JP2017163105A - 光半導体素子被覆シート、密着層−被覆層付光半導体素子およびその製造方法、密着層付光半導体素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】密着層の破損を抑制できるとともに、密着層が光半導体素子に対して確実に密着しながら、被覆層がその密着層を介して光半導体素子を確実に被覆することのできる光半導体素子被覆シート、密着層−被覆層付光半導体素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】光半導体素子被覆シート１は、ホットメルト樹脂組成物から形成され、光半導体素子２に密着可能な密着層３と、密着層３の上側に配置され、光半導体素子２を密着層３を介して被覆可能な被覆層４とを備える。剪断モード、周波数１Ｈｚ、および、昇温速度１０℃／分の測定条件にて動的粘弾性測定することにより得られる、６０℃以上９０℃以下の測定範囲のうちいずれかの測定温度において、被覆層４の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（４）が、密着層３の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（３）に比べて、低い。
【選択図】図１

Description

本発明は、光半導体素子被覆シート、密着層−被覆層付光半導体素子およびその製造方法、密着層付光半導体素子の製造方法、詳しくは、光半導体素子被覆シート、それを用いる密着層−被覆層付光半導体素子の製造方法、それにより得られる密着層−被覆層付光半導体素子、および、密着層付光半導体素子の製造方法に関する。

従来、蛍光層と、封止層とを順に備える蛍光封止シートによって、発光ダイオード素子を封止することが知られている（例えば、特許文献１参照。）。

特許文献１では、かかる蛍光封止シートによって発光ダイオード素子を封止する際には、封止層が発光ダイオード素子を埋設するように変形する一方、蛍光層が板形状を維持している。

また、特許文献１の実施例１〜実施例４の蛍光封止シートでは、蛍光層の２５℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、封止層の２５℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’より高く設定されている。

特開２０１３−２１４７１６号公報

しかし、特許文献１に記載の蛍光封止シートによって、発光ダイオード素子を封止するときには、発光ダイオード素子の発光面（電極面と反対側の面）の周端縁を被覆する蛍光層が千切れたり、あるいは、極度に薄くなる場合がある。その場合には、蛍光層が有する波長変換機能を十分に奏することができず、ひいては、発光効率が低下するという不具合がある。

また、特許文献１に記載の蛍光封止シートによれば、蛍光層が発光ダイオード素子の周側面を完全に被覆することができない場合がある。その場合には、蛍光封止シートの発光ダイオード素子に対する密着性が低下し、ひいては、発光ダイオード素子の信頼性が低下するという不具合がある。

本発明の目的は、密着層の破損を抑制できるとともに、密着層が光半導体素子に対して確実に密着しながら、被覆層がその密着層を介して光半導体素子を確実に被覆することのできる光半導体素子被覆シート、密着層−被覆層付光半導体素子およびその製造方法、密着層付光半導体素子の製造方法を提供することにある。

［１］本発明は、光半導体素子の被覆に用いられる光半導体素子被覆シートであり、ホットメルト樹脂組成物から形成され、光半導体素子に密着可能な密着層と、前記密着層の厚み方向一方側に配置され、前記光半導体素子を前記密着層を介して被覆可能な被覆層とを備え、剪断モード、周波数１Ｈｚ、および、昇温速度１０℃／分の測定条件にて動的粘弾性測定することにより得られる、６０℃以上９０℃以下の測定範囲のうちいずれかの測定温度において、前記被覆層の貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、前記密着層の前記貯蔵剪断弾性率Ｇ’に比べて、低いことを特徴とする光半導体素子被覆シートである。

この光半導体素子被覆シートは、６０℃以上９０℃以下の測定範囲のうちいずれかの測定温度において、被覆層の貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、密着層の貯蔵剪断弾性率Ｇ’に比べて、低い。そのため、この光半導体素子被覆シートを光半導体素子に対して、密着層が光半導体素子に密着し、被覆層が密着層を介して光半導体素子を被覆するように、６０℃以上、９０℃以下の温度で、熱プレスすれば、密着層の破損を抑制することができながら、密着層が光半導体素子に対して確実に密着することができるとともに、被覆層がその密着層を介して光半導体素子を確実に被覆することができる。

［２］本発明は、前記測定温度における前記被覆層の前記貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、２．５×１０^１Ｐａ以上、１．０×１０^３Ｐａ以下であることを特徴とする、上記［１］に記載の光半導体素子被覆シートである。

この光半導体素子被覆シートは、被覆層の貯蔵剪断弾性率Ｇ’が特定の上限以下であるので、被覆層が優れた保形性を有しながら、密着層の破損をより一層抑制することができる。また、この光半導体素子被覆シートは、被覆層の貯蔵剪断弾性率Ｇ’が特定の下限以上であるので、被覆層が優れた保形性を有する。

［３］本発明は、前記被覆層の厚みが、１００μｍ以上、１，０００μｍ以下であることを特徴とする、上記［１］または［２］に記載の光半導体素子被覆シートである。

この光半導体素子被覆シートは、被覆層の厚みが上記した範囲内にあるので、密着層の破損をより一層抑制できるとともに、密着層が光半導体素子に対してより一層確実に密着することができる。

［４］本発明は、前記被覆層が、シリコーン樹脂組成物から形成されていることを特徴とする、上記［１］〜［３］のいずれか一項に記載の光半導体素子被覆シートである。

この光半導体素子被覆シートでは、被覆層がシリコーン樹脂組成物から形成されているので、耐久性および透明性に優れる。

［５］本発明は、剥離層をさらに備え、前記剥離層の上に、前記被覆層と、前記密着層とを順に備えることを特徴とする、上記［１］〜［４］のいずれか一項に記載の光半導体素子被覆シートである。

この光半導体素子被覆シートは、剥離層を備えるので、被覆層および密着層の取扱性に優れる。

［６］本発明は、前記密着層の貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、２．０×１０^５以下であり、かつ、ｔａｎδが、０．９以上、１．０以下であることを特徴とする、上記［１］〜［５］のいずれか一項に記載の光半導体素子被覆シートである。

この光半導体素子被覆シートでは、密着層の貯蔵剪断弾性率Ｇ’およびｔａｎδが上記した範囲内にあるので、密着層の破損を抑制できるとともに、密着層が光半導体素子に対して確実に密着することができる。

［７］本発明は、前記密着層の厚みが、３０μｍ以上、２５０μｍ以下であることを特徴とする、上記［１］〜［６］のいずれか一項に記載の光半導体素子被覆シートである。

この光半導体素子被覆シートでは、密着層の厚みが上記した下限以上であるので、密着層の破損をより一層抑制することができる。また、この光半導体素子被覆シートでは、密着層の厚みが上記した上限以下あるので、密着層が光半導体素子に対してより一層確実に密着することができる。

［８］本発明は、前記ホットメルト樹脂組成物が、シリコーン樹脂を含有することを特徴とする、上記［１］〜［７］のいずれか一項に記載の光半導体素子被覆シートである。

この光半導体素子被覆シートは、ホットメルト樹脂組成物が、シリコーン樹脂を含有するので、耐久性および透明性に優れる。

［９］本発明は、前記ホットメルト樹脂組成物が、蛍光体を含有することを特徴とする、上記［１］〜［８］のいずれか一項に記載の光半導体素子被覆シートである。

この光半導体素子被覆シートでは、ホットメルト樹脂組成物が蛍光体を含有するので、密着層が蛍光体層として機能することができる。そのため、この光半導体素子被覆シートにより光半導体素子を被覆すれば、発光効率に優れる蛍光体層−被覆層付光半導体素子を得ることができる。

［１０］本発明は、上記［１］〜［９］のいずれか一項に記載の前記光半導体素子被覆シートを用意する工程（１）と、前記光半導体素子を用意する工程（２）と、前記光半導体素子被覆シートを前記光半導体素子に対して、前記密着層が前記光半導体素子に密着し、前記被覆層が前記密着層を介して前記光半導体素子を被覆するように、６０℃以上、９０℃以下の温度で、熱プレスする工程（３）とを備えることを特徴とする、密着層−被覆層付光半導体素子の製造方法である。

この製造方法は、上記した光半導体素子被覆シートを光半導体素子に対して、６０℃以上、９０℃以下の温度で、熱プレスする工程（３）を備えるので、密着層の破損を抑制できるとともに、密着層が光半導体素子に対して確実に密着しながら、被覆層がその密着層を介して光半導体素子を確実に被覆することができる。その結果、発光効率に優れるとともに、信頼性に優れる密着層−被覆層付光半導体素子を製造することができる。

［１１］本発明は、上記［１０］に記載の密着層−被覆層付光半導体素子の製造方法により密着層−被覆層付光半導体素子を製造する工程と、前記被覆層を前記密着層から剥離する工程とを備えることを特徴とする、密着層付光半導体素子の製造方法である。

この製造方法は、被覆層を密着層から剥離する工程を備えるので、被覆層を剥離しない密着層−被覆層付光半導体素子に比べて、構成が簡単な密着層付光半導体素子を製造することができる。

［１２］本発明は、光半導体素子と、前記光半導体素子に密着している密着層と、前記光半導体素子を前記密着層を介して被覆している被覆層とを備え、前記光半導体素子は、発光層が設けられる発光面、前記発光面に対向し、電極が設けられる電極面、および、前記発光面と前記電極面との周端縁を連結する連結面を有し、前記密着層は、前記発光面を被覆する第１部分と、前記連結面を被覆し、前記第１部分の周端縁に連続する第２部分と、前記第２部分における、前記第１部分の前記周端縁に連続する一端部と反対側に位置する他端部から、前記光半導体素子から離れる方向に向かって突出する突出部分とを有することを特徴とする、密着層−被覆層付光半導体素子である。

この密着層−被覆層付光半導体素子では、密着層が、突出部分を備えるので、密着層−被覆層付光半導体素子を基板に実装するときに、突出部分が基板に対して密着することができる。そのため、突出部がない密着層−被覆層付光半導体素子に比べて、信頼性に優れる発光装置を得ることができる。

［１３］本発明は、前記被覆層は、前記第１部分を被覆する第３部分と、前記第３部分に連続し、前記第２部分および前記突出部分の両方を被覆する第４部分とを有していることを特徴とする、上記［１２］に記載の密着層−被覆層付光半導体素子である。

この密着層−被覆層付光半導体素子では、被覆層が第４部分を有するので、突出部分を確実に補強することができる。そのため、密着層−被覆層付光半導体素子は、信頼性に優れる。

［１４］本発明は、前記光半導体素子が、前記離れる方向に互いに間隔を隔てて複数配置されており、互いに隣接する前記光半導体素子に対応する前記突出部分が、連続していることを特徴とする、上記［１２］または［１３］に記載の密着層−被覆層付光半導体素子である。

また、この密着層−被覆層付光半導体素子では、互いに隣接する複数の光半導体素子に対応する突出部分が、連続しているので、複数の光半導体素子に対応する突出する部分が連続しない密着層−被覆層付光半導体素子に比べて、構成を簡単にすることができる。

本発明の光半導体素子被覆シートによれば、密着層の破損を抑制することができながら、密着層が光半導体素子に対して確実に密着することができるとともに、被覆層がその密着層を介して光半導体素子を確実に被覆することができる。

