JP2017157724A - 表示装置及びその製造方法、並びに発光装置及びその製造方法 - Google Patents
表示装置及びその製造方法、並びに発光装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017157724A JP2017157724A JP2016040529A JP2016040529A JP2017157724A JP 2017157724 A JP2017157724 A JP 2017157724A JP 2016040529 A JP2016040529 A JP 2016040529A JP 2016040529 A JP2016040529 A JP 2016040529A JP 2017157724 A JP2017157724 A JP 2017157724A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- light emitting
- substrate
- emitting elements
- display device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H29/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one light-emitting semiconductor element covered by group H10H20/00
- H10H29/10—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00
- H10H29/14—Integrated devices comprising at least one light-emitting semiconductor component covered by group H10H20/00 comprising multiple light-emitting semiconductor components
- H10H29/142—Two-dimensional arrangements, e.g. asymmetric LED layout
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/83—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/851—Wavelength conversion means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/857—Interconnections, e.g. lead-frames, bond wires or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/036—Manufacture or treatment of packages
- H10H20/0361—Manufacture or treatment of packages of wavelength conversion means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/851—Wavelength conversion means
- H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
- H10H20/8512—Wavelength conversion materials
- H10H20/8513—Wavelength conversion materials having two or more wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/851—Wavelength conversion means
- H10H20/8515—Wavelength conversion means not being in contact with the bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
【課題】高輝度化及び高精細化を実現する表示装置及びその製造方法、並びに発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】1画素を構成するサブピクセル単位で配置され、第1面に第1導電型電極又は第2導電型電極の少なくとも一方の電極を有する複数の発光素子21、22、23と、複数の発光素子の第1面の電極に対応する電極を有する基板30と、複数の発光素子の第1面の電極と基板の電極とを異方性導電接続させる異方性導電膜40と、サブピクセル単位で発光素子からの光の波長を変換させる波長変換部材とを備える。
【選択図】図1
【解決手段】1画素を構成するサブピクセル単位で配置され、第1面に第1導電型電極又は第2導電型電極の少なくとも一方の電極を有する複数の発光素子21、22、23と、複数の発光素子の第1面の電極に対応する電極を有する基板30と、複数の発光素子の第1面の電極と基板の電極とを異方性導電接続させる異方性導電膜40と、サブピクセル単位で発光素子からの光の波長を変換させる波長変換部材とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、複数の発光素子を備える表示装置及びその製造方法、並びに発光装置及びその製造方法に関する。
微小な発光素子を基板上に配列してなるマイクロLED(Light Emitting Diode)ディスプレイが提案されている。マイクロLEDディスプレイは、一般的な液晶ディスプレイに必要とされるバックライトが省略可能となるためディスプレイ自体の薄型化が図れるほか、さらなる広色域化、高精細化、及び省電力化を実現することが可能となる。
特許文献1には、赤、青、緑の発光素子をそれぞれピックアップして運搬し、赤、青、緑の発光素子をアライメント実装し、発光素子と基板とを金属接合させることが記載されている。
また、非特許文献1には、ウエハ上に発光素子を形成し、格子状に隣り合ったP極又はN極同士を金ワイヤーで電気的に接続し、その上にそれぞれ赤、青、緑の量子ドット蛍光体を含む樹脂を塗布することが記載されている。
Resonant-enhanced full-color emission of quantum-dot-based micro LED display technology, Optics Express, Vol.23, Issue 25, pp.32504-32515 (2015).
特許文献1に記載の方法では、実装に時間が掛かるため、スループットが非常に悪く、また、アライメントずれにより歩留まりも良くない。また、発光素子をピックアップしてアライメントするため、発光素子の間隔が大きくなり、高精細化が困難である。
また、非特許文献1に記載の方法では、多数のワイヤーボンドが必要となるため、スループットが悪く、また、極小電極へのワイヤーボンドとなるため、歩留まりも良くない。さらに、発光面上に電極及びワイヤーが存在するため、光取り出し効率が低下し、高輝度化が困難である。
本発明は、前述した課題を解決するものであり、高輝度化及び高精細化を実現する表示装置及びその製造方法、並びに発光装置及びその製造方法を提供する。
本発明者は、鋭意検討を行った結果、異方性導電接着剤を用いることにより、ウエハ上に形成された配置にて複数の発光素子を一括実装することができ、高輝度化及び高精細化が可能であることを見出した。
すなわち、本発明に係る表示装置は、1画素を構成するサブピクセル単位で配置され、第1面に第1導電型電極又は第2導電型電極の少なくとも一方の電極を有する複数の発光素子と、前記複数の発光素子の第1面の電極に対応する電極を有する基板と、前記複数の発光素子の第1面の電極と前記基板の電極とを異方性導電接続させる異方性導電膜と、前記サブピクセル単位で発光素子からの光の波長を変換させる波長変換部材とを備える。
また、本発明に係る表示装置の製造方法は、第1面に第1導電型電極又は第2導電型電極の少なくとも一方の電極を有する複数の発光素子が1画素を構成するサブピクセル単位で配置されたウエハと、前記複数の発光素子の第1面の電極に対応する電極を有する基板とを、異方性導電接着剤を介して圧着し、前記複数の発光素子の第1面の電極と前記基板の電極とを異方性導電接続させる接続工程と、前記サブピクセル単位で発光素子からの光の波長を変換させる波長変換部材を配置する部材配置工程とを有する。
また、本発明に係る発光装置は、ウエハに形成された配列で配置され、第1面に第1導電型電極又は第2導電型電極の少なくとも一方の電極を有する複数の発光素子と、前記複数の発光素子の第1面の電極に対応する電極を有する基板と、前記複数の発光素子の第1面の電極と前記基板の電極とを異方性導電接続させる異方性導電膜とを備える
を備える。
を備える。
また、本発明に係る発光装置の製造方法は、第1面に第1導電型電極又は第2導電型電極の少なくとも一方の電極を有する複数の発光素子が配列されたウエハと、前記複数の発光素子の第1面の電極に対応する電極を有する基板とを、異方性導電接着剤を介して圧着し、前記複数の発光素子の第1面の電極と前記基板の電極とを異方性導電接続させる。
本発明によれば、異方性導電接着剤を用いることにより、発光素子がウエハ上に形成された配置にて複数の発光素子を一括実装することができ、高輝度化及び高精細化を実現することができる。
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。本実施の形態に係る表示装置は、1画素を構成するサブピクセル単位で配置され、第1面に第1導電型電極又は第2導電型電極の少なくとも一方の電極を有する複数の発光素子と、複数の発光素子の第1面の電極に対応する電極を有する基板と、複数の発光素子の第1面の電極と基板の電極とを異方性導電接続させる異方性導電膜と、サブピクセル単位で発光素子からの光の波長を変換させる波長変換部材とを備える。
発光素子は、例えばp側の第1導電型電極と例えばn側の第2導電型電極とが同一側に配置された水平構造であっても、例えばp側の第1導電型電極と例えばn側の第2導電型電極とがエピタキシャル層を介して相互に対向して配置された垂直構造であってもよい。
発光素子が水平構造である場合、第1導電型電極及び第2導電型電極の両電極を基板の電極と異方性導電接続させても、第1導電型電極又は第2導電型電極のいずれか一方の電極のみを基板の電極と異方性導電接続させてもよい。第1導電型電極又は第2導電型電極のいずれか一方の電極のみを基板の電極と異方性導電接続させる場合、例えば隣接する発光素子のn側の電極を接続したパターンを、例えばマトリクス配線のデータ線又はアドレス線として形成し、そのパターンを絶縁膜で被覆したものであることが好ましい。
発光素子が垂直構造である場合、第1導電型電極又は第2導電型電極のいずれか一方の電極のみを基板の電極と異方性導電接続させ、他方の電極を透明電極として、例えばマトリクス配線のデータ線又はアドレス線のパターンとして形成することが好ましい。
サブピクセル(副画素)は、例えば、R(赤)G(緑)B(青)の3個で1画素を構成しても、RGBW(白)、RGBY(黄)の4個で1画素を構成しても、RG、GBの2個で1画素を構成してもよい。また、隣接するサブピクセルによる混色を防ぐため、隣接する発光素子間がブラックマトリクス(BM)で被覆されていることが好ましい。
また、本実施の形態に係る表示装置の製造方法は、第1面に第1導電型電極又は第2導電型電極の少なくとも一方の電極を有する複数の発光素子が1画素を構成するサブピクセル単位で配置されたウエハと、複数の発光素子の第1面の電極に対応する電極を有する基板とを、異方性導電接着剤を介して圧着し、複数の発光素子の第1面の電極と基板の電極とを異方性導電接続させる接続工程と、サブピクセル単位で発光素子からの光の波長を変換させる波長変換部材を配置する部材配置工程とを有する。
本実施の形態では、異方性導電接着剤を用いることにより、発光素子がウエハ上にサブピクセル単位で形成された配置にて複数の発光素子を一括実装することができ、高輝度化及び高精細化を実現することができる。また、ウエハ上の発光素子を一括実装するため、実装時間が短縮され、スループット及び歩留りを大幅に改善することができる。
以下、実施の形態として、サブピクセルとしてRGBの3色を1画素とし、水平構造の発光素子を用いた例を挙げて説明する。
<1.第1の実施の形態>
<1.第1の実施の形態>
[第1の実施の形態に係る表示装置]
図1は、第1の実施の形態に係る表示装置を模式的に示す断面図である。第1の実施の形態に係る表示装置11は、波長変換部材が、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層を複数の発光素子上にサブピクセル単位で配列してなるものである。
図1は、第1の実施の形態に係る表示装置を模式的に示す断面図である。第1の実施の形態に係る表示装置11は、波長変換部材が、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層を複数の発光素子上にサブピクセル単位で配列してなるものである。
