JP2017181430A - 応力センサ - Google Patents

Abstract

【課題】検出能力の高い応力センサを提供する。【解決手段】応力センサ１は、ダイヤフラム１０と、ダイヤフラム１０の面上に配置され、一部に貫通領域３０を有する感応膜２０と、ダイヤフラム１０において、貫通領域３０による応力変化が生じる応力変化領域に位置するピエゾ抵抗素子４１、４３とを備える。【選択図】図２

Description

本発明は、応力センサに関する。

従来、ダイヤフラムを用いて圧力又は応力等を検出するセンサが知られている。例えば、特許文献１には、ダイヤフラムに加えられる圧力を、ダイヤフラムの撓みに基づいて検出する圧力センサが開示されている。

特開２０１５−１４３７１３号公報

しかしながら、ダイヤフラムを用いた応力センサにおいて、応力の検出能力が必ずしも高くない場合がある。

かかる点に鑑みてなされた本発明の目的は、検出能力を向上できる応力センサを提供することにある。

本発明の一実施形態に係る応力センサは、
ダイヤフラムと、
前記ダイヤフラムの面上に配置され、一部に貫通領域を有する感応膜と、
前記ダイヤフラムにおいて、前記貫通領域による応力変化が生じる応力変化領域に位置する検出部と、を備える。

本発明の一実施形態に係る応力センサによれば、検出能力を向上できる。

本発明の第１の実施形態に係る応力センサの概略構成を示す上面図である。 図１に示す応力センサのＬ−Ｌ線に沿った断面図である。 ガス分子が感応膜に吸着された際の図２に示す範囲Ａの拡大図である。 本発明の第１の実施形態に係る応力センサの変形例を示す上面図である。 本発明の第２の実施形態に係る応力センサの概略構成を示す上面図である。 本発明の第２の実施形態に係る応力センサの変形例を示す上面図である。 本発明の第１及び第２の実施形態に係る応力センサの製造に用いるＳＯＩ基板の概略構造を示す断面図である。 本発明の第１及び第２の実施形態に係る応力センサの製造工程を説明するための断面図である。 本発明の第１及び第２の実施形態に係る応力センサの製造工程を説明するための断面図である。 本発明の第１及び第２の実施形態に係る応力センサの製造工程を説明するための断面図である。 本発明の第１及び第２の実施形態に係る応力センサの製造工程を説明するための断面図である。 本発明の第１及び第２の実施形態に係る応力センサの製造工程を説明するための断面図である。 本発明の第１及び第２の実施形態に係る応力センサの製造工程を説明するための断面図である。

以下、本発明に係る実施形態について、図面を参照して説明する。なお、本発明に係る実施形態では、ダイヤフラムの面上に配置された膜（感応膜）への物質の吸着によって、ダイヤフラムが変形し、ダイヤフラムに応力が生じるものとして説明する。また、以下の説明で用いられる図は模式的なものである。

（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る応力センサ１の概略構成を示す上面図であり、図２は、図１に示す応力センサ１のＬ−Ｌ線に沿った断面図である。なお、本明細書では、ｚ軸正方向が上側、ｚ軸負方向が下側であるとして、以下説明する。

応力センサ１は、ダイヤフラム１０と、貫通領域３０を有する感応膜２０と、４個のピエゾ抵抗素子（検出部）４０，４１，４２，４３とを備える。感応膜２０は、ダイヤフラム１０の上面に配置される。応力センサ１は、感応膜２０が流体中の特定の物質を吸着することにより、特定の物質を検出する。応力センサ１には、例えば上面側から気体が吹きかけられる。応力センサ１は、吹きかけられた気体中に、検出対象となる特定のガス分子が含まれるか否かを検出できる。応力センサ１は、例えばＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板を用いて製造される。応力センサ１の製造方法の一例については後述する。

ダイヤフラム１０は、変形可能な部材である。ダイヤフラム１０は、例えば、薄い基板である。ダイヤフラム１０は、例えば、ｎ型のＳｉ基板とすることができる。ダイヤフラム１０は、図１に示すように、上面側から見て矩形状としてもよい。ダイヤフラム１０は、その周囲において、ダイヤフラム１０よりも厚い基板と一体として構成されている。ダイヤフラム１０は、上面に配置された感応膜２０が変形すると、感応膜２０の変形の度合いに応じて変形する。