本発明の密着層−被覆層付光半導体素子の製造方法によれば、発光効率に優れるとともに、信頼性に優れる密着層−被覆層付光半導体素子を製造することができる。

本発明の密着層付光半導体素子の製造方法は、密着層−被覆層付光半導体素子に比べて、構成が簡単な密着層付光半導体素子を製造することができる。

本発明の密着層−被覆層付光半導体素子によれば、突出部がない密着層−被覆層付光半導体素子に比べて、信頼性に優れる発光装置を得ることができる。

図１Ａ〜図１Ｄは、本発明の光半導体素子被覆シートの一実施形態を用いて密着層−被覆層付光半導体素子を製造する方法およびそれにより得られる密着層−被覆層付光半導体素子を用いて発光装置を製造する方法の工程図であり、図１Ａが、光半導体素子被覆シートを用意する工程（１）、および、素子部材を用意する工程（２）、図１Ｂが、光半導体素子被覆シートおよび素子部材を熱プレスする工程（３）、図１Ｃが、複数の密着層−被覆層付光半導体素子を個片化し、それぞれをピックアップする工程、図１Ｄが、密着層−被覆層付光半導体素子を基板に実装する工程を示す。 図２Ａ〜図２Ｄは、図１Ａ〜図１Ｄに示す一実施形態の変形例（光半導体素子被覆シートが中間層を備える態様）の工程図であり、図２Ａが、光半導体素子被覆シートを用意する工程（１）、および、素子部材を用意する工程（２）、図２Ｂが、光半導体素子被覆シートおよび素子部材を熱プレスする工程（３）、図２Ｃが、複数の密着層−被覆層付光半導体素子を個片化し、それぞれをピックアップする工程、図２Ｄが、密着層−被覆層付光半導体素子を基板に実装する工程を示す。 図３Ａ〜図３Ｄは、図１Ａ〜図１Ｄに示す一実施形態の変形例（光半導体素子被覆シートが表面層を備える態様）の工程図であり、図３Ａが、光半導体素子被覆シートを用意する工程（１）、および、素子部材を用意する工程（２）、図３Ｂが、光半導体素子被覆シートおよび素子部材を熱プレスする工程（３）、図３Ｃが、複数の密着層−被覆層付光半導体素子を個片化し、それぞれをピックアップする工程、図３Ｄが、密着層−被覆層付光半導体素子を基板に実装する工程を示す。 図４Ａ〜図４Ｄは、図１Ａ〜図１Ｄに示す一実施形態の変形例（光半導体素子被覆シートが複数の密着層を備える態様）の工程図であり、図４Ａが、光半導体素子被覆シートを用意する工程（１）、および、素子部材を用意する工程（２）、図４Ｂが、光半導体素子被覆シートおよび素子部材を熱プレスする工程（３）、図４Ｃが、複数の密着層−被覆層付光半導体素子を個片化し、それぞれをピックアップする工程、図４Ｄが、密着層−被覆層付光半導体素子を基板に実装する工程を示す。 図５Ａ〜図５Ｄは、図１Ａ〜図１Ｄに示す一実施形態の変形例（密着層−被覆層付光半導体素子が突出部分を有しない態様）の工程図であり、図５Ａが、光半導体素子被覆シートを用意する工程（１）、および、素子部材を用意する工程（２）、図５Ｂが、光半導体素子被覆シートおよび素子部材を熱プレスする工程（３）、図５Ｃが、複数の密着層−被覆層付光半導体素子を個片化し、それぞれをピックアップする工程、図５Ｄが、密着層−被覆層付光半導体素子を基板に実装する工程を示す。 図６Ａ〜図６Ｃは、本発明の密着層付光半導体素子の製造方法の一実施形態の工程図、および、密着層付光半導体素子を用いて発光装置を製造する方法の工程図であり、図６Ａが、被覆層を密着層から剥離する工程、図６Ｂが、複数の密着層付光半導体素子を個片化し、それぞれピックアップする工程、図６Ｃが、密着層付光半導体素子を基板に実装する工程を示す。 図７Ａ〜図７Ｃは、図１Ａ〜図１Ｄに示す一実施形態の変形例（光半導体素子被覆シートによって、基板に予め実装された光半導体素子を被覆する態様）の工程図であり、図７Ａが、光半導体素子被覆シートを用意する工程（１）、および、基板に予め実装された光半導体素子を用意する工程（２）、図７Ｂが、光半導体素子被覆シート、光半導体素子および基板を熱プレスする工程（３）、図７Ｃが、第２剥離層を被覆層から剥離する工程を示す。 図８は、比較例１の密着層−被覆層付光半導体素子において、千切れ部を有する密着層の拡大断面図である。 図９は、比較例１の密着層−被覆層付光半導体素子において、薄肉部を有する密着層の拡大断面図である。 図１０は、比較例１および２の密着層−被覆層付光半導体素子において、第２部分において周側面の全部を被覆しない非被覆部を有する密着層の拡大断面図である。 図１１は、実施例１０の密着層−被覆層付光半導体素子において、第２部分において周側面の下端部分を被覆しない非被覆部を有する密着層の拡大断面図である。

図１Ａ〜図１Ｄにおいて、紙面上下方向は、上下方向（第１方向、厚み方向の一例）であり、紙面上側が上側（第１方向一方側、厚み方向一方側の一例）、紙面下側が下側（第１方向他方側、厚み方向他方側）である。紙面左右方向は、左右方向（第１方向に直交する第２方向、光半導体素子から離れる方向の一例）であり、紙面左側が左側（第２方向一方側）、紙面右側が右側（第２方向他方側）である。紙厚方向は、前後方向（第１方向および第２方向に直交する第３方向、光半導体素子から離れる方向のさらなる一例）であり、紙面手前側が前側（第３方向一方側）、紙面奥側が後側（第３方向他方側）である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。

１．光半導体素子被覆シート
この光半導体素子被覆シート１は、図１Ｂに示すように、光半導体素子２（後述）を被覆するために用いられる。光半導体素子被覆シート１は、図１Ａに示すように、左右方向および前後方向に延びる略平板形状を有している。光半導体素子被覆シート１は、密着層３と、密着層３の上側（厚み方向一方側の一例）に配置される被覆層４とを備える。以下、各層について説明する。

１−１．密着層
密着層３は、光半導体素子２を直接被覆して密着することができる層である。密着層３は、光半導体素子被覆シート１の下部に配置されている。密着層３は、左右方向および前後方向に延びる略平板形状を有している。

密着層３は、ホットメルト樹脂組成物から形成されている。ホットメルト樹脂組成物は、ホットメルト樹脂を含有している。

ホットメルト樹脂としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられ、好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる。

具体的には、ホットメルト樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。熱硬化性樹脂としては、好ましくは、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられ、より好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。

そのようなシリコーン樹脂としては、例えば、特表２０１５−５１０２５７号公報、特表２０１５−５１３３２８公報、国際公開第２０１３／１０１６７４号などに記載のシリコーン樹脂が挙げられる。

シリコーン樹脂は、市販品を用いることができ、例えば、ＬＦ−１０２０（東レ・ダウコーニング社製）などが挙げられる。

また、ホットメルト樹脂組成物は、蛍光体を含有することができる。

蛍光体としては、例えば、黄色蛍光体、赤色蛍光体などが挙げられる。黄色蛍光体としては、例えば、ＹＡＧ：Ｃｅなどのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体などが挙げられる。赤色蛍光体としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ_３：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ_２：Ｅｕなどの窒化物蛍光体などが挙げられる。蛍光体として、好ましくは、黄色蛍光体、より好ましくは、ガーネット型蛍光体が挙げられる。

蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。蛍光体の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下でもある。

蛍光体は、単独使用または併用することができる。

蛍光体の配合割合は、ホットメルト樹脂成物に対して、例えば、５質量％以上、好ましくは、１０質量％以上であり、また、例えば、８５質量％以下、好ましくは、７５質量％以下である。なお、ホットメルト樹脂の配合割合は、上記した蛍光体の配合割合の残部である。なお、ホットメルト樹脂の配合割合は、容量基準で、ホットメルト組成物に対して、例えば、４０容量％以上、好ましくは、５５容量％以上であり、また、例えば、９９容量％以下、好ましくは、９７容量％以下である。

なお、ホットメルト樹脂組成物は、必要により、さらに、フィラー（後述）を含有することもできる。フィラーの含有割合は、用途および目的により、適宜設定される。

密着層３を調製するには、ホットメルト樹脂と、必要により、蛍光体（およびフィラー）とを配合して、ホットメルト樹脂組成物のワニスを調製し、続いて、それを、仮想線で示す第１剥離層６の表面に塗布する。

その後、必要により、被覆組成物を、加熱する。

密着層３の厚みＴ１は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。

密着層３の厚みＴ１が上記した下限以上であれば、密着層３の欠損部分（図８における符号１０１）などの破損を抑制することができる。

一方、密着層３の厚みＴ１が上記した上限以下であれば、密着層３が光半導体素子２に対してより一層確実に密着することができる。これとともに、密着層３は、優れた放熱性（光半導体素子２から放出される熱を効率よく拡散させる性質）を確保することができ、ひいては、後述する密着層−被覆層付光半導体素子１５（図１Ｂおよび図１Ｃ参照）（さらには、発光装置２０（図１Ｄ参照））の発光効率を向上させることができる。

１−２．被覆層
被覆層４は、図１Ｂに示すように、光半導体素子２を密着層３を介して被覆することができる層である。被覆層４は、図１Ａに示すように、密着層３の上、具体的には、密着層３の上面全面に配置されている。被覆層４は、左右方向および前後方向に延びる略平板形状を有している。

被覆層４は、被覆組成物から形成されている。被覆組成物は、樹脂を含有している。

樹脂としては、例えば、上記した熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられ、好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる。

熱硬化性樹脂は、Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂であって、例えば、２段反応硬化性樹脂、１段反応硬化性樹脂が挙げられる。

熱硬化性樹脂としては、例えば、２段反応硬化性樹脂、１段反応硬化性樹脂が挙げられる。

２段反応硬化性樹脂は、２つの反応機構を有しており、第１段の反応で、Ａステージ状態からＢステージ化（半硬化）し、次いで、第２段の反応で、Ｂステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる。つまり、２段反応硬化性樹脂は、適度の加熱条件によりＢステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。Ｂステージ状態は、熱硬化性樹脂が、液状であるＡステージ状態と、完全硬化したＣステージ状態との間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、圧縮弾性率がＣステージ状態の弾性率よりも小さい半固体状態または固体状態である。

１段反応硬化性樹脂は、１つの反応機構を有しており、第１段の反応で、Ａステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる。このような１段反応硬化性樹脂は、第１段の反応の途中で、その反応が停止して、Ａステージ状態からＢステージ状態となることができ、その後のさらなる加熱によって、第１段の反応が再開されて、Ｂステージ状態からＣステージ化（完全硬化）することができる熱硬化性樹脂である。つまり、かかる熱硬化性樹脂は、Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂である。そのため、１段反応硬化性樹脂は、１段の反応の途中で停止するように制御できず、つまり、Ｂステージ状態となることができず、一度に、Ａステージ状態からＣステージ化（完全硬化）する熱硬化性樹脂を含まない。

熱硬化性樹脂として、好ましくは、Ｂステージ状態となることができる熱硬化性樹脂が挙げられる。

具体的には、熱硬化性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。熱硬化性樹脂としては、好ましくは、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられ、より好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。

上記した熱硬化性樹脂は、同一種類または複数種類のいずれでもよい。

シリコーン樹脂としては、透明性、耐久性、耐熱性、耐光性の観点から、例えば、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物などのシリコーン樹脂組成物が挙げられ、好ましくは、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物が挙げられる。シリコーン樹脂は、単独で使用してもよく、あるいは、併用することもできる。

付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、１段反応硬化性樹脂であって、例えば、アルケニル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンと、ヒドロシリル化触媒とを含有する。