すなわち、表示装置11は、1画素を構成するサブピクセル単位で配置され、片面に第1導電型電極と第2導電型電極とを有する発光素子21、22、23と、第1導電型電極と第2導電型電極にそれぞれ対応する電極を有する基板30と、発光素子21、22、23と基板30とを異方性導電接続させる異方性導電膜40と、発光素子21、22、23上にサブピクセル単位で配列され、赤色光、緑色光、青色光にそれぞれ変換する蛍光体層51、52、53とを備える。
発光素子21、22、23は、片面に第1導電型電極と第2導電型電極とを有する所謂フリップチップ型のLED(Light Emitting Diode)である。発光素子21、22、23は、紫外光〜青色光を発光することが好ましく、そのピーク波長は200nm〜500nmの範囲であることが好ましい。発光素子21、22、23の大きさは、表示パネルの大きさに合わせて適宜設定することができ、矩形の長辺が0.5mm以下、好ましくは0.1mm以下、より好ましくは0.01mm以下である。例えば、0.005mm×0.005mmのサイズのLEDを設計し、1画素を9個のLEDで設計した場合において、3840画素×2160画素を設計した場合、画面サイズは57.6mm×32.4mmであり、3インチ以上のウエハを用いることにより、表示装置を実現することができる。
発光素子21、22、23は、例えば、1画素を構成するRGBの3色の各サブピクセルに対応して基板30上に配列され、LEDアレイを構成する。RGBのサブピクセルの配列方法としては、ストライプ配列、モザイク配列、デルタ配列などが挙げられる。ストライプ配列は、RGBを縦ストライプ状に配列したものであり、高精細化を図ることができる。また、モザイク配列は、RGBの同一色を斜めに配置したものであり、ストライプ配列より自然な画像を得ることができる。また、デルタ配列は、RGBを三角形に配列し、各ドットがフィールド毎に半ピッチずれたものであり、自然な画像表示を得ることができる。
図2は、1つの発光素子の実装例を模式的に示す断面図である。発光素子21は、例えばn−GaNからなる第1導電型クラッド層211と、例えばInxAlyGa1−x−yN層からなる活性層212と、例えばp−GaNからなる第2導電型クラッド層213とを備え、いわゆるダブルヘテロ構造を有する。また、パッシベーション層214により第1導電型クラッド層211の一部に形成された第1導電型電極211aと、第2導電型クラッド層213の一部に形成された第2導電型電極213aとを備える。第1導電型電極211aと第2導電型電極213aとの間に電圧が印加されると、活性層212にキャリアが集中し、再結合することにより発光が生じる。
基板30は、基材31上に第1導電型用回路パターン32と、第2導電型用回路パターン33とを備え、発光素子21の第1導電型電極211a及び第2導電型電極213aに対応する位置にそれぞれ電極を有する。また、基板30は、例えばマトリクス配線のデータ線、アドレス線などの回路パターンを形成し、各サブピクセルに対応する発光素子をオンオフ可能とする。
基板30は、透光基板であることが好ましい。基材30が透光基板である場合、基材31は、ガラス、PET(polyethylene terephthalate)などの透明基材であることが好ましく、第1導電型用回路パターン32、第2導電型用回路パターン33、及びその電極は、ITO(Indium-Tin-Oxide)、IZO(Indium-Zinc-Oxide)、ZnO(Zinc-Oxide)、IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide)などの透明導電膜であることが好ましい。基板30が透光基板であることにより、基板30側を表示面(発光面)とすることが可能となる。
異方性導電膜40は、後述する異方性導電接着剤が硬化したものであり、発光素子21の端子(電極211a、213a)と基板30の端子(電極)との間に導電性粒子41が捕捉されることにより、発光素子21と基板30とが異方性導電接続される。導電性粒子41としては、樹脂コア金属被覆導電性粒子、ハンダ粒子などの金属粒子を用いることができ、また、2種以上の金属粒子を用いることができる。また、導電性粒子41の平均粒径は、発光素子21、22、23の電極サイズに合わせて適宜設定することができ、高精細化の観点から、5μm以下であることが好ましい。
蛍光体層51、52、53は、発光素子21、22、23からの光をそれぞれ赤色光、緑色光、青色光に変換する。蛍光体層51、52、53の蛍光体としては、耐熱性の高い窒化物系、酸窒化物系を用いることが好ましい。また、蛍光体として、紫外光や青色光に反応して、量子ドットの粒径に応じた色の光を発する量子ドットを用いることが好ましい。なお、発光素子21、22、23が青色光の場合、青色光に変換する蛍光体層を配さず、透過させればよい。
発光素子21、22、23が青色LEDの場合、青色光を赤色光に変換する蛍光体を含有するR蛍光体層と、青色光を緑色光に変換する蛍光体を含有するG蛍光体層とが配列される。青色光を赤色光に変換する蛍光体としては、例えば(Ca,Sr)2Si5N8:Eu、(Ca,Sr)AlSiN3:Eu、CaSiN2:Euなどを用いることができる。青色光を緑色光に変換する蛍光体としては、例えばZnS:Cu,Al、SrGa2S4:Eu、(Ba,Sr)2SiO4:Eu、SrAl2O4:Eu、(Si,Al)6(O,N)8:Euなどを用いることができる。
また、発光素子21、22、23が近紫外光の場合、近紫外光を赤色光に変換する蛍光体を含有するR蛍光体層と、近紫外光を緑色光に変換する蛍光体を含有するG蛍光体層と、近紫外光を青色光に変換する蛍光体を含有するB蛍光体層とが配列される。近紫外光を赤色光に変換する蛍光体としては、例えばCaAlSiN3:Euなどを用いることができる。近紫外光を緑色光に変換する蛍光体としては、例えばβ−SiAlON:Euなどを用いることができる。近紫外光を青色光に変換する蛍光体としては、例えば(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu、BaMgAl10O17:Eu、(Sr,Ba)3MgSi2O8:Euなどを用いることができる。
このような表示装置11によれば、発光素子21、22、23からの光が効率よく蛍光体層に放出されるため、高輝度なカラー画面を得ることができる。
[第1の実施の形態に係る表示装置の製造方法]
第1の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、部材配置工程において、ウエハを取り除き、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層を複数の発光素子上にサブピクセル単位で配列するものである。
第1の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、部材配置工程において、ウエハを取り除き、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層を複数の発光素子上にサブピクセル単位で配列するものである。
すなわち、表示装置11の製造方法は、片面に第1導電型電極と第2導電型電極とを有する複数の発光素子が1画素を構成するサブピクセル単位で配置されたウエハ20と、第1導電型電極と第2導電型電極にそれぞれ対応する対応電極を有する基板30とを、異方性導電接着剤を介して圧着し、複数の発光素子と基板とを異方性導電接続させる接続工程と、ウエハを取り除き、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層を複数の発光素子上にサブピクセル単位で配列する部材配置工程とを有する。なお、表示装置11と同様の構成には、同一符号を付し、ここでは説明を省略する。
図3(A)は、ウエハ上の発光素子を模式的に示す断面図であり、図3(B)は、発光素子と基板との接続工程を模式的に示す断面図である。図3(A)に示すように、発光素子21、22、23は、ウエハ20上にRGBサブピクセルの配列で形成されている。ウエハ20は、サファイア基板、SiC基板、GaN基板、Si基板などの成長基板であることが好ましい。
次に、基板30上に異方性導電接着剤を塗布又は貼付し、発光素子21、22、23の第1導電型電極と第2導電型電極とを異方性導電接着剤側にしてアライメント搭載し、ウエハ20上から押圧する。例えば、異方性導電接着剤が熱硬化性である場合、熱圧着条件としては、例えば、温度150℃〜260℃、時間10秒〜300秒、圧力10MPa〜60MPaであることが好ましい。異方性導電接着剤が硬化することにより、異方性導電膜40が形成される。
また、複数の発光素子が形成されたウエハを複数回アライメント搭載して異方性導電接続させてもよい。これにより、大型の表示装置を製造することができる。
異方性導電接着剤は、導電性粒子41がバインダー(接着剤成分)中に分散されたものであり、その形状は、ペースト、フィルムなどであり、目的に応じて適宜選択することができる。
導電性粒子の平均粒径は、発光素子の電極サイズに合わせて適宜設定することができ、高精細化の観点から、5μm以下であることが好ましい。導電性粒子としては、金属被覆樹脂粒子とはんだ粒子とを併用することが好ましい。
金属被覆樹脂粒子は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、アクリロニトリル・スチレン(AS)樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジビニルベンゼン系樹脂、スチレン系樹脂等の樹脂粒子の表面をAu、Ni、Zn等の金属で被覆した金属被覆樹脂粒子である。金属被覆樹脂粒子は、圧縮時に潰れやすく、変形し易いため、配線パターンとの接触面積を大きくでき、また、配線パターンの高さのバラツキを吸収することができる。
また、はんだ粒子は、例えばJIS Z 3282−1999に規定されている、Sn−Pb系、Pb−Sn−Sb系、Sn−Sb系、Sn−Pb−Bi系、Bi−Sn系、Sn−Cu系、Sn−Pb−Cu系、Sn−In系、Sn−Ag系、Sn−Pb−Ag系、Pb−Ag系などから、電極材料、接続条件などに応じて適宜選択することができる。また、はんだ粒子の形状は、粒状、燐片状などから適宜選択することができる。また、はんだ粒子は、導電性粒子よりも平均粒径が小さいことが好ましく、はんだ粒子の平均粒径は、導電性粒子の平均粒径の20%以上100%未満であることが好ましい。はんだ粒子が導電性粒子に対して小さすぎると、圧着時にはんだ粒子が対向する端子間に捕捉されず、金属結合しないため、優れた放熱特性及び電気特性を得ることができない。一方、はんだ粒子が導電性粒子に対して大きすぎると、例えばLEDチップのエッジ部分ではんだ粒子によるショルダータッチが発生してリークが発生し、製品の歩留りが悪くなる。
接着成分としては、従来の異方性導電接着剤や異方性導電フィルムにおいて知られている熱硬化型、紫外線硬化型、熱・紫外線併用型などの接着剤組成物を用いることができる。接着剤組成物としては、エポキシ系接着剤、アクリル系接着剤などを用いることができ、中でも、水素添加エポキシ化合物、脂環式エポキシ化合物、複素環系エポキシ化合物などを主成分としたエポキシ硬化系接着剤を好ましく用いることができる。これらの中でも、光透過性、速硬化性に優れる水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂などの水素添加エポキシ化合物を用いることが好ましい。水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂の具体例として、三菱化学社製の商品名「YX8000」を挙げることができる。
また、硬化剤としては、アルミキレート系硬化剤、酸無水物、イミダゾール化合物、ジシアンなどを挙げることができる。これらの中でも、硬化物を変色させ難いアルミキレート系硬化剤を好ましく使用できる。アルミキレート系硬化剤としては、特開2009−197206号公報に記載された、例えば多官能イソシアネート化合物を界面重合させると同時にジビニルベンゼンをラジカル重合させて得た多孔性樹脂にアルミニウムキレート剤及びシラノール化合物が保持されているものが挙げられる。
図4は、第1の実施の形態における部材配置工程を模式的に示す断面図であり、図4(A)は、ウエハを除去する工程を示し、図4(B)は、蛍光体層を形成する工程を示す。
図4(A)に示すように、部材配置工程では、先ず、ウエハ20をリフトオフさせ、ウエハ20を除去する。ウエハ20のリフトオフには、レーザリフトオフ装置を用いることが好ましい。レーザリフトオフ装置を用いることにより、パルス発振される高密度UVレーザ光がウエハ20を透過してGaN層に到達し、約20nmの深さにわたってGaNがGaとN2(窒素)に分解され、LED構造にダメージを与えることなく、ウエハ20を剥離することができる。
次に、図4(B)に示すように、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体を含む透光性樹脂を複数の発光素子21、22、23上、すなわち第1導電型クラッド層211上に塗布し、蛍光体層51、52、53を形成する。透光性樹脂としては、エポキシ系樹脂、シリコーン樹脂などを用いることができる。また、蛍光体を含む透光性樹脂の塗布には、インクジェット法などを用いることができる。
