JP2017166017A - 磁気ディスク用アルミニウム合金基板 - Google Patents

Abstract

【課題】優れたフラッタリング性とめっき性を有し、端面における皮材と心材との電位差による腐食を抑制できる磁気ディスク基板用アルミニウム合金基板を提供する。【解決手段】心材と、当該心材の両面にクラッドされた皮材とを備え、前記心材と皮材との電位差が３００ｍＶ以内であることを特徴とし、心材が、Ｓｉ：２．０〜１３．０ｍａｓｓ％（以下、単に「％」）、Ｃｕ：０．００５〜０．４００％、Ｚｎ：０．０２〜０．４０％、Ｆｅ：０．０１〜１．００％を含有し、残部Ａｌ及び不可避不純物からなるアルミニウム合金からなり、皮材が、Ｃｕ：０．００５〜０．４００％、Ｚｎ：０．０１〜０．４０％、Ｓｉ：０．００１〜０．２００％、Ｆｅ：０．００１〜０．２００％を含有し、残部Ａｌ及び不可避不純物からなるアルミニウム合金からなる磁気ディスク用アルミニウム合金基板。【選択図】なし

Description

本発明は磁気ディスク用アルミニウム合金基板に関し、詳細にはめっき性に優れる磁気ディスク用アルミニウム合金基板に関する。

コンピュータの記憶装置に用いられるアルミニウム合金製磁気ディスクは、良好なめっき性を有するとともに機械的特性や加工性が優れたＪＩＳ５０８６（３．５ｍａｓｓ％以上４．５ｍａｓｓ％以下のＭｇ、０．５０ｍａｓｓ％以下のＦｅ、０．４０ｍａｓｓ％以下のＳｉ、０．２０ｍａｓｓ％以上０．７０ｍａｓｓ％以下のＭｎ、０．０５ｍａｓｓ％以上０．２５ｍａｓｓ％以下のＣｒ、０．１０ｍａｓｓ％以下のＣｕ、０．１５ｍａｓｓ％以下のＴｉ、０．２５ｍａｓｓ％以下のＺｎ、残部Ａｌ及び不可避的不純物）によるアルミニウム合金基板から製造されている。更に、アルミニウム合金製磁気ディスクは、めっき前処理工程における金属間化合物の抜け落ちによるピット不具合の改善を目的に、ＪＩＳ５０８６中の不純物であるＦｅ、Ｓｉ等の含有量を制限し、マトリックス中の金属間化合物を小さくしたアルミニウム合金基板、或いは、めっき性改善を目的にＪＩＳ５０８６中のＣｕやＺｎを意識的に添加したアルミニウム合金基板等から製造されている。

一般的なアルミニウム合金製磁気ディスクは、まず円環状アルミニウム合金基板を作製し、該アルミニウム合金基板にめっきを施し、次いで該アルミニウム合金基板の表面に磁性体を付着させることにより製造されている。

例えば、前記ＪＩＳ５０８６合金によるアルミニウム合金製磁気ディスクは以下の製造工程により製造される。まず、所望の化学成分としたアルミニウム合金を鋳造し、その鋳塊を熱間圧延し、次いで冷間圧延を施し、磁気ディスクとして必要な厚みの圧延材を作製する。この圧延材は、必要に応じ冷間圧延の途中等に焼鈍を施すことが好ましい。次に、この圧延材を円環状に打抜き、前記製造工程により生じた歪み等を除去するため、円環状にしたアルミニウム合金板を積層し、両面から加圧しつつ焼鈍を施して平坦化する加圧焼鈍を行うことにより、円環状アルミニウム合金基板が作製される。

このようにして作製された円環状アルミニウム合金基板に、前処理として切削加工、研削加工、脱脂処理、エッチング処理、ジンケート処理（Ｚｎ置換処理）を施し、次いで下地処理として硬質非磁性金属であるＮｉ−Ｐを無電解めっきし、該めっき表面にポリッシングを施した後に、磁性体をスパッタリングしてアルミニウム合金製磁気ディスクが製造される。

近年、磁気ディスクには、マルチメディア等のニーズから大容量化及び高密度化が求められている。大容量化のために、記憶装置に搭載される磁気ディスクの枚数が増加しており、それに伴い磁気ディスクの薄肉化も求められている。しかしながら、磁気ディスク用アルミニウム合金基板を薄肉化すると剛性が低下してしまうため、磁気ヘッドと磁気ディスクが衝突するという問題（ヘッドクラッシュ）が生じる。これは、磁気ディスクを高速で回転させると気流が発生し、その気流により磁気ディスクの振動（フラッタリング）が起こるが、基板の剛性が低いと磁気ディスクの振動が大きくなり、ヘッドがその変化に追従できないために生じるものである。ヘッドクラッシュが起こると、磁気ディスク表面に凹凸やキズが入り記録エラーの原因になることがある。そのため、アルミニウム合金基板の高剛性化が求められている。

また、磁気ディスクの高密度化により、１ビット当たりの磁気領域が益々微小化される。そのため、磁気ディスクのめっき表面に微細なピット（孔）があると、データ読み取り時にエラーを起こす原因となる。このように、磁気ディスクのめっき表面にはピットが少ない高い平滑性が求められる。

以上のような実情から、近年ではめっき表面が平滑で高い剛性を有する磁気ディスク用アルミニウム合金基板が強く要望され、種々の検討がなされている。これらの異なる特性を同時に達成するために、アルミニウム合金では皮材と心材とから構成されるクラッド材が広く用いられている。しかしながら、クラッド材の端面において皮材と心材との電位差による腐食が発生するという問題点も発生している。

例えば、特許文献１には、心材をＭｎ添加したＡｌ−Ｍｇ系合金とし、皮材をＡｌ−Ｍｇ系合金としたクラッド材を磁気ディスク用アルミニウム合金基盤に適用する技術が開示されている。また、特許文献２には、心材と皮材ともにＡｌ−Ｍｇ系合金としたクラッド材を磁気ディスク用アルミニウム合金基板に適用する技術が開示されている。

しかしながら、特許文献１と特許文献２に開示されている方法では、皮材のめっき性には優れるものの心材のフラッタリング性が不良のため、磁気ヘッドと磁気ディスクとの接触が避けられず基板の薄肉化には対応できない。また、皮材と心材との電位差については何等考慮されておらず、めっき工程中においてクラッド材端面での電位差による腐食が問題になる。

特開２０１０−１６８６０２号公報 特開平１０−１２１１７８号公報

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、フラッタリング性に優れるＡｌ合金製心材の両面に、めっき性に優れるＡｌ合金製皮材をクラッドすることにより、フラッタリング性の向上と優れためっき性とを同時に達成し、更に、皮材と心材の合金組成を調整することにより、基板端面における皮材と心材との電位差による腐食を抑制するものである。これらの技術は、前述の先行技術では達成されていなかったものであり、本発明によって初めて解決されたものである。

以上のように、本発明は、優れたフラッタリング性とめっき性を有し、基盤端面における皮材と心材との電位差による腐食を抑制した、磁気ディスク用アルミニウム合金基板の提供を目的とする。

本発明者らは、クラッド材の皮材と心材の成分、ならびに、皮材と心材との電位差について鋭意研究を重ねた。その結果、皮材に純Ａｌ系合金を用い、心材にＡｌ−Ｓｉ系合金又はＡｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系合金を用い、更に、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｓｉの存在比の規定により皮材と心材電位差を制御することにより、優れたフラッタリング性とめっき性を有し、基板端面における皮材と心材との電位差による腐食を抑制できることを見出し、本発明を完成するに至った。