感応膜２０は、一部に貫通領域３０を有する。本実施形態では、感応膜２０は、円形状であり、中央部に貫通領域３０を有する。感応膜２０は、検出対象となる物質がその表面に吸着されると、その物質との物理的な接触又はその物質との化学反応等によって、伸縮等して変形する。感応膜２０には、検出対象となる物質に応じた材料が用いられる。ダイヤフラム１０及び感応膜２０の厚さは、感応膜２０に用いられる材料、検出対象となる物質等を考慮して適宜選択することができる。一例として、感応膜２０の材料は、例えば、ポリスチレン、クロロプレンゴム、ポリメチルメタクリレート又はニトロセルロース等が挙げられる。

貫通領域３０は、図１に示すように、上面側から見ると円形状である。本実施形態において、貫通領域３０は、感応膜２０の中央部に位置する。応力センサ１では、貫通領域３０の存在に起因して、検出対象となる物質が感応膜２０に吸着された際にダイヤフラム１０に生じる応力が、貫通領域３０の境界３１の近辺で大きくなる。この原理の詳細については、後述する。

ピエゾ抵抗素子４０〜４３は、自身が受ける応力によって抵抗値が変化する。ピエゾ抵抗素子４０〜４３は、例えばｐ型Ｓｉである。ピエゾ抵抗素子４０〜４３は、ダイヤフラム１０がｎ型Ｓｉである場合には、ボロン（Ｂ）を拡散させて形成したものであってもよい。ピエゾ抵抗素子４０〜４３は、ダイヤフラム１０上に配置される。本明細書において、ダイヤフラム１０上に配置されるとは、平板状のダイヤフラム１０の上面に配置された状態と、図２に示すようにダイヤフラム１０の上面側においてダイヤフラム１０に埋め込まれた状態とを含む。ピエゾ抵抗素子４０〜４３は、ダイヤフラム１０上において、応力変化領域に位置する。ここで、応力変化領域とは、検出対象となる物質が感応膜２０に吸着された際に、貫通領域３０の存在に起因したダイヤフラム１０の変形に伴い応力が大きく変化する領域である。応力変化領域は、例えば、貫通領域３０の境界３１及び境界３１の近辺を含む。境界３１の近辺は、上面視において、境界３１を基準に、貫通領域３０の内側の領域と外側の領域とを含む。応力変化領域は、後述する図３において、一例として領域Ｄとして示されている。本実施形態では、図１に示すように、４個のピエゾ抵抗素子４０〜４３は、上面視において境界３１よりも貫通領域３０の内側の領域に、境界３１に沿って等間隔に配置されている。なお、ピエゾ抵抗素子４０〜４３は、例えば、帯状である。

また、ピエゾ抵抗素子４０〜４３は、ホイートストンブリッジ回路を構成する。応力センサ１は、ピエゾ抵抗素子４０〜４３で構成されたホイートストンブリッジ回路から、ピエゾ抵抗素子４０〜４３の抵抗値の変化を電気信号として検出することで、検出対象となる物質の感応膜２０への吸着を検出できる。なお、ホイートストンブリッジ回路は、必ずしも４個のピエゾ抵抗素子４０〜４３の全てを用いて構成する必要はなく、ピエゾ抵抗素子４０〜４３の何れか１個、２個又は３個を用いて構成してもよい。また、ピエゾ抵抗素子４０〜４３の何れか１個、２個又は３個を用いてホイートストンブリッジ回路を構成する際には、応力センサ１は、ホイートストンブリッジ回路に用いられる個数のピエゾ抵抗素子を、ダイヤフラム１０上に備えるようにしてもよい。

ピエゾ抵抗素子４０〜４３は、貫通領域３０の内側に位置する部分の方が、貫通領域３０の外側に位置する部分よりも大きくてもよい。本実施形態では、ピエゾ抵抗素子４０〜４３は、図１に示すように、上面視において貫通領域３０の内側のみに位置している。なお、ピエゾ抵抗素子４０〜４３は貫通領域３０の内側のみに位置している場合に限られず、ピエゾ抵抗素子４０〜４３は応力変化領域に位置していればよい。従って、ピエゾ抵抗素子４０〜４３は、貫通領域３０の境界又は貫通領域３０の外側に位置していてもよい。また、ピエゾ抵抗素子４０〜４３は、図１及び図２では、ダイヤフラム１０の上面側に位置しているが、ダイヤフラム１０の内部又は下面側に位置していてもよい。