アルケニル基含有ポリシロキサンは、分子内に２個以上のアルケニル基および／またはシクロアルケニル基を含有する。アルケニル基含有ポリシロキサンは、具体的には、下記平均組成式（１）で示される。

平均組成式（１）：
Ｒ^１ _ａＲ^２ _ｂＳｉＯ_{（４−ａ−ｂ）／２}
（式中、Ｒ^１は、炭素数２〜１０のアルケニル基および／または炭素数３〜１０のシクロアルケニル基を示す。Ｒ^２は、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ａは、０．０５以上、０．５０以下であり、ｂは、０．８０以上、１．８０以下である。）
式（１）中、Ｒ^１で示されるアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基などの炭素数２〜１０のアルケニル基が挙げられる。Ｒ^１で示されるシクロアルケニル基としては、例えば、シクロヘキセニル基、ノルボルネニル基などの炭素数３〜１０のシクロアルケニル基が挙げられる。

Ｒ^１として、好ましくは、アルケニル基、より好ましくは、炭素数２〜４のアルケニル基、さらに好ましくは、ビニル基が挙げられる。

Ｒ^１で示されるアルケニル基は、同一種類または複数種類のいずれでもよい。

Ｒ^２で示される１価の炭化水素基は、アルケニル基およびシクロアルケニル基以外の非置換または置換の炭素原子数１〜１０の１価の炭化水素基である。

非置換の１価の炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ペンチル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基などの炭素数１〜１０のアルキル基、例えば、シクロプロピル、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの炭素数３〜６のシクロアルキル基、例えば、フェニル基、トリル基、ナフチル基などの炭素数６〜１０のアリール基、例えば、ベンジル基、ベンジルエチル基などの炭素数７〜８のアラルキル基が挙げられる。好ましくは、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基が挙げられ、より好ましくは、メチル基および／またはフェニル基が挙げられる。

一方、置換の１価の炭化水素基は、上記した非置換の１価の炭化水素基における水素原子を置換基で置換したものが挙げられる。

置換基としては、例えば、塩素原子などのハロゲン原子、例えば、グリシジルエーテル基などが挙げられる。

置換の１価の炭化水素基としては、具体的には、３−クロロプロピル基、グリシドキシプロピル基などが挙げられる。

１価の炭化水素基は、非置換および置換のいずれであってもよく、好ましくは、非置換である。

Ｒ^２で示される１価の炭化水素基は、同一種類または複数種類であってもよい。好ましくは、メチル基および／またはフェニル基が挙げられ、より好ましくは、メチル基およびフェニル基の併用が挙げられる。

ａは、好ましくは、０．１０以上、０．４０以下である。

ｂは、好ましくは、１．５以上、１．７５以下である。

アルケニル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、例えば、１００以上、好ましくは、５００以上であり、また、例えば、１０，０００以下、好ましくは、５，０００以下である。アルケニル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィーによって測定される標準ポリスチレンによる換算値である。

アルケニル基含有ポリシロキサンは、適宜の方法によって調製され、また、市販品を用いることもできる。

また、アルケニル基含有ポリシロキサンは、同一種類または複数種類であってもよい。

ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、例えば、分子内に２個以上のヒドロシリル基（ＳｉＨ基）を含有する。ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、具体的には、下記平均組成式（２）で示される。

平均組成式（２）：
Ｈ_ｃＲ^３ _ｄＳｉＯ_{（４−ｃ−ｄ）／２}
（式中、Ｒ^３は、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基および／またはシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｃは、０．３０以上、１．０以下であり、ｄは、０．９０以上、２．０以下である。）
式（２）中、Ｒ^３で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基は、式（１）のＲ^２で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基と同一のものが例示される。好ましくは、非置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、より好ましくは、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基が挙げられ、さらに好ましくは、メチル基および／またはフェニル基が挙げられる。

ｃは、好ましくは、０．５以下である。

ｄは、好ましくは、１．３以上、１．７以下である。

ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、例えば、１００以上、好ましくは、５００以上であり、また、例えば、１０，０００以下、好ましくは、５，０００以下である。ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフィーによって測定される標準ポリスチレンによる換算値である。

ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、適宜の方法によって調製され、また、市販品を用いることもできる。

また、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンは、同一種類または複数種類であってもよい。

上記した平均組成式（１）および平均組成式（２）中、Ｒ^２およびＲ^３の少なくともいずれか一方の炭化水素基は、好ましくは、フェニル基を含み、より好ましくは、Ｒ^２およびＲ^３の両方の炭化水素が、フェニル基を含む。なお、Ｒ^２およびＲ^３の少なくともいずれか一方の炭化水素基がフェニル基を含む場合には、付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、フェニル系シリコーン樹脂組成物とされる。

ヒドロシリル基含有ポリシロキサンの配合割合は、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基およびシクロアルケニル基のモル数の、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基のモル数に対する割合（アルケニル基およびシクロアルケニル基のモル数／ヒドロシリル基のモル数）が、例えば、１／３０以上、好ましくは、１／３以上、また、例えば、３０／１以下、好ましくは、３／１以下となるように、調整される。

ヒドロシリル化触媒は、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル化反応（ヒドロシリル付加）の反応速度を向上させる物質（付加触媒）であれば、特に限定されず、例えば、金属触媒が挙げられる。金属触媒としては、例えば、白金黒、塩化白金、塩化白金酸、白金−オレフィン錯体、白金−カルボニル錯体、白金−アセチルアセテートなどの白金触媒、例えば、パラジウム触媒、例えば、ロジウム触媒などが挙げられる。

ヒドロシリル化触媒の配合割合は、金属触媒の金属量（具体的には、金属原子）として、アルケニル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル基含有ポリシロキサンに対して、質量基準で、例えば、１．０ｐｐｍ以上であり、また、例えば、１０，０００ｐｐｍ以下、好ましくは、１，０００ｐｐｍ以下、より好ましくは、５００ｐｐｍ以下である。

付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、アルケニル基含有ポリシロキサン、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル化触媒を、上記した割合で配合することにより、調製される。

上記した付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、まず、アルケニル基含有ポリシロキサン、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル化触媒を配合することによって、Ａステージ（液体）状態として調製されて使用される。その後、反応が途中で停止することにより、Ｂステージ（半固体または固体）状態とされる。

上記したように、フェニル系シリコーン樹脂組成物は、所望条件の加熱により、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル化付加反応を生じ、その後、ヒドロシリル化付加反応が、一旦、停止する。これによって、Ａステージ状態からＢステージ（半硬化）状態となることができる。

その後、フェニル系シリコーン樹脂組成物は、さらなる所望条件の加熱により、上記したヒドロシリル化付加反応が再開されて、完結する。これによって、Ｂステージ状態からＣステージ（完全硬化）状態となることができる。

この際の加熱では、一旦、軟化して、再度、硬化する。

縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、２段反応硬化性樹脂であって、具体的には、例えば、特開２０１０−２６５４３６号公報、特開２０１３−１８７２２７号公報などに記載される第１〜第８の縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物、例えば、特開２０１３−０９１７０５号公報、特開２０１３−００１８１５号公報、特開２０１３−００１８１４号公報、特開２０１３−００１８１３号公報、特開２０１２−１０２１６７号公報などに記載されるかご型オクタシルセスキオキサン含有シリコーン樹脂組成物などが挙げられる。なお、縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物は、固体状であって、熱可塑性および熱硬化性を併有する。縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物として、好ましくは、第１〜第８の縮合・付加反応硬化型シリコーン樹脂組成物が挙げられ、より好ましくは、特開２０１０−２６５４３６号公報に開示されるメチル系シリコーン樹脂組成物が挙げられる。

被覆組成物は、必要により、フィラーを含有することができる。

フィラーとしては、例えば、無機粒子、有機粒子などが挙げられる。

無機粒子としては、例えば、シリカ、タルク、アルミナ、酸化ホウ素、酸化カルシウム、酸化亜鉛、酸化ストロンチウム、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化バリウム、酸化アンチモンなどの酸化物、例えば、窒化アルミニウム、窒化ケイ素などの窒化物などの無機物粒子（無機物）が挙げられる。また、無機粒子として、例えば、上記例示の無機物から調製される複合無機物粒子が挙げられ、具体的には、酸化物から調製される複合無機酸化物粒子（具体的には、ガラス粒子など）が挙げられる。

有機粒子の有機材料としては、例えば、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、アクリル−スチレン系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ベンゾグアナミン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂などが挙げられる。

フィラーは、単独使用または併用することができる。

フィラーとして、好ましくは、無機粒子、より好ましくは、複合無機酸化物粒子が挙げられる。

フィラーの含有割合は、被覆組成物に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、５質量％以上、より好ましくは、１０質量％以上であり、また、例えば、８０質量％以下、好ましくは、６０質量％以下である。フィラーの含有割合は、樹脂１００質量部に対して、例えば、１質量部以上、好ましくは、５質量部以上であり、例えば、５００質量部以下、好ましくは、２５０質量部以下である。

また、被覆組成物は、用途および目的により、必要により、蛍光体を適宜の割合で含有することができる。

被覆層４を調製するには、例えば、上記した樹脂と、必要により配合されるフィラー（および蛍光体）とを配合して、被覆組成物のワニスを調製し、続いて、それを、第２剥離層５の表面に塗布する。次いで、被覆組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、被覆組成物を、Ｂステージ化する。具体的には、被覆組成物を、加熱（ベイク）する。

加熱温度は、被覆組成物の組成によって適宜設定され、具体的には、例えば、５０℃以上、好ましくは、７０℃以上であり、また、例えば、１２０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。加熱時間は、例えば、２．５分以上、好ましくは、５．５分以上であり、また、例えば、４時間以下、好ましくは、１時間以下である。

これにより、被覆層４を調製する。

被覆層４の厚みＴ２は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上であり、また、例えば、５，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。

被覆層４の厚みＴ２が上記した範囲内であれば、光半導体素子被覆シート１によって光半導体素子２を被覆するときに、密着層３の欠損部分などの破損（図８における符号１０１）をより一層抑制できるとともに、密着層３が光半導体素子２に対してより一層確実に密着することができる。

被覆層４の厚みＴ２の、密着層３の厚みＴ１に対する比（Ｔ２／Ｔ１）は、例えば、０．１以上、好ましくは、１．１以上、より好ましくは、２．０以上であり、また、例えば、５０．０以下、好ましくは、１５．０以下、より好ましくは、１０．０以下である。

１−３．密着層および被覆層の動的粘弾性
剪断モード、周波数１Ｈｚ、および、昇温速度１０℃／分の測定条件にて動的粘弾性測定することにより得られる、６０℃以上９０℃以下の測定範囲のうちいずれかの測定温度において、被覆層４の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（４）が、密着層３の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（３）に比べて、低い。

上記した温度において、被覆層４の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（４）が、密着層３の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（３）に比べて、高い場合、あるいは、同じ場合には、図８に示すように、光半導体素子被覆シート１によって光半導体素子２を被覆するときに、密着層３が欠損している欠損部分１０１（図８参照）などの破損を抑制することができない。また、図９に示すような密着層３における発光面８の中央部を被覆する部分、および／または、周側面９を被覆する部分の厚みに比べて、薄く形成される薄肉部１０２の形成を抑制することができない。さらに、光半導体素子被覆シート１によって光半導体素子２を被覆するときに、図１０および図１１に示すように、密着層３が光半導体素子２に対して確実に密着できず、具体的には、密着層３が周側面９に対して接触しない非接触部１０３が形成されてしまう。