即ち、本発明は請求項１において、心材と、当該心材の両面にクラッドされた皮材とを備え、前記心材と皮材との電位差が３００ｍＶ以内であることを特徴とする磁気ディスク用アルミニウム合金基板とした。

本発明は第１の実施態様として請求項２では請求項１において、前記心材が、Ｓｉ：２．０〜１３．０ｍａｓｓ％、Ｃｕ：０．００５〜０．４００ｍａｓｓ％、Ｚｎ：０．０２〜０．４０ｍａｓｓ％、Ｆｅ：０．０１〜１．００ｍａｓｓ％を含有し、残部Ａｌ及び不可避不純物からなるアルミニウム合金からなり、前記皮材が、Ｃｕ：０．００５〜０．４００ｍａｓｓ％、Ｚｎ：０．０２〜０．４０ｍａｓｓ％、Ｓｉ：０．００１〜０．２００ｍａｓｓ％、Ｆｅ：０．００１〜０．２００ｍａｓｓ％を含有し、残部Ａｌ及び不可避不純物からなるアルミニウム合金からなるものとした。

本発明は請求項３では請求項２において、前記心材が、Ｍｇ：０．１〜３．０ｍａｓｓ％、Ｍｎ：０．０１〜０．６０ｍａｓｓ％、Ｃｒ：０．０１〜０．３０ｍａｓｓ％、ならびに、Ｔｉ及びＢ：０．００５〜０．５００ｍａｓｓ％から選択される１種又は２種以上を更に含有し、前記皮材が、Ｍｇ：０．１〜３．０ｍａｓｓ％及びＣｒ：０．０１〜０．３０ｍａｓｓ％の１種又は２種を更に含有するものとした。

本発明は第２の実施態様として請求項４では請求項１において、前記心材が、Ｓｉ：０．３ｍａｓｓ％以上２．０ｍａｓｓ％未満、Ｍｇ：０．２〜１．５ｍａｓｓ％、Ｃｕ：０．００１〜１．０００ｍａｓｓ％、Ｚｎ：０．０２〜２．００ｍａｓｓ％、Ｆｅ：０．０１〜１．００ｍａｓｓ％を含有し、残部Ａｌ及び不可避不純物からなるアルミニウム合金からなり、前記皮材が、Ｃｕ：０．００５〜０．４００ｍａｓｓ％、Ｚｎ：０．０１〜０．４０ｍａｓｓ％、Ｓｉ：０．００１〜０．２００ｍａｓｓ％、Ｆｅ：０．００１〜０．２００ｍａｓｓ％を含有し、残部Ａｌ及び不可避不純物からなるアルミニウム合金からなるものとした。

本発明は請求項５では請求項４において、前記心材が、Ｍｎ：０．０１〜１．５０ｍａｓｓ％、Ｃｒ：０．０１〜０．３０ｍａｓｓ％、ならびに、Ｔｉ及びＢ：０．００５〜０．５００ｍａｓｓ％から選択される１種又は２種以上を更に含有し、前記皮材が、Ｍｇ：０．１〜３．０ｍａｓｓ％及びＣｒ：０．０１〜０．３０ｍａｓｓ％の１種又は２種を更に含有するものとした。

本発明は請求項６では請求項２〜５のいずれか一項において、前記心材において、０．０１０≦（Ｚｎ含有量［ｍａｓｓ％］）／｛（Ｃｕ含有量［ｍａｓｓ％］）＋（Ｓｉ含有量［ｍａｓｓ％］）｝≦３．０００を満たし、ここで、Ｓｉ含有量が２．０ｍａｓｓ％を超える場合には当該Ｓｉ含有量を２．０ｍａｓｓ％とし、かつ、前記皮材において、（Ｚｎ含有量［ｍａｓｓ％］）／｛（Ｃｕ含有量［ｍａｓｓ％］）＋（Ｓｉ含有量［ｍａｓｓ％］）｝≦６０．０００を満たすものとした。

本発明に係る磁気ディスク用アルミニウム合金基板は、優れたフラッタリング性とめっき性を有し、基板端面における皮材と心材との電位差による腐食が抑制される。これにより、内外周の形状が高精度である薄肉化が可能な磁気ディスク用アルミニウム合金基板を提供することができる。

以下、本発明を実施の形態に基づき詳細に説明する。本発明の特徴には、心材と皮材との電位差、ならびに、心材及び皮材の合金組成が挙げられる。以下に、これらについて述べる。

１．心材と皮材との電位差：３００ｍＶ以内
水溶液環境において電位差がある金属同士が接する場合、卑な電位の金属が腐食する。めっき前処理は水溶液環境であるため、基板端面において心材と皮材との間に電位差が存在すると不均一な溶解が発生する。その結果、基板の内外周における形状精度が下がり、或いは、めっき欠陥の発生原因となる。特にエッチング工程とジンケート工程における、心材と皮材との電位差が３００ｍＶ以内であれば、めっき前処理における基板端面での不均一な溶解が抑制される。本発明では、基板端面における心材と皮材との間の電位差を３００ｍＶ以内に、好ましくは、エッチング工程では２５０ｍＶ以内に、ジンケート工程では１００ｍＶ以内に規制する。心材と皮材との電位差はより小さいほど好ましいが、本発明では、心材と皮材との合金組成によりその下限値が自ずと決まり、エッチング工程では４０ｍＶ程度、ジンケート工程では１０ｍＶ程度が下限値となる。

２．アルミニウム合金組成
次に、アルミニウム合金組成につきその作用を説明する。本発明では、アルミニウム合金組成については第１の実施態様と第２の実施態様があり、以下にそれぞれの成分組成と限定理由について述べる。

２−１．第１の実施態様
まず、第１の実施態様について説明する。この第１の実施態様では、心材にはＡｌ−Ｓｉ系合金が用いられ、必須元素としてＳｉ：２．０〜１３．０ｍａｓｓ％（以下、単に「％」と記す）、Ｃｕ：０．００５〜０．４００％、Ｚｎ：０．０２〜０．４０％、Ｆｅ：０．０１〜１．００％を含有し、残部Ａｌ及び不可避不純物からなるアルミニウム合金からなる。心材は、選択的添加元素として、Ｍｇ：０．１〜３．０％、Ｍｎ：０．０１〜０．６０％、Ｃｒ：０．０１〜０．３０％、ならびに、Ｔｉ及びＢ：０．００５〜０．５００％から選択される１種又は２種以上を更に含有していてもよい。

また、第１の実施態様では、皮材が、必須元素として、Ｃｕ：０．００５〜０．４００％、Ｚｎ：０．０１〜０．４０％、Ｓｉ：０．００１〜０．２００％、Ｆｅ：０．００１〜０．２００％を含有し、残部Ａｌ及び不可避不純物からなるアルミニウム合金からなる。皮材は、選択的添加元素として、Ｍｇ：０．１〜３．０％及びＣｒ：０．０１〜０．３０％の１種又は２種を更に含有していてもよい。