また、本実施形態では、応力センサ１は４個のピエゾ抵抗素子４０〜４３を備えるが、応力センサ１が備えるピエゾ抵抗素子の個数は４個に限られない。応力センサ１は、検出対象となる物質を検出可能な任意の個数のピエゾ抵抗素子を備えていればよい。

また、ダイヤフラム１０に生じる応力を検出する検出部として、ピエゾ抵抗素子の代わりに、他の圧電素子が用いられてもよい。

次に、貫通領域３０とダイヤフラム１０に生じる応力との関係について、図３を参照して説明する。図３は、ガス分子２が感応膜２０に吸着された際の図２に示す範囲Ａの拡大図である。なお、ガス分子２は、応力センサ１を用いて検出する対象のガス分子を模式的に示すものである。

図３に示すように、ガス分子２が感応膜２０に吸着されると、感応膜２０が変形する。感応膜２０の変形に伴い、ダイヤフラム１０において感応膜２０が配置された領域も変形する。一方、ダイヤフラム１０における貫通領域３０には、感応膜２０が配置されていないため、感応膜２０による変形が生じにくい。このように、境界３１を基準に貫通領域３０の内側（図３の領域Ｂ）と外側（図３の領域Ｃ）とで、感応膜２０の影響を受けやすい領域Ｃと受けにくい領域Ｂとが形成される。

具体的には、ダイヤフラム１０の領域Ｃは、感応膜２０の中心側が上側に盛り上がった凸形状に変形する。一方、ダイヤフラム１０の領域Ｂは、感応膜２０の変形の影響をあまり受けないため、変形しにくく、例えばｘｙ平面に対してほぼ平行なままである。このとき、領域Ｃと領域Ｂとの境界付近に存在する領域Ｄでは、図３に示すように、ダイヤフラム１０が大きく変形する。そのため、領域Ｄでは、ダイヤフラム１０の変形の度合いが大きくなり、当該箇所に生じる応力が大きくなる。そして、このように大きな応力が生じやすい領域Ｄにピエゾ抵抗素子４０〜４３が配置されているため、検出対象となる物質が感応膜２０に吸着された際におけるピエゾ抵抗素子４０〜４３の変形も大きくなる。そのため、ピエゾ抵抗素子４０〜４３の抵抗値も、大きく変化しやすくなる。

以上のように、第１の実施形態に係る応力センサ１では、検出対象となる物質が感応膜２０に吸着された際に、応力変化領域におけるダイヤフラム１０の変形の度合いが、感応膜２０が貫通領域３０を有しない場合と比較して、より大きくなる。そのため、応力変化領域に生じる応力もより大きくなる。従って、応力変化領域である境界３１の近辺に位置するピエゾ抵抗素子４０〜４３の抵抗値の変化もより大きくなる。これにより、応力センサ１では、検出対象となる物質が感応膜２０に吸着された際に、ダイヤフラム１０に生じる応力の検出能力を向上させることができる。従って、応力センサ１では、検出対象となる物質の検出能力を向上させることができる。

（第１の実施形態の変形例）
次に、第１の実施形態に係る応力センサ１の変形例について説明する。

図４は、本発明の第１の実施形態に係る応力センサ１の変形例（応力センサ１ａ）を示す上面図である。なお、図４に示す各構成要素において、図１に示す構成要素と同一の構成要素は同一符号を付し、その説明を省略する。

応力センサ１ａは、ダイヤフラム１０と、貫通領域３０ａを有する感応膜２０ａと、ピエゾ抵抗素子（検出部）４０，４１，４２，４３とを備える。貫通領域３０ａは、図４に示すように、上面側から見ると矩形状であり、境界３１ａも矩形状である。ピエゾ抵抗素子４０〜４３は、第１の実施形態における応力センサ１と同様に、応力変化領域に配置されている。本例では、ピエゾ抵抗素子４０〜４３は、貫通領域３０ａの角部の周辺に配置されている。

このような応力センサ１ａであっても、第１の実施形態に係る応力センサ１と同様の効果を得ることができる。なお、貫通領域は、円形状及び矩形状以外にも、他の任意の形状とすることができる。

（第２の実施形態）
図５は、本発明の第２の実施形態に係る応力センサ１ｂの概略構成を示す上面図である。なお、図５に示す構成要素において、図１及び図２に示す構成要素と同一の構成要素は同一符号を付し、その説明を省略する。