このような表示装置11の製造方法によれば、ウエハ20上の発光素子を一括実装し、ウエハ20を除去することにより、ウエハ20による光の損失を改善することができる。また、サブピクセル単位で配列された発光素子21、22、23上に蛍光体層51、52、53を形成することにより、簡便に表示装置を得ることができる。
<2.第2の実施の形態>
<2.第2の実施の形態>
[第2の実施の形態に係る表示装置]
図5は、第2の実施の形態に係る表示装置を模式的に示す断面図である。第2の実施の形態に係る表示装置12は、複数の発光素子の第1導電型電極と第2導電型電極とが形成された方向の反対側にウエハ20を有し、波長変換部材が、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をウエハ20上にサブピクセル単位で配列してなるものである。
図5は、第2の実施の形態に係る表示装置を模式的に示す断面図である。第2の実施の形態に係る表示装置12は、複数の発光素子の第1導電型電極と第2導電型電極とが形成された方向の反対側にウエハ20を有し、波長変換部材が、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をウエハ20上にサブピクセル単位で配列してなるものである。
すなわち、表示装置12は、ウエハ20と、ウエハ20の反対側に第1導電型電極と第2導電型電極とを有し、1画素を構成するサブピクセル単位で配置された発光素子21、22、23と、第1導電型電極と第2導電型電極にそれぞれ対応する電極を有する基板31と、発光素子21、22、23と基板30とを異方性導電接続させる異方性導電膜40と、ウエハ20上にサブピクセル単位で配列され、赤色光、緑色光、青色光にそれぞれ変換する蛍光体層51、52、53とを備える。なお、第1の実施の形態と同様の構成には、同一符号を付し、ここでは説明を省略する。
このような表示装置12によれば、ウエハ20による光の損失があるものの、ワイヤーボンドの金属配線などが表示側にないため、高輝度なカラー画面を得ることができる。
[第2の実施の形態に係る表示装置の製造方法]
第2の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、部材配置工程において、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をウエハ上にサブピクセル単位で配列するものである。
第2の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、部材配置工程において、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をウエハ上にサブピクセル単位で配列するものである。
すなわち、表示装置12の製造方法は、片面に第1導電型電極と第2導電型電極とを有する複数の発光素子が1画素を構成するサブピクセル単位で配置されたウエハ20と、第1導電型電極と第2導電型電極にそれぞれ対応する対応電極を有する基板30とを、異方性導電接着剤を介して圧着し、複数の発光素子と基板とを異方性導電接続させる接続工程と、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をウエハ20上にサブピクセル単位で配列する部材配置工程とを有する。なお、表示装置12と同様の構成には、同一符号を付し、ここでは説明を省略する。また、接続工程は、第1の実施の形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
図6は、第2の実施の形態における部材配置工程を模式的に示す断面図である。図6に示すように、部材配置工程では、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体を含む透光性樹脂をウエハ20上に塗布し、蛍光体層51、52、53を形成する。透光性樹脂としては、エポキシ系樹脂、シリコーン樹脂などを用いることができる。また、蛍光体を含む透光性樹脂の塗布には、インクジェット法などを用いることができる。
このような表示装置12の製造方法によれば、ウエハ20を除去する工程を省略することができる。また、接続工程後、ウエハ20上にサブピクセル単位で蛍光体層51、52、53を形成するだけで、簡便に表示装置を得ることができる。
<3.第3の実施の形態>
<3.第3の実施の形態>
[第3の実施の形態に係る表示装置]
図7は、第3の実施の形態に係る表示装置を模式的に示す断面図である。第3の実施の形態に係る表示装置13は、基板30が、透光基板であり、波長変換部材が、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層を基板30上にサブピクセル単位で配列してなるものである。
図7は、第3の実施の形態に係る表示装置を模式的に示す断面図である。第3の実施の形態に係る表示装置13は、基板30が、透光基板であり、波長変換部材が、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層を基板30上にサブピクセル単位で配列してなるものである。
すなわち、表示装置13は、ウエハ20と、ウエハ20の反対側に第1導電型電極と第2導電型電極とを有し、1画素を構成するサブピクセル単位で配置された発光素子21、22、23と、第1導電型電極と第2導電型電極にそれぞれ対応する電極を有し、透光基板である基板30と、発光素子21、22、23と基板30とを異方性導電接続させる異方性導電膜40と、基板30上にサブピクセル単位で配列され、赤色光、緑色光、青色光にそれぞれ変換する蛍光体層51、52、53とを備える。なお、第1の実施の形態と同様の構成には、同一符号を付し、ここでは説明を省略する。
このような表示装置13によれば、接続部による光の損失があるものの、ワイヤーボンドの金属配線などが表示側にないため、高輝度なカラー画面を得ることができる。
[第3の実施の形態に係る表示装置の製造方法]
第3の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、基板が、透光基板であり、部材配置工程において、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層を透光基板上にサブピクセル単位で配列するものである。
第3の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、基板が、透光基板であり、部材配置工程において、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層を透光基板上にサブピクセル単位で配列するものである。
すなわち、表示装置13の製造方法は、片面に第1導電型電極と第2導電型電極とを有する複数の発光素子が1画素を構成するサブピクセル単位で配置されたウエハ20と、第1導電型電極と第2導電型電極にそれぞれ対応する対応電極を有し、透光基板である基板30とを、異方性導電接着剤を介して圧着し、複数の発光素子と基板とを異方性導電接続させる接続工程と、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層を基板30上にサブピクセル単位で配列する部材配置工程とを有する。なお、表示装置13と同様の構成には、同一符号を付し、ここでは説明を省略する。また、接続工程は、第1の実施の形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
図8は、第3の実施の形態における部材配置工程を模式的に示す断面図である。図8に示すように、部材配置工程では、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体を含む透光性樹脂を基板30上に塗布し、蛍光体層51、52、53を形成する。透光性樹脂としては、エポキシ系樹脂、シリコーン樹脂などを用いることができる。また、蛍光体を含む透光性樹脂の塗布には、インクジェット法などを用いることができる。
このような表示装置13の製造方法によれば、ウエハを除去する工程を省略することができる。また、接続工程後、基板30上にサブピクセル単位で蛍光体層51、52、53を形成するだけで、簡便に表示装置を得ることができる。
<4.第4の実施の形態>
<4.第4の実施の形態>
[第4の実施の形態に係る表示装置]
図9は、第4の実施の形態に係る表示装置を模式的に示す断面図である。第4の実施の形態に係る表示装置14は、複数の発光素子が、第1導電型電極と前記第2導電型電極とが形成された方向の反対側に、ウエハ20を有し、波長変換部材が、ウエハ20上に配置されてなり、発光素子21、22、23からの光を白色光に変換させる蛍光体層60と、蛍光体層60からの白色光をサブピクセル単位で赤色光、緑色光、又は青色光に変換させるカラーフィルタ70とを有するものである
図9は、第4の実施の形態に係る表示装置を模式的に示す断面図である。第4の実施の形態に係る表示装置14は、複数の発光素子が、第1導電型電極と前記第2導電型電極とが形成された方向の反対側に、ウエハ20を有し、波長変換部材が、ウエハ20上に配置されてなり、発光素子21、22、23からの光を白色光に変換させる蛍光体層60と、蛍光体層60からの白色光をサブピクセル単位で赤色光、緑色光、又は青色光に変換させるカラーフィルタ70とを有するものである
すなわち、表示装置14は、ウエハ20と、ウエハ20の反対側に第1導電型電極と第2導電型電極とを有し、1画素を構成するサブピクセル単位で配置された発光素子21、22、23と、第1導電型電極と第2導電型電極にそれぞれ対応する電極を有する基板30と、発光素子21、22、23と基板30とを異方性導電接続させる異方性導電膜40と、ウエハ20上に形成されてなり、発光素子21、22、23からの光を白色光に変換させる蛍光体層60と、蛍光体層60からの白色光をサブピクセル単位で赤色光、緑色光、又は青色光に変換させるカラーフィルタ70とを備える。なお、第1の実施の形態と同様の構成には、同一符号を付し、ここでは説明を省略する。
蛍光体層60は、発光素子21、22、23から出射される光と、蛍光体層60から出射される光を混色して白色光を得る。例えば、発光素子21、22、23が青色LEDの場合、蛍光体層60の蛍光体としては、Y3Al5O12:Ce(YAG系)、CaGa2S4:Eu、SrSiO4:Euなどを用いることができる。
また、例えば、発光素子21、22、23が近紫外LEDの場合、近紫外光を黄色光及び青色光に変換する2種類の蛍光体を用いることができる。近紫外光を黄色光に変換する蛍光体として、例えばCa−α−SiAlON:Euなどを用いることができる。近紫外光を青色光に変換する蛍光体としては、例えば(Sr,Ca,Ba,Mg)10(PO4)6Cl2:Eu、BaMgAl10O17:Eu、(Sr,Ba)3MgSi2O8:Euなどを用いることができる。
カラーフィルタ70は、サブピクセル単位で配置された発光素子21、22、23に対応させて、基材上に赤色、緑色、青色の光を透過させる着色層71、72、73を有する。基材としては、ガラス、PETなどの透明基材を用いることができる。着色層71、72、73としては、顔料系、染色料系などを用いることができる。また、基材上にブラックマトリックス(BM)を基板上に配置し、混色を防ぐことが好ましい。
このような表示装置14によれば、ウエハ20による光の損失があるものの、ワイヤーボンドの金属配線などが表示側にないため、高輝度なカラー画面を得ることができる。なお、ウエハ20をリフトオフし、発光素子21、22、23上に蛍光体層60を設け、発光素子21、22、23からの光を効率よく蛍光体層60に放出されるようにしてもよい。
[第4の実施の形態に係る表示装置の製造方法]
第4の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、部材配置工程において、発光素子からの光を白色光に変換させる蛍光体層をウエハ上に形成し、蛍光体層上に白色光をサブピクセル単位で赤色光、緑色光、又は青色光に変換させるカラーフィルタを配置するものである。
第4の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、部材配置工程において、発光素子からの光を白色光に変換させる蛍光体層をウエハ上に形成し、蛍光体層上に白色光をサブピクセル単位で赤色光、緑色光、又は青色光に変換させるカラーフィルタを配置するものである。
すなわち、表示装置14の製造方法は、片面に第1導電型電極と第2導電型電極とを有する複数の発光素子が1画素を構成するサブピクセル単位で配置されたウエハ20と、第1導電型電極と第2導電型電極にそれぞれ対応する対応電極を有する基板30とを、異方性導電接着剤を介して圧着し、複数の発光素子と基板とを異方性導電接続させる接続工程と、発光素子からの光を白色光に変換させる蛍光体層60をウエハ20上に形成し、蛍光体層60上に白色光をサブピクセル単位で赤色光、緑色光、又は青色光に変換させるカラーフィルタ70を配置する部材配置工程とを有する。なお、表示装置14と同様の構成には、同一符号を付し、ここでは説明を省略する。また、接続工程は、第1の実施の形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
