JP2017191102A5

JP2017191102A5 -

Info

Publication number: JP2017191102A5
Application number: JP2017078206A
Authority: JP
Filing date: 2017-04-11
Publication date: 2020-05-14
Anticipated expiration: 2037-04-11

Claims

開口部を有するフレームと、
前記フレーム上の制御器であって、ヒータを制御するように構成されている制御器と、
熱絶縁材料で作製された複数の支持梁と、
前記フレームの前記開口部に配置された懸架質量部と、
前記懸架質量部上の集積回路、温度センサ、及び前記ヒータと、
前記複数の支持梁の第１の支持梁上の第１の導電トラックと、を備えるデバイスであって、前記懸架質量部は、前記複数の支持梁によって前記フレームに連結し、前記第１の導電トラックは、前記制御器を前記ヒータに電気的に連結する、デバイス。
前記複数の支持梁の第２の支持梁上に第２の導電トラックを更に備え、前記第２の導電トラックは、前記制御器を前記温度センサに電気的に連結する、請求項１に記載のデバイス。
前記制御器は、前記温度センサから温度測定値を受信し、前記温度測定値に基づいて前記ヒータを制御するように構成されている、請求項２に記載のデバイス。
第１のウェハと、
前記フレーム及び前記懸架質量部上の第２のウェハと、を更に備え、前記フレームは前記第１のウェハ上に配置され、前記懸架質量部は前記第１及び前記第２のウェハから離間配置されている、請求項１に記載のデバイス。
前記フレーム、前記第１のウェハ、及び前記第２のウェハは、前記懸架質量部の周囲にチェンバを形成する、請求項４に記載のデバイス。
前記チェンバは排気されている、請求項５に記載のデバイス。
前記第２のウェハを介して形成される導電ビアを更に備え、前記導電ビアは、前記第１の導電トラックに電気的に連結されている、請求項４に記載のデバイス。
セラミック基部と、
前記セラミック基部に連結する蓋と、を更に備え、前記フレームは前記セラミック基部上に配置され、前記蓋及び前記セラミック基部は、前記懸架質量部の周囲にチェンバを形成する、請求項１に記載のデバイス。
前記フレーム上に接合パッドを更に備え、前記第１の導電トラックは、前記接合パッドに電気的に連結している、請求項１に記載のデバイス。
基板であって、
開口部を有する第１の部分と、
前記開口部内に配置され、前記第１の部分から離間配置される第２の部分と、を含む基板と、
前記基板の前記第１の部分上の制御器であって、ヒータを制御するように構成されている制御器と、
前記基板の前記第２の部分上の集積回路、温度センサ、及び前記ヒータと、
前記基板の前記第１及び前記第２の部分上の絶縁層であって、前記基板の前記第１及び第２の部分を互いに連結させる前記絶縁層と、
前記絶縁層上の第１の導電トラックと、を備えるデバイスであって、前記第１の導電トラックは、前記制御器を前記ヒータに電気的に連結する、デバイス。
前記絶縁層上に第２の導電トラックを更に備え、前記第２の導電トラックは、前記制御器を前記温度センサに電気的に連結する、請求項１０に記載のデバイス。
前記制御器は、前記温度センサから温度測定値を受信し、前記温度測定値に基づいて前記ヒータを制御するように構成されている、請求項１１に記載のデバイス。
第１及び第２のウェハを更に備え、前記基板は、前記第１のウェハと前記第２のウェハとの間に配置されている、請求項１０に記載のデバイス。
気密真空パッケージを更に備え、前記基板は、前記気密真空パッケージの内側に配置されている、請求項１０に記載のデバイス。
前記基板の前記第１の部分上に接合パッドを更に備え、前記接合パッドは、前記第１の導電トラックに電気的に連結されている、請求項１０に記載のデバイス。
フレームを備える半導体ダイの周辺要素上に制御器を組立てることと、
懸架質量部を備える前記半導体ダイの中心要素上に集積回路、温度センサ、及びヒータ要素を組立てることであって、前記周辺要素は、前記中心要素を取り囲む、ことと、
前記周辺要素と前記中心要素との間にある前記半導体ダイの一部分を取り除くことによって、前記周辺要素から前記中心要素を懸架させることと、
第１の導電トラックを前記半導体ダイと前記懸架させた中心要素を支持する支持梁上に形成することと、を含む、方法であって、前記第１の導電トラックは、前記制御器を前記ヒータ要素に電気的に連結する、方法。
前記半導体ダイ上に第２の導電トラックを形成することを更に含み、前記第２の導電トラックは、前記半導体ダイの前記周辺要素上の接合パッドを前記集積回路、前記温度センサ、又は前記ヒータ要素に電気的に連結する、請求項１６に記載の方法。
前記半導体ダイを第１のウェハ上に配置することと、
前記半導体ダイ上に第２のウェハを配置することと、を更に含み、前記第１のウェハ及び前記第２のウェハは、前記半導体ダイの前記中央要素から離間配置され、前記半導体ダイの前記周辺要素、前記第１のウェハ、及び前記第２のウェハがチェンバを形成する、請求項１６に記載の方法。
前記チェンバを排気することを更に含む、請求項１８に記載の方法。
気密真空パッケージに前記半導体ダイを配置することを更に含む、請求項１６に記載の方法。