応力センサ１ｂは、ダイヤフラム１０ｂと、貫通領域３０を有する感応膜２０ｂと、ピエゾ抵抗素子４０，４１，４２，４３とを備える。

ダイヤフラム１０ｂは、単結晶のｎ型のＳｉ基板であり、図５では、図５に示すｘｙ平面に平行な面（ｚ軸に垂直な面）がＳｉ（１００）面となる。また、ダイヤフラム１０ｂにおいて、ｘ軸方向は［１１０］方向、ｙ軸方向は［１−１０］方向及びｚ軸方向は［００１］方向である。ダイヤフラム１０は、その外周部に４個の切欠き部５０〜５３を有する。

感応膜２０ｂは、ダイヤフラム１０ｂ上に配置され、その中央部に貫通領域３０を有する。さらに、感応膜２０ｂは、その外周部に４個の切欠き部５０〜５３を有する。本実施形態において、ダイヤフラム１０と感応膜２０ｂとの切欠き部５０〜５３は、同一の形状に切り欠かれている。すなわち、図５に示すように、上面視において、ダイヤフラム１０ｂと感応膜２０ｂとの切欠き部５０〜５３の切欠き線は、一致する。ただし、ダイヤフラム１０と感応膜２０ｂとの切欠き部は、それぞれ異なる形状であってもよい。

本実施形態において、切欠き部５０〜５３は、図５に示すように、上面側から見ると、くさび形状である。なお、くさび形状とは、先端に向かうにつれて幅が小さくなる形状を指している。本実施形態では、くさび形状は、三角形である。

ピエゾ抵抗素子４０〜４３は、ｐ型Ｓｉであり、例えば、ｎ型のＳｉ基板であるダイヤフラム１０ｂにボロン（Ｂ）を拡散させることで形成される。ピエゾ抵抗素子４０〜４３は、［−１１０］方向、［−１−１０］方向［１−１０］方向及び［１１０］方向（以下、まとめて「〈１１０〉方向」と表記する）に配置される。

ここで、ピエゾ抵抗係数（ピエゾ抵抗素子が受ける応力と、その応力によって変化するピエゾ抵抗素子の抵抗値との間の比例係数）は、結晶方位に依存する。さらに、Ｓｉ（１００）面において、ｐ型Ｓｉのピエゾ抵抗係数は、〈１１０〉方向で最大となり、〈１００〉方向（〈１００〉方向は、［−１００］方向、［０−１０］方向、［１００］方向及び［０１０］方向を含む方向）で最小となる。従って、ピエゾ抵抗素子４０〜４３は、受ける応力によって変化する抵抗値が最大となるように、ピエゾ抵抗係数が最大となる方向に配置される。すなわち、ピエゾ抵抗素子４０〜４３は、例えば図５に示すように、それぞれｘ軸又はｙ軸に沿った方向、すなわち、ダイヤフラム１０ｂの〈１１０〉方向に沿って設けられる。

このように、ダイヤフラム１０ｂの〈１００〉方向に切欠き部５０〜５３を設けることで、物質が感応膜２０ｂに吸着された際、ダイヤフラム１０ｂは、〈１１０〉方向に沿って主に変形するようになる。そのため、物質が感応膜２０ｂに吸着された際、ダイヤフラム１０ｂは、中央部分（つまり貫通領域３０付近）の変形の度合いが、外周部分より大きくなる。これにより、応力変化領域におけるダイヤフラム１０の変形の度合いがより大きくなり、応力変化領域に生じる応力もより大きくなる。

さらに、ピエゾ抵抗素子４０〜４３は、応力変化領域のピエゾ抵抗係数が最大となる〈１１０〉方向に配置されている。これにより、ピエゾ抵抗素子４０〜４３が受ける応力によって変化する抵抗値を最大化することができ、ダイヤフラム１０に生じる力の検出能力を向上させることができる。すなわち、ピエゾ抵抗素子４０〜４３の長手方向は、ダイヤフラム１０ｂの〈１１０〉方向に沿って設けられる。

加えて、応力センサ１ｂでは、感応膜２０ｂにも、その外周部に切欠き部５０〜５３が設けられている。これにより、検出対象となる物質が上面側から応力センサ１に対して吹きかけられた際、感応膜２０ｂに吸着されなかった物質は切欠き部５０〜５３を通過する。そのため、応力センサ１ｂによれば、感応膜２０ｂに吸着されなかった被検物が、応力センサ１ｂの上面に滞ることを防ぐことができる。