以下において、まず、心材の合金成分について述べる。
Ｓｉ：２．０〜１３．０％
必須元素であるＳｉは、主としてＳｉ粒子として存在し、心材の剛性を向上させる効果を有する。Ｓｉ含有量が２．０％未満では、心材の剛性が不十分となる。一方、Ｓｉ含有量が１３．０％を超えると、エッチング時、ジンケート処理時、切削や研削の加工時において、基板端面に存在する粗大なＳｉ粒子が脱落して大きな窪みが発生し、めっき欠陥の発生原因となる。

Ｃｕ：０．００５〜０．４００％
必須元素であるＣｕは、主としてＡｌ−Ｃｕ系化合物として存在し、心材の剛性を向上させる効果を有する。Ｃｕ含有量が０．００５％未満では、心材の剛性が不十分となる。一方、Ｃｕ含有量が０．４００％を超えると、粗大なＡｌ−Ｃｕ系化合物が生成し、エッチング時、ジンケート処理時、切削や研削の加工時において、基板端面に存在する粗大なＡｌ−Ｃｕ系金属間化合物が脱落して大きな窪みが発生し、めっき欠陥の発生原因となる。

Ｚｎ：０．０２〜０．４０％
必須元素であるＺｎはジンケート処理時におけるＡｌ溶解量を減少させ、また、ジンケート皮膜を均一に、薄く、かつ、緻密に付着させるので、ジンケート処理工程の次工程である下地処理工程において、基板端面におけるＮｉ−Ｐからなるめっき表面の平滑性の向上効果を発揮する。Ｚｎ含有量が０．０２％未満では、上記効果が十分に得られない。一方、Ｚｎ含有量が０．４０％を超える場合には、材料自体の耐食性を低下させるため、ジンケート処理により生成するジンケート皮膜が不均一となり、基板端面におけるめっきの密着性や平滑性が低下する。

Ｆｅ：０．０１〜１．００％
必須元素であるＦｅは、主としてＡｌ−Ｆｅ−Ｓｉ系化合物として存在し、アルミニウム合金基板の剛性を向上させる効果を有する。Ｆｅ含有量が０．０１％未満では、心材の剛性が不十分となる。一方、Ｆｅ含有量が１．００％を超えると、粗大なＡｌ−Ｆｅ−Ｓｉ系金属間化合物が生成し、エッチング時、ジンケート処理時、切削や研削の加工時において、基板端面に存在する粗大なＡｌ−Ｆｅ−Ｓｉ系金属間化合物が脱落して、基板端面に大きな窪みが発生し、めっき欠陥の発生原因となる。

Ｍｇ：０．１〜３．０％
Ｍｇは、主としてアルミニウム合金板の強度を向上させる効果を有するので、選択的添加元素として必要に応じて添加してもよい。Ｍｇ含有量が０．１％未満では、強度を向上させる効果が十分に得られない。一方、Ｍｇ含有量が３．０％を超えると、強度を向上させる効果は大きいが、粗大なＡｌ−Ｍｇ系金属間化合物が生成して、エッチング時、ジンケート処理時、切削や研削の加工時において、基板端面に存在する粗大な金属間化合物が脱落して大きな窪みが発生し、めっき欠陥の発生原因となる。

Ｍｎ：０．０１〜０．６０％
Ｍｎは、主としてＡｌ−Ｍｎ−Ｓｉ系化合物として存在し、心材の剛性を向上させる効果を有するので、選択的添加元素として必要に応じて添加してもよい。Ｍｎ含有量が０．０１％未満では、剛性を向上させる効果が十分に得られない。一方、Ｍｎ含有量が０．６０％を超えると、粗大なＡｌ−Ｍｎ−Ｓｉ系金属間化合物が生成して、エッチング時、ジンケート処理時、切削や研削の加工時において、基板端面に存在するＡｌ−Ｍｎ−Ｓｉ系金属間化合物が脱落して大きな窪みが発生し、めっき欠陥の発生原因となる。

Ｃｒ：０．０１〜０．３０％
Ｃｒは、鋳造時に微細な金属間化合物を生成するが、一部はマトリックスに固溶して強度向上に寄与し、また、再結晶組織を微細にして、めっきの密着性を向上させる効果を発揮するので、選択的添加元素として必要に応じて添加してもよい。Ｃｒ含有量が０．０１０％未満では、上記効果が十分に得られない。一方、Ｃｒ含有量が０．３０％を超えると鋳造時に過剰分が晶出すると同時に粗大なＡｌ−Ｃｒ系金属間化合物が生成し、エッチング時、ジンケート処理時、切削や研削の加工時において、基板端面に存在する粗大なＡｌ−Ｃｒ系金属間化合物が脱落して大きな窪みが発生し、めっき欠陥の発生原因となる。

Ｔｉ及びＢ：０．００５〜０．５００％
Ｔｉ及びＢは、鋳造時の凝固過程において、ＴｉＢ_２などのホウ化物やＡｌ_３Ｔｉを形成し、これらが結晶粒核となるため結晶粒を微細化することができ、また、ＴｉＢ_２やＡｌ_３Ｔｉは、アルミニウム合金基板の剛性を向上させる効果を有するので、選択的添加元素として必要に応じて添加してもよい。ＴｉとＢの含有量の合計が０．００５％未満では、上記の効果が得られない。ＴｉとＢの含有量の合計が０．５００％を超えてもその効果は飽和し、それ以上の顕著な改善効果が得られない。なお、Ｔｉ及びＢの両方を含有する場合には、その合計量が上記含有範囲内とし、いずれか一方のみが含有される場合は、当該成分の含有量が上記含有範囲内となる。

次に、皮材の合金成分について述べる。
Ｃｕ：０．００５〜０．４００％
必須元素であるＣｕは、ジンケート処理時においてＡｌ溶解量を減少させ、また、ジンケート皮膜を均一に、薄く、かつ、緻密に付着させる効果を有する。このような効果により、ジンケート処理工程の次工程である下地処理工程において、Ｎｉ−Ｐからなるめっき表面の平滑性を向上させることができる。Ｃｕ含有量が０．００５％未満では、上記効果が十分に得られない。一方、Ｃｕ含有量が０．４００％を超えると、材料自体の耐食性を低下させるため、ジンケート処理により生成するジンケート皮膜が不均一となり、めっきの密着性や平滑性が低下する。

Ｚｎ：０．０１〜０．４０％
必須元素であるＺｎはＣｕと同様に、ジンケート処理時のＡｌ溶解量を減少させ、また、ジンケート皮膜を均一に、薄く、かつ、緻密に付着させるので、ジンケート処理工程の次工程である下地処理工程において、Ｎｉ−Ｐからなるめっき表面の平滑性を向上させることができる。Ｚｎ含有量が０．０１％未満では、上記効果が十分に得られない。一方、Ｚｎ含有量が０．４０％を超える場合には、材料自体の耐食性を低下させるため、ジンケート処理により生成するジンケート皮膜が不均一となり、めっきの密着性や平滑性が低下する。

Ｓｉ：０．００１〜０．２００％
必須元素であるＳｉは主としてＳｉ粒子として存在し、めっき欠陥の発生原因となるため、皮材中にＳｉが含有されることは好ましくない。しかしながら、Ｓｉはアルミニウム地金に不可避的不純物として存在する元素である。アルミニウム合金の組成調整には純度の高い、例えば純度９９．９％以上のアルミニウム地金を使用するが、このような地金にもＳｉが不可避的に含有される。アルミニウム地金からＳｉを０．００１％未満まで取り除くことは、アルミニウム地金を高純度に精錬する必要がありコスト高を招く。一方、Ｓｉ含有量が０．２００％を超えると、Ｓｉ粒子数の増大に伴いめっき欠陥の発生原因になる。