一方、上記した温度において、被覆層４の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（４）が、密着層３の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（３）に比べて、低いと、光半導体素子被覆シート１によって光半導体素子２を被覆するときに、密着層３の欠損部分などの破損を抑制できるとともに、密着層３が光半導体素子２に対して確実に密着しながら、被覆層４がその密着層３を介して光半導体素子２を確実に被覆することができる。

好ましくは、９０℃において、被覆層４の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（４）が、密着層３の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（３）に比べて、低い。

６０℃以上９０℃以下の測定範囲のうちいずれかの測定温度、具体的には、９０℃において、被覆層４の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（４）の、密着層３の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（３）に対する比Ｒ（被覆層４の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（４）／密着層３の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（３））は、例えば、１．０００未満、好ましくは、０．１００以下、より好ましくは、０．０１０以下、さらに好ましくは、０．００５以下であり、また、例えば、０超過、好ましくは、０．００１以上である。

比Ｒが上記した下限を上回れば、光半導体素子被覆シート１によって光半導体素子２を被覆するときに、密着層３の光半導体素子２に対する密着性を向上させることができる。一方、比Ｒが上記した上限を下回れば、光半導体素子被覆シート１によって光半導体素子２を被覆するときに、密着層３の欠損部分１０１（図８参照）などの破損をより一層有効に抑制することができる。

上記した動的粘弾性測定において、被覆層４の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（４）の測定温度は、例えば、密着層３の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（３）の測定温度と同一である。

そして、６０℃以上９０℃以下の測定範囲のうちいずれかの測定温度、具体的には、９０℃において、密着層３の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（３）は、例えば、１．０×１０^４Ｐａ以上、好ましくは、９．０×１０^４Ｐａ以上であり、また、例えば、１．０×１０^６Ｐａ以下、好ましくは、２．０×１０^５Ｐａ以下である。

密着層３の動的粘弾性測定において上記した温度におけるｔａｎδは、例えば、０．８以上、好ましくは、０．９以上であり、例えば、１．０以下である。

密着層３において、貯蔵剪断弾性率Ｇ’（３）が上記した範囲内にあり、かつ、ｔａｎδが上記した範囲内であれば、密着層３の欠損部分１０１などの破損を抑制しながら、密着層３の光半導体素子２に対する密着性を向上させることができる。

また、６０℃以上９０℃以下の測定範囲のうちいずれかの測定温度、具体的には、９０℃において、被覆層４の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（４）は、例えば、１．０×１０^１Ｐａ以上、好ましくは、２．５×１０^１Ｐａ以上、より好ましくは、１．０×１０^２Ｐａ以上であり、また、例えば、１．０×１０^４Ｐａ以下、好ましくは、１．０×１０^３Ｐａ以下である。

被覆層４の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（４）が上記した下限以上であれば、被覆層４の保形性、ひいては、光半導体素子被覆シート１の取扱性を向上させることができる。

一方、被覆層４の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（４）が上記した上限以下であれば、光半導体素子被覆シート１によって光半導体素子２を被覆するときに密着層３の欠損部分１０１などの破損（図８参照）を抑制できるとともに、密着層３が光半導体素子２に対してより一層確実に密着しながら、被覆層４がその密着層３を介して光半導体素子２をより一層確実に被覆することのできる。

１−４．剥離層
光半導体素子被覆シート１は、さらに、第１剥離層６、および、剥離層の一例としての第２剥離層５を備える。

第１剥離層６は、光半導体素子被覆シート１を使用（具体的には、光半導体素子２を被覆）するまでの間、密着層３を保護する保護層である。第１剥離層６は、光半導体素子被覆シート１の下部（最下部）に配置されている。第１剥離層６は、光半導体素子被覆シート１の下面を形成している。第１剥離層６は、密着層３の下、具体的には、密着層３の下面全面に配置されている。第１剥離層６は、左右方向および前後方向に延びる略平板形状を有している。

第２剥離層５は、光半導体素子被覆シート１を使用するまでの間、被覆層４を保護する保護層である。第２剥離層５は、光半導体素子被覆シート１の上部（最上部）に配置されている。第２剥離層５は、光半導体素子被覆シート１の上面を形成している。第２剥離層５は、被覆層４の上、具体的には、被覆層４の上面全面に配置されている。第２剥離層５は、左右方向および前後方向に延びる略平板形状を有している。

第２剥離層５は、後述する工程（３）の熱プレスにおいても、実質的に変形しない層である。

第１剥離層６および第２剥離層５は、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴなど）などのポリマーまたは金属から、シート状に形成されている。第１剥離層６および第２剥離層５の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、２，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。

１−５．光半導体素子被覆シートの製造
光半導体素子被覆シート１を製造するには、まず、被覆組成物のワニスを調製し、続いて、これを第２剥離層５の表面に塗布する。その後、被覆組成物が熱硬化性樹脂を含有する場合には、被覆組成物を、Ｂステージ化する。具体的には、被覆組成物を、加熱する。

加熱温度は、例えば、５０℃以上、好ましくは、７０℃以上であり、また、例えば、１２０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。加熱時間は、例えば、５分以上、好ましくは、１０分以上であり、また、例えば、２０分以下、好ましくは、１５分以下である。

これによって、被覆層４を第２剥離層５の表面に形成する。

別途、ホットメルト樹脂組成物のワニスを調製し、続いて、これを、第１剥離層６の表面に塗布し、乾燥することにより、密着層３を得る。

その後、密着層３を被覆層４の表面に積層する。具体的には、密着層３を被覆層４に貼り合わせる。

これによって、第２剥離層５と、被覆層４と、密着層３と、第１剥離層６とを順次備える光半導体素子被覆シート１を製造する。

この光半導体素子被覆シート１は、好ましくは、第２剥離層５と、被覆層４と、密着層３と、第１剥離層６とのみからなる。光半導体素子被覆シート１は、次に説明する光半導体素子２を含まず、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。

また、光半導体素子被覆シート１は、使用時には、第１剥離層６を剥離することから、予め、第１剥離層６を剥離した状態で、流通することもできる。つまり、光半導体素子被覆シート１は、例えば、第２剥離層５と、被覆層４と、密着層３とを備えることもできる。好ましくは、光半導体素子被覆シート１は、第２剥離層５と、被覆層４と、密着層３とのみからなる。このような光半導体素子被覆シート１も、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。

２．密着層−被覆層付光半導体素子の製造方法
次に、光半導体素子被覆シート１を用いて密着層−被覆層付光半導体素子１５を製造する方法を、図１Ａ〜図１Ｃを参照して説明する。

この方法は、光半導体素子被覆シート１を用意する工程（１）（図１Ａ参照）と、光半導体素子２を用意する工程（２）（図１Ａ参照）と、光半導体素子被覆シート１を光半導体素子２に対して、密着層３が光半導体素子２に密着し、被覆層４が密着層３を介して光半導体素子２を被覆するように、熱プレスする工程（３）（図１Ｂ参照）とを備える。以下、各工程について説明する。

２−１．工程（１）
工程（１）では、図１Ａに示すように、第２剥離層５、被覆層４、密着層３および第１剥離層６を備える光半導体素子被覆シート１を用意する。

２−２．工程（２）
工程（２）を、工程（１）とは別途、実施する。工程（２）では、光半導体素子２を用意する。

具体的には、光半導体素子２を、素子部材１８に備える。つまり、光半導体素子２と、光半導体素子２を仮固定する仮固定シート１７とを備える素子部材１８を用意する。

光半導体素子２は、例えば、電気エネルギーを光エネルギーに変換するＬＥＤやＬＤである。好ましくは、光半導体素子２は、青色光を発光する青色ＬＥＤ（発光ダイオード素子）である。一方、光半導体素子２は、光半導体素子とは技術分野が異なるトランジスタなどの整流器を含まない。

光半導体素子２は、仮固定シート１７の上において、前後方向および左右方向に互いに間隔を隔てて複数整列配置されている。複数の光半導体素子２のそれぞれは、前後方向および左右方向に沿う略平板形状を有している。また、光半導体素子２は、電極面７と、発光面８と、連結面の一例としての周側面９とを有している。

電極面７は、光半導体素子２における下面であって、図示しない電極が設けられる面である。

発光面８は、光半導体素子２における上面であって、電極面７に対して上側に間隔を隔てて対向配置されている。発光面８には、図示しない発光層が設けられている。

周側面９は、電極面７の周端縁と、発光面８の周端縁とを連結している。

光半導体素子２の寸法は、適宜設定されており、具体的には、厚み（高さ）が、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．２μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。光半導体素子２の左右方向長さおよび／または前後方向長さは、例えば、０．０５ｍｍ以上、好ましくは、０．１ｍｍ以上であり、また、例えば、１．０ｍｍ以下、好ましくは、０．８ｍｍ以下である。隣接する光半導体素子２の間の間隔（前後方向および／または左右方向における間隔）は、例えば、０．０５ｍｍ以上、好ましくは、０．１ｍｍ以上であり、また、例えば、１．０ｍｍ以下、好ましくは、０．８ｍｍ以下である。

仮固定シート１７は、支持基板２２と、支持基板２２に支持される感圧接着層２３とを備えている。

支持基板２２は、仮固定シート１７の下部に配置されている。支持基板２２は、前後方向および左右方向に延びる略平板形状を有している。支持基板２２としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴなど）などのポリマーフィルム、例えば、セラミックスシート、例えば、金属箔などが挙げられる。支持基板２２の厚みは、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、３００μｍ以上であり、また、例えば、２，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。

感圧接着層２３は、処理（例えば、活性エネルギー線の照射など）によって感圧接着力が低減するように構成される感圧接着剤組成物から、シート形状に形成されている。感圧接着層２３は、支持基板２２の上面全面に配置されており、前後方向および左右方向に延びる略平板形状を有している。

素子部材１８を用意するには、複数の光半導体素子２の電極面７を、素子部材１８の感圧接着層２３の上面に、互いに間隔を隔てて整列するように、載置（感圧接着）する。

２−３．工程（３）
工程（３）を、工程（２）の後に実施する。工程（３）では、図１Ｂに示すように、光半導体素子被覆シート１を光半導体素子２に対して、密着層３が光半導体素子２に密着し、被覆層４が密着層３を介して光半導体素子２を被覆するように、熱プレスする。

具体的には、まず、光半導体素子被覆シート１と、素子部材１８とを、プレス機１０に設置する。

プレス機１０は、熱源（図示せず）を備える熱プレス機である。プレス機１０は、下板１１と、下板１１の上側に配置され、下板１１に対して熱プレス可能に構成される上板１２とを備える。なお、下板１１の上面の周端部には、図示しない枠部材が設けられており、これによって、プレス時において、上板１２の下方への移動を調整することができる。

そして、まず、光半導体素子被覆シート１の第２剥離層５を上板１２の下面に設置する。その後、図１Ａの仮想線矢印で示すように、光半導体素子被覆シート１の第１剥離層６を密着層３から剥離して、密着層３を下方に露出させる。

別途、素子部材１８の支持基板２２を下板１１の上面に設置する。

これによって、光半導体素子被覆シート１における密着層３と、素子部材１８における複数の光半導体素子２とが、厚み方向（上下方向）において、互いに対向（面）する。

次いで、プレス機１０を用いて、光半導体素子被覆シート１および素子部材１８を熱プレスする。具体的には、上板１２に備えられる熱源（図示せず）によって光半導体素子被覆シート１を加熱しながら、上板１２を下板１１に向けてプレスする。

