモジュール。 - 前記ガラスインタポーザには、貫通孔が形成され、導電性部材が前記貫通孔内壁に形成または内部に充填される
請求項1に記載のガラスインタポーザモジュール。 - 前記ガラスインタポーザには、貫通孔が形成され、光吸収膜が前記貫通孔内壁に形成または光吸収剤が充填される
請求項1に記載のガラスインタポーザモジュール。 - 前記光吸収膜が形成または光吸収部材が充填された貫通孔が、前記導電性部材が形成または前記導電性部材が充填された貫通孔よりも内側受光面に近い距離に配置される
請求項10に記載のガラスインタポーザモジュール。 - 前記イメージセンサの受光部は複数である
請求項1に記載のガラスインタポーザモジュール。 - 前記複数の受光部間の領域においてバンプ接続される
請求項12に記載のガラスインタポーザモジュール。 - 前記イメージセンサの裏面側に再配線層が形成される
請求項1に記載のガラスインタポーザモジュール。 - 前記ガラスインタポーザには貫通孔またはキャビティが形成される
請求項1に記載のガラスインタポーザモジュール。 - 前記ガラスインタポーザは無アルカリガラスである
請求項1に記載のガラスインタポーザモジュール。 - 前記ガラスインタポーザは、線膨張係数が0.7乃至6×10-6(K-1)の材料からなる
請求項1に記載のガラスインタポーザモジュール。 - 前記ガラスインタポーザは、アッベ数が40以上の材料からなる
請求項1に記載のガラスインタポーザモジュール。 - 前記光透過性部材は、ヤング率0.1乃至10GPaの材料からなる
請求項1に記載のガラスインタポーザモジュール。 - 前記光透過性部材は、アッベ数が40以上の材料からなる
請求項1に記載のガラスインタポーザモジュール。 - 前記ガラスインタポーザは、アッベ数が40以上の材料からなり、かつ、前記光透過性部材は、アッベ数が25以上の材料からなる
請求項1に記載のガラスインタポーザモジュール。 - 前記光透過性部材は、ハロゲン元素を含まない材料からなる
請求項1に記載のガラスインタポーザモジュール。 - 請求項1に記載のガラスインタポーザモジュールを搭載する
デジタルカメラ、携帯情報端末、または、車載カメラ。 - 画像を撮像するイメージセンサと、
前記イメージセンサを前記イメージセンサの受光面と対向するように搭載するガラスインタポーザと、
前記イメージセンサの受光面と前記ガラスインタポーザとの間に充填される光透過性部材とを含む
撮像装置。 - 画像を撮像するイメージセンサと、
前記イメージセンサを前記イメージセンサの受光面と対向するように搭載するガラスインタポーザと、
前記イメージセンサの受光面と前記ガラスインタポーザとの間に充填される光透過性部材とを含む
電子機器。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| PCT/JP2017/002420 WO2017138350A1 (ja) | 2016-02-08 | 2017-01-25 | ガラスインタポーザモジュール、撮像装置、および電子機器 |
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| JP2017143092A true JP2017143092A (ja) | 2017-08-17 |
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| US (1) | US11410896B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| WO2020195564A1 (ja) * | 2019-03-25 | 2020-10-01 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置 |
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| WO2023002656A1 (ja) * | 2021-07-21 | 2023-01-26 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体パッケージ |
| JP2023110199A (ja) * | 2022-01-28 | 2023-08-09 | 上海天馬微電子有限公司 | 光デバイスパッケージ |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US10887499B2 (en) * | 2018-11-20 | 2021-01-05 | Ningbo Semiconductor International Corporation | Camera assembly and packaging methods thereof, lens module, and electronic device |
| CN111200701B (zh) * | 2018-11-20 | 2021-08-10 | 中芯集成电路(宁波)有限公司 | 摄像组件及其封装方法、镜头模组、电子设备 |
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| JPH08172177A (ja) | 1994-12-16 | 1996-07-02 | Toshiba Corp | 固体撮像モジュールおよび内視鏡装置 |
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| JP4840385B2 (ja) | 2008-03-18 | 2011-12-21 | カシオ計算機株式会社 | 半導体パッケージ |
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| NL2005164C2 (nl) * | 2010-07-28 | 2012-01-31 | Anteryon Internat B V | Optische eenheid. |
| JP5568451B2 (ja) | 2010-11-26 | 2014-08-06 | 株式会社フジクラ | 半導体パッケージ |
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| JP5234201B2 (ja) * | 2011-03-23 | 2013-07-10 | 株式会社ニコン | 撮像ユニットおよび撮像装置 |
| JP2013038164A (ja) * | 2011-08-05 | 2013-02-21 | Sony Corp | 固体撮像装置、電子機器 |
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| CN103579278B (zh) | 2013-11-14 | 2016-08-17 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 基于玻璃基板的图像传感器封装结构及封装方法 |
| WO2015122299A1 (ja) * | 2014-02-13 | 2015-08-20 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、電子機器、および固体撮像装置の製造方法 |
| JP2015220690A (ja) | 2014-05-20 | 2015-12-07 | 株式会社東芝 | カメラモジュール及びイメージセンサ |
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2016
- 2016-02-08 JP JP2016021536A patent/JP2017143092A/ja active Pending
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2017
- 2017-01-25 US US16/072,410 patent/US11410896B2/en active Active
- 2017-01-25 CN CN201780009157.2A patent/CN108701696B/zh active Active
- 2017-01-25 WO PCT/JP2017/002420 patent/WO2017138350A1/ja not_active Ceased
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| JP7805804B2 (ja) | 2022-01-28 | 2026-01-26 | 上海天馬微電子有限公司 | 光デバイスパッケージ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108701696B (zh) | 2022-11-18 |
| US20180366385A1 (en) | 2018-12-20 |
| US11410896B2 (en) | 2022-08-09 |
| CN108701696A (zh) | 2018-10-23 |
| WO2017138350A1 (ja) | 2017-08-17 |
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