Ｆｅ：０．００１〜０．２００％
必須元素であるＦｅはアルミニウム中には殆ど固溶せず、Ａｌ−Ｆｅ系金属間化合物としてアルミニウム地金中に存在する。このアルミニウム地金中に存在するＦｅは、本発明の必須元素であるＡｌと結合し、めっき欠陥の発生原因となる金属間化合物を生成するため、アルミニウム合金中にＦｅが含有されることは好ましくない。しかしながら、Ｆｅを０．００１％未満まで取り除くのはアルミニウム地金を高純度に精錬する必要がありコスト高を招く。一方、Ｆｅ含有量が０．２００％を超えると、粗大なＡｌ−Ｆｅ系金属間化合物が生成して、めっき欠陥の発生原因になる。

Ｍｇ：０．１〜３．０％
Ｍｇは、主としてアルミニウム合金板の強度を向上させる効果を有するので、選択的添加元素として必要に応じて添加してもよい。Ｍｇ含有量が０．１％未満では、強度を向上させる効果が十分に得られない。Ｍｇ含有量が３．０％を超えると、強度を向上させる効果は大きいが、粗大なＡｌ−Ｍｇ系金属間化合物が生成して、エッチング時、ジンケート処理時、切削や研削の加工時において、金属間化合物が脱落して大きな窪みが発生し、めっき欠陥の発生原因となる。

Ｃｒ：０．０１〜０．３０％
Ｃｒは、鋳造時に微細な金属間化合物を生成するが、一部はマトリックスに固溶して強度向上に寄与し、また、再結晶組織を微細にして、めっきの密着性を向上させる効果を発揮するので、選択的添加元素として必要に応じて添加してもよい。Ｃｒ含有量が０．０１０％未満では、上記効果が十分に得られない。一方、Ｃｒ含有量が０．３０％を超えると鋳造時に過剰分が晶出すると同時に粗大なＡｌ−Ｃｒ系金属間化合物が生成し、エッチング時、ジンケート処理時、切削や研削の加工時において、金属間化合物が脱落して大きな窪みが発生し、めっき欠陥の発生原因となる。

２−２．第２の実施態様
次に、第２の実施態様について説明する。この第２の実施態様では、心材にはＡｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系合金が用いられ、必須元素としてＳｉ：０．３％以上２．０％未満、Ｍｇ：０．２〜１．５％、Ｃｕ：０．００１〜１．０００％、Ｚｎ：０．０２〜２．００％、Ｆｅ：０．０１〜１．００％を含有し、残部Ａｌ及び不可避不純物からなるアルミニウム合金からなる。心材は、選択的添加元素として、Ｍｎ：０．０１〜１．５０％、Ｃｒ：０．０１〜０．３０％、ならびに、Ｔｉ及びＢ：０．００５〜０．５００％から選択される１種又は２種以上を更に含有していてもよい。

また、第２の実施態様では、皮材が、必須元素として、Ｃｕ：０．００５〜０．４００％、Ｚｎ：０．０１〜０．４０％、Ｓｉ：０．００１〜０．２００％、Ｆｅ：０．００１〜０．２００％を含有し、残部Ａｌ及び不可避不純物からなるアルミニウム合金からなる。皮材は、選択的添加元素として、Ｍｇ：０．１〜３．０％及びＣｒ：０．０１〜０．３０％の１種又は２種を更に含有していてもよい。

以下において、まず、心材の合金成分について述べる。
Ｓｉ：０．３％以上２．０％未満
必須元素であるＳｉは、これまた必須元素であるＭｇと結合し、Ｍｇ−Ｓｉ系金属間化合物が生成して、心材の剛性を向上させる効果を有する。Ｓｉ含有量が０．３％未満では、心材の剛性が不十分となる。一方、Ｓｉ含有量が２．０％以上では、粗大なＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物が生成して、エッチング時、ジンケート処理時、切削や研削の加工時において、基板端面に存在する粗大なＭｇ−Ｓｉ系金属間化合物が脱落して大きな窪みが発生し、めっき欠陥の発生原因となる。

Ｍｇ：０．２〜１．５％
必須元素であるＭｇは、主としてアルミニウム合金板の強度を向上させる効果を有する。また、これまた必須元素であるＳｉと結合し、Ｍｇ−Ｓｉ系金属間化合物が生成して、心材の剛性を向上させる効果を有する。Ｍｇ含有量が０．２％未満では、上記の効果が十分に得られない。一方、Ｍｇ含有量が１．５％を超えると、粗大なＡｌ−Ｍｇ系金属間化合物が生成して、エッチング時、ジンケート処理時、切削や研削の加工時において、基板端面に存在する粗大な金属間化合物が脱落して大きな窪みが発生し、めっき欠陥の発生原因となる。

Ｃｕ：０．００１〜１．０００％
必須元素であるＣｕは、主としてＡｌ−Ｃｕ系金属間化合物として存在し、心材の剛性を向上させる効果を有する。また、電位を貴化させる効果も有する。Ｃｕ含有量が０．００１％未満では、心材の剛性が不十分となる。一方、Ｃｕ含有量が１．０００％を超えると、心材の電位が貴化して皮材と心材との電位差が大きくなり基板端面での不均一な溶解が発生し、基板における内外周の形状精度が低下し、また、めっき欠陥の発生原因となる。

Ｚｎ：０．０２〜２．００％
必須元素であるＺｎは、ジンケート処理時におけるＡｌ溶解量を減少させ、また、ジンケート皮膜を均一に、薄く、かつ、緻密に付着させるので、ジンケート処理工程の次工程である下地処理工程において、基板端面におけるＮｉ−Ｐからなるめっき表面の平滑性を向上させる効果を発揮する。Ｚｎ含有量が０．０２％未満では、上記効果が十分に得られない。一方、Ｚｎ含有量が２．００％を超える場合には、材料自体の耐食性を低下させるため、ジンケート処理により生成するジンケート皮膜が不均一となり、基板端面におけるめっきの密着性や平滑性が低下する。

Ｆｅ：０．０１〜１．００％
必須元素であるＦｅは、主としてＡｌ−Ｆｅ−Ｓｉ系金属間化合物として存在し、アルミニウム合金基板の剛性を向上させる効果を有する。Ｆｅ含有量が０．０１％未満では、心材の剛性が不十分となる。Ｆｅ含有量が１．００％を超えると、粗大なＡｌ−Ｆｅ−Ｓｉ系金属間化合物が生成し、エッチング時、ジンケート処理時、切削や研削の加工時において、基板端面に存在する粗大なＡｌ−Ｆｅ−Ｓｉ系金属間化合物が脱落して、基板端面に大きな窪みが発生し、めっき欠陥の発生原因となる。

Ｍｎ：０．０１〜１．５０％
Ｍｎは、主としてＡｌ−Ｍｎ−Ｓｉ系化合物として存在し、心材の剛性を向上させる効果を有するので、選択的添加元素として必要に応じて添加してもよい。Ｍｎ含有量が０．０１％未満では、剛性を向上させる効果が十分に得られない。Ｍｎ含有量が１．５０％を超えると、粗大なＡｌ−Ｍｎ−Ｓｉ系化合物が生成して、エッチング時、ジンケート処理時、切削や研削の加工時において、基板端面に存在するＡｌ−Ｍｎ−Ｓｉ系金属間化合物が脱落して大きな窪みが発生し、めっき欠陥の発生原因となる。