熱プレスにおける温度は、例えば、６０℃以上、好ましくは、８０℃以上であり、また、例えば、１００℃以下、好ましくは、９０℃以下である。

熱プレスの温度が上記した範囲内であれば、密着層３を構成するホットメルト樹脂を熱溶融させることができ、そのため、密着層３が、損傷することを抑制しながら、光半導体素子２の発光面８および周側面９を、確実に密着（直接接触）することができる。

このプレスでは、第１部分３１（後述）の厚みＴ３と、第３部分４３（後述）の厚みＴ４との総厚み（Ｔ３＋Ｔ４）が、例えば、１３０μｍ以上、好ましくは、１５０μｍ以上、また、例えば、１，２５０μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下となるように、上板１２の移動を制御する。上板１２の移動の制御は、図示しない枠部材の厚みによって、調整される。

プレス機１０の熱プレスによって、図１Ｂに示すように、光半導体素子被覆シート１において、密着層３がホットメルト樹脂組成物から形成されており、そして、被覆層４がＢステージのフェニル系シリコーン樹脂組成物から形成されている場合には、被覆層４が熱溶融するとともに、密着層３が熱溶融する。そのため、略平板形状であった密着層３の形状は、光半導体素子２の発光面８および周側面９に沿う形状に変化する。これとともに、略平坦面を有する、被覆層４の下面は、上記の密着層３の表面形状に対応して追従するように、変化する。つまり、被覆層４は、複数の光半導体素子２に対応する、下面が上方に向かって凹む凹部を有している。

具体的には、密着層３は、第１部分３１と、第２部分３２と、突出部分３３とを一体的に有する形状となる。

第１部分３１は、複数の発光面８のそれぞれを被覆している。また、第１部分３１は、好ましくは、複数の発光面８にわたって、均一な厚みを有している。

第２部分３２は、複数の周側面９を被覆し、複数の第１部分３１の周端縁に連続している。また、第２部分３２は、周側面９を、上下方向全体にわたって、被覆している。第２部分３２の厚みは、例えば、第１部分３１の厚みと同一である。

突出部分３３は、第２部分３２における、第１部分３１の周端縁に連続する一端部の一例としての上端部３４と反対側（下方）位置する他端部としての下端部３５から、光半導体素子２の前後左右方向外側（光半導体素子２から離れる方向の一例）に向かって突出している。また、互いに隣接する複数の光半導体素子２に対応する突出部分３３は、連続している。つまり、密着層３は、前後方向および左右方向（面方向）に連続するシート部分（ベース部分）（突出部分３３を含む部分）と、シート部分において、複数の光半導体素子２に対応して、面方向に互いに等間隔を隔てて整列配置され、上側に向かって出っ張る（あるいは凹む）複数の突部（第１部分３１および第２部分３２に対応する凸部）とを有する形状となっている。突出部分３３の厚みは、例えば、第２部分３２の厚みと同一である。

第１部分３１の厚みＴ３、第２部分３２の厚み、および、突出部分３３の厚みは、それぞれ、熱プレス前の密着層３の厚みＴ１と実質的に同一であり、具体的には、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。

被覆層４は、その下面が密着層３に追従しており、第３部分４３と、第４部分４４とを一体的に有する形状となる。

第３部分４３は、密着層３の第１部分３１を被覆している。第３部分４３は、第１部分３１の上面に位置している。

第４部分４４は、複数の第３部分４３に連続し、密着層３における第２部分３２および突出部分３３の両方を被覆している。第４部分４４は、互いに隣接する第２部分３２の間において、突出部分３３の上に位置している。

第３部分４３の厚みＴ４は、例えば、５０μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上であり、また、例えば、１２２０μｍ以下、好ましくは、９７０μｍ以下である。第４部分４４の厚みは、例えば、２３０μｍ以上、好ましくは、４５０μｍ以上であり、また、例えば、９００μｍ以下である。

また、第１部分３１の厚みＴ３と、第３部分４３の厚みＴ４との総厚み（Ｔ３＋Ｔ４、光半導体素子２の直上に位置する密着層３および被覆層４の総厚み）は、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、１００μｍ以上であり、また、例えば、５，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。

一方、第２剥離層５は、上記した熱プレスにおいて、実質的に変形しない。

これによって、第２剥離層５と、被覆層４と、密着層３と、複数の光半導体素子２とを備える密着層−被覆層付光半導体素子１５を、素子部材１８に仮固定された状態で得る。

その後、光半導体素子被覆シート１が熱硬化性樹脂を含有する場合には、密着層−被覆層付光半導体素子１５および素子部材１８を加熱して、熱硬化性樹脂を完全硬化（Ｃステージ化）させる。

（生成物）
被覆層４における被覆組成物がＢステージのフェニル系シリコーン樹脂組成物を含む場合において、フェニル系シリコーン樹脂組成物の反応（Ｃステージ化反応）では、アルケニル基含有ポリシロキサンのアルケニル基および／またはシクロアルケニル基と、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基とのヒドロシリル付加反応がさらに促進される。その後、アルケニル基および／またはシクロアルケニル基、あるいは、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンのヒドロシリル基が消失して、ヒドロシリル付加反応が完結することによって、Ｃステージのフェニル系シリコーン樹脂組成物の生成物、つまり、硬化物が得られる。つまり、ヒドロシリル付加反応の完結により、フェニル系シリコーン樹脂組成物において、硬化性（具体的には、熱硬化性）が発現する。

上記した生成物は、下記平均組成式（３）で示される。

平均組成式（３）：
Ｒ^５ _ｅＳｉＯ_{（４−ｅ）／２}
（式中、Ｒ^５は、フェニル基を含む、非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基（ただし、アルケニル基およびシクロアルケニル基を除く。）を示す。ｅは、０．５以上２．０以下である。）
Ｒ^５で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基としては、式（１）のＲ^２で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、および、式（２）のＲ^３で示される非置換または置換の炭素数１〜１０の１価の炭化水素基と同一のものが例示される。好ましくは、非置換の１価の炭化水素基、より好ましくは、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数６〜１０のアリール基が挙げられ、さらに好ましくは、フェニル基およびメチル基の併用が挙げられる。

ｅは、好ましくは、０．７以上、１．０以下である。

そして、生成物の平均組成式（３）のＲ^５におけるフェニル基の含有割合は、例えば、３０モル％以上、好ましくは、３５モル％以上であり、また、例えば、５５モル％以下、好ましくは、５０モル％以下である。

生成物の平均組成式（３）のＲ^５におけるフェニル基の含有割合は、生成物のケイ素原子に直接結合する１価の炭化水素基（平均組成式（３）においてＲ^５で示される）におけるフェニル基濃度である。

生成物の平均組成式（３）のＲ^５におけるフェニル基の含有割合は、^１Ｈ−ＮＭＲおよび^２９Ｓｉ−ＮＭＲにより算出される。Ｒ^５におけるフェニル基の含有割合の算出方法の詳細は、後述する実施例において記載され、また、例えば、ＷＯ２０１１／１２５４６３などの記載に基づいて、^１Ｈ−ＮＭＲおよび^２９Ｓｉ−ＮＭＲにより算出される。

２−４．その後の工程
この方法では、その後、密着層−被覆層付光半導体素子１５をプレス機１０から取り出す。

次いで、図１Ｂの上向き矢印で示すように、第２剥離層５を被覆層４から剥離する。

図１Ｃに示すように、その後、光半導体素子被覆シート１を、複数の光半導体素子２のそれぞれに対応して個片化する。具体的には、図１Ｃの太１点破線で示すように、複数の光半導体素子２に対応する第４部分４４および突出部分３３をダイシングソー３７によって切断（ダイシング）して、複数の密着層−被覆層付光半導体素子１５のそれぞれを個片化する。

これにより、１つの光半導体素子２、１つの密着層３、および、１つの被覆層４を備える密着層−被覆層付光半導体素子１５が、仮固定シート１７に仮固定された状態で、複数製造される。

複数の封止光半導体素子１１のそれぞれの寸法は、適宜設定されており、前後方向および／または左右方向における長さは、例えば、０．２５ｍｍ以上、好ましくは、０．６ｍｍ以上であり、また、例えば、２．５ｍ以下、好ましくは、２ｍｍ以下である。

その後、図示しないピックアップ装置などを用いて、図１Ｃの矢印で示すように、１つの密着層−被覆層付光半導体素子１５を仮固定シート１７から剥離する。具体的には、感圧接着層２３に処理（例えば、活性エネルギー線の照射など）を施した後、光半導体素子２の電極面７および突出部分３３の下面を、感圧接着層２３の上面から引き剥がす。

この密着層−被覆層付光半導体素子１５は、後述する発光装置２０（図１Ｄ参照）ではなく、つまり、発光装置２０に備えられる基板２９（図１Ｄ参照）を含んでいない。つまり、密着層−被覆層付光半導体素子１５は、発光装置２０の基板２９に備えられる端子（図示せず）とまだ電気的に接続されないように、構成されている。

つまり、電極面７と、突出部分３３の下面とは、下方に露出している。すなわち、電極面７と、突出部分３３の下面とは、面一であって、密着層−被覆層付光半導体素子１５の下面を形成している。

また、密着層−被覆層付光半導体素子１５は、発光装置２０（図１Ｄ参照）の一部品、すなわち、発光装置２０を作製するための部品であり、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。

その後、密着層−被覆層付光半導体素子１５を基板２９に実装（フリップチップ実装）して、発光装置２０を製造する。

基板２９は、左右方向および前後方向に延びる略平板形状を有している。基板２９は、その上面に、密着層−被覆層付光半導体素子１５の電極（図示せず）に対応する端子（図示せず）を備える。

これによって、基板２９と、それに実装される密着層−被覆層付光半導体素子１５とを備える発光装置２０を得る。発光装置２０は、好ましくは、基板２９と、密着層−被覆層付光半導体素子１５とのみからなる。突出部分３３は、基板２９の上面に密着している。

３．作用効果
そして、この光半導体素子被覆シート１は、６０℃以上９０℃以下の測定範囲のうちいずれかの測定温度において、被覆層４の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（４）が、密着層の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（３）に比べて、低い。そのため、図１Ｂに示すように、この光半導体素子被覆シート１を光半導体素子２に対して、密着層３が光半導体素子２に密着し、被覆層４が密着層３を介して光半導体素子２を被覆するように、上記した温度で、熱プレスすれば、図８に示すような密着層３の千切れ部１０１や、図９に示すような密着層３における薄肉部１０２の形成、つまり、密着層３の欠損部分１０１などの破損を抑制できる。これとともに、図１０および図１１に示すように、非接触部１０３を形成せず、密着層３が光半導体素子２に対して確実に密着することができながら、被覆層４がその密着層３を介して光半導体素子２を確実に被覆することができる。

また、この光半導体素子被覆シート１は、被覆層４の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（４）が上記した上限以下であれば、密着層３が優れた保形性を有しながら、密着層３の上記した破損をより一層抑制することができる。また、この光半導体素子被覆シート１は、被覆層４の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（４）が上記した下限以上であれば、密着層３が優れた保形性を有する。

また、この光半導体素子被覆シート１では、被覆層４の厚みＴ２が上記した範囲内にあれば、密着層３の上記した破損をより一層抑制できるとともに、密着層３が光半導体素子２に対してより一層確実に密着することができる。

また、この光半導体素子被覆シート１では、被覆層４がシリコーン樹脂組成物から形成されていれば、耐久性および透明性に優れる。

また、この光半導体素子被覆シート１では、密着層３の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（３）およびｔａｎδが上記した範囲内にあれば、密着層３の上記した破損を抑制できるとともに、密着層３が光半導体素子２に対して確実に密着することができる。