加えて、応力センサ１ｂにおいて、ダイヤフラム１０ｂの感応膜２０ｂが配置されない下面上に、第２感応膜が配置されてもよい。これにより、切欠き部５０〜５３を通過した検出対象となる物質がダイヤフラム１０ｂの下面側に流れ込み、第２感応膜に吸着され得る。第２感応膜が、検出対象となる物質を吸着した際に、上面側の感応膜２０とは反対方向に変形する性質を有する場合には、ダイヤフラム１０ｂの変形の度合いがより大きくなる。

第２の実施形態に係る応力センサ１ｂにおいて、その他の構成及び効果は、第１の実施形態に係る応力センサ１と同様である。

（第２の実施形態の変形例）
次に、第２の実施形態に係る応力センサ１ｂの変形例について説明する。

図６は、本発明の第２の実施形態に係る応力センサの変形例（応力センサ１ｃ）を示す上面図である。なお、図６に示す各構成要素において、図５に示す構成要素と同一の構成要素は同一符号を付し、その説明を省略する。

応力センサ１ｃは、ダイヤフラム１０ｂと、貫通領域３０ｃを有する感応膜２０ｃと、ピエゾ抵抗素子４０，４１，４２，４３とを備える。貫通領域３０ｃは、図６に示すように、上面側から見ると、矩形状であり、境界３１ｃも矩形状である。

このような応力センサ１ｃであっても、第２の実施形態に係る応力センサ１ｂと同様の効果を得ることができる。

（第１及び第２の実施形態に係る応力センサの製造工程）
次に、本発明の第１及び第２の実施形態に係る応力センサの製造工程の一例について、図７〜図１３を参照して説明する。なお、図７〜図１３に示す各構成要素において、同一の構成要素には同一符号を付す。

（１）ＳＯＩ基板の準備
まず、応力センサの製造に用いるＳＯＩ基板を準備する。図７に、本発明の第１及び第２の実施形態に係る応力センサの製造に用いるＳＯＩ基板の概略構造を示す。図７に示すように、ＳＯＩ基板１００は、第１基板１１０と、ＳｉＯ_２層１１１と、第２基板１１２とを備える。第１基板１１０及び第２基板１１２は、Ｓｉ基板である。第１基板１１０は、ダイヤフラムとして機能させるものであり、第２基板１１２よりも薄い。ＳＯＩ基板１００では、第２基板１１２上にＳｉＯ_２層１１１が配置され、ＳｉＯ_２層１１１上に第１基板１１０が配置されている。ＳＯＩ基板１００は、例えばいわゆる貼り合わせ法によって製造される。なお、以下では、第１基板１１０はｎ型であるとする。

（２）拡散配線（高ドープ層）の形成
次に、図７に示すＳＯＩ基板１００に、拡散配線を形成する。図８に示すように、第１基板１１０上にマスクパターン２００を形成した後、イオン注入法によってマスクパターン２００の開口部に高濃度のボロン（Ｂ）を注入し、拡散配線４１ａ，４１ｂ，４３ａ，４３ｂを形成する。

（３）ピエゾ抵抗素子（低ドープ層）の形成
図８に示すマスクパターン２００を除去した後、ピエゾ抵抗素子４０〜４３を形成する。図９に示すように、第１基板１１０上にマスクパターン２０１を形成した後、イオン注入法によってマスクパターン２０１の開口部に低濃度のボロン（Ｂ）を注入し、ピエゾ抵抗素子４０〜４３を形成する。

（４）金属配線の形成
図９に示すマスクパターン２０１を除去し、所定のパターンの絶縁層３１０ａ，３１０ｂを積層した後、アルミニウム等の金属配線を形成する。図１０（ａ）に示すように、第１基板１１０上の全面にスパッタによって金属（例えばアルミニウム）を堆積させ、金属層３００（例えばアルミニウム層）を形成する。次に、図１０（ｂ）に示すように、金属層３００上にマスクパターン２０２を形成する。その後、図１０（ｃ）に示すように、マスクパターン２０２により保護されていない金属層３００をエッチングすることにより、金属配線３００ａ，３００ｂを形成する。金属配線３００ａ等及び拡散配線４１ａ等による接続によって、ピエゾ抵抗素子４０〜４３は、ホイートストンブリッジ回路を構成する。

（５）切欠き部の形成
図１０（ｃ）に示すマスクパターン２０２を除去した後、第２の実施形態に係る応力センサの場合は、切欠き部５０〜５３を形成する。まず、図１１（ａ）に示すように、第１基板１１０上にマスクパターン２０３を形成する。その後、図１１（ｂ）に示すように、マスクパターン２０３を介したドライエッチングにより切欠き部５０〜５３を形成した後、マスクパターン２０３を除去する。なお、この際、ＳｉＯ_２層１１１がストップ層の役割を果たすように、予めドライエッチングの条件を設定する。なお、応力センサが切欠き部を有さない場合には、この工程を飛ばして、次の工程に進んでもよい。