Ｃｒ：０．０１〜０．３０％
Ｃｒは、鋳造時に微細な金属間化合物を生成するが、一部はマトリックスに固溶して強度向上に寄与し、また、再結晶組織を微細にして、めっきの密着性を向上させる効果を発揮するので、選択的添加元素として必要に応じて添加してもよい。Ｃｒ含有量が０．０１０％未満では、上記効果が十分に得られない。一方、Ｃｒ含有量が０．３０％を超えると、鋳造時に過剰分が晶出すると同時に粗大なＡｌ−Ｃｒ系金属間化合物が生成し、エッチング時、ジンケート処理時、切削や研削の加工時において、基板端面に存在する粗大なＡｌ−Ｃｒ系金属間化合物が脱落して大きな窪みが発生し、めっき欠陥の発生原因となる。

Ｔｉ及びＢ：０．００５〜０．５００％
Ｔｉ及びＢは、鋳造時の凝固過程において、ＴｉＢ_２などのホウ化物やＡｌ_３Ｔｉを形成し、これらが結晶粒核となるため結晶粒を微細化することができ、また、ＴｉＢ_２やＡｌ_３Ｔｉは、アルミニウム合金基板の剛性を向上させる効果を有するので、選択的添加元素として必要に応じて添加してもよい。ＴｉとＢの含有量の合計が０．００５％未満では、上記の効果が得られない。ＴｉとＢの含有量の合計が０．５００％を超えてもその効果は飽和し、それ以上の顕著な改善効果が得られない。なお、Ｔｉ及びＢの両方を含有する場合には、その合計量が上記含有範囲内とし、いずれか一方のみが含有される場合は、当該成分の含有量が上記含有範囲内となる。

次に、皮材の合金成分について述べる。この第２の実施態様における皮材の合金組成は上記第１の実施態様におけるものと同じであり、その限定理由も同じであるので、説明を省く。

２−３．Ｚｎ含有量、Ｃｕ含有量及びＳｉ含有量の関係
アルミニウム合金においてＺｎは電位を卑化し、Ｃｕ及びＳｉは電位を貴化する作用を有する。皮材と心材において、これら各元素の含有量を関係式で規定することにより皮材と心材との間の電位差を制御することが可能となる。

まず、心材において、０．０１０≦（Ｚｎ含有量［％］）／｛（Ｃｕ含有量［％］）＋（Ｓｉ含有量［％］）｝≦３．０００、好ましくは、０．０５０≦（Ｚｎ含有量［％］）／｛（Ｃｕ含有量［％］）＋（Ｓｉ含有量［％］）｝≦１．８００を満たすものと規定する。ここで、Ｓｉは電位を貴化する作用を有するが、Ｓｉ含有量が２．０％を超えてもその効果は飽和する。従って、Ｓｉ含有量が２．０％を超える場合には、上記関係式におけるＳｉ含有量の項を２．０とする。上記関係式において、（Ｚｎ含有量［％］）／｛（Ｃｕ含有量［％］）＋（Ｓｉ含有量［％］）｝が０．０１０未満の場合は、心材の電位が皮材に対して貴になり過ぎ、皮材の優先溶解が生じ端面の形状が不均一となる。一方、３．０００を超えると、皮材との電位差は小さくなるが、心材におけるマトリックスと金属間化合物との間の電位差が大きくなり、心材中における不均一な溶解が発生する。

次に、皮材においては、（Ｚｎ含有量［％］）／｛（Ｃｕ含有量［％］）＋（Ｓｉ含有量［％］）｝≦６０．０００、好ましくは、（Ｚｎ含有量［％］）／｛（Ｃｕ含有量［％］）＋（Ｓｉ含有量［％］）｝≦３０．０００を満たすものと規定する。（Ｚｎ含有量［％］）／｛（Ｃｕ含有量［％］）＋（Ｓｉ含有量［％］）｝が６０．０００を超えると、皮材の電位が心材の電位よりも卑になり過ぎ、皮材の優先溶解が生じ端面の形状が不均一となる。（Ｚｎ含有量［％］）／｛（Ｃｕ含有量［％］）＋（Ｓｉ含有量［％］）｝の下限値は特に限定されるものではないが、用いる皮材の合金組成により自ら決まる。本発明では、この下限値は０．０１程度となる。

皮材と心材において、上記二つの関係式を同時に満たすことで、皮材と心材との間の電位差が３００ｍＶ以内となって基板端面の不均一な溶解を抑制できる。その結果、基板端面における皮材と心材との間の電位差に起因する腐食を防止することが可能となる。

３．磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法
次に、本発明に係る磁気ディスク用アルミニウム合金基板の製造方法について説明する。まず、所定の合金組成範囲に調整された心材用及び皮材用のアルミニウム合金溶湯をそれぞれ、半連続鋳造（ＤＣ鋳造）法などの常法に従って鋳造する。鋳造時の冷却速度を０．１℃／秒以上とするのが好ましい。冷却速度が０．１℃／秒未満の場合は、粗大な金属間化合物が生成するため、切削や研削の加工時において、これらの金属間化合物が連続して脱落し大きな窪みが発生し、めっき表面の平滑性が低下する。なお、上記冷却速度の上限値は特に限定されるものではなく鋳造装置の能力によって自ずと決まるが、本発明では０．５℃／秒とする。

得られた心材用及び皮材用の鋳塊に、必要に応じて均質化処理を施す。均質化処理は、好ましくは３５０〜５５０℃の温度で、好ましく１〜６時間加熱処理する。鋳造後又は更なる均質化処理後に、鋳塊を熱間圧延する。特にその条件は限定されるものではないが、例えば、熱間圧延開始温度を好ましくは３５０〜５００℃とし、熱間圧延終了温度を好ましくは２６０〜３８０℃とする。また、熱間圧延後の素板を硝酸や苛性ソーダ等で素洗いすると、熱間加工で生成したＭｇＯなどの酸化皮膜が除去され、心材と皮材との圧接が良好になされる。

本発明において、心材と皮材とをクラッドするには種々の方法が適用できる。例えば、ブレージングシートの製造等に通常使用される圧延圧接法が挙げられる。この圧延圧接法においては、心材と皮材の合わせ材に、均質化処理、熱間圧延、冷間圧延をこの順序で施すことにより行われる。本発明において、心材と皮材をクラッドするに当たり、皮材のクラッド率（クラッド材全厚さに対する片側の皮材厚さの比率）は特に限定されるものではないが、必要な製品板強度や平坦度、研削量に応じて適宜定められ、５〜２０％とするのが好ましく、８〜１８％とするのがより好ましい。また、両側のクラッド率の合計が１０〜３５％とするのが好ましい。

心材と皮材との合わせ材を、好ましくは５００〜５６０℃の温度で好ましくは１〜２０時間保持することにより均質化処理を施す。心材と皮材との合わせ材を均質化処理する際には、心材と皮材との界面のＭｇＯの生成を極力抑制する必要がある。そのためには、ＭｇＯが生成し易い組成を有するアルミニウム合金を均質化処理する場合には、窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガス；一酸化炭素などの還元性ガス；真空などの減圧ガス；などの非酸化性雰囲気中で行うのが好ましい。合わせ材の熱間圧延では、熱間圧延の開始温度を好ましくは３７０〜５００℃未満とし、熱間圧延終了温度を好ましくは２６０〜３８０℃とする。