図10は、第4の実施の形態における部材配置工程を模式的に示す断面図であり、図10(A)は、蛍光体層を形成する工程を示し、図10(B)は、カラーフィルタを配置する工程を示す。
図10(A)に示すように、部材配置工程では、先ず、発光素子からの光を白色光に変換させる蛍光体を含む透光性樹脂をウエハ20上に塗布し、蛍光体層60を形成する。透光性樹脂としては、エポキシ系樹脂、シリコーン樹脂などを用いることができる。また、蛍光体を含む透光性樹脂の塗布には、スピンコート法、インクジェット法などを用いることができる。
次に、図10(B)に示すように、蛍光体層60上にカラーフィルタ70を貼り付ける。カラーフィルタ70を貼り付ける際、サブピクセル単位で配置された発光素子21、22、23に対応させて着色層71、72、73を配置する。
このような表示装置14の製造方法によれば、ウエハ20を除去する工程を省略することができる。また、接続工程後、ウエハ20上に蛍光体層60を形成し、カラーフィルタ70を貼り付けるだけで、簡便に表示装置を得ることができる。なお、ウエハ20をリフトオフし、発光素子21、22、23上に白色光に変換する蛍光体シートとカラーフィルタとを貼り付け、発光素子21、22、23上に蛍光体層60を設けるようにしてもよい。
<5.第5の実施の形態>
<5.第5の実施の形態>
[第5の実施の形態に係る表示装置]
図11は、第5の実施の形態に係る表示装置を模式的に示す断面図である。第5の実施の形態に係る表示装置15は、基板30が、透光基板であり、波長変換部材が、基板30上に配置されてなり、発光素子21、22、23からの光を白色光に変換させる蛍光体層60と、蛍光体層60からの白色光をサブピクセル単位で赤色光、緑色光、又は青色光に変換させるカラーフィルタ70とを有するものである
図11は、第5の実施の形態に係る表示装置を模式的に示す断面図である。第5の実施の形態に係る表示装置15は、基板30が、透光基板であり、波長変換部材が、基板30上に配置されてなり、発光素子21、22、23からの光を白色光に変換させる蛍光体層60と、蛍光体層60からの白色光をサブピクセル単位で赤色光、緑色光、又は青色光に変換させるカラーフィルタ70とを有するものである
すなわち、表示装置15は、ウエハ20と、ウエハ20の反対側に第1導電型電極と第2導電型電極とを有し、1画素を構成するサブピクセル単位で配置された発光素子21、22、23と、第1導電型電極と第2導電型電極にそれぞれ対応する電極を有し、透光基板である基板30と、発光素子21、22、23と基板30とを異方性導電接続させる異方性導電膜40と、基板30上に形成されてなり、発光素子21、22、23からの光を白色光に変換させる蛍光体層60と、蛍光体層60からの白色光をサブピクセル単位で赤色光、緑色光、又は青色光に変換させるカラーフィルタ70とを備える。なお、第4の実施の形態と同様の構成には、同一符号を付し、ここでは説明を省略する。
このような表示装置15によれば、接続部による光の損失があるものの、ワイヤーボンドの金属配線などが表示側にないため、高輝度なカラー画面を得ることができる。
[第5の実施の形態に係る表示装置の製造方法]
第5の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、基板が、透光基板であり、部材配置工程において、発光素子からの光を白色光に変換させる蛍光体層を透光基板上に形成し、蛍光体層上に白色光をサブピクセル単位で赤色光、緑色光、又は青色光に変換させるカラーフィルタを配置するものである。
第5の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、基板が、透光基板であり、部材配置工程において、発光素子からの光を白色光に変換させる蛍光体層を透光基板上に形成し、蛍光体層上に白色光をサブピクセル単位で赤色光、緑色光、又は青色光に変換させるカラーフィルタを配置するものである。
すなわち、表示装置15の製造方法は、片面に第1導電型電極と第2導電型電極とを有する複数の発光素子が1画素を構成するサブピクセル単位で配置されたウエハ20と、第1導電型電極と第2導電型電極にそれぞれ対応する対応電極を有し、透光基板である基板30とを、異方性導電接着剤を介して圧着し、複数の発光素子と基板とを異方性導電接続させる接続工程と、発光素子からの光を白色光に変換させる蛍光体層60を基板30上に形成し、蛍光体層60上に白色光をサブピクセル単位で赤色光、緑色光、又は青色光に変換させるカラーフィルタ70を配置する部材配置工程とを有する。なお、表示装置15と同様の構成には、同一符号を付し、ここでは説明を省略する。また、接続工程は、第1の実施の形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
図12は、第5の実施の形態に部材配置工程を模式的に示す断面図であり、図12(A)は、蛍光体層を形成する工程を示し、図12(B)は、カラーフィルタを配置する工程を示す。
図12(A)に示すように、部材配置工程では、先ず、発光素子からの光を白色光に変換させる蛍光体を含む透光性樹脂を基板30上に塗布し、蛍光体層60を形成する。透光性樹脂としては、エポキシ系樹脂、シリコーン樹脂などを用いることができる。また、蛍光体を含む透光性樹脂の塗布には、スピンコート法、インクジェット法などを用いることができる。
次に、図12(B)に示すように、蛍光体層60上にカラーフィルタ70を貼り付ける。カラーフィルタ70を貼り付ける際、サブピクセル単位で配置された発光素子21、22、23に対応させて着色層71、72、73を配置する。
このような表示装置15の製造方法によれば、ウエハ20を除去する工程を省略することができる。また、接続工程後、基板30上に蛍光体層60を形成し、カラーフィルタ70を貼り付けるだけで、簡便に表示装置を得ることができる。
<6.第6の実施の形態>
<6.第6の実施の形態>
[第6の実施の形態に係る表示装置]
図13は、第6の実施の形態に係る表示装置を模式的に示す断面図である。第6の実施の形態に係る表示装置16は、波長変換部材が、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シートを有し、蛍光体シートが、複数の発光素子上に配置されてなるものである。
図13は、第6の実施の形態に係る表示装置を模式的に示す断面図である。第6の実施の形態に係る表示装置16は、波長変換部材が、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シートを有し、蛍光体シートが、複数の発光素子上に配置されてなるものである。
すなわち、表示装置16は、1画素を構成するサブピクセル単位で配置され、片面に第1導電型電極と第2導電型電極とを有する発光素子21、22、23と、第1導電型電極と第2導電型電極にそれぞれ対応する電極を有する基板31と、発光素子21、22、23と基板30とを異方性導電接続させる異方性導電膜40と、発光素子21、22、23上に配置され、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層81、82、83をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シート80とを備える。なお、第1の実施の形態と同様の構成には、同一符号を付し、ここでは説明を省略する。
蛍光体シート80は、サブピクセル単位で配置された発光素子21、22、23に対応させて、基材上に赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層81、82、83を有する。基材としては、ガラス、PETなどの透明基材を用いることができる。蛍光体層81、82、83としては、第1の実施の形態で説明した蛍光体層51、52、53の蛍光体を用いることができる。
このような表示装置16によれば、発光素子21、22、23からの光が効率よく蛍光体層に放出されるため、高輝度なカラー画面を得ることができる。
[第6の実施の形態に係る表示装置の製造方法]
第6の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、部材配置工程において、ウエハを取り除き、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シートを、複数の発光素子上に配置するものである。
第6の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、部材配置工程において、ウエハを取り除き、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シートを、複数の発光素子上に配置するものである。
すなわち、表示装置16の製造方法は、片面に第1導電型電極と第2導電型電極とを有する複数の発光素子が1画素を構成するサブピクセル単位で配置されたウエハ20と、第1導電型電極と第2導電型電極にそれぞれ対応する対応電極を有する基板30とを、異方性導電接着剤を介して圧着し、複数の発光素子と基板とを異方性導電接続させる接続工程と、ウエハを取り除き、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シートを、複数の発光素子上に配置する部材配置工程とを有する。なお、表示装置16と同様の構成には、同一符号を付し、ここでは説明を省略する。また、接続工程は、第1の実施の形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
図14は、第6の実施の形態における部材配置工程を模式的に示す断面図である。部材配置工程では、先ず、ウエハ20をリフトオフさせ、ウエハ20を除去する。ウエハ20のリフトオフには、第1の実施の形態と同様に、レーザリフトオフ装置を用いることが好ましい。
次に、図14に示すように、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層81、82、83をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シート80を、複数の発光素子21、22、23上、すなわち第1導電型クラッド層211上に貼り付ける。蛍光体シート80を貼り付ける際、サブピクセル単位で配置された発光素子21、22、23に対応させて着色層81、82、83を配置する。
このような表示装置16の製造方法によれば、接続工程後、ウエハ20をリフトオフし、発光素子21、22、23上に蛍光体シート80を貼り付けるだけで、簡便に表示装置を得ることができる。
<7.第7の実施の形態>
<7.第7の実施の形態>
[第7の実施の形態に係る表示装置]
図15は、第7の実施の形態に係る表示装置を模式的に示す断面図である。第7の実施の形態に係る表示装置17は、複数の発光素子が、第1導電型電極と第2導電型電極とが形成された方向の反対側に、ウエハ20を有し、波長変換部材が、ウエハ20上に配置されてなり、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シートを有するものである。
図15は、第7の実施の形態に係る表示装置を模式的に示す断面図である。第7の実施の形態に係る表示装置17は、複数の発光素子が、第1導電型電極と第2導電型電極とが形成された方向の反対側に、ウエハ20を有し、波長変換部材が、ウエハ20上に配置されてなり、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シートを有するものである。
すなわち、表示装置17は、ウエハ20と、ウエハ20の反対側に第1導電型電極と第2導電型電極とを有し、1画素を構成するサブピクセル単位で配置された発光素子21、22、23と、第1導電型電極と第2導電型電極にそれぞれ対応する電極を有する基板30と、発光素子21、22、23と基板30とを異方性導電接続させる異方性導電膜40と、ウエハ20上に配置され、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層81、82、83をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シート80とを備える。なお、第6の実施の形態と同様の構成には、同一符号を付し、ここでは説明を省略する。
このような表示装置17によれば、ウエハ20による光の損失があるものの、ワイヤーボンドの金属配線などが表示側にないため、高輝度なカラー画面を得ることができる。
[第7の実施の形態に係る表示装置の製造方法]
第7の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、部材配置工程において、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シートを、ウエハ上に配置するものである。
第7の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、部材配置工程において、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シートを、ウエハ上に配置するものである。