また、この光半導体素子被覆シート１では、密着層３の厚みＴ１が上記した下限以上であれば、密着層３の上記した破損をより一層抑制することができる。また、この光半導体素子被覆シート１では、密着層３の厚みＴ１が上記した上限以下あれば、密着層３が光半導体素子２に対してより一層確実に密着することができる。

また、この光半導体素子被覆シート１では、ホットメルト樹脂組成物は、シリコーン樹脂を含有すれば、耐久性および透明性に優れる。

また、この光半導体素子被覆シート１では、ホットメルト樹脂組成物が蛍光体を含有すれば、密着層３が蛍光体層として機能することができる。そのため、この光半導体素子被覆シート１により光半導体素子２を被覆すれば、発光効率に優れる密着層−被覆層付光半導体素子１５、ひいては、図１Ｄに示す発光装置２０、より具体的には、発光効率に優れる白色発光装置２０を得ることができる。

また、この製造方法は、上記した光半導体素子被覆シート１を光半導体素子２に対して、上記した温度で、熱プレスする工程（３）を備えるので、密着層３の上記した破損を抑制できるとともに、密着層３が光半導体素子２に対して確実に密着しながら、被覆層４がその密着層３を介して光半導体素子２を確実に被覆することができる。

また、この密着層−被覆層付光半導体素子１５では、密着層３が、突出部分３３を備えるので、密着層−被覆層付光半導体素子１５を基板２９にフリップチップ実装するときに、密着層３は、突出部分３３を基板２９に対しても密着することができる。そのため、信頼性に優れる発光装置２０を得ることができる。

また、この密着層−被覆層付光半導体素子１５では、被覆層４が第４部分４４を有するので、突出部分３３を確実に補強することができる。そのため、密着層−被覆層付光半導体素子１５は、信頼性に優れる。

４．変形例
以下の記載において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

（１）中間層（図１Ａ〜図１Ｄ）
一実施形態では、密着層−被覆層付光半導体素子１５の好適な態様として、図１Ａに示すように、密着層−被覆層付光半導体素子１５を、第２剥離層５と、被覆層４と、密着層３と、第１剥離層６とのみから構成しているが、例えば、図２Ａに示すように、さらに、中間層２５を備えることもできる。

図２Ａに示すように、光半導体素子被覆シート１は、第２剥離層５と、被覆層４と、中間層２５と、密着層３と、第１剥離層６とを順次備える。つまり、光半導体素子被覆シート１は、第２剥離層５と、被覆層４と、中間層２５と、密着層３と、第１剥離層６とのみからなる。

また、光半導体素子被覆シート１は、使用時には、第１剥離層６を剥離することから、第１剥離層６を剥離した状態で、流通することもできる。その場合には、光半導体素子被覆シート１は、例えば、第２剥離層５と、被覆層４と、中間層２５と、密着層３とを備える。好ましくは、光半導体素子被覆シート１は、第２剥離層５と、被覆層４と、中間層２５と、密着層３とのみからなる。

中間層２５は、被覆層４と密着層３との間に介在している。中間層２５は、左右方向および前後方向に延びる略平板形状を有している。中間層２５は、上記したホットメルト樹脂組成物や被覆組成物から形成されている。中間層２５は、好ましくは、蛍光体、拡散材料、色素などを含有する。

そして、剪断モード、周波数１Ｈｚ、および、昇温速度１０℃／分の測定条件にて動的粘弾性測定することにより得られる、６０℃以上９０℃以下の測定範囲のうちいずれかの測定温度において、中間層２５の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（２５）は、被覆層４の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（４）と、密着層３の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（３）との間の範囲内にある。具体的には、中間層２５の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（２５）は、被覆層４の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（４）より大きく、かつ、密着層３の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（３）より小さい。つまり、
被覆層４の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（４）＜中間層２５の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（２５）＜密着層３の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（３）
である。

中間層２５の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。

図２Ａに示される光半導体素子被覆シート１によれば、図１Ａに示す光半導体素子被覆シート１と同様の作用効果を奏することができる。

図２Ａの光半導体素子被覆シート１を用いて密着層−被覆層付光半導体素子１５を製造する方法および発光装置２０を製造する方法は、図２Ａ〜図２Ｄに示され、具体的には、図１Ａ〜図１Ｄに示す一実施形態に準じて実施される。

工程（３）では、中間層２５の形状は、密着層３に追従するように、変化する。

（２）表面層（図２Ａ〜図２Ｄ）
光半導体素子被覆シート１は、図３Ａに示すように、中間層２５（図２Ａ参照）に代えて、表面層２６を備えることができる。

図３Ａに示すように、光半導体素子被覆シート１は、例えば、第２剥離層５と、表面層２６と、被覆層４と、密着層３と、第１剥離層６とを順次備える。好ましくは、光半導体素子被覆シート１は、好ましくは、第２剥離層５と、表面層２６と、被覆層４と、密着層３と、第１剥離層６とのみからなる。

また、光半導体素子被覆シート１は、使用時には、第１剥離層６を剥離することから、第１剥離層６を剥離した状態で、流通することもできる。その場合には、光半導体素子被覆シート１は、例えば、第２剥離層５と、表面層２６と、被覆層４と、密着層３とを備える。好ましくは、光半導体素子被覆シート１は、第２剥離層５と、表面層２６と、被覆層４と、密着層３とのみからなる。

表面層２６は、第２剥離層５と被覆層４との間に介在している。表面層２６は、図３Ｃに示されるように、密着層−被覆層付光半導体素子１５において最上側に位置する層であって、密着層−被覆層付光半導体素子１５の上面を形成している。表面層２６は、左右方向および前後方向に延びる略平板形状を有している。表面層２６は、上記したホットメルト樹脂組成物や被覆組成物から形成されている。表面層２６は、好ましくは、シリカを含有する拡散材料から形成されている。

表面層２６の貯蔵剪断弾性率Ｇ’は、特に限定されない。

表面層２６の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。

図３Ａに示される光半導体素子被覆シート１によれば、図１Ａに示す光半導体素子被覆シート１と同様の作用効果を奏することができる。

図３Ａの光半導体素子被覆シート１を用いて密着層−被覆層付光半導体素子１５を製造する方法および発光装置２０を製造する方法は、図３Ａ〜図３Ｄに示され、具体的には、図１Ａ〜図１Ｄに示す一実施形態に準じて実施される。

表面層２６の板形状は、工程（３）において、図３Ｂに示すように、実質的に変形しない。

なお、図示しないが、光半導体素子被覆シート１が、中間層２５および表面層２６の両方を備えることもできる。

（３）不連続な突出部分（図４Ａ〜図４Ｄ）
一実施形態では、図１Ｂに示すように、互いに隣接する複数の光半導体素子２に対応する突出部分３３は、連続している。しかし、互いに隣接する複数の光半導体素子２に対応する突出部分３３は、上記に限定されず、図４Ｂに示すように、不連続であってもよい。

具体的には、突出部分３３は、複数の光半導体素子２に対応して、複数設けられている。より具体的には、複数の突出部分３３のそれぞれは、複数の光半導体素子２のそれぞれに対して、１対１対応となるように、設けられている。互いに隣接する複数の光半導体素子２に対応する突出部分３３間には、第４部分４４の下端部が充填されており、これにより、かかる下端部が、互いに隣接する複数の光半導体素子２に対応する突出部分３３を隔てている。第４部分４４の下端部は、仮固定シート１７の上面に直接接触している。

このような密着層−被覆層付光半導体素子１５を得るには、図４Ａに示すように、工程（１）において、第２剥離層５と、被覆層４と、密着層３とを順に備える光半導体素子被覆シート１を用意する。

光半導体素子被覆シート１は、好ましくは、上記した第１剥離層６を備えず、第２剥離層５と、被覆層４と、密着層３とのみからなる。

密着層３は、複数の光半導体素子２に対応するように、前後方向および左右方向に互いに間隔を隔てて、被覆層４の下面に複数整列配置されている。

複数の密着層３のそれぞれは、素子部材１８と対向し、かつ、上下方向に投影したときに、複数の光半導体素子２のそれぞれを包含するように、配置されている。密着層３の平面視におけるサイズは、光半導体素子２のそれに比べて、大きい。

工程（１）において、密着層３を形成するには、ホットメルト樹脂組成物のワニスを、仮想線で示す第１剥離層６の表面に、例えば、スクリーン印刷などによって、塗布する。

工程（３）では、図４Ｂに示すように、互いに隣接する複数の光半導体素子２に対応する突出部分３３が不連続となるように、密着層３が光半導体素子２の発光面８および周側面９を被覆する。

図４Ｃに示すように、密着層−被覆層付光半導体素子１５の下面は、光半導体素子２の電極面７と、密着層３における突出部分３３の下面と、被覆層４において突出部分３３の外側に位置する外側部分３８の下面とを有する。電極面７と、突出部分３３の下面と、外側部分３８の下面とは、前後方向および左右方向に面一に形成されている。

図４Ｄに示すように、発光装置２０において、外側部分３８の下面は、基板２９の上面と直接接触している。

一実施形態は、図４Ａ〜図４Ｃに示す変形例に比べて、好ましい。

すなわち、この密着層−被覆層付光半導体素子１５では、互いに隣接する複数の光半導体素子２に対応する突出部分３３が、連続しているので、複数の光半導体素子２に対応する突出する突出部分３３が連続しない図４Ｂに示す密着層−被覆層付光半導体素子１５に比べて、構成を簡単にすることができる。

（４）突出部分のない密着層−被覆層付光半導体素子（図５Ａ〜図５Ｄ）
第１実施形態では、図１Ｂに示すように、密着層−被覆層付光半導体素子１５において、密着層３が突出部分３３を有している。しかし、図５Ｂに示すように、密着層３が突出部分３３を有さず、第１部分３１および第２部分３２を備えることもできる。つまり、密着層−被覆層付光半導体素子１５において、密着層３は、好ましくは、第１部分３１および第２部分３２のみからなっている。

工程（１）における密着層３は、工程（３）において、発光面８および周側面９のみを被覆できるサイズおよび形状に形成されている。

図５Ｃに示すように、密着層−被覆層付光半導体素子１５の下面は、光半導体素子２の電極面７と、密着層３における第２部分３２の下端面３９と、隣接する第２部分３２間に充填される外側部分３８の下面とを有する。電極面７と、下端面３９と、外側部分３８の下面とは、前後方向および左右方向に面一に形成されている。

図５Ａ〜図５Ｄの変形例によれば、図１Ａ〜図１Ｄの一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。

一方、図１Ａ〜図１Ｄの一実施形態は、図５Ａ〜図５Ｄの変形例に比べて、好ましい。

つまり、一実施形態の密着層−被覆層付光半導体素子１５では、密着層３が、突出部分３３を備えるので、図１Ｄに示すように、密着層−被覆層付光半導体素子１５を基板２９に実装するときに、密着層３は、突出部分３３を基板２９に対しても密着することができる。そのため、信頼性に優れる発光装置２０を得ることができる。

（５）密着層付光半導体素子（図６Ａ〜図６Ｃ）
図６Ａに示すように、図１Ｂの工程（３）の後に、密着層−被覆層付光半導体素子１５における被覆層４を密着層３から剥離して、複数の光半導体素子２および密着層３を備える密着層付光半導体素子１６を仮固定シート１７に仮固定された状態で得ることもできる。

この変形例では、図６Ｂに示すように、次いで、複数の光半導体素子２に対応する突出部分３３をダイシングソー３７によって切断（ダイシング）して、複数の密着層付光半導体素子１６のそれぞれを個片化する。