熱間圧延終了後は、冷間圧延によって所要の製品板厚に仕上げる。冷間圧延の条件は特に限定されるものではなく、必要な製品板強度や板厚に応じて定めれば良く、例えば圧延率を好ましくは２０〜９０％とする。更に、冷間圧延の前又は冷間圧延の途中において、冷間圧延加工性を確保するために、好ましくは２８０〜４５０℃で、好ましくは０〜１０時間の焼鈍処理を施してもよい。以上のようにして、磁気ディスク用アルミニウム合金基板を作製する。

４．磁気ディスクの製造方法
以上のようにして製造した磁気ディスク用アルミニウム合金基板を用いて、磁気ディスクを製造する。まず、アルミニウム合金基板を円環状に打ち抜き円環状磁気ディスク用アルミニウム合金基板を調製する。次いで、この円環状磁気ディスク用アルミニウム合金基板に３００〜４５０℃、３０分以上の加圧焼鈍を行なって、平坦化したディスクブランクを調製する。このようにして平坦化したディスクブランクに切削加工、研削加工、好ましくは３００〜４００℃で、好ましくは５〜１５分の歪取り加熱処理からなる加工処理をこの順序で施して磁気ディスク用基板とする。次いで、この磁気ディスク用基板に、脱脂処理、エッチング処理、ジンケート処理、下地めっき処理及びスパッタリングによる磁性体の付着をこの順序で行い磁気ディスクを作製する。

脱脂処理は市販のＡＤ−６８Ｆ（上村工業製）脱脂液等を用い、温度４０〜７０℃、処理時間３〜１０分、濃度２００〜８００ｍＬ／Ｌの条件で脱脂を行うことが好ましい。エッチング処理は、市販のＡＤ−１０７Ｆ（上村工業製）エッチング液等を用い、温度５０〜７５℃、処理時間０．５〜５分、濃度２０〜１００ｍＬ／Ｌの条件でエッチングを行うことが好ましい。なお、エッチング処理と後述のジンケート処理の間に、通常のデスマット処理を行なっても良い。ジンケート処理は市販のＡＤ−３０１Ｆ−３Ｘ（上村工業製）のジンケート処理液等を用い、温度１０〜３５℃、処理時間０．１〜５分、濃度１００〜５００ｍＬ／Ｌの条件で行うことが好ましい。下地めっき処理は、市販のニムデンＨＤＸ（上村工業製）めっき液等を用い、温度８０〜９５℃、処理時間３０〜１８０分、Ｎｉ濃度３〜１０ｇ／Ｌの条件でめっき処理を行うことが好ましい。これらのめっき前処理、ならびに、Ｎｉ−Ｐめっき処理によって、本発明の下地処理した磁気ディスク用アルミニウム合金基板が得られる。最後に、下地めっき処理とした表面にスパッタリングによって磁性体を付着させ磁気ディスクとする。

以下に、本発明を実施例に基づいて更に詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

表１に示す組成のアルミニウム合金溶湯を鋳造し、厚さ２２０ｍｍの鋳塊を作製した後に両面１０ｍｍの面削を行った。次いで、この鋳塊を大気中にて５５０℃で６時間の均質化処理を施し、熱間圧延により熱間圧延板を作製した。その後、この熱間圧延板を苛性ソーダで素洗いして皮材とした。

表２、表３に示す組成のアルミニウム合金溶湯を鋳造し、厚さ２２０ｍｍの鋳塊を作製した後に両面１０ｍｍの面削を行い心材とした。次いで、この鋳塊を大気中にて５５０℃で６時間の均質化処理を施し、熱間圧延により熱間圧延板を作製した。ここで、表２は、Ａｌ−Ｓｉ系合金心材であり、表３はＡｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系合金心材である。

心材の両面に皮材のクラッド率が片側１０％となるようそれぞれ合わせて合わせ材とし、熱間圧延を行ない、厚さ３．０ｍｍの熱間圧延板とした。熱間圧延の条件は、圧延前に鋳塊を５２０℃で３時間保持し、圧延開始温度を４００℃とし、圧延終了温度を３００℃とした。次いで、冷間圧延により最終板厚の１．０ｍｍまで圧延し、圧延板とした。このような圧延板から外径９６ｍｍ、内径２４ｍｍの円環状に打抜き、３８０℃、３時間の加圧焼鈍を施してディスクブランクを作成した。次にディスクブランクに、端面を切削加工し、表面を研削加工（グラインディング加工により表面を２０μｍ研削）を行った。更に、３５０℃で、１０分の歪取り加熱処理を行なった。

その後、ＡＤ−６８Ｆ（上村工業製）により６０℃で５分の脱脂を行った後、ＡＤ−１０７Ｆ（上村工業製）により６５℃で３分のエッチングを行い、更に３０％ＨＮＯ_３水溶液（室温）で５０秒間デスマットを行なった。その後、ＡＤ−３０１Ｆ（上村工業製）で５０秒間ジンケート処理を行った。ジンケート処理後に、３０％ＨＮＯ_３水溶液（室温）で６０秒間ジンケート層の剥離を行い、再度ＡＤ−３０１Ｆ（上村工業製）で６０秒間ジンケート処理を行った。

２回のジンケート処理を施した表面に、無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理液（ニムデンＨＤＸ（上村工業製））を用いてＮｉ−Ｐを１７μｍ厚さに無電解めっきし、次いで、羽布により仕上げ研磨（研磨量４μｍ））を行った。

３８０℃で３時間の加圧焼鈍を施したディスクブランク、ならびに、無電解めっき処理後の磁気ディスク用アルミニウム合金基板について、以下の評価を行った。

１．エッチング工程での電位測定
３８０℃で３時間加圧焼鈍を施したディスクブランクから、長方形サンプルを切り出した。皮材の測定には切り出したサンプル表面で電位を測定し、心材の測定は切り出したサンプル表面を苛性ソーダでエッチングし皮材を除去したサンプル表面の電位を測定した。具体的には、ＡＤ−６８Ｆにより６０℃で５分の脱脂を行った後、対極にＰｔ、照合電極にＡｇ／ＡｇＣｌを用い、エッチング工程と同条件である６５℃のＡＤ−１０７Ｆ中の電位の経時変化をデータロガーにより２分間記録した。３０〜９０秒の間におけるそれぞれの電位の平均値を算出した。心材の電位から皮材の電位を差し引くことにより、心材と皮材との間の電位差とした。

２．ジンケート工程での電位測定
３８０℃で３時間加圧焼鈍を施したディスクブランクから、長方形サンプルを切り出した。皮材の測定には切り出したサンプル表面で電位を測定し、心材の測定は切り出したサンプル表面を苛性ソーダでエッチングし皮材を除去したサンプル表面の電位を測定した。具体的には、ＡＤ−６８Ｆにより６０℃で５分の脱脂を行った後、ＡＤ−１０７Ｆにより６５℃で３分のエッチングを行い、更に３０％ＨＮＯ_３水溶液（室温）で５０秒間デスマットを行なった。その後、ＡＤ−３０１Ｆで５０秒間ジンケート処理を行った。このジンケート処理後に、３０％ＨＮＯ_３水溶液（室温）で６０秒間ジンケート層の剥離を行った後、対極にＰｔ、照合電極にＡｇ／ＡｇＣｌを用い、ジンケート工程と同条件であるＡＤ−３０１Ｆ中の電位の経時変化をデータロガーにより６０秒間記録した。１５〜４５秒におけるそれぞれの電位の平均値を算出した。心材の電位から皮材の電位を差し引くことにより、心材と皮材との間の電位差とした。