すなわち、表示装置17の製造方法は、片面に第1導電型電極と第2導電型電極とを有する複数の発光素子が1画素を構成するサブピクセル単位で配置されたウエハ20と、第1導電型電極と第2導電型電極にそれぞれ対応する対応電極を有する基板30とを、異方性導電接着剤を介して圧着し、複数の発光素子と基板とを異方性導電接続させる接続工程と、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シート80を、ウエハ20上に配置する部材配置工程とを有する。なお、表示装置17と同様の構成には、同一符号を付し、ここでは説明を省略する。また、接続工程は、第1の実施の形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
図16は、第7の実施の形態における部材配置工程を模式的に示す断面図である。図16に示すように、部材配置工程では、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層81、82、83をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シート80を、ウエハ20上に貼り付ける。蛍光体シート80を貼り付ける際、サブピクセル単位で配置された発光素子21、22、23に対応させて蛍光層81、82、83を配置する。
このような表示装置17の製造方法によれば、ウエハ20を除去する工程を省略することができる。また、接続工程後、発光素子21、22、23上に蛍光体シート80を貼り付けるだけで、簡便に表示装置を得ることができる。
<8.第8の実施の形態>
<8.第8の実施の形態>
[第8の実施の形態に係る表示装置]
図17は、第8の実施の形態に係る表示装置を模式的に示す断面図である。第8の実施の形態に係る表示装置18は、基板30が、透光基板であり、波長変換部材が、基板30上に配置されてなり、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シートを有するものである。
図17は、第8の実施の形態に係る表示装置を模式的に示す断面図である。第8の実施の形態に係る表示装置18は、基板30が、透光基板であり、波長変換部材が、基板30上に配置されてなり、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シートを有するものである。
すなわち、表示装置18は、ウエハ20と、ウエハ20の反対側に第1導電型電極と第2導電型電極とを有し、1画素を構成するサブピクセル単位で配置された発光素子21、22、23と、第1導電型電極と第2導電型電極にそれぞれ対応する電極を有し、透光基板である基板30と、発光素子21、22、23と基板30とを異方性導電接続させる異方性導電膜40と、基板30上に配置され、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層81、82、83をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シート80とを備える。なお、第6の実施の形態と同様の構成には、同一符号を付し、ここでは説明を省略する。
このような表示装置18によれば、接続部による光の損失があるものの、ワイヤーボンドの金属配線などが表示側にないため、高輝度なカラー画面を得ることができる。
[第8の実施の形態に係る表示装置の製造方法]
第8の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、基板が、透光基板であり、部材配置工程において、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シートを、基板上に配置するものである。
第8の実施の形態に係る表示装置の製造方法は、基板が、透光基板であり、部材配置工程において、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シートを、基板上に配置するものである。
すなわち、表示装置18の製造方法は、片面に第1導電型電極と第2導電型電極とを有する複数の発光素子が1画素を構成するサブピクセル単位で配置されたウエハ20と、第1導電型電極と第2導電型電極にそれぞれ対応する対応電極を有し、透光基板である基板30とを、異方性導電接着剤を介して圧着し、複数の発光素子と基板とを異方性導電接続させる接続工程と、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層81、82、83をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シート80を、基板30上に配置する部材配置工程とを有する。なお、表示装置18と同様の構成には、同一符号を付し、ここでは説明を省略する。また、接続工程は、第1の実施の形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
図18は、第8の実施の形態における部材配置工程を模式的に示す断面図である。図18に示すように、部材配置工程では、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層81、82、83をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シート80を、基板30上に貼り付ける。蛍光体シート80を貼り付ける際、サブピクセル単位で配置された発光素子21、22、23に対応させて蛍光層81、82、83を配置する。
このような表示装置18の製造方法によれば、ウエハ20を除去する工程を省略することができる。また、接続工程後、基板30上に蛍光体シート80を貼り付けるだけで、簡便に表示装置を得ることができる。
<9.第9の実施の形態>
<9.第9の実施の形態>
[発光装置]
本実施の形態に係る発光装置は、ウエハに形成された配列で配置され、第1面に第1導電型電極又は第2導電型電極の少なくとも一方の電極を有する複数の発光素子と、複数の発光素子の第1面の電極に対応する電極を有する基板と、複数の発光素子の第1面の電極と基板の電極とを異方性導電接続させる異方性導電膜とを備える。
本実施の形態に係る発光装置は、ウエハに形成された配列で配置され、第1面に第1導電型電極又は第2導電型電極の少なくとも一方の電極を有する複数の発光素子と、複数の発光素子の第1面の電極に対応する電極を有する基板と、複数の発光素子の第1面の電極と基板の電極とを異方性導電接続させる異方性導電膜とを備える。
すなわち、発光装置は、前述の実施の形態において、複数の発光素子が配列されたLEDアレイである。このような発光装置によれば、高精細であるため、高輝度な面発光を実現することができる。
[発光装置の製造方法]
本実施の形態に係る発光装置の製造方法は、第1面に第1導電型電極又は第2導電型電極の少なくとも一方の電極を有する複数の発光素子が配列されたウエハと、複数の発光素子の第1面の電極に対応する電極を有する基板とを、異方性導電接着剤を介して圧着し、複数の発光素子の第1面の電極と基板の電極とを異方性導電接続させるものである。
本実施の形態に係る発光装置の製造方法は、第1面に第1導電型電極又は第2導電型電極の少なくとも一方の電極を有する複数の発光素子が配列されたウエハと、複数の発光素子の第1面の電極に対応する電極を有する基板とを、異方性導電接着剤を介して圧着し、複数の発光素子の第1面の電極と基板の電極とを異方性導電接続させるものである。
すなわち、発光装置の製造方法は、前述の実施の形態において、第1面に第1導電型電極又は第2導電型電極の少なくとも一方の電極を有する複数の発光素子が配列されたウエハを用いた接続工程である。このような発光装置の製造方法によれば、異方性導電接着剤を用いるだけで、高輝度なLEDアレイを簡便に得ることができる。
11 表示装置、21,22,23 発光素子、30 基板、31 基材、32 第1導電型用回路パターン、33 第2導電型用回路パターン、40 異方性導電膜、 41 導電性粒子、51,52,53 蛍光体層、60 黄色蛍光体層、70 カラーフィルタ、71,72,73 着色層、80 蛍光体層付シート、81,82,83 蛍光体層、211 第1導電型クラッド層、211a 第1導電型電極、212 活性層、213 第2導電型クラッド層、213a 第2導電型電極、214 パッシベーション層
Claims (19)
- 1画素を構成するサブピクセル単位で配置され、第1面に第1導電型電極又は第2導電型電極の少なくとも一方の電極を有する複数の発光素子と、
前記複数の発光素子の第1面の電極に対応する電極を有する基板と、
前記複数の発光素子の第1面の電極と前記基板の電極とを異方性導電接続させる異方性導電膜と、
前記サブピクセル単位で発光素子からの光の波長を変換させる波長変換部材と
を備える表示装置。 - 前記複数の発光素子が、前記第1面の方向の反対側にウエハを有し、
前記波長変換部材が、前記ウエハ上に配置されてなる請求項1記載の表示装置。 - 前記基板が、透光基板であり、
前記波長変換部材が、前記透光基板上に配置されてなる請求項1記載の表示装置。 - 前記波長変換部材が、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層を前記複数の発光素子上にサブピクセル単位で配列してなる請求項1記載の表示装置。
- 前記波長変換部材が、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる請求項2又は3記載の表示装置。
- 前記波長変換部材が、前記発光素子からの光を白色光に変換させる蛍光体層と、前記蛍光体層からの白色光をサブピクセル単位で赤色光、緑色光、又は青色光に変換させるカラーフィルタとを有する請求項2又は3記載の表示装置。
- 前記波長変換部材が、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シートを有し、
前記蛍光体シートが、前記複数の発光素子上に配置されてなる請求項1記載の表示装置。 - 前記波長変換部材が、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シートを有する請求項2又は3記載の表示装置。
- 第1面に第1導電型電極又は第2導電型電極の少なくとも一方の電極を有する複数の発光素子が1画素を構成するサブピクセル単位で配置されたウエハと、前記複数の発光素子の第1面の電極に対応する電極を有する基板とを、異方性導電接着剤を介して圧着し、前記複数の発光素子の第1面の電極と前記基板の電極とを異方性導電接続させる接続工程と、
前記サブピクセル単位で発光素子からの光の波長を変換させる波長変換部材を配置する部材配置工程と
を有する表示装置の製造方法。 - 前記部材配置工程では、前記ウエハを取り除き、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層を前記複数の発光素子上にサブピクセル単位で配列する請求項9記載の表示装置の製造方法。
- 前記部材配置工程では、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層を前記ウエハ上にサブピクセル単位で配列する請求項9記載の表示装置の製造方法。
- 前記基板が、透光基板であり、
前記部材配置工程では、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層を前記透光基板上にサブピクセル単位で配列する請求項9記載の表示装置の製造方法。 - 前記部材配置工程では、発光素子からの光を白色光に変換させる蛍光体層を前記ウエハ上に形成し、前記蛍光体層上に白色光をサブピクセル単位で赤色光、緑色光、又は青色光に変換させるカラーフィルタを配置する請求項9記載の表示装置の製造方法。
- 前記基板が、透光基板であり、
前記部材配置工程では、発光素子からの光を白色光に変換させる蛍光体層を前記透光基板上に形成し、前記蛍光体層上に白色光をサブピクセル単位で赤色光、緑色光、又は青色光に変換させるカラーフィルタを配置する請求項9記載の表示装置の製造方法。 - 前記部材配置工程では、前記ウエハを取り除き、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シートを、前記複数の発光素子上に配置する請求項9記載の表示装置の製造方法。
- 前記部材配置工程では、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シートを、前記ウエハ上に配置する請求項9記載の表示装置の製造方法。
- 前記基板が、透光基板であり、
前記部材配置工程では、赤色光、緑色光、又は青色光に変換させる蛍光体層をサブピクセル単位で配列してなる蛍光体シートを、前記透光基板上に配置する請求項9記載の表示装置の製造方法。 - ウエハに形成された配列で配置され、第1面に第1導電型電極又は第2導電型電極の少なくとも一方の電極を有する複数の発光素子と、
前記複数の発光素子の第1面の電極に対応する電極を有する基板と、
前記複数の発光素子の第1面の電極と前記基板の電極とを異方性導電接続させる異方性導電膜と