これにより、１つの光半導体素子２と、１つの密着層３とを備える密着層付光半導体素子１６が、仮固定シート１７に仮固定された状態で、複数製造される。

その後、図６Ｂの矢印で示すように、密着層付光半導体素子１６を仮固定シート１７から剥離する。

次いで、図６Ｃに示すように、密着層付光半導体素子１６を基板２９に実装（フリップチップ実装）する。これにより、基板２９と、密着層付光半導体素子１６とを備える発光装置２０を製造する。

図６Ａおよび図６Ａの方法（密着層付光半導体素子１６の製造方法）は、図１Ａ〜図１Ｃに示す方法（密着層−被覆層付光半導体素子１５の製造方法）に比べて、構成が簡単な密着層付光半導体素子１６を製造することができる。

（６）基板に予め実装された光半導体素子への被覆
一実施形態では、図１Ａに示す工程（２）において、光半導体素子２を仮固定シート１７に仮固定し、次いで、図１Ｂに示す工程（３）において、光半導体素子２を光半導体素子被覆シート１により被覆して、密着層−被覆層付光半導体素子１５を仮固定シート１７に支持された状態で製造している。しかし、図７Ａ〜図７Ｃに示すように、基板２９と、基板２９に予め実装された複数の光半導体素子２とを、光半導体素子被覆シート１によって被覆することができる。これによって、発光装置２０を製造する。

工程（２）では、図７Ａに示すように、複数の光半導体素子２が予め実装された基板２９を用意する。

複数の光半導体素子２のそれぞれは、基板２９に対して、例えば、フリップチップ実装またはワイヤボンディングされている。

工程（３）では、図７Ｂに示すように、複数の光半導体素子２が実装された基板２９をプレス機１０の下板１１の上面に載置する。

次いで、光半導体素子被覆シート１、複数の光半導体素子２および基板２９を熱プレスする。

これによって、図７Ｂに示すように、光半導体素子被覆シート１と、光半導体素子被覆シート１によって被覆された複数の光半導体素子２と、基板２９とを備える発光装置２０を得る。

その後、図７Ｃに示すように、第２剥離層５を被覆層４から剥離する。

これによって、被覆層４と、密着層３と、複数の光半導体素子２と、基板２９とを備える発光装置２０を製造する。

その後、図示しないが、必要により、被覆層４、密着層３および基板２９を切断（ダイシング）して、発光装置２０を、光半導体素子２に対応して、個片化することもできる。

（７）その他の変形例
上記した一実施形態では、図１Ａに示すように、第２剥離層５を光半導体素子被覆シート１に備えたが、例えば、図示しないが、第２剥離層５を光半導体素子被覆シート１に備えずに、光半導体素子被覆シート１を構成することもできる。その場合には、被覆層４の上面は、上方に露出する。光半導体素子被覆シート１は、例えば、被覆層４と、密着層３とのみからなっている。

好ましくは、光半導体素子被覆シート１に第２剥離層５を備える。

このような光半導体素子被覆シート１は、第２剥離層５を備えるので、被覆層４および密着層３の取扱性に優れる。

また、一実施形態では、光半導体素子被覆シート１の調製において、被覆層４を密着層３に転写しているが、例えば、被覆組成物を密着層３の表面に塗布して、被覆層４を密着層３の表面に直接形成することもできる。

また、上記した複数の変形例を適宜組み合わせることができる。

以下の記載において用いられる配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなどの具体的数値は、上記の「発明を実施するための形態」において記載されている、それらに対応する配合割合（含有割合）、物性値、パラメータなど該当記載の上限値（「以下」、「未満」として定義されている数値）または下限値（「以上」、「超過」として定義されている数値）に代替することができる。

＜被覆組成物の作製＞
＜アルケニル基含有ポリシロキサンおよびヒドロシリル基含有ポリシロキサンの合成＞
合成例１
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン９３．２ｇ、水１４０ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸０．３８ｇおよびトルエン５００ｇを投入して混合し、撹拌しつつメチルフェニルジメトキシシラン７２９．２ｇとフェニルトリメトキシシラン３３０．５ｇの混合物１時間かけて滴下し、その後、１時間加熱還流した。その後、冷却し、下層（水層）を分離して除去し、上層（トルエン溶液）を３回水洗した。水洗したトルエン溶液に水酸化カリウム０．４０ｇを加え、水分離管から水を除去しながら還流した。水の除去完了後、さらに５時間還流し、冷却した。その後、酢酸０．６ｇを投入して中和した後、ろ過して得られたトルエン溶液を３回水洗した。その後、減圧濃縮することにより、液体状のアルケニル基含有ポリシロキサンＡを得た。アルケニル基含有ポリシロキサンＡの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。

平均単位式：
（（ＣＨ_２＝ＣＨ）（ＣＨ_３）_２ＳｉＯ_１／２）_０．１５（ＣＨ_３Ｃ_６Ｈ_５ＳｉＯ_２／２）_０．６０（Ｃ_６Ｈ_５ＳｉＯ_３／２）_０．２５
平均組成式：
（ＣＨ_２＝ＣＨ）_０．１５（ＣＨ_３）_０．９０（Ｃ_６Ｈ_５）_０．８５ＳｉＯ_１．０５
つまり、アルケニル基含有ポリシロキサンＡは、Ｒ^１がビニル基、Ｒ^２がメチル基およびフェニル基であり、ａ＝０．１５、ｂ＝１．７５である上記平均組成式（１）で示される。

また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、アルケニル基含有ポリシロキサンＡのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、２３００であった。

合成例２
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン９３．２ｇ、水１４０ｇ、トリフルオロメタンスルホン酸０．３８ｇおよびトルエン５００ｇを投入して混合し、撹拌しつつジフェニルジメトキシシラン１７３．４ｇとフェニルトリメトキシシラン３００．６ｇの混合物１時間かけて滴下し、滴下終了後、１時間加熱還流した。その後、冷却し、下層（水層）を分離して除去し、上層（トルエン溶液）を３回水洗した。水洗したトルエン溶液に水酸化カリウム０．４０ｇを加え、水分離管から水を除去しながら還流した。水の除去完了後、さらに５時間還流し、冷却した。酢酸０．６ｇを投入して中和した後、ろ過して得られたトルエン溶液を３回水洗した。その後、減圧濃縮することにより、液体状のアルケニル基含有ポリシロキサンＢを得た。アルケニル基含有ポリシロキサンＢの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。

平均単位式：
（ＣＨ_２＝ＣＨ（ＣＨ_３）_２ＳｉＯ_１／２）_０．３１（（Ｃ_６Ｈ_５）_２ＳｉＯ_２／２）_０．２２（Ｃ_６Ｈ_５ＳｉＯ_３／２）_０．４７
平均組成式：
（ＣＨ_２＝ＣＨ）_０．３１（ＣＨ_３）_０．６２（Ｃ_６Ｈ_５）_０．９１ＳｉＯ_１．０８
つまり、アルケニル基含有ポリシロキサンＢは、Ｒ^１がビニル基、Ｒ^２がメチル基およびフェニル基であり、ａ＝０．３１、ｂ＝１．５３である上記平均組成式（１）で示される。

また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、アルケニル基含有ポリシロキサンＢのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、１，０００であった。

合成例３
撹拌機、還流冷却管、投入口および温度計が装備された四ツ口フラスコに、ジフェニルジメトキシシラン３２５．９ｇ、フェニルトリメトキシシラン５６４．９ｇ、およびトリフルオロメタンスルホン酸２．３６ｇを投入して混合し、１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン１３４．３ｇを加え、撹拌しつつ酢酸４３２ｇを３０分かけて滴下した。滴下終了後、混合物を撹拌しつつ５０℃に昇温して３時間反応させた。室温まで冷却した後、トルエンと水を加え、良く混合して静置し、下層（水層）を分離して除去した。その後、上層（トルエン溶液）を３回水洗した後、減圧濃縮することにより、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣ（架橋剤Ｃ）を得た。

ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣの平均単位式および平均組成式は、以下の通りである。

平均単位式：
（Ｈ（ＣＨ_３）_２ＳｉＯ_１／２）_０．３３（（Ｃ_６Ｈ_５）_２ＳｉＯ_２／２）_０．２２（Ｃ_６Ｈ_５ＰｈＳｉＯ_３／２）_０．４５
平均組成式：
Ｈ_０．３３（ＣＨ_３）_０．６６（Ｃ_６Ｈ_５）_０．８９ＳｉＯ_１．０６
つまり、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣは、Ｒ^３がメチル基およびフェニル基であり、ｃ＝０．３３、ｄ＝１．５５である上記平均組成式（２）で示される。

また、ゲル透過クロマトグラフィーによって、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣのポリスチレン換算の重量平均分子量を測定したところ、１，０００であった。

＜シリコーン樹脂組成物の調製＞
調製例１
アルケニル基含有ポリシロキサンＡ（合成例１）２０ｇ、アルケニル基含有ポリシロキサンＢ（合成例２）２５ｇ、ヒドロシリル基含有ポリシロキサンＣ（合成例３、架橋剤Ｃ）２５ｇ、および、白金カルボニル錯体（商品名「ＳＩＰ６８２９．２」、Ｇｅｌｅｓｔ社製、白金濃度２．０質量％）５ｍｇを混合して、フェニル系シリコーン樹脂組成物Ａを調製した。

調製例２
特開２０１０−２６５４３６公報に記載の実施例１の記載に従って、メチル系シリコーン樹脂組成物Ｂを調製した。

製造例１
フェニル系シリコーン樹脂組成物Ａに対して、無機フィラー（屈折率１．５５、組成および組成比率（質量％）：ＳｉＯ_２／Ａｌ_２Ｏ_３／ＣａＯ／ＭｇＯ＝６０／２０／１５／５、平均粒子径：３μｍ）を、それらの総量に対して、５０質量％となるように、混合して、被覆組成物のワニスを調製した。つまり、被覆組成物において、フェニル系シリコーン樹脂組成物Ａの配合割合が５０質量％、無機フィラーの配合割合が５０質量％である。

次いで、調製したワニスを、アプリケータにて、厚み５０μｍの第２剥離層５（ＰＴＥシート、商品名「ＳＳ４Ｃ」、ニッパ社製）の表面に、加熱後の厚みが５００μｍとなるように塗布し、その後、８０℃で９．５分、加熱することにより、ワニスにおけるシリコーン樹脂組成物をＢステージ化（半硬化）させた。これにより、被覆層４を第２剥離層５の表面に形成した。

別途、ホットメルト樹脂（商品名「ＬＦ−１０２０」、シリコーン樹脂、東レ・ダウコーニング社製）２５質量部（５７容量％）および蛍光体７５質量部（４３容量％）を配合して混合することにより、ホットメルト樹脂のワニスを調製し、これを第１剥離層６の表面に塗布し、加熱することにより、密着層３を形成した。

その後、密着層３を被覆層４に貼り合わせることにより、図１Ａに示すように、第２剥離層５と、被覆層４と、密着層３とを備える光半導体素子被覆シート１を製造した。

実施例１
まず、支持基板２２と、感圧接着層２３とを備える仮固定シート１７の感圧接着層２３に、光半導体素子２（１μｍ×１μｍ、厚み１５０μｍ、商品名「ＥＤＩ−ＦＡ４５４５Ａ」、Ｅｐｉｓｔａｒ社製）を１００個（１０個×１０個）、互いに等間隔を隔てて感圧接着した。これにより、図１Ａに示すように、複数の光半導体素子２と、それらを仮固定する仮固定シート１７とを備える素子部材１８を用意した。