３．基板端面におけるめっき性の評価
無電解めっきを施した後に羽布により仕上げ研磨を行ったディスクから、内周部と外周部を含むように切り出し、切り出した試料断面を鏡面研磨した。顕微鏡によって内周部と外周部の端面を観察し、心材と皮材との電位差による腐食に起因する端面のめっき性を調べた。端面におけるめっきが平滑である場合を合格（○）、いずれか一方又は両方の端面において、めっきピットやめっき異常成長等によりめっきが平滑でない場合を不合格（×）とした。

４．フラッタリング性の評価
ディスクのフラッタリング性は、市販のハードディスクドライブに空気の存在下において、仕上げ研磨後のアルミニウム合金基板を設置して測定した。ドライブには、Ｓｅａｇａｔｅ製ＳＴ２０００を用いた。ドライブに複数枚のディスクを配置し、ディスク回転数を７２００ｒｐｍとして、レーザードップラー計である小野測器製ＬＤＶ１８００にて最上部のディスクの表面の振動を観察した。観察した振動は、小野測器製ＦＦＴ解析装置ＤＳ３２００にてスペクトル分析によって解析した。

フラッタリング性は、フラッタリングが現れる３００〜１５００Ｈｚの付近におけるブロードなピークの最大変位（ディスクフラッタリング（ｎｍ））によって評価した。この最大変位が５０ｎｍ以下の場合をフラッタリング性が合格（○）、５０ｎｍより大きい場合を不合格（×）とした。

５．総合評価
基板端面におけるめっき性評価及びフラッタリング性が共に合格の場合を、総合評価が合格（○）とし、いずれか一方又は両方が不合格の場合を、総合評価が不合格（×）とした。

Ａｌ−Ｓｉ系合金心材を用いた場合の評価結果を表４、５に、Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系合金心材を用いた場合の評価結果を表６、７に示す。

Ａｌ−Ｓｉ系合金心材の評価結果
実施例１〜３９では、皮材及び心材の合金組成、ならびに、電位差が本発明範囲内であり、基板端面におけるめっき平滑性、ならびに、フラッタリング性が合格となり、総合評価も合格であった。

比較例１では、皮材のＣｕ含有量が少ないため、基板端面におけるめっき性が不合格となった。また、端面以外の部分においてもめっきが平滑ではなかった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例２では、皮材のＣｕ含有量が多いため、基板端面におけるめっき性が不合格となった。また、端面以外の部分においてもめっきが平滑ではなかった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例３では、皮材のＺｎ含有量が少ないため、基板端面におけるめっき性が不合格となった。また、端面以外の部分においてもめっきが平滑ではなかった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例４では、皮材のＺｎ含有量が多いため、基板端面におけるめっき性が不合格となった。また、端面以外の部分においてもめっきが平滑ではなかった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例５では、皮材のＳｉ含有量が少ないため、基板端面及び端面以外の部分においてもめっき性が合格であり、かつ、フラッタリング性も合格であった。しかしながら、Ｓｉ含有量が少ないため、材料コストが高価になり工業的生産の面で問題であった。

比較例６では、皮材のＳｉ含有量が多いため、基板端面におけるめっき性が不合格となった。また、端面以外の部分においてもめっきが平滑ではなかった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例７では、皮材のＦｅ含有量が少ないため、基板端面及び端面以外の部分においてもめっき性が合格であり、かつ、フラッタリング性も合格であった。しかしながら、Ｓｉ含有量が少ないため、材料コストが高価になり工業的生産の面で問題であった。

比較例８では、皮材のＦｅ含有量が多いため、基板端面におけるめっき性が不合格となった。また、端面以外の部分においてもめっきが平滑ではなかった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例９では、皮材のＭｇ含有量が多いため、基板端面におけるめっき性が不合格となった。また、端面以外の部分においてもめっきが平滑ではなかった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例１０では、皮材のＣｒ含有量が多いため、基板端面におけるめっき性が不合格となった。また、端面以外の部分においてもめっきが平滑ではなかった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例１１では、皮材におけるＺｎとＣｕとＳｉの含有量の関係が規定を満たさなかった。そのため、エッチング工程における皮材と心材との電位差が３００ｍＶを超え、基板端面におけるめっき性が不合格となった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例１２では、心材のＳｉ含有量が少ないため、フラッタリング性が不合格となった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例１３では、心材のＳｉ含有量が多いため、フラッタリング性は良好であったが、基板端面におけるめっき性が不合格となった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例１４では、心材のＣｕ含有量が少ないため、フラッタリング性が不合格となった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例１５では、心材のＣｕ含有量が多いため、フラッタリング性は良好であったが、基板端面におけるめっき性が不合格となった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例１６では、心材のＺｎ含有量が少なかった。また、心材におけるＺｎとＣｕとＳｉの含有量の関係も規定を満たさなかった。そのため、エッチング工程における皮材と心材との電位差が３００ｍＶを超え、基板端面におけるめっき性が不合格となった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例１７では、心材のＺｎ含有量が多いため、基板端面におけるめっき性が不合格となった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例１８では、心材のＦｅ含有量が少ないため、フラッタリング性が不合格となった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例１９では、心材のＦｅ含有量が多いため、フラッタリング性は良好であったが、基板端面におけるめっき性が不合格となった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例２０では、心材のＭｇ含有量が多いため、基板端面におけるめっき性が不合格となった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例２１では、心材のＭｎ含有量が多いため、基板端面におけるめっき性が不合格となった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例２２では、心材のＣｒ含有量が多いため、基板端面におけるめっき性が不合格となった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例２３では、心材のＴｉ＋Ｂの含有量が多いため、基板端面におけるめっき性が不合格となった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例２４では、心材におけるＺｎとＣｕとＳｉの含有量の関係が規定を満たさなかった。そのため、エッチング工程における皮材と心材との電位差が３００ｍＶを超え、基板端面におけるめっき性が不合格となった。また、Ｓｉ含有量が少ないためフラッタリング性が不合格となった。その結果、総合評価が不合格となった。

Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系合金心材評価結果
実施例４０〜７８では、皮材及び心材の合金組成、ならびに、電位差が本発明範囲内であり、基板端面におけるめっき平滑性、ならびに、フラッタリング性が合格となり、総合評価も合格であった。

比較例２５では、皮材のＣｕ含有量が少ないため、基板端面におけるめっき性が不合格となった。また、端面以外の部分においてもめっきが平滑ではなかった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例２６では、皮材のＣｕ含有量が多いため、基板端面におけるめっき性が不合格となった。また、端面以外の部分においてもめっきが平滑ではなかった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例２７では、皮材のＺｎ含有量が少ないため、基板端面におけるめっき性が不合格となった。また、端面以外の部分においてもめっきが平滑ではなかった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例２８では、皮材のＺｎ含有量が多いため、基板端面におけるめっき性が不合格となった。また、端面以外の部分においてもめっきが平滑ではなかった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例２９では、皮材のＳｉ含有量が少ないため、基板端面及び端面以外の部分においてもめっき性が合格であり、かつ、フラッタリング性も合格であった。しかしながら、Ｓｉ含有量が少ないため、材料コストが高価になり工業的生産の面で問題であった。