を備える発光装置。 - 第1面に第1導電型電極又は第2導電型電極の少なくとも一方の電極を有する複数の発光素子が配列されたウエハと、前記複数の発光素子の第1面の電極に対応する電極を有する基板とを、異方性導電接着剤を介して圧着し、前記複数の発光素子の第1面の電極と前記基板の電極とを異方性導電接続させる発光装置の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016040529A JP2017157724A (ja) | 2016-03-02 | 2016-03-02 | 表示装置及びその製造方法、並びに発光装置及びその製造方法 |
| TW106105253A TW201735391A (zh) | 2016-03-02 | 2017-02-17 | 顯示裝置及其製造方法、以及發光裝置及其製造方法 |
| PCT/JP2017/006199 WO2017150257A1 (ja) | 2016-03-02 | 2017-02-20 | 表示装置及びその製造方法、並びに発光装置及びその製造方法 |
| KR1020187023995A KR20180104071A (ko) | 2016-03-02 | 2017-02-20 | 표시 장치 및 그의 제조 방법, 그리고 발광 장치 및 그의 제조 방법 |
| CN201780013513.8A CN108701743A (zh) | 2016-03-02 | 2017-02-20 | 显示装置及其制造方法、以及发光装置及其制造方法 |
| US16/081,673 US20190244937A1 (en) | 2016-03-02 | 2017-02-20 | Display device and method for manufacturing the same, and light-emitting device and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016040529A JP2017157724A (ja) | 2016-03-02 | 2016-03-02 | 表示装置及びその製造方法、並びに発光装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017157724A true JP2017157724A (ja) | 2017-09-07 |
Family
ID=59742873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016040529A Pending JP2017157724A (ja) | 2016-03-02 | 2016-03-02 | 表示装置及びその製造方法、並びに発光装置及びその製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20190244937A1 (ja) |
| JP (1) | JP2017157724A (ja) |
| KR (1) | KR20180104071A (ja) |
| CN (1) | CN108701743A (ja) |
| TW (1) | TW201735391A (ja) |
| WO (1) | WO2017150257A1 (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019155848A1 (ja) * | 2018-02-06 | 2019-08-15 | 株式会社ブイ・テクノロジー | Ledディスプレイの製造方法 |
| JP2019153812A (ja) * | 2018-02-13 | 2019-09-12 | ルーメンス カンパニー リミテッド | 多層フレキシブル回路基板を有するマイクロledモジュール |
| KR20190125084A (ko) * | 2018-04-27 | 2019-11-06 | 주식회사 루멘스 | 다층 연성 회로 기판을 갖는 마이크로 엘이디 모듈 |
| WO2019220267A1 (ja) * | 2018-05-17 | 2019-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| WO2020096415A1 (en) * | 2018-11-09 | 2020-05-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Mounting structure for mounting micro led |
| JP2021521625A (ja) * | 2018-03-14 | 2021-08-26 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co.,Ltd. | 複数のマイクロ発光ダイオードをターゲット基板に転写する方法、アレイ基板及びその表示装置 |
| JP2021533576A (ja) * | 2018-08-17 | 2021-12-02 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 光電子部品及び光電子部品を製造するための方法 |
| KR20220137966A (ko) | 2020-03-10 | 2022-10-12 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 마이크로 led 칩을 갖는 리페어용 부품과 그 제조방법, 리페어 방법, 발광 장치 제조방법 및 발광 장치 |
| JP2023035174A (ja) * | 2021-08-31 | 2023-03-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、およびディスプレイ |
| KR20230109182A (ko) | 2021-03-26 | 2023-07-19 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 필러 배열 필름 |
| KR20230110637A (ko) | 2021-03-26 | 2023-07-24 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 표시 장치의 제조 방법 |
| KR20230127298A (ko) | 2021-03-26 | 2023-08-31 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 필러 배열 필름 |
| WO2024070281A1 (ja) * | 2022-09-28 | 2024-04-04 | デクセリアルズ株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法、並びに接続フィルム及び接続フィルムの製造方法 |
| WO2024085024A1 (ja) * | 2022-10-21 | 2024-04-25 | 信越化学工業株式会社 | リフト方法及び受け取り基板 |
| US11990559B2 (en) | 2019-11-12 | 2024-05-21 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Method of manufacturing micro-light emitting diode-based display and micro-light emitting diode-based display |
| JP2024529241A (ja) * | 2021-06-17 | 2024-08-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Led製造プロセス用光吸収バリア |
| KR20240123431A (ko) | 2022-03-31 | 2024-08-13 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 접속 구조체 |
Families Citing this family (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11756937B2 (en) | 2017-02-13 | 2023-09-12 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Display apparatus and method of manufacturing the same |
| TWI755470B (zh) * | 2018-01-16 | 2022-02-21 | 優顯科技股份有限公司 | 導電薄膜、光電半導體裝置及其製造方法 |
| TWI642047B (zh) * | 2018-01-26 | 2018-11-21 | Flex Tek Co., Ltd. | 可撓性微發光二極體顯示模組 |
| CN118712183A (zh) * | 2018-02-01 | 2024-09-27 | 晶元光电股份有限公司 | 发光装置及其制造方法 |
| TWI665797B (zh) * | 2018-02-14 | 2019-07-11 | Uniflex Technology Inc. | 微發光二極體模組及其製法 |
| CN110197863B (zh) * | 2018-02-27 | 2021-04-23 | 富泰华工业(深圳)有限公司 | 发光二极体显示装置及像素安装方法 |
| CN110875345A (zh) * | 2018-08-31 | 2020-03-10 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | Led显示器件及其制造方法、led显示面板 |
| CN112639937B (zh) | 2018-09-05 | 2023-06-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置、显示模块、电子设备及显示装置的制造方法 |
| KR102768423B1 (ko) | 2018-09-07 | 2025-02-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기 |
| US11139342B2 (en) | 2018-09-26 | 2021-10-05 | Nitride Semiconductors Co., Ltd. | UV-LED and display |
| JP2020057749A (ja) * | 2018-09-26 | 2020-04-09 | ナイトライド・セミコンダクター株式会社 | Uv−led及びディスプレイ |
| CN113196366A (zh) | 2018-09-28 | 2021-07-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置的制造方法、显示装置的制造装置 |
| EP3644379B1 (en) * | 2018-10-24 | 2021-09-08 | Nitride Semiconductors Co., Ltd. | Uv-led and display |
| JP2020080383A (ja) * | 2018-11-13 | 2020-05-28 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 表示装置の製造方法及び製造装置 |
| TWI720418B (zh) * | 2019-01-31 | 2021-03-01 | 致伸科技股份有限公司 | 半導體發光單元及其封裝方法 |
| KR102702650B1 (ko) | 2019-02-28 | 2024-09-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치, 전자 장치 제조 방법, 및 발광 소자 전이 방법 |
| KR102659865B1 (ko) * | 2019-03-29 | 2024-04-24 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 모듈 및 디스플레이 모듈의 제조 방법 |
| CN109935677B (zh) * | 2019-04-01 | 2021-01-15 | 南京航空航天大学 | 一种白光led用荧光膜结构及制备方法 |
| KR102350347B1 (ko) * | 2019-04-26 | 2022-01-12 | ㈜ 엘프스 | 마이크로 led 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 페이스트, 이를 포함하는 마이크로 led 칩-회로기판 본딩 모듈 및 이의 제조방법 |
| KR102164171B1 (ko) * | 2019-04-26 | 2020-10-13 | (주)엘프스 | 미니 led 칩 본딩용 자가융착형 도전접속 페이스트, 이를 포함하는 미니 led 칩-회로기판 본딩 모듈 및 이의 제조방법 |
| KR102723703B1 (ko) * | 2019-05-28 | 2024-10-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법 |