次いで、素子部材１８と、製造例１の光半導体素子被覆シート１とを、プレス機１０に設置した。続いて、プレス機１０によって、第１部分３１の厚みＴ３と、第３部分４３の厚みＴ４との総厚み（Ｔ３＋Ｔ４）が、５００μｍとなるように、下板１１および上板１２を制御した状態で、９０℃で、６００秒間、熱プレスした。これにより、密着層−被覆層付光半導体素子１５を素子部材１８で支持された状態で得た。

続いて、密着層−被覆層付光半導体素子１５および素子部材１８を１６０℃で、１２０分間加熱することにより、被覆層４および密着層３を完全硬化（Ｃステージ化）させた。

その後、密着層−被覆層付光半導体素子１５を、プレス機１０から取り出し、次いで、図１Ｂの上向き矢印で示すように、第２剥離層５を被覆層４から剥離し、その後、図１Ｃの太１点破線で示すように、光半導体素子被覆シート１を、複数の光半導体素子２のそれぞれに対応して個片化した。

これにより、１つの光半導体素子２、１つの密着層３、および、１つの被覆層４を備える密着層−被覆層付光半導体素子１５を、素子部材１８に仮固定された状態で、複数製造した。

その後、図１の矢印で示すように、密着層−被覆層付光半導体素子１５を仮固定シート１７から剥離した。

実施例２〜実施例１１および比較例１、２
表１に記載の処方に基づいて、密着層３および被覆層４の厚み、物性および材料を変更する以外は、実施例１と同様に処理して、密着層−被覆層付光半導体素子１５を製造した。

具体的には、実施例８では、対応する製造例１において、ホットメルト樹脂の配合割合を６１容量％（２９質量％）に変更して、密着層３を形成した。

実施例９では、硬化条件を、１５０℃下で５分間加熱に変更して、密着層３を完全硬化（Ｃステージ化）した。

実施例１０では、対応する製造例１において、Ｂステージ化の条件を、８０℃、２０分間加熱に変更して、被覆層４を形成した。

実施例１１では、対応する製造例１において、ホットメルト樹脂の配合割合を６１容量％（２９質量％）に変更して、密着層３を形成し、Ｂステージ化の条件を、８０℃、８分間加熱に変更して、被覆層４を形成した。

比較例１では、対応する製造例１において、Ｂステージ化の条件を、９０℃、１０分間加熱に変更して、被覆層４を形成した。

比較例２では、対応する製造例１において、ホットメルト樹脂の配合割合を８３容量％（５５質量％）にして密着層３を形成し、Ｂステージ化の条件を、９０℃、５分間加熱にに変更して、被覆層４を形成した。

＜光半導体素子被覆シートおよび密着層−被覆層付光半導体素子の評価＞
（密着層および被覆層の動的粘弾性）
光半導体素子に対して密着する前の密着層３の９０℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’（３）およびｔａｎδと、光半導体素子に対して被覆する前の被覆層４の９０℃における貯蔵剪断弾性率Ｇ’（４）を求めた。

すなわち、上下方向に対向配置される２枚の直径８ｍｍの円板を備えるレオメータを用いて、９０℃における密着層３および被覆層４の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（４）およびｔａｎδを測定した。

具体的には、２枚の円板によって密着層３を挟み込んだ。

そして、剪断モード、周波数１Ｈｚ、歪み１％、および、昇温速度１０℃／分、測定範囲２５〜１５０℃の測定条件にて動的粘弾性を測定して、９０℃における密着層３の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（３）およびｔａｎδを求めた。

被覆層４についても、密着層３と同様にして、９０℃における密着層３の貯蔵剪断弾性率Ｇ’（４）を求めた。

（保形性（取扱性））
第２剥離層５、被覆層４および密着層３を備える光半導体素子被覆シート１を切り出した。そして、以下の基準に従って、光半導体素子被覆シート１の保形性（取扱性）を評価した。
×：光半導体素子被覆シート１を切り出した時、流動性が高く、シート形状を保持できなかった。つまり、光半導体素子被覆シート１の保形性および取扱性が不良であった。
△：光半導体素子被覆シート１の保形性および取扱性がやや良好であった。
○：光半導体素子被覆シート１の保形性および取扱性が良好であった。

（密着層の密着性）
密着層−被覆層付光半導体素子１５における密着層３の断面を観察し、以下の基準に従って、密着層３の密着性を評価した。
×：図１０に示すように、密着層３の第２部分３２は、光半導体素子２の周側面９の全部に密着していなかった。つまり、非接触部１０３を形成していた。
△：図１１に示すように、第２部分３２の上端部３４が、光半導体素子２の周側面９に密着していたが、第２部分３２の下端部３５が、光半導体素子２の周側面９に密着していなかった。つまり、非接触部１０３を形成していた。
○：密着層３は、上端部３４から下端部３５にわたって、光半導体素子２の周側面９を連続して密着していた。しかし、非接触部１０３をわずかに形成した。
◎：密着層３は、上端部３４から下端部３５にわたって、光半導体素子２の周側面９を連続して密着していた。

（密着層の破損）
密着層−被覆層付光半導体素子１５における密着層３の断面を観察し、以下の基準に従って、密着層３の破損などを評価した。
×：図８に示すように、密着層３における第１部分３１と第２部分３２との間に千切れ部１０１が形成され、あるいは、図９に示すように、密着層３における第１部分３１の周端縁において、薄肉部１０２が形成されていた。なお、薄肉部１０２の厚みは、当初用意した密着層３の厚みから、１０μｍ以上２０μｍ以下、薄くなった。
△：薄肉部１０２の厚みは、当初用意した密着層３の厚みから、５μｍ以上１０μｍ未満薄くなった。
○：薄肉部１０２の厚みは、当初用意した密着層３の厚みから、５μｍ未満薄くなった。
◎：密着層３には、図８に示すような千切れ部１０１、または、図９に示すような薄肉部１０２が観察されなかった。

［フェニル系シリコーン樹脂組成物Ａの反応により得られる生成物の炭化水素基（Ｒ^５）におけるフェニル基の含有割合の測定］
フェニル系シリコーン樹脂組成物Ａ（つまり、無機フィラーが含まれていないフェニル系シリコーン樹脂組成物Ａ）の反応により得られる生成物中、ケイ素原子に直接結合する炭化水素基（平均組成式（３）のＲ^５）におけるフェニル基の含有割合（モル％）を、^１Ｈ−ＮＭＲおよび^２９Ｓｉ−ＮＭＲにより算出した。

具体的には、Ａステージのフェニル系シリコーン樹脂組成物Ａを、無機フィラーを添加せずに、１００℃１時間で、反応（完全硬化、Ｃステージ化）させて、生成物を得た。

次いで、得られた生成物の^１Ｈ−ＮＭＲおよび^２９Ｓｉ−ＮＭＲを測定することで、ケイ素原子に直接結合している炭化水素基（Ｒ^５）におけるフェニル基が占める割合（モル％）を算出した。

その結果、４８％であった。

１ 光半導体素子被覆シート
２ 光半導体素子
３ 密着層
４ 被覆層
５ 第２剥離層
７ 電極面
８ 発光面
９ 周側面
１５ 密着層−被覆層付光半導体素子
１６ 密着層付光半導体素子
３１ 第１部分
３２ 第２部分
３３ 突出部分
３４ 上端部（一端部の一例）
３５ 下端部（他端部の一例）
４３ 第３部分
４４ 第４部分
Ｔ１ 密着層の厚み
Ｔ２ 被覆層の厚み
Ｇ’（３） 密着層の貯蔵剪断弾性率
Ｇ’（４） 被覆層の貯蔵剪断弾性率

Claims (14)

1. 光半導体素子の被覆に用いられる光半導体素子被覆シートであり、
   ホットメルト樹脂組成物から形成され、光半導体素子に密着可能な密着層と、
   前記密着層の厚み方向一方側に配置され、前記光半導体素子を前記密着層を介して被覆可能な被覆層と
   を備え、
   剪断モード、周波数１Ｈｚ、および、昇温速度１０℃／分の測定条件にて動的粘弾性測定することにより得られる、６０℃以上９０℃以下の測定範囲のうちいずれかの測定温度において、前記被覆層の貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、前記密着層の前記貯蔵剪断弾性率Ｇ’に比べて、低いことを特徴とする、光半導体素子被覆シート。
2. 前記測定温度における前記被覆層の前記貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、２．５×１０^１Ｐａ以上、１．０×１０^３Ｐａ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の光半導体素子被覆シート。
3. 前記被覆層の厚みが、１００μｍ以上、１，０００μｍ以下であることを特徴とする、請求項１または２に記載の光半導体素子被覆シート。
4. 前記被覆層が、シリコーン樹脂組成物から形成されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の光半導体素子被覆シート。
5. 剥離層をさらに備え、
   前記剥離層の上に、前記被覆層と、前記密着層とを順に備えることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の光半導体素子被覆シート。
6. 前記密着層の貯蔵剪断弾性率Ｇ’が、２．０×１０^５以下であり、かつ、ｔａｎδが、０．９以上、１．０以下であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の光半導体素子被覆シート。
7. 前記密着層の厚みが、３０μｍ以上、２５０μｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の光半導体素子被覆シート。
8. 前記ホットメルト樹脂組成物が、シリコーン樹脂を含有することを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の光半導体素子被覆シート。
9. 前記ホットメルト樹脂組成物が、蛍光体を含有することを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の光半導体素子被覆シート。
10. 請求項１〜９のいずれか一項に記載の前記光半導体素子被覆シートを用意する工程（１）と、
    前記光半導体素子を用意する工程（２）と、
    前記光半導体素子被覆シートを前記光半導体素子に対して、前記密着層が前記光半導体素子に密着し、前記被覆層が前記密着層を介して前記光半導体素子を被覆するように、６０℃以上、９０℃以下の温度で、熱プレスする工程（３）と
    を備えることを特徴とする、密着層−被覆層付光半導体素子の製造方法。
11. 請求項１０に記載の密着層−被覆層付光半導体素子の製造方法により密着層−被覆層付光半導体素子を製造する工程と、
    前記被覆層を前記密着層から剥離する工程と
    を備えることを特徴とする、密着層付光半導体素子の製造方法。
12. 光半導体素子と、
    前記光半導体素子に密着している密着層と、
    前記光半導体素子を前記密着層を介して被覆している被覆層と
    を備え、
    前記光半導体素子は、
    発光層が設けられる発光面、前記発光面に対向し、電極が設けられる電極面、および、前記発光面と前記電極面との周端縁を連結する連結面を有し、
    前記密着層は、
    前記発光面を被覆する第１部分と、
    前記連結面を被覆し、前記第１部分の周端縁に連続する第２部分と、
    前記第２部分における、前記第１部分の前記周端縁に連続する一端部と反対側に位置する他端部から、前記光半導体素子から離れる方向に向かって突出する突出部分と
    を有することを特徴とする、密着層−被覆層付光半導体素子。
13. 前記被覆層は、
    前記第１部分を被覆する第３部分と、
    前記第３部分に連続し、前記第２部分および前記突出部分の両方を被覆する第４部分と
    を有していることを特徴とする、請求項１２に記載の密着層−被覆層付光半導体素子。
14. 前記光半導体素子が、前記離れる方向に互いに間隔を隔てて複数配置されており、
    互いに隣接する前記光半導体素子に対応する前記突出部分が、連続していることを特徴とする、請求項１２または１３に記載の密着層−被覆層付光半導体素子。

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