（６）ダイヤフラムの形成
ＳＯＩ基板１００の上下を反転させた後、ダイヤフラムを形成する。図１２（ａ）に示すように、第２基板１１２上にマスクパターン２０４を形成した後、マスクパターン２０４により保護されていない第２基板１１２を、ドライエッチングして凹部４００を形成する。このとき、ＳｉＯ_２層１１１がストップ層の役割を果たすように、予めドライエッチングの条件を設定する。その後、ドライエッチングの条件を変更し、図１２（ｂ）に示すように、ＳｉＯ_２層１１１を除去してダイヤフラム１０Ａを形成する。なお、第１及び第２の実施形態において多様なダイヤフラムについて説明したが、図１２（ｂ）では、ダイヤフラム１０Ａと表記している。

（７）感応膜の形成
図１２（ｂ）に示すマスクパターン２０４を除去し、さらにＳＯＩ基板１００の上下を反転させた後、感応膜２０Ａを形成する。図１３に示すように、感応膜材料をダイヤフラム１０Ａ上に塗布した後、乾燥させて感応膜２０Ａを形成する。なお、第１及び第２の実施形態において多様な感応膜について説明したが、図１３では、感応膜２０Ａと表記している。

なお、ここでは第１基板１１０がｎ型であるとして説明したが、例えば第１基板１１０がｐ型である場合には、上記（２）拡散配線（高ドープ層）の形成及び（３）ピエゾ抵抗素子（低ドープ層）の形成において、ボロン（Ｂ）に替えてリン（Ｐ）を注入する。

本発明を諸図面や実施例に基づき説明してきたが、当業者であれば本開示に基づき種々の変形や修正を行うことが容易であることに注意されたい。従って、これらの変形や修正は本発明の範囲に含まれることに留意されたい。例えば、各構成部、各ステップ等に含まれる機能等は論理的に矛盾しないように再配置可能であり、複数の構成部やステップ等を１つに組み合わせたり、或いは分割したりすることが可能である。

１，１ａ，１ｂ，１ｃ 応力センサ
２ ガス分子
１０，１０Ａ，１０ｂ ダイヤフラム
２０，２０Ａ，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ 感応膜
３０，３０ａ，３０ｃ 貫通領域
３１，３１ａ，３１ｃ 境界
４０，４１，４２，４３ ピエゾ抵抗素子（検出部）
４１ａ，４１ｂ，４３ａ，４３ｂ 拡散配線
５０，５１，５２，５３ 切欠き部
１００ ＳＯＩ基板
１１０ 第１基板
１１１ ＳｉＯ_２層
１１２ 第２基板
２００，２０１，２０２，２０３，２０４ マスクパターン
３００ 金属層
３００ａ，３００ｂ 金属配線
３１０ａ，３１０ｂ 絶縁層
４００ 凹部

Claims (9)

1. ダイヤフラムと、
   前記ダイヤフラムの面上に配置され、一部に貫通領域を有する感応膜と、
   前記ダイヤフラムにおいて、前記貫通領域による応力変化が生じる応力変化領域に位置する検出部と、を備える応力センサ。
2. 前記感応膜は、外周部に切欠き部を有する、請求項１に記載の応力センサ。
3. 前記感応膜の前記切欠き部はくさび形状である、請求項２に記載の応力センサ。
4. 前記ダイヤフラムは、外周部に切欠き部を有する、請求項１から３の何れか一項に記載の応力センサ。
5. 前記ダイヤフラムの前記切欠き部はくさび形状である、請求項４に記載の応力センサ。
6. 前記ダイヤフラムにおいて前記感応膜が配置された面とは異なる他の面上に配置された第２感応膜をさらに備える、請求項４又は５に記載の応力センサ。
7. 前記応力変化領域は、前記貫通領域の境界及び該境界の近辺を含む領域である、請求項１から６の何れか一項に記載の応力センサ。
8. 前記検出部は、前記貫通領域の内側に位置する部分が、貫通領域の外側に位置する部分よりも大きい、請求項１から７の何れか一項に記載の応力センサ。
9. 前記検出部はピエゾ抵抗素子を含んで構成される、請求項１から８の何れか一項に記載の応力センサ。

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