| TWI732621B (zh) * | 2019-08-27 | 2021-07-01 | 明陽半導體股份有限公司 | 具有驅動機制的發光二極體裝置 |
| TW202114268A (zh) * | 2019-09-20 | 2021-04-01 | 進化光學有限公司 | 背接觸式全彩led顯示面板及其製造方法 |
| US12463077B2 (en) | 2019-10-31 | 2025-11-04 | Lextar Electronics Corporation | Method of manufacturing display device |
| TW202119652A (zh) * | 2019-10-31 | 2021-05-16 | 隆達電子股份有限公司 | 顯示裝置及其製造方法 |
| JP7641724B2 (ja) | 2019-11-12 | 2025-03-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 機能パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置 |
| US11610877B2 (en) | 2019-11-21 | 2023-03-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Functional panel, display device, input/output device, and data processing device |
| FR3104815B1 (fr) * | 2019-12-17 | 2023-08-25 | Thales Sa | Dispositif d'affichage couleur comportant une mosaique de paves de micro-diodes electroluminescentes |
| JPWO2021193182A1 (ja) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | ||
| WO2021193183A1 (ja) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | デンカ株式会社 | 蛍光体粒子、複合体、発光装置および自発光型ディスプレイ |
| CN113707648A (zh) * | 2020-05-06 | 2021-11-26 | 北京芯海视界三维科技有限公司 | 显示模组及显示面板 |
| KR102765516B1 (ko) * | 2020-05-14 | 2025-02-12 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 모듈 및 디스플레이 모듈의 제조 방법 |
| CN113851502A (zh) * | 2020-06-10 | 2021-12-28 | 华为机器有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法 |
| FR3118292A1 (fr) * | 2020-12-17 | 2022-06-24 | Aledia | Dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes tridimensionnelles de type axial |
| FR3118291B1 (fr) * | 2020-12-17 | 2023-04-14 | Aledia | Dispositif optoélectronique à diodes électroluminescentes tridimensionnelles de type axial |
| US12154936B2 (en) * | 2021-02-02 | 2024-11-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display module and manufacturing method thereof |
| US11631715B2 (en) * | 2021-03-11 | 2023-04-18 | Lumileds Llc | Monolithic multi-color matrix emitter with patterned phosphor layer |
| TWI792424B (zh) * | 2021-07-16 | 2023-02-11 | 國立中正大學 | 微型顯示面板結構 |
| CN116266586A (zh) * | 2021-12-16 | 2023-06-20 | 抱朴科技股份有限公司 | 具有高散热性的发光二极管封装结构及其制作方法 |
| KR20250065828A (ko) * | 2022-09-13 | 2025-05-13 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 마스크 및 마스크의 제조 방법, 그리고 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치 |
| CN115528149B (zh) * | 2022-10-21 | 2025-11-28 | 绍兴君万微电子科技有限公司 | 一种蓝宝石衬底不剥离的Micro-LED微型显示器件及其制备方法 |
| CN115939116A (zh) * | 2022-11-29 | 2023-04-07 | 友达光电股份有限公司 | 显示装置及其制造方法 |
| CN119092503B (zh) * | 2023-06-06 | 2026-02-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光组件、显示面板及发光组件的制备方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11320962A (ja) * | 1998-05-19 | 1999-11-24 | Canon Inc | Led露光ヘッド |
| JP2003243715A (ja) * | 2002-02-15 | 2003-08-29 | Hitachi Ltd | 白色光源及びそれを用いた画像表示装置 |
| JP2005039129A (ja) * | 2003-07-17 | 2005-02-10 | Sony Corp | 光源装置およびその製造方法、面発光装置、ならびに画像情報読取装置 |
| JP2008262993A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Nikon Corp | 表示装置 |
| JP2014183109A (ja) * | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子保持構造体 |
| JP2014212320A (ja) * | 2013-04-19 | 2014-11-13 | 隆達電子股▲ふん▼有限公司 | Ledディスプレイ及びその製造方法 |
| JP2015056654A (ja) * | 2013-09-10 | 2015-03-23 | 菱生精密工業股▲分▼有限公司 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US20150255505A1 (en) * | 2014-03-05 | 2015-09-10 | Lg Electronics Inc. | Display device using semiconductor light emitting device |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3491595B2 (ja) * | 2000-02-25 | 2004-01-26 | ソニーケミカル株式会社 | 異方導電性接着フィルム |
| WO2009069671A1 (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-04 | Nichia Corporation | 発光装置及びその製造方法 |
| US8888438B2 (en) * | 2008-10-08 | 2014-11-18 | Glenn L. Beane | Moment of inertia system for producing energy through the action of wind |
| JP5916334B2 (ja) * | 2011-10-07 | 2016-05-11 | デクセリアルズ株式会社 | 異方性導電接着剤及びその製造方法、発光装置及びその製造方法 |
| KR101452768B1 (ko) * | 2012-08-21 | 2014-10-21 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 |
| KR101476686B1 (ko) * | 2013-04-01 | 2014-12-26 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 |
| JP6519311B2 (ja) * | 2014-06-27 | 2019-05-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
-
2016
- 2016-03-02 JP JP2016040529A patent/JP2017157724A/ja active Pending
-
2017
- 2017-02-17 TW TW106105253A patent/TW201735391A/zh unknown
- 2017-02-20 WO PCT/JP2017/006199 patent/WO2017150257A1/ja not_active Ceased
- 2017-02-20 US US16/081,673 patent/US20190244937A1/en not_active Abandoned
- 2017-02-20 CN CN201780013513.8A patent/CN108701743A/zh active Pending
- 2017-02-20 KR KR1020187023995A patent/KR20180104071A/ko not_active Ceased
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11320962A (ja) * | 1998-05-19 | 1999-11-24 | Canon Inc | Led露光ヘッド |
| JP2003243715A (ja) * | 2002-02-15 | 2003-08-29 | Hitachi Ltd | 白色光源及びそれを用いた画像表示装置 |
| JP2005039129A (ja) * | 2003-07-17 | 2005-02-10 | Sony Corp | 光源装置およびその製造方法、面発光装置、ならびに画像情報読取装置 |
| JP2008262993A (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Nikon Corp | 表示装置 |
| JP2014183109A (ja) * | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子保持構造体 |
| JP2014212320A (ja) * | 2013-04-19 | 2014-11-13 | 隆達電子股▲ふん▼有限公司 | Ledディスプレイ及びその製造方法 |
| JP2015056654A (ja) * | 2013-09-10 | 2015-03-23 | 菱生精密工業股▲分▼有限公司 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US20150255505A1 (en) * | 2014-03-05 | 2015-09-10 | Lg Electronics Inc. | Display device using semiconductor light emitting device |
Cited By (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019138949A (ja) * | 2018-02-06 | 2019-08-22 | 株式会社ブイ・テクノロジー | Ledディスプレイの製造方法 |
| WO2019155848A1 (ja) * | 2018-02-06 | 2019-08-15 | 株式会社ブイ・テクノロジー | Ledディスプレイの製造方法 |
| CN111684510A (zh) * | 2018-02-06 | 2020-09-18 | 株式会社V技术 | Led显示器的制造方法 |
| JP2019153812A (ja) * | 2018-02-13 | 2019-09-12 | ルーメンス カンパニー リミテッド | 多層フレキシブル回路基板を有するマイクロledモジュール |