比較例３０では、皮材のＳｉ含有量が多いため、基板端面におけるめっき性が不合格となった。また、端面以外の部分においてもめっきが平滑ではなかった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例３１は、皮材のＦｅ含有量が少ないため、基板端面及び端面以外の部分においてもめっき性が合格であり、かつ、フラッタリング性も合格であった。しかしながら、Ｆｅ含有量が少ないため、材料コストが高価になり工業的生産の面で問題であった。

比較例３２では、皮材のＦｅ含有量が多いため、基板端面におけるめっき性が不合格となった。また、端面以外の部分においてもめっきが平滑ではなかった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例３３では、皮材のＭｇ含有量が多いため、基板端面におけるめっき性が不合格となった。また、端面以外の部分においてもめっきが平滑ではなかった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例３４では、皮材のＣｒ含有量が多いため、基板端面におけるめっき性が不合格となった。また、端面以外の部分においてもめっきが平滑ではなかった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例３５では、皮材におけるＺｎとＣｕとＳｉの含有量の関係が規定を満たさなかった。そのため、エッチング工程における皮材と心材との電位差が３００ｍＶを超え、基板端面におけるめっき性が不合格となった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例３６では、心材のＳｉ含有量が少ないため、フラッタリング性が不合格となった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例３７では、心材のＳｉ含有量が多いため、フラッタリング性は良好であったが、基板端面におけるめっき性が不合格となった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例３８では、心材のＭｇ含有量が少ないため、フラッタリング性が不合格となった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例３９では、心材のＭｇ含有量が多いため、フラッタリング性は良好であったが、基板端面におけるめっき性が不合格となった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例４０では、心材のＣｕ含有量が少ないため、フラッタリング性が不合格となった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例４１では、心材のＣｕ含有量が多いため、フラッタリング性は良好であったが、基板端面におけるめっき性が不合格となった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例４２では、心材のＺｎ含有量が少なかった。また、心材におけるＺｎとＣｕとＳｉの含有量の関係も規定を満たさなかった。そのため、エッチング工程における皮材と心材との電位差が３００ｍＶを超え、基板端面におけるめっき性が不合格となった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例４３では、心材のＺｎ含有量が多いため、基板端面におけるめっき性が不合格となった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例４４では、心材のＦｅ含有量が少ないため、フラッタリング性が不合格となった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例４５では、心材のＦｅ含有量が多いため、フラッタリング性は良好であったが、基板端面におけるめっき性が不合格となった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例４６では、心材のＭｎ含有量が多いため、基板端面におけるめっき性が不合格となった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例４７では、心材のＣｒ含有量が多いため、基板端面におけるめっき性が不合格となった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例４８では、心材のＴｉ＋Ｂの含有量が多いため、基板端面におけるめっき性が不合格となった。その結果、総合評価が不合格となった。

比較例４９では、心材におけるＺｎとＣｕとＳｉの含有量の関係が規定を満たさなかった。そのため、エッチング工程における皮材と心材との電位差が３００ｍＶを超え、基板端面におけるめっき性が不合格となった。その結果、総合評価が不合格となった。

本発明に係る磁気ディスク用アルミニウム合金基板は、優れたフラッタリング性とめっき性を有し、基板端面における皮材と心材との電位差による腐食が抑制されるので、内外周の形状が高精度で薄肉化が可能となる。

Claims (6)

1. 心材と、当該心材の両面にクラッドされた皮材とを備え、前記心材と皮材との電位差が３００ｍＶ以内であることを特徴とする磁気ディスク用アルミニウム合金基板。
2. 前記心材が、Ｓｉ：２．０〜１３．０ｍａｓｓ％、Ｃｕ：０．００５〜０．４００ｍａｓｓ％、Ｚｎ：０．０２〜０．４０ｍａｓｓ％、Ｆｅ：０．０１〜１．００ｍａｓｓ％を含有し、残部Ａｌ及び不可避不純物からなるアルミニウム合金からなり、前記皮材が、Ｃｕ：０．００５〜０．４００ｍａｓｓ％、Ｚｎ：０．０１〜０．４０ｍａｓｓ％、Ｓｉ：０．００１〜０．２００ｍａｓｓ％、Ｆｅ：０．００１〜０．２００ｍａｓｓ％を含有し、残部Ａｌ及び不可避不純物からなるアルミニウム合金からなる、請求項１に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板。
3. 前記心材が、Ｍｇ：０．１〜３．０ｍａｓｓ％、Ｍｎ：０．０１〜０．６０ｍａｓｓ％、Ｃｒ：０．０１〜０．３０ｍａｓｓ％、ならびに、Ｔｉ及びＢ：０．００５〜０．５００ｍａｓｓ％から選択される１種又は２種以上を更に含有し、前記皮材が、Ｍｇ：０．１〜３．０ｍａｓｓ％及びＣｒ：０．０１〜０．３０ｍａｓｓ％の１種又は２種を更に含有する、請求項２に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板。
4. 前記心材が、Ｓｉ：０．３ｍａｓｓ％以上２．０ｍａｓｓ％未満、Ｍｇ：０．２〜１．５ｍａｓｓ％、Ｃｕ：０．００１〜１．０００ｍａｓｓ％、Ｚｎ：０．０２〜２．００ｍａｓｓ％、Ｆｅ：０．０１〜１．００ｍａｓｓ％を含有し、残部Ａｌ及び不可避不純物からなるアルミニウム合金からなり、前記皮材が、Ｃｕ：０．００５〜０．４００ｍａｓｓ％、Ｚｎ：０．０１〜０．４０ｍａｓｓ％、Ｓｉ：０．００１〜０．２００ｍａｓｓ％、Ｆｅ：０．００１〜０．２００ｍａｓｓ％を含有し、残部Ａｌ及び不可避不純物からなるアルミニウム合金からなる、請求項１に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板。
5. 前記心材が、Ｍｎ：０．０１〜１．５０ｍａｓｓ％、Ｃｒ：０．０１〜０．３０ｍａｓｓ％、ならびに、Ｔｉ及びＢ：０．００５〜０．５００ｍａｓｓ％から選択される１種又は２種以上を更に含有し、前記皮材が、Ｍｇ：０．１〜３．０ｍａｓｓ％及びＣｒ：０．０１〜０．３０ｍａｓｓ％の１種又は２種を更に含有する、請求項４に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板。
6. 前記心材において、０．０１０≦（Ｚｎ含有量［ｍａｓｓ％］）／｛（Ｃｕ含有量［ｍａｓｓ％］）＋（Ｓｉ含有量［ｍａｓｓ％］）｝≦３．０００を満たし、ここで、Ｓｉ含有量が２．０ｍａｓｓ％を超える場合には当該Ｓｉ含有量を２．０ｍａｓｓ％とし、かつ、前記皮材において、（Ｚｎ含有量［ｍａｓｓ％］）／｛（Ｃｕ含有量［ｍａｓｓ％］）＋（Ｓｉ含有量［ｍａｓｓ％］）｝≦６０．０００を満たす、請求項２〜５のいずれか一項に記載の磁気ディスク用アルミニウム合金基板。