| JP2021521625A (ja) * | 2018-03-14 | 2021-08-26 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co.,Ltd. | 複数のマイクロ発光ダイオードをターゲット基板に転写する方法、アレイ基板及びその表示装置 |
| JP7140315B2 (ja) | 2018-03-14 | 2022-09-21 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 | 複数のマイクロ発光ダイオードをターゲット基板に転写する方法 |
| US11387212B2 (en) | 2018-03-14 | 2022-07-12 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Method of transferring a plurality of micro light emitting diodes to a target substrate, array substrate and display apparatus thereof |
| KR102555243B1 (ko) * | 2018-04-27 | 2023-07-14 | 주식회사 루멘스 | 다층 연성 회로 기판을 갖는 마이크로 엘이디 모듈 |
| KR20190125084A (ko) * | 2018-04-27 | 2019-11-06 | 주식회사 루멘스 | 다층 연성 회로 기판을 갖는 마이크로 엘이디 모듈 |
| US12087741B2 (en) | 2018-05-17 | 2024-09-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| WO2019220267A1 (ja) * | 2018-05-17 | 2019-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP7476409B2 (ja) | 2018-05-17 | 2024-04-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP2024098996A (ja) * | 2018-05-17 | 2024-07-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP7326257B2 (ja) | 2018-05-17 | 2023-08-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JPWO2019220267A1 (ja) * | 2018-05-17 | 2021-07-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| JP2023159147A (ja) * | 2018-05-17 | 2023-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| US11552228B2 (en) | 2018-08-17 | 2023-01-10 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component |
| JP2021533576A (ja) * | 2018-08-17 | 2021-12-02 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 光電子部品及び光電子部品を製造するための方法 |
| WO2020096415A1 (en) * | 2018-11-09 | 2020-05-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Mounting structure for mounting micro led |
| US11621381B2 (en) | 2018-11-09 | 2023-04-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Mounting structure for mounting micro LED |
| US11990559B2 (en) | 2019-11-12 | 2024-05-21 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Method of manufacturing micro-light emitting diode-based display and micro-light emitting diode-based display |
| KR20220137966A (ko) | 2020-03-10 | 2022-10-12 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 마이크로 led 칩을 갖는 리페어용 부품과 그 제조방법, 리페어 방법, 발광 장치 제조방법 및 발광 장치 |
| KR20230127298A (ko) | 2021-03-26 | 2023-08-31 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 필러 배열 필름 |
| KR20230110637A (ko) | 2021-03-26 | 2023-07-24 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 표시 장치의 제조 방법 |
| KR20230109182A (ko) | 2021-03-26 | 2023-07-19 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 필러 배열 필름 |
| JP2024529241A (ja) * | 2021-06-17 | 2024-08-06 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Led製造プロセス用光吸収バリア |
| JP7728370B2 (ja) | 2021-06-17 | 2025-08-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Led製造プロセス用光吸収バリア |
| JP2023035174A (ja) * | 2021-08-31 | 2023-03-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、およびディスプレイ |
| JP7723258B2 (ja) | 2021-08-31 | 2025-08-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置、およびディスプレイ |
| KR20240123431A (ko) | 2022-03-31 | 2024-08-13 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 접속 구조체 |
| WO2024070281A1 (ja) * | 2022-09-28 | 2024-04-04 | デクセリアルズ株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法、並びに接続フィルム及び接続フィルムの製造方法 |
| KR20250030952A (ko) | 2022-09-28 | 2025-03-05 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법, 그리고 접속 필름 및 접속 필름의 제조 방법 |
| WO2024085024A1 (ja) * | 2022-10-21 | 2024-04-25 | 信越化学工業株式会社 | リフト方法及び受け取り基板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108701743A (zh) | 2018-10-23 |
| KR20180104071A (ko) | 2018-09-19 |
| US20190244937A1 (en) | 2019-08-08 |
| TW201735391A (zh) | 2017-10-01 |
| WO2017150257A1 (ja) | 2017-09-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2017157724A (ja) | 表示装置及びその製造方法、並びに発光装置及びその製造方法 | |
| USRE46985E1 (en) | Display device using semiconductor light emitting device and method of fabricating the same | |
| KR101476686B1 (ko) | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 | |
| KR102060471B1 (ko) | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 | |
| US10340257B2 (en) | Display device using semiconductor light emitting device and fabrication method thereof | |
| KR101629268B1 (ko) | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 | |
| KR101968527B1 (ko) | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 | |
| CN112909038B (zh) | 超高分辨率MicroLED显示屏 | |
| KR20170048066A (ko) | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 | |
| JP2011233650A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JP6835962B2 (ja) | 半導体モジュール、表示装置、および半導体モジュールの製造方法。 | |
| KR20200105843A (ko) | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법 및 디스플레이 장치 | |
| JP2001298216A (ja) | 表面実装型の半導体発光装置 | |
| TW202025516A (zh) | 發光二極體顯示器 | |
| US20160276553A1 (en) | Light-emitting device | |
| US9059381B2 (en) | Light emitting device having wavelength converting layer and method of fabricating the same | |
| US20240105757A1 (en) | Pixel device and display apparatus having the same | |
| US11194089B2 (en) | Method for manufacturing light emitting module | |
| US10784418B2 (en) | Vertical type light emitting element having color conversion electrode part | |
| CN109037263A (zh) | 具有透光基材的微发光二极管显示模块及其制造方法 | |
| CN216389361U (zh) | Led芯片封装结构及led显示装置 | |
| KR102456888B1 (ko) | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 | |
| US20230411575A1 (en) | Display device and method for manufacturing same | |
| KR101082990B1 (ko) | 플렉시블 led 조명용 모듈 및 평판 디스플레이 장치 | |
| KR20190030482A (ko) | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190214 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200128 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200325 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